CN111710707B - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板和显示装置，第一显示区包括非透光区和透光区，非透光区中的子像素包括依次位于衬底上的第一遮光层、像素驱动电路和发光结构层，且在垂直于衬底的方向上，第一遮光层的投影覆盖发光结构层的投影以及像素驱动电路中至少一个晶体管的投影，因此，在采用激光照射第一显示区并去除透光区中的发光结构层时，不会对非透光区的发光结构层和像素驱动电路中的至少一个晶体管产生影响，从而可以采用大面积的激光对第一显示区的发光结构层等膜层进行去除，进而提高了显示面板和显示装置的制作效率。

Description

一种显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，更具体地说，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在具有屏下摄像头的显示装置中，为了增大屏下摄像头对应的显示区域的透光度，会采用激光去除部分区域中像素的发光结构层，如红色发光结构层、绿色发光结构层和蓝色发光结构层等。为了避免激光对其他不需要去除的区域中的像素结构产生影响，需采用小面积的激光对发光材料进行去除，导致显示装置的制作效率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板和显示装置，以提高显示面板和显示装置的制作效率。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种显示面板，包括显示区，所述显示区包括第一显示区；
所述第一显示区包括非透光区和透光区，所述非透光区包括至少一个子像素，所述子像素包括依次位于衬底上的第一遮光层、像素驱动电路和发光结构层；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影覆盖所述发光结构层的投影以及所述像素驱动电路中至少一个晶体管的投影。
一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的显示面板和显示装置，由于非透光区中的子像素包括依次位于衬底上的第一遮光层、像素驱动电路和发光结构层，且在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影覆盖所述发光结构层的投影以及所述像素驱动电路中至少一个晶体管的投影，因此，在采用激光照射第一显示区并去除透光区中的发光结构层时，不会对非透光区的发光结构层和像素驱动电路中的至少一个晶体管产生影响，从而可以采用大面积的激光对第一显示区的发光结构层等膜层进行去除，进而提高了显示面板和显示装置的制作效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第一显示区S10的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图4为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图5为本发明一个实施例提供的发光结构层12和第一遮光层11的俯视结构示意图；
图6为本发明一个实施例提供的发光结构层12和第一遮光层11的俯视结构示意图；
图7为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图8为本发明一个实施例提供的第一显示区S10的局部结构示意图；
图9为本发明一个实施例提供的第一显示区S10的局部结构示意图；
图10为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图11为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图12为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图；
图13为本发明一个实施例提供的非透光区S101和透光区S102的剖面结构示意图；
图14为本发明另一个实施例提供的非透光区S101和透光区S102的剖面结构示意图；
图15为本发明一个实施例提供的多个显示面板的结构示意图；
图16为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图17为本发明一个实施例提供的第一显示区S10和第二显示区S11的剖面结构示意图；
图18为本发明另一个实施例提供的第一显示区S10和第二显示区S11的剖面结构示意图；
图19为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图20为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图21为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的电路结构示意图；
图22为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种显示面板，如图1所示，图1为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，该显示面板包括显示区S1和非显示区S2，当然，本发明实施例中的显示面板可以仅包括显示区S1，即该显示面板可以为不具有非显示区S2的无边框显示面板等，在此不再赘述。
本发明实施例中，如图1所示，显示区S1包括第一显示区S10和第二显示区S11，第二显示区S11与第一显示区S10相邻设置。可选地，如图1所示，第二显示区S11围绕第一显示区S10设置，当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第一显示区S10也可以位于第二显示区S11的一侧等。
本发明的一个实施例中，第一显示区S10为与屏下摄像头对应设置的显示区。其中，屏下摄像头是指摄像头位于屏幕即显示面板的下方，第一显示区S10的形状和位置与屏下摄像头的形状和位置对应，以使外界的光线穿透第一显示区S10后进入屏下摄像头成像。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，只要需要采用激光去除部分区域的膜层的显示区都可以为本发明中的第一显示区S10。
如图2所示，图2为本发明实施例提供的第一显示区S10的结构示意图，第一显示区S10包括非透光区S101和透光区S102，可选地，透光区S102位于相邻的非透光区S101之间，非透光区S101包括至少一个子像素Z以及与子像素Z相连的栅极线G和数据线S等，栅极线G用于向子像素Z输入扫描信号，数据线S用于向子像素Z输入数据信号，以通过扫描信号和数据信号控制子像素Z进行图像的显示。
需要说明的是，本发明实施例中，透光区S102不具有子像素，或者，透光区S102不具有完整的子像素，如透光区S102的子像素中不具有发光结构层，以使透光区S102的透光率大于非透光区S101的透光率，基于此，可以通过非透光区S101保证第一显示区S10能够进行正常的图像显示，通过透光区S102保证足够的光线穿透第一显示区S10后进入屏下摄像头成像。
如图3所示，图3为本发明实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，该子像素包括依次位于衬底10上的第一遮光层11、像素驱动电路和发光结构层12，其中，像素驱动电路至少包括驱动晶体管T，发光结构层12的一侧表面设置有阳极13、另一侧表面设置有阴极14。可选地，发光结构层12由有机发光材料或无机发光材料制作而成。其中，阳极13与驱动晶体管T的漏极相连，阴极14与公共电压端相连，以通过驱动晶体管T驱动发光结构层12发光。
本发明实施例中，在垂直于衬底10的方向上，第一遮光层11的投影覆盖发光结构层12的投影以及像素驱动电路中至少一个晶体管的投影。其中，像素驱动电路至少包括驱动晶体管T和一个其他晶体管，至少一个晶体管可以包括驱动晶体管T，也可以不包括驱动晶体管T，图3中仅以第一遮光层11的投影覆盖像素驱动电路中驱动晶体管T的投影为例进行说明，本发明并不仅限于此。
本发明实施例中，为了最大化的降低激光对子像素的影响，第一遮光层11的投影可以覆盖发光结构层12的投影以及整个像素驱动电路的投影，当然，为了降低成本，第一遮光层11的投影也可以仅覆盖发光结构层12的投影以及像素驱动电路中对激光敏感的一个或多个晶体管的投影。
需要说明的是，本发明实施例中，在制作显示面板时，仅在非透光区S101中的子像素中制作第一遮光层11，透光区S102中的子像素并不具有第一遮光层11，基于此，在第一遮光层11的遮光作用下，从衬底10背离第一遮光层11一侧入射的激光，不会对非透光区S101的发光结构层12和像素驱动电路中的至少一个晶体管的性能产生影响，从而可以采用大面积的激光对第一显示区S10进行照射，以在去除透光区S102的发光结构层12等有色膜层，使得透光区S102的透光率满足屏下摄像头摄像需求的同时，提高显示面板的制作效率。
本发明实施例中，第一遮光层11至少包括第一子遮光层110，第一子遮光层110的材料为黑色遮光材料。可选地，第一子遮光层110的材料与黑矩阵的材料相同。
如图3所示，第一遮光层11可以仅包括第一子遮光层110，当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，如图4所示，图4为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，第一遮光层11还可以包括第二子遮光层111。
其中，第二子遮光层111与第一子遮光层110层叠设置，即第二子遮光层111可以位于第一子遮光层110的顶部，也可以位于第一子遮光层110的底部，但第二子遮光层111需与第一子遮光层110直接接触，并且，在垂直于衬底10的方向上，第二子遮光层111的投影与第一子遮光层110的投影至少部分重叠。
并且，本发明实施例中，第二子遮光层111的材料包括金属材料，基于此，可以通过第二子遮光层111平衡激光照射时第一子遮光层110发出的热量，以避免由于第一子遮光层110发热而导致的子像素受热不均继而引起的子像素发光异常以及寿命降低等问题。
本发明实施例中，第二子遮光层111的投影可以与第一子遮光层110的投影完全重叠，如图4所示，在垂直于衬底10的方向上，第二子遮光层111的投影覆盖第一子遮光层110的投影以及第一子遮光层110周边预设区域的投影，以在通过第二子遮光层111平衡第一子遮光层110产生的热量的同时，通过第二子遮光层111对第一子遮光层110周边预设区域进行遮光，避免激光对周边预设区域内的结构产生影响。
本发明实施例中，发光结构层12在垂直于衬底10的方向上的投影的形状可以为方形或圆形等。当发光结构层12的形状为圆形时，激光透过交叉设置的栅极线G和数据线S后会发生衍射现象，会在发光结构层12的四周形成圆环状的光晕。为了避免光晕对发光结构层12及其周边的结构产生影响，本发明的一个实施例中，如图5所示，图5为本发明一个实施例提供的发光结构层12和第一遮光层11的俯视结构示意图，在垂直于衬底10的方向上，第一遮光层11的投影和发光结构层12的投影成同心圆，并且，第一遮光层11投影图案的半径比发光结构层12投影图案的半径大预设值d。可选地，d的取值范围为2um～20um。
可选地，如图5所示，第一子遮光层110的投影和发光结构层12的投影成同心圆，并且，第一子遮光层110投影图案的半径比发光结构层12投影图案的半径大预设值d，即在垂直于衬底10的方向上，第一子遮光层110的投影覆盖发光结构层12的投影以及发光结构层12周边预设区域的投影。
在本发明的另一实施例中，如图6所示，图6为本发明一个实施例提供的发光结构层12和第一遮光层11的俯视结构示意图，第一子遮光层110的投影、第二子遮光层111的投影和发光结构层12的投影成同心圆，并且，第二子遮光层111投影图案的半径比第一子遮光层110投影图案的半径大预设值，第一子遮光层110投影图案的半径比发光结构层12投影图案的半径大预设值，即在垂直于衬底10的方向上，第二子遮光层111的投影覆盖第一子遮光层110的投影以及第一子遮光层110周边预设区域的投影，第一子遮光层110的投影覆盖发光结构层12的投影以及发光结构层12周边预设区域的投影，以进一步减小光晕对发光结构层12周边预设区域的结构的影响。
上述实施例中，仅以第二子遮光层111的投影与第一子遮光层110的投影完全重叠为例进行说明，在本发明的其他实施例中，第二子遮光层111的投影与第一子遮光层110的投影还可以部分重叠。如图7所示，图7为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，第一子遮光层110的投影覆盖发光结构层12的投影，第二子遮光层111的投影覆盖像素驱动电路中至少一个晶体管的投影，以通过第一子遮光层110和第二子遮光层111共同实现第一遮光层11的遮光功能。
本发明的另一个实施例中，如图8所示，图8为本发明一个实施例提供的第一显示区S10的局部结构示意图，非透光区S101包括非透明走线Z1，透光区S102包括透明走线Z2，透明走线Z2通过过孔Z3与非透明走线Z1电连接，以通过在透光区S102设置透明走线Z2进一步提高透光区S102的透光率。
此外，以发光结构层12和第一遮光层11的投影的形状为圆形为例，如图8所示，在垂直于衬底10的方向上，第一遮光层11的投影覆盖过孔Z3的投影，以避免激光照射过孔Z3导致过孔Z3断线，引起非透明走线Z1和透明走线Z2的接触异常，还可以避免因第一遮光层11导致的底部膜层高度不同而导致的过孔Z3尺寸和结构等异常的问题。
可选地，非透明走线Z1为金属材料的走线，透明走线Z2为铟镓锌氧化物材料的走线。进一步可选地，非透明走线Z1和与其相连的透明走线Z2为栅极线，或者，非透明走线Z1和与其相连的透明走线Z2为数据线等。
可选地，当第一遮光层11至少包括第一子遮光层110和第二子遮光层111，第一子遮光层110的材料为黑色遮光材料，第二子遮光层111与第一子遮光层110层叠设置，第二子遮光层111的材料包括金属材料时，在垂直于衬底10的方向上，第二子遮光层111的投影与第一子遮光层110的投影至少部分重叠，并且，仅第二子遮光层111的投影覆盖过孔Z3的投影。
如图9所示，图9为本发明一个实施例提供的第一显示区S10的局部结构示意图，第一子遮光层110的投影、第二子遮光层111的投影和发光结构层12的投影成同心圆，第二子遮光层111投影图案的半径比第一子遮光层110投影图案的半径大预设值，第一子遮光层110投影图案的半径比发光结构层12投影图案的半径大预设值，并且，仅第二子遮光层111的投影覆盖过孔Z3的投影，以通过第二子遮光层111填平第一子遮光层110引起的底部膜层高度不同的问题，并通过第二子遮光层111遮挡激光对过孔Z3的影响。
本发明实施例中，第二子遮光层111可以浮空设置，即第二子遮光层111不与任何电压端连接，也就是说，第二子遮光层111不具有电位，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第二子遮光层111也可以连接一固定电位，以通过具有固定电位的第二子遮光层111起到静电屏蔽作用，以避免静电对子像素以及子像素中的像素驱动电路的性能产生影响。
可选地，第二子遮光层111与子像素中像素驱动电路的电源电压端PVDD或参考电压端Vref相连，以通过电源电压端PVDD或参考电压端Vref向第二子遮光层111提供固定电位。
如图10所示，图10为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，像素驱动电路包括第一电容C1，第一电容C1包括第一极板J1和第二极板J2，第一极板J1与电源电压端PVDD相连。
在垂直于衬底10的方向上，第二子遮光层111的投影与第一极板J1的投影交叠，并且，第二子遮光层111通过第一极板J1与电源电压端PVDD相连，以使第二子遮光层111与电源电压端PVDD相连具有固定电位的同时，还能与第二极板J2构成第二电容，使得像素驱动电路具有两个串联的电容，进而可以提高像素驱动电路中电容的存储能力。
在图10所示的结构中，第一极板J1与电源电压端PVDD相连，第二子遮光层111通过第一极板J1与电源电压端PVDD相连，但是，本发明并不仅限于此，本发明的另一实施例中，如图11所示，图11为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，第一极板J1通过顶部的连接结构15与电源电压端PVDD相连，第二子遮光层111通过连接结构15与电源电压端PVDD相连，来实现双存储电容。
本发明实施例中，如图10所示，第二子遮光层111可以通过一个过孔与第一极板J1相连，但是，如图12所示，图12为本发明另一实施例提供的第一显示区S10的子像素的剖面结构示意图，第二子遮光层111还可以通过至少两个过孔与第一极板J1相连，即第二子遮光层111通过第一过孔G1、连接部G2以及第二过孔G3与第一极板J1相连，连接部G2连通第一过孔G1和第二过孔G3。可选地，连接部G2与位于第二子遮光层111和第一极板J1之间的任一金属层同层设置。
基于此，通过至少两个过孔实现第二子遮光层111与第一极板J1的连通，可以避免一个过孔刻蚀时刻蚀深度过深或刻蚀深度不够的问题，还可以避免在同一膜层打孔产生的热量较多对该膜层的性能产生影响的问题。此外，采用连接部G2作为垫层连接第一过孔G1和第二过孔G3，可以防止两次打孔对位精度不够的问题。
本发明实施例中，如图13所示，图13为本发明一个实施例提供的非透光区S101和透光区S102的剖面结构示意图，子像素还包括位于像素驱动电路和发光结构层12之间的平坦化层16，平坦化层16包括第一区域161和第二区域162，在垂直于衬底10的方向上，第一区域161远离衬底10一侧的表面到衬底10的垂直距离H1大于第二区域162远离衬底10一侧的表面到衬底10的垂直距离H2。
这是因为驱动晶体管T以及电容或走线等结构会抬高平坦化层16的部分区域即第一区域161的高度，从而使得平坦化层16具有高低不平的区域。需要说明的是，本发明实施例中的透光区S102仍具有走线如栅极线和数据线等，以实现相邻两个非透光区S101中走线的连接。
虽然在制作平坦化层16时会对其表面进行平坦化，但并不能保证平坦化层16的表面是完全平坦的表面，即平坦化层16的表面还是会具有高低不平的区域。而在高低不平的平坦化层16表面形成整层发光结构层12并对发光结构层12进行平坦化之后，在平坦化层16凸起的区域即第一区域161的发光结构层12的厚度会较薄，在平坦化层16凹陷的区域即第二区域162的发光结构层12的厚度会较厚。需要说明的是图13中的发光结构层仅为在制程过程中的示意图，并不代表本发明实施例的提供的显示面板的实际示意图，基于此，在该制程中本申请人经过研究发现，在采用激光去除透光区S102的发光结构层12时，若采用激光同时照射第一区域161和第二区域162的发光结构层12，会导致第二区域162部分的发光结构层12的不能被完全去除。
基于此，本发明实施例中，透光区S102包括位于衬底10和平坦化层16之间的第二遮光层17，在垂直于衬底10的方向上，第二遮光层17的投影覆盖第一区域161的平坦化层16投影，以通过第二遮光层17使得第一区域161的透光率小于第二区域162的透光率，从而可以在采用激光照射透光区S102时，使得第二区域162的发光结构层12和第一区域161的发光结构层12能够同时被彻底去除。
本发明实施例中，第二遮光层17的材料可以为金属材料，可选地，第二遮光层17与衬底10和平坦化层16之间的任一金属层同层设置。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第二遮光层17的材料还可以黑色遮光材料。
或者，本发明的一个实施例中，第二遮光层17可以与第一遮光层11同层设置，且第二遮光层17的材料和结构可以与第一遮光层11的材料和结构相同，即二者采用相同工序制作完成。或者，第二遮光层17与第二子遮光层111同层设置，如图14所示，图14为本发明另一个实施例提供的非透光区S101和透光区S102的剖面结构示意图，第二遮光层17与第二子遮光层111同层设置，第一区域161和第二区域162都设置有第二遮光层17，并且，第一区域161的第二遮光层17在垂直于衬底10方向上的厚度大于第二区域162的第二遮光层17在垂直于衬底10方向上的厚度。
需要说明的是，本发明实施例中，第二遮光层17可以仅与透光区S102中的第一区域161对应设置，或与透光区S102中的第一区域161和第二区域162对应设置，也可以与其他区域如非透光区S101中的第一区域161对应设置，或与非透光区S101中的第一区域161和第二区域162对应设置，本发明并不仅限于此。
本发明实施例中，如图15所示，图15为本发明一个实施例提供的多个显示面板的结构示意图，在制作显示面板时，会在一个较大的衬底上完成多个显示面板X的制作，然后再对其进行切割，形成一个个独立的显示面板X。基于此，在制作显示面板X时，为了简化工序加快制作流程，会使得激光沿激光扫射区B(虚线内的区域)扫射各个显示面板X的第一显示区S10。
也就是说，如图16所示，图16为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，显示面板包括激光扫射区B，激光扫射区B包括第一显示区S10和第二显示区S11的部分区域。
需要说明的是，第二显示区S11并不包括透光区，或者说，不需要对第二显示区S11中部分区域的发光结构层12进行去除，基于此，如图17所示，图17为本发明一个实施例提供的第一显示区S10和第二显示区S11的剖面结构示意图，第二显示区S11的部分区域中的子像素包括位于衬底10和像素驱动电路即驱动晶体管T之间的第三遮光层18，在垂直于衬底10的方向上，第三遮光层18的投影覆盖子像素中发光结构层12的投影以及像素驱动电路中至少一个晶体管的投影，以避免激光对第二显示区S11的部分区域中的子像素的结构和性能产生影响。
可选地，第三遮光层18与第一遮光层11同层设置，且第三遮光层18的材料和结构可以与第一遮光层11的材料和结构相同，即二者采用相同工序制作完成。进一步可选地，如图18所示，图18为本发明一个实施例提供的第一显示区S10和第二显示区S11的剖面结构示意图，第三遮光层18与第二子遮光层111同层设置，以简化工艺步骤，当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第三遮光层18也可以与第一遮光层11不同层设置，如第三遮光层18与衬底10和像素驱动电路即驱动晶体管T之间的任一金属层同层设置。
本发明的一个实施例中，如图16所示，激光扫射区B1沿第一方向Y贯穿显示面板，或者，本发明的另一个实施例中，如图19所示，图19为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，激光扫射区B沿第二方向X贯穿显示面板，第一方向Y与第二方向X垂直。可选地，第一方向Y和第二方向X分别和显示面板的两个侧边平行。
本发明实施例中，如图16和19所示，激光扫射区B为长条状区域。或者，如图20所示，图20为本发明一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图，与第二显示区S11的部分区域对应的激光扫射区B为长条状区域，与第一显示区S10对应的激光扫射区B为圆形区域，以避免激光在第一显示区S10来回多次扫射时，因扫射偏移而影响第一显示区S10周围预设区域内的子像素结构和性能。
需要说明的是，虽然激光会从第二显示区S11移向第一显示区S10，但是，会在第一显示区S10来回多次扫射，以去除第一显示区S10中透光区S102的发光结构层12等，基于此，第二显示区S11中第三遮光层18的遮光能力可以小于第一显示区S10中第一遮光层11的遮光能力。
可选地，本发明的一个实施例中，在垂直于衬底10的方向上，第一遮光层11的厚度大于第三遮光层18的厚度，和/或，第一遮光层11的投影面积大于第三遮光层18的投影面积，以减少遮光材料的使用，降低制作成本。
此外，在本发明的另一实施例中，在从第二显示区S11移向第一显示区S10的方向上，激光的光斑直径可以逐渐增大，以减小激光对第二显示区S11中子像素结构和性能的影响。基于此，在远离第一显示区S10的方向上，第三遮光层18在垂直于衬底10的方向上的投影面积逐渐减小，和/或，第三遮光层18在垂直于衬底10的方向上的厚度逐渐减小，以减少遮光材料的使用，降低制作成本。
本发明实施例中，如图21所示，图21为本发明实施例提供的一种像素驱动电路的电路结构示意图，像素驱动电路包括驱动晶体管T、第一晶体管M4、第二晶体管M5、第三晶体管M6、第四晶体管M7、第五晶体管M8、第六晶体管M1和第一电容C1。
第一晶体管M4的第二端与驱动晶体管T的栅极和第二晶体管M5的第二端相连，第一晶体管M4的栅极与第一控制端S1相连，第二晶体管M5的第一端与驱动晶体管T的第二端相连，第二晶体管M5的栅极与第二控制端S2相连，驱动晶体管T的第二端与第三晶体管M6的第一端相连，第三晶体管M6的第二端与发光元件OLED的第一端相连，第三晶体管M6的栅极与第三控制端EMIT相连，发光元件OLED的第二端与第一电源电压端PVEE相连；
第四晶体管M7的第二端与发光元件OLED的第一端相连，第四晶体管M7的第一端与参考电压端Vref相连，第四晶体管M7的栅极与第五控制端S3相连；第五晶体管M8的第一端与第二电源电压端PVDD相连，第五晶体管M8的第二端与驱动晶体管T的第一端相连，第五晶体管M8的栅极与第三控制端EMIT相连；第六晶体管M1的第一端与数据信号电压端DATA相连，第六晶体管M1的第二端与驱动晶体管T的第一端相连，第六晶体管M1的栅极与第五控制端S3相连；第一电容C1的一端与第二电源电压端PVDD相连，第一电容C1的第二端与驱动晶体管T的栅极相连。
需要说明的是，本发明实施例中仅以图21所示的像素驱动电路为例进行说明，并不仅限于此。其中，发光元件OLED包括阳极13、发光结构层12和阴极14，扫描晶体管包括第一晶体管M4、第二晶体管M5和第六晶体管M1。
可选地，本发明的一个实施例中，像素驱动电路中的晶体管都为低温多晶硅薄膜晶体管，基于此，第一遮光层11的投影覆盖的至少一个晶体管包括驱动晶体管T和/或扫描晶体管，以避免激光对驱动晶体管T和/或扫描晶体管的性能产生影响。
当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，像素驱动电路中的部分晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、部分晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，部分晶体管包括第一晶体管M4和第二晶体管M5，即第一晶体管M4和第二晶体管M5为金属氧化物薄膜晶体管。当然，在本发明的其他实施例中，第一晶体管M4和第二晶体管M5之外的其他晶体管也可以为金属氧化物薄膜晶体管。
由于金属氧化物薄膜晶体管对激光比较敏感，即激光对金属氧化物薄膜晶体管性能的影响比较大，因此，在垂直于衬底10的方向上，第一遮光层11的投影覆盖金属氧化物薄膜晶体管的投影。
本发明实施例还提供了一种显示装置，如图22所示，图22为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，该显示装置P包括如上任一实施例提供的显示面板。其中，本发明实施例中的显示装置P包括但不仅限于智能手机、平板电脑和数码相机等。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (23)

1.一种显示面板，包括显示区，其特征在于，所述显示区包括第一显示区；
所述第一显示区包括非透光区和透光区，所述非透光区包括至少一个子像素，所述子像素包括依次位于衬底上的第一遮光层、像素驱动电路和发光结构层；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影覆盖所述发光结构层的投影以及所述像素驱动电路中至少一个晶体管的投影；
所述第一遮光层至少包括第一子遮光层；
所述第一遮光层还包括第二子遮光层，所述第二子遮光层与所述第一子遮光层层叠设置，并且，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二子遮光层的投影与所述第一子遮光层的投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一子遮光层的材料为黑色遮光材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二子遮光层的材料包括金属材料。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二子遮光层的投影覆盖所述第一子遮光层的投影以及所述第一子遮光层周边预设区域的投影。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二子遮光层连接一固定电位。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二子遮光层与所述像素驱动电路的电源电压端或参考电压端相连。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路包括第一电容，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述电源电压端相连；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第二子遮光层的投影与所述第一极板的投影交叠，且所述第二子遮光层与所述第一极板相连，以使所述第二子遮光层与所述第二极板构成第二电容。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二子遮光层通过第一过孔、连接部以及第二过孔与所述第一极板相连；
所述连接部连通所述第一过孔和所述第二过孔；所述连接部与位于所述第二子遮光层和所述第一极板之间的任一金属层同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影和所述发光结构层的投影成同心圆，并且，所述第一遮光层的投影图案的半径与所述发光结构层的投影图案的半径的差值大于预设值。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非透光区包括非透明走线，所述透光区包括透明走线，所述透明走线通过过孔与所述非透明走线电连接；
在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影覆盖所述过孔的投影。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第一子遮光层的材料为黑色遮光材料，所述第二子遮光层的材料包括金属材料；
在垂直于所述衬底的方向上，仅所述第二子遮光层的投影覆盖所述过孔的投影。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括位于所述像素驱动电路和所述发光结构层之间的平坦化层，所述平坦化层包括第一区域和第二区域，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一区域远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的垂直距离大于所述第二区域远离所述衬底一侧的表面到所述衬底的垂直距离；
所述透光区包括位于衬底和所述平坦化层之间的第二遮光层，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二遮光层的投影覆盖所述第一区域的投影。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述第二遮光层与所述衬底和所述平坦化层之间的任一金属层同层设置。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区还包括第二显示区，所述第二显示区与所述第一显示区相邻设置；
所述显示面板包括激光扫射区，所述激光扫射区包括所述第一显示区和所述第二显示区的部分区域；
所述第二显示区的部分区域中的子像素包括位于衬底和像素驱动电路之间的第三遮光层，在垂直于所述衬底的方向上，所述第三遮光层的投影覆盖所述子像素中发光结构层的投影以及像素驱动电路中至少一个晶体管的投影。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述激光扫射区沿第一方向或第二方向贯穿所述显示面板，所述第一方向与所述第二方向垂直。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其特征在于，所述激光扫射区为长条状区域；
或者，与所述第二显示区的部分区域对应的激光扫射区为长条状区域，与所述第一显示区对应的激光扫射区为圆形区域。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的厚度大于所述第三遮光层的厚度，和/或，所述第一遮光层的投影面积大于所述第三遮光层的投影面积。
18.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，在远离所述第一显示区的方向上，所述第三遮光层在垂直于所述衬底的方向上的投影面积逐渐减小，和/或，所述第三遮光层在垂直于所述衬底的方向上的厚度逐渐减小。
19.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素包括发光元件，所述发光元件包括所述发光结构层，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和电容；
所述第一晶体管的第二端与所述驱动晶体管的栅极和所述第二晶体管的第二端相连，所述第一晶体管的栅极与第一控制端相连，所述第二晶体管的第一端与所述驱动晶体管的第二端相连，所述第二晶体管的栅极与第二控制端相连，所述驱动晶体管的第二端与所述第三晶体管的第一端相连，所述第三晶体管的第二端与所述发光元件的第一端相连，所述第三晶体管的栅极与第三控制端相连，所述发光元件的第二端与第一电源电压端相连；
所述第四晶体管的第二端与所述发光元件的第一端相连，所述第四晶体管的第一端与参考电压端相连，所述第四晶体管的栅极与第五控制端相连；所述第五晶体管的第一端与第二电源电压端相连，所述第五晶体管的第二端与驱动晶体管的第一端相连，所述第五晶体管的栅极与第三控制端相连；所述第六晶体管的第一端与数据信号电压端相连，所述第六晶体管的第二端与驱动晶体管的第一端相连，所述第六晶体管的栅极与第五控制端相连；电容的一端与第二电源电压端相连，电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连；
扫描晶体管包括所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第六晶体管。
20.根据权利要求1或19所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路中的晶体管都为低温多晶硅薄膜晶体管；
所述第一遮光层的投影覆盖的至少一个晶体管包括驱动晶体管和/或扫描晶体管。
21.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路中的部分晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，所述部分晶体管包括所述第一晶体管和所述第二晶体管。
22.根据权利要求21所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一遮光层的投影覆盖所述金属氧化物薄膜晶体管的投影。
23.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～22任一项所述的显示面板。
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