CN109087882A - 一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统 - Google Patents

Abstract

本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域，并公开了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。该方法包括下列步骤：(a)在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器获得多个预制品；(b)选取一部分预制品采用激光照射，并标定使得柔性衬底从基板上剥离对应的激光工艺参数范围和电压范围；(c)对于剩余的预制品，设定激光的工艺参数，采用激光照射基板的底部，记录剥离时压电传感器测量的实时电压，将其与标定的电压范围进行比较，以此判断产品是否合格，由此获得合格的柔性电子器件。通过本发明，实现剥离应变冲击与电信号关系的定量标定，进而实现产品的科学分拣和工艺控制，提高良品率，提高生产设备和制造流程的敏捷性。

Description

一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统

技术领域

本发明属于激光剥离制备柔性电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统。

背景技术

柔性电子制造的关键步骤之一，是将高性能电子器件如传感器、智能蒙皮、显示屏幕等从刚性衬底上剥离，从而得到成品或进一步向柔性衬底转移。传统的顶针剥离、化学刻蚀剥离、应力控制剥离等方法存在流程复杂，效率不佳，成功率低等诸多问题，故近些年来，开始广泛采用效率更高、可适应大面积批量生产的激光剥离技术。

一方面，现有的激光剥离工艺，在用于大面积超薄电子器件的制备过程中仍存在一些问题。其中较为显著的一点是为了在保证可靠剥离的基础上进一步提高生产效率和生产质量，通常手段是通过调节照射激光的能量密度等工艺参数，而不恰当的工艺参数，往往会导致一些问题，从而对薄膜和上层器件造成不同程度的损伤，虽然部分已有技术，通过引入隔热层或缓冲层等手段，可以有效地缓解激光烧蚀过程中热穿透对器件的影响，但对于超薄器件来说，为了保证器件的性能，隔热层和缓冲层的厚度与器件层通常处于相同量级，其增加的刚度近乎可以忽略不计，并不能显著提升器件层抵抗冲击的能力，即便高温并未造成热穿透，烧蚀产生的冲击仍可能损伤器件。此外，随着应用对象的变化，最佳的工艺参数区间也不尽相同。许多传统的生产模式具有极大的针对性，生产设备的敏捷性偏低，需要针对工况变化进行大量的重复测定等工作，导致工艺的适应性较差，生产转换的周期较长。

另一方面，目前激光剥离工艺广泛采用的激光器大多数为准分子激光器，其工作特性使得其不可避免的具有不同程度的能量波动，在制备工艺中，尤其的，在早期制备工艺环节中，不恰当的能量密度参数所造成的冲击损伤，往往难以直接发觉或检测，并缺乏一个量化的检测指标，因此，在大规模生产中，工艺设备倾向于采用开环控制，严格依赖输入工艺参数的正确性，一旦参数指定，便无法对剥离进程作进一步的控制，假若工艺参数有误，或工艺设备的稳定性出现突然波动，由于缺乏在线监测手段，就不能及早检出废品，并在大量出现废品时及时终止生产，会大大降低良品率并带来巨大的浪费和损失。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种柔性电子器件的制备方法及其产品与系统，通过针对大面积超薄柔性电子器件的激光剥离工艺，为了进一步提高生产效率并保证良品率的问题，对所需的柔性电子器件的结构、制备工艺方法以及制造系统进行设计和改进，其中，首先构建在基底上制备柔性电子器件和压电传感器的预制品结构，然后采用激光将柔性电子器件从基底上剥离，其中通过压电传感器标定可靠激光剥离时的电压范围，并以此范围作为最终获得产品质量的判断标准，以此对实现激光剥离过程中的冲击进行实时的量化评估，此外，还在工艺设备中集成闭环控制，通过将实时的反馈值与预先测定的期望值比较，从而对工艺参数和生产策略进行相应调整。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种柔性电子器件的制备方法，其特征在于,该方法包括下列步骤：

(a)选取刚性透明基板，在该基板上制备柔性电子器件和压电传感器，由此获得多个预制品，其中，所述压电传感器用于测量将所述柔性电子器件从所述基板上剥离时激光冲击产生的电压；

(b)在所述多个预制品中选取一部分作为样品，采用激光照射所述样品的基板的底部，使得所述柔性衬底从基板上剥离，同时记录所述激光照射时所述压电传感器测得的电压，通过调节所述激光的工艺参数，以此获取使得所述柔性衬底从所述基板上剥离对应的激光参数范围，以及与之相应的电压范围；

(c)将其余的预制品作为成品，按照步骤(b)中获得的激光工艺参数范围设定激光的实际工艺参数，采用该激光照射所述成品的基板的底部，使得柔性电子器件从所述基板上剥离，记录剥离时所述压电传感器测量的实时电压，将该实时电压与步骤(b)中获得的电压范围进行比较，在所述范围内的为合格品，否则为次品，由此获得合格的柔性电子器件。

进一步优选地，在步骤(a)中，所述在基板上制备柔性电子器件和压电传感器优选采用以下方式：在所述基板上依次制备柔性衬底、压电层、电极、缓冲层和器件层，以此在所述基板上形成所述柔性电子器件，所述压电层和电极形成介于柔性衬底和器件层之间的压电传感器，所述缓冲层用于填平所述电极表面的沟壑以此保证制备所述器件层所需的平整度，并隔离压电传感器与器件层以防互相产生干扰。

进一步优选地，在步骤(a)中，在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器优选采用以下方式：

在所述基板上制备柔性衬底，将该柔性衬底表面划分为器件区和传感区，在所述器件区制备器件层，在所述传感区上制备压电层，在该压电层上制备电极以此形成压电传感器，在所述电极上制备缓冲层，该缓冲层的厚度等于所述器件层的厚度，以此模拟所述器件层对所述基板的压迫。

进一步优选地，在步骤(c)中，所述将实时电压与步骤(c)中获得的电压范围进行比较后，还需根据比较的结果计算合格率，并将该合格率与预设合格率阈值进行比较，当所述合格率小于所述阈值时，对所述激光的工艺参数进行调整，直至所述合格率不小于所述阈值。

进一步优选地，所述压电层、电极和缓冲层的总厚度不超过2μm。

进一步优选地，所述压电层采用的材料优选采用聚偏氟乙烯、锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸钡或氧化锌。

按照本发明的另一方面，提供了一种利用上述所述的方法制备获得的柔性电子产品。

按照本发明的另一方面，提供了一种制备柔性电子产品的系统，其特征在于，该系统包括激光输出装置、运动控制平台、监视器和控制器，其中：

所述激光输出装置设置与所述运动控制平台相对设置，用于发出激光照射所述预制品的基板，并使得所述柔性电子器件从所述基板上剥离；

所述运动控制平台用于放置所述预制品，通过该运动控制平台的运动带动所述预制品运动，以此改变所述激光在所述基板上的照射区域，其中，该运动控制平台上设置有运动传感器，用于实时测量所述运动控制平台的实时运动参数，并将其反馈给所述监视器；

所述监视器分别与所述运动传感器和所述预制品中的压电传感器连接，用于接收所述压电传感器测量的实时电压和运动传感器测量的实时运动参数，并反馈给所述控制器；

所述控制器与所述激光输出装置、运动控制平台和监视器相连，用于根据监视器反馈的实时电压和实时运动参数，分别对所述激光输出装置输出的激光工艺参数和运动控制平台的运动参数进行调节，以此分别实现所述激光工艺参数和运动控制参数的闭环控制。

总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：

1、本发明提供的制备方法，通过在预制品中制备压电传感器，并通过该压电传感器实时监控激光剥离时的电压，并标定剥离对应的电压范围，实现了剥离冲击与电信号关系的定量标定，通过检测压电传感器返回的电信号，实现了对激光剥离产生冲击的实时测量，从而实现了产品的科学分拣，有利于提高良品率，同时还可有效减少生产转换所需要的综合成本；

2、本发明通过在柔性衬底上利用压电材料一体化制备压电传感器，从而将冲击应变转化为电信号，直观地反应剥离器件的损伤情况，从而避免过度提高能量密度对器件产生冲击破坏；

3、本发明通过建立电压对激光能量密度调控的闭环控制，集成进生产工艺设备，进行剥离参数的实时监控和调整，大大提高了生产设备和制造流程的敏捷性。

附图说明

图1是按照本发明的优选实施例所构建的柔性电子器件的制备方法流程图；

图2是按照本发明的优选实例所构建的柔性电子器件的制备工艺流程图；

图3是按照本发明的优选实施例所构建的在柔性衬底上的传感区制备压电层的结构示意图；

图4是按照本发明的优选实施例所构建的采用掩膜版在柔性衬底上划分器件区和传感区的示意图；

图5是按照本发明的优选实施例所构建的分别在传感区和器件区制备压电传感器和柔性电子器件的结构示意图；

图6是按照本发明的优选实施例所构建的将传感区和器件区分开的结构示意图；

图7是按照本发明的优选实施例所构建的建立剥离冲击与电压信号定量关系的标定方法示意图；

图8是按照本发明的优选实施例所构建的制备柔性电子器件的系统机构示意图。

在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：

10-透明刚性基板 20-目标衬底 30-压电层 40-金属电极 41-引线 50-缓冲层51-器件层 60-检测设备 61-照射激光 70-切割设备 100-测试区 101-生产区 102-器件区 103-传感区 104-激光光斑 200-控制器 201-激光输出 202-运动控制平台 203-监测器 204-电压传感器 205-运动传感器

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

图1是按照本发明的优选实施例所构建的柔性电子器件的制备方法流程图，如图1所示，是一种柔性电子器件的制备方法，具体包括以下步骤, 图2是按照本发明的优选实例所构建的柔性电子器件的制备工艺流程图，如图2所示，是按照方案一，即P1，制备柔性电子器件的工艺流程图，具体如下：

步骤一：准备透明刚性基板10，优选的，可采用石英玻璃，或蓝宝石，在进行下一个步骤前，对基板进行彻底地清洗，以完全去除基板上的杂质。

步骤二：在洁净的透明刚性基板10上制备电子器件的目标衬底20，视功能和需求的不同，衬底的材料、厚度及制备工艺具有选择性。对于柔性电子制造领域，常使用聚合物材料作为器件衬底。例如，可利用旋涂或丝网印刷等工艺，制备聚酰亚胺(PI)薄膜作为器件衬底。为保证其使用性能，衬底厚度一般控制在2μm～20μm不等，若为了保障特殊需求，亦可制备地更薄或更厚。通常，激光剥离后，PI衬底可作为器件的基底使用，无需再向柔性基底转印。

步骤三：在目标衬底20上制备压电层30，压电材料的种类非常多，常见的材料，诸如聚偏氟乙烯(PVDF)、锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)、钛酸钡(BaTiO₃)、氧化锌(ZnO)等，视具体使用需求和成本考虑对衬底材料进行选择，例如，针对PI衬底，可利用旋涂工艺，制备PVDF薄膜作为压电层30，其厚度可以控制在1μm左右。由于检测层，压电层20、电极40以及缓冲层50加起来的总厚度可以控制在2μm以下，其量级相对于器件整体(通常高于10μm)而言相当薄，故对实际剥离和器件性能的影响基本可以忽略不计。一般的，在条件允许的情况下，应当优先考虑该方案一。

在考虑到成本因素或特定情况下，不希望在最终的器件中遗留压电传感器，可以考虑方案二，即P2，在压电层30的实际制备过程中，可以将基板区域划分为器件区102和传感区103，图3是按照本发明的优选实施例所构建的在柔性衬底上的传感区制备压电层的结构示意图，如图3所示，仅仅在传感区制备压电层，具体地，图4是按照本发明的优选实施例所构建的分别在传感区和器件区制备压电传感器和柔性电子器件的结构示意图，如图4所示，利用掩膜版对器件区进行遮蔽，仅在传感区103制备压电层，该图仅为示意，实际应用中，阵列的数目、光斑的大小等参数均可以任意定制，并不构成对本发明的任何限制

步骤四：在压电层30上，制备金属电极40，从而构成一个完整的压电传感器。具体的，每一对电极，通常应当分别位于压电层的上下。这种方案会增加制备过程中的层数，相对更为复杂。优选的，可考虑在压电层的上方制备叉指电极，从而可以一次性在一层制备所有电极，并能够方便地实现图案化。电极的材料可采用金属铂(Pt)，可采用掩膜版配合溅射工艺进行图案化，厚度则可控制在几十纳米不等。其中，每个左右两指构成一个基本单元，其原理类似一个平板电容器的两对金属板。两指的重合长度、分布距离则是影响每个单元的电容大小的重要因素。末端具备两个引脚区域，用于引线41。大面积柔性制造领域中，通常不适宜用金属导线直接布线，可采用电流体喷印技术，利用纳米银浆打印导线，并在紫外光照射下光固，从而将阵列化电极的引脚统一导向基板的边缘区域，再进行后续接线。

步骤五：在电极上制备缓冲层50，并在缓冲层50上利用相应工艺逐层制备器件层51。制备缓冲层50的目的主要是填平电极图案产生的沟壑，保证制备器件层时对平整度的需求。同时将检测层与器件层隔离，避免对器件的性能和使用造成不利影响。因此，缓冲层50的厚度应尽可能地薄，同时成膜要均匀，保证上表面充分平整。材料体系的选择上既要考虑不对器件层51造成干涉，同时还需要满足器件层51的生长制备需求。

若在步骤三中，仅在传感区103制备了压电层20，图5是按照本发明的优选实施例所构建的分别在传感区和器件区制备压电传感器和柔性电子器件的结构示意图，如图5所示，在器件区102制备器件层51，在传感区 103制备缓冲层50。此时缓冲层50的目的主要是为了模拟器件区102的工况，故理论上，此时缓冲层50的厚度应与器件层51的厚度一致；缓冲层 50采用的材料，力学属性应与器件层51整体水平相同或相近。

步骤六：将引线41与检测设备60相连接，在照射激光61作用下进行激光剥离，并监测传感器返回的电压信号。针对本实例，在采用类似PI的聚合物衬底时，可采用308nm波长的准分子激光。由于透明刚性基板10的材料，通常为石英玻璃或蓝宝石，和PI的能级有显著差异，因此对具备特定能量的光子吸收率有巨大的差异。透明刚性基板10对于308nm准分子激光近乎透明，因此大部分激光能量都被PI吸收，在PI与透明刚性基板10 的界面间发生聚合物烧蚀反应。PI被烧蚀的过程中会产生多种气体，在封闭的空间中形成微米级高度的鼓泡，从而导致上方的结构遭到冲击，产生应变，这种冲击造成的应变会传递到压电层30，压电材料受到应变后会产生一定量的电荷，从而在金属电极40间形成一定的电压。激光的工艺参数，如能量密度等，能量密度越高，PI烧蚀的越剧烈，产生的气体量越大，形成的冲击应变就越大，在金属电极40上检测到的电压也就越大。通过本发明提供的标定手段，可以获得不同实际剥离情况下对应的电压值区间，从而在剥离过程中，利用当前监测到的电压脉冲，监测薄膜内部的冲击大小，并将电压信号作为闭环反馈返回给控制器。通过将反馈的电压信号与预期值对比，即可标记存在问题的剥离区间，并符合时宜地对激光能量密度或基板运动速度等工艺参数进行相应的调节。假如在调整后仍大量检出剥离缺陷，则即时暂停生产，立即对生产设备进行评估和维护。

步骤七：完成激光剥离环节后，分离监测设备，并拾取器件。为避免对器件造成损伤，可考虑采用静电吸附等方式。

图6是按照本发明的优选实施例所构建的将传感区和器件区分开的结构示意图，如图6所示，仅在传感区103制备了压电层20，则在激光剥离后，还应利用切割设备70，对基板整体进行划分切割，从而分离传感区103 和器件区102，以得到单个目标器件。优选的，在切割过程中，可采用激光切割工艺，以充分保证切割精度。

为了实现该工艺流程，在正式生产前，应当利用预生产环节或工艺实验，提前对剥离冲击和电压信号进行标定。图7是按照本发明的优选实施例所构建的建立剥离冲击与电压信号定量关系的标定方法示意图，如图7 所示，以不同的工艺参数，分别激光剥离不同的测试样品，并记录相应的电信号。同时利用激光共聚焦显微镜或SEM切片等技术手段，对剥离的效果进行直接观测。通常，返回的电压信号Vp是一个锯齿形的脉冲信号，其峰值与激光能量密度正相关，而频率则与准分子激光的重复频率高度一致。通过实验积累，可以很直接地得出，当电压信号的峰值位于a～b(a<b)区间时，目标器件能够妥善剥离。而当峰值高于b时，薄膜发生结构性破损，不可避免地将对器件层造成损伤。当峰值低于a时，目标器件与基板界面则未充分剥离，仍存在较大的残余粘附。

另一方面，通过不断累积并收录实验信息和实验结果，即可形成一个不断增长的工艺库，结合神经网络和深度学习等技术手段，就可以实现工艺参数的智能匹配。当生产对象发生变化时，即便现有的工艺库没有收集相应的工艺参数，也可以通过条件类比的方式，从已有的工艺参数中选择一个最为贴近的方案，并在次基础上加以调整，而不必再重新测定工况，从而大幅降低了转移生产的相关成本。通过该工艺库的更新和共享，工艺设备就能更好的适应各种不同的工况，从而大幅提升了生产设备的敏捷性。

图8是按照本发明的优选实施例所构建的制备柔性电子器件的系统机构示意图，如图8所示，该系统包含控制器200、激光输出201、运动控制平台202、监测器203、压电传感器204、运动传感器205等六个部分。其中，压电传感器204已作为检测层，按照上文所述的工艺流程，集成进待剥离的器件中。运动传感器205，通常采用编码盘或光栅尺，作为电机运动控制的控制闭环集成在运动控制平台202中。通过引线，将电压电传感器 204与监测器203连接，从而实时检测激光剥离时传回的电压信号Vp。该信号经监测器203收集后，反馈回控制器200，构成闭环控制回路。控制器 200应具有人机交互界面，可由工艺人员直接输入相关的工艺参数，控制激光输出201与运动控制202的各项控制诸元。同时，控制器200还应内置上文所述的工艺库，以及相应的算法程序。既可以根据工况自动匹配最为合适的工艺参数，对人工输入的新工艺参数进行记忆学习，还可以响应监测器203传回的电压信号Vp，将其与工艺库内置的预期参数进行对比，依据既定算法智能匹配新的控制诸元。具体的，生产开始时，先由工艺人员根据生产经验手动指定控制诸元，或由内置算法自动匹配一套控制诸元，启动生产流程。随着生产进行，电压-时间信号以及对应的位移-时间信号均不断地返回控制器200。当电压信号Vp位于合理区间a～b(a<b)时，视为正常生产，不作调整。当电压信号Vp在短时间间歇性低于a或高于b 时，可视为正常波动，通过对比位移-时间信号，将相应的缺陷类型和缺陷位置予以登记。对于低于a的区域，由于存在较大的残余粘附，不能直接从透明刚性基板10分离，可视为次品，待检测后，可通过再次照射等方式进行补救。对于高于b的区域，由于薄膜可能已经发生结构性损坏，可视为废品，待检测后，如无修复可能，应及时废弃，不再进入下一个工艺环节。当电压信号Vp在短时间连续多次低于a或高于b时，视为异常波动，此时控制器200除记录缺陷类型和缺陷位置外，还将根据算法设定调整控制诸元，适当调整激光输出201的能量密度大小或运动控制平台202的运行速度。若经由控制器200调整后，依旧大量检出异常波动，则视为生产异常。此时控制器200将直接终止生产流程并报警，待工艺人员对生产设备和待剥样品进行人工检查，以明确异常来源。需要指出的是，上述的判定方法仅为该闭环控制生产设备的一个具体的实施实例，仅用于对方案流程的使用说明，并不构成对方案本身的具体限制。实际的，根据不同的质量控制需求，相关技术人员完全可以在实施实例的框架上对部分设定进行调整，从而获得更符合特定生产需求的控制策略。

进一步地，在上述工艺流程的步骤三中，无论是在缓冲层上制备器件层，还是划分区域单独制备器件层，利用本工艺流程都能实现大面积阵列化生产。

具体的，在基板的左右方向划分为一定长度的测试区100和生产区101。由于实际生产中不可避免地存在一些不确定性，其作用是在正式生产时，对每一块基板采用的工艺参数进行进一步的微调。测试区100的材料层次与厚度应与生产区11的阵列化器件区102相一致，其目的是保证调整过程和实际制造过程中的一致性。在生产区101，左右方向的器件区102又间隔了一定的距离，每个单独的器件区102可形成一个单独的工位，其作用，一方面是可适用于诸如多光斑同时制造等特殊工况，一方面是在出现异常状况时，设备停机后可继续在该基板上恢复生产。此时间隔的区域可起到测试区100的作用，作为恢复生产的新起始点，避免整个基板全部报废。

需要指出的是，对于一个单独的插值电极图案，其检测的电压值是整个电极大小范围内的电压总值，故实际使用过程中，需要根据光斑的大小和器件的大小，合理设计叉指电极的指间距等参数，以及叉指电极的分布数量，以获取充分的测量精度。同时，对于每一个传感器图案，检测设备 60进行实时监测时，即需要占用一个单独的信道。因此，实际的扫描策略应符合采用的检测设备的监测能力，对于大面积的阵列化同步制造，要求监测设备提供足够高的信道总数。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种柔性电子器件的制备方法，其特征在于,该方法包括下列步骤：

(a)选取刚性透明基板，在该基板上制备柔性电子器件和压电传感器，由此获得多个预制品，其中，所述压电传感器用于测量将所述柔性电子器件从所述基板上剥离时激光冲击产生的电压；

(b)在所述多个预制品中选取一部分作为样品，采用激光照射所述样品的基板的底部，使得所述柔性衬底从基板上剥离，同时记录所述激光照射时所述压电传感器测得的电压，通过调节所述激光的工艺参数，以此获取使得所述柔性衬底从所述基板上剥离对应的激光参数范围，以及与之相应的电压范围；

(c)将其余的预制品作为成品，按照步骤(b)中获得的激光工艺参数范围设定激光的实际工艺参数，采用该激光照射所述成品的基板的底部，使得柔性电子器件从所述基板上剥离，记录剥离时所述压电传感器测量的实时电压，将该实时电压与步骤(b)中获得的电压范围进行比较，在所述范围内的为合格品，否则为次品，由此获得合格的柔性电子器件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述在基板上制备柔性电子器件和压电传感器优选采用以下方式：在所述基板上依次制备柔性衬底、压电层、电极、缓冲层和器件层，以此在所述基板上形成所述柔性电子器件，所述压电层和电极形成介于柔性衬底和器件层之间的压电传感器，所述缓冲层用于填平所述电极表面的沟壑以此保证制备所述器件层所需的平整度，并隔离压电传感器与器件层以防互相产生干扰。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(a)中，在刚性透明基板上制备柔性电子器件和压电传感器优选采用以下方式：

在所述基板上制备柔性衬底，将该柔性衬底表面划分为器件区和传感区，在所述器件区制备器件层，在所述传感区上制备压电层，在该压电层上制备电极以此形成压电传感器，在所述电极上制备缓冲层，该缓冲层的厚度等于所述器件层的厚度，以此模拟所述器件层对所述基板的压迫。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(c)中，所述将实时电压与步骤(c)中获得的电压范围进行比较后，还需根据比较的结果计算合格率，并将该合格率与预设合格率阈值进行比较，当所述合格率小于所述阈值时，对所述激光的工艺参数进行调整，直至所述合格率不小于所述阈值。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述压电层、电极和缓冲层的总厚度不超过2μm。

6.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述压电层采用的材料优选采用聚偏氟乙烯、锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸钡或氧化锌。

7.一种利用权利要求1-6任一项所述的方法制备获得的柔性电子产品。

8.一种制备柔性电子产品的系统，其特征在于，该系统包括激光输出装置、运动控制平台、监视器和控制器，其中：

所述激光输出装置设置与所述运动控制平台相对设置，用于发出激光照射所述预制品的基板，并使得所述柔性电子器件从所述基板上剥离；

所述运动控制平台用于放置所述预制品，通过该运动控制平台的运动带动所述预制品运动，以此改变所述激光在所述基板上的照射区域，其中，该运动控制平台上设置有运动传感器，用于实时测量所述运动控制平台的实时运动参数，并将其反馈给所述监视器；

所述监视器分别与所述运动传感器和所述预制品中的压电传感器连接，用于接收所述压电传感器测量的实时电压和运动传感器测量的实时运动参数，并反馈给所述控制器；

所述控制器与所述激光输出装置、运动控制平台和监视器相连，用于根据监视器反馈的实时电压和实时运动参数，分别对所述激光输出装置输出的激光工艺参数和运动控制平台的运动参数进行调节，以此分别实现所述激光工艺参数和运动控制参数的闭环控制。