JP2020119842A - 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して封止性を向上する。【解決手段】基板１００ｘ上に配された樹脂材料を含む平坦化層１１８と、平坦化層上方に配され、複数の有機ＥＬ素子１００からなる有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒと、平坦化層上において、平面視において有機ＥＬ素子アレイが存在する領域の外方に延在し、複数の開口１４０ｏｐが開設された電極板１４０と、電極板の複数の開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる複数の封止部材１４１と、有機ＥＬ素子アレイを覆い、基板の外縁近傍まで延在する無機材料からなる封止層１２６とを備え、複数の有機ＥＬ素子における共通電極１２５は、平面視において電極板の上面において電極板の外縁近傍まで延在している。【選択図】図５

Description

本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルに関し、特に、各画素を構成する有機ＥＬ表示素子が配された画像表示領域を囲繞する周辺領域の封止性を向上する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。

従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、平坦化絶縁層に覆われたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）基板上に、少なくとも、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。画素電極と有機発光層の間、または、共通電極と有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが設けられる。これらの層は、水分と反応すると発光特性が劣化する材料を含むことがある。有機ＥＬ表示パネルの表示品質の経時的な劣化を抑制するために、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止技術が重要となる。

有機ＥＬ素子は、画素電極と共通電極との間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板全面にわたって成膜することが多く、画像表示領域以外の周辺領域に設けられた電極板を介して有機ＥＬ素子に電流を供給するための給電部と電気的に接続されている。電極板は、必要な電極面積を確保するために連続膜として形成されることが多く、平坦化絶縁層に含まれる水分を除去するための開口（スリット）を設けて、有機ＥＬ素子の製造工程において、有機物から水分を除去するためにベーク処理を行う際に、設けた開口から平坦化絶縁膜内の水分を外部に排出する技術が提案されていた（例えば、特許文献１〜３）

国際公開第２０１１／０４５９１１号 国際公開第２０１０／０５５４９６号 特開２００５−２６６６６７号公報

ところが、有機ＥＬ表示パネルの製造工程において、電極板に設けた開口（スリット）の内壁近傍において共通電極に段切れが生じ、さらに封止層を成膜する際に段切れ部分を被覆できずに、開口の内壁近傍にシーム（不連続部）が生じることがあった。このような場合、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて十分な封止性が確保されない場合があり有機ＥＬ素子の劣化の可能性があった。特に、画素電極と同一階層に形成される電極板を多層構造とした場合には、開口を設ける際に、エッチングレートの違いによりサイドエッジが入る可能性があり、共通電極の段切れが顕著となる結果、封止層にシームが入りやすい傾向があった。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ表示パネルの画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して、封止性を向上する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に配された樹脂材料を含む平坦化層と、前記平坦化層上方に配され、複数の有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ素子アレイと、前記平坦化層上において、平面視において前記有機ＥＬ素子アレイが存在する領域の外方に延在し、複数の開口が開設された電極板と、前記電極板の前記複数の開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる複数の封止部材と、前記有機ＥＬ素子アレイを覆い、前記基板の外縁近傍まで延在する無機材料からなる封止層とを備え、前記複数の有機ＥＬ素子における共通電極は、平面視において前記電極板の上面において前記電極板の外縁近傍まで延在し、前記電極板の前記開口の内部では前記封止部材又は前記平坦化層上面に連続して配され、前記封止層は、前記電極板の前記開口の内部では前記共通電極上面に沿って連続して配されていることを特徴とする。

本開示の一態様に係る表示パネル、表示パネルの製造方法によると、有機ＥＬ表示パネルの画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して封止性を向上することができる。

実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０の平面図である。 図１におけるＡ部の模式平面図である。 図１におけるＢ部の模式平面図である。 図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。 図４におけるＸ２−Ｘ２で切断した模式断面図である。 （ａ）は、図３におけるＣ部の拡大図、（ｂ）は、図５におけるＤ部の拡大図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＸ２−Ｘ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＸ２−Ｘ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＸ２−Ｘ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＸ２−Ｘ２と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 比較例に係る表示パネルの図１のＢ部と同じ位置における模式平面図である。 （ａ）は、比較例に係る表示パネルの図１３におけるＸ３−Ｘ３で切断した模式断面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＥ部の拡大図である。 実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 （ａ）〜（ｃ）は、変形例１〜３に係る表示パネルの図１のＢ部と同じ位置における模式平面図である。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る表示パネルは、基板と、前記基板上に配された樹脂材料を含む平坦化層と、前記平坦化層上方に配され、複数の有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ素子アレイと、前記平坦化層上において、平面視において前記有機ＥＬ素子アレイが存在する領域の外方に延在し、複数の開口が開設された電極板と、前記電極板の前記複数の開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる複数の封止部材と、前記有機ＥＬ素子アレイを覆い、前記基板の外縁近傍まで延在する無機材料からなる封止層とを備え、前記複数の有機ＥＬ素子における共通電極は、平面視において前記電極板の上面において前記電極板の外縁近傍まで延在し、前記電極板の前記開口の内部では前記封止部材又は前記平坦化層上面に連続して配され、前記封止層は、前記電極板の前記開口の内部では前記共通電極上面に沿って連続して配されていることを特徴とする。

係る構成により、有機ＥＬ表示パネルの画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して封止性を向上することができる。すなわち、封止層は開口の内壁部分の近傍においてシームや空洞といった膜欠陥を発生することがなく封止層の気密性は確保される。その結果、封止膜は有機ＥＬ素子アレイを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能し、表示パネルの製造過程及び完成後において有機ＥＬ素子アレイへの水分等の侵入を遮断し、有機ＥＬ素子アレイの劣化を十分に抑制することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記封止部材は、平面視において孔が開設されている構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記封止部材は、前記孔の最小幅は１０μｍ以上である構成としてもよい。
係る構成により、製造工程において、ホール注入層、ホール輸送層、列バンク、発光層の成膜後の焼成時に、平坦化層から除去される水分が電極板の開口及び封止部材の孔を通って上方に排出させることができる。ベーク処理に伴う孔からの水分の排出を十分に行うことで、平坦化層等、封止層内方に含まれる残留水分を十分に除去して、表示パネルの完成後においても発光層を含む機能層の劣化を抑制することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記電極板は、金属又は当該金属を含む合金からなる下層と、前記下層の上面に積層された金属酸化物からなる上層を含む構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記電極板の前記開口の内壁では、前記上層は前記下層よりも前記開口の内方に向けて突出している構成としてもよい。

これに対し、実施の形態に係る表示パネルは、電極板の少なくとも複数の開口の内壁部分をそれぞれ覆う有機材料からなる複数の封止部材を備えた構成を採る。封止部材１４１が有機材料で構成されることにより、電極板の開口の内壁部分において、金属酸化物層が金属層よりも孔内方に突出している場合でも、封止部材に所定の肉厚を持たせることができるので、金属酸化物層の突出部分を囲い込み、封止部材を開口１４０ｏｐの内壁部分に密着させて形成することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記孔の孔幅は上方が拡幅したテーパ形状である構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記封止部材は、前記電極板の前記開口の内壁の上縁部に、前記電極板の上面に乗り上げ上方が縮幅するフランジ部を有する構成としてもよい。
係る構成により、表示パネルでは、共通電極は、電極板の開口の内部では封止部材又は平坦化層上面に連続して配され、さらに、封止層は、電極板の開口の内部では共通電極の上面に沿って連続して配される構成を実現できる。すなわち、表示パネル１０では、封止層は開口の内壁部分の近傍においてシームや空洞といった膜欠陥を発生することがなく封止層の気密性は確保される。その結果、封止膜は有機ＥＬ素子アレイを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能し、表示パネルの製造過程及び完成後において有機ＥＬ素子アレイへの水分等の侵入を遮断し、有機ＥＬ素子アレイの劣化を防止することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記下層は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金からなる構成としてもよい。
係る構成により、製造工程において電極板の金属層と画素電極とを同時に形成することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記上層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる構成としてもよい。

係る構成により、製造工程において、画素電極上にＩＴＯ又はＩＺＯを設けたときに、電極板の金属酸化物層とを同時に形成することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記金属酸化物の金属は、Ｗ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｉｒのいずれかを含む構成としてもよい。
係る構成により、製造工程において、電極板の金属酸化物層とホール注入層とを同時に形成することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記有機ＥＬ素子アレイは、前記平坦化層上面に前記有機ＥＬ素子に対応して行列状に配された複数の画素電極を含み、列方向に隣接する前記画素電極の間隙に行方向に延伸して配された行バンクとを備え、前記封止部材は、前記行バンクと同一の材料からなる構成としてもよい。
係る構成により、有機材料からなる封止部材を行バンクと同時に形成することができる。行バンクと封止部材とは構成材料、高さ及び階層が等価であり、製造過程において同時に形成することで必要な特性を確保したうえで製造効率を向上できる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記有機ＥＬ素子アレイは、前記平坦化層上面に前記有機ＥＬ素子に対応して行列状に配された複数の画素電極を含み、行方向に隣接する前記画素電極の間隙に列方向に延伸して配された列バンクとを備え、前記封止部材は、前記列バンクと同一の材料からなる構成としてもよい。
係る構成により、有機材料からなる封止部材を列バンクと同時に形成することができる。

また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、画素が行列状に複数配された表示素子アレイを含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上面に平坦化層を形成する工程と、前記平坦化層の上面に行列状に複数の画素電極と、平面視において前記複数の画素電極の外方に複数の開口が開設された電極板とを形成する工程と、前記電極板の前記開口内の前記平坦化層の上面に、前記電極板の前記開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる封止部材を形成する工程と、前記画素電極の上方に発光層を含む機能層を形成する工程と、前記発光層の上方及び前記電極板上に共通電極を形成する工程と、前記共通電極の上方に封止層を形成する工程とを有することを特徴とする。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記共通電極は、前記電極板の前記開口の内部では前記封止部材又は前記平坦化層上面に連続し形成し、前記封止層は、前記電極板の前記開口の内部では前記共通電極上面に沿って連続して形成する構成としてもよい。

係る構成により、有機ＥＬ表示パネルの画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して封止性を向上する有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記封止部材の形成では、平面視において孔が開設されている構成としてもよい。

係る構成により、有機ＥＬ表示パネルの製造工程において、ホール注入層、ホール輸送層、列バンク、発光層の成膜後の焼成時に、平坦化層から除去される水分が電極板の開口及び封止部材の孔を通って上方に排出させることができる。ベーク処理に伴う孔からの水分の排出を十分に行うことで、平坦化層等、封止層内方に含まれる残留水分を十分に除去して、表示パネルの完成後においても発光層を含む機能層の劣化を抑制することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記封止部材を形成する工程では、前記平坦化層の上面に、前記封止部材と同一の有機材料からなる、前記画素電極の列方向の間に行方向に延伸した複数の行バンク、又は前記画素電極の行方向の間に列方向に延伸した複数の列バンクを形成する構成としてもよい。
係る構成により、有機材料からなる封止部材を行又は列バンクと同時に形成することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記電極板を形成する工程では、前記平坦化層の上面に金属又は当該金属を含む合金を含む下層と、前記下層の上面に金属酸化物の前駆体を含む上層を成膜した後パターニングし、その後、エッチングにより金属又は当該金属を含む合金からなる下層と、前記下層の上面に積層された金属酸化物からなる上層を含む前記電極板を形成する構成としてもよい。

これに対し、実施の形態に係る表示パネルは、電極板の少なくとも複数の開口の内壁部分をそれぞれ覆う有機材料からなる複数の封止部材を備えた構成を採る。封止部材１４１が有機材料で構成されることにより、電極板の開口の内壁部分において、サイドエッチにより下層を構成する金属酸化物層が金属層よりも孔内方に突出している場合でも、封止部材に所定の肉厚を持たせることができるので、金属酸化物層の突出部分を囲い込み、封止部材を開口の内壁部分に密着させて形成することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記機能層を形成する工程では、前記画素電極の上方に有機機能材料を含むインクを塗布した後、焼成して前記機能層を形成する構成としてもよい。
係る構成により、ホール注入層、ホール輸送層、発光層等の機能層の成膜後のベーク処理に伴う孔からの水分の排出を十分に行うことで、平坦化層等、封止層内方に含まれる残留水分を十分に除去して、電極板の開口及び封止部材の孔を通って上方に排出させることができる。これより、表示パネルの完成後においても発光層を含む機能層の劣化を抑制することができる。

≪実施の形態≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
＜表示パネル１０の全体構成＞
図１は、実施の形態１に係る表示パネル１０の平面図である。図２は、図１におけるＡ部の拡大図である。図３は、図１におけるＢ部の拡大図である。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。同図に示すように表示パネル１０は、平面視したとき、画像表示領域１０ａと、画像表示領域１０ａの基板外方に位置する周辺領域１０ｂとを有する。

＜表示パネル１０の画像表示領域１０ａの構成＞
画像表示領域１０ａには、複数の単位画素１００ｅがマトリクス状に配列されている。それぞれの単位画素１００ｅは発光色の異なる複数の副画素１００ｓｅを含み、１つの副画素１００ｓｅが１つの有機ＥＬ素子１００から構成されている。これらの複数の有機ＥＬ素子１００が表示パネル１０の画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列され有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを構成している。図３に示すように、表示パネル１０の画像表示領域１０ａには、それぞれが画素電極１１９を有し、Ｒ、Ｇ、Ｂの副画素１００ｓｅを備えた単位画素１００ｅが行列状に配され有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを構成している。

図２は、表示パネル１０の画像表示領域１０ａ内の一部を示す模式平面図であって、後述する発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。
表示パネル１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図２におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

図２に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘ（総称して「バンク１２２」とする）とが配された画像表示領域１０ａから構成されている。表示パネル１０の画像表示領域１０ａには、有機ＥＬ素子１００に対応する副画素１００ｓｅが行列状に配され、各副画素１００ｓｅは、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（区別しない場合は「１００ａ」とする）の３種類の自己発光領域１００ａの何れかが形成され、行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する３つの副画素１００ｓｅから単位画素１００ｅが構成される。

また、図２に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなり、自己発光領域１００ａに対応する。
表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図２のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図２のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されており、行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。

＜表示パネル１０の周辺領域１０ｂの構成＞
図３は、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂ内の一部を示す模式平面図であって、バンク１２２、発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。
表示パネル１０の周辺領域１０ｂには、平坦化層１１８上において、平面視において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒが存在する画像表示領域１０ａの外方に延在する電極板１４０が配されている。電極板１４０は周辺領域１０ｂの外縁付近まで連続して配され給電部に接続される。

電極板１４０には、電子輸送層１２４に被覆されない範囲に、複数の開口（スリット）１４０ｏｐ（以後、「開口」とする）が開設され、電極板１４０の開口１４０ｏｐからは平坦化層１１８が露出している。複数の開口１４０ｏｐは、電極板１４０の行（Ｘ）及び列（Ｙ）方向ともに、開口している部分の長さの占める比率が５０％以下となるように、開口のＸＹ方向の長さが設定されている。具体的には、図３において、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの下方に位置する行（Ｘ）方向に延伸する電極板１４０の部分と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの右方に位置する列（Ｙ）方向に延伸する電極板１４０の部分との両方において、開口している部分の長さの占める比率が行（Ｘ）及び列（Ｙ）方向ともに５０％以下となるように、開口のＸＹ方向の長さが設定されている。

これより、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐを通って上方に排出されるとともに、共通電極１２５の表示パネル１０内の電気抵抗を低減することができる。
また、図３において、図示されない電子輸送層１２４は、周辺領域１０ｂにおける電極板１４０の開口１４０ｏｐの内方まで、共通電極１２５は周辺領域１０ｂにおける電極板１４０の外縁付近まで形成される。後述するように電子輸送層１２４は有機物を含むことから、開口１４０ｏｐの上方に電子輸送層１２４を形成した場合には、製造工程及び表示パネル完成後に平坦化層１１８から排出される水分が開口１４０ｏｐを通って電子輸送層１２４に触れ、電子輸送層１２４が開口１４０ｏｐ上の部分から劣化する可能性がある。そのため、電子輸送層１２４は開口１４０ｏｐの上方には形成されないことが好ましい。

＜画像表示領域１０ａにおける各部の構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図４を用いて説明する。図４は、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
図４に示すように、表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部、前面板１３１が積層されている。有機ＥＬ素子部は、その主な構成として、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、有機発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５、封止層１２６の各層から構成される。

（基板１００ｘ）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成されたＴＦＴ層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド材料、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。

ＴＦＴ層は、基材の表面に副画素毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む副画素回路が形成されている。ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層と画素電極１１９との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層の上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１１９を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることができる。平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応するＴＦＴの副画素回路のソースＳ₁とを接続するためにのコンタクトホール（不図示）が開設されている。

（有機ＥＬ素子部）
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける画像表示領域１０ａの上面に位置する平坦化層１１８上には、副画素１００ｓｅに対応して画素電極１１９が設けられている。
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等からなる。画素電極１１９の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下としてもよい。

画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクトホール１１８ａ上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続電極１１７（図５参照）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁ に接続される配線とが接続される。
なお、画素電極１１９の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。

［ホール注入層１２０］
画素電極１１９上には、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。ホール注入層１２０の厚みは、例えば、数ｎｍ〜数十ｎｍとしてもよい。

［バンク１２２］
画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが格子状に形成されている。列バンク５２２Ｙ同士の間には、列バンク５２２Ｙによって区画された間隙５２２ｚが形成され、各間隙５２２ｚの底部には、複数の画素電極１１９がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、有機発光層１２３、電子輸送層１２４が形成されている。列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３をウェット法で形成するときに、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。また、列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。

行バンク１２２Ｘは、各間隙５２２ｚにおいてＹ方向に隣接する画素電極１１９と画素電極１１９との間に形成され、Ｙ方向に隣接する副画素１００ｓｅどうしを区画している。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。

バンク１２２は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料からなる。
［ホール輸送層１２１］
間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ(poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene))などを用いることができる。

［発光層１２３］
ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。

表示パネル１０では、発光層１２３の材料には、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

［電子輸送層１２４］
列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。表示パネル１０では、少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。

電子輸送層１２４に用いる電子輸送性が高い有機材料として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。また、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。

［共通電極１２５］
電子輸送層１２４上に、共通電極１２５が形成されている。共通電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。共通電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。表示パネル１０では、共通電極１２５は各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極１２５は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。また、金属層に加え、あるいは単独で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など光透過性を有する導電材料が用いてもよい。

［封止層１２６］
共通電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４、共通電極１２５が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、トップエミッション型の場合においては、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有する、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性無機材料を用い形成される。また、透光性無機材料の層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

［接合層１２７］
封止層１２６の上方には、上部基板１３０の下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなり、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、トップエミッション型では、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。

［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。

［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。

＜表示パネル１０の周辺領域１０ｂの構成＞
以下、表示パネル１０の周辺領域１０ｂの構造について説明する。図５は、図４におけるＸ２−Ｘ２で切断した模式断面図である。
［基板１００ｘ］
図５に示すように、表示パネル１０においては、絶縁材料である基材１０１ｐのＺ軸方向上方にＴＦＴ層（不図示）とを含む基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）の上面には配線が敷設されている。また、周辺領域１０ｂには、外部のドライブ回路に電気的に接続するための給電部１０１ｓｐが配設される。

［平坦化層１１８］
基板１００ｘの上面には平坦化層１１８が積層され、平坦化層１１８は、周辺領域１０ｂにおいては、平坦化層１１８の外周縁に沿うようにして周縁溝１１８ｇｌが形成され（図１参照）、周縁溝１１８ｇｌによって外方部分１１８ｐｌに分離されている。
［電極板１４０］
表示パネル１０の周辺領域１０ｂにおける平坦化層１１８上には電極板１４０が積層されている。電極板１４０は、基板の外方において平坦化層１１８の周縁溝１１８ｇｌまで延伸され、周縁溝１１８ｇｌの内部において給電部１０１ｓｐに接続されている。本実施の形態では、電極板１４０は、下層に金属層１４０１と上層に金属酸化物層１２０１とが積層された２層構成を採る。しかしながら、電極板１４０は少なくとも金属層１４０１を含む構成であればよく、単層あるいは３層以上であってもよい。

金属層１４０１には、シート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することが好適である。金属層１４０１の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下としてもよい。また、金属層１４０１は、画素電極１１９と同一材料により同層に形成してもよい。金属酸化物層１２０１の金属は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの何れかを含む構成としてもよく、ホール注入層１２０と同一材料により同層に形成してもよい。あるいは、金属酸化物層１２０１には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。金属酸化物層１２０１の厚みは、例えば、数ｎｍ〜数十ｎｍとしてもよい。

図６（ａ）は、図３におけるＣ部の拡大図、（ｂ）は、図５におけるＤ部の拡大図である。図５及び図６（ａ）（ｂ）に示すように、電極板１４０及びホール注入層１２０には開口１４０ｏｐが開設されている。
電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分において、金属酸化物層１２０１が金属層１４０１よりも孔内方に突出した構成を採ってもよい。例えば、金属酸化物層１２０１の金属層１４０１に対する突出量は、例えば、約２００ｎｍとしてもよい。

［封止部材１４１］
電極板１４０の少なくとも複数の開口１４０ｏｐの内壁部分をそれぞれ覆う有機材料からなる複数の封止部材１４１が配設されている。封止部材１４１は、電極板１４０に乗り上げたフランジ部分１４１ｔｐと孔１４１ｏｐを有する。封止部材１４１の形状は、行バンク１２２Ｘの形状と同様に、行及び列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。本実施の形態では、一例として、図６（ａ）に示すように、封止部材１４１の幅は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁を基準として、電極板１４０上で５μｍ以上、開口１４０ｏｐ内で５μｍ以上としてもよい。また、封止部材１４１のフランジ部１４１ｔｐの厚みは５００ｎｍ以上、封止部材１４１の孔１４１ｏｐの開口の最小幅は１０μｍ以上としてもよい。

これより、電極板１４０には複数の開口１４０ｏｐが開設され、封止部材１４１には孔１４１ｏｐが開設され、孔１４１ｏｐからは平坦化層１１８が露出して形成される。これより、製造工程において、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐ及び封止部材１４１の孔１４１ｏｐを通って上方に排出させることができる。

封止部材１４１は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。また、封止部材１４１は、行バンク１２２Ｘ又は列バンク５２２Ｙと同一材料により同層に形成してもよい。
また、封止部材１４１に有機材料を用いることにより、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分に密着して形成することができる。本実施の形態では、上述のとおり、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分において、金属酸化物層１２０１が金属層１４０１よりも孔内方に突出している。封止部材１４１に有機材料を用いることにより、封止部材１４１が金属酸化物層１２０１の突出部分を囲い込み、封止部材１４１が電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分に密着して形成することができる。さらに、封止部材１４１に有機材料を用いることにより、バンク１２２の断面形状と同様に、電極板１４０に乗り上げた封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状とすることができる。

［共通電極１２５］
平面視において電極板１４０の上面に複数の有機ＥＬ素子１００における共通電極１２５が、電極板１４０の外縁付近まで延在され電極板１４０に積層されている。共通電極１２５は、電極板１４０の上面において、電極板１４０と電気的に接続される。
また、共通電極１２５は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では封止部材１４１又は平坦化層１１８上面に連続して配されている。封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状とすることにより、例えば、スパッタリング法、又は真空蒸着法等を用いて、共通電極１２５を開口１４０ｏｐの内部において連続して配することができる。

［封止層１２６］
画像表示領域１０ａにおいて有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを覆う封止層１２６は、基板１００ｘの外縁付近まで延在する。封止層１２６は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では共通電極１２５の上面に沿って連続して配されている。ここでも、封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状とすることにより、例えば、スパッタリング法、又はＣＶＤ法等を用いて、封止層１２６を開口１４０ｏｐの内部において共通電極１２５の上面に沿って連続して配することができる。

［その他］
封止層１２６の上方には、画像表示領域１０ａと同様に、上部基板１３０が配されており、接合層１２７により接合されている。
また、接合層１２７の基板外方の端面を被覆すると共に封止層１２６の上面に密着した保護構造体１３４を有する。保護構造体１３４は、接合層１２７の端縁を保護しつつ密閉性を向上させるものであって、平面視においては、封止層１２６上であって保護構造体１３４は平坦化層１１８の周縁溝１１８ｇｌを含む範囲に枠状に形成される。保護構造体１３４は、反応性イオンエッチングに対して耐性を有する樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂など材料が選択される。

＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図７〜１６を用いて説明する。図７は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図８、１０、１２、１４、１５における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２（画像表示領域１０ａ）におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。図９、１１、１３、１６における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３（周辺領域１０ｂ）におけるＸ２−Ｘ２と同じ位置で切断した模式断面図である。

［基板１００ｘの作成］
複数のＴＦＴや配線（ＴＦＴ層）を基板１００ｘに形成する（図７におけるステップＳ１、図８（ａ）、図９（ａ））。
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図７：ステップＳ２、図８（ｂ）、図９（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘの上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布したのち焼成する。

平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
また、周辺領域１０ｂでは、平坦化層１１８の外周縁に沿うようにして周縁溝１１８ｇｌ、周縁溝１１８ｇｌによって分離された外方部分１１８ｐｌが形成される。これより、周縁溝１１８ｇｌの底部に基板１００ｘ上面に端子１０１ｓｐが露出する。

［画素電極１１９、ホール注入層１２０、電極板１４０の形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成を行う。
先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画像表示領域１０ａでは画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘ、周辺領域１０ｂでは電極板１４０を形成するための金属膜１４０１´をスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する（図７：ステップＳ３、図８（ｃ）、図９（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。

さらに、金属膜１１９ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下で、画像表示領域１０ａではホール注入層１２０を形成するためのホール注入層１２０用の金属膜１２０’を、周辺領域１０ｂでは電極板１４０の金属酸化物層１２０１を形成するための金属膜１２０１´を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図７：ステップＳ４、図８（ｄ）、図９（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。

その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図１０（ａ）、図１１（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、画像表示領域１０ａでは、金属膜１２０’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０を形成する。また、周辺領域１０ｂでは、金属膜１２０１’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、金属酸化物層１２０１を形成する。

続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０を介して、画像表示領域１０aでは、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。また、周辺領域１０ｂでは、金属膜１４０１´にウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、金属層１４０１を形成する。このとき、金属層１４０１同士のショートを防止するとともに、残渣を確実に除去するために、金属層１４０１はオーバーエッチングになる傾向がある。

最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、画像表示領域１０aでは、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０の積層体を形成する。また、周辺領域１０ｂでは、同一形状に開口１４０ｏｐがパターニングされた金属層１４０１及び金属酸化物層１２０１の積層体からなる電極板１４０を形成する（図７：ステップＳ５、図１０（ｂ）、図１１（ｂ））。これより、電極板１４０は、平坦化層１１８の周縁溝１１８ｇｌの底部に露出している端子１０１ｓｐに接続された状態になる。

［バンク１２２、封止部材１４１の形成］
画像表示領域１０ａでは、ホール注入層１２０を形成した後、ホール注入層１２０を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず、ホール注入層１２０上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する（図７：ステップＳ６、図１０（ｃ））。

周辺領域１０ｂでは、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分を少なくとも覆うように封止部材１４１を形成する。封止部材１４１の形成では、先ず、金属酸化物層１２０１上に、スピンコート法などを用い、封止部材１４１の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして孔１４１ｏｐを有する封止部材１４１を形成する（図７：ステップＳ６、図１１（ｃ））。

このとき、封止部材１４１は有機材料を用いて電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分に密着して形成する。また、図６（ｂ）に示すように、封止部材１４１の形状は、行バンク１２２Ｘの形状と同様に、行及び列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。具体的には、電極板１４０に乗り上げた封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状とする。

画像表示領域１０ａにおけるバンク１２２Ｘの形成と、周辺領域１０ｂにおける封止部材１４１の形成は同一材料を用いて同時に行い、パターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程をすることによりなされる。このとき、電極板１４０には、複数の開口１４０ｏｐが開設され、電極板１４０の開口１４０ｏｐからは平坦化層１１８が露出している。これより、バンク１２２Ｘの焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐを通って上方に排出される。

次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する（図７：ステップＳ７、図１０（ｃ））。このとき、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０として完成する。また、電極板１４０には複数の開口１４０ｏｐが開設され、封止部材１４１には孔１４１ｏｐが開設され、孔１４１ｏｐからは平坦化層１１８が露出している。これより、バンク５２２Ｙの焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐ及び封止部材１４１の孔１４１ｏｐを通って上方に排出される。

［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する。
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図７：ステップＳ８、図１０（ｄ））。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１は、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されてもよい。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる図７：ステップＳ９、図１２（ａ））。
具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインク１８の液滴を着弾させることによって行う。この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１８をそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。

このとき、本実施の形態では、上述のとおり、電極板１４０には複数の開口１４０ｏｐが開設され、封止部材１４１には孔１４１ｏｐが開設され、孔１４１ｏｐからは平坦化層１１８が露出している。これより、発光層１２３の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐ及び封止部材１４１の孔１４１ｏｐを通って上方に排出させることができる。そして、このベーク処理を十分行うことで、平坦化層１１８等、封止層１２６内方に含まれる残留水分を十分に除去して、表示パネルの完成後においても発光層１２３を含む機能層の劣化を抑制することができる。

基板１００ｘに対して赤色、緑色、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

なお、ホール注入層１２０のホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
なお、ホール輸送層１２１を形成する前に、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去、あるいは焼成してもよい。

[電子輸送層成膜前の焼成]
真空環境下にて電子輸送層成膜前のベークを行う（図７：ステップＳ１０）。これより、平坦化層内の残留水分を除去した後に、平坦化層が再度水分を吸収することを抑止できる。
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア全面（画像表示領域１０ａ及び周辺領域１０ｂの一部）にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図７：ステップＳ１１、図１２（ｂ）、図１３（ａ））。本例では、周辺領域１０ｂでは、電子輸送層１２４は開口１４０ｏｐに届かない位置まで形成される。その理由は、電子輸送層１２４は有機物を含むことから、開口１４０ｏｐの上方に電子輸送層１２４を形成した場合には、製造工程及び表示パネル完成後に、平坦化層１１８から開口１４０ｏｐを通って排出される水分により電子輸送層１２４が劣化する可能性があるからである。

真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためである。電子輸送層１２４は、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。あるいは、有機材料と金属材料との共蒸着法により成膜する。なお、電子輸送層１２４の膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
［共通電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、画像表示領域１０ａでは電子輸送層１２４を被覆するように、周辺領域１０ｂでは、同時に、電極板１４０及び封止部材１４１を被覆するように共通電極１２５を形成する（図７：ステップＳ１２、図１２（ｃ）、図１３（ｂ））。共通電極１２５は、金属、金属酸化物を主成分とする膜を、下地層を被覆するように、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。

このとき、周辺領域１０ｂにおいて、封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状としたことにより、共通電極１２５は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では封止部材１４１又は平坦化層１１８上面に連続して配される。
［封止層１２６の形成］
画像表示領域１０ａでは共通電極１２５を被覆するように、周辺領域１０ｂでは、共通電極１２５から基板１００ｘの平坦化層１１８の外方部分１１８ｐｌまで被覆するように封止層１２６を形成する（図７：ステップＳ１３、図１２（ｄ）、図１３（ｃ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

ここでも、周辺領域１０ｂにおいて、封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパ形状としたことにより、封止層１２６は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では共通電極１２５上面に連続して配される。
［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する。さらに、接合層１２７の端面を被覆すると共に封止層１２６の上面であって、平坦化層１１８の周縁溝１１８ｇｌを含む範囲に枠状に保護構造体１３４を塗布する（図１４（ａ）、図１５（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図７：ステップＳ１４、図１４（ｂ）、図１５（ｂ））。
＜効 果＞
以下、表示パネル１０の効果について説明する。

表示パネル１０は、電極板１４０の少なくとも複数の開口１４０ｏｐの内壁部分をそれぞれ覆う有機材料からなる複数の封止部材１４１を備えた構成を採る。
発明者は、表示パネル１０と比較するために、電極板１４０Ｘの複数の開口１４０Ｘｏｐに、有機材料からなる封止部材を設けず、電極板１４０Ｘの上面に共通電極１２５、さらに、封止層１２６を積層した構成の比較例に係る表示パネル１０Ｘを作成した。

図１６は、比較例に係る表示パネル１０Ｘの図１のＢ部と同じ位置における模式平面図である。図１７（ａ）は、比較例に係る表示パネルの図１３におけるＸ３−Ｘ３で切断した模式断面図、（ｂ）は、（ａ）におけるＥ部の拡大図である。
比較例に係る表示パネル１０Ｘは封止部材を備えない点、封止部材を備えないために電極板１４０Ｘにおいて開口１４０Ｘｏｐの開口面積が表示パネル１０と比べて小さい点、電極板１４０Ｘにおいて開口１４０Ｘｏｐが電子輸送層１２４に覆われる範囲にも開設されている点で、表示パネル１０と相違する。表示パネル１０Ｘの他の構成は表示パネル１０の各構成と同じである。

図１７（ｂ）に示すように、表示パネル１０Ｘでは、表示パネル１０と同様に、電極板１４０の開口１４０Ｘｏｐの内壁部分において、金属酸化物層１２０１が金属層１４０１Ｘよりも孔内方に突出した構成を採る。しかしながら、表示パネル１０と異なり開口１４０Ｘｏｐの内壁部分を覆う封止部材が存在しないために、電極板１４０Ｘの開口１４０Ｘｏｐ内では、金属酸化物層１２０１の上面に共通電極１２５が積層される。その結果、図１７（ｂ）に示すように、共通電極１２５は開口１４０Ｘｏｐの内部で段切れが生じている。さらに、段切れした共通電極１２５の上面に封止層１２６が積層されることから、成膜された封止層１２６は開口１４０Ｘｏｐの内壁部分の近傍においてシームＳｅや空洞Ｃａといった膜欠陥を伴い、いびつな膜形状となる。封止膜１２６は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するためのバリアであるが、これらの膜欠陥は封止膜１２６の気密性を低下させ、表示パネルの製造過程及び完成後において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒへの水分等の侵入を許容し、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの劣化を促進する可能性がある。

これに対し、実施の形態に係る表示パネル１０は、電極板１４０の少なくとも複数の開口１４０ｏｐの内壁部分をそれぞれ覆う有機材料からなる複数の封止部材１４１を備えた構成を採る。封止部材１４１が有機材料で構成されることにより、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内壁部分において、金属酸化物層１２０１が金属層１４０１よりも孔内方に突出している場合でも、封止部材１４１に所定の肉厚を持たせることができるので、金属酸化物層１２０１の突出部分を囲い込み、封止部材１４１を開口１４０ｏｐの内壁部分に密着させて形成することができる。

また、封止部材１４１は有機材料から構成されているので、図６（ｂ）に示したように、電極板１４０に乗り上げた封止部材１４１のフランジ部分１４１ｔｐの上面、及び、封止部材１４１の中心の開口の内壁部分を上方に向けた順テーパとした断面形状とすることができる。そのため、表示パネル１０では、共通電極１２５は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では封止部材１４１又は平坦化層１１８上面に連続して配され、さらに、封止層１２６は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では共通電極１２５の上面に沿って連続して配される構成を実現できる。すなわち、表示パネル１０では、図６（ｂ）に示したように、封止層１２６は開口１４０Ｘｏｐの内壁部分の近傍においてシームＳｅや空洞Ｃａといった膜欠陥を発生することがなく封止層１２６の気密性は確保される。その結果、封止膜１２６は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能し、表示パネル１０の製造過程及び完成後において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒへの水分等の侵入を遮断し、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの劣化を防止することができる。

また、表示パネル１０では、電極板１４０には、複数の開口１４０ｏｐが開設され、電極板１４０の開口１４０ｏｐからは平坦化層１１８が露出した構成を採る。係る構成により、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐを通って上方に排出させることができる具体的には、例えば、製造工程において、バンク１２２Ｘの焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐを通って上方に排出される。

さらに、表示パネル１０では、封止部材１４１には孔１４１ｏｐが開設され、孔１４１ｏｐからは平坦化層１１８が露出した構成を採る。係る構成により、製造工程において、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク５２２Ｙ、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐ及び封止部材１４１の孔１４１ｏｐを通って上方に排出させることができる。具体的には、例えば、製造工程において、バンク５２２Ｙの焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が電極板１４０の開口１４０ｏｐ及び封止部材１４１の孔１４１ｏｐを通って上方に排出されることができる。ベーク処理に伴う孔１４１ｏｐからの水分の排出を十分に行うことで、平坦化層１１８等、封止層１２６内方に含まれる残留水分を十分に除去して、表示パネルの完成後においても発光層１２３を含む機能層の劣化を抑制することができる。

＜回路構成＞
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成について説明する。図１８に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。

表示パネル１０においては、複数の画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各画素１００ｅは、３個の各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について説明する。図１９は、表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する各色有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇにおける回路構成を示す回路図である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２のドレインＤ２は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、有機ＥＬ表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
＜まとめ＞
以上のとおり、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板１００ｘ上に配された樹脂材料を含む平坦化層１１８と、平坦化層上方に配され、複数の有機ＥＬ素子１００からなる有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒと、平坦化層上において、平面視において有機ＥＬ素子アレイが存在する領域の外方に延在し、複数の開口１４０ｏｐが開設された電極板１４０と、電極板の複数の開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる複数の封止部材１４１と、複数の有機ＥＬ素子における共通電極１２５に接続され、平面視において電極板の上面において電極板の外縁近傍まで延在する共通電極１２５と、有機ＥＬ素子アレイを覆い、基板の外縁近傍まで延在する無機材料からなる封止層１２６とを備えた構成を採る。

係る構成により、共通電極１２５は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では封止部材１４１又は平坦化層１１８上面に連続して配され、封止層１２６は、電極板１４０の開口１４０ｏｐの内部では共通電極１２５上面に沿って連続して配されている構成を採ることができる。
その結果、有機ＥＬ表示パネルの画像表示領域以外の連続膜部分に開口を設けた電極構造において、開口を被覆する封止層にシームが入ることを抑制して封止性を向上することができる。すなわち、封止層１２６は開口１４０ｏｐの内壁部分の近傍においてシームＳｅや空洞Ｃａといった膜欠陥を発生することがなく封止層１２６の気密性は確保される。その結果、封止膜は有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒを外部の水分やガス等から保護するためのバリアとして機能し、表示パネル１０の製造過程及び完成後において有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒへの水分等の侵入を遮断し、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの劣化を十分に抑制することができる。

＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。

変形例に係る表示パネル１０Ａについて説明する。図２０（ａ）〜（ｃ）は、変形例１〜３に係る表示パネルの図１のＢ部と同じ位置における模式平面図である。
（変形例１）
実施の形態に係る表示パネル１０では、電極板１４０には、電子輸送層１２４に被覆されない範囲に、複数の開口１４０ｏｐが開設されている構成とした。これに対し、変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、図２０（ａ）に示すように、電極板１４０Ａには、電子輸送層１２４に被覆されていない範囲に開設された複数の開口１４０Ａｏｐ以外に、電子輸送層１２４に被覆された範囲にも複数の開口１４０Ａｏｐ２が開設されている構成とした点で表示パネル１０と相違する。係る構成により、表示パネル１０Ａでは、電極板１４０Ａの開口面積の総和を増加し、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が排出を促進することができる。

（変形例２）
実施の形態に係る表示パネル１０では、電極板１４０には、複数の開口１４０ｏｐは、電極板１４０の行（Ｘ）及び列（Ｙ）方向ともに、開口している部分の長さの占める比率が５０％以下となるように、開口のＸＹ方向の長さが設定されている構成とした。これに対し、変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、図２０（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの右方に位置する列（Ｙ）方向に延伸する電極板１４０Ｂの部分に開設された開口１４０Ｂｏｐ２において、列（Ｙ）方向において開口している部分の長さの占める比率を増加し、開口している部分の長さの占める比率が５０％を超えるように開口のＹ方向の長さを設定している点で表示パネル１０と相違する。

なお、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの下方に位置する行（Ｘ）方向に延伸する電極板１４０Ｂの部分に開設された開口１４０Ｂｏｐ２と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの右方に位置する列（Ｙ）方向に延伸する電極板１４０Ｂの部分に開設された開口１４０Ｂｏｐ２における行（Ｘ）方向に関しては、開口している部分の長さの占める比率は行（Ｘ）及び列（Ｙ）方向ともに５０％以下であり、表示パネル１０と同じである。

係る構成により、電極板１４０Ｂの開口面積の総和を増加し、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が排出を促進することができる。
（変形例３）
実施の形態に係る表示パネル１０では、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの下方に位置し行（Ｘ）方向に延伸する電極板１４０の部分と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの右方に位置し列（Ｙ）方向に延伸する電極板１４０の部分のそれぞれにおいて、開口１４０ｏｐは行列状に配置されている構成とした。これに対し、変形例３に係る表示パネル１０Ｃでは、図２０（ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの下方に位置し行（Ｘ）方向に延伸する電極板１４０Ｃの部分と、有機ＥＬ素子アレイ１００ａｒの右方に位置し列（Ｙ）方向に延伸する電極板１４０Ｃの部分のそれぞれにおいて、開口１４０Ｃｏｐは千鳥状に配置されている構成している点で表示パネル１０と相違する。

係る構成により、電極板１４０Ｃの開口面積の総和を表示パネル１０と同等にして、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、バンク１２２、発光層１２３の成膜後の焼成時に、平坦化層１１８から除去される水分が排出を促進することができる。
（その他の変形例）
実施の形態１に係る表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。

表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線状（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記直線状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。

上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。また、コロイド状量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）を用いた量子ドットディスプレイ装置などに適用することもできる。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ 有機ＥＬ表示パネル
１０ａ 画像表示領域
１０ｂ 周辺領域
１００ 有機ＥＬ素子
１００ａｒ 有機ＥＬ素子アレイ
１００ｅ 画素
１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ 各色有機ＥＬ素子
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１００ｐ 基材
１１８ 平坦化層
１１９ 画素電極（反射電極）
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ 列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ） 間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ） 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 共通電極
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１３０ 上部基板
１３１ 前面板
１３２ カラーフィルタ層
１３３ 遮光層
１３４ 保護構造体
１４０ 電極板
１４０１ 金属層（周辺領域１０ｂ）
１２０１ 金属酸化物層（周辺領域１０ｂ）
１４１ 封止部材（周辺領域１０ｂ）

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に配された樹脂材料を含む平坦化層と、
   前記平坦化層上方に配され、複数の有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬ素子アレイと、
   前記平坦化層上において、平面視において前記有機ＥＬ素子アレイが存在する領域の外方に延在し、複数の開口が開設された電極板と、
   前記電極板の前記複数の開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる複数の封止部材と、
   前記有機ＥＬ素子アレイを覆い、前記基板の外縁近傍まで延在する無機材料からなる封止層とを備え、
   前記複数の有機ＥＬ素子における共通電極は、平面視において前記電極板の上面において前記電極板の外縁近傍まで延在し、前記電極板の前記開口の内部では前記封止部材又は前記平坦化層上面に連続して配され、
   前記封止層は、前記電極板の前記開口の内部では前記共通電極上面に沿って連続して配されている
   有機ＥＬ表示パネル。
2. 前記封止部材は、平面視において孔が開設されている
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
3. 前記電極板は、金属又は当該金属を含む合金からなる下層と、前記下層の上面に積層された金属酸化物からなる上層を含む、
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
4. 前記電極板の前記開口の内壁では、前記上層は前記下層よりも前記開口の内方に向けて突出している
   請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
5. 前記孔の孔幅は上方が拡幅したテーパ形状である
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
6. 前記封止部材は、前記電極板の前記開口の内壁の上縁部に、前記電極板の上面に乗り上げ上方が縮幅するフランジ部を有する
   請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
7. 前記封止部材は、前記孔の最小幅は１０μｍ以上である
   請求項５又は６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
8. 前記下層は、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金からなる
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
9. 前記上層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる
   請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
10. 前記金属酸化物の金属は、Ｗ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｉｒのいずれかを含む
    請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
11. 前記有機ＥＬ素子アレイは、前記平坦化層上面に前記有機ＥＬ素子に対応して行列状に配された複数の画素電極を含み、
    列方向に隣接する前記画素電極の間隙に行方向に延伸して配された行バンクとを備え、
    前記封止部材は、前記行バンクと同一の材料からなる
    請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
12. 前記有機ＥＬ素子アレイは、前記平坦化層上面に前記有機ＥＬ素子に対応して行列状に配された複数の画素電極を含み、
    行方向に隣接する前記画素電極の間隙に列方向に延伸して配された列バンクとを備え、
    前記封止部材は、前記列バンクと同一の材料からなる
    請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
13. 画素が行列状に複数配された表示素子アレイを含む表示パネルの製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板の上面に平坦化層を形成する工程と、
    前記平坦化層の上面に行列状に複数の画素電極と、平面視において前記複数の画素電極の外方に複数の開口が開設された電極板とを形成する工程と、
    前記電極板の前記開口内の前記平坦化層の上面に、前記電極板の前記開口の少なくとも内壁部分を覆う有機材料からなる封止部材を形成する工程と、
    前記画素電極の上方に発光層を含む機能層を形成する工程と、
    前記発光層の上方及び前記電極板上に共通電極を形成する工程と、
    前記上方に共通電極の上方に封止層を形成する工程とを有する
    有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
14. 前記共通電極は、前記電極板の前記開口の内部では前記封止部材又は前記平坦化層上面に連続し形成し、
    前記封止層は、前記電極板の前記開口の内部では前記共通電極上面に沿って連続して形成する
    請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
15. 前記封止部材の形成では、平面視において孔が開設されている
    請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
16. 前記封止部材を形成する工程では、前記平坦化層の上面に、前記封止部材と同一の有機材料からなる、前記画素電極の列方向の間に行方向に延伸した複数の行バンク、又は前記画素電極の行方向の間に列方向に延伸した複数の列バンクを形成する
    請求項１３又は１４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
17. 前記電極板を形成する工程では、
    前記平坦化層の上面に金属又は当該金属を含む合金を含む下層と、前記下層の上面に金属酸化物の前駆体を含む上層を成膜した後パターニングし、
    その後、エッチングにより金属又は当該金属を含む合金からなる下層と、前記下層の上面に積層された金属酸化物からなる上層を含む前記電極板を形成する
    請求項１３から１５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
18. 前記機能層を形成する工程では、前記画素電極の上方に有機機能材料を含むインクを塗布した後、焼成して前記機能層を形成する
    請求項１３から１５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

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