CN114464750B - 显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
发明实施例公开一种显示面板和显示装置,包括显示透光区和设于显示透光区之外的主显示区,显示面板包括依次层叠的基板、第一电极层、发光层,以及第二电极层,发光层包括设置在显示透光区的多个第一像素和设置在主显示区的多个第二像素,第二电极层在显示透光区中相邻的第一像素之间设置有第一开口,其中,发光层在显示透光区中对应第一开口处的厚度,小于发光层在主显示区的相邻第二像素之间处的厚度。本发明实施例通过降低发光层在显示透光区的第二电极层的第一开口处对应的厚度,在保证显示透光区的第一像素正常显示的同时,不仅能提升显示透光区的透光率,而且工艺制程更为简单。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置。
背景技术
在AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体)显示面板的设计中,如何实现AMOLED面板的全面屏显示和屏下感光,一直以来是一个难题,而最主要的难题在于如何提高感光区的透光率。目前的常用设计是对面板的感光区进行挖孔处理,这种方式面板的透过率虽然会比较高,但是该区域不会发光显示,无法呈现全面屏的显示效果。近年来兴起的另一种方式是降低面板感光区的像素密度来提高面板的穿透率,同时保证该区域的正常发光显示,这种方式可实现全面屏的显示效果。但总体的透过率依然较低,不到18%。因此,如何提高AMOLED面板的透光率仍是亟待解决的难题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,以解决现有的显示面板的感光区在实现发光显示的同时,其透光率较低的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示面板,包括显示透光区和设于所述显示透光区之外的主显示区,所述显示面板包括:
基板;
第一电极层,设置在所述基板的一侧;
发光层,设置在所述第一电极层远离所述基板的一侧,所述发光层包括:设置在所述显示透光区的多个第一像素和设置在所述主显示区的多个第二像素;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述基板的一侧,所述第二电极层在所述显示透光区中相邻的所述第一像素之间设置有第一开口;
其中,所述发光层在所述显示透光区中对应所述第一开口处的厚度,小于所述发光层在所述主显示区的相邻所述第二像素之间处的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述发光层在所述显示透光区中对应所述第一开口处的厚度,小于所述发光层在所述显示透光区中相邻所述第一像素之间且与第二电极层重叠设置处的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述发光层包括:依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层,
所述发光层在所述显示透光区对应所述第一开口处设置有第二开口,所述第二开口至少贯穿所述电子注入层。
在本发明的一些实施例中,所述第二电极层在所述第一开口的边缘处设置有凸起结构。
在本发明的一些实施例中,所述第一开口与相邻所述第一像素的最小距离大于或等于2微米。
在本发明的一些实施例中,所述第一电极层包括:对应所述第一像素设置的第一电极块;
所述第一开口与相邻所述第一电极块的最小距离大于或等于2微米。
在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括覆盖所述第二电极层的第一无机层,所述凸起结构的最大厚度小于所述第一无机层的厚度。
在本发明的一些实施例中,所述凸起结构的最大厚度小于1微米。
在本发明的一些实施例中,单位面积内所述第一像素的数量等于单位面积内所述第二像素的数量。
在本发明的一些实施例中,所述显示面板还包括:
驱动电路层,设置在所述基板和所述发光层之间,所述驱动电路层包括驱动所述第一像素发光的第一像素驱动电路和驱动所述第二像素发光的第二像素驱动电路;
所述显示透光区包括透光子区和过渡子区,所述过渡子区设置在所述透光子区和所述主显示区之间;
驱动所述透光子区的所述第一像素发光的所述第一像素驱动电路设置在所述过渡子区,或,驱动所述透光子区的所述第一像素发光的所述第一像素驱动电路设置在所述透光子区且与对应的所述第一像素重叠设置。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述任一实施例中的显示面板和感光器件,所述感光器件对应所述显示透光区设置。
本发明的有益效果为:本发明实施例公开的显示面板和显示装置,包括显示透光区和设于所述显示透光区之外的主显示区,所述显示面板包括基板、设置在基板一侧的第一电极层、设置在第一电极层远离基板一侧的发光层,以及设置在发光层远离所述基板一侧的第二电极层,发光层包括设置在所述显示透光区的多个第一像素和设置在所述主显示区的多个第二像素,第二电极层在显示透光区中相邻的所述第一像素之间设置有第一开口,其中,发光层在显示透光区中对应第一开口处的厚度,小于发光层在主显示区的相邻第二像素之间处的厚度。本发明实施例通过降低发光层在显示透光区的第二电极层的第一开口处对应的厚度,在保证显示透光区的第一像素正常显示的同时,不仅能提升显示透光区的透光率,而且工艺制程更为简单。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的平面示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的膜层叠构示意图;
图3为本发明实施例提供的第一像素和第二像素的排布示意图;
图4为本发明实施例提供的第二电极层在显示透光区的的平面示意图;
图5为本发明实施例提供的第一开口的平面示意图;
图6为本发明实施例提供的显示透光区的第一开口处的膜层叠构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示透光区的第一开口处的另一膜层叠构示意图;
图8为本发明实施例提供的显示透光区第一开口的边缘处的毛刺的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“水平”、“顶”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
请参阅图1,本发明实施例提供一种显示面板100,包括显示透光区101和设于所述显示透光区101之外的主显示区102,所述显示透光区101的透光率大于所述主显示区102的透光率,所述主显示区102的面积大于所述显示透光区101的面积,所述主显示区102用于实现常规的显示,所述显示透光区101为高透光区,所述显示透光区101用于实现显示的同时,还用于内置感光器件用,如摄像头,光学指纹传感器等。
在本发明的实施例中,所述主显示区102环绕所述显示透光区101设置,所述显示透光区101的形状包括但不限于圆形、椭圆形、矩形中的任意一种。
请参阅图2,所述显示面板100包括基板10和设于所述基板10一侧的第一电极层30、设置于所述第一电极层30远离所述基板10一侧的发光层40,以及设置于所述发光层40远离所述基板10一侧的第二电极层50。在本发明的实施例中,所述第一电极层30可为阳极层,所述第二电极层50可为阴极层。
如图3所示,所述发光层40包括设置在所述显示透光区101的多个第一像素43和设置在所述主显示区102的多个第二像素44。所述基板10和所述发光层40之间设有驱动电路层20,所述驱动电路层20包括多个第一像素驱动电路和多个第二像素驱动电路21,所述第一像素驱动电路用以驱动所述第一像素43发光,所述第二像素驱动电路21用以驱动所述第二像素44发光。所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路21均包括多个薄膜晶体管,所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路21包括但不限于为7T1C(7个薄膜晶体管和1个电容器)架构、3T1C结构、2T1C结构、6T1C架构中的任意一种。
如图1所示,在本发明的实施例中,所述显示透光区101还包括透光子区1011和过渡子区1012,所述过渡子区1012设置在所述透光子区1011和所述主显示区102之间。在本发明的实施例中,可将驱动所述透光子区1011的第一像素43发光的所述第一像素驱动电路设置在所述过渡子区1012,即将驱动所述透光子区1011内的第一像素43的薄膜晶体管挪至所述透光子区1011之外设置,驱动透光子区1011和过渡子区1012的第一像素43的第一像素驱动电路均设置在所述过渡子区1012,以减少所述透光子区1011的金属密度,可增强所述透光子区1011的透过率。所述透光子区1011的第一像素43可通过透明导线与对应的所述第一像素驱动电路电连接。
在其他实施例中,驱动所述透光子区1011内的第一像素43发光的第一像素驱动电路可设置在所述透光子区1011,且与对应的所述第一像素43重叠设置,即驱动所述透光子区1011的第一像素43发光的第一像素驱动电路在所述基板10上的正投影与对应的所述第一像素43在所述基板上的正投影重叠,换言之,驱动所述透光子区1011的第一像素43发光的第一像素驱动电路设置在对应的第一像素43的正下方。
所述发光层40包括发光材料层42和公共层41,所述发光材料层42非整面设置,所述发光材料层42对应于第一像素43和第二像素44设置,在相邻的像素之间不形成所述发光材料层42的材料。所述公共层41可为整面蒸镀的膜层,为连续性膜层。所述公共层41包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子输入层,所述发光材料层42设置在所述空穴传输层和所述电子传输层之间。
如图3所示,所述第一像素43和所述第二像素44均包括一有机发光二极管。在本发明的实施例中,所述显示透光区101的第一像素43的像素密度与所述主显示区102的所述第二像素44的像素密度相同,即单位显示面积内所述显示透光区101的所述第一像素43的数量与单位面积内所述主显示区102的所述第二像素44的数量相同,从而降低所述显示透光区101的显示画面与所述主显示区102的显示画面的整体显示差异。
多个所述第一像素43包括第一红色子像素43a、第一绿色子像素43b、第一蓝色子像素43c,多个所述第二像素44包括第二红色子像素44a、第二绿色子像素44b、第二蓝色子像素44c。
所述显示透光区101设置有多个第一像素重复单元401,所述第一像素重复单元401包括若干个第一像素43,所述主显示区102设置有多个第二像素重复单元402,所述第二像素重复单元402包括若干个所述第二像素44,所述第一像素重复单元401包括的第一像素43的数量与所述第二像素重复单元402包括的第二像素44的数量相同。在相同显示面积内,所述显示透光区101包含的所述第一像素重复单元401的数量与所述主显示区102包含的第二像素重复单元402的数量相等。
所述第一像素重复单元401和第二像素重复单元402的排布方式相同,排布方式包括各个子像素的排布规律、排布距离等。第一像素43的形状、面积可与相同颜色的第二像素44的形状、面积不同,在本发明的实施例中,所述第一红色子像素43a的形状、所述第一绿色子像素43b的形状、所述第一蓝色子像素43c可均为圆形,所述第一蓝色子像素43c的面积、所述第一红色子像素43a的面积以及所述第一绿色子像素43b的面积可依次减小。所述第二红色子像素44a的形状可为八边形,所述第二绿色子像素44b的形状可为椭圆形,所述第二蓝色子像素44c的形状可为八变形。
所述显示透光区101内与所述主显示区102内的相同颜色的子像素的面积不同,所述显示透光区101内的红、绿、蓝子像素的面积分别小于所述主显示区102的对应的红、绿、蓝子像素的面积,通过减小所述显示透光区101内的第一子像素25的面积,保持所述显示透光区101内的像素密度不变,可提高所述显示透光区101的透光率。
所述第一像素重复单元401和所述第二像素重复单元402均采用pentile的排列方式,以所述第一像素重复单元401为例,所述第一像素重复单元401采用4×4的矩阵排列方式,相邻行的第一像素43错位排列,相邻列的第一像素43错位排列,第一像素重复单元401包括两个第一红色子像素43a、四个第一绿色子像素43b、两个第一蓝色子像素43c,第一红色子像素43a和第一蓝色子像素43c位于同行且依次交替分布,第一红色子像素43a和第一蓝色子像素43c位于同列且依次交替分布,同行的第一绿色子像素43b和第一红色子像素43a一起与第一蓝色子像素43c呈交替行排布。
进一步地,一个所述第一像素驱动电路可驱动所述显示透光区101的多个颜色相同的子像素发光,以减少该第一像素驱动电路挤压其他区域的空间。例如,一个第一像素驱动电路可同时驱动显示透光区101的两个第一红色子像素43a,或者四个第一绿色子像素43b,或者两个第一蓝色子像素43c。
如图2和图4所示,所述第二电极层50在所述显示透光区101中相邻的所述第一像素43之间设置有第一开口501,以进一步增大所述显示透光区101的透光率。
在对所述显示透光区101的第二电极层50进行挖孔设计以形成第一开口501时,可采用激光镭射的方式。具体可通过紫外、可见或红外点状激光来对第二电极层50进行镭射。激光镭射包括正面激光镭射(第二电极层50朝向发光层40的方向)和背面激光镭射(发光层40朝向第二电极层50的方向)两种方式,一般背面激光镭射需要在显示面板100的基板10上设置金属层(如Mo金属),主显示区102的金属层用于防止静电聚集,显示透光区101内的金属层用于遮挡上方的发光材料层42,避免激光从背面加工时对发光材料层42造成损伤。本发明的实施例优选正面激光镭射的方式,如此所述显示透光区101不必设置遮光的金属层,不仅可进一步增加显示透光区101的透光率,且工艺制程相对更为简单。
在整面蒸镀形成所述第二电极层50后,激光从第二电极层50上方照射在相邻的第一像素43之间的区域,通过热弛豫和热传递使得被照射区域的温度上升,被照射的膜层发生熔化和气化等变化,使得被照射到的第二电极层50的金属材料被剥离,从而实现显示透光区101的第二电极层50的图案化。与背面激光镭射相比,正面激光镭射无需增加遮光的金属层进行保护,通过控制激光光斑大小和能量来调节需图案化区域(第一开口501对应的区域)的面积和需去除的膜层深度。激光镭射的光斑长度需小于相邻所述第一像素43之间的间距,避免激光镭射到第一像素43所在区域。如图5所示,所述光斑需要距离最近的第一像素43的边缘2微米及以上,即所述第一开口501与相邻所述第一像素43的最小距离W1大于或等于2微米,由于激光具有热传递效应,避免激光对发光材料层42造成损伤。上述提及的最小距离指的是第一像素43在所述第二电极层50上的正投影与第一开口501之间的最小距离,即指的是水平面之间的最小距离,下文提及的最小距离均指的是水平面之间的最小距离。
如图2所示,所述第一电极层30包括位于所述显示透光区101的第一电极块31,每一所述第一电极块31对应一所述第一像素43。所述第一开口501与相邻的所述第一电极块31之间的最小距离W2大于或等于2微米。
所述第一电极层30还包括位于所述主显示区102的第二电极块32,所述第二电极块32与第二像素44对应。由于交界处的第一开口501除了与第一电极块31邻近以外,还与交界处的第二电极块32邻近,因此在本发明实施例中,位于所述显示透光区101和所述主显示区102交界处的所述第一开口501与相邻的所述第二电极块32最小距离W3大于或等于2微米,避免镭射过程对邻近的第二像素44造成损伤。
请参阅图5,所述第一开口501的形状包括但不限于为圆形、椭圆形、规则的多边形、不规则的多边形中的至少一种。
如图6所示,所述显示面板100还包括位于所述第二电极层50上的封装层60,所述封装层60可包括依次沉积于所述第二电极层50上的第一无机层61、有机层62以及第二无机层63,所述第一无机层61可通过化学气相沉积的方式整面沉积在所述第二电极层50上,采用化学气相沉积工艺所制备的膜层的台阶覆盖性较为良好,所述第一无机层61覆盖所述第二电极层50。
在本发明的实施例中,如图7所示,所述第二电极层50在所述第一开口501的边缘处设置有凸起结构51。由于在剥离的过程中,所述第二电极层50在所述第一开口501的边缘处会产生毛刺52,如图8所示,毛刺52一般呈尖锐的锥状,因此毛刺52的存在可能会有刺伤或刺穿封装层60的第一无机层61的风险,导致封装层60失效。本发明实施例可通过二次激光镭射来使得该毛刺52变的平滑,二次激光镭射的光斑中心位置与第一次激光镭射的光斑中心位置重合,光斑尺寸需要大于第一次激光镭射的光斑尺寸,同时激光能量密度需要降低,经过二次激光镭射后,毛刺52的表面会变得平滑,毛刺52的高度也会降低,降低封装层60失效的风险。
可以理解的是,激光的能量和进深会影响阴极金属剥离的深度和边缘厚度。激光能量过低,则剥离不彻底,激光照射区域会有阴极金属残留,影响外部光信号传到屏下感光元件;激光能量过高,虽然会有效的剥离掉被照射区域内的阴极,但是过高的能量会损伤阴极下方的有机膜层。同时,过高的能量带来的热效应会使得剥离区域的边缘发生大面积卷曲甚至撕裂起大部分膜层,从而影响到第二电极层50未被照射的区域,进而造成后续封装失效和显示异常。而本发明实施例分两次进行激光照射以形成上述凸起结构51,可降低上述缺陷的产生。
如图7所示,经过二次激光镭射后的所述第二电极层50在第一开口501的边缘处会形成凸起结构51,所述凸起结构51背离所述发光层40的一侧包括一平滑曲面。所述凸起结构51的厚度会相对毛刺52的高度进一步降低,使得与第一无机层61接触的表面会变成平滑曲面,厚度的降低和平滑曲面的形成均能够改善毛刺52带来的后续封装失效的风险。平滑曲面指的是表面具有一定的弧度,表面上的各个直线为具有一定曲率的曲线,而非折线。
进一步地,所述凸起结构51的最大厚度H小于所述第一无机层61的厚度,以避免凸起结构51刺穿第一无机层61。由于凸起结构51的平滑曲面并非一平直面,因此凸起结构51沿所述第二电极层50的厚度方向上会存在一个最大厚度H。
考虑到显示面板100的整体膜厚及封装层60的封装效果,一般所述第一无机层61的厚度大于或等于1微米。因此在本发明的实施例中,所述凸起结构51的最大厚度H小于1微米,避免凸起结构51的厚度较大对第一无机层61造成不良影响。可选地,所述凸起结构51的宽度小于1微米,所述宽度的方向指的是沿所述第一开口501指向所述凸起结构51的方向。
所述第二电极层50在对应所述第一像素43处的厚度与在对应所述主显示区102处的厚度相同,该厚度为120~140埃之间,具体地,该厚度可为132埃。
请参阅图7,为保证本发明实施例的所述第一开口501能够贯穿所述第二电极层50,保证激光镭射区域对应的第二电极层50能被完全去除,可将所述第一开口501的深度延伸至下层膜层,去除第一开口501对应的发光层40的部分膜层。
具体地,如图1所示,所述发光层40在所述显示透光区101中对应所述第一开口501处的厚度H1,小于发光层40在所述主显示区102的相邻所述第二像素44之间处的厚度H2,通过去除发光层40在第一开口501处的部分膜层厚度,可以保证正面激光镭射工艺能够完全去除第二电极层50在第一开口501处的膜层,进而提高显示透光区101的透光率。
如图7所示,所述发光层40在所述显示透光区101中对应所述第一开口处501的厚度,小于所述发光层40在所述显示透光区101中相邻所述第一像素43之间且与第二电极层50重叠设置处的厚度H3。由于相邻所述第一像素43之间的除开所述第一开口501的区域不会被激光照射,该区域被第二电极层50覆盖,因此该区域的发光层40的厚度会大于第一开口501处的发光层40的厚度。
所述发光层40在所述显示透光区101对应所述第一开口501处设置有第二开口502,所述第一开口501和所述第二开口502连通,所述第二开口502至少贯穿所述电子注入层。具体地,所述第二开口502可贯穿所述电子注入层,还可继续延伸以贯穿所述电子传输层,再或者贯穿所述发光层40的全部膜层。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示面板100和感光器件,所述感光器件对应于所述显示透光区101设置。
综上,本发明实施例公开的显示面板100和显示装置,包括显示透光区101和设于所述显示透光区101之外的主显示区102,所述显示面板100包括基板10、设置在基板10一侧的第一电极层30、设置在第一电极层30远离基板10一侧的发光层40,以及设置在发光层40远离所述基板10一侧的第二电极层50,发光层40包括设置在所述显示透光区101的多个第一像素43和设置在所述主显示区102的多个第二像素44,第二电极层50在显示透光区101中相邻的所述第一像素43之间设置有第一开口501,其中,发光层40在显示透光区101中对应第一开口501处的厚度,小于发光层40在主显示区102的相邻第二像素44之间处的厚度。本发明实施例通过降低发光层在显示透光区的第二电极层的第一开口处对应的厚度,在保证显示透光区的第一像素正常显示的同时,不仅能提升显示透光区的透光率,而且工艺制程更为简单。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示透光区和设于所述显示透光区之外的主显示区,所述显示面板包括:
基板;
第一电极层,设置在所述基板的一侧;
发光层,设置在所述第一电极层远离所述基板的一侧,所述发光层包括:设置在所述显示透光区的多个第一像素和设置在所述主显示区的多个第二像素;
第二电极层,设置在所述发光层远离所述基板的一侧,所述第二电极层在所述显示透光区中相邻的所述第一像素之间设置有第一开口;
其中,所述发光层在所述显示透光区中对应所述第一开口处的厚度,小于所述发光层在所述主显示区的相邻所述第二像素之间处的厚度;
所述第二电极层在所述第一开口的边缘处设置有凸起结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光层在所述显示透光区中对应所述第一开口处的厚度,小于所述发光层在所述显示透光区中相邻所述第一像素之间且与第二电极层重叠设置处的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述发光层包括:依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层,
所述发光层在所述显示透光区对应所述第一开口处设置有第二开口,所述第二开口至少贯穿所述电子注入层。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一开口与相邻所述第一像素的最小距离大于或等于2微米。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层包括:对应所述第一像素设置的第一电极块;
所述第一开口与相邻所述第一电极块的最小距离大于或等于2微米。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括覆盖所述第二电极层的第一无机层,所述凸起结构的最大厚度小于所述第一无机层的厚度。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构的最大厚度小于1微米。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,单位面积内所述第一像素的数量等于单位面积内所述第二像素的数量。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
驱动电路层,设置在所述基板和所述发光层之间,所述驱动电路层包括驱动所述第一像素发光的第一像素驱动电路和驱动所述第二像素发光的第二像素驱动电路;
所述显示透光区包括透光子区和过渡子区,所述过渡子区设置在所述透光子区和所述主显示区之间;
驱动所述透光子区的所述第一像素发光的所述第一像素驱动电路设置在所述过渡子区,或,驱动所述透光子区的所述第一像素发光的所述第一像素驱动电路设置在所述透光子区且与对应的所述第一像素重叠设置。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权1-9任一项所述的显示面板和感光器件,所述感光器件对应所述显示透光区设置。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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