JP2020187998A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】第１表示領域の内側に、センサなどが配置される第２表示領域を具備した表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、第１画素を具備する第１表示領域と、第２画素と透過部とを具備する第２表示領域と、を含む基板と、前記第１画素に含まれる第１画素電極及び第１発光層と、前記第２画素に含まれる第２画素電極及び第２発光層と、前記第１表示領域と前記第２表示領域とに一体として（ａｓ ｏｎｅ ｂｏｄｙ）配置される対向電極と、前記対向電極上部に配置される上部層と、を有し、前記対向電極及び前記上部層は、前記透過部に対応する開口領域を含み、前記透過部周辺には、前記基板の上面方向に凸状となる凸状部が具備される。【選択図】 図６Ａ

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、第１表示領域の内側に、センサなどが配置される第２表示領域を具備する表示装置に関する。
近年、表示装置は、その用途が多様になってきている。
また、表示装置の厚さが薄くなり、重さも軽くなってきており、その使用の範囲が広範囲になってきている。
表示装置が多様に活用されるにつれ、表示装置の形態を設計する上で多様な方法があり得る。
従って、表示装置に組み合わせたり、関連付けたりできる機能を追加することに対する技術開発が課題となってきている。
特開２００９−０３６９９７号公報
本発明は上記従来の表示装置における課題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、第１表示領域の内側に、センサなどが配置される第２表示領域を具備した表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、第１画素を具備する第１表示領域と、第２画素と透過部とを具備する第２表示領域と、を含む基板と、前記第１画素に含まれる第１画素電極及び第１発光層と、前記第２画素に含まれる第２画素電極及び第２発光層と、前記第１表示領域と前記第２表示領域とに一体として（ａｓ ｏｎｅ ｂｏｄｙ）配置される対向電極と、前記対向電極上部に配置される上部層と、を有し、前記対向電極及び前記上部層は、前記透過部に対応する開口領域を含み、前記透過部周辺には、前記基板の上面方向に凸状となる凸状部が具備されることを特徴とする。
前記凸状部は、前記上部層の一部として設けられることが好ましい。
前記第１画素電極と前記対向電極との間に配置される有機機能層をさらに有し、前記有機機能層は、前記透過部に対応して配置されることが好ましい。
前記有機機能層の上面には、複数の突出パターンが設けられることが好ましい。
前記複数の突出パターンは、所定の間隔で離隔され、前記複数の突出パターンそれぞれは、一方向に延長されることが好ましい。
前記第２表示領域に配置される第２薄膜トランジスタと、前記基板と前記第２薄膜トランジスタとの間に配置される下部電極層と、をさらに有することが好ましい。
前記第１画素電極及び前記第２画素電極の中央部を露出させ、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の縁部（ｅｄｇｅ）を覆う画素定義膜をさらに有し、前記画素定義膜は、前記透過部に対応する第１開口を含むことが好ましい。
前記基板と前記画素定義膜との間に配置される平坦化層をさらに有し、前記平坦化層は、前記透過部に対応する第２開口を含むことが好ましい。
前記第１開口の幅は、前記第２開口の幅より狭いことが好ましい。
前記基板上に配置される無機絶縁層をさらに有し、前記無機絶縁層は、前記透過部に対応する第３開口を含むことが好ましい。
前記開口領域の幅は、前記第３開口の幅より狭いことが好ましい。
前記第１表示領域及び前記第２表示領域は、前記基板と対向するように配置される封止基板によって密封されることが好ましい。
前記上部層上に、順次に配置される第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を含む薄膜封止層をさらに有することが好ましい。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示要素を含む画素、及び透過部が配置される基板と、前記画素に含まれる画素電極及び発光層と、前記発光層上に配置される対向電極と、前記対向電極上部に配置される上部層と、を有し、前記対向電極及び前記上部層は、前記透過部に対応する開口を具備し、前記上部層は、前記透過部に隣接するように配置され、周辺の厚さより厚く形成された凸状部を具備することを特徴とする。
前記画素電極と前記対向電極との間に配置される有機機能層をさらに有し、前記有機機能層は、前記透過部に対応して配置されることが好ましい。
前記有機機能層の上面には、複数の突出パターンを有することが好ましい。
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、第１画素を含む第１表示領域と、第２画素と透過部とを含む第２表示領域と、を含む基板を具備する表示装置の製造方法において、前記基板上面において、前記第１表示領域及び前記第２表示領域に、対向電極及び上部層を形成する段階と、前記基板の下面から前記透過部に対応する対向電極領域に、赤外線波長のレーザ光を照射する段階と、前記レーザ光が照射された対向電極領域を、前記基板から剥離し（ｌｉｆｔｉｎｇ ｏｆｆ）、前記対向電極及び前記上部層に開口領域を形成する段階と、を有することを特徴とする。
前記上部層は、前記レーザ光により、前記透過部周辺に凸状部が形成されることが好ましい。
前記レーザ光の波長は、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであることが好ましい。
前記基板から前記対向電極下部に配置された層の前記レーザ光に対する吸収率は、２０％以下であることが好ましい。
前記透過部に対応して配置される有機機能層を形成する段階をさらに有し、前記有機機能層には、前記レーザ光によって形成された突出パターンを有することが好ましい。
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、センサのようなコンポーネントと対応する第２表示領域に、画素部及び光透過率を向上させた透過部を配置させ、コンポーネントが動作することができる環境を作ると共に、コンポーネントと重畳される領域に、イメージを具現することができる。
それにより、多様な機能を有すると共に、品質が向上する表示装置を提供することができる。
本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した簡略的な断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルに含まれる第１画素及び／又は第２画素の等価回路図である。 本発明の他の実施形態による表示パネルに含まれる第１画素及び／又は第２画素の等価回路図である。 図３の第２表示領域の一部を示した概略的な平面図である。 図３のＩ−Ｉ’線及び図５のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した概略的な断面図である。 図６ＡのＩＩＩ部分の拡大図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。 対向電極を剥離した後、透過部（ＴＡ）近傍を撮影したイメージである。 対向電極を剥離した後、透過部（ＴＡ）近傍を撮影したイメージである。
次に、本発明に係る表示装置及びその製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
本発明は、多様な変更を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。
本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。
しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によっても具現される。
以下、添付した図面を参照し、本発明の一実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それについての重複説明は、省略する。
以下の実施形態において、「第１」、「第２」のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用する。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」又は「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴、又は構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上又は上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張したり縮小したりする。
例えば、図面に示した各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されており、本発明は、必ずしも図示したところに限定されるものではない。
ある実施形態が異なって具現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なっても遂行される。
例えば、連続して説明する２つの工程が実質的に同時に実行され、説明する順序と反対の順序にも進められ得る。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結されている場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在し、間接的に連結されている場合も含む。
例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されているとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続されている場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に接続されている場合も含む。
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。
図１を参照すると、表示装置１は、イメージを具現する第１表示領域ＤＡと、イメージを具現しない非第１表示領域ＮＤＡと、を含む。
表示装置１は、第１表示領域ＤＡに配置された複数の第１画素Ｐｍから放射される光を利用し、メインイメージを提供することができる。
表示装置１は、第２表示領域ＳＡを含む。
第２表示領域ＳＡは、図２を参照して後述するように、その下部に赤外線、可視光線や音響などを利用するセンサのようなコンポーネントが配置される領域でもある。
第２表示領域ＳＡは、コンポーネントから外部に出力されるか、あるいは外部からコンポーネントに向けて進む光又は／及び音響が透過することができる透過部ＴＡを含む。
本発明の一実施形態において、第２表示領域ＳＡを介して赤外線が透過する場合、光透過率は、３０％以上、さらに望ましくは、５０％以上、７５％以上、８０％以上、８５％以上、又は、９０％以上であり得る。
本実施形態において、第２表示領域ＳＡには、複数の第２画素Ｐａが配置され、複数の第２画素Ｐａから放射される光を利用し、所定のイメージを提供することができる。
第２表示領域ＳＡで提供されるイメージは、補助イメージであり、第１表示領域ＤＡで提供するイメージに比べ、解像度が低くなる。
すなわち、第２表示領域ＳＡは、光又は／及び音響が透過することができる透過部ＴＡを具備するが、単位面積当たりに配置される第２画素Ｐａの数が、第１表示領域ＤＡに単位面積当たりに配置される第１画素Ｐｍの数に比べて少なくなる。
第２表示領域ＳＡは、第１表示領域ＤＡの一側に配置され、一実施形態として、図１では、第２表示領域ＳＡは、第１表示領域ＤＡの（斜視図上の）上方に配置され、第２表示領域ＳＡが、非第１表示領域ＮＤＡと第１表示領域ＤＡとの間に配置されることを示す。
しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
第２表示領域ＳＡは、第１表示領域ＤＡによって取り囲まれるようにも配置されるというように、多様な変形が可能である。
以下では、本発明の一実施形態による表示装置１として、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。
他の実施形態として、無機ＥＬ表示装置（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、量子点発光表示装置（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ａｐｐａｒａｔｕｓ）のように、多様な方式の表示装置が使用され得る。
図１においては、第２表示領域ＳＡが四角形である第１表示領域ＤＡの上側に配置されているように示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
第１表示領域ＤＡの形状は、円形、楕円、又は三角形や五角形のような多角形でもあり得、第２表示領域ＳＡの位置及び個数も、多様に変更することができるということは言うまでもない。
図２は、本発明の一実施形態による表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した簡略的な断面図である。
図２を参照すると、表示装置１は、表示要素を含む表示パネル１０、及び第２表示領域ＳＡに対応するコンポーネント２０を含む。
表示パネル１０は、基板１００、基板１００上に配置された表示要素層２００、表示要素層２００を密封する密封部材として、薄膜封止層３００を含む。
また、表示パネル１０は、基板１００の下部に配置された下部保護フィルム１７５をさらに含む。
基板１００は、ガラス又は高分子樹脂を含み得る。
該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などを含み得る。
高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブル（ｒｏｌｌａｂｌｅ）、又はベンダブル（ｂｅｎｄａｂｌｅ）な特性を有することができる。
基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造でもある。
表示要素層２００は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、ＴＦＴ’）を含む回路層、表示要素として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、ＯＬＥＤ’）、及びそれら間の絶縁層（ＩＬ、ＩＬ’）を含み得る。
第１表示領域ＤＡには、メイン薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む第１画素Ｐｍが配置され、第２表示領域ＳＡには、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤ’を含む第２画素Ｐａが配置される。
また、第２表示領域ＳＡには、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’及び表示要素が配置されていない透過部ＴＡが配置される。
透過部ＴＡは、コンポーネント２０から放射される光／信号や、コンポーネント２０に入射される光／信号が透過（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）される領域と理解することができる。
コンポーネント２０は、第２表示領域ＳＡに位置する。
コンポーネント２０は、光や音響を利用する電子要素でもある。
例えば、コンポーネント２０は、赤外線センサのように、光を受光して利用するセンサ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり、指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプ、音を出力するスピーカなどでもあり得る。
光を利用する電子要素の場合、可視光、赤外線光、紫外線光など多様な波長帯域の光を利用することができるということは言うまでもない。
第２表示領域ＳＡに配置されたコンポーネント２０の数は、複数に具備され得る。
例えば、コンポーネント２０として、発光素子及び受光素子が１つの第２表示領域ＳＡに共にも具備される。
又は、１つのコンポーネント２０に、発光部及び受光部が同時に具備されてもよい。
第２表示領域ＳＡには、下部電極層ＢＳＭが配置される。
下部電極層ＢＳＭは、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’の下部に対応するように配置される。
そのような下部電極層ＢＳＭは、外部光が、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’などが含まれた第２画素Ｐａに到達することを遮断することができる。
例えば、下部電極層ＢＳＭは、コンポーネント２０から出射された光が第２画素Ｐａに到達することを遮断することができる。
一部実施形態において、下部電極層ＢＳＭには、定電圧又は信号が印加され、静電気放電による画素回路の損傷を防止することができる。
薄膜封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層と、を含み得る。
それと関連して、図２は、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０と、それら間の有機封止層３２０と、を示す。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素の内の１つ以上の無機絶縁物を含み得る。
有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含み得る。
ポリマー系の素材としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド、及びポリエチレンなどを含み得る。
下部保護フィルム１７５は、基板１００の下部に付着され、基板１００を支持して保護する役割を行う。
下部保護フィルム１７５は、第２表示領域ＳＡに対応する開口（１７５ＯＰ）を具備する。
下部保護フィルム１７５が開口（１７５ＯＰ）を具備することにより、第２表示領域ＳＡの光透過率を向上させることができる。
下部保護フィルム１７５は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリイミド（ＰＩ）を含んで具備される。
第２表示領域ＳＡの面積は、コンポーネント２０が配置される面積に比べて大きい。
それにより、下部保護フィルム１７５に具備された開口（１７５ＯＰ）の面積は、第２表示領域ＳＡの面積とは一致しない。
例えば、開口（１７５ＯＰ）の面積は、第２表示領域ＳＡの面積に比べて小さい。
また、第２表示領域ＳＡには、複数のコンポーネント２０が配置され得る。
複数のコンポーネント２０は、互いに機能を異にし得る。
図に示していないが、表示パネル１０上には、タッチ入力を感知する入力感知部材、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）、及び遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）、又はカラーフィルタ、及びブラックマットリックスを含む反射防止部材、及び透明なウィンドウのような構成要素がさらに配置され得る。
一方、本実施形態において、表示要素層２００を密封する封止部材として、薄膜封止層３００を利用しているように図に示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、表示要素層２００を密封する部材として、シーラント又はフリットにより、基板１００と合着される密封基板を利用することもできる。
図３Ａ、図３Ｂは、本発明の一実施形態による表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。
図３Ａを参照すると、表示パネル１０は、第１表示領域ＤＡに配置され、複数の第１画素Ｐｍを含む。
第１画素Ｐｍは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示要素を含む。
各第１画素Ｐｍは、有機発光ダイオードを介して、例えば、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射することができる。
本明細書における第１画素Ｐｍというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色の内のいずれか１つの色相の光を放射する副画素と理解することができる。
第１表示領域ＤＡは、先に図２を参照して説明した封止部材にカバーされ、外気又は水分などからも保護される。
第２表示領域ＳＡは、第１表示領域ＤＡの一側に配置され、第２表示領域ＳＡには、複数の第２画素Ｐａが配置される。
第２画素Ｐａは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示要素を含む。
各第２画素Ｐａは、有機発光ダイオードを介して、例えば、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射することができる。
本明細書における第２画素Ｐａというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色の内のいずれか１つの色相の光を放出する副画素と理解することができる。
一方、第２表示領域ＳＡには、第２画素Ｐａの間に配置される透過部ＴＡが具備される。
表示パネル１０の第２表示領域ＳＡの下部に対応し、少なくとも１つのコンポーネント２０が配置される。
一実施形態において、１つの第１画素Ｐｍと、１つの第２画素Ｐａは、同一画素回路を含み得る。
しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
第１画素Ｐｍに含まれる画素回路と、第２画素Ｐａに含まれる画素回路は、互いに異なることもあるということは言うまでもない。
第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを具備しているが、第２表示領域ＳＡの解像度は、第１表示領域ＤＡよりも低い。
例えば、第２表示領域ＳＡの解像度は、第１表示領域ＤＡの約１／２である。
一部実施形態において、第１表示領域ＤＡの解像度は、４００ｐｐｉ以上であり、第２表示領域ＳＡの解像度は、約２００ｐｐｉである。
各画素（Ｐｍ、Ｐａ）は、非第１表示領域ＮＤＡに配置された外郭回路と電気的にも接続される。
非第１表示領域ＮＤＡには、第１スキャン駆動回路１１０、第２スキャン駆動回路１２０、端子１４０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０、及び第２電源供給配線１７０が配置される。
第１スキャン駆動回路１１０は、スキャンラインＳＬを介して、各画素（Ｐｍ、Ｐａ）にスキャン信号を提供する。
第１スキャン駆動回路１１０は、発光制御線ＥＬを介して、各画素に発光制御信号を提供する。
第２スキャン駆動回路１２０は、第１表示領域ＤＡを挟んで、第１スキャン駆動回路１１０と並列に配置される。
第１表示領域ＤＡに配置された画素（Ｐｍ、Ｐａ）の内の一部は、第１スキャン駆動回路１１０と電気的に接続され、残りは、第２スキャン駆動回路１２０に接続される。
他の実施形態において、第２スキャン駆動回路１２０は、省略してもよい。
端子１４０は、基板１００の一側に配置される。
端子１４０は、絶縁層によって覆われずに露出され、印刷回路基板ＰＣＢと電気的に接続される。
印刷回路基板ＰＣＢの端子（ＰＣＢ−Ｐ）は、表示パネル１０の端子１４０と電気的にも接続される。
印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号又は電源を、表示パネル１０に伝達する。
制御部で生成された制御信号は、印刷回路基板ＰＣＢを介し、第１スキャン回路１１０及び第２スキャン駆動回路１２０にそれぞれ伝達される。
制御部は、第１接続配線１６１及び第２接続配線１７１を介し、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０に、それぞれ第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳ（図４Ａ、図４Ｂ）を提供する。
第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、第１電源供給配線１６０と接続された駆動電圧線ＰＬを介して各画素（Ｐｍ、Ｐａ）に提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、第２電源供給配線１７０と接続された各画素（Ｐｍ、Ｐａ）の対向電極に提供される。
データ駆動回路１５０は、データ線ＤＬに電気的に接続される。
データ駆動回路１５０のデータ信号は、端子１４０に接続された接続配線１５１、及び接続配線１５１と接続されたデータ線ＤＬを介し、各画素（Ｐｍ、Ｐａ）にも提供される。
図３Ａは、データ駆動回路１５０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されたものを示すが、他の実施形態において、データ駆動回路１５０は、基板１００上にも配置され得る。
例えば、データ駆動回路１５０は、端子１４０と第１電源供給配線１６０との間に配置され得る。
第１電源供給配線（ｆｉｒｓｔ ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ ｌｉｎｅ）１６０は、第１表示領域ＤＡを挟んで、ｘ方向に沿って平行に延長された第１サブ配線１６２及び第２サブ配線１６３を含む。
第２電源供給配線（ｓｅｃｏｎｄ ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ ｌｉｎｅ）１７０は、一側が開放されたルーフ形状であり、第１表示領域ＤＡを部分的に取り囲む。
図３Ａにおいては、第２表示領域ＳＡが、第１表示領域ＤＡの一側に配置されているように示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、図３Ｂに示すように、第２表示領域ＳＡは、その下部に配置されるセンサなどに対応する領域にも具備され得る。
その場合、第２表示領域ＳＡは、第１表示領域ＤＡの内側に配置され、第１表示領域ＤＡによって取り囲まれる。
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の一実施形態による表示パネルに含まれる第１画素及び／又は第２画素の等価回路図である。
図４Ａを参照すると、第１画素Ｐｍ及び／又は第２画素Ｐａは、スキャンラインＳＬ及びデータ線ＤＬに接続された画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに接続された有機発光素子ＯＬＥＤを含む。
画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬ及びデータ線ＤＬに接続され、スキャンラインＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データ線ＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに接続され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤ（又は、駆動電圧）との差に該当する電圧を保存する。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。
有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動電流により、所定の輝度を有する光を放射する。
図４Ａにおいては、画素回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含む場合について説明しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
図４Ｂに示すように、画素回路ＰＣは、７個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含んでもよい。
図４Ｂを参照すると、各画素（Ｐｍ、Ｐａ）は、画素回路ＰＣ及び画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。
画素回路ＰＣは、複数の薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを含む。
薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタは、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧線ＰＬにも接続される。
図４Ｂにおいては、各画素（Ｐｍ、Ｐａ）が、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧線ＰＬに接続されているように示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
他の実施形態として、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）の内の少なくともいずれか１本、初期化電圧線ＶＬ、駆動電圧線ＰＬなどは、隣接画素によって共有され得る。
複数の薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＦＴ）Ｔ１、スイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ＴＦＴ）Ｔ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６、及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含む。
信号線は、スキャン信号Ｓｎを伝達するスキャンラインＳＬ、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とに、以前スキャン信号（Ｓｎ−１）を伝達する以前スキャンライン（ＳＬ−１）、動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６に発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御線ＥＬ、スキャンラインＳＬと交差し、データ信号Ｄｍを伝達するデータ線ＤＬを含む。
駆動電圧線ＰＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１に駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達し、初期化電圧線ＶＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１及び画素電極を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する。
駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃｓｔ１に接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１は、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、下部駆動電圧線ＰＬに接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１は、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と電気的に接続されている。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作により、データ信号Ｄｍが伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流ＩＯＬＥＤを供給する。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２は、スキャンラインＳＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２は、データ線ＤＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、下部駆動電圧線ＰＬに接続されている。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データ線ＤＬによって伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を実行する。
補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３は、スキャンラインＳＬに接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃｓｔ１、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。
補償薄膜トランジスタＴ３は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と駆動ドレイン電極Ｄ１とを電気的に接続し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード接続させる。
第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７と、初期化電圧線ＶＬとに接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１電極Ｃｓｔ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。
第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）を介して伝達された以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を実行する。
動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御線ＥＬに接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ソース電極Ｓ５は、下部駆動電圧線ＰＬと接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２と接続されている。
発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御線ＥＬに接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１、及び補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７、及び有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に電気的に接続されている。
動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流ＩＯＬＥＤが流れるようにする。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７は、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６、及び有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４、及び初期化電圧線ＶＬに接続されている。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）を介して伝達された以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によってターンオンされ、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極を初期化させる。
図４Ｂにおいては、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とが、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続された場合を図示したが、本発明は、それに限定されるものではない。
他の実施形態として、第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続され、以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によって駆動し、第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、別途の信号線（例えば、以後スキャンライン）に接続され、信号線に伝達される信号によっても駆動され得る。
ストレージキャパシタＣｓｔの第２電極Ｃｓｔ２は、駆動電圧線ＰＬに接続されており、有機発光素子ＯＬＥＤの対向電極は、共通電圧ＥＬＶＳＳに接続されている。
それにより、有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流ＩＯＬＥＤを伝達されて発光することにより、画像を表示することができる。
図４Ｂにおいては、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４とがデュアルゲート電極を有するように図示しているが、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、１つのゲート電極を有することもできる。
本実施形態において、第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａは、同一画素回路ＰＣを具備する。
しかし、それに限定されるものではない。
第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａは、他構造の画素回路ＰＣを具備することもできる。
例えば、第１画素Ｐｍは、図４Ｂの画素回路を採用し、第２画素Ｐａは、図４Ａの画素回路を採用することができるというように、多様な変形が可能である。
図５は、図３の第２表示領域ＳＡの一部を示した概略的な平面図であり、図６Ａは、図３のＩ−Ｉ’線、及び図５のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した概略的な断面図であり、図６Ｂは、図６ＡのＩＩＩ部分の拡大図である。
図５を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の第２表示領域ＳＡには、第２画素Ｐａ及び透過部ＴＡが配置される。
所定の第２画素Ｐａは、連続して配置され、１つの画素グループＰｇを形成する。
画素グループＰｇには、少なくとも１つの第２画素Ｐａが含まれ得る。
図５において、１つの画素グループＰｇには、２列に配置された４個の第２画素Ｐａが含まれるように示す。
しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
１つの画素グループＰｇに含まれる第２画素Ｐａの個数及び配置は、多様に変形され得る。
例えば、１つの画素グループＰｇには、１列に並んで配置された３個の第２画素Ｐａが含まれてもよい。
又は、１つの画素グループＰｇには、４列に配置された８個の第２画素Ｐａが含まれてもよい。
第２画素Ｐａは、ストライプ配列、モザイク配列、ペンタイル配列など多様な配列によっても配置され得る。
透過部ＴＡは、表示要素が配置されずに光透過率が高い領域であり、第２表示領域ＳＡに複数にも具備される。
透過部ＴＡは、第１方向（ｘ）及び／又は第２方向（ｙ）に沿い、画素グループＰｇと交互にも配置される。
又は、透過部ＴＡは、画素グループＰｇを取り囲むようにも配置される。
又は、第２画素Ｐａは、透過部ＴＡを取り囲むようにも配置される。
図６Ａを参照すると、本発明の一実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含む。
第１表示領域ＤＡには、第１画素Ｐｍが配置され、第２表示領域には、第２画素Ｐａ及び透過部ＴＡが配置される。
第１画素Ｐｍは、メイン薄膜トランジスタＴＦＴ、メインストレージキャパシタＣｓｔ及びメイン有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。
第２画素Ｐａは、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’及び補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’を含む。
透過部ＴＡは、透過部ＴＡに対応するように、開口領域ＴＡＨを具備する。
第２表示領域ＳＡの下部には、コンポーネント２０が配置される。
コンポーネント２０は、赤外線を送受信するＩＲ（ｉｎｆｒａｒｅｄ）センサであり得る。
第２表示領域ＳＡには、透過部ＴＡが配置されており、コンポーネント２０から送受信される赤外線信号が透過する。
例えば、コンポーネント２０から放射される光は、透過部ＴＡを介して、ｚ方向に沿って進み、表示装置外部で発生してコンポーネント２０に入射される光は、透過部ＴＡを介して、−ｚ方向に沿って進む。
他の実施形態において、コンポーネント２０は、イメージを撮像するイメージセンサでもある。
一部実施形態において、コンポーネント２０は、複数のイメージセンサを具備し、１つのイメージセンサが１つの透過部ＴＡに対応しても配置される。
以下、本発明の一実施形態による表示装置に含まれた構成が積層された構造について説明する。
基板１００は、ガラス又は高分子樹脂を含み得る。
該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネートＰＣ、又はセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などを含み得る。
該高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブル又はベンダブルな特性を有することができる。
基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造であり得る。
バッファ層１１１は、基板１００上に位置し、基板１００の下部から、異物、湿気又は外気の浸透を低減させたり遮断したりすることができ、基板１００上に、平坦面を提供することができる。
バッファ層１１１は、酸化物又は窒化物のような無機物、有機物、又は有無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造又は多層構造によってもなる。
基板１００とバッファ層１１１との間には、外気の浸透を遮断するバリア層（図示せず）がさらに含まれてもよい。
一部実施形態において、バッファ層１１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）又はシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）によって具備され得る。
バッファ層１１１は、第１バッファ層１１１ａ及び第２バッファ層１１１ｂが積層されるようにも具備され得る。
第２表示領域ＳＡにおいて、第１バッファ層１１１ａと第２バッファ層１１１ｂとの間には、下部電極層ＢＳＭが配置される。
他の実施形態において、下部電極層ＢＳＭは、基板１００と第１バッファ層１１１ａとの間に配置され得る。
下部電極層ＢＳＭは、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’の下部に配置され、コンポーネント２０などから放射される光により、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’の特性が劣化することを防止する。
また、下部電極層ＢＳＭは、他層に配置された配線ＧＣＬと、コンタクトホールを介して接続される。
下部電極層ＢＳＭは、配線ＧＣＬから、定電圧又は信号が提供される。
例えば、下部電極層ＢＳＭは、駆動電圧ＥＬＶＤＤ又はスキャン信号が提供される。
下部電極層ＢＳＭは、定電圧又は信号が提供されることにより、静電気放電が生じる確率を顕著に低減させる。
下部電極層ＢＳＭは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及び／又は銅（Ｃｕ）を含み得る。
下部電極層ＢＳＭは、前述の物質の単一層又は多層であり得る。
バッファ層１１１上部には、メイン薄膜トランジスタＴＦＴ及び第２薄膜トランジスタＴＦＴ’が配置される。
メイン薄膜トランジスタＴＦＴは、第１半導体層Ａ１、第１ゲート電極Ｇ１、第１ソース電極Ｓ１、第１ドレイン電極Ｄ１を含み、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’は、第２半導体層Ａ２、第２ゲート電極Ｇ２、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２を含む。
メイン薄膜トランジスタＴＦＴは、第１表示領域ＤＡのメイン有機発光ダイオードＯＬＥＤと接続され、メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動させる。
第２薄膜トランジスタＴＦＴ’は、第２表示領域ＳＡの補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’と接続され、補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’を駆動させる。
第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、バッファ層１１１上に配置され、ポリシリコンを含み得る。
他の実施形態において、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）を含み得る。
他の実施形態において、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群から選択された少なくとも１以上の物質の酸化物を含み得る。
第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、チャンネル領域、不純物がドーピングされたソース領域及びドレイン領域を含む。
第１半導体層Ａ１は、第２バッファ層１１１ｂを挟み、下部電極層ＢＳＭと重畳し得る。
一実施形態として、第１半導体層Ａ１の幅は、下部電極層ＢＳＭの幅よりも狭く形成され、従って、基板１００に垂直方向から射影したとき、第１半導体層Ａ１は、全体的に下部電極層ＢＳＭと重畳する。
第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２を覆うように、第１ゲート絶縁層１１２が具備される。
第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）のような無機絶縁物を含み得る。
第１ゲート絶縁層１１２は、前述の無機絶縁物を含む単一層又は多層であり得る。
第１ゲート絶縁層１１２上部には、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２とそれぞれ重畳されるように、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２が配置される。
第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層又は多層によってなり得る。
一例として、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２は、Ｍｏの単層であり得る。
第２ゲート絶縁層１１３は、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２を覆うようにも具備される。
第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）のような無機絶縁物を含み得る。
第２ゲート絶縁層１１３は、前述の無機絶縁物を含む単一層又は多層であり得る。
第２ゲート絶縁層１１３上部には、メインストレージキャパシタＣｓｔの第１上部電極ＣＥ２、及び補助ストレージキャパシタＣｓｔ’の第２上部電極ＣＥ２’が配置される。
第１表示領域ＤＡにおいて、第１上部電極ＣＥ２は、その下の第１ゲート電極Ｇ１と重畳し得る。
第２ゲート絶縁層１１３を挟んで重畳する第１ゲート電極Ｇ１及び第１上部電極ＣＥ２は、メインストレージキャパシタＣｓｔをなす。
第１ゲート電極Ｇ１は、メインストレージキャパシタＣｓｔの第１下部電極ＣＥ１でもある。
第２表示領域ＳＡにおいて、第２上部電極ＣＥ２’は、その下の第２ゲート電極Ｇ２と重畳し得る。
第２ゲート絶縁層１１３を挟んで重畳する第２ゲート電極Ｇ２及び第２上部電極ＣＥ２’は、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’をなす。
第１ゲート電極Ｇ１は、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’の第２下部電極ＣＥ１’でもある。
第１上部電極ＣＥ２及び第２上部電極ＣＥ２’は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、及び／又は銅（Ｃｕ）を含み得、前述の物質の単一層又は多層でもあり得る。
層間絶縁層１１５は、第１上部電極ＣＥ２及び第２上部電極ＣＥ２’を覆うように形成される。
層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）などを含み得る。
第１ゲート絶縁層１１２、第２ゲート絶縁層１１３及び層間絶縁層１１５を総称して無機絶縁層ＩＬとすれば、基板１００上に無機絶縁層ＩＬが積層された構造は、赤外線波長に対し、約９０％以上の透過率を有し得る。
例えば、基板１００及び無機絶縁層ＩＬを通過する９００ｎｍ〜１，１００ｎｍの波長の光は、約９０％透過率を有し得る。
ソース電極（Ｓ１、Ｓ２）及びドレイン電極（Ｄ１、Ｄ２）は、層間絶縁層１１５上に配置される。
ソース電極（Ｓ１、Ｓ２）及びドレイン電極（Ｄ１、Ｄ２）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み得、前述の材料を含む多層又は単層に形成され得る。
一例として、ソース電極（Ｓ１、Ｓ２）とドレイン電極（Ｄ１、Ｄ２）は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造によってなる。
ソース電極（Ｓ１、Ｓ２）とドレイン電極（Ｄ１、Ｄ２）とを覆うように、平坦化層１１７が配置される。
平坦化層１１７は、その上部に配置される第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’が平坦に形成されるように、平坦な上面を有する。
平坦化層１１７は、有機物質からなる膜が単層又は多層に形成され得る。
そのような平坦化層１１７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系グループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含み得る。
平坦化層１１７には、メイン薄膜トランジスタＴＦＴの第１ソース電極Ｓ１及び第１ドレイン電極Ｄ１の内のいずれか一つを露出させる開口部が存在し、第１画素電極２２１は、開口部を介し、第１ソース電極Ｓ１又は第１ドレイン電極Ｄ１とコンタクトし、メイン薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続される。
また、平坦化層１１７には、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’の第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２の内のいずれか一つを露出させる開口部を含み、第２画素電極２２１’は、開口部を介し、第２ソース電極Ｓ２又は第２ドレイン電極Ｄ２とコンタクトし、第２薄膜トランジスタＴＦＴ’と電気的に接続される。
第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、又はアルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）のような導電性酸化物を含み得る。
他の実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロミウム（Ｃｒ）、又はそれらの化合物を含む反射膜を含み得る。
他の実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、前述の反射膜の上下に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ２Ｏ３によって形成された膜をさらに含んでもよい。
一部実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯによって積層された構造によって具備される。
画素定義膜１１９は、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’それぞれの縁部をカバーする。
画素定義膜１１９は、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’それぞれに重畳し、画素の発光領域を定義する第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２を含む。
画素定義膜１１９は、画素電極（２２１、２２１’）の縁部と、画素電極（２２１、２２１’）上部の対向電極２２３との距離を増大させることにより、画素電極（２２１、２２１’）の縁部において、アークなどの発生を防止する役割を行う。
画素定義膜１１９は、ポリイミド、ポルリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、ヘキサメチルジオキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びフェノール樹脂のような有機絶縁物質であり、スピンコーティングなどの方法によって形成され得る。
平坦化層１１７及び画素定義膜１１９を有機絶縁層ＯＬとすれば、有機絶縁層ＯＬは、赤外線波長に対し、約９０％以上の透過率を有する。
例えば、有機絶縁層ＯＬを通過する９００ｎｍ〜１，１００ｎｍの波長の光は、約９０％透過率を有する。
画素定義膜１１９の第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２の内部には、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’にそれぞれ対応するように形成された第１発光層２２１ｂ及び第２発光層２２２ｂ’が配置される。
第１発光層２２２ｂと第２発光層２２２ｂ’は、高分子物質又は低分子物質を含み得、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射する。
第１発光層２２２ｂと第２発光層２２２ｂ’との上部及び／又は下部には、有機機能層２２２ｅが配置される。
有機機能層２２２ｅは、第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃを含み得る。
第１機能層２２２ａ又は第２機能層２２２ｃは、省略することもできる。
第１機能層２２２ａは、第１発光層２２２ｂと第２発光層２２２ｂ’との下部に配置される。
第１機能層２２２ａは、有機物によって形成された単層又は多層であり得る。
第１機能層２２２ａは、単層構造であるホール輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）でもある。
又は、第１機能層２２２ａは、ホール注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）とホール輸送層（ＨＴＬ）とを含み得る。
第１機能層２２２ａは、第１表示領域ＤＡと第２表示領域ＳＡとに含まれた第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａとに対応するように、一体に形成される。
それにより、第１機能層２２２ａは、透過部ＴＡに対応して配置される。
第２機能層２２２ｃは、第１発光層２２２ｂ及び第２発光層２２２ｂ’の上部に配置される。
第２機能層２２２ｃは、有機物によって形成された単層又は多層であり得る。
第２機能層２２２ｃは、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び／又は電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）を含み得る。
第２機能層２２２ｃは、第１表示領域ＤＡと第２表示領域ＳＡとに含まれた第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａとに対応するように一体に形成される。
それにより、第２機能層２２２ｃは、透過部ＴＡに対応して配置される。
第２機能層２２２ｃ上部には、対向電極２２３が配置される。
対向電極２２３は、仕事関数が低い導電性物質を含み得る。
例えば、対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロミウム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、又はそれらの合金などを含む（半）透明層を含み得る。
又は、対向電極２２３は、前述の物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ２Ｏ３のような層をさらに含んでもよい。
対向電極２２３は、第１表示領域ＤＡと第２表示領域ＳＡとに含まれた第１画素Ｐｍと第２画素Ｐａとに対応するように一体に形成される。
第１表示領域ＤＡに形成された第１画素電極２２１から対向電極２２３までの層は、メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤをなす。
第２表示領域ＳＡに形成された第２画素電極２２１’から対向電極２２３までの層は、補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’をなす。
対向電極２２３上には、有機物質を含む上部層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）２５０が形成され得る。
上部層２５０は、対向電極２２３を保護すると共に、光抽出効率を高めるために設けられた層である。
上部層２５０は、対向電極２２３より屈折率が高い有機物質を含み得る。
又は、上部層２５０は、屈折率が互いに異なる層が積層されて形成され得る。
例えば、上部層２５０は、高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層が積層されて形成される。
そのとき、高屈折率層の屈折率は、１．７以上であり、低屈折率層の屈折率は、１．３以下である。
上部層２５０は、追加的にＬｉＦを含んでもよい。
又は、上部層２５０は、追加的にシリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物を含んでもよい。
本実施形態において、対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備する。
すなわち、対向電極２２３及び上部層２５０それぞれが、透過部ＴＡに対応する開口（２２３Ｈ、２５０Ｈ）を有する。
一部実施形態において、開口領域ＴＡＨを形成する開口（２２３Ｈ、２５０Ｈ）の幅は、実質的に同一である。
例えば、対向電極２２３の開口２２３Ｈの幅は、開口領域ＴＡＨの幅と実質的に同一である。
そのような開口領域ＴＡＨが、透過部ＴＡに対応するということは、開口領域ＴＡＨが、透過部ＴＡと重畳するとも理解される。
開口領域ＴＡＨが形成されるというのは、透過部ＴＡに対応し、対向電極２２３などの部材が除去されるということを意味し、透過部ＴＡでの光透過率は、顕著に上昇する。
つまり、透過部ＴＡに対応し、基板１００、無機絶縁層ＩＬ、有機絶縁層ＯＬ、有機機能層２２２ｅが配置される。
その場合、透過部ＴＡに配置された、基板１００、無機絶縁層ＩＬ、有機絶縁層ＯＬ、及び有機機能層２２２ｅが積層された構造の赤外線光に対する吸収率は、約２０％以下になる。
図６Ｂを参照すると、開口領域ＴＡＨは、対向電極２２３の開口２２３Ｈ、及び上部層２５０の開口２５０Ｈによって形成される。
対向電極２２３の開口２２３Ｈは、有機機能層２２２ｅの上面を露出させるように形成される。
上部層２５０の開口２５０Ｈは、対向電極２２３の開口２２３Ｈに対応して形成され、有機機能層２２２ｅの上面を露出させるように形成される。
対向電極２２３の開口２２３Ｈ、及び上部層２５０の開口２５０Ｈは、実質的に同一面積に形成され得る。
本実施形態において、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
凸状部２５０Ｃは、周辺厚ｔ２より厚い厚みｔ１を有する。
図６Ｂにおいて、凸状部２５０Ｃは、その厚みがだんだんと厚くなって、そしてだんだんと薄くなるように図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、凸状部２５０Ｃは、周辺厚ｔ２より厚い厚みｔ１を有した平坦な上面を含んでもよい。
凸状部２５０Ｃは、開口領域ＴＡＨを形成する過程において形成される。
それについては、後述する。
図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
図７Ａを参照すると、対向電極２２３を、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡに一体で形成し、その上部に、上部層２５０を形成する。
すなわち、対向電極２２３及び上部層２５０が透過部ＴＡを覆うように形成する。
対向電極２２３は、赤外線波長（例えば、８００ｎｍ〜３，０００ｎｍ）の光を吸収する金属を含んで形成される。
対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロミウム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、又はそれらの合金を含み得る。
対向電極２２３の厚みは、約５Å〜３００Åである。
上部層２５０は、有機物質を含み得る。
一部実施形態において、上部層２５０は、対向電極２２３より屈折率が高い有機物質を含む。
又は、上部層２５０は、屈折率が互いに異なる層が積層されて形成され得る。
例えば、上部層２５０は、高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層が積層されて形成される。
そのとき、高屈折率層の屈折率は、１．７以上であり、低屈折率層の屈折率は、１．３以下である。
上部層２５０は、追加的にＬｉＦを含んでもよい。
又は、上部層２５０は、追加的にシリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物を含んでもよい。
次に、図７Ｂを参照すると、基板１００の下面から、透過部ＴＡに配置された対向電極２２３にレーザ光ＬＰを照射する。
すなわち、レーザ光ＬＰは、基板１００の下面からｚ方向に進み、対向電極２２３の下面に照射される。
レーザ光ＬＰは、赤外線波長を有する。
レーザ光ＬＰが赤外線である場合、基板１００、バッファ層１１１、無機絶縁層ＩＬ、有機絶縁層ＯＬ及び有機機能層２２２ｅに対する透過率が８０〜９０％以上であり、レーザ光ＬＰが効率的に対向電極２２３に到達することができる。
対向電極２２３は、赤外線光を吸収する金属を含み、レーザ光ＬＰを吸収することができる。
それにより、対向電極２２３の熱膨脹が発生し、レーザ光ＬＰが照射された対向電極２２３は、その下部の有機機能層２２２ｅから剥離（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）される。
対向電極２２３が剥離されることにより、剥離された対向電極２２３上部に配置された上部層２５０も、対向電極２２３と共に除去される。
それにより、図７Ｃに示すように、対向電極２２３の開口２２３Ｈ、及び上部層２５０の開口２５０Ｈが同時に形成される。
対向電極２２３の開口２２３Ｈ、及び上部層２５０の開口２５０Ｈにより、開口領域ＴＡＨが形成される。
そのとき、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨ周辺に凸状部２５０Ｃが形成される。
それは、レーザ光ＬＰが照射された対向電極２２３だけではなく、その周辺の対向電極２２３まで、レーザ光の吸収による熱が伝達するために、そのような熱により、上部層２５０に含まれた有機物質が塊になり、凸状部２５０Ｃが形成される。
もし、対向電極２２３に直接レーザ光ＬＰを照射せず、対向電極２２３と異なる層に配置される犠牲金属層にレーザ光を照射する場合であるならば、上部層２５０は、そのような犠牲金属層と離隔されて配置されるが、凸状部が形成されない。
しかし、本実施形態においては、上部層２５０と直接コンタクトする対向電極２２３にレーザ光を照射して吸収させ、上部層２５０の一部に凸状部２５０Ｃが形成される。
レーザ光ＬＰは、８００ｎｍ以上の波長を使用する。
一部実施形態において、レーザ光ＬＰは、１，０００ｎｍ〜１，１００ｎｍの波長を使用することができる。
一部実施形態において、レーザ光ＬＰは、ナノ秒（ｎａｎｏ ｓｅｃｏｎｄ）間隔のパルスによってもなされる。
レーザ光ＬＰの出力（ｐｏｗｅｒ）は、周波数、波長、スポット重畳程度の項目などによって調節される。
レーザ光ＬＰは、透過部ＴＡに対して、一方向のスキャン方向に何回かスキャンされる。
それにより、レーザ光ＬＰによるパターンが、対向電極２２３の下部に配置された有機機能層２２２ｅ及び／又は画素定義膜１１９にも形成される。
本発明の一実施形態による表示装置は、センサ領域ＳＡに赤外線を使用するコンポーネント２０（図６Ａ）が配置されるが、赤外線に対する透過率が高い基板１００、バッファ層１１１、無機絶縁層ＩＬ、有機絶縁層ＯＬにも具備される。
それにより、開口領域ＴＡＨを形成するためのレーザ光ＬＰも、赤外線波長帯域を有するレーザ光を使用し、対向電極２２３下部に配置された層については、高い透過率で透過させ、ほとんどのレーザ光は、対向電極２２３で吸収させ、対向電極２２３の剥離を容易にさせる。
図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図であり、具体的には、透過部近傍を示し、図８Ｃは、図８Ａ又は図８Ｂの実施形態に関連する平面図である。
図８Ａ〜図８Ｃにおいて、図６Ｂと同一の参照符号は、同一部材を意味するが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、本発明の一実施形態による表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態において、開口領域ＴＡＨに対応して配置された有機機能層２２２ｅの上面には、複数の突出パターン２２２Ｓが具備される。
突出パターン２２２Ｓは、対向電極２２３をレーザ光で剥離させる過程で形成される。
前述のように、本実施形態において、開口領域ＴＡＨを形成するために、対向電極２２３にレーザ光を照射し、それにより、開口領域ＴＡＨに対応する対向電極２２３は、レーザ光による熱を吸収することになる。
そのような熱は、その下部に配置された有機機能層２２２ｅにも伝達され、有機機能層２２２ｅ上面には、レーザ光の熱による突出パターン２２２Ｓが形成される。
突出パターン２２２Ｓの形状及び大きさは、レーザ光のスポットサイズ、レーザ光をスキャンするときの重畳程度により、異なって形成される。
一部実施形態において、突出パターン２２２Ｓの突出程度は、約１０Åほどである。
有機機能層２２２ｅは、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃが積層されて形成される。
そのとき、突出パターン２２２Ｓは、第２機能層２２２ｃの上面にも形成される。
また、図８Ａに示すように、第１機能層２２２ａの上面にも、突出パターン２２２Ｓ’が形成される。
他の実施形態において、図８Ｂに示すように、画素定義膜１１９の上面にも、突出パターン１１９Ｓが形成される。
図８Ｃを参照すると、突出パターン２２２Ｓのエンボス部（ｅｍｂｏｓｓｅｄ ｐｏｒｔｉｏｎ）は、一方向に延長されて配置される。
それは、レーザ光のスキャンを上記方向に沿って実行したことを意味する。
また、突出パターン２２２Ｓは、複数具備され、複数の突出パターン２２２Ｓは、所定の間隔で平行に離隔されて配置される。
上記間隔は、レーザ光のスポットサイズと対応する。
突出パターン２２２Ｓのエンボス部の形状及び離隔距離は、レーザ光のスキャン方向及びスポットサイズなどによって多様にも形成される。
例えば、レーザ光のスキャンをジグザグ又は円形に行う場合、突出パターン２２２Ｓのエンボス部形状も、ジグザグ又は円形に形成される。
図９は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。
図９において、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を指すが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図９を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含み、第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを含む。
表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態において、画素定義膜１１９は、透過部ＴＡに位置する第１開口Ｈ１を含む。
画素定義膜１１９に、第１開口Ｈ１が形成されることにより、透過部ＴＡの光透過率が向上する。
開口領域ＴＡＨは、第１開口Ｈ１の内部にも形成される。
一部実施形態において、開口領域ＴＡＨの幅は、第１開口Ｈ１の幅よりも狭く形成される。
それにより、第１開口Ｈ１の内側壁には、有機機能層２２２ｅ、対向電極２２３及び上部層２５０が配置される。
しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、開口領域ＴＡＨの幅が、第１開口Ｈ１の幅より広く具備され、開口領域ＴＡＨの側壁は、画素定義膜１１９に上面にも配置され得る。
図１０は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。
図１０において、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を指すが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図１０を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含み、第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを含む。
表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態において、画素定義膜１１９は、透過部ＴＡに位置する第１開口Ｈ１を含み、平坦化層１１７は、透過部ＴＡに位置する第２開口Ｈ２を含む。
第２開口Ｈ２は、第１開口Ｈ１と重畳されて配置される。
図１０においては、第２開口Ｈ２の下部幅が、第１開口Ｈ１の下部幅に比べて広く形成され、画素定義膜１１９が、第２開口Ｈ２の内側壁を覆うように示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、平坦化層１１７の第２開口Ｈ２の幅が、画素定義膜１１９の第１開口Ｈ１の幅よりも狭く形成され得る。
第１開口Ｈ１及び第２開口Ｈ２が形成されることにより、透過部ＴＡの光透過率が向上する。
一方、開口領域ＴＡＨは、第１開口Ｈ１及び第２開口Ｈ２の内部にも形成される。
一部実施形態において、開口領域ＴＡＨの幅は、第１開口Ｈ１及び第２開口Ｈ２の幅よりも狭く形成される。
それにより、第１開口Ｈ１の内側壁には、有機機能層２２２ｅ、対向電極２２３及び上部層２５０が配置される。
しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、開口領域ＴＡＨの幅が、第１開口Ｈ１の幅より広く形成され、開口領域ＴＡＨの側壁は、画素定義膜１１９に上面にも配置され得る。
図１１は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。
図１１において、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を指すが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図１１を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含み、第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを含む。
表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態において、画素定義膜１１９は、透過部ＴＡに位置する第１開口Ｈ１を含み、平坦化層１１７は、透過部ＴＡに位置する第２開口Ｈ２を含む。
第２開口Ｈ２は、第１開口Ｈ１と重畳されて配置される。
また、無機絶縁層ＩＬに、第３開口Ｈ３が配置される。
第３開口Ｈ３は、バッファ層１１１又は基板１００の上面を露出させるように形成される。
第３開口Ｈ３は、透過部ＴＡに対応するように形成された第１ゲート絶縁層１１２の開口、第２ゲート絶縁層１１３の開口、及び層間絶縁層１１５の開口が重畳されて形成される。
上記開口は、別途の工程を介してそれぞれ形成されるか、あるいは同一工程を介して同時に形成され得る。
又は、第１ゲート絶縁層１１２の開口、及び第２ゲート絶縁層１１３の開口は、同時に形成され、層間絶縁層１１５の開口は、別途にも形成されるというように、多様な変形が可能である。
上記開口が別途の工程によって形成される場合、第３開口Ｈ３の側面には、段差が形成され得る。
一方、無機絶縁層ＩＬは、バッファ層１１１を露出させる第３開口Ｈ３ではないグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）を具備する。
例えば、無機絶縁層ＩＬにおいて、第１ゲート絶縁層１１２は、透過部ＴＡに対応して連続して配置され、第２ゲート絶縁層１１３と層間絶縁層１１５は、透過部ＴＡに対応し、それぞれ開口を具備する。
又は、透過部ＴＡに対応し、第１ゲート絶縁層１１２及び第２ゲート絶縁層１１３は、連続して配置され、層間絶縁層１１５は、透過部ＴＡに対応した開口を具備するというように、多様な変形が可能である。
第３開口Ｈ３は、第１開口Ｈ１及び第２開口Ｈ２と重畳する。
第１開口Ｈ１、第２開口Ｈ２、第３開口Ｈ３が形成されることにより、透過部ＴＡの光透過率が向上する。
第１開口Ｈ１、第２開口Ｈ２、第３開口Ｈ３の内側壁には、有機機能層２２２ｅ、対向電極２２３及び上部層２５０が配置される。
図１２は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。
図１２において、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を指すが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図１２を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含み、第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを含む。
表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態において、メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤと補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’は、封止基板３００Ａによってカバーされる。
封止基板３００Ａは、透明な素材を含む。
例えば、封止基板３００Ａは、ガラス材を含んでもよい。
又は、封止基板３００Ａは、高分子樹脂などを含んでもよい。
封止基板３００Ａは、外部の水分や異物が、メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤや補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’に浸透（入り込む）ことを防止することができる。
メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤと補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’とが形成された基板１００と、封止基板３００Ａとの間には、シーラントのようなシーリング材が配置される。
該シーリング材は、基板１００と封止基板３００Ａとの間を介して浸透してしまう外部の水分や異物を遮断することができる。
図１３は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の一部を示す概略的な断面図である。
図１３において、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を指すが、それらに関係する重複説明は、省略する。
図１３を参照すると、本実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡを含み、第２表示領域ＳＡは、透過部ＴＡを含む。
表示装置の対向電極２２３及び上部層２５０は、透過部ＴＡに対応する開口領域ＴＡＨを具備し、上部層２５０は、開口領域ＴＡＨに隣接するように配置された凸状部２５０Ｃを具備する。
本実施形態による表示装置は、上部層２５０上に、薄膜封止層３００Ｂが配置される。
薄膜封止層３００Ｂは、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層とを含み得、それと関係して、図１３は、薄膜封止層３００Ｂが、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０、及び第２無機封止層３３０が積層された構造を示す。
他の実施形態において、有機封止層の層数、及び無機封止層の層数、並びに積層順序は、変更してもよい。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素のような１以上の無機絶縁物を含み得、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）などによって形成される。
有機封止層３２０は、ポリマー系の素材を含み得る。
該ポリマー系の素材としては、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド及びポリエチレンなどを含んでもよい。
第１無機封止層３１０、有機封止層３２０、及び第２無機封止層３３０は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡをカバーするように一体に形成される。
それにより、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０、及び第２無機封止層３３０は、開口領域ＴＡＨ内部にも配置される。
他の実施形態において、有機封止層３２０は、第１表示領域ＤＡ及び第２表示領域ＳＡをカバーするように一体に形成されるが、透過部ＴＡには、存在しないように形成することができる。
言い換えれば、有機封止層３２０は、透過部ＴＡに対応する開口を含み得る。
その場合、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、開口領域ＴＡＨ内部で互いに接触する。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、本実施形態による、対向電極を剥離した後、透過部ＴＡ近傍を撮影したイメージである。
図１４Ａ及び図１４Ｂを参照すると、透過部ＴＡ周辺に配置された上部層２５０は、周辺厚ｔ２より厚い厚みｔ１を有する凸状部２５０Ｃを具備する。
透過部ＴＡには、有機機能層２２２ｅ及び画素定義膜１１９が配置され、有機機能層２２２ｅの上面には、突出パターン２２２Ｓが形成される。
図１４Ｂを参照すれば、有機機能層２２２ｅの上面に形成された突出パターン２２２Ｓは、レーザ光のスキャン方向に沿って形成されているということを確認することができる。
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
１ 表示装置
１０ 表示パネル
２０ コンポーネント
１００ 基板
１１０ 第１スキャン駆動回路
１１１ バッファ層
１１１ａ 第１バッファ層
１１１ｂ 第２バッファ層
１１２ 第１ゲート絶縁層
１１３ 第２ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１７ 平坦化層
１１９ 画素定義膜
１１９Ｓ 突出パターン
１２０ 第２スキャン駆動回路
１４０ 端子
１５０ データ駆動回路
１５１ 接続配線
１６０ 第１電源供給配線
１６１ 第１接続配線
１６２、１６３ （第１、第２）サブ配線
１７０ 第２電源供給配線
１７１ 第２接続配線
１７５ 下部保護フィルム
１７５ＯＰ 開口
１１９Ｓ、２２２Ｓ、２２２Ｓ’ 突出パターン
２００ 表示要素層
２２１，２２１’ （第１、第２）画素電極
２２２ａ、２２２ｃ （第１、第２）機能層
２２２ｂ、２２２ｂ’ （第１、第２）発光層
２２２ｅ 有機機能層
２２３ 対向電極
２２３Ｈ、２５０Ｈ 開口
２５０ 上部層
２５０ｃ 凸状部
３００、３００Ｂ 薄膜封止層
３００Ａ 封止基板
３１０ 第１無機封止層
３２０ 有機封止層
３３０ 第２無機封止層
ＢＳＭ 下部電極層
ＤＡ 第１表示領域
ＮＤＡ 非第１表示領域
Ｐａ 第２画素
Ｐｍ 第１画素
ＳＡ 第２表示領域
ＴＡ 透過部
ＴＡＨ 開口領域

Claims (21)

  1. 第１画素を具備する第１表示領域と、第２画素と透過部とを具備する第２表示領域と、を含む基板と、
    前記第１画素に含まれる第１画素電極及び第１発光層と、
    前記第２画素に含まれる第２画素電極及び第２発光層と、
    前記第１表示領域と前記第２表示領域とに一体として（ａｓ ｏｎｅ ｂｏｄｙ）配置される対向電極と、
    前記対向電極上部に配置される上部層と、を有し、
    前記対向電極及び前記上部層は、前記透過部に対応する開口領域を含み、
    前記透過部周辺には、前記基板の上面方向に凸状となる凸状部が具備されることを特徴とする表示装置。
  2. 前記凸状部は、前記上部層の一部として設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１画素電極と前記対向電極との間に配置される有機機能層をさらに有し、
    前記有機機能層は、前記透過部に対応して配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記有機機能層の上面には、複数の突出パターンが設けられることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記複数の突出パターンは、所定の間隔で離隔され、
    前記複数の突出パターンそれぞれは、一方向に延長されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第２表示領域に配置される第２薄膜トランジスタと、
    前記基板と前記第２薄膜トランジスタとの間に配置される下部電極層と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記第１画素電極及び前記第２画素電極の中央部を露出させ、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の縁部（ｅｄｇｅ）を覆う画素定義膜をさらに有し、
    前記画素定義膜は、前記透過部に対応する第１開口を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記基板と前記画素定義膜との間に配置される平坦化層をさらに有し、
    前記平坦化層は、前記透過部に対応する第２開口を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記第１開口の幅は、前記第２開口の幅より狭いことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記基板上に配置される無機絶縁層をさらに有し、
    前記無機絶縁層は、前記透過部に対応する第３開口を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記開口領域の幅は、前記第３開口の幅より狭いことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
  12. 前記第１表示領域及び前記第２表示領域は、前記基板と対向するように配置される封止基板によって密封されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  13. 前記上部層上に、順次に配置される第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を含む薄膜封止層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  14. 表示要素を含む画素、及び透過部が配置される基板と、
    前記画素に含まれる画素電極及び発光層と、
    前記発光層上に配置される対向電極と、
    前記対向電極上部に配置される上部層と、を有し、
    前記対向電極及び前記上部層は、前記透過部に対応する開口を具備し、
    前記上部層は、前記透過部に隣接するように配置され、周辺の厚さより厚く形成された凸状部を具備することを特徴とする表示装置。
  15. 前記画素電極と前記対向電極との間に配置される有機機能層をさらに有し、
    前記有機機能層は、前記透過部に対応して配置されることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
  16. 前記有機機能層の上面には、複数の突出パターンを有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
  17. 第１画素を含む第１表示領域と、第２画素と透過部とを含む第２表示領域と、を含む基板を具備する表示装置の製造方法において、
    前記基板上面において、前記第１表示領域及び前記第２表示領域に、対向電極及び上部層を形成する段階と、
    前記基板の下面から前記透過部に対応する対向電極領域に、赤外線波長のレーザ光を照射する段階と、
    前記レーザ光が照射された対向電極領域を、前記基板から剥離し（ｌｉｆｔｉｎｇ ｏｆｆ）、前記対向電極及び前記上部層に開口領域を形成する段階と、を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
  18. 前記上部層は、前記レーザ光により、前記透過部周辺に凸状部が形成されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記レーザ光の波長は、１０００ｎｍ〜１１００ｎｍであることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記基板から前記対向電極下部に配置された層の前記レーザ光に対する吸収率は、２０％以下であることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  21. 前記透過部に対応して配置される有機機能層を形成する段階をさらに有し、
    前記有機機能層には、前記レーザ光によって形成された突出パターンを有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
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