KR970063500A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 웜홀(wormhole) 형성, 실리콘 파괴(siencroachment), 실리콘 확산(si diffusion)등의 방지에 적당하도록 한 것이다. 본 발명에 따른 반도체소자의 금속배선 형성방법은 실리콘기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘기판위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해 상기 실리콘기판의 노출된 표면에 실리콘과 결합될 수 있는 불순물이온을 주입하고, 열처리하여 방지막을 형성하는 단계; 상기 방지막을 포함한 콘택홀 및 절연막의 노출된 표면위에 도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a∼2e도는 본 발명에 따른 반도체소자의 금속배선 형성공정도.
Claims (2)
- 실리콘기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘기판위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통해상기 실리콘기판의 노출된 표면에 실리콘과 결합될 수 있는 불순물이온을 주입하고, 열처리하여 방지막을 형성하는 단계; 상기 방지막을 포함한 콘택홀 및 절연막의 노출된 표면위에 도전층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물이온은 Ti, Co, Mo, Pt중 1종을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005002A KR970063500A (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005002A KR970063500A (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063500A true KR970063500A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66222381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960005002A KR970063500A (ko) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063500A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451497B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-12-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의배선형성방법 |
| KR100499630B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-02-28 KR KR1019960005002A patent/KR970063500A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100451497B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2004-12-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의배선형성방법 |
| KR100499630B1 (ko) * | 2002-10-08 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
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