WO2013099135A1 - フレキシブル表示装置 - Google Patents

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WO2013099135A1
WO2013099135A1 PCT/JP2012/007995 JP2012007995W WO2013099135A1 WO 2013099135 A1 WO2013099135 A1 WO 2013099135A1 JP 2012007995 W JP2012007995 W JP 2012007995W WO 2013099135 A1 WO2013099135 A1 WO 2013099135A1
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layer
terminal portion
product
flexible
display device
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PCT/JP2012/007995
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崇 大迫
裕司 田中
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パナソニック株式会社
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Definitions

  • the present invention relates to a flexible display device, and more particularly, to a connection structure between a device substrate and a flexible circuit substrate via an ACF (Anisotropic Conductive Film).
  • ACF Anagonal Conductive Film
  • the terminal part of the device substrate and the terminal part of the flexible circuit board are electrically connected by conductive particles contained in the ACF.
  • a pressure is applied from above with the ACF 830 disposed therebetween, and the ACF 830 is pressure-bonded to the device substrate 810 and the flexible circuit substrate 820 as shown in FIG. 9B, and the conductive particles 831 included in the ACF 830 are attached to both ends.
  • both terminal parts 812 and 822 are electrically connected through the conductive particles 831. At that time, if the crushed conductive particles 831 are deformed into a flat shape, the contact area between the conductive particles 831 and each of the terminal portions 812 and 822 is increased, so that the electrical connection is stabilized.
  • the thickness of the terminal portion 812 of the device substrate 810 is very thin (for example, 0.5 ⁇ m), the hard and thick glass substrate 811 is present below the terminal portion 812, so that the conductive particles 831 are used in the pressure bonding. Even if strongly pressed, the terminal portion 812 is not easily deformed.
  • the thickness of the terminal portion 822 of the flexible circuit board 820 is relatively thick (for example, 8 ⁇ m), it is not easily deformed at the time of crimping. Since both the terminal portions 812 and 822 are not deformed in this way, the conductive particles 831 existing between the terminal portions 812 and 822 can be appropriately crushed into a flat shape at the time of pressure bonding.
  • Patent Document 1 As shown in FIG. 10A, a terminal portion 912 provided on the flexible substrate 911 of the device substrate 910 and a terminal portion 922 provided on the base film 921 of the flexible circuit substrate 920 are provided. However, there is disclosed a flexible display device electrically connected through conductive particles 931 of ACF930.
  • the conductive particles 931 cannot be crushed into an appropriate flat shape, so that the contact area between the conductive particles 931 and the terminal portion 912 is small and conduction is unstable. Moreover, since the thickness of the terminal part 912 becomes thin in the recessed part, this also makes conduction unstable. If the indentation by the conductive particles 931 is strong, not only the dent is formed but also the terminal portion 912 may be cracked. In this case, the contact between the conductive particles 931 and the terminal portion 912 may occur. It becomes more unstable and poor conduction may occur. In particular, when the flexible display device is used while being bent, poor conduction tends to occur.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a flexible display device in which a terminal portion of a device substrate and a terminal portion of a flexible circuit board are electrically connected with high reliability via an ACF. With the goal.
  • a flexible display device includes a flexible substrate, a device substrate including a display portion and a first terminal portion formed on the flexible substrate, and a flexible substrate including a second terminal portion.
  • the first terminal portion and the second terminal portion are connected via an anisotropic conductive film containing conductive particles, and the flexible substrate
  • An electrode layer and a buffer layer are provided between the first terminal portion and a product of an average particle diameter and an elastic modulus of the core portion of the conductive particles (hereinafter referred to as “product of the core portion”).
  • product of the metal layer is the average of the first terminal portions.
  • product of thickness and elastic modulus hereinafter referred to as “product of first terminal portion”
  • product of the buffer layer the product of the average thickness and elastic modulus of the electrode layer
  • electrode layer the product of the average thickness and elastic modulus of the electrode layer
  • the “average particle diameter” means a particle diameter at an integrated value of 50% in the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method.
  • the electrode layer and the buffer layer are provided between the flexible substrate and the first terminal portion, and the sum of the product of the core portion and the product of the metal layer is calculated. Since the value divided by the sum of the product of the first terminal portion, the product of the buffer layer, and the product of the electrode layer is 1.5 or less, the upper and lower sides with the interface between the conductive particles and the first terminal portion as the boundary The strain balance on both sides can be kept good, and the first terminal portion is hardly deformed. Therefore, the conductive particles can be crushed into an appropriate flat shape, and since the electrical connection between the conductive particles and the first electrode is stabilized, poor conduction is unlikely to occur.
  • FIG. 11 is a perspective view illustrating a connection structure between a display panel and a flexible circuit board according to one embodiment of the present invention. It is sectional drawing of the location along the AA of FIG. 2 of the flexible display apparatus based on an Example.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion along the line BB in FIG. 2 of the flexible display device according to the example. It is a conceptual diagram for demonstrating the connection structure of the display panel which concerns on an Example, and a flexible circuit board. It is a figure for demonstrating the conditions of the experiment regarding a deformation
  • a flexible display device includes a flexible substrate, a device substrate including a display portion and a first terminal portion formed on the flexible substrate, and a flexible substrate including a second terminal portion.
  • the first terminal portion and the second terminal portion are connected via an anisotropic conductive film containing conductive particles, and the flexible substrate
  • An electrode layer and a buffer layer are provided between the first terminal portion, a product of an average particle diameter and an elastic modulus of the core portion of the conductive particles, and a metal layer covering the core portion.
  • the sum of the product of twice the average thickness and the elastic modulus is the product of the average thickness and elastic modulus of the first terminal portion, the product of the average thickness and elastic modulus of the buffer layer, and the electrode layer.
  • the value divided by the sum of the product of the average thickness and the elastic modulus is 1.5 or less Characterized in that it comprises.
  • the buffer layer is made of a resin.
  • a display unit formation region in which the display unit is formed and the first terminal unit are provided between the flexible substrate and the display unit.
  • a base layer is continuously provided in the terminal part forming region formed and an intermediate region between the display part forming region and the terminal part forming region, and the terminal part forming region in the base layer is provided.
  • the portion is the buffer layer.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of a flexible display device according to an aspect of the present invention.
  • the flexible display device 1 according to one embodiment of the present invention is a flexible display including a display panel 100, a drive control unit 200, and a plurality of flexible circuit boards 300.
  • the display panel 100 is, for example, an organic EL (Electro Luminescence) panel using an electroluminescence effect.
  • the drive control unit 200 includes four drive circuits 210 and a control circuit 220.
  • An IC as a drive circuit 210 is mounted on the flexible circuit board 300.
  • FIG. 2 is a perspective view illustrating a connection structure between a display panel and a flexible circuit board according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a portion along the line AA of FIG. 2 of the flexible display device according to the example.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion along the line BB of FIG. 2 of the flexible display device according to the example.
  • a display unit 101 is formed in the central region (a portion surrounded by a two-dot chain line in FIG. 2).
  • a plurality of first terminal portions 114 are formed on all four sides of the outer peripheral area, as shown in FIGS.
  • a region where the display unit 101 is formed is referred to as a display unit forming region
  • a region where the first terminal unit 114 is formed is referred to as a terminal unit forming region
  • a region therebetween is referred to as an intermediate region. .
  • the flexible circuit board 300 is, for example, formed by forming a conductive pattern (not shown) on a base film 310 made of polyimide using copper or the like, and a lower surface (TFT substrate) of the end of the base film 310 on the display panel 100 side.
  • a plurality of second terminal portions 320 electrically connected to the conductive pattern are formed at positions corresponding to the first terminal portions 114.
  • the ACF 400 is a film obtained by molding a thermosetting resin into a film, and is interposed between the first terminal portion 114 and the second terminal portion 320, and the first terminal portion 114 and the second terminal portion are formed by thermocompression bonding.
  • the second terminal portion 320 is bonded.
  • the ACF 400 includes conductive particles 410, and the first terminal portions 114 of the display panel 100 and the corresponding second terminal portions 320 of the flexible circuit board 300 are connected via the conductive particles 410 of the ACF 400. Are electrically connected.
  • the conductive particles 410 are obtained by coating the surface of a core portion 411 made of a resin material such as PP (polypropylene) with a metal layer 412 made of a metal such as Ni (nickel) or Au (gold).
  • the first terminal portion 114 is not necessarily formed on all four sides of the outer peripheral region of the TFT substrate 111, and may be formed on only one side, or formed on two sides or three sides. May be. And the drive circuit 210 and the flexible circuit board 300 should just be adhere
  • the display panel 100 includes, for example, a device substrate 110 and a CF (Color Filter) substrate 120.
  • the device substrate 110 and the CF substrate 120 are arranged opposite to each other and bonded together.
  • a CF substrate 120 is disposed above the device substrate 110 via a sealing member 102, and a resin layer 103 is filled between the EL substrate 110 and the CF substrate 120.
  • the sealing member 102 and the resin layer 103 are made of a dense resin material (for example, silicone resin, acrylic resin, etc.), seal the display portion 101 of the device substrate 110, and allow the organic light emitting layer 116 to contact moisture, gas, or the like. Is preventing.
  • the surface on the CF substrate 120 side is also referred to as the “upper surface” for each layer constituting the device substrate 110).
  • a display portion 101 composed of a plurality of pixels is formed, and R (red), G (green), or B (blue) light emitted from each of the pixels is transmitted through the CF substrate 120 to display the display panel.
  • a color image is displayed in front of 100.
  • a first terminal portion 114 is provided in a region surrounding the display portion 101 on the upper surface of the TFT substrate 111.
  • the example in which the CF substrate 120 is installed has been described, but the CF substrate is not necessarily installed.
  • the device substrate 110 includes a TFT substrate 111 and an EL (Electro Luminescence) substrate 124.
  • the EL substrate 124 is formed on the upper surface of the TFT substrate 111 by a planarization film 112, a lower electrode 113, a contact hole 113X, an anode ring 113Y,
  • the display portion of the device substrate 110 has a stacked structure in which the first terminal portion 114, the bank 115, the organic light emitting layer 116, the electron transport layer 117, the upper electrode 118, the sealing layer 119a, the protective film 119b, and the like are stacked.
  • Each pixel constituting 101 is constituted by a top emission type organic EL element constituted by a lower electrode 113, an organic light emitting layer 116, an electron transport layer 117, an upper electrode 118 and the like.
  • the TFT substrate 111 has, for example, a structure in which a TFT layer 111b is formed on the upper surface of the flexible substrate 111a.
  • the TFT layer 111b includes an SD wiring 111c, a passivation film 111d, and the like.
  • the flexible substrate 111a includes, for example, polyimide, aromatic polyimide, polyetherimide, polyester sulfone, polyethylene, ultrahigh molecular weight polyethylene, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polypropylene, It consists of resin materials such as polyamide, aramid, polyamideimide, acrylonitrile butadiene styrene, cyclic olefin copolymer and polyvinyl chloride.
  • the foundation layer 104 is composed of the passivation film 111d and the planarizing film 112. A portion of the base layer 104 corresponding to the first terminal portion 114 functions as the buffer layer 104a.
  • the buffer layer may be formed as a layer continuous with the plurality of first terminal portions.
  • the buffer layer has a first terminal corresponding to each of the plurality of first terminal portions in which only each buffer layer 104a in FIG. 4 is formed as a buffer layer having the characteristics of the present invention.
  • Each part may be formed as an independent layer.
  • the SD wiring 111c is made of a conductive material such as Ag, Cu, Ti, Mo, Al, W, or an alloy thereof, and is electrically connected to the lead wiring (not shown) of the TFT substrate 111.
  • the SD wiring 111c and the first terminal portion 114 are electrically connected via a via connection portion 114X that penetrates the passivation film 111d and the planarization film 112.
  • the portion of the terminal portion formation region in the SD wiring 111 c constitutes the electrode layer 105.
  • the electrode layer 105 exists between the flexible substrate 111a and the first terminal portion 114, and exists on the upper surface of the flexible substrate 111a. Note that the electrode layer 105 may be provided not only in the terminal portion formation region on the upper surface of the flexible substrate 111a but also in other regions.
  • the electrode layer is preferably thinner than the first terminal portion.
  • the passivation film 111d is made of, for example, a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol (PVA), a fluorine-based resin, SiO (silicon oxide), SiN (silicon nitride), or the like, and covers and protects the SD wiring 111c. .
  • a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol (PVA), a fluorine-based resin, SiO (silicon oxide), SiN (silicon nitride), or the like, and covers and protects the SD wiring 111c.
  • the planarizing film 112 is made of, for example, an insulating material such as polyimide resin or acrylic resin, and planarizes the step on the upper surface of the passivation film 111d. Note that the planarization film 112 is not always necessary.
  • the lower electrode (pixel electrode) 113 is electrically connected to the TFT layer 111b through the contact hole 113X.
  • the lower electrode 113 may have a two-layer structure of a metal layer and a metal oxide layer, for example.
  • the metal layer is, for example, Ag (silver), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCr (molybdenum and chromium alloy), NiCr (nickel and chromium alloy). It is made of a light-reflective conductive material such as, and is formed in a matrix in a region corresponding to each pixel.
  • the metal oxide layer is made of a conductive material such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium zinc oxide), and is formed on the metal layer so as to cover the metal layer.
  • the first terminal portion 114 is electrically connected to the lead wiring (not shown) of the TFT substrate 111.
  • the first terminal portion 114 may have a two-layer structure of a metal layer and a metal oxide layer.
  • the metal layer is made of, for example, a conductive material such as Ag, Cu, Ti, Mo, Al, APC, ARA, MoCr, NiCr, and along the outer peripheral edge of the TFT substrate 111 along all four sides of the outer peripheral region of the TFT substrate 111. Are formed at intervals.
  • the metal oxide layer is made of, for example, ITO, IZO or the like, and is formed on each metal layer so as to cover each metal layer.
  • the first terminal portion can be formed using the same material and the same process as the lower electrode (pixel electrode) in the display portion. In this case, it is not necessary to provide a separate process for forming the first terminal portion, and the manufacturing process can be simplified.
  • the bank 115 is made of, for example, an insulating organic material such as acrylic resin, polyimide resin, or novolac type phenol resin, and is formed so as to avoid a region where the lower electrode 113 is formed in the central region of the TFT substrate 111. Has been.
  • the bank 115 may be a pixel bank having a cross structure or a line bank having a stripe structure.
  • the organic light emitting layer 116 is formed in a region corresponding to each pixel defined by the bank 115, and emits light to R, G, or B by recombination of holes and electrons when the display panel 100 is driven.
  • the organic light emitting layer 116 is composed of an organic material. Examples of the organic material include an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, an azacoumarin compound, an oxazole compound, an oxadiazole compound described in JP-A-5-163488.
  • organic material constituting the organic light emitting layer 116 polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polyacetylene and derivatives thereof, polyphenylene (PP) and derivatives thereof, polyparaphenyleneethylene and derivatives thereof, Polymeric materials such as poly-3-hexylthiophene (P3HT) and derivatives thereof, and polyfluorene (PF) and derivatives thereof can also be used.
  • P3HT poly-3-hexylthiophene
  • PF polyfluorene
  • the electron transport layer 117 is made of, for example, barium, phthalocyanine, lithium fluoride, or a mixture thereof, and has a function of transporting electrons injected from the upper electrode 118 to the organic light emitting layer 116.
  • the upper electrode 118 is a transparent electrode formed of a light-transmitting conductive material such as ITO or IZO, for example, and covers almost the entire display unit 101 so as to cover the upper surfaces of the bank 115 and the organic light emitting layer 116. Is formed.
  • the sealing layer 119a is, for example, a layer for covering and sealing the display unit 101, and is formed on the upper electrode 118, for example, made of a light-transmitting resin material such as silicone resin or acrylic resin. Has been.
  • the protective film 119b covers and seals the display portion 101, and prevents the organic light emitting layer 116 from being exposed to moisture, gas, or the like.
  • the protective film 119b includes SiN, SiO, SiON (silicon oxynitride), SiC ( It is made of a light transmissive material such as silicon carbide), SiOC (carbon-containing silicon oxide), Al 2 O 3 (aluminum oxide), or AlN (aluminum nitride), and is formed on the sealing layer 119a.
  • one or more other layers such as a hole transport layer and a hole injection layer are further formed between the lower electrode 113 and the organic light emitting layer 116. May be.
  • One or more other layers such as an electron injection layer may be further formed between the organic light emitting layer 116 and the upper electrode 118.
  • the CF substrate 120 has a structure in which an R, G, or B color filter 122 and a black matrix layer 123 are formed on the lower surface (the main surface on the device substrate 110 side) of the flexible substrate 121.
  • the color filter 122 is a transparent layer that transmits visible light having a wavelength corresponding to R, G, or B, and is made of a known resin material or the like, and is formed in a region corresponding to each pixel.
  • the black matrix layer 123 prevents external light from entering the panel, prevents internal components from being seen through the CF substrate 120, and suppresses reflection of external light to improve the contrast of the display panel 100.
  • the black resin layer is formed of an ultraviolet curable resin material containing a black pigment having excellent light absorption and light shielding properties.
  • the base layer 104 is provided on the entire top surface of the flexible substrate 111a. That is, it is continuously provided in the display portion forming region, the terminal portion forming region, and the intermediate region.
  • the base layer 104 is not necessarily provided in the terminal portion formation region.
  • the base layer 104 is provided over the entire upper surface of the flexible substrate 111a, that is, the terminal portion formation region.
  • the portion of the terminal portion formation region in the base layer 104 is used as a buffer layer 104a for suppressing deformation of the first terminal portion 114. In this manner, when a part of the base layer 104 is used as the buffer layer 104a, it is not necessary to separately perform the step of providing the buffer layer 104a, and the display panel 100 can be manufactured more easily.
  • the configuration of the buffer layer 104a will be described in detail.
  • the SD wiring layer 111c includes a terminal portion forming region portion, a passivation film 111d portion of a terminal portion forming region portion, and a planarizing film 112 of a terminal portion forming region portion.
  • the average thickness of the buffer layer 104a is, for example, 3.75 ⁇ m.
  • the elastic modulus of the buffer layer 104a is, for example, about 1.5 GPa, and the elastic modulus of each of the passivation film 111d and the planarizing film 112 constituting the buffer layer 104a is, for example, about 1.5 GPa.
  • the average thickness of each layer is not limited to the above, and the elastic modulus of each layer is not limited to the above.
  • the buffer layer 104a is provided on the lower side of the first terminal portion 114 in the device substrate 110 according to the embodiment, the first terminal portion 114 is not easily deformed by the pressure when the ACF 400 is crimped. The reason will be described below.
  • the flexible substrate 111a has an average thickness of, for example, 38 ⁇ m, an elastic modulus of 3 GPa to 7 GPa (made of polyimide), and has flexibility.
  • the first terminal portion 114 is a very thin layer having an average thickness of, for example, 0.2 ⁇ m. As described above, when the flexible substrate 111a is flexible and the first terminal portion 114 is a very thin layer, in the conventional device substrate in which the buffer layer 104a is not provided, when the ACF is crimped The first terminal portion is greatly deformed by the pressure of.
  • the buffer layer 104 a is provided below the first terminal portion 114.
  • the repulsive force of the buffer layer 104a affects the first terminal portion 114, and the force with which the first terminal portion 114 pushes back the conductive particles 410 becomes stronger. It becomes easy to be crushed.
  • the product of the average particle diameter and the elastic modulus of the core part 411 of the conductive particles 410 (hereinafter referred to as “product of the core part 411”) and the average of the metal layer 412.
  • the sum of the product of twice the thickness and the modulus of elasticity (hereinafter referred to as the “product of the metal layer 412”) is the product of the average thickness of the first terminal portion 114 and the modulus of elasticity (hereinafter referred to as “first” Of the buffer layer 104a ”, the product of the average thickness and the elastic modulus of the buffer layer 104a (hereinafter referred to as“ product of the buffer layer 104a ”), and the average thickness and the elastic modulus of the electrode layer 105.
  • the value divided by the sum of the product (hereinafter referred to as “product of electrode layer”) is 1.5 or less. By adjusting the value to 1.5 or less, it is possible to balance the strain on both the upper and lower sides with the interface between the conductive particle 410 and the first terminal portion 114 as a boundary.
  • the strain of the core portion 411 is the product of the core portion 411
  • the strain of the metal layer 412 is the product of the metal layer 412
  • the strain of the first terminal portion 114 is the product of the first terminal portion 114
  • the buffer layer 104a Can be represented by the product of the buffer layer 104a
  • the strain of the electrode layer 105 can be represented by the product of the electrode layer 105. The larger the product, the smaller the strain.
  • the balance of strain on both the upper and lower sides with the interface between the conductive particle 410 and the first terminal portion 114 as the boundary is the sum of the product of the core portion 411 and the product of the metal layer 412. 114, and the product of the buffer layer 104a and the product of the electrode layer 105 can be adjusted. If this value is 1.5 or less, the first terminal portion 114 is deformed. It was confirmed by the experiment described later that can be effectively suppressed. The value obtained by dividing the sum of the product of the core portion 411 and the product of the metal layer 412 by the sum of the product of the first terminal portion 114, the product of the buffer layer 104a, and the product of the electrode layer 105 is It is good that it is 1.5 ⁇ 10 ⁇ 3 or more.
  • the first terminal portion 114 is, for example, an ACL metal having an elastic modulus of about 70 GPa and an average thickness of 0.2 ⁇ m.
  • the value obtained by dividing the sum of the product of the core part 411 and the product of the metal layer 412 by the sum of the product of the first terminal part 114, the product of the buffer layer 104a, and the product of the electrode layer 105 is Since it is 1.1 and is 1.5 or less, the balance of strain on both the upper and lower sides with the interface between the conductive particle 410 and the first terminal portion 114 as a boundary is good.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining a connection structure between the display panel and the flexible circuit board according to the embodiment.
  • the ACF 400 is interposed between the first terminal portion 114 provided on the buffer layer 104 a of the device substrate 110 and the terminal portion 320 provided on the base film 310 of the flexible circuit board 300.
  • the ACF 400 is pressure-bonded to the device substrate 110 and the flexible circuit board 300, and the conductive particles 410 included in the ACF 400 are connected to the both terminal portions 114. , 320, the terminal portions 114, 320 are electrically connected via the conductive particles 410.
  • the conductive particles 410 can be appropriately deformed into a flat shape. Therefore, a large contact area between the first terminal portion 114 and the conductive particles 410 can be ensured, and poor conduction due to poor contact is unlikely to occur.
  • FIG. 6A is a schematic diagram for explaining the structure of the sample
  • FIG. 6B constitutes the sample. It is a table
  • the ACF one containing conductive particles in which a PP core part having an average particle diameter of 4 ⁇ m was coated with a Ni metal layer having an average thickness of 0.1 ⁇ m was used.
  • the ACF was bonded using a thermocompression bonding apparatus at a set temperature of 250 ° C., a set time of 15 sec, and a set pressure of 0.12 MPa.
  • a substrate made of PI (polyimide) having an average thickness of 38 ⁇ m and an SiON layer having an average thickness of 1 ⁇ m was used as the flexible substrate.
  • an Mo (molybdenum) layer having an average thickness of 25 nm is applied to the flexible substrate
  • a Mo layer having an average thickness of 75 nm is applied to the sample 2
  • a W (tungsten) layer having an average thickness of 25 nm is applied to the sample 3.
  • a W layer having an average thickness of 75 nm was provided in place of the first terminal portion.
  • Samples 5 and 6 have a structure as shown in FIG. 6A.
  • Mo layer having an average thickness of 25 nm is used instead of the electrode layer on the flexible substrate as a buffer layer.
  • a PL (resin) layer having an average thickness of 4 ⁇ m was provided as a Mo layer having an average thickness of 75 nm instead of the first terminal portion.
  • a W layer with an average thickness of 25 nm is used instead of the electrode layer on the flexible substrate
  • a PL layer with an average thickness of 4 ⁇ m is used instead of the buffer layer
  • a W layer with an average thickness of 75 nm is used instead of the first terminal portion.
  • Samples 1 to 4 each have a conventional configuration in which no buffer layer is provided, but Samples 5 and 6 each have a configuration according to the present invention in which a buffer layer is provided, and Modification 2 in which an electrode layer is provided. It is a sandwich structure similar to
  • the elastic modulus of Mo is about 290 GPa
  • the elastic modulus of W is about 400 GPa
  • the elastic modulus of PL is about 1.5 GPa
  • the elastic modulus of PP is about 1.5 GPa
  • the elasticity of Ni The rate is about 200 GPa.
  • FIG. 7 is an electron micrograph showing the results of an experiment relating to the deformation suppression effect. As shown in FIGS. 7A to 7D, the surface of Samples 1 to 4 was noticeably uneven with a certain degree of possibility of conduction failure. From this, when only the 1st terminal part which is a metal film was provided and the buffer layer was not provided, it has confirmed that the 1st terminal part deform
  • FIG. 8 is an electron micrograph showing the results of an experiment relating to the deformation suppression effect. As shown in FIG. 8A, in the sample 4, remarkable unevenness was generated on the lower surface of the first terminal portion. On the other hand, as shown in FIG. 8B, in Sample 6, almost no irregularities were found on the lower surface of the electrode layer. From this, it was confirmed that the deformation of the first terminal portion can be suppressed by providing the electrode layer and the buffer layer.
  • the flexible display device according to the present invention can be suitably used for, for example, home or public facilities, various display devices for business use, television devices, displays for portable electronic devices, and the like.

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Abstract

デバイス基板の端子部とフレキシブル回路基板の端子部とがＡＣＦを介して高い信頼性で電気的に接続されているフレキシブル表示装置を提供することを目的とし、フレキシブル基板（１１１ａ）と、当該フレキシブル基板上に形成された表示部（１０１）及び第１の端子部（１１４）と、を備えたデバイス基板（１１０）と、第２の端子部（３２０）を備えたフレキシブル回路基板（３００）と、を具備したフレキシブル表示装置（１）において、前記第１の端子部と前記第２の端子部とは、導電性粒子（４１０）を含む異方性導電膜（４００）を介して接続されており、前記フレキシブル基板と前記第１の端子部との間に、電極層（１０５）及び緩衝層（１０４ａ）が設けられており、前記導電性粒子のコア部（４１１）の平均粒径と弾性率との積と、前記コア部を被覆する金属層（４１２）の平均厚みの２倍と弾性率との積との和を、前記第１の端子部の平均厚みと弾性率との積と、前記緩衝層の平均厚みと弾性率との積と、前記電極層の平均厚みと弾性率との積との和で除した値が１．５以下となる構成とする。

Description

フレキシブル表示装置
　本発明は、フレキシブル表示装置に関し、特に、デバイス基板とフレキシブル回路基板とのＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ：異方性導電フィルム）を介した接続構造に関する。
　上記接続構造において、デバイス基板の端子部とフレキシブル回路基板の端子部とは、ＡＣＦに含まれる導電性粒子によって電気的に接続される。具体的には、例えば、図９（ａ）に示すように、デバイス基板８１０のガラス基板８１１に設けられた端子部８１２と、フレキシブル回路基板８２０のベースフィルム８２１に設けられた端子部８２２との間にＡＣＦ８３０を配置した状態で上方から圧力をかけて、図９（ｂ）に示すように、ＡＣＦ８３０をデバイス基板８１０およびフレキシブル回路基板８２０に圧着すると共に、ＡＣＦ８３０に含まれる導電性粒子８３１を両端子部８１２，８２２によって押し潰した状態とすることによって、その導電性粒子８３１を介して両端子部８１２，８２２が電気的に接続される。その際、押し潰した導電性粒子８３１が扁平形状に変形していると、導電性粒子８３１と各端子部８１２，８２２との接触面積が大きくなるため、電気的な接続が安定する。
　デバイス基板８１０の端子部８１２の厚みは非常に薄い（例えば０．５μｍ）が、端子部８１２の下側には硬くて厚いガラス基板８１１が存在しているため、圧着の際に導電性粒子８３１が強く押し付けられたとしても、端子部８１２は簡単には変形しない。一方、フレキシブル回路基板８２０の端子部８２２の厚みは比較的厚い（例えば８μｍ）ため、やはり圧着の際に簡単に変形しない。このように両端子部８１２，８２２がそれぞれ変形しない構成であるため、それら端子部８１２，８２２間に存在する導電性粒子８３１を、圧着の際に適度に扁平形状に押し潰すことができる。
　ところで、近年は、ガラス基板の代わりに可撓性を有するフレキシブル基板を採用したフレキシブル表示装置の開発が進められている。例えば、特許文献１には、図１０（ａ）に示すように、デバイス基板９１０のフレキシブル基板９１１に設けられた端子部９１２と、フレキシブル回路基板９２０のベースフィルム９２１に設けられた端子部９２２とが、ＡＣＦ９３０の導電性粒子９３１を介して電気的に接続されたフレキシブル表示装置が開示されている。
特開２００８－２４２２４９号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された構成では、端子部９１２，９２２間にＡＣＦ９３０を配置した状態で上方から圧力をかけると、図１０（ｂ）に示すように、導電性粒子９３１が端子部９１２に強く押し付けられることによってフレキシブル基板９１１が変形し、端子部９１２に導電性粒子９３１の形状に応じた凹みが形成されてしまう。
　このような凹みが形成されると、導電性粒子９３１を適度な扁平形状に押し潰すことができないため、導電性粒子９３１と端子部９１２との接触面積が小さく導通が不安定である。また、凹み部分では端子部９１２の厚みが薄くなるため、これによっても導通が不安定になる。そして、導電性粒子９３１による押し込みが強い場合は、凹みが形成されるだけでなく端子部９１２にクラックが発生する可能性があり、この場合は、導電性粒子９３１と端子部９１２との接触がより不安定となって導通不良が生じうる。特に、フレキシブル表示装置は曲げて使用される場合は導通不良が生じ易い。
　本発明は上記の問題点を鑑みてなされたもので、デバイス基板の端子部とフレキシブル回路基板の端子部とがＡＣＦを介して高い信頼性で電気的に接続されたフレキシブル表示装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置は、フレキシブル基板と、当該フレキシブル基板上に形成された表示部及び第１の端子部と、を備えたデバイス基板と、第２の端子部を備えたフレキシブル回路基板と、を具備したフレキシブル表示装置において、前記第１の端子部と前記第２の端子部とは、導電性粒子を含む異方性導電膜を介して接続されており、前記フレキシブル基板と前記第１の端子部との間に、電極層及び緩衝層が設けられており、前記導電性粒子のコア部の平均粒径と弾性率との積（以下、「コア部の積」と称する。）と、前記コア部を被覆する金属層の平均厚みの２倍と弾性率との積（以下、「金属層の積」と称する。）との和を、前記第１の端子部の平均厚みと弾性率との積（以下、「第１の端子部の積」と称する。）と、前記緩衝層の平均厚みと弾性率との積（以下、「緩衝層の積」と称する。）と、前記電極層の平均厚みと弾性率との積（以下、「電極層の積」と称する。）との和で除した値が１．５以下となることを特徴とする。
　なお、本願において、「平均粒径」とは、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒子径を意味する。
　本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置は、フレキシブル基板と第１の端子部との間に電極層及び緩衝層が設けられており、かつ、コア部の積と金属層の積との和を第１の端子部の積と緩衝層の積と電極層の積との和で除した値が１．５以下であるため、導電性粒子と第１の端子部との界面を境界とする上下両側の歪みバランスを良好に保つことができ、第１の端子部が変形し難い。したがって、導電性粒子を適度な扁平形状に押し潰すことができ、導電性粒子と第１の電極との電気的な接続が安定するため、導通不良が生じ難い。
本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置の全体構成を示す図である。 本発明の一態様に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を示す斜視図である。 実施例に係るフレキシブル表示装置の図２のＡ－Ａ線に沿った箇所の断面図である。 実施例に係るフレキシブル表示装置の図２のＢ－Ｂ線に沿った箇所の断面図である。 実施例に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を説明するための概念図である。 変形抑制効果に関する実験の条件を説明するための図である。 変形抑制効果に関する実験の結果を示す電子顕微鏡写真である。 変形抑制効果に関する実験の結果を示す電子顕微鏡写真である。 従来例に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を説明するための概念図である。 従来例に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を説明するための概念図である。
　［本発明の一態様の概要］
　本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置は、フレキシブル基板と、当該フレキシブル基板上に形成された表示部及び第１の端子部と、を備えたデバイス基板と、第２の端子部を備えたフレキシブル回路基板と、を具備したフレキシブル表示装置において、前記第１の端子部と前記第２の端子部とは、導電性粒子を含む異方性導電膜を介して接続されており、前記フレキシブル基板と前記第１の端子部との間に、電極層及び緩衝層が設けられており、前記導電性粒子のコア部の平均粒径と弾性率との積と、前記コア部を被覆する金属層の平均厚みの２倍と弾性率との積との和を、前記第１の端子部の平均厚みと弾性率との積と、前記緩衝層の平均厚みと弾性率との積と、前記電極層の平均厚みと弾性率との積との和で除した値が１．５以下となることを特徴とする。
　本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置の特定の局面では、前記緩衝層は、樹脂からなる。
　本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置の特定の局面では、前記フレキシブル基板と前記表示部との間には、前記表示部が形成されている表示部形成領域と、前記第１の端子部が形成されている端子部形成領域と、前記表示部形成領域および前記端子部形成領域の間の中間領域とに連続して、下地層が設けられており、前記下地層における前記端子部形成領域の部分が前記緩衝層である。
　［表示装置］
　以下、本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面における部材の縮尺は実際のものとは同じとは限らない。
　図１は、本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置の全体構成を示す図である。図１に示すように、本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置１は、表示パネル１００と、駆動制御部２００と、複数のフレキシブル回路基板３００とを備えた、フレキシブルディスプレイである。
　表示パネル１００は、例えば、エレクトロルミネッセンス効果を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルである。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０と、制御回路２２０とから構成されている。フレキシブル回路基板３００には、駆動回路２１０としてのＩＣが搭載されている。
　図２は、本発明の一態様に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を示す斜視図である。図３は、実施例に係るフレキシブル表示装置の図２のＡ－Ａ線に沿った箇所の断面図である。図４は、実施例に係るフレキシブル表示装置の図２のＢ－Ｂ線に沿った箇所の断面図である。
　図２に示すように、表示パネル１００のＴＦＴ基板１１１上（フレキシブル基板１１１ａ上でもある）には、その中央領域に表示部１０１が形成されており（図２において二点鎖線で囲んだ部分）、中央領域を囲繞する外周領域には、その外周領域の４辺全てに、図３および図４に示すように、それぞれ複数の第１の端子部１１４が形成されている。なお、以下では、表示部１０１が形成されている領域を表示部形成領域と称し、第１の端子部１１４が形成されている領域を端子部形成領域と称し、その間の領域を中間領域と称する。
　フレキシブル回路基板３００は、例えば、ポリイミド製のベースフィルム３１０に、銅等によって導電パターン（不図示）が形成されたものであって、ベースフィルム３１０の表示パネル１００側の端部の下面（ＴＦＴ基板１１１と対向する面）には、各第１の端子部１１４と対応する位置に、前記導電パターンと電気的に接続された第２の端子部３２０が複数形成されている。
　ＴＦＴ基板１１１の外周領域には、その４辺全てにそれぞれベースフィルム３１０の表示パネル１００側の端部がＡＣＦ４００を介して接続されている。このＡＣＦ４００は、熱硬化性樹脂を膜状に成型したフィルムであって、第１の端子部１１４と第２の端子部３２０との間に介在し、熱圧着により第１の端子部１１４および第２の端子部３２０に接着されている。
　ＡＣＦ４００には導電性粒子４１０が含まれており、表示パネル１００の各第１の端子部１１４とそれに対応するフレキシブル回路基板３００の第２の端子部３２０とは、ＡＣＦ４００の導電性粒子４１０を介して電気的に接続されている。導電性粒子４１０は、例えば、ＰＰ（ポリプロピレン）等の樹脂材料からなるコア部４１１の表面を、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）等の金属からからなる金属層４１２でコーティングしたものである。
　なお、第１の端子部１１４は、必ずしもＴＦＴ基板１１１の外周領域の４辺全てに形成されている必要はなく、１辺にだけ形成されていても良いし、２辺或いは３辺に形成されていても良い。そして、駆動回路２１０およびフレキシブル回路基板３００は、第１の端子部１１４が形成されている辺にだけ接着されていれば良い。
　［表示パネル］
　表示パネル１００は、例えば、デバイス基板１１０と、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ）基板１２０とを備える。デバイス基板１１０およびＣＦ基板１２０は対向配置され貼り合わされている。
　デバイス基板１１０の上方には、シール部材１０２を介してＣＦ基板１２０が配置され、ＥＬ基板１１０とＣＦ基板１２０との間には樹脂層１０３が充填されている。シール部材１０２および樹脂層１０３は、緻密な樹脂材料（例えばシリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等）からなり、デバイス基板１１０の表示部１０１を封止し有機発光層１１６が水分やガス等に触れるのを防止している。
　ＴＦＴ基板１１１の上面（ＣＦ基板１２０側の主面。以下の説明では、デバイス基板１１０を構成する各層についても、ＣＦ基板１２０側の面を「上面」と称する。）には、マトリクス状に配置された複数の画素で構成される表示部１０１が形成されており、それら各画素が出射するＲ（赤色）、Ｇ（緑色）またはＢ（青色）の光がＣＦ基板１２０を透過し、表示パネル１００の正面にカラー画像が表示される。そして、ＴＦＴ基板１１１の上面の表示部１０１を囲繞する領域に第１の端子部１１４が設けられている。
　なお、本実施の形態ではＣＦ基板１２０が設置される例を説明したが、ＣＦ基板は必ずしも設置される必要はない。
　＜デバイス基板＞
　デバイス基板１１０は、ＴＦＴ基板１１１と、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）基板１２４とからなり、ＥＬ基板１２４は、ＴＦＴ基板１１１の上面に、平坦化膜１１２、下部電極１１３、コンタクトホール１１３Ｘ、アノードリング１１３Ｙ、第１の端子部１１４、バンク１１５、有機発光層１１６、電子輸送層１１７、上部電極１１８、封止層１１９ａ、および保護膜１１９ｂ等が積層された積層構造を有し、デバイス基板１１０の表示部１０１を構成する各画素は、下部電極１１３、有機発光層１１６、電子輸送層１１７、上部電極１１８等で構成されるトップエミッション型の有機ＥＬ素子で構成されている。
　ＴＦＴ基板１１１は、例えば、フレキシブル基板１１１ａの上面に、ＴＦＴ層１１１ｂを形成した構造である。ＴＦＴ層１１１ｂには、ＳＤ配線１１１ｃおよびパッシベーション膜１１１ｄなどが含まれる。
　フレキシブル基板１１１ａは、例えば、ポリイミド、芳香族ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルスルホン、ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、硫化ポリフェニレン、ポリプロピレン、ポリアミド、アラミド、ポリアミドイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン、環状オレフィンコポリマーおよび塩化ポリビニル等の樹脂材料からなる。
　図３および図４に示す実施例では、パッシベーション膜１１１ｄおよび平坦化膜１１２で下地層１０４が構成されている。そして、下地層１０４のうちの第１の端子部１１４に相当する部分が、緩衝層１０４ａとして機能している。
　緩衝層は、図４に示したように、複数の第１の端子部に連続した層として形成されていてもよい。また、緩衝層は、図４の各々の緩衝層１０４ａのみが本発明の特徴を有する緩衝層として形成されているような、複数の第１の端子部の各々に対応して、第１の端子部ごとに独立した層として形成されていてもよい。　ＳＤ配線１１１ｃは、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗまたはこれらの合金などの導電性材料からなり、ＴＦＴ基板１１１の引出配線（不図示）と電気的に接続されている。また、ＳＤ配線１１１ｃと第１の端子部１１４とは、パッシベーション膜１１１ｄおよび平坦化膜１１２を貫通するビア接続部１１４Ｘを介して電気的に接続されている。
　ＳＤ配線１１１ｃにおける端子部形成領域の部分が、電極層１０５を構成している。電極層１０５は、フレキシブル基板１１１ａと第１の端子部１１４との間であって、フレキシブル基板１１１ａの上面に存在する。なお、電極層１０５は、フレキシブル基板１１１ａの上面における端子部形成領域だけでなく、それ以外の領域にも設けられていても良い。電極層の厚みは、第１の端子部の厚みよりも薄いのが好ましい。
　パッシベーション膜１１１ｄは、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂、フッ素系樹脂、ＳｉＯ（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）等からなり、ＳＤ配線１１１ｃを被覆し、これらを保護している。
　平坦化膜１１２は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、パッシベーション膜１１１ｄの上面の段差を平坦化している。なお、平坦化膜１１２は必ずしも必要ではない。
　下部電極（画素電極）１１３は、コンタクトホール１１３Ｘを介してＴＦＴ層１１１ｂと電気的に接続されている。なお、下部電極１１３は、例えば、金属層と金属酸化物層との２層構造であってもよい。金属層は、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等の光反射性導電材料からなり、各画素に対応した領域にマトリクス状に形成されている。金属酸化物層は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電材料からなり、金属層上に金属層を被覆するように形成されている。
　第１の端子部１１４は、ＴＦＴ基板１１１の引出配線（不図示）と電気的に接続されている。なお、第１の端子部１１４は、金属層と金属酸化物層との２層構造であってもよい。金属層は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒ等の導電材料からなり、ＴＦＴ基板１１１の外周領域の４辺全てに、ＴＦＴ基板１１１の外周縁に沿って複数個ずつ間隔を空けて形成されている。金属酸化物層は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等からなり、各金属層上に各金属層を被覆するように形成されている。また、第１の端子部は、表示部における下部電極（画素電極）と同一材料・同一プロセスにより形成することもできる。この場合、第１の端子部を形成するプロセスを別に設ける必要がなく、製造プロセスの簡略化を図ることができる。　バンク１１５は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の絶縁性の有機材料からなり、ＴＦＴ基板１１１の中央領域内に、下部電極１１３が形成された領域を避けるように形成されている。バンク１１５は、井桁構造のピクセルバンクであっても、ストライプ構造のラインバンクであっても良い。
　有機発光層１１６は、バンク１１５で規定された各画素に対応した領域に形成されており、表示パネル１００の駆動時において、ホールと電子との再結合によりＲ、ＧまたはＢに発光する。有機発光層１１６は有機材料で構成されており、有機材料としては、例えば、特開平５－１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。また、有機発光層１１６を構成する有機材料としては、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリアセチレン（polyacetylene）およびその誘導体、ポリフェニレン（polyphenylene（ＰＰ））およびその誘導体、ポリパラフェニレンエチレン（polyparaphenyleneethylene）およびその誘導体、ポリ３－ヘキシルチオフェン（poly-3-hexylthiophene（Ｐ３ＨＴ））およびその誘導体、ポリフルオレン（polyfluorene（ＰＦ））およびその誘導体などの高分子系材料を用いることもできる。
　電子輸送層１１７は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、またはこれらの混合物等からなり、上部電極１１８から注入された電子を有機発光層１１６へ輸送する機能を有する。
　上部電極１１８は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の光透過性導電材料で形成された透明電極であって、バンク１１５および有機発光層１１６の上面を覆うように、表示部１０１のほぼ全体に亘って形成されている。
　封止層１１９ａは、例えば、表示部１０１を覆って封止するための層であって、例えば、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等の光透過性の樹脂材料からなり、上部電極１１８上に形成されている。
　保護膜１１９ｂは、表示部１０１を覆って封止し、有機発光層１１６が水分やガス等に触れるのを防止するための膜であって、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素），ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の光透過性材料からなり、封止層１１９ａ上に形成されている。封止層１１９ａの上にさらに保護膜１１９ｂを形成することで、例えば封止層１１９ａにピンホールと呼ばれる封止欠陥部分が存在する場合でも、その封止欠陥部分から封止層１１９ａ内に水分やガス等が浸入するのを防止することができる。
　以上のように説明したデバイス基板１１０の積層構造に関して、下部電極１１３と有機発光層１１６との間には、ホール輸送層、ホール注入層等の他の層が１層または複数層さらに形成されていても良い。また、有機発光層１１６と上部電極１１８との間には、電子注入層等の他の層が１層または複数層さらに形成されていても良い。
　＜ＣＦ基板＞
　ＣＦ基板１２０は、フレキシブル基板１２１の下面（デバイス基板１１０側の主面）側に、Ｒ、ＧまたはＢのカラーフィルタ１２２と、ブラックマトリクス層１２３とが形成された構造である。カラーフィルタ１２２は、Ｒ、ＧまたはＢに対応する波長の可視光を透過する透明層であって、公知の樹脂材料等からなり、各画素に対応した領域に形成されている。ブラックマトリクス層１２３は、パネル内部への外光の入射を防止したり、ＣＦ基板１２０越しに内部部品が透けて見えるのを防止したり、外光の照り返しを抑えて表示パネル１００のコントラストを向上させたりする目的で形成されている黒色樹脂層であって、例えば光吸収性および遮光性に優れる黒色顔料を含む紫外線硬化樹脂材料からなる。
　＜緩衝層＞
　（緩衝層の構成）
　図３および図４に示す本実施の形態に係るデバイス基板１１０では、下地層１０４がフレキシブル基板１１１ａの上面全体に設けられている。すなわち、表示部形成領域、端子部形成領域および中間領域に連続して設けられている。下地層１０４は、端子部形成領域には必ずしも設ける必要はないが、実施例に係るデバイス基板１１０では、下地層１０４をフレキシブル基板１１１ａの上面全体に亘って設けることで、すなわち、端子部形成領域まで拡張させて設けることで、下地層１０４における端子部形成領域の部分を、第１の端子部１１４の変形を抑制するための緩衝層１０４ａとして利用している。このように、下地層１０４の一部を緩衝層１０４ａとして利用する構成とすれば、緩衝層１０４ａを設ける工程を別途行う必要がなくなり、表示パネル１００をより簡単に製造することができる。
　なお、緩衝層１０４ａの構成を詳細に説明しておくと、ゲート配線層における端子部形成領域の部分と、ゲート絶縁膜における端子部形成領域の部分と、隔壁における端子部形成領域の部分と、ＳＤ配線層１１１ｃにおける端子部形成領域の部分と、パッシベーション膜１１１ｄにおける端子部形成領域の部分と、平坦化膜１１２における端子部形成領域の部分とで構成されている。このような緩衝層１０４ａを第１の端子部１１４の下側に設けることで、ＡＣＦ４００を圧着する際の圧力で第１の端子部１１４が変形するのを抑制している。
　（緩衝層の平均厚みと弾性率）
　緩衝層１０４ａの平均厚みは、例えば、３．７５μｍである。緩衝層１０４ａの弾性率は、例えば、約１．５ＧＰａであって、緩衝層１０４ａを構成するパッシベーション膜１１１ｄ、平坦化膜１１２のそれぞれの弾性率も、例えば、約１．５ＧＰａである。各層の平均厚みは、上記に限定されず、各層の弾性率も、上記に限定されない。
　（緩衝層の変形抑制効果）
　実施例に係るデバイス基板１１０には、第１の端子部１１４の下側に緩衝層１０４ａが設けられているため、ＡＣＦ４００を圧着する際の圧力で第１の端子部１１４が変形し難い。その理由を以下に説明する。
　フレキシブル基板１１１ａは、平均厚みが例えば、３８μｍ、弾性率が３ＧＰａ～７ＧＰａ（ポリイミド製の場合）であって、可撓性を有する。また、第１の端子部１１４は、平均厚みが例えば、０．２μｍであって、非常に薄い層である。このようにフレキシブル基板１１１ａが可撓性を有し、且つ、第１の端子部１１４が非常に薄い層であるため、緩衝層１０４ａが設けられていない従来のデバイス基板では、ＡＣＦを圧着する際の圧力によって第１の端子部が大きく変形してしまう。
　しかしながら、実施例に係るデバイス基板１１０では、第１の端子部１１４の下側に緩衝層１０４ａが設けられている。緩衝層１０４ａを設けることによって、緩衝層１０４ａの反発する力が第１の端子部１１４に影響し、第１の端子部１１４が導電性粒子４１０を押し返す力が強くなるため、導電性粒子４１０が潰れ易くなる。
　また、実施例に係るデバイス基板１１０では、導電性粒子４１０のコア部４１１の平均粒径と弾性率との積（以下、「コア部４１１の積」と称する。）と、金属層４１２の平均厚みの２倍と弾性率との積（以下、「金属層４１２の積」と称する。）との和を、第１の端子部１１４の平均厚みと弾性率との積（以下、「第１の端子部１１４の積」と称する。）と、緩衝層１０４ａの平均厚みと弾性率との積（以下、「緩衝層１０４ａの積」と称する。）と、電極層１０５の平均厚みと弾性率との積（以下、「電極層の積」と称する。）との和で除した値が１．５以下である。前記値を１．５以下に調製することで、導電性粒子４１０と第１の端子部１１４との界面を境界とする上下両側における歪みのバランスをとることができる。
　歪みのバランスについて具体的に説明すると、まず、フックの法則によれば、応力を「σ」、弾性率を「Ｅ」、歪みを「ε」とした場合に、下記の（式１）の関係が成り立つ。
　σ＝Ｅ×ε　・・・　（式１）
　また、緩衝層１０４ａの断面積（厚み×幅）を「Ａ」、力を「Ｆ」とした場合に、下記の（式２）の関係が成り立つ。
　σ＝Ｆ／Ａ　・・・（式２）
　ここで、力「Ｆ」は一定であり、弾性率「Ｅ」は材料固有の値であり、緩衝層１０４ａの幅も一定とすると、（式１）および（式２）から、歪み「ε」を表す下記の（式３）が導き出せる。
　ε≒１／（厚み×Ｅ）　・・・（式３）
　つまり、コア部４１１の歪みはコア部４１１の積によって、金属層４１２の歪みは金属層４１２の積によって、第１の端子部１１４の歪みは第１の端子部１１４の積によって、緩衝層１０４ａの歪みは緩衝層１０４ａの積によって、電極層１０５の歪みは電極層１０５の積によって、それぞれ表すことが可能であり、それら積が大きくなるほど歪が小さくなる。
　そして、導電性粒子４１０と第１の端子部１１４との界面を境界とする上下両側における歪みのバランスは、コア部４１１の積と、金属層４１２の積との和を、第１の端子部１１４の積と、緩衝層１０４ａの積と、電極層１０５の積との和で除した値によって調整できると考えられ、この値が１．５以下であれば、第１の端子部１１４の変形を有効に抑制できることが後述する実験により確認できた。なお、コア部４１１の積と、金属層４１２の積との和を、第１の端子部１１４の積と、緩衝層１０４ａの積と、電極層１０５の積との和で除した値は、１．５×１０-3以上であるのがよい。
　歪みのバランスについて、実施例の構成を例に挙げて説明する。
　まず、コア部４１１の積と、金属層４１２の積との和について、例えば、弾性率が約１．５ＧＰａ、平均粒径が４．０μｍであるＰＰ製のコア部４１１の場合、コア部４１１の積は、約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＝約６．０ＧＰａ・μｍとなる。また、例えば、弾性率が約２００ＧＰａ、平均厚みが０．１μｍであるＮｉ製の金属層４１２の場合、金属層４１２の積は、約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２＝約４０ＧＰａ・μｍとなる。したがって、コア部４１１の積と、金属層４１２の積との和は、約４６ＧＰａ・μｍとなる。
　次に、第１の端子部１１４の積と、緩衝層１０４ａの積との和について、第１の端子部１１４が、例えば、弾性率が約７０ＧＰａ、平均厚み０．２μｍであるＡＣＬ製の金属層と、弾性率が約１１ＧＰａ、平均厚み０．０１６μｍであるＩＺＯ製の金属酸化物層とからなる場合、第１の端子部１１４の積は、約７０ＧＰａ×０．２μｍ＋約１１ＧＰａ×０．０１６μｍ＝約１４．２ＧＰａ・μｍとなる。また、緩衝層１０４ａが、例えば上述したように、弾性率が約１．５ＧＰａ、平均厚みが３．７５μｍである場合、緩衝層１０４ａの積は、約１．５ＧＰａ×３．７５μｍ＝約５．６ＧＰａ・μｍとなる。また、例えば、電極層１０５が、モリブデン製であって、弾性率が約２９０ＧＰａ、平均厚みが０．０７５μｍである場合、電極層１０５の積は、約２９０ＧＰａ×０．０７５μｍ＝約２１．８ＧＰａ・μｍとなる。したがって、第１の端子部１１４の積と、緩衝層１０４ａの積と、電極層１０５との和は、約４１．６ＧＰａ・μｍとなる。
　そうすると、コア部４１１の積と、金属層４１２の積との和を、第１の端子部１１４の積と、緩衝層１０４ａの積と、電極層１０５の積との和で除した値は、１．１となり１．５以下であるため、導電性粒子４１０と第１の端子部１１４との界面を境界とする上下両側における歪みのバランスは良好である。
　図５は、実施例に係る表示パネルとフレキシブル回路基板との接続構造を説明するための概念図である。図５（ａ）に示すように、デバイス基板１１０の緩衝層１０４ａ上に設けられた第１の端子部１１４と、フレキシブル回路基板３００のベースフィルム３１０に設けられた端子部３２０との間にＡＣＦ４００を配置した状態で上方から圧力をかけて、図５（ｂ）に示すように、ＡＣＦ４００をデバイス基板１１０およびフレキシブル回路基板３００に圧着すると共に、ＡＣＦ４００に含まれる導電性粒子４１０を両端子部１１４，３２０によって押し潰した状態とすることによって、その導電性粒子４１０を介して両端子部１１４，３２０が電気的に接続される。その際、第１の端子部１１４の変形は緩衝層１０４ａによって抑制され、導電性粒子４１０を適度に扁平形状に変形させることができる。したがって、第１の端子部１１４と導電性粒子４１０との接触面積を大きく確保することができ、接触不良による導通不良が生じ難い。
　［変形例］
　以上、本発明の一態様に係るフレキシブル表示装置の実施例を具体的に説明してきたが、上記態様は、本発明の構成および作用・効果を分かり易く説明するために用いた例であって、本発明の内容は、上記態様に限定されない。
　［実験］
　実験により、緩衝層が圧着による端子部の変形に及ぼす影響について調べた。図６は、変形抑制効果に関する実験の条件を説明するための図であって、図６（ａ）は、サンプルの構造を説明するための概略図、図６（ｂ）は、サンプルを構成する材料を説明するための表である。
　実験では、図６（ａ）に示すように、フレキシブル基板に設けた第１の端子部とベースフィルムに設けた第２の端子部との間に配置したＡＣＦを圧着した際に、導電性粒子によって第１の端子部がどの程度変形するのかを、フレキシブル基板の下側からサンプルの状態を観察することで評価した。
　ＡＣＦとしては、平均粒径４μｍのＰＰ製のコア部が平均厚み０．１μｍのＮｉ製の金属層でコーティングされた導電性粒子を含むものを使用した。ＡＣＦの圧着は熱圧着装置を用いて、設定温度が２５０℃、設定時間が１５ｓｅｃ、設定圧力が０．１２ＭＰａで行なった。
　図６（ｂ）に示すように、サンプル１～６に共通して、フレキシブル基板には、平均厚み１μｍのＳｉＯＮ層が積層された平均厚み３８μｍのＰＩ（ポリイミド）製の基板を用いた。そのフレキシブル基板上に、サンプル１の場合は平均厚み２５ｎｍのＭｏ（モリブデン）層を、サンプル２の場合は平均厚み７５ｎｍのＭｏ層を、サンプル３の場合は平均厚み２５ｎｍのＷ（タングステン）層を、サンプル４の場合は平均厚み７５ｎｍのＷ層を、それぞれ第１の端子部の代わりとして設けた。
　また、サンプル５、６は、図６（ａ）に示すような構造であって、サンプル５の場合、フレキシブル基板上に、電極層の代わりとして平均厚み２５ｎｍのＭｏ層を、緩衝層の代わりとして平均厚み４μｍのＰＬ（樹脂）層を、第１の端子部の代わりとして平均厚み７５ｎｍのＭｏ層を設けた。サンプル６の場合、フレキシブル基板上に電極層の代わりとして平均厚み２５ｎｍのＷ層を、緩衝層の代わりとして平均厚み４μｍのＰＬ層を、第１の端子部の代わりとして平均厚み７５ｎｍのＷ層を設けた。
　サンプル１～４は、それぞれ緩衝層が設けられていない従来の構成であるが、サンプル５，６は、それぞれ緩衝層が設けられた本発明の構成であり、電極層が設けられた変形例２に類するサンドイッチ構造である。
　ここで、Ｍｏの弾性率は約２９０ＧＰａであり、Ｗの弾性率は約４００ＧＰａであり、ＰＬの弾性率は約１．５ＧＰａであり、ＰＰの弾性率は約１．５ＧＰａであり、Ｎｉの弾性率は約２００ＧＰａである。これらに基づき、サンプル１～４について、コア部の積と金属層の積との和を、第１の端子部の積で除した値を算出した。また、サンプル５，６について、コア部の積と金属層の積との和を、第１の端子部の積と緩衝層の積と電極層の積とで除した値を算出した。
　サンプル１の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約２９０ＧＰａ×２５μｍ）＝約６．３４である。
　サンプル２の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約２９０ＧＰａ×７５μｍ）＝約２．１１である。
　サンプル３の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約４００ＧＰａ×２５μｍ）＝約４．６である。
　サンプル４の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約４００ＧＰａ×７５μｍ）＝約１．５３である。
　サンプル５の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約２９０ＧＰａ×２５μｍ＋約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２９０ＧＰａ×７５μｍ）＝約１．３１である。
　サンプル６の前記値は、（約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約２００ＧＰａ×０．１μｍ×２）／（約４００ＧＰａ×２５μｍ＋約１．５ＧＰａ×４．０μｍ＋約４００ＧＰａ×７５μｍ）＝約１．０である。
　図７は、変形抑制効果に関する実験の結果を示す電子顕微鏡写真である。図７（ａ）～（ｄ）に示すように、サンプル１～４の下面には、導通不良のおそれがある程度の顕著な凹凸がみられた。このことから、金属膜である第１の端子部のみが設けられ、緩衝層が設けられていない場合は、第１の端子部が変形することが確認できた。この結果は、第１の端子部の厚さや弾性率に関係なく同じであった。
　一方、図７（ｅ），（ｆ）に示すように、サンプル５，６の下面は、導通不良のおそれがない程度の小さな凹凸しか生じなかった。このことから、電極層および緩衝層を設けることによって、第１の端子部の変形を抑制する効果が得られることが確認できた。
　さらに、サンプル４，６については、ベースフィルムを剥いで、第１の端子部または電極層の下面の状態を確認した。図８は、変形抑制効果に関する実験の結果を示す電子顕微鏡写真である。図８（ａ）に示すように、サンプル４について、第１の端子部の下面に顕著な凹凸が生じていた。一方、図８（ｂ）に示すように、サンプル６について、電極層の下面に凹凸はほとんど見られなかった。このことからも、電極層および緩衝層を設けることによって、第１の端子部の変形を抑制できることが確認できた。
　以上をまとめると、顕著な凹凸が生じたサンプル４の前記値が約１．５３であり、小さな凹凸しか生じなかったサンプル５の前記値が約１．３１であったことから、前記値が１．５以下の場合に第１の端子部の変形が抑制できると判断した。
　本発明に係るフレキシブル表示装置は、例えば、家庭用もしくは公共施設、或いは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に好適に利用可能である。
　１，５００，６００　フレキシブル表示装置
　１０１　表示部
　１０４　下地層
　１０４ａ，５０５　緩衝層
　１１０　デバイス基板
　１１１ａ　フレキシブル基板
　１１４　第１の端子部
　３００　フレキシブル回路基板
　３２０　第２の端子部
　４００　異方性導電膜
　４１０　導電性粒子
　４１１　コア部
　４１２　金属層
　６０５　電極層

Claims (9)

  1. 　フレキシブル基板と、当該フレキシブル基板上に形成された表示部及び第１の端子部と、を備えたデバイス基板と、
    　第２の端子部を備えたフレキシブル回路基板と、
    　を具備したフレキシブル表示装置において、
    　前記第１の端子部と前記第２の端子部とは、導電性粒子を含む異方性導電膜を介して接続されており、
    　前記フレキシブル基板と前記第１の端子部との間に、電極層及び緩衝層が設けられており、
    　前記導電性粒子のコア部の平均粒径と弾性率との積と、前記コア部を被覆する金属層の平均厚みの２倍と弾性率との積との和を、前記第１の端子部の平均厚みと弾性率との積と、前記緩衝層の平均厚みと弾性率との積と、前記電極層の平均厚みと弾性率との積との和で除した値が１．５以下となることを特徴とする、
    フレキシブル表示装置。
  2. 　前記緩衝層は、樹脂からなる、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  3. 　前記緩衝層は、複数の前記第１の端子部に連続した層として形成されている、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  4. 　前記緩衝層は、複数の前記第１の端子部の各々に対応して、前記第１の端子部ごとに独立した層として形成されている、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  5. 　前記電極層の厚みが、前記第１の端子部の厚みよりも薄い、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  6. 　前記第１の端子部は、前記表示部における画素電極と同一プロセスによって形成されている、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  7. 　前記電極層と、前記第１の端子部とは、ビア接続部を介して電気的に接続されている、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  8. 　前記フレキシブル基板と前記表示部との間には、前記表示部が形成されている表示部形成領域と、前記第１の端子部が形成されている端子部形成領域と、前記表示部形成領域および前記端子部形成領域の間の中間領域とに連続して、下地層が設けられており、
    　前記下地層における前記端子部形成領域の部分が前記緩衝層である、
    請求項１に記載されたフレキシブル表示装置。
  9. 　前記下地層は、隔壁、パッシベーション膜及び平坦化膜のうちの少なくとも１つで構成されている、
    請求項８に記載されたフレキシブル表示装置。
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