KR980005369A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 콘택홀 형성 후 열공정에 의한 아웃개싱을 저지하여 금속 배선과 기판 간의 접합 스파이킹을 방지함과 더불어 스텝 커버리질로 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 기본적인 회로가 구비된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 반도체 기판표면의 일부분이 노출되도록 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 결과물 상부에 보호금속막을 형성하는 단계; 및, 결과물 상부에 금속층을 증착한 후 패턴화하는 단계를 포함하며, 콘택홀을 형성하는 단계와 보호 금속막을 형성하는 단계 사이에 결과물에 대한 소정의 이온 주입 공정을 실시하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 나타낸 단면도.
Claims (9)
- 기본적인 회로가 구비된 반도체 기판상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 표면의 일부분이 노출되도록 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 결과물 상부에 보호금속막을 형성하는 단계; 및, 상기 결과물 상부에 금속층을 증착한 후 패턴화하는 단계를 포함하며, 상기 콘택홀을 형성하는 단계와 상기 보호 금속막을 형성하는 단계 사이에 결과물에 대한 소정의 이온 주입 공정을 실시하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 이온 주입 공정시 몰리브덴 개스를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 이온 주입시 에너지는 50 내지 70KeV의 고 에너지인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 이온 주입시 비임 커런트(beam current)는 3 내지 5mA 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보호 금속막은 Ti/TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 TiN막은 900 내지 1100Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 보호 금속막은 200 내지 400Å의 Ti마과 900 내지 1100Å TiN막이 연속적으로 증착된 Ti/TiN막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 이온 주입을 실시하는 단계와 상기 보호 금속막을 형성하는 단계 사이에 쿨링(cooling) 공정을 실시하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 쿨링 공정은 24 내지 26℃의 상온에서 15 내지 25초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024535A KR980005369A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024535A KR980005369A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005369A true KR980005369A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024535A KR980005369A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005369A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652317B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2006-11-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 패드 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024535A patent/KR980005369A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652317B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2006-11-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 패드 제조 방법 |
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