JP7373104B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本技術は、可撓性基板を用いた表示装置の製造方法に関する。
折り曲げ可能な表示装置、いわゆるフレキシブルディスプレイの開発が進められている(例えば、特許文献1)。フレキシブルディスプレイには、例えば、可撓性基板が用いられている。
特開2003-76297号公報
このような可撓性基板を用いた表示装置は、製造の際に、可撓性基板の反りが生じやすい。この可撓性基板の反りは、製造の安定性に影響を及ぼす。
したがって、可撓性基板の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能な表示装置の製造方法を提供することが望ましい。
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法は、対向する第1面および第2面を有する可撓性基板の第2面に第1支持部材を貼り合わせ、第1支持部材が貼り合わされた可撓性基板の第1面に自発光素子を形成し、自発光素子を形成した後、可撓性基板から第1支持部材を除去し、第1支持部材が除去された可撓性基板の第2面に磁性体を含む第2支持部材を貼り合わせるものである。
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法では、第1支持部材を除去した後、磁性体を含む第2支持部材を可撓性基板に貼り合わせるので、例えば、基板保持具に磁場を発生させると、第2支持部材とともに可撓性基板が磁場に引き寄せられる。したがって、可撓性基板は、第2支持部材とともに基板保持具に固定される。
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法によれば、支持部材(第2支持部材)が、磁性体を含むようにしたので、製造工程で、支持部材とともに可撓性基板を基板保持具に固定することができる。よって、可撓性基板の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本技術の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面模式図である。 図1に示した基板および磁性支持部材の平面構成の一例を表す模式図である。 図2Aに示した基板および磁性支持部材の平面構成の他の例を表す模図である。 図1に示した表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図1に示した表示装置の製造方法の一例を表す流れ図である。 図4に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。 図5Aに続く工程を表す断面模式図である。 図5Bに続く工程を表す断面模式図である。 図5Cに続く工程を表す断面模式図である。 図5Dに続く工程を表す断面模式図である。 表示装置の機能構成を表すブロック図である。 撮像装置の構成を表すブロック図である。 電子機器の構成を表すブロック図である。 図4に示した表示装置の製造方法の他の例を表す流れ図である。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.実施の形態(基板の裏面に磁性支持部材が設けられた表示装置の例)
2.表示装置の機能構成例
3.撮像装置の例
4.電子機器の例
<実施の形態>
[表示装置1の構成]
図1は、本技術の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の断面構成を模式的に表したものである。表示装置1は、例えば有機電界発光(EL:Electro-Luminescence)装置であり、半導体装置10上に表示素子層20を備えたものである。表示装置1は、例えば、トップエミッション型の表示装置であり、表示素子層20で発生した光は、半導体装置10と反対側から取り出されるようになっている。半導体装置10は、複数のTFT(Thin Film Transistor)10aを有している。表示素子層20は、複数の有機EL素子20Aを有している。図1には、1つのTFT10aおよび1つの有機EL素子20Aを表す。
半導体装置10は、基板11の表面S1(第1面)上に、例えばUC(Under Coat)膜12およびTFT層13をこの順に有している。このTFT層13にTFT10aが設けられている。基板11は、表面S1に対向する裏面S2(第2面)を有している。この裏面S2には、接着層14を介して磁性支持部材15が貼り合わされている。
基板11は、例えば可撓性基板(可撓性を有する基板)である。この基板11は、樹脂材料を含んでおり、基板11の厚み(図1のZ方向の大きさ)は、例えば3μm~60μmである。基板11に含まれる樹脂材料としては、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート),PI(ポリイミド),PC(ポリカーボネート),ポリアミド,ポリエーテルサルフォン(PES)またはPEN(ポリエチレンナフタレート)などが挙げられる。基板11は、PIを含んでいることが好ましい。基板11がPIを含むことにより、耐熱性が向上し、TFT層13を作成する際のプロセス温度を高くすることができる。
UC膜12は、基板11から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン(SiN)膜および酸化シリコン(SiO)膜等の絶縁材料により構成されている。例えば、UC膜12は、基板11に近い位置から順に窒化シリコン(SiN)膜および酸化シリコン(SiO)膜が積層された積層膜であってもよい。UC膜12は、基板11全面にわたって設けられている。
TFT層13のTFT10aは、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、UC膜12上の選択的な領域に半導体層131を有している。この半導体層131上に、ゲート絶縁膜132を介してゲート電極133が形成されている。このゲート電極133を覆うように、層間絶縁膜134が設けられている。層間絶縁膜134およびゲート絶縁膜には、半導体層131の一部に対向して、コンタクトホールH1A,H1Bが設けられている。層間絶縁膜134上には、そのコンタクトホールH1A,H1Bを埋め込むように、一対のソース・ドレイン電極135A,135Bが形成され、これらの層間絶縁膜134およびソース・ドレイン電極135A,135Bを覆って、パッシベーション膜136が形成されている。パッシベーション膜136と表示素子層20(後述の第1電極21)との間には、平坦化膜137が設けられている。TFT10aが、本技術の「トランジスタ」の一具体例に相当する。
半導体層131は、UC膜12上にパターン形成されている。この半導体層131は、ゲート電極133と対向する領域にチャネル領域(活性層)を含んでいる。半導体層131は、例えば、インジウム(In),ガリウム(Ga),亜鉛(Zn),スズ(Sn),チタン(Ti)およびニオブ(Nb)等のうちの少なくとも1種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。具体的には、酸化インジウム錫亜鉛(ITZO),酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO: InGaZnO),酸化亜鉛(ZnO),酸化インジウム亜鉛(IZO),酸化インジウムガリウム(IGO),酸化インジウム錫(ITO)および酸化インジウム(InO)等が挙げられる。あるいは、半導体層131は、低温多結晶シリコン(LTPS)または非結晶シリコン(a-Si)等から構成されていても構わない。
ゲート絶縁膜132は、例えば酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNx)、酸窒化シリコン(SiON)および酸化アルミニウム(AlOx)等のうちの1種よりなる単層膜、またはそれらのうちの2種以上よりなる積層膜から構成されている。ゲート絶縁膜132は、例えば、半導体層131を覆い、基板11の全面に設けられている。ゲート絶縁膜132は、半導体層131のチャネル領域上に設けられ、ゲート電極133と同一の平面形状を有していてもよい。
ゲート電極133は、印加されるゲート電圧(Vg)によって半導体層131中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極133の構成材料は、例えば、チタン(Ti),タングステン(W),タンタル(Ta),アルミニウム(Al),モリブデン(Mo),銀(Ag),ネオジウム(Nd)および銅(Cu)のうちの1種を含む単体および合金が挙げられる。あるいは、それらのうちの少なくとも1種を含む化合物および2種以上を含む積層膜であってもよい。また、例えばITO等の透明導電膜が用いられても構わない。
層間絶縁膜134は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド(PI)、ノボラック系樹脂等の有機材料により構成されている。あるいは、層間絶縁膜134には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜および酸化アルミニウム等の無機材料が用いられてもよい。
ソース・ドレイン電極135A,135Bは、TFT10aのソースまたはドレインとして機能するものであり、例えば、上記ゲート電極133の構成材料として列挙したものと同様の金属または透明導電膜を含んで構成されている。このソース・ドレイン電極135A,135Bとしては、電気伝導性の良い材料が選択されることが望ましい。例えば、ソース・ドレイン電極135AがTFT10aのソース、ソース・ドレイン電極135BがTFT10aのドレインとして機能する。このとき、ソース・ドレイン電極135Aにはソース電位(ソース電位PS)が供給され、ソース・ドレイン電極135Bにはドレイン電位(ドレイン電位PD)が供給されるようになっている。
パッシベーション膜136は、ソース・ドレイン電極135A,135Bを覆い、層間絶縁膜134上に設けられている。パッシベーション膜136は、例えば酸化シリコン(SiO)または窒化シリコン(SiN)等により構成されている。平坦化膜137は、このパッシベーション膜136を介してTFT10aを覆っている。
平坦化膜137上に設けられた表示素子層20は、複数の画素(後述の図2の画素pr,pg,pb)を含むと共に、TFT10aが複数配置されたバックプレーンにより表示駆動される有機EL素子20A(自発光素子)を含んでいる。有機EL素子20Aは、TFT層13側から順に、例えば第1電極21、発光層を含む有機層23および第2電極24を有する。第1電極21は、例えば、アノードとして機能し、TFT10aのソース・ドレイン電極135Aに接続されている。第2電極24は、例えば、カソードとして機能する。この第2電極24には、例えば共通電位線(カソード線)を通じて、各画素に共通のカソード電位が供給されるようになっている。第1電極21と有機層23との間には、隔壁22が設けられている。第2電極24は、保護膜25に覆われている。有機EL素子20Aは、例えば、基板11と封止基板(図示せず)との間に封止されている。
第1電極21は、平坦化膜137上の選択的な領域に、例えば画素毎に設けられている。第1電極21は、例えば有機層23の発光層に正孔を注入する電極である。第1電極21は、例えば、光反射性を有する導電材料により構成されている。例えば、第1電極21は、銀(Ag)およびアルミニウム(Al)などの金属元素の単体または合金により構成されている。第1電極21は、例えば、平坦化膜137およびパッシベーション膜136に設けられたコンタクトホールH2を介してソース・ドレイン電極135Aに電気的に接続されている。
隔壁22は、隣り合う第1電極21の間に設けられており、第1電極21の端部を覆っている。この隔壁22は、画素毎に設けられた第1電極21を電気的に分離するとともに、第1電極21と第2電極24との間の絶縁性を確保するためのものである。隔壁22は、例えばアクリル樹脂またはポリイミド樹脂により構成されている。
第1電極21と第2電極24との間の有機層23は、有機化合物からなる発光層を含むものである。有機層23は、例えば、画素毎に赤色発光層,緑色発光層,青色発光層を含んでいる。発光層では、第1電極21および第2電極24を通じて注入される電子と正孔との再結合により励起子を生じて発光がなされるようになっている。有機層23は、発光層と第1電極21との間に正孔輸送層および正孔注入層を有していてもよく、発光層と第2電極24との間に電子輸送層および電子注入層を有していてもよい。
第2電極24は、有機層23を間にして第1電極21に対向している。この第2電極24は、画素部(後述の図2の画素部2)の全面にわたり、各画素に共通に設けられている。第2電極24は、例えば有機層23の発光層に電子を注入する電極として機能するものである。第2電極24は、例えば光透過性の導電材料により構成されている。第2電極24は、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)およびインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物(IGZO)等の透明導電膜により構成されている。
第2電極24を覆う保護膜25は、例えば、窒化シリコンおよび酸化シリコンなどの無機材料を含んで構成されている。
本実施の形態では、基板11の裏面S2に、接着層14を介して磁性支持部材15が貼り合わされている。磁性支持部材15は、磁性体を含む支持部材である。詳細は後述するが、これにより、磁界を発生させる基板保持具(後述の図5Eの基板保持具18)に、磁性支持部材15とともに、基板11が引き寄せられる。これにより、伸びた状態、即ち、反りのない状態で基板11が基板保持具に固定される。したがって、製造工程での基板11の反りの発生を抑えることができる。
図2Aは、基板11および磁性支持部材15の平面構成の一例を表したものである。磁性支持部材15は、例えば、基板11と略同じ平面形状を有する膜であり、基板11の裏面S2全面にわたって貼り合わされている。磁性支持部材15は、磁性体材料により構成されている。具体的には、フェライト系ステンレスまたはマルテンサイト系ステンレス等の磁性体材料により磁性支持部材15は構成されている。磁性支持部材15は放熱性を有していることが好ましい。これにより、基板11の表面S1側の温度が高くなるのを抑えることができる。金属材料を用いて磁性支持部材15を構成することにより、磁性支持部材15の放熱性を高めることが可能となる。後述の図2Bに示すように、基板11の裏面S2全面に磁性支持部材15を設けなくてもよい。しかし、基板11の裏面S2全面に磁性支持部材15を設けることにより、放熱効果を高めることができる。また、磁性支持部材15は、基板11を保護および補強等する機能を有していることが好ましい。このような磁性支持部材15の厚みは、例えば、5μm~150μm程度である。基板11の反りおよび撓み等を伴う変形を、磁力により抑制することができるように、磁性支持部材15の厚みを調整すればよい。
図2Bは、基板11および磁性支持部材15の平面構成の他の例を表している。このように、磁性支持部材15は、基板11の裏面S2の一部に設けられていてもよい。少なくとも、基板11の裏面S2の縁近傍に磁性支持部材15を設けることにより、基板11の反りを効果的に抑えることができる。例えば、磁性支持部材15は、基板11の裏面S2の周縁近傍に枠状に設けられている。
磁性支持部材15と基板11との間の接着層14は、例えば、アクリルまたはウレタン等の樹脂材料を含んでいる。接着層14に代えて粘着層を用いることにより、基板11に磁性支持部材15を貼り合わせるようにしてもよい。
図3は、表示装置1の全体構成を表すブロック図である。表示装置1は、マトリクス状に2次元配置された複数の画素(画素pr,pg,pb)を有する画素部2と、この画素部2を駆動するための回路部(走査線駆動部3、信号線駆動部4および電源線駆動部5)とを備える。表示装置1では、例えば、画素prから赤色、画素pgから緑色、画素pbから青色の光が各々取りだされるようになっている。
画素部2は、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像を表示するものである。この画素部2には、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線WSLと、列方向に沿って延在する複数の信号線DTLと、行方向に沿って延在する複数の電源線DSLとが設けられている。これらの走査線WSL、信号線DTLおよび電源線DSLは、各画素pr,pg,pbと電気的に接続されている。画素pr,pg,pbは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素pr,pg,pbの組が1つのピクセル(画素PX)を構成する。
画素prは、例えば赤色光を出射する有機EL素子20ARを含んで構成されている。画素pgは、例えば緑色光を出射する有機EL素子20AGを含んで構成されている。画素pbは、例えば青色光を出射する有機EL素子20ABを含んで構成されている。以下では、画素pr,pg,pbのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素P」と称して説明を行う。また、有機EL素子20AR,20AG,20ABのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「有機EL素子20A」と称して説明を行う。
走査線WSLは、画素部2に配置された複数の画素Pを、行毎に選択するための選択パルスを各画素Pに供給するためのものである。この走査線WSLは、走査線駆動部3の出力端(図示せず)と、後述の書き込みトランジスタWsTrのゲート電極とに接続されている。信号線DTLは、映像信号に応じた信号パルス(信号電位Vsigおよび基準電位Vofs)を、各画素Pへ供給するためのものである。この信号線DTLは、信号線駆動部4の出力端(図示せず)と、後述の書き込みトランジスタWsTrのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線DSLは、各画素Pに、電力として固定電位(Vcc)を供給するためのものである。この電源線DSLは、電源線駆動部5の出力端(図示せず)と、後述の駆動トランジスタDsTrのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機EL素子20Aのカソード(第2電極24)は、共通電位線(カソード線)に接続されている。
走査線駆動部3は、各走査線WSLに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Vth補正、信号電位Vsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Pに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部4は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線DTLに出力するものである。電源線駆動部5は、各電源線DSLに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部3、信号線駆動部4および電源線駆動部5は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部4に入力される。
半導体装置10には、各有機EL素子20Aを駆動するための画素回路PXLCが設けられている。画素回路PXLCは、有機EL素子20Aの発光および消光を制御するものであり、例えば有機EL素子20A(有機EL素子20AR,20AG,20ABのいずれか1つ)と、保持容量Csと、書き込みトランジスタWsTrと、駆動トランジスタDsTrとを含んで構成されている。
書き込みトランジスタWsTrは、駆動トランジスタDsTrのゲート電極に対する、映像信号(信号電圧)の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタWsTrは、走査線WSLへの印加電圧に応じて信号線DTLの電圧(信号電圧)をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタDsTrのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタDsTrは、有機EL素子20Aに直列に接続されており、書き込みトランジスタWsTrによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機EL素子20Aに流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタDsTrおよび書き込みトランジスタWsTrは、例えば、nチャネルMOS型またはpチャネルMOS型の薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)により形成される。これらの駆動トランジスタDsTrおよび書き込みトランジスタWsTrは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Csは、駆動トランジスタDsTrのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
書き込みトランジスタWsTrのゲート電極は、走査線WSLに接続されている。書き込みトランジスタWsTrのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線DTLに接続され、他方の電極が駆動トランジスタDsTrのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタDsTrのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線DSLに接続され、他方の電極が有機EL素子20Aのアノード(図1の第1電極21)に接続されている。保持容量Csは、駆動トランジスタDsTrのゲート電極と有機EL素子20A側の電極との間に挿入されている。
図3にはTFT10aを図示していないが、例えば、駆動トランジスタDsTrがTFT10aにより構成されている。書き込みトランジスタWsTrをTFT10aにより構成するようにしてもよい。
尚、ここでは、画素回路PXLCとして、2Tr1Cの回路構成を例示したが、画素回路PXLCの構成はこれに限定されるものではない。画素回路PXLCは、このような2Tr1Cの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい
[表示装置1の製造方法]
次に、図4および図5A~図5Eを用いて、表示装置1の製造方法について説明する。図4は、表示装置1の製造方法の一例を表す流れ図であり、図5A~図5Eは、図4に示した各工程を表す断面模式図である。
まず、図5Aに示したように、ガラス支持部材17の主面に基板11を形成する(図4のステップS101の基板形成工程)。基板11は、例えば、ガラス支持部材17の主面にポリイミドまたはポリイミド前駆体を塗布した後、これを加熱することにより形成する。ガラス支持部材17は、例えば、板状のガラスにより構成されている。基板11の裏面S2がガラス支持部材17により支持される。
ガラス支持部材17上に基板11を形成した後、図5Bに示したように、基板11の表面S1にTFT層13(TFT10a)を形成する(図4のステップS102のTFT形成工程)。次いで、図5Cに示したように、TFT層13上に表示素子層20(有機EL素子20A)を形成する(図4のステップS103の有機EL素子形成工程)。この後、例えば、封止基板を用いて有機EL素子20Aを封止する(図4のステップS104の封止工程)。
続いて、図5Dに示したように、基板11の裏面S2からガラス支持部材17を剥離する(図4のステップS105のガラス支持部材除去工程)。ガラス支持部材17の剥離は、例えばレーザ照射により行う。次に、このガラス支持部材17が剥離された基板11の裏面S2に、接着層14を介して磁性支持部材15を貼り合わせる(図4のステップS106の磁性支持部材貼合工程)。この後、基板11を分断する(図4のステップS107の基板切断工程)。これにより、複数のパネルが形成される。基板11を分断した後、ガラス支持部材17を除去して磁性支持部材15を貼り合わせるようにしてもよい。
基板11を分断した後、半導体装置10に配線基板等を実装し(図4のステップS108の実装工程)、表示状態等の検査を行う(図4のステップS109の検査工程)。これにより表示装置1が完成する。検査工程の後、基板11の裏面S2から磁性支持部材15を除去するようにしてもよい。
実装工程および検査工程等は、例えば、図5Eに示したように、磁性支持部材15を介して基板11を基板保持具18に載せた状態で行われる。基板保持具18は、例えば、工程間トレーまたは設備ステージ等である。基板保持具18は、反りの生じた表示装置1を固定した場合にも平坦性を維持可能に構成されており、十分な厚みおよび強度を備えている。基板保持具18は、例えば、厚みが5mm程度のステンレスにより構成されている。基板保持具18のうち、表示装置1が固定される面は、略平面となっている。基板保持具18では、磁場が発生可能になっており、例えば、スイッチをオンすることにより基板保持具18に磁場が発生し、スイッチをオフすることにより基板保持具18の磁場がなくなるようになっている。基板保持具18に磁場を発生させると、磁性支持部材15とともに基板11が基板保持具18に引き寄せられるので、基板保持具18に基板11が固定される。このとき、基板11は、磁性支持部材15とともに、基板保持具18の平坦面に沿って伸びる。したがって、基板11の反りの発生が抑えられる。仮に、製造工程で基板11が反ったとしても、磁場を発生させた基板保持具18に、磁性支持部材15とともに基板11を載せることにより、基板11を伸ばすことができる。基板保持具18のスイッチをオフすることにより、基板保持具18から、磁性支持部材15とともに基板11を外すことができる
[作用、効果]
本実施の形態の表示装置1では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層20の各画素pr,pg,pbが表示駆動され、映像表示がなされる。有機層23で発生した光は、例えば、第2電極24および保護膜25を介して取り出される。このとき、半導体装置10のTFT層13では、例えば画素pr,pg,pb毎にTFT10aが電圧駆動される。具体的には、ある画素(画素pr,pg,pbのいずれか)のTFT10aのゲート電極133に閾値電圧以上の電圧が供給されると、半導体層131が活性化され(チャネルを形成し)、これにより、一対のソース・ドレイン電極135A,135B間に電流が流れる。
本実施の形態の表示装置1では、基板11の裏面S2に磁性支持部材15が貼り合わされているので、この磁性支持部材15とともに、基板11が磁場に引き寄せられる。これにより、製造工程での基板11の反りが抑えられる。以下、この作用効果について説明する。
例えば、基板切断工程(図4のステップS107の基板切断工程)の後、基板11の裏面S2に、銅(Cu)等の金属板を貼り合わせることも考え得る。これにより、基板11が放熱される。しかし、基板切断工程後の実装工程(図4のステップS108の実装工程)および検査工程(図4のステップS109の検査工程)では、基板11とともに、この金属板も反りやすく、基板11の取り扱いが難しくなる。この基板11の反りまたは撓み等を伴う変形は、表示装置の品質、コストおよび製造効率等に影響を及ぼし、安定した量産を妨げるおそれがある。
これに対し、本実施の形態では、基板11の裏面S2に、磁性支持部材15が貼り合わされているので、製造工程で、ガラス支持部材17を除去した後であっても、基板11の反りを制御しやすくなる。具体的には、磁場を発生させた基板保持具18に、磁性支持部材15とともに基板11が伸びた状態で固定される。したがって、基板11の取り扱いが容易となり、安定して表示装置1を量産することが可能となる。
以上説明したように、本実施の形態の表示装置1では、磁性支持部材15が、磁性体を含むようにしたので、製造工程で、磁性支持部材15とともに基板11を基板保持具18に固定することができる。よって、基板11の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能となる。
また、磁性支持部材15は、放熱のための金属板としても機能し得る。換言すれば、放熱のための金属板により、磁性支持部材15を構成することが可能である。したがって、新たに部材を追加することなく、基板11の反りを抑えることが可能となる。
<機能構成例>
図6は、上記実施の形態において説明した表示装置1の機能ブロック構成を表すものである。
表示装置1は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、上述した有機ELディスプレイの他にも、例えば量子ドット(QD:Quantum Dot)を用いたディスプレイおよび無機ELディスプレイなどにも適用される。表示装置1は、例えばタイミング制御部61と、信号処理部62と、駆動部63と、表示画素部64とを備えている。
タイミング制御部61は、各種のタイミング信号(制御信号)を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部62等の駆動制御を行うものである。信号処理部62は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部63に出力するものである。駆動部63は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部64の各画素を駆動するものである。表示画素部64は、例えば有機EL素子等の表示素子(上述の表示素子層20)と、表示素子を画素毎に駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部63または表示画素部64の一部を構成する各種回路に、上述のTFT10aが用いられる。
<表示装置以外の適用例>
上記実施の形態等では、半導体装置10の適用例として表示装置1を例に挙げて説明したが、半導体装置10は、表示装置1の他にも、図7に示したような撮像装置(撮像装置6)に用いられてもよい。
撮像装置6は、例えば画像を電気信号として取得する固体撮像装置であり、例えばCCD(Charge Coupled Device)またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサなどから構成されている。撮像装置6は、例えばタイミング制御部65と、駆動部66と、撮像画素部67と、信号処理部68とを備えている。
タイミング制御部65は、各種のタイミング信号(制御信号)を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部66の駆動制御を行うものである。駆動部66は、例えば行選択回路、AD変換回路および水平転送走査回路などを含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部67の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。撮像画素部67は、例えばフォトダイオードなどの撮像素子(光電変換素子)と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。信号処理部68は、撮像画素部67から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。これらのうち、例えば、駆動部66または撮像画素部67の一部を構成する各種回路に、上述のTFT10aが用いられる。
<電子機器の例>
上記実施の形態等において説明した表示装置1(または撮像装置6)は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図8に、電子機器7の機能ブロック構成を示す。電子機器7としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ(PC)、スマートフォン、タブレット型PC、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
電子機器7は、例えば上述の表示装置1(または撮像装置6)と、インターフェース部70とを有している。インターフェース部70は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部70は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
また、図4には表示装置1の製造方法を工程順に示したが、他の工程順で表示装置1を製造するようにしてもよい。例えば、図9に示したように、ステップS107の基板切断工程の後、磁性支持部材貼合工程(ステップS106)を行うようにしてもよい。
また、上記実施の形態では、本開示の自発光素子の一具体例として、有機EL素子20Aを挙げて説明したが、表示装置1は、有機EL素子20Aに代えて、量子ドットを用いた自発光素子または無機EL素子等を有していてもよい。
また、上記実施の形態では、トップゲート構造のTFT10aを例示したが、本技術はボトムゲート構造のTFT10aを有する半導体装置にも適用可能である。
また、上記実施の形態では、TFT10aが駆動トランジスタDsTrを構成する場合について説明したが、TFT10aは他の機能を担っていてもよい。
上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
(1)
対向する第1面および第2面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第1面に設けられた自発光素子と
磁性体を含むとともに、前記可撓性基板の前記第2面に設けられた支持部材と
を備えた表示装置。
(2)
少なくとも、前記可撓性基板の縁近傍に前記支持部材が設けられている
前記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記支持部材は前記第2面全面にわたって設けられている
前記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記支持部材は金属により構成されている
前記(1)ないし(3)のうちいずれか1つに記載の表示装置。
(5)
前記自発光素子は、対向する第1電極および第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間の有機層とを含む
前記(1)ないし(4)のうちいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
更に、前記可撓性基板と前記自発光素子との間に設けられるとともに、前記自発光素子に電気的に接続されたトランジスタを有する
前記(1)ないし(5)のうちいずれか1つに記載の表示装置。
(7)
前記可撓性基板はポリイミドを含む
前記(1)ないし(6)のうちいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
対向する第1面および第2面を有する可撓性基板の前記第2面に第1支持部材を貼り合わせ、
前記第1支持部材が貼り合わされた前記可撓性基板の前記第1面に自発光素子を形成し、
前記自発光素子を形成した後、前記可撓性基板から前記第1支持部材を除去し、
前記第1支持部材が除去された前記可撓性基板の前記第2面に磁性体を含む第2支持部材を貼り合わせる
表示装置の製造方法。
(9)
更に、磁場を発生可能な基板保持具に、前記第2支持部材を間にして前記可撓性基板を保持する
前記(8)に記載の表示装置の製造方法。
(10)
前記可撓性基板の前記第2面に、ガラスを含む第1支持部材を貼り合わせる
前記(8)に記載の表示装置の製造方法。
1…表示装置、2…画素部、3…走査線駆動部、4…信号線駆動部、5…電源線駆動部、10…半導体装置、10a…TFT、11…基板、12…UC膜、13…TFT層、14,16…接着層、15…磁性支持部材、17…ガラス支持部材、18…基板保持具、20…表示素子層、21…第1電極、22…隔壁、23…有機層、24…第2電極、25…保護膜、131…半導体層、132…ゲート絶縁膜、133…ゲート電極、134…層間絶縁膜、135A,135B…ソース・ドレイン電極、136…パッシベーション膜、137…平坦化膜、6…撮像装置、7…電子機器、61,65…タイミング制御部、62,68…信号処理部、63,66…駆動部、64…表示画素部、67…撮像画素部、70…インターフェース部、H1A,H1B,H2…コンタクトホール。

Claims (3)

  1. 対向する第1面および第2面を有する可撓性基板の前記第2面に第1支持部材を貼り合わせ、
    前記第1支持部材が貼り合わされた前記可撓性基板の前記第1面に自発光素子を形成し、
    前記自発光素子を形成した後、前記可撓性基板から前記第1支持部材を除去し、
    前記第1支持部材が除去された前記可撓性基板の前記第2面に磁性体を含む第2支持部材を貼り合わせる
    表示装置の製造方法。
  2. 更に、磁場を発生可能な基板保持具に、前記第2支持部材を間にして前記可撓性基板を保持する
    請求項1に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記可撓性基板の前記第2面に、ガラスを含む前記第1支持部材を貼り合わせる
    請求項1に記載の表示装置の製造方法。
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