CN105637638A - 用于显示面板的显示基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于制造显示面板的显示基板的方法，包括：提供一个柔性有机发光二极管基底，在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层，所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域；提供阻挡膜，在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层，所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层；将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上，使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域；和用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜，以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。

Description

用于显示面板的显示基板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术，具体的，涉及一种用于显示面板的显
示基板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)设备目前被广泛应用。在各种OLED器件中，制造商对于柔性OLED设备表现出极大的兴趣，并生产出了各种柔性OLED设备。
如图1所示，一个柔性OLED显示器面板通常包括多个膜或层，例如阻挡膜(barrierfilm,BF)、有机层(未示出)、粘合层、薄膜晶体管(thin-filmtransistor,TFT)层、柔性基板和基板。在柔性OLED显示器面板的制造过程中，激光切割通常被用来割除基板上的一个或多个膜的某些部分，露出基板上的某些组件，以便进行测试。二氧化碳激光已被普遍地使用在激光切割过程中，以除去基板上某些膜的某些部分。
激光切割过程通常包括全切割工艺和半切割工艺，如图1所示。全切割处理是指切断或除去基板上的所有的膜的某些部分，直至玻璃基板被露出。半切割工艺是指只切断一些膜或层，而不是全部的膜或层的某些部分，以露出衬底上的某些膜或层的一些部分。例如，如图1所示，半切割工艺可用于除去阻挡膜的部分，露出TFT层的一部分，以进行测试。半切割工艺不应损害膜下的TFT层。因此，激光能量是可以被调节和控制的，以适应激光切割过程的深度。
然而，在基板上的膜通常非常薄。即使激光能量比切割过程中所需要的激光能量略高，也可能对要露出的层(例如，TFT层)造成损害。其结果是，使用传统的激光切割技术，工艺窗口可能会比较窄。另外，将激光能量调整到适当的水平可能会耗费大量的时间和切割样品，会比较昂贵。此外，即使激光能量水平被设定在合适的值，能量的一个小波动也可能会导致将要露出的层(例如，TFT层)受到损害。
发明内容
本发明提供用一种用于形成显示基板，例如，柔性OLED结构的方法。所公开的方法可被实施用以制造柔性OLED结构，并且可以防止TFT层在激光切割过程中被损坏。在本实施例公开的内容中，制造过程的可调节工艺窗口得以改善，并且柔性OLED显示面板的制造成本可被降低。
本发明的目的一方面在于提供一种用于制造显示面板的显示基板的方法，包括：
提供一个柔性有机发光二极管基底，在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层，所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域；
提供阻挡膜，在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层，所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层；
将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上，使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域；和
用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜，以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。
可选的，用一激光束照射以移除所述阻挡膜的过程包括：用所述激光束沿所述切割线移动以熔化沿着所述切割线的所述阻挡膜的一部分；将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分分离，所述阻挡膜的第一部分与所述测试区域相关联；和将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除，以暴露所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
可选的，所述图案化的激光阻挡层的至少一部分形成在所述阻挡膜的第一部分上。
可选的，所述图案化的粘合层的一部分和所述至少一个测试区域之间形成空隙。
可选的，所述图案化的激光阻挡层由一种对激光具有反射性的材料制成。
可选的，所述激光束是二氧化碳激光束，所述图案化的激光阻挡层对所述二氧化碳激光束的波长具有反射性。
可选的，所述图案化的激光阻挡层是通过沉积工艺或旋涂工艺或接合工艺或以上工艺的组合形成的。
可选的，所述图案化的粘合层不覆盖所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
可选的，所述图案化的激光阻挡层由铜或铝或铜和铝的组合制成。
可选的，所述图案化的激光阻挡层的厚度为8纳米至1微米。
本技术领域的一般技术人员可以通过说明书，权利要求，以及本发明的附图来理解本发明的其他方面。
附图说明
下列的图示用来说明本发明在此文公开的实施例。这些实施例并不局限本发明的范围。
图1为一柔性OLED显示面板中的柔性OLED结构的一部分的剖面图；
图2为本发明实施例中柔性OLED结构的一部分的剖面图；
图3为本发明实施例中的柔性OLED结构的一部分的另一剖面图；及
图4为本发明实施例中的柔性OLED结构的一部分的另一剖面图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明提供的一种显示面板和显示装置作进一步详细描述。只要可能，相同的附图标记将贯穿附图来表示相同或相似的部分。
本发明的一方面提供了一种用于半切割工艺的柔性OLED结构。
图1示出了一个用于形成柔性OLED显示面板的柔性OLED结构一部分的剖面图。所述柔性OLED结构可以包括一个阻挡膜、一个粘合层、一个TFT层、一个柔性基板和一个刚性基板。所述刚性基板可以是玻璃制成，用于支撑柔性基板，以及在制造和测试的过程中支撑形成在柔性基板上的组件。刚性基板可以在后续制造过程中移除。所述柔性基板在刚性基板上形成，并且可以由聚酰亚胺(PI)制成。在柔性基板上，可以形成TFT层。一有机层(未示出)和相应的电极层(未示出)可以在TFT层上形成，以形成多个用于发光的有机发光二极管。所述TFT层可以包括多个薄膜晶体管，并且至少一些薄膜晶体管与有机发光二极管连接，以控制和驱动所述有机发光二极管。为观看简单起见，所述有机发光二极管和所述电极层在图中未示出。通常图案化的粘合层可以在TFT层的某些部分上形成，用以附合或者粘合阻挡膜。粘合层可以是任何合适的粘合剂，例如粘胶。所述阻挡膜可以是一塑料薄膜或具有高透明度的板。所述阻挡膜可以用于防止显示面板的某些部件，暴露于氧气和湿气中，例如，所述TFT层和有机发光二极管。
在实践中，TFT层上某些区域被设计用于测试。测试之后，显示面板可被处理进行后续操作。因此，TFT层上用于测试(例如，单元测试)的区域可不被粘合层覆盖。换言之，粘合层可以被图案化，以使得TFT层上被用于单元测试的区域不被粘合层覆盖。当阻挡膜被粘贴在粘合层上，所述阻挡膜和用于单元测试的区域之间可以形成空隙，如图1所示。
在一个柔性OLED显示面板的制造过程中，位于某些TFT区域之上，用于单元测试的阻挡膜可以在测试过程完成之后被除去。因此，激光切割工艺的半切割工艺可以被用于去除所需位置的阻挡膜部分，以使在阻挡膜的某些部分被去除之后，进行单元测试的TFT区域可被暴露出来。
图2示出了本公开内容的柔性OLED结构。所述柔性OLED结构可具有至少一个用作单元测试的TFT区域。为了图示简单起见，图2只示出了在图1所示的柔性OLED结构的一部分。
如图2所示，柔性OLED结构可以进一步包括在阻挡膜背面的一激光阻挡层。所述阻挡膜的背面可以指面对TFT层的表面或与粘合层粘接的表面。所述激光阻挡层可以是在阻挡膜的背面的图案化膜。且仅在阻挡膜背面上对应TFT区域的范围上沉积有所述激光阻挡层。所述激光阻挡层的厚度可为约8纳米至约1微米。激光阻挡层的一部分为图2中的黑线所示。
如图2中所示，可以在TFT层或有机层上形成一粘合层。所述粘合层可被图案化，以暴露用于单元测试的TFT区域。所述阻挡膜可置于粘合层上以覆盖用于做单元测试的在TFT区域。所述阻挡膜可以是具有高透明度的塑料板或膜。由于阻挡膜是刚性的，故阻挡膜的背面和TFT层的上表面之间可以形成空隙。
激光阻挡层在阻挡膜的背面被图案化。阻挡膜的背面可以指面对所述TFT层和柔性基板的阻挡膜表面。仅是阻挡膜背面上对应用作单元测试的TFT区域被沉积了所述激光阻挡层，如图2所示。所述激光阻挡层可以由能够在激光切割过程中反射激光的任何合适的材料制成。例如，激光阻挡层可以由金属，如铜和/或铝制成。
在操作时，二氧化碳激光器可以用在半切割工艺以去除用以做单元测试的TFT层上方的所需的阻挡膜部分。二氧化碳激光的波长可为约9.3微米。激光束可以沿着一个切割线移动以去除所需的阻挡膜部分。由激光束和阻挡膜的所需部分之间的接触而产生的热可熔化沿着切割线的阻挡膜，使得所期望移除的阻挡膜部分可被断开或分离。阻挡膜断开的部分可以通过机械力完全从阻挡膜的剩余部分除去。同时，当二氧化碳激光照射在切割线上，波长可反射回阻挡膜并由于激光阻挡层的高反射率被阻挡膜吸收。因此，沿着切割线的阻挡膜部分可被熔化，并且阻挡膜下的薄膜晶体管被保护而不受激光的损坏。因为激光阻挡层的高反射率，激光束能量的波动不会造成TFT层的任何损坏。
应当指出的是，半切割工艺中所使用的激光束的也可以具有其它合适的波长。例如，激光束可以是紫外线(ultraviolet,UV)激光。在这种情况下，激光阻挡层的材料可以是能反射UV光的任何合适的材料。激光器的类型和激光阻挡层的材料不应当受到本公开的具体实施例的限制。
将阻挡膜的一部分被去除后，TFT层单元测试区域可以进行特定的测试，柔性OLED结构可以按照后续的步骤进行处理。
本公开内容的另一方面提供一种用于形成柔性OLED结构的方法。
首先，在阻挡膜的背面形成图案化的激光阻挡层。
所述激光阻挡层可以由能够反射用于半切割的激光束的波长的任何合适的材料制成。所述图案化的激光阻挡层可以通过任何合适的方法形成。例如，所述图案化激光阻挡层可以通过选择性外延沉积形成，通过旋涂工艺形成，或者由一个胶合或接合工艺形成。所述图案化的激光阻挡层也可以通过进行一次光刻并随后进行刻蚀，以图案化沉积在阻挡膜背面的薄膜形成。在一些实施例中，激光阻挡层可以是附着到阻挡膜背面的金属带。沉积有反射性材料的区域可以对应于用于单元测试的TFT区域。在一个实施例中，所述反射性材料可为通过旋涂工艺沉积的铜。
进一步，在TFT层的上表面形成具有图案化粘合层的柔性OLED基板。
所述柔性OLED基板可以包括一个刚性基板、一个柔性基板、一个TFT层、一个有机层，以及相关的电极层。所述刚性基板可以由玻璃制成。所述柔性基板可以由聚酰亚胺制成，并形成在刚性基板上。所述TFT层、所述有机层和所述相关的电极层可以形成在所述柔性基板上。
可以在TFT层上形成一图案化的粘合层。所述图案化的粘合层可以通过任何合适的方法形成，如旋涂工艺。该粘合层可以由能够连接或粘合阻挡膜到柔性OLED基板上的任何合适的材料制成，诸如粘胶。所述粘合层也可以是胶带。所述粘合层可被图案化，以暴露用来做单元测试的TFT区域。所述图案化工艺和粘合层的厚度可根据不同的应用或设计来确定，并不应受本公开实施例的限制。在一个实施例中，图案化粘合层可以是粘胶。
应当指出的是，形成所述图案化激光阻挡层的过程和形成所述图案化粘合层的过程可同时或不同时进行。其中一过程可以在另一过程前实施，或者反之亦然。不需要有特定的顺序。
进一步，将阻挡膜粘贴在柔性OLED基底上以使激光阻挡层面对用于单元测试的TFT的区域。
所述阻挡膜可以通过所述粘合层与柔性OLED基底粘合，所述阻挡膜的背面面对所述TFT层。阻挡膜的背面沉积有用作激光阻挡层的反射性材料的区域可对应于用作单元测试的TFT区域，并至少基本覆盖该用作单元测试的TFT区域。用作单元测试的TFT区域的前表面和相应的具有反射材料的阻挡膜的背面可形成空隙。特定的压制工艺可以用于增强阻挡膜和粘合层的粘合。在阻挡膜粘合到柔性OLED基底上之后所形成的柔性OLED结构的剖视图，如图2所示。
进一步，进行激光切割工艺将阻挡膜的至少一部分从阻挡膜的剩余部分断开或者分离开来，该部分对应于用作单元测试的TFT区域。
如图3所示，所述激光束，例如一个二氧化碳激光束，可以照射在一切割线上并沿该切割线移动，直到所期望的阻挡膜部分从阻挡膜的剩余部分脱离。所述切割线可以被用来定义要移除的阻挡膜的部分。为了说明的目的，将被移除的阻挡膜的部分在图3中被示为阻挡膜2。被保持在粘合层上的阻挡膜的部分在图3中被示为阻挡膜1。
切割线的位置可以根据不同的应用或设计而确定或调整，使得至少一部分用作单元测试的TFT区域可被暴露出来。激光束的能量级别和照射时间也可根据不同的应用或设计来确定或调整。在一个实施例中，所用照射在切割线上的二氧化碳激光器具有80至200毫米的切割速率，以及大约2％到约10％的激光电流。当照射在切割线上时，所述激光束可以通过激光阻挡层被反射并分散在阻挡膜中。反射的激光束可被阻挡膜吸收，因此不会照射到相应的TFT层，以造成TFT层损坏。所述TFT层因此可在激光切割过程具有较少的损坏或没有损坏。
进一步，将对应于用作单元测试的TFT区域的阻挡膜的部分从阻挡膜的剩余部分分离，以暴露所对应的用于单元测试的TFT区域。
如图4所示，阻挡膜2可以从阻挡膜1分离或除去。任何合适的方法，例如机械加工，都可以用于除去阻挡膜2。下面的空隙可被暴露，相应的TFT区域可被用于随后的单元测试。
通过使用所公开的柔性OLED的结构，可在阻挡膜的背面形成的反射性的图案化的激光阻挡层。该阻挡膜上沉积有反射性材料的部分可以对应于用作单元测试的TFT区域。因此，在半切割工艺中，激光束可由激光阻挡层反射回阻挡膜，使得用作单元测试的TFT区域可以不被激光束损坏。所述TFT区域也不会被任何激光束的能量波动损坏。制造的工艺窗口可以大大改善或加宽，并且制造成本可降低。
本发明的另一个方面提供了一种显示面板。显示面板可以包括所公开的柔性OLED结构。
本发明的实施例提供了一种显示装置。所显示装置可包含一个或多个本发明提供的显示面板。此显示装置可用于具有显示功能以及/或者触摸感应功能的产品或部件。例如，所提供的显示装置可以为电视，电子纸、电子相框，手机、平板电脑等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种用于制造显示面板的显示基板的方法，包括：
提供一个柔性有机发光二极管基底，在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域；
提供阻挡膜，在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层，所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层；
将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上，使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域；和
用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜，以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用一激光束照射以移除所述阻挡膜的过程包括：
用所述激光束沿所述切割线移动以熔化沿着所述切割线的所述阻挡膜的一部分；
将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分分离，所述阻挡膜的第一部分与所述测试区域相关联；和
将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除，以暴露所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层的至少一部分形成在所述阻挡膜的第一部分上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的粘合层的一部分和所述至少一个测试区域之间形成空隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层由一种对激光具有反射性的材料制成。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述激光束是二氧化碳激光束，所述图案化的激光阻挡层对所述二氧化碳激光束的波长具有反射性。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层是通过沉积工艺或旋涂工艺或接合工艺或以上工艺的组合形成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的粘合层不覆盖所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层由铜或铝或铜和铝的组合制成。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层的厚度为8纳米至1微米。
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