CN114495804B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:衬底基板,具有第一显示区和第二显示区,第一显示区位于第二显示区的至少一侧,第二显示区包括发光元件设置区和透光区;第一电极层,包括多个第一电极,多个第一电极位于发光元件设置区和第一显示区;第二电极层,包括位于第一显示区的第一部分、位于发光元件设置区的第二部分和位于透光区的第三部分;以及发光功能层,位于第一电极层和第二电极层之间,第一电极层比第二电极层更靠近衬底基板,第一电极层、发光功能层、以及第二电极层形成位于第一显示区的多个第一发光元件和位于发光元件设置区的多个第二发光元件,第二电极层的第二部分的厚度大于第二电极层的第三部分的厚度。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,含有屏下传感器的显示装置的显示技术成为新一代显示技术的研究焦点。带有屏下传感器的显示装置的显示技术是为了提高显示装置的屏占比所提出的一种全新的技术,通过将传感器设置在屏幕之下,从而使屏幕的屏占比大大提高。全屏幕显示技术使得屏幕不再是刘海屏或水滴屏,因而实现真正的全面屏。其中,典型的含有屏下传感器的显示装置的显示技术包括屏下摄像头技术。
发明内容
本公开的至少一实施例涉及一种显示面板及显示装置。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板,包括:衬底基板,具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧,所述第二显示区包括发光元件设置区和透光区;第一电极层,包括多个第一电极,所述多个第一电极位于所述发光元件设置区和所述第一显示区;第二电极层,包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分位于所述第一显示区,所述第二部分位于所述发光元件设置区,所述第三部分位于所述透光区;以及发光功能层,位于所述第一电极层和所述第二电极层之间;所述第一电极层比所述第二电极层更靠近所述衬底基板,所述第一电极层、所述发光功能层、以及所述第二电极层形成位于所述第一显示区的多个第一发光元件和位于所述发光元件设置区的多个第二发光元件,所述第二电极层的所述第二部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第一部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度。
根据本公开的实施例提供的显示面板,显示面板还包括遮光层,所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部,所述第一遮光部与所述第一显示区至少部分交叠,所述第二遮光部与所述第二显示区至少部分交叠,所述第一遮光部的厚度与所述第二遮光部的厚度不等。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第一遮光部的厚度小于所述第二遮光部的厚度。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述发光元件设置区在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二遮光部被配置为在采用激光束图形化处理进行减薄操作形成所述第二电极层的所述第三部分时至少部分遮挡所述激光束的能量。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述透光区在所述衬底基板上的正投影不交叠或部分交叠。
根据本公开的实施例提供的显示面板,显示面板还包括控制电路层,所述控制电路层位于所述第一电极层的靠近所述衬底基板的一侧,所述遮光层位于所述控制电路层和所述衬底基板之间。
根据本公开的实施例提供的显示面板,显示面板还包括覆盖层和涂覆层,所述覆盖层比所述涂覆层更靠近所述第二电极层。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述覆盖层的材料的折射率和所述涂覆层的材料的折射率相同。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影与所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述涂覆层与所述覆盖层接触。
根据本公开的实施例提供的显示面板,其中,所述覆盖层在所述发光元件设置区和所述透光区至少之一中具有凸起结构。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述凸起结构的高度大于或等于5 nm,并且小于或等于20 nm。
根据本公开的实施例提供的显示面板,其中,所述涂覆层包括有机材料涂覆层或无机材料涂覆层。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述涂覆层包括下述材料中的至少一种:氧化锌、氧化钛、聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二氧硅烷、六甲基二甲硅醚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、对二甲基聚合物、乙烯醇类或者共混物。
根据本公开的实施例提供的显示面板,位于所述透光区的膜层构成透光膜层,其中,所述透光膜层被配置为透过照射到其上的光。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二显示区的透过率满足如下关系:
其中,T0为所述第二显示区的所述透过率,η为所述第二显示区的背板开口率,0.1<η<1.0,n为所述透光膜层的折射率,1.0≤n≤3.0,k 为所述透光膜层的吸收调整系数,0<k<2.0,l为所述透光膜层的厚度,8 μm≤l≤65 μm。
根据本公开的实施例提供的显示面板,0<k<1.0,18 μm≤l≤45 μm;或者0.0001≤k≤0.05,25 μm≤l≤35 μm。
根据本公开的实施例提供的显示面板,k=M0×Ln(I0/I),其中,I0为入射光的光强,I为出射光的光强,M0为光强调整系数,0<M0<1。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述透光膜层包括封装薄膜,所述封装薄膜覆盖所述多个第一发光元件和所述多个第二发光元件。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述封装薄膜包括第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层依次设置,并且所述第一封装层比所述第三封装层更靠近所述衬底基板。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的材料包括第一金属和第二金属,所述第二电极层的所述第二部分之中的第一金属与第二金属的原子比大于所述第二电极层的所述第三部分之中的第一金属与第二金属的原子比。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分中的第一金属和第二金属的原子比大于或等于0并且小于0.25。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分中的第一金属和所述第二电极层的所述第一部分中的第一金属的原子比大于或等于0并且小于1。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分中的第二金属的含量和所述第二电极层的所述第一部分中的第二金属的含量之比大于或等于1并且小于1.25。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第一金属的熔点小于所述第二金属的熔点。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第一金属包括镁,所述第二金属包括银。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分是不连续的。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分的粗糙度大于所述第二电极层的所述第二部分的粗糙度。
根据本公开的实施例提供的显示面板,所述第二电极层的所述第三部分的厚度大于0并且小于或等于2 nm。
根据本公开的实施例提供的显示面板,显示面板,还包括像素限定层,所述像素限定层包括第一限定部和第二限定部,所述第一限定部位于所述第一显示区,所述第二限定部位于所述第二显示区,所述第二限定部的最大厚度小于所述第一限定部的最大厚度。
本公开的实施例还提供一种显示装置,包括上述任一显示面板。
根据本公开的实施例提供的显示装置,显示装置还包括:光学传感器,所述光学传感器被配置为接收透过所述透光区的外部光;以及盖窗结构,所述盖窗结构和所述光学传感器位于所述显示面板的相对的两侧。
根据本公开的实施例提供的显示装置,所述盖窗结构包括盖窗衬底、功能膜层、以及光学胶层。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1是一种显示面板的示意图。
图2为本公开一实施例提供的显示面板中的第一显示区的第一发光元件、第二显示区的第二发光元件和第二显示区的透光区的剖视示意图。
图3为采用激光对第二电极层进行图形化的示意图。
图4为完全去除第二电极层中的位于透光区的部分之后的显示面板的示意图。
图5为激光剥离操作以分离衬底基板和支撑基板的工艺示意图。
图6为本公开一实施例提供的显示面板的示意图。
图7是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。
图8是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。
图9A为本公开一实施例提供的带有遮光层的显示面板的截面示意图。
图9B为本公开一实施例提供带有遮光层的显示面板的平面示意图。
图10A为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。
图10B为本公开另一实施例提供的一种显示面板的示意图。
图11是不同厚度的镁银合金的透过率曲线的示意图。
图12为本公开一实施例提供的显示面板中的第二电极层中的第一部分的扫描电镜(SEM)图。
图13为本公开一实施例提供的显示面板中的第二电极层中的第三部分的扫描电镜(SEM)图。
图14是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。
图15为本公开的实施例提供的显示面板中的透光膜层的示意图。
图16A为本公开一实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
图16B为本公开一实施例提供的显示装置的示意图。
图16C为本公开一实施例提供的显示装置的示意图。
图17为本公开的实施例提供的显示装置的示意图。
图18为本公开的实施例提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
随着显示技术的发展,通常的刘海屏或水滴屏设计逐渐不能满足用户对显示面板高屏占比的需求,全面屏设计成为新一代显示装置的研究热点。该类显示装置可以将感光传感器(如,摄像头)等硬件设置于屏幕的透光显示区的下方,无需打孔,提高显示面板的实用性,使真全面屏成为可能。
图1是一种显示面板的示意图。如图1所示,该显示面板包括衬底基板10,衬底基板10具有显示区DR和周边区PR,周边区PR位于显示区DR的至少一侧。图1以周边区PR围绕显示区DR为例进行说明。如图1所示,显示区DR包括第一显示区100和第二显示区110。该第一显示区100可以位于第二显示区110的至少一侧。图1以第一显示区100围绕第二显示区110为例进行说明。如图1所示,第二显示区110包括发光元件设置区120和透光区130。
如图1所示,第一显示区100围绕第二显示区110,即第二显示区110被第一显示区100包围。当然,第二显示区110也可以设置在其他位置处,第二显示区110的设置位置可根据需要而定。例如,第二显示区110可以位于衬底基板10的顶部正中间位置处,也可以位于衬底基板10的左上角位置或右上角位置处。
例如,发光元件设置区120和透光区130的位置也可以根据需要设定,本公开的实施例对此不作限定。例如,第二显示区110和发光元件设置区120的形状可以是多边形、圆形、椭圆形等多种形状,本公开的实施例对此不作限制。
如图1所示,第二显示区110为透光显示区,第一显示区100为显示区。例如,第一显示区100不透光仅用于显示。例如,第一显示区100和第二显示区110可以单独的显示图像,也可以组合在一起显示图像。
图2为本公开一实施例提供的显示面板中的第一显示区的第一发光元件、第二显示区的第二发光元件和第二显示区的透光区的剖视示意图。
如图1和图2所示,显示面板包括多个第一发光元件201和多个第二发光元件202,多个第一发光元件201位于第一显示区100,多个第二发光元件202位于第二显示区110中的发光元件设置区120中。如图1和图2所示,相邻的第二发光元件202之间设有透光区130。例如,多个透光区130彼此相连,形成被多个第二发光元件202间隔的连续透光区。例如,多个透光区130也可以彼此间隔。透光区130的设置情况以实现良好显示和透光为目标,透光区130可根据需要设置其形式或形状。例如,多个第一发光元件201和多个第二发光元件202的形状也可以是除了图1所示的其他形状,本公开的实施例对此不做限定。
图2用椭圆形的虚线示出了透光区130、第二发光元件202和第一发光元件201。例如,发光元件的发光面积可对应于像素定义层的开口的面积。
如图1和图2所示,显示面板一般包括用于正常显示的第一显示区100以及既透光又显示的第二显示区110。该第二显示区110一般包括发光元件设置区120及透光区130。含有屏下传感器的显示装置的性能与第二显示区的透光率有很大关系,第二显示区的透光率越高,含有屏下传感器的显示装置的性能越好。
由此,提升含有屏下传感器的显示装置中第二显示区中的透光区的透光率,以满足屏下传感器良好运行的需求,成为目前亟待解决的问题。
如图2所示,显示面板包括第一电极层200、第二电极层210以及发光功能层220,第一电极层200包括多个第一电极E1,多个第一电极E1位于发光元件设置区120和第一显示区100;第二电极层210包括第一部分210a、第二部分210b和第三部分210c,第一部分210a位于第一显示区100,第二部分210b位于发光元件设置区120,第三部分210c位于透光区130。发光功能层220位于第一电极层200和第二电极层210之间。例如,发光功能层220包括发光层,还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等膜层中的至少之一,当然,也可以包括其他的适合的层。
如图2所示,第二电极层210中的第一部分210a、第二部分210b和第三部分210c彼此相连,可以采用同一薄膜形成。通常,第二电极层210在不同位置处的厚度相同或大体相同。通常,第二电极层210在不同位置处的材质相同。
如图2所示,显示面板包括覆盖层(capping layer)610,覆盖层610位于第二电极层210上。例如,覆盖层610可为光取出层,以利于提高出光效率。
如图2所示,靠近第二电极层210的覆盖层610可以提高出光效率,从而改善显示面板的显示品质。例如,覆盖层610覆盖在第一显示区100和第二显示区110中的第二电极层210上,从而可以对整个显示面板的出光效率进行改善。
如图2所示,显示面板包括封装薄膜700,封装薄膜700覆盖多个第一发光元件201和多个第二发光元件202。设置封装薄膜700以避免发光元件被水氧侵袭。
如图2所示,封装薄膜700包括第一封装层701、第二封装层702和第三封装层703,并且第一封装层701、第二封装层702和第三封装层703依次设置。如图2所示,第一封装层701比第三封装层703更靠近发光元件。
例如,在本公开的实施例中,第一封装层701可以为采用化学气相沉积(CVD)工艺形成的无机材料层,第二封装层702可以为采用喷墨打印(IJP)工艺形成的有机材料层,第三封装层703可以为采用化学气相沉积(CVD)工艺形成的无机材料层。第二封装层702的厚度大于第一封装层701的厚度,并且大于第二封装层702的厚度。
例如,第一电极层200的材料包括导电的金属氧化物,例如,导电的金属氧化物包括铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟锡氧化物、掺杂氟的氧化锡、氧化锌、锌铝氧化物、锡锌氧化物、锡铟氧化物、镁铟氧化物、镉铟氧化物至少之一,但不限于此。例如,第二电极层210的材料包括镁(Mg)、银(Ag)、铝、钼、钛、铜、和金至少之一,但不限于此。在一些实施例中,第一电极层200的材料包括镁(Mg)和银(Ag)。
例如,第一电极E1为阳极,第二电极层210为阴极,但不限于此。
为了提升透光区的透射率,可将第二电极层(阴极层)图形化,可采用OTILumionics公司开发的阴极图案化材料,可采用精细金属掩膜(Fine Metal Mask,FMM)来制作第二电极层(阴极层),也可采用激光将阴极图形化。采用FMM来制作阴极层的方式工艺复杂,成本较高。本公开的实施例以采用激光图形化第二电极层(阴极层)的方案进行说明。该方案的原理是通过使用激光(可采用长波段的激光)加热第二电极层的位于透光区的部分,以使得第二电极层的位于透光区的部分吸热后融化,从而达到去除第二电极层的位于透光区的部分提高透光率的作用。
即,为了提高透光区130的透光率,可以去除第二电极层的位于透光区的至少一部分。
图3为采用激光对第二电极层进行图形化的示意图。图4为完全去除第二电极层中的位于透光区的部分之后的显示面板的示意图。如图3所示,采用激光La对第二电极层中的位于透光区的部分进行加热,以去除第二电极层210中的位于透光区130的部分(第三部分210c),再形成封装薄膜700,得到图4所示的结构。图4示出了覆盖层610中形成有凸起610a。
采用激光对第二电极层进行图形化时,可以从背面或正面进行照射。图3以激光La从正面进行照射为例进行说明。
然而,采用激光图形化阴极层时,若激光能量较低时,合金不能熔化,而达不到去除透光区的阴极材料的目的,会带来两个影响:①因为金属受热变形会带来阴极及阴极上方的膜层受热翘曲,成为应力集中点,在薄膜封装过程中,容易造成无机封装层的开裂(crack),造成信赖性问题;②阴极未去除,第二显示区的透过率得不到提高。
若激光能量过高时,存在如下问题:①透光区的合金全部去除,较高的激光能量会影响到周围的像素单元,会引起发光元件的阴极受热。②因金属和有机材料膨胀系数不同,在冷却过程后,阴极上方的膜层,容易形成凸起,高度差超过10 nm,例如,可达到200 nm-450 nm,会影响显示画质,也会形成类水波纹,同时可能出现过刻(over etch)现象,过刻量约在1微米左右。
高能量激光会导致第二电极层210下方的材料受热分解。例如,第二电极层210下方的发光功能层中的材料至少部分被分解。
例如,电子传输层(ETL) 的材料受热分解出Alq3,Liq等喹啉络合物。例如, Alq3,Liq等喹啉络合物的分解温度约为400 ℃,当激光温度超过400 ℃时则会导致Alq3,Liq等喹啉络合物分解出金属铝,锂等金属原子和喹啉等有机物以及CHO。然而,Alq3、Liq等喹啉络合物受热后的分解物均可能会影响发光元件的寿命。从而,为了避免在激光减薄电极薄膜时发光功能层分解出来的分解物影响发光元件的寿命,不宜采用过高的激光能量。
图5为激光剥离操作以分离衬底基板和支撑基板的工艺示意图。如图5所示,在显示面板的制作过程中,衬底基板10粘附在支撑基板01上,在衬底基板10上形成各个部件后,进行激光剥离(laser lift-off,LLO)工艺以分离衬底基板10和支撑基板01,图5示出了像素阵列06、封装薄膜700以及顶膜04。顶膜04可为保护膜,但不限于此。例如,支撑基板01可为玻璃基板。像素阵列06包括像素电路和发光元件。如图5所示,采用激光Lb照射支撑基板01的设有衬底基板10的相反侧,即背面照射。
如图5所示,激光Lb照射后,衬底基板10与支撑基板01分离。例如,该激光剥离操作过程中可以利用308 nm的脉冲激光透过支撑基板01辐射衬底基板10与支撑基板01的界面。高能量密度的激光能够直接破坏有机物分子的化学键,使材料发生受热破坏,因激光照射时间较短,在较短的接触时间内,只能让衬底基板10的靠近界面处的部分02发生反应,而衬底基板10的远离界面处的部分03不被影响,从而使衬底基板10和支撑基板01分离。
然而,在激光剥离操作分离支撑基板和衬底基板的过程中,当在图4中第二电极层210的位于透光区130的部分被完全去除时,则显示面板中第二电极层210在第一显示区100、第二显示区110中的透光区130以及发光元件设置区120上的厚度分布不均并将出现较大的段差。此时,进行激光剥离操作时,显示面板因受热不均匀,容易出现明显的翘曲现象,并且在其表面将出现气泡,因此显示面板的表面质量受到影响。
为了解决采用激光图形化阴极带来阴极及阴极上方的膜层受热翘曲,容易造成无机封装层的开裂(crack)、以及解决激光剥离操作分离支撑基板和衬底基板的过程中显示面板翘曲和气泡至少之一的问题,本公开的实施例提供的显示面板,为了提高透光区130的透光率并提升封装效果,减薄第二电极层210中的位于透光区的部分。即,第二电极层210中的位于透光区的部分(第三部分210c)不完全去除。
本公开的至少一实施例提供一种显示面板,该显示面板包括:衬底基板、第一电极层、第二电极层以及发光功能层,衬底基板具有第一显示区和第二显示区,第一显示区位于第二显示区的至少一侧,第二显示区包括发光元件设置区和透光区;第一电极层包括多个第一电极,并且多个第一电极位于发光元件设置区和第一显示区;第二电极层包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分位于第一显示区,第二部分位于发光元件设置区,第三部分位于透光区;发光功能层位于第一电极层和第二电极层之间;第一电极层比第二电极层更靠近衬底基板,第一电极层、发光功能层、以及第二电极层形成位于第一显示区的多个第一发光元件和位于发光元件设置区的多个第二发光元件,第二电极层的第二部分的厚度大于第二电极层的第三部分的厚度。
本公开实施例提供的显示面板在采用激光加热以去除第二电极层的位于透光区的一部分,达到有效减薄第二电极层的位于透光区的部分的作用,由此提升透光区的透射率,减轻显示面板翘曲和气泡问题,获得较好的显示品质。
图6为本公开一实施例提供的显示面板的示意图。如图6所示,显示面板包括第一电极层200、第二电极层210以及发光功能层220,第一电极层200包括多个第一电极E1,多个第一电极E1位于发光元件设置区120和第一显示区100;第二电极层210包括第一部分210a、第二部分210b和第三部分210c,第一部分210a位于第一显示区100,第二部分210b位于发光元件设置区120,第三部分210c位于透光区130。发光功能层220位于第一电极层200和第二电极层210之间。
如图6所示,第一电极层200、发光功能层220、以及第二电极层210形成位于第一显示区100的多个第一发光元件201和位于发光元件设置区120的多个第二发光元件202。
图6中,衬底基板位于发光元件的下方,从而,第一电极层200比第二电极层210更靠近衬底基板。为了便于图示,图6未示出衬底基板。
如图6所示,多个第一电极E1彼此间隔,彼此分离,以被分别输入信号。
如图6所示,第二部分210b的厚度为tb,第三部分210c的厚度为tc。如图6所示,第二电极层210的第二部分210b的厚度tb大于第二电极层210的第三部分210c的厚度tc。通过减薄第二电极层210的位于透光区的部分,以使得透光区130具有较高的透光率,并减轻显示面板出现翘曲和气泡的现象。
例如,如图6所示,第二电极层210中的第一部分210a的厚度为ta,第二电极层210的第一部分210a的厚度ta大于第二电极层210的第三部分210c的厚度tc。
例如,在本公开的一些实施例中,如图6所示,第二电极层210中第一部分210a、第二部分210b和第三部分210c的厚度关系为:ta= tb>tc。例如,第二电极层210的厚度分布不均,且第三部分210c的厚度tc最小,由此可以使得透光区130具有较高的透光率。第一部分210a的厚度为ta可以等于或大致等于第二部分210b的厚度为tb。
在本公开的实施例中,一个部件的厚度是指该部件在垂直于衬底基板的方向上的尺寸。即,一个部件的厚度是指该部件在方向Z上的尺寸。
在激光减薄电极薄膜的过程中,因第二电极层中的金属熔点不同,熔点低的金属可以被至少部分气化。例如,通过激光对第二电极层210照射,从而使其内部的金属选择性气化进行减薄的过程中,作为加热照射的激光为点光源,因而会造成第二电极层210受热不均匀,可能使得覆盖在第二电极层210上的覆盖层610在受热冷却后的表面形貌发生变化,可能影响显示面板的光学性能。
在一些实施例中,在衬底基板上形成用于制作第二电极层的薄膜和覆盖层后,进行激光减薄电极薄膜的工艺,由于金属和有机材料制作的覆盖层的膨胀系数不同,在冷却过程后,第二电极层210上的覆盖层形成凸起,凸起的高度差超过10 nm (例如,200 nm-450nm),进而会影响显示画质,也会形成类水波纹,同时会有过刻(over etch)现象。例如,过刻时使得部分的发光功能层被分解。为了避免第二电极层210上的覆盖层形成凸起,并为了避免过刻,不宜采用较高的激光能量进行电极薄膜的减薄。
图7是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图7所示,显示面板包括覆盖层610和涂覆层620,覆盖层610比涂覆层620更靠近第二电极层210。
本公开的实施例以采用激光对电极薄膜进行减薄的工艺,在形成覆盖层610之后并形成涂覆层620之前进行为例进行说明。利用覆盖层610覆盖电极薄膜,以避免电极薄膜被环境影响。例如,避免电极薄膜被氧化。当然,在其他的实施例中,也可以在形成覆盖层610之前,即形成电极薄膜之后形成覆盖层610之前进行激光减薄工艺。
例如,如图7所示,覆盖层610在发光元件设置区120和透光区130至少之一中具有凸起结构610a。例如,凸起结构610a的高度可能大于5 nm并且小于或等于20 nm。例如,凸起结构610a的高度约10 nm。
例如,如图7所示,覆盖在第二电极层210上的覆盖层610可以为有机覆盖层。例如,当激光直径为5 μm时,其热影响区造成的高度差距约为10 nm。因此,在覆盖层610中将可能出现不同高度的凸起结构。覆盖层610的厚度差异使得显示面板的色偏轨迹差异较大,将导致显示面板在邻近第二显示区110与第一显示区100的位置出现画质显示不均的现象。
为此,在本公开的一些实施例中,通过设置涂覆层620,使得覆盖层610的上方位置更平坦,以减小第一显示区100和第二显示区110色偏轨迹差异,进而改善显示面板中的画质不均现象。
例如,涂覆层620的材料的折射率可以与覆盖层610的材料的折射率相同。例如,涂覆层620可以采用与覆盖层610相同的材料。
例如,涂覆层620的厚度小于覆盖层610的厚度。在一些实施例中,涂覆层620的最大厚度小于覆盖层610的最大厚度。进一步例如,涂覆层620的厚度约为覆盖层610的厚度的三分之一至二分之一。
例如,涂覆层620在衬底基板10上的正投影与覆盖层610在衬底基板10上的正投影至少部分交叠。为了起到较好的覆盖作用,涂覆层620在衬底基板10上的正投影也可以覆盖覆盖层610在衬底基板10上的正投影。
通过使得涂覆层620和覆盖层610在衬底基板10上的正投影至少部分交叠或涂覆层620在衬底基板10上的正投影完全覆盖覆盖层610在衬底基板10上的正投影,可以改善涂覆层620对覆盖层610在进行激光照射后出现的厚度不均导致的色偏轨迹差异较大的问题,以提升显示品质,并减轻或避免因覆盖层具有凸起结构而引起的无机封装层的开裂,以提升封装薄膜的封装效果。即,通过设置涂覆层620,可以解决因激光热影响设置像素单元的区域引起的画质及封装信赖性问题。
例如,如图7所示,涂覆层620与覆盖层610相接触,从而使得涂覆层620对覆盖层610的平坦化效果更直接且更佳。
例如,涂覆层620可以包括有机材料涂覆层或无机材料涂覆层。例如,涂覆层620可以选择不吸收光的材料。例如,涂覆层620可以包括下述材料中的至少一种:ZnO、TiO2、聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二氧硅烷、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、对二甲基聚合物、乙烯醇类或者共混物。
图8是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图8所示,显示面板包括像素单元800,像素单元800位于衬底基板10上。如图8所示,像素单元800包括像素电路800a和发光元件800b,像素电路800a配置为驱动发光元件800b。例如,像素电路800a配置为提供驱动电流以驱动发光元件800b发光。例如,发光元件800b为有机发光二极管(OLED),发光元件800b在其对应的像素电路800a的驱动下发出红光、绿光、蓝光,或者白光等。发光元件800b发光的颜色可根据需要而定。
例如,如图8所示,在发光元件800b(包括第一发光元件201和第二发光元件202)与衬底基板10之间设置有控制电路层300,控制电路层300包括多个像素电路800a。例如,第一发光元件201或第二发光元件202分别包括有机发光二极管(OLED)。例如,像素电路800a配置为与第一发光元件201或第二发光元件202电连接,并且驱动与其相连的第一发光元件201或第二发光元件202发光。控制电路层300可以包括薄膜晶体管301,还可以包括其他的晶体管,图中未示出其他的晶体管。控制电路层300位于第一电极层200的靠近衬底基板的一侧。
例如,一个像素可以包括多个像素单元。一个像素可包括出射不同颜色光的多个像素单元。例如,一个像素包括出射红光的像素单元,出射绿光的像素单元和出射蓝光的像素单元,但不限于此。一个像素包括的像素单元的个数以及每个像素单元的出光情况可根据需要而定。
例如,像素电路800a可以设置在如图8所示的显示面板的控制电路层300中。例如,第一发光元件201或第二发光元件202对应的像素电路的结构可以相同,也可以不同,本公开的实施例对此不作限制。
如图8所示,像素单元800包括像素单元801、像素单元802、像素单元803、以及像素单元804。像素单元801和像素单元802位于第一显示区100,像素单元803和像素单元804位于第二显示区110。像素单元803的像素电路800a和像素单元804的像素电路800a之间设有透光区130。
如图8所示,本公开至少一实施例提供的显示面板中,显示面板中的各个部件设置在衬底基板10上,衬底基板10可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。例如,衬底基板10可以包括刚性基板和能够弯曲、折叠和/或卷曲等的柔性基板中的至少一种。例如,衬底基板10的材料包括聚酰亚胺,但不限于此。
图9A为本公开一实施例提供的带有遮光层的显示面板的截面示意图。 图9B为本公开一实施例提供带有遮光层的显示面板的平面示意图。
例如,如图9A和图9B所示,本公开少一实施例中的显示面板还包括遮光层500。如图9A所示,遮光层500位于控制电路层300和衬底基板10之间。如图9A和图9B所示,遮光层500包括第一遮光部510和第二遮光部520,第一遮光部510与第一显示区100至少部分交叠,第二遮光部520与第二显示区110至少部分交叠,第一遮光部510的厚度与第二遮光部520的厚度不等。
例如,第一遮光部510和第二遮光部520可以遮挡和吸收激光的能量。
当对显示面板中的第二电极层210的一部分进行激光加热,从而实现减薄处理的过程中,通过设置与第一显示区100至少部分交叠的第一遮光部510,以及与第二显示区110至少部分交叠的第二遮光部520,可以分别实现对第一显示区100和第二显示区110中各个膜层的保护,可以减轻或避免激光剥离工艺导致的显示面板的翘曲和气泡现象。
例如,第一遮光部510和第一遮光部510可以采用相同或不同的材料。例如,第一遮光部510和第一遮光部510可以采用金属材料制成,但不限于此,也可以采用其他适合的遮光材料。
例如,第一遮光部510的厚度与第二遮光部520的厚度不等,则不同厚度的第一遮光部510和第二遮光部520对激光能量的遮挡与吸收能力不同,因而对第一显示区100和第二显示区110中显示材料的保护效果不同。
例如,如图9A所示,第二遮光部520在衬底基板10上的正投影与发光元件设置区120在衬底基板10上的正投影至少部分交叠,第二遮光部520被配置为在采用激光束图形化处理进行减薄操作时至少部分遮挡激光束的能量。例如,如图9A所示,第一遮光部510的厚度可以小于第二遮光部520的厚度,以在采用激光减薄第二电极层的位于透光区的部分时更好的保护位于第二显示区的像素电路和发光元件。
例如,第二遮光部520在衬底基板10上的正投影与透光区130在衬底基板10上的正投影不交叠或部分交叠。
例如,当采用激光对显示面板的电极薄膜进行减薄时,第二遮光部520可以至少部分遮挡发光元件设置区120的激光束的能量;在采用激光剥离支撑基板和设置在该支撑基板上的衬底基板10时,第二遮光部520可以至少部分遮挡发光元件设置区120的激光束的能量,第一遮光部510可以至少部分遮挡第一显示区100的激光束的能量。如图9A所示,第二遮光部520和发光元件设置区120在衬底基板10上的正投影可以相同,第一遮光部510和第一显示区100在衬底基板10上的正投影可以相同,并且在透光区130中不设置遮光部。因此,透光区130内的第二电极层210中的第三部分210c的厚度可以得到有效减薄,并且达到较好的透射率。其次,第二遮光部520的厚度大,以更利于对第二显示区110中的像素电路和发光元件起到保护作用。
例如,对于本公开的实施例采用的激光减薄电极薄膜的工艺,一方面,激光的能量需要适宜,不应过低或过高。另一方面,第二电极层210的位于透光区130的部分(第三部分210c)的厚度需在不影响透射率的前提下,具有一定的厚度,以避免显示面板产生气泡、翘曲,避免封装薄膜中的无机材料层开裂,提高显示面板的性能和信赖性。第二电极层210的第三部分210c的去除效果与激光的能量强度有关。例如,当激光能量过低时,第三部分210c中的金属合金不能熔化,因而无法达到减薄的目的,透射率不能得到提高。
例如,在对第二电极层210的位于透光区的部分进行激光加热处理时,考虑到激光能量过低不能有效提高透光率,以及激光能量过高对于周边结构的影响,第二电极层210的厚度需要设置在一定的范围内,从而可达到较好的效果。
例如,在本公开的一些实施例中,第二电极层210的第三部分210c的厚度大于0并且小于或等于2 nm。第三部分210c的厚度在上述范围内,可以提高第二显示区的透光率,减轻或避免封装薄膜中的无机材料层开裂,减轻或避免显示面板产生气泡、翘曲的现象。
例如,在第二电极层210的材质包括镁和铝的情况下,第三部分210c的厚度大于0并且小于或等于2 nm。当然,第二电极层210也可以采用其他适合的材料。
例如,第二电极层210的材料包括金属或合金。例如,在一些实施例中,第二电极层210可以选用两种熔点不同的金属制成,即包括第一金属和第二金属。例如,第一金属的熔点小于第二金属的熔点。例如,在本公开的一些实施例中,第一金属可以包括镁,第二金属可以包括银。
例如,第二电极层210的材料包括两种熔点不同的金属的情况下,进行激光加热减薄操作时,可以使得第二电极层210中的一部分金属材料选择性气化,从而达到厚度减薄的效果。例如,在本公开的实施例中,第二电极层210的位于透光区130中的部分(第三部分210c)的厚度最小,即通过激光加热后该区域的透光率最好,由此通过激光加热的方式可有效提升第二显示区的透射率。
例如,如图8和图9A所示,显示面板包括像素限定层900。像素限定层900包括第一限定部901和第二限定部902。第一限定部901位于第一显示区100,第二限定部902位于第二显示区110。例如,第一限定部901和第二限定部902由同一薄膜采用同一构图工艺形成。
如图8和图9A所示,像素限定层900包括开口OPN,开口OPN被配置为限定像素单元的发光元件的出光面积。开口OPN至少暴露第一电极E1的一部分。
如图8和图9A所示,发光功能层220包括第一发光功能部220a、第二发光功能部220b、以及第三发光功能部220c。第一发光功能部220a位于第一显示区100,第二发光功能部220b位于第二显示区110中的发光元件设置区120,第三发光功能部220c位于透光区130。
如图8和图9A所示,第二限定部902的对应于第三发光功能部220c的部分具有凹槽9020。凹槽9020在方向Z上贯穿第二限定部902的一部分。
如图8和图9A所示,第二限定部902的对应于第二发光功能部220b的部分具有开口OPN0。
例如,如图8和图9A所示,开口OPN0的高度和凹槽9020的高度相同,但不限于此。
如图9A所示,控制电路层300中的像素电路800a布置在遮光层500上方。例如,位于第一显示区100的像素电路800a设置在第一遮光部510的上方,位于第二显示区110的像素电路800a位于第二遮光部520的上方。薄膜晶体管301包括半导体层31、栅极32、源极33和漏极34。薄膜晶体管301可以连接到发光元件,以驱动发光元件发光。
例如,如图8和图9A所示,半导体层31包括半导体材料,可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。例如,第一发光元件201和第二发光元件202对应的像素电路中的半导体层的材料可以相同,也可以不同。
例如,栅极32在衬底基板10上的正投影可以与半导体层31在衬底基板10上的正投影交叠。栅极32可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种,并且可以包括单层或多层。
例如,如图8和图9A所示,显示面板包括绝缘层361、绝缘层362、绝缘层363、以及绝缘层364。绝缘层361位于衬底基板10上。绝缘层362覆盖半导体层31。绝缘层363覆盖栅极32。源极33以及漏极34布置在绝缘层363上方。在源极33以及漏极34上覆盖绝缘层364。第一电极E1通过贯穿绝缘层364的过孔V0与漏极34相连。
例如,绝缘层361、绝缘层362、绝缘层363中至少之一包括无机绝缘材料,无机绝缘材料包括氧化硅(SiO2 )、氮化硅(SiNx )、氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。绝缘层361、绝缘层362、绝缘层363中至少之一包括由无机绝缘材料形成的单层或多层。
例如,绝缘层364包括有机绝缘材料,有机绝缘材料包括树脂,但不限于此。例如,绝缘层364可以为平坦化层。平坦化层可以具有平坦的顶表面,以使得布置在平坦化层上方的第一电极E1基本平坦。
如图9A所示,在设置遮光层500的情况下,绝缘层361位于半导体层31和遮光层500之间。
例如,栅极32采用导电材料制作,例如,采用金属制作。例如,栅极32的材料包括钼、镍至少之一,但不限于此,可以根据需要选择合适的材料。
例如,源极33和漏极34可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等中的至少一种的导电材料,并且可以包括单层或多层结构。例如,源极33以及漏极34可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
例如,如图1至图4、图6至图9A所示,第二发光元件202的像素密度小于第一发光元件201的像素密度。即,第二显示区110的分辨率小于第一显示区100的分辨率。
图10A为本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图10A所示,第二限定部902的最大厚度h2小于第一限定部901的最大厚度h1,透光区的透光率得以提高。当然,在一些实施例中,第二限定部902的最大厚度也可以等于第一限定部901的最大厚度。
图10B为本公开另一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图10B所示,第二限定部902具有对应第三发光功能部220c的开口OPN1,第三发光功能部220c的至少一部分位于开口OPN1中,即,第三发光功能部220c在衬底基板10上的正投影与开口OPN1在衬底基板10上的正投影交叠。
例如,如图10B所示,第二电极层220的第三部分220c的至少一部分位于开口OPN1中。
如图8、图9A、图10A和图10B所示,第三发光功能部220c位于绝缘层364上。第三发光功能部220c与绝缘层364接触。
图11是不同厚度的镁银合金的透过率曲线示意图。图11示出了五种情况下的透过率曲线。曲线C1 至曲线C5分别表示厚度分别为 4 nm、3 nm、2 nm、1 nm、0 nm的镁银合金的透过率曲线。
如图11所示,在460 nm-650 nm的激光下,透光区130中不同厚度的第三部分210c的透过率有差异,并且当厚度差约为2 nm时,平均透过率差小于5%。
因此,在透光区130中,第二电极层210的第三部分210c的厚度大于0,但是不能太厚。例如,根据图11可知,当透光区130的厚度约为2 nm时,波长为550 nm时的透过率为88%,故第二电极层210在透光区130的部分(第三部分210c)的厚度约为2 nm时对透过率影响不大。此时,波长为600 nm的光透过第二显示区的透过率约为40 %,在第三部分210c的厚度为2 nm的情况下,第二显示区中的第三部分210c的平均透过率约为88%。
在第三部分210c的厚度约为2 nm时,显示面板几乎没有翘曲。
例如,在一些实施例中,第一部分210a的厚度为120埃-160埃,第二部分210b的厚度为120埃-160埃,第三部分210c的厚度约为2 nm。
例如,在一些实施例中,第三部分210c的厚度约为第一部分210a的厚度的10 %-20%。进一步例如,第三部分210c的厚度约为第一部分210a的厚度的10 %-15 %。
因激光减薄第二电极层的位于透光区的部分时,第二电极层的位于透光区的部分中的金属被选择性气化,使得激光减薄工艺后的第二显示区的透光区中的金属比例与激光减薄工艺前的第二显示区的透光区中的金属比例不同,从而,第三部分210c中的金属比例与第二部分210b中的金属比例不同,与第一部分210a中的金属比例不同。激光减薄工艺后,熔点低的金属的占比(浓度)减小,而熔点高的金属的占比(浓度)升高。
例如,在本公开的一些实施例中,第二电极层210的材料包括第一金属和第二金属,第一金属的熔点小于第二金属的熔点,第二电极层210的第二部分210b之中的第一金属与第二金属的原子比大于第二电极层210的第三部分210c之中的第一金属与第二金属的原子比。金属的原子比是指金属的原子个数之比。
例如,第二电极层210的第三部分210c中的第一金属和第二金属的原子比大于或等于0并且小于0.25(1:4)。
例如,当第一金属为镁,第二金属为银时,第二电极层210中还可以包括钇。对于金属镁、银、钇等按照一定的厚度和比例进行制备的第二电极层210,例如,Yb/Mg:Ag,其中,Mg:Ag的原子比为1:9-2:8。根据合金相图和镁银比例范围,合金熔点温度约为850-888 ℃,此温度介于镁、银金属单质的熔点之间,镁、银的熔点分别为648 ℃和961 ℃。可采用位于第一金属的熔点温度和第二金属的熔点温度之间的温度进行激光减薄电极薄膜的操作。
例如,当采用温度为880 ℃的激光对透光区130进行加热以进行减薄操作时,由于该温度介于镁、银的熔点温度之间,形成第二电极层210中第三部分210c的电极薄膜中的镁、银将发生选择性气化。因而,相对于第二电极层210中的其他部分,位于透光区130中的第三部分210c中的镁、银原子比将发生改变。
例如,第三部分210c中的镁在880 ℃的激光加热过程中首先发生气化,因而镁的含量降低,相对的,第三部分210c中银的含量升高。在一些实施例中,根据化学成分定量分析,经过激光加热后,第二电极层210的位于透光区130的部分(第三部分210c)中的Mg的浓度从25.25 %降低到11.3 %,银的比例由74.75 %增加到88.7 %。例如,合金中的金属元素的浓度是指该金属元素的原子个数与合金中的该金属元素的原子个数和合金中的其他金属的原子个数之和的比值。
经过选择性气化过程后,第二电极层210的第三部分210c中的镁与第二电极层210的第一部分210a中的镁的原子比大于或等于0并且小于1。即镁经过气化过程后含量降低,在第三部分210c中的Mg的含量小于在第一部分210a中的Mg的含量,因第三部分210c的厚度减小,透光区130的透射性增强。
相应的,镁经过气化过程后含量减小,第三部分210c中银的含量将升高。例如,第二电极层210的第三部分210c中的银的含量和第二电极层210的第一部分210a中银的含量之比大于或等于1并且小于1.25。
通常,当第一金属为镁,第二金属为银时,Mg:Ag的原子比为1:9-2:8,然而,第二电极层的材料中的第一金属和第二金属也可以采用其他比例。例如,Mg:Ag的原子比为1:16-2:8。
例如,在一些实施例中,第二电极层的材料也可以含有第一金属而不含有第二金属,或者不含有第一金属而含有第二金属,例如,第二电极层的材料可以含有镁而不含有银,或者不含有镁而含有银。
以上以第一金属为镁,第二金属为银为例进行说明,在其他的实施例中,第一金属和第二金属也可以采用其他适合的金属元素。在不限于第二电极层的材料包括镁和银的情况下,也可以相应地有如上对应的比例关系。例如,第二电极层的材料可以包括铝、银、钼、钛、铜、金、镁至少之一。
例如,在本公开的实施例中,第二电极层的第二部分之中的第一金属与第二金属的原子比大于第二电极层的第三部分之中的第一金属与第二金属的原子比。
在本公开的实施例中,在本公开的实施例中,第二电极层的第三部分中的第一金属和第二金属的原子比大于或等于0并且小于0.25。
在本公开的实施例中,在本公开的实施例中,第二电极层的第三部分中的第一金属和第二电极层的第一部分中的第一金属的原子比大于或等于0并且小于1。
在本公开的实施例中,在本公开的实施例中,第二电极层的第三部分中的第二金属的含量和第二电极层的第一部分中的第二金属的含量之比大于或等于1并且小于1.25。
图12为本公开一实施例提供的显示面板中的第二电极层中的第一部分的扫描电镜(SEM)图。图13为本公开一实施例提供的显示面板中的第二电极层中的第三部分的扫描电镜(SEM)图。
例如,在本公开的一些实施例中,显示面板中第二电极层210包括镁铝合金。如图12所示,第二电极层中的第一部分相对致密,其也可看成是激光减薄电极薄膜之前的电极薄膜的位于透光区的部分的结构。如图13所示,针对第二电极层进行激光加热时,例如镁银的原子比为1:9时,由于镁、银的熔点不同,熔点较低的镁先气化,因此将剩余银。然而,银受热易发生团聚,并且导致冷却后的薄膜为不连续的、有结晶且薄的金属膜或合金膜。即,第三部分210c不连续、且结晶。图13示出了第三部分210c包括本体2101和位于本体2101中的微观开口2102。例如,微观开口2102的尺寸在纳米级别。
在一些实施例中,外界能量(热等)介入时,银薄膜(第三部分210c)容易发生结块团聚成岛状的不连续薄膜。
此外,由于银薄膜很容易发生结块并团聚成为岛状的不连续薄膜,不但会导致第二电极层210的第三部分210c的导电性变差,可见光通过率也会随之降低。例如,第二电极层210中的银受高温后,导致最终的薄膜粗糙度可以达到6 nm,而显示区例如第一显示区100或发光元件设置区130的粗糙度可以为4 nm,因此第二电极层210的位于透光区130的部分的粗糙度可能会更大。即,第三部分210c的粗糙度大于第一部分210a的粗糙度,并大于第二部分210b的粗糙度。
例如,在本公开提供的一些实施例中,如图13所示,第二电极层210的第三部分210c是不连续的。例如,第二电极层210的第三部分210c的粗糙度大于第二电极层210的第二部分210b的粗糙度,第二电极层210的第三部分210c的粗糙度大于第二电极层210的第一部分210a的粗糙度。
图14是本公开一实施例提供的一种显示面板的示意图。如图14所示,显示面板包括衬底基板10、位于衬底基板10上的像素结构1010、以及位于像素结构1010上的封装薄膜700。像素结构1010包括上述像素单元中的像素电路800a和发光元件800b。如图14所示,位于透光区的膜层构成透光膜层1011。透光膜层1011被配置为透过照射到其上的光。透光膜层1011可以包括上述的封装薄膜700,但不限于此。
例如,如图14所示,入射光Lc从显示面板的第一侧S1入射到显示面板中,再经过透光区130到达显示面板的第二侧S2,入射光Lc从第一侧S1入射,经封装薄膜700入射到第三部分210c上,再继续行进直至从第二侧S2出射。例如,入射光Lc为环境光。图14示出了入射光Lc和出射光Ld。
例如,第二显示区的透过率满足如下关系:
其中,T0为所述第二显示区的所述透过率,η为所述第二显示区的背板开口率,0.1<η<1.0,n为所述透光膜层的折射率,1.0≤n≤3.0,k 为所述透光膜层的吸收调整系数,0<k<2.0,l为所述透光膜层的厚度,8 μm≤l≤65 μm。
在一些实施例中,0<k<1.0,18 μm≤l≤45 μm。
在一些实施例中,0.0001≤k≤0.05,25 μm≤l≤35 μm。
例如,k=M0×Ln(I0/I),其中,I0为入射光的光强,I为出射光的光强,M0为光强调整系数,0<M0<1。
例如,第二显示区110的背板开口率是指第二显示区110中的透光区的面积与第二显示区110的面积的比值。即,在第二显示区110中的除了用于显示和布线的区域之外的区域的面积与第二显示区110的面积的比值。
图14示出了透光膜层1011的厚度l。
例如,透光膜层包括衬底基板、封装层、第二电极层的第三部分等。
例如,第一侧S1可为显示面板的正面,为出光侧,第二侧S2可为显示面板的背面。
例如,上述公式中的n可以表示透光膜层的综合折射率。例如,综合折射率可以为透光膜层含有的各个透光子层的复合折射率,但不限于此。
图15为本公开的实施例提供的显示面板中的透光膜层的示意图。如图15所示,透光膜层1011包括多个透光子层。图15示出了透光膜层1011包括m个透光子层。
例如,综合折射率n可以采用以下公式计算。
n= (D1+D2+....Dm) × (N1×N2×...Nm)/ (D1×N1+D2×N2+....Dm×Nm) ,
其中,D1为透光子层1的厚度,N1为透光子层1的折射率,D2为透光子层2的厚度,N2为透光子层2的折射率,Dm为透光子层m的厚度,Nm为透光子层m的折射率,入射光线的入射角度为θi,透光子层1中sinθi/sinθj1=N1,θi远大于0,θj1=θi/N1,透光子层2中sinθj1/sinθj2=N2/N1,θj2=θi/N2,入射点和出射点的连线与法线L0夹角为β,对于透光膜层1011包括两个透光子层的情况,tgβ=(D1×tgθj1+D2×tgθj2)/(D1+D2),β=(D1/N1+D2/N2)/(D1+D2),综合折射率为n=sinθi/sinβ=(D1+D2) ×N1×N2/(D1×N1+D2×N2),推导使用了简化公式,对于近轴光线的误差应该很小,当然由此也可以看到由于入射角度的变换,综合折射率也会略有变换。
从上式可指,综合折射率n的分子为各个透光子层的厚度之和与各个透光子层的折射率之积相乘,综合折射率n的分母为每个透光子层的厚度与该透光子层的折射率的积的加和。
当然,透光膜层的综合折射率也可以采用其他方式计算。例如,透光膜层的综合折射率n采用折射率最大的透光子层的折射率,但不限于此。例如,透光膜层的综合折射率n=k0×n0,n0为折射率最大的透光子层的折射率,k0为系数, k0大于0.8并且小于1.5。进一步例如,k0大于0.9并且小于1.3。
进一步例如,透光膜层1011的折射率可以为1.6-1.8,但不限于此。
例如,第一封装层701和第三封装层703的折射率可以相同,也可以不同。例如,第一封装层701的折射率为1.6-1.8,第三封装层703的折射率为1.6-1.8,但不限于此。
例如,第二电极层的折射率为1.4-1.6,但不限于此。
例如,在一些实施例中,η=47.6%,n=1.8,k=0.0001,l=30 μm,则,T0=47.6% ×[1-(0.8/2.8)2] ×e(-0.0001×30)=0.4。
本公开的至少一实施例提供一种显示装置,包括上述任一显示面板。
图16A为本公开一实施例提供的一种显示装置的结构示意图。图16B和图16C为本公开一实施例提供的显示装置的示意图。
如图16A、图16B和图16C所示,显示装置还包括光学传感器15,光学传感器15被配置为接收透过透光区130的外部光。
例如,如图16A、图16B和图16C所示,光学传感器15可以设置在衬底基板10下方并对应于第二显示区110的区域。例如,光学传感器15可以包括使用红外光或可见光的作为相机的成像装置。例如,光学传感器15可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器和虹膜传感器中的至少一种。例如,光学传感器15还可以具有接收声音的功能。第二显示区110中的透光区130可以将光和/或声音从外部朝光学传感器15传播或从光学传感器15输出到外部。
如图16B和图16C所示,光学传感器15位于显示面板的一侧,并位于第二显示区110。环境光可透过第二显示区110而被传感器15感知。如图16C所示,显示面板的未设置光学传感器15的一侧为显示侧,可以显示图像。
图17和图18为本公开的实施例提供的显示装置的示意图。图18示出了遮光层500。图17中衬底基板10的位于第二显示区的部分被去除了一部分以形成凹槽1001,以使得传感器15可以被至少部分放置在凹槽1001中。
例如,如图17和图18所示,本公开的实施例提供的显示装置还包括盖窗结构410,盖窗结构410和光学传感器15位于显示面板的相对的两侧。例如,盖窗结构410可以为单层或多层,配置为对显示装置进行压盖和封装。
例如,如图17和图18所示,盖窗结构410可以包括盖窗衬底413、光学胶层411、功能膜层412、光学胶层423、光学胶层414、以及盖板415。例如,盖窗衬底413为玻璃衬底。例如,盖窗衬底413为超薄玻璃,但不限于此。光学胶层423、光学胶层411和光学胶层414的材料包括光学透明胶(OCA),但不限于此。例如,功能膜层412和盖板415分别采用热塑料性聚酯层,但不限于此。功能膜层412和盖板415的材料包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET),但不限于此。功能膜层412可包括扩散膜层,但不限于此。
图17和图18所示,显示装置包括滤光层421,滤光层421被配置为对照射到其上的光进行滤色。滤光层421位于封装薄膜700和盖窗结构410之间。滤光层421可形成在封装薄膜700上,盖窗结构410中的光学胶层411与滤光层421粘结。
例如,显示装置为屏下摄像头的全面屏显示装置。例如,显示装置包括OLED或包括OLED的产品。例如,显示装置包括含有上述显示面板的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
本公开的一些实施例的附图示出了方向X、方向Y、以及方向Z至少之一。方向X和方向Y为平行于衬底基板的方向,方向X和方向Y交叉,例如,方向X和方向Y垂直,方向Z为垂直于衬底基板的方向,方向Z垂直于方向X,并垂直于方向Y。
有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下,本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (34)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,具有第一显示区和第二显示区,所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧,所述第二显示区包括发光元件设置区和透光区;
第一电极层,包括多个第一电极,所述多个第一电极位于所述发光元件设置区和所述第一显示区;
第二电极层,包括第一部分、第二部分和第三部分,所述第一部分位于所述第一显示区,所述第二部分位于所述发光元件设置区,所述第三部分位于所述透光区;以及
发光功能层,位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,
其中,所述第一电极层比所述第二电极层更靠近所述衬底基板,所述第一电极层、所述发光功能层、以及所述第二电极层形成位于所述第一显示区的多个第一发光元件和位于所述发光元件设置区的多个第二发光元件,
所述第二电极层的所述第二部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度,
所述显示面板,还包括遮光层,其中,所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部,所述第一遮光部与所述第一显示区至少部分交叠,所述第二遮光部与所述第二显示区至少部分交叠,所述第一遮光部的厚度与所述第二遮光部的厚度不等,
所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述发光元件设置区在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠,所述第二遮光部被配置为在采用激光束图形化处理进行减薄操作形成所述第二电极层的所述第三部分时至少部分遮挡所述激光束的能量。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第一部分的厚度大于所述第二电极层的所述第三部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一遮光部的厚度小于所述第二遮光部的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影与所述透光区在所述衬底基板上的正投影不交叠或部分交叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括控制电路层,其中,所述控制电路层位于所述第一电极层的靠近所述衬底基板的一侧,所述遮光层位于所述控制电路层和所述衬底基板之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括覆盖层和涂覆层,其中,所述覆盖层比所述涂覆层更靠近所述第二电极层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述覆盖层的材料的折射率和所述涂覆层的材料的折射率相同。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影与所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述覆盖层在所述衬底基板上的正投影。
10.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层与所述覆盖层接触。
11.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述覆盖层在所述发光元件设置区和所述透光区至少之一中具有凸起结构。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构的高度大于或等于5nm,并且小于或等于20 nm。
13.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层包括有机材料涂覆层或无机材料涂覆层。
14.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述涂覆层包括下述材料中的至少一种:氧化锌、氧化钛、聚酰亚胺、苯并环丁烯、六甲基二氧硅烷、六甲基二甲硅醚、聚苯乙烯、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、对二甲基聚合物、乙烯醇类或者共混物。
15.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,位于所述透光区的膜层构成透光膜层,其中,所述透光膜层被配置为透过照射到其上的光。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于, 0<k<1.0,18 μm≤l≤45 μm;或者0.0001≤k≤0.05,25 μm≤l≤35 μm。
18.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,k=M0×Ln(I0/I),其中,I0为入射光的光强,I为出射光的光强,M0为光强调整系数,0<M0<1。
19.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,所述透光膜层包括封装薄膜,所述封装薄膜覆盖所述多个第一发光元件和所述多个第二发光元件。
20.根据权利要求19所述的显示面板,其特征在于,所述封装薄膜包括第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层依次设置,并且所述第一封装层比所述第三封装层更靠近所述衬底基板。
21.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的材料包括第一金属和第二金属,所述第二电极层的所述第二部分之中的第一金属与第二金属的原子比大于所述第二电极层的所述第三部分之中的第一金属与第二金属的原子比。
22.根据权利要求21所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分中的第一金属和第二金属的原子比大于或等于0并且小于0.25。
23.根据权利要求21所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分中的第一金属和所述第二电极层的所述第一部分中的第一金属的原子比大于或等于0并且小于1。
24.根据权利要求21所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分中的第二金属的含量和所述第二电极层的所述第一部分中的第二金属的含量之比大于或等于1并且小于1.25。
25.根据权利要求21所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属的熔点小于所述第二金属的熔点。
26.根据权利要求21所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属包括镁,所述第二金属包括银。
27.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分是不连续的。
28.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分的粗糙度大于所述第二电极层的所述第二部分的粗糙度。
29.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层的所述第三部分的厚度大于0并且小于或等于2 nm。
30.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括像素限定层,其中,所述像素限定层包括第一限定部和第二限定部,所述第一限定部位于所述第一显示区,所述第二限定部位于所述第二显示区,所述第二限定部的最大厚度小于所述第一限定部的最大厚度。
31.根据权利要求1-14任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第三部分包括本体和位于所述本体中的微观开口,所述微观开口的尺寸在纳米级别。
32.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-31任一项所述的显示面板。
33.根据权利要求32所述的显示装置,其特征在于,还包括:
光学传感器,所述光学传感器被配置为接收透过所述透光区的外部光;以及
盖窗结构,所述盖窗结构和所述光学传感器位于所述显示面板的相对的两侧。
34.根据权利要求33所述的显示装置,其特征在于,所述盖窗结构包括盖窗衬底、功能膜层、以及光学胶层。
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