KR970067645A - 반도체 소자의 금속층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성시 SOG막에서 유출되는 가스를 감소시키기 위해 Ti막을 형성하므로써, 스텝 커버리지 및 콘택 레지스턴스를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속층 형성 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 제1층간 절연막 및 제1금속층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 제2층간 절연막, SOG막 및 제3층간 절연막을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 콘택 마스크를 이용한 식각 공정을 실시하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 상온에서 Ti막 및 제2금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속층은 400℃의 온도로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019960009075A KR100187685B1 (ko) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR970067645A true KR970067645A (ko) | 1997-10-13 |
| KR100187685B1 KR100187685B1 (ko) | 1999-06-01 |
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| KR1019960009075A KR100187685B1 (ko) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406733B1 (ko) * | 2001-05-08 | 2003-11-20 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
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| KR101134535B1 (ko) | 2010-08-20 | 2012-04-13 | 장순배 | 광대역 윌킨슨 전력 분배기의 반도체 소자 제조 방법 |
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1996
- 1996-03-29 KR KR1019960009075A patent/KR100187685B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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| KR100187685B1 (ko) | 1999-06-01 |
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