JP2003133068A - 発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置 - Google Patents
発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬ素子を用いた自発光型発光表示装置
の製造において、高スループットを可能にすることであ
る。 【解決手段】 発光表示装置の基体に曲げ可能なフレキ
シブル基体を用い、製造装置における発光材料パターン
製造部への基体供給工程や発光材料パターン製造後の基
体除去工程において、フレキシブル基体を曲げる工程を
含むことを特徴とする。
の製造において、高スループットを可能にすることであ
る。 【解決手段】 発光表示装置の基体に曲げ可能なフレキ
シブル基体を用い、製造装置における発光材料パターン
製造部への基体供給工程や発光材料パターン製造後の基
体除去工程において、フレキシブル基体を曲げる工程を
含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は自発光型発光表示装
置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置を製造
する装置に関する。
置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置を製造
する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、表示装置に用いられる自発光素
子としては、フィールドエミッション素子とエレクトロ
・ルミネッセンス素子（ＥＬ素子）とが知られている。
このうち、ＥＬ素子は、有機材料を発光層とする有機Ｅ
Ｌ素子と、無機材料を発光層にする無機ＥＬ素子とに分
けられる。
子としては、フィールドエミッション素子とエレクトロ
・ルミネッセンス素子（ＥＬ素子）とが知られている。
このうち、ＥＬ素子は、有機材料を発光層とする有機Ｅ
Ｌ素子と、無機材料を発光層にする無機ＥＬ素子とに分
けられる。
【０００３】有機ＥＬ素子は、アノードと、カソード
と、これらアノードとカソードの２種の電極間に挟ま
れ、有機発光性化合物からなる超薄膜の有機ＥＬ層と、
からなる。アノードとカソード間に電圧を印加すると、
アノードからは正孔が、カソードからは電子がそれぞれ
有機ＥＬ層に注入されて再結合し、その際に生ずるエネ
ルギーにより有機ＥＬ層を構成する有機発光性化合物の
分子が励起される。このようにして励起された分子が基
底状態に失活する過程で発光現象が生じる。有機ＥＬ素
子はこの発光現象を利用した発光素子である。
と、これらアノードとカソードの２種の電極間に挟ま
れ、有機発光性化合物からなる超薄膜の有機ＥＬ層と、
からなる。アノードとカソード間に電圧を印加すると、
アノードからは正孔が、カソードからは電子がそれぞれ
有機ＥＬ層に注入されて再結合し、その際に生ずるエネ
ルギーにより有機ＥＬ層を構成する有機発光性化合物の
分子が励起される。このようにして励起された分子が基
底状態に失活する過程で発光現象が生じる。有機ＥＬ素
子はこの発光現象を利用した発光素子である。
【０００４】有機ＥＬ層は、正孔と電子が再結合して発
光する発光層と呼ばれる有機層、正孔が注入されやす
く、かつ、電子を移動させにくい正孔輸送層と呼ばれる
有機層、及び、電子が注入されやすく、かつ、正孔を移
動させにくい電子注入輸送層と呼ばれる有機層のうち少
なくとも一つを含む単層構造または多層積層構造を有し
ている。
光する発光層と呼ばれる有機層、正孔が注入されやす
く、かつ、電子を移動させにくい正孔輸送層と呼ばれる
有機層、及び、電子が注入されやすく、かつ、正孔を移
動させにくい電子注入輸送層と呼ばれる有機層のうち少
なくとも一つを含む単層構造または多層積層構造を有し
ている。
【０００５】近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究され、実
用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入輸送電極すなわ
ち陽極）上にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホ
ール注入輸送材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミ
キノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの蛍光物質を発光層
として積層し、さらにＡｇＭｇなどの仕事関数の小さな
金属電極（電子注入電極すなわち陰極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００ｃｄ／ｍ２ときわめて高い輝度が得られる
ことで、家電製品、自動車、二輪車、航空機等の電装
品、ディスプレイ等として注目されている。
用化されつつある。これは、錫ドープ酸化インジウム
（ＩＴＯ）などの透明電極（ホール注入輸送電極すなわ
ち陽極）上にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホ
ール注入輸送材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミ
キノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの蛍光物質を発光層
として積層し、さらにＡｇＭｇなどの仕事関数の小さな
金属電極（電子注入電極すなわち陰極）を形成した基本
構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から
数１００００ｃｄ／ｍ２ときわめて高い輝度が得られる
ことで、家電製品、自動車、二輪車、航空機等の電装
品、ディスプレイ等として注目されている。
【０００６】このような有機ＥＬ素子は、たとえば、発
光層等の有機層が、電子注入電極となる走査（コモンラ
イン）電極と、ホール注入輸送電極（透明電極）となる
データ（セグメントライン）電極とで挟まれ、かつ透明
（ガラス）基板に形成された構造を有する。また、ディ
スプレイとして形成されたものでは、マトリクス状に配
置された走査電極とデータ電極とにより、ドット表示さ
せ、これらのドット（画素）の集合体として、イメー
ジ、キャラクタ等の情報を表示するマトリクスディスプ
レイと、予め決められた形状、大きさの表示器として独
立に存在しているものを表示させるセグメントディスプ
レイとに大別される。
光層等の有機層が、電子注入電極となる走査（コモンラ
イン）電極と、ホール注入輸送電極（透明電極）となる
データ（セグメントライン）電極とで挟まれ、かつ透明
（ガラス）基板に形成された構造を有する。また、ディ
スプレイとして形成されたものでは、マトリクス状に配
置された走査電極とデータ電極とにより、ドット表示さ
せ、これらのドット（画素）の集合体として、イメー
ジ、キャラクタ等の情報を表示するマトリクスディスプ
レイと、予め決められた形状、大きさの表示器として独
立に存在しているものを表示させるセグメントディスプ
レイとに大別される。
【０００７】セグメントタイプのディスプレイの場合、
各表示器をそれぞれ別個独立に表示させるスタティック
駆動方式も可能であるが、マトリクスディスプレイの場
合、通常、各走査ライン、およびデータラインを時分割
駆動するダイナミックドライブ方式が採用されている。
各表示器をそれぞれ別個独立に表示させるスタティック
駆動方式も可能であるが、マトリクスディスプレイの場
合、通常、各走査ライン、およびデータラインを時分割
駆動するダイナミックドライブ方式が採用されている。
【０００８】有機ＥＬ素子の発光部を構成する発光体と
しては、透明基板／透明電極／発光層／金属電極という
構成を用い、発光層において発生した光が透明電極およ
び透明基板を透過して発せられる、基板面発光タイプ
と、基板／金属電極／発光層／透明電極という構成を用
い、発光層において発生した光が透明電極を透過して基
板面とは逆側の膜面側から発せられる、膜面発光タイプ
とに分けられる。基板面発光タイプの素子については、
たとえばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１
３−９１５（１９８７）に、膜面発光タイプの素子につ
いては、たとえばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６
５，２６３６−２６３８（１９９４）に記載されてい
る。
しては、透明基板／透明電極／発光層／金属電極という
構成を用い、発光層において発生した光が透明電極およ
び透明基板を透過して発せられる、基板面発光タイプ
と、基板／金属電極／発光層／透明電極という構成を用
い、発光層において発生した光が透明電極を透過して基
板面とは逆側の膜面側から発せられる、膜面発光タイプ
とに分けられる。基板面発光タイプの素子については、
たとえばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１
３−９１５（１９８７）に、膜面発光タイプの素子につ
いては、たとえばＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６
５，２６３６−２６３８（１９９４）に記載されてい
る。
【０００９】有機ＥＬ素子の発光体のうち、発光材料パ
ターンを形成する方法としては、メタルマスクを用いた
蒸着法と発光材料含有液を噴出塗布する方法が知られて
いる。
ターンを形成する方法としては、メタルマスクを用いた
蒸着法と発光材料含有液を噴出塗布する方法が知られて
いる。
【００１０】このうち前者は、発光材料パターンを形成
する対象である基体上に、まず微細な穴のあいたマスク
を設置し、その上（下）から発光材料層を構成する材料
を蒸着し、しかる後にマスクを取り除くことにより、発
光材料パターンを形成する手法である。一般にこの方法
は、蒸着による成膜に適した低分子系の発光材料に適し
た製造方法である。この手法については、たとえば、エ
ヌ・ティー・エス社、”有機ＥＬ素子とその工業化最前
線”、ｐ．１７２−１７３に記述がある。
する対象である基体上に、まず微細な穴のあいたマスク
を設置し、その上（下）から発光材料層を構成する材料
を蒸着し、しかる後にマスクを取り除くことにより、発
光材料パターンを形成する手法である。一般にこの方法
は、蒸着による成膜に適した低分子系の発光材料に適し
た製造方法である。この手法については、たとえば、エ
ヌ・ティー・エス社、”有機ＥＬ素子とその工業化最前
線”、ｐ．１７２−１７３に記述がある。
【００１１】後者は、溶媒に溶かすか温度を上げること
により液体状になった発光材料原料をノズルにより基体
上に噴出し、溶媒を除去もしくは冷却することにより、
発光材料パターンを形成する手法である。この手法で
は、蒸着法により形成することが困難とされている高分
子系発光材料のパターンも形成することができる。この
手法についてはたとえば、エヌ・ティー・エス社、”有
機ＥＬ素子とその工業化最前線”、ｐ．１８５−１８６
に記述がある。
により液体状になった発光材料原料をノズルにより基体
上に噴出し、溶媒を除去もしくは冷却することにより、
発光材料パターンを形成する手法である。この手法で
は、蒸着法により形成することが困難とされている高分
子系発光材料のパターンも形成することができる。この
手法についてはたとえば、エヌ・ティー・エス社、”有
機ＥＬ素子とその工業化最前線”、ｐ．１８５−１８６
に記述がある。
【００１２】また、有機ＥＬを用いた発光表示装置の形
態としては、パーソナルコンピュータやテレビジョン用
途が考えられているソリッドなタイプの他に、紙のよう
にある程度曲げることのできるフレキシブルなタイプが
開示されている。フレキシブル発光表示装置は曲面上に
貼り付けて使用したり、将来的には紙の代替として従来
に無い新しい市場が期待されている。フレキシブルな発
光表示装置については、たとえば特開平８−９６９５４
号公報に記述がある。
態としては、パーソナルコンピュータやテレビジョン用
途が考えられているソリッドなタイプの他に、紙のよう
にある程度曲げることのできるフレキシブルなタイプが
開示されている。フレキシブル発光表示装置は曲面上に
貼り付けて使用したり、将来的には紙の代替として従来
に無い新しい市場が期待されている。フレキシブルな発
光表示装置については、たとえば特開平８−９６９５４
号公報に記述がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来、フ
レキシブルな発光表示装置を製造する方法については開
示の例が無い。また、従来の非フレキシブルな基体を用
いた発光表示装置は基板を一枚ずつ装置に供給して各製
造プロセスを行う枚葉タイプであるため、高いスループ
ットを得るのが困難であった。
レキシブルな発光表示装置を製造する方法については開
示の例が無い。また、従来の非フレキシブルな基体を用
いた発光表示装置は基板を一枚ずつ装置に供給して各製
造プロセスを行う枚葉タイプであるため、高いスループ
ットを得るのが困難であった。
【００１４】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
ので、フレキシブルな基体を用いた発光装置の製造方法
において量産を可能にする製造方法およびその製造方法
を適用した製造装置を提供することを目的とする。
ので、フレキシブルな基体を用いた発光装置の製造方法
において量産を可能にする製造方法およびその製造方法
を適用した製造装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、フレキシブル基体に発光材料を形成する発
光表示装置の製造方法において、発光材料パターン形成
部にフレキシブル基体を供給する工程、提供されたフレ
キシブル基体に発光材料パターンを形成する工程、およ
び発光材料成膜後のフレキシブル基体を発光材料パター
ン形成部から取り除く工程を含む（請求項１）。
するために、フレキシブル基体に発光材料を形成する発
光表示装置の製造方法において、発光材料パターン形成
部にフレキシブル基体を供給する工程、提供されたフレ
キシブル基体に発光材料パターンを形成する工程、およ
び発光材料成膜後のフレキシブル基体を発光材料パター
ン形成部から取り除く工程を含む（請求項１）。
【００１６】また、本発明は、フレキシブル基体を発光
材料パターン形成部に供給する際、もしくは発光材料パ
ターンを形成後のフレキシブル基体を発光材料形成部か
ら取り除く際に、フレキシブル基体が曲げられる工程を
含む（請求項２）。
材料パターン形成部に供給する際、もしくは発光材料パ
ターンを形成後のフレキシブル基体を発光材料形成部か
ら取り除く際に、フレキシブル基体が曲げられる工程を
含む（請求項２）。
【００１７】また、本発明は、該フレキシブル基体を供
給する際に、ロール状に準備されたフレキシブル基体を
供給する（請求項３）。
給する際に、ロール状に準備されたフレキシブル基体を
供給する（請求項３）。
【００１８】また、本発明は、該フレキシブル基体を発
光材料パターン形成部から取り除く際に、フレキシブル
基体をロール状に巻き取ることにより取り除く（請求項
４）。
光材料パターン形成部から取り除く際に、フレキシブル
基体をロール状に巻き取ることにより取り除く（請求項
４）。
【００１９】また、本発明は、該フレキシブル基体を発
光材料パターン形成部に供給する工程が、発光材料パタ
ーン形成後のフレキシブル基体を発光材料パターン形成
部から取り除く工程と同時に行う（請求項５）。
光材料パターン形成部に供給する工程が、発光材料パタ
ーン形成後のフレキシブル基体を発光材料パターン形成
部から取り除く工程と同時に行う（請求項５）。
【００２０】また、本発明は、発光材料パターン形成法
が、溶媒に溶かすか温度を上げることにより液体状にな
った発光材料をノズルにより基体上に噴出し、溶媒を除
去もしくは冷却することによる発光材料パターン形成工
程を含む（請求項６）。
が、溶媒に溶かすか温度を上げることにより液体状にな
った発光材料をノズルにより基体上に噴出し、溶媒を除
去もしくは冷却することによる発光材料パターン形成工
程を含む（請求項６）。
【００２１】また、本発明は、フレキシブル基体供給部
がフレキシブル基体を発光材料パターン形成部に供給す
る工程と、発光材料パターン作成装置においてフレキシ
ブル基体をステージ上の所定の位置に位置あわせをする
工程と、発光材料パターン形成装置において発光材料供
給装置をフレキシブル基体上の所定の位置に位置あわせ
をする工程と、発光材料パターンをフレキシブル基体上
に形成する工程と、発光材料形成後のフレキシブル基体
を発光材料パターン形成部から取り除く工程を含む（請
求項７）。
がフレキシブル基体を発光材料パターン形成部に供給す
る工程と、発光材料パターン作成装置においてフレキシ
ブル基体をステージ上の所定の位置に位置あわせをする
工程と、発光材料パターン形成装置において発光材料供
給装置をフレキシブル基体上の所定の位置に位置あわせ
をする工程と、発光材料パターンをフレキシブル基体上
に形成する工程と、発光材料形成後のフレキシブル基体
を発光材料パターン形成部から取り除く工程を含む（請
求項７）。
【００２２】また、本発明は、発光材料パターン形成工
程が、基体上にマスクを設置し、その後にマスクの基体
に面していない側から蒸着またはスパッタにより発光材
料を成膜することにより発光材料パターンを得る工程で
ある（請求項８）。
程が、基体上にマスクを設置し、その後にマスクの基体
に面していない側から蒸着またはスパッタにより発光材
料を成膜することにより発光材料パターンを得る工程で
ある（請求項８）。
【００２３】また、本発明は、フレキシブル基体供給部
がフレキシブル基体を発光材料パターン形成部に供給す
る工程と、発光材料パターン作成装置においてフレキシ
ブル基体を位置あわせをする工程と、発光材料パターン
形成装置においてマスクをフレキシブル基体上の所定の
位置に位置あわせをする工程と、発光材料をフレキシブ
ル基体上に形成する工程と、発光材料形成後のフレキシ
ブル基体を発光材料パターン形成部から取り除く工程を
含む（請求項９）。
がフレキシブル基体を発光材料パターン形成部に供給す
る工程と、発光材料パターン作成装置においてフレキシ
ブル基体を位置あわせをする工程と、発光材料パターン
形成装置においてマスクをフレキシブル基体上の所定の
位置に位置あわせをする工程と、発光材料をフレキシブ
ル基体上に形成する工程と、発光材料形成後のフレキシ
ブル基体を発光材料パターン形成部から取り除く工程を
含む（請求項９）。
【００２４】また、本発明は、フレキシブル基体に位置
検出マークを設け、製造装置に設けられた検知装置によ
り位置検出マークを検知することにより基体の位置決め
をする（請求項１０）。
検出マークを設け、製造装置に設けられた検知装置によ
り位置検出マークを検知することにより基体の位置決め
をする（請求項１０）。
【００２５】また、本発明は、以上の製造方法を適用し
た発光表示装置の製造装置を用いる（請求項１１）。
た発光表示装置の製造装置を用いる（請求項１１）。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】図１および図２は、本発明を適用した発光
表示装置の製造装置を表す概念図であり、図１が断面図
であり、図２が上面図である。
表示装置の製造装置を表す概念図であり、図１が断面図
であり、図２が上面図である。
【００２８】この製造装置は、フレキシブル基体供給装
置１ａ、発光材料パターン形成装置２ａ、およびフレキ
シブル基体収納装置３ａの３つの部位から構成されてい
る。
置１ａ、発光材料パターン形成装置２ａ、およびフレキ
シブル基体収納装置３ａの３つの部位から構成されてい
る。
【００２９】フレキシブル基体供給装置１ａには、基体
巻き取り装置７−１ａにロール状に巻かれたフレキシブ
ル基体６ａが収納されている。フレキシブル基体６ａは
発光材料パターン形成装置２ａ内のステージ８ａ上を経
て、フレキシブル基体収納装置３ａ内に設置された基体
巻き取り装置７−２ａに接続されている。
巻き取り装置７−１ａにロール状に巻かれたフレキシブ
ル基体６ａが収納されている。フレキシブル基体６ａは
発光材料パターン形成装置２ａ内のステージ８ａ上を経
て、フレキシブル基体収納装置３ａ内に設置された基体
巻き取り装置７−２ａに接続されている。
【００３０】基体巻き取り装置７−１ａ、７−２ａには
駆動モータ（示さず）が接続されており、それらを駆動
することによりフレキシブル基体６ａに適度な引っ張り
張力を印加しつつステージ８ａにフレキシブル基体３ａ
の適当な部位を供給することができる。
駆動モータ（示さず）が接続されており、それらを駆動
することによりフレキシブル基体６ａに適度な引っ張り
張力を印加しつつステージ８ａにフレキシブル基体３ａ
の適当な部位を供給することができる。
【００３１】フレキシブル基体３ａの特定の部位をステ
ージ８ａ上に供給するかを決める方法は以下の通りであ
る。
ージ８ａ上に供給するかを決める方法は以下の通りであ
る。
【００３２】一つには、基体巻き取り装置７−１ａ、７
−２ａの回転数で判定する手法である。この手法は、フ
レキシブル基体３ａのどの部位を選択するかにそれほど
精度を要しない場合に有効である。
−２ａの回転数で判定する手法である。この手法は、フ
レキシブル基体３ａのどの部位を選択するかにそれほど
精度を要しない場合に有効である。
【００３３】もう一つは、フレキシブル基体に付けられ
たマークをステージに固定されたセンサーで読み取る手
法である。
たマークをステージに固定されたセンサーで読み取る手
法である。
【００３４】図３および図４は、フレキシブル基体に付
けられたマークをステージに固定されたセンサーで読み
取る手法の一例を説明する図であり、図３が断面図であ
り、図４が上面図である。
けられたマークをステージに固定されたセンサーで読み
取る手法の一例を説明する図であり、図３が断面図であ
り、図４が上面図である。
【００３５】たとえば、図３および図４に示すように、
フレキシブル基体６ａを挟んで上方に光源１４を、下方
にディテクタ１５を配置し、フレキシブル基体６ａに位
置検出穴１７を空けておく。光源１４からはディテクタ
１５方向に光１６が照射されている。
フレキシブル基体６ａを挟んで上方に光源１４を、下方
にディテクタ１５を配置し、フレキシブル基体６ａに位
置検出穴１７を空けておく。光源１４からはディテクタ
１５方向に光１６が照射されている。
【００３６】フレキシブル基体６ａを図の移動方向１８
に移動させ、光源１４からの光１６が位置検出穴１７を
通過し、ディテクタ１５が光１６を検出した位置で、フ
レキシブル基体６ａの移動を止めるのである。ここで
は、検出穴の数が一つの場合を示したが、検出穴の数は
複数でも良い。検出穴が複数の場合は、フレキシブル基
体を移動させて検出されたある検出穴で基体の移動を減
速し、その後に検出された検出穴で移動を停止させると
いうこともできる。
に移動させ、光源１４からの光１６が位置検出穴１７を
通過し、ディテクタ１５が光１６を検出した位置で、フ
レキシブル基体６ａの移動を止めるのである。ここで
は、検出穴の数が一つの場合を示したが、検出穴の数は
複数でも良い。検出穴が複数の場合は、フレキシブル基
体を移動させて検出されたある検出穴で基体の移動を減
速し、その後に検出された検出穴で移動を停止させると
いうこともできる。
【００３７】基体の位置検出法には、他にもたとえば位
置検出センサに磁気センサを用い、フレキシブル基体上
に設置された磁気的な位置情報を検出する手法や、位置
センサに電気を検出するプローブを用い、フレキシブル
基体上に設置された電気的な位置情報を検出する手法が
考えられる。
置検出センサに磁気センサを用い、フレキシブル基体上
に設置された磁気的な位置情報を検出する手法や、位置
センサに電気を検出するプローブを用い、フレキシブル
基体上に設置された電気的な位置情報を検出する手法が
考えられる。
【００３８】基体の適当な部位が発光材料パターン形成
部に位置決めされると、次に発光材料パターンの形成が
行われる。Ｘ−Ｙステージ５ａには発光材料供給装置４
ａが設置されており、Ｘ−Ｙ平面を自在に移動すること
ができる。
部に位置決めされると、次に発光材料パターンの形成が
行われる。Ｘ−Ｙステージ５ａには発光材料供給装置４
ａが設置されており、Ｘ−Ｙ平面を自在に移動すること
ができる。
【００３９】発光材料供給装置４ａは、典型的には微小
な発光材料含有液をフレキシブル基体６ａに噴出塗布す
るノズルである。発光材料供給装置４ａはフレキシブル
基体６ａの所定の場所に移動すると、フレキシブル基体
６ａに微小な発光材料含有液を噴出し、後に固化させる
ことにより、発光材料パターンを形成する。
な発光材料含有液をフレキシブル基体６ａに噴出塗布す
るノズルである。発光材料供給装置４ａはフレキシブル
基体６ａの所定の場所に移動すると、フレキシブル基体
６ａに微小な発光材料含有液を噴出し、後に固化させる
ことにより、発光材料パターンを形成する。
【００４０】発光材料パターンが、ホール注入輸送層／
発光層／電子注入輸送層の３層構造等の複数層から構成
される場合は、発光材料層を構成する一つの層のパター
ンが形成された後に、そのパターンの上から、次の材料
の含有液を内蔵した別の発光材料供給装置によるパター
ン形成がなされる。上の例で言えば、ホール注入輸送層
パターンの形成、発光層のパターン形成、電子注入輸送
層のパターン形成という順である。
発光層／電子注入輸送層の３層構造等の複数層から構成
される場合は、発光材料層を構成する一つの層のパター
ンが形成された後に、そのパターンの上から、次の材料
の含有液を内蔵した別の発光材料供給装置によるパター
ン形成がなされる。上の例で言えば、ホール注入輸送層
パターンの形成、発光層のパターン形成、電子注入輸送
層のパターン形成という順である。
【００４１】発光材料パターンの形成が終了したフレキ
シブル基体６ａは、基体巻き取り装置７−１ａおよび７
−２ａをそれらに接続された駆動装置を動かすことによ
り回転させ、基体巻き取り装置７−２ａに巻き取り収納
する。
シブル基体６ａは、基体巻き取り装置７−１ａおよび７
−２ａをそれらに接続された駆動装置を動かすことによ
り回転させ、基体巻き取り装置７−２ａに巻き取り収納
する。
【００４２】この時の、発光表示装置の製造装置の動作
を表すフローチャートを図５に示す。
を表すフローチャートを図５に示す。
【００４３】製造装置をスタート（Ａ−１）させること
によりフレキシブル基体供給装置１ａから、発光材料パ
ターン作成装置２ａにフレキシブル基体６ａが供給され
る（Ａ−２）。
によりフレキシブル基体供給装置１ａから、発光材料パ
ターン作成装置２ａにフレキシブル基体６ａが供給され
る（Ａ−２）。
【００４４】次に、発光材料パターン作成装置２ａ内に
おいて、フレキシブル基体６ａが発光材料パターンの形
成に最適な位置に位置あわせされる（Ａ−３）。次に、
発光材料供給装置４ａがフレキシブル基体６ａ上の発光
材料形成位置に位置あわせされ（Ａ−４）、発光材料パ
ターンの形成が行われる（Ａ−５）。発光材料供給装置
４ａは次の発光材料形成位置に位置あわせされ（Ａ−４
その２）、次の発光材料パターンが形成される（Ａ−５
その２）。ステップ（Ａ−４）と（Ａ−５）は終了司令
が出されるまで繰り返される。
おいて、フレキシブル基体６ａが発光材料パターンの形
成に最適な位置に位置あわせされる（Ａ−３）。次に、
発光材料供給装置４ａがフレキシブル基体６ａ上の発光
材料形成位置に位置あわせされ（Ａ−４）、発光材料パ
ターンの形成が行われる（Ａ−５）。発光材料供給装置
４ａは次の発光材料形成位置に位置あわせされ（Ａ−４
その２）、次の発光材料パターンが形成される（Ａ−５
その２）。ステップ（Ａ−４）と（Ａ−５）は終了司令
が出されるまで繰り返される。
【００４５】終了司令が出されると、次のフレキシブル
基体がフレキシブル基体供給装置から発光材料パターン
作成装置に供給され、同時に発光材料パターンの作成が
終了したフレキシブル基体はフレキシブル基体収納装置
に収納される（Ａ−６）。製造終了判断（Ａ−７）が出
され、終了（Ａ−８）となるまでは、ステップ（Ａ−
３）〜（Ａ−６）の間の処理が繰り返される。
基体がフレキシブル基体供給装置から発光材料パターン
作成装置に供給され、同時に発光材料パターンの作成が
終了したフレキシブル基体はフレキシブル基体収納装置
に収納される（Ａ−６）。製造終了判断（Ａ−７）が出
され、終了（Ａ−８）となるまでは、ステップ（Ａ−
３）〜（Ａ−６）の間の処理が繰り返される。
【００４６】図６は、本発明を適用できる発光材料供給
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【００４７】発光材料供給装置１００は、ノズルを形成
する小孔１０１を穿設した板状体１０２、および、その
上に重合して固設された枠体状の圧力室構成部材１０３
と、更に、圧力室構成部材１０３の上に重合して固設さ
れた振動板１０４によって構成される。
する小孔１０１を穿設した板状体１０２、および、その
上に重合して固設された枠体状の圧力室構成部材１０３
と、更に、圧力室構成部材１０３の上に重合して固設さ
れた振動板１０４によって構成される。
【００４８】圧力室構成部材１０３を形成する枠体の内
側部分には所定の間隙を空けて複数の障壁１０５が設け
られ、隣接する二つの障壁１０５と前述した板状体１０
２および振動板１０４で区画して形成される各々の空間
によって複数の圧力室１０６が構成される。
側部分には所定の間隙を空けて複数の障壁１０５が設け
られ、隣接する二つの障壁１０５と前述した板状体１０
２および振動板１０４で区画して形成される各々の空間
によって複数の圧力室１０６が構成される。
【００４９】また、圧力室構成部材１０３の内側には、
全ての障壁１０５の先端部を突き切るようにして発光材
料含有液プール１０７が形成され、振動板１０４の発光
材料含有液タンク口１１１を介して導入された発光材料
含有液が、発光材料含有液プール１０７、および、障壁
１０５と隣接する障壁１０５との間の間隙で形成される
発光材料含有液供給口１１２を通って各々の圧力室１０
６に導かれるようになっている。
全ての障壁１０５の先端部を突き切るようにして発光材
料含有液プール１０７が形成され、振動板１０４の発光
材料含有液タンク口１１１を介して導入された発光材料
含有液が、発光材料含有液プール１０７、および、障壁
１０５と隣接する障壁１０５との間の間隙で形成される
発光材料含有液供給口１１２を通って各々の圧力室１０
６に導かれるようになっている。
【００５０】圧電素子１０８は、各々の圧力室１０６と
対応して振動板１０４上に複数配備され、また、ノズル
を構成する小孔１０１も、各々の圧力室１０６と対応し
て板状体１０２上の複数箇所に穿設されている。
対応して振動板１０４上に複数配備され、また、ノズル
を構成する小孔１０１も、各々の圧力室１０６と対応し
て板状体１０２上の複数箇所に穿設されている。
【００５１】図７は、図６に示した発光材料供給装置１
００の周辺構成を示す概略図である。
００の周辺構成を示す概略図である。
【００５２】図７に示されるように、発光材料含有液タ
ンク１０９内の発光材料含有液は、チューブ１１０およ
び発光材料含有液タンク口１１１を介して発光材料含有
液プール１０７に供給される。
ンク１０９内の発光材料含有液は、チューブ１１０およ
び発光材料含有液タンク口１１１を介して発光材料含有
液プール１０７に供給される。
【００５３】また、発光材料供給装置１００を駆動する
駆動信号は、本体１１３で生成され、フレキシブル・プ
リンティング・ケーブル（以下、単にＦＰＣという）１
１４を通って駆動回路用の回路基板１１５に到達し、更
に、ＦＰＣ１１６を通って圧電素子１０８に印加され、
この信号を受けた圧電素子１０８が振動して圧力室１０
６の振動板１０４を変形させる。
駆動信号は、本体１１３で生成され、フレキシブル・プ
リンティング・ケーブル（以下、単にＦＰＣという）１
１４を通って駆動回路用の回路基板１１５に到達し、更
に、ＦＰＣ１１６を通って圧電素子１０８に印加され、
この信号を受けた圧電素子１０８が振動して圧力室１０
６の振動板１０４を変形させる。
【００５４】この結果、圧力室１０６の容積が減少して
圧力波が発生し、この圧力波により、ノズルとなる小孔
１０１から発光材料含有液滴が吐出されてフレキシブル
基体に飛翔する。なお、図６のように小孔１０１が複数
個設けられている場合は、一度に複数個の発光材料パタ
ーンを形成することが可能である。
圧力波が発生し、この圧力波により、ノズルとなる小孔
１０１から発光材料含有液滴が吐出されてフレキシブル
基体に飛翔する。なお、図６のように小孔１０１が複数
個設けられている場合は、一度に複数個の発光材料パタ
ーンを形成することが可能である。
【００５５】図８および図９は、本発明を適用した発光
表示装置の製造装置を表す概念図であり、図８が断面図
であり、図９が上面図である。
表示装置の製造装置を表す概念図であり、図８が断面図
であり、図９が上面図である。
【００５６】フレキシブル基体供給装置１ｂおよびフレ
キシブル基体収納装置３ｂは、図１の場合のフレキシブ
ル基体供給装置１ａおよびフレキシブル基体収納装置３
ａと同じである。図１の場合と異なるのは発光材料パタ
ーン形成装置２ｂである。ここでは、マスクを用いた蒸
着法を用いる場合を示してある。
キシブル基体収納装置３ｂは、図１の場合のフレキシブ
ル基体供給装置１ａおよびフレキシブル基体収納装置３
ａと同じである。図１の場合と異なるのは発光材料パタ
ーン形成装置２ｂである。ここでは、マスクを用いた蒸
着法を用いる場合を示してある。
【００５７】フレキシブル媒体６は固定台９の下方に設
置されており、パターン形成時には固定台９に固定され
る。フレキシブル基体６の下方にはマスク１２が設置さ
れている。マスク１２の下方には蒸着源１０が設置され
ており、蒸着源１０に設置された発光材料母材１１から
上方に、気化した発光材料母材が照射される。発光母材
を上方に照射する手法としては、抵抗加熱やイオンビー
ム１３の照射により真空中で発光母材を加熱する方法が
用いられる。
置されており、パターン形成時には固定台９に固定され
る。フレキシブル基体６の下方にはマスク１２が設置さ
れている。マスク１２の下方には蒸着源１０が設置され
ており、蒸着源１０に設置された発光材料母材１１から
上方に、気化した発光材料母材が照射される。発光母材
を上方に照射する手法としては、抵抗加熱やイオンビー
ム１３の照射により真空中で発光母材を加熱する方法が
用いられる。
【００５８】マスク１２には、形成パターンに相当する
穴が空けられており、上方に照射された発光材料部材は
穴がある箇所ではマスクを通過し、フレキシブル基体６
上に発光材料の膜が形成される。穴が無い部分は膜が形
成されないので、フレキシブル基体６上には発光材料の
パターンが形成される。
穴が空けられており、上方に照射された発光材料部材は
穴がある箇所ではマスクを通過し、フレキシブル基体６
上に発光材料の膜が形成される。穴が無い部分は膜が形
成されないので、フレキシブル基体６上には発光材料の
パターンが形成される。
【００５９】マスク１２には移動機構が設置されてお
り、フレックス基体６に平行に移動して位置決めが可能
であると同時に、フレックス基体６が移動中にはフレッ
クス基体６に対して垂直方向に空間的に離れ、フレック
ス基体６が静止し発光材料パターン形成時にはフレック
ス基体に密着もしくはフレックス基体６の近傍に定位す
る。
り、フレックス基体６に平行に移動して位置決めが可能
であると同時に、フレックス基体６が移動中にはフレッ
クス基体６に対して垂直方向に空間的に離れ、フレック
ス基体６が静止し発光材料パターン形成時にはフレック
ス基体に密着もしくはフレックス基体６の近傍に定位す
る。
【００６０】ここでは、蒸着法を用いた場合について述
べたが、蒸着の代わりにスパッタを用いることも可能で
ある。
べたが、蒸着の代わりにスパッタを用いることも可能で
ある。
【００６１】この時の、発光表示装置の製造装置の動作
を表すフローチャートを図１０に示す。
を表すフローチャートを図１０に示す。
【００６２】製造装置をスタート（Ｂ−１）させること
によりフレキシブル基体供給装置１ｂから、発光材料パ
ターン作成装置２ｂにフレキシブル基体６が供給される
（Ｂ−２）。
によりフレキシブル基体供給装置１ｂから、発光材料パ
ターン作成装置２ｂにフレキシブル基体６が供給される
（Ｂ−２）。
【００６３】次に、発光材料パターン作成装置２ｂ内に
おいて、フレキシブル基体６が発光材料パターンの形成
に最適な位置に位置あわせされる（Ｂ−３）。次に、マ
スク１２がフレキシブル基体６上の発光材料形成最適位
置に位置あわせされ（Ｂ−４）、発光材料の成膜が行わ
れる（Ｂ−５）。マスク１２は次の発光材料形成最適位
置に位置あわせされ（Ｂ−４その２）、次の発光材料パ
ターンが形成される（Ｂ−５その２）。次のフレキシブ
ル基体６がフレキシブル基体供給装置１ｂから発光材料
パターン作成装置２ｂに供給され、同時に発光材料パタ
ーンの作成が終了したフレキシブル基体６はフレキシブ
ル基体収納装置３ｂに収納される（Ｂ−６）。製造終了
判断（Ｂ−７）が出され、終了（Ｂ−８）となるまで
は、ステップ（Ｂ−３）〜（Ｂ−６）の間の処理が繰り
返される。
おいて、フレキシブル基体６が発光材料パターンの形成
に最適な位置に位置あわせされる（Ｂ−３）。次に、マ
スク１２がフレキシブル基体６上の発光材料形成最適位
置に位置あわせされ（Ｂ−４）、発光材料の成膜が行わ
れる（Ｂ−５）。マスク１２は次の発光材料形成最適位
置に位置あわせされ（Ｂ−４その２）、次の発光材料パ
ターンが形成される（Ｂ−５その２）。次のフレキシブ
ル基体６がフレキシブル基体供給装置１ｂから発光材料
パターン作成装置２ｂに供給され、同時に発光材料パタ
ーンの作成が終了したフレキシブル基体６はフレキシブ
ル基体収納装置３ｂに収納される（Ｂ−６）。製造終了
判断（Ｂ−７）が出され、終了（Ｂ−８）となるまで
は、ステップ（Ｂ−３）〜（Ｂ−６）の間の処理が繰り
返される。
【００６４】図１１は、本発明を適用した発光表示装置
の製造装置を表す概念図である。
の製造装置を表す概念図である。
【００６５】図１〜図１０の場合は、フレキシブル基体
として連続したシートを用いたが、図１１の例では、予
めカットされたフレキシブル基体のシートを用いた場合
について説明する。
として連続したシートを用いたが、図１１の例では、予
めカットされたフレキシブル基体のシートを用いた場合
について説明する。
【００６６】フレキシブル基体供給装置１ｃ内に設置さ
れたトレイ５０の押圧板５１により、フレキシブル基体
のシート６ｃは図中上向きに押し上げられている。シー
ト６ｃの上にはピックアップローラー６４が設置されて
おり、ピックアップローラー６４が回転することにより
摩擦力で最上部のシート６ｃを発光材料パターン形成部
２ｃに送り出す。
れたトレイ５０の押圧板５１により、フレキシブル基体
のシート６ｃは図中上向きに押し上げられている。シー
ト６ｃの上にはピックアップローラー６４が設置されて
おり、ピックアップローラー６４が回転することにより
摩擦力で最上部のシート６ｃを発光材料パターン形成部
２ｃに送り出す。
【００６７】発光材料パターン形成部２ｃ内には搬送ロ
ーラ４６ａが設置されており、フレキシブル基体供給装
置１ｃから送り出された基体シート６ｃを発光材料供給
ステージ４８に送る。
ーラ４６ａが設置されており、フレキシブル基体供給装
置１ｃから送り出された基体シート６ｃを発光材料供給
ステージ４８に送る。
【００６８】発光材料供給ステージ４８には駆動装置４
９ａ、４９ｂにより駆動されるベルトが設置されてお
り、基体シート６ｃを発光材料パターンの形成に最適な
位置に移動させる。発光材料パターンの形成が終了した
基体シート６ｃは、搬送ローラ４６ｂによりフレキシブ
ル基体収納装置３ｃ内に設置されたトレイ５２に収納さ
れる。
９ａ、４９ｂにより駆動されるベルトが設置されてお
り、基体シート６ｃを発光材料パターンの形成に最適な
位置に移動させる。発光材料パターンの形成が終了した
基体シート６ｃは、搬送ローラ４６ｂによりフレキシブ
ル基体収納装置３ｃ内に設置されたトレイ５２に収納さ
れる。
【００６９】図１２は、フレキシブル基体供給装置１ｃ
内に設置された基体シートピックアップ部の要部断面図
である。
内に設置された基体シートピックアップ部の要部断面図
である。
【００７０】ベース６２の底面には図示の横断面形状を
有するように基部６１が、上記のフレキシブル基体シー
トカセットケース５０に対向する位置に固定されてい
る。この基部６１の側面において一対の分離板６０が離
間するように固定されている。
有するように基部６１が、上記のフレキシブル基体シー
トカセットケース５０に対向する位置に固定されてい
る。この基部６１の側面において一対の分離板６０が離
間するように固定されている。
【００７１】分離板６０は、ケース５０の凹部に一部が
図示のように潜入する位置関係となっており、最上位置
のシートＳ１がピックアップローラ６４の矢印方向の駆
動により搬送されることで、基体シートＳ１の底面との
間の摩擦力により図示のように、起立位置から右側に倒
れる状態になり、シートＳ１を送り出す。また、このシ
ートＳ１の下方の２枚目のシートＳ２は、上記のように
倒れた分離板６０の側面に先端縁部が当接することで、
それ以上の送りが規制されてその位置に止まる。以上の
ようにして、ダブルフィードを効果的に防止する。
図示のように潜入する位置関係となっており、最上位置
のシートＳ１がピックアップローラ６４の矢印方向の駆
動により搬送されることで、基体シートＳ１の底面との
間の摩擦力により図示のように、起立位置から右側に倒
れる状態になり、シートＳ１を送り出す。また、このシ
ートＳ１の下方の２枚目のシートＳ２は、上記のように
倒れた分離板６０の側面に先端縁部が当接することで、
それ以上の送りが規制されてその位置に止まる。以上の
ようにして、ダブルフィードを効果的に防止する。
【００７２】本発明の発光表示装置の製造装置において
適用可能なフレキシブル基体としては、芳香族ポリアミ
ド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アラミドフ
ィルム、ポリエステルフィルムなどからなる単層もしく
は多層膜の樹脂フィルムや、薄い金属合金板からなるフ
ィルム、もしくは樹脂フィルムと金属フィルムとの積層
体、などをベースとしたフィルムを用いることができ
る。
適用可能なフレキシブル基体としては、芳香族ポリアミ
ド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アラミドフ
ィルム、ポリエステルフィルムなどからなる単層もしく
は多層膜の樹脂フィルムや、薄い金属合金板からなるフ
ィルム、もしくは樹脂フィルムと金属フィルムとの積層
体、などをベースとしたフィルムを用いることができ
る。
【００７３】製造する発光表示装置が単純マトリックス
タイプの場合は、これらのフィルム上に予め下電極およ
び電極配線部を作成したものをフレキシブル基体として
用いる。あるいは、特に図１〜図４に示したような構造
の製造装置を用いる場合には、発光材料供給装置から噴
出された発光材料がフレキシブル基体に衝突した際に基
体面内で広がりすぎ、発光材料パターンが大きくなりす
ぎる場合がある。これに対する対策として、フレキシブ
ル基体に発光材料パターンの広がりを防ぐための、樹脂
等による隔壁を予め設けることもできる。
タイプの場合は、これらのフィルム上に予め下電極およ
び電極配線部を作成したものをフレキシブル基体として
用いる。あるいは、特に図１〜図４に示したような構造
の製造装置を用いる場合には、発光材料供給装置から噴
出された発光材料がフレキシブル基体に衝突した際に基
体面内で広がりすぎ、発光材料パターンが大きくなりす
ぎる場合がある。これに対する対策として、フレキシブ
ル基体に発光材料パターンの広がりを防ぐための、樹脂
等による隔壁を予め設けることもできる。
【００７４】製造する発光材料層パターンの構成として
は、フレキシブル基体上に陽極が形成されておりその上
に発光材料層が形成される場合は、基体側から（１）発
光層、（２）ホール注入輸送層／発光層、（３）発光層
／電子注入輸送層、（４）ホール注入輸送層／発光層／
電子注入輸送層という構成を用いることができる。
は、フレキシブル基体上に陽極が形成されておりその上
に発光材料層が形成される場合は、基体側から（１）発
光層、（２）ホール注入輸送層／発光層、（３）発光層
／電子注入輸送層、（４）ホール注入輸送層／発光層／
電子注入輸送層という構成を用いることができる。
【００７５】さらには、ホール注入輸送層をホール注入
層とホール輸送層、あるいは電子注入輸送層を電子注入
層と電子輸送層との２層にすることもできる。フレキシ
ブル基体上に陰極を形成した場合には、基体上に陽極を
形成した場合の発光材料層の積層順を上下逆にした構成
を用いることができる。
層とホール輸送層、あるいは電子注入輸送層を電子注入
層と電子輸送層との２層にすることもできる。フレキシ
ブル基体上に陰極を形成した場合には、基体上に陽極を
形成した場合の発光材料層の積層順を上下逆にした構成
を用いることができる。
【００７６】発光素子を構成する各部材には代表的なも
のとして、以下の表１に示すものを用いることができ
る。
のとして、以下の表１に示すものを用いることができ
る。
【００７７】
【表１】
【００７８】また、スイッチングトランジスタ、および
電流印加トランジスタを構成する各要素としては、以下
の表２に示すものを用いることができる。
電流印加トランジスタを構成する各要素としては、以下
の表２に示すものを用いることができる。
【００７９】
【表２】
【００８０】
【実施例】図１〜図６に示した製造装置のプロトタイプ
を試作し、動作の実証を行った。
を試作し、動作の実証を行った。
【００８１】この際、試作した発光表示装置は２インチ
角の単色の単純マトリックスタイプであり、画素サイズ
は３００μｍ角である。
角の単色の単純マトリックスタイプであり、画素サイズ
は３００μｍ角である。
【００８２】基板にはポリイミド樹脂のフレキシブル基
板を用いており、その上に膜厚１μｍのＡｌは緯線パタ
ーンと膜厚５０ｎｍのＡｕの陽極パターンを形成したも
のをフレキシブル基体として図１におけるフレキシブル
基体供給装置１ａ内の基体巻き取り装置７−１ａにセッ
トした。
板を用いており、その上に膜厚１μｍのＡｌは緯線パタ
ーンと膜厚５０ｎｍのＡｕの陽極パターンを形成したも
のをフレキシブル基体として図１におけるフレキシブル
基体供給装置１ａ内の基体巻き取り装置７−１ａにセッ
トした。
【００８３】また、フレキシブル基体の一端は、フレキ
シブル基体収納装置３ａに内蔵された基体巻き取り装置
７−２ａに固定した。基体巻き取り装置７−１ａおよび
７−２ａはモータと連結されており、フレキシブル基体
にテンションをかけながら、フレキシブル基体の所定の
部位をステージ８ａに供給できるようになっている。
シブル基体収納装置３ａに内蔵された基体巻き取り装置
７−２ａに固定した。基体巻き取り装置７−１ａおよび
７−２ａはモータと連結されており、フレキシブル基体
にテンションをかけながら、フレキシブル基体の所定の
部位をステージ８ａに供給できるようになっている。
【００８４】図６に構造を示した発光材料供給装置とし
てはノズルを形成する小穴１０１が１０個作り込まれた
装置を試作適用した。但し、今回はそのうちの１個のノ
ズル孔のみから発光材料含有液を噴出させた。
てはノズルを形成する小穴１０１が１０個作り込まれた
装置を試作適用した。但し、今回はそのうちの１個のノ
ズル孔のみから発光材料含有液を噴出させた。
【００８５】発光材料含有液は発光材料を溶媒に溶解さ
せることにより作成した。ノズル孔から１回に噴出され
る発光材料含有液の量は平均４ピコリットルとし、基体
上の同一箇所に同一発光材料含有液を噴出する回数で形
成される発光材料パターンの膜厚を制御した。
せることにより作成した。ノズル孔から１回に噴出され
る発光材料含有液の量は平均４ピコリットルとし、基体
上の同一箇所に同一発光材料含有液を噴出する回数で形
成される発光材料パターンの膜厚を制御した。
【００８６】発光材料は、陽極側からポリチオフェン／
ポリフェニレンビニレンの２層構成とした。ポリチオフ
ェン溶液を噴出しパターンを形成した後にポリチオフェ
ンパターンの上からポリフェニレンビニレン溶液を噴出
し、２層パターンを形成した。
ポリフェニレンビニレンの２層構成とした。ポリチオフ
ェン溶液を噴出しパターンを形成した後にポリチオフェ
ンパターンの上からポリフェニレンビニレン溶液を噴出
し、２層パターンを形成した。
【００８７】次に、以上の工程により発光材料パターン
を形成したフレキシブル基体を、基体巻き取り装置７−
２ａに巻き取り収納した。
を形成したフレキシブル基体を、基体巻き取り装置７−
２ａに巻き取り収納した。
【００８８】次に一度収納した基体を別の装置に移し、
膜厚５ｎｍのＣａと５０ｎｍのＩＴＯとからなる陰極、
及びＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合物からなる膜厚１μ
ｍの保護層を形成した。
膜厚５ｎｍのＣａと５０ｎｍのＩＴＯとからなる陰極、
及びＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合物からなる膜厚１μ
ｍの保護層を形成した。
【００８９】こうして作成された素子に対して電流を通
電させ発光させたところ、約１００カンデラの発光輝度
が得られた。これによってフレキシブル基体を用い、図
１〜図６の構造を有する製造装置を用いた場合に、発光
表示装置を作成することができることが試作機レベルで
実証された。
電させ発光させたところ、約１００カンデラの発光輝度
が得られた。これによってフレキシブル基体を用い、図
１〜図６の構造を有する製造装置を用いた場合に、発光
表示装置を作成することができることが試作機レベルで
実証された。
【００９０】この方法では、基体巻き取り装置に配線お
よび陽極を形成したフレキシブル基体を巻いて製造装置
に供給し、さらには発光材料パターンを形成後のフレキ
シブル基体を巻き取って回収するため、その際の基板か
らの素子の剥離や素子の破壊が懸念されたが、今回それ
らは観測されなかった。
よび陽極を形成したフレキシブル基体を巻いて製造装置
に供給し、さらには発光材料パターンを形成後のフレキ
シブル基体を巻き取って回収するため、その際の基板か
らの素子の剥離や素子の破壊が懸念されたが、今回それ
らは観測されなかった。
【００９１】今回の試作では、発光材料パターン形成部
分のみを実証したが、本発明によれば、配線パターン、
陽極パターン、陰極パターン、および保護層を一貫して
製造する製造装置を構築することにより、従来の１枚ず
つ基板を搬送して工程処理をする手法では実現できな
い、高スループットの発光表示装置の製造が可能にな
る。
分のみを実証したが、本発明によれば、配線パターン、
陽極パターン、陰極パターン、および保護層を一貫して
製造する製造装置を構築することにより、従来の１枚ず
つ基板を搬送して工程処理をする手法では実現できな
い、高スループットの発光表示装置の製造が可能にな
る。
【００９２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フレキシブルな基体を用いた発光装置の製造方法におい
て量産を可能にする製造方法およびその製造方法を適用
した製造装置を提供することができる。
フレキシブルな基体を用いた発光装置の製造方法におい
て量産を可能にする製造方法およびその製造方法を適用
した製造装置を提供することができる。
【００９３】また、本発明の適用により、フレキシブル
な基体を用いた発光装置の高スループットが可能にな
る。
な基体を用いた発光装置の高スループットが可能にな
る。
【図１】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の断
面概念図である。
面概念図である。
【図２】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の上
面概念図である。
面概念図である。
【図３】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の基
体位置検出部の断面概念図である。
体位置検出部の断面概念図である。
【図４】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の基
体位置検出部の上面概念図である。
体位置検出部の上面概念図である。
【図５】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の動
作を表すフローチャートの図である。
作を表すフローチャートの図である。
【図６】本発明を適用できる発光材料供給装置の概略図
である。
である。
【図７】図６に示した発光材料供給装置の周辺構成を示
す概略図である。
す概略図である。
【図８】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の断
面概念図であり、図１とは別の例を示す図である。
面概念図であり、図１とは別の例を示す図である。
【図９】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の上
面概念図であり、図２とは別の例を示す図である。
面概念図であり、図２とは別の例を示す図である。
【図１０】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の
動作を表すフローチャートの図であり、図３とは別の例
を示す図である。
動作を表すフローチャートの図であり、図３とは別の例
を示す図である。
【図１１】本発明を適用した発光表示装置の製造装置の
断面概念図であり、図１、図８とは別の例を示す図であ
る。
断面概念図であり、図１、図８とは別の例を示す図であ
る。
【図１２】図１１に示したフレキシブル基体供給装置１
ｃ内に設置された基体シートピックアップ部の要部断面
図である。
ｃ内に設置された基体シートピックアップ部の要部断面
図である。
１ａ、１ｂ、１ｃ フレキシブル基体供給装置
２ａ、２ｂ、２ｃ 発光材料パターン作成装置
３ａ、３ｂ、３ｃ フレキシブル基体収納装置
４、４ａ 発光材料供給装置
５、５ａ Ｘ−Ｙステージ
６ａ、６、６ｃ フレキシブル基体
７−１ａ、７−１ｂ、７−２ａ、７−２ｂ 基体巻き取
り装置 ８ａ ステージ ９ 固定台 １０ 蒸着源 １１ 発光材料母材 １２ マスク １３ 蒸着ビーム １４ 光源 １５ ディテクタ １６ 光 １７ 位置検出穴 １８ 媒体移動方向 ４６ａ、４６ｂ 搬送ローラ ４８ 発光材料供給ステージ ４９ａ、４９ｂ 駆動装置 ５０ トレイ ５１ 押圧板 ５２ トレイ ６０ 分離板 ６１ 基部 ６２ ベース ６４ ピックアップローラー １００ 発光材料供給装置 １０１ ノズルを形成する小孔 １０２ 板状体 １０３ 圧力室構成部材 １０４ 振動板 １０５ 障壁 １０６ 圧力室 １０７ 発光材料含有液プール １０８ 圧電素子 １０９ 発光材料含有液タンク １１０ チューブ １１１ 発光材料含有液タンク口 １１３ 本体 １１４ フレキシブル・プリンティング・ケーブル（Ｆ
ＰＣ） １１５ 駆動回路用の回路基板 １１６ ＦＰＣ
り装置 ８ａ ステージ ９ 固定台 １０ 蒸着源 １１ 発光材料母材 １２ マスク １３ 蒸着ビーム １４ 光源 １５ ディテクタ １６ 光 １７ 位置検出穴 １８ 媒体移動方向 ４６ａ、４６ｂ 搬送ローラ ４８ 発光材料供給ステージ ４９ａ、４９ｂ 駆動装置 ５０ トレイ ５１ 押圧板 ５２ トレイ ６０ 分離板 ６１ 基部 ６２ ベース ６４ ピックアップローラー １００ 発光材料供給装置 １０１ ノズルを形成する小孔 １０２ 板状体 １０３ 圧力室構成部材 １０４ 振動板 １０５ 障壁 １０６ 圧力室 １０７ 発光材料含有液プール １０８ 圧電素子 １０９ 発光材料含有液タンク １１０ チューブ １１１ 発光材料含有液タンク口 １１３ 本体 １１４ フレキシブル・プリンティング・ケーブル（Ｆ
ＰＣ） １１５ 駆動回路用の回路基板 １１６ ＦＰＣ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA07 CA06 DB03 FA01
4D075 AC07 AC73 AC96 CB08 CB09
DA06 DB01 DB31 DB48 DB53
DB63 DC21 DC24 EA07 EB01
EC02
Claims (11)
- 【請求項１】 フレキシブル基体に発光材料を形成する
発光表示装置の製造方法において、 発光材料パターン形成部にフレキシブル基体を供給する
工程、提供されたフレキシブル基体に発光材料パターン
を形成する工程、および発光材料成膜後のフレキシブル
基体を発光材料パターン形成部から取り除く工程を含む
ことを特徴とする、発光表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 フレキシブル基体を発光材料パターン形
成部に供給する際、もしくは発光材料パターンを形成後
のフレキシブル基体を発光材料形成部から取り除く際
に、フレキシブル基体が曲げられる工程を含むことを特
徴とする、請求項１に記載の発光表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 該フレキシブル基体を供給する際に、ロ
ール状に準備されたフレキシブル基体を供給することを
特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 該フレキシブル基体を発光材料パターン
形成部から取り除く際に、フレキシブル基体をロール状
に巻き取ることにより取り除くことを特徴とする請求項
１〜３のうちのいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項５】 該フレキシブル基体を発光材料パターン
形成部に供給する工程が、発光材料パターン形成後のフ
レキシブル基体を発光材料パターン形成部から取り除く
工程と同時に行われることを特徴とする、請求項１〜４
のうちのいずれか１項に記載の製造方法。 - 【請求項６】 発光材料パターン形成法が、溶媒に溶か
すか温度を上げることにより液体状になった発光材料を
ノズルにより基体上に噴出し、溶媒を除去もしくは冷却
することによる発光材料パターン形成工程を含むことを
特徴とする、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載
の製造方法。 - 【請求項７】 フレキシブル基体供給部がフレキシブル
基体を発光材料パターン形成部に供給する工程と、発光
材料パターン作成装置においてフレキシブル基体をステ
ージ上の所定の位置に位置あわせをする工程と、発光材
料パターン形成装置において発光材料供給装置をフレキ
シブル基体上の所定の位置に位置あわせをする工程と、
発光材料パターンをフレキシブル基体上に形成する工程
と、発光材料形成後のフレキシブル基体を発光材料パタ
ーン形成部から取り除く工程を含むことを特徴とする、
請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 発光材料パターン形成工程が、基体上に
マスクを設置し、その後にマスクの基体に面していない
側から蒸着またはスパッタにより発光材料を成膜するこ
とにより発光材料パターンを得る工程であることを特徴
とする、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の製
造方法。 - 【請求項９】 フレキシブル基体供給部がフレキシブル
基体を発光材料パターン形成部に供給する工程と、発光
材料パターン作成装置においてフレキシブル基体を位置
あわせをする工程と、発光材料パターン形成装置におい
てマスクをフレキシブル基体上の所定の位置に位置あわ
せをする工程と、発光材料をフレキシブル基体上に形成
する工程と、発光材料形成後のフレキシブル基体を発光
材料パターン形成部から取り除く工程を含むことを特徴
とする、請求項８に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 フレキシブル基体に位置検出マークを
設け、製造装置に設けられた検知装置により位置検出マ
ークを検知することにより基体の位置決めをすることを
特徴とする、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載
の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のうちのいずれか１項
に記載の製造方法を適用した発光表示装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327616A JP2003133068A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置 |
| US10/277,840 US7393554B2 (en) | 2001-10-25 | 2002-10-22 | Method and apparatus for manufacturing flexible-type luminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327616A JP2003133068A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133068A true JP2003133068A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19143820
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327616A Pending JP2003133068A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 発光表示装置の製造方法およびそれを適用した発光表示装置の製造装置 |
Country Status (2)
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|---|---|
| US (1) | US7393554B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003133068A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071726A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hirano Tecseed Co Ltd | 有機ｅｌシート製造装置 |
| JP2010091990A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 表示素子の製造方法、及び表示素子の製造装置 |
| WO2018198979A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 住友化学株式会社 | 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法 |
| US11108028B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-08-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Manufacturing method for organic electronic device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050016464A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-27 | General Electric Company | Methods and fixtures for facilitating handling of thin films |
| JP2005327667A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子製造システムおよび電子機器 |
| US8080277B2 (en) * | 2005-03-18 | 2011-12-20 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method of forming organic compound layer, method of manufacturing organic EL element and organic EL element |
| WO2009079004A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-25 | Lumimove, Inc., Dba Crosslink | Flexible electroluminescent devices and systems |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118275A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 写真画像の映像信号記録装置 |
| JPS62191197U (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-04 | ||
| JPS6472492A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Manufacture of electroluminescent lamp |
| JPH06140153A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-20 | Nec Kansai Ltd | 電界発光灯の製造方法 |
| JPH1183865A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Hitachi Ltd | 検体搬送システム |
| WO1999025894A1 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| JP2000150150A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Casio Comput Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2000516761A (ja) * | 1996-08-12 | 2000-12-12 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 非ポリマー可撓性有機発光デバイス |
| WO2001005194A1 (fr) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Sony Corporation | Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple |
| JP2001059161A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Tdk Corp | 有機薄膜の製造装置および製造方法 |
| JP2001256362A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-21 | Sony Corp | 画像商取引システム及びその方法、表示装置及びその方法 |
| JP2001267068A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001272968A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示システム及び電気器具 |
| JP2001284047A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191197A (ja) | 1986-02-18 | 1987-08-21 | 株式会社タツノ・メカトロニクス | 個人認証用板状記憶媒体 |
| JPH0896954A (ja) | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Nippon Kasei Chem Co Ltd | フレキシブルｅｌ素子 |
| US5904961A (en) * | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
| JP3788676B2 (ja) * | 1997-11-11 | 2006-06-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子 |
| EP1167566B1 (en) * | 2000-06-22 | 2011-01-26 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Apparatus for and method of vacuum vapor deposition |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327616A patent/JP2003133068A/ja active Pending
-
2002
- 2002-10-22 US US10/277,840 patent/US7393554B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118275A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 写真画像の映像信号記録装置 |
| JPS62191197U (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-04 | ||
| JPS6472492A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Kansai Nippon Electric | Manufacture of electroluminescent lamp |
| JPH06140153A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-20 | Nec Kansai Ltd | 電界発光灯の製造方法 |
| JP2000516761A (ja) * | 1996-08-12 | 2000-12-12 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 非ポリマー可撓性有機発光デバイス |
| JPH1183865A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Hitachi Ltd | 検体搬送システム |
| JP2001523768A (ja) * | 1997-11-17 | 2001-11-27 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機薄膜の低圧蒸着 |
| WO1999025894A1 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| JP2000150150A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Casio Comput Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| WO2001005194A1 (fr) * | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Sony Corporation | Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple |
| JP2001059161A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Tdk Corp | 有機薄膜の製造装置および製造方法 |
| JP2001256362A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-09-21 | Sony Corp | 画像商取引システム及びその方法、表示装置及びその方法 |
| JP2001272968A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示システム及び電気器具 |
| JP2001267068A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001284047A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008071726A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hirano Tecseed Co Ltd | 有機ｅｌシート製造装置 |
| JP2010091990A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Nikon Corp | 表示素子の製造方法、及び表示素子の製造装置 |
| US11108028B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-08-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Manufacturing method for organic electronic device |
| WO2018198979A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 住友化学株式会社 | 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法 |
| CN110574492A (zh) * | 2017-04-26 | 2019-12-13 | 住友化学株式会社 | 带有电极的基板、层叠基板及有机器件的制造方法 |
| US11121350B2 (en) | 2017-04-26 | 2021-09-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Electrode-attached substrate, laminated substrate, and organic device manufacturing method |
Also Published As
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|---|---|
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