CN111834412A - 显示设备 - Google Patents

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CN111834412A
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CN
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insulating layer
layer
pattern
display device
transistor
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CN202010301344.1A
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李东范
金喆镐
朴允桓
裴寅浚
徐右吏
全珍
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示设备包括：基板；有源层；在有源层上的第一绝缘层；在第一绝缘层上并且包括栅电极的第一导电层；在第一导电层上的第二绝缘层；在第二绝缘层上的第二导电层；在第二导电层上的第三绝缘层；和在第三绝缘层上并且包括通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到第一有源图案的源区的源电极和连接到漏区的漏电极的第三导电层，其中，第一有源图案、栅电极、源电极和漏电极构成薄膜晶体管，显示设备进一步包括围绕薄膜晶体管的至少一个遮光图案，其中，遮光图案包括侧面遮光图案，使得第三导电层至少穿过第三绝缘层。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年4月16日提交至韩国知识产权局的第10-2019-0044416号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及一种显示设备。
背景技术
随着多媒体的发展，显示设备变得越来越重要。相应地，使用了各种类型的显示设备，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)等。在显示设备中，有机发光显示设备使用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光元件来显示图像。有机发光显示设备包括将驱动电流提供给有机发光元件的多个晶体管。
同时，为了实现无边框(或更小边框)的显示设备，以呼叫模式操作的红外线(IR)传感器可以位于显示设备的显示区域中。然而，由于当IR传感器被操作时发射的IR光，显示设备的晶体管的特性可能改变。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些示例实施例的方面包括一种能够防止或减少由于当IR传感器被操作时发射的IR光引起的显示设备的晶体管的特性的变化的显示设备。
然而，本公开的实施例的方面不限于此。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据一些示例实施例，可以提供一种能够防止或减少由于IR传感器被操作时发射的IR光引起的显示设备的晶体管的特性的变化的显示设备，而不用额外的处理。
根据本公开的示例实施例的特征不限于以上描述的特征，并且从下面的描述中，本文中未描述的其它特征对于本领域技术人员将变得更加显而易见。
根据一些示例实施例，一种显示设备包括：基板；在基板上的有源层，有源层包括第一有源图案，第一有源图案包括源区、漏区以及在源区和漏区之间的有源区；在有源层上的第一绝缘层；在第一绝缘层上并且包括栅电极的第一导电层；在第一导电层上的第二绝缘层；在第二绝缘层上的第二导电层；在第二导电层上的第三绝缘层；和第三导电层，在第三绝缘层上并且包括通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到第一有源图案的源区的源电极以及通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到第一有源图案的漏区的漏电极，其中，第一有源图案、栅电极、源电极和漏电极构成薄膜晶体管，显示设备进一步包括在平面图中围绕薄膜晶体管的至少一个遮光图案，其中，遮光图案包括侧面遮光图案，使得第三导电层的构成材料在厚度方向上至少穿过第三绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案被形成，使得第三导电层的构成材料在厚度方向上穿过第三绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过第二绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过第一绝缘层的一部分，以在第一绝缘层内终止。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案使用半色调或狭缝掩模形成。
根据一些示例实施例，薄膜晶体管被配置为电连接到驱动晶体管。
根据一些示例实施例，遮光图案被提供为多个遮光图案，第二导电层包括第一数据图案，并且多个遮光图案包括第一遮光图案，使得第一数据图案的构成材料穿过第三绝缘层。
根据一些示例实施例，遮光图案进一步包括在基板和有源层之间的下遮光图案，其中，下遮光图案的平面尺寸大于有源层的平面尺寸。
根据一些示例实施例，有源层和下遮光图案使用相同的掩模形成。
根据一些示例实施例，下遮光图案完全覆盖有源层。
根据一些示例实施例，下遮光图案的平面形状与有源层的平面形状相同。
根据一些示例实施例，下遮光图案包括金属材料。
根据一些示例实施例，基板包括在其中放置有包括薄膜晶体管的多个像素的显示区域和在显示区域周围的非显示区域，显示设备进一步包括：在基板下方的下盖板以及在平面图中被下盖板包围且在基板的显示区域下方的光学传感器。
根据一些示例实施例，显示区域包括在其中放置有光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置光学传感器的光学传感器非布置区域，并且其中，侧面遮光图案在光学传感器布置区域中，并且不在光学传感器非布置区域中。
根据一些示例实施例，显示区域包括在其中放置有光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置光学传感器的光学传感器非布置区域，并且其中，侧面遮光图案在光学传感器布置区域和光学传感器非布置区域中。
根据一些示例实施例，显示设备包括：显示面板；在显示面板下方的下面板片；和在显示面板下方并且在平面图中在下面板片内的光学传感器，其中，显示面板包括：显示基板；在显示基板上的有源层，有源层包括第一有源图案，第一有源图案包括源区、漏区以及在源区和漏区之间的有源区；在有源层上的第一绝缘层；在第一绝缘层上并且包括栅电极的第一导电层；在第一导电层上的第二绝缘层；在第二绝缘层上的第二导电层；在第二导电层上的第三绝缘层；和第三导电层，在第三绝缘层上并且包括通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到第一有源图案的源区的源电极以及通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到第一有源图案的漏区的漏电极，其中，第一有源图案、栅电极、源电极和漏电极构成电连接到驱动晶体管的第一晶体管，显示设备进一步包括在平面图中围绕第一晶体管的多个遮光图案，其中，遮光图案包括侧面遮光图案，使得第三导电层的构成材料在厚度方向上至少穿过第三绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案被形成，使得第三导电层的构成材料在厚度方向上穿过第三绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过第二绝缘层。
根据一些示例实施例，侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过第一绝缘层的一部分，以在第一绝缘层内终止。
根据一些示例实施例，显示基板包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域，显示区域包括在其中放置有光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置光学传感器的光学传感器非布置区域，并且其中，侧面遮光图案在光学传感器布置区域中，并且不在光学传感器非布置区域中。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本公开的示例实施例的方面，本公开的一些示例实施例的以上和其它方面以及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是根据一些示例实施例的显示设备的透视图；
图2是根据一些示例实施例的显示设备的分解透视图；
图3是沿图2的线III-III′截取的截面图；
图4是根据一些示例性实施例的下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图；
图5是根据一些示例实施例的显示设备的示意性框图；
图6是根据一些示例实施例的显示设备的一个像素的等效电路图；
图7是根据一些示例实施例的显示设备的一个像素的布局图；
图8是图7的半导体层和下遮光层的布局图；
图9是沿图7的线VIII-VIII′截取的截面图；
图10是沿图7的线IX-IX′截取的截面图；
图11是沿图7的线X-X'截取的截面图；
图12是沿图7的线XI-XI'截取的截面图；
图13是沿图7的线XII-XII'截取的截面图；
图14是沿图7的线XIII-XIII'截取的截面图；
图15是沿图7的线XIV-XIV'截取的截面图；
图16是沿图7的线XV-XV'截取的截面图；
图17是示出在第三晶体管T3中发生漏电流的情况的一个像素的等效电路图；
图18是示出在第四晶体管T4中发生漏电流的情况的一个像素的等效电路图；
图19是根据一些示例实施例的显示设备的一个像素的布局图；
图20是沿图19的线XVII-XVII'截取的截面图；
图21是根据一些示例实施例的显示设备的像素的布局图；
图22是图21的晶体管和第四导电层的示意性截面图；
图23是根据一些示例性实施例的下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图；并且
图24是根据一些示例性实施例的下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述一些示例实施例的方面。在下面的描述中，有机发光显示设备被用作显示设备的示例。
图1是根据一些示例实施例的显示设备的透视图。图2是根据一些示例实施例的显示设备的分解透视图。图3是沿图2的线III-III′截取的截面图。图4是下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图。
如本文中使用的术语“上方”、“顶部”、和“上表面”指的是稍后要描述的窗口100相对于显示面板300放置的方向，例如，第三方向DR3的一个方向，并且如本文中使用的术语“下方”、“底部”和“下表面”指的是下框架500相对于显示面板300放置的方向，例如，第三方向DR3的另一方向。
参考图1至图4，根据一些示例实施例的显示设备1包括窗口100、放置在窗口100下方的触摸构件200、位于触摸构件200下方的显示面板300、附接至显示面板300的显示电路板600、位于显示电路板600上的显示驱动器610、位于显示面板300下方的下盖板400(在下文中也被称为下面板片400)、位于下盖板400下方并且包括物理地连接到显示电路板600的第一连接器630的第二连接器850的主电路板800、位于主电路板800上的光学传感器810和主驱动器840、以及下框架500。
显示设备1可以在平面图中具有矩形形状。例如，如图1和图中2所示，显示设备1可以在平面图中具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向DR1上的长边和在第二方向DR2上的短边。在第一方向DR1上的长边和在第二方向DR2上的短边相交的边缘可以以一曲率(例如，预定曲率)修圆或以直角形成。显示设备1的平面形状不限于矩形形状，而是可以以诸如圆形形状或椭圆形形状的其它多边形形状被形成。
窗口100可以位于显示面板300上方以覆盖显示面板300的上表面。从而，窗口100可以起到保护显示面板300的上表面的作用。窗口100可以由玻璃、蓝宝石和/或塑料制成。窗口100可以是刚性的或柔性的。
触摸构件200可以位于窗口100和显示面板300之间。触摸构件200是用于感测用户的触摸位置的设备，并且可以被实现为诸如自电容类型或互电容类型的电容类型。触摸构件200可以以面板形式或膜形式被形成。可替代地，触摸构件200可以与显示面板300一体地形成。在这种情况下，触摸构件200的触摸驱动电极和触摸感测电极可以形成在显示面板300的薄膜封装层上。根据一些示例实施例，包括电连接到触摸构件200的触摸驱动电极和触摸感测电极的触摸驱动器的触摸电路板可以附接到触摸构件200的一侧。触摸电路板可以是柔性印刷电路板。触摸驱动器可以被形成为集成电路。
显示面板300可以是例如有机发光显示面板。在下面的实施例中，有机发光显示面板被应用为显示面板300的情况将被图示为示例，但是根据本公开的实施例不限于此，并且诸如液晶显示(LCD)面板、量子点有机发光显示(QD-OLED)面板、量子点液晶显示(QD-LCD)面板、量子纳米发光显示(QNED)面板和微LED面板的其它类型的显示面板可以被应用为显示面板300。
显示面板300包括包含用于显示图像的多个像素的显示区域DA和位于显示区域DA周围的非显示区域NA。显示面板300包括显示基板710(在下文中也被称为基板710)(参见图9)、在显示基板710上位于显示区域DA中的多个晶体管T1至T7(参见图6)以及电连接到多个晶体管T1至T7并且包括阳极电极、有机发光层和阴极电极的有机发光元件。每个像素可以包括多个晶体管T1至T7和有机发光元件。当电压被施加到阳极电极和阴极电极时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层，并且在有机发光层中彼此复合以发光。稍后将更详细地描述显示面板300的特定截面形状。
封装层位于有机发光元件上。封装层用于防止或减少氧气或湿气渗入有机发光元件的情况。封装层可以包括至少一层无机膜和至少一层有机膜。
显示电路板600可以附接到显示面板300的一侧。例如，显示电路板600可以使用各向异性导电膜附接到提供在显示面板300的一侧上的焊盘。根据一些示例实施例，显示电路板600可以经由超声焊接而附接到显示面板300的一侧。显示驱动器610通过显示电路板600输出用于驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动器610可以被形成为集成电路并且安装在显示电路板600上，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，显示驱动器610可以附接到显示面板300的基板710的上表面或下表面的一侧。
下盖板400位于显示面板300的下方。下盖板400包括至少一个功能层。功能层可以是执行散热功能、电磁屏蔽功能、接地功能、缓冲功能、刚度增强功能、支撑功能和/或数字化功能的层。功能层可以是片层、膜层、薄层、涂层、面板、平板等。一个功能层可以由单层形成，但是也可以由多个叠层的薄膜或涂层形成。功能层可以是例如支撑基板、散热层、电磁屏蔽层、冲击吸收层、数字转换器等。
下盖板400包括电缆孔CAH和暴露位于主电路板800上的光学传感器810的传感器孔SH，显示电路板600的第一连接器630在厚度方向上穿过电缆孔CAH。由于下盖板400具有暴露光学传感器810的传感器孔SH，因此光学传感器810可以平滑地朝向显示表面行进。
物理地连接到显示电路板600的主电路板800可以位于下盖板400的下方。位于主电路板800上的主驱动器840可以用于控制以上描述的显示驱动器610。
第一光学透明粘合构件AM1可以位于窗口100和触摸构件200之间，第二光学透明粘合构件AM2可以位于触摸构件200与显示面板300之间，并且第三光学透明粘合构件AM3可以位于显示面板300与下盖板400之间。光学透明粘合构件AM1、AM2和AM3可以将邻近的构件彼此耦接。光学透明粘合构件AM1、AM2和AM3中的每一个可以包括光学透明粘合膜、光学透明粘合带和光学透明树脂中的至少一种。根据一些示例实施例的第一光学透明粘合构件AM1和第二光学透明粘合构件AM2中的每一个可以具有比第三光学透明粘合构件AM3更高的光学透明度。从而，当显示设备1是顶部发射型显示设备时，可以提高从显示面板300发射到显示表面的出射光的透光率。
然而，不限于此，第一光学透明粘合构件AM1和第二光学透明粘合构件AM2的光学透明度可以与第三光学透明粘合构件AM3的光学透明度相同。
如图3中所示，光学传感器810可以包括光发射器820和光接收器830。光发射器820在显示设备1的呼叫模式下操作，以通过下盖板400的传感器孔SH在向上方向上输出传感器光SL。从光发射器820发射的传感器光SL可以穿过上结构(显示面板300、触摸构件200和窗口100)并且接触用户的身体部分。然后，传感器光SL的至少一部分可以从用户的身体部分反射并入射在光接收器830上。当参考水平(例如，预定参考水平)或更高水平的光入射到光接收器830上时，光学传感器810停止显示显示设备1的屏幕。因此，可以防止在呼叫模式下由用户的身体部分通过显示设备1的显示表面输入触摸信息。根据一些示例实施例，光学传感器810可以是但不限于面部识别装置、指纹识别装置、红外照相机或使用光的单个照相机。
然而，因为光学传感器810被设置为与显示区域DA重叠并且从光学传感器810发射的传感器光SL穿过显示区域DA，所以可能由于传感器光SL而出现针对每个像素布置的多个晶体管T1至T7的异常截止电流。例如，当由于传感器光SL而在稍后要更详细描述的第三晶体管T3和第四晶体管T4(参见图6)中出现截止电流时，驱动晶体管T1(参见图6)的栅电压可能变化，并且可能出现与设置的参考等级不同的等级。为了防止这种现象，根据一些示例实施例的显示面板300可以包括遮光图案，该遮光图案包括在半导体层下方的下遮光层(也可以被称为下遮光图案)和在多个半导体层的侧面的侧面遮光图案。
参考图4，显示面板300可以包括以上描述的遮光图案LSP。遮光图案LSP可以包括下遮光层BLSL和侧面遮光图案LSP1至LSP5。遮光图案LSP可以被布置为与光学传感器810重叠。如图4所示，遮光图案LSP可以被布置为与下面板片400的传感器孔SH重叠。遮光图案LSP的平面尺寸可以与传感器孔SH的平面尺寸完全相同。由于在平面图中遮光图案LSP覆盖传感器孔SH，所以可以防止穿过传感器孔SH发射的传感器光LS进入被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠的显示面板300的至少一个晶体管的半导体层ACT(参见图7)。稍后将更详细地描述遮光图案LSP。
图5是根据实施例的显示设备的示意性框图。
参考图5，显示设备1包括包含多个像素10的显示区域DA、扫描驱动器20、数据驱动器30(图2中的显示驱动器610)、发射控制驱动器40和控制器50。控制器50起到控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的作用。控制器50可以是图2的主驱动器840。
显示区域DA包括多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n(n为2或更大的整数)、多条数据线DL1至DLm(m是2或更大的整数)、多条发射控制线EL1至ELn和布置在多条发射控制线EL1至ELn与多条数据线DL1至DLm的交叉处并且以矩阵形式布置的多个像素10。
多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n以及多条发射控制线EL1至ELn可以在行方向上延伸，并且多条数据线DL1至DLm可以在列方向上延伸。行方向和列方向可以彼此切换。初始化电压供应线可以针对每一行进行分支以在行方向上延伸，并且第一源电压供应线可以针对每一列进行分支以在列方向上延伸。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且初始化电压供应线和第一源电压供应线的延伸方向可以被不同地修改。
三条扫描线SL11、SL21和SL31、一条数据线DL1、一条发射控制线EL1、一条初始化电压供应线和一条第一源电压供应线可以穿过作为示例像素的第一行和第一列的像素10。相同的线可以穿过其它像素10。
扫描驱动器20通过多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n生成三个扫描信号并将三个扫描信号传送给每个像素10。即，扫描驱动器20将扫描信号顺序地供给至第一组扫描线SL11至SL1n、第二组扫描线SL21至SL2n和第三组扫描线SL31至SL3n。
数据驱动器30通过多条数据线DL1至DLm将数据信号传送给每个像素10。每当扫描信号被供给至第一组扫描线SL11至SL1n时，数据信号被供给至由扫描信号选择的像素10。
发射控制驱动器40产生发射控制信号，并且通过多条发射控制线EL1至ELn将发射控制信号传送给每个像素10。发射控制信号控制像素10的发射时间。取决于像素10的内部结构或者当扫描驱动器20生成发射控制信号以及扫描信号时，发射控制驱动器40可以被省略。
控制器50将从外部传送的多个图像信号R、G和B转换为多个图像数据信号DR、DG和DB，并且将多个图像数据信号DR、DG和DB传送给数据驱动器30。此外，控制器50接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，并且生成用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号并且将所生成的控制信号传送给扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。即，控制器50分别生成并且传送用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS和用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS。
多个像素10中的每一个像素10被供给有第一源电压ELVDD和第二源电压ELVSS。第一源电压ELVDD可以是高电平电压(例如，预定的高电平电压)，并且第二源电压ELVSS可以是低于第一源电压ELVDD的电压。
多个像素10中的每一个像素10通过根据经由多条数据线DL1至DLm传送的数据信号供给至有机发光元件的驱动电流来发射一亮度(例如，预定亮度)的光。
可以从外部电压源供给第一源电压ELVDD、第二源电压ELVSS、初始化电压VINT等。
图6是根据实施例的显示设备的一个像素的等效电路图。
参考图6，显示设备1的一个像素的电路包括有机发光二极管OLED、多个晶体管T1至T7和存储电容器Cst。数据信号DATA、第一扫描信号GW-n、第二扫描信号GW-p、第三扫描信号GI、发射控制信号EM、第一源电压ELVDD、第二源电压ELVSS和初始化电压VINT被施加至一个像素的电路。
有机发光二极管OLED包括阳极电极和阴极电极。存储电容器Cst包括第一电极和第二电极。
多个晶体管可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7。晶体管T1至T7包括栅电极、第一电极和第二电极。晶体管T1至T7中的每一个的第一电极和第二电极中的一个电极是源电极，并且另一个电极是漏电极。
晶体管T1至T7中的每一个可以是薄膜晶体管。
在下文中，将更详细地描述每个部件。
第一晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的第一电极。第一晶体管T1的第一电极连接到用于经由第五晶体管T5施加第一源电压ELVDD的第一源电压供应线VDDL。第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据信号DATA，并且将驱动电流Id供给至有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2的栅电极连接到用于施加第二扫描信号GW-p的第二扫描线SLn。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线DLm。第二晶体管T2的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极，并且经由第五晶体管T5连接到第一源电压供应线VDDL。第二晶体管T2根据第二扫描信号GW-p而导通，并且执行将数据信号DATA传送给第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
第三晶体管T3的栅电极连接到用于施加第一扫描信号GW-n的第一扫描线SLn-1。第三晶体管T3的第一电极连接到存储电容器Cst的第一电极和第一晶体管T1的栅电极，并且第三晶体管T3的第二电极连接到用于施加初始化电压VINT的初始化电压供应线ViniL。
第四晶体管T4的栅电极连接到用于施加第三扫描信号GI的第三扫描线SLn+1。第四晶体管T4的第二电极连接到初始化电压供应线ViniL和第三晶体管T3的第二电极。第四晶体管T4的第一电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极和第六晶体管T6的第二电极。
第五晶体管T5的栅电极连接到用于施加发射控制信号EM的发射控制线ELn。第五晶体管T5的第一电极连接到用于施加第一源电压ELVDD的第一源电压供应线VDDL。第五晶体管T5的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。
第六晶体管T6的栅电极连接到用于施加发射控制信号EM的发射控制线ELn。第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极。第六晶体管T6的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
响应于发射控制信号EM，第五晶体管T5和第六晶体管T6同时导通，使得驱动电流Id流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7的栅电极连接到用于施加第二扫描信号GW-p的第二扫描线SLn。第七晶体管T7的第一电极连接到第六晶体管T6的第一电极和第一晶体管T1的第二电极。第七晶体管T7的第二电极连接到第三晶体管T3的第一电极、存储电容器Cst的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。同时，如图6中所示，第三晶体管T3和第七晶体管T7可以由双晶体管形成，但是根据本公开的实施例不限于此。
存储电容器Cst的第二电极连接到第一源电压供应线VDDL。存储电容器Cst的第一电极连接到第一晶体管T1的栅电极和第三晶体管T3的第一电极两者。有机发光二极管OLED的阴极电极连接到第二源电压ELVSS的第二源电压供应线VSSL。有机发光二极管OLED从第一晶体管T1接收驱动电流Id并且发光以显示图像。
在下文中，将更详细地描述以上描述的像素的平面布置和截面结构。
图7是根据实施例的显示设备的一个像素的布局图。图8是图7的半导体层和下遮光层的布局图。图9是沿图7的线VIII-VIII′截取的截面图。图10是沿图7的线IX-IX′截取的截面图。图11是沿图7的线X-X'截取的截面图。图12是沿图7的线XI-XI'截取的截面图。图13是沿图7的线XII-XII'截取的截面图。图14是沿图7的线XIII-XIII'截取的截面图。图15是沿图7的线XIV-XIV'截取的截面图。图16是沿图7的线XV-XV'截取的截面图。
在下面的实施例中，即使元件中的一些元件与参考图1至图6提到的元件基本上相同，也用新的附图标记来指代，以有助于描述元件之间的布置和耦接关系。
此外，图7及其截面图是被布置为在厚度方向上与下面板片400的传感器孔SH重叠的显示面板300的像素的布局图及其截面图。
参考图7至图16，如以上描述的，像素包括多个晶体管T1至T7、存储电容器Cst(参见图6)和有机发光二极管OLED(参见图6)。此外，像素可以包括布置在每个像素的多个晶体管T1至T7周围的多个侧面遮光图案LSP1至LSP5。具体地，侧面遮光图案LSP1至LSP5位于第一晶体管T1和第二晶体管T2的侧表面上，从而防止(或至少减轻)以上描述的传感器光SL进入第一晶体管T1和第二晶体管T2的半导体层。
图7至图16示出了侧面遮光图案LSP1至LSP5的示例布置。如以下描述的，可以对侧面遮光图案的布置进行各种修改。
晶体管T1至T7包括形成电极的导电层、形成沟道的半导体层和绝缘层。存储电容器Cst包括形成电极的导电层和位于导电层之间的绝缘层。有机发光二极管OLED包括形成阳极电极和阴极电极的导电层以及位于阳极电极和阴极电极之间的有机发光层。各个元件的电连接可以通过由导电层制成的布线和/或由导电材料制成的通孔来进行。导电材料、导电层、半导体层、绝缘层、有机发光层等位于基板710上。
像素可以包括顺序地布置的基板710、缓冲层720、下遮光层BLSL、半导体层ACT、第一绝缘层730、第一导电层310、第二绝缘层740、第二导电层320、第三绝缘层750、第三导电层330、通孔层760和第四导电层350。以上描述的层中的每一层可以由单层或多层的堆叠组成。其它层可以进一步位于层之间。
基板710支撑位于基板710上的各个层。当有机发光显示设备是背发射型或双面发射型时，可以使用透明基板。当有机发光显示设备是前发射型时，除了透明基板之外，还可以应用半透明基板或不透明基板。
基板710可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或其组合。基板710可以包括金属材料。
基板710可以是刚性基板或者是能够被弯曲、折叠或卷起的柔性基板。柔性基板的材料的示例可以是聚酰亚胺(PI)，但是不限于此。
缓冲层720可以位于基板710的整个表面上。缓冲层720可以防止杂质离子的扩散，防止湿气或外部空气的渗透，并且执行表面平坦化功能。缓冲层720可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。取决于基板710的类型、工艺条件等，缓冲层720可以被省略。
下遮光层BLSL可以位于缓冲层720和半导体层ACT之间。下遮光层BLSL可以部分地放置在基板710上，而不是放置在基板710的整个表面上。如以上描述的，下遮光层BLSL可以被布置为与下面板片400的传感器孔SH重叠。
下遮光层BLSL可以被布置为在厚度方向上与半导体层ACT基本上重叠，半导体层ACT被布置在下遮光层BLSL上方并且被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠。即，下遮光层BLSL可以具有与被布置在下遮光层BLSL上方并且被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠的半导体层ACT基本上相同的平面形状。在这种情况下，可以使用与被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠的半导体层ACT相同的图案的掩模来执行下遮光层BLSL的制造工艺。
根据一些示例实施例，不限于此，下遮光层BLSL可以具有比被布置在下遮光层BLSL上方的在厚度方向上与传感器孔SH重叠的半导体层ACT的平面尺寸大的平面尺寸。即，下遮光层BLSL可以被布置为在厚度方向上覆盖半导体层ACT并且进一步向外延伸，半导体层ACT被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠。
下遮光层BLSL被布置为与传感器孔SH重叠，并且还被布置为与被布置为与传感器孔SH重叠的像素的半导体层ACT重叠。从而，可以防止从光学传感器810的光发射器820发射的传感器光SL进入半导体层ACT。
下遮光层BLSL可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。下遮光层BLSL可以是单层或多层。例如，下遮光层BLSL可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的堆叠结构。
半导体层ACT可以位于下遮光层BLSL上。半导体层ACT可以形成晶体管T1至T7的沟道。半导体层ACT可以对于每个像素来说是分离的。半导体层ACT在平面图中可以具有特定的图案。根据一些示例实施例，半导体层ACT可以一体地形成。根据一些示例实施例，半导体层ACT可以形成为多层，但是根据本公开的实施例不限于此。半导体层ACT可以包括作为第一晶体管T1的沟道的第一半导体层ACT1、作为第二晶体管T2的沟道的第二半导体层ACT2、作为第三晶体管T3的沟道的第三半导体层ACT3、作为第四晶体管T4的沟道的第四半导体层ACT4、作为第五晶体管T5的沟道的第五半导体层ACT5、作为第六晶体管T6的沟道的第六半导体层ACT6和作为第七晶体管T7的沟道的第七半导体层ACT7。
如图7所示，半导体层ACT1至ACT7可以包括基本上在列方向上延伸的第一垂直部分和第二垂直部分、基本上在行方向上延伸的水平部分和从第二垂直部分在列方向上延伸的弯曲部分。第一垂直部分、第二垂直部分、水平部分和弯曲部分可以物理地连接。
第一垂直部分可以位于邻近像素的左侧，并且第二垂直部分可以位于邻近像素的右侧。第一垂直部分和第二垂直部分可以彼此间隔开。水平部分可以连接第一垂直部分和第二垂直部分的中间部分。如本文中使用的，术语第一垂直部分和第二垂直部分的“上部分”可以指的是在平面图中位于与水平部分连接的部分上方的部分，并且术语第一垂直部分和第二垂直部分的“下部分”可以指的是在平面图中位于与水平部分连接的部分下方的部分。半导体层ACT在平面图中可以具有近似H的形状。
第二半导体层ACT2可以位于第一垂直部分的上部分，并且第五半导体层ACT5可以位于第一垂直部分的下部分。第六半导体层ACT6可以位于第二垂直部分的上部分和下部分的上方。第四半导体层ACT4可以位于第六半导体层ACT6的下部分上。第一半导体层ACT1可以位于水平部分上。
半导体层ACT的弯曲部分可以包括在左侧沿着行方向形成的第一子水平部分、在上侧沿着列方向从第一子水平部分形成的第一子垂直部分、在右侧沿着行方向从第一子垂直部分形成的第二子水平部分和在下侧沿着列方向从第二子水平部分形成的第二子垂直部分。第七半导体层ACT7可以位于第一子水平部分上，并且第三半导体层ACT3可以位于第一子垂直部分、第二子水平部分和第二子垂直部分上。
半导体层ACT可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成。结晶方法的示例可以包括快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和顺序横向结晶(SLS)。作为另一示例，半导体层ACT可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅等。
杂质离子(在PMOS晶体管的情况下，为p型杂质离子)可以被掺杂在半导体层ACT中的与晶体管T1至T7中的每一个的源电极/漏电极相连的区域(源区/漏区)中。诸如硼(B)的三价掺杂剂可以用作p型杂质离子。
根据一些示例实施例，半导体层ACT可以是氧化物半导体。当半导体层ACT由氧化物半导体形成时，可以使用铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锡氧化物(IZO)。
第一绝缘层730可以布置在半导体层ACT上，并且可以基本上布置在基板710的整个表面上方。第一绝缘层730可以是具有栅绝缘功能的栅绝缘层。第一绝缘层730可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层730可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。这些可以单独使用或彼此结合使用。第一绝缘层730可以是单层或不同材料的多层堆叠。
第一导电层310布置在第一绝缘层730上。第一导电层310可以包括用于传送第一扫描信号GW-n(见图6)的第一扫描线311、用于传输第二扫描信号GW-p(见图6)的第二扫描线313、用于传输第三扫描信号GI(见图6)的第三扫描线315、用于传送发射控制信号EM(见图6)的发射控制线317和第一晶体管T1的栅电极319。
第一扫描线311可以包括第三晶体管T3的栅电极，并且第二扫描线313可以包括第二晶体管T2的栅电极和第七晶体管T7的栅电极。第三扫描线315可以包括第四晶体管T4的栅电极，并且发射控制线317可以包括第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极。
第一扫描线311、第二扫描线313、第三扫描线315和发射控制线317可以沿着行方向延伸。第一扫描线311、第二扫描线313、第三扫描线315和发射控制线317中的每一个可以沿着行方向超出像素边界延伸到相邻像素。
第一扫描线311可以位于像素上方。第一扫描线311可以与第三半导体层ACT3重叠以在重叠区域中形成第三晶体管T3的栅电极。关于重叠区域，在右侧位于行方向上的第三半导体层ACT3可以用作第三晶体管T3的第二电极区域，并且在下侧位于列方向上的第三半导体层ACT3可以用作第三晶体管T3的第一电极区域。
第二扫描线313可以在列方向上位于第一扫描线311的下侧。第二扫描线313可以与第二半导体层ACT2重叠以在重叠区域中形成第二晶体管T2的栅电极。关于重叠区域，在上侧位于列方向上的第二半导体层ACT2可以用作第二晶体管T2的第一电极区域，并且在下侧位于列方向上的第二半导体层ACT2可以用作第二晶体管T2的第二电极区域。
此外，第二扫描线313可以具有从在第二晶体管T2的栅电极的右侧在行方向上的区域、在上侧在列方向上突出的分支区域。第二扫描线313的分支区域可以与第七半导体层ACT7重叠，以在重叠区域中形成第七晶体管T7的栅电极。关于重叠区域，在右侧位于列方向上的半导体层ACT的第二垂直部分可以用作第七晶体管T7的第一电极区域，并且在左侧位于行方向上的第七半导体层ACT7可以用作第七晶体管T7的第二电极区域。
第三扫描线315可以在列方向上位于第二扫描线313的下侧。第三扫描线315可以与第四半导体层ACT4重叠，以在重叠区域中形成第四晶体管T4的栅电极。关于重叠区域，在上侧位于列方向上的第四半导体层ACT4可以用作第四晶体管T4的第一电极区域，并且在下侧位于列方向上的第四半导体层ACT4可以用作第四晶体管T4的第二电极区域。
发射控制线317可以在平面图中布置在第二扫描线313和第三扫描线315之间，并且可以与第五半导体层ACT5重叠以在重叠区域中形成第五晶体管T5的栅电极。关于重叠区域，在下侧位于列方向上的第五半导体层ACT5可以用作第五晶体管T5的第一电极区域，并且在上侧位于列方向上的第五半导体层ACT5可以用作第五晶体管T5的第二电极区域。
此外，发射控制线317可以与第六半导体层ACT6重叠，以在重叠区域中形成第六晶体管T6的栅电极。关于重叠区域，在上侧位于列方向上的第六半导体层ACT6可以用作第六晶体管T6的第一电极区域，并且在下侧位于列方向上的第六半导体层ACT6可以用作第六晶体管T6的第二电极区域。
第一晶体管T1的栅电极319可以位于像素的中心。第一晶体管T1的栅电极319可以在平面图中位于第二扫描线313和发射控制线317之间。第一晶体管T1的栅电极319对于每个像素来说可以是分离的。
第一晶体管T1的栅电极319与第一半导体层ACT1重叠。关于重叠区域，在左侧位于行方向上的第一半导体层ACT1可以用作第一晶体管T1的第一电极区域，并且在右侧位于行方向上的第一半导体层ACT1可以用作第一晶体管T1的第二电极区域。
第一导电层310可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。第一导电层310可以是单层或多层。
第二绝缘层740用于使得第一导电层310与第二导电层320绝缘。第二绝缘层740可以布置在第一导电层310上，并且可以基本上布置在基板710的整个表面上。第二绝缘层740可以是层间绝缘层。
第二绝缘层740可以由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化锌的无机绝缘材料、或者诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料形成。第二绝缘层740可以是单层或不同材料的多层堆叠。
第二导电层320布置在第二绝缘层740上。第二导电层320可以包括用于提供初始化电压VINT(参见图6)的初始化电压线321、电压网状电极323和存储电容器电极线325。
初始化电压线321、电压网状电极323和存储电容器电极线325中的每一个可以沿着行方向延伸。初始化电压线321和存储电容器电极线325中的每一个可以沿着行方向超出像素边界延伸到相邻像素。
初始化电压线321可以在平面图中位于像素的上侧。初始化电压线321可以被布置为与第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4的至少一部分重叠，但是根据本公开的实施例不限于此。
电压网状电极323可以被布置为与半导体层ACT的弯曲部分的第一子垂直部分和第一子水平部分重叠。
存储电容器电极线325可以跨越像素中心在平面图中位于第二扫描线313和发射控制线317之间。存储电容器电极线325可以被布置为与布置在存储电容器电极线325下方的第一晶体管T1的栅电极319重叠，同时第二绝缘层740置于存储电容器电极线325和第一晶体管T1的栅电极319之间以形成存储电容器Cst。第一晶体管T1的栅电极319可以用作存储电容器Cst的第一电极。与第一晶体管T1的栅电极319重叠的存储电容电极线325的延伸区域可以用作存储电容Cst的第二电极。置于存储电容器电极线325和第一晶体管T1的栅电极319之间的第二绝缘层740可以是存储电容器Cst的电介质。
存储电容器电极线325的宽度可以在与第一晶体管T1的栅电极319重叠的区域中延伸。存储电容器电极线325可以包括在延伸区域中与布置在存储电容器电极线325下方的第一晶体管T1的栅电极319重叠的开口。
第二导电层320可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。
第三绝缘层750覆盖第二导电层320。第三绝缘层750可以基本上布置在基板710的整个表面上方。第三绝缘层750可以是具有栅绝缘功能的栅绝缘层。第三绝缘层750可以包括与第一绝缘层730相同的材料，或者可以包括选自作为第一绝缘层730的构成材料的示例材料中的一种或多种材料。第三绝缘层750可以是单层或不同材料的多层堆叠。
第三导电层330可以包括用于传送数据信号DATA(参见图6)的数据线331、第一源电压供应线333和多个数据图案335、337和339。
数据线331可以沿着列方向延伸。数据线331可以沿着列方向超出像素边界延伸到相邻像素。数据线331可以邻近像素的左侧布置。数据线331可以被布置为与第二半导体层ACT2的至少一部分重叠。
数据线331可以穿过第三绝缘层750、第二绝缘层740和第一绝缘层730，以通过暴露第二半导体层ACT2的第一电极区域的第一接触孔CNT1与第二半导体层ACT2的第一电极区域接触。第一接触孔CNT1可以在平面图中位于第一扫描线311的下侧，但是根据本公开的实施例不限于此。
第一侧面遮光图案LSP1可以在平面图中布置在第一接触孔CNT1和电压网状电极323之间。第一侧面遮光图案LSP1可以被形成，使得数据线331至少穿过第三绝缘层750。即，数据线331可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
第一接触孔CNT1和第一侧面遮光图案LSP1可以使用掩模以相同的工艺形成。然而，第一接触孔CNT1和第一侧面遮光图案LSP1可以使用具有不同开口的掩模形成。例如，可以在第一侧面遮光图案LSP1上布置具有狭缝或半色调图案的开口，并且可以在第一接触孔CNT1上布置具有全色调图案的开口。从而，第一接触孔CNT1可以被形成为通过布置在第一接触孔CNT1上的全色调图案的开口而穿过第一至第三绝缘层730、740和750，同时第一侧面遮光图案LSP1可以穿过第三绝缘层750并且通过布置在第一侧面遮光图案LSP1上的狭缝或半色调图案的开口而在第二绝缘层740的表面处终止。
可以通过以上描述的掩模工艺形成以下要提及的其它接触孔和侧面遮光图案。
根据一些示例实施例，数据线331的第一侧面遮光图案LSP1可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，数据线331的第一侧面遮光图案LSP1可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第一侧面遮光图案LSP1可以布置在与第三晶体管T3的栅电极重叠的第三半导体层ACT3的平坦侧表面和与第四晶体管T4的栅电极重叠的第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL(参见图3)进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4。
第一源电压供应线333可以沿着列方向延伸。第一源电压供应线333可以沿着列方向超出像素边界延伸到相邻像素。第一源电压供应线333可以在行方向上邻近数据线331的右侧布置。第一源电压供应线333可以沿着列方向延伸，同时从上侧与第三半导体层ACT3、第二半导体层ACT2、第一半导体层ACT1和第五半导体层ACT5的至少一部分重叠。
第一源电压供应线333可以穿过第三绝缘层750，以通过暴露电压网状电极323的第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3与电压网状电极323接触。第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3在行方向上的宽度可以大于半导体层ACT的弯曲部分的第一子垂直部分在行方向上的宽度，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例的像素10具有连接第一源电压供应线333和电压网状电极323的两个或更多个接触孔，从而减轻进入第三晶体管T3的半导体层ACT3和第四晶体管T4的半导体层ACT4的传感器光SL。
此外，第一源电压供应线333可以穿过第三绝缘层750，以通过暴露存储电容器电极线325的第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5与存储电容器电极线325接触。
根据一些示例实施例的像素10具有连接第一源电压供应线333和存储电容器电极线325的两个或更多个接触孔，从而减轻进入第三晶体管T3的半导体层ACT3和第四晶体管T4的半导体层ACT4的传感器光SL。
此外，第一源电压供应线333可以穿过第一至第三绝缘层730、740和750，以通过暴露第五半导体层ACT5的第一电极区域的第六接触孔CNT6与第五半导体层ACT5的第一电极区域接触。
第二侧面遮光图案LSP2可以在平面图中布置在第六接触孔CNT6的右侧。第二侧面遮光图案LSP2可以被形成，使得第一源电压供应线333至少穿过第三绝缘层750。即，第一源电压供应线333可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
根据一些示例实施例，第一源电压供应线333的第二侧面遮光图案LSP2可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，第一源电压供应线333的第二侧面遮光图案LSP2可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第二侧面遮光图案LSP2可以布置在与第三晶体管T3的栅电极重叠的第三半导体层ACT3的平坦侧表面和与第四晶体管T4的栅电极重叠的第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4。
此外，第五侧面遮光图案LSP5可以在平面图中布置在第六接触孔CNT6和第五接触孔CNT5之间。第五侧面遮光图案LSP5可以被形成，使得第一源电压供应线333至少穿过第三绝缘层750。即，第一源电压供应线333可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
根据一些示例实施例，第一源电压供应线333的第五侧面遮光图案LSP5可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，第一源电压供应线333的第五侧面遮光图案LSP5可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第五侧面遮光图案LSP5可以布置在与第三晶体管T3的栅电极重叠的第三半导体层ACT3的平坦侧表面和与第四晶体管T4的栅电极重叠的第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4。
多个数据图案可以包括第一数据图案335、第二数据图案337和第三数据图案339。第一数据图案335和第二数据图案337可以具有基本上在列方向上延伸的形状，并且第三数据图案339可以具有在行方向上延伸的形状，但是根据本公开的实施例不限于此。
第一数据图案335可以与第一晶体管T1的栅电极319和第七半导体层ACT7的第二电极区域重叠。第一数据图案335可以在与第一晶体管T1的栅电极319重叠的区域中穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740，以通过暴露第一晶体管T1的栅电极319的第八接触孔CNT8电连接到栅电极319。第八接触孔CNT8可以位于存储电容器电极线325的开口中。第八接触孔CNT8中的第一数据图案335和与第一数据图案335邻近的存储电容器电极线325可以经由第三绝缘层750而彼此绝缘。
此外，第一数据图案335可以在与第七半导体层ACT7的第二电极区域重叠的区域中穿过第三绝缘层750、第二绝缘层740和第一绝缘层730，以通过暴露第七半导体层ACT7的第二电极区域的第七接触孔CNT7与第七半导体层ACT7的第二电极区域接触。即，第一数据图案335可以将第七半导体层ACT7的第二电极区域连接到第一晶体管T1的栅电极319。
第三侧面遮光图案LSP3可以在平面图中布置在第七接触孔CNT7的右侧。第三侧面遮光图案LSP3可以被形成，使得第一数据图案335至少穿过第三绝缘层750。即，第一数据图案335可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
根据一些示例实施例，第一数据图案335的第三侧面遮光图案LSP3可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，第一数据图案335的第三侧面遮光图案LSP3可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第三侧面遮光图案LSP3可以布置在与第三晶体管T3的栅电极重叠的第三半导体层ACT3的平坦侧表面和与第四晶体管T4的栅电极重叠的第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4。
第二数据图案337可以与第三半导体层ACT3的第二电极区域和初始化电压线321重叠。第二数据图案337可以在与第三半导体层ACT3的第二电极区域重叠的区域中穿过第三绝缘层750、第二绝缘层740和第一绝缘层730，以通过暴露第三半导体层ACT3的第二电极区域的第十接触孔CNT10与第三半导体层ACT3的第二电极区域接触。
此外，第二数据图案337可以在与初始化电压线321重叠的区域中穿过第三绝缘层750，以通过暴露初始化电压线321的第九接触孔CNT9与初始化电压线321接触。
第四侧面遮光图案LSP4可以在平面图中布置在第十接触孔CNT10的右侧。第四侧面遮光图案LSP4可以被形成，使得第二数据图案337至少穿过第三绝缘层750。即，第二数据图案337可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
根据一些示例实施例，第二数据图案337的第四侧面遮光图案LSP4可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，第二数据图案337的第四侧面遮光图案LSP4可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第四侧面遮光图案LSP4可以布置在与第三晶体管T3的栅电极重叠的第三半导体层ACT3的平坦侧表面和与第四晶体管T4的栅电极重叠的第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4。
第三数据图案339可以与第六半导体层ACT6的第二电极区域重叠。第三数据图案339可以在与第六半导体层ACT6的第二电极区域重叠的区域中穿过第三绝缘层750、第二绝缘层740和第一绝缘层730，以通过暴露第六半导体层ACT6的第二电极区域的第十二接触孔CNT12与第六半导体层ACT6的第二电极区域接触。
第三导电层330可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。第三导电层330可以是单层或多层。例如，第三导电层330可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的堆叠结构。
通孔层760用于使得第三导电层330与第四导电层350绝缘。通孔层760可以布置在第三导电层330上并且可以基本上布置在基板710的整个表面上方。通孔层760可以是层间绝缘层。通孔层760可以包括与第二绝缘层740相同的材料，或者可以包括从作为第二绝缘层740的构成材料的示例材料中选择的一种或多种材料。通孔层760可以是单层或不同材料的多层堆叠。
第四导电层350布置在通孔层760上。第四导电层350可以包括有机发光二极管OLED的阳极电极。阳极电极可以穿过通孔层760，以通过暴露第三数据图案339的第十一接触孔CNT11与第三数据图案339接触。
图17是示出在第三晶体管T3中发生漏电流的情况的一个像素的等效电路图。图18是示出在第四晶体管T4中发生漏电流的情况的一个像素的等效电路图。
首先，参考图17，当驱动电流Ids通过显示设备1的像素的发射控制信号EM流过第一晶体管T1时，如果如以上描述的在第三晶体管T3中发生漏电流(截止电流)，则初始化电压VINT可以被施加到第一晶体管T1的栅电极，并且第一晶体管T1的栅电压可以被降低。例如，第一晶体管T1的栅电压可以具有比第一晶体管T1的参考栅电压Vg低的修改后的栅电压Vg'。从而，流过第一晶体管T1的驱动电流可以增加，并且第一晶体管T1的等级可以增加。
作为另一示例，参考图18，当驱动电流Ids通过显示设备1的像素的发射控制信号EM流过第一晶体管T1时，如果如以上描述的在第四晶体管T4中发生漏电流ILeak，则施加到有机发光二极管OLED的驱动电流Ids'可以低于参考驱动电流Ids。从而，第一晶体管T1的等级可以降低。
然而，如以上描述的，根据一些示例实施例的显示设备1的显示面板300可以包括遮光图案LSP，遮光图案LSP包括下遮光层BLSL和布置在被布置为在厚度方向上与传感器孔SH重叠的像素的第三晶体管T3和第四晶体管T4的侧表面上的多个侧面遮光图案LSP1至LSP5。
即，通过被布置为与被布置为在厚度方向上与显示面板300的传感器孔SH重叠的半导体层ACT的下部分重叠的下遮光层BLSL，可以防止传感器光SL直接进入半导体层ACT的下部分。然而，当传感器光SL不进入下遮光层BLSL或被下遮光层BLSL反射回下部分时，由于下部分，传感器光SL可以通过半导体层ACT的平坦侧表面进入半导体层ACT。
在根据一些示例实施例的显示设备1中，遮光图案LSP可以布置在第三半导体层ACT3的平坦侧表面上以及第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4，第三半导体层ACT3与被布置为与传感器孔SH重叠的像素的第三晶体管T3的栅电极重叠，第四半导体层ACT4与该像素的第四晶体管T4的栅电极重叠。从而，可以减轻由于从光学传感器发射的传感器光SL而在被布置为与传感器孔SH重叠的每个像素的第三晶体管T3中产生的漏电流所导致的第一晶体管T1的等级增加，或者由于在第四晶体管T4中产生的漏电流Ileak所导致的第一晶体管T1的等级降低。
在下文中，将描述根据一些示例实施例的显示设备。在下面的实施例中，与以上描述的部件相同的部件由相同的附图标记指代，并且可以省略或简化部件的描述。
图19是根据一些示例实施例的显示设备的一个像素的布局图。图20是沿图19的线XVII-XVII'截取的截面图。
参考图19和图20，示出了第三导电层330_1具有除与以上描述的数据图案之外的不同的数据图案，并且可以使用不同的数据图案来形成侧面遮光图案。
例如，根据一些示例实施例的第三导电层330_1可以进一步包括第四数据图案341。第四数据图案341可以在平面图中布置在邻近像素的第一源电压供应线333和数据线331之间，并且可以布置在第三数据图案339和第一数据图案335之间。
第四数据图案341可以包括例如在厚度方向上与第三扫描线315重叠并且在行方向上延伸到右侧的第四第一水平部分以及在列方向上从第四第一水平部分延伸到上侧的第四第一垂直部分。
在厚度方向上与第四第一水平部分重叠的第六侧面遮光图案LSP6和在厚度方向上与第四第一垂直部分重叠的第七侧面遮光图案LSP7可以被布置。第六侧面遮光图案LSP6可以被形成，使得第四数据图案341穿过第三绝缘层750。即，第四数据图案341的第六侧面遮光图案LSP6可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
第七侧面遮光图案LSP7可以被形成，使得第四数据图案341至少穿过第三绝缘层750。即，第四数据图案341的第七侧面遮光图案LSP7可以完全穿过第三绝缘层750，并且可以位于第二绝缘层740的表面上。
根据一些示例实施例，第四数据图案341的第七侧面遮光图案LSP7可以通过完全穿过第三绝缘层750并且部分穿过第二绝缘层740而位于第二绝缘层740内。
根据一些示例实施例，第四数据图案341的第七侧面遮光图案LSP7可以通过完全穿过第三绝缘层750和第二绝缘层740而位于第一绝缘层730的表面上，或者可以通过部分穿过第一绝缘层730而位于第一绝缘层730内。
第六侧面遮光图案LSP6和第七侧面遮光图案LSP7可以布置在第三半导体层ACT3的平坦侧表面上以及第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4，第三半导体层ACT3与被布置为与传感器孔SH重叠的像素的第三晶体管T3的栅电极重叠，第四半导体层ACT4与该像素的第四晶体管T4的栅电极重叠。
图21是根据一些示例实施例的显示设备的像素的布局图。图22是图21的晶体管和第四导电层的示意性截面图。
参考图21和图22，本实施例与图7的实施例的不同之处在于，第四导电层350_1进一步包括在沿列方向布置的阳极电极351之间的通孔电极353，并且通孔电极353进一步包括第八侧面遮光图案LSP8。
例如，第四导电层350_1可以进一步包括在沿列方向布置的阳极电极351之间的通孔电极353。第八侧面遮光图案LSP8可以被形成，使得通孔电极353穿过通孔层760。
第八侧面遮光图案LSP8可以布置在第三半导体层ACT3的平坦侧表面上和第四半导体层ACT4的平坦侧表面上，从而防止传感器光SL进入第三半导体层ACT3和第四半导体层ACT4，第三半导体层ACT3与被布置为与传感器孔SH重叠的像素的第三晶体管T3的栅电极重叠，第四半导体层ACT4与该像素的第四晶体管T4的栅电极重叠。
图23是根据一些示例性实施例的下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图。
参考图23，根据本实施例的遮光图案LSP_1与图4的遮光图案LSP的不同之处在于，遮光图案LSP_1被布置为与下面板片400的传感器孔SH重叠，并且可以在平面图中进一步延伸至传感器孔SH的外围区域。
以上已经参考图4和图6等描述了其它配置，并且因此，将省略多余的描述。
图24是根据一些示例性实施例的下面板片、显示面板和显示面板的遮光图案的示意性平面布局图。
参考图24，根据本实施例的遮光图案LSP_2与图4的遮光图案LSP的不同之处在于，遮光图案LSP_2被布置为与下面板片400的传感器孔SH重叠，并且可以在平面图中进一步延伸到传感器孔SH的外围区域，使得遮光图案LSP_2的平面尺寸等于显示面板300的显示区域DA的平面尺寸。
以上已经参考图4和图6等描述了其它配置，并且因此，将省略多余的描述。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板；
有源层，在所述基板上，所述有源层包括第一有源图案，所述第一有源图案包括源区、漏区以及在所述源区和所述漏区之间的有源区；
第一绝缘层，在所述有源层上；
第一导电层，在所述第一绝缘层上，并且包括栅电极；
第二绝缘层，在所述第一导电层上；
第二导电层，在所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，在所述第二导电层上；和
第三导电层，在所述第三绝缘层上，并且包括通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接触孔连接到所述第一有源图案的所述源区的源电极以及通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接触孔连接到所述第一有源图案的所述漏区的漏电极，
其中，所述第一有源图案、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极构成薄膜晶体管，
所述显示设备进一步包括在平面图中围绕所述薄膜晶体管的至少一个遮光图案，
其中，所述遮光图案包括侧面遮光图案，使得所述第三导电层的构成材料在厚度方向上至少穿过所述第三绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案被形成，使得所述第三导电层的所述构成材料在厚度方向上穿过所述第三绝缘层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过所述第二绝缘层。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过所述第一绝缘层的一部分，以在所述第一绝缘层内终止。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案使用半色调或狭缝掩模形成。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管被配置为电连接到驱动晶体管。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述遮光图案被提供为多个遮光图案，所述第二导电层包括第一数据图案，并且所述多个遮光图案包括第一遮光图案使得所述第一数据图案的构成材料穿过所述第三绝缘层。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述遮光图案进一步包括：
下遮光图案，在所述基板和所述有源层之间，
其中，所述下遮光图案的平面尺寸大于所述有源层的平面尺寸。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述有源层和所述下遮光图案使用相同的掩模形成。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述下遮光图案完全覆盖所述有源层。
11.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述下遮光图案的平面形状与所述有源层的平面形状相同。
12.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述下遮光图案包括金属材料。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域，在所述显示区域中放置有包括所述薄膜晶体管的多个像素，
所述显示设备进一步包括：
在所述基板下方的下盖板以及在所述平面图中被所述下盖板包围并且在所述基板的所述显示区域下方的光学传感器。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述显示区域包括在其中放置有所述光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置所述光学传感器的光学传感器非布置区域，并且
其中，所述侧面遮光图案在所述光学传感器布置区域中，并且不在所述光学传感器非布置区域中。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述显示区域包括在其中放置有所述光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置所述光学传感器的光学传感器非布置区域，并且
其中，所述侧面遮光图案在所述光学传感器布置区域和所述光学传感器非布置区域中。
16.一种显示设备，包括：
显示面板；
下面板片，在所述显示面板下方；和
光学传感器，在所述显示面板下方，并且在平面图中在所述下面板片内，
其中，所述显示面板包括：
显示基板；
有源层，在所述显示基板上，所述有源层包括第一有源图案，所述第一有源图案包括源区、漏区以及在所述源区和所述漏区之间的有源区；
第一绝缘层，在所述有源层上；
第一导电层，在所述第一绝缘层上，并且包括栅电极；
第二绝缘层，在所述第一导电层上；
第二导电层，在所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，在所述第二导电层上；和
第三导电层，在所述第三绝缘层上，并且包括通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接触孔连接到所述第一有源图案的所述源区的源电极以及通过穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接触孔连接到所述第一有源图案的所述漏区的漏电极，
其中，所述第一有源图案、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极构成电连接到驱动晶体管的第一晶体管，
所述显示设备进一步包括在平面图中围绕所述第一晶体管的多个遮光图案，
其中，所述遮光图案包括侧面遮光图案，使得所述第三导电层的构成材料在厚度方向上至少穿过所述第三绝缘层。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案被形成，使得所述第三导电层的所述构成材料在厚度方向上穿过所述第三绝缘层。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过所述第二绝缘层。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述侧面遮光图案在厚度方向上进一步穿过所述第一绝缘层的一部分，以在所述第一绝缘层内终止。
20.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述显示基板包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域，所述显示区域包括在其中放置有所述光学传感器的光学传感器布置区域以及在其中未放置所述光学传感器的光学传感器非布置区域，并且
其中，所述侧面遮光图案在所述光学传感器布置区域中，并且不在所述光学传感器非布置区域中。
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