WO2011068083A1 - 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 Download PDF

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WO2011068083A1
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organic
naphthacene
general formula
weight
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PCT/JP2010/071222
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城由香里
白沢信彦
藤森茂雄
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東レ株式会社
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    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL element and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to a technique for producing a high-performance organic EL element by defining a residual amount of a precursor compound contained in an organic compound material constituting a light emitting layer in an organic EL element.
  • An organic EL device is a light emitting device with an organic light emitting material sandwiched between a cathode and an anode, and emits energy generated by recombination of electrons injected from the cathode and holes injected from the anode in the organic layer. It is a light emitting element based on the principle of taking it out as energy.
  • a dry process such as a vacuum deposition method or a patterning method using a shadow mask is generally used as a method for producing an organic layer included in an organic device typified by an organic EL element.
  • the vacuum deposition method has problems such as expensive manufacturing equipment and low material utilization efficiency.
  • the patterning method using a shadow mask has a problem that it is difficult to manufacture a large area device.
  • the above-mentioned soluble precursor is used for an organic EL device, it is possible to manufacture the device by a wet process and facilitate the creation of a large area device, but there is a possibility that an unconverted soluble precursor remains in the organic layer. There is a concern that the performance of the organic EL element is degraded.
  • An object of the present invention is to suppress deterioration with time of light emission luminance of an organic EL element and prolong the life of the organic EL element in an organic EL element manufactured using a precursor compound such as a light emitting material.
  • the present invention provides an organic EL device having an organic compound layer including a light emitting layer sandwiched between at least a pair of electrodes, and a naphthacene derivative represented by the following general formula (1) in the light emitting layer and a precursor thereof:
  • R 1 to R 12 may be the same as or different from each other, and hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, Alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group, carbamoyl group, amino group, silyl group, phosphine oxide group, and
  • X is an atom or atomic group selected from C ⁇ O, CH 2 , O, and CHR 21.
  • R 21 is selected from condensed rings formed between adjacent substituents. Is a substituent selected from an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, and an acyl group, and has a bond with each other to form a ring. May be.
  • a decrease in the light emission luminance of the organic EL element is suppressed, and the lifetime is greatly improved.
  • Sectional drawing which shows an example of the organic EL element by which the light emitting layer was patterned by this invention.
  • the figure which shows an example of the shape of ITO produced on the glass substrate.
  • the organic EL device of the present invention contains a naphthacene derivative in the light emitting layer and has a small content of a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure contained in the light emitting layer.
  • One preferred example of the method for producing the organic EL element of the present invention is a method using a wet process. Specifically, a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure that can be converted into a naphthacene derivative used in the organic EL device of the present invention and is soluble is used.
  • a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is highly soluble in many solvents, and further has a property of being converted into a naphthacene derivative by a conversion treatment such as light irradiation or heat treatment.
  • a thin film of a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is formed by a wet process in a place where a light emitting layer is formed in an organic EL element, a light emitting layer containing a naphthacene derivative can be manufactured by performing a conversion process.
  • a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is applied to a donor substrate, and after conversion to a naphthacene derivative, the converted naphthacene derivative is transferred to a place where a light emitting layer is formed on the device substrate.
  • An organic EL element having a light-emitting layer containing a naphthacene derivative can be manufactured.
  • the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure may remain completely converted into a naphthacene derivative. It has been found that it is preferable that the content of the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure in the light emitting layer is small in order to achieve a long lifetime of the organic EL element.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a typical structure of the organic EL element 10 (display).
  • An active matrix circuit including the TFT 12 and the planarization layer 13 is formed on the support 11.
  • the element portion is the first electrode 15 / hole transport layer 16 / light emitting layer 17 / electron transport layer 18 / second electrode 19 formed thereon.
  • An insulating layer 14 that prevents a short circuit from occurring at the electrode end and defines a light emitting region is formed at the end of the first electrode.
  • the configuration of the organic EL element is not limited to this example. For example, only one light emitting layer having a hole transport function and an electron transport function is formed between the first electrode and the second electrode.
  • the hole transport layer may be a multilayer structure of a hole injection layer and a hole transport layer, or the electron transport layer may be a multilayer structure of an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the electron transport layer may be omitted when the light emitting layer has an electron transport function.
  • these layers may be a single layer or a plurality of layers.
  • a protective layer, a color filter, sealing, or the like may be performed using a known technique.
  • the light emitting layer of the organic EL device of the present invention contains a naphthacene derivative represented by the following general formula (1), and further has a bicyclo structure represented by the following general formula (2), which is a precursor thereof. Precursor compounds are included.
  • the content of the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure represented by the general formula (2) contained in the light emitting layer is 5 with respect to 100 parts by weight of the naphthacene derivative represented by the general formula (1). It is important that it is not more than 0.0 parts by weight. More preferably, it is 0.001 part by weight or more and 5.0 part by weight or less.
  • the naphthacene derivative represented by the general formula (1) is a compound that exhibits a function as a light emitting material, particularly a host compound.
  • the naphthacene precursor compound itself having a bicyclo structure has a low function as a host compound. Therefore, the host purity in the light emitting layer of the organic EL element is improved by setting the content to 5.0 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the naphthacene derivative represented by the general formula (1). Long life can be achieved.
  • the host purity is improved, the probability that holes or electrons are trapped in the light emitting layer is reduced, so that the light emission efficiency is improved.
  • the content of the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure represented by the general formula (2) is 1.0 part by weight or less with respect to 100 parts by weight of the naphthacene derivative represented by the general formula (1). is there.
  • the amount is 1.0 parts by weight or less, it is possible to achieve a longer lifetime of the organic EL element.
  • R 1 to R 12 may be the same or different from each other, and hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl Group, alkoxy group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group, carbamoyl group, amino group, silyl group, phosphine oxide group As well as a condensed ring formed between adjacent substituents.
  • X is an atom or atomic group selected from C ⁇ O, CH 2 , O, and CHR 21 .
  • R 21 is a substituent selected from an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, and an acyl group, and may have a bond with each other to form a ring.
  • the alkyl group is, for example, a saturated aliphatic hydrocarbon group such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, and tert-butyl group. This may or may not have a substituent. There are no particular limitations on the additional substituent when it is substituted, and examples thereof include an alkyl group, an aryl group, and a heteroaryl group. This point is also common to the following description.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is usually in the range of 1 to 20 and more preferably 1 to 8 from the viewpoint of availability and cost.
  • the cycloalkyl group represents, for example, a saturated alicyclic hydrocarbon group such as a cyclopropyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group, which may or may not have a substituent.
  • carbon number of an alkyl group part is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.
  • the heterocyclic group refers to an aliphatic ring having atoms other than carbon, such as a pyran ring, a piperidine ring, and a cyclic amide, in the ring, which may or may not have a substituent. .
  • carbon number of a heterocyclic group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
  • alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond such as a vinyl group, an allyl group, or a butadienyl group, which may or may not have a substituent.
  • carbon number of an alkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
  • the cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond such as a cyclopentenyl group, a cyclopentadienyl group, or a cyclohexenyl group, which may have a substituent. You don't have to. Although carbon number of a cycloalkenyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
  • the alkynyl group refers to, for example, an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a triple bond such as an ethynyl group, which may or may not have a substituent.
  • carbon number of an alkynyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-20.
  • An alkoxy group refers to a functional group to which an aliphatic hydrocarbon group is bonded via an ether bond such as a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group, and the aliphatic hydrocarbon group may have a substituent. It may not have. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.
  • the alkylthio group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an alkoxy group is substituted with a sulfur atom.
  • the hydrocarbon group of the alkylthio group may or may not have a substituent. Although carbon number of an alkylthio group is not specifically limited, Usually, it is the range of 1-20.
  • An aryl ether group refers to a functional group to which an aromatic hydrocarbon group is bonded via an ether bond, such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. .
  • carbon number of an aryl ether group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.
  • the aryl thioether group is a group in which an oxygen atom of an ether bond of an aryl ether group is substituted with a sulfur atom.
  • the aromatic hydrocarbon group in the aryl thioether group may or may not have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the arylthioether group is not particularly limited, but is usually in the range of 6 or more and 40 or less.
  • the aryl group is, for example, an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, a terphenyl group, an anthracenyl group, and a pyrenyl group, or a group in which a plurality of these are connected, It can be unsubstituted or substituted.
  • carbon number of an aryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 6-40.
  • aryl groups may have are alkyl groups, cycloalkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkoxy groups, aryl ether groups, alkylthio groups, halogens, cyano groups, amino groups (amino groups are further An aryl group or a heteroaryl group, which may be substituted), a silyl group and a boryl group.
  • a heteroaryl group refers to an aromatic group having a non-carbon atom in the ring, such as a furanyl group, a thiophenyl group, an oxazolyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, or a carbazolyl group, which has a substituent. Even if it does not have.
  • carbon number of heteroaryl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 2-30.
  • the substituent that such a heteroaryl group may have is the same as the substituent that the aryl group may have.
  • Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the carbonyl group refers to a substituent containing a carbon-oxygen double bond such as an acyl group or a formyl group.
  • An acyl group is a substituent in which hydrogen of a formyl group is substituted with an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.
  • the oxycarbonyl group is a substituent containing an ether bond on the carbon of the carbonyl group, such as t-butyloxycarbonyl group or benzyloxycarbonyl group.
  • the carbamoyl group indicates a substituent from which the hydroxyl group of carbamic acid is removed, and may or may not have a substituent.
  • An amino group shows nitrogen compound groups, such as a dimethylamino group, for example, and this may be unsubstituted or substituted.
  • the silyl group indicates, for example, a silicon compound group such as a trimethylsilyl group, which may be unsubstituted or substituted.
  • carbon number of a silyl group is not specifically limited, Usually, it is the range of 3-20.
  • the number of silicon is usually 1-6.
  • the phosphine oxide group refers to a substituent containing a phosphorus-oxygen double bond, which may be unsubstituted or substituted.
  • the condensed ring formed between the adjacent substituents is, as explained in the general formula (1), any two adjacent substituents selected from R 1 to R 12 (for example, R 10 and R 11 ). They are bonded to each other to form a conjugated or non-serving condensed ring.
  • These condensed rings may contain a nitrogen, oxygen, or sulfur atom in the ring structure, or may be further bonded to another ring.
  • the naphthacene derivative represented by the general formula (1) preferably has a structure represented by the following general formula (3) because the luminous efficiency is improved.
  • the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is more preferably a structure represented by the following general formula (4) corresponding to the naphthacene derivative represented by the general formula (3).
  • R 13 to R 20 may be the same or different and are each hydrogen, alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, alkoxy Group, alkylthio group, aryl ether group, aryl thioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, carbonyl group, carboxyl group, oxycarbonyl group, carbamoyl group, amino group, silyl group, phosphine oxide group, and adjacent It is selected from the condensed rings formed between the substituents.
  • Ar 1 and Ar 2 are selected from an aryl ether group, an aryl thioether group, an aryl group, and a heteroaryl group. Ar 1 and Ar 2 may or may not have a substituent.
  • X is an atom or atomic group selected from C ⁇ O, CH 2 , O, and CHR 22 .
  • R 22 is a substituent selected from an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, and an acyl group, and may have a bond with each other to form a ring.
  • R 13 to R 20 and each substituent of Ar 1 and Ar 2 is the same as the description of R 1 to R 12 in the general formula (1).
  • R 13 to R 20 are formed between hydrogen, an alkyl group, a heterocyclic group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an aryl thioether group, an aryl group, a heteroaryl group, and an adjacent substituent. It is preferable that the ring is selected from the condensed rings because high organic EL performance can be expressed. Among these, it is particularly preferable to select from a condensed ring formed between hydrogen, an alkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, a heteroaryl group, and an adjacent substituent.
  • Ar 1 and Ar 2 may be the same or different.
  • the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure more preferably has an ethylene cross-linked structure or a diketo cross-linked structure, and particularly preferably has a diketo cross-linked structure. That is, in the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure represented by the general formula (1) and the general formula (3), X is preferably C ⁇ O or CH 2 , and more preferably C ⁇ O. . By setting it as the said structure, the conversion from a naphthacene precursor compound to a naphthacene derivative can be performed more efficiently.
  • naphthacene derivatives represented by the above general formula (1) or general formula (3) include the following structures.
  • the naphthacene derivative represented by the general formula (1) exhibits a function as a host compound as described above, a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure can be prepared among such compounds.
  • the present invention can be widely applied to. Accordingly, examples of the naphthacene derivative represented by the general formula (1) or the general formula (3) are not limited to the above, and Japanese Patent No. 4308317 (particularly 0033 to 0057), International Publication WO2007 / 097178 pamphlet (particularly 0015 to 0024). ), Naphthacene derivatives other than those mentioned in JP 3712760 (in particular, 0011 to 0039) and the like can also be preferably used.
  • such naphthacene derivatives having structural isomers can be more preferably used.
  • 2-substituted naphthacene, 4-substituted naphthacene, 2-substituted pentacene and the like are particularly preferable.
  • the disubstituted naphthacene is preferably one in which the 5th and 12th positions of the naphthacene skeleton are substituted.
  • the 4-substituted naphthacene is preferably one in which the 5th, 6th, 11th and 12th positions of the naphthacene skeleton are substituted.
  • the disubstituted pentacene is preferably one in which the 6th and 13th positions of the pentacene skeleton are substituted.
  • examples of the naphthacene precursor compound having a corresponding bicyclo structure include the following structures.
  • Examples of the naphthacene precursor compound having a corresponding bicyclo structure include the following structures.
  • Examples of the naphthacene precursor compound having a corresponding bicyclo structure include the following structures.
  • naphthacene precursor compounds having a corresponding bicyclo structure can be exemplified.
  • the naphthacene derivative and the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure used in the present invention can be synthesized by a known method.
  • a naphthacene derivative for example, there is a method of linking an aryl group to the 5th and 12th positions of naphthacene.
  • An example is a method in which an aryl halide and 5,12-naphthacenequinone are linked using n-butyllithium and then reduced with a tin catalyst.
  • a method of isolating a corresponding naphthacene derivative can be used.
  • a bicyclo structure having a diketo bridge structure can be formed.
  • a bicyclo structure having an ethylene cross-linked structure can be formed by a method exemplified in Journal of The American Chemical Society, 1965, Vol. 87, No. 20, pages 4649-4651.
  • the naphthacene derivative used in the present invention and the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure are preferably removed from impurities such as raw materials and by-products used in the synthesis process.
  • impurities such as raw materials and by-products used in the synthesis process.
  • a method for removing impurities for example, silica gel columnography, recrystallization, reprecipitation, filtration, sublimation purification, and the like can be used. Two or more of these methods may be combined.
  • the organic EL device of the present invention may be manufactured by a dry process such as a vacuum vapor deposition method, or may be manufactured using a wet process. However, since it is possible to cope with the production of a large panel as compared with the conventional shadow mask deposition method, it is preferably manufactured by using a wet process. Since the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is soluble, the wet process can be easily applied.
  • a wet process method a known method such as an inkjet method, a nozzle coating method, a spin coating method, or a dipping method can be used.
  • the solubility in the present invention specifically means that 0.5 part by weight or more of a naphthacene precursor material having a bicyclo structure is dissolved in 100 parts by weight of any of the following solvents at room temperature and normal pressure.
  • an organic thin film having a preferable thickness as a light emitting layer can be produced by the above-described coating method. It is more preferable to dissolve 1.0 part by weight or more.
  • Solvents include toluene, xylene, chlorobenzene, chloroform, dichloromethane, dichloroethane, ethyl acetate, tetrahydrofuran, trimethylbenzene, ⁇ -butyrolactone, n-methylpyrrolidone, tetralin, o-dichlorobenzene, trichlorobenzene, ethyl benzoate, etc.
  • a solvent can be used, and one having a boiling point and viscosity suitable for the coating method to be used can be selected.
  • these solvents may be used alone, or a plurality of solvents may be mixed and used.
  • it may dissolve by adding ultrasonic irradiation or heat treatment, and a step of filtration may be added after dissolution.
  • a conversion treatment is performed in order to convert the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure into a naphthacene derivative.
  • the conversion treatment described here is a treatment for causing a structural change of a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure by heating, light irradiation, contact with a chemical solution, or the like, and converting it to a target naphthacene derivative.
  • a factor that does not remain in the constituent material of the organic EL element is preferable.
  • Volatile compounds refer to acids and alkalis that do not remain after treatment, such as hydrochloric acid ether complexes and ammonia gas.
  • a structural change by light irradiation and / or heat treatment is particularly preferable.
  • a hot plate, an inert oven, an infrared heater, or the like can be used for heating.
  • ultraviolet light In the case of converting the structure by light irradiation, it is preferable to use ultraviolet light to visible light. However, it is more preferable to use visible light because an undesired photoreaction due to ultraviolet light may occur depending on the precursor compound used.
  • medical solution, etc. can be illustrated. In either case, the conversion may be promoted by heating after contact with the chemical solution. Moreover, you may introduce the process of wash
  • the conversion reaction examples include Retro Diels-Alder reaction, chiral retropy reaction, decarboxylation reaction, decarbonylation reaction from carbonyl compound, deoxygenation reaction and the like.
  • An optimal conversion process can be selected for each reaction. For example, in the general formula (2), when X is C ⁇ O, decarbonylation reaction by light irradiation, and when X is CH 2 , ethylene elimination reaction by heating and the like can be mentioned.
  • a naphthacene having a bicyclo structure finally represented by the general formula (2) contained in the light emitting layer It is possible to control the precursor compound content to be 5.0 parts by weight or less, and further 1.0 part by weight or less with respect to 100 parts by weight of the naphthacene derivative represented by the general formula (1). is there.
  • increasing the time of each treatment is generally effective for increasing the amount of conversion and reducing the amount of precursor.
  • performing light irradiation while heating also has the effect of increasing the reaction rate depending on the type of conversion reaction.
  • a reaction by light irradiation it is preferable to select one having a wavelength that matches the absorption of the compound, and it is more preferable to select light having a wavelength that maximizes the absorption intensity of the compound.
  • the light-emitting diode can select a desired wavelength with a relatively narrow half-value width, and therefore can efficiently perform light conversion.
  • a light source having a plurality of wavelengths such as a high-pressure mercury lamp
  • it is desirable that light other than the desired wavelength is cut in advance through a blue filter or the like. In this case, the light intensity is weakened by passing through the filter, but sufficient conversion is possible by increasing the irradiation time.
  • a specific method for producing the organic EL device of the present invention by a dry process or a wet process will be described in more detail.
  • the following content is an example and the method for manufacturing the organic EL element of this invention is not restricted to these.
  • a dry process such as a vacuum deposition method
  • a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure dissolved in an arbitrary solvent is subjected to a conversion treatment, and an insoluble and precipitated naphthacene derivative is recovered.
  • a light emitting layer can be produced by a known method such as a vacuum deposition method.
  • the precipitated naphthacene derivative may incorporate a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure, but its weight can be sufficiently reduced if a sufficient conversion treatment is performed.
  • the conversion process may be performed on a naphthacene precursor compound having a solid state bicyclo structure instead.
  • a coating liquid containing at least a naphthacene derivative compound having a bicyclo structure and a solvent is applied to a device substrate on which a hole transport layer is formed and dried.
  • a solvent to be used is selected so that the underlying layer does not dissolve or react.
  • the naphthacene precursor compound is subjected to a conversion treatment to be converted into a naphthacene derivative, whereby an organic layer having a high function as a light emitting layer can be formed.
  • a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure is applied and converted on a substrate different from the device substrate, and the obtained film is applied to the device substrate on which the hole transport layer is formed.
  • an organic layer having a high function as a light emitting layer can be formed.
  • the other substrate is hereinafter referred to as “donor substrate”.
  • the coating film of the naphthacene precursor compound prepared on the donor substrate is subjected to conversion treatment, and then transferred to the device substrate to produce a light-emitting layer, thereby causing uneven coating on the material before transfer on the donor substrate. Even so, unevenness is eliminated during transfer, and a uniform device constituent material layer can be formed on the device substrate.
  • the device constituent material layer is a layer in which a material included in a device forms a layer, such as a light emitting layer in an organic EL element (a layer in which a light emitting material forms a layer).
  • a known method can be used for the transfer step, and examples thereof include a method in which the donor substrate and the device substrate are opposed to each other and heating from the donor substrate side, and a method in which light is irradiated from the donor substrate side. If the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure applied to the donor substrate is structurally changed by heat, if the transfer is performed by heating, the structural change also proceeds at that time, so the naphthacene precursor having the remaining bicyclo structure Body compounds can be further reduced.
  • a conversion process of a naphthacene precursor compound having a bicyclo structure may be further added to the layer transferred onto the device substrate. That is, the layer transferred onto the device substrate may be further subjected to light irradiation, heating, chemical treatment, and the like. Thereby, the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure remaining after the conversion treatment on the donor substrate and transferred onto the device substrate together with the naphthacene derivative can be further reduced. Thereby, the lifetime improvement of an organic EL element can be achieved.
  • the light emitting layer may contain a known dopant material.
  • a well-known thing can be used as a dopant material, For example, indenoperylene, pyromethene, those derivatives, etc. are mentioned.
  • the weight concentration of the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure relative to the naphthacene derivative in the light emitting layer is a value obtained by analysis by high performance liquid chromatography-ultraviolet absorptiometry.
  • Silica gel is used as the filler, and octadecyl group-bonded silica gel, octyl group-bonded silica gel, and phenyl group-bonded silica gel are preferably used. be able to.
  • As the mobile phase acetonitrile, tetrahydrofuran, distilled water, phosphoric acid aqueous solution, methanol or the like can be used, and these may be used in combination. In particular, detection can be performed with high resolution by using only acetonitrile or a mixed solvent of acetonitrile-phosphoric acid aqueous solution.
  • the liquid feeding pressure of the mobile phase at this time is preferably about 35 MPa to 50 MPa.
  • the production of portions other than the light emitting layer in the organic EL device of the present invention will be described.
  • the following description is an example and is not restricted to these.
  • the organic EL element shown in FIG. 1 up to the first electrode 15, that is, the TFT 12, the planarizing layer 13, and the first electrode 15 are patterned on the support 11 by photolithography, and then the insulating layer 14 is formed. Patterning is performed by a known technique using a photosensitive polyimide precursor material or the like. Thereafter, the hole transport layer 16 is formed on the entire surface by a known technique using a vacuum deposition method or the like. The hole transport layer 16 is used as a base layer, and the light emitting layers 17R, 17G, and 17B are patterned thereon. On top of that, if the electron transport layer 18 and the second electrode 19 are formed on the entire surface by a known technique such as a vacuum deposition method, an organic EL element can be manufactured.
  • the light emitting layer may be a single layer or a plurality of layers as long as it contains the naphthacene derivative represented by the general formula (1), and may further include other materials. From the viewpoint of light emission efficiency and color purity, the light emitting layer preferably has a single layer structure of a mixture of a host material and a dopant material.
  • a known method such as vapor deposition, solution coating, ink jetting, or nozzle coating can be used as a method for forming the light emitting layer.
  • a film by vapor deposition it is preferable to form a film by vapor-depositing a material obtained by converting the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure of the present invention into a naphthacene derivative. Since the naphthacene derivative obtained by converting the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure contains a trans structure, the performance of the organic EL device is improved.
  • the coating film of the naphthacene precursor compound having a bicyclo structure prepared on the donor substrate using a wet process is subjected to a conversion process, and then subjected to a transfer process onto the device substrate, and then the light emitting layer
  • the method of forming is particularly preferred.
  • the hole transport layer may be a single layer or a plurality of layers, and each layer may be a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • a layer called a hole injection layer is also included in the hole transport layer. From the viewpoint of hole transportability (low driving voltage) and durability, an acceptor material that promotes hole transportability may be mixed in the hole transport layer. Therefore, the transfer material for forming the hole transport layer may be made of a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • hole transport materials include N, N′-diphenyl-N, N′-dinaphthyl-1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (NPD) and N, N′-biphenyl-N, N′—.
  • aromatic amines N-isopropylcarbazole, pyrazoline derivatives, stilbene compounds, hydrazone compounds, low molecular materials such as oxadiazole derivatives and heterocyclic compounds represented by phthalocyanine derivatives, and these low molecules
  • polymer materials such as polycarbonate having a compound in the side chain, styrene derivative, polyvinyl carbazole, and polysilane.
  • acceptor material examples include low molecular weight materials such as 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ), hexaazatriphenylene (HAT) and its cyano group derivative (HAT-CN6).
  • TCNQ 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane
  • HAT hexaazatriphenylene
  • HAT-CN6 cyano group derivative
  • metal oxides such as molybdenum oxide and silicon oxide that are thinly formed on the surface of the first electrode can also be exemplified as hole transport materials and acceptor materials.
  • the electron transport layer may be a single layer or a plurality of layers, and each layer may be a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • a layer called a hole blocking layer or an electron injection layer is also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer may be mixed with a donor material that promotes electron transport properties.
  • a layer called the electron injection layer is often discussed as this donor material.
  • the transfer material for forming the electron transport layer may be made of a single material or a mixture of a plurality of materials.
  • electron transport materials include quinolinol complexes such as Alq 3 and 8-quinolinolatolithium (Liq), condensed polycyclic aromatic derivatives such as naphthalene and anthracene, and 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl.
  • quinolinol complexes such as Alq 3 and 8-quinolinolatolithium (Liq)
  • condensed polycyclic aromatic derivatives such as naphthalene and anthracene
  • 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl 4,4′-bis (diphenylethenyl) biphenyl.
  • Styryl aromatic ring derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphorus oxide derivatives, benzoquinolinol complexes, hydroxyazole complexes, azomethine complexes, various metal complexes such as tropolone metal complexes and flavonol metal complexes, heterogeneous containing electron-accepting nitrogen Examples thereof include low molecular materials such as compounds having an aryl ring structure, and polymer materials having these low molecular compounds in the side chain.
  • the donor material examples include alkali metals and alkaline earth metals such as lithium, cesium, magnesium, and calcium, various metal complexes such as quinolinol complexes, and oxides and fluorides such as lithium fluoride and cesium oxide. be able to.
  • At least one of the first electrode and the second electrode is transparent in order to extract light emitted from the light emitting layer.
  • the first electrode In the case of bottom emission in which light is extracted from the first electrode, the first electrode is transparent, and in the case of top emission in which light is extracted from the second electrode, the second electrode is transparent.
  • the organic EL element in the present invention is not generally limited to the active matrix type in which the second electrode is formed as a common electrode.
  • the organic EL element is formed of a stripe electrode in which the first electrode and the second electrode intersect each other. It may be a simple matrix type or a segment type in which the display unit is patterned so as to display predetermined information. Examples of these applications include televisions, personal computers, monitors, watches, thermometers, audio equipment, automobile display panels, and the like.
  • reaction composition organism was purified by silica gel column chromatography to obtain an intermediate 1-1 represented by the following formula.
  • Dimethyl sulfoxide (1.2 mL) was dissolved in dehydrated dichloromethane (10 mL) and cooled to -78 ° C.
  • Acetic anhydride (2.1 mL) was added dropwise, and the mixture was stirred at ⁇ 78 ° C. for 15 minutes.
  • a dehydrated dichloromethane solution (10 mL) of Intermediate 3-2 (0.25 g)
  • the mixture was stirred at ⁇ 78 ° C. for 90 minutes.
  • triethylamine (2.5 mL) was added dropwise, and the mixture was further stirred at ⁇ 78 ° C. for 90 minutes, and then the reaction mixture was warmed to room temperature.
  • Example 1 A donor substrate was prepared as follows. An alkali-free glass substrate was used as a support, and after cleaning / UV ozone treatment, a titanium film having a thickness of 1.0 ⁇ m was formed as a photothermal conversion layer on the entire surface by sputtering. Next, after the photothermal conversion layer has been subjected to UV ozone treatment, a positive polyimide photosensitive coating agent (DL-1000, manufactured by Toray Industries, Inc.) is spin-coated thereon, pre-baked and UV exposed, and then a developer. The exposed part was dissolved and removed by ELM-D (manufactured by Toray Industries, Inc.). The polyimide precursor film thus patterned was baked on a hot plate at 350 ° C.
  • DL-1000 positive polyimide photosensitive coating agent
  • the partition pattern had a height of 2 ⁇ m and a cross section of a forward tapered shape. Openings exposing the photothermal conversion layer having a width of 80 ⁇ m and a length of 280 ⁇ m were arranged in the partition pattern at a pitch of 100 and 300 ⁇ m, respectively.
  • a chloroform solution containing 3% by weight of Compound [28] and 0.15% by weight of DCJTB represented by the following formula was spin-coated and dried.
  • the obtained thin film was irradiated with light of a blue light-emitting diode (center wavelength: 460 nm, half-value width: 20 nm) for 3 hours in a nitrogen atmosphere to convert compound [28] into compound [1].
  • a layer having an average thickness of 25 nm made of compound [1], compound [28] and DCJTB was formed in the partition pattern (opening).
  • the device substrate was produced as follows. An alkali-free glass substrate (manufactured by Geomatech Co., Ltd., sputtering film-formed product) on which an ITO transparent conductive film was deposited to 140 nm was cut into 38 ⁇ 46 mm, and the ITO was etched into the shape shown in FIG. 2 by photolithography. Next, the polyimide precursor film patterned similarly to the donor substrate was baked at 300 ° C. for 10 minutes to form a polyimide-based insulating layer. The height of this insulating layer was 1.8 ⁇ m and the cross section was a forward tapered shape.
  • Openings exposing ITO with a width of 70 ⁇ m and a length of 270 ⁇ m were arranged at a pitch of 100 and 300 ⁇ m inside the pattern of the insulating layer.
  • This substrate was subjected to UV ozone treatment, installed in a vacuum deposition apparatus, and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 3 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • 20 nm of copper phthalocyanine (CuPc) and 40 nm of NPD were stacked as a hole transport layer by vapor deposition over the entire light emitting region.
  • the partition pattern of the donor substrate and the insulating layer of the device substrate were aligned and held in a vacuum of 3 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, and then taken out into the atmosphere.
  • the transfer space partitioned by the insulating layer and the partition pattern was kept in a vacuum.
  • an irradiation shape is formed into a rectangle of 340 ⁇ m wide and 50 ⁇ m long at a center wavelength of 940 nm from the glass substrate side of the donor substrate so that a part of the material in the partition pattern and a part of the partition pattern are heated simultaneously.
  • the material in the partition pattern was transferred onto the hole transport layer which is the underlayer of the device substrate.
  • the laser intensity was 148 W / mm 2
  • the scan speed was 0.6 m / s
  • the scan was repeated 24 times in such a manner that the lasers were overlapped so as to be transferred to the entire light emitting region.
  • the transferred device substrate was placed in the vacuum deposition apparatus again and evacuated until the degree of vacuum in the apparatus became 3 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • E-1 shown below as an electron transporting layer was deposited on the entire surface of the light emitting region by resistance heating.
  • lithium fluoride was deposited at a thickness of 0.5 nm as a donor material (electron injection layer), and aluminum was deposited at a thickness of 100 nm as a second electrode to produce an organic EL device having a 5 mm square light emitting region.
  • the content of the compound [28] was measured by HPLC, it was 2.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [34] represented by the following formula was used instead of DCJTB. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 1.8 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 3 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time with the blue light emitting diode was set to 10 hours. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 0.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 4 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [30] was used instead of the compound [28].
  • compound [30] When compound [30] is irradiated with light from a blue light-emitting diode (center wavelength: 460 nm, half-value width: 20 nm) for 3 hours, it is converted to compound [2].
  • the content of the compound [30] in the organic EL device produced at this time was 3.1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [2].
  • Example 5 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound [32] was used instead of the compound [28]. When compound [32] is irradiated with light from a blue light-emitting diode (center wavelength: 460 nm, half width: 20 nm) for 3 hours, it is converted to compound [3]. Content of compound [32] in the organic EL element produced at this time was 1.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of compound [3].
  • Example 6 After the transfer step, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 3 except that the device substrate onto which the light emitting layer was transferred was irradiated with light from a blue light emitting diode for 1 hour under vacuum. Content of compound [28] in the organic EL element produced at this time was 0.1 part by weight with respect to 100 parts by weight of compound [1].
  • Example 7 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 4 hours. Content of compound [28] in the organic EL element produced at this time was 1.2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of compound [1].
  • Example 8 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was 2.5 hours. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 2.6 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 9 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 2 hours. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 4.2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 10 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was 1.7 hours. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 4.8 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Comparative Example 1 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 1 hour. Content of compound [28] in the organic EL element produced at this time was 6.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of compound [1].
  • Comparative Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was 1.5 hours. The content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 5.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Comparative Example 3 Except for using light (peak wavelength 405 nm (half width 5 nm), 436 nm (half width 5 nm)) of a high-pressure mercury lamp (600 W) that passed through a blue filter instead of a blue light emitting diode (center wavelength 460 nm, half width 20 nm)
  • An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1.
  • the content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 6.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 11 An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 3 except that the light irradiation time with a high-pressure mercury lamp through a blue filter was set to 7 hours.
  • the content of the compound [28] in the organic EL device produced at this time was 4.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [1].
  • Example 12 An organic EL device was produced in the same manner as in Example [1] except that Compound [32] was used instead of Compound [28] and Compound [34] was used instead of DCJTB.
  • the content of the compound [32] in the organic EL device produced at this time was 1.5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 13 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time with the blue light emitting diode was set to 10 hours. The content of the compound [32] in the organic EL device produced at this time was 0.1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 14 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time with the blue light emitting diode was set to 8 hours.
  • the content of the compound [32] in the produced organic EL device was 0.3 part by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 15 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time with the blue light emitting diode was set to 5 hours. The content of the compound [32] in the organic EL device produced at this time was 0.6 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 16 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time with the blue light emitting diode was set to 2 hours. The content of the compound [32] in the organic EL device produced at this time was 2.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 17 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 1 hour.
  • the content of the compound [32] in the produced organic EL device was 3.3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Example 18 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was 30 minutes. The content of the compound [32] in the organic EL device produced at this time was 4.6 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Comparative Example 4 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 20 minutes.
  • the content of the compound [32] in the produced organic EL device was 6.0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Comparative Example 5 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 11 except that the light irradiation time by the blue light emitting diode was set to 10 minutes. The content of the compound [32] in the produced organic EL device was 12 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound [3].
  • Organic EL elements (device substrates) 11 Support 12 TFT (including extraction electrode) 13 planarization layer 14 insulating layer 15 first electrode 16 hole transport layer 17 light emitting layer 18 electron transport layer 19 second electrode 20 glass substrate 21 ITO pattern

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Abstract

　本発明は、特定のナフタセン誘導体を有する有機ＥＬ素子において、そのナフタセン誘導体の前駆体化合物の有機ＥＬ素子中における含有量を一定以下とすることにより、発光輝度の低下が抑制され、寿命が大幅に改善された有機ＥＬ素子を提供するものである。

Description

有機ＥＬ素子および有機ＥＬ素子の製造方法
　本発明は、有機ＥＬ素子およびその製造方法に関する。より詳しくは、有機ＥＬ素子において、発光層を構成する有機化合物材料中に含まれる前駆体化合物の残留量を規定し、高性能な有機ＥＬ素子を作製する技術に関する。
　有機ＥＬ素子は陰極と陽極の間に有機発光材料を挟んだ構造の発光素子であり、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が有機層で再結合することで生じるエネルギーを発光エネルギーとして外部に取り出す原理の発光素子である。
　現在、有機ＥＬ素子に代表される有機デバイスに含まれる有機層の作製方法は、真空蒸着法やシャドーマスクを用いたパターニング法などのドライプロセスが一般的である。しかし、真空蒸着法では製造装置が高価であることや材料の利用効率が低いことなどの問題があった。また、シャドーマスクを用いたパターニング法では大面積デバイスの作製が困難であることなどの問題があった。
　これに対し、スピンコート法やインクジェット法などウェットプロセスによる有機デバイスの作製方法も検討されている。しかし、真空蒸着法にて一般的に用いられている有機デバイス材料は難溶性のものがほとんどであり、そのままウェットプロセスへ用いることは困難である。そのため有機デバイス材料の可溶化の検討がなされている。その中に、有機デバイス材料に変換することが可能な材料であって、可溶性である材料、いわゆる可溶性前駆体を用いる方法がある。これは、可溶性前駆体をデバイス基板に塗布・製膜し、その後加熱等の処理により可溶性前駆体を有機デバイス材料に変換するといった方法である（特許文献１～２参照）。この方法によれば、難溶性の材料であってもその前駆体が可溶性であればウェットプロセスの適用が可能となる。
　一方で、有機デバイスは、駆動に伴って経時的に性能が低下することが知られている。この原因の一つとして、有機デバイス中の材料に混入する不純物の影響が挙げられる。例えば、特定のナフタセン誘導体を有機発光層に含む有機ＥＬ素子において、有機発光材料を合成する際の副生成物や原料であるジオール体の含有量を低減することで、有機ＥＬ素子の発光輝度低下を低減し、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができることが開示されている（特許文献３参照）。
特開２００３－３０４０１４号公報 特開２００５－２３２１３６号公報 特許第４３０８３１７号公報
　前述の可溶性前駆体を有機ＥＬ素子に用いた場合、ウェットプロセスによる素子の製造が可能であり大面積デバイス作成が容易となるが、有機層中に未変換の可溶性前駆体が残留する可能性があり、有機ＥＬ素子の性能低下が懸念される。
　本発明は、発光材料等の前駆体化合物を利用して製造した有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の発光輝度の経時劣化を抑制し、有機ＥＬ素子を長寿命化させることを目的とする。
　本発明は、少なくとも一対の電極間に挟持された発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子において、前記発光層中に下記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体と、その前駆体であり下記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を含有する有機ＥＬ素子であって、前記発光層中に含まれるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が、ナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下である有機ＥＬ素子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　（一般式（１）および（２）中、Ｒ１～Ｒ１２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（２）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、Ｏ、ＣＨＲ２１から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２１はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）
　本発明によれば、有機ＥＬ素子の発光輝度の低下が抑制され、その寿命が大幅に改善される。
本発明により発光層がパターニングされた有機ＥＬ素子の一例を示す断面図。 ガラス基板上に作製したＩＴＯの形状の一例を示す図。
　本発明の有機ＥＬ素子は、発光層中にナフタセン誘導体を含み、かつ、該発光層に含まれるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の含有量が少ないものである。
　本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の好ましい例のひとつとして、ウェットプロセスを用いた方法が挙げられる。具体的には、本発明の有機ＥＬ素子に用いられるナフタセン誘導体へと変換可能であり、かつ可溶性である、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を利用する。ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物は多くの溶媒に対して高い可溶性を有しており、さらに、光照射や熱処理といった変換処理によってナフタセン誘導体へと変換される性質を有する。
　例えば、有機ＥＬ素子において発光層を形成する場所にビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の薄膜をウェットプロセスにて作製すれば、変換処理を施してナフタセン誘導体を含む発光層を作製することができる。また、別の方法として、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物をドナー基板に塗布し、ナフタセン誘導体への変換処理後、デバイス基板上の発光層を形成する場所に変換されたナフタセン誘導体を転写して、ナフタセン誘導体を含む発光層を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。
　上記のような変換処理において、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物がナフタセン誘導体へ完全に変換されず残留する場合がある。有機ＥＬ素子の長寿命化を達成するには、発光層中のビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の含有量が少ないことが好ましいことが分かった。
　以下本発明の有機ＥＬ素子について詳細に説明する。図１は、有機ＥＬ素子１０（ディスプレイ）の典型的な構造の例を示す断面図である。支持体１１上にＴＦＴ１２や平坦化層１３などで構成されるアクティブマトリクス回路が構成されている。素子部分は、その上に形成された第一電極１５／正孔輸送層１６／発光層１７／電子輸送層１８／第二電極１９である。第一電極の端部には、電極端における短絡発生を防止し、発光領域を規定する絶縁層１４が形成される。有機ＥＬ素子の構成はこの例に限定されるものではなく、例えば、第一電極と第二電極との間に正孔輸送機能と電子輸送機能とを合わせもつ発光層が一層だけ形成されていてもよいし、正孔輸送層が正孔注入層と正孔輸送層との複数層の積層構造であってもよいし、電子輸送層が電子輸送層と電子注入層との複数層の積層構造であってもよいし、発光層が電子輸送機能をもつ場合には電子輸送層が省略されてもよい。また、第一電極／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／第二電極の順に積層されていてもよい。また、これらの層はいずれも単層であっても複数層であってもよい。なお、図示されていないが、第二電極の形成後に、公知技術を利用して、保護層の形成やカラーフィルターの形成、封止などが行われてもよい。
　本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、下記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体が含まれ、さらに、その前駆体である下記一般式（２）で表されるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が含まれる。このとき、前記発光層中に含まれる一般式（２）で表されるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の含有量が、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下であることが重要である。より好ましくは０．００１重量部以上５．０重量部以下である。一般式（１）で表されるナフタセン誘導体は、発光材料、特にホスト化合物としての機能を発揮する化合物である。これに対し、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物自体はホスト化合物としての機能が低い。そこで、その含有量を一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下とすることで、有機ＥＬ素子の発光層中のホスト純度が向上し、これによって長寿命化が達成できる。また、ホスト純度が向上することで、発光層内で正孔または電子がトラップされる確率が減少するために、発光効率が向上する。より好ましくは、一般式（２）で表されるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の含有量が、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して１．０重量部以下である。１．０重量部以下とすることで、有機ＥＬ素子のさらなる長寿命化が達成できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　ここで、一般式（１）および（２）中、Ｒ１～Ｒ１２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（２）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、Ｏ、ＣＨＲ２１から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２１はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。
　これらの置換基のうち、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基およびｔｅｒｔ－ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。置換されている場合の追加の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。
　シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基およびアダマンチル基などの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。
　複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。
　アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。
　シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。
　アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。
　アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基およびプロポキシ基などのエーテル結合を介して脂肪族炭化水素基が結合した官能基を示し、この脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。
　アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アルキルチオ基の炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。
　アリールエーテル基とは例えば、フェノキシ基など、エーテル結合を介した芳香族炭化水素基が結合した官能基を示し、芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。
　アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アリールチオエーテル基における芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールチオエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。
　アリール基とは、例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、アントラセニル基およびピレニル基などの芳香族炭化水素基、もしくはこれらが複数連結した基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。このようなアリール基が有していても良い置換基はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールエーテル基、アルキルチオ基、ハロゲン、シアノ基、アミノ基（アミノ基はさらにアリール基やヘテロアリール基で置換されていてもよい）、シリル基およびボリル基などである。
　ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を環内に有する芳香族基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上３０以下の範囲である。このようなヘテロアリール基が有していても良い置換基は、アリール基が有していても良い置換基と同様である。
ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。
　カルボニル基とはアシル基やホルミル基など炭素－酸素二重結合を含む置換基を示す。アシル基はホルミル基の水素がアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基に置換した置換基を示す。オキシカルボニル基とはｔ－ブチルオキシカルボニル基やベンジルオキシカルボニル基のようにカルボニル基の炭素上にエーテル結合を含む置換基を示す。
　カルバモイル基とはカルバミン酸の水酸基を外した置換基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アミノ基とは、例えばジメチルアミノ基などの窒素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１～６である。ホスフィンオキサイド基とはリン－酸素二重結合を含む置換基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。
　隣接置換基との間に形成される縮合環とは、前記一般式（１）で説明すると、Ｒ１～Ｒ１２の中から選ばれる任意の隣接２置換基（例えばＲ１０とＲ１１）が互いに結合して共役または非供役の縮合環を形成するものである。これら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と結合していてもよい。
　本発明において、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体は、発光効率が向上することから下記一般式（３）で表される構造であることがより好ましい。また、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物は一般式（３）で表されるナフタセン誘導体に対応した下記一般式（４）で表される構造であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　一般式（３）および（４）中、Ｒ１３～Ｒ２０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。Ａｒ１およびＡｒ２はアリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基から選ばれる。Ａｒ１およびＡｒ２は置換基を有していてもいなくてもよい。一般式（４）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、Ｏ、ＣＨＲ２２から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２２はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。
　ここで、Ｒ１３～Ｒ２０およびＡｒ１、Ａｒ２の各置換基の説明は前記一般式（１）のＲ１～Ｒ１２の説明と同様である。
　ここでＲ１３～Ｒ２０は、水素、アルキル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれることが、高い有機ＥＬ性能を発現できることから好ましい。中でも、水素、アルキル基、複素環基、アリール基、ヘテロアリール基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれることが特に好ましい。
　また、Ａｒ１、Ａｒ２の例としては特に限定はされないが、以下のようなものが挙げられる。Ａｒ１およびＡｒ２は同じでも異なっていてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　また、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が、エチレン架橋構造もしくはジケト架橋構造を有することがより好ましく、ジケト架橋構造を有することが特に好ましい。すなわち、一般式（１）および一般式（３）で表されるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物において、ＸがＣ＝ＯまたはＣＨ２であることが好ましく、Ｃ＝Ｏであることがより好ましい。上記構造とすることで、ナフタセン前駆体化合物からナフタセン誘導体への変換をより効率的に行うことができる。
　上記の一般式（１）または一般式（３）で表されるナフタセン誘導体の例として、下記のような構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　なお、前記の通り一般式（１）で表されるナフタセン誘導体はホスト化合物としての機能を発揮するものであるから、そのような化合物の中で、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を用意できるものには本発明を広く適用できる。したがって、一般式（１）または一般式（３）で表されるナフタセン誘導体の例は上記に限られず、特許第４３０８３１７号（特に００３３～００５７）、国際公開ＷＯ２００７／０９７１７８号パンフレット（特に００１５～００２４）、特許第３７１２７６０号（特に００１１～００３９）等に挙げられる上記以外のナフタセン誘導体も好ましく用いることができる。また、そのようなナフタセン誘導体であって構造異性体を有するものをより好ましく用いることができる。その中でも特に２置換ナフタセン、４置換ナフタセン、２置換ペンタセンなどが特に好ましい。ここで、２置換ナフタセンはナフタセン骨格の５位と１２位が置換されたものであることが好ましい。また、４置換ナフタセンはナフタセン骨格の５位、６位、１１位および１２位が置換されたものであることが好ましい。また、２置換ペンタセンはペンタセン骨格の６位と１３位が置換されたものであることが好ましい。
　また、化合物［１］をナフタセン誘導体とした場合、対応するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物としては、例えば下記のような構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　化合物［２］をナフタセン誘導体とした場合、対応するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物としては、例えば下記のような構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　化合物［３］をナフタセン誘導体とした場合、対応するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物としては、例えば下記のような構造が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　本願明細書や上記の文献等に記載された、他のナフタセン誘導体についても、同様にして対応するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を挙げることができる。
　また、本発明で用いられるナフタセン誘導体およびビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物は公知の方法により合成することができる。ナフタセン誘導体を合成するには、例えば、ナフタセンの５位および１２位へアリール基を連結する方法がある。一例として、ハロゲン化アリールと５，１２－ナフタセンキノンをｎ－ブチルリチウムを用いて連結した後、スズ触媒で還元する方法などが挙げられる。また、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を合成するには、対応するナフタセン誘導体を離島する方法が挙げられる。例えば、前述の５位および１２位へアリール基を連結したナフタセン誘導体の６位および１１位にＤｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反応で炭酸ビニレンを付加させた後、加水分解を行い、さらにこれをＳｗｅｒｎ酸化することでジケト架橋構造を有するビシクロ構造を形成することができる。また、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ、１９６５年、８７巻、２０号、４６４９－４６５１頁等に挙げられる方法により、エチレン架橋構造を有するビシクロ構造を形成することができる。
　本発明で用いられるナフタセン誘導体およびビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物は、これらの合成過程で使用した原料や副生成物などの不純物を除去しておくことが好ましい。不純物の除去方法として、例えば、シリカゲルカラムグラフィー法、再結晶法、再沈澱法、ろ過法、昇華精製法などを用いることができる。これらの方法を２種以上組み合わせてもよい。
　次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、真空蒸着法などのドライプロセスで製造されるものであってもよく、ウェットプロセスを利用して製造されるものであってもよい。ただし、従来のシャドーマスクによる蒸着法の場合よりも大型のパネルの作製にも対応することができることから、ウェットプロセスを利用して製造されるものであることが好ましい。ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が可溶性であることから、ウェットプロセスの適用が容易である。ウェットプロセスの方法としては、インクジェット法、ノズル塗布法、スピンコート法、ディップ法など公知の方法を用いることができる。
　ここで本発明における可溶性とは、具体的には室温、常圧下で以下のいずれかの溶媒１００重量部に対しビシクロ構造を有するナフタセン前駆体材料が０．５重量部以上溶解するものである。上記溶解性を有することで、前述の塗布方法にて発光層として好ましい膜厚の有機薄膜を作製することができる。なお、１．０重量部以上溶解することがより好ましい。溶媒には、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、トリメチルベンゼン、γ―ブチロラクトン、ｎ－メチルピロリドン、テトラリン、ｏ－ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、安息香酸エチル、などの汎用溶媒を用いることができ、使用する塗布方法に見合った沸点、粘性のものを選択することができる。また、これらの溶媒は単独で用いてもよいし、複数の溶媒を混合して用いてもよい。また、超音波照射や加熱処理を加えて溶解してもよく、溶解後、ろ過の工程を加えてもかまわない。
　ドライプロセス、ウェットプロセスのいずれであっても、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物をナフタセン誘導体とするためには、変換処理を行う。ここで述べる変換処理とは、加熱や光照射、薬液との接触などによってビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の構造変化を引き起こし、目的とするナフタセン誘導体へと変換する処理である。この場合、構造変化を引き起こす因子としては、有機ＥＬ素子の特性を低下させないために、有機ＥＬ素子の構成材料の内部に残存しないものが好ましい。したがって、加熱や光照射などの処理や、揮発性化合物による処理などが好ましい。揮発性化合物とは、塩酸エーテル錯体、アンモニアガスなど、処理後に残らない酸やアルカリなどを言う。
　これらの構造変化の中でも、光照射及び／または加熱処理による構造変化が特に好ましい。加熱にはホットプレートやイナートオーブン、赤外線ヒーターなどを用いることができる。また、光照射により構造を変換させる場合には、紫外光～可視光を用いるのが好ましい。ただし、用いる前駆体化合物によっては紫外光による望まない光反応が生じる場合もあるため、可視光を用いることがより好ましい。また、薬液との接触により構造を変換させる場合には、薬液を溜めた貯蔵層に基板を浸漬する方法や薬液をスプレー塗布する方法などを例示できる。いずれの場合も薬液と接触させた後に加熱して変換を促進しても良い。また変換後に薬液を洗浄する工程を導入しても良い。
　前記変換反応の具体例としてＲｅｔｒｏ　Ｄｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反応、キレトロピー反応、脱炭酸反応、カルボニル化合物からの脱カルボニル反応、脱酸素反応などが挙げられる。このような反応ごとに最適な変換処理を選択することができる。例えば、一般式（２）においてＸがＣ＝Ｏの場合は光照射による脱カルボニル反応、ＸがＣＨ２の場合は加熱によるエチレンの脱離反応などが挙げられる。
　また、光照射の時間、加熱処理の温度や時間、薬液の種類や処理時間を適宜調整することで、最終的に発光層中に含まれる一般式（２）で表されるビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の含有量が、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下、さらには１．０重量部以下となるように制御することが可能である。例えば、各処理の時間を長くすることは一般的に変換量を増やし前駆体量をより低減するのに有効である。また、加熱しながら光照射を行うことも、変換反応の種類によっては反応速度を速める効果がある。
　光照射による反応の場合、その化合物の吸収に合わせた波長のものを選択することが好ましく、化合物の吸収強度が最大となる波長の光を選択することがより好ましい。例えば、ＸがＣ＝Ｏで、光照射による脱カルボニル反応を利用する場合は、ジケト構造由来の吸収帯に対応する４２０ｎｍから５１０ｎｍの間の波長の光を照射することが好ましい。その中でも吸収強度が最大となる４５０ｎｍから４８０ｎｍの間の波長の光を照射することが、短時間で光変換できるためより好ましい。光源には一般的に知られている任意の光源を用いることができる。中でも、発光ダイオードは、所望の波長を比較的狭い半値幅で選択することができるため、効率的に光変換を行うことができる。また高圧水銀ランプなど、複数の波長の光を有する光源を使用する場合は、ブルーフィルタなどを通して所望の波長以外の光をあらかじめカットしておくことが望ましい。この場合、フィルタを透過することで光の強度が弱くなるが、照射時間を増やすことで充分な変換が可能である。
　ドライプロセスまたはウェットプロセスにより本発明の有機ＥＬ素子を製造するための具体的方法についてさらに詳細に説明する。なお以下の内容は一例であり、本発明の有機ＥＬ素子を製造するための方法はこれらに限られるものではない。まず、真空蒸着法のようなドライプロセスを用いる場合には、任意の溶媒に溶解したビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物に変換処理を施し、不溶となって析出したナフタセン誘導体を回収する。これを用いて、真空蒸着法などの公知の方法により発光層を作製することができる。析出したナフタセン誘導体はビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を取り込んでいることがあるが、十分な変換処理を施せばその重量は十分少なくできる。なお、溶液状態のビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物に変換処理を施す方法について説明したが、これに代えて固体状態のビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物に変換処理を施してもよい。
　ウェットプロセスを用いる場合には、大きく分けて２通りの方法がある。まず、少なくともビシクロ構造を有するナフタセン誘導体化合物と溶媒を含有する塗液を、正孔輸送層までが成膜されたデバイス基板に塗布し、乾燥させる。この際、用いる溶媒としては、下地となる層が溶解したり反応したりしないものを選択する。その後、ナフタセン前駆体化合物に対し変換処理を施すことにより、ナフタセン誘導体へと変換し、発光層としての高い機能を有する有機層を形成することができる。
　また、別の方法として、デバイス基板とは別の基板上でビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の塗布と変換を行い、得られた膜を、正孔輸送層までが成膜されたデバイス基板に転写することで発光層としての高い機能を有する有機層を形成することもできる。前記別の基板を、以下「ドナー基板」という。
　ドナー基板を用いることは、以下のような利点があるため好ましい。すなわち、ドナー基板上に作製したナフタセン前駆体化合物の塗布膜に変換処理を施し、その後デバイス基板に転写して、発光層を作製することで、ドナー基板上で転写前の材料に塗布ムラが生じたとしても、転写時にムラが解消され、デバイス基板上には均一なデバイス構成材料層を形成することができる。なお、デバイス構成材料層とは、デバイスに含まれる材料が層を形成したものであり、例えば有機ＥＬ素子における発光層（発光材料が層を形成したもの）などである。
　転写工程は公知の方法を利用することができ、例えばドナー基板とデバイス基板を対向させてドナー基板側から加熱する方法や、ドナー基板側から光照射する方法などが挙げられる。ドナー基板に塗布されたビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が熱によって構造変化するものであれば、転写を加熱によって行うと、その際にも構造変化が進むため、残存するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物をより低減することができる。
　さらに、転写工程の後に、デバイス基板上に転写された層に対しビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の変換処理をさらに加えてもかまわない。すなわち、デバイス基板上に転写された層に対しさらに光照射、加熱、薬液処理などを施してもかまわない。それにより、ドナー基板上での変換処理後に残存し、ナフタセン誘導体とともにデバイス基板上に転写されたビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物をさらに低減することができる。これにより、有機ＥＬ素子のさらなる長寿命化を達成できる。
　また、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を用いて発光層を作製する際には、発光層が公知のドーパント材料を含有していてもかまわない。ドーパント材料としては公知のものを用いることができ、例えば、インデノペリレン、ピロメテンおよびそれらの誘導体などが挙げられる。
　本発明における、発光層中のナフタセン誘導体に対するビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の重量濃度は、高速液体クロマトグラフィー－紫外吸光光度計法により分析して得られた値である。
　この分析方法における具体的な分析条件を述べる。充填材にはシリカゲルを用い、中でもオクタデシル基結合型シリカゲル、オクチル基結合型シリカゲル、フェニル基結合型シリカゲルが好適に用いられ、これらはナフタセン誘導体およびビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の種類によって選択することができる。移動相にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、蒸留水、リン酸水溶液、メタノールなどを用いることができ、これらを組み合わせて用いてもよい。中でも、アセトニトリルのみ、もしくはアセトニトリル―リン酸水溶液混合溶媒を用いることで、高い分離能にて検出することができる。またこのときの移動相の送液圧力は３５ＭＰａから５０ＭＰａ程度とすることが好ましい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子における発光層以外の部分の作製について説明する。なお、以下の説明も一例であり、これらに限られるものではない。図１に示した有機ＥＬ素子の作製例としては、第一電極１５まで、すなわち支持体１１上にＴＦＴ１２、平坦化層１３および第一電極１５をフォトリソ法でパターニングし、次に絶縁層１４を感光性ポリイミド前駆体材料などを利用した公知技術によりパターニングする。その後、正孔輸送層１６を真空蒸着法などを利用した公知技術によって全面形成する。この正孔輸送層１６を下地層として、その上に、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂをパターニングする。その上に、電子輸送層１８、第二電極１９を真空蒸着法などの公知技術によって全面形成すれば、有機ＥＬ素子を製造することができる。
　発光層は一般式（１）で表されるナフタセン誘導体を含んでいれば、単層でも複数層でもよく、さらにそのほかの材料を含んでいてもよい。発光効率、色純度の観点から、発光層はホスト材料とドーパント材料との混合物の単層構造であることが好ましい。発光層の作製方法は蒸着、溶液塗布、インクジェット、ノズル塗布など、公知の方法を用いることができる。蒸着法で成膜する場合、本発明のビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物をナフタセン誘導体へ変換した材料を蒸着して成膜することが好ましい。ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物を変換処理して得られるナフタセン誘導体は、トランス構造体を含有していることから、有機ＥＬ素子の性能が向上する。さらに、前述のように、ウェットプロセスを用いてドナー基板上に作製した、ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物の塗布膜に変換処理を施し、その後、デバイス基板上への転写工程を経て、発光層を形成する方法が特に好ましい。
　正孔輸送層は単層でも複数層でもよく、各層は単一材料でも複数材料の混合物であってもよい。正孔注入層と呼ばれる層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送性（低駆動電圧）や耐久性の観点から、正孔輸送層には正孔輸送性を助長するアクセプタ材料が混合されていてもよい。従って、正孔輸送層を成膜する転写材料は単一材料からなっても複数材料の混合物からなってもよい。
　正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジナフチル－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－ビフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビフェニル－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（Ｎ－フェニルカルバゾリル）－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミンなどに代表される芳香族アミン類、Ｎ－イソプロピルカルバゾール、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物などの低分子材料や、これら低分子化合物を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの高分子材料を例示できる。アクセプタ材料としては、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）やそのシアノ基誘導体（ＨＡＴ－ＣＮ６）などの低分子材料を例示することができる。また、第一電極表面に薄く形成される酸化モリブデンや酸化ケイ素などの金属酸化物も正孔輸送材料やアクセプタ材料として例示できる。
　電子輸送層は単層でも複数層でもよく、各層は単一材料でも複数材料の混合物であってもよい。正孔阻止層や電子注入層と呼ばれる層も電子輸送層に含まれる。電子輸送性（低駆動電圧）や耐久性の観点から、電子輸送層には電子輸送性を助長するドナー材料が混合されていてもよい。電子注入層と呼ばれる層は、このドナー材料として論じられることも多い。電子輸送層を成膜する転写材料は単一材料からなっても複数材料の混合物からなってもよい。
　電子輸送材料としては、Ａｌｑ３や８－キノリノラートリチウム（Ｌｉｑ）などのキノリノール錯体、ナフタレン、アントラセンなどの縮合多環芳香族誘導体、４，４’－ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、ベンゾキノリノール錯体、ヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体などの各種金属錯体、電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造を有する化合物などの低分子材料や、これら低分子化合物を側鎖に有する高分子材料を例示できる。
ドナー材料としては、リチウムやセシウム、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属、それらのキノリノール錯体などの各種金属錯体、フッ化リチウムや酸化セシウムなどのそれらの酸化物やフッ化物を例示することができる。
　第一電極および第二電極は、発光層からの発光を取り出すために少なくとも一方が透明であることが好ましい。第一電極から光を取り出すボトムエミッションの場合には第一電極が、第二電極から光を取り出すトップエミッションの場合には第二電極が透明である。
　本発明における有機ＥＬ素子は、一般的に第二電極が共通電極として形成されるアクティブマトリクス型に限定されるものではなく、例えば、第一電極と第二電極とが互いに交差するストライプ状電極からなる単純マトリクス型や、予め定められた情報を表示するように表示部がパターニングされるセグメント型であってもよい。これらの用途としては、テレビ、パソコン、モニター、時計、温度計、オーディオ機器、自動車用表示パネルなどを例示することができる。
　以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
　1Ｈ－ＮＭＲは超伝導ＦＴ－ＮＭＲ ＥＸ－２７０（日本電子（株）製）を用い、重クロロホルム溶液にて測定を行った。
　ＨＰＬＣ（（株）島津製作所製）の充填材にはオクチル基結合型シリカゲル、移動相にアセトニトリル―リン酸水溶液混合溶液を用いて測定を行った。
合成例１（化合物［１］の合成）
　フェナンシルブロマイド（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）（９．５ｇ）、フェノール（（株）和光純薬工業社製）（６．８ｇ）、炭酸カリウム（（株）和光純薬工業社製）（１３．３ｇ）をアセトン（１９２ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、加熱還流させながら３時間撹拌した。室温に冷却した後、水２００ｍＬを加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を水で２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。得られた反応組成生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記式に示す中間体１－１を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　中間体１－１（９．７ｇ）をジクロロメタン（２００ｍＬ）に溶解し、窒素気流下、メタンスルホン酸（（株）東京化成工業社製）（２２．０ｇ）を滴下した後、加熱還流させながら１時間撹拌した。室温に冷却した後、水２００ｍＬを加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を水で２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。得られた反応組成生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記式に示す中間体１－２を６．９ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　中間体１－２（６．０ｇ）を脱水エーテル（１２４ｍＬ）に溶解させ、窒素気流下、０℃でｎ－ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）２３．２ｍＬを滴下し、０℃にて１時間撹拌した。次いで、５，１２－ナフタセンキノン（（株）東京化成工業社製）（２．９ｇ）の脱水エーテル溶液２０ｍＬを滴下し、１時間室温にて撹拌した後、さらに加熱還流させながら１時間撹拌した。室温に冷却した後、０．１Ｍ塩酸水溶液（５０ｍＬ）を加え、室温にて１時間撹拌し、トルエン２５０ｍＬで抽出した。有機層を水で２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。得られた反応粗生成物を真空乾燥した後、下記式に示す中間体１－３を６．８ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　中間体１－３（６．８ｇ）をテトラヒドロフラン（２１０ｍＬ）に溶解し、塩化すず（II）二水和物（（株）和光純薬工業社製）（４．７ｇ）の３５％塩酸溶液５０ｍＬを室温で滴下した後、加熱還流させながら９時間撹拌した。室温に冷却した後、析出した粉末をろ取し、メタノール５０ｍＬで洗浄した。得られた粉末をアセトン３０ｍＬで加熱還流させながら１時間撹拌し、室温に冷却した後、析出した粉末をろ取した。次いで、得られた粉末をシクロペンチルメチルエーテル（（株）和光純薬工業社製）（２５ｍＬ）で、６０℃にて１時間撹拌し、室温に冷却した後、析出した粉末をろ取し化合物［１］を３．８ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｄ＝ｐｐｍ））：７．０６－８．２９（ｍ，２６Ｈ），８．５０（ｓ，２Ｈ）。
　合成例２（化合物［２８］の合成）
　化合物［１］（１．０ｇ）と炭酸ビニレン（（株）東京化成工業社製）（２．５ｍＬ）をオルトジクロロベンゼン（（株）和光純薬工業社製）（１６ｍＬ）中１０時間加熱還流した。室温まで反応液を冷却後、ヘキサン（３０ｍＬ）を加えて撹拌した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し、下記式に示す中間体２－１を０．８９ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　中間体２－１（０．８９ｇ）を１，４－ジオキサン（３０ｍＬ）に溶解し、窒素雰囲気で水酸化ナトリウム水溶液（４Ｎ，１５ｍＬ）を加えた後、４時間加熱還流した。反応終了後、蒸留水（３０ｍＬ）とジクロロメタン（３０ｍＬ）を加えて撹拌した。有機層を分液して飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、下記式に示す中間体２－２を０．７３ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　脱水ジクロロメタン（３２ｍL）と脱水ジメチルスルホキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）（３．２ｍL）を－８０℃に冷却し、トリフルオロ酢酸無水物（（株）和光純薬工業社製）（６．４ｍL）を滴下した。２０分間撹拌した後、中間体２－２（０．７３ｇ）を溶解した脱水ジメチルスルホキシド（１５ｍL）を滴下し、－８０℃を保持したまま２時間撹拌した。N，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（（株）和光純薬工業社製）（１６ｍL）をゆっくり滴下し、さらに２時間撹拌を続けた。反応液を室温に戻し、１０％塩酸水溶液（２５ｍL）とジクロロメタン（３０ｍL）を加えて３０分撹拌した。有機層を分取し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：酢酸エチル／トルエン）で精製し、化合物［２８］を２５０ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｄ＝ｐｐｍ））：５．０２（ｓ，２Ｈ），７．００－８．００（ｍ，２６Ｈ）。
　合成例３（化合物［３０］の合成）
　化合物［２］（０．４８ｇ）と炭酸ビニレン（０．１ｍＬ）をオルトジクロロベンゼン（１０ｍＬ）中１５時間加熱還流した。室温まで反応液を冷却後、大過剰のヘキサンを加えて激しく撹拌した。生じた粉末固体をろ過して乾燥することで下記式に示す中間体３－１を０．５３ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　中間体３－１（０．３３ｇ）を１，４－ジオキサン（２０ｍＬ）に溶解し、窒素雰囲気で水酸化ナトリウム水溶液（４Ｎ，７．５ｍＬ）を加えた後、６時間加熱還流した。反応終了後、水（５０ｍＬ）を加えて撹拌し、さらにジクロロメタン（５０ｍＬ）を加えて撹拌した。有機層を分液して飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を濃縮乾固することで下記式に示す中間体３－２を０．３２ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　ジメチルスルホキシド（１．２ｍＬ）を脱水したジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶解し、－７８℃に冷却した。無水酢酸（２．１ｍＬ）を滴下し、－７８℃で１５分間撹拌した。この混合物に中間体３－２（０．２５ｇ）の脱水ジクロロメタン溶液（１０ｍＬ）をゆっくり滴下し、－７８℃で９０分間撹拌した。次いでトリエチルアミン（２．５ｍＬ）を滴下し、さらに－７８℃で９０分撹拌した後、反応液を室温まで昇温した。反応終了後、ジクロロメタンを加えて撹拌し、有機層を水で洗浄した。分液後に有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後ろ液を濃縮乾固した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（充填剤：シリカゲル、溶離液：ジクロロメタン）にて精製することで化合物［３０］を０．０８０ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｄ＝ｐｐｍ））：４．９４（ｓ，２Ｈ），６．９５－７．８７（ｍ，３４Ｈ）。
　合成例４（化合物［３］の合成）
　フェニルアセチレン（（株）東京化成工業社製）（１０ｇ）を脱水テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却後、ｎ－ブチルリチウム溶液（１．６Ｍヘキサン溶液、６２ｍＬ）を滴下し、１．５時間撹拌した。ここにフェニルアセトアルデヒド（Ａｌｆａ Ａｓｅｒ社製）（６．０ｇ）とテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）の混合溶液を滴下し、室温まで昇温し、６時間撹拌した。反応液に蒸留水（１００ｍＬ）と酢酸エチル（１５０ｍＬ）を加えて撹拌した。有機層を分取して飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、下記式に示す中間体４－１を８．５ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　中間体４－１（８．５ｇ）と炭酸水素ナトリウム（和光純薬工業社製）（６．４ｇ）、ヨウ素（（株）東京化成工業社製）（２９ｇ）、をアセトニトリル（３８０ｍＬ）に加え、窒素気流下、室温にて４時間撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（１５０ｍＬ）、酢酸エチル（１５０ｍＬ）を加えて撹拌した。有機層を分取して飽和チオ硫酸ナトリウムと蒸留水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン）で精製し下記式に示す中間体４－２を８．７ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　中間体４－２（５．３ｇ）をトルエン（３４ｍＬ）とジエチルエーテル（１１ｍＬ）の混合溶液に溶解し、－８０℃に冷却した。ここにｎ－ブチルリチウム溶液（１．６Ｍヘキサン溶液）１０ｍＬを滴下し、３時間撹拌した。－４０℃に昇温し、５，１２－ナフタセンキノン（１．５ｇ）を加え、室温に昇温して１５時間撹拌した。反応液にメタノール（６０ｍＬ）を加え、析出した固体をろ過回収し、下記式に示す中間体４－３を２．４ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　中間体４－３（２．４ｇ）を乾燥テトラヒドロフラン（３６ｍＬ）に加え、窒素気流下４０℃に昇温した。ここに塩化すず（II）二水和物（８．１４ｇ）の３５％塩酸溶液１９ｍＬを滴下した。滴下終了後、７０℃に昇温し、４．５時間加熱撹拌還流した。反応溶液を蒸留水１５０ｍＬに投入し、析出した固体をろ過回収した。さらに固体を蒸留水とメタノールで洗浄し、化合物［３］を２．３ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｄ＝ｐｐｍ））：６．７０－７．７４（ｍ，２６Ｈ），８．０４－９．０９（ｔ，４Ｈ），８．１９（ｓ，２Ｈ）。
　合成例５（化合物［３２］の合成）
　化合物［３］（０．７７３ｇ）と炭酸ビニレン（１．７３ｍＬ）をオルトジクロロベンゼン（１１ｍＬ）中１３時間加熱還流した。室温まで反応液を冷却後、ヘキサン（３０ｍＬ）を加えて撹拌した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／ジクロロメタン）で精製し、下記式に示す中間体５－１を０．９２ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　中間体５－１（０．９２ｇ）を１，４－ジオキサン（２８ｍＬ）に溶解し、窒素雰囲気で水酸化ナトリウム水溶液（４Ｎ，１４ｍＬ）を加えた後、４．５時間加熱還流した。反応終了後、水（５０ｍＬ）を加えて撹拌し、さらにジクロロメタン（５０ｍＬ）を加えて撹拌した。有機層を分液して飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた溶液をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：酢酸エチル）で精製し、下記式に示す中間体５－２を０．７７ｇ得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　脱水ジクロロメタン（３２ｍＬ）と脱水ジメチルスルホキシド（３．２ｍＬ）を－８０℃に冷却し、トリフルオロ酢酸無水物（４．３ｍＬ）を滴下した。２０分間撹拌した後、中間体５－２（０．７５ｇ）を溶解した脱水ジメチルスルホキシド（１５ｍＬ）を滴下し、－８０℃を保持したまま２時間撹拌した。Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン（１６ｍＬ）をゆっくり滴下し、さらに３時間撹拌を続けた。反応液を室温に戻し、１０％塩酸水溶液（２４ｍＬ）とジクロロメタン（３０ｍＬ）を加えて３０分撹拌した。有機層を分取し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、溶離液：酢酸エチル／トルエン）で精製し、化合物［３２］を４００ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｄ＝ｐｐｍ））：５．１５（ｓ，２Ｈ），６．９３－７．６８（ｍ，３０Ｈ）。
　実施例１
　ドナー基板を以下のとおり作製した。支持体として無アルカリガラス基板を用い、洗浄／ＵＶオゾン処理後に、光熱変換層として厚さ１．０μｍのチタン膜をスパッタリング法により全面形成した。次に、前記光熱変換層をＵＶオゾン処理した後に、上にポジ型ポリイミド系感光性コーティング剤（東レ株式会社製、ＤＬ－１０００）をスピンコート塗布し、プリベーキング、ＵＶ露光した後に、現像液（東レ株式会社製、ＥＬＭ－Ｄ）により露光部を溶解・除去した。このようにパターニングしたポリイミド前駆体膜をホットプレートで３５０℃、１０分間ベーキングして、ポリイミド系の区画パターンを形成した。この区画パターンの高さは２μｍで、断面は順テーパー形状であった。区画パターン内部には幅８０μｍ、長さ２８０μｍの光熱変換層を露出する開口部が、それぞれ１００、３００μｍのピッチで配置されていた。この基板上に、化合物［２８］を３重量％、下記式で表されるＤＣＪＴＢを０．１５重量％含むクロロホルム溶液をスピンコート塗布・乾燥した。得られた薄膜に窒素雰囲気下、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を３時間照射し、化合物［２８］を化合物［１］へと変換した。この結果、区画パターン内（開口部）に化合物［１］と化合物［２８］およびＤＣＪＴＢからなる平均厚さ２５ｎｍの層を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　デバイス基板は以下のとおり作製した。ＩＴＯ透明導電膜を１４０ｎｍ堆積させた無アルカリガラス基板（ジオマテック株式会社製、スパッタリング成膜品）を３８×４６ｍｍに切断し、フォトリソ法によりＩＴＯを図２に記載の形状にエッチングした。次に、ドナー基板と同様にパターニングされたポリイミド前駆体膜を、３００℃、１０分間ベーキングして、ポリイミド系の絶縁層を形成した。この絶縁層の高さは１．８μｍで、断面は順テーパー形状であった。絶縁層のパターン内部には幅７０μｍ、長さ２７０μｍのＩＴＯを露出する開口部が、それぞれ１００、３００μｍのピッチで配置されていた。この基板をＵＶオゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が３×１０－４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、正孔輸送層として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を２０ｎｍ、ＮＰＤを４０ｎｍ、発光領域全面に蒸着により積層した。
　次に、前記ドナー基板の区画パターンと前記デバイス基板の絶縁層との位置を合わせて対向させ、３×１０－４Ｐａ以下の真空中で保持した後に、大気中に取り出した。絶縁層と区画パターンとで区画される転写空間は真空に保持されていた。この状態で、区画パターン内の材料の一部と区画パターンの一部が同時に加熱されるように、ドナー基板のガラス基板側から中心波長９４０ｎｍで、照射形状を横３４０μｍ、縦５０μｍの矩形に成形した光を照射し、前記区画パターン内の材料をデバイス基板の下地層である正孔輸送層上に転写した。レーザー強度は１４８Ｗ／ｍｍ２、スキャン速度は０．６ｍ／ｓであり、発光領域全面に転写されるように、レーザーをオーバーラップさせる方式で２４回繰り返しスキャンを実施した。
　転写後のデバイス基板を、再び真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が３×１０－４Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、電子輸送層として下記に示すＥ－１を２５ｎｍ、発光領域全面に蒸着した。次に、ドナー材料（電子注入層）としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、さらに、第二電極としてアルミニウムを１００ｎｍ蒸着して、５ｍｍ角の発光領域をもつ有機ＥＬ素子を作製した。このとき化合物［２８］の含有量をＨＰＬＣにて測定したところ、化合物［１］１００重量部に対して２．０重量部であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　実施例２
　ＤＣＪＴＢの代わりに下記式に示す化合物［３４］を用いた以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して１．８重量部であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　実施例３
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１０時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して０．３重量部であった。
　実施例４
　化合物［２８］の代わりに化合物［３０］を用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。化合物［３０］に青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を３時間照射すると化合物［２］に変換される。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３０］の含有量は化合物［２］ １００重量部に対して３．１重量部であった。
　実施例５
　化合物［２８］の代わりに化合物［３２］を用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。化合物［３２］に青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を３時間照射すると化合物［３］に変換される。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］ １００重量部に対して１．５重量部であった。
　実施例６
　転写工程の後に、発光層が転写されたデバイス基板に真空下において青色発光ダイオードによる光照射を１時間加えた以外は実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して０．１重量部であった。
　実施例７
　青色発光ダイオードによる光照射時間を４時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して１．２重量部であった。
　実施例８
　青色発光ダイオードによる光照射時間を２．５時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して２．６重量部であった。
　実施例９
　青色発光ダイオードによる光照射時間を２時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して４．２重量部であった。
　実施例１０
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１．７時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］１００重量部に対して４．８重量部であった。
　比較例１
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して６．３重量部であった。
　比較例２
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１．５時間とした以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］ １００重量部に対して５．３重量部であった。
　比較例３
　青色発光ダイオード（中心波長４６０ｎｍ、半値幅２０ｎｍ）の代わりにブルーフィルタを通した高圧水銀ランプ（６００Ｗ）の光（ピーク波長４０５ｎｍ（半値幅５ｎｍ）、４３６ｎｍ（半値幅５ｎｍ））を用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］１００重量部に対して６．０重量部であった。
実施例１１
　ブルーフィルタを通した高圧水銀ランプによる光照射時間を７時間とした以外は比較例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［２８］の含有量は化合物［１］１００重量部に対して４．０重量部であった。
　実施例１２
　化合物［２８］の代わりに化合物［３２］を、ＤＣＪＴＢの代わりに化合物［３４］を用いた以外は実施例［１］と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して１．５重量部であった。
　実施例１３
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１０時間とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して０．１重量部であった。
　実施例１４
　青色発光ダイオードによる光照射時間を８時間とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して０．３重量部であった。
　実施例１５
　青色発光ダイオードによる光照射時間を５時間とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して０．６重量部であった。
　実施例１６
　青色発光ダイオードによる光照射時間を２時間とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して２．３重量部であった。
　実施例１７
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１時間とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して３．３重量部であった。
　実施例１８
　青色発光ダイオードによる光照射時間を３０分とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して４．６重量部であった。
　比較例４
　青色発光ダイオードによる光照射時間を２０分とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して６．０重量部であった。
　比較例５
　青色発光ダイオードによる光照射時間を１０分とした以外は実施例１１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。このとき作製した有機ＥＬ素子中の化合物［３２］の含有量は化合物［３］１００重量部に対して１２重量部であった。
　実施例１～１８および比較例１～５で作製した有機ＥＬ素子を封止した後に、２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流を流した。流し始めた直後の輝度を初期輝度とし、さらに一定電流を流し続けて、輝度が初期輝度から半分に低下するまでの時間を輝度半減時間として測定した。実施例１の測定値を１．０とした場合の実施例２～１１および比較例１～３の測定値の相対比を、それぞれ相対初期発光効率と相対輝度半減寿命として表１～２にまとめた。また、実施例１２の測定値を１．０とした場合の実施例１３～１８および比較例４～５の測定値の相対比を、それぞれ相対初期発光効率と相対輝度半減寿命として表３～４にまとめた。特に寿命において、有機ＥＬ素子中の化合物［２８］または化合物［３２］の含有量が化合物［１］ または化合物［３］１００重量部に対して５．０重量部を境界として、著しい性能の違いが見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　１０　有機ＥＬ素子（デバイス基板）
　１１　支持体
　１２　ＴＦＴ（取り出し電極含む）
　１３　平坦化層
　１４　絶縁層
　１５　第一電極
　１６　正孔輸送層
　１７　発光層
　１８　電子輸送層
　１９　第二電極
　２０　ガラス基板
　２１　ＩＴＯパターン

Claims (13)

  1. 少なくとも一対の電極間に挟持された発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子において、前記発光層中に下記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体を含有し、さらに前記発光層中に存在する下記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下である有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （一般式（１）および（２）中、Ｒ１～Ｒ１２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（２）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、ＯまたはＣＨＲ２１から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２１はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）
  2. 前記発光層中に存在する前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して１．０重量部以下である請求項１記載の有機ＥＬ素子。
  3. 前記発光層中に存在する前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して０．００１重量部以上である請求項１または２記載の有機ＥＬ素子。
  4. 前記ナフタセン誘導体が下記一般式（３）で表され、かつ前記ビシクロ構造を有するナフタセン前駆体化合物が下記一般式（４）で表される請求項１～３のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （一般式（３）および（４）中、Ｒ１３～Ｒ２０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。Ａｒ１およびＡｒ２はアリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基およびヘテロアリール基からなる群より選ばれる。Ａｒ１およびＡｒ２は置換基を有していてもいなくてもよい。一般式（４）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、ＯまたはＣＨＲ２２から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２２はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）
  5. 前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物において、ＸがＣ＝ＯまたはＣＨ２である請求項１～４のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
  6. 下記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を変換処理により下記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体に変換し、前記変換処理を施した材料を有する層を有機ＥＬ素子の発光層とする有機ＥＬ素子の製造方法であって、発光層中に存在する一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して５．０重量部以下である有機ＥＬ素子の製造方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （一般式（１）および（２）中、Ｒ１～Ｒ１２はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（２）中、ＸはＣ＝Ｏ、ＣＨ２、ＯまたはＣＨＲ２１から選ばれる原子または原子団である。Ｒ２１はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）
  7. 前記発光層中に存在する前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して１．０重量部以下である請求項６記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  8. 前記発光層中に存在する前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物の含有量が、前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体１００重量部に対して０．００１重量部以上である請求項６または７記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  9. 少なくとも前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を含有する層をドナー基板上に形成する工程と、前記ドナー基板上の前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を変換処理により前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体に変換する工程と、前記ドナー基板上の層を有機ＥＬ素子のデバイス基板に転写して発光層とする工程を含むことを特徴とする請求項６～８のいずれか記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  10. 前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を含有する層を前記ドナー基板上に形成する方法がウェットプロセスによるものである請求項９記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  11. 前記転写工程の後にさらに変換処理を施す請求項９または１０記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  12. 少なくとも前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を含有する層を、少なくとも陽極と正孔輸送層を有する基板上に形成する工程と、前記一般式（２）で表されるナフタセン前駆体化合物を変換処理により前記一般式（１）で表されるナフタセン誘導体に変換し、発光層とする工程を含む請求項６～８のいずれか記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  13. 前記変換処理が光照射および／または熱処理である請求項６～１２のいずれか記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
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