JPS62164737A - 有機高分子体の加工方法 - Google Patents
有機高分子体の加工方法Info
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- JPS62164737A JPS62164737A JP411586A JP411586A JPS62164737A JP S62164737 A JPS62164737 A JP S62164737A JP 411586 A JP411586 A JP 411586A JP 411586 A JP411586 A JP 411586A JP S62164737 A JPS62164737 A JP S62164737A
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- JP
- Japan
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- organic polymer
- processing
- area
- processed
- etching
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
- B29C2035/0838—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/034—Organic insulating material consisting of one material containing halogen
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は有機高分子体の加工方法に関する。
熱可盟性の有機高分子体であるポリテトラフルオロエチ
レン（以下Ｐ Ｔ Ｆ ｇ）は、融点以上でも熱変形が
小さく、シかも溶剤に不溶であるため、成形加工やエツ
チング処理による加工が困難である。
レン（以下Ｐ Ｔ Ｆ ｇ）は、融点以上でも熱変形が
小さく、シかも溶剤に不溶であるため、成形加工やエツ
チング処理による加工が困難である。
また、熱硬化性高分子体である１−２ポリブタジエン（
以下１−２ＰＢ）は、ワニス状のものを−たん熱硬化さ
せると、ＰＴＦＥと同様、加工やエツチング処理が離し
い。ＰＴＦＥや１−２ＰＢは低訪電率であるなどの、電
気的性質に秀れ、高速信号を伝搬させる配線基板への応
用が期待されているが、スルーホールの加工の際には、
ＨＰ社が多層のＰＴＦ’Ｅ基板をドリルで穴あけした例
のように、機械加工が一般的で微細化が困難であるとい
う欠点を有す。そこで ＹＡＧレーザ光を照射して被照
射部を熱分解でとばすという手段がとられたが、レーザ
の熱だけを利用する場合、端部のも？６が９や、パリ及
びクラックが生じ、その上にバターニングを行う時に断
線がおこりやすいという欠点が生じる。
以下１−２ＰＢ）は、ワニス状のものを−たん熱硬化さ
せると、ＰＴＦＥと同様、加工やエツチング処理が離し
い。ＰＴＦＥや１−２ＰＢは低訪電率であるなどの、電
気的性質に秀れ、高速信号を伝搬させる配線基板への応
用が期待されているが、スルーホールの加工の際には、
ＨＰ社が多層のＰＴＦ’Ｅ基板をドリルで穴あけした例
のように、機械加工が一般的で微細化が困難であるとい
う欠点を有す。そこで ＹＡＧレーザ光を照射して被照
射部を熱分解でとばすという手段がとられたが、レーザ
の熱だけを利用する場合、端部のも？６が９や、パリ及
びクラックが生じ、その上にバターニングを行う時に断
線がおこりやすいという欠点が生じる。
本発明は、上記した点に鑑みなされたもので、微細化が
可能で、再現性のよい加工を行うことのできる有機高分
子体の加工方法を提供することを目的とする。
可能で、再現性のよい加工を行うことのできる有機高分
子体の加工方法を提供することを目的とする。
本発明は、有機高分子体の一部を加工する方法にあたり
、該有機高分子体上に選択的にレーザー光を照射した後
、加熱ないしはエツチングにより被照射部位の有機高分
子体を除去する、有機高分子体の加工方法である。
、該有機高分子体上に選択的にレーザー光を照射した後
、加熱ないしはエツチングにより被照射部位の有機高分
子体を除去する、有機高分子体の加工方法である。
本発明者等は、有機高分子体の加工、特にスルーホール
形成に関し、研究を重ねた結果、従来から加工が困難と
されていたテトラフルオルエチレン及び熱硬化型１−２
ポリブタジエン樹脂にエキシマレーザ−（波長２４８ｎ
ｍ）を照射することにより、初照射部位の有機高分子が
局所的に劣化し、加熱ないしは、エツチングにより容易
に除去されることを見い出し本発明に致った。
形成に関し、研究を重ねた結果、従来から加工が困難と
されていたテトラフルオルエチレン及び熱硬化型１−２
ポリブタジエン樹脂にエキシマレーザ−（波長２４８ｎ
ｍ）を照射することにより、初照射部位の有機高分子が
局所的に劣化し、加熱ないしは、エツチングにより容易
に除去されることを見い出し本発明に致った。
本発明による有機高分子体の加工方法について図面を持
ってさらに詳細に説明する。
ってさらに詳細に説明する。
第１図は、配線を施した回路基板上に有機高分子体を塗
膜形成した図である。有機高分子体としては種々用いる
ことが出来るが、特に、テトラフルオルエチレン、熱硬
化型１−２ポリブタジェン樹脂は、他の手段では加工困
難なため、効果が大きい。塗布方法は、スピンナーコー
ト法、スクリーン印刷法、真空蒸着法、ＣＶＤ法２等い
ずれでも良いが、テトラフルオルエチレンは熱可塑性の
ため蒸着法が好ましく、熱硬化型ポリブタジェン樹脂は
適当な溶剤、例えば酢酸ジエチレングリコールモツプチ
ルエーテル等を用いて希釈し、スピンナーコート法で塗
布する方法が好適である。
膜形成した図である。有機高分子体としては種々用いる
ことが出来るが、特に、テトラフルオルエチレン、熱硬
化型１−２ポリブタジェン樹脂は、他の手段では加工困
難なため、効果が大きい。塗布方法は、スピンナーコー
ト法、スクリーン印刷法、真空蒸着法、ＣＶＤ法２等い
ずれでも良いが、テトラフルオルエチレンは熱可塑性の
ため蒸着法が好ましく、熱硬化型ポリブタジェン樹脂は
適当な溶剤、例えば酢酸ジエチレングリコールモツプチ
ルエーテル等を用いて希釈し、スピンナーコート法で塗
布する方法が好適である。
次いで第２図に示す嫌に、加工する部位にレーザー光を
照射し、局所的に被照射部位を劣化させるＯ レーザー光源は特に限定しないが、短波長でエネルギー
の大きいエキシマレーザ−が好ましい。次いで真空中で
加熱あるいは、強アルカリ液中にてエツチングすること
により被照射部位の有機高分子体を除去し、スルホール
を形成する。
照射し、局所的に被照射部位を劣化させるＯ レーザー光源は特に限定しないが、短波長でエネルギー
の大きいエキシマレーザ−が好ましい。次いで真空中で
加熱あるいは、強アルカリ液中にてエツチングすること
により被照射部位の有機高分子体を除去し、スルホール
を形成する。
不発明により、電気的特性に秀れているが、塗膜形成後
、加工が困難であったＦＴＦＢや１−２ポリブタジエン
の高分子体膜の微細加工が可能で、再現性の良いスルー
ホールが得られるようになり、Ｇ、Ａ、 ＩＣ等の超
高速素子を塔載し高速信号を伝搬する配線基板への応用
が実現される。
、加工が困難であったＦＴＦＢや１−２ポリブタジエン
の高分子体膜の微細加工が可能で、再現性の良いスルー
ホールが得られるようになり、Ｇ、Ａ、 ＩＣ等の超
高速素子を塔載し高速信号を伝搬する配線基板への応用
が実現される。
本発明の実施例を、第１図〜第３図を参照して詳細に述
べる。
べる。
支持基板１上にＣｕの第一層配線２を形成し、その上に
スピンコード法により、パーオキサイド２１債部添加し
た熱硬化型１−２ポリブタジエン樹脂を塗布し、２００
℃にて３０分間熱硬化させ、第１図の如く２０μｍの有
機高分子体３を形成した。
スピンコード法により、パーオキサイド２１債部添加し
た熱硬化型１−２ポリブタジエン樹脂を塗布し、２００
℃にて３０分間熱硬化させ、第１図の如く２０μｍの有
機高分子体３を形成した。
この後、第２図の如く有機塗膜３にＫｒＦレーザ光（波
長２４８ｆ１ｍ）を選択的に照射した。照射条件ハハワ
ー ル、ビーム径１００μｍ、５０パルステアった。３
秒間照射後、１０−’Ｔｏｒｒオーダの真空中で３００
℃に加熱し、照射部分の高分子を蒸発させることにより
、１２０μｍ径の良好なスルーホールが得られた。その
上に、第３図の如（Ｃｕを蒸着し、第２層配線を形成し
、上下配線の浦の導通が得られた。
長２４８ｆ１ｍ）を選択的に照射した。照射条件ハハワ
ー ル、ビーム径１００μｍ、５０パルステアった。３
秒間照射後、１０−’Ｔｏｒｒオーダの真空中で３００
℃に加熱し、照射部分の高分子を蒸発させることにより
、１２０μｍ径の良好なスルーホールが得られた。その
上に、第３図の如（Ｃｕを蒸着し、第２層配線を形成し
、上下配線の浦の導通が得られた。
第１図〜第３図は本発明の詳細な説明する為の工程断面
図である。 １：支持基板。 ２：第１層配線。 ３：有機高分子体。 ４：第２層配線。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
図である。 １：支持基板。 ２：第１層配線。 ３：有機高分子体。 ４：第２層配線。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）有機高分子体の一部を加工する方法にあたり、該有
機高分子体上に選択的にレーザー光を照射した後、加熱
ないしはエッチングにより被照射部位の有機高分子体を
除去することを特徴とする有機高分子体の加工方法。 ２）有機高分子体としてポリテトラフルオルエチレン若
しくは熱硬化型１−２ポリブタジエン樹脂を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の有機高分子体
の加工方法。 ３）レーザー光源としてエキシマレーザーを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の有機高分子体
の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP411586A JPS62164737A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 有機高分子体の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP411586A JPS62164737A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 有機高分子体の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164737A true JPS62164737A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11575783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP411586A Pending JPS62164737A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 有機高分子体の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005025836A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | Cooperative Research Centre For Advanced Composite Structures Limited | Functional surface shaping techniques for polymer composite components |
| AU2004272124B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-04-29 | Cooperative Research Centre For Advanced Composite Structures Limited | Functional surface shaping techniques for polymer composite components |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP411586A patent/JPS62164737A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005025836A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | Cooperative Research Centre For Advanced Composite Structures Limited | Functional surface shaping techniques for polymer composite components |
| AU2004272124B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-04-29 | Cooperative Research Centre For Advanced Composite Structures Limited | Functional surface shaping techniques for polymer composite components |
| US7985365B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-07-26 | Cooperative Research Centre For Advanced Composite Structures Limited | Functional surface shaping techniques for polymer composite components |
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