CN112053629A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN112053629A CN202010488694.3A CN202010488694A CN112053629A CN 112053629 A CN112053629 A CN 112053629A CN 202010488694 A CN202010488694 A CN 202010488694A CN 112053629 A CN112053629 A CN 112053629A
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Abstract

本公开的一种实施方式的显示装置具备:弹性基板,具有相对的第一面和第二面;自发光元件,设置在弹性基板的第一面上;以及支持部件,设置在弹性基板的第二面上,并且包含磁性体。

Description

显示装置和显示装置的制造方法
技术领域
本技术涉及一种使用弹性基板的显示装置及其制造方法。
背景技术
可以折弯的显示装置即所谓的柔性显示器的开发正在进行(例如参照专利文献1)。在柔性显示器中,例如使用弹性基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-76297号公报
发明内容
使用这样的弹性基板的显示装置,在制造时,容易产生弹性基板的翘曲。该弹性基板的翘曲将给制造的稳定性带来影响。
因此,期望提供一种显示装置及其制造方法,这种显示装置通过抑制弹性基板的翘曲,可以提高制造的稳定性。
本技术的一种实施方式的显示装置具备:弹性基板,具有相对的第一面和第二面;自发光元件,设置在弹性基板的第一面上;以及支持部件,设置在弹性基板的第二面上,并且包含磁性体。
因为在本技术的一种实施方式的显示装置中,支持部件包含磁性体;所以弹性基板可以与该支持部件一起被磁场吸引。
本技术的一种实施方式的显示装置的制造方法包括:在具有相对的第一面和第二面的弹性基板的第二面上贴合第一支持部件;在贴合有第一支持部件的弹性基板的第一面上形成自发光元件;在形成自发光元件之后,从弹性基板上除去第一支持部件;以及在被除去第一支持部件的弹性基板的第二面上贴合包含磁性体的第二支持部件。
因为在本技术的一种实施方式的显示装置的制造方法中,在除去第一支持部件之后,将包含磁性体的第二支持部件贴合在弹性基板上;所以如果使基板保持用具产生磁场,那么弹性基板可以与第二支持部件一起被磁场吸引。因此,弹性基板可以与第二支持部件一起被基板保持用具固定。
根据本技术的一种实施方式的显示装置及其制造方法,因为使支持部件(第二支持部件)包含了磁性体,所以在制造工序中,能够将弹性基板与支持部件一起固定在基板保持用具上。因此,通过抑制弹性基板的翘曲,可以提高制造的稳定性。再有,不一定限定于这里所记载的效果,也可以是本公开中记载的任何一个效果。
附图说明
图1是本技术的一种实施方式的显示装置的概略结构的截面示意图。
图2A是图1所示的基板和磁性支持部件的平面结构的一例的示意图。
图2B是图2A所示的基板和磁性支持部件的平面结构的其他例子的示意图。
图3是表示图1所示的显示装置的整体结构的方框图。
图4是表示图1所示的显示装置的制造方法的一例的流程图。
图5A是图4所示的显示装置的制造方法的一个工序的截面示意图。
图5B是继图5A之后的一个工序的截面示意图。
图5C是继图5B之后的一个工序的截面示意图。
图5D是继图5C之后的一个工序的截面示意图。
图5E是继图5D之后的一个工序的截面示意图。
图6是表示显示装置的功能结构的方框图。
图7是表示摄像装置的结构的方框图。
图8是表示电子设备的结构的方框图。
图9是表示图4所示的显示装置的制造方法的其他例子的流程图。
符号说明
1 显示装置
2 像素部
3 扫描线驱动部
4 信号线驱动部
5 电源线驱动部
10 半导体装置
10a TFT
11 基板
12 UC膜
13 TFT层
14、16 粘合层
15 磁性支持部件
17 玻璃支持部件
18 基板保持用具
20 显示元件层
21 第一电极
22 隔壁
23 有机层
24 第二电极
25 保护膜
131 半导体层
132 栅极绝缘膜
133 栅电极
134 层间绝缘膜
135A、135B 源·漏电极
136 钝化膜
137 平坦化膜
6 摄像装置
7 电子设备
61、65 定时控制部
62、68 信号处理部
63、66 驱动部
64 显示像素部
67 摄像像素部
70 接口部
H1A、H1B、H2 接触孔
具体实施方式
下面参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此,在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等,仅仅是一个例子,并不旨在限定本发明。因此,对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素,作为任意的构成要素进行说明。再有,各个附图仅是示意图,图示并不一定严密。另外,在各个附图中,对实质上同一的结构附加同一的符号,并且省略或简化重复的说明。再有,说明按以下的顺序进行。
1.实施方式(在基板的背面设置有磁性支持部件的显示装置的例子)
2.显示装置的功能结构例
3.摄像装置的例子
4.电子设备的例子
<实施方式>
[显示装置1的结构]
图1示意性地表示本技术的一种实施方式的显示装置(显示装置1)的截面结构。显示装置1例如是有机电致发光(EL:Electro-Luminescence)装置,在半导体装置10上具备显示元件层20。显示装置1例如是顶部发光型的显示装置,在显示元件层20产生的光被从与半导体装置10相反的一侧取出。半导体装置10具有多个TFT(Thin Film Transistor)10a。显示元件层20具有多个有机EL元件20A。在图1中,表示1个TFT10a和1个有机EL元件20A。
在半导体装置10中,在基板11的表面S1(第一面)上,依次具有例如UC(UnderCoat)膜12和TFT层13。在该TFT层13上设置有TFT10a。基板11具有与表面S1相对的背面S2(第二面)。在该背面S2上,通过粘合层14贴合有磁性支持部件15。
基板11例如是弹性基板(具有弹性的基板)。该基板11包含树脂材料,基板11的厚度(图1的Z方向的大小)例如是3μm~60μm。作为包含于基板11的树脂材料,可以列举:例如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亚胺)、PC(聚碳酸酯)、聚酰胺、聚醚砜(PES)或PEN(聚萘二甲酸乙二酯)等。基板11优选地包含PI。通过基板11包含PI,能够提高耐热性,从而提高制作TFT层13时的工艺温度。
UC膜12防止例如钠离子等物质从基板11向上层移动,由氮化硅(SiN)膜和氧化硅(SiO)膜等绝缘材料构成。例如UC膜12可以是从接近基板11的位置依次层叠氮化硅(SiN)膜和氧化硅(SiO)膜的叠层膜。UC膜12设置在基板11的整个表面上。
TFT层13的TFT10a例如是顶栅型的薄膜晶体管,在UC膜12上的选择性区域具有半导体层131。在该半导体层131上,隔着栅极绝缘膜132形成有栅电极133。以覆盖该栅电极133的方式,设置有层间绝缘膜134。在层间绝缘膜134和栅极绝缘膜132上,对着半导体层131的一部分设置有接触孔H1A、H1B。在层间绝缘膜134上,以嵌入该接触孔H1A、H1B的方式,形成有一对源·漏电极135A、135B,并且以覆盖这些层间绝缘膜134和源·漏电极135A、135B的方式,形成有钝化膜136。在钝化膜136与显示元件层20(后述的第一电极21)之间,设置有平坦化膜137。TFT10a相当于本技术的“晶体管”的一个具体例子。
半导体层131图案形成在UC膜12上。该半导体层131在与栅电极133相对的区域包含沟道区域(活性层)。半导体层131由含有例如铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、钛(Ti)和铌(Nb)等中的至少1种元素的氧化物作为主要成分的氧化物半导体构成。具体地说,作为该氧化物半导体,可以列举:氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓锌(IGZO:InGaZnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锡(ITO)和氧化铟(InO)等。或者,半导体层131也可以由低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si)等构成。
栅极绝缘膜132由单层膜或叠层膜构成,该单层膜由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)和氧化铝(AlOx)等中的1种构成,该叠层膜由例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝等中的2种以上构成。栅极绝缘膜132例如覆盖半导体层131,设置在基板11的整个表面上。栅极绝缘膜132也可以设置在半导体层131的沟道区域上,具有与栅电极133同一的平面形状。
栅电极133通过施加的栅电压(Vg)控制半导体层131中的载流子密度,并且具有作为供应电位的布线的功能。作为该栅电极133的构成材料,可以列举:例如包含钛(Ti)、钨(W)、钽(Ta)、铝(Al)、钼(Mo)、银(Ag)、钕(Nd)和铜(Cu)中的1种的单体和合金,或者也可以是包含其中至少1种的化合物和包含其中2种以上的叠层膜。另外,也可以使用例如ITO等的透明导电膜。
层间绝缘膜134由例如丙烯酸类树脂、聚酰亚胺(PI)、酚醛清漆(novolak)类树脂等有机材料构成。或者,层间绝缘膜134也可以使用例如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧化铝等无机材料。
源·漏电极135A、135B发挥作为TFT10a的源极或漏极的功能,例如以包含与作为上述栅电极133的构成材料所列举的材料同样的金属或透明导电膜的方式构成。作为该源·漏电极135A、135B,优选地选择导电性良好的材料。例如源·漏电极135A发挥作为TFT10a的源极的功能,源·漏电极135B发挥作为TFT10a的漏极的功能。这时,对源·漏电极135A供给源极电位(源极电位PS),对源·漏电极135B供给漏极电位(漏极电位PD)。
钝化膜136覆盖源·漏电极135A、135B,设置在层间绝缘膜134上。钝化膜136由例如氧化硅(SiO)或氮化硅(SiN)等构成。平坦化膜137隔着该钝化膜136覆盖TFT10a。
设置在平坦化膜137上的显示元件层20包括多个像素(后述的图2的像素pr、pg、pb),并且包括有机EL元件20A(自发光元件),该有机EL元件20A由配置有多个TFT10a的底板显示驱动。有机EL元件20A从TFT层13侧依次具有例如第一电极21、包含发光层的有机层23和第二电极24。第一电极21例如发挥作为阳极的功能,连接于TFT10a的源·漏电极135A。第二电极24例如发挥作为阴极的功能。该第二电极24通过例如共用电位线(阴极线),对各个像素供给共同的阴极电位。在第一电极21与有机层23之间,设置有隔壁22。第二电极24被保护膜25覆盖。有机EL元件20A例如被密封在基板11与密封基板(未图示)之间。
第一电极21例如以对每个像素设置的方式设置在平坦化膜137上的选择性区域。第一电极21是对例如有机层23的发光层注入空穴的电极。第一电极21例如由具有光反射性的导电材料构成。例如第一电极21由银(Ag)和铝(Al)等金属元素的单体或合金构成。第一电极21例如通过设置在平坦化膜137和钝化膜136上的接触孔H2与源·漏电极135A电连接。
隔壁22设置在相邻的第一电极21之间,覆盖第一电极21的端部。该隔壁22用于对每个像素的第一电极21进行电分离,并且确保第一电极21与第二电极24之间的绝缘性。隔壁22由例如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂构成。
第一电极21与第二电极24之间的有机层23包含由有机化合物构成的发光层。有机层23例如按照像素包含红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。在发光层中,通过由第一电极21和第二电极24注入的电子与空穴再结合,产生激发子而发光。有机层23也可以在发光层与第一电极21之间具有空穴传输层和空穴注入层,也可以在发光层与第二电极24之间具有电子传输层和电子注入层。
第二电极24隔着有机层23与第一电极21相对。该第二电极24以各个像素共用的方式设置在像素部(后述的图2的像素部2)的整个表面。第二电极24发挥作为对例如有机层23的发光层注入电子的电极的功能。第二电极24由例如透光性的导电材料构成。第二电极24例如由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟·镓·锌氧化物(IGZO)等的透明导电膜构成。
覆盖第二电极24的保护膜25例如以包含氮化硅和氧化硅等无机材料的方式构成。
在本实施方式中,在基板11的背面S2上,通过粘合层14贴合有磁性支持部件15。磁性支持部件15是包含磁性体的支持部件。由此,在产生磁场的基板保持用具(后述的图5E的基板保持用具18)上,可以与磁性支持部件15一起吸引基板11,对此在后面详细叙述。由此,基板11可以在延伸状态即没有翘曲的状态下固定在基板保持用具上。因此,能够抑制在制造工序中发生基板11的翘曲。
图2A表示基板11和磁性支持部件15的平面结构的一例。磁性支持部件15例如是具有与基板11大致相同的平面形状的膜,贴合在基板11的背面S2的整个表面上。磁性支持部件15由磁性体材料构成。具体地说,磁性支持部件15由铁素体不锈钢或马氏体不锈钢等磁性体材料构成。磁性支持部件15优选地具有散热性。由此,能够抑制基板11的表面S1侧的温度变高。通过使用金属材料构成磁性支持部件15,可以提高磁性支持部件15的散热性。如后述的图2B所示,也可以不在基板11的背面S2的整个表面设置磁性支持部件15。但是,通过在基板11的背面S2的整个表面设置磁性支持部件15,能够提高散热效果。另外,磁性支持部件15优选地具有保护和加强基板11等的功能。这样的磁性支持部件15的厚度例如是5μm~150μm左右。可以调整磁性支持部件15的厚度,以便能够通过磁力抑制基板11的伴随翘曲和弯曲等的变形。
图2B表示基板11和磁性支持部件15的平面结构的其他例子。像这样,磁性支持部件15也可以设置在基板11的背面S2的一部分上。通过至少在基板11的背面S2的边缘附近设置磁性支持部件15,能够有效地抑制基板11的翘曲。例如磁性支持部件15以框状设置在基板11的背面S2的周边附近。
磁性支持部件15与基板11之间的粘合层14例如包含丙烯酸或氨基甲酸乙酯等树脂材料。也可以通过使用黏着层来代替粘合层14,将磁性支持部件15贴合在基板11上。
图3是表示显示装置1的整体结构的方框图。显示装置1具备像素部2和电路部(扫描线驱动部3、信号线驱动部4和电源线驱动部5),该像素部2具有2维配置成矩阵状的多个像素(像素pr、pg、pb),该电路部用于驱动该像素部2。在显示装置1中,例如从像素pr、像素pg、像素pb分别取出红色光、绿色光、蓝色光。
像素部2例如通过有源矩阵方式,根据从外部输入的映像信号显示图像。在该像素部2中,设置有:沿着像素排列的行方向延伸的多根扫描线WSL,沿着列方向延伸的多根信号线DTL,以及沿着行方向延伸的多根电源线DSL。这些扫描线WSL、信号线DTL、电源线DSL与各个像素pr、pg、pb电连接。像素pr、pg、pb例如各自相当于子像素,这些像素pr、pg、pb的组合构成1个像素(像素PX)。
像素pr以包含例如射出红色光的有机EL元件20AR的方式构成。像素pg以包含例如射出绿色光的有机EL元件20AG的方式构成。像素pb以包含例如射出蓝色光的有机EL元件20AB的方式构成。在下文中,如果不需要特别区别像素pr、pg、pb,那么将其统称为“像素P”来进行说明。另外,如果不需要特别区别有机EL元件20AR、20AG、20AB,那么将其统称为“有机EL元件20A”来进行说明。
扫描线WSL用于向各个像素P供给选择脉冲,该选择脉冲用于逐行选择配置在像素部2的多个像素P。该扫描线WSL连接于扫描线驱动部3的输出端(未图示)和后述的写入晶体管WsTr的栅电极。信号线DTL用于向各个像素P供给对应于映像信号的信号脉冲(信号电位Vsig和基准电位Vofs)。该信号线DTL连接于信号线驱动部4的输出端(未图示)和后述的写入晶体管WsTr的源电极或漏电极。电源线DSL用于向各个像素P供给作为电力的固定电位(Vcc)。该电源线DSL连接于电源线驱动部5的输出端(未图示)和后述的驱动晶体管DsTr的源电极或漏电极。再有,有机EL元件20A的阴极(第二电极24)连接于共用电位线(阴极线)。
扫描线驱动部3通过以线的顺序向各条扫描线WSL输出所定的选择脉冲,从而在预定的时点对各个像素P执行例如阳极复位、Vth补正、信号电位Vsig的写入、迁移率补正和发光动作等各个动作。信号线驱动部4生成对应于从外部输入的数字映像信号的模拟映像信号,并且向各条信号线DTL输出。电源线驱动部5对各条电源线DSL输出不变电位。这些扫描线驱动部3、信号线驱动部4和电源线驱动部5被控制为:通过由未图示的定时控制部输出的定时控制信号,以彼此联动的方式进行动作。另外,从外部输入的数字映像信号在由未图示的映像信号接收部补正之后,输入信号线驱动部4。
在半导体装置10中,设置有用于驱动各个有机EL元件20A的像素电路PXLC。像素电路PXLC控制有机EL元件20A的发光和消光,例如以包括有机EL元件20A(有机EL元件20AR、20AG、20AB中的任意1个)、储存电容器Cs、写入晶体管WsTr和驱动晶体管DsTr的方式构成。
写入晶体管WsTr控制对驱动晶体管DsTr的栅电极施加映像信号(信号电压)。具体地说,写入晶体管WsTr对应向扫描线WSL施加的电压对信号线DTL的电压(信号电压)进行取样,并且将该信号电压写入驱动晶体管DsTr的栅电极中。驱动晶体管DsTr与有机EL元件20A串联,并且对应由写入晶体管WsTr进行取样而得的信号电压的大小控制流入有机EL元件20A的电流。这些驱动晶体管DsTr和写入晶体管WsTr由例如n沟道MOS型或p沟道MOS型的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)形成。另外,这些驱动晶体管DsTr和写入晶体管WsTr可以是单栅极型,也可以是双栅极型。储存电容器Cs用于在驱动晶体管DsTr的栅电极与源电极之间保持所定的电压。
写入晶体管WsTr的栅电极连接于扫描线WSL。写入晶体管WsTr的源电极和漏电极中的一个电极连接于信号线DTL,另一个电极连接于驱动晶体管DsTr的栅电极。驱动晶体管DsTr的源电极和漏电极中的一个电极连接于电源线DSL,另一个电极连接于有机EL元件20A的阳极(图1的第一电极21)。储存电容器Cs插入在驱动晶体管DsTr的栅电极与有机EL元件20A侧的电极之间。
虽然在图3中没有图示TFT10a,但是例如驱动晶体管DsTr由TFT10a构成。也可以由TFT10a构成写入晶体管WsTr。
再有,在这里,作为像素电路PXLC,虽然例示了2Tr1C的电路结构,但是像素电路PXLC的结构并不限定于此。像素电路PXLC也可以具有如下电路结构:对这样的2Tr1C的电路,进一步附加各种电容器、晶体管等。
[显示装置1的制造方法]
其次,使用图4和图5A~图5E对显示装置1的制造方法进行说明。图4是表示显示装置1的制造方法的一例的流程图,图5A~图5E是图4所示的各个工序的截面示意图。
首先,如图5A所示,在玻璃支持部件17的主面形成基板11(图4的步骤S101的基板形成工序)。基板11例如通过在玻璃支持部件17的主面涂布聚酰亚胺或聚酰亚胺前体之后,对其进行加热而形成。玻璃支持部件17例如由板状的玻璃构成。基板11的背面S2由玻璃支持部件17支撑。玻璃支持部件17相当于本发明的“第一支持部件”的一个具体例子。
在玻璃支持部件17上形成基板11之后,如图5B所示,在基板11的表面S1上形成TFT层13(TFT10a)(图4的步骤S102的TFT形成工序)。接着,如图5C所示,在TFT层13上形成显示元件层20(有机EL元件20A)(图4的步骤S103的有机EL元件形成工序)。之后,例如使用密封基板密封有机EL元件20A(图4的步骤S104的密封工序)。
接着,如图5D所示,从基板11的背面S2上剥离玻璃支持部件17(图4的步骤S105的玻璃支持部件除去工序)。玻璃支持部件17的剥离例如通过激光照射进行。其次,在该被剥离玻璃支持部件17后的基板11的背面S2上,通过粘合层14贴合磁性支持部件15(图4的步骤S106的磁性支持部件贴合工序)。之后,分割基板11(图4的步骤S107的基板切断工序)。由此,形成多个面板。也可以在分割基板11之后,除去玻璃支持部件17并贴合磁性支持部件15。磁性支持部件15相当于本发明的“第二支持部件”的一个具体例子。
在分割基板11之后,在半导体装置10上安装配线基板等(图4的步骤S108的安装工序),进行显示状态等检查(图4的步骤S109的检查工序)。由此制成显示装置1。也可以在检查工序之后,从基板11的背面S2上除去磁性支持部件15。
安装工序和检查工序等如图5E所示,在隔着磁性支持部件15将基板11放置于基板保持用具18上的状态下进行。基板保持用具18例如是工序间托盘或设备平台等。基板保持用具18以在固定发生翘曲的显示装置1的情况下也可以维持平坦性的方式构成,具备充分的厚度和强度。基板保持用具18例如由厚度为5mm左右的不锈钢构成。基板保持用具18中的用于固定显示装置1的表面大致为平面。在基板保持用具18中,可以产生磁场,例如通过打开开关使基板保持用具18产生磁场,通过关闭开关使基板保持用具18失去磁场。如果使基板保持用具18产生磁场,那么因为基板11与磁性支持部件15一起被基板保持用具18吸引,所以基板11被固定在基板保持用具18上。这时,基板11与磁性支持部件15一起沿着基板保持用具18的平坦面延伸。因此,可以抑制基板11发生翘曲。即使在制造工序中基板11发生翘曲,也能够通过将基板11与磁性支持部件15一起放置在产生磁场的基板保持用具18上,来伸展基板11。通过关闭基板保持用具18的开关,能够将基板11与磁性支持部件15一起从基板保持用具18上取下。
[作用、效果]
在本实施方式的显示装置1中,根据从外部输入的映像信号,显示元件层20的各个像素pr、pg、pb被显示驱动,从而显示映像。在有机层23中产生的光例如通过第二电极24和保护膜25被取出。这时,在半导体装置10的TFT层13中,例如每个像素pr、pg、pb的TFT10a被电压驱动。具体地说,如果对某个像素(像素pr、pg、pb中的任何一个)的TFT10a的栅电极133供给阈值电压以上的电压,那么半导体层131活化(形成沟道),由此在一对源·漏电极135A、135B之间有电流流动。
在本实施方式的显示装置1中,因为在基板11的背面S2上贴合有磁性支持部件15,所以基板11与该磁性支持部件15一起被磁场吸引。由此,能够抑制制造工序中的基板11的翘曲。以下,对该作用效果进行说明。
例如可以考虑在基板切断工序(图4的步骤S107的基板切断工序)之后,在基板11的背面S2上贴合铜(Cu)等的金属板。由此,基板11散热。但是,在基板切断工序后的安装工序(图4的步骤S108的安装工序)和检查工序(图4的步骤S109的检查工序)中,与基板11一起,该金属板也容易翘曲,基板11的操控变难。伴随该基板11的翘曲或弯曲等的变形,有可能给显示装置的质量、费用和制造效率等带来影响,从而妨碍稳定的批量生产。
对此,在本实施方式中,因为在基板11的背面S2上贴合有磁性支持部件15,所以在制造工序中,即使在除去玻璃支持部件17之后,也容易控制基板11的翘曲。具体地说,基板11被以与磁性支持部件15一起延伸的状态固定在产生磁场的基板保持用具18上。因此,基板11的操控变得容易,可以稳定地批量生产显示装置1。
如上所述,在本实施方式的显示装置1中,因为使磁性支持部件15包含了磁性体,所以在制造工序中,能够将基板11与磁性支持部件15一起固定在基板保持用具18上。因此,通过抑制基板11的翘曲,可以提高制造的稳定性。
另外,磁性支持部件15可以发挥用于散热的金属板的功能。换句话说,可以由用于散热的金属板构成磁性支持部件15。因此,不需要追加新的部件,就可以抑制基板11的翘曲。
<功能结构例>
图6表示上述实施方式所述的显示装置1的功能块结构。
显示装置1以映像的形式显示从外部输入的映像信号或在内部生成的映像信号,并且除了上述有机EL显示器之外,也适用于例如使用量子点(QD:Quantum Dot)的显示器和无机EL显示器等。显示装置1例如具备定时控制部61、信号处理部62、驱动部63和显示像素部64。
定时控制部61具有生成各种定时信号(控制信号)的定时发生器,并且根据这些定时信号,进行信号处理部62等的驱动控制。信号处理部62例如对从外部输入的数字映像信号进行预定的补正,并且将由此获得的映像信号向驱动部63输出。驱动部63以包括例如扫描线驱动电路和信号线驱动电路等的方式构成,并且通过各种控制线驱动显示像素部64的各个像素。显示像素部64以包括例如有机EL元件等显示元件(上述显示元件层20)和像素电路的方式构成,该像素电路用于以分别驱动每个像素的方式来驱动显示元件。其中,例如在构成驱动部63或显示像素部64的一部分的各种电路中,使用上述TFT10a。
<显示装置以外的应用例>
在上述实施方式等中,虽然作为半导体装置10的应用例,举例说明了显示装置1;但是半导体装置10也可以使用显示装置1以外的如图7所示的摄像装置(摄像装置6)。
摄像装置6是例如将图像作为电信号取得的固体摄像装置,由例如CCD(ChargeCoupled Device)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器等构成。摄像装置6例如具备定时控制部65、驱动部66、摄像像素部67和信号处理部68。
定时控制部65具有生成各种定时信号(控制信号)的定时发生器,并且根据这些定时信号,进行驱动部66的驱动控制。驱动部66以包括例如行选择电路、AD转换电路和水平转送扫描电路等的方式构成,并且通过各种控制线进行从摄像像素部67的各个像素读出信号的驱动。摄像像素部67以包括例如光电二极管等摄像元件(光电变换元件)和用于读出信号的像素电路的方式构成。信号处理部68对从摄像像素部67获得的信号实施各种各样的信号处理。其中,例如在构成驱动部66或摄像像素部67的一部分的各种电路中,使用上述TFT10a。
<电子设备的例子>
在上述实施方式等中说明的显示装置1(或摄像装置6)能够适用于各种类型的电子设备。在图8中,表示电子设备7的功能块结构。作为电子设备7,可以列举:例如电视机、个人电脑(PC)、智能手机、平板个人电脑、手机、数码相机和数码摄像机等。
电子设备7例如具备上述显示装置1(或摄像装置6)和接口部70。接口部70是输入来自外部的各种信号和电源等的输入部。该接口部70另外也可以包括例如触控面板、键盘或操纵按钮等用户接口。
虽然以上列举实施方式进行了说明,但是本技术不限于上述实施方式,可以做出各种变化。例如在上述实施方式中记载的各层的材料和厚度不限于所列举的内容,也可以采用其他材料和厚度。
另外,虽然在图4中表示了显示装置1的制造方法的工序,也可以用其他工序制造显示装置1。如图9所示,也可以在步骤S107的基板切断工序之后,进行磁性支持部件贴合工序(步骤S106)。
另外,在上述实施方式中,虽然作为本公开的自发光元件的一个具体例子,列举有机EL元件20A进行了说明;但是显示装置1也可以具有使用量子点的自发光元件或无机EL元件等,来代替有机EL元件20A。
另外,在上述实施方式中,虽然例示了顶栅结构的TFT10a,但是本技术也可以适用于具有底栅结构的TFT10a的半导体装置。
另外,在上述实施方式中,虽然对TFT10a构成驱动晶体管DsTr的情况进行了说明,但是TFT10a也可以发挥其他功能。
在上述实施方式中说明的效果只是一个例子,本公开的效果可以是其他效果,也可以进一步包括其他效果。
另外,本技术也能够采用以下结构。
(1)
一种显示装置,具备:
弹性基板,具有相对的第一面和第二面;
自发光元件,设置在所述弹性基板的所述第一面上;以及
支持部件,设置在所述弹性基板的所述第二面上,并且包含磁性体。
(2)
所述(1)所述的显示装置,其中,
至少沿着所述弹性基板的边缘设置有所述支持部件。
(3)
所述(1)或所述(2)所述的显示装置,其中,
所述支持部件设置在所述第二面的整个表面上。
(4)
所述(1)至所述(3)中的任一项所述的显示装置,其中,
所述支持部件含有金属。
(5)
所述(1)至所述(4)中的任一项所述的显示装置,其中,
所述自发光元件包括相对的第一电极和第二电极,以及所述第一电极与所述第二电极之间的有机层。
(6)
所述(1)至所述(5)中的任一项所述的显示装置,其中,
进一步具有晶体管,
所述晶体管设置在所述弹性基板与所述自发光元件之间,并且与所述自发光元件电连接。
(7)
所述(1)至所述(6)中的任一项所述的显示装置,其中,
所述弹性基板含有聚酰亚胺。
(8)
一种显示装置的制造方法,包括:
在具有相对的第一面和第二面的弹性基板的所述第二面上贴合第一支持部件;
在贴合有所述第一支持部件的所述弹性基板的所述第一面上形成自发光元件;
在形成所述自发光元件之后,从所述弹性基板上除去所述第一支持部件;以及
在被除去所述第一支持部件的所述弹性基板的所述第二面上贴合包含磁性体的第二支持部件。
(9)
所述(8)所述的显示装置的制造方法,其中,
进一步在可以产生磁场的基板保持用具上,隔着所述第二支持部件保持所述弹性基板。
(10)
所述(8)所述的显示装置的制造方法,其中,
在所述弹性基板的所述第二面上,贴合包含玻璃的第一支持部件。
本公开含有涉及在2019年6月5日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2019-105338中公开的主旨,其全部内容包括在此,以供参考。
本领域的技术人员应该理解,虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改、组合、子组合和可替换项,但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置,具备:
弹性基板,具有相对的第一面和第二面;
自发光元件,设置在所述弹性基板的所述第一面上;以及
支持部件,设置在所述弹性基板的所述第二面上,并且包含磁性体。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
至少沿着所述弹性基板的边缘设置有所述支持部件。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述支持部件设置在所述第二面的整个表面上。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述支持部件含有金属。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述自发光元件包括相对的第一电极和第二电极,以及所述第一电极与所述第二电极之间的有机层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
进一步具有晶体管,
所述晶体管设置在所述弹性基板与所述自发光元件之间,并且与所述自发光元件电连接。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述弹性基板含有聚酰亚胺。
8.一种显示装置的制造方法,包括:
在具有相对的第一面和第二面的弹性基板的所述第二面上贴合第一支持部件;
在贴合有所述第一支持部件的所述弹性基板的所述第一面上形成自发光元件;
在形成所述自发光元件之后,从所述弹性基板上除去所述第一支持部件;以及
在被除去所述第一支持部件的所述弹性基板的所述第二面上贴合包含磁性体的第二支持部件。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
进一步在可以产生磁场的基板保持用具上,隔着所述第二支持部件保持所述弹性基板。
10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中,
在所述弹性基板的所述第二面上,贴合包含玻璃的第一支持部件。
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