WO2018154721A1 - Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネル、ｏｌｅｄパネルの製造装置 - Google Patents

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哲憲 田中
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Definitions

  • the present invention relates to an OLED panel.
  • Patent Document 1 describes a method of separating a support substrate and a laminate by irradiating a laser from the support substrate side after forming a laminate including an OLED layer on a translucent support substrate.
  • the manufacturing method of the OLED panel which concerns on 1 aspect of this invention is a laminated body provided with the resin layer, TFT layer, OLED layer, and the sealing layer containing an organic sealing film on the upper surface side of a translucent board
  • the resin layer in contact with the translucent substrate is irradiated with laser light to separate the translucent substrate and the laminate, and the OLED panel manufacturing method includes: A first region irradiated with an intense laser beam and a second region irradiated with a laser beam having a second intensity greater than the first intensity, the first region overlapping the organic sealing film; The second region does not overlap the organic sealing film.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the OLED panel according to Embodiment 1. It is sectional drawing (a) and a top view (b) which show the some laminated body formed in the glass substrate (mother glass). It is sectional drawing which shows the structural example of each laminated body of FIG. It is a schematic diagram which shows the irradiation of the laser concerning Embodiment 1, and peeling of a glass substrate. It is a top view which shows the intensity
  • FIG. 10 is a plan view showing a modified example of the second embodiment. It is a schematic diagram which shows irradiation of the laser concerning Embodiment 3, and peeling of a glass substrate. It is a top view which shows the intensity
  • FIG. It is sectional drawing (a) (b) and top view (c) which show the structure of the OLED panel obtained by this embodiment.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing an OLED panel according to Embodiment 1
  • FIG. 2 is a cross-sectional view (a) and a plan view showing a plurality of laminates formed on a glass substrate that is a mother glass.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a configuration example of each stacked body.
  • the resin layer 12 is formed on the glass substrate 50 (translucent substrate) (step S1).
  • the moisture-proof layer 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 including the inorganic insulating films 16, 18, 20 and the organic interlayer film 21 is formed (step S3).
  • the inorganic insulating film 4F shown in FIG. 2 includes at least one of the inorganic insulating films 16, 18, and 20 shown in FIG.
  • the OLED layer 5 including the OLED element is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 including the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27 is formed to form a plurality of stacked bodies 7 (step S5).
  • the top film 9 is pasted on the plurality of laminated bodies 7 via the adhesive layer 8 (step S6).
  • the laser beam is irradiated onto the lower surface of the resin layer 12 through the glass substrate 50 (step S7).
  • the resin layer 12 absorbs the laser light irradiated to the lower surface of the glass substrate 50 and transmitted through the glass substrate 50, whereby the lower surface of the resin layer 12 (interface with the glass substrate 50) is altered by ablation, and the resin The bonding force between the layer 12 and the glass substrate 50 is reduced.
  • the resin layer 12 has a first region where the laser beam having the first intensity is irradiated and a second region where the laser beam having the second intensity greater than the first intensity is irradiated. The first region overlaps with the organic sealing film 27, and the second region does not overlap with the organic sealing film 27.
  • the glass substrate 50 is peeled from the laminate 7 (step S8).
  • a bottom film is attached to the laminate 7 (step S9).
  • the top film 9 is peeled from the plurality of laminates 7 (step S10).
  • the glass substrate 50 on which the plurality of laminated bodies 7 are formed is divided by a cut line C (see FIG. 3C) to obtain an individualized OLED panel (step S11). Each of these steps is performed by an OLED panel manufacturing apparatus.
  • the laminate 7 formed on the glass substrate 50 is formed on the resin layer 12, the moisture-proof layer 3 formed on the resin layer 12, and the moisture-proof layer 3.
  • the TFT layer 4, the OLED layer 5 formed on the upper side of the TFT layer 4, and the sealing layer 6 formed on the upper side of the OLED layer 5 are provided and have flexibility.
  • Examples of the material for forming the resin film 12 include polyimide, polyethylene, and polyamide.
  • the resin film 12 can be formed, for example, by dissolving these materials or their precursors in a solvent to form a liquid, and applying and baking on the glass substrate 50 by slit coating or spin coating.
  • the thickness of the resin film 12 is, for example, 2 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the moisture-proof layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the OLED layer 5 when the OLED panel is used.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, or A silicon oxynitride film or a stacked film thereof can be used.
  • the thickness of the moisture-proof layer 3 is, for example, 50 nm to 1500 nm.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) formed on the upper side of the semiconductor film 15, a gate electrode G formed on the upper side of the gate insulating film 16, and an upper side of the gate electrode G. Formed on the inorganic insulating films 18 and 20 (passivation film), the source electrode S, the drain electrode D and the terminal TM, and the source electrode S and the drain electrode D formed on the inorganic insulating film 20. And an organic interlayer film 21 to be formed.
  • the semiconductor film 15, the inorganic insulating film 16, the gate electrode G, the inorganic insulating films 18 and 20, the source electrode S, and the drain electrode D constitute a thin layer transistor (TFT).
  • terminal portion 4T of the TFT layer 4 a plurality of terminals TM for external connection are formed.
  • the terminal TM is electrically connected to, for example, the gate electrode G through a lead wiring.
  • the OLED element layer 5 and the sealing layer 6 are not formed on the terminal portion 4T, but the edge of the terminal TM is covered with the organic interlayer film 21.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LPTS) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be constituted by, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, source electrode S, drain electrode D, and terminal T are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper It is composed of a single layer film or a laminated film of metal containing at least one of (Cu).
  • the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown as a top gate structure, but a bottom gate structure may be used (for example, when the TFT channel is an oxide semiconductor).
  • the inorganic insulating films 18 and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic interlayer film 21 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the anode electrode 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the OLED layer 5 includes an anode electrode 22 formed on the upper side of the organic interlayer film 21, a partition wall 23c that defines subpixels in the display area DC, a bank 23b formed in the non-display area NA, and an upper side of the anode electrode 22.
  • the organic EL (organic electroluminescence) layer 24 is formed on the organic EL layer 24, and the cathode electrode 25 is formed on the organic EL layer 24.
  • the partition wall 23c and the bank 23b can be formed, for example, in the same process using a photosensitive organic material such as polyimide, epoxy, or acrylic.
  • the bank 23b of the non-display area NA is formed on the inorganic insulating film 20.
  • the bank 23 b defines the edge of the organic sealing film 27.
  • the organic EL layer 24 is formed in a region (subpixel region) surrounded by the partition wall 23c by an evaporation method or an inkjet method.
  • the organic EL layer 24 is configured, for example, by laminating a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side.
  • the cathode electrode 25 can be made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 that covers the partition wall 23 c and the cathode electrode 25, an organic sealing film 27 that covers the first inorganic sealing film 26, and a second inorganic sealing film that covers the organic sealing film 27. And a stop film 28.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic insulating film that is thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic. can do.
  • an ink containing such an organic material is applied onto the first inorganic sealing film 26 by inkjet and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the OLED element layer 5 and prevents penetration of foreign matters such as water and oxygen into the OLED element layer 5.
  • the upper surface film 9 is affixed on the sealing layer 6 via the adhesive 8, and functions as a support material when the glass substrate 50 is peeled off.
  • the material include PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), COP (cycloolefin polymer), PI (polyimide), PC (polycarbonate), PE (polyethylene), and aramid.
  • the lower film is for manufacturing an OLED panel having excellent flexibility by being attached to the lower surface of the laminate 7 from which the glass substrate 50 has been peeled off.
  • the bottom film is made of a flexible resin material. Examples of such resin materials include PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), COP (cycloolefin polymer), PI (polyimide), PC (polycarbonate), PE (polyethylene), and aramid.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing laser irradiation and peeling of the glass substrate in steps S7 to S8 in FIG.
  • Wavelength of the irradiated laser beam, tree Aburamaku 12 absorbs, as long as it can alter the interface between the glass substrate 50. Therefore, when the above-described material is used as the resin film 12, the wavelength of the laser light is preferably 300 nm or more and 355 nm or less, and more preferably 308 nm, 343 nm, or 355 nm. Examples of laser light having such a wavelength include an excimer laser (308 nm), a YAG laser (343 nm, 355 nm), and the like.
  • the laminated body 7 separated from the glass substrate 50 may be wrinkled or curled due to the stress of each film of the laminated body 7 before separation.
  • This stress includes a compressive stress (unit: Pascal) that is a force corresponding to an external force in the direction of shrinking the film and a tensile stress (unit: Pascal) that is a force corresponding to an external force in the direction of pulling the film.
  • the stress is expressed as a negative value and the tensile stress is expressed as a positive value.
  • the film having compressive stress expands when the external force disappears (compressive stress is released), and the film having tensile stress contracts when the external force disappears (tensile stress is released).
  • the stress generated at the time of film formation depends on the material to be formed, the film formation conditions, the base on which the film is formed, and the like.
  • compressive stress is generated in the inorganic insulating film 4F of the TFT layer 4 and the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 of the sealing layer 6. That is, a large compressive stress ( ⁇ ) is generated at a location where the inorganic insulating film 4F overlaps the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28.
  • tensile stress (+) is generated in the organic sealing film 27 that shrinks and cures by UV irradiation.
  • the inorganic film (inorganic insulating film F) is formed even if the glass substrate 50 is peeled off.
  • the compressive stress ( ⁇ ) of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28) and the tensile stress (+) of the sealing organic film 27 cancel each other, so that the seepage and curling are less likely to occur.
  • the organic sealing film 27 is not formed on the outer peripheral portion, the compressive stress of the inorganic film (particularly, the inorganic insulating film F, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28) cancels out.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating laser irradiation and peeling of the glass substrate according to the first embodiment
  • FIG. 5 is a plan view illustrating the intensity of laser light for each region according to the first embodiment.
  • the region X of the resin layer 12 (the region where the resin layer 12 and the organic sealing film 27 overlap) is irradiated with the laser beam having the intensity S1.
  • One region is set, and the region Y of the resin layer 12 (the region where the resin layer 12 and the organic sealing film 27 do not overlap) is set as the second region where the laser beam having the intensity S2 (> S1) is irradiated.
  • the intensities S1 and S2 of the laser light are, for example, joule amounts per unit area.
  • the stress does not change in the region X of the resin layer 12 after the laser light irradiation (0 ⁇ 0), and the laser having the intensity S2 is applied to the region Y of the resin layer 12. Since a large tensile stress (+) is generated by light, the compressive stress of the inorganic insulating film 4F, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28 released when the glass substrate 50 in FIG. ( ⁇ ) Is offset by the tensile stress (+) in the region Y of the resin layer 12, and wrinkles and curls that can occur in the laminate 7 can be reduced.
  • a laser ablation mark may be formed in at least a part of the region Y of the resin film 12.
  • the intensity of laser light from pulsed lasers such as excimer lasers and YAG lasers is determined by the output of the laser.
  • the output of the laser light By changing the output of the laser light to vary the energy density (mJ / cm 2) , the laser The intensity of light can be changed.
  • the adhesive strength between the glass substrate 50 and the resin layer 12 is set to a value that can reduce the glass substrate 50 in a later process, and the intensity S2 of the laser beam is determined by inorganic insulation.
  • the tensile stress corresponding to the compressive stress of the film 4F, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28 is set to a magnitude that can be applied to the resin layer 12.
  • the ratio of the laser beam intensity S2 to the laser beam intensity S1 is, for example, 1.2 to 2.2.
  • the intensity S1 of the laser light is 100 mJ / cm 2
  • the strength S2 of the laser beam 150 mJ / cm 2 or more, and 200 mJ / cm 2 or less.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating laser irradiation and peeling of the glass substrate according to the second embodiment
  • FIG. 7 is a plan view illustrating the intensity of laser light for each region according to the second embodiment.
  • the region X of the resin layer 12 (the resin layer 12, the organic sealing film 27, the inorganic insulating film 4F of the TFT layer 4, and the first inorganic sealing).
  • the region where the stop film 26 and the second inorganic sealing film 28 overlap is a first region that is irradiated with laser light having an intensity S1
  • the region Y of the resin layer 12 (the resin layer 12 and the organic sealing film 27 are Without overlapping, the resin layer 12, the inorganic insulating film 4F of the TFT layer 4, and the region where the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 overlap) are irradiated with laser light having an intensity S2.
  • the region Z of the resin layer 12 (the resin layer 12, the organic sealing film 27, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28 do not overlap, and the resin layer 12 and the TFT layer
  • the region where the fourth inorganic insulating film 4F overlaps is defined as a third region irradiated with the laser beam having the intensity S3.
  • the stress does not change in the region X of the resin layer 12 after the laser beam irradiation (0 ⁇ 0), and the region Y of the resin layer 12 has an intensity S2 laser.
  • a large tensile stress (+) is generated by the light, and a moderate tensile stress (+) is generated in the region Z of the resin layer 12 by the laser beam having the intensity S3, so that it is released when the glass substrate 50 in FIG.
  • the compressive stress ( ⁇ ) of the inorganic insulating film 4F, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28 is offset by the tensile stress (+) of the regions Y and Z of the resin layer 12, and the laminated body 7 can be reduced.
  • a laser ablation mark may be formed in at least a part of the region Y of the resin film 12 (described later).
  • the entire region Y of the resin layer 12 is set as the second region where the laser beam having the intensity S2 is irradiated.
  • the present invention is not limited to this.
  • the inner region Ya of the region Y can be irradiated with the laser beam having the intensity S1
  • the outer region Yb of the region Y can be irradiated with the laser beam having the intensity S2.
  • the central region Yc of the region Y is irradiated with the laser beam having the intensity S2
  • the other region (regions on both sides of the central region Yc) Yg is irradiated with the laser beam having the intensity S1. You can also.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating laser irradiation and peeling of the glass substrate according to the third embodiment
  • FIG. 9 is a plan view illustrating the intensity of laser light for each region according to the third embodiment.
  • the region X of the resin layer 12 (the organic sealing film 27, the inorganic insulating film 4F of the TFT layer 4, the first inorganic sealing film 26, and the first 2)
  • the region that overlaps with the inorganic sealing film 28 is a first region that is irradiated with laser light having an intensity S1
  • the region Y of the resin layer 12 (the inorganic insulating film of the TFT layer 4 that does not overlap with the organic sealing film 27) 4F and a region overlapping with the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 are set as a second region to be irradiated with the laser beam having the intensity S2, and the region Z (organic sealing film 27) of the resin layer 12 is used.
  • a region that does not overlap with the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 but overlaps with the inorganic insulating film 4F of the TFT layer 4 is a first region that is irradiated with laser light having an intensity S1.
  • the stress does not change in the region X of the resin layer 12 after the laser beam irradiation (0 ⁇ 0), and the region Y of the resin layer 12 has an intensity S2 laser. Since a large tensile stress (+) is generated by light and the stress does not change in the region Z of the resin layer 12 (0 ⁇ 0), the inorganic insulating film 4F and the second insulating film 4F opened when the glass substrate 50 is peeled off in FIG.
  • the compressive stress ( ⁇ ) of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 is offset by the tensile stress (+) of the region Y of the resin layer 12, thereby reducing wrinkles and curls that can occur in the laminate 7. be able to.
  • a laser ablation mark may be formed in at least a part of the region Y of the resin film 12 (described later).
  • the entire region Y of the resin layer 12 is set as the second region where the laser beam having the intensity S2 is irradiated.
  • the present invention is not limited to this.
  • the inner region Ya of the region Y can be irradiated with the laser beam having the intensity S1
  • the outer region Yb of the region Y can be irradiated with the laser beam having the intensity S2.
  • the central region Yc of the region Y is irradiated with the laser beam having the intensity S2
  • the other region (regions on both sides of the central region Yc) Yg is irradiated with the laser beam having the intensity S1. You can also.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration of the OLED panel obtained by the embodiment.
  • the OLED panel 2 includes the resin layer 12, the moisture-proof layer 3, the TFT layer 4 including the inorganic insulating films 16, 18, and 20, the OLED layer 5, the organic sealing film 27, the first inorganic sealing film 26, and the first 2 a sealing layer 6 including an inorganic sealing film 28, a lower film 10 is attached to the lower surface of the resin layer 12 via an adhesive layer 11, and a function is provided to the upper surface of the sealing layer 6 via an adhesive layer 29.
  • the adhesive film 30 is affixed and has flexibility.
  • the functional film 30 is attached after peeling of the top film (see S10 in FIG. 1), and may have at least one of a protective function, an optical compensation function, and a touch sensor function.
  • the region X of the resin layer 12 (the organic sealing film 27, the inorganic insulating films 16, 18, and 20 of the TFT layer 4 and the first inorganic sealing film).
  • the laser beam having the intensity S1 is irradiated onto the stop film 26 and the second inorganic sealing film 28, and the region Y of the resin layer 12 (the inorganic insulating film of the TFT layer 4 does not overlap with the organic sealing film 27).
  • 16, 18, 20 and the first inorganic sealing film 26 and the region overlapping with the second inorganic sealing film 28 are irradiated with the laser beam having the intensity S2, and the region Z of the resin layer 12 (the organic sealing film 27 and the first sealing layer 27).
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 are not overlapped with each other, but the region of the TFT layer 4 that overlaps the inorganic insulating films 16, 18, and 20) is irradiated with laser light having an intensity S 3.
  • the region Y of the resin layer 12 is a recess that is a laser ablation mark. 12J is formed.
  • the recess 12J occurs in the region irradiated with the laser beam having the intensity S2. Therefore, when the laser beam having the intensity S2 is irradiated on the entire area Y, the recess 12J is formed on almost the entire area Y, and the laser beam having the intensity S2 is applied only to a part of the area Y (the central portion or the outer portion).
  • the concave portion 12J is formed only in a part of the region Y (the central portion or the outer portion) (see FIG. 8).
  • the TFT layer 4 includes a terminal portion 4T.
  • the terminal portion 4T does not overlap the organic sealing film 27, the first inorganic sealing film 26, and the second inorganic sealing film 28, and the inorganic insulating film of the TFT layer 4 It overlaps with 16,18,20. That is, the terminal portion 4T overlaps the region Z of the resin layer 12.
  • the edge of the terminal TM is covered with the organic interlayer film 21.
  • the organic interlayer film 21 Since the organic interlayer film 21 easily permeates water, the organic interlayer film 21 is temporarily stopped in a region overlapping with the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and the end surface 21 p is temporarily stopped by the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 26. It is desirable to cover with the inorganic sealing film 28.
  • the formation method of the OLED panel of aspect 1 forms the laminated body provided with the sealing layer which has a resin layer, a TFT layer, an OLED layer, and an organic sealing film on the upper surface side of a translucent board
  • substrate A method of manufacturing an OLED panel in which a resin layer in contact with the light-transmitting substrate is irradiated with laser light to separate the light-transmitting substrate and the laminate, wherein the resin layer has a first intensity laser beam. A first region that is irradiated; and a second region that is irradiated with a laser beam having a second intensity greater than the first intensity. The first region overlaps the organic sealing film, and the second region is Does not overlap with the organic sealing film.
  • the sealing layer includes an inorganic sealing film
  • the TFT layer includes an inorganic insulating film
  • the first region overlaps the inorganic sealing film and the inorganic insulating film
  • the second region Overlaps the inorganic insulating film.
  • the organic sealing film has a tensile stress
  • the inorganic sealing film and the inorganic insulating film have a compressive stress
  • a tensile stress is generated in the second region of the resin layer by irradiating the second intensity laser beam.
  • the second region overlaps the inorganic sealing film.
  • the resin layer includes a third region irradiated with a laser beam having a third intensity, wherein the first intensity ⁇ the third intensity ⁇ the second intensity, and the third area is the organic seal. It does not overlap the stop film and the inorganic sealing film, and overlaps the inorganic insulating film.
  • the resin layer includes a third region irradiated with a laser beam having a third intensity, If the first strength and the third strength are equivalent (substantially equal), the third strength is less than the second strength, and the third region overlaps with the organic sealing film and the inorganic sealing film And overlaps with the inorganic insulating film.
  • the TFT layer includes a plurality of terminals overlapping the third region.
  • the TFT layer includes an organic interlayer film disposed closer to the OLED layer than the TFT, and the edge of each terminal is covered with the organic interlayer film.
  • the first region overlaps the organic interlayer film.
  • the organic interlayer film has a tensile stress.
  • the second intensity is 1.2 to 2.2 times the first intensity.
  • the first area corresponds to a display unit of one panel, and the second area surrounds the first area.
  • a film is affixed on the upper surface of the sealing layer after the laminate is formed.
  • a flexible base material is attached to the lower surface of the resin layer.
  • the organic sealing film is formed by curing the applied resin.
  • each of the inorganic sealing film and the inorganic insulating film is formed by a CVD method.
  • the resin layer is formed of polyimide.
  • the OLED panel according to aspect 19 includes a resin layer, a TFT layer having an inorganic insulating film, an OLED layer, and a sealing layer having an inorganic sealing film and an organic sealing film on the upper surface side of the flexible substrate.
  • the resin layer includes a first region that overlaps with the inorganic sealing film, the inorganic insulating film, and the organic sealing film, an overlap with the inorganic sealing film and the inorganic insulating film, and the organic layer There are two regions that do not overlap with the sealing film, and a recess is formed in at least a part of the second region.
  • the organic sealing film is formed of a photosensitive organic resin material.
  • the end of the organic sealing film is covered with the inorganic sealing film.
  • the resin layer has a third region that does not overlap the organic sealing film and the inorganic sealing film and overlaps the inorganic insulating film, and the TFT layer overlaps the third region. Includes multiple terminals.
  • the TFT layer includes an organic interlayer film disposed closer to the OLED layer than the TFT, and the edge of each terminal is covered with the organic interlayer film.
  • the first area corresponds to a display unit of one panel, and the second area surrounds the first area.
  • the recess is an ablation mark.
  • An apparatus for manufacturing an OLED panel which performs a step of separating the light transmissive substrate and the laminate by irradiating a resin layer in contact with the light transmissive substrate with a laser beam, wherein the resin layer has a first strength.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

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Abstract

透光性基板の上面側に、樹脂層（１２）と、ＴＦＴ層（４）と、ＯＬＥＤ層（５）と、有機封止膜（２７）を有する封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板に接する樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離するＯＬＥＤパネルの製造方法であって、前記樹脂層は、第１強度Ｐ１のレーザ光が照射される第１領域（Ｘ）と、前記第１強度よりも大きな第２強度Ｐ２のレーザ光が照射される第２領域（Ｙ）とを含み、前記第１領域は有機封止膜（２７）と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜（２７）と重ならない。

Description

ＯＬＥＤパネルの製造方法、ＯＬＥＤパネル、ＯＬＥＤパネルの製造装置
　本発明はＯＬＥＤパネルに関する。
　特許文献１には、透光性の支持基板上にＯＬＥＤ層を含む積層体を形成した後に、支持基板側からレーザを照射し、支持基板と積層体とを分離する方法が記載されている。
日本国公開特許公報「特開２０１５－１９５１４０号（２０１５年１１月５日公開）」
　上記のように積層体を支持基板から分離すると、積層体に皺やカールが生じるという問題がある。
　本発明の一態様に係るＯＬＥＤパネルの製造方法は、透光性基板の上面側に、樹脂層と、ＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、有機封止膜を含む封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板と接する前記樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離するＯＬＥＤパネルの製造方法であって、前記樹脂層は、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、前記第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とを含み、前記第１領域は前記有機封止膜と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜と重ならない。
　本発明の一態様によれば、透光性基板から分離した後の積層体に皺やカールが生じるおそれを低減することができる。
実施形態１に係るＯＬＥＤパネルの製造方法の一例を示すフローチャートである。 ガラス基板（マザーガラス）に形成された複数の積層体を示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。 図２の各積層体の構成例を示す断面図である。 実施形態１にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図である。 実施形態１にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。 実施形態２にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図である。 実施形態２にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。 実施形態２にの変形例を示す平面図である。 実施形態３にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図である。 実施形態３にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。 本実施形態により得られるＯＬＥＤパネルの構成を示す断面図（ａ）（ｂ）および平面図（ｃ）である。
　図１は、実施形態１に係るＯＬＥＤパネルの製造方法の一例を示すフローチャートであり、図２は、マザーガラスであるガラス基板に形成された複数の積層体を示す断面図（ａ）および平面図（ｂ）であり、図３は、各積層体の構成例を示す断面図である。
　図１～３に示すように、まず、ガラス基板５０（透光性基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、防湿層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、無機絶縁膜１６・１８・２０および有機層間膜２１を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。図２に示す無機絶縁膜４Ｆは、図３（ａ）の無機絶縁膜１６・１８・２０少なくとも１つを含むものとする。次いで、ＯＬＥＤ素子を含むＯＬＥＤ層５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７を含む封止層６を形成し、複数の積層体７とする（ステップＳ５）。次いで、複数の積層体７上に接着層８を介して上面フィルム９を貼り付ける（ステップＳ６）。
　次いで、ガラス基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、ガラス基板５０の下面に照射され、ガラス基板５０を透過したレーザ光を樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（ガラス基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびガラス基板５０間の結合力が低下する。後述のとおり、ステップＳ７については、樹脂層１２に、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とが含まれ、第１領域は有機封止膜２７と重なり、第２領域は有機封止膜２７と重ならない。
　次いで、ガラス基板５０を積層体７から剥離する（ステップＳ８）。次いで、積層体７に下面フィルムを貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、複数の積層体７から上面フィルム９を剥離する（ステップＳ１０）。次いで、複数の積層体７が形成されたガラス基板５０をカットラインＣ（図３（ｃ）参照）で分断し、個片化されたＯＬＥＤパネルを得る（ステップＳ１１）。なお、これら各ステップはＯＬＥＤパネルの製造装置が行う。
　図２・３に示すように、ガラス基板５０上に形成される積層体７は、樹脂層１２と、樹脂層１２の上側に形成される防湿層３と、防湿層３の上側に形成されるＴＦＴ層４と、ＴＦＴ層４の上側に形成されるＯＬＥＤ層５と、ＯＬＥＤ層５の上側に形成される封止層６とを備え、可撓性を有している。
　樹脂膜１２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリアミド等が挙げられる。樹脂膜１２は、例えば、これらの材料又はその前駆体を、溶剤に溶解させて液体状とし、スリットコート又はスピンコートによりガラス基板５０上に塗布して焼成することで形成することができる。樹脂膜１２の厚さは、例えば、２μｍ～５０μｍである。
　防湿層３は、ＯＬＥＤパネルの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４やＯＬＥＤ層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。防湿層３の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１５００ｎｍ以下である。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５の上側に形成される無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート絶縁膜１６の上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇの上側に形成される無機絶縁膜１８・２０（パッシベーション膜）と、無機絶縁膜２０の上側に形成される、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄおよび端子ＴＭと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの上側に形成される有機層間膜２１とを含む。半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極Ｇ、無機絶縁膜１８・２０、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。
　ＴＦＴ層４の端子部４Ｔには外部接続用の複数の端子ＴＭが形成される。端子ＴＭは、引き回し配線を介して例えばゲート電極Ｇと電気的に接続される。端子部４Ｔ上にはＯＬＥＤ素子層５および封止層６は形成されないが、端子ＴＭのエッジは、有機層間膜２１で覆われる。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＰＴＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子Ｔは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　無機絶縁膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機層間膜２１は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。アノード電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。
　ＯＬＥＤ層５は、有機層間膜２１の上側に形成されるアノード電極２２と、表示領域ＤＣのサブピクセルを規定する隔壁２３ｃと、非表示領域ＮＡに形成されるバンク２３ｂと、アノード電極２２の上側に形成される有機ＥＬ（有機エレクトロルミネッセンス）層２４と、有機ＥＬ層２４の上側に形成されるカソード電極２５とを含む。
　隔壁２３ｃおよびバンク２３ｂは、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を用いて、例えば同一工程で形成することができる。非表示領域ＮＡのバンク２３ｂは無機絶縁膜２０上に形成される。バンク２３ｂは有機封止膜２７のエッジを規定する。
　有機ＥＬ層２４は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に形成される。有機ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。カソード電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透明金属で構成することができる。
　ＯＬＥＤ素子層５では、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が有機ＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
　封止層６は、隔壁２３ｃおよびカソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６を覆う有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、ＯＬＥＤ素子層５を覆い、水、酸素等の異物のＯＬＥＤ素子層５への浸透を防いでいる。
　なお、上面フィルム９は、接着剤８を介して封止層６上に貼り付けられ、ガラス基板５０を剥離した時の支持材として機能する。その材料として、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥ（ポリエチレン）、アラミド等が挙げられる。
　下面フィルムは、ガラス基板５０を剥離した積層体７の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れたＯＬＥＤパネルを製造するためのものである。下面フィルムは可撓性の樹脂材料により形成されている。このような樹脂材料として、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥ（ポリエチレン）、アラミド等が挙げられる。
　図４は、図１のステップＳ７～Ｓ８にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図である。
　照射するレーザ光の波長は、樹脂膜１２が吸収し、ガラス基板５０との界面を変質させるものであればよい。したがって、樹脂膜１２として上述したような材料を使用する場合、レーザ光の波長は、３００ｎｍ以上、３５５ｎｍ以下であることが好ましく、３０８ｎｍ、３４３ｎｍ又は３５５ｎｍであることがより好ましい。このような波長のレーザ光として、例えば、エキシマレーザ（３０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（３４３ｎｍ、３５５ｎｍ）等が挙げられる。
　ここで、ガラス基板５０から分離された積層体７は、分離前の積層体７の各膜が有する応力に起因して皺やカールが生じることがある。
　この応力には、膜を縮める方向の外力に応じる力である圧縮応力（単位：パスカル）と、膜を引っ張る方向の外力に応じる力である引っ張り応力（単位：パスカル）とがあり、一般に、圧縮応力をマイナスの値、引っ張り応力をプラスの値で表す。
　圧縮応力を有する膜は、外力がなくなる（圧縮応力が開放される）と伸長し、引っ張り応力を有する膜は、外力がなくなる（引っ張り応力が開放される）と縮む。成膜時に生じる応力は、成膜する物質、成膜条件および成膜する下地等によって決まる。
　図４（ａ）の積層体７では特に、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆ並びに封止層６の第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８に圧縮応力が生じる。すなわち、無機絶縁膜４Ｆと第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８とが重畳する箇所には大きな圧縮応力（－）が生じる。一方、ＵＶ照射によって収縮硬化する有機封止膜２７には引っ張り応力（＋）が生じる。積層体７の内側部分（ＯＬＥＤ層５が形成されている表示部含む）については、有機封止膜２７が形成されているため、ガラス基板５０を剥離しても、無機膜（無機絶縁膜Ｆ、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８）の圧縮応力（－）と、封止有機膜２７の引っ張り応力（＋）とが相殺され、透皺やカールは生じにくい。
しかしながら、外周部分には、有機封止膜２７が形成されていないため、無機膜（特に、無機絶縁膜Ｆ、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８）の圧縮応力が相殺されず、ガラス基板５０の剥離によって無機膜の圧縮応力が開放されると当該外周部分が伸長し、皺やカールが生じてしまう。積層体７に皺やカールが生じると、その後のフレキシブルフィルムの貼り合わせや、運搬が困難になり、ＯＬＥＤパネルの製造効率が低下するという問題がある。
　〔実施形態１〕
　図４は、実施形態１にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図であり、図５は、実施形態１にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。
　実施形態１では、図４（ａ）・図５に示すように、樹脂層１２の領域Ｘ（樹脂層１２および有機封止膜２７が重畳する領域）を、強度Ｓ１のレーザ光を照射する第１領域に設定し、樹脂層１２の領域Ｙ（樹脂層１２および有機封止膜２７が重ならない領域）を強度Ｓ２（＞Ｓ１）のレーザ光を照射する第２領域に設定している。レーザ光の強度Ｓ１・Ｓ２は、例えば、単位面積当たりのジュール量とする。
　こうすれば、図４（ｂ）に示すように、レーザ光の照射後に、樹脂層１２の領域Ｘでは応力が変化せず（０→０）、樹脂層１２の領域Ｙには強度Ｓ２のレーザ光によって大きな引っ張り応力（＋）が生じるため、図４（ｃ）のガラス基板５０剥離時に開放された、無機絶縁膜４Ｆ並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８の圧縮応力（－）が、樹脂層１２の領域Ｙの引っ張り応力（＋）によって相殺され、積層体７に生じうる皺やカールを低減することができる。なお、樹脂膜１２の領域Ｙの少なくとも一部には、レーザーアブレーション痕が形成されうる。
　エキシマレーザおよびＹＡＧレーザのようなパルスレーザーのレーザ光の強度は、その出力により決定されるものであるため、レーザ光の出力を変化させてエネルギー密度（ｍＪ／ｃｍ２を異ならせることにより、レーザ光の強度を変化させることができる。
　レーザ光の強度Ｓ１については、ガラス基板５０および樹脂層１２間の接着力を、後工程においてガラス基板５０を剥離することができる値まで低下させる大きさとし、レーザ光の強度Ｓ２については、無機絶縁膜４Ｆ並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８の圧縮応力に対応する引っ張り応力を樹脂層１２に与えられる大きさとする。
　レーザ光の強度Ｓ１に対するレーザ光の強度Ｓ２の比は、例えば１．２～２．２である。レーザ光の強度Ｓ１が１００ｍＪ／ｃｍ２である場合に、レーザ光の強度Ｓ２を、１５０ｍＪ／ｃｍ２以上、２００ｍＪ／ｃｍ２以下とする。
　〔実施形態２〕
　図６は、実施形態２にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図であり、図７は、実施形態２にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。
　実施形態２では、図６（ａ）・図７に示すように、樹脂層１２の領域Ｘ（樹脂層１２と、有機封止膜２７、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆ、並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８とが重畳する領域）を、強度Ｓ１のレーザ光を照射する第１領域とし、樹脂層１２の領域Ｙ（樹脂層１２と有機封止膜２７とが重畳せず、樹脂層１２と、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆ、並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８とが重畳する領域）を、強度Ｓ２のレーザ光を照射する第２領域とし、樹脂層１２の領域Ｚ（樹脂層１２と、有機封止膜２７並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８とが重畳せず、樹脂層１２とＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆとが重畳する領域）を、強度Ｓ３のレーザ光を照射する第３領域とする。ただし、強度Ｓ１＜強度Ｓ３＜強度Ｓ２である。
　こうすれば、図６（ｂ）に示すように、レーザ光の照射後に、樹脂層１２の領域Ｘでは応力が変化せず（０→０）、樹脂層１２の領域Ｙには強度Ｓ２のレーザ光によって大きな引っ張り応力（＋）が生じ、樹脂層１２の領域Ｚには強度Ｓ３のレーザ光によって中程度の引っ張り応力（＋）が生じるため、図６（ｃ）のガラス基板５０剥離時に開放された、無機絶縁膜４Ｆ並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８の圧縮応力（－）が、樹脂層１２の領域Ｙ・Ｚの引っ張り応力（＋）によって相殺され、積層体７に生じうる皺やカールを低減することができる。なお、樹脂膜１２の領域Ｙの少なくとも一部には、レーザーアブレーション痕が形成されうる（後述）。
　なお、図７では、樹脂層１２の領域Ｙの全域を強度Ｓ２のレーザ光を照射する第２領域に設定しているがこれに限定されない。図８（ａ）のように、領域Ｙの内側領域Ｙａに強度Ｓ１のレーザ光を照射し、領域Ｙの外側領域Ｙｂに強度Ｓ２のレーザ光を照射することもできる。また、図８（ｂ）のように、領域Ｙの中央領域Ｙｃに強度Ｓ２のレーザ光を照射し、他の領域（中央領域Ｙｃの両側の領域）Ｙｇに強度Ｓ１のレーザ光を照射することもできる。
　〔実施形態３〕
　図８は、実施形態３にかかるレーザの照射およびガラス基板の剥離を示す模式図であり、図９は、実施形態３にかかる領域ごとのレーザ光の強度を示す平面図である。
　実施形態３では、図８（ａ）・図９に示すように、樹脂層１２の領域Ｘ（有機封止膜２７、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆ、並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳する領域）を、強度Ｓ１のレーザ光を照射する第１領域とし、樹脂層１２の領域Ｙ（有機封止膜２７と重畳せず、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆ、並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳する領域）を、強度Ｓ２のレーザ光を照射する第２領域とし、樹脂層１２の領域Ｚ（有機封止膜２７並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳せず、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜４Ｆと重畳する領域）を、強度Ｓ１のレーザ光を照射する第１領域とする。ただし、強度Ｓ１＜強度Ｓ２である。
　こうすれば、図６（ｂ）に示すように、レーザ光の照射後に、樹脂層１２の領域Ｘでは応力が変化せず（０→０）、樹脂層１２の領域Ｙには強度Ｓ２のレーザ光によって大きな引っ張り応力（＋）が生じ、樹脂層１２の領域Ｚでは応力が変化しない（０→０）ため、図８（ｃ）のガラス基板５０剥離時に開放された、無機絶縁膜４Ｆ並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８の圧縮応力（－）が、樹脂層１２の領域Ｙの引っ張り応力（＋）によって相殺され、積層体７に生じうる皺やカールを低減することができる。なお、樹脂膜１２の領域Ｙの少なくとも一部には、レーザーアブレーション痕が形成されうる（後述）。
　なお、図１０では、樹脂層１２の領域Ｙの全域を強度Ｓ２のレーザ光を照射する第２領域に設定しているがこれに限定されない。図８（ａ）のように、領域Ｙの内側領域Ｙａに強度Ｓ１のレーザ光を照射し、領域Ｙの外側領域Ｙｂに強度Ｓ２のレーザ光を照射することもできる。また、図８（ｂ）のように、領域Ｙの中央領域Ｙｃに強度Ｓ２のレーザ光を照射し、他の領域（中央領域Ｙｃの両側の領域）Ｙｇに強度Ｓ１のレーザ光を照射することもできる。
　〔実施形態１～３について〕
　図１１は、前記実施形態により得られるＯＬＥＤパネルの構成を示す断面図である。ＯＬＥＤパネル２は、樹脂層１２と、防湿層３と、無機絶縁膜１６・１８・２０を含むＴＦＴ層４と、ＯＬＥＤ層５と、有機封止膜２７並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８を含む封止層６とを備え、樹脂層１２のの下面に接着層１１を介して下面フィルム１０が張り付けられ、封止層６の上面に接着層２９を介して機能性フィルム３０が張り付けられた構成であり、可撓性を有している。機能性フィルム３０は、上面フィルムの剥離（図１のＳ１０参照）の後に貼り付けられるものであり、保護機能、光学補償機能、タッチセンサ機能の少なくとも１つを有していてもよい。
　例えば実施形態２・３によれば、図１１（ａ）のように、樹脂層１２の領域Ｘ（有機封止膜２７、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜１６・１８・２０、並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳する領域）に強度Ｓ１のレーザ光が照射され、樹脂層１２の領域Ｙ（有機封止膜２７と重畳せず、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜１６・１８・２０並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳する領域）に強度Ｓ２のレーザ光が照射され、樹脂層１２の領域Ｚ（有機封止膜２７並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳せず、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜１６・１８・２０と重畳する領域）に強度Ｓ３のレーザ光が照射される。
　そして、強度Ｓ１＜強度Ｓ３＜強度Ｓ２であるため、図１１（ａ）（ｃ）のように、樹脂層１２の領域Ｙ（特に接着層１１との界面）には、レーザーアブレーション痕である凹部１２Ｊが形成される。凹部１２Ｊは強度Ｓ２のレーザ光が照射された領域に生じる。よって、領域Ｙの全域に強度Ｓ２のレーザ光が照射された場合には領域Ｙのほぼ全域に凹部１２Ｊが形成され、領域Ｙの一部（中央部や外側部）にのみ強度Ｓ２のレーザ光が照射された場合には領域Ｙの一部（中央部や外側部）にだけ凹部１２Ｊが形成されることになる（図８参照）。
　ＴＦＴ層４には端子部４Ｔが含まれ、端子部４Ｔは、有機封止膜２７並びに第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重畳せず、ＴＦＴ層４の無機絶縁膜１６・１８・２０と重畳する。すなわち、端子部４Ｔは樹脂層１２の領域Ｚと重畳する。端子ＴＭのエッジは、有機層間膜２１で覆われる。
　有機層間膜２１については、水を浸透させ易いため、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８と重なる領域で一旦止め、その端面２１ｐを第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８で覆うことが望ましい。
　〔まとめ〕
　態様１のＯＬＥＤパネルの製造方法は、透光性基板の上面側に、樹脂層と、ＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、有機封止膜を有する封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板に接する樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離するＯＬＥＤパネルの製造方法であって、前記樹脂層は、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、前記第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とを含み、前記第１領域は前記有機封止膜と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜と重ならない。
　態様２では、前記封止層は無機封止膜を含み、前記ＴＦＴ層は無機絶縁膜を含み、前記第１領域が前記無機封止膜および前記無機絶縁膜と重なり、前記第２領域が前記無機絶縁膜と重なる。
　態様３では、前記積層体を形成したときに、前記有機封止膜は引っ張り応力を有し、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜は圧縮応力を有する。
　態様４では、前記第２強度のレーザ光を照射することで前記樹脂層の第２領域に引っ張り応力を生じさせる。
　態様５では、前記第２領域が前記無機封止膜と重なる。
　態様６では、前記樹脂層は、第３強度のレーザ光が照射される第３領域を含み、前記第１強度≦前記第３強度＜前記第２強度であり、前記第３領域は前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる。
　態様７では、前記樹脂層は、第３強度のレーザ光が照射される第３領域を含み、
　前記第１強度および前記第３強度が同等（実質的に等しい）かつ、前記第３強度＜前記第２強度であり、前記第３領域は前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる。
　態様８では、前記ＴＦＴ層は、前記第３領域と重なる複数の端子を含む。
　態様９では、前記ＴＦＴ層は、ＴＦＴよりもＯＬＥＤ層側に配された有機層間膜を含み、前記各端子のエッジが前記有機層間膜で覆われている。
　態様１０では、前記第１領域は前記有機層間膜と重なる。
　態様１１では、前記積層体を形成したときに、前記有機層間膜は引っ張り応力を有する。
　態様１２では、前記第２強度を、前記第１強度の１．２～２．２倍とする。
　態様１３では、前記第１領域は１つのパネルの表示部に対応し、前記第２領域が前記第１領域を取り囲む。
　態様１４では、前記積層体の形成後にフィルムを前記封止層の上面に貼り付ける。
　態様１５では、前記透光性基板と前記積層体との分離後に、可撓性基材を前記樹脂層の下面に貼り付ける。
　態様１６では、塗布した樹脂を硬化させることで前記有機封止膜を形成する。
　態様１７では、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜それぞれをＣＶＤ法で形成する。
　態様１８では、前記樹脂層がポリイミドで形成されている。
　態様１９のＯＬＥＤパネルは、可撓性基材の上面側に、樹脂層と、無機絶縁膜を有するＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、無機封止膜および有機封止膜を有する封止層とを含む積層体を備え、前記樹脂層は、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜並びに前記有機封止膜と重なる第１領域と、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜と重なり、かつ前記有機封止膜と重ならない２領域とを有し、前記第２領域の少なくとも一部に凹部が形成されている。
　態様２０では、前記有機封止膜が感光性有機樹脂材料で形成されている。
　態様２１では、前記有機封止膜の端部が前記無機封止膜で覆われている。
　態様２２では、前記樹脂層は、前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる第３領域を有し、前記ＴＦＴ層は、前記第３領域と重なる複数の端子を含む。
　態様２３では、前記ＴＦＴ層は、ＴＦＴよりもＯＬＥＤ層側に配された有機層間膜を含み、前記各端子のエッジが前記有機層間膜で覆われている。
　態様２４では、前記第１領域は１つのパネルの表示部に対応し、前記第２領域が前記第１領域を取り囲む。
　態様２５では、前記凹部はアブレーション痕である。
　態様２６のＯＬＥＤパネルの製造装置は、透光性基板の上面側に、樹脂層と、ＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、有機封止膜を有する封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板に接する樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離する工程を行うＯＬＥＤパネルの製造装置であって、前記樹脂層には、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、前記第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とが含まれ、前記第１領域は前記有機封止膜と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜と重ならない。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　　ＯＬＥＤパネル
　４　　ＴＦＴ層
　５　　ＯＬＥＤ層
　６　　封止層
　７　　積層体
　１０　　下面フィルム
　１２　　樹脂膜
　１２Ｊ　凹部（レーザーアブレーション痕）
　１６　無機絶縁膜
　１８　無機絶縁膜
　２０　無機絶縁膜
　２１　有機層間膜
　２６　第１無機封止膜
　２７　有機封止膜
　２８　第２無機封止膜
　５０　　ガラス基板
　４Ｔ　端子部
　ＴＭ　端子

Claims (26)

  1. 　透光性基板の上面側に、樹脂層と、ＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、有機封止膜を有する封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板に接する樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離するＯＬＥＤパネルの製造方法であって、
    　前記樹脂層は、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、前記第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とを含み、
    　前記第１領域は前記有機封止膜と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜と重ならないＯＬＥＤパネルの製造方法。
  2. 　前記封止層は無機封止膜を含み、前記ＴＦＴ層は無機絶縁膜を含み、
    　前記第１領域が前記無機封止膜および前記無機絶縁膜と重なり、前記第２領域が前記無機絶縁膜と重なる請求項１に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  3. 　前記積層体を形成したときに、前記有機封止膜は引っ張り応力を有し、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜は圧縮応力を有する請求項２に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  4. 　前記第２強度のレーザ光を照射することで前記樹脂層の第２領域に引っ張り応力を生じさせる請求項１～３のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  5. 　前記第２領域が前記無機封止膜と重なる請求項２に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  6. 　前記樹脂層は、第３強度のレーザ光が照射される第３領域を含み、
    　前記第１強度≦前記第３強度＜前記第２強度であり、
    　前記第３領域は前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる請求項５に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  7. 　前記樹脂層は、第３強度のレーザ光が照射される第３領域を含み、
    　前記第１強度および前記第３強度が同等かつ、前記第３強度＜前記第２強度であり、
    　前記第３領域は前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる請求項５に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  8. 　前記ＴＦＴ層は、前記第３領域と重なる複数の端子を含む請求項６に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  9. 　前記ＴＦＴ層は、ＴＦＴよりもＯＬＥＤ層側に配された有機層間膜を含み、前記各端子のエッジが前記有機層間膜で覆われている請求項８に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  10. 　前記第１領域は前記有機層間膜と重なる請求項９に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  11. 　前記積層体を形成したときに、前記有機層間膜は引っ張り応力を有する請求項９に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  12. 　前記第２強度を、前記第１強度の１．２～２．２倍とする請求項１～１１のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  13. 　前記第１領域は１つのパネルの表示部に対応し、前記第２領域が前記第１領域を取り囲む請求項１～１２のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  14. 　前記積層体の形成後にフィルムを前記封止層の上面に貼り付ける請求項１～１３のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  15. 　前記透光性基板と前記積層体との分離後に、可撓性基材を前記樹脂層の下面に貼り付ける請求項１～１４のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  16. 　塗布した樹脂を硬化させることで前記有機封止膜を形成する請求項３に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  17. 　前記無機封止膜および前記無機絶縁膜それぞれをＣＶＤ法で形成する請求項３に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  18. 　前記樹脂層がポリイミドで形成されている請求項１～１７のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネルの製造方法。
  19. 　可撓性基材の上面側に、樹脂層と、無機絶縁膜を有するＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、無機封止膜および有機封止膜を有する封止層とを含む積層体を備え、
    　前記樹脂層は、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜並びに前記有機封止膜と重なる第１領域と、前記無機封止膜および前記無機絶縁膜と重なり、かつ前記有機封止膜と重ならない２領域とを有し、
    　前記第２領域の少なくとも一部に凹部が形成されているＯＬＥＤパネル。
  20. 　前記有機封止膜が感光性有機樹脂材料で形成されている請求項１９記載のＯＬＥＤパネ。
  21. 　前記有機封止膜の端部が前記無機封止膜で覆われている請求項１９または２０記載のＯＬＥＤパネル。
  22. 　前記樹脂層は、前記有機封止膜および前記無機封止膜と重ならず、かつ前記無機絶縁膜と重なる第３領域を有し、
    　前記ＴＦＴ層は、前記第３領域と重なる複数の端子を含む請求項１９～２１のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  23. 　前記ＴＦＴ層は、ＴＦＴよりもＯＬＥＤ層側に配された有機層間膜を含み、前記各端子のエッジが前記有機層間膜で覆われている請求項２２に記載のＯＬＥＤパネル。
  24. 　前記第１領域は１つのパネルの表示部に対応し、前記第２領域が前記第１領域を取り囲む請求項１９～２３のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  25. 　前記凹部はアブレーション痕である請求項１９～２４のいずれか１項に記載のＯＬＥＤパネル。
  26. 　透光性基板の上面側に、樹脂層と、ＴＦＴ層と、ＯＬＥＤ層と、有機封止膜を有する封止層とを備える積層体を形成した後に、前記透光性基板に接する樹脂層にレーザ光を照射して前記透光性基板と前記積層体とを分離する工程を行うＯＬＥＤパネルの製造装置であって、
    　前記樹脂層には、第１強度のレーザ光が照射される第１領域と、前記第１強度よりも大きな第２強度のレーザ光が照射される第２領域とが含まれ、
    　前記第１領域は前記有機封止膜と重なり、前記第２領域は前記有機封止膜と重ならないＯＬＥＤパネルの製造装置。
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