CN112201761B - 显示屏、显示装置及显示屏的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示屏、显示装置及显示屏的制备方法,涉及显示技术领域,该显示屏包括依次层叠设置的阵列基板、阳极层、发光层以及阴极层;发光层包括多个发光单元和用于隔离各发光单元的像素限定层,像素限定层为透明层;阴极层中设有与像素限定层对应的镂空区,镂空区具有半透光部以及贯穿所述阴极层的透光部。本发明通过透光部的设置可以提高与像素限定层对应的阴极层的透光率,从而提高感光元件获取图像的效果。此外,半透光部保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示屏、显示装置及显示屏的制备方法。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,全面屏显示已经成为手机等电子设备的发展趋势。为了实现全面屏显示,通常需要将摄像头设置在电子设备的显示屏的下方,从而形成屏下摄像头。
OLED显示屏通常包括依次层叠设置的阵列基板、阳极层、发光层以及阴极层,其中,发光层包括多个发光单元和用于隔离各发光单元的像素限定层,由于像素限定层不发光,因此,为了提高阴极层的透光率,通常会利用刮刀或者其他工具,将阴极层与像素限定层相对应的部分去除,使得阴极层上形成多个间隔分布的条形通孔。
虽然,上述的方式可以增加阴极层的透光率,相应地,也会增加光线的衍射率,降低屏下摄像头等感光元件获取的图像效果。
发明内容
鉴于上述问题,本发明实施例提供一种显示屏、显示装置及显示屏的制备方法,在提高阴极层的透光率的同时,也能降低射向感光元件的光线的衍射率,提高了感光元件获取的图像效果。
为了实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
本发明实施例的第一方面提供一种显示屏,其包括:依次层叠设置的阵列基板、阳极层、发光层以及阴极层;所述发光层包括多个发光单元和用于隔离各所述发光单元的像素限定层,所述像素限定层为透明层;所述阴极层中设有与所述像素限定层对应的镂空区,所述镂空区具有半透光部以及贯穿所述阴极层的透光部,所述透光部用于供射向感光元件的光线穿过,所述半透光部用于阻止射向感光元件的光线经过镂空区时产生衍射。
如上所述的显示屏,其中,所述透光部由多个贯穿所述阴极层的通孔组成,且多个所述通孔不规则排列在所述镂空区内;相邻的所述通孔之间形成所述半透光部。
如上所述的显示屏,其中,所述通孔为贯穿所述阴极层的狭缝,且所述狭缝的宽度不等。
本发明实施例的第二方面提供一种显示装置,包括如上所述的显示屏,以及位于所述显示屏下方的感光元件,所述显示屏中的镂空区与所述感光元件对应。
本发明实施例的第三方面提供一种显示屏的制备方法,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成阳极层;
在所述阳极层上形成发光层,所述发光层包括多个发光单元和用于隔离各所述发光单元的像素限定层;
在所述发光层上形成阴极层;
去除所述阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,且相邻的所述透光部之间形成半透光部,所述透光部和所述半透光部形成镂空区,所述镂空区与所述像素限定层对应。
如上所述的显示屏的制备方法,其中,去除所述阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,且相邻的所述透光部之间形成半透光部,所述透光部和所述半透光部形成镂空区,所述镂空区与所述像素限定层对应的步骤中包括:
提供压印模板;
在所述压印模板上形成第一光刻胶膜层;
图形化所述第一光刻胶膜层,形成第一光刻胶掩膜图案,所述第一光刻胶掩膜图案包括第一掩膜区和第一蚀刻区;
去除位于所述第一蚀刻区内的部分深度的所述压印模板,所述第一掩膜区对应的所述压印模板上形成压印图形,所述压印图形用于形成所述镂空区。
如上所述的显示屏的制备方法,其中,去除位于所述第一蚀刻区内的部分深度的所述压印模板,所述第一掩膜区对应的所述压印模板上形成压印图形,所述压印图形用于形成镂空区的步骤包括:
采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除与所述第一蚀刻区对应的部分深度的所述压印模板,形成与所述第一掩膜区对应的第一凸起;
在所述第一凸起上形成压印图形。
如上所述的显示屏的制备方法,其中,在所述第一凸起上形成压印图形的步骤包括:
在所述第一凸起背离所述压印模板的表面上形成第二光刻胶膜层;
图形化所述第二光刻胶膜层,形成第二光刻胶掩膜图案,所述第二光刻胶掩膜图案包括第二掩膜区和第二蚀刻区;
去除与所述第二蚀刻区对应的部分深度的所述第一凸起,所述第二掩膜区对应的第一凸起上形成第二凸起,所述第二凸起用于形成所述镂空区的透光部。
如上所述的显示屏的制备方法,其中,去除与所述第二蚀刻区对应的部分深度的所述第一凸起,所述第二掩膜区对应的第二凸起的步骤之后,还包括:
提供加压设备,所述加压设备的输出端与所述压印模板连接,用于给所述压印模板提供压力,使压印模板的压印图形与像素限定层对应的阴极层形成冷焊粘结;
移除压印模板,压印模板将与所述像素限定层对应的阴极层的部分区域剥离,在与所述像素限定层对应的阴极层上形成镂空区的透光部。
如上所述的显示屏的制备方法,其中,所述压印模板的材质包括硅、硅化合物或者金属中的至少一种。
本发明实施例所提供的显示屏、显示装置及显示屏的制备方法中,通过将与像素限定层对应的阴极层设置成镂空区,且镂空区内设有透光部,这样可以提高与像素限定层对应的阴极层的透光率,减少了射向感光元件的光线穿过与像素限定层对应的阴极层时的光线损失,从而提高感光元件获取图像的效果。
此外,镂空区还具有阻挡相邻发光单元发射的光线穿过镂空区的半透光部,利用半透光部将相邻的透光部分割开,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
除了上面所描述的本发明实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外,本发明实施例提供的显示屏、显示装置及显示屏的制备方法所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果,将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中显示屏的结构示意图;
图2为本发明实施例一提供的显示屏的结构示意图;
图3为本发明实施例一提供的显示屏的一种俯视图;
图4为本发明实施例一提供的显示屏的另一种俯视图;
图5为本发明实施例一提供的镂空区的俯视图;
图6为本发明实施例三提供的显示屏的制备方法的流程图一;
图7为本发明实施例三提供的显示屏的制备方法的流程图二;
图8为本发明实施例三提供的显示屏的制备方法的流程图三;
图9为本发明实施例三提供的显示屏的制备方法的初始状态图;
图10为本发明实施例三提供的显示屏的制备方法的最终状态图。
附图标记:
100:阵列基板;
200:阳极层;
300:发光层;
310:发光单元;
320:像素限定层;
400:阴极层;
500:镂空区;
510:透光部;
520:半透光部;
600:压印模板;
610:第一凸起;
620:第二凸起。
具体实施方式
图1为相关技术中显示屏的结构示意图,如图1所示,由于阴极层400为金属层,为了提高光线的透光率,通常是将与像素限定层320对应的阴极层400去除,使得像素限定层320暴露出,这样在阴极层400上形成多个间隔分布的条形通孔,当射向感光元件的光线经过规则的条形通孔时,会产生衍射,进而降低感光元件获取的图像效果。
针对上述的技术问题,本发明实施例提供的显示屏、显示装置以及显示屏的制作方法,通过将与像素限定层对应的阴极层设置成镂空区,且镂空区内设有透光部,这样可以提高与像素限定层对应的阴极层的透光率,减少了射向感光元件的光线穿过与像素限定层对应的阴极层时的光线损失,从而提高感光元件获取图像的效果。
同时,镂空区具有阻挡相邻发光单元发射的光线穿过镂空区的半透光部,利用半透光部将相邻的透光部分割开,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
为了使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,均属于本发明保护的范围。
如图2至图5所示,本发明实施例提供的显示屏,包括依次层叠设置的阵列基板100、阳极层200、发光层300以及阴极层400。
阵列基板100作为显示屏的承载部件,用于支撑设置在其上的元件,以及用于控制设置在其上元件中的电流或电压。
其中,阵列基板100可以包括衬底、设置在衬底上的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称为TFT)阵列层以及设置在TFT阵列层上的平坦层等,衬底可以为硬质衬底,如玻璃衬底、塑料衬底;也可以为柔性衬底,如包括聚酰亚胺(Polyimide,简称PI)的柔性衬底。
阵列基板100的平坦层上依次设置阳极层200、发光层300以及阴极层400,其中,阳极层200位于阵列基板100上,用于产生空穴;阴极层400用于产生电子,发光层300位于阳极层200和阴极层400之间,阴极层400产生的电子和阳极层200产生的空穴在发光层中复合形成电子空穴对,即激子,激子能够将能量传递至发光层300的有机发光材料,使得有机发光材料发出光线。
发光层300包括发光单元310和像素限定层320,其中,发光单元310能够发出光束,像素限定层320用于隔离发光单元310,从而限定出发光区域。为了保证感光元件的正常工作,本发明实施例将像素限定层320设置为透明层,这样光线能够通过像素限定层320传递至显示屏下方的感光元件的位置处,使得感光元件能够获取图像。
阴极层400中设有镂空区500,且镂空区500与像素限定层320对应,这样可以提高供射向感光元件的光线在穿过阴极层400时的透光率,从而提高感光元件获取的图像效果。其中,感光元件为摄像头、传感器以及其他生物特征识别能力的器件,生物特征识别能力的器件可以用于进行指纹识别、掌纹识别或人脸识别。
其中,如图5所示,镂空区500具有透光部510和半透光部520,透光部510贯穿阴极层400,可以供射向感光元件的光线穿过。半透光部520保留了阴极层的初始结构,用于降低透过镂空区500射向感光元件的光线产生衍射。
需要说明的是,半透光部520可以指代阴极层400原有的结构,即阴极层400的镂空区500内除去透光部510之外的部分。且由于阴极层400的镂空区500内除去透光部510之外的部分的透过率小于透光部510,因此将该部分区域定义为半透光部520。
也就是说,在阴极层400中与像素限定层320所对应的区域中,可以通过刮刀或者其他的工具完全去除一部分区域的阴极层,形成贯穿阴极层400的透光部510,相应的,另一部分区域的阴极层,即,除去贯穿阴极层的透光部的部分,形成半透光部520。
在本实施例中,镂空区500与像素限定层320对应,而像素限定层320用于隔离各个发光单元310,因此,当发光单元310呈阵列排布时,像素限定层320也呈阵列排布,相应的,镂空区500可以与一行或一列像素限定层320对应。
比如,如图3所示,显示屏可以包括五列像素限定层320,且相邻的两列像素限定层320之间设有一列发光单元310,相应地,每列像素限定层320所对应的阴极层400的设置成镂空区500,其中,镂空区500在像素限定层320上的投影的面积可以与像素限定层320基本相等;也可以是镂空区500在像素限定层320上的投影的面积小于像素限定层320的面积,如图4所示,也就是说,镂空区500可以包括多个间隔设置的子镂空区,每个子镂空区内均具有透光部510和半透光部520。
在本实施例中,通过将与像素限定层320对应的阴极层400设置成镂空区500,且镂空区500内设有透光部510,这样可以提高与像素限定层对应的阴极层的透光率,减少了射向感光元件的光线穿过与像素限定层对应的阴极层时的光线损失,从而提高感光元件获取图像的效果。
此外,镂空区500还具有阻挡相邻发光单元发射的光线穿过镂空区的半透光部520,利用半透光部520将相邻的透光部510分割开,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
作为透光部510的一种可选地实施方式,透光部510由多个贯穿阴极层的通孔组成,且多个通孔不规则排列在镂空区500内,相邻的通孔之间形成半透光部520。
如图5所示,本实施例中,多个通孔不规则排列在镂空区500内,而并非如相关技术中,多个通孔阵列排布在镂空区内,这样单位面积内,通孔所占的比例不同,相应地,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
进一步地,通孔为贯穿阴极层的狭缝,且狭缝的宽度不等,也就是说,每个通孔也不是规则的形状,如图5所示,狭缝的宽度有的地方宽,有的地方窄,且狭缝的轴线并非与镂空区500的长度方向或者宽度方向呈特定夹角,这样,通孔形状越是不规则,射向感光元件的光线越不容易出现干涉相长或干涉相消,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现衍射和干涉相长、相消的情况,尽量避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
此外,显示屏还可以包括封装层,封装层可以覆盖在阴极层400的上方,比如,封装层与阴极层400之间可以采用封装胶连接,封装层用于封装阵列基板100和发光层300,防止水氧、尘埃以及射线进入发光层300中,保证了显示面板的可靠工作。
封装层可以为无机薄膜,比如氮化硅膜;也可以为有机薄膜,比如,聚合薄膜。此外,为了保证封装层的透明性,封装层还可以为透明材质。
实施例二
本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述实施例中的显示屏以及位于显示屏背面的感光元件,其中,显示屏中的镂空区500与感光元件对应。
其中,显示装置可以应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及具有显示屏的移动终端或者其他终端设备。感光器件为摄像头、传感器以及其他生物特征识别能力的器件,生物特征识别能力的器件可以用于进行指纹识别、掌纹识别或人脸识别。
在本实施例中提供的显示装置,由于包括上述实施例描述的显示屏,因此,该显示装置也具有与上述显示屏相同的优点,具体可参见相关描述,在此不再进行赘述。
本实施例通过将与像素限定层对应的阴极层400设置成镂空区500,且镂空区500内设有透光部510,这样可以提高与像素限定层320对应的阴极层400的透光率,减少了射向感光元件的光线穿过与像素限定层320对应的阴极层400时的光线损失,从而提高感光元件获取图像的效果。
此外,镂空区500还具有半透光部520,利用半透光部520将相邻的透光部分割开,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
实施例三
如图6所示,本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
S100:提供阵列基板。
阵列基板100用于承载显示装置的其他器件,以及用于控制设置在其上的其他器件的电流或电压。阵列基板100通常包括衬底,设置衬底上TFT阵列层以及覆盖TFT阵列层的平坦化层。
S200:在阵列基板上形成阳极层。
采用沉积、蒸镀或溅射等工艺在阵列基板的平坦层上形成阳极层;阳极层一般包括呈阵列状排布的多个阳极块,每个阳极块通过形成在平坦化层中的过孔与TFT阵列层中的源极或漏极连接。
S300:在阳极层上形成发光层,发光层包括多个发光单元和用于隔离各个发光单元的像素限定层;其中,像素限定层为透明层。
在此步骤中,可以先在阳极层200上形成像素限定层320,通过构图工艺在像素限定层中形成多个开口,然后在通过掩膜板向开口内蒸镀有机发光材料,以形成位于开口内的发光层。
S400:在发光层上形成阴极层。
通过蒸镀的方式在发光层上蒸镀阴极材料,例如:铝或铝镁合金等,形成阴极层。
S500:去除阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,相邻的透光部之间形成半透光部,透光部和半透光部形成与像素限定层对应的镂空区。
在此步骤中,可以利用刮刀或者其他的设备,将阴极层400中部分区域挖除,这样被挖除的区域形成透光部510,当挖除的部分区域为多个时,相邻的透光部510之间会形成半透光部520,多个透光部510和多个半透光部520会形成镂空区500,该镂空区500与像素限定层320对应。
其中,透光部510用于供射向感光元件的光线穿过,这样可以提高与像素限定层对应的阴极层的透光率,减少了射向感光元件的光线穿过与像素限定层对应的阴极层时的光线损失,从而提高感光元件获取图像的效果。
另外,半透光部520用于阻挡相邻发光单元发射的光线穿过镂空区,利用半透光部将相邻的透光部分割开,使得射向感光元件的光线越不容易出现相位或者振幅相长的情况,从而保证当射向感光元件的光线透过该镂空区时,大大减少出现相位或者振幅相长的情况,这样可以避免相位的叠加,减弱了衍射现象的产生,进而提高了感光元件获取的图像效果。
如图7、图9和图10所示,在一些实施例中,去除阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,且相邻的透光部之间形成半透光部,透光部和半透光部形成镂空区,镂空区与像素限定层对应的步骤中包括:
S510:提供压印模板。
其中,压印模板600的材质可以为硅、硅化合物或者金属中的一种。
S520:在压印模板上形成第一光刻胶膜层。
可以采用涂布-固化法、喷墨打印法或沉积法在压印模板上形成第一光刻胶膜层,也就是说,第一光刻胶膜层覆盖压印模板的下表面。
S530:图形化第一光刻胶膜层,形成第一光刻胶掩膜图案,第一光刻胶掩膜图案包括第一掩膜区和第一蚀刻区。
通过掩膜、曝光、显影、刻蚀等图形化处理方式,对第一光刻胶膜层进行图形化处理,形成第一光刻胶掩膜图案
S540:去除位于第一蚀刻区内的部分深度的压印模板,第一掩膜区对应的压印模板上形成压印图形,压印图形用于形成镂空区。
在一种可选的实施方式中,步骤S540中可以包括步骤S541:即:采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除与第一蚀刻区对应的部分深度的压印模板,相应地,形成位于两个相邻的第一蚀刻区之间的第一凸起610,第一凸起610与第一掩膜区对应。
在此步骤中,第一凸起610可以直接用于形成镂空区内的透光部,相应地,就需要第一凸起的形状与透光部的形状一致;第一凸起610还可以作为压印图形的载体,因此,需要在第一凸起610上再次形成压印图形。本实施例对压印图形的形成方式不做具体的限定,只要压印图形能形成镂空区的透光部即可。
如图8所示,在一种可选的实施方式中,在第一凸起上形成压印图形的步骤包括:
S5411:在第一凸起背离压印模板的表面上形成第二光刻胶膜层。
可以采用涂布-固化法、喷墨打印法或沉积法在第一凸起上形成第二光刻胶膜层,也就是说,第二光刻胶膜层覆盖第一凸起的下表面。
S5412:图形化第二光刻胶膜层,形成第二光刻胶掩膜图案,第二光刻胶掩膜图案包括第二掩膜区和第二蚀刻区。
通过掩膜、曝光、显影、刻蚀等图形化处理方式,对第二光刻胶膜层进行图形化处理,形成第二光刻胶掩膜图案。
S5413:去除与第二蚀刻区对应的部分深度的第一凸起,第二掩膜区对应的第一凸起上形成第二凸起,第二凸起用于形成镂空区的透光部。
具体地,采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除与第二蚀刻区对应的部分深度的第一凸起610,相应地,形成位于两个相邻的第二蚀刻区之间的第二凸起620,第二凸起620与第二掩膜区对应;然后,利用通过清洗等方式去除第二凸起上第二掩膜区,第二凸起620与第二掩膜区对应的区域的图形,构成用于形成透光部压印图形。
需要说明的是,上述的实施例中记载的技术方案是先在压印模板上先形成第一凸起,然后在第一凸起上形成第二凸起,最后在第二凸起上形成压印图形。但是形成压印图形的方式并不仅限于上述的方式,比如,还可以先在压印模板上形成第二凸起,在第二凸起上形成压印图形,最后再通过掩膜蚀刻的方式在压印模板上形成第一凸起。
继续参考图7,在一些实施例中,去除与第二蚀刻区对应的部分深度的第一凸起,第二掩膜区对应的第二凸起的步骤之后,还包括:
S550:提供加压设备,压设备的输出端与压印模板连接,用于给压印模板提供压力,使压印模板的压印图形与像素限定层对应的阴极层形成冷焊粘结。
提供安装有压印模板的设备,将显示屏固定在该安装有压印模板的设备上,利用该设备给压印模板施加一定压力,并带动压印模板沿垂直于显示屏的方向运动,使压印模板压合在阴极层上,利用压印模板给阴极层施加一定的压力,使得压印模板与阴极层形成冷焊粘结,并使与压印模板对应的阴极层和不与压印模板对应的阴极层,发生分离。
S560:移除压印模板,压印模板将与像素限定层对应的阴极层的部分区域剥离,在与像素限定层对应的阴极层上形成镂空区的透光部。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种显示屏,其特征在于,包括依次层叠设置的阵列基板、阳极层、发光层以及阴极层;
所述发光层包括多个发光单元和用于隔离各所述发光单元的像素限定层,所述像素限定层为透明层;
所述阴极层中设有与所述像素限定层对应的镂空区,所述镂空区具有半透光部以及贯穿所述阴极层的透光部,所述透光部用于供射向感光元件的光线穿过,所述半透光部用于阻止射向感光元件的光线经过所述镂空区时产生衍射;
所述透光部由多个贯穿所述阴极层的通孔组成,且多个所述通孔不规则排列在所述镂空区内;
相邻的所述通孔之间形成所述半透光部;
所述镂空区在所述像素限定层上的正投影的面积等于或小于所述像素限定层的面积;
所述镂空区成行、成列或呈阵列排布,且各所述镂空区的图案一致。
2.根据权利要求1所述的显示屏,其特征在于,所述通孔为贯穿所述阴极层的狭缝,且所述狭缝的宽度不等。
3.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1或2所述的显示屏,以及位于所述显示屏下方的感光元件,所述显示屏中的镂空区与所述感光元件对应。
4.一种显示屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤;
提供阵列基板;
在所述阵列基板上形成阳极层;
在所述阳极层上形成发光层,所述发光层包括多个发光单元和用于隔离各所述发光单元的像素限定层;
在所述发光层上形成阴极层;
去除所述阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,且相邻的所述透光部之间形成半透光部,所述透光部和所述半透光部形成如权利要求1或2所述的镂空区,所述镂空区与所述像素限定层对应。
5.根据权利要求4所述的显示屏的制备方法,其特征在于,去除所述阴极层中的部分区域,形成贯穿阴极层的透光部,且相邻的所述透光部之间形成半透光部,所述透光部和所述半透光部形成镂空区,所述镂空区与所述像素限定层对应的步骤中包括:
提供压印模板;
在所述压印模板上形成第一光刻胶膜层;
图形化所述第一光刻胶膜层,形成第一光刻胶掩膜图案,所述第一光刻胶掩膜图案包括第一掩膜区和第一蚀刻区;
去除位于所述第一蚀刻区内的部分深度的所述压印模板,所述第一掩膜区对应的所述压印模板上形成压印图形,所述压印图形用于形成所述镂空区。
6.根据权利要求5所述的显示屏的制备方法,其特征在于,去除位于所述第一蚀刻区内的部分深度的所述压印模板,所述第一掩膜区对应的所述压印模板上形成压印图形,所述压印图形用于形成镂空区的步骤包括:
采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除与所述第一蚀刻区对应的部分深度的所述压印模板,形成与所述第一掩膜区对应的第一凸起;
在所述第一凸起上形成压印图形。
7.根据权利要求6所述的显示屏的制备方法,其特征在于,在所述第一凸起上形成压印图形的步骤包括:
在所述第一凸起背离所述压印模板的表面上形成第二光刻胶膜层;
图形化所述第二光刻胶膜层,形成第二光刻胶掩膜图案,所述第二光刻胶掩膜图案包括第二掩膜区和第二蚀刻区;
去除与所述第二蚀刻区对应的部分深度的所述第一凸起,所述第二掩膜区对应的第一凸起上形成第二凸起,所述第二凸起用于形成所述镂空区的透光部。
8.根据权利要求7所述的显示屏的制备方法,其特征在于,去除与所述第二蚀刻区对应的部分深度的所述第一凸起,所述第二掩膜区对应的第二凸起的步骤之后,还包括:
提供加压设备,所述加压设备的输出端与所述压印模板连接,用于给所述压印模板提供压力,使压印模板的压印图形与像素限定层对应的阴极层形成冷焊粘结;
移除压印模板,压印模板将与所述像素限定层对应的阴极层的部分区域剥离,在与所述像素限定层对应的阴极层上形成镂空区的透光部。
9.根据权利要求5所述的显示屏的制备方法,其特征在于,所述压印模板的材质包括硅、硅化合物或者金属中的至少一种。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104335679A (zh) * | 2011-12-28 | 2015-02-04 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 |
CN108258024A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-06 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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Family Cites Families (5)
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104335679A (zh) * | 2011-12-28 | 2015-02-04 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管、有机发光二极管的制造方法、图像显示装置及照明装置 |
CN108258024A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-06 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN110416272A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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