JPWO2013187074A1 - 発光素子の製造方法、発光素子および表示パネル - Google Patents

Abstract

反射電極を含む下地層を形成する下地層形成工程と、長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、且つ、前記開口を囲繞する傾斜部を有する、撥液性の隔壁を、前記下地層上に形成する隔壁形成工程と、特性のエネルギー線を照射し前記隔壁の撥液性を低下させるエネルギー線照射工程と、機能層を形成する機能層形成工程と、を含む発光素子の製造方法である。前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なり、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重ならない位置に隔壁を形成する。

Description

本発明は、発光素子の製造方法、発光素子および表示パネルに関し、特に、塗布法により均一な膜厚の機能層を形成する技術に関する。

従来から、発光素子の製造プロセスにおいて、機能性材料を含むインクをインクジェット法等の塗布法により塗布して、発光層や正孔輸送層等の機能層を形成することが行われている。インクジェット法では、例えば、インクを隔壁に設けられた開口内に滴下し、その後インクを乾燥させることによって、機能層を形成する。

機能層の膜厚は均一であることが好ましく、膜厚が均一でない場合は輝度むらが生じるおそれがある。ところが、インクを滴下する隔壁の開口が長軸と短軸とを有する形状である場合は、機能層における長軸方向中央部の膜厚が、機能層における長軸方向両端部の膜厚よりも厚くなるという現象が生じる。

このような現象を抑制する手段の１つとして、特許文献１には、隔壁の傾斜部における長軸方向中央部の表面の撥液性を、隔壁の傾斜部における長軸方向両端部の表面の撥液性よりも大きくすることが開示されている。具体的には、傾斜部における長軸方向両端部のみに紫外線を照射して表面の撥液性を低下させ、相対的に傾斜部における長軸方向中央部の撥液性を大きくする方法が開示されている。

特開２００９−２６６７１号公報

しかしながら、近年、画素が微細化したため、傾斜部における長軸方向中央部のみに紫外線を照射することは極めて困難であり、現実的でない。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、製造方法を複雑化させることなく均一な膜厚の機能層を形成することのできる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、機能層の膜厚が均一であるにも拘わらず簡単に製造することのできる発光素子および表示パネルを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、基板上に、反射電極を含む下地層を形成する下地層形成工程と、長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、且つ、前記開口を囲繞する傾斜部を有する、撥液性の隔壁を、前記下地層上に形成する隔壁形成工程と、前記隔壁の上方から前記隔壁へ向けて、前記隔壁を透過し且つ前記反射電極の上面で上方に向け反射される特性のエネルギー線を照射し、前記隔壁の撥液性を低下させるエネルギー線照射工程と、前記開口内であって前記下地層上に機能層を形成する機能層形成工程と、を含み、前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なり、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重ならない位置に隔壁を形成する。

本発明の一態様における発光素子の製造方法では、平面視において、隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が反射電極の上面と重なり、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重ならない位置に隔壁を形成する。傾斜部における長軸方向両端部では、上方から照射され前記傾斜部を透過したエネルギー線が、反射電極の上面によって上方へ反射されるため、エネルギー線は前記傾斜部を２回透過する。一方、傾斜部における長軸方向中央部では、上方から照射され前記傾斜部を透過したエネルギー線が、反射電極の上面によって上方へ反射されないため、エネルギー線は前記傾斜部を１回しか透過しない。したがって、長軸方向両端部よりも長軸方向中央部の方が傾斜部に照射されるエネルギー線の照射量が少なくなり、その結果、長軸方向両端部よりも長軸方向中央部の方が傾斜部の表面の撥液性が大きくなるため、機能層の膜厚が均一になる。このような構成は、反射電極に対する開口の位置や、開口の形状等を調整するだけで実現可能であるため、新たな工程の追加や工程の複雑化を伴わない。したがって、発光素子の製造方法が複雑化することもない。

第１の実施形態に係る表示パネルを備えた表示装置の全体構成を示す図である。 第１の実施形態に係る表示パネルの表面の一部を示す平面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光素子を示す端面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図である。 （ａ），（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。 （ａ）〜（ｄ）は、比較例１に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。 （ａ）〜（ｃ）は、比較例２に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。 エネルギー線の照射とインクの接触角との関係を示す図である。 反射電極の有無が機能層の膜厚に与える影響を示す図である。 第２の実施形態に係る発光素子を示す端面図である。 （ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図である。 （ａ），（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、第３の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図である。 （ａ），（ｂ）は、第３の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図である。

以下、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法、発光素子および表示パネルについて、図面を参照しながら説明する。

［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、基板上に、反射電極を含む下地層を形成する下地層形成工程と、長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、且つ、前記開口を囲繞する傾斜部を有する、撥液性の隔壁を、前記下地層上に形成する隔壁形成工程と、前記隔壁の上方から前記隔壁へ向けて、前記隔壁を透過し且つ前記反射電極の上面で上方に向け反射される特性のエネルギー線を照射し、前記隔壁の撥液性を低下させるエネルギー線照射工程と、前記開口内であって前記下地層上に機能層を形成する機能層形成工程と、を含み、前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なり、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重ならない位置に隔壁を形成する。

また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法の特定の局面は、前記下地層形成工程では、前記反射電極の上面と連続する側面が傾斜面となるように前記反射電極を形成し、前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の側面と重なる位置に隔壁を形成する。

また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法の特定の局面は、前記下地層形成工程では、前記反射電極の側面が前記基板の上面に対して２０°以上７０°以下の傾斜角となるように前記反射電極を形成する。

また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法の特定の局面は、前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が、前記反射電極の上面およびその上面と連続する側面のいずれとも重ならない位置に隔壁を形成する。

また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法の特定の局面は、前記下地層形成工程では、前記反射電極の側面が前記基板の上面に対して略垂直となるように前記反射電極を形成する。

また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法の特定の局面は、前記下地層形成工程では、前記開口の下側の全体を覆うように透明電極を形成する。

本発明の一態様に係る発光素子は、基板と、反射電極を含み前記基板上に形成された下地層と、長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、前記開口を囲繞する傾斜部を有し、前記下地層上に形成された撥液性の隔壁と、前記開口内であって前記下地層上に形成された機能層と、を有し、前記隔壁は、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なっており、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重なっていない。

また、本発明の一態様に係る発光素子の特定の局面は、前記反射電極は、前記上面と連続する側面が傾斜面であって、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の傾斜面と重なっている。

また、本発明の一態様に係る発光素子の特定の局面は、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極と重なっていない。

本発明の一態様に係る表示パネルは、上記いずれかの発光素子を複数備える。

［本発明に至った経緯］
機能層における長軸方向中央部の膜厚が、機能層における長軸方向両端部の膜厚よりも厚くなるという現象を抑制する手段として、隔壁の傾斜部における長軸方向中央部の表面の撥液性を、隔壁の傾斜部における長軸方向両端部の表面の撥液性よりも大きくすることが有効であることは上述した通りである。このような隔壁を形成する方法としては、傾斜部における長軸方向両端部のみに紫外線を照射して表面の撥液性を低下させ、相対的に傾斜部における長軸方向中央部の撥液性を大きくする方法が考えられるが、近年、画素が微細化したため、傾斜部における長軸方向中央部のみに紫外線を照射することは極めて困難であり、現実的でないことは上述した。それ以外の方法として、例えば、傾斜部における長軸方向両端部を撥液性の小さい材料で形成し、傾斜部における長軸方向中央部を撥液性の大きい材料で形成する方法も考えられるが、撥液性の異なる２種類の材料を使用して隔壁を形成する方法は隔壁形成工程が複雑になるため、結果的に発光素子の製造方法も複雑化する。

そこで、発明者は、目的とする隔壁を簡単に形成する方法を種々検討し、その結果、反射電極を利用して隔壁の撥液性をコントロールすることが有効であるとの考えに至った。すなわち、隔壁の表面の撥液性は、隔壁に照射するエネルギー線の照射量を調整することによりコントロール可能であり、エネルギー線の照射量は、反射電極の上面によるエネルギー線の反射を利用して調製することが可能であり、エネルギー線の反射は、反射電極に対する開口の位置や、開口の形状等を適宜調整するだけで実現可能であるとの着想を得た。

隔壁の上方から下方の隔壁へエネルギー線を照射すると、エネルギー線は隔壁等を透過する。しかしながら、透過した先に反射電極の上面が存在すると、その上面によってエネルギー線が上方へ向けて反射される。すなわち、下方に反射電極の上面が存在している部分においては、エネルギー線は上方から下方へ向けてその部分を透過し、さらに反射電極で反射してエネルギー線はその部分を下方から上方へ向けて再び透過する。そのため、その部分においてはエネルギー線が計２回透過することになる。一方、下方に反射電極の上面が存在していない部位においては、エネルギー線は上方から下方へ向けて透過するだけである。そのため、その部位においてはエネルギー線が計１回しか透過しないことになる。

平面視において、傾斜部における長軸方向両端部が反射電極の上面と重なり、傾斜部における長軸方向中央部が反射電極の上面とは重ならない隔壁を形成した場合は、隔壁の上方から隔壁全体に対し一様にエネルギー線を照射したとしても、傾斜部における長軸方向両端部においてはエネルギー線が計２回透過するが、傾斜部における長軸方向中央部においてはエネルギー線が計１回しか透過しないことになる。そのため、傾斜部における長軸方向中央部へのエネルギー線の照射量は、傾斜部における長軸方向両端部へのエネルギー線の照射量よりも少なくなり、その結果、傾斜部における長軸方向中央部の表面の撥液性は、傾斜部における長軸方向両端部の表面の撥液性よりも大きくなる。

このようにして、傾斜部における長軸方向中央部の表面の撥液性を、傾斜部における長軸方向両端部の表面の撥液性よりも大きくすることは、反射電極に対する開口の位置や、開口の形状等を適宜調整するだけで実現可能であり、新たに工程を追加したり、既存の工程を複雑化にしたりする必要がない。

＜実施の形態１＞
（発光素子および表示パネルの概略構成）
図１は、第１の実施形態に係る表示パネルを備えた表示装置の全体構成を示す図である。図２は、第１の実施形態に係る表示パネルの表面の一部を示す平面図である。

図１に示す表示装置１は、ディスプレイ、テレビ、携帯電話機等に用いられる有機ＥＬ表示装置であって、第１の実施形態に係る表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを備える。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。

図２に示すように、表示パネル１０は、本発明の一態様に係る発光素子１００を複数備える。各発光素子１００は、Ｒ，Ｇ，Ｂいずれかのサブピクセルを構成しており、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色サブピクセルを１つずつ、計３つを１組として１ピクセルが構成されている。

図３は、第１の実施形態に係る発光素子を示す端面図であって、図３（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線の部分を切断した端面図、図３（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線の部分を切断した端面図である。なお、本明細書において、Ａ−Ａ線に沿った方向を短軸方向、Ｂ−Ｂ線に沿った方向を長軸方向とする。

図３に示すように、発光素子１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であって、ＴＦＴ基板１１０（以下、単に「基板１１０」）上に、反射電極１２０、透明電極１３０、正孔注入層１４０、隔壁１５０、機能層としての発光層１６０、電子注入層１７０、共通電極１８０および封止層１９０が積層された積層構造となっている。本実施の形態では、反射電極１２０、透明電極１３０および正孔注入層１４０で下地層１０１が構成される。

なお、発光素子１００には、正孔輸送層、電子輸送層等の上記以外の層が積層されていても良い。また、本発明の一態様に係る機能層は、発光層１６０に限定されず、正孔輸送層やバッファ層等、塗布法により形成可能な層であっても良い。

基板１１０上には、複数の反射電極１２０がマトリックス状に形成されており、各反射電極１２０上に透明電極１３０が形成されている。そして、複数の透明電極１３０の全てを覆うようにして、正孔注入層１４０が形成されている。正孔注入層１４０上には、サブピクセルを規定するための開口１０２が設けられた隔壁１５０が形成されており、開口１０２内に発光層１６０が形成されている。さらに、発光層１６０の上には、電子注入層１７０、共通電極１８０および封止層１９０が、開口１０２内だけでなく隔壁１５０上にも跨って、その順で形成されている。なお、本実施の形態では、正孔注入層１４０が隔壁１５０の下に形成されているが、正孔注入層１４０は発光層１６０と同様に隔壁１５０の開口１０２内に例えば塗布法によって形成されていても良い。

基板１１０は、例えば、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。

反射電極１２０は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、またはＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成されており、陽極として機能するだけでなく、発光層１６０で生じた可視光を反射させ上方へ導く機能を有する。

透明電極１３０は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で形成されており、陽極として機能するだけでなく、反射電極１２０および正孔注入層１４０の間に介在し、それらの層の接合性を良好にする機能も有する。

正孔注入層１４０は、例えば、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物等の金属化合物で形成されている。金属酸化物としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｖ（バナジウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｔｈ（トリウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｄ（カドミウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（錫）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）、およびＬａ（ランタン）からＬｕ（ルテチウム）までのいわゆる希土類元素等の酸化物が挙げられる。

隔壁１５０は、例えば、樹脂等の有機材料またはガラス等の無機材料で形成されている。有機材料の例には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、無機材料の例には、ＳｉＯ₂（酸化シリコン）、Ｓｉ₃Ｎ₄（窒化シリコン）等が挙げられる。図２に示すように、隔壁１５０には、反射電極１２０上方の対応位置、すなわち各サブピクセルに対応する位置に、開口１０２が設けられている。各開口１０２は、平面視において長軸と短軸とを有する形状である。より具体的には、開口１０２は長孔状であって、長軸を挟んで対向する２辺は直線状であり、短軸を挟んで対向する２辺は半円弧状である。

図３に戻って、発光層１６０は、例えば、有機高分子であるＦ８ＢＴ（ｐｏｌｙ（９，９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ））で形成されている。なお、発光層１６０はこの材料からなる構成に限定されず、公知の有機材料を含むように構成することが可能である。たとえば特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

電子注入層１７０は、共通電極１８０から注入された電子を発光層１６０へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、またはこれらの混合物等で形成されている。

共通電極１８０は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等で形成されており、陰極として機能する。

封止層１９０は、発光層１６０等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料で形成されている。

（発光素子の要部構成）
次に、発光素子の要部について説明する。図４は、第１の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図であって、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図２におけるＡ−Ａ線の部分の端面図、図４（ｃ）は図２におけるＢ−Ｂ線の部分の端面図である。なお、図４では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

図４に示すように、反射電極１２０は、基板１１０の上面１１１と平行な上面１２１と、基板１１０の上面１１１に対して傾斜した側面１２２とを有する。側面１２２は、その上端縁１２３が上面１２１と連続しており、その下端縁１２４が基板１１０の上面１１１と接触している。

反射電極１２０は、その表面（上面１２１および側面１２２）でエネルギー線を反射する。反射電極１２０の表面でエネルギー線を効率良く反射させるためには、反射電極１２０がＡｌ、Ｒｈ（ロジウム)等の波長２４５〜３６５ｎｍの光に対して５０〜９０％程度の反射物性を持つメタル等で形成されていることが好ましい。例えば、反射電極１２０がＡｌで形成されている場合は、約９０％の反射率が見込める。

透明電極１３０は、平面視において、反射電極１２０の全体を覆い、且つ、開口１０２の下側の全体を塞ぐように形成されている。透明電極１３０が開口１０２と対応する領域の全体に形成されているため、反射電極１２０の有無に拘わらず、透明電極１３０によって開口１０２内全域において正孔を注入することが可能である。

隔壁１５０は、基板１１０の上面１１１と平行な上面１５１と、基板１１０の上面１１１に対して傾斜した傾斜面１５２とを有する。傾斜面１５２は、開口１０２に臨むように環状に形成されており、その上端縁１５３が上面１５１と連続しており、その下端縁１５４が正孔注入層１４０と接触している。

隔壁１５０は、開口１０２を囲繞する傾斜部１５５を有する。傾斜部１５５とは、基板１１０の上面１１１と垂直な断面において（図４（ｂ）および（ｃ）参照）、傾斜面１５２の上端縁１５３を通り基板１１０の上面１１１と垂直な境界Ｌ１と、傾斜面１５２の下端縁１５４を通り基板１１０の上面１１１と垂直な境界Ｌ２との間の部分である。平面視において（図４（ａ）参照）、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部（図２において符号１０３で示す部分）は、反射電極１２０の上面１２１と重なり、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部（図２において符号１０４で示す部分）は、反射電極１２０の上面１２１と重ならない。

隔壁１５０の表面（上面１５１および傾斜面１５２）は撥液性を有する。表面の撥液性は、隔壁１５０の表面に撥液処理を施すことによって、或いは、隔壁１５０を撥液性の材料で形成することによってもたらされている。

図５は、第１の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図であって、（ａ）は、傾斜部における長軸方向中央部での反射の態様を示す図、（ｂ）は、傾斜部における長軸方向両端部での反射の態様を示す図である。なお、図５では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

図５に示すように、反射電極１２０の上面１２１は基板１１０の上面１１１と平行であるため、反射電極１２０の真上から照射されたエネルギー線は、隔壁１５０や透明電極１３０等を透過して反射電極１２０の上面１２１に入射し、上面１２１によって真上に向け反射される。一方、側面１２２は、基板１１０の上面１１１に対して傾斜しているため、反射電極１２０の真上から照射されエネルギー線は、隔壁１５０や透明電極１３０等を透過して反射電極１２０の側面１２２に入射し、側面１２２によって側方に向け反射される。

基板１１０の上面１１１に対する反射電極１２０の側面１２２の傾斜角度θ１（図４（ａ）および（ｂ）参照）は、２０°以上であることが好ましい。傾斜角度θ１が２０°以上であれば、側面１２２で反射したエネルギー線が傾斜面１５２を透過し難い。さらに、傾斜角度θ１が３０°以上であれば、側面１２２で反射したエネルギー線が傾斜面１５２を殆ど透過することがないためより好ましい。例えば傾斜角度θ１が４５°である場合、反射電極１２０の真上から照射され側面１２２に入射したエネルギー線は、基板１１０の上面１１１と平行な方向、すなわち真横へ向けて反射される。また、傾斜角度θ１は、７０°以下であることが好ましい。傾斜角度θ１が７０°を超えると、反射電極１２０上に形成される透明電極１３０が側面１２２の上端縁１２３のエッジによって切断されるおそれがある。

なお、隔壁１５０の傾斜面１５２の基板１１０の上面１１１に対する傾斜角度θ２は、反射電極１２０の側面１２２で反射したエネルギー線が隔壁１５０の傾斜面１５２を透過し難い構成とするために、４０°以上であることが好ましい。また、傾斜角度θ２は、開口１０２内にインクを留める機能を十分に発揮するために、６０°以下であることが好ましい。

隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４の全体を、反射電極１２０の傾斜面１５２と完全に重ねるためには、基板１１０の上面１１１と垂直な断面において（図４（ｂ）および（ｃ）参照）、反射電極１２０の側面１２２の基板上面１１１と平行な方向の幅Ｗ１が、隔壁１５０の傾斜面１５２の基板上面１１１と平行な方向の幅Ｗ２よりも広い必要がある。平面視において、反射電極１２０の側面１２２が、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４と少しでも重なっていれば、反射電極１２０の上面１２１によって傾斜部１５５へ向け反射されるエネルギー線の量を軽減できるが、隔壁１５０の傾斜面１５２の撥液性をなるべく低下させないという観点からは、傾斜部１５５の全体が側面１２２と重なっていることが好ましい。

エネルギー線の反射の態様は、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４とで異なる。

図５（ａ）に示すように、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４では、傾斜部１５５に対応する位置（傾斜部１５５の真下）に、反射電極１２０の側面１２２が存在しているため、傾斜部１５５を透過して反射電極１２０に到達したエネルギー線は、側方に向けて反射される。したがって、反射したエネルギー線は、傾斜部１５５の下端部を僅かに透過するものの、隔壁１５０の傾斜面１５２は１回しか通過しない。

一方、図５（ｂ）に示すように、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３では、傾斜部１５５に対応する位置に、反射電極１２０の上面１２１が存在しているため、傾斜部１５５を透過して反射電極１２０に到達したエネルギー線は、上方に向けて反射される。したがって、反射したエネルギー線が再び傾斜部１５５全体を透過することになる。この場合は、エネルギー線は隔壁１５０の傾斜面１５２を２回通過する。

このように、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４とでは、傾斜部１５５や傾斜面１５２に照射されるエネルギー線の照射量が異なり、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３に、より多くのエネルギー線が照射される。したがって、長軸方向両端部１０３よりも長軸方向中央部１０４の方が傾斜面１５２の撥液性が高くなる。

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、傾斜面１５２の撥液性が高い長軸方向中央部１０４では、発光層１６０のピンニング位置Ｐ１が低く、傾斜面１５２の撥液性が低い長軸方向両端部１０３では、発光層１６０のピンニング位置Ｐ２が高い。その結果、発光層１６０における長軸方向両端部１０３の膜厚と、発光層１６０における長軸方向中央部１０４の膜厚とが近似する。

＜発光素子の製造方法＞
図６は、第１の実施形態に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。図６（ａ）〜図６（ｄ）において、左側の図は発光素子の長軸方向中央部の端面を示し、右側の図は発光素子の長軸方向両端部１０３の端面を示す。

本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、まず、図６（ａ）に示すように、基板１１０上に、下地層１０１として、反射電極１２０、透明電極１３０および正孔注入層１４０を形成し（下地層形成工程）、その上に隔壁１５０を形成する（隔壁形成工程）。

反射電極１２０は、例えばスパッタリングにより金属薄膜を形成し、当該金属薄膜を例えばフォトリソグラフィでパターニングすることにより形成する。なお、金属薄膜は真空蒸着等で形成しても良い。透明電極１３０は、例えばスパッタリングによりＩＴＯ薄膜を形成し、当該ＩＴＯ薄膜を例えばフォトリソグラフィによりパターニングすることにより形成する。正孔注入層１４０は、例えば真空蒸着法またはスパッタ法等により基板１１０の上面側全体に亘って均一な膜厚でＷＯｘ膜を形成する。

隔壁１５０は、例えば、正孔注入層１４０上に塗布等によりフォトレジスト材料を含むレジスト膜（例えば樹脂膜）を形成し、当該レジスト膜をマスクを介して露光し、その後現像液により現像処理してレジスト膜の所望の部分を除去し、開口１０２を設ける。開口１０２を設ける際には、平面視において、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３が反射電極１２０の上面１２１と重なり、隔壁１５０の傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４が反射電極１２０の上面１２１とは重ならないようにする。

次に、図６（ｂ）に示すように、隔壁１５０の上方から隔壁１５０に向けてエネルギー線を、隔壁１５０の全体に対して一様に照射する（エネルギー線照射工程）。ここで、照射するエネルギー線としては、例えば紫外線を挙げることができる。紫外線の波長としては、例えば２５４ｎｍ、３６５ｎｍ等を挙げることができる。紫外線以外のエネルギー線としては、例えば軟Ｘ線 （Ｓｏｆｔ Ｘ−ｒａｙ）を挙げることができる。なお、エネルギー線は、基板１１０、透明電極１３０、正孔注入層１４０および隔壁１５０を透過することが好ましい。

反射電極１２０の上面１２１が存する領域では、エネルギー線は上面１２１によって上方に向け反射される。そのため、反射電極１２０の上方に位置する隔壁１５０の傾斜部１５５においては、エネルギー線が２回透過し、その豊富なエネルギー線のエネルギーによって、傾斜部１５５の傾斜面１５２の撥液性成分が効率良く分解除去される。このエネルギー線照射工程により、傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４の傾斜面１５２の撥液性は、傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３の傾斜面１５２の撥液性よりも大きくなる。

なお、Ｏ₃（オゾン）存在下にてエネルギー線を照射した場合は、オゾン分子に起因する活性酸素が発生するため、隔壁１５０の表面に存在する微小な残渣を分解除去することができる。そこで、隔壁１５０の表面の撥液性を低下させる際に、隔壁１５０の表面の残渣も分解除去することが効率的である。

次に、図６（ｃ）および図６（ｄ）に示すように、開口１０２内に発光層１６０を形成する（機能層形成工程）。まず、図６（ｃ）に示すように、隔壁１５０に設けられた開口１０２内に例えばインクジェット法によりインク１６１を滴下することで、当該開口１０２内にインク１６１を塗布する。なお、インク１６１は、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の塗布法により塗布しても良い。

傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４では、傾斜面１５２の撥液性が大きいため、未濡れ領域１０５が生じ易い。一方、傾斜部１５５における長軸方向両端部１０３では、傾斜面１５２の撥液性が小さいため、未濡れ領域１０５が生じ難い。

次に、図６（ｄ）に示すように、充填したインク１６１を乾燥させて発光層１６０を形成する。その際、傾斜面１５２の撥液性が大きい長軸方向中央部１０４では、ピンニング位置Ｐ１が低くなり、傾斜面１５２の撥液性が小さい長軸方向両端部１０３では、ピンニング位置Ｐ２が高くなる。ピンニング位置が低いほど傾斜面１５２に付着する機能性材料の量が少なくなるため、ピンニング位置による影響だけを考えた場合、発光層１６０の長軸方向中央部１０４の膜厚は、発光層１６０における長軸方向両端部１０３の膜厚よりも薄くなり易い。

しかしながら、本来、長軸方向中央部１０４の傾斜面１５２は長軸方向両端部１０３の傾斜面１５２よりも濡れ性が良いため、長軸方向中央部１０４の傾斜面１５２の方が機能性材料が付着し易い。そして、ピンニング位置が同じ高さである場合は、発光層１６０の長軸方向中央部１０４の膜厚は、発光層１６０における長軸方向両端部１０３の膜厚よりも厚くなるはずである。ところが、上述したように、長軸方向中央部１０４はピンニング位置が低いため、濡れ性が発光層１６０の膜厚に与える影響と、ピンニング位置が発光層１６０の膜厚に与える影響とが打ち消し合って、発光層１６０の長軸方向中央部１０４の膜厚と、発光層１６０における長軸方向両端部１０３の膜厚とが近似する。

発光層１６０の形成後は、例えば真空蒸着により電子注入層１７０となるバリウム薄膜を形成し、その後、例えばスパッタリングにより共通電極１８０となるＩＴＯ薄膜を形成し、最後に、封止層１９０を形成して発光素子１００が完成する。さらに、上記の工程により発光素子１００を複数形成することで、表示パネル１０が完成する。

以上のような本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、平面視において、傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４と、反射電極１２０の側面１２２とが重ならない構成であるため、発光層１６０を均一な膜厚にすることができた。

一方、従来の製造方法のように、平面視において、傾斜部における長軸方向中央部と、反射電極の上面とが重なっている場合は、発光層の膜厚を均一にすることは困難である。その理由を以下に詳細に説明する。

図７は、比較例１に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。図７（ａ）〜図７（ｄ）において、左側の図は発光素子の長軸方向中央部の端面を示し、右側の図は発光素子の長軸方向両端部の端面を示す。

従来の発光素子の製造方法においても、図７（ａ）に示すように、基板１１１０上に、下地層として、反射電極１１２０、透明電極１１３０、正孔注入層１１４０および隔壁１１５０を形成し、次に、図７（ｂ）に示すように、隔壁１１５０の上方から隔壁１１５０に向けてエネルギー線を照射し、次に、図７（ｃ）に示すように、隔壁１１５０に設けられた開口内にインク１１６１を滴下し、次に、図７（ｄ）に示すように、インクを乾燥させて機能層を形成する。

しかしながら、平面視において、傾斜部１１５５における長軸方向中央部１０４と反射電極１１２０の上面１１２１とが重なっているため、上面１１２１によってエネルギー線が反射され、図７（ｂ）の左側の図のように、エネルギー線は傾斜面１１５２を２回透過する。そうすると、エネルギー線の透過により傾斜面１１５２の撥液性が低下する程度は、長軸方向中央部１０４と長軸方向両端部１０３とで同程度である。したがって、図７（ｃ）に示すように、傾斜面１１５２に対するインク１１６１の接触度も同程度となり、図７（ｄ）に示すように、長軸方向中央部１０４におけるピンニング位置Ｐ１と、長軸方向両端部１０３におけるピンニング位置Ｐ２とが同程度の高さとなる。そうすると、濡れ性の良い長軸方向中央部１０４の傾斜面１１５２の方が、傾斜面１１５２に機能性材料が付着し易いため、発光層１１６０における長軸方向中央部１０４の膜厚が厚くなってしまう。

図８は、比較例２に係る発光素子の製造方法の要部を説明するための工程図である。図８（ａ）〜図８（ｃ）において、左側の図は発光素子の長軸方向中央部の端面を示し、右側の図は発光素子の長軸方向両端部の端面を示す。

次に、仮にエネルギー線を全く照射しなかった場合について説明する。図８（ａ）に示すように、基板１１１０上に、下地層として、反射電極１１２０、透明電極１１３０、正孔注入層１１４０および隔壁１１５０を形成し、次に、エネルギー線を照射することなく、図８（ｂ）に示すように、隔壁１１５０に設けられた開口内にインク１１６１を滴下し、図８（ｃ）に示すように、インクを乾燥させて発光層１１６０を形成したとする場合、長軸方向中央部１０４および長軸方向両端部１０３のいずれにおいても、傾斜面１１５２の撥液性は大きいままであり、傾斜面１１５２に見濡れ領域１１０５が生じ得る。そうすると、濡れ性の悪い長軸方向両端部１０３においては、図８（ｃ）に示すように、正孔注入層１１４０の上面に未濡れ領域１１０６が生じ得る。

（エネルギー線の照射量と傾斜面の撥液性との関係）
エネルギー線の照射量と傾斜面の撥液性との関係を、以下の実験により検証した。実験にあたって、上記した製造方法と同様の方法により、基板上に反射電極および隔壁だけを形成したサンプル１を作製した。また、反射電極を形成しない以外はサンプル１と同様の構成のサンプル２を作製した。

これらサンプルについて、まず、エネルギー線を照射する前の隔壁に機能性材料を含むインクを接触させ、接触角を測定した。次に、エネルギー線として波長２５４ｎｍの紫外光を１８０ｓｅｃ照射し、さらに２００℃にて１５分間ベーク処理を行なった後、先と同様の手順で隔壁にインクを接触させ、接触角を測定した。

図９は、エネルギー線の照射とインクの接触角との関係を示す図である。図９に示すように、エネルギー線を照射することによって、どちらのサンプルもインクの接触角が小さくなった。これは、エネルギー線の照射により隔壁の表面の撥液性が低下したためであると考えられる。また、反射電極を形成したサンプル１の方がインクの接触角が小さくなったことから、エネルギー線が反射電極で反射される構造の方が、隔壁の表面の撥液性がより低下し易いと考えられる。

（傾斜面の撥液性と機能層の膜厚との関係）
次に、傾斜面の撥液性と機能層の膜厚との関係を検証した。実験では、隔壁の下方に反射電極が形成されているトップエミッション型の発光素子と、隔壁の下方に反射電極が形成されていないボトムエミッション型の発光素子とを作製した。

図１０は、反射電極の有無が機能層の膜厚に与える影響を示す図である。図１０に示すように、同じ液滴数のインクを開口内に滴下した場合、ボトムエミッション型の発光素子よりもトップエミッション型の発光素子の方が、機能層における中央部分の膜厚が薄くなった。

トップエミッション型の発光素子では、反射電極によってエネルギー線が反射されるため、隔壁の傾斜面の撥液性は小さく、隔壁の傾斜面に付着する機能性材料の量は多い。そうすると、開口の中央部分においては機能性材料が不足するため、機能層における中央部分の膜厚が薄くなると考えられる。一方、ボトムエミッション型の発光素子では、反射電極によってエネルギー線が反射されないため、隔壁の傾斜面の撥液性は大きく、隔壁の傾斜面に付着する機能性材料の量は少ない。そうすると、開口の中央部分において機能性材料が不足しないため、機能層における中央部分の膜厚が厚くなると考えられる。この結果から、隔壁の傾斜面の撥液性が大きくなると、傾斜面近傍においては機能層の膜厚が薄くなることが確認できた。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態に係る発光素子は、平面視において、隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が、反射電極の上面および側面のいずれとも重ならない点において、隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が反射電極の側面と重なる第１の実施形態に係る発光素子と相違する。その他の点においては、基本的には、第１の実施形態に係る発光素子と同様である。以下には、第１の実施形態に係る発光素子との相違点についてのみ説明する。

図１１は、第２の実施形態に係る発光素子を示す端面図であって、図２におけるＡ−Ａ線の部分を切断した端面図である。図１２は、第２の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図であって、図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は図２におけるＡ−Ａ線の部分の端面図である。なお、図１２では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

図１１に示すように、第２の実施形態に係る発光素子１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であって、基板２１０上に、反射電極２２０、透明電極２３０、正孔注入層２４０、隔壁２５０、発光層２６０、電子注入層２７０、共通電極２８０および封止層２９０が積層された積層構造となっている。下地層２０１は、反射電極２２０、透明電極２３０および正孔注入層２４０で構成される。

反射電極２２０は、基板２１０の上面２１１と平行な上面２２１と、基板２１０の上面２１１に対して傾斜した側面２２２とを有し、それら上面２２１および側面２２２でエネルギー線を反射する。側面２２２は、その上端縁２２３が上面２２１と連続しており、その下端縁２２４が基板２１０の上面２１１と接触している。

隔壁２５０は、基板２１０の上面２１１と平行な上面２５１と、基板２１０の上面２１１に対して傾斜した傾斜面２５２とを有し、それら上面２５１および傾斜面２５２は撥液性を有する。傾斜面２５２は、開口２０２に臨むように環状に形成されており、その上端縁２５３が上面２５１と連続しており、その下端縁２５４が正孔注入層２４０と接触している。

隔壁２５０は、開口２０２を囲繞する傾斜部２５５を有する。傾斜部２５５とは、基板２１０の上面２１１と垂直な断面において（図１２（ｂ）参照）、傾斜面２５２の上端縁２５３を通り基板２１０の上面２１１と垂直な境界Ｌ１と、傾斜面２５２の下端縁２５４を通り基板２１０の上面２１１と垂直な境界Ｌ２との間の部分である。

平面視において（図１２（ａ）参照）、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向両端部（図２において符号１０３で示す部分）は、反射電極２２０の上面２２１と重なり、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向中央部（図２において符号１０４で示す部分）は、反射電極２２０の上面２２１とも側面２２２とも重ならない。言い換えれば、平面視において、反射電極２２０の側面２２２の下端縁２２４は、開口２０２内に位置し、且つ、隔壁２５０の傾斜面２５２とは接触していない。なお、平面視において、隔壁２５０と反射電極２２０との間には隙間があるが、図１１に示すように、その隙間にも発光層２６０は存在する。したがって、発光層２６０から出射される光は、その隙間を通って基板１１０の下面側にも出射される。すなわち、トップエミッション型の発光素子２００でありながら、ボトム側にも光が出射される。

図１３は、第２の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図であって、（ａ）は、傾斜部における長軸方向中央部での反射の態様を示す図、（ｂ）は、傾斜部における長軸方向両端部での反射の態様を示す図である。なお、図１３では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

図１３に示すように、エネルギー線の反射の態様は、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向中央部１０４とで異なる。

図１３（ａ）に示すように、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向両端部１０３では、傾斜部２５５に対応する位置（傾斜部２５５の真下）に、反射電極２２０の上面１２１も側面２２２も存在しておらず、傾斜部２５５を透過したエネルギー線は、さらに透明電極２３０、基板２１０等を透過して、基板１１０の下面側に抜ける。この場合は、エネルギー線は隔壁２５０の傾斜面２５２を１回しか通過しない。

一方、図１３（ｂ）に示すように、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向中央部１０４では、傾斜部２５５に対応する位置に、反射電極２２０の上面２２１が存在しているため、傾斜部２５５を透過して反射電極２２０に到達したエネルギー線は、上方に向けて反射される。したがって、反射したエネルギー線が再び傾斜部２５５全体を透過することになる。この場合は、エネルギー線は隔壁２５０の傾斜面２５２を２回通過する。

このように、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向中央部１０４とでは、傾斜部２５５や傾斜面２５２に照射されるエネルギー線の照射量が異なり、隔壁２５０の傾斜部２５５における長軸方向両端部１０３に、より多くのエネルギー線が照射される。したがって、長軸方向両端部１０３よりも長軸方向中央部１０４の方が傾斜面２５２の撥液性が高くなる。

そして、図１１に示すように、傾斜面２５２の撥液性が高い長軸方向中央部１０４では、ピンニング位置Ｐ１が低くなる。一方、傾斜面２５２の撥液性が低い長軸方向両端部１０３では、図３（ｂ）に示す第１の実施形態に係る発光素子１００の場合と同様に、ピンニング位置Ｐ２は高い。その結果、発光層２６０における長軸方向両端部１０３の膜厚と、発光層２６０における長軸方向中央部１０４の膜厚とが近似する。

第２の実施形態に係る発光素子２００の構成の場合は、平面視において、反射電極２２０と隔壁２５０とが重ならなければ良いだけであるため、反射電極２２０と隔壁２５０との間の隙間を広くしておけば、開口２０２の位置が多少ずれたとしても、反射電極２２０で反射されたエネルギー線が、傾斜部２５５における長軸方向中央部１０４を透過することがない。そのため、傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４の真下に反射電極１２０の側面１２２を厳密に位置決めする必要がある第１の実施形態に係る発光素子１００の構成と比較して、開口２０２を設ける際の位置精度を厳密にコントロールする必要がない。

第２の実施形態に係る発光素子２００は、基本的には、第１の実施形態に係る発光素子１００と同様の製造方法で製造することができる。第１の実施形態に係る発光素子１００の製造方法と相違する点は、平面視において、傾斜部２５５における長軸方向中央部１０４が反射電極２２０と重ならないように、反射電極２２０の短手方向の幅を、第１の実施形態に係る反射電極１２０の短手方向の幅よりも狭く形成する点である。

＜第３の実施形態＞
第３の実施形態に係る発光素子は、反射電極の側面が基板の上面に対して略垂直である点、および、反射電極が平面視において略Ｈ形である点において、反射電極の側面が傾斜面であり、反射電極が平面視において長方形である第１の実施形態に係る発光素子と相違する。その他の点においては、基本的には、第１の実施形態に係る発光素子と同様である。以下には、第１の実施形態に係る発光素子との相違点についてのみ説明する。

図１４は、第３の実施形態に係る発光素子の反射電極、透明電極および隔壁を示す模式図であって、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）は図２におけるＡ−Ａ線の部分の端面図、図１４（ｃ）は図２におけるＢ−Ｂ線の部分の端面図である。

図１４に示すように、第３の実施形態に係る発光素子は、第１の実施形態に係る発光素子１００と同様に、基板上に、反射電極３２０、透明電極３３０、正孔注入層、隔壁３５０、発光層、電子注入層、共通電極および封止層が積層された積層構造となっている。なお、図１４では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

反射電極３２０は、基板の上面と平行な上面３２１と、基板の上面に対して略垂直である側面３２２とを有し、上面３２１でエネルギー線を反射する。側面３２２は、その上端縁３２３が上面３２１と連続しており、その下端縁３２４が基板の上面と接触している。

隔壁３５０は、基板の上面と平行な上面３５１と、基板の上面に対して傾斜した傾斜面３５２とを有し、それら上面３５１および傾斜面３５２は撥液性を有する。傾斜面３５２は、開口３０２に臨むように環状に形成されており、その上端縁３５３が上面３５１と連続しており、その下端縁３５４が正孔注入層と接触している。

隔壁３５０は、開口３０２を囲繞する傾斜部３５５を有する。傾斜部３５５とは、基板の上面と垂直な断面において（図１４（ｂ）参照）、傾斜面３５２の上端縁３５３を通り基板の上面と垂直な境界Ｌ１と、傾斜面３５２の下端縁３５４を通り基板の上面と垂直な境界Ｌ２との間の部分である。

平面視において（図１４（ａ）参照）、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向両端部（図２において符号１０３で示す部分）は、反射電極３２０の上面３２１と重なり、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向中央部（図２において符号１０４で示す部分）は、反射電極３２０の上面３２１と重ならない。基板の上面と略垂直である反射電極３２０の側面３２２も、平面視において、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４と重ならない。

また、反射電極３２０は、開口長軸方向両端部３２５（開口３０２の短軸を挟んで対向する半円弧状の２辺の下方に対応する部分）の開口短軸方向の幅Ｗ３が、隔壁３５０の傾斜部３５５の下方に反射電極３２０の上面３２１が存在する程度に広い幅で形成されており、長軸方向両端部３２５以外の部分３２６の開口短軸方向の幅Ｗ４が、隔壁３５０と反射電極３２０との間に隙間が生じる程度に狭い幅で形成されている。

平面視において、側面３２２の上端縁３２３と下端縁３２４とは略一致しており、開口３０２内に位置し、隔壁３５０の傾斜面３５２とは重ならない。また、平面視において、隔壁３５０と反射電極３２０との間には隙間があり、その隙間にも発光層は存在している。したがって、発光層から出射される光は、その隙間を通って基板１１０の下面側に出射される。すなわち、トップエミッション型の発光素子２００でありながら、ボトム側にも光が取り出される。しかも、反射電極３２０は、開口長軸方向両端部３２５を除いて、開口短軸方向の幅Ｗ４が狭くなっているため、ボトム側への光の取り出し効率が良い。

第３の実施形態に係る発光素子３００は、第２の実施形態に係る発光素子２００と違って反射電極３２０の側面３２２が基板の上面と略垂直であるため、隔壁３５０と反射電極３２０との間の隙間の幅が広い。この点においても、ボトム側への光の取り出し効率が良い。

図１５は、第３の実施形態に係る発光素子におけるエネルギー線の反射の態様を示す模式図であって、（ａ）は、傾斜部における長軸方向中央部での反射の態様を示す図、（ｂ）は、傾斜部における長軸方向両端部での反射の態様を示す図である。なお、図１５では、反射電極、透明電極および隔壁以外の層は省略している。

図１５に示すように、エネルギー線の反射の態様は、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４とで異なる。

図１５（ａ）に示すように、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４では、傾斜部３５５に対応する位置（傾斜部３５５の真下）に、反射電極３２０の上面３２１および側面３２２が存在していないため、傾斜部３５５を透過したエネルギー線は、さらに透明電極３３０、基板等を透過して、基板の下面側に抜ける。この場合は、エネルギー線は隔壁３５０の傾斜面３５２を１回しか通過しない。

一方、図１５（ｂ）に示すように、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向両端部１０３では、傾斜部３５５に対応する位置に、反射電極３２０の上面３２１が存在しているため、傾斜部３５５を透過して反射電極３２０に到達したエネルギー線は、上方に向けて反射される。したがって、反射したエネルギー線が再び傾斜部３５５全体を透過することになる。この場合は、エネルギー線は隔壁３５０の傾斜面３５２を２回通過する。

このように、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向両端部１０３と、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４とでは、傾斜部３５５や傾斜面３５２に照射されるエネルギー線の照射量が異なり、隔壁３５０の傾斜部３５５における長軸方向両端部１０３に、より多くのエネルギー線が照射される。したがって、長軸方向両端部１０３よりも長軸方向中央部１０４の方が傾斜面３５２の撥液性が高くなる。

したがって、傾斜面３５２の撥液性が高い長軸方向中央部１０４では、図３（ａ）に示す第１の実施形態に係る発光素子１００の場合と同様に、ピンニング位置Ｐ１は低くなる。一方、傾斜面３５２の撥液性が低い長軸方向両端部１０３では、図３（ｂ）に示す第１の実施形態に係る発光素子１００の場合と同様に、ピンニング位置Ｐ２は高くなる。その結果、発光層における長軸方向両端部１０３の膜厚と、発光層における長軸方向中央部１０４の膜厚が近似する。

第３の実施形態に係る発光素子３００は、第２の実施形態に係る発光素子２００の場合と同様に、平面視において、反射電極３２０と隔壁３５０とが重ならなければ良いだけであるため、反射電極３２０と隔壁３５０との間の隙間を広くしておけば、開口３０２の位置が多少ずれたとしても、反射電極３２０で反射されたエネルギー線が、傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４を透過することがない。そのため、傾斜部１５５における長軸方向中央部１０４の真下に反射電極１２０の側面１２２を厳密に位置決めする必要がある第１の実施形態に係る発光素子１００の構成と比較して、開口３０２を設ける際の位置精度を厳密にコントロールする必要がない。さらに、反射電極３２０が平面視において略Ｈ形に形成されているため、第２の実施形態に係る発光素子２００の場合と比べて、発光層からの光を基板の下面側へより多く出射させることができる。

第２の実施形態に係る発光素子２００は、基本的には、第１の実施形態に係る発光素子１００と同様の製造方法で製造することができる。第１の実施形態に係る発光素子１００の製造方法と異なるのは、平面視において、傾斜部３５５における長軸方向中央部１０４と反射電極３２０とが重ならず、且つ、発光層からの光が反射電極３２０と隔壁３５０との隙間から基板の下面側へ向けて出射されるように、略Ｈ形の反射電極３２０を形成する点である。さらに、反射電極３２０を形成する際に、反射電極３２０の側面３２２が基板の上面と略垂直となるよう金属薄膜をパターニングする点である。

＜その他＞
以上、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法、発光素子および表示パネルを第１〜第３の実施形態に基づいて具体的に説明してきたが、本発明の内容は、上記の第１〜第３の実施形態に限定されない。例えば、第１および第２の実施形態において、正孔注入層１４０，２４０を隔壁１５０，２５０の下に形成した構成で説明したが、当該構成で限定されることはない。例えば、正孔注入層を発光層と同様に、塗布法によって、隔壁の開口内に形成しても良い。

さらに、上記の第１〜第３の実施形態の部分的な構成を適宜組み合わせてなる発光素子の製造方法、発光素子および表示パネルであっても良い。

本発明は、例えば携帯電話用のディスプレイやテレビ等の表示素子、各種光源等に使用される発光素子の製造方法として利用可能である。

１０ 表示パネル。

１００，２００，３００ 発光素子
１０１，２０１ 下地層
１０２，２０２，３０２ 開口
１０３ 長軸方向両端部
１０４ 長軸方向中央部
１１０，２１０ 基板
１１１，２１１ 上面
１２０，２２０，３２０ 反射電極
１２１，２２１，３２１ 上面
１２２，２２２，３２２ 側面
１３０，２３０，３３０ 透明電極
１５０，２５０，３５０ 隔壁
１５５，２５５，３５５ 傾斜部
１６０，２６０ 機能層（発光層）

Claims (10)

1. 基板上に、反射電極を含む下地層を形成する下地層形成工程と、
   長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、且つ、前記開口を囲繞する傾斜部を有する、撥液性の隔壁を、前記下地層上に形成する隔壁形成工程と、
   前記隔壁の上方から前記隔壁へ向けて、前記隔壁を透過し且つ前記反射電極の上面で上方に向け反射される特性のエネルギー線を照射し、前記隔壁の撥液性を低下させるエネルギー線照射工程と、
   前記開口内であって前記下地層上に機能層を形成する機能層形成工程と、を含み、
   前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なり、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重ならない位置に隔壁を形成する
   発光素子の製造方法。
2. 前記下地層形成工程では、前記反射電極の上面と連続する側面が傾斜面となるように前記反射電極を形成し、
   前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の側面と重なる位置に隔壁を形成する
   請求項１記載の発光素子の製造方法。
3. 前記下地層形成工程では、前記反射電極の側面が前記基板の上面に対して２０°以上７０°以下の傾斜角となるように前記反射電極を形成する
   請求項２に記載の発光素子の製造方法。
4. 前記隔壁形成工程では、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が、前記反射電極の上面およびその上面と連続する側面のいずれとも重ならない位置に隔壁を形成する
   請求項１に記載の発光素子の製造方法。
5. 前記下地層形成工程では、前記反射電極の側面が前記基板の上面に対して略垂直となるように前記反射電極を形成する
   請求項４に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記下地層形成工程では、前記開口の下側の全体を覆うように透明電極を形成する
   請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
7. 基板と、
   反射電極を含み前記基板上に形成された下地層と、
   長軸と短軸とを有する形状の開口が前記反射電極上方の対応位置に設けられ、前記開口を囲繞する傾斜部を有し、前記下地層上に形成された撥液性の隔壁と、
   前記開口内であって前記下地層上に形成された機能層と、を有し、
   前記隔壁は、平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向両端部が前記反射電極の上面と重なっており、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の上面とは重なっていない
   発光素子。
8. 前記反射電極は、前記上面と連続する側面が傾斜面であって、
   平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極の傾斜面と重なっている
   請求項７に記載の発光素子。
9. 平面視において、前記隔壁の傾斜部における長軸方向中央部が前記反射電極と重なっていない
   請求項７に記載の発光素子。
10. 請求項７〜９のいずれかに記載の発光素子を複数備える
    表示パネル。

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