TW201413326A - 製造顯示裝置之方法 - Google Patents

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Abstract

根據一個實施例，本發明揭示一種製造顯示裝置之方法。該方法可包括在載體基板之金屬層上形成基底基板。該方法可包括在該基底基板上形成顯示元件層。此外，該方法可包括，藉由自該載體基板與該金屬層相反之面照射雷射光，將該基底基板自該金屬層剝落。

Description

製造顯示裝置之方法 [相關申請案]
本申請案基於且主張自2012年9月28日申請之在先日本專利申請案第2012-216451號之優先權；該案之全部內容均以引用的方式併入本文中。
本文所述之實施例大體而言係關於一種製造顯示裝置之方法。
包括在由諸如塑膠等聚合材料製成之基底膜上形成之顯示元件層的顯示裝置具可撓性，且可製成彎曲表面構型。此類顯示裝置中，為處理由易變形塑膠等形成之基底基板，該基底基板形成於載體基板上；且該基底基板在製程之最終階段自載體基板剝落。因此，需要在對基底基板損壞極小之情況下使用廉價設備進行剝落之技術。
根據一個實施例，本發明揭示一種製造顯示裝置之方法。該方法可包括在載體基板之金屬層上形成基底基板。該方法可包括在基底基板上形成顯示元件層。此外，該方法可包括，藉由自載體基板與金屬層相反之面照射雷射光，將基底基板自金屬層剝落。
1‧‧‧載體基板
1a‧‧‧載體基板
2‧‧‧金屬層
2a‧‧‧金屬層
3‧‧‧基底基板
3a‧‧‧基底基板
4‧‧‧顯示元件層
4a‧‧‧彩色濾光片
5‧‧‧偏振器
6‧‧‧顯示裝置
7‧‧‧經單粒化之顯示裝置
8‧‧‧透射標記
9‧‧‧切割部分
10‧‧‧切割部分
11‧‧‧連接層
12‧‧‧透射部分
12a‧‧‧透射部分
13‧‧‧影像(虛擬影像)
14‧‧‧第一堆疊主體
14a‧‧‧第二堆疊主體
15‧‧‧連接部分
15a‧‧‧連接部分
CT‧‧‧切割線
IL‧‧‧雷射光
圖1A至1D及圖2A至2D為製程之橫截面圖，其說明製造根據第一實施例之顯示裝置之方法； 圖3A及3B為描述基底基板之剝落的示意圖，圖3A為橫截面圖，且圖3B為圖3A中用虛線A包圍之部分的放大圖；圖4為展示基底基板已剝落之狀態的示意圖；圖5A至5C為製程之橫截面圖，其說明製造根據第二實施例之顯示裝置之方法；圖6為說明第三實施例之金屬層的平面圖；圖7為製程之橫截面圖，其說明單粒化顯示裝置時之問題；圖8為說明第四實施例之金屬層的平面圖；圖9為製程之橫截面圖，其說明製造根據第五實施例之顯示裝置之方法；及圖10A及10B為製程之橫截面圖，其說明製造根據第六實施例之顯示裝置之方法。
參考隨附圖式，下文將詳細描述各種實施例。圖式具示意性或概念性；且構型與部分之縱向及橫向維度之間的相互關係，部分之間的尺寸比例等均不必與其實際值相同。此外，圖式之間，即使對於相同部分，可以不同方式說明維度及/或比例。本申請案之圖式及說明書中，用相同的參考數字標記與關於以上本文中圖式所述之組件類似之組件，且適當時省略詳細描述。
第一實施例
圖1A至1D及圖2A至2D為製程之橫截面圖，其說明製造根據第一實施例之顯示裝置之方法。
製造此實施例之顯示裝置的方法為製造包括在基底基板上形成之顯示元件層之顯示裝置(例如薄片裝置)的方法。
如圖1A中所示，製備載體基板1，金屬層2設置於該載體基板1上。
載體基板1為例如玻璃，且充當臨時支撐基板，以形成顯示裝置。載體基板1足以具有中等強度，且對用於後續製程之雷射光之波長具透射性；且載體基板1之厚度不受特定限制。
舉例而言，金屬層2由例如50nm至200nm厚之金屬形成，該金屬包括選自鈦(Ti)、鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鐵(Fe)及鉭(Ta)中之至少一者。金屬層2足以由在用於後續製程之雷射光之波長下具高吸收比、具有相對高的熔點且具有高熱容之材料形成。金屬層2之雷射光的吸收量足以大於載體基板1之雷射光的吸收量。金屬層2足以由具有一個膜厚的材料製造，該膜厚使得雷射光不會穿過到達對面從而破壞後續製程中所形成之顯示元件；且金屬層2不限於所說明之金屬。
隨後，如圖1B中所示，在金屬層2上形成基底基板3。舉例而言，基底基板3由諸如塑膠等聚合物材料形成，且充當顯示裝置之基板。舉例而言，具有10μm至70μm厚度的所形成之基底基板3具可撓性，且可製成彎曲表面構型。因為基底基板3易於變形，所以基底基板3形成於金屬層2上，而金屬層2設置於載體基板1上。
形成基底基板3，使得金屬層2與基底基板3之間的黏著強度(黏結力)小於載體基板1與金屬層2之間的黏著強度。同時，形成基底基板3，以使得金屬層2與基底基板3之間的黏著強度大於在形成顯示元件層4之後續製程的溫度範圍內，於載體基板1與金屬層2之間的界面及金屬層2與基底基板3之間的界面所產生之熱應力。
隨後，如圖1C中所示，顯示元件層4形成於基底基板3上。顯示元件層4為包括例如發光元件之層，該發光元件包括有機EL(有機發光二極體(OLED))及驅動元件。顯示元件層4足以能夠薄薄地形成；且顯示元件層4可為例如包括液晶分子及偏振器作為光學層之液晶顯示器(LCD)。雖然顯示元件層4由一般製程形成，但是例如在顯示元件層4包括有機EL元件之情況下，無法使用濕式蝕刻，因為有機EL元 件易受濕氣損壞；且有機EL元件由乾式蝕刻形成。
接著如圖1D中所示，藉由自載體基板1與金屬層2相反之面照射雷射光IL，基底基板3自金屬層2剝落。
雷射光IL之波長為使得載體基板1具有對雷射光IL之高透射率的波長，且為使得雷射光IL在金屬層2中之吸收多於在載體基板1中之吸收的波長。換言之，雷射光IL之波長為使得金屬層2中雷射光IL之吸收量大於載體基板1中雷射光IL之吸收量的波長。雷射光IL之波長為例如350nm至1064nm，且宜為可由800nm至1μm之近紅外線雷射或近700nm至900nm之區域中之半導體雷射所產生的波長。
於將出現剝落之金屬層2的區域上照射雷射光IL一段短時間。舉例而言，雷射光IL為來自Q-切換雷射等之脈衝雷射光。舉例而言，雷射光IL可自光纖雷射、半導體雷射等呈脈衝形式照射連續光；或藉由在金屬層2上方掃描，雷射光IL似乎會照射一段短時間。
在照射雷射光IL一段長時間之情況下，不僅加熱金屬層2及基底基板3，而且亦加熱顯示元件層4；且顯示器效能可能受不利影響。因此，在此實施例中，於基底基板3將要剝落之區域上照射雷射光IL一段短時間。
雖然雷射光IL之光束構型為例如圓點，但是光束構型不受特定限制；且藉由光束構型為例如線狀構型或矩形構型，可使加工之均一性提高。
穿過載體基板1之雷射光IL由金屬層2吸收；且加熱包括在金屬層2中之金屬。此時，歸因於由於金屬層2之急劇的熱膨脹而出現之諸如衝擊式熱應力或彈性衝擊波之機制，剝落發生於金屬層2與基底基板3之間的界面，或簡言之金屬層2與基底基板3之間的界面黏著強度由於溫度升高而降低。
諸位發明者發現，雖然在雷射光IL之峰值功率或能量密度過高之 情況下，在金屬層2中出現裂痕，或金屬層2熔化或接合，但是藉由使用合適條件，可自金屬層2剝落基底基板3而不損壞金屬層2。
圖3A及3B為描述基底基板之剝落的示意圖。圖3A為橫截面圖；且圖3B為圖3A中用虛線A包圍之部分的放大圖。
圖3B中，藉由單點劃線示意性說明雷射光IL之強度分佈；藉由P說明位於金屬層2與基底基板3之間的界面的中心部分，其照射有最大能量密度OP；且藉由Q及R說明邊界部分，其中雷射光IL之能量密度突然變化。
當在將要剝落基底基板3之區域中自載體基板1與金屬層2相反之面照射雷射光IL時，溫度梯度發生在金屬層2與基底基板3之間。舉例而言，如圖3B中所示，位於雷射光IL之能量密度突然變化的邊界部分Q及R之金屬層2與基底基板3之間的溫度梯度高於接近雷射光IL之中心部分P的溫度梯度。因此，基底基板3自金屬層2接近於邊界部分Q及R剝落。
因此，藉由在將要剝落基底基板3之區域中掃描雷射光IL，可引起基底基板3在任何區域中自金屬層2剝落。
圖4為展示基底基板已剝落之狀態的示意圖。
圖4為說明聚醯亞胺膜用作基底基板3之情況在20倍放大率下的照片。基底基板3之一部分已自金屬層2剝落；且已剝落之基底基板3由金屬層2反射且呈影像(虛擬影像)13出現。基底基板3已呈實質上方形構型剝落，且一面連接至金屬層2。雷射光IL為1.06μm波長之YAG雷射光。
因此，藉由使用合適條件，可引起基底基板3自金屬層2剝落而不損壞金屬層2。因此，因為未損壞金屬層2，所以載體基板1在剝落之後可經再利用(圖2A)。
隨後，如圖2B中所示，必要時進行用於基底基板3及顯示元件層 4之後段製程。舉例而言，在顯示元件層4為LCD之情況下，偏振器5設置於基底基板3之底面上。舉例而言，提供諸如相位差膜等之光學補償板(未圖示)。
接著如圖2C中所示，必要時藉由沿切割線(cutting line)(分切線(dicing line))CT切割基底基板3及顯示元件層4之單粒化來獲得顯示裝置6(圖2D)。在未於載體基板1上形成多種顯示裝置之情況下，不必要沿切割線CT進行單粒化。
大體而言，藉由因藉由雷射加熱來於犧牲層或於塑膠基板表面提高溫度而引起消融出現，存在一種剝落塑膠基板之方法。然而，在此類方法中，製程數增加，此係因為剝落發生在犧牲層與玻璃之間的界面，且需要移除保留在藉由例如蝕刻等進行剝落之塑膠基板及顯示元件層上的殘餘物。
另一方面，在塑膠基板及玻璃基板接觸之結構中，若可能例如在不使用消融之情況下，引起界面處因熱應力而剝落，則不必要添加諸如以上所述之移除殘餘物的製程。然而，根據諸位發明者之實驗，已發現，在例如聚醯亞胺用作基底基板之情況下，即使就通量(能量密度)小於消融發生之臨限值而言，亦觀測到假定為氣體組分優先自聚醯亞胺脫附之現象；且當剝落時，移除聚醯亞胺表面或熱轉變發生。
此外，假設準分子雷射用於藉由雷射加熱引起消融之方法或用於在不使用以上所述之消融之情況下，藉由熱應力剝落塑膠基板及玻璃基板之方法。因此，玻璃對雷射光之透射率低，約為30%；能量利用效率低；且設備成本增加。
反之，在此實施例中，形成基底基板3，使得金屬層2與基底基板3之間的黏著強度(黏結力)小於載體基板1與金屬層2之間的黏著強度。因此，藉由照射雷射光，可引起基底基板自金屬層剝落。在此情 況下，不必要移除殘餘物之製程，此係因為金屬層之殘餘物不會保留在基底基板面上。因為諸如熱轉變等之損壞不會出現在基底基板面上，所以顯示裝置之顯示效能不會受不利影響。又，因為未損壞金屬層，所以載體基板可經再利用。
在此實施例中，形成基底基板，使得金屬層與基底基板之間的黏著強度大於在形成顯示元件層之後續製程的溫度範圍內，於載體基板與金屬層之間的界面及金屬層與基底基板之間的界面所產生之熱應力。因此，在製程中，可製造顯示裝置而基底基板不剝落。
在此實施例中，因為雷射光足以成為藉由穿過載體基板來加熱金屬層之熱源，所以可使用波長實質上在350nm至1064nm範圍內的雷射光源。舉例而言，可使用包括1.064μm之約800nm至1μm之近紅外線雷射或約700nm至900nm之半導體雷射。因此，設備成本可低於準分子雷射之設備成本。
第二實施例
圖5A至5C為製程之橫截面圖，其說明製造根據第二實施例之顯示裝置之方法。
製造此實施例之顯示裝置之方法為製造包括在基底基板上所形成之顯示元件層之顯示裝置的方法，且不同於製造將顯示裝置單粒化之第一實施例的方法。
製造此實施例之方法的製程，到形成圖1C中所示之顯示元件層4的製程，類似於第一實施例之製程，且因此省略描述。
現將描述隨後製程。
如圖5A中所示，藉由沿切割線CT，切割載體基板1、金屬層2、基底基板3及顯示元件層4進行單粒化。
隨後，如圖5B中所示，藉由自經單一化之載體基板1與金屬層2相反之面照射雷射光IL，將基底基板3自金屬層2剝落。因此，獲得經 單粒化之顯示裝置7。
接著，雖然未顯示，但是必要時進行用於基底基板3及顯示元件層4之後段製程。舉例而言，在顯示元件層4為LCD之情況下，偏振器5設置於基底基板3之底面上。舉例而言，提供諸如相位差膜等之光學補償板。
除了因為載體基板1經切割而無法再利用載體基板1那一點，此實施例中可獲得與第一實施例中類似之效果。
然而，第一實施例及第二實施例中可能存在可能歸因於金屬層2設置於載體基板1上而出現之諸如(1)至(3)的新問題。
(1)用於形成顯示元件層4(圖1B)時所進行之光微影製程(光刻製程(PEP))的於顯示元件層4內部所形成之對準標記無法藉由透射偵測進行讀取。
(2)在單粒化期間，切割線CT自載體基板1面不可見(圖5A)。
(3)在基底基板3之顯示元件層4面藉由紫外(UV)固化來黏結之情況下，因為金屬層2具有遮光效果，所以來自載體基板1外部之UV光不會到達UV固化材料。
現將描述解決問題(1)至(3)之實施例。
第三實施例
圖6為說明第三實施例之金屬層的平面圖。
此實施例解決以上所述之問題(1)，且不同於第一實施例之處為在設置於載體基板1上之金屬層2上的指定位置形成用於對準之透射標記。載體基板1及金屬層2類似於第一實施例之各者。
製造此實施例之顯示裝置的方法包括，當在用於製造圖1A至1D及圖2A至2D中所示之第一實施例之顯示裝置的方法中製備上面設置有金屬層2的載體基板1(圖1A)時，在載體基板1上指定位置產生由金屬層2之經移除部分所界定的透射標記8。或，可製備包括由金屬層2 之經移除部分所界定之透射標記8的載體基板1。透射標記8可用作在形成顯示元件層4之光微影製程中用於對準之對準標記。
在除顯示元件層4中形成元件之元件形成區域之外的區域中，例如在切割線CT上或接近於切割線CT形成透射標記8之情況下，透射標記8不影響基底基板3自金屬層2之剝落。雖然透射標記8在此特定實例中具有交叉標記構型，但是透射標記8可具有適用作用於對準之對準標記的任何形狀或構型。
與第一實施例(圖1B至1D及圖2A至2D)之製程類似，進行在金屬層2上形成基底基板3之隨後製程及後續製程。顯示裝置經單粒化之構型可為第二實施例之構型。
因此，除第一及第二實施例之影響以外，因為在載體基板1上產生由金屬層2之經移除部分所界定之透射標記8，所以在形成顯示元件層4時所進行之光微影製程之所有製程中，位置對準在此實施例中更容易。
圖7為製程之橫截面圖，其說明單粒化顯示裝置時之問題。
如圖7中所示，當單粒化期間切割線CT自載體基板1面不可見時，因為金屬層2存在，所以以上所述之問題(2)發生。舉例而言，在如第二實施例(圖5C)中自金屬層2剝落基底基板3之前進行單粒化之情況下，單粒化時切割線CT自載體基板1面不可見。
在如第一實施例(圖2C)中自金屬層2剝落基底基板3之後進行單粒化之情況下，金屬層2之存在不為問題。
第四實施例
圖8為說明第四實施例之金屬層的平面圖。
此實施例解決以上所述之問題(2)，且不同於第二實施例之處為切割部分9在載體基板1中所提供之金屬層2中產生。
製造此實施例之顯示裝置的方法包括，當在用於製造圖1A至1D 及圖2A至2D中所示之第一實施例之顯示裝置的方法中製備上面設置有金屬層2之載體基板1(圖1A)時，在載體基板1上產生由金屬層2之經移除部分所界定的切割部分9。又，可製備載體基板1，其上產生切割部分9。
當在後段製程中單粒化顯示裝置時，在以平面觀察時，切割部分9重疊切割線CT，其之產生使得切割線CT自載體基板1面可見，且其為單粒化時切割線CT之指示。
與第二實施例(圖1B至1C及圖5A至5C)之製程類似，進行在金屬層2上形成基底基板3之隨後製程及後續製程。
除第一及第二實施例之影響以外，因為由金屬層2之經移除部分所界定之切割部分9設置於載體基板1上以用作用於虛擬切割線CT之指示，所以此實施例中自載體基板1面之單一化更容易。
第五實施例
圖9為製程之橫截面圖，其說明製造根據第五實施例之顯示裝置之方法。
此實施例解決以上所述之問題(2)，且不同於第二實施例之處為用於單粒化之構型不同。
如圖9中所示之實施例中，切割部分10係藉由當單粒化時，藉由自顯示元件層4之切割線CT照射雷射光IUV移除基底基板3之一部分及金屬層2之一部分來產生。切割部分10係藉由於切割線CT完全切割基底基板3及金屬層2來產生從而到達載體基板1，且當單粒化時用作切割線CT之指示。舉例而言，雷射光IUV為紫外脈衝雷射光。
隨後，沿切割部分10進行單粒化。與第二實施例(圖5B及5C)之製程類似，進行後續製程。
除第一及第二實施例之影響以外，此實施例中同樣，自載體基板1面之單粒化更容易，此係因為由基底基板3之經移除部分及金屬層 2之經移除部分所界定之切割部分10提供為切割線CT之虛擬指示。
第六實施例
圖10A及10B為製程之橫截面圖，其說明製造根據第六實施例之顯示裝置之方法。
以上所述之問題(3)發生在以下情況中，例如，當製造LCD等時，驅動元件形成於基底基板上像素處之陣列基板(第一堆疊主體)黏結至彩色濾光片形成於基底基板上像素處之彩色濾光片基板(第二堆疊主體)。
此實施例解決問題(3)，且不同於第一實施例之處為由金屬層2之經移除部分所界定之透射部分12設置於載體基板1上，且在藉由自載體基板1面(圖1D)照射雷射光IL將基底基板3自金屬層2剝落之前進行基底基板3之黏結。
藉由在第一實施例之載體基板1、金屬層2及基底基板3上形成顯示元件層4之製程，獲得第一堆疊主體14，在該第一堆疊主體14中堆疊載體基板1、金屬層2、基底基板3及顯示元件層4。舉例而言，顯示元件層4包括在像素處形成之驅動元件。
在類似製程中，藉由形成替代顯示元件層4之彩色濾光片4a，獲得第二堆疊主體14a，在該第二堆疊主體14a中堆疊載體基板1a、金屬層2a、基底基板3a及彩色濾光片4a。彩色濾光片4a包括對應於像素之子像素之紅(R)、綠(G)及藍(B)之彩色層中之每一者。
如以上所述，由金屬層2之經移除部分所界定之透射部分12設置於載體基板1上；且由金屬層2a之經移除部分所界定之透射部分12a設置於載體基板1a上。藉由與第四實施例之金屬層2之製程類似的製程，形成透射部分12及透射部分12a，以重疊連接部分15，該連接部分15為在不提供顯示元件層4之基底基板3上之一部分。形成透射部分12a，以重疊連接部分15a，該連接部分15a為在不提供彩色濾光片4a 之基底基板3a上之一部分。
隨後，如圖10A中所示，藉由連接層11，將第一堆疊主體14之顯示元件層4面黏結至第二堆疊主體14a之彩色濾光片4a面。舉例而言，連接層11為UV固化樹脂，其將連接部分15黏結至連接部分15a。
藉由自選自透射部分12及透射部分12a之至少一者照射例如紫外雷射光IUV來固化連接層11，進行基底基板3之黏結，亦即第一堆疊主體14及第二堆疊主體14a之黏結。在液晶顯示器之情況下，例如，產生空間，以在顯示元件層4與彩色濾光片4a之間注射液晶。
隨後，雖然未顯示，但是在顯示元件層4為有機EL之情況下，將例如惰性氣體等密封在顯示元件層4與彩色濾光片4a之間，以防止有機EL降解。
接著，藉由自載體基板1面照射雷射光IL，自金屬層2剝落基底基板3；且藉由自載體基板1a面照射雷射光IL，自金屬層2a剝落基底基板3a。
隨後，如圖10B中所示，在穿過連接層11之切割線CT處進行單粒化。
因此，除第一及第二實施例之影響以外，在此實施例中可藉由例如紫外固化連接層11(其為紫外固化樹脂等)黏結第一堆疊主體14及第二堆疊主體14a，此係因為由金屬層2及2a之經移除部分所界定之透射部分12及12a設置於載體基板1及1a上。
雖然此特定實例中描述製造LCD之方法之實例，但是此實施例適用於藉由紫外(UV)固化來黏結基底基板3之顯示元件層4面之情況。
雖然未顯示，但是偏振器5可設置於基底基板3之底面上，亦即基底基板3與顯示元件層4相反之面。又，如第二實施例中，可在剝落金屬層2及2a之前進行單粒化。第三至第六實施例可經恰當地合併。
雖然已描述某些實施例，但是此等實施例僅藉助於實例呈現， 且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文所述之新穎實施例可以多種其他形式體現；此外，在不偏離本發明之精神的情況下，可對本文所述之實施例之形式作出各種省略、替代及變化。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋此類將屬於本發明之範疇及精神內之形式或修改。
1‧‧‧載體基板
2‧‧‧金屬層
3‧‧‧基底基板
4‧‧‧顯示元件層
5‧‧‧偏振器
6‧‧‧顯示裝置
CT‧‧‧切割線
IL‧‧‧雷射光

Claims (20)

  1. 一種製造顯示裝置之方法，其包含：在載體基板之金屬層上形成基底基板；在該基底基板上形成顯示元件層；及藉由自該載體基板與該金屬層相反之面照射雷射光，自該金屬層剝落該基底基板。
  2. 如請求項1之方法，其中該金屬層對該雷射光之吸收多於該載體基板。
  3. 如請求項1之方法，其中該金屬層與該載體基板之間的黏著強度大於該金屬層與該基底基板之間的黏著強度。
  4. 如請求項1之方法，其中該基底基板及該顯示元件層在該基底基板自該金屬層剝落之後經單粒化。
  5. 如請求項1之方法，其中該載體基板在該剝落之後經再利用。
  6. 如請求項1之方法，其中包括該基底基板及該顯示元件層之該顯示裝置在該基底基板自該金屬層剝落之前經單粒化。
  7. 如請求項6之方法，其中切割部分係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上。
  8. 如請求項6之方法，其中切割部分係藉由在單粒化該顯示裝置之前，藉由自該顯示元件層之面照射雷射光移除該基底基板及該金屬層從而使之到達該載體基板。
  9. 如請求項6之方法，其中透射部分係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上，及該基底基板係藉由自該載體基板與該金屬層相反之面經過該透射部分照射之雷射光，固化設置於該載體基板上之連接層來 黏結。
  10. 如請求項1之方法，其中用於對準之透射標記係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上。
  11. 一種製造顯示裝置之方法，其包含：在包括載體基板、設置於該載體基板上之金屬層及設置於該金屬層上之基底基板的堆疊主體之該基底基板上形成顯示元件層；及藉由自該載體基板與該金屬層相反之面照射雷射光，分離該載體基板及該金屬層之堆疊主體與該基底基板及該顯示元件層之堆疊主體。
  12. 如請求項11之方法，其中該金屬層對該雷射光之吸收多於該載體基板。
  13. 如請求項11之方法，其中該金屬層與該載體基板之間的黏著強度大於該金屬層與該基底基板之間的黏著強度。
  14. 如請求項11之方法，其中該基底基板及該顯示元件層在該分離之後經單粒化。
  15. 如請求項11之方法，其中該載體基板及該金屬層之該經分離之堆疊主體經再利用。
  16. 如請求項11之方法，其中包括該基底基板及該顯示元件層之該顯示裝置在該分離之前經單粒化。
  17. 如請求項16之方法，其中切割部分係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上。
  18. 如請求項16之方法，其中切割部分係藉由在單粒化該顯示裝置之前，藉由自該顯示元件層之面照射雷射光移除該基底基板之一部分及該金屬層之一部分從而使之到達該載體基板。
  19. 如請求項16之方法，其中 透射部分係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上，及該基底基板係藉由自該載體基板與該金屬層相反之面經過該透射部分照射之雷射光，固化設置於該載體基板上之連接層來黏結。
  20. 如請求項11之方法，其中用於對準之透射標記係藉由移除該金屬層之一部分而設置於該載體基板上。
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