CN112289841A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112289841A
CN112289841A CN202011193885.3A CN202011193885A CN112289841A CN 112289841 A CN112289841 A CN 112289841A CN 202011193885 A CN202011193885 A CN 202011193885A CN 112289841 A CN112289841 A CN 112289841A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
display panel
shielding layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011193885.3A
Other languages
English (en)
Inventor
曹磊磊
柳家娴
安平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Original Assignee
Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd filed Critical Hubei Changjiang New Display Industry Innovation Center Co Ltd
Priority to CN202011193885.3A priority Critical patent/CN112289841A/zh
Publication of CN112289841A publication Critical patent/CN112289841A/zh
Priority to US17/451,973 priority patent/US20220140043A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/824Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括衬底;驱动电路,包括设置于衬底的氧化物晶体管及硅晶体管,氧化物晶体管包括第一有源层;第一遮光层,与第一有源层层叠设置,且第一遮光层在衬底上的正投影与第一有源层在衬底上的正投影交叠。根据本申请实施例,能够提高晶体管的稳定性,进而提高显示面板的显示质量。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,用户对显示装置的显示性能的要求越来越高。显示装置中,通常利用驱动电路控制发光元件发光显示,驱动电路包括晶体管,若晶体管出现不稳定,则影响显示装置的显示性能。
因此,如何提高晶体管的稳定性成为本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置,能够提高晶体管的稳定性,进而提高显示面板的显示质量。
一方面,本申请实施例提供一种显示面板,其包括:衬底;驱动电路,包括设置于衬底的氧化物晶体管及硅晶体管,氧化物晶体管包括第一有源层;第一遮光层,与第一有源层层叠设置,且第一遮光层在衬底上的正投影与第一有源层在衬底上的正投影交叠。
另一方面,本申请实施例提供一种显示装置,其包括根据本申请前述一方面的任一种实施方式的显示面板。
根据本申请实施例提供的显示面板及显示装置,通过设置第一遮光层,使第一遮光层在衬底上的正投影与第一有源层在衬底上的正投影交叠。第一遮光层可用于阻挡光线照射至第一有源层,从而避免有源层出现漏电流现象。即根据本申请实施例,能够提高氧化物晶体管的稳定性,进而提高显示面板的显示质量。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征,附图并未按照实际的比例绘制。
图1示出本申请一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2示出本申请另一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图3示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图4示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图5示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图6示出本申请一种实施例提供的显示面板的俯视示意图;
图7示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图8示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图9示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图10示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图11示出本申请一种实施例提供的第二遮光层及氧化物晶体管的俯视示意图;
图12示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图;
图13示出本申请一种实施例提供的显示面板的立体结构示意图;
图14示出图13中A-A向的剖面示意图;
图15示出本申请一种实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本申请进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请,并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
应当理解,在描述部件的结构时,当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时,可以指直接位于另一层、另一个区域上面,或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且,如果将部件翻转,该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
显示面板中通常设置有驱动电路,以驱动显示面板的发光元件发光显示。通常,驱动电路包括晶体管,晶体管的有源层受到光照射之后,会出现漏电流现象,影响晶体管的稳定性,进而影响显示面板的显示效果。
基于上述技术问题,本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,以下将结合附图详细说明申请实施例提供的显示面板及显示装置的具体结构。
该显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,本申请实施例的显示面板可以各种形式呈现,以下将描述其中一些示例。
图1至图3示出本申请一些实施例提供的显示面板的结构示意图。如图1至图3所示,本申请实施例提供的显示面板100包括衬底01、驱动电路02和第一遮光层30。
驱动电路02包括设置于衬底01一侧的氧化物晶体管10及硅晶体管20。示例性的,驱动电路02可以是像素电路或者栅极驱动电路。驱动电路02可以包括多个晶体管,多个晶体管中的至少一个晶体管可以是氧化物晶体管10,多个晶体管中的至少一个晶体管可以是硅晶体管20。示例性的,氧化物晶体管10的漏电流比较小,可以作为驱动电路中的开关晶体管,以降低功耗。硅晶体管20的迁移率相对较大,可以作为驱动电路中的驱动晶体管。
氧化物晶体管10可以是金属氧化物薄膜晶体管,例如,铟镓锌氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide,IGZO)薄膜晶体管。硅晶体管20可以是多晶硅薄膜晶体管,例如,低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管。
氧化物晶体管10包括第一有源层11。第一遮光层30在衬底01上的正投影至少与第一有源层11在衬底01上的正投影交叠。本申请的发明人发现,相对于硅晶体管20,氧化物晶体管10受光照影响比较大,本申请实施例中第一遮光层30在衬底01上的正投影至少与第一有源层11在衬底01上的正投影交叠,如此,第一遮光层30可以至少对第一有源层11进行遮光保护,避免光线照射至第一有源层11,从而避免第一有源层11出现漏电流现象。即根据本申请实施例,能够提高氧化物晶体管10的稳定性,进而提高显示面板100的显示质量。
在一些可选的实施例中,第一遮光层30可以为能够遮光的有机膜层。
显示面板通常包括层叠设置的多个膜层,本申请的发明人发现,显示面板的一些膜层为富氢膜层,即这些膜层含有丰富的氢,例如电容绝缘层、层间介质层(Inter LayerDielectric,ILD)、薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation,TFE)等。这些膜层的氢会扩散至晶体管的有源层,例如,氢扩散至包括金属氧化物的有源层的沟道区,则会造成沟道区出现短沟道效应,进而影响晶体管的稳定性。
在一些可选的实施例中,第一遮光层30可以包括非金属材料。非金属材料可以包括石墨、碳纳米管、聚吡咯、聚苯胺中的至少一种。上述非金属材料均为黑色材料,因此,第一遮光层30采用上述材料既能遮光,又能阻挡氢扩散至第一有源层11。
在另一些可选的实施例中,第一遮光层30可以包括可遮光的金属材料。金属材料可以包括钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)中的至少一种。如图4所示,氧化物晶体管10包括栅极12。第一遮光层30由上述金属材料形成时,第一遮光层30不仅能够起到遮光和挡氢的作用,还可以复用为氧化物晶体管10的栅极12,以简化膜层结构。
在一些可选的实施例中,衬底01可以是柔性衬底,例如,衬底01可以包括聚酰亚胺(Polyimide,PI)。衬底01也可以是刚性衬底,例如,衬底01为玻璃衬底。
如图1至图3所示,第一遮光层30可以位于第一有源层11背向衬底01的一侧。具体的,氧化物晶体管10包括第一有源层11、第一栅极12、第一源极13和第一漏极14。硅晶体管20包括第二有源层21、第二栅极22、第二源极23和第二漏极24。驱动电路02还可以包括电容60。显示面板100还可以包括层叠设置的缓冲层03、第一栅极绝缘层51、电容绝缘层52、第一层间介质层53、第二栅极绝缘层54、第三栅极绝缘层55、第二层间介质层56、保护层57和平坦化层58。
请继续参考图1至图3,显示面板100的膜层结构具体可以如下:
缓冲层03位于衬底01与第二有源层21之间。缓冲层03的材料可以包括氮化硅、氧化硅中的至少一种。通过设置缓冲层03,可以更好的防止水汽、氧气等入侵至第二有源层21,避免第二有源层21受到损害。
第一栅极绝缘层51位于第二有源层21与第二栅极22之间,且第一栅极绝缘层51覆盖第二有源层21设置。电容绝缘层52位于第二栅极22背向衬底01的一侧,且电容绝缘层52覆盖第二栅极22。第一层间介质层53位于电容绝缘层52背向衬底01的一侧。第二栅极绝缘层54位于第一层间介质层53背向衬底01的一侧,第一有源层11位于第二栅极绝缘层54背向衬底01的一侧。第三栅极绝缘层55位于第一有源层11与第一栅极12之间,且第三栅极绝缘层55覆盖第一有源层11。第二层间介质层56位于第一栅极12背向衬底01的一侧,且第二层间介质层56覆盖第一栅极12。保护层57位于第二层间介质层56背向衬底01的一侧。平坦化层58位于保护层57背向衬底01的一侧。第一源极13、第一漏极14、第二源极23和第二漏极24可以均位于第二层间介质层56和保护层57之间,且第一源极13、第一漏极14分别通过过孔与第一有源层11的源区、漏区连接,第二源极23、第二漏极24分别通过过孔与第二有源层21的源区、漏区连接。
如图1所示,第一遮光层30可以位于保护层57与平坦化层58之间。如图2所示,第一遮光层30可以位于第一栅极12朝向衬底01的一侧。如图3所示,第一遮光层30可以位于第一栅极12朝向衬底01的一侧。当然,第一遮光层30也可以位于第一有源层11朝向衬底01的一侧,或者,第一有源层11背向和朝向衬底01的一侧均设置第一遮光层30,这在本申请的下文中将会有相关介绍。本申请对第一遮光层30在显示面板100中的具体膜层位置不作限定,只要第一遮光层30在衬底01上的正投影至少与第一有源层11在衬底01上的正投影交叠即可。
在一些可选的实施例中,如图5所示,显示面板100还包括电源信号线40,第一遮光层30位于第一有源层11背向衬底01的一侧,至少部分第一遮光层30复用为电源信号线40。示例性的,电源信号线40可以是PVDD信号线。第一遮光层30可以由能够遮光的导电材料形成,使得第一遮光层30既能遮光,又能复用为电源信号线40。具体的,第一遮光层30位于保护层57和平坦化层58之间。第一遮光层30复用为电源信号线40,可以通过过孔与对应的驱动电路02中的晶体管电连接,图5中示例性的示出第一遮光层30通过过孔与硅晶体管20的第二漏极24连接。本申请实施例中,通过将第一遮光层30复用为电源信号线40,能够简化显示面板100的膜层结构,降低成本。
图6示出本申请一种实施例提供的显示面板的俯视示意图。在一些可选的实施例中,如图6所示,显示面板100还包括驱动芯片04。远离驱动芯片04的电源信号线40与第一遮光层30连接,靠近驱动芯片04的电源信号线40与第一遮光层30不连接。驱动芯片04可以位于显示面板100的非显示区NA。各电源信号线40可以位于显示面板100的显示区AA,且沿第二方向Y延伸并在第一方向X上间隔分布。第一方向X可以是显示面板100的行方向,第二方向Y可以是显示面板100的列方向。各电源信号线40的一端可以与驱动芯片04电连接,另一端与驱动电路02电连接,在第二方向Y且远离驱动芯片04的方向上,各电源信号线40上的压降(IR drop)是逐渐增大的,通过将远离驱动芯片04的电源信号线40与第一遮光层30连接,相当于减小了远离驱动芯片04的电源信号线40的电阻,从而可以平衡远离驱动芯片04的电源信号线40和靠近驱动芯片04的电源信号线40的压降,减小两者之间的压降差异,从而避免由于电源信号线40各位置的压降不同而导致显示面板不同区域存在显示差异的问题。
在一些可选的实施例中,如图7所示,第一遮光层30可以覆盖氧化物晶体管10的第一源极13和第一漏极14,第一遮光层30复用为氧化物晶体管的第一源极13和第一漏极14的保护层。第一遮光层30设置在第一源极13和第一漏极14之间复用为保护层,如此可以不用额外设置第一源极13和第一漏极14的保护层,可以简化显示面板的膜层结构,降低成本。
示例性的,第一遮光层30的介电常数范围可以是1~8,使得第一遮光层30的介电常数较大,增加源漏极之间的绝缘性能,防止源漏极之间短接。
示例性的,第一遮光层30在衬底01上的正投影与硅晶体管20的第二有源层21在衬底01上的正投影也可以交叠。第一遮光层30也可以覆盖硅晶体管20的第二源极23和第二漏极24,第一遮光层30也可以复用为硅晶体管20的第二源极23和第二漏极24的保护层。
在一些可选的实施例中,如图8所示,显示面板100的电容60可以位于第一有源层11与衬底01之间,第一遮光层30位于第一有源层11朝向衬底01的一侧,第一遮光层30可以复用为电容60的一个极板。可以理解的是,第一遮光层30复用为电容60的一个极板时,第一遮光层30应当为能够遮光的导电层。
具体的,请继续参考图8,电容60可以包括第一极板61和第二极板62。第一极板61可以与硅晶体管20的第二栅极22同层设置,第二极板62和第一极板61之间间隔有电容绝缘层52。第一遮光层30可以复用为电容60的第一极板61。
根据本申请实施例,将第一遮光层30设置为复用为电容60的一个极板,能够简化显示面板的膜层结构,降低成本。
本申请的发明人发现,氧化物晶体管10的功耗以及漏电流都比较小,相对硅晶体管10,氧化物晶体管10更需要进行遮光保护。在一些可选的实施例中,如图9所示,第一有源层11朝向衬底01的一侧可以层叠设置有两层第一遮光层30,分别为第一子遮光层31和第二子遮光层32,第一子遮光层31位于第一有源层11与第二子遮光层32之间,第一子遮光层31复用为电容60的一个极板,且第一子遮光层31与硅晶体管20的第二栅极22同层设置。这里,第一子遮光层31和第二子遮光层32在衬底01上的正投影与第一有源层11在衬底01上的正投影均存在交叠,即第一子遮光层31和第二子遮光层32对第一有源层11均能够起到遮光保护作用,从而实现对第一有源层11的双重保护,增强对第一有源层11的保护强度。另外,第一子遮光层31与硅晶体管20的第二栅极22同层设置,示例性的,可以采用相同的材料制备第一子遮光层31和第二栅极22,从而可以在一个工艺步骤中同时形成第一子遮光层31和第二栅极22,能够简化工艺制备过程,降低成本。
在一些可选的实施例中,请继续参考图9,显示面板的缓冲层03位于硅晶体管20的第二有源层21与衬底01之间,第二子遮光层32可以位于缓冲层03与衬底01之间。第二子遮光层32在衬底01上的正投影与第一有源层11和第二有源层21在衬底01上的正投影均交叠。也就是说,第二子遮光层32对第一有源层11和第二有源层21均能够起到遮光保护作用,第二子遮光层32能够阻挡光线照射至第一有源层11和第二有源层21,从而避免各晶体管的有源层出现漏电流现象,能够提高各晶体管的稳定性,进一步提高显示面板的显示质量。
图10示出本申请又一种实施例提供的显示面板的结构示意图。如图10所示,显示面板100还包括发光功能层70,发光功能层70包括层叠设置的第一电极71、发光层72及第二电极73。第一电极71位于氧化物晶体管10及硅晶体管20背向衬底一侧,发光层72位于第一电极71背向衬底01的一侧,第二电极73位于发光层72背向第一电极71的一侧。第一电极71、第二电极73中的一个为阳极、另一个为阴极,本申请实施例中,以第一电极71为阳极、第二电极73为阴极为例进行说明。
显示面板100还可以包括像素定义层59,像素定义层59位于平坦化层58背向衬底01的一侧。像素定义层59包括开口区K,开口区K漏出第一电极71,发光层72位于像素定义层59的开口区K内。
第一遮光层30可以位于第一电极71与氧化物晶体管10之间,且第一遮光层30通过过孔与第二电极72连接。通过将第一遮光层30与第二电极72连接,相当于增大了第二电极72在垂直于显示面板出光面方向上的厚度,能够减小第二电极72的电阻,也就是说能够减小第二电极72的压降。应当理解的是,第一遮光层30与第二电极72连接时,第一遮光层30可以是遮光的导电结构。
示例性的,氧化物晶体管10第一源极13和第一漏极14,以及硅晶体管20的第二源极23和第二漏极24可以均位于第二层间介质层56和保护层57之间,第一电极71与保护层57之间设置有平坦化层58,第一遮光层30可以设置在保护层57与平坦化层58之间。另外,显示面板100还可以包括与第一遮光层30同层设置的转接层711,使第一电极71通过转接层711与驱动电路02中对应的晶体管电连接。如图10所示,第一电极71通过过孔转接层711连接,转接层711通过过孔与硅晶体管20的第二源极23连接。通过将转接层711与第一遮光层30同层设置,可以采用同一导电材料形成转接层711和第一遮光层30,从而在同一工艺中同时形成转接层711和第一遮光层30,简化工艺步骤。另外,通过设置转接层711,相当于第一电极71通过两个浅孔与驱动电路02中对应的晶体管实现了电连接,能够降低打孔难度。
在一些可选的实施例中,如图11和图12所示,显示面板100还可以包括第二遮光层80。在垂直于显示面板100出光面的方向上,第二遮光层80具有第一截面S1,第一截面S1与衬底01相交。也就是说,在垂直于显示面板100出光面的方向上,第二遮光层80具有一定的高度。在平行于显示面板100出光面的方向上,第二遮光层80具有第二截面S2,第二截面S2至少部分围绕氧化物晶体管10。也就是说,第二遮光层80至少部分包围氧化物晶体管10。通过设置第二遮光层80,可以实现对氧化物晶体管10更为全面的遮光保护。
示例性的,请继续参考图12,在垂直于显示面板100出光面的方向上,第一截面S1的长度大于或等于氧化物晶体管10的第一源极13、第一漏极14与第一有源层11之间的距离。如此,可以实现对氧化物晶体管10进行有效的遮光保护。
示例性的,氧化物晶体管10的第一源级13、第一漏极14均位于第二层间介质层56和保护层57之间,氧化物晶体管10的第一有源层11位于第二栅极绝缘层54背向衬底01的一侧。在垂直于显示面板100出光面的方向上,第一截面S1可以至少自第一有源层11朝向衬底01的表面延伸至第一源级13、第一漏极14背向衬底01的表面。
在一些可选的实施例中,请继续参考图12,第二遮光层80可以与第一遮光层30接触设置。第一有源层11朝向衬底01的一侧及背向衬底01的一侧均设置有第一遮光层30,例如,保护层57背向衬底01的一侧可以设置有第一遮光层30,且缓冲层03朝向衬底01的一侧也设置有第一遮光层30。在平行于显示面板100出光面的方向上,第二遮光层80的第二截面S2可以包围氧化物晶体管10,第二遮光层80与第一遮光层30一起构成对氧化物晶体管10的封闭保护,进一步增强对氧化物晶体管10的保护程度。
在一些可选的实施例中,第一遮光层30和第二遮光层80可以均为有机层。
在另一些可选的实施例中,第一遮光层30和第二遮光层80可以均为导电结构且连接固定电位。如此,可以实现对氧化物晶体管10进行静电防护。
在另一些可选的实施例中,如图13和图14所示,第一有源层11可以包括沟道区111,以及在第一方向X上位于沟道区111两侧的源区112和漏区113。沟道区111受光照和氢影响较大。第一遮光层30和第二遮光层80可以环绕沟道区111设置(图14中被第二遮光层80遮挡的部分第一有源层11未示意出来)。示例性的,第一遮光层30和第二遮光层80可以复用为氧化物晶体管10的第一栅极12,由于第一遮光层30和第二遮光层80环绕沟道区111,相当于增大了第一栅极12的面积,从而增强第一栅极12的控制能力,能够进一步提高氧化物晶体管10的稳定性。
在一些可选的实施例中,第一遮光层30及第二遮光层80可以包括非金属材料。非金属材料可以包括石墨、碳纳米管、聚吡咯、聚苯胺中的至少一种。上述非金属材料均为黑色材料,因此,第一遮光层30和第二遮光层80采用上述材料既能遮光,又能阻挡氢扩散至第一有源层11的沟道区111。
在另一些可选的实施例中,第一遮光层30及第二遮光层80可以包括可遮光的金属材料。金属材料可以包括钛(Ti)、铝(Al)、钼(Mo)中的至少一种。第一遮光层30及第二遮光层80由上述金属材料形成时,第一遮光层30和第二遮光层80不仅能够起到遮光和挡氢的作用,还可以复用为氧化物晶体管10的栅极12,以简化膜层结构。
在一些可选的实施例中,第一遮光层30在衬底01上的正投影面积可以大于或等于第一有源层11在衬底01上的正投影面积。例如,显示面板可以为顶发光显示面板,可以将第一遮光层30的面积设置的比较大,以实现对第一有源层11进行更好的遮光保护。又例如,显示面板可以是底发光显示面板,可以将第一遮光层30的面积设置的相对较小一些,以避免影响显示面板的出光面积。对于底发光显示面板,为了实现避免影响显示面板的出光面积的同时,又能对第一有源层11进行较好的遮光保护,可以将第一遮光层30在衬底01上的正投影面积设置为等于第一有源层11在衬底01上的正投影面积。
本领域内技术人员应该理解,在本申请的其他实现方式中,显示面板还可以微型发光二极管(Micro LED)显示面板,量子点显示面板等。
本申请还提供了一种显示装置,包括本申请提供的显示面板。请参考图15,图15是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图15提供的显示装置1000包括本申请上述任一实施例提供的显示面板100。图15实施例仅以手机为例,对显示装置1000进行说明,可以理解的是,本申请实施例提供的显示装置,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置,本申请对此不作具体限制。本申请实施例提供的显示装置,具有本申请实施例提供的显示面板的有益效果,具体可以参考上述各实施例对于显示面板的具体说明,本实施例在此不再赘述。
依照本申请如上文所述的实施例,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该申请仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本申请的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (13)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
驱动电路,包括设置于所述衬底的氧化物晶体管及硅晶体管,所述氧化物晶体管包括第一有源层;
第一遮光层,与所述第一有源层层叠设置,且所述第一遮光层在所述衬底上的正投影至少与所述第一有源层在所述衬底上的正投影交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括电源信号线,所述第一遮光层位于所述第一有源层背向所述衬底的一侧,至少部分所述第一遮光层复用为所述电源信号线。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括驱动芯片,远离所述驱动芯片的所述电源信号线与所述第一遮光层连接,靠近所述驱动芯片的所述电源信号线与所述第一遮光层不连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光层覆盖所述氧化物晶体管的源漏极,所述第一遮光层复用为所述氧化物晶体管的源漏极的保护层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括电容,所述电容位于所述第一有源层与所述衬底之间,所述第一遮光层位于所述第一有源层朝向所述衬底的一侧,所述第一遮光层复用为所述电容的一个极板。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层朝向所述衬底的一侧层叠设置有两层所述第一遮光层,分别为第一子遮光层和第二子遮光层,所述第一子遮光层位于所述第一有源层与所述第二子遮光层之间,所述第一子遮光层复用为所述电容的一个极板,且所述第一子遮光层与所述硅晶体管的栅极同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述硅晶体管包括第二有源层,所述显示面板还包括缓冲层,所述缓冲层位于所述第二有源层与所述衬底之间,所述第二子遮光层位于所述缓冲层与所述衬底之间;
所述第二子遮光层在所述衬底上的正投影与所述第一有源层和所述第二有源层在所述衬底上的正投影均交叠。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光功能层,所述发光功能层包括层叠设置的第一电极、发光层及第二电极;
所述第一电极位于所述氧化物晶体管及所述硅晶体管背向所述衬底一侧,所述发光层位于所述第一电极背向所述衬底的一侧,所述第二电极位于所述发光层背向所述第一电极的一侧;
所述第一遮光层位于所述第一电极与所述氧化物晶体管之间,且所述第一遮光层通过过孔与所述第二电极连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二遮光层,在垂直于所述显示面板出光面的方向上,所述第二遮光层具有第一截面,所述第一截面与所述衬底相交,在平行于所述显示面板出光面的方向上,所述第二遮光层具有第二截面,所述第二截面至少部分围绕所述氧化物晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,在垂直于所述显示面板出光面的方向上,所述第一截面的长度大于或等于所述氧化物晶体管的源漏极与所述第一有源层之间的距离。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光层与所述第一遮光层接触设置,所述第一遮光层和所述第二遮光层为有机层,或者,所述第一遮光层和所述第二遮光层为导电结构且连接固定电位。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光层在所述衬底上的正投影面积大于或等于所述第一有源层在所述衬底上的正投影面积。
13.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1至12任一项所述显示面板。
CN202011193885.3A 2020-10-30 2020-10-30 显示面板及显示装置 Pending CN112289841A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011193885.3A CN112289841A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 显示面板及显示装置
US17/451,973 US20220140043A1 (en) 2020-10-30 2021-10-22 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011193885.3A CN112289841A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 显示面板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112289841A true CN112289841A (zh) 2021-01-29

Family

ID=74352691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011193885.3A Pending CN112289841A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 显示面板及显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220140043A1 (zh)
CN (1) CN112289841A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113805393A (zh) * 2021-08-25 2021-12-17 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及电子终端
CN114326141A (zh) * 2021-12-20 2022-04-12 宁波维真显示科技股份有限公司 一种阶梯型3dled显示装置及其形成方法
WO2022188116A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示面板和显示装置
WO2022198573A1 (zh) * 2021-03-25 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
WO2023155249A1 (zh) * 2022-02-17 2023-08-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 驱动基板及其制作方法、显示面板
WO2023245538A1 (zh) * 2022-06-23 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112802883A (zh) * 2021-02-05 2021-05-14 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1039335A (ja) * 1996-07-25 1998-02-13 Seiko Epson Corp 液晶装置
JP2000292812A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US20110241005A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2015167189A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 凸版印刷株式会社 アクティブマトリックス基板
CN106339660A (zh) * 2015-07-16 2017-01-18 上海箩箕技术有限公司 光学指纹传感器
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107093618A (zh) * 2017-05-04 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素电路结构及使用其的显示器件
CN107248373A (zh) * 2017-06-08 2017-10-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
CN206618932U (zh) * 2017-03-14 2017-11-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN207301569U (zh) * 2017-10-26 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108573956A (zh) * 2018-04-17 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN208622728U (zh) * 2018-09-07 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN109686770A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109728001A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110061014A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110211975A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置
CN110400811A (zh) * 2019-08-30 2019-11-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板和显示装置
CN110729313A (zh) * 2019-11-29 2020-01-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板制备方法、显示装置
CN111063692A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示装置的制作方法
CN111341814A (zh) * 2020-03-11 2020-06-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN111710707A (zh) * 2020-06-30 2020-09-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111710685A (zh) * 2020-06-30 2020-09-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111834412A (zh) * 2019-04-16 2020-10-27 三星显示有限公司 显示设备

Patent Citations (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1039335A (ja) * 1996-07-25 1998-02-13 Seiko Epson Corp 液晶装置
JP2000292812A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US20110241005A1 (en) * 2010-04-05 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2015167189A (ja) * 2014-03-04 2015-09-24 凸版印刷株式会社 アクティブマトリックス基板
CN106339660A (zh) * 2015-07-16 2017-01-18 上海箩箕技术有限公司 光学指纹传感器
CN106855670A (zh) * 2017-02-28 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN206618932U (zh) * 2017-03-14 2017-11-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107093618A (zh) * 2017-05-04 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 像素电路结构及使用其的显示器件
CN107248373A (zh) * 2017-06-08 2017-10-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及制作方法、显示装置
CN207301569U (zh) * 2017-10-26 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108573956A (zh) * 2018-04-17 2018-09-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN208622728U (zh) * 2018-09-07 2019-03-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN109686770A (zh) * 2018-12-25 2019-04-26 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109728001A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111834412A (zh) * 2019-04-16 2020-10-27 三星显示有限公司 显示设备
CN110061014A (zh) * 2019-04-30 2019-07-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110211975A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置
CN110400811A (zh) * 2019-08-30 2019-11-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板和显示装置
CN110729313A (zh) * 2019-11-29 2020-01-24 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板制备方法、显示装置
CN111063692A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及显示装置的制作方法
CN111341814A (zh) * 2020-03-11 2020-06-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN111710707A (zh) * 2020-06-30 2020-09-25 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111710685A (zh) * 2020-06-30 2020-09-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022188116A1 (zh) * 2021-03-11 2022-09-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示面板和显示装置
US11937465B2 (en) 2021-03-11 2024-03-19 Boe Technology Group Co., Ltd Array substrate, display panel and display device thereof
WO2022198573A1 (zh) * 2021-03-25 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置
GB2609577A (en) * 2021-03-25 2023-02-08 Boe Technology Group Co Ltd Display substrate and display device
CN113805393A (zh) * 2021-08-25 2021-12-17 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及电子终端
CN114326141A (zh) * 2021-12-20 2022-04-12 宁波维真显示科技股份有限公司 一种阶梯型3dled显示装置及其形成方法
CN114326141B (zh) * 2021-12-20 2024-03-15 宁波维真显示科技股份有限公司 一种阶梯型3dled显示装置及其形成方法
WO2023155249A1 (zh) * 2022-02-17 2023-08-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 驱动基板及其制作方法、显示面板
WO2023245538A1 (zh) * 2022-06-23 2023-12-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220140043A1 (en) 2022-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112289841A (zh) 显示面板及显示装置
US11152443B2 (en) Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same
KR100354639B1 (ko) El 표시 장치
KR100963075B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치
CN106992185B (zh) 薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法
KR20200060761A (ko) Tft기판과 그의 제조방법, 및 oled패널의 제조방법
CN111587453B (zh) 显示装置
US20160005803A1 (en) Organic electroluminescent device
CN103594476B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法以及使用其的有机发光显示装置
WO2021000835A1 (zh) 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111710685B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
JP2023547741A (ja) 表示パネル及び電子表示装置
CN114023764A (zh) 显示面板及显示装置
US7079093B2 (en) Organic light emitting diodes display
CN113327936A (zh) 阵列基板及其制备方法
JP2001100655A (ja) El表示装置
JP2015049949A (ja) 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
CN114256314A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
JP2015176800A (ja) 発光表示装置
CN111403489B (zh) 薄膜晶体管、显示基板及其制作方法
US11569332B2 (en) Display substrate and display device
CN113178492A (zh) 显示面板及显示装置
CN112289813B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN112289812B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
KR20160053383A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination