CN113394325B - 电路基板及其制备方法、发光基板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电路基板及其制备方法、一种发光基板。上述电路基板的制备方法包括以下步骤:形成第一走线:在基板的第一侧形成第一走线;形成保护层:在所述基板的第一侧形成保护层;形成第二走线:翻转所述基板,并在所述基板的第二侧形成第二走线。上述电路基板的制备方法能够保护第一走线,避免第一走线在工艺过程中被损伤,从而,有助于降低制备出的电路基板出现质量问题的概率,能够提高制备出的电路基板的质量可靠性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种电路基板、该电路基板的制备方法;以及,一种发光基板、该发光基板的制备方法。
背景技术
Mini LED(Mini Light-Emitting Diode,以下简称为Mini LED)是指尺寸在100微米量级的LED芯片,其可以作为背光源,应用到液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称为LCD)中。与采用普通LED作为背光源的LCD相比,采用Mini LED作为背光源的LCD可以实现更高的亮度,更好的显示效果,同时还能更好地控制局部黑边问题,并减小LCD的厚度。
现有的Mini LED产品中,存在着已经形成于基板的一侧的走线在后续的工艺步骤中容易被划伤的问题。
发明内容
本发明提供了一种电路基板、该电路基板的制备方法;以及,一种发光基板,以解决上述现有技术中在基板的一侧形成的走线在后续的工艺过程中容易被损伤的技术问题。
本发明提供的电路基板,其包括基板、形成在基板的第一侧的第一走线、形成在基板的第二侧的第二走线,以及形成在第一走线上的保护层,所述保护层为刚性层或柔性层。
其中,所述保护层为玻璃;或者,所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
其中,所述保护层为刚性层;所述保护层和第一走线之间具有将二者粘合的黏胶层。
其中,所述黏胶层包括设置在第一粘合区的黏胶,所述第一粘合区在所述基板所在平面上的投影位于所述基板的周边区。
其中,所述第一走线用于与驱动电路和/或柔性电路板连接;所述保护层上设置有开孔,所述开孔与所述第一走线的用于与驱动电路和/或柔性电路板连接的连接处相对应;所述黏胶层包括设置在第二粘合区的黏胶,所述第二粘合区在所述保护层所在平面上的投影至少在所述开孔的一侧绕所述开孔设置。
其中,所述第一粘合区和第二粘合区的黏胶的用于与保护层相接的一侧与基板之间的距离的差值小于设定阈值。
其中,所述黏胶层的材质为有机硅树脂或改性亚克力胶。
本发明提供的电路基板的制备方法,其包括以下步骤:
形成第一走线:在基板的第一侧形成第一走线;
形成保护层:在所述基板的第一侧形成保护层,所述保护层为刚性层或柔性层;
形成第二走线:翻转所述基板,并在所述基板的第二侧形成第二走线。
其中,所述保护层为刚性层,形成所述保护层的步骤包括:
在所述基板的第一侧形成黏胶;
将保护层放置在黏胶上,通过黏胶粘合在基板上。
其中,所述黏胶形成在第一粘合区,所述第一粘合区在所述基板所在平面内的投影位于所述基板的周边区。
其中,所述第一走线用于连接驱动电路和/或柔性电路板;所述保护层上设置有开孔,所述开孔与所述第一走线的用于与驱动电路和/或柔性电路板连接的连接处相对应;所述黏胶还形成在第二粘合区,所述第二粘合区在所述保护层所在平面上的投影至少在所述开孔的一侧绕所述开孔设置。
其中,所述第一粘合区和第二粘合区形成的黏胶的用于与保护层相接的一侧与基板之间的距离的差值小于设定阈值。
其中,所述黏胶为有机硅树脂或改性亚克力胶。
其中,所述保护层的材料包括聚酰亚胺。
其中,所述形成保护层的步骤包括:
在所述基板的第一侧涂覆包括聚酰亚胺的材料层;
固化所述材料层形成保护层。
本发明提供的发光基板,其包括上述电路基板。
本发明实施例提供的上述电路基板、电路基板的制备方法,以及发光基板与现有技术相比具有如下优点:
本发明实施例提供的电路基板的制备方法,在制备电路基板时,首先在基板的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板的第一侧形成保护层,该保护层覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板翻转以在基板的第二侧形成第二走线时,保护层可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板的第二侧形成第二走线时,保护层位于第一走线和放置基板的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板之间的相对运动造成第一走线的损伤。从而,有助于降低制备出的电路基板出现质量问题的概率,能够提高制备出的电路基板的质量可靠性和稳定性。
本发明实施例提供的电路基板,其制备时,可以选择首先在基板的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板的第一侧形成保护层,该保护层覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板翻转以在基板的第二侧形成第二走线时,保护层可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板的第二侧形成第二走线时,保护层位于第一走线和放置基板的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板之间的相对运动造成第一走线的损伤。从而,选择上述制备方式,有助于降低电路基板出现质量问题的概率,能够提高电路基板的质量可靠性和稳定性。
本发明实施例提供的发光基板,其包括上述电路基板。在制备时,可以选择一种能够避免基板的第一侧的第一走线在工艺过程中受到损伤的制备方法,从而有助于降低发光基板出现质量问题的概率,能够提高发光基板的质量可靠性和稳定性。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的电路基板的制备方法的实施例1的工艺流程图;
图2为在基板的第一侧形成的第一走线的结构示意图;
图3为在基板的第一侧形成第一走线的工艺流程图;
图4为在基板的第一侧形成的保护层的结构示意图;
图5为在基板的第一侧形成保护层的工艺流程图;
图6为在基板的第一侧形成保护层后的俯视示意图;
图7为在基板的第二侧形成的第二走线的结构示意图;
图8为在基板的第二侧形成第二走线的工艺流程图;
图9为在基板的侧边形成的侧边走线的结构示意图;
图10为本发明的电路基板的制备方法的实施例1的一个替代实施例中第一走线的结构示意图;
图11为本发明的电路基板的制备方法的实施例2中在基板的第一侧形成保护层的工艺流程图;
图12为本发明的发光基板的制备方法的工艺流程图;
图13为LED芯片安装在电路基板上的结构示意图;
图14为驱动电路和柔性电路板安装在电路基板上的结构示意图。
图中:
10-基板;11-导电图形层;12-绝缘层;13-导电区;14-保护层;15-黏胶;16-第一导电图形层;17-第一绝缘层;18-第二导电图形层;19-第二绝缘层;110-导电区;111-侧边线路;
20-LED芯片;21-驱动电路;22-柔性电路板;
A1-第一粘合区;A2-第二粘合区。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
窄边框是面板的发展趋势,通过将面板中待与电路板连接的绑定端子设置在面板的背面,可以增加有效区域的面积,进而实现更窄的边框。发明人发现,在一些实施方式中,显示面板显示区的走线和绑定端子分别设置在面板的衬底基板的相对的两个表面,通过侧面走线或者在衬底基板中设置通孔的方式,以将位于衬底基板不同表面的走线与绑定端子实现电连接。然而,上述方式需要分别在衬底基板的正面和背面分别进行成膜和图案化工艺,因在制程中需要翻转和移动衬底基板。在翻转、移动衬底基板的过程中,不可避免地会造成已制作好的膜层部分暴露在外,且可能存在与载台或者位移装置的摩擦或碰撞,从而造成的膜层出现划伤或者失效,导致面板出现质量问题,降低了产品良率。
本发明实施例提供一种电路基板、该电路基板的制备方法;在此基础上,提供一种发光基板、该发光基板的制备方法。
下面结合附图对本发明提供的电路基板、电路基板的制备方法、发光基板、发光基板的制备方法的实施例进行说明。
(1)电路基板的制备方法的一些实施例
在本实施例中,如图1所示,电路基板的制备方法包括以下步骤S1、S2、S3。
S1、在基板10的第一侧形成第一走线,如图2所示。
在步骤S1中,基板10一般为玻璃基板。除了玻璃基板之外,也可以为和玻璃基板类似的其他任何材质的基板结构,即同样存在背景技术部分所提到的基板一侧的走线容易划伤的技术问题的基板结构。
如图3所示,在基板10的第一侧上形成第一走线的步骤具体包括以下步骤S11、S12。
S11、在基板的第一侧形成导电图形层11。
在步骤S11中,导电图形层11的材质可以选择为Cu、Al、AS7等各种具有导电性能的金属材质或其他材质。在选择导电图形层11的材质时,可以根据第一走线及其连接的电子器件对电阻的要求及其他各方面的要求确定。在本实施例中,导电图形层11的材质选择为Cu。
在基板上形成Cu材质或其他材质的导电图形层11的步骤和方法为已知的工艺,在此就不再赘述。
S12、形成绝缘层12,绝缘层12覆盖在导电图形层11上,且将导电图形层11的部分区域露出形成导电区13。
在步骤S12中,绝缘层12的材质可以为SiN等。在基板上形成SiN材质或其他材质的绝缘层12的步骤和方法为已知的工艺,在此就不再赘述。
S2、在基板10的第一侧形成保护层14,如图4所示。
在步骤S2中,保护层14为刚性层,其材质具体可以为玻璃或其他刚性材质。本实施例中选择玻璃作为保护层14。
在基板10的第一侧形成保护层14的步骤具体包括以下步骤S21、S22,如图5所示。
S21、在基板10的第一侧形成黏胶15。
在步骤S21中,在选择黏胶15的种类类型时,基本地考虑是黏胶15的粘合力能够将保护层14粘合在基板10上。在此基础上,进一步需要考虑的是,在制备电路基板的后续工艺过程中,以及制备好的电路基板用于其他产品(如背光模组、显示面板)中所需进行的其他后续工艺过程时所处的温度、湿度等工艺环境的要求。例如,在后续的工艺过程中要求环境温度为高温时,则在步骤S21中,就选择有机硅树脂或者改性亚克力胶等高温胶作为黏胶15,以使黏胶15在后续工艺过程的高温环境中能够维持其形状而不会发生融化等情况。
在基板10的第一侧形成黏胶15的方法可以是涂覆或其他方式,其具体过程是已知的现有技术,在此就不再赘述。
在步骤S21中,黏胶15首先形成在第一粘合区A1;所谓第一粘合区A1,其在基板10所在平面内的投影位于基板10的周边区。这样在将保护层14形成在基板10上之后,黏胶15在基板10的周边区,将对基板10和保护层14提供支撑作用。更具体地,考虑到在后续的工艺步骤中可能需要对基板10的边缘进行切割,黏胶15设置在距离基板10侧边一定距离的位置,该距离根据后续切割基板10的方式决定。如采用激光切割的方式进行基板10的切割,该距离可以设置的较小一些,如0.5mm,即第一粘合区A1与基板10的侧边之间的距离为0.5mm;而如采用机械切割的方式进行基板10的切割,该距离应设置的较大一些,如1mm,即第一粘合区A1与基板10的侧边之间的距离为1mm。
而对于在基板10上形成第一走线的目的是用于连接驱动电路21和柔性电路板22(或者仅其中的任意一者)的情况,在后续的工艺步骤中,需要在保护层14上形成开孔,以露出第一走线上的相应区域作为导电区,使第一走线能够与驱动电路、柔性电路板电连接。对于该种情况,在步骤S21中,还在第二粘合区A2形成黏胶15;所谓第二粘合区A2,其在保护层14所在平面上的投影至少在所述开孔的一侧绕所述开孔设置。这样在对保护层14进行开孔时及开孔后,在开孔处,也会有黏胶15支撑在基板10和保护层14之间,从而有助于开孔过程中以及开孔完成后基板10与保护层14及其二者之间的各结构的稳定和可靠,避免发生损坏。就开孔处的黏胶15的位置而言,更具体地,黏胶15形成在距离开孔的边缘2mm的位置处,以避免在后续工艺过程中的开孔的操作损伤第二粘合区A2的黏胶15。
如图6所示,第一走线的用于与驱动电路、柔性电路板连接的区域靠近基板10的边缘,且为与基板10边缘平行的长条状。第二粘合区A2的黏胶15在开孔的一侧绕开孔设置(沿与开孔平行的方向延伸);而在与第二粘合区A2相对的另一侧,是沿基板10的周边区设置的第一粘合区A1的黏胶15。即,对于图6所示产品,第一粘合区A1的黏胶15不仅沿基板10的周边区设置,还邻近上述开孔,可以在开孔过程中在基板10和保护层14之间进行支撑,这样的情况下,第二粘合区A2就可以只在开孔的一侧绕上述开孔设置即可。可以理解的是,图5为图6沿YY’线剖切得到的基板结构示意图。
在步骤S21中,第一粘合区A1形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离,和第二粘合区A2形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离的差值小于设定阈值。黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离分两种情况分析:第一、如果黏胶15直接形成在基板10上,则该距离为黏胶15的高度;第二、如果黏胶15与基板10之间具有先前工艺过程中形成的层结构,则该距离为黏胶15的高度和位于黏胶15和基板10之间的层结构的厚度之和。
在本实施例中,限定第一粘合区A1形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离,和第二粘合区A2形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离的差值小于设定阈值,可以在将保护层14放置并与黏胶15粘合时,保证保护层14相对于基板10的倾斜较小,在可接受的范围之内。更优选地,限定第一粘合区A1和第二粘合区A2形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离相等,这样设置可以使第一粘合区A1和第二粘合区A2的黏胶15的用于与保护层14相接的位置所在的面与基板10平行或基本平行,从而在将保护层14放置并与黏胶15粘合时,使保护层14与基板10平行或基本平行,避免保护层14倾斜。
S22、将保护层14放置在黏胶15上,通过黏胶15粘合在基板10上。
在步骤S22中,将保护层14与基板15对位,并与基板10进行贴合,在黏胶15固化之后,保护层14和基板10被固定在一起。
S3、翻转基板10,并在基板10的第二侧形成第二走线,如图8所示。
在步骤S3中,对基板10进行翻转操作的方式为已知的现有技术,在此就不再赘述。
在基板10的第二侧形成第二走线的步骤包括以下步骤S31、S32、S33、S34,如图8所示。
S31、在基板10的第二侧制备第一导电图形层16。
在步骤S31中,第一导电图形层16的材质可以选择为Cu、Al、AS7等各种具有导电性能的金属材质或其他材质。在选择第一导电图形层16的材质时,可以根据第二走线及其连接的电子器件对电阻的要求及其他各方面的要求确定。在本实施例中,第一导电图形层16的材质选择为Cu。根据所需要的制备的Cu层的厚度,可以选择溅射或者电镀的方式在基板10的第二侧形成Cu层。
S32、形成覆盖第一导电图形层16的第一绝缘层17,并将第一导电图形层16的部分区域露出形成导电区。
在步骤S32中,第一绝缘层17的材质可以为SiN或者树脂等。在基板上形成SiN材质、树脂材质或其他材质的第一绝缘层17的步骤和方法为已知的工艺,在此就不再赘述。
S33、制备第二导电图形层18,第二导电图形层18在第一导电图形层16露出的导电区处与第一导电图形层16连接。
在步骤S33中,选择Mo/Cu/CuNi或MTD/Cu/CuNi制备第二导电图形层18。采用上述材质制备第二导电图形层18的方法为已知的现有技术,在此不再赘述。
S34、形成覆盖第二导电图形层18的第二绝缘层19,并将第二导电图形层18的部分区域露出形成导电区110。
在步骤S34中,选择SiN、SiO或树脂材质制备第二绝缘层19。采用上述材质制备第二绝缘层19的方法为已知的现有技术,在此不再赘述。在第二绝缘层19上制备形成的导电区110用于连接有关的外部器件。
对于基板10而言,其第一侧的第一走线和第二侧的第二走线,二者是连接的。在本实施例的电路基板的制备方法中,如图1所示,还包括步骤S4,通过步骤S4实现第一走线和第二走线的连接。
S4、在基板10的侧边形成将第一走线和第二走线连接的侧边走线111,如图9所示。
在步骤S4中,在形成侧边走线111之前,作为一个前置环节,可以先对基板10做切边处理,以使基板10及其他结构在侧边处保持平齐。
在步骤S4中所形成的侧边走线111在基板10的第一侧与第一走线的导电图形层11电连接,在基板10的第二侧与第二走线的第一导电图形层16电连接。从而实现第一走线和第二走线之间的电连接。
在本实施例中,在制备电路基板时,首先在基板10的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板10的第一侧形成保护层14,该保护层14覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板10翻转以在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板10的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14位于第一走线和放置基板10的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板10之间的相对运动造成第一走线的损伤。
同时,在本实施例中,由于保护层14为刚性材质,保护层14还可以增强基板10及制备出的电路基板的刚性,改善由于应力集中造成的基板10和电路基板弯曲的现象。
需要说明的是,就本发明的实施而言,还可以在上述实施例的基础上作简单变换,作为上述实施例的替代实施例。
在上述实施例中,在基板10的第一侧形成的第一走线的导电图形层11的数量为1层。区别于上述实施例,在上述实施例的一个替代实施例中,在基板10的第一侧形成第一走线的步骤中,可以形成两层或更多数量的导电图形层11,且对形成每层导电图形层11的材质选择不做限制。如图10所示,基板10上的第一走线具有两层导电图形层11,该两层导电图形层11的材质分别为Cu和ITO,其中ITO层覆盖在Cu层之上。就图10所示的替代实施例而言,在Cu层之上进一步设置ITO层,一方面可以避免Cu层暴露,避免其被氧化;另一方面,ITO层具有透明的属性,在后续的工艺步骤中可以起到对位的作用。
在上述实施例中,在基板10的第二侧形成的第二走线包括两个导电图形层,分别为第一导电图形层16和第二导电图形层18。区别于上述实施例,在上述实施例的另一个替代实施例中,在基板10的第二侧形成第二走线的步骤中,可以形成一层导电图形层,也可以形成三层或更多数量的导电图形层。
在上述实施例的再一个替代实施例中,在将玻璃材质的保护层粘合在基板10上之后,对玻璃做减薄处理,这样可以降低保护层14的厚度,也可以减小保护层14的重量,从而可以降低制备出的电路基板的厚度,以及减小制备出的电路基板的重量。
区别于上述实施例中第二粘合区A2在保护层14所在平面上的投影在开孔的一侧绕开孔设置的方案,在上述实施例的再一个替代实施例中,第二粘合区A2在保护层14所在平面上的投影还可以在所述开孔的两个或更多侧面绕所述开孔设置,从而在开孔处对基板10和保护层14提供更稳定的支撑。
(2)电路基板的制备方法的另一些实施例
在本实施例中,电路基板的制备方法同样包括制备第一走线的步骤、制备保护层的步骤、制备第二走线的步骤,但与上述实施例1不同的是,在本实施例中,保护层14不是玻璃等刚性材质的保护层,而是柔性保护层。具体地,保护层14的材料包括聚酰亚胺。
与上述实施例1相比,本实施例中,保护层14为柔性保护层,无法增强基板10及制备出的电路基板的刚性,改善应力集中导致的基板10和电路基板弯曲的问题。但在基板10为柔性基板的情况下,本实施例中选择聚酰亚胺层作为保护层14,可以制备出柔性电路基板。
在本实施例中,如图12所示,在基板10的第一侧形成保护层的步骤包括以下步骤S21’、S22’。
S21’、在基板10的第一侧涂覆包括聚酰亚胺的材料层。
在步骤S21’中,将聚酰亚胺涂覆在基板10的第一侧的相应区域。在涂覆包括聚酰亚胺的材料层时,将基板10第一侧的第一走线上用于与驱动电路、柔性电路板或其他电子器件电连接的区域露出。
在本实施例中,聚酰亚胺材质形成的保护层14,与前述实施例相比,不需要在基板10、第一走线上形成黏胶15,直接在形成有第一走线的基板10上涂覆包括聚酰亚胺的材料层。
S22’、固化所述材料层形成保护层。
在步骤S22’中,可以通过紫外光照射的方式加速聚酰亚胺的固化过程。
在将聚酰亚胺固化之后,即形成聚酰亚胺材质的保护层14。
需要说明的是,就本发明的实施而言,还可以在实施例2的基础上作简单变换,作为实施例2的替代实施例。在实施例2的一个替代实施例中,保护层14还可以聚酰亚胺材质以外的其他材质的柔性保护层。并且,在将其他材质的柔性保护层形成在基板10的第一侧时,并不限于上述涂覆、固化的步骤,根据其他材质的工艺性质,还可以采用其他任何可能的方式将这些材质的柔性保护层形成在基板10的第一侧。
综上所述,本发明上述实施例提供的电路基板的制备方法,在制备电路基板时,首先在基板10的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板10的第一侧形成保护层14,该保护层14覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板10翻转以在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板10的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14位于第一走线和放置基板10的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板10之间的相对运动造成第一走线的损伤。从而,有助于降低制备出的电路基板出现质量问题的概率,能够提高制备出的电路基板的质量可靠性和稳定性。
(3)电路基板的一些实施例
在本实施例中,电路基板包括基板10、形成在基板10的第一侧的第一走线、形成在基板10的第二侧的第二走线,以及形成在第一走线上的保护层14,保护层14为刚性层。具体地,保护层14的材质为玻璃。
本实施例提供的电路基板,在制备时,可以选择首先在基板10的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板10的第一侧形成保护层14,该保护层14覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板10翻转以在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板10的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14位于第一走线和放置基板10的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板10之间的相对运动造成第一走线的损伤。从而,选择上述制备方式,有助于降低电路基板出现质量问题的概率,能够提高电路基板的质量可靠性和稳定性。
并且,在本实施例中,以刚性层作为保护层14,保护层14还可以增强基板10及电路基板的刚性,改善由于应力集中造成的基板10和电路基板弯曲的现象。
在本实施例中,保护层14和第一走线之间具有将二者粘合的黏胶层。黏胶层将保护层14粘合在第一走线以及第一走线所在的基板10上。
具体地,黏胶层包括设置在第一粘合区A1的黏胶15;所谓第一粘合区A1,其在基板10所在平面上的投影位于基板10的周边区。在第一粘合区A1设置黏胶15,可以在将保护层14形成在基板10上之后,在基板10的周边区对基板10和保护层14提供支撑作用。更具体地,考虑到在后续的工艺步骤中可能需要对基板10的边缘进行切割,黏胶15设置在距离基板10侧边一定距离的位置,该距离根据后续切割基板10的方式决定。如采用激光切割的方式进行基板10的切割,该距离可以设置的较小一些,如0.5mm,即第一粘合区A1与基板10的侧边之间的距离为0.5mm;而如采用机械切割的方式进行基板10的切割,该距离应设置的较大一些,如1mm,即第一粘合区A1与基板10的侧边之间的距离为1mm。
具体地,在选择黏胶15的种类类型时,基本地考虑是黏胶15的粘合力能够将保护层14粘合在基板10、第一走线上。在此基础上,进一步需要考虑的是,在制备电路基板的后续工艺过程中,以及制备好的电路基板用于其他产品(如背光模组、显示面板)中所需进行的其他后续工艺过程时所处的温度、湿度等工艺环境的要求。例如,在后续的工艺过程中要求环境温度为高温时,则选择有机硅树脂或者改性亚克力胶等高温胶作为黏胶15,以使黏胶15在后续工艺过程的高温环境中能够维持其形状而不会发生融化等情况。
(4)电路基板的另一些实施例
在本实施例中,区别与上述电路基板的实施例1,第一走线用于与驱动电路21和柔性电路板22(或者仅其中的任意一者)连接。保护层14上设置有开孔,开孔与第一走线的用于与驱动电路21、柔性电路板22连接的连接处相对应。黏胶层包括设置在第二粘合区A2的黏胶15;所谓第二粘合区A2,其在保护层14所在平面上的投影至少在上述开孔的一侧绕上述开孔设置。
在第二粘合区A2设置黏胶15,可以在对保护层14进行开孔时及开孔后,使得在开孔处,也会有黏胶15制成在基板10和保护层14之间,从而有助于开孔过程中以及开孔完成后基板10与保护层14及其二者之间的各结构的稳定和可靠,避免发生损坏。就开孔处的黏胶15的位置而言,更具体地,黏胶15形成在距离开孔的边缘2mm的位置处,以避免在后续工艺过程中的开孔的操作损伤黏胶15。
在本实施例中,第一粘合区A1的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离,和第二粘合区A2的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离小于设定阈值。这样设置可以在将保护层14放置并与黏胶15粘合时,保证保护层14相对于基板10的倾斜较小,在可接受的范围之内。更优选地,限定第一粘合区A1和第二粘合区A2形成的黏胶15的用于与保护层14相接的一侧与基板10之间的距离相等,这样设置可以使第一粘合区A1和第二粘合区A2的黏胶15的用于与保护层14相接的位置所在的面与基板10平行或基本平行,从而在将保护层14放置并与黏胶15粘合时,使保护层14与基板10平行或基本平行,避免保护层14倾斜。
本实施例中其他未提及之处与上述电路基板的实施例1相同,在此不再赘述。
(5)电路基板的再一些实施例
在本实施例中,区别与上述电路基板的实施例1、实施例2,保护层14为柔性层,具体地,保护层14的材料包括聚酰亚胺。
与上述电路基板的实施例1、实施例2相比,本实施例中,以聚酰亚胺层作为保护层14,聚酰亚胺层本质为柔性层,无法增强基板10及电路基板的刚性,改善应力集中导致的基板10和电路基板弯曲的问题。但在基板10为柔性基板的情况下,本实施例中选择聚酰亚胺层作为保护层14,可以制备出柔性电路基板。
需要说明的是,就本发明的实施而言,还可以在实施例3的基础上作简单变换,作为实施例3的替代实施例。在实施例3的一个替代实施例中,保护层14还可以聚酰亚胺材质以外的其他材质的柔性保护层。
综上所述,本发明上述实施例提供的电路基板,在制备时,可以选择首先在基板10的第一侧形成第一走线,在第一走线成型之后,在基板10的第一侧形成保护层14,该保护层14覆盖在第一走线上,使第一走线不暴露于外界。在将基板10翻转以在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14可以在翻转过程中保护第一走线,避免外界的物体直接磕碰在第一走线上,从而可以损伤第一走线。以及,在基板10的第一侧朝向下方、第二侧朝向上方,在基板10的第二侧形成第二走线时,保护层14位于第一走线和放置基板10的承载平台之间,使第一走线不与承载平台直接接触,避免因承载平台和基板10之间的相对运动造成第一走线的损伤。从而,选择上述制备方式,有助于降低制备出的电路基板出现质量问题的概率,能够提高制备出的电路基板的质量可靠性和稳定性。
(6)发光基板的制备方法的一些实施例
在本实施例中,发光基板的制备方法包括上述电路基板的制备方法的实施例中制备电路基板的各步骤。
此外,发光基板的制备方法还包括以下步骤S5、S6,如图12所示。
S5、将LED芯片20安装在基板10的第二侧,安装在基板10的第二侧的LED芯片与第二走线电连接,如图13所示。
在步骤S5中,通过固晶工艺等方法将LED芯片20安装在基板10的第二侧,将LED芯片20安装在基板10上的工艺为已知的现有工艺,在此就不再赘述。
S6、将驱动电路21、柔性电路板22与基板10的第一侧的第一走线电连接,如图14所示。
在步骤S6中,通过绑定(bonding)工艺等方法将驱动电路21、柔性电路板22与基板10的第一侧的第一走线电连接。将驱动电路21、柔性电路板22绑定在基板上为已知的现有工艺,在此就不再赘述。
在本实施例中,需要说明的是,对步骤S5和步骤S6的工艺顺序不做限定。可以先进行步骤S5的工艺,继而进行步骤S6的工艺;也可以先进行步骤S6的工艺,继而进行步骤S5的工艺。就图13和图14所示而言,其二者示出的情况为先进行步骤S6的工艺,继而进行步骤S5的工艺。
本实施例提供的发光基板的制备方法,其包括上述电路基板的制备方法的实施例中制备电路基板的各步骤,其可以在电路基板及发光基板的制备过程中,保护基板10的第一侧的第一走线,避免在工艺过程中损伤第一走线,从而有助于降低制备出的发光基板出现质量问题的概率,能够提高发光基板的质量可靠性和稳定性。
(7)发光基板的另一些实施例
在本实施例中,发光基板包括上述任意一个实施例中所描述的电路基板。
在本实施例中,发光基板还包括在电路基板的第一侧与第一走线连接的驱动电路21和柔性电路板22,以及在电路基板的第二侧与第二走线连接的LED芯片20。
本实施例提供的发光基板,其包括上述电路基板的实施例中所描述的电路基板。在制备时,可以选择一种能够避免基板10的第一侧的第一走线在工艺过程中受到损伤的制备方法,从而有助于降低发光基板出现质量问题的概率,能够提高发光基板的质量可靠性和稳定性。
本发明提供的上述发光基板可以用于显示面板和显示设备,在应用于显示面板和显示设备时,其实施状况如下。
(8)显示面板的另一些实施例
在本实施例中,显示面板包括上述实施例提供的发光基板,并且,该显示面板以发光基板中的LED芯片作为像素。
本实施例提供的显示面板,其包括上述实施例提供的发光基板,并且以发光基板中的LED芯片作为像素,其出现质量问题的概率较低、发光基板的质量可靠性和稳定性较高。
(9)显示设备的一些实施例
在本实施例中,所述显示设备包括上述实施例中提供的显示面板。其出现质量问题的概率较低、显示面板的质量可靠性和稳定性较高。
(10)显示设备的另一些实施例
在本实施例中,显示设备包括背光模组,该背光模组的光源采用上述实施例提供的发光基板。
需要说明的是,在本文中,诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种电路基板,其特征在于,所述电路基板包括基板、形成在基板的第一侧的第一走线、形成在基板的第二侧的第二走线,以及形成在第一走线上的保护层,所述保护层为刚性层;所述保护层和第一走线之间具有将二者粘合的黏胶层;
所述黏胶层包括设置在第一粘合区的黏胶,所述第一粘合区在所述基板所在平面上的投影位于所述基板的周边区;
所述第一走线用于与驱动电路和/或柔性电路板连接;
所述保护层上设置有开孔,所述开孔与所述第一走线的用于与驱动电路和/或柔性电路板连接的连接处相对应;
所述黏胶层包括设置在第二粘合区的黏胶,所述第二粘合区在所述保护层所在平面上的投影至少在所述开孔的一侧绕所述开孔设置。
2.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,所述保护层为玻璃。
3.根据权利要求1所述的电路基板,其特征在于,位于所述第一粘合区的粘胶用于与所述保护层相接的一侧与所述基板的距离,和位于所述第二粘合区的粘胶用于与所述保护层相接的一侧与所述基板的距离的差值小于设定阈值。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的电路基板,其特征在于,所述黏胶层的材质为有机硅树脂或改性亚克力胶。
5.一种电路基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成第一走线:在基板的第一侧形成第一走线;
形成保护层:在所述基板的第一侧形成保护层,所述保护层为刚性层;
形成第二走线:翻转所述基板,并在所述基板的第二侧形成第二走线;
形成所述保护层的步骤包括:
在所述基板的第一侧形成黏胶;
将保护层放置在黏胶上,通过黏胶粘合在基板上;
所述黏胶形成在第一粘合区,所述第一粘合区在所述基板所在平面内的投影位于所述基板的周边区;
所述第一走线用于连接驱动电路和/或柔性电路板;
所述保护层上设置有开孔,所述开孔与所述第一走线的用于与驱动电路和/或柔性电路板连接的连接处相对应;
所述黏胶还形成在第二粘合区,所述第二粘合区在所述保护层所在平面上的投影至少在所述开孔的一侧绕所述开孔设置。
6.根据权利要求5所述的电路基板的制备方法,其特征在于,位于所述第一粘合区的粘胶用于与所述保护层相接的一侧与所述基板的距离,和位于所述第二粘合区的粘胶用于与所述保护层相接的一侧与所述基板的距离的差值小于设定阈值。
7.一种发光基板,其特征在于,所述发光基板包括权利要求1~4中任意一项所述的电路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110642695.3A CN113394325B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 电路基板及其制备方法、发光基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110642695.3A CN113394325B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 电路基板及其制备方法、发光基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113394325A CN113394325A (zh) | 2021-09-14 |
CN113394325B true CN113394325B (zh) | 2023-04-28 |
Family
ID=77620051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110642695.3A Active CN113394325B (zh) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | 电路基板及其制备方法、发光基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113394325B (zh) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109390352A (zh) * | 2017-08-09 | 2019-02-26 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法 |
CN108054191B (zh) * | 2018-01-11 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN108845712A (zh) * | 2018-07-31 | 2018-11-20 | 信利光电股份有限公司 | 一种用于曲面触摸屏的超薄触控基板制作工艺 |
CN109904186B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-10-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR20210050235A (ko) * | 2019-10-28 | 2021-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
-
2021
- 2021-06-09 CN CN202110642695.3A patent/CN113394325B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113394325A (zh) | 2021-09-14 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant |