JP2015125295A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】外部回路を実装する際に、実装歩留りを悪化させることなく、高信頼性を確保することの可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１面にトランジスタを含む表示素子とトランジスタに接続された第１配線を備える複数の画素が配置された第１基板と、第１基板の第１面に対向する第２面側から第１配線を開口する第１コンタクトホールに設けられた貫通電極と、貫通電極と接続する第２配線と、第１基板の第２面側に第２配線を覆って配置される第１絶縁膜と、第１絶縁膜に配置された第２コンタクトホールにおいて第２配線と接続する端子と、を備える。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置の入力端子の構成に関する。
近年、液晶表示装置や、有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）表示装置など、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて各画素の表示階調を制御する表示装置が開発されている。このような表示装置は、薄膜トランジスタを備える複数の画素の各々に電流を供給する必要があることから、外部回路等に接続されて電流の供給を受ける複数の端子の配置された端子部を備える。これらの表示装置は、端子部の劣化を防止し、端子部における接続の信頼性を向上させることが重要な課題となっている。
そこで、従来の表示装置には、複数の薄膜トランジスタの形成されたＴＦＴ基板の裏面に、薄膜トランジスタと接続される端子電極の裏面を露出する開口部を形成し、この開口部を介して端子電極と、ＴＦＴ基板の裏面に配置される配線基板の端子とを導通させる構成を備えるものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１０−００８６７７号公報
しかし、上述した特許文献１に記載の表示装置のように、ＴＦＴ基板のガラス基板に形成された開口部を介して端子電極と配線基板の端子とを導通させる構成を備える場合には、ガラス基板に形成された開口部から表示装置の内部に湿気が入り込み、配線基板との接続箇所に腐食が生じ、表示装置の信頼性に影響を与える虞があった。
そこで、本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、外部回路が実装される部分から表示装置の内部に水分が入り込むことを防止し、高信頼性を確保することの可能な表示装置を提供することを目的とする。また、外部回路を実装する際に、実装歩留りを悪化させることなく外部回路を実装可能な表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、第１面にトランジスタを含む表示素子と前記トランジスタに接続された第１配線を備える複数の画素が配置された第１基板と、前記第１基板の前記第１面に対向する第２面側から前記第１配線を開口する第１コンタクトホールに設けられた貫通電極と、前記貫通電極と接続する第２配線と、前記第１基板の前記第２面側に前記第２配線を覆って配置される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に配置された第２コンタクトホールにおいて前記第２配線と接続する端子と、を備えることを特徴とする。
前記第１基板は、樹脂を含むものであってもよい。また、前記樹脂はポリイミドを含むものであってもよい。
前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは相互に離間して配置されてもよい。
前記第１基板の前記第２面には、第２絶縁膜が配置され、前記第１コンタクトホールは、前記第２絶縁膜を貫通して前記第１配線を開口してもよい。
前記第２絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むものであってもよい。また、前記第１絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むものであってもよい。
前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールよりも前記第１基板の周縁部側に配置されてもよい。
前記第１基板の前記第１面を間に挟んで前記第１基板と対向して第２基板が配置されてもよい。
前記端子には、フレキシブルプリント回路基板が接続されていてもよい。また、前記端子には、ドライバＩＣが接続されていてもよい。
本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を示す縦断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の端子の構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置の概略構成を説明するための断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の概略構成を説明するための断面図である。 他の表示装置の概略構成を示す斜視図である。 他の表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 他の表示装置の製造工程を説明するための断面図である。 他の表示装置の概略構成を示す断面図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の実施形態について説明する。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。
図１に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の概略構成を示す。なお、以下、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の開示例として、有機ＥＬ層を備える有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するが、本実施形態に係る表示装置１００は、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置についても同様に適用可能である。
本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、図１に示すように、ポリイミド等の樹脂からなる基板２上に、各画素を構成する表示素子層１を備えて形成される。図１では詳細な図示を省略しているが、表示素子層１は、基板２側から順に、例えば、ＴＦＴ駆動回路層、反射電極、有機ＥＬ層、透明電極が積層されることにより構成される。有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されて構成される。
有機ＥＬ層は、雰囲気中の水分に曝されると急速に劣化するため、外気から密閉される必要がある。このため、有機ＥＬ層を備える表示素子層１の表面は、例えば、ＣＶＤ成膜された窒化シリコン膜等からなる透明な封止膜３によって覆われるとともに、ポリイミド等の樹脂からなる基板６によって覆われる。以下、基板２上に表示素子層１及び封止膜３が形成された構成を「第１基板７」といい、これに合わせて、対向して配置される対向基板６を「第２基板６」という。第２基板６は、カラーフィルタを含んでもよく、表示装置１００の仕様によってはタッチパネル機能を備えた薄膜デバイス等を備えるものであってもよい。また、第１基板７及び第２基板６が、それぞれポリイミド等の樹脂からなる基板を備えて形成されることにより、柔軟性を有する表示装置１００が形成されてもよい。
尚、基板２及び基板６は、ＴＦＴを形成する工程における加熱温度に耐えられる樹脂であればポリイミド以外の材料を用いることも可能である。また、基板２及び基板６にＴＦＴを転写する場合には、基板２及び基板６にプラスチック基板やフィルム基板を用いてもよい。
図１に示すように、表示装置１００は、第１基板７と第２基板６との間隙において、両者間の距離を一定に保つことにより表示素子層１の表面と第２基板６の表面とを平行に保つとともに、両者の界面における反射や屈折を防止するために、例えば、エポキシ樹脂等の透明な樹脂４、５が充填される。また、樹脂４、５以外にも、シール材等の公知の材料を用いて第１基板７と第２基板６との間隙を維持してもよい。
このように、柔軟性を有する第１基板７と第２基板６とを接合することにより、フレキシブルな表示装置１００が構成される。以下、図２乃至図９を参照し、本発明の第１乃至第３の実施形態に係る表示装置１００の構成をより詳細に説明する。
（第１の実施形態）
以下、図２乃至図７を参照し、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の構成及びその製造工程について説明する。図２乃至図７は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の製造工程を説明するための図である。
図２に示すように、ポリイミド等の樹脂からなる基板２上には、ＴＦＴ駆動回路層を含む表示素子層１が形成され、封止膜３によって覆われることにより、第１基板７が形成される。また、第２基板６は、ポリイミド等の樹脂からなる基板９にカラーフィルタ８が貼り合されて形成される。ここで、樹脂からなる基板２、９の厚みを、１０μｍ程度とする。なお、図２には、第２基板６のみが製造用のガラス基板１０上に形成された構成を図示しているが、第１基板７についても、製造用のガラス基板１０上に形成される。ガラス基板１０は、製造工程上、第１基板７及び第２基板６の支持基板として利用され、最終的に剥離されることにより表示装置１００が形成される。
このようなガラス基板１０によって支持された第１基板７と第２基板６とを樹脂４、５を介して接合する。例えば、第１基板７の表面上に、硬化前の粘度が比較的高い樹脂４をディスペンサー等を用いて額縁状に形成し、この樹脂４によって囲まれた空間内に、硬化前の粘度が比較的低い樹脂５を充填することにより、粘度の比較的低い樹脂５が樹脂４の外に流れ出すことを防ぎつつ、樹脂５を第１基板７の表面上に万遍無く行き渡らせることができる。このような各樹脂４、５の機能の相違から、硬化前の粘度が比較的高い樹脂４を以下「ダム（Ｄａｍ）材」と称呼し、粘度の比較的低い樹脂５を以下「フィル（Ｆｉｌｌ）材」と称呼する。
減圧下のチャンバー内で、第１基板７に第２基板６を貼り合わせ、両基板６、７とダム材４によって囲まれる空間の全域にフィル材５を押し広げ、大気圧下でダム材４及びフィル材５を硬化させて接合させる。これにより、図２に示すように、フィル材５は、表示領域の全体を覆って形成される。
次に、第１基板７が接合されていた製造工程用のガラス基板１０をレーザ光の照射などの既存の方法を用いて剥離する。レーザ光として、例えば紫外（ＵＶ）レーザを用いてもよい。なお、以下、図２乃至図９に示す構成においては、第１基板７が下側となる断面構成を図示しているが、第２基板６の形成されたガラス基板１０が下側に配置されて各製造工程が行われるものとする。
図３に示すように、フォトリソグラフィ等の既存の方法を用いて、基板２側からコンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、第１基板７のＴＦＴ駆動回路層の複数の薄膜トランジスタに接続される配線の少なくとも一部を開口するように形成する。コンタクトホールの内部に、導電ペーストやめっき等を充填し、薄膜トランジスタと接続される配線に接続される貫通電極１１を形成する。
次に、図４に示すように、基板２上に貫通電極１１と接続される配線１２を、フォトリソグラフィ等のパターニングの方法を用いて形成する。配線１２は、アルミニウム等の金属材料を用いて形成してもよい。
次に、図５Ａに示すように、配線１２の形成された基板２上に、絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３は、窒化シリコン、酸化シリコン、または窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜等の無機膜を用いて形成する。絶縁膜１３は、構成の一例として、図５Ａには１層の絶縁膜１３を図示しているが、フレキシブルな表示装置１００を実現可能なものであれば、２層または３層からなる絶縁膜であってもよく、図示した構成に限定されない。このように、複数の配線１２を覆う絶縁膜１３を基板２の全面上に形成することにより、樹脂からなる基板２の透湿性を抑えつつ、複数の配線１２の絶縁性を確保することが可能となる。
次に、図５Ａに示すように、絶縁膜１３に、複数の配線１２の少なくとも一部を開口するコンタクトホールをフォトリソグラフィ等の既存の方法を用いて形成した後、このコンタクトホールを介して複数の配線１２と接続される複数の端子１４を形成する。このとき、絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールは、第１基板７に形成されるコンタクトホールの位置から離間した位置に形成するものとする。このように、第１基板７に形成されるコンタクトホールと絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールとを、第１基板７と絶縁膜１３の積層方向において、互いに重畳しない位置に離間して配置することにより、水分の浸入経路となり得るコンタクトホールの位置をずらすことができる。従って、表示装置１００の内部に水分が入り込み難くすることができる。
また、絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールは、第１基板７に形成されるコンタクトホールよりも第１基板７の周縁部側に配置されてもよい。これにより、絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールに形成される端子１４と接続される外部回路１５を、第１基板７の周縁部側に配置することができる。従って、例えば、熱圧着等の方法を用いて外部回路１５を実装する際に、第１基板７の複数の画素が配置される表示領域に対する熱等による影響を低減させることができる。また、絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールを第１基板７の周縁部側に配置することにより、水分の浸入経路となり得るコンタクトホールを表示領域から離れた位置に配置することができるため、表示領域の各画素に水分が入り込むことを抑制することができる。
端子１４は、絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールに、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電膜を用いてフォトリソグラフィ等の既存の方法を用いて形成する。このように、ＩＴＯやＩＺＯ等の耐湿性を有する導電膜を用いて端子１４を形成することにより、外部回路１５の端子と接続される端子１４の腐食を防止することができる。
ここで、複数の端子１４は、図５Ｂに示すように、隣接する端子１４同士が互い違いに配置されていてもよい。このように、互い違いに端子１４を配置することにより、複数の端子１４間を絶縁膜１３によって絶縁することが可能となる。
端子１４の形成後、個々の表示装置１００ごとに切断する個片化の処理を行う。第１基板７と第２基板６の接合された構成を、レーザ光の照射によって表示装置１００の領域ごとに切断し、個片化してもよい。
図６に示すように、個片化の処理後、第１基板７の薄膜トランジスタに接続されている端子１４と、外部回路１５の端子とをそれぞれ接続して外部回路１５を実装する。外部回路１５は、薄膜トランジスタに駆動信号等を供給するフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ:Flexible printed circuits）やドライバＩＣ等であってもよい。外部回路１５の実装工程後、図６に示すガラス基板１０を剥離することにより、図７に示す表示装置１００の構成を得ることができる。
このように、図７に示す表示装置１００は、カラーフィルタ８を含む第２基板６側から光が出射される構成を備えるため、表示画面側とは反対側の第１基板７の裏面に外部回路１５が配置されることとなる。このような構成を備えることにより、表示画面を構成する第２基板６の表面をフラットなものとすることができる。
つまり、例えば、図１０乃至図１３に示すように、外部回路３４と接続される複数の端子３２が配置される端子部３８を、第２基板２６の一部を除去して露出させた構成を備える表示装置２００の場合には、端子部３８上の第２基板２６を除去する必要があることから、第２基板２６を除去した部分に段差が形成されるものであった。
一方、本実施形態によると、表示画面を構成する第２基板６の表面を段差なくフラットなものとすることができるため、第２基板６の大きさに応じて可能な限り表示領域を広げることができる。従って、本実施形態によると、表示装置１００を製品に組み込む際の自由度を増すことができ、また、表示装置１００の狭額縁化を実現することも可能となる。
ここで、図１０乃至図１３を参照すると、図１０乃至図１３には、本実施形態に係る表示装置１００とは異なり、第２基板２６から露出された端子部３８を備える表示装置２００であって、第１基板２７及び第２基板２６にそれぞれポリイミド等の樹脂からなる樹脂層２２、２９を備えた表示装置２００の構成及びその製造工程を示している。図１２に示すように、表示装置２００の製造工程上、端子部３８において外部回路３４と接続される複数の端子３２を露出させるために、端子部３８上の第２基板２６を点線２６ａで示す位置で切断する必要があった。このとき、樹脂層２９を含む第２基板２６を、例えば、レーザ光の照射によって除去しようとすると、レーザ光では第１基板２７及び第２基板２６を同じ大きさに同じ位置で切断することしかできないため、スクライブ・ブレイク法を用いて切断することがあった。しかし、スクライブ・ブレイク法によると、第２基板２６に含まれる樹脂層２９が完全に切断されずに、端子部３８上にカールされた状態で残留することがあった。このように、第２基板２６が切断されずに残留すると、外部回路３４を実装する際の妨げとなる虞があった。
一方、本実施形態によると、外部回路１５が実装される箇所において、図１０乃至図１３に示す表示装置２００のように、端子部３８上の第２基板２６を除去する必要がないため、端子部３８上に樹脂層２９が残留する虞もない。従って、本実施形態によれば、実装歩留りを悪化させることなく、外部回路１５を実装することができる。従って、外部回路１５を実装する際に、実装不良が生じることを防ぎ、表示装置１００の信頼性を確保することが可能となる。
また、本実施形態によると、窒化シリコン等の無機膜からなる絶縁膜１３によって、基板２に形成される配線１２を覆って絶縁性を確保する構成を備えている上、絶縁膜１３に形成されて配線１２の一部を開口するコンタクトホールの内部に、ＩＴＯ等の腐食に強い導電膜を用いて端子１４を形成する構成を備えることから、端子１４によって絶縁膜１３のコンタクトホールが塞がれることにより、表示装置１００の内部に湿気が入り込むことを抑制し、外部回路１５との接続箇所に腐食が生じることを防ぐことが可能となる。
つまり、フレキシブルな表示装置１００を実現するために、第１基板７及び第２基板６にポリイミド等の透湿性の高い樹脂を用いると、このような樹脂からなる基板２にコンタクトホールを形成することとなり、コンタクトホールから表示装置１００の内部に湿気が入り込み易くなる虞があった。しかし、本実施形態のように、基板２の全面上に配線１２を覆う絶縁膜１３を形成することにより、基板２の透湿性を抑えつつ、基板２に形成されるコンタクトホールの位置と絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールの位置とを相互に離間して配置することによって表示装置１００の内部に水分が入り込むことを防ぐことができ、外部回路１５との接続箇所に腐食が生じることを防ぐことが可能となる。従って、本実施形態によると、外部回路１５が実装される部分から表示装置１００の内部に水分が入り込むことを防止し、高信頼性を確保することの可能な表示装置１００を提供できる。
（第２の実施形態）
次に、図８を参照し、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００について説明する。図８は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明するための断面図である。
なお、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００とは、第１基板７の基板２上に形成される配線１２が一層のみならず、絶縁膜１３の成膜工程及びフォトリソグラフィの工程数を増やすことにより、２層の配線１２ａ、１２ｃを形成した点においてその構成が異なるものである。従って、以下、図２乃至図７に示して上述した構成と同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図８に示すように、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００は、基板２上に、２層の配線１２ａ、１２ｃが配置される構成を備えていてもよい。なお、２層に限らず、２層以上の複数層の配線を備えるものであってもよい。図８には詳細に図示していないが、絶縁膜１３は、層の異なる配線１２ａ、１２ｃに応じて基板２上に複数層形成される。複数層の配線１２ａ、１２ｃは、複数層の絶縁膜１３にそれぞれ形成された貫通電極１２ｂを介して接続される。
このように、本実施形態によると、第１基板７の裏面側に複数層の絶縁膜１３及び配線１２ａ、１２ｃを配置する構成を備えるため、ＴＦＴ駆動回路層に接続される貫通電極１１と、外部回路１５に接続される端子１４との間に、複数層の絶縁膜１３を介在させることができる。従って、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００によると、複数層の絶縁膜１３により、外部回路１５が実装される部分から表示装置１００の内部に水分が入り込むことを防止し、腐食を防ぐ効果を奏することができる。
（第３の実施形態）
次に、図９を参照し、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００について説明する。図９は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００の概略構成を説明するための断面図である。
なお、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００とは、第１基板７（基板２）の全面を覆う第１絶縁膜１３−１を形成した後、ＴＦＴ駆動回路層に接続される貫通電極１１を形成した点において、その構成が異なるものである。従って、以下、図２乃至図７に示して上述した構成と同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図９に示すように、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００は、第１基板７の表示画面側とは反対側の基板２の裏面において、基板２の全面を覆う第１絶縁膜１３−１を形成した後、基板２及び第１絶縁膜１３−１を貫通し、ＴＦＴ駆動回路層に接続される貫通電極１１を形成する。
貫通電極１１と接続される配線１２を形成した後、配線１２を覆う第２絶縁膜１３−２を、第１絶縁膜１３−１の全面上に形成する。ここで、第２絶縁膜１３−２は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の絶縁膜１３に対応する。また、第１絶縁膜１３−１及び第２絶縁膜１３−２は、絶縁膜１３と同様の材料を用いて形成してもよい。
このように、透湿性の高い樹脂からなる基板２の裏面全体を、窒化シリコン等の無機膜からなる第１絶縁膜１３−１によって覆った後、さらに第２絶縁膜１３−２によって配線１２の形成された第１絶縁膜１３−１の裏面全体を覆うことにより、基板２の透湿性を抑えつつ、基板２及び第１絶縁膜１３−１に形成されたコンタクトホールから表示装置１００の内部に湿気が入り込むことを抑制することができる。従って、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００によると、表示装置１００の内部に水分が入り込むことを防ぎ、外部回路１５との接続箇所に腐食が生じることを防ぐことが可能となる。
以上のとおり、本発明の第１乃至第３の実施形態に係る表示装置１００によると、外部回路１５が実装される部分から表示装置１００の内部に水分が入り込むことを防止し、高信頼性を確保することの可能な表示装置を提供することができる。また、実装歩留りを悪化させることなく外部回路１５を実装することの可能な表示装置を提供することができる。
１…表示素子層、２…基板、３…封止膜、４…樹脂（ダム材）、５…樹脂（フィル材）、６…第２基板、７…第１基板、８…カラーフィルタ、９…基板、１０…ガラス基板、１１…貫通電極、１２…配線、１３…絶縁膜、１４…端子、１５…外部回路、３８…端子部、３９…表示部、１００…表示装置。

Claims (11)

  1. 第１面にトランジスタを含む表示素子と前記トランジスタに接続された第１配線を備える複数の画素が配置された第１基板と、
    前記第１基板の前記第１面に対向する第２面側から前記第１配線を開口する第１コンタクトホールに設けられた貫通電極と、
    前記貫通電極と接続する第２配線と、
    前記第１基板の前記第２面側に前記第２配線を覆って配置される第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜に配置された第２コンタクトホールにおいて前記第２配線と接続する端子と、を備えることを特徴とする表示装置。
  2. 前記第１基板は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記樹脂はポリイミドを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは相互に離間して配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
  5. 前記第１基板の前記第２面には、第２絶縁膜が配置され、
    前記第１コンタクトホールは、前記第２絶縁膜を貫通して前記第１配線を開口することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
  6. 前記第２絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記第１絶縁膜は、窒化シリコンまたは酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
  8. 前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールよりも前記第１基板の周縁部側に配置されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置。
  9. 前記第１基板の前記第１面を間に挟んで前記第１基板と対向して第２基板が配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
  10. 前記端子には、フレキシブルプリント回路基板が接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示装置。
  11. 前記端子には、ドライバＩＣが接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508784B2 (en) 2014-07-11 2016-11-29 Japan Display Inc. Organic electro-luminescent display device
JP2017116928A (ja) * 2015-12-18 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置、表示パネルの作製方法
JP2017187580A (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9960317B2 (en) 2016-08-26 2018-05-01 Japan Display Inc. Method for manufacturing display device
JP2018081197A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018179265A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
JP2022191297A (ja) * 2017-07-18 2022-12-27 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10537939B2 (en) * 2015-01-21 2020-01-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of manufacturing a honeycomb structure for an electronic device
TWI727041B (zh) 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN108254979A (zh) * 2016-12-29 2018-07-06 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 显示面板及其制作方法
KR101930742B1 (ko) 2017-05-29 2019-03-11 주식회사 이오테크닉스 휨 감소 장치 및 휨 감소 방법
CN107256870A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置
JP2019066604A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
CN107833978B (zh) 2017-10-31 2021-12-10 昆山国显光电有限公司 一种显示器件
CN113937091A (zh) * 2018-02-28 2022-01-14 京瓷株式会社 显示装置、玻璃基板及玻璃基板的制造方法
KR20210006923A (ko) * 2018-05-11 2021-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 패널, 표시 장치, 입출력 장치, 정보 처리 장치
WO2020137342A1 (ja) * 2018-12-26 2020-07-02 京セラ株式会社 配線基板、それを用いた発光装置及び表示装置
CN109523924B (zh) * 2019-01-04 2021-04-20 苏州佳世达电通有限公司 显示装置及框架组合
CN109585462A (zh) * 2019-01-23 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏
CN110391200B (zh) 2019-08-09 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 显示结构及其制备方法、显示装置
CN110491919B (zh) * 2019-08-14 2021-09-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的侧面绑定结构
KR20210022308A (ko) * 2019-08-20 2021-03-03 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN110910774A (zh) * 2019-11-04 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、制造方法以及拼接显示面板
EP4095911A4 (en) * 2020-01-22 2023-10-25 BOE Technology Group Co., Ltd. DRIVE BACKPACK AND PREPARATION METHOD THEREFOR, DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS
WO2022027506A1 (zh) * 2020-08-06 2022-02-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
KR20220031803A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001008128A1 (fr) * 1999-07-22 2001-02-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique, son procede de fabrication et dispositif electronique
JP2004349152A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示装置、電子機器及びその製造方法
JP2010008677A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Sharp Corp 画像表示装置
JP2010165673A (ja) * 2008-12-17 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2012118341A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
US20120268004A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10239698A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Sharp Corp 液晶表示装置
JP4708148B2 (ja) * 2005-10-07 2011-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2012119532A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001008128A1 (fr) * 1999-07-22 2001-02-01 Seiko Epson Corporation Dispositif electro-optique, son procede de fabrication et dispositif electronique
JP2004349152A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示装置、電子機器及びその製造方法
JP2010008677A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Sharp Corp 画像表示装置
JP2010165673A (ja) * 2008-12-17 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2012118341A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
US20120268004A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9508784B2 (en) 2014-07-11 2016-11-29 Japan Display Inc. Organic electro-luminescent display device
US9881984B2 (en) 2014-07-11 2018-01-30 Japan Display Inc. Organic electro-luminescent display device
JP2017116928A (ja) * 2015-12-18 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、入出力装置、情報処理装置、表示パネルの作製方法
US10976872B2 (en) 2015-12-18 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
TWI745325B (zh) * 2015-12-18 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示面板、輸入輸出裝置、資料處理裝置、及顯示面板的製造方法
JP2017187580A (ja) * 2016-04-04 2017-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9960317B2 (en) 2016-08-26 2018-05-01 Japan Display Inc. Method for manufacturing display device
JP2018081197A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018179265A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
JP2022191297A (ja) * 2017-07-18 2022-12-27 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
JP7361860B2 (ja) 2017-07-18 2023-10-16 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置

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