CN116156955A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示面板和显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、像素层、薄膜封装层和彩膜层；其中，所述像素层包括依次层叠设置的像素电极、像素定义层、有机发光功能层和公共电极层；所述像素定义层具有暴露所述像素电极至少部分区域的像素开口，且所述像素定义层的材料为吸光材料；所述彩膜层包括与各个所述像素开口一一对应的色阻单元，所述色阻单元覆盖对应的所述像素开口。该显示面板可以减弱大视角小的光线衰减。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

在OLED(有机电致发光二极管)显示面板中，可以在OLED背板上设置黑矩阵层和彩膜层来提高出光纯度，进而提高OLED显示面板的色域。然而，设置有黑矩阵层和彩膜层的OLED显示面板，在大视角下光线亮度衰减严重。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板和显示装置，减弱大视角小的光线衰减。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括依次层叠设置的衬底基板、像素层、薄膜封装层和彩膜层；

其中，所述像素层包括依次层叠设置的像素电极、像素定义层、有机发光功能层和公共电极层；所述像素定义层具有暴露所述像素电极至少部分区域的像素开口，且所述像素定义层的材料为吸光材料；

所述彩膜层包括与各个所述像素开口一一对应的色阻单元，所述色阻单元覆盖对应的所述像素开口。

根据本公开的一种实施方式，所述像素定义层为黑色吸光材料。

根据本公开的一种实施方式，所述像素定义层的吸光度大于0.6。

根据本公开的一种实施方式，所述公共电极层具有镂空区域，所述镂空区域与所述像素开口不交叠。

根据本公开的一种实施方式，所述公共电极层包括与各个所述像素开口一一对应的顶电极；所述顶电极覆盖对应的所述像素开口，所述顶电极之间通过公共走线电连接。

根据本公开的一种实施方式，所述公共走线设置于所述公共电极层。

根据本公开的一种实施方式，所述像素开口对应的所述色阻单元，覆盖所述像素开口对应的所述顶电极。

根据本公开的一种实施方式，所述色阻单元还覆盖所述公共走线。

根据本公开的一种实施方式，相邻两个所述色阻单元之间不交叠。

根据本公开的一种实施方式，所述薄膜封装层远离所述衬底基板的一侧，不设置黑矩阵层。

根据本公开的另一个方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

在本公开提供的显示面板和显示装置中，有机发光功能层以及上下两侧的像素电极、公共电极层形成作为子像素的OLED。由于像素定义层采用吸光材料，因此其可以对OLED发出的光线进行阻挡，避免相邻OLED之间光线的干扰。这样，显示面板无需设置与彩膜层配合的黑矩阵层。这可以有效的克服因设置黑矩阵层而导致的视角减小、大角度时光线衰减严重等问题。如此，本公开的显示面板可以在借助彩膜层提供显示面板的色域和降低显示面板的反射率的同时，增大显示面板的视角和减小显示面板在大视角下的光线衰减。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意图。

图2为本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意图。

图3为本公开一种实施方式中，像素定义层的结构示意图。

图4为本公开一种实施方式中，公共电极层与像素开口的示意图。

图5为本公开一种实施方式中，显示面板的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本公开提供一种显示面板。参见图1、图2和图3，该显示面板包括依次层叠设置的衬底基板F100、像素层F300、薄膜封装层F400和彩膜层F500。

其中，像素层F300可以包括依次层叠设置的像素电极层F301、像素定义层F302、有机发光功能层F304和公共电极层F305；速搜像素电极层F301设置有像素电极PP。所述像素定义层F302具有暴露所述像素电极PP至少部分区域的像素开口CC，且所述像素定义层F302的材料为吸光材料。

所述彩膜层F500包括与各个所述像素开口CC一一对应的色阻单元CFU，所述色阻单元CFU覆盖对应的所述像素开口CC。

在本公开提供的显示面板中，有机发光功能层F304以及上下两侧的像素电极PP、公共电极层F305形成作为子像素的OLED。由于像素定义层F302采用吸光材料，因此其可以对OLED发出的光线进行阻挡，避免相邻OLED之间光线的干扰。这样，显示面板无需设置与彩膜层F500配合的黑矩阵层。这可以有效的克服因设置黑矩阵层而导致的视角减小、大角度时光线衰减严重等问题。如此，本公开的显示面板可以在借助彩膜层F500提供显示面板的色域和降低显示面板的反射率的同时，避免设置黑矩阵层，进而增大显示面板的视角和减小显示面板在大视角下的光线衰减。

如下，结合附图对本公开提供的显示面板的结构、原理和效果做进一步地的解释和说明。

参见图1～图2，显示面板包括依次层叠设置的衬底基板F100、像素层F300、薄膜封装层F400和彩膜层F500。其中，衬底基板F100可以为显示面板提供支撑和保护；像素层F300设置有OLED以作为显示面板的子像素，薄膜封装层F400用于保护OLED免受水氧侵蚀；彩膜层F500用于提高PNL的色域范围并降低对环境光线的反射。在本公开的一种实施方式中，参见图5，显示面板还可以包括设置于衬底基板F100和像素层F300之间的驱动电路层F200，驱动电路层设置有与各个OLED一一对应的像素驱动电路，OLED在对应的像素驱动电路的驱动下发光。

在本公开中，衬底基板F100可以为无机材料的衬底基板，也可以为有机材料的衬底基板。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板F100的材料可以为钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板F100的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板F100也可以为柔性衬底基板，例如衬底基板F100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)。衬底基板还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板F100可以包括依次层叠设置的底膜层(Bottom Film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。

在本公开中，驱动电路层F200设置有用于驱动子像素的像素驱动电路。在驱动电路层F200中，任意一个像素驱动电路可以包括有晶体管F200M和存储电容。进一步地，晶体管F200M可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。

可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。

可选地，驱动电路层F200可以包括层叠于衬底基板F100和像素层F300之间的半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206和源漏金属层F207等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206、源漏金属层F207等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。进一步地，半导体层F203可以用于形成晶体管的沟道区；栅极层可以用于形成扫描引线、复位控制引线、发光控制引线等栅极层走线，也可以用于形成晶体管的栅极，还可以用于形成存储电容的部分或者全部电极板；源漏金属层可以用于形成数据引线、驱动电源引线等源漏金属层走线，也可以用于形成存储电容的部分电极板。

举例而言，在本公开的一些实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的半导体层F203、栅极绝缘层F204、栅极层F205、层间电介质层F206和源漏金属层F207，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

再举例而言，在本公开的一些实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置的栅极层F205、栅极绝缘层F204、半导体层F203、层间电介质层F206和源漏金属层F207，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

在一些实施方式中，栅极层可以为两层或者三层。举例而言，在本公开的一种实施方式中，栅极层F205可以包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层F204可以包括用于隔离半导体层F203和第一栅极层的第一栅极绝缘层，以及包括用于隔离第一栅极层和第二栅极层的第二栅极绝缘层。示例性地，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的半导体层F203、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F206和源漏金属层F207。再举例而言，在本公开的一种实施方式中，栅极层F205可以包括第一栅极层和第二栅极层，半导体层F203可以夹设于第一栅极层和第二栅极层之间；栅极绝缘层F204可以包括用于隔离半导体层F203和第一栅极层的第一栅极绝缘层，以及包括用于隔离第二栅极层和半导体层F203的第二栅极绝缘层。示例性地，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的第一栅极层、第一栅极绝缘层、半导体层F203、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F206和源漏金属层F207。这样，可以形成具有双栅结构的晶体管。再举例而言，在本公开的一种实施方式中，半导体层F203可以包括低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层；栅极层包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层包括第一和第二栅极绝缘层。驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的低温多晶硅半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、金属氧化物半导体层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层F206和源漏金属层F207。再举例而言，在本公开的一种实施方式中，半导体层F203可以包括低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层；栅极层包括第一至第三栅极层，栅极绝缘层包括第一至第三栅极绝缘层。驱动电路层F200可以包括依次层叠设置于衬底基板F100一侧的低温多晶硅半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、绝缘缓冲层、第二栅极层、第二栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极层、层间电介质层F206和源漏金属层F207。

在一些实施方式中，源漏金属层可以为两层或者三层。举例而言，在本公开的一种实施方式中，源漏金属层可以包括依次层叠于层间电介质层F206远离衬底基板F100一侧的第一源漏金属层和第二源漏金属层，第一源漏金属层和第二源漏金属层之间可以夹设于绝缘层，例如夹设有钝化层和/或平坦化层。再举例而言，在本公开的一种实施方式中，源漏金属层可以包括依次层叠于层间电介质层F206远离衬底基板F100一侧的第一源漏金属层、第二源漏金属层、第三源漏金属层；第一源漏金属层和第二源漏金属层之间可以夹设于绝缘层，例如夹设有钝化层和/或树脂层；第二源漏金属层和第三源漏金属层之间可以夹设于绝缘层，例如夹设有钝化层和/或平坦化层。

可选地，驱动电路层F200还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层F207远离衬底基板F100的表面，以便保护源漏金属层F207。

可选地，驱动电路层F200还可以包括设于衬底基板F100与半导体层F203之间的缓冲材料层F201，且半导体层F203、栅极层F205等均位于缓冲材料层远离衬底基板F100的一侧。缓冲材料层的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料。缓冲材料层可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。

可选地，驱动电路层F200还可以包括位于源漏金属层F207和像素层F300之间的平坦化层F208，平坦化层F208可以为像素电极PP提供平坦化表面。可选地，平坦化层F208的材料可以为有机材料。

在本公开中，像素层F300可以包括依次层叠设置的像素电极层F301、像素定义层F302、有机发光功能层F304和公共电极层F305。参见图3，其中，像素电极层F301在显示面板的显示区具有多个像素电极PP；像素定义层F302在显示区具有与多个像素电极PP一一对应设置的多个贯通的像素开口CC，任意一个像素开口CC暴露对应的像素电极PP的至少部分区域。参见图1、图2和图4，有机发光功能层F304至少覆盖被像素定义层F302所暴露的像素电极PP。其中，有机发光功能层F304可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层F304的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(Open Mask)定义各个膜层的图案。公共电极层F305在像素开口CC可以覆盖有机发光功能层F304。如此，像素电极PP、公共电极层F305和位于像素电极PP和公共电极层F305之间的有机发光功能层F304形成有机发电致光二极管F300D，任意一个有机电致发光二极管可以作为显示面板的一个子像素。

在本公开的一种实施方式中，像素定义层F302可以为黑色吸光材料，以便更好地遮挡OLED发出的光线，以及在一定程度上吸收从环境中入射的光线。

在本公开的一种实施方式中，像素定义层F302的吸光度可以大于0.6，以保证像素定义层F302的吸光效果。作为一种示例，像素定义层F302的吸光度可以大于0.8。

在本公开的一种实施方式中，像素定义层F302的材料可以为有机材料，尤其是可以为光敏性有机材料。举例而言，可以采用黑色光敏树脂来制备像素定义层F302；在制备过程中，可以采用曝光-显影工艺来对像素定义层F302进行图案化操作，以形成像素定义层F302上的像素开口CC。

在本公开的一些实施方式中，参见图4，像素层F300还可以包括支撑柱层F303，支撑柱层可以设置于像素定义层F302远离衬底基板F100的一侧；支撑柱层F303在显示区包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层F302远离衬底基板F100的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(Fine Metal Mask，FMM)。在本公开的一种实施方式中，支撑柱层的材料可以与像素定义层F302的材料相同。在制备像素定义层F302时，可以采用灰阶掩膜工艺，同时制备出像素定义层F302和支撑柱层。

在一些实施方式中，像素层F300还可以包括位于公共电极层F305远离衬底基板F100一侧的光取出层，以增强有机发光二极管的出光效率。

在本公开的一些实施方式中，参见图1和图2，所述公共电极层F305具有镂空区域，所述镂空区域与所述像素开口CC不交叠。如此，公共电极层F305可以保证对像素开口CC的覆盖，进而为OLED提供公共电源电压。另一个方面，公共电极层F305被镂空可以减小公共电极层F305的面积，进而减小公共电极层F305对环境光线的反射。这样，尽管因不设置黑矩阵层而导致环境光线的入射量增大，但是公共电极层F305的反射面积减小可以维持或者降低对光线的反射，进而使得显示面板对环境光线的反射整体上降低。

可选地，可以采用光刻工艺、掩膜移位工艺(mask shift)、激光(Laser)去除或者其他可行方法对公共电极层F305进行图案化。

在本公开的一种实施方式中，参见图4，所述公共电极层F305包括与各个像素开口CC一一对应的顶电极EE；所述顶电极EE覆盖对应的所述像素开口CC，所述顶电极EE之间通过公共走线DD电连接。这样，公共电源电压通过公共走线DD加载至各个顶电极EE上，进而保证对各个OLED的驱动。公共走线DD可以设置于公共电极层F305，也可以设置于像素电极层，还可以设置于驱动电路层，以能够向顶电极EE提供公共电源电压为准。其中，一个顶电极EE可以通过公共走线DD与相邻的一个其他顶电极EE电连接，也可以与周围的多个其他顶电极EE电连接。在一种示例中，顶电极EE阵列分布；其中，顶电极EE可以通过公共走线DD与行方向DH上相邻的其他顶电极EE电连接，且与列方向DV上相邻的其他顶电极EE电连接。这样，可以使得公共电源电压的信号排布呈网格化，进而提高公共电源电压在显示面板上的均一性，提高PNL显示画面的均一性。

在一种示例中，参见图4，所述公共走线DD设置于所述公共电极层F305，顶电极EE阵列分布。这样，公共电极层F305设置有阵列分布的顶电极EE和与顶电极EE电连接的公共走线DD。在行方向DH上相邻的任意两个顶电极EE之间设置有用于使得两者电连接的公共走线DD；在列方向DV上相邻的任意两个顶电极EE之间设置有用于使得两者电连接的公共走线DD。进一步地，公共走线DD可以呈折线状，以使得公共走线DD不具有太长的直线边缘，降低公共走线DD的可视度，提高显示面板的视觉均一性。参见图4，顶电极EE覆盖对应的像素开口CC。

在本公开中，顶电极EE可以恰好覆盖对应的像素开口CC(即顶电极EE在像素定义层F302上的正投影，与像素开口CC的上开口边缘重合)，也可以略微超出对应的像素开口CC。当然的，顶电极EE的尺寸也可以进一步增大，以在像素定义层F302上覆盖较大的区域，本公开对此不做限定。

薄膜封装层F400设于像素层F300远离衬底基板F100的表面，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层F304而导致材料降解。可选地，无机封装层的边缘可以位于外围区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘，可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，参见图5，薄膜封装F400包括依次层叠于像素层F300远离衬底基板F100一侧的第一无机封装层F401、有机封装层F402和第二无机封装层F403。

在本公开的一种实施方式中，彩膜层F500可以设置于薄膜封装层F400远离衬底基板F100的表面，以便减小彩膜层F500与OLED之间的距离。一方面，这可以提高色阻单元CFU出射光线的最大角度，利于提高显示面板的视角范围；另一方面，也利于避免其他OLED的光线照射至该色阻单元CFU，提高从色阻单元CFU出射光线的纯度，进而提高色域范围。

在本公开的一种实施方式中，在彩膜层F500与薄膜封装层F400之间，不设置黑矩阵层。这样，没有了黑矩阵层对光线的遮挡，可以避免因光线遮挡而导致的视角范围降低，还可以降低因光线遮挡而导致的显示面板在大视角小的衰减。另一方面，色阻单元CFU无需搭接至黑矩阵层上进而可以保持平坦，降低了色阻单元CFU不平整而导致的色分离现象。不仅如此，由于无需设置黑矩阵层，因此可以减少显示面板的制备工序，降低显示面板的制备成本并提高制备节拍，提高显示面板的产能。

彩膜层F500上的色阻单元CFU的颜色可以根据其所对应的子像素的颜色来确定。举例而言，参见图1和图2，显示面板设置有红色子像素PR、绿色子像素PG和蓝色子像素PG。色阻单元CFU可以包括与红色子像素PR对应的红色色阻单元CFR、与绿色子像素PG对应的绿色色阻单元CFG、与蓝色子像素PB对应的蓝色色阻单元CFB。其中，色阻单元覆盖对应的子像素，使得子像素发出的光线通过对应的色阻单元CFU过滤后出射。可以理解的是，本公开的PNL的子像素还可以具有其他不同的颜色，彩膜层根据子像素的出光颜色设置相应的色阻单元即可。

在本公开的一种实施方式中，所述像素开口CC对应的所述色阻单元CFU，覆盖所述像素开口CC对应的顶电极EE。换言之，顶电极EE上方被对应的色阻单元CFU覆盖。这样，可以使得照射至顶电极EE和被顶电极EE反射的环境光线被色阻单元CFU过滤，降低反射光线的强度并使得反射光线的颜色与该顶电极EE处的OLED的出光颜色一致。这样，可以同时达成降低反射光线和提高出光纯度的效果。

在本公开的一种实施方式中，所述色阻单元CFU还覆盖所述公共走线DD的部分或者全部。这样，也可以降低公共走线DD的对环境光线的反射。

在本公开的一种实施方式中，相邻两个所述色阻单元CFU之间不交叠，以使得色阻单元CFU保持平整，避免色阻单元CFU不平整而引起色分离现象。相邻两个色阻单元CFU之间可以相互紧贴设置(如图1所示)，也可以设置有间隙(如图2所示)，以不相互交叠为准。

在一些实施方式中，在彩膜层F500远离衬底基板F100的一侧，还可以设置有有机保护层F600，有机保护层F600可以使得彩膜层F500远离衬底基板F100的一侧平坦化，并为彩膜层F500提供保护。当然的，在本公开的另外一些实施方式中，彩膜层F500的色阻单元CFU之间相互紧邻，彩膜层F500的上表面可以无需设置有机保护层F600。

在本公开的一些实施方式中，显示面板还可以包括触控功能层，触控功能层设于彩膜层F500远离衬底基板F100的一侧，用于使得显示面板实现触控。触控功能层可以通过光学胶贴附于彩膜层F500远离衬底基板F100的一侧，也可以以彩膜层F500或者有机保护层F600为基板进行逐层制备，本公开对此不做限制。

在本公开的一些实施方式中，显示面板还可以包括透光盖板，透光盖板覆盖在显示面板的出光面上，以便保护显示面板。

本公开实施方式还提供一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板。该显示装置可以为手机屏幕、电脑屏幕或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、像素层、薄膜封装层和彩膜层；

其中，所述像素层包括依次层叠设置的像素电极、像素定义层、有机发光功能层和公共电极层；所述像素定义层具有暴露所述像素电极至少部分区域的像素开口，且所述像素定义层的材料为吸光材料；

所述彩膜层包括与各个所述像素开口一一对应的色阻单元，所述色阻单元覆盖对应的所述像素开口。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层为黑色吸光材料。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层的吸光度大于0.6。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层具有镂空区域，所述镂空区域与所述像素开口不交叠。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极层包括与各个所述像素开口一一对应的顶电极；所述顶电极覆盖对应的所述像素开口，所述顶电极之间通过公共走线电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述公共走线设置于所述公共电极层。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素开口对应的所述色阻单元，覆盖所述像素开口对应的所述顶电极。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述色阻单元还覆盖所述公共走线。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的显示面板，其特征在于，相邻两个所述色阻单元之间不交叠。

10.根据权利要求1～8任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层远离所述衬底基板的一侧，不设置黑矩阵层。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～10任意一项所述的显示面板。

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