JP5689258B2 - フレキシブルｔｆｔ基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法に係り、さらに詳しくは、有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの素子基板に適用できるフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法に関する。

有機ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置は、情報機器などへ急速にその用途を拡大している。近年、プラスチックフィルムを基板として使用するフレキシブルディスプレイが注目されている。そのようなフレキシブルディスプレイは、丸めて収納できて持ち運びに便利な超薄型・軽量のモバイル用ばかりではなく、大型ディスプレイ用としても利用できる。

しかし、プラスチックフィルムは、剛性が弱く、また熱変形温度が低いため、熱処理を伴う製造工程において反りや膨張収縮のような長寸法の変化が生じ易い。このため、プラスチックフィルム上に直接各種素子を形成する製造方法では、熱処理を伴う製造工程などの条件が制限され、また高精度の位置合わせが困難になるので、所望の特性を有する素子基板を製造できなくなる場合がある。

このような問題を回避するために、耐熱性で剛性のガラス基板の上に製造条件が制限されないでＴＦＴ素子やカラーフィルタなどを高精度で位置合わせして形成して転写層とした後、その転写層をプラスチックフィルム上に転写・形成することにより、液晶表示装置用素子基板を製造する方法がある（例えば特許文献１）。

さらには、転写シートの上に形成されたカラーフィルタをガラス基板の上にＴＦＴが形成されたＴＦＴガラス基板の上に接着剤を介して積層した後に、転写フィルムを剥離することにより、ＴＦＴガラス基板にカラーフィルタ層を転写する方法が開示されている（例えは特許文献２及び３）。

特開２００１−３５６３７０号公報 特開平８−１５７２７号公報 特開平８−６２５９５号公報

ガラス基板の上に形成したＴＦＴやカラーフィルタなどの転写層をプラスチックフィルム上に転写する方法（特許文献１など）では、ガラス基板の上にＴＦＴやカラーフィルタなどを連続して形成して転写層を得る必要がある。

このため、ガラス基板上での製造工程が長くなりすぎることから、十分な製造歩留りが得られない課題がある。

本発明は上記した問題点を鑑みて創作されたものであり、転写技術を利用するフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法において、フレキシブル基板（フィルム）の上にＴＦＴやカラーフィタなどを歩留りよく転写・形成できる方法を提供することを目的とする。

上記した課題を解決するため、第１ガラス基板上に剥離できる状態で形成されたカラーフィルタ層の上に粘着層を介して無加熱で仮フィルムを仮接着した後に、前記第１ガラス基板を剥離することにより得られる仮フィルム付きカラーフィルタ層と、第２ガラス基板の上に剥離できる状態で画素電極及びそれに接続されるＴＦＴを形成することにより得られるＴＦＴガラス基板とを用意する工程と、前記ＴＦＴガラス基板の上に第１接着層を介して前記仮フィルム付きカラーフィルタ層の該カラーフィルタ層側の面を接着する工程と、前記粘着層及び前記仮フィルムを剥離して前記カラーフィルタ層を露出させる工程と、前記カラーフィルタ層の上に第２接着層を介してベースフィルムを接着する工程と、前記第２ガラス基板を剥離することにより、前記ベースフィルムの上に、前記カラーフィルタ層、前記画素電極及び前記ＴＦＴを転写する工程とを有することを特徴とする。

本発明では、まず、第１ガラス基板の上に剥離できる状態で形成されたカラーフィルタ層の上に粘着層で仮フィルムを無加熱で仮接着した後に、第１ガラス基板を剥離することにより、仮フィルム付きカラーフィルタ層を得る。

好適には仮フィルム付きカラーフィルタ層の形成と並行して、別の第２ガラス基板の上に画素電極及びＴＦＴを形成することによりＴＦＴガラス基板を得る。そして、ＴＦＴガラス基板の上に第１接着層によって仮フィルム付きカラーフィルタ層を位置合わせして接着した後に、粘着層及び仮フィルムを剥離してカラーフィルタ層を露出させる。

さらに、カラーフィルタ層の上に第２接着層によってベースフィルムを接着する。その後に、第２ガラス基板を剥離することにより、ベースフィルムの上にカラーフィルタ層、画素電極及びＴＦＴを転写する。

本発明では、カラーフィルタ層の形成を別のガラス基板上で行うことで、全体の製造工程を２つに分割して遂行することができる。これにより、ガラス基板上で連続してカラーフィルタ層、ＴＦＴを形成する方法より製造工程が削減されることから、工程中のトラブルや不良の発生のリスクを低減できるため、製造歩留りを向上させることができる。また、製造工程を並行して遂行できるため、製品が出来上がるまでのトータルの製造時間を短縮することができ、低コスト化を図ることができる。

上記した発明では、転写するカラーフィルタ層に長寸法の変化が極力発生しないように、無加熱で仮接着できる粘着層で仮フィルムをカラーフィルタ層に接着して仮フィルム付きカラーフィルタ層を作成し、それをＴＦＴガラス基板上に接着している。

あるいは、仮フィルムを使用せずに、ガラス基板上に剥離できる状態で形成されたカラーフィルタ層の上にベースフィルムを接着した後に、ガラス基板を剥離してベースフィルム付きカラーフィルタ層を作成し、それをＴＦＴガラス基板に接着してもよい。

上記した発明の一つの好適な態様では、ＴＦＴガラス基板の上に仮フィルム付きカラーフィルタ層を接着する際に、遅延硬化性光硬化型接着剤又は２液混合型接着剤が使用される。外部から接着層を光照射する方法では、内部素子（画素電極やＴＦＴなど）が影になって接着層に未硬化の部分が発生するおそれがある。

しかしながら、この態様では、ＴＦＴガラス基板とベースフィルム付きカラーフィルタ層とを積層する前にそれらの積層面の少なくとも１面に遅延硬化性光硬化型接着剤を塗布し、光照射処理を行った後に積層すると、一定時間経過後に接着剤を全体にわたって硬化させることができる。

あるいは、２液混合型接着剤を用いる場合には、それらの積層面の少なくとも１面に接着剤を塗布した後に積層すると、同様に一定時間経過後に接着剤を全体にわたって硬化させることができる。

また、上記した発明の一つの好適な態様では、粘着層は、加熱、光照射、又は冷却によって接着力が低下する特性を有する。これにより、カラーフィルタと仮フィルムを仮接着する際に十分な接着力が得られると共に、粘着層と仮フィルムとを剥離する際に粘着層を加熱、光照射、又は冷却して接着力を低下させることができるので、容易に剥離することができる。

以上のように、本発明では、フレキシブル基板（フィルム）の上にＴＦＴやカラーフィタなどを歩留りよく転写・形成することができる。

図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その４）である。 図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その５）である。 図６（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その６）である。 図７は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その７）である。 図８は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その８）である。 図９は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その９）である。 図１０は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。 図１１は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図である。 図１２は第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板をフレキシブル有機ＥＬディスプレイに適用した例を示す断面図である。 図１３（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図１４は本発明の第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。 図１５は本発明の第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 図１６は本発明の第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図である。 図１７（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。 図１８は本発明の第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図である。 図１９は本発明の第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板をフレキシブル液晶ディスプレイに適用した例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
図１〜図１０は本発明の第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図、図１１は同じくフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図、図１２は同じくフレキシブルＴＦＴ基板を有機ＥＬディスプレイに適用した例を示す断面図である。

第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、仮基板として第１ガラス基板１０を用意し、第１ガラス基板１０の上に透明の第１剥離層２２を形成する。

第１剥離層２２の形成方法としては、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物と、３−３’−ジアミノジフェニルスルホンとを混合してポリイミド前駆体化合物を作成する。そして、そのポリイミド前駆体化合物を第１ガラス基板１０の上に塗布した後に、２００〜２５０℃の温度で加熱処理して硬化させることにより、透明の第１剥離層２２を得る。

透明の第１剥離層２２はフレキシブルＴＦＴ基板内に残すことができるため、第１剥離層２２を除去する工程を省略することができる。第１剥離層２２を除去する工程を遂行してもよい場合は、通常の黄土色系のポリイミド樹脂を使用してもよい。

次いで、図１（ｂ）に示すように、第１剥離層２２の上にカラーフィルタ層２５を形成する。図１（ｂ）には緑色（Ｇ）画素部がメインに示されているが、３原色の画素部（Ｒ），（Ｇ），（Ｂ）に対応する部分（画素電極に対応する部分）に赤色（Ｒ）カラーフィルタ層２５Ｒ、緑色（Ｇ）カラーフィルタ層２５Ｇ、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ層２５Ｂがそれぞれ配置される。

そして、３原色の画素部（サブピクセル）が表示単位であるピクセルを構成する。３原色の各カラーフィルタ層２５は、例えば顔料分散タイプの感光性塗布膜がフォトリソグラフィによって順次パターニングされて形成される。なお、３原色の各カラーフィルタ層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの間に遮光層（ブラックマトリクス）を配置してもよい。

続いて、図１（ｃ）に示すように、仮フィルム２９を用意し、カラーフィルタ層２５の上に粘着層２７を介して仮フィルム２９を積層する。仮フィルム２９としては、熱膨張係数の比較的小さいプラスチックフィルムを使用することが望ましい。透明性、光学的異方性、光屈折率、耐候性などのスペックを満足させる光学特性を有することは必ずしも必須ではない。

仮フィルム２９は、好適には、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ガラスエポキシ樹脂（ＦＲ４）、ポリイミド樹脂、アラミド繊維含有樹脂、又はガラス粒子やクロスを含有する樹脂などから形成される。

仮フィルム２９はカラーフィルタ層２５の上に粘着層２７によって無加熱の状態（室温）で仮接着される。仮フィルム２９を接着する際にその熱変形温度より高い温度の加熱処理が施されると、仮フィルム２９に膨張収縮のような長寸法の変化が発生しやすく、これに伴ってカラーフィルタ層２５にも長寸法変化が生じ易い。

後述するように、カラーフィルタ層２５は第２ガラス基板上に形成された画素電極に対応するようにして第２ガラス基板上に積層される。カラーフィルタ層２５に長寸法変化などが生じていると画素電極との整合がとれなくなるため、本実施形態ではカラーフィルタ層２５と仮フィルム２９とを無加熱で仮接着できる粘着層２７を使用する。

次いで、図１（ｄ）に示すように、図１（ｃ）の仮フィルム２９の一端にロール（不図示）を固定し、そのロールを回転させながら第１ガラス基板１０を剥離する。このとき、第１ガラス基板１０と第１剥離層２２との界面（図１（ｃ）のＡ部）に沿って剥離される。

これにより、仮フィルム２９の上（図１（ｄ）では下）に粘着層２７を介してカラーフィルタ層２５及び第１剥離層２２が転写・形成されて、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆが得られる。

第１ガラス基板１０を剥離するときに、仮フィルム２９とカラーフィルタ層２５とを粘着層２７で剥がれない程度に仮接着しておく必要があるので、粘着層２７は第１ガラス基板１０を剥離する際にそれに耐える接着力が必要である。

このような観点から、粘着層２７として、接着力が例えば８Ｎ／２０ｍｍ幅のものが使用される。この接着力は、引っ張り試験機で試験された値であり、チャック間距離：１００ｍｍ、引っ張りスピード：３００ｍｍ／分、引き剥がし角度：９０度の条件下で行われる。

このような接着力をもつ粘着層２７を使用することにより、仮フィルム２９とカラーフィルタ層２５とを粘着層２７で十分に仮接着した状態で、第１ガラス基板１０を安定して剥離することができる。第１ガラス基板１０と第１剥離層２２との接着力は約１〜２Ｎ／２０ｍｍ幅である。

また、後述するように、仮フィルム付きカラーフィルタ層ＦをＴＦＴが形成された第２ガラス基板の上に接着した後に、仮フィルム２９及び粘着層２７を第２ガラス基板から剥離する必要がある。このため、粘着層２７は、ある程度の接着力を必要とするばかりではなく、容易に剥離できる特性を併せもつ必要がある。

例えば、粘着層２７として、それを剥離する際に、０．１Ｎ／２０ｍｍ幅以下（上記した引っ張り試験機の条件下で試験）の接着力に低下するものが使用される。これは、後述する第２ガラス基板と第２剥離層との接着力（約１〜２Ｎ／２０ｍｍ幅）より低い接着力であることを意味する。

つまり、粘着層２７として、仮フィルム２９をカラーフィルタ層２５に仮接着する際には無加熱で十分な接着力があり、仮フィルム２９を剥離する際に加熱、光照射、冷却などにより、接着力が低下する特性を有するものが使用される。

加熱によって接着力が低下する粘着層としては、粘着層の中に含まれる粒子が加熱によって発砲し、粘着面の接触面積が小さくなることで接着力が低下する加熱発砲粒子含有粘着層（例えば日東電工（株）製ＮＷＳシリーズ）がある。

光照射によって接着力が低下する粘着層としては、紫外線を照射することで物性を変化させて接着力を低下させる紫外線照射剥離型粘着層（例えば日東電工（株）製エレップホルダーＤＵシリーズ）がある。

また、冷却することによって接着力が低下する冷却剥離型粘着層としては、例えばニッタ（株）製インテリマーＣＳ２０２ＨＳなどがある。

粘着層２７は、上記したような特性を有する粘着剤を塗布して形成してもよいし、粘着剤を基材の両面に塗布した粘着シートを使用してもよい。

次に、図２（ａ）に示すように、仮基板として別の第２ガラス基板１０ａを用意し、その第２ガラス基板１０ａの上にポリイミド樹脂などからなる第２剥離層２２ａを形成する。第２剥離層２２ａは後に除去する必要があるので透明である必要はない。

その後に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより、第２剥離層２２ａの上に窒化シリコン（ＳｉＮ_X）などの無機絶縁層からなる下地バリア層２４を形成する。さらに、下地バリア層２４の上に、画素電極を構成するための膜厚が５０〜３００ｎｍの透明導電層２６ａをスパッタ法により形成する。

次いで、図２（ｃ）に示すように、透明導電層２６ａの上にレジストパターン（不図示）を形成し、それをマスクにして透明導電層２６ａをエッチングすることにより、画素電極２６を得る。その後に、レジストパターンが除去される。画素電極２６は、前述した仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆの３原色の赤色（Ｒ）カラーフィルタ層２５Ｒ、緑色（Ｇ）カラーフィルタ層２５Ｇ、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ層２５Ｂに対応するように配置される。

画素電極２６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）層などの透明導電層２６ａから形成される。

本実施形態では、第２ガラス基板１０ａ上に画素電極２６を形成するので、プラスチックフィルム上に形成する場合と違って成膜温度などのプロセス条件が限定されることがない。例えば、画素電極２６としてＩＴＯ層を使用する場合は、成膜温度が２００℃程度のスパッタ法などを採用することができる。これにより、画素電極２６（ＩＴＯ）は低抵抗（比抵抗値：３×１０^-4Ω・ｃｍ以下）な電気特性をもって形成される。

なお、下地バリア層２４を省略し、第２剥離層２２ａの上に画素電極２６を直接形成してもよい。

続いて、図２（ｄ）に示すように、画素電極２６の上にアクリル樹脂などをスピンコート法によって塗布することにより、画素電極２６の段差を埋め込む層間絶縁層２８を形成する。これにより、画素電極２６の段差が解消されて層間絶縁層２８はその上面が平坦となって形成される。さらに、層間絶縁層２８の上に、ＣＶＤ法やスパッタ法などにより無機絶縁層（窒化シリコン（ＳｉＮ_X）など）のガスバリア機能を有するバリア絶縁層３０を形成する。

次いで、図３（ａ）に示すように、ＩＴＯ又はアルミニウムなどの導電層を蒸着法やスパッタ法などによりバリア絶縁層３０の上に形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより導電層をパターニングする。これにより、スイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）（以下、Ｓｗ−ＴＦＴと記す）用のゲート電極３２ａが画素電極２６のパターン領域上のバリア絶縁層３０の上に形成される。これと同時に、駆動用ＴＦＴ（以下、Ｄｒ−ＴＦＴと記す）用のゲート電極３２ｂが同じく画素電極２６のパターン領域上のバリア絶縁層３０の上に形成される。

さらに、図３（ｂ）に示すように、各ゲート電極３２ａ，３２ｂの上面及び側面を被覆するゲート絶縁層３４を形成する。ゲート絶縁層３４としては、膜厚が２００ｎｍ程度のシリコン酸化層（ＳｉＯ_X）、タンタル酸化層（Ｔａ₂Ｏ₅）、アルミナ層（Ａｌ₂Ｏ₅）、又はポリイミドなどの有機高分子層などが使用される。

そして、これらの絶縁層がＣＶＤ法、スパッタ法、又はスピンコート法などによって形成された後に、フォトリソグラフィに基づいてパターニングされてゲート絶縁層３４が得られる。あるいは、ゲート絶縁層３４を陽極酸化法によって形成してもよい。

次いで、図３（ｃ）に示すように、画素電極２６の所要部上の層間絶縁層２８及びバリア絶縁層３０の部分を加工することにより、画素電極２６に到達する深さのビアホールＶＨを形成する。ビアホールＶＨは、開口部が設けられたレジストパターン（不図示）がバリア絶縁層３０の上に形成された後に、その開口部を通してバリア絶縁層３０及び層間絶縁層２８がドライエッチングなどでエッチングされて形成される。

次いで、図４（ａ）に示すように、図３（ｃ）の構造体の上面側（バリア絶縁層３０及びゲート絶縁層３４の上とビアホールＶＨ内）に、クロム（Ｃｒ）層及び金（Ａｕ）層を順次成膜して金属層を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより金属層をパターニングする。これにより、Ｓｗ−ＴＦＴ用のソース電極３６ａ及びドレイン電極３６ｂがゲート電極３２ａを被覆するゲート絶縁層３４の上面端側から側面にかけてそれぞれ延在して形成される。

これと同時に、Ｄｒ−ＴＦＴ用のソース電極３６ｘ及びドレイン電極３６ｙがゲート電極３２ｂを被覆するゲート絶縁層３４の上面端側から側面にかけてそれぞれ延在して形成される。さらに、Ｄｒ−ＴＦＴ用のドレイン電極３６ｙはビアホールＶＨを介して画素電極２６に電気的に接続されて形成される。

次いで、図４（ｂ）に示すように、図３（ａ）の構造体の上面全体に、真空蒸着法などにより膜厚が５０ｎｍ程度の有機半導体からなる有機活性層３８を形成する。有機活性層３８の材料としては、ペンタセン、セキシチオフェン、又はポリチオフェンなどが好適に使用される。

さらに、図４（ｃ）に示すように、有機活性層３８の上に真空蒸着法などによってパリレン（ポリパラキシリレン）樹脂層４０を形成する。続いて、図５（ａ）に示すように、パリレン樹脂層４０の上にシリコン酸化層（ＳｉＯ₂）などからなる無機絶縁層４２を形成する。

続いて、図５（ｂ）に示すように、無機絶縁層４２の上に、Ｓｗ−ＴＦＴ用のゲート絶縁層３４及びＤｒ−ＴＦＴ用のゲート絶縁層３４に対応するレジストパターン１５を形成する。さらに、図５（ｃ）に示すように、そのレジストパターン１５をマスクにして、無機絶縁層４２、パリレン樹脂層４０及び有機活性層３８をエッチングする。レジストパターン１５はドライエッチングにより除去してもよい。

これにより、Ｓｗ−ＴＦＴ用のソース電極３６ａ、ドレイン電極３６ｂ及びゲート絶縁層３４の上に、Ｓｗ−ＴＦＴ用の有機活性層３８ａ、パリレン樹脂層４０からなるキャップ保護層４０ａ及び無機絶縁層４２からなるキャップバリア層４２ａがパターン化されて得られる。

それと同時に、Ｄｒ−ＴＦＴ用のソース電極３６ｘ、ドレイン電極３６ｙ及びゲート絶縁層３４の上に、Ｄｒ−ＴＦＴ用の有機活性層３８ｂ、キャップ保護層４０ｂ及びキャップバリア層４２ｂがパターニングされて得られる。

このとき、各有機活性層３８ａ，３８ｂは、キャップバリア層４２ａ，４２ｂ（無機絶縁層）及びキャップ保護層４０ａ，４０ｂ（パリレン樹脂層）によって被覆されて保護されるので、フォトリソグラフィ工程でのウェット処理やプラズマなどによる性能劣化が防止される。なお、レジストパターン１５を除去せずに残したままにしても差し支えない。

これによって、ゲート電極３２ａ、ゲート絶縁層３４、ソース電極３６ａとドレイン電極３６ｂ、及びソース電極３６ａとドレイン電極３６ｂに電気的に接続された有機活性層３８ａにより構成されるＳｗ−ＴＦＴ５が得られる。

また、ゲート電極３２ｂ、ゲート絶縁層３４、ソース電極３６ｘとドレイン電極３６ｙ、及びソース電極３６ｘとドレイン電極３６ｙに電気的に接続される有機活性層３８ｂにより構成されるＤｒ−ＴＦＴ６が得られる。そして、Ｄｒ−ＴＦＴ６のドレイン電極３６ｙがビアホールＶＨを介してＤｒ−ＴＦＴ６の下側に配置された画素電極２６に電気的に接続される。

本実施形態では、耐熱性の第２ガラス基板１０ａの上にＳｗ−ＴＦＴ５及びＤｒ−ＴＦＴ６を形成するので、プラスチックフィルム上に直接形成する場合と違って、位置合わせ精度よく所望のＴＦＴを得ることができる。

なお、上記した有機活性層３８ａ，３８ｂをチャネル層として使用するＴＦＴ５，６の他に、酸化物半導体層をチャネル層として使用するＴＦＴを使用してもよい。酸化物半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）系、又はインジウム（Ｉｎ）−亜鉛（Ｚｎ）−ガリウム（Ｇａ）−酸素（Ｏ）系などの透明アモルファス酸化物半導体が使用される。

あるいは、ａ−Ｓｉ（アモルファス−シリコン）をチャンネル層として使用するＴＦＴを同様に画素電極２６に接続して形成してもよい。ａ−ＳｉＴＦＴの構造は、特開２００１−３５６３７０号公報、特開２００１−３５６７１０号公報を参照されたい。その他にも、各種の構造のＴＦＴを採用することができる。

次いで、図６（ａ）に示すように、Ｓｗ−ＴＦＴ５及びＤｒ−ＴＦＴ６の上にそれを被覆する保護絶縁層４４を形成する。保護絶縁層４４の一例としては、パリレン層と、水蒸気やガスの侵入をブロックできるシリコン酸化層（ＳｉＯ_X）、シリコン窒化層（ＳｉＮ_X）又はシリコン酸化窒化層（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁層との積層膜が好適に使用され、ＣＶＤ法や真空蒸着法によって形成される。

以上により、第２ガラス基板１０ａの上に第２剥離層２２ａを介して画素電極２６とそれに接続されるＤｒ−ＴＦＴ６、及びＳｗ−ＴＦＴ５などが形成されたＴＦＴガラス基板Ｇが得られる。

次に、図６（ｂ）に示すように、前述した図１（ｄ）で作成した仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを用意する。そして、図６（ａ）のＴＦＴガラス基板Ｇの保護絶縁層４４の上に第１接着層４６によって仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆの第１剥離層２２の露出面（カラーフィルタ層２５側の面）を接着する。

本実施形態では、前述したように透明の第１剥離層２２を使用することからフレキシブルＴＦＴ基板内に第１剥離層２２を残すことができる。従って、剥離層２２の除去工程を省略できるので、製造工程を削減することができ、低コスト化を図ることができる。

なお、第１剥離層２２として透明ではない通常のポリイミド樹脂（黄土色系）を使用する場合は、第１剥離層２２が除去されて、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆのカラーフィルタ層２５の露出面が第１接着層４６に接触して接着される。

このとき、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆに設けられた位置合わせマーク（不図示）と、ＴＦＴガラス基板Ｇに設けられた位置合わせマーク（不図示）とを画像認識することに基づいて位置合わせが行われる。これにより、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆのカラーフィルタ層２５がＴＦＴガラス基板Ｇの画素電極２６に位置合わせさせて配置される。

前述したように、仮フィルム２９は粘着層２７によって無加熱でカラーフィルタ層２５に仮接着されるので、接着前の状態でカラーフィルタ層２５に長寸法変化や位置ずれが生じているおそれはなく、全てのカラーフィルタ層２５を画素電極２６に精度よく位置合わせして配置することができる。

またこのとき、第１接着層４６として通常の光硬化型接着剤を使用する場合、ＴＦＴガラス基板Ｇの下面側から、又は仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆの上面側から光照射して光硬化型接着剤を硬化させて第１接着層４６を得る必要がある。

しかしながら、図６（ｂ）の積層体の内部には、画素電極２６、ＴＦＴ５，６、各ライン配線（不図示）及びカラーフィルタ層２５が存在し、これらはその材料によっては光透過を妨げるかもしくは減少させてしまうおそれがある。

従って、図６（ｂ）の構造体の表面、裏面のどちらから光照射しても影になる部分が発生し易いため、第１接着層４６に硬化しない部分が発生するおそれがある。

このため、本実施形態では、第１接着層４６として、ＴＦＴガラス基板Ｇの上に仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを接着する際に、全体にわたって硬化が自動的に進行する接着剤を使用する。

そのような接着剤としては、光照射してから一定時間経過した後に硬化が始まる遅延硬化性光硬化型接着剤がある。遅延硬化性光硬化型接着剤は、光カチオン剤を含有するエポキシ樹脂からなり、光カチオン重合の反応速度を制御することにより、紫外線照射後にすぐには硬化しない遅延硬化性を有する。

つまり、ＴＦＴガラス基板Ｇの上に仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを接着する際に、ＴＦＴガラス基板Ｇの保護絶縁層４４の面、及び仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆの第１剥離層２２の面の少なくとも一方の面に遅延硬化性光硬化型接着剤を塗布し、その塗布面の全体にわたって紫外線を照射する。

その後に、ＴＦＴガラス基板Ｇと仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆとを遅延硬化性光硬化型接着剤を介して位置合わせして積層する。これにより、遅延硬化性光硬化型接着剤は予めその全体が光照射されているため、両者を積層してから一定時間経過後に（例えば１〜６０分後）、硬化が始まり遅延硬化性光硬化型接着剤の全体が硬化して第１接着層４６となる。遅延硬化性光硬化型接着剤の具体例としては、スリーボンド社製：３１１５Ｂやソニーケミカル社製：ＳＫ７０００などを挙げることができる。

このように、第１接着層４６として遅延硬化性光硬化型接着剤を使用することにより、画素電極２６、ＴＦＴ５，６、各ライン配線及びカラーフィルタ層２５が光透過を妨げる場合であっても第１接着層４６の全体を硬化させて接着することができる。

あるいは、遅延硬化性光硬化型接着剤の代わりに、可使時間が１０分以上ある２液混合型接着剤を使用してもよい。２液混合型接着剤を用いる場合には、混合後、脱泡処理が必要であり、遅延硬化性光硬化型接着剤を用いる場合よりも長めの可使時間が必要になる。

この場合は、エポキシ樹脂と硬化剤を別々に用意し、ＴＦＴガラス基板Ｇと仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆとを接着する際に、エポキシ樹脂と硬化剤を混合した混合物を脱泡後、少なくともいずれかの面に塗布して両者を位置合わせして積層すればよい。

この場合においても、ＴＦＴガラス基板Ｇと仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆとを積層してから一定時間経過後に室温状態で硬化が始まり、第１接着層４６の全体を安定して硬化させることができる。２液混合型接着剤の具体例として、住友スリーエム社製：ＤＰ−１２５クリアを挙げることができる。

次いで、図７に示すように、図６（ｂ）の構造体から粘着層２７及び仮フィルム２９を剥離する。粘着剤が残存している場合は、有機溶剤やプラズマエッチングにより、洗浄／除去する。これにより、第２ガラス基板１０ａの上方のカラーフィルタ層２５が露出した状態となる。

このとき、前述したように、粘着層２７として、加熱発砲粒子含有粘着層、紫外線照射剥離型粘着層、又は冷却剥離型粘着層を使用する。加熱発砲粒子含有粘着層を使用する場合は、加熱することにより粘着層２７内の粒子が発砲して接着力が低下し、カラーフィルタ層２５との界面から粘着層２７及び仮フィルム２９を容易に剥離することができる。

また、紫外線照射剥離型粘着層を使用する場合は、紫外線を照射することにより、同様に、粘着層２７及び仮フィルム２９を容易に剥離することができる。あるいは、冷却剥離型粘着層を使用する場合は、冷却することにより、同様に、粘着層２７及び仮フィルム２９を容易に剥離することができる。

このように、前述したような特性を有する粘着層２７を使用することにより、粘着層２７を剥離する際に接着力を低減させることができる。これにより、粘着層２７とカラ―フィルタ層２５との間の接着力は、第２ガラス基板１０ａと第２剥離層２２ａとの間の接着力より低い状態にすることができる。

従って、第２ガラス基板１０ａと第２剥離層２２ａとの間で剥離が生じることなく、粘着層２７及び仮フィルム２９をカラーフィルタ層２５から安定して剥離することができる。

次いで、図８に示すように、ベースフィルム６０を用意し、図７の構造体のカラーフィルタ層２５の上に光硬化型接着剤を塗布し、その上にベースフィルム６０を積層する。さらに、外側からベースフィルム６０を通して光硬化型接着剤に光照射することにより、光硬化型接着剤を硬化させる。

これにより、カラーフィルタ層２５の上に第２接着層４６ａによってベースフィルム６０が接着される。ベースフィルム６０を接着する工程では、外側から透明のベースフィルム６０を通して光硬化型接着剤の全体に光照射して硬化させることにより第２接着層４６ａを形成することができる。

従って、第２接着層４６ａとして、遅延硬化性光硬化型接着剤や２液混合型接着剤を使用する必要はなく、透明性のある汎用の光硬化型接着剤を使用することができる。

ベースフィルム６０はフレキシブルＴＦＴ基板のフレキシブル基板として機能する。

ベースフィルム６０は、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下（１ｐｐｍ／℃以上）の材料から形成される。そのような熱膨張係数を有する材料としては、透明の繊維強化プラスチックフィルム（ＦＲＰ（Fiber Reinforced Plastic）フィルム）、厚みが５０μｍの薄膜ガラスにフィルムをラミネートした透明積層フィルム、アラミドフィルム、又は不透明の薄膜ステンレス基板などが好適に使用される。長寸法変化が小さくなる１０ｐｐｍ／℃程度の熱膨張係数を有する材料がより好ましい。

なお、通常の有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ（バックライト方式）を構成する場合は、ベースフィルム６０は透明である必要がある。光反射型の液晶ディスプレイなどを構成する場合は、不透明の薄膜ステンレス基板をフレキシブル基板として使用することができる。

また、光硬化型接着剤を光照射して硬化させる際に無加熱で行うことは可能であるが、加熱処理（温度：１２０℃程度）を必要とする場合がある。熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下のベースフィルム６０であればそのような加熱処理を併用する場合であっても長寸法変化を小さくすることができる。しかも、カラーフィルタ層２５は既にＴＦＴガラス基板Ｇに第１接着層４６で固定されているため、画素電極２６とカラーフィルタ層２５との間で位置関係がずれるおそれはない。

また、ベースフィルム６０として不透明の薄膜ステンレス基板を使用する場合は、外側から光照射できないため、第２接着層４６ａとして前述した第１接着層４６と同様な遅延硬化性光硬化型接着剤、又は２液混合型接着剤によってＴＦＴガラス基板Ｇに接着される。

続いて、図９に示すように、第２ガラス基板１０ａと第２剥離層２２ａとの界面から第２ガラス基板１０ａを剥離する。

図１０には、第２ガラス基板１０ａを剥離した図９の構造体を上下反転させた様子が示されており、上面側に第２剥離層２２ａが露出した状態となる。

次いで、図１１に示すように、酸素ガスのプラズマなどで第２剥離層２２ａを除去することにより下地バリア層２４を露出させる。さらに、ＣＦ₄プラズマなどで下地バリア層２４をエッチングして除去することにより、画素電極２６を露出させる。

以上により、第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１が得られる。

以上説明したように、第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法では、まず、第１ガラス基板１０の上に剥離できる状態で形成されたカラーフィルタ層２５の上に粘着層２７で仮フィルム２９を無加熱で仮接着した後に、第１ガラス基板１０を剥離することにより、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを作成する。

これと並行して別の第２ガラス基板１０ａの上に画素電極２６、Ｄｒ−ＴＦＴ６及びＳｗ−ＴＦＴ５などを形成してＴＦＴガラス基板Ｇを作成する。そして、ＴＦＴガラス基板Ｇの上に第１接着層４６によって仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを接着した後に、仮フィルム２９及び粘着層２７を剥離する。さらに、カラーフィルタ層２５の上に第２接着層４６ａによってベースフィルム６０を接着する。

その後に、第２ガラス基板１０ａ、第２剥離層２２ａ及び下地バリア層２４を除去して画素電極２６を露出させる。

本実施形態では、同一のガラス基板の上に画素電極、ＴＦＴ、カラーフィルタ層などの全ての素子を形成した後にフィルム上に転写する製法と違って、カラーフィルタ層の形成を別のガラス基板上で行うことで、全体の製造工程を２つに分割して遂行することができる。

これにより、ガラス基板上での製造工程が削減されることから、工程中のトラブルや不良の発生のリスクを低減できるため、製造歩留りを向上させることができる。また、カラーフィルタ層２５の形成に係る製造工程と、画素電極２６及びＴＦＴ５，６などの形成に係る製造工程とを並行して遂行できるため、製品が出来上がるまでのトータルの製造時間を短縮することができ、低コスト化を図ることができる。

また、仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆは無加熱で仮接着されて得られるためＴＦＴガラス基板Ｇに接着する前の段階でカラーフィルタ層２５の長寸法変化や位置ずれが生じているおそれはない。しかも、画素電極２６やＴＦＴ５，６などは剛性が強く、熱膨張係数の小さい第２ガラス基板１０ａ上に形成されている。従って、ＴＦＴガラス基板Ｇの上に仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを精度よく位置合わせして配置することができる。

本実施形態と違って、カラーフィルタ層と、画素電極及びＴＦＴとを別のフィルム上に形成し、それらをラミネートする方法では、両者共に基板の剛性が弱く、かつ熱膨張係数が大きいため精度よく位置合わせすることは困難である。

図１１に示すように、第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１では、ベースフィルム６０の上に第２接着層４６ａ、カラーフィルタ層２５、第１剥離層２２、第１接着層４６及び保護絶縁層４４が順に形成されている。保護絶縁層４４の中にはＳｗ−ＴＦＴ５とＤｒ−ＴＦＴ６が埋設されており、その上にバリア絶縁層３０が形成されている。

Ｓｗ−ＴＦＴ５は、下から順に、有機活性層３８ａ、ソース電極３６ａとドレイン電極３６ｂ、ゲート絶縁層３４、及びゲート電極３２ａが形成されて構成されており、有機活性層３８ａの下面にはキャップ保護層４０ａ及びキャップバリア層４２ａ（キャップ絶縁層）が設けられている。

Ｄｒ−ＴＦＴ６においても、同様に、下から順に、有機活性層３８ｂ、ソース電極３６ｘとドレイン電極３６ｙ、ゲート絶縁層３４、及びゲート電極３２ｂが形成されて構成されており、有機活性層３８ｂの下面にはキャップ保護層４０ｂ及びキャップバリア層４２ｂ（キャップ絶縁層）が設けられている。

本実施形態では、前述した転写技術を採用するので、Ｓｗ−ＴＦＴ５とＤｒ−ＴＦＴ６は、バリア絶縁層３０の上に形成されたＳｗ−ＴＦＴ５及びＤｒ−ＴＦＴ６が上下反転した状態となって配置されている。

このため、Ｓｗ−ＴＦＴ５とＤｒ−ＴＦＴ６において、ゲート電極３２ａ，３２ｂはその上面が保護絶縁層４４の上面と同一面となった状態でバリア絶縁層３０の下面から下側に突出して配置されている。そして、ゲート電極３２ａ，３２ｂの下面及び側面がゲート絶縁層３４で被覆されている。

さらに、ソース電極３６ａ、３６ｘ及びドレイン電極３６ｂ、３６ｙは、有機活性層３８ａ、３８ｂとゲート絶縁層３４との間からゲート電極３２ａ，３２ｂの側方にかけて上側にそれぞれ延在している。

また、ソース電極３６ａ、３６ｘ及びドレイン電極３６ｂ、３６ｙの下側には有機活性層３８ａ，３８ｂが配置されており、ソース電極３６ａ、３６ｘとドレイン電極３６ｂ、３６ｙとの間の有機活性層３８ａ、３８ｂの部分がゲート絶縁層３４に接触するＴＦＴのチャネル部となっている。

さらに、バリア絶縁層３０の上に層間絶縁層２８が形成され、画素電極２６がその上面が露出した状態で層間絶縁層２８に埋設されて形成されている。画素電極２６及び層間絶縁層２８の各上面は同一面となって平坦化されている。

また、画素電極２６の所要部下の層間絶縁層２８及びバリア絶縁層３０の部分にはビアホールＶＨが設けられている。そして、Ｄｒ−ＴＦＴ６のドレイン電極３６ｙがビアホールＶＨを介して画素電極２６に電気的に接続されている。

次に、第１実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１を使用して有機ＥＬディスプレイを製造する方法について説明する。図１２に示すように、まず、図１１のフレキシブルＴＦＴ基板１の上面側に露出する画素電極２６の上に、マスク蒸着法によって膜厚が例えば３０ｎｍの正孔輸送層５２を選択的に形成する。正孔輸送層５２としては、芳香族３級アミン誘導体であるα-ＮＰＤなどが好適に使用される。

さらに、同じく図１２に示すように、正孔輸送層５２上にマスク蒸着法によって白色発光層５４を選択的に形成する。続いて、同じく図１２に示すように、マスク蒸着法によって白色発光層５４上に電子輸送層５６を形成する。電子輸送層５６としては、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ３）などが好適に使用される。

これにより、正孔輸送層５２、白色発光層５４及び電子輸送層５６により構成される有機ＥＬ層５０が得られる。

さらに、同じく図１２に示すように、電子輸送層５６上にマスク蒸着法によって画素電極２６に対向する対向電極５８を形成する。対向電極５８は共通電極として形成される。本実施形態では、ベースフィルム６０側から光が放出されるため、画素電極２６が透明電極から形成され、対向電極５８が、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）積層膜などの不透明電極から形成される。

これにより、画素電極２６、有機ＥＬ層５０及び対向電極５８により構成される有機ＥＬ素子２が得られる。

その後に、同じく図１２に示すように、有機ＥＬ素子２の上にそれを被覆する封止層５９を形成する。封止層５９としては、シリコン酸化層（ＳｉＯ_X）やシリコン窒化層（ＳｉＮ_X）などが使用され、例えば成膜温度が１００℃程度の低温ＣＶＤにより形成される。

以上により、本発明の第１実施形態に係るフレキシブル有機ＥＬディスプレイ３が完成する。

フレキシブル有機ＥＬディスプレイ３では、Ｓｗ−ＴＦＴ５及びＤｒ−ＴＦＴ６を含んで所要の電気回路が構成されている。そして、有機ＥＬ素子２の画素電極２６（陽極）に正、対向電極５８（陰極）に負の電圧を印加することにより、画素電極２６（陽極）から注入された正孔と対向電極５８（陰極）から注入された電子とが白色発光層５４の内部で再結合することにより白色光が放たれる。

不透明の対向電極５８側ではこの光が反射されて透明な画素電極２６側からカラーフィルタ層２５及びベースフィルム６０を透過して外部に放出される（図１２の矢印の方向）。

（第２の実施の形態）
図１３〜図１５は本発明の第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図、図１６は同じくフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図である。

前述した第１実施形態では、カラーフィルタ層２５と仮フィルム２９とが粘着層２７によって無加熱で仮接着された仮フィルム付きカラーフィルタ層ＦをＴＦＴガラス基板Ｇの上に接着し、仮フィルム２９及び粘着層２７を除去した後に、再びベースフィルム６０をカラーフィルタ層２５の上に接着している。

第２実施形態の特徴は、仮フィルムを使用せずに、カラーフィルタ層とベースフィルムとを接着してベースフィルム付きカラーフィルタ層を作成し、これをＴＦＴガラス基板の上に接着することにある。

第２実施形態では、第１実施形態と同様な工程についてはその詳しい説明を省略する。

第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法では、図１３（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様に、第１ガラス基板１０の上に透明の第１剥離層２２を形成する。次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１剥離層２２の上にカラーフィルタ層２５を形成する。

続いて、図１３（ｃ）に示すように、ベースフィルム６０を用意する。ベースフィルム６０は、第１実施形態と同様に、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下の透明の繊維強化プラスチックフィルム、薄膜ガラスにフィルムをラミネートした透明積層フィルム、アラミドフィルム、又は薄膜ステンレス基板などが使用される。

そして、カラーフィルタ層２５の上に光硬化型接着剤を介してベースフィルム６０を積層する。さらに、外側からベースフィルム６０を通して光硬化型接着剤に光照射することにより光硬化型接着剤を硬化させて第３接着層４７を得る。

第２実施形態では、無加熱で仮接着できる粘着層を使用しないので、光硬化型接着剤を硬化させて第３接着層４７を得る際に加熱処理が併用される場合は第１実施形態より不利になる。しかしながら、ベースフィルム６０として、１２０℃程度の加熱処理では長寸法が変化しにくい小さい熱膨張係数（１５ｐｐｍ／℃以下）の材料を使用することにより、カラーフィルタ層２５の長寸法変化を回避することができる。

なお、第１実施形態と同様に、ベースフィルム６０として不透明の薄膜ステンレス基板を使用する場合は、第３接着層４７として前述した第１接着層４６と同様な遅延硬化性光硬化型接着剤又は２液混合型接着剤を使用する。ベースフィルム６０として透明なフィルムを使用する場合には、汎用の光硬化型接着剤を使用することができる。

次いで、図１３（ｄ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１ガラス基板１０と第１剥離層２２との界面（図１３（ｃ）のＡ部）から第１ガラス基板１０を剥離する。

これにより、ベースフィルム６０の上（図１３（ｄ）では下）に、第３接着層４７、カラーフィルタ層２５、第１剥離層２２が形成されたベースフィルム付きカラーフィルタ層Ｆｘが得られる。

続いて、図１４に示すように、第１実施形態の図２（ａ）〜図６（ａ）の工程を遂行することにより、図６（ａ）と同一のＴＦＴガラス基板Ｇを用意する。

そして、第１実施形態と同様に、ＴＦＴガラス基板Ｇ側の面、及びベースフィルム付きカラーフィルタ層Ｆｘ側の面の少なくとも一方の面に遅延硬化性光硬化型接着剤を塗布し、遅延硬化性光硬化型接着剤の全体に紫外線を照射する。その後に、ＴＦＴガラス基板Ｇとベースフィルム付きカラーフィルタ層Ｆｘとを遅延硬化性光硬化型接着剤を介して積層する。

これにより、第１実施形態と同様に、一定時間経過した後に（例えば１〜６０分後）、遅延硬化性光硬化型接着剤の硬化が始まってその全体が硬化して第１接着層４７ａとなる。このため、第１実施形態と同様に、第１接着層４７ａに未硬化の部分が発生するおそれがない。

あるいは、第１実施形態で説明したように、遅延硬化性光硬化型接着剤の代わりに、可使時間が１０分以上の２液混合型接着剤を使用してもよい。

次いで、図１５に示すように、第１実施形態と同様に、第２ガラス基板１０ａと第２剥離層２２ａとの界面から第２ガラス基板１０ａを剥離することにより第２剥離層２２ａを露出させる。

次いで、図１６に示すように、第１実施形態と同様に、第２剥離層２２ａ及び下地バリア層２４を除去することにより、画素電極２６を露出させる。図１６では、図１５の構造体に対して上下反転して描かれている。

以上により、第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１ａが得られる。第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１ａは、第１実施形態と製造方法は異なるが最終的には第１実施形態と同一の構造となる。

第２実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法は第１実施形態と同様な効果を奏する。

（第３の実施の形態）
図１７は本発明の第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図、図１８は同じくフレキシブルＴＦＴ基板を示す断面図、図１９は同じくフレキシブルＴＦＴ基板をフレキシブル液晶ディスプレイに適用した例を示す断面図である。

第３実施形態では、フレキシブルＴＦＴ基板をフレキシブル液晶ディスプレイに適用する形態を例示する。第３実施形態では、第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。また、同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。

図１７（ａ）に示すように、第１実施形態の図２（ａ）〜図６（ａ）までの工程を遂行することにより、前述した図６（ａ）のＴＦＴガラス基板Ｇと実質的に同一のＴＦＴガラス基板Ｇｘを作成する。

図１７（ａ）が図６（ａ）と異なる点は、液晶ディスプレイを構成するので各画素部に１つのスイッチング用のＴＦＴ７がそれぞれ設けられる。スイッチング用のＴＦＴ７はビアホールＶＨを介して画素電極２６に接続される。

スイッチング用のＴＦＴ７は、第１実施形態のＳｗ−ＴＦＴ５及びＤｒ−ＴＦＴ６と同様に、ゲート電極３２、ゲート絶縁層３４、ソース電極３６ａとドレイン電極３６ｂ、及び有機活性層３８により構成される。ＴＦＴ７の上にはキャップ保護層４０及びキャップバリア層４２が形成されている。

次いで、図１７（ｂ）に示すように、ＴＦＴガラス基板Ｇｘの上に第１接着層４６を介して第１剥離層２２及びカラーフィルタ層２５が積層され、カラーフィルタ層２５の上に第２接着層４６ａを介してベースフィルム６０が積層された積層体を形成する。

ＴＦＴガラス基板Ｇｘの上にカラーフィルタ層２５及びベースフィルム６０などを積層する方法は、第１実施形態で説明したようにＴＦＴガラス基板Ｇｘの上に仮フィルム付きカラーフィルタ層Ｆを第１接着層４６で接着し、粘着層２７及び仮フィルム２９を剥離した後に、再びベースフィルム６０を第２接着層４６ａで接着すればよい。

あるいは、第２実施形態で説明したように、ベースフィルム付きカラーフィルタ層ＦｘをＴＦＴガラス基板Ｇｘの上に直接接着してもよい。

続いて、図１８に示すように、第１実施形態と同様に、図１７（ｂ）の構造体から第２ガラス基板１０ａを剥離した後に、第１剥離層２２ａ及び下地バリア層２４を除去することにより画素電極２６を露出させる。さらに、画素電極２６の上に液晶を配向させるための配向膜２１を形成する。図１８では、図１７（ｂ）の構造体に対して上下反転して描かれている。

これにより、第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板１ｂが得られる。第３実施形態のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法は第１実施形態と同様な効果を奏する。

そして、図１９に示すように、フレキシブルＴＦＴ基板１ｂに対向して配置される対向基板１ｘを用意する。対向基板１ｘは、プラスチックフィルム２０ｘと、その上に形成されたＩＴＯなどからなるコモン電極２６ｘと、その上に形成された配向膜２１ｘとによって基本構成される。

そして、フレキシブルＴＦＴ基板１ｂと対向基板１ｘとがスペーサで所定間隔が確保された状態で、周辺部に設けられるシール材（不図示）によって対向して接着され、さらにフレキシブルＴＦＴ基板１ｂと対向基板１ｘとの隙間に液晶２３が封入される。

以上により、第３実施形態に係るフレキシブル液晶ディスプレイ４が完成する。

第１〜第３実施形態では、フレキシブルＴＦＴ基板をフレキシブル有機ＥＬディスプレイやフレキシブル液晶ディスプレイの素子基板に適用する例を説明したが、電気泳動方式などを使用した電子ペーパーなどの各種のフレキシブルディスプレイの素子基板として適用することができる。

１，１ａ，１ｂ…フレキシブルＴＦＴ基板、１ｘ…対向基板、２…有機ＥＬ素子、３…フレキシブル有機ＥＬディスプレイ、４…フレキシブル液晶ディスプレイ、５…Ｓｗ−ＴＦＴ、６…Ｄｒ−ＴＦＴ、７…ＴＦＴ、１０…第１ガラス基板、１０ａ…第２ガラス基板、１５…レジストパターン、２１，２１ｘ…配向膜、２２…第１剥離層、２２ａ…第２剥離層、２３…液晶、２４…下地バリア層、２５…カラーフィルタ層、２５Ｒ…赤色（Ｒ）カラーフィルタ層、２５Ｇ…緑色（Ｇ）カラーフィルタ層、２５Ｂ…青色（Ｇ）カラーフィルタ層、２６…画素電極、２６ｘ…コモン電極、２７…粘着層、２８…層間絶縁層、２９…仮フィルム、３０…バリア絶縁層、３２ａ、３２ｂ…ゲート電極、３４…ゲート絶縁層、３６ａ，３６ｘ…ソース電極、３６ｂ，３６ｙ…ドレイン電極、３８ａ，３８ｂ…有機活性層、４０ａ，４０ｂ…キャップ保護層（パリレン樹脂層）、４２ａ、４２ｂ…キャップバリア層（無機絶縁層）、４４…保護絶縁層、４６，４７ａ…第１接着層、４６ａ…第２接着層、４７…第３接着層、５０…有機ＥＬ層、５２…正孔輸送層、５４…発光層、５６…電子輸送層、５９…封止層、６０…ベースフィルム、Ｆ…仮フィルム付きカラーフィルタ層、Ｆｘ…ベースフィルム付きカラーフィルタ層、Ｇ，Ｇｘ…ＴＦＴガラス基板、ＶＨ…ビアホール。

Claims (6)

1. 第１ガラス基板上に剥離できる状態で形成されたカラーフィルタ層の上に粘着層を介して無加熱で仮フィルムを仮接着した後に、前記第１ガラス基板を剥離することにより得られる仮フィルム付きカラーフィルタ層と、
   第２ガラス基板の上に剥離できる状態で画素電極及びそれに接続されるＴＦＴを形成することにより得られるＴＦＴガラス基板とを用意する工程と、
   前記ＴＦＴガラス基板の上に第１接着層を介して前記仮フィルム付きカラーフィルタ層の該カラーフィルタ層側の面を接着する工程と、
   前記粘着層及び前記仮フィルムを剥離して前記カラーフィルタ層を露出させる工程と、
   前記カラーフィルタ層の上に第２接着層を介してベースフィルムを接着する工程と、
   前記第２ガラス基板を剥離することにより、前記ベースフィルムの上に、前記カラーフィルタ層、前記画素電極及び前記ＴＦＴを転写する工程とを有することを特徴とするフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。
2. 前記第１接着層に用いられる接着剤は、遅延硬化性光硬化型接着剤、又は２液混合型接着剤であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。
3. 前記粘着層は、加熱、光照射、又は冷却によって接着力が低下する特性を有し、
   前記粘着層及び前記仮フィルムを剥離する工程おいて、前記粘着層を、加熱、光照射、又は冷却して接着力を低下させてから剥離することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。
4. 前記仮フィルム付きカラーフィルタ層を用意する工程において、
   前記第１ガラス基板の上に透明の剥離層を介して前記カラーフィルタ層が形成され、前記第１ガラス基板は前記透明の剥離層との界面から剥離され、
   前記仮フィルム付きカラーフィルタ層を前記ＴＦＴガラス基板に接着する工程において、
   前記仮フィルム付きカラーフィルタ層の前記透明の剥離層の露出面が前記ＴＦＴガラス基板に接着されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。
5. 前記ベースフィルムは、熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。
6. 前記フレキシブルＴＦＴ基板は、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ又はフレキシブル液晶ディスプレイの素子基板として使用されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のフレキシブルＴＦＴ基板の製造方法。

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