JP2017117688A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】可撓性有機ＥＬ表示装置を容易に、歩留まり良く製造する方法を提供する。
【解決手段】上面と側面を有する基材と、前記上面上の表示領域と、前記上面上、かつ前記表示領域と前記側面の間に位置し、前記表示領域と電気的に接続された端子と、前記端子上の異方性導電膜を含み、前記異方性導電膜の端部は前記側面から離れている、表示装置、ならびにその作製方法を提供する。端子の端部は前記側面から離れており、その距離は好ましくは１０μｍ以上、１ｍｍ以下である。
【選択図】図７

Description

本発明は表示装置、およびその製造方法に関する。例えば、有機ＥＬ表示装置、あるいは可撓性有機ＥＬ表示装置とその製造方法に関する。
基板上に形成された複数の画素を有する表示装置が知られている。このような表示装置の代表例としては、液晶表示装置やＥＬ表示装置などが挙げられる。
ＥＬ表示装置とは、エレクトロルミネセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を示す材料が一対の電極で挟持された構造を有する発光素子を各画素に備えた表示装置である。材料として有機化合物を用いる発光素子は有機発光素子、有機ＥＬ素子、あるいは有機電界発光素子と呼ばれる。このような有機発光素子を複数有する表示装置を有機ＥＬ表示装置と呼ぶ。
有機ＥＬ表示装置は基板上に形成された複数の有機発光素子（以下、発光素子）を有し、各発光素子がトランジスタなどのスイッチング素子によって制御され、画像が表示される。基板としてはガラス基板や金属基板、セラミック基板などが使用できるが、可撓性の基板、例えば樹脂を含む基板などを用いることで、可撓性の有機ＥＬ表示装置を作製することができる。
米国特許出願公開第２０１１−０１３４０１８号明細書
本発明は、可撓性の表示装置、例えば可撓性の有機ＥＬ表示装置を提供することを目的の一つとする。あるいは、可撓性の有機ＥＬ表示装置を容易に、歩留まり良く製造する方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態は、上面と側面を有する基材と、上面上の表示領域と、上面上、かつ表示領域と側面の間に位置し、表示領域と電気的に接続された端子と、端子上の異方性導電膜を含み、異方性導電膜の端部は側面から離れている、表示装置である。
本発明の一実施形態は、上面と側面を有する支持基板上に基材を設け、表示領域と端子を、端子が表示領域と側面に挟まれるように、かつ互いに電気的に接続されるように、前記基材の前記上面と重畳する面に形成し、側面と端子の間の領域に位置する基材の一部を除去して溝を形成し、支持基板を基材から分離することを含む、表示装置の製造方法である。
本発明の一実施形態は、上面と側面を有する支持基板上に基材を設け、表示領域と端子を、端子が表示領域と側面に挟まれるように、かつ互いに電気的に接続されるように、前記基材の前記上面と重畳する面に形成し、基材の一部を除去して表示領域と端子を囲むように複数の溝を形成し、支持基板を基材から分離することを含む、表示装置の製造方法である。
本発明の一実施形態の表示装置の上面図。 本発明の一実施形態の表示装置の上面図。 本発明の一実施形態の表示装置の断面図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法の変形例を示す図。 本発明の一実施形態の表示装置の作製方法の変形例を示す図。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態の表示装置の構造を図１乃至図３を用いて説明する。図１に表示装置１００の上面模式図を示す。表示装置１００は基材１１０と、その上に設けられた表示領域１２０を有している。また、基材１１０と重なるコネクタ１４０を有しており、コネクタ１４０と表示領域１２０の間にはＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ１３０が設けられている。
表示領域１２０には画像を再現するための複数の画素（図示せず）が設けられている。各画素には表示素子とそれに電気的に接続される一つ乃至複数のトランジスタが設けられており、各表示素子はトランジスタによって制御される。各画素はＩＣチップ１３０と電気的に接続されており、コネクタ１４０を通して外部から入力される映像信号に応じて駆動される。コネクタ１４０としては例えばフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などが挙げられる。
表示素子としては例えば有機ＥＬ発光素子が挙げられる。表示領域１２０は、異なる発光色を与える発光素子を用いて形成してもよい。あるいは白色を与える発光素子を全発光素子で用いて表示領域１２０を形成し、カラーフィルタを用いて各素子から所望の発光色を取り出してもよい。
ＩＣチップ１３０は、例えば半導体基板を用いて作製され、基材１１０上、あるいはコネクタ１４０上に固定されて各画素のトランジスタを制御する駆動回路として機能する。表示領域１２０の周辺にはさらに他の駆動回路が設けられていてもよい。あるいは、ＩＣチップ１３０を設けず、駆動回路を表示領域１２０の周辺に設けてもよい。
図１の表示装置１００からコネクタ１４０を取り除いた構成を図２に示す。表示領域１２０から基材１１０の側面１１５（基材１１０の側面のうち、端子１６０側の側面）に向かって配線１６２が配置されている。配線１６２は表示領域１２０、並びにＩＣチップ１３０と電気的に接続されている。配線１６２の一部が露出しており、露出した部分が端子１６０として機能する。端子１６０は異方性導電膜などの導電膜１５０によってコネクタ１４０と接続されている。導電膜１５０の端部は、コネクタ１４０と重なる側面１１５と離れており、その距離Ｌ１は、好ましくは１０μｍから１ｍｍ、より好ましくは２５μｍから２００μｍである。
図１における直線Ａ−Ｂに沿った断面模式図の一例を図３（Ａ）に示す。基材１１０上には表示領域１２０が形成される。配線１６２が基材１１０上の第１の絶縁膜１１２上に設けられており、表示領域１２０から基材１１０の側面１１５に向かって伸びているが、その端部は側面１１５から離れている。第１の絶縁膜１１２は、表示領域１２０で用いられる下地膜や、表示領域１２０中のトランジスタで用いられるゲート絶縁膜や保護膜、トランジスタ上に形成され、凹凸を吸収するための層間絶縁膜などによって形成することができる。なお、第１の絶縁膜１１２は必ずしも必要ではなく、配線１６２が直接基材１１０と接触していてもよい。本実施形態では、第１の絶縁膜１１２が、表示領域１２０中のトランジスタの下に設置される下地膜を用いて形成される例を示す。
配線１６２上には第２の絶縁膜１１４が設けられており、そこに設けられた二つの開口部において配線１６２が露出している。表示領域１２０に近い側での開口部では、ＩＣチップ１３０が異方性導電膜などの導電膜１５２を介して配線１６２と接続されている。もう一方の開口部（点線で囲まれた領域）で露出した部分が端子１６０である。第２の絶縁膜１１４は、例えば表示領域１２０で用いられるゲート絶縁膜や保護膜、層間絶縁膜などによって形成することができる。
端子１６０上には異方性導電膜などの導電膜１５０を介してコネクタ１４０が固定されており、これにより、端子１６０とコネクタ１４０が電気的に接続される。上述したように、導電膜１５０は基材１１０の側面１１５から離れている。換言すると、導電膜１５０は側面１１５と接触していない。このため図３（Ａ）に示すように、コネクタ１４０と基材１１０の間には空間が存在することができる。導電膜１５０の端部（側面１１５に近い方の端部）と側面１１５との距離Ｌ１は上述した範囲と同様である。
端子１６０の側面１１５に近い方の端部は必ずしも第２の絶縁膜１１４で覆われている必要はなく、例えば図３（Ｂ）に示すように、端子１６０の端部（あるいは側面）は直接導電膜１５０と接していてもよい。この時も、導電膜１５０は側面１１５と接触せず、離れている。導電膜１５０の端部と側面１１５との好ましい距離Ｌ１は上述した範囲と同様である。
さらに、端子１６０と基材１１０の側面１１５の間の領域では、第１の絶縁膜１１２は必ずしも必要ではなく、図３（Ｃ）に示すように、この領域では基材１１０が露出してもよい。導電膜１５０の端部と基材１１０の側面１１５との好ましい距離Ｌ１は上述した範囲と同様である。
実施形態２で詳細に記述するが、本実施形態で記述した構成を有する表示装置１００は容易に、かつ歩留まり良く製造することができる。特に、可撓性の基材１１０を用いる場合にその効果は顕著となる。
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で示した表示装置１００の製造方法を図４乃至９、１３、１４を用いて説明する。図４乃至図９では、表示装置１００の上面図、および図１で示した直線Ａ−Ｂに沿った断面図を示す。なお、第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省くことがある。
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、支持基板１０５上に基材１１０を形成する。支持基板１０５には、表示装置１００の製造工程の環境下に耐えることができる材料を使用することができ、例えばガラス、セラミック、金属などを用いることができる。本実施形態における図面は、支持基板１０５上に一つの表示装置１００が製造されるように描かれているが、支持基板１０５上に複数の表示装置１００を形成し、適宜分断することで複数の表示装置１００を製造することができる。
基材１１０としては、例えばポリイミドなどの高分子フィルムを使用することができる。後述するレーザー光を効果的に吸収できる高分子フィルムを使用することが好ましい。また、水や酸素などに対して透過性が低い高分子フィルムが好ましい。基材１１０は、例えば対応する高分子材料を含む溶液、あるいは混合物を塗布した後に加熱して成膜してもよく、あるいは高分子材料の前駆体の溶液、あるいは混合物を塗布し、加熱して重合させることで製膜してもよい。あるいは、フィルム状の高分子フィルムを支持基板１１０上に設置し、圧力をかけて形成してもよい。なお、基材１１０は、例えば支持基板１０５を分離する工程（後述）を行わない場合には設けなくてもよい。
この後、第１の絶縁膜１１２を基材１１０上に形成する。この第１の絶縁膜１１２は支持基板１０５や基材１１０からの不純物の拡散を防ぐ機能を有する。第１の絶縁膜１１２としては、例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を使用することができる。なお、第１の絶縁膜１１２は必ずしも設ける必要はない。本実施形態では第１の絶縁膜１１２は基材１１０の全面に形成しているが、基材１１０の一部の領域のみに形成してもよい。
次に表示領域１２０とともに、表示領域１２０と基材１１０の側面１１５（図５（Ａ）において右側面、図５（Ｂ）において下側面）の間に配線１６２を形成する。配線１６２は表示領域１２０から側面１１５に向かって伸びるように形成されるが、ＩＣチップ１３０との接続のために一部切断されている。また、側面１１５とは離れている。表示領域１２０にはトランジスタが含まれており、配線１６２はトランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、などを形成する際に用いる導電膜を利用して形成することができる。あるいは、発光素子の電極を形成する際に用いる導電膜を利用して形成することができる。
配線１６２は単層構造でも積層構造でも良く、例えばチタン、モリブデン、タングステン、タンタル、アルミニウム、銅、クロムなどの金属やこれらの合金を用いることができる。あるいは、インジウム―スズ酸化物やインジウム―亜鉛酸化物などの透明導電性酸化物を用いることもできる。例えば、高融点の金属（チタンやタングステン、モリブデン）で高い導電性の金属（銅やアルミニウム）を挟持した積層構造などが挙げられる。あるいは、上記金属やその積層構造上に透明導電性酸化物を積層した構造などが挙げられる。
配線１６２上には第２の絶縁膜１１４が形成される。第２の絶縁膜１１４は、例えば表示領域１２０中のトランジスタに含まれるゲート絶縁膜や、トランジスタ上に設けられる層間絶縁膜などを利用して形成することができる。例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ、窒化ケイ素などの無機絶縁物や、アクリル樹脂やポリイミド樹脂、ポリシロキサン樹脂などの有機材料を用いることができる。
第２の絶縁膜１１４の一部を除去して二つの開口部を作製して配線１６２の一部を露出する。側面１１５に近い方の開口部において端子１６０が形成される。開口部はエッチングやレーザー照射などにより形成される。エッチングは、ドライエッチングでもウエットエッチングでも良い。
支持基板１０５上に複数の表示装置１００を作製する場合、スクライバーなどを用いて表示装置１００ごとに分断する。
次に図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基材１１０の側面１１５と端子１６０の間の領域にレーザーを照射し、基材１１０と第１の絶縁膜１１２の一部を除去して溝１７０を形成する。レーザーは支持基板１０５を通して照射してもよく、支持基板１０５とは反対側から照射してもよい。この時、溝１７０と基材１１０の側面１１５の間の距離Ｌ２は、１００μｍ以上５００μｍ以下が好ましい。溝１７０は端子１６０の端部（基材１１０の側面１１５に近い方の端部）から離れるように形成される。本実施形態では図６（Ｂ）に示すように、溝１７０は端子１６０と側面１１５の間のみに形成されている例を示しているが、本発明はこれに限定されず、溝１７０は他の領域にも形成されていてもよい。このような実施形態は後述する。なお、支持基板１０５を基材１１０から分離する工程（後述）を行わない場合には溝１７０を作製しなくてもよい。
レーザーの種類や波長には特に限定はなく、照射される基材１１０が吸収可能な波長を有するレーザーであればよい。例えばエキシマレーザーや炭酸ガスレーザーなどの気体レーザー、ＹＡＧレーザーなどの固体レーザー、半導体レーザー、色素レーザーなどを使用することができる。レーザーのビーム断面は点状でも線状でもよい。
次に図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、表示領域１２０に近い方の開口部において、第２の絶縁膜１１４上に異方性導電膜などの導電膜１５２を用いてＩＣチップを固定する。一方、端子１６０上に導電膜１５０を用いてコネクタ１４０を接続し、端子１６０とコネクタ１４０を電気的に接続する。コネクタ１４０としてはＦＰＣなどを用いることができる。
導電膜１５０の端部（側面１１５に近い方の端部）と溝１７０は互いに離れていることが好ましい。その間の距離Ｌ１は図３（Ａ）乃至（Ｃ）における距離Ｌ１に相当する。換言すると、溝１７０の側壁は導電膜１５０に覆われていないことが好ましい。この場合、コネクタ１４０と基材１１０の間に空間が存在することができる。
次に残存している基材１１０に対し、支持基板１０５側からレーザーを照射し、基材１１０と支持基板１０５との間の接着力を低減させる。レーザーは上述したレーザーから選択することができる。この時のレーザーの種類や波長は、溝１７０を形成する際に用いるレーザーと同じでもよく、異なっていてもよい。レーザーのビーム断面も点状でも線状でもよいが、照射時間の短縮のためには線状のビーム断面を有するレーザーの使用が好ましい。
次に基材１１０と支持基板１０５の界面（図７（Ａ）における矢印）に沿って基材１１０と支持基板１０５を分離する（図８（Ａ）、（Ｂ））。分離は物理的に行うことができ、例えば支持基板１０５を吸引チャックなどで固定し、基材１１０から上の構造を界面に沿って分離すればよい。これにより、可撓性を有する表示装置１００が得られる。この時、溝１７０と側面１１５間に存在する基材１１０と第１の絶縁膜は表示装置１００から分離される。図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、必要に応じて基材１１０の周辺を切断して取り除いてもよい。
以上の工程を経ることにより、本実施形態に係る表示装置１００を製造することができる。
上述したように本実施の形態では、基材１１０の端部に到達しないように配線１６２を形成している。これに対して図１３（Ａ）に示すように、配線１６２を基材１１０の側面１１５に到達するように形成した場合、図１３（Ｂ）に示すように、コネクタ１４０を接続するために用いられる導電膜１５０の一部は基材１１０の側面１１５や支持基板１０５の側面まで回り込み、支持基板１０５と基材１１０間の分離を阻害する。したがって、図４から図８に示した製造方法に従い、基材１１０の側面１１５に達しないように配線１６２を形成することが好ましい。
上述したように、支持基板１０５を分断して複数の表示装置１００を作製することができるが、この場合図１４の破線で示すように、分断時に支持基板１０５の端部が破損したり、クラックなどが発生しやすい。このような状態で支持基板１０５の下側からレーザーを照射した場合、破損した部分でレーザーが反射・散乱され、基材１１０と重なる領域１９０には十分にレーザーが照射されない。このため、領域１９０と支持基板と間の接着性が十分に低下せず、支持基板１０５と基材１１０間の分離が阻害され、その結果、表示装置１００の歩留まりが低下する。
これに対して本実施の形態では、側面１１５と端子１６０の間の領域の基材１１０を除去して溝１７０を形成している。このため、レーザーを照射した後、溝１７０と側面１１５の間において基材１１０と支持基板１０５間の接着性が維持されていても、溝１７０から表示領域１２０にわたる領域ではレーザーが十分に照射されているので接着性が低下し、容易に支持基板１０５を分離することができる。したがって、図４から図８に示した製造方法に従って側面１１５と端子１６０の間の領域の基材１１０を除去して溝１７０を形成することが好ましい。
（第３実施形態）
本実施形態では、第２実施形態と異なる表示装置２００の作製方法を示す。本実施形態で示す作製方法は、溝１７０のレイアウトが第２実施形態のそれと異なる。第２実施形態と同様の構成については説明を省略する。
第２実施形態では、溝１７０は基材１１０の側面１１５と端子１６０との間の領域のみに設置されているが、本実施形態では図１０に示すように、単一の溝１７０が表示領域１２０と端子１６０を取り囲むように形成されている。図１０ではこの溝１７０は四角形の形状をしているが、これに限定されることはなく、四角形以外の形状（例えば多角形）を有していてもよい。
このような構成を適用することで、支持基板１０５をより容易に分離することが可能となり、表示装置１００の製造歩留まりを向上させることができる。
（第４実施形態）
本実施形態では、第２、第３実施形態と異なる表示装置３００の作製方法を示す。本実施形態で示す作製方法は、溝１７０のレイアウトが第２、第３実施形態のそれと異なる。第２、第３実施形態と同様の構成については説明を省略する。
図１１に示すように本実施形態では、表示領域１２０と端子１６０を取り囲むように、複数の直線状の溝１７０が表示領域の各辺に沿って形成されている。したがって、溝１７０は非連続的に形成されている。本実施例においては、各溝１７０には屈曲部が存在せず、直線状である。
支持基板１０５と基材１１０の材料や、レーザーの照射条件によっては、支持基板１０５と基材１１０の接着性が極端に低下する場合があり、この場合、支持基板１０５が意図しない状況下（例えば搬送中）で分離してしまうことがある。本実施形態の構成を採用することで、支持基板１０５と基材１１０の接着性を容易に制御することができる。
（第５実施形態）
本実施形態では、第２乃至第４実施形態と異なる表示装置４００の作製方法を示す。本実施形態で示す作製方法は、溝１７０のレイアウトが第２乃至第４実施形態のそれと異なる。第２乃至第４実施形態と同様の構成については説明を省略する。
図１２に示すように本実施形態では、表示領域１２０と端子１６０を取り囲むように、複数の直線状の溝１７０が表示領域の各辺に平行な点線を形成するように、非連続的に形成されている。一部の溝１７０は屈曲部を有し、表示領域１２０の二つの辺にそれぞれ平行な領域を複数有している。
実施形態４と同様に、本実施形態の構成を採用することで、支持基板１０５と基材１１０の接着性を容易に制御することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主に有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１００：表示装置、１０５：支持基板、１１０：基材、１１２：第１の絶縁膜、１１４：第２の絶縁膜、１１５：側面、１２０：表示領域、１３０：ＩＣチップ、１４０：コネクタ、１５０：導電膜、１５２：導電膜、１６０：端子、１６２：配線、１７０：溝、１９０：領域、２００：表示装置、３００：表示装置、４００：表示装置

Claims (21)

  1. 上面と側面を有する基材と、
    前記上面上の表示領域と、
    前記上面上、かつ前記表示領域と前記側面の間に位置し、前記表示領域と電気的に接続された端子と、
    前記端子上の異方性導電膜を含み、
    前記異方性導電膜の端部は前記側面から離れている、表示装置。
  2. 前記端子の端部は、前記側面から離れている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記端子の前記端部と前記側面の距離は１０μｍ以上、１ｍｍ以下である、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記異方性導電膜の前記端部と前記側面との間において、前記上面が露出されている、請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記異方性導電膜によって前記端子と電気的に接続されたコネクタをさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記コネクタと重なる前記側面が露出されている、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記基材はポリイミドを含む、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記基材は可撓性を有する、請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記表示領域は表示素子を有する、請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記コネクタはフレキシブルプリント回路である、請求項５に記載の表示装置。
  11. 上面と側面を有する支持基板上に基材を設け、
    表示領域と端子を、前記端子が前記表示領域と前記側面に挟まれるように、かつ互いに電気的に接続されるように、前記基材の前記上面と重畳する面に形成し、
    前記側面と前記端子の間の領域に位置する前記基材の一部を除去して溝を形成し、
    前記支持基板を前記基材から分離することを含む、表示装置の製造方法。
  12. 上面と側面を有する支持基板上に基材を設け、
    表示領域と端子を、前記端子が前記表示領域と前記側面に挟まれるように、かつ互いに電気的に接続されるように、前記基材の前記上面と重畳する面に形成し、
    前記基材の一部を除去して前記表示領域と前記端子を囲むように複数の溝を形成し、
    前記支持基板を前記基材から分離することを含む、表示装置の製造方法。
  13. 前記基材の前記一部は、レーザー照射によって除去される、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  14. 前記支持基板が露出されるように、前記基材の前記一部が除去される、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  15. 前記溝が、前記端子から離れた位置に形成される、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  16. 前記溝が、前記側面から１００μｍ以上、５００μｍ以下の距離で離れるように形成される、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  17. 異方性導電膜により前記端子をコネクタに電気的に接続することをさらに含む、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  18. 前記異方性導電膜が前記溝から離れて位置するように、前記端子と前記コネクタが接続される、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記溝は前記表示領域を取り囲んでいる、請求項１１または１２に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記表示領域は複数の辺を有し、
    前記複数の辺の各々は、前記複数の溝の少なくとも２つと対向している、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  21. 前記複数の溝はいずれも直線状である、請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

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