JP2019164973A - 熱転写フィルムの利用による有機発光ダイオードの準備方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機発光ダイオード(OLED)の準備方法、特に熱転写フィルムによる有機発光ダイオード(OLED)の準備方法に関する。
〔背景技術〕
半導体は、電気伝導性値が絶縁体と導体との間にある材料の一種である。半導体は、技術的または経済的発展に対して顕著な影響を有する。最も一般的な半導体材料には、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、等が含まれる。シリコンは、最も一般的であり、幅広い商業的応用において利用されている。
〔図1〕図1は、本発明に係る一実施形態の工程を示すフローチャートである。
〔図2A〕〔図2B〕〔図2C〕図2Aから図2Cは、本発明に係る、一実施形態のそれぞれの工程での構造を示す概要図である。
〔図3A〕図3Aは、本発明に係る、緑色発光材料を用いた一実施形態の試験結果を示す概要図である。
〔図3B〕図3Bは、本発明に係る、緑色発光材料を用いた別の実施形態の試験結果を示す概要図である。
〔図3C〕図3Cは、本発明に係る、緑色発光材料を用いた更なる実施形態の試験結果を示す概要図である。
〔発明を実施するための形態〕
本発明の特徴および機能についての理解のため、下記の実施形態および関連する記載を参照されたい。
S1:頂部から底部まで順に耐熱層、ベース層、機能層、および第一の転写層を含む熱転写フィルムを用意する工程。
S3:基板を用意し、上記基板を上記熱転写フィルムの下に配置する工程。
S5:上記第一の転写層を上記基板上へ転写するために上記熱転写フィルムを加熱する工程と、上記耐熱層、上記ベース層および上記機能層を取り除く工程とを含む。
S31:材料層を上記基板上に配置する工程。上記材料層は、インジウムスズ酸化物(ITO)、ポリマー、導電性ポリマー、低分子有機発光ダイオード(OLED)、ポリマー発光ダイオード(PLED)、およびこれらの組み合わせからなるグループから選択される。
Claims (17)
- 熱転写フィルムを用いた有機発光ダイオード(OLED)の準備方法であって、
頂部から底部まで順に耐熱層、ベース層、機能層および第一の転写層を含む熱転写フィルムを用意する工程と、
基板を用意し、上記基板を上記熱転写フィルムの下へ配置する工程と、
上記第一の転写層を上記基板の上へ転写するために上記熱転写フィルムを加熱する工程と、
上記耐熱層、上記ベース層および上記機能層を取り除く工程とを含むことを特徴とする有機発光ダイオード(OLED)の準備方法。 - 上記耐熱層は、ステアリン酸亜鉛、ステアリルリン酸亜鉛およびセルロースアセテートプロピオネートを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記耐熱層の厚さは、0.1μmから3μmの範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記ベース層は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記ベース層の厚さは、2μmから100μmの範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記機能層は、銀、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記機能層は、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)、ポリビニルブチラール(PVB)、四硝酸ペンタエリスリトール(PETN)、トリニトロトルエン(TNT)、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂、PVB樹脂、ポリ塩化ビニル(PVC)樹脂およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により、生成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記機能層の厚さは、0.3μmから10μmであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層は、上記第一の転写層を覆って位置する第二の転写層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層および上記第二の転写層は、それぞれ、正孔注入材料、正孔輸送材料、RGB光発光材料、電子輸送材料、電子注入材料、金属ナノマテリル、カーボンナノチューブ導電性材料およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により、生成されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 上記第一の転写層および上記第二の転写層は、それぞれ、アリールアミン、アイオノマーのポリマー混合物、P型ドーパント、フェニルアリールアミン、有機蛍光材料、有機燐光材料、熱活性化遅延蛍光材料(TADF)、重金属錯体、有機多環芳香族、多環芳香族炭化水素(PAH)、青色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料、複素環化合物、オキサジアゾール誘導体、金属キレート、アゾール系誘導体、キノロン誘導体、キノキサリン誘導体、アントラゾリン誘導体、フェナンスロリン誘導体、シロール誘導体、フルオロベンゼン誘導体、N型ドーパント、金属、合金、金属錯体、金属化合物、金属酸化物、エレクトロルミネセンス材料、電子活性材料およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 上記第一の転写層の厚さは、20nmから200nmであり上記第二の転写層の厚さが20nmから200nmであることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 上記第一の転写層および第二の転写層の配置プロセスは、真空蒸着、スピンコーティング、スロットダイコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、化学蒸着(CVD)物理蒸着(PVD)、およびスパッタリングからなるグループから選択されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 上記基板は、ガラス、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法であって、基板を用意する工程および上記基板を上記熱転写フィルムの下へ配置する工程には、材料層が上記基板に配置され、上記材料層が、インジウムスズ酸化物、ポリマー、導電性ポリマー、低分子有機発光ダイオード(OLED)、ポリマー発光ダイオード(PLED)、およびこれらの組み合わせからなるグループから選択される工程が、さらに含まれることを特徴とする方法。
- 上記第一の転写層を上記基板の上へと転写するために上記熱転写フィルムを加熱する上記工程中、ならびに、上記耐熱層、上記ベース層、および上記機能層を除去する上記工程中で、熱プリントヘッド(TPH)が、上記熱転写フィルムの加熱のために使用されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層を上記基板の上へと転写するために上記熱転写フィルムを加熱する上記工程中、ならびに、上記耐熱層、上記ベース層、および上記機能層を除去する上記工程中で、上記熱転写フィルムが、加熱され、最高で摂氏80―300度(℃)にまでなることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
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