JP4877916B2 - 表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置に係り、更に詳しくは、液晶表示装置や有機ＥＬディスプレイに適用できる表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置に関する。

液晶表示装置や有機ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイなどの表示装置は情報機器などへ急速にその用途を拡大している。近年では、プラスチックフィルムを基板として使用するフレキシブルディスプレイが注目されている。そのようなフレキシブルディスプレイは、丸めて収納できて持ち運びに便利な超薄型・軽量のモバイル用ばかりではなく、大型ディスプレイ用としても利用できる。

フレキシブルディスプレイの素子基板の製造方法の一例としては、製造工程におけるプラスチックフィルムの反りや膨張収縮を回避するために、耐熱性で剛性のガラス基板の上に製造条件が制限されることなく透明電極やカラーフィルタ層などを高精度で位置合わせして形成して転写層とした後、この転写層をプラスチックフィルム上に転写・形成する方法がある（特許文献１）。
特開２００３−１３１１９９号公報 特許第２６９０４０４号 特許第２６６４８０９号

ところで、表示装置用素子基板の電極などに使用される透明導電層（ＩＴＯ）は、特にフレキシブルディスプレイでは、曲げ応力がかかった際にクラックが発生して断線するおそれがあり、その対策が必要になる。これに関連する技術としては、特許文献２及び３には、ガラス基板を用いたアクティブマトリクス基板において、ソースバスラインを、画素電極を形成するための透明導電層の上に金属層（Ｍｏ）を積層した２層構造とすることにより、ソースバスラインの断線を防止することが記載されている。

しかしながら、フレキシブルディスプレイにおいて、透明導電層からなる電極（配線）の断線を防止する技術は確立しているとはいえず、その技術が切望されている。

本発明は上記した問題点を鑑みて創作されたものであり、プラスチックフィルムを基板に使用する表示装置用素子基板において、透明導電層からなる電極（配線）の断線を防止できる表示装置用素子基板とその製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は液晶表示装置用電極基板に係り、プラスチックフィルムと、前記プラスチックフィルムの上に形成された接着層と、前記接着層の上に形成された保護層と、前記保護層に埋設された電極と、前記保護層に埋設された状態で前記電極の下面側の一端部に選択的に形成された非晶質の無電解金属めっき層よりなる補助配線部とを有し、前記接着層と前記補助配線部との間に前記保護層が介在していることを特徴とする。

本発明の表示装置用素子基板は転写技術によって製造されるものであり、まず、仮基板（ガラスなど）の上に、剥離できる状態で、電極、補助配線部及び保護層を含む転写層が形成される。補助配線部は、無電解めっきを利用して電極の上面の一端部に選択的に形成される。無電解めっきを利用することにより、補助配線部は耐クラック性の高い非晶質の金属めっき層から形成される。

次いで、その転写層が上下反転した状態でプラスチックフィルム上に接着層を介して転写・形成される。これにより、プラスチックフィルム上に接着層、保護層、及び保護層の中に埋設された補助配線部と電極が形成され、補助配線部は電極の下面側の一端部に配置される。

本発明では電極の下面側の一端部に耐クラック性の高い無電解金属めっき層からなる補助配線部を設けたので、電極に応力がかかる際に電極にクラックが発生することが防止され、しかも電極にクラックが発生することがあっても、補助配線部が導通経路となるので電極の断線を回避できる。

本発明の表示装置用素子基板を有機ＥＬディスプレイに適用する場合、電極が陽極として機能し、陽極の上に有機ＥＬ層が形成され、その上に陰極が形成される。本発明では、陽極の下面の一端部に補助配線部が設けられるので、陽極の上に補助配線部が形成される場合と違って陽極と有機ＥＬ層との電気的な接続に悪影響を及ぼすおそれがなくなり、十分な表示品質を確保することができる。

また、上記課題を解決するため、本発明は表示装置用素子基板の製造方法に係り、仮基板の上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の上に無機絶縁層を形成する工程と、前記無機絶縁層の上に電極を形成する工程と、無電解めっきを利用して、前記電極の上面の一端部に金属めっき層よりなる補助配線部を選択的に形成する工程と、前記電極及び前記補助配線部の上に保護層を形成する工程と、前記保護層の上に接着層によってプラスチックフィルムを接着する工程と、前記仮基板を前記剥離層との界面から剥離することにより、前記プラスチックフィルムの上に、前記接着層を介して、前記保護層、前記補助配線部と前記電極、前記無機絶縁層、及び前記剥離層を転写・形成する工程と、前記剥離層を除去する工程とを有することを特徴とする。

本発明の製造方法を使用することにより、上記した構成の表示装置用素子基板を容易に製造することができる。

電極の上面の一端部に補助配線部を選択的に形成する工程では、電極の上面の一端部に開口部が設けられたレジスト膜を形成し、無電解めっきにより、レジスト膜の開口部内の電極上に金属めっき層を選択的に形成した後に、レジスト膜を除去する。あるいは、無電解めっきにより、電極の上面に金属めっき層を選択的に形成した後に、電極の上面の一端部に補助配線部が残るように、金属めっき層をパターニングしてもよい。

以上説明したように、本発明では、プラスチックフィルムを基板に使用する表示装置用素子基板において、曲げ応力がかかるとしても電極にクラックが発生して断線することが防止され、信頼性を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
図１〜図４は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図、図５は同じく表示装置用素子基板を示す断面図である。

第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、仮基板として、表面にシリカコートされた青色のガラス基板２０を用意し、その上に剥離層２２を形成する。剥離層２２の形成方法としては、まず、ピロメリット酸無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを反応させて生成したポリイミド前駆体ワニス（ジメチルアセトアミド溶液（固形分比１０％））にシランカップリング剤ＫＢＭ−５７３（０．０５ｗｔ％（固形分比）：信越シリコーン社製）を添加した塗布液を用意する。そして、ガラス基板２０の上にその塗布液を塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させた後に、ホットプレートを用いて２６０℃の温度で１０分間加熱して脱水閉環することにより、膜厚が４μｍのポリイミドよりなる剥離層２２を形成する。

次いで、図１（ｂ）に示すように、剥離層２２上に無機絶縁層２４を形成する。無機絶縁層２４としては、ガスの侵入をブロックできるシリコン窒化層（ＳｉＮ_X層）、シリコン酸化層（ＳｉＯ_X層）、又はシリコン酸化窒化層（ＳｉＯＮ層）などのバリア層が使用され、ＣＶＤ法やスパッタ法によって形成される。本実施形態の最適な例としては、無機絶縁層２４として膜厚が１５ｎｍのＳｉＮ_X層が使用され、基板温度が１８０℃のスパッタ法によって形成される。

続いて、図１（ｃ）に示すように、無機絶縁層２４上に膜厚が１５０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層を成膜した後に、ＩＴＯ層をフォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングすることにより、透明導電層からなる電極２６を形成する。電極２６は表示信号が供給されるものであり、図１（ｃ）には、液晶表示装置の単純マトリクス駆動用のストライプ状の電極２６が例示されている。

電極２６を構成するＩＴＯ層は、耐熱性のガラス基板２０上に形成されることから、成膜温度が１８０℃程度のスパッタ法などを採用することができる。このため、結晶性でかつ低抵抗（シート抵抗値：１５Ω／口）のＩＴＯ層が得られる。

続いて、図２（ａ）に示すように、電極２６及び無機絶縁層２４の上にポジ型のレジスト膜２５を塗布し、乾燥した後、所要のパターンを有するフォトマスクを介してレジスト膜２５を露光した後に現像する。これにより、各電極２６上の一端部に開口部２５ｘがそれぞれ設けられたレジスト膜２５がパターニングされて形成される。

次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト膜２５の開口部２５ｘに露出する電極２６上に無電解めっきによって補助配線部として機能するニッケル（Ｎｉ）めっき層２７ａ（無電解金属めっき層）を形成する。無電解めっきのプロセスとしては、まず、メルクリーナーＩＴＯ−１７０（１５ｇ／ｌ：メルテックス社製）を用いて、処理温度：４５〜７５℃、処理時間：５〜１０分の条件で、図２（ａ）の構造体から露出する電極２６の表面を脱脂する。

次いで、コンディショナーとして、メルプレートＩＴＯコンディショナー４８０Ａ（２０ｇ／ｌ：メルテックス社製）とメルプレートＩＴＯコンディショナー４８０Ｂ（２００ｍｌ／ｌ：メルテックス社製）との混合液を用意し、処理温度：２０〜３０℃、処理時間：３〜１０分の条件で、その混合液に図２（ａ）の構造体を浸漬させる。コンディショナー処理を行うことにより、電極２６の表面が粗化されてその上に形成される無電解めっき層の密着性を向上させることができる。

続いて、メルプレートアクチベーター７３３１（３０ｍｌ／ｌ：メルテックス社製）と水酸化カリウム（１．５ｍｌ（０．１ｍｏｌ／ｌ））との混合液（常温）で、図２（ａ）の構造体を５分間浸漬させた後に水洗する。このアクチベーティング処理により、電極２６上にめっき触媒が付与され、無電解めっきの前処理が完了する。

その後に、メルプレートＮＩ−８６７Ｍ１（６０ｍｌ／ｌ：メルテックス社製）と、メルプレートＮＩ−８７６Ｍ２（１２０ｍｌ／ｌ：メルテックス社製）との混合液からなるめっき液を用意する。そして、めっき液の温度を６０〜７０℃に保った状態で、前処理が施された図２（ｂ）の構造体をそのめっき液に３〜５分間浸漬する。このとき、レジスト膜２５の上にはめっきが施されず、レジスト膜２５の開口部２５ｘ内の電極２６（ＩＴＯ）上に膜厚が０．１６〜０．３μｍの非晶質のＮｉめっき層２７ａが選択的に形成される。

その後に、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜２５が除去される。これにより、ストライプ状の各電極２６上の一端部に補助配線部２７が形成される。図２（ｃ）の平面図に示すように、補助配線部２７は電極２６と平行なストライプ状となって各電極２６の一端部に配置され、例えば電極２６の幅Ｗ１が２６０μｍの場合は、補助配線部２７の幅Ｗ２は３０μｍに設定される。なお、補助配線部２７は透明ではないので、その幅Ｗ２は液晶表示装置の開口率に悪影響を及ぼさないように適宜調整される。

図３（ａ）〜（ｃ）には、補助配線部２７の他の形成方法が示されている。まず、図３（ａ）に示すように、図１（ｃ）と同一の構造体を作成した後に、レジスト膜を形成せずに、上記した無電解めっきと同様な方法により、各電極２６上の全体にＮｉめっき層２７ａを形成する。このとき、無機絶縁層２４（ＳｉＮ_X層など）の上にはめっきが施されず、電極２６（ＩＴＯ）上に選択的にＮｉめっき層２７ａが形成される。

その後に、図３（ｂ）に示すように、各電極２６の一端部にＮｉめっき層２７ａがそれぞれ残されるように、各電極２６の一端部を除く中央部から他端側にかけて開口部２５ｙが設けられたレジスト膜２５ａを電極２６及び無機絶縁層２４の上に形成する。さらに、レジスト膜２５ａをマスクにして、硝酸を用いるウェットエッチングによりレジスト膜２５ａの開口部２５ｙのＮｉめっき層２７ａを除去する。その後に、レジスト膜２５ａが除去される。これにより、図３（ｃ）に示すように、図２（ｃ）と同様に、各電極２６上の一端部に補助配線部２７が形成される。

本実施形態では、無電解めっきを利用して電極２６上の一端部に補助配線部２７を選択的に形成するようにしたので、スパッタ法などによって全面にＮｉ層を成膜した後にそれをパターニングする方法に比べてパターン同士の電気的なショートの発生を格段に減少させることができ、製造歩留りの向上を図ることができる。

しかも、補助配線部２７は、無電解めっきによって得られる耐クラック性の高い非晶質金属から形成されるので、電極２６を応力から保護したり、電極２６にクラックが生じた場合でも断線を回避できる膜特性を有する。

なお、Ｎｉめっき層２７ａの他に、無電解めっき（銀鏡反応）によって非晶質の銀（Ａｇ）層を形成するなど、各種の金属を無電解めっきによって電極２６上に選択的に形成して補助配線部２７としてもよい。

続いて、図４（ａ）に示すように、無機絶縁層２４、電極２６及び補助配線部２７の上に、アクリル樹脂などよりなる膜厚が２〜５μｍ程度の保護層２８を形成する。このとき、電極２６及び補助配線部２７の段差は保護層２８によって平坦化される。さらに、同じく図４（ａ）に示すように、保護層２８上の各電極２６のパターン間上に遮光層３０ＢＭをパターニングする。続いて、赤色画素部を構成する部分に赤色カラーフィルタ層３０Ｒをパターニングする。次いで、緑色画素部を構成する部分に緑色カラーフィルタ層３０Ｇをパターニングする。その後に、青色画素部を構成する部分に青色カラーフィルタ層３０Ｂをパターニングする。

このようにして、赤色カラーフィルタ層３０Ｒ、緑色カラーフィルタ層３０Ｇ、青色カラーフィルタ層３０Ｂ及び遮光層３０ＢＭにより構成されるカラーフィルタ層３０が形成される。各色のカラーフィルタ層３０Ｒ〜３０ＢＭは、例えば顔料分散タイプの感光性塗布膜がフォトリソグラフィによりパターニングされて形成される。なお、カラーフィルタ層３０を省略した形態としてもよい。

次いで、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）の構造体の上面に接着層３２を介してプラスチックフィルム１０を対向させて配置する。プラスチックフィルム１０としては、膜厚が１００〜２００μｍのポリエーテルスルホンフィルムやポリカーボネートフィルムなどが好適に使用される。

さらに、熱処理することにより接着層３２を硬化させて、図４（ａ）の構造体上にプラスチックフィルム１０を接着する。このとき、カラーフィルタ層３０の段差は接着層３０により埋め込まれて平坦化される。続いて、同じく図４（ｂ）に示すように、プラスチックフィルム１０の一端にロール４０を固定し、このロール４０を回転させながらガラス基板２０を剥離する。このとき、ガラス基板２０と剥離層２２との界面（図４（ｂ）のＡ部）に沿って剥離され、ガラス基板２０が廃棄される。

これにより、図４（ｃ）に示すように、プラスチックフィルム１０上に、下から順に、接着層３２、カラーフィルタ層３０、保護層２８、補助配線部２７と電極２６、無機絶縁層２４、及び剥離層２２により構成される転写層Ｔが転写・形成される。

このように、本実施形態では、耐熱性で剛性のガラス基板２０上に所望の各種素子を含む転写層Ｔを精度よく形成した後に、その転写層Ｔをプラスチックフィルム１０上に転写・形成する手法を採用している。このため、プラスチックフィルム１０上に所望の各種素子を高い位置合わせ精度で形成することができる。

次いで、図５に示すように、プラスチックフィルム１０上の剥離層２２を酸素プラズマやコリン系などのアルカリ溶液を用いてエッチングすることにより除去して無機絶縁層２４を露出させる。

以上により、本実施形態の表示装置用素子基板１が製造される。

本実施形態の表示装置用素子基板１では、図５に示すように、プラスチックフィルム１０上に接着層３２が形成され、その接着層３２の中にカラーフィルタ層３０が埋設されて形成されている。カラーフィルタ層３０の上には保護層２８が形成され、保護層２８の中に電極２６が埋設されて形成されている。さらに、電極２６の下面側の一端部には補助配線部２７が保護層２８に埋設された状態で形成されている。さらに、電極２６の上に無機絶縁層２４が形成されている。

プラスチックフィルムを基板としたフレキシブルタイプの素子基板では、ＩＴＯからなる電極（配線）は結晶質で比較的硬度が高いことから、外部からの機械的な力によって電極に応力がかかる際に電極にクラックが発生して断線するおそれがある。しかしながら、本実施形態の表示装置用素子基板１では、電極２６（ＩＴＯ）の下面の一端部に無電解めっきによって形成された補助配線部２７が設けられている。そのような補助配線部２７は、非晶質で比較的硬度が低い（柔らかい）膜質で成膜されるため、電極２６を応力から保護できると共に、曲げ応力などに追随することができ、それ自身にクラックが発生しにくい。

従って、電極２６に応力がかかる際に電極２６にクラックが発生することが防止される。しかも、たとえ電極２６にクラックが発生することがあっても、補助配線部２７が導通経路となるので電極２６の断線を回避できる。

さらには、電極２６を含む転写体Ｔをガラス基板２０から剥離してプラスチックフィルム１０に転写する際に曲げ応力がかかるが、その際にも電極２６の断線を防止することができるので、転写技術によって表示装置用素子基板１を歩留りよく製造することができる。

次に、本実施形態の表示装置用素子基板１を用いた液晶表示装置について説明する。図６は本発明の第１実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。図６に示すように、図５の表示装置用基板１の無機絶縁層２４の上に膜厚が１００ｎｍ程度の液晶材料を配向させる配向膜３４を形成され、この配向膜３４の表面がラビング処理される。これにより、液晶表示装置用の第１の表示装置用素子基板１ａが構成される。

さらに、同じく図６に示すように、第１の表示装置用素子基板１ａの対向基板となる第２の表示装置用素子基板１ｂが用意される。第２の表示装置用素子基板１ｂでは、プラスチックフィルム１０ａ上に、接着層３２ａ、保護層２８ａ、補助配線部２７ｘ、ストライプ状の電極２６ａ、無機絶縁層２４ａが形成されている。第２の表示装置用素子基板１ｂにおいても、電極２６ａの下面側（プラスチックフィルム１０ａ側）の一端部に補助配線部２７ｘが設けられて、電極２６ａが補強されている。さらに、無機絶縁層２４ａの上に液晶材料を配向させるための配向膜３４ａが形成され、その表面がラビング処理される。

そして、第１の表示装置用素子基板１ａと第２の表示装置用素子基板１ｂとが、それぞれの電極２６，２６ａが直交するように対向して配置され、周縁部に設けられたシール材３６によって接着される。２つの表示装置用素子基板１ａ，１ｂ間には接着性スペーサ（不図示）が配置されており、これによって一定の間隔が保たれる。さらに、第１の表示装置用素子基板１ａと第２の表示装置用素子基板１ｂとの間に液晶層３８が封入される。

本実施形態の液晶表示装置２はプラスチックフィルム１０，１０ａを基板として使用するフレキシブルディスプレイであるので、外部からの機械的な力によって液晶表示装置２に曲げ応力がかかる場合がある。前述したしたように、第１、第２の表示装置用素子基板１ａ，１ｂの各電極２６，２６ａにはその下面側（プラスチックフィルム１０，１０ａ側）の一端部に補助配線部２７，２７ｘが設けられている。このため、液晶表示装置２に曲げ応力がかかる際に、電極２６にクラックが発生しにくくなり、またクラックが発生するとしても断線を回避することができる。これによって、フレキシブルタイプの液晶表示装置２の信頼性を向上させることができる。

なお、第１の表示装置用素子基板１ａにカラーフィルタ層３０を設ける代わりに、第２の表示装置用素子基板１ｂの例えば電極２６ａと接着層３２ａとの間にカラーフィルタ層３０を設けた形態としてもよい。

（第２の実施の形態）
図７及び図８は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図である。第２実施形態では、本発明の表示装置用素子基板を有機ＥＬディスプレイに適用する形態を説明する。第２実施形態では、第１実施形態と同一工程の説明は省略すると共に、同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。

まず、図７（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、図５と同様の構造体を作成する。第２実施形態では有機ＥＬディスプレイを製造するので、第１実施形態の電極２６が陽極２６ｘとなっている。その後に、図７（ｂ）に示すように、最上の無機絶縁層２４を除去することにより、陽極２６ｘの上面を露出させる。

次いで、図７（ｃ）に示すように、各陽極２６ｘ上に正孔輸送層、白色発光層及び電子輸送層をインクジェット法や印刷などにより順次形成して有機ＥＬ層４４を得る。次いで、図７（ｄ）に示すように、有機ＥＬ層４４及び保護層２８の上に各陽極２６ｘと直交するようにストライプ状の陰極４６形成する。このようにして、有機ＥＬ層４４が陽極２６ｘと陰極４６とによって挟まれた構造を有する有機ＥＬ素子５０が形成される。

なお、好ましくは、有機ＥＬ層４４を形成する際に、陽極２６ｘ上に開口部が設けられた絶縁層（不図示）が保護層２８上に形成されるようにし、その開口部に有機ＥＬ層４４がインクジェット法などによって自己整合的に形成されるようにする。

また、有機ＥＬ層４４の発光層として、赤色、緑色及び青色の３色の発光層を使用する場合は、カラーフィルタ層３０を形成する必要はない。

その後に、図８に示すように、陰極４６上に保護フィルム４８を接着する。この保護フィルム４８によって外部からの酸化雰囲気や水蒸気による有機ＥＬ素子５０の劣化が防止される。

以上により、第２実施形態の表示装置用素子基板３（有機ＥＬディスプレイ）が得られる。

本実施形態の表示装置用素子基板３では、有機ＥＬ素子５０の陽極２６ｘに正の電圧、陰極４６に負の電圧を印加することにより、陽極２６ｘから正孔輸送層を介して注入される正孔と、陰極４６から電子輸送層を介して注入される電子とが有機ＥＬ層４４の内部で再結合することにより白色光が放出される。そして、この白色光がカラーフィルタ層３０などを透過して外部に放出されてカラー画像が得られる（図８の矢印の方向）。

本実施形態の表示装置用素子基板３では、第１実施形態と同様に、陽極２６ｘの下面の一端部に補助配線部２７が設けられているので、陽極２６ｘにクラックが発生することが防止され、また陽極２６ｘにクラックが発生するとしても補助配線部２７が導通経路となって断線が回避される。

また、本実施形態では、ガラス基板上の陽極２６ｘの上に形成された補助配線部２７が転写技術によって上下反転してプラスチックフィルム１０上に形成されるので、最終的には陽極２６ｘの下面に補助配線部２７が配置される。

本実施形態と違って、陽極２６ｘの上面の一端部に補助配線部２７が配置され、それらの上に有機ＥＬ層４４が形成される場合、有機ＥＬ層４４は導電特性が異なる陽極２６ｘ（ＩＴＯ）と補助配線部２７（Ｎｉ）から正孔が注入されるので、有機ＥＬ層４４の発光特性に悪影響を及ぼすおそれがある。しかしながら、本実施形態では、補助配線部２７は陽極２６ｘの下面側に配置され、有機ＥＬ層４４は陽極２６ｘの上面全体に接触して配置されるので、有機ＥＬ層４４の発光特性に悪影響を及ぼすことがなく、表示性能の優れた有機ＥＬディスプレイとすることができる。

図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（一部平面図）（その２）である。 図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その３）である。 図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その４）である。 図５は本発明の第１実施形態の表示装置用素子基板を示す断面図である。 図６は本発明の第１実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。 図７（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図である。 図８は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板（有機ＥＬディスプレイ）を示す断面図である。

符号の説明

１，１ａ、１ｂ…表示装置用素子基板、２…液晶表示装置、３…表示装置用素子基板（有機ＥＬディスプレイ）、１０，１０ａ…プラスチックフィルム、２０…ガラス基板、２２…剥離層、２４…無機絶縁層、２５，２５ａ…レジスト膜、２５ｘ、２５ｙ…開口部、２６，２６ａ…電極、２６ｘ…陽極、２７ａ…Ｎｉめっき層、２７…補助配線部、２８，２８ａ…保護層、３０…カラーフィルタ層、３２，３２ａ…接着層、３４，３４ａ…配向膜、３６…シール材、３８…液晶層、４０…ロール、４４…有機ＥＬ層、４６…陰極、４８…保護フィルム、５０…有機ＥＬ素子。

Claims (14)

1. プラスチックフィルムと、
   前記プラスチックフィルムの上に形成された接着層と、
   前記接着層の上に形成された保護層と、
   前記保護層に埋設された電極と、
   前記保護層に埋設された状態で前記電極の下面側の一端部に選択的に形成された非晶質の無電解金属めっき層よりなる補助配線部とを有し、
   前記接着層と前記補助配線部との間に前記保護層が介在していることを特徴とする表示装置用素子基板。
2. 前記電極の上に形成された無機絶縁層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置用素子基板。
3. 前記接着層と前記保護層の間に形成されたカラーフィルタ層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置用素子基板。
4. 前記電極は、単純マトリクス駆動用のストライプ状の配線であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板。
5. 前記電極はＩＴＯからなり、前記補助配線部はニッケル又は銀からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板。
6. 前記電極は陽極であって、
   前記陽極の上に形成された有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層の上に形成された陰極とをさらに有し、
   前記表示装置用素子基板は有機ＥＬディスプレイに適用されることを特徴とする請求項１、３乃至５のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板。
7. 第１の表示装置用素子基板と、第２の表示装置用素子基板と、それらの間に封入された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、
   前記第１の表示装置用素子基板と前記第２の表示装置用素子基板のうち、少なくとも一方が請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板から構成されていることを特徴とする液晶表示装置。
8. 仮基板の上に剥離層を形成する工程と、
   前記剥離層の上に無機絶縁層を形成する工程と、
   前記無機絶縁層の上に電極を形成する工程と、
   無電解めっきを利用して、前記電極の上面の一端部に非晶質の金属めっき層からなる補助配線部を選択的に形成する工程と、
   前記電極及び前記補助配線部の上に保護層を形成する工程と、
   前記保護層の上に接着層によってプラスチックフィルムを接着する工程と、
   前記仮基板を前記剥離層との界面から剥離することにより、前記プラスチックフィルムの上に、前記接着層を介して、前記保護層、前記補助配線部と前記電極、前記無機絶縁層、及び前記剥離層を転写・形成する工程と、
   前記剥離層を除去する工程とを有することを特徴とする表示装置用素子基板の製造方法。
9. 前記補助配線部を形成する工程は、
   前記電極及び前記無機絶縁層の上に、前記電極の上面の一端部に開口部が設けられたレジスト膜を形成する工程と、
   前記無電解めっきにより、前記レジスト膜の開口部内の前記電極上に前記金属めっき層を選択的に形成する工程と、
   前記レジスト膜を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
10. 前記補助配線部を形成する工程は、
    前記無電解めっきにより、前記電極の上面に前記金属めっき層を選択的に形成する工程と、
    前記電極の上面の一端部に前記補助配線部が残るように、前記金属めっき層をパターニングする工程とを有することを特徴とする請求項８に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
11. 前記保護層を形成する工程の後であって、前記プラスチックフィルムを接着する工程の前に、前記保護層の上にカラーフィルタ層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に表示装置用素子基板の製造方法。
12. 前記剥離層を除去した後に、
    前記無機絶縁層を除去することにより、前記電極を露出させて陽極とする工程と、
    前記陽極の上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記有機ＥＬ層の上に陰極を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
13. 前記電極は、単純マトリクス駆動用のストライプ状の配線であることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
14. 前記電極はＩＴＯからなり、前記金属めっき層はニッケル又は銀からなることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板の製造方法。

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