JP2021009355A - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１表示領域、及び透過部を具備した第２表示領域を含む基板と、基板上に互いに離隔されて配置された第１対向電極と、基板上に、第１対向電極と重畳された重畳部を含み、互いに離隔されて配置された第２対向電極と、を含み、第２表示領域において、第１対向電極及び第２対向電極が、重畳部によって接続された接続対向電極は、透過部と交互に配置され、第１対向電極それぞれは、複数の副画素を含む第１画素領域に対応して配置され、第２対向電極それぞれは、第１画素領域と隣接し、複数の副画素を含む第２画素領域に対応して配置される表示装置である。【選択図】図５Ｂ

Description

本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
表示装置は、画素を利用して映像を表示することができる。表示装置は、表示装置の前面（例えば、映像が表示される一面）のベゼル（または、枠部分）に赤外線センサを含み、赤外線センサを利用して客体を認識することができる。
一方、表示装置のベゼルが薄くなるほど、ユーザの目が映像（または、表示装置の画面）に固定または集中される。最近では、表示装置の前面にベゼルをなくし、前面（または、ベゼル）に配置された赤外線センサを再配置し、表示装置の前面全体に映像を表示する前面ディスプレイ技術に係わる研究開発がなされている。
本発明が解決しようとする課題は、画像を実現しながら、センサなどが配置されるセンサ領域を具備した表示装置を提供するものである。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態は、第１表示領域、及び透過部を具備した第２表示領域を含む基板と、前記基板上に互いに離隔されて配置された第１対向電極と、前記基板上に、前記第１対向電極と重畳された重畳部を含み、互いに離隔されて配置された第２対向電極と、を含み、前記第２表示領域において、前記第１対向電極及び前記第２対向電極が、前記重畳部によって接続された接続対向電極は、前記透過部と交互に配置され、前記第１対向電極それぞれは、複数の副画素を含む第１画素領域に対応して配置され、前記第２対向電極それぞれは、前記第１画素領域と隣接し、複数の副画素を含む第２画素領域に対応して配置される表示装置を開示する。
一実施形態において、前記重畳部は、第１重畳部及び第２重畳部を含み、前記第１重畳部において、前記第１対向電極のうち一つである第１中心対向電極と、前記第２対向電極のうち一つである第２中心対向電極とが重畳され、前記第２重畳部において、前記第２中心対向電極と、前記第１対向電極のうち他の一つである第１周辺対向電極とが重畳されてもよい。
一実施形態において、前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに交差することができる。
一実施形態において、前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、接触されてもよい。
一実施形態において、前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに平行であってもよい。
一実施形態において、前記重畳部は、第３重畳部をさらに含み、前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳されもする。
一実施形態において、前記重畳部は、第２重畳部及び第３重畳部を含み、前記第２重畳部において、前記第２対向電極のうち一つである第２中心対向電極と、前記第１対向電極のうち第１周辺対向電極とが重畳され、前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳されもする。
一実施形態において、前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、前記第２副画素は、前記四角形の中心を基準に、対向するようにも配置される。
一実施形態において、前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、前記第１副画素及び前記第３副画素は、前記四角形の中心を基準に、対向するようにも配置される。
一実施形態において、前記第１表示領域において、前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、それぞれ前記重畳部によっても取り囲まれる。
一実施形態において、前記第１表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔は、前記第２表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔と異なってもよい。
本発明の他の実施形態は、第１表示領域、及び透過部を具備した第２表示領域を含む基板を準備する段階と、互いに離隔された第１開口部を含む第１マスクを利用し、第１対向電極を形成する段階と、互いに離隔された第２開口部を含む第２マスクを利用し、前記第１対向電極と重畳された重畳部を含む第２対向電極を形成する段階と、を含み、前記第２表示領域において、前記第１対向電極及び前記第２対向電極が、前記重畳部によって接続された接続対向電極は、前記透過部と交互に配置され、前記第１対向電極それぞれは、複数の副画素を含む第１画素領域に対応して配置され、前記第２対向電極それぞれは、前記第１画素領域と隣接し、複数の副画素を含む第２画素領域に対応して配置される表示装置の製造方法を開示する。
一実施形態において、前記重畳部は、第１重畳部及び第２重畳部を含み、前記第１重畳部において、前記第１対向電極のうち一つである第１中心対向電極と、前記第２対向電極のうち一つである第２対向電極とが重畳し、前記第２重畳部において、前記第２対向電極と、前記第１対向電極のうち他の一つである第１周辺対向電極とが重畳されもする。
一実施形態において、前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに交差することができる。
一実施形態において、前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに平行である。
一実施形態において、前記重畳部は、第３重畳部をさらに含み、前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳されもする。
一実施形態において、前記第１開口部の形状、及び前記第２開口部の形状は、それぞれ長辺と短辺とを含む長方形状であり、前記第１開口部の形状は、前記第２開口部の形状と異なってもよい。
一実施形態において、前記第１開口部の形状、及び前記第２開口部の形状は、それぞれ長辺と短辺とを含む長方形状であり、前記第１開口部の形状は、前記第２開口部の形状と同一でもある。
一実施形態において、前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、前記第２副画素が前記四角形の中心を基準に、対向するように配置され、前記第１副画素及び前記第３副画素が前記四角形の中心を基準に、対向するようにも配置される。
一実施形態において、前記第１表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔は、前記第２表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔と異なってもよい。
本発明の実施形態による表示装置は、センサのようなコンポーネントと対応するセンサ領域に、画素部及び光透過率を向上させた透過部を配置させ、コンポーネントが動作することができる環境を作ると共に、コンポーネントと重畳される領域にイメージを実現することができる。これにより、多様な機能を有すると共に、品質が向上する表示装置を提供することができる。しかし、前述の効果は、例示的なものであり、本実施形態による効果は、後述する内容を介して詳細に説明する。
本発明の一実施形態による表示装置を概略的に図示した斜視図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に図示した斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置を簡略に示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の平面図を示した図面である。 本発明の一実施形態による表示装置の複数の副画素を示した概略的な配置図である。 本発明の一実施形態による表示装置の第１表示領域を示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の第２表示領域を示した平面図である。 図５ＡのＣ−Ｃ’、図５ＢのＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’の断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の第２表示領域を示した平面図である。 本発明の実施形態による第１表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの一例を示した平面図である。 本発明の実施形態による第１表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの一例を示した平面図である。 第１マスクを利用し、第１表示領域に対向電極を形成する製造方法を示した平面図である。 第２マスクを利用し、第１表示領域に対向電極を形成する製造方法を示した平面図である。 本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの一例を示した平面図である。 本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの一例を示した平面図である。 第１マスクを利用し、第２表示領域に対向電極を形成する本発明の一実施形態の製造方法を示した平面図である。 第２マスクを利用し、第２表示領域に対向電極を形成する本発明の一実施形態の製造方法を示した平面図である。 本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの他の例を示した平面図である。 本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの他の例を示した平面図である。 第１マスクを利用し、第２表示領域に対向電極を形成する本発明の他の実施形態の製造方法を示した平面図である。 第２マスクを利用し、第２表示領域に対向電極を形成する本発明の他の実施形態の製造方法を示した平面図である。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によっても実現される。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付与し、それに係わる重複説明は、省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
ある実施形態が異なって実現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時にも遂行され、説明される順序と反対の順序にも進められる。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが接続されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接接続されている場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に接続されている場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されているとするとき、膜、領域、構成要素などが、直接電気的に接続されている場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的に接続されている場合も含む。
図１Ａは、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に図示した斜視図である。図１Ｂは、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に図示した斜視図である。
図１Ａを参照すれば、表示装置１は、イメージを表示する第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２と、イメージを表示しない非表示領域ＮＤＡと、を含む。表示装置１は、第１表示領域ＤＡ１に配置された複数のメイン画素Ｐｍから放出される光を利用し、メインイメージを提供することができる。
第２表示領域ＤＡ２は、図２を参照して後述するように、その下部に、赤外線、可視光線や音響などを利用するセンサのようなコンポーネントが配置される領域でもある。第２表示領域ＤＡ２は、コンポーネントから外部に出力されるか、あるいは外部からコンポーネントに向けて進む光及び／または音響が透過することができる透過部ＴＡを含んでもよい。本発明の一実施形態として、第２表示領域ＤＡ２を介して赤外線が透過する場合、第２表示領域ＤＡ２全体の赤外線透過率は、約１５％以上、さらに望ましくは、２０％以上であるか、２５％以上であるか、８５％以上であるか、９０％以上でもある。
本実施形態において、第２表示領域ＤＡ２には、複数の補助画素Ｐａが配置され、前記複数の補助画素Ｐａから放出される光を利用し、所定のイメージを提供することができる。第２表示領域ＤＡ２で提供されるイメージは、補助イメージであり、第１表示領域ＤＡ１で提供するイメージに比べ、解像度が低くなる。すなわち、第２表示領域ＤＡ２は、光または／及び音響が透過することができる透過部ＴＡを具備するが、単位面積当たり配置される補助画素Ｐａの数が、第１表示領域ＤＡ１に単位面積当たり配置されるメイン画素Ｐｍの数に比べて少ない。
第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１によって少なくとも部分的にも取り囲まれ、一実施形態として、図１Ａは、第２表示領域ＤＡ２が第１表示領域ＤＡ１によって一側に配置されたところを示す。しかし、図１Ａに図示されているような第２表示領域ＤＡ２のｙ方向長は、制限されるものではない。前記ｙ方向長は、さらに短くなるというように、多様な変形が可能である。
図１Ｂにおいて、図１Ａでのように、同一参照符号は同一部材を示し、ここでは、説明の簡略化のために、それらの重複説明は、省略する。
図１Ｂを参照すれば、第２表示領域ＤＡ２が、第１表示領域ＤＡ１に全体的に取り囲まれる。図１Ｂにおいては、第２表示領域ＤＡ２が、四角形である第１表示領域ＤＡ１の一側（右上側）に配置されているように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。第１表示領域ＤＡ１の形状は、円形、楕円、または三角形や五角形のような多角形でもあり、第２表示領域ＤＡ２の位置及び個数も、多様にも変更されるということは言うまでもない。
以下では、本発明の一実施形態による表示装置１として、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。他の実施形態として、無機ＥＬ表示装置（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドット発光表示装置（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）のように、多様な方式の表示装置が使用されもする。
図２は、本発明の実施形態による表示装置を簡略に示した断面図であり、図１ＡのＩＩ−ＩＩ’線による断面に対応する。
図２を参照すれば、表示装置１は、表示要素を含む表示パネル１０、及び第２表示領域ＤＡ２に対応するコンポーネント２０を含んでもよい。
表示パネル１０は、基板１００、基板１００上に配置された表示要素層２００、表示要素層２００を密封する密封部材として、薄膜封止層３００を含んでもよい。また、表示パネル１０は、基板１００下部に配置された下部保護フィルム１７５をさらに含んでもよい。
基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含んでもよい。基板１００が高分子樹脂を含む場合、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。基板１００は、高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造でもある。
表示要素層２００は、薄膜トランジスタＴＦＴ，ＴＦＴ’を含む回路層、表示要素としての有機発光ダイオードＯＬＥＤ、及びそれら間の絶縁層ＩＬ，ＩＬ’を含んでもよい。
また、第２表示領域ＤＡ２には、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’、及び表示要素が配置されない透過部ＴＡが配置されてもよい。透過部ＴＡは、コンポーネント２０から放出される光／信号や、コンポーネント２０に入射される光／信号が透過（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）される領域と理解することができる。
コンポーネント２０は、第２表示領域ＤＡ２に位置することができる。コンポーネント２０は、光や音響を利用する電子要素であってもよい。例えば、コンポーネント２０は、赤外線センサのように、光を受光して利用するセンサ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり、指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプでもあり、音を出力するスピーカなどであってもよい。光を利用する電子要素の場合、可視光、赤外線光、紫外線光のような多様な波長帯域の光を利用することができるということは言うまでもない。第２表示領域ＤＡ２に配置されたコンポーネント２０の数は、複数に具備される。例えば、コンポーネント２０として、発光素子及び受光素子が１つの第２表示領域ＤＡ２に共に具備されてもよい。または、１つのコンポーネント２０に、発光部及び受光部が同時に具備されてもよい。
第２表示領域ＤＡ２には、下部電極層ＢＳＭが配置され、下部電極層ＢＳＭは、補助画素Ｐａに対応して配置される。すなわち、下部電極層ＢＳＭは、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’の下部に対応するように配置される。すなわち、下部電極層ＢＳＭは、外部光が補助薄膜トランジスタＴＦＴ’などが含まれた補助画素Ｐａに到達することを防止することができる。例えば、コンポーネント２０から出射される光が補助画素Ｐａに到達することを防止することができる。一方、下部電極層ＢＳＭには、定電圧または信号が印加され、静電気放電による画素回路の損傷を防止することができる。
薄膜封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層とを含んでもよい。それと係わり、図２は、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０と、それら間の有機封止層３２０とを示す。
有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含んでもよい。例えば、有機封止層３２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、またはそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）のうち１以上の無機絶縁物を含んでもよい。第２無機封止層３３０は、有機封止層３２０を覆い、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などを含んでもよい。第２無機封止層３３０は、表示装置１のエッジ領域において、第１無機封止層３１０上に直接接触するように蒸着されることにより、有機封止層３２０が表示装置１外部に露出しないようにする。
下部保護フィルム１７５は、基板１００の下部に付着し、基板１００を支持して保護する役割を行うことができる。下部保護フィルム１７５は、第２表示領域ＤＡ２に対応する開口１７５ＯＰを具備することができる。下部保護フィルム１７５に開口１７５ＯＰを具備することにより、第２表示領域ＤＡ２の光透過率を向上させることができる。下部保護フィルム１７５は、ポリエチレンテレフタレートまたはポリイミドを含んでも具備される。一方、基板１００がガラスによって具備される場合、下部保護フィルム１７５は、省略されてもよい。
第２表示領域ＤＡ２の面積は、コンポーネント２０が配置される面積に比べ、大きく具備されてもよい。それにより、下部保護フィルム１７５に具備された開口１７５ＯＰの面積は、第２表示領域ＤＡ２の面積と異なる。例えば、開口１７５ＯＰの面積は、第２表示領域ＤＡ２の面積に比べ、小さく具備されてもよい。
図示されていないが、表示パネル１０上には、タッチ入力を感知する入力感知部材、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）及び遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）、またはカラーフィルタ及びブラックマトリックスを含む反射防止部材、及び透明なウィンドウのような構成要素がさらに配置されてもよい。
一方、本実施形態において、表示要素層２００を密封する封止部材として、薄膜封止層３００を利用しているように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、表示要素層２００を密封する部材として、シーラントまたはフリットにより、基板１００と合着される密封基板を利用してもよい。
図３は、本発明の一実施形態による表示装置の平面図を示したものである。
図３を参照すれば、表示パネル１０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２が配置され、第１表示領域ＤＡ１は、複数のメイン画素Ｐｍを含む。メイン画素Ｐｍは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示要素を含んでもよい。各メイン画素Ｐｍは、有機発光ダイオードを介して、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。本明細書でのメイン画素Ｐｍというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色のうちいずれか１つの色相の光を放出する画素と理解することができる。第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２は、先に図２を参照して説明した封止部材によってカバーされ、外気または水分などからも保護される。
第２表示領域ＤＡ２は、第１表示領域ＤＡ１の一側に配置され、第２表示領域ＤＡ２には、複数の補助画素Ｐａが配置される。補助画素Ｐａは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示要素を含んでもよい。各補助画素Ｐａは、有機発光ダイオードを介して、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。本明細書での補助画素Ｐａというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色のうちいずれか１つの色相の光を放出する画素と理解することができる。一方、第２表示領域ＤＡ２には、補助画素Ｐａ間に配置される透過部ＴＡが具備されてもよい。
一実施形態において、１つのメイン画素Ｐｍと、１つの補助画素Ｐａは、同一画素回路を含んでもよい。しかし、本発明は、それに限定されるものではない。メイン画素Ｐｍに含まれる画素回路と、補助画素Ｐａに含まれる画素回路は、互いに異なってもよいということは言うまでもない。
第２表示領域ＤＡ２は、透過部ＴＡを具備しているが、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、第１表示領域ＤＡ１よりも低い。例えば、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、第１表示領域ＤＡ１の解像度の約１／２でもあってもよい。一部実施形態において、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、４００ｐｐｉ以上であり、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、約２００ｐｐｉであってもよい。
各画素Ｐｍ，Ｐａは、非表示領域ＮＤＡに配置された外郭回路と電気的にも接続される。非表示領域ＮＤＡには、第１スキャン駆動回路１１０、第２スキャン駆動回路１２０、端子１４０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０が配置されてもよい。
第１スキャン駆動回路１１０は、スキャンラインＳＬを介して、各画素Ｐｍ，Ｐａにスキャン信号を提供することができる。第１スキャン駆動回路１１０は、発光制御線ＥＬを介して、各画素に発光制御信号を提供することができる。第２スキャン駆動回路１２０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を挟み、第１スキャン駆動回路１１０と平行に配置されてもよい。第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に配置された画素Ｐｍ，Ｐａのうち一部は、第１スキャン駆動回路１１０と電気的にも接続され、残りは、第２スキャン駆動回路１２０に接続されてもよい。他の実施形態において、第２スキャン駆動回路１２０は、省略されてもよい。
端子１４０は、基板１００の一側に配置される。端子１４０は、絶縁層によって覆われずに露出され、印刷回路基板ＰＣＢと電気的にも接続される。
印刷回路基板ＰＣＢの端子ＰＣＢ−Ｐは、表示パネル１０の端子と電気的に接続されてもよい。印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号または電源を、表示パネル１０に伝達する。制御部で生成された制御信号は、回路基板ＰＣＢを介して、第１スキャン駆動回路１１０及び第２スキャン駆動回路１２０にそれぞれ伝達される。該制御部は、第１接続配線１６１及び第２接続配線１７１を介して、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０に、それぞれ第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳを提供することができる。第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、第１電源供給配線１６０と接続された駆動電圧線ＰＬを介して、各画素Ｐｍ，Ｐａに提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、第２電源供給配線１７０と接続された各画素Ｐｍ，Ｐａの対向電極に提供されてもよい。
データ駆動回路１５０は、データ線ＤＬに電気的に接続される。データ駆動回路１５０のデータ信号は、端子１４０に接続された接続配線１５１、及び接続配線１５１と接続されたデータ線ＤＬを介して、各画素Ｐｍ，Ｐａに提供されてもよい。図３は、データ駆動回路１５０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されているところを図示するが、他の実施形態において、データ駆動回路１５０は、基板１００上に配置されてもよい。例えば、データ駆動回路１５０は、端子１４０と第１電源供給配線１６０との間に配置されてもよい。
図３は、駆動電圧線ＰＬ及びデータ線ＤＬが第２表示領域ＤＡ２上でも、ｙ方向に沿って配列されるところを図示しているが、それに限定されるものではない。透過部ＴＡを含む第２表示領域ＤＡ２において、駆動電圧線ＰＬ及びデータ線ＤＬは、透過部ＴＡと重畳しないように、ｙ方向と異なるように配置されてもよい。また、スキャンラインＳＬ及び発光制御線ＥＬも、透過部ＴＡと重畳しないように配置されてもよい。
第１電源供給配線１６０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を挟み、ｘ方向に沿って平行に延長された第１サブ配線１６２及び第２サブ配線１６３を含んでもよい。第２電源供給配線１７０は、一側が開放されたループ形状であり、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を部分的に取り囲むことができる。
図４は、本発明の一実施形態による表示装置の複数の副画素を示した概略的な配置図である。本実施形態において、赤色副画素Ｒ、緑色副画素Ｇ、青色副画素Ｂは、各副画素の発光領域を示し、発光領域は、後述する画素定義膜の開口によって定義されてもよい。
図４を参照すれば、第１行１Ｎには、緑色副画素Ｇが第１方向（例えば、ｘ方向）に、所定間隔に離隔されて配置され、第１行１Ｎに隣接した第２行２Ｎには、赤色副画素Ｒ及び青色副画素Ｂが第１方向に交互に配置されてもよい。それと同様に、第３行３Ｎには、緑色副画素Ｇが、所定間隔に離隔して配置されてもよく、また第４行４Ｎには、赤色副画素Ｒ及び青色副画素Ｂが交互に配置されてもよい。そのような画素配置が既設定の所定行まで反復されてもよい。
第１行１Ｎに配置される緑色副画素Ｇは、第２行２Ｎの赤色副画素Ｒ及び青色副画素Ｂと互い違いに配置されてもよい。従って、第１列１Ｍには、赤色副画素Ｒ及び青色副画素Ｂが第２方向（例えば、ｙ方向）に交互に配置され、第２列２Ｍには、緑色副画素Ｇが第２方向に所定間隔に離隔して配置されてもよい。そのような画素配置が、既設定の所定列まで反復される。このとき、青色副画素Ｂ及び赤色副画素Ｒの面積は、緑色副画素Ｇより広く形成されている。または、青色副画素Ｂの面積が、赤色副画素Ｒ及び緑色副画素Ｇより広く形成されてもよい。
そのような画素配置構造により、仮想の四角形ＶＳの頂点のうち、互いに対面する第１頂点、第３頂点には、緑色副画素Ｇが配置され、残り頂点である第２頂点、第４頂点に、青色副画素Ｂ及び赤色副画素Ｒが配置されていると表現することができる。例えば、仮想の四角形の中心ＶＳＥを基準に、仮想の四角形頂点に、緑色副画素Ｇが対面するように配置されてもよい。また、青色副画素Ｂ及び赤色副画素Ｒが、仮想の四角形頂点に仮想の四角形の中心ＶＳＥを基準に対面するように配置されてもよい。このとき、仮想の四角形ＶＳは、長方形、菱形、正方形など多様に変形されてもよい。
仮想の四角形エッジの延長線は、それぞれ第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）と異なる方向に配置されてもよい。従って、仮想の四角形は、第１方向または第２方向に対してチルティングされたまま配列されていると言える。
仮想の四角形ＶＳの頂点に、互いに異なる色を発光する副画素を含んでもよく、１つの画素領域ＰＤを形成することができる。そのような副画素配置構造をペンタイルマトリックス（ｐｅｎｔｉｌｅ ｍａｔｒｉｘ）構造と言い、隣接した副画素を共有して色相を表現するレンダリング（ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ）駆動を適用することにより、少数の副画素で高解像度を実現することができる。
一方、本発明の実施形態による副画素配置構造は、ペンタイルマトリックス構造に限定されるものではない。例えば、本発明は、ストライプ（ｓｔｒｉｐ）配列、モザイク（ｍｏｓｉｃ）配列、デルタ（ｄｅｌｔａ）配列を有する副画素配置構造に適用されてもよい。また、本発明は、白色光を出す白色副画素をさらに含む副画素配置構造に適用されてもよい。
本実施形態において、副画素は、第１副画素〜第３副画素にも区分される。一実施形態において、前述の第１副画素〜第３副画素は、それぞれ赤色副画素Ｒ、青色副画素Ｂ及び緑色副画素Ｇに対応する。
図５Ａは、本発明の一実施形態による表示装置の第１表示領域を示した平面図である。
図５Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置の第１表示領域ＤＡ１には、第１画素領域ＰＤ１及び第２画素領域ＰＤ２が配置されてもよい。
第１画素領域ＰＤ１は、互いに離隔されるように配置されてもよい。第２画素領域ＰＤ２は、第１画素領域ＰＤ１と隣接して配置される。第２画素領域ＰＤ２は互いに離隔されるように配置されてもよい。第１画素領域ＰＤ１及び第２画素領域ＰＤ２は、複数の副画素を含んでもよく、複数の副画素は、ペンタイルマトリックス構造にも配置される。
第１画素領域ＰＤ１に対応し、第１対向電極ＣＥ１が配置され、互いに離隔されて配置されてもよい。第１対向電極ＣＥ１は、第１画素領域ＰＤ１の領域よりもさらに広く配置される。特に、第１表示領域ＤＡ１の第１対向電極ＣＥ１は、それぞれ一定間隔に離隔されても配置される。
第２画素領域ＰＤ２に対応し、第２対向電極ＣＥ２が配置され、互いに離隔して配置されてもよい。第２対向電極ＣＥ２は、第２画素領域ＰＤ２の領域よりもさらに広く配置される。特に、第１表示領域ＤＡ１の第２対向電極ＣＥ２は、それぞれ一定間隔に離隔されて配置されてもよい。
第１対向電極ＣＥ１及び第２対向電極ＣＥ２は、重畳して重畳部ＯＶＬを形成することができる。重畳部ＯＶＬは、第１重畳部ＯＶＬ１及び第２重畳部ＯＶＬ２を含んでもよい。図面に図示されていないが、第１重畳部ＯＶＬ１及び第２重畳部ＯＶＬ２は、コンタクトされる。第１表示領域ＤＡ１において、第１画素領域ＰＤ１及び第２画素領域ＰＤ２は、重畳部ＯＶＬにも取り囲まれる。また、重畳部ＯＶＬは、第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）に沿って、一定間隔に配列されてもよい。
しかし、それに限定されるものではない。第１表示領域ＤＡ１の対向電極は、一体にも形成される。例えば、第１画素領域ＰＤ１及び第２画素領域ＰＤ２が１つの対向電極と重畳されてもよい。
図５Ｂは、本発明の一実施形態による表示装置の第２表示領域を示した平面図である。
図５Ｂを参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置の第２表示領域ＤＡ２には、接続画素領域ＰＤＣ’と透過部ＴＡとが配置される。１つの接続画素領域ＰＤＣ’は、所定の画素領域ＰＤＣ’が連続して配置されて形成することができる。
１つの接続画素領域ＰＤＣ’は、第２方向（例えば、ｙ方向）に配置されたところを図示している。しかし、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、１つの接続画素領域ＰＤＣ’は、第１方向（例えば、ｘ方向）に配置されてもよく、さらに他の実施形態として、接続画素領域ＰＤＣ’は、第１方向及び第２方向と異なる方向に配置されてもよい。
接続画素領域ＰＤＣ’は、第１画素領域ＰＤ１’及び第２画素領域ＰＤ２’を含んでもよい。第１画素領域ＰＤ１’は、互いに離隔されるようにも配置される。第２画素領域ＰＤ２’は、第１画素領域ＰＤ１’と隣接し、他の第２画素領域ＰＤ２’とは、互いに離隔されるようにも配置される。第１画素領域ＰＤ１’及び第２画素領域ＰＤ２’は、複数の副画素を含んでもよく、複数の副画素は、ペンタイルマトリックス構造にも配置される。
一実施形態において、第１画素領域ＰＤ１’及び第２画素領域ＰＤ２’は、ジグザグに配置されてもよい。他の実施形態において、第１画素領域ＰＤ１’及び第２画素領域ＰＤ２’は、直線上に配置されてもよい。
接続画素領域ＰＤＣ’に対応し、接続対向電極ＣＥＣ’が配置されてもよい。接続対向電極ＣＥＣ’は、互いに離隔されて配置された第１対向電極ＣＥ１’、及び第１対向電極ＣＥ１’と重畳された重畳部ＯＶＬ’を含み、互いに離隔されて配置された第２対向電極ＣＥ２’を含んでもよい。
第１対向電極ＣＥ１’は、接続画素領域ＰＤＣ’の第１画素領域ＰＤ１’に対応して配置されてもよい。第１対向電極ＣＥ１’は、第１画素領域ＰＤ１’を含んで配置されてもよく、図５Ｂに図示されているように長方形状でもある。しかし、それに限定されるものではなく、第１対向電極ＣＥ１’の形状は、四角形、菱形など多様にも変形される。
第１対向電極ＣＥ１’は、第１画素領域ＰＤ１’の範囲よりもさらに広く配置され、第１画素領域ＰＤ１’と重畳しない第１追加領域ＣＥＥ１’を具備することができる。例えば、第１画素領域ＰＤ１’の平面上形態が正方形であるならば、第１対向電極ＣＥ１’は、第１画素領域ＰＤ１’と重畳しない第１追加領域ＣＥＥ１’を具備し、平面上長方形でもある。第１追加領域ＣＥＥ１’は、第２対向電極ＣＥ２’と一部分重畳し、重畳部ＯＶＬ’を含んでもよい。
第１対向電極ＣＥ１’は、互いに離隔して配置されてもよい。例えば、第１対向電極ＣＥ１’は、第１方向及び第２方向に離隔して配置されてもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第１方向及び第２方向と異なる方向に離隔して配置されてもよい。
透過部ＴＡを含む第２表示領域ＤＡ２において、第１対向電極ＣＥ１’は、透過部ＴＡを挟んで離隔して配置される。従って、透過部ＴＡを挟んで離隔して配置された第１対向電極ＣＥ１’間の隔離距離は、透過部ＴＡを挟んで離隔せずに配置された第１対向電極ＣＥ１’間の離隔距離と異なってもよい。また、第２表示領域ＤＡ２の隣接した第１対向電極ＣＥ１’間の離隔距離は、第１表示領域ＤＡ１の隣接した第１対向電極ＣＥ１間の離隔距離と異なってもよい。例えば、第２表示領域ＤＡ２上において、透過部ＴＡを横切って隣接した第１対向電極ＣＥ１’間の離隔距離は、第１表示領域ＤＡ１上で隣接した第１対向電極ＣＥ１間の離隔距離よりも長い。
第２対向電極ＣＥ２’は、接続画素領域ＰＤＣ’の第２画素領域ＰＤ２’に対応して配置されてもよい。第２対向電極ＣＥ２’は、図５Ｂに図示されているように、長方形状であってもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第２対向電極ＣＥ２’の形状は、四角形、菱形など多様に変形されてもよい。
第２対向電極ＣＥ２’は、第２画素領域ＰＤ２’の範囲よりもさらに広く配置され、第２画素領域ＰＤ２’と重畳しない第２追加領域ＣＥＥ２’を具備することができる。例えば、第２画素領域ＰＤ２’の平面上形態が正方形であるならば、第２対向電極ＣＥ２’は、第２画素領域ＰＤ２’と重畳しない第２追加領域ＣＥＥ２’を具備し、平面上長方形であってもよい。第２追加領域ＣＥＥ２’は、第１追加領域ＣＥＥ１’と一部分重畳し、重畳部ＯＶＬ’を含んでもよい。
第２対向電極ＣＥ２’は、互いに離隔して配置されてもよい。例えば、第２対向電極ＣＥ２’は、第１方向及び第２方向に離隔して配置されてもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第１方向及び第２方向と異なる方向に離隔されて配置されてもよい。
第２対向電極ＣＥ２’は、透過部ＴＡを挟んで離隔されて配置されてもよい。従って、透過部ＴＡを挟んで離隔されて配置された第２対向電極ＣＥ２’間の離隔距離は、透過部ＴＡを挟んで離隔されずに配置された第２対向電極ＣＥ２’間の離隔距離と異なってもよい。また、第２表示領域ＤＡ２の隣接した第２対向電極ＣＥ２’間の離隔距離は、第１表示領域ＤＡ１の隣接した第２対向電極ＣＥ２間の離隔距離と異なってもよい。例えば、第２表示領域ＤＡ２上において、透過部ＴＡを横切って隣接した第２対向電極ＣＥ２’間の離隔距離は、第１表示領域ＤＡ１上で隣接した第２対向電極ＣＥ２間の離隔距離よりも長い。
重畳部ＯＶＬ’は、第１重畳部ＯＶＬ１’、第２重畳部ＯＶＬ２’及び第３重畳部ＯＶＬ３’を含んでもよい。重畳部ＯＶＬ’は、前述のように、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’が重畳して形成されてもよい。重畳部ＯＶＬ’は、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’が面で重畳して形成されてもよく、平面上形態が長方形であってもよい。しかし、それに限定されるものではなく、重畳部ＯＶＬ’は、多様な形状が可能である。特に、重畳部ＯＶＬ’は、第１追加領域ＣＥＥ１’及び第２追加領域ＣＥＥ２’が重畳して形成されてもよい。後述するように、重畳部ＯＶＬ’は、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’より厚くてもよい。第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’は、重畳部ＯＶＬ’によって電気的に接続されてもよい。重畳部ＯＶＬ’は、対向電極の電極切れ現象を防止するために配置されたものであってもよい。
第１重畳部ＯＶＬ１’は、第１対向電極ＣＥ１’のうち一つである第１中心対向電極ＣＥａ１’と、第２対向電極ＣＥ２’のうち一つである第２中心対向電極ＣＥａ２’とが重畳されて形成されてもよい。第２重畳部ＯＶＬ２’は、第２中心対向電極ＣＥａ２’と、第１対向電極ＣＥ１’のうち他の一つである第１周辺対向電極ＣＥｂ１’とが重畳されて形成されてもよい。第３重畳部ＯＶＬ３’は、第１周辺対向電極ＣＥｂ１’と、第２対向電極ＣＥ２’のうち他の一つである第２周辺対向電極ＣＥｂ２’とが重畳されて形成されてもよい。
第１対向電極ＣＥ１’のうちから一つを選択し、また第１対向電極ＣＥ１’のうち他の一つを選択することにより、第３重畳部ＯＶＬ３’及び第１重畳部ＯＶＬ１’は、同一重畳部を意味する。従って、以下においては、第１重畳部ＯＶＬ１’及び第２重畳部ＯＶＬ２’を中心に説明する。
第１重畳部ＯＶＬ１’の長手方向への第１延長線ＯＶＬＬ１’、及び第２重畳部ＯＶＬ２’の長手方向への第２延長線ＯＶＬＬ２’は、互いに交差することができる。特に、第１延長線ＯＶＬＬ１’及び第２延長線ＯＶＬＬ２’は、直角であってもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第１延長線ＯＶＬＬ１’及び第２延長線ＯＶＬＬ２’は、多様な角度で交差することができる。従って、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’は、ジグザグに重畳されても接続される。
一方、図面に図示されていないが、第１重畳部ＯＶＬ１’及び第２重畳部ＯＶＬ２’は、コンタクトされてもよい。例えば、第１重畳部ＯＶＬ１’の一側は、第２重畳部ＯＶＬ２’の一側と少なくとも一部コンタクトされてもよい。
透過部ＴＡは、表示要素が配置されずに光透過率が高い領域であり、第２表示領域ＤＡ２に複数もうけられてもよい。例えば、透過部ＴＡは、接続対向電極ＣＥＣ’、及び後述する画素電極と重畳しない。他の例として、透過部ＴＡは、画素電極、後述する発光層、または第２共通層が配置されてもよい。
一実施形態において、透過部ＴＡは、第１方向及び／または第２方向に接続対向電極ＣＥＣ’と交互に配置されてもよい。他の実施形態において、透過部ＴＡは、接続対向電極ＣＥＣ’を取り囲むように配置されてもよい。さらに他の実施形態において、接続対向電極ＣＥＣ’は、透過部ＴＡを取り囲むように配置されてもよい。
図面に図示されていないが、接続画素領域ＰＤＣ’は、配線（図示せず）と重畳することができ、透過部ＴＡは、配線と重畳しない。例えば、配線は、図３のデータ線ＤＬ、スキャンラインＳＬ、第２電源供給配線１７０などでもある。一実施形態において、光透過率に影響を与えることができる配線は、接続画素領域ＰＤＣ’に沿って第２方向にも配置される。他の実施形態において、配線は、接続画素領域ＰＤＣ’に沿ってジグザグに配置されてもよい。
接続対向電極ＣＥＣ’及び透過部ＴＡが交互に配置され、第２表示領域ＤＡ２の光透過率が高くなる。接続対向電極ＣＥＣ’に含まれた第１重畳部ＯＶＬ１’及び第２重畳部ＯＶＬ２’は、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’の電極切れ現象を防止するためでもある。
以下、本発明の一実施形態による表示装置に含まれた構成が積層された構造について、図６Ａで詳細に説明する。
図６Ａは、図５ＡのＣ−Ｃ’、図５ＢのＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’の断面図である。
図６Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を含む。第１表示領域ＤＡ１には、メイン画素Ｐｍが配置され、第２表示領域ＤＡ２には、補助画素Ｐａ及び透過部ＴＡが配置される。
メイン画素Ｐｍは、メイン薄膜トランジスタＴＦＴ、メインストレージキャパシタＣｓｔ、及びメイン有機発光ダイオードＯＬＥＤを含んでもよい。補助画素Ｐａは、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’及び補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’を含んでもよい。透過部ＴＡは、透過部ＴＡに対応するように、透過ホールＴＡＨを具備することができる。
基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはセルロースアセテートプロピオネートなどを含んでもよい。高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層及び無機層（図示せず）を含む多層構造であってもよい。
バッファ層１１１は、基板１００上に位置し、基板１００の下部から、異物、湿気または外気の浸透を低減させたり遮断させたりすることができるし、基板１００上に平坦面を提供することができる。バッファ層１１１は、酸化物または窒化物のような無機物、または有機物、または有無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造または多層構造であってもよい。基板１００とバッファ層１１１との間には、外気の浸透を遮断するバリア層（図示せず）がさらに含まれてもよい。一部実施形態において、バッファ層１１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）によって形成される。バッファ層１１１は、第１バッファ層１１１ａ及び第２バッファ層１１１ｂが積層されるように形成されてもよい。
第２表示領域ＤＡ２において、第１バッファ層１１１ａと第２バッファ層１１１ｂとの間には、下部電極層ＢＳＭが配置される。他の実施形態において、下部電極層ＢＳＭは、基板１００と第１バッファ層１１１ａとの間に配置されてもよい。下部電極層ＢＳＭは、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’の下部に配置され、コンポーネント２０などから放出される光により、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’の特性が劣化されることを防止することができる。
また、下部電極層ＢＳＭは、他層に配置された配線ＧＣＬと、コンタクトホールを介して接続されてもよい。下部電極層ＢＳＭは、配線ＧＣＬから、定電圧または信号を提供されてもよい。例えば、下部電極層ＢＳＭは、駆動電圧ＥＬＶＤＤまたはスキャン信号を提供されてもよい。下部電極層ＢＳＭは、定電圧または信号を提供されることにより、静電気放電が発生される確率を顕著に低減させることができる。下部電極層ＢＳＭは、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及び／または銅（Ｃｕ）を含んでもよい。下部電極層ＢＳＭは、前述の物質の単一層または多層でもある。
バッファ層１１１上部には、メイン薄膜トランジスタＴＦＴ及び補助薄膜トランジスタＴＦＴ’が配置されてもよい。メイン薄膜トランジスタＴＦＴは、第１半導体層Ａ１、第１ゲート電極Ｇ１、第１ソース電極Ｓ１、第１ドレイン電極Ｄ１を含み、補助薄膜トランジスタＴＦＴ、第２半導体層Ａ２、第２ゲート電極Ｇ２、第２ソース電極Ｓ２、第２ドレイン電極Ｄ２を含む。メイン薄膜トランジスタＴＦＴは、第１表示領域ＤＡ１のメイン有機発光ダイオードＯＬＥＤと接続され、メイン有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動することができる。補助薄膜トランジスタＴＦＴ’は、第２表示領域ＤＡ２の補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’と接続され、補助有機発光ダイオードＯＬＥＤ’を駆動することができる。
第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、バッファ層１１１上に配置され、ポリシリコンを含んでもよい。他の実施形態において、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、非晶質シリコンを含んでもよい。他の実施形態において、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、カドミウム（Ｃｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む群のうちから選択された少なくとも１以上の物質の酸化物を含んでもよい。第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２は、チャネル領域と、不純物がドーピングされたソース領域及びドレイン領域とを含んでもよい。
第２半導体層Ａ２は、第２バッファ層１１１ｂを挟み、下部電極層ＢＳＭと重畳することができる。一実施形態として、第２半導体層Ａ２の幅は、下部電極層ＢＳＭの幅より狭く形成されてもよい。従って、基板１００に垂直方向に射影したとき、第２半導体層Ａ２は、全体的に下部電極層ＢＳＭと重畳する。
第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２を覆うように、第１ゲート絶縁層１１２が具備されてもよい。第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）のような無機絶縁物を含んでもよい。第１ゲート絶縁層１１２は、前述の無機絶縁物を含む単一層または多層であってもよい。
第１ゲート絶縁層１１２上部には、第１半導体層Ａ１及び第２半導体層Ａ２とそれぞれ重畳されるように、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２が配置される。第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層または多層によって形成される。一例として、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２は、Ｍｏの単層である。
第２ゲート絶縁層１１３は、第１ゲート電極Ｇ１及び第２ゲート電極Ｇ２を覆うように設けられてもよい。第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）のような無機絶縁物を含んでもよい。第２ゲート絶縁層１１３は、前述の無機絶縁物を含む単一層または多層であってもよい。
第２ゲート絶縁層１１３上部には、メインストレージキャパシタＣｓｔの第１上部電極Ｃ２、及び補助ストレージキャパシタＣｓｔ’の第２上部電極Ｃ２’が配置されてもよい。
第１表示領域ＤＡ１において、第１上部電極Ｃ２は、その下の第１ゲート電極Ｇ１と重畳する。第２ゲート絶縁層１１３を挟んで重畳する第１ゲート電極Ｇ１及び第１上部電極Ｃ２は、メインストレージキャパシタＣｓｔをなすことができる。すなわち、第１ゲート電極Ｇ１は、メインストレージキャパシタＣｓｔの第１下部電極Ｃ１として機能することができる。
第２表示領域ＤＡ２において、第２上部電極Ｃ２’は、その下の第２ゲート電極Ｇ２と重畳する。第２ゲート絶縁層１１３を挟んで重畳する第２ゲート電極Ｇ２及び第２上部電極Ｃ２’は、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’をなすことができる。第２ゲート電極Ｇ２は、補助ストレージキャパシタＣｓｔ’の第２下部電極Ｃ１’として機能することができる。
第１上部電極Ｃ２及び第２上部電極Ｃ２’は、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及び／または銅（Ｃｕ）を含んでもよく、前述の物質の単一層または多層であってもよい。
層間絶縁層１１５は、第１上部電極Ｃ２及び第２上部電極Ｃ２’を覆うように形成されてもよい。層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）などを含んでもよい。
第１ソース電極Ｓ１、第２ソース電極Ｓ２、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ドレイン電極Ｄ２は、層間絶縁層１１５上に配置されてもよい。第１ソース電極Ｓ１、第２ソース電極Ｓ２、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ドレイン電極Ｄ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前述の材料を含む多層または単層にも形成される。一例として、第１ソース電極Ｓ１、第２ソース電極Ｓ２、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ドレイン電極Ｄ２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造によって設けられる。
第１ソース電極Ｓ１、第２ソース電極Ｓ２、第１ドレイン電極Ｄ１及び第２ドレイン電極Ｄ２を覆うように、平坦化層１１７が配置されてもよい。平坦化層１１７は、その上部に配置される第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’が平坦に形成されるように、平坦な上面を有することができる。
平坦化層１１７は、有機物質または無機物質からなる膜が単層または多層に形成されてもよい。そのような、平坦化層１１７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）・ポリイミド・ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）・ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）・ポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含んでもよい。一方、平坦化層１１７は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸化物（ＴｉＯ２）、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ２）などを含んでもよい。平坦化層１１７を形成した後、平坦な上面を提供するために、化学的機械的研磨が行われてもよい。
平坦化層１１７には、メイン薄膜トランジスタＴＦＴの第１ソース電極Ｓ１及び第１ドレイン電極Ｄ１のうちいずれか一つを露出させる開口部が存在し、第１画素電極２２１は、開口部を介して、第１ソース電極Ｓ１または第１ドレイン電極Ｄ１とコンタクトし、メイン薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続される。
また、平坦化層１１７には、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’の第２ソース電極Ｓ２及び第２ドレイン電極Ｄ２のうちいずれか一つを露出させる開口部を含み、第２画素電極２２１’は、開口部を介して、第２ソース電極Ｓ２または第２ドレイン電極Ｄ２とコンタクトし、補助薄膜トランジスタＴＦＴ’と電気的に接続される。
第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウムオキサイド（ＩＧＯ）またはアルミニウム亜鉛オキサイド（ＡＺＯ）のような導電性酸化物を含んでもよい。他の実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、またはそれらの化合物を含む反射膜を含んでもよい。さらに他の実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、前述の反射膜の上下に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３によって形成された膜をさらに含んでもよい。一部実施形態において、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯによって積層された構造によって設けられる。
画素定義膜１１９は、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’それぞれのエッジをカバーすることができる。画素定義膜１１９は、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’それぞれに重畳し、画素の発光領域を定義する第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２を含む。画素定義膜１１９は、画素電極２２１，２２１’のエッジと、画素電極２２１，２２１’上部の対向電極との距離を延長させることにより、画素電極２２１，２２１’のエッジでアークなどが発生することを防止する役割を行うことができる。画素定義膜１１９は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）及びフェノール樹脂のような有機絶縁物質であり、スピンコーティングなどの方法によって形成される。
画素定義膜１１９の開口ＯＰ１，ＯＰ２によって露出された画素電極２２１，２２１’上には、第１機能層２２２ａが配置されてもよい。第１機能層２２２ａは、画素定義膜１１９の上面まで延長されて配置されてもよい。第１機能層２２２ａは、単層または多層でもある。第１機能層２２２ａは、単層構造であるホール輸送層（ＨＴＬ）であってもよい。または、第１機能層２２２ａは、ホール注入層（ＨＩＬ）とホール輸送層（ＨＴＬ）とを含んでもよい。第１機能層２２２ａは、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とにそれぞれ含まれたメイン画素Ｐｍと補助画素Ｐａとに対応するように、一体に形成されてもよい。
第１機能層２２２ａ上には、第１画素電極２２１及び第２画素電極２２１’にそれぞれ対応するように形成された第１発光層２２２ｂ及び第２発光層２２２ｂ’が配置される。第１発光層２２２ｂと第２発光層２２２ｂ’は、高分子物質または低分子物質を含んでもよく、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。
前述の第１発光層２２２ｂ及び第２発光層２２２ｂ’の上部には、第２機能層２２２ｃが形成されてもよい。第２機能層２２２ｃは、単層または多層であってもよい。第２機能層２２２ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ）を含んでもよい。第２機能層２２２ｃは、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とに含まれたメイン画素Ｐｍと補助画素Ｐａとに対応するように、一体にも形成される。第１機能層２２２ａ及び／または第２機能層２２２ｃは、省略されてもよい。
第２機能層２２２ｃ上部には、接続対向電極ＣＥＣ’が配置される。接続対向電極ＣＥＣ’は、仕事関数が低い導電性物質を含んでもよい。例えば、接続対向電極ＣＥＣ’は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、またはそれらの合金などを含む（半）透明層を含んでもよい。または、接続対向電極ＣＥＣ’は、前述の物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３のような層をさらに含んでもよい。
本実施形態において、接続対向電極ＣＥＣ’は、前述のように、第１対向電極ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２’を含む。
第１対向電極ＣＥ１，ＣＥ１’において、互いに隣接した第１対向電極ＣＥ１，ＣＥ１’及び第２対向電極ＣＥ２，ＣＥ２’は、エッジで互いに重畳されてコンタクトされる（ＯＶＬ１，ＯＶＬ１’領域（図７））。重畳部分は、メイン画素Ｐｍと補助画素Ｐａとの間でそれぞれ形成される。そのような重畳部ＯＶＬ１，ＯＶＬ１’の厚みは、第１対向電極ＣＥ１，ＣＥ１’または第２対向電極ＣＥ２，ＣＥ２’のそれぞれの中心領域での厚みより厚いと理解される。
一方、第２表示領域ＤＡ２において、一部第１対向電極ＣＥ１’は、透過部ＴＡを挟み、互いに離隔されても配置される。このとき、第１対向電極ＣＥ１’による離隔空間は、接続対向電極ＣＥＣ’の開口ＣＥＣ’ＯＰと理解され、そのような開口ＣＥＣ’ＯＰは、光が透過する透過ホールＴＡＨになる。
透過ホールＴＡＨが形成されるというのは、透過部ＴＡに対応し、接続対向電極ＣＥＣ’などの部材が除去されることを意味するが、透過部ＴＡでの光透過率は、顕著に上昇する。
図面に図示されていないが、接続対向電極ＣＥＣ’上部には、接続対向電極ＣＥＣ’を保護しながら、光抽出効率を向上させるキャッピング層が形成されてもよい。該キャッピング層は、ＬｉＦを含んでもよい。または、該キャッピング層は、シリコンナイトライドのような無機絶縁物を含み、かつ／または有機絶縁物を含んでもよい。一部実施形態において、該キャッピング層は、省略されてもよい。
図６Ｂは、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。図６Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置を概略的に示した断面図である。図６Ｂ及び図６Ｃは、図５ＢのＡ−Ａ’線に対応する。図６Ｂ及び図６Ｃにおいて、図６Ａと同一の参照符号は、同一部材を言うが、それらの重複説明は、省略する。
図６Ａにおいては、透過ホールＴＡＨが接続対向電極ＣＥＣ’の開口ＣＥＣ’ＯＰに形成されるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。
図６Ｂを参照すれば、透過ホールＴＡＨは、画素定義膜１１９によって定義された第１ホールＨ１、及び／または平坦化層１１７によって定義された第２ホールＨ２をさらに具備することができる。
画素定義膜１１９は、透過部ＴＡに対応し、第１ホールＨ１を具備することができる。第１ホールＨ１は、接続対向電極ＣＥＣ’の開口ＣＥＣ’ＯＰと重畳されて配置されてもよい。図面においては、開口ＣＥＣ’ＯＰの下部幅が、第１ホールＨ１の下部幅に比べて広く具備されるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、接続対向電極ＣＥＣ’は、透過ホールＴＡＨの内側壁まで延長されて具備され、開口ＣＥＣ’ＯＰの幅は、第１ホールＨ１の幅より狭く設けられてもよい。
平坦化層１１７は、透過部ＴＡに対応し、第２ホールＨ２を具備することができる。第２ホールＨ２は、接続対向電極ＣＥＣ’の開口ＣＥＣ’ＯＰと重畳されて配置されてもよい。図面においては、第１ホールＨ１の下部幅が、第２ホールＨ２の下部幅に比べて広く設けられるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、画素定義膜１１９は、平坦化層１１７の第２ホールＨ２のエッジを覆うように具備され、第１ホールＨ１の幅が、第２ホールＨ２の幅より狭く具備されてもよい。
第１ホールＨ１及び／または第２ホールＨ２が形成されることにより、透過部ＴＡの光透過率がさらに向上する。図面においては、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２がいずれも形成されるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、透過部ＴＡに対応し、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２のうち一つだけ具備されるというように、多様な変形が可能である。一方、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃは、透過ホールＴＡＨ内部に配置されてもよい。
図６Ｃを参照すれば、透過ホールＴＡＨは、透過部ＴＡに対応する第３ホールＨ３をさらに設けることができる。
第１ゲート絶縁層１１２、第２ゲート絶縁層１１３及び層間絶縁層１１５を総称して無機絶縁層ＩＬとすれば、無機絶縁層ＩＬは、透過部ＴＡに対応する第３ホールＨ３を具備することができる。第３ホールＨ３は、バッファ層１１１または基板１００の上面を露出させるようにも形成される。第３ホールＨ３は、透過部ＴＡに対応するように形成された第１ゲート絶縁層１１２の第１開口、第２ゲート絶縁層１１３の第２開口、及び層間絶縁層１１５の第３開口が重畳されても形成される。前述の第１〜第３開口は、別途の工程を介してそれぞれ形成されるか、あるいは同一工程を介して、同時にも形成される。または、第１開口及び第２開口は、同時に形成され、第３開口は、別途にも形成されるというように、多様な変形が可能である。第１開口〜第３開口が別途の工程によって形成される場合、第３ホールＨ３の側面には、段差が形成されてもよい。
一方、無機絶縁層ＩＬは、バッファ層１１１を露出させる第３ホールＨ３ではない溝（ｇｒｏｏｖｅ）を設けることができる。例えば、無機絶縁層ＩＬにおいて第１ゲート絶縁層１１２は、透過部ＴＡに対応して連続して配置され、第２ゲート絶縁層１１３と層間絶縁層１１５は、透過部ＴＡに対応し、それぞれ第２開口及び第３開口を設けることができる。
または、透過部ＴＡに対応し、第１ゲート絶縁層１１２及び第２ゲート絶縁層１１３は、連続して配置され、層間絶縁層１１５は、透過部ＴＡに対応する第３開口を具備することができるというように、多様な変形が可能である。
本実施形態において、無機絶縁層ＩＬ、平坦化層１１７及び画素定義膜１１９などは、コンポーネント２０が送受信することができる光の透過率を具備することができるが、透過部ＴＡに対応するホールを具備しない。しかし、無機絶縁層ＩＬ、平坦化層１１７及び画素定義膜１１９が透過部ＴＡに対応するホールを具備する場合、光透過率がさらに向上する。
図７は、本発明の他の実施形態による表示装置の第２表示領域を示した平面図である。
図７において、図５Ｂと同一の参照符号は、同一部材を示し、ここでは、説明の簡略化のために、それらの重複説明は、省略する。
図７を参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置の第２表示領域ＤＡ２には、接続画素領域ＰＤＣ’−１と透過部ＴＡ−１とが配置される。所定の画素領域ＰＤ’−１は、連続して配置され、１つの接続画素領域ＰＤＣ’−１を形成することができる。図７に図示されているように、接続画素領域ＰＤＣ’−１は、第１方向（例えば、ｘ方向）及び第２方向（例えば、ｙ方向）と異なる方向に配置されてもよい。
接続画素領域ＰＤＣ’−１は、第１画素領域ＰＤ１’−１及び第２画素領域ＰＤ２’−１を含んでもよい。第１画素領域ＰＤ１’−１は、互いに離隔されるように配置されてもよい。第２画素領域ＰＤ２’−１は、第１画素領域ＰＤ１’−１と隣接し、他の第２画素領域ＰＤ２’−１とは、互いに離隔されるように配置されてもよい。第１画素領域ＰＤ１’−１及び第２画素領域ＰＤ２’−１は、複数の副画素を含んでもよく、複数の副画素は、ペンタイルマトリックス構造に配置されてもよい。
図７に図示されているように、第１画素領域ＰＤ１’−１及び第２画素領域ＰＤ２’−１は、直線上に配置されてもよい。
接続画素領域ＰＤＣ’−１に対応し、接続対向電極ＣＥＣ’−１が配置されてもよい。接続対向電極ＣＥＣ’−１は、互いに離隔されて配置された第１対向電極ＣＥ１’−１、及び第１対向電極ＣＥ１’−１と重畳された重畳部ＯＶＬ’−１を含み、互いに離隔されて配置された第２対向電極ＣＥ２’−１を含んでもよい。
第１対向電極ＣＥ１’−１は、接続画素領域ＰＤＣ’−１の第１画素領域ＰＤ１’−１に対応して配置されてもよい。第１対向電極ＣＥ１’−１は、第１画素領域ＰＤ１’−１の範囲よりもさらに広く配置され、第１画素領域ＰＤ１’−１と重畳しない第１追加領域ＣＥＥ１’−１を具備することができる。第１対向電極ＣＥ１’−１は、透過部ＴＡを挟んで離隔されて配置されてもよい。
第２対向電極ＣＥ２’−１は、接続画素領域ＰＤＣ’−１の第２画素領域ＰＤ２’−１に対応しても配置される。第２対向電極ＣＥ２’−１は、第２画素領域ＰＤ２’−１の範囲よりもさらに広く配置され、第２画素領域ＰＤ２’−１と重畳しない第２追加領域ＣＥＥ２’−１を具備することができる。第２追加領域ＣＥＥ２’−１は、第１追加領域ＣＥＥ１’−１と一部分重畳し、重畳部ＯＶＬ’−１を含んでもよい。第２対向電極ＣＥ２’−１は、透過部ＴＡを挟んで離隔されて配置されてもよい。
重畳部ＯＶＬ’−１は、第１重畳部ＯＶＬ１’−１、第２重畳部ＯＶＬ２’−１及び第３重畳部ＯＶＬ３’−１を含んでもよい。
一実施形態において、透過部ＴＡは、第１方向及び／または第２方向に、接続対向電極ＣＥＣ’−１と交互にも配置される。他の実施形態において、透過部ＴＡは、接続対向電極ＣＥＣ’−１を取り囲むように配置されてもよい。さらに他の実施形態において、接続対向電極ＣＥＣ’−１は、透過部ＴＡを取り囲むように配置されてもよい。
第１対向電極ＣＥ１’−１及び第２対向電極ＣＥ２’−１は、直線上に配置されてもよい。また、第１重畳部ＯＶＬ１’−１の長手方向への第１延長線ＯＶＬＬ１’−１と、第２重畳部ＯＶＬ２’−１の長手方向への第２延長線ＯＶＬＬ２’−１は、互いに平行である。第１延長線ＯＶＬＬ１’−１及び第２延長線ＯＶＬＬ２’−１が互いに平行に配置されることにより、第１対向電極ＣＥ１’−１及び第２対向電極ＣＥ２’−１は、直線上に重畳して配置されてもよい。従って、対向電極切れ現象を防止し、表示装置の信頼度を向上させることができる。
図８Ａは、本発明の実施形態による第１表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの一例を、図８Ｂは、本発明の実施形態による第１表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの一例を示す。図９Ａ及び図９Ｂは、それを利用した製造方法を示す。
図５Ａと同一の参照符号は、同一部材を意味するが、それらの重複説明を省略する。
図８Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による第１マスクＭ１は、互いに離隔された第１開口部５１０Ａを含み、第１開口部５１０Ａは、チルティングされた四角形でもある。
第１開口部５１０Ａは、互いに離隔されて配置されてもよい。第１方向に離隔されて配置された第１開口部５１０Ａの中心間第１離隔距離ｄｉｓ１は、第２方向に離隔されて配置された第１開口部５１０Ａの中心の間第２離隔距離ｄｉｓ２と同一でもある。従って、第１開口部５１０Ａは、一定に離隔されて配置されてもよい。
図８Ｂを参照すれば、本発明の一実施形態による第２マスクＭ２は、互いに離隔された第２開口部５１０Ｂを含み、第２開口部５１０Ｂは、チルティングされた四角形であってもよい。
第２開口部５１０Ｂは、互いに離隔されて配置されてもよい。第１方向に離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂの中心間第３離隔距離ｄｉｓ３は、第２方向に離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂの中心間第４離隔距離ｄｉｓ４と同一であってもよい。従って、第２開口部５１０Ｂは、一定に離隔されて配置されてもよい。
本実施形態による第１マスクＭ１及び第２マスクＭ２は、対向電極を蒸着するときに使用するマスクであり、ＦＭＭ（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）であってもよい。ＦＭＭマスクは、金属板にホールを形成した後で引っ張る方式によって製造されてもよい。
第１開口部５１０Ａは、第１対向電極ＣＥ１を形成するためのものであり、その大きさが、第１対向電極ＣＥ１より小さいか、あるいはそれと同一である。第２開口部５１０Ｂは、第２対向電極ＣＥ２を形成するためのものであり、その大きさが、第２対向電極ＣＥ２より小さいか、あるいはそれと同一である。
本実施形態においては、対向電極を形成するために、第１マスクＭ１及び第２マスクＭ２を利用した蒸着を利用することができる。図９Ａは、第１マスクＭ１を利用し、第１対向電極ＣＥ１を第１表示領域ＤＡ１に蒸着する方法を示している。図９Ｂは、第２マスクＭ２を利用し、第２対向電極ＣＥ２を第１表示領域ＤＡ１に蒸着する方法を示している。
図９Ａを参照すれば、基板１００上に、第２機能層２２２ｃ（図６Ａ）まで形成した後、第１開口部５１０Ａが、第１画素領域ＰＤ１に対応するように配置されてもよい。
その後、蒸着源（図示せず）を利用し、対向電極に形成される蒸着物質を放出させ、第２機能層２２２ｃ上部に、第１対向電極ＣＥ１を一次蒸着する。このとき、第１対向電極ＣＥ１は、第１マスクＭ１の第１開口部５１０Ａの配置により、一部にだけ形成される。
その後、図９Ｂのように、第２マスクＭ２を、第２画素領域ＰＤ２に対応するように配置した後、第２対向電極ＣＥ２を二次蒸着させる。二次蒸着時に形成される第２対向電極ＣＥ２の一部領域は、一次蒸着時に形成された第１対向電極ＣＥ１と重畳され、重畳部ＯＶＬを形成することができる。
しかし、それに限定されるものではなく、第１表示領域ＤＡ１に、第１マスクＭ１を利用し、一体に対向電極を形成することができる。例えば、第１マスクＭ１に、第１表示領域ＤＡ１に対応するように開口部を配置し、対向電極を形成することができ、第２マスクＭ２には、第１表示領域ＤＡ１に対応するように、遮蔽部を配置することができるというように、多様な変形が可能である。
図１０Ａは、本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの一例を、図１０Ｂは、本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの一例を示す。図１１Ａ及び図１１Ｂは、それを利用した製造方法を示す。
図５Ｂと同一の参照符号は、同一部材を意味するが、それらの重複説明を省略する。
図１０Ａを参照すれば、本発明の一実施形態による第１マスクＭ１は、互いに離隔された第１開口部５１０Ａ’を含む。
第１開口部５１０Ａ’は、平面上四角形状であってもよい。しかし、それに限定されるものではなく、円形、三角形、五角形など多様な変形が可能である。また、四角形の形状のうち頂点部分は、曲率半径を有するようにも形成される。
第１開口部５１０Ａ’は、短辺ＭＲ１と長辺ＭＲ２とを含む長方形であってもよい。短辺ＭＲ１の延長線、または長辺ＭＲ２の延長線は、第１方向または第２方向と異なる方向に延長されてもよい。従って、第１開口部５１０Ａ’は、チルティングされた長方形であってもよい。
第１開口部５１０Ａ’は、互いに離隔されて配置されてもよい。一実施形態において、第１開口部５１０Ａ’は、第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）に離隔されて配置されてもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第１方向または第２方向と異なる方向に離隔されて配置されてもよいというように、多様な変形が可能である。
第１方向に離隔されて配置された第１開口部５１０Ａ’の中心の間第１離隔距離ｄｉｓ１’は、第２方向に離隔されて配置された第１開口部５１０Ａ’の中心の間第２離隔距離ｄｉｓ２’と異なってもよい。例えば、第１離隔距離ｄｉｓ１’は、第２離隔距離ｄｉｓ２’よりも長い。
図１０Ｂを参照すれば、本発明の一実施形態による第２マスクＭ２は、互いに離隔された第２開口部５１０Ｂ’を含む。
第２開口部５１０Ｂ’は、平面上四角形状であってもよい。しかし、それに限定されるものではなく、円形、三角形、五角形など多様な変形が可能である。また、四角形の形状のうち頂点部分が曲率半径を有するように形成されてもよい。
第２開口部５１０Ｂ’は、短辺ＭＲ３と長辺ＭＲ４とを含む長方形であってもよい。短辺ＭＲ３の延長線、または長辺ＭＲ４の延長線は、第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）と異なる方向にも延長される。従って、第２開口部５１０Ｂ’は、チルティングされた長方形であってもよい。
第２開口部５１０Ｂ’は、互いに離隔されて配置されてもよい。一実施形態において、第２開口部５１０Ｂ’は、第１方向または第２方向に離隔されて配置されてもよい。しかし、それに限定されるものではなく、第１方向または第２方向と異なる方向に離隔されて配置されてもよいというように、多様な変形が可能である。
第１方向に離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂ’の中心の間第３離隔距離ｄｉｓ３’は、第２方向に離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂ’の中心の間第４離隔距離ｄｉｓ４’と異なってもよい。例えば、第３離隔距離ｄｉｓ３’は、第４離隔距離ｄｉｓ４’よりも長い。従って、第１方向に透過部ＴＡが配置された領域に対向電極を形成しない。
第１開口部５１０Ａ’及び第２開口部５１０Ｂ’の形状は、異なってもよい。第１開口部５１０Ａ’が第１方向を基準に、短辺ＭＲ１がチルティングされた角度と、第２開口部５１０Ｂ’が第１方向を基準に、短辺ＭＲ３がチルティングされた角度は、異なってもよい。また、第１開口部５１０Ａ’の平面上面積は、第２開口部５１０Ｂ’の平面上面積と異なってもよい。
図１１Ａは、第１マスクＭ１を利用し、第１対向電極ＣＥ１’を第２表示領域ＤＡ２に蒸着する方法を示している。図１１Ｂは、第２マスクＭ２を利用し、第２対向電極ＣＥ２’を第２表示領域ＤＡ２に蒸着する方法を示している。
図１１Ａを参照すれば、基板１００上に、第２機能層２２２ｃ（図６Ａ）まで形成した後、第１開口部５１０Ａ’が第１画素領域ＰＤ１’に対応するように配置されてもよい。
その後、蒸着源（図示せず）を利用し、対向電極に形成される蒸着物質を放出させ、第２機能層２２２ｃ上部に、第１対向電極ＣＥ１’を一次蒸着する。このとき、第１対向電極ＣＥ１’は、第１マスクＭ１の第１開口部５１０Ａ’の配置により、一部にだけ形成される。
その後、図１１Ｂのように、第２マスクＭ２を、第２画素領域ＰＤ２’に対応するように配置した後、第２対向電極ＣＥ２’を二次蒸着させる。二次蒸着時に形成される第２対向電極ＣＥ２’の一部領域は、一次蒸着時に形成された第１対向電極ＣＥ１’と重畳され、重畳部ＯＶＬ’を形成することができる。
そのように、第１マスクＭ１及び第２マスクＭ２を利用すれば、第２表示領域ＤＡ２の透過部ＴＡに対応する領域は、対向電極が形成されない。従って、接続対向電極ＣＥＣ’は、透過部ＴＡと交互に配置されてもよい。第１マスクＭ１及び第２マスクＭ２を利用し、第２表示領域ＤＡ２に対向電極を形成すれば、第１表示領域ＤＡ１において、第１方向に配置された隣接する第１対向電極ＣＥ１間の間隔は、第２表示領域ＤＡ２において、第１方向に配置された第１対向電極ＣＥ１’間の間隔と異なってもよい。
図１２Ａは、本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第１マスクの他の例を、図１２Ｂは、本発明の実施形態による第２表示領域に対向電極を形成するための第２マスクの他の例を示す。図１３Ａ及び図１３Ｂは、それを利用した製造方法を示す。
図７と同一の参照符号は、同一部材を意味するが、それらの重複説明は、省略する。
図１２Ａを参照すれば、本発明の他の実施形態による第１マスクＭ１−１は、互いに離隔された第１開口部５１０Ａ’−１を含む。
第１開口部５１０Ａ’−１は、平面上四角形状であってもよい。第１開口部５１０Ａ’−１の平面上四角形状において、頂点部分が曲率半径を有して配置されてもよい。
第１開口部５１０Ａ’−１は、短辺ＭＲ１−１と長辺ＭＲ２−１とを含む長方形であってもよい。短辺ＭＲ１−１の延長線、または長辺ＭＲ２−１の延長線は、第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）と異なる方向にも延長される。従って、第１開口部５１０Ａ’−１は、チルティングされた長方形であってもよい。
第１開口部５１０Ａ’−１は、互いに離隔されて配置されてもよい。一実施形態において、第１開口部は、第１方向に離隔されて配置されてもよい。また、第１開口部５１０Ａ’−１は、第１方向及び第２方向と異なる方向に離隔されて配置されてもよい。例えば、第１開口部５１０Ａ’−１は、第１方向からチルティングされた一定角度ほど離隔されて配置されてもよい。
第１方向に離隔されて配置された第１開口部５１０Ａ’−１の中心間第１離隔距離ｄｉｓ１’−１は、第１方向からチルティングされた一定角度ほど離隔されて配置された第１開口部５１０Ａ’−１の中心間第２離隔距離ｄｉｓ２’−１と異なってもよい。例えば、第１離隔距離ｄｉｓ１’−１は、第２離隔距離ｄｉｓ２’−１よりも長い。
図１２Ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態による第２マスクＭ２−１は、互いに離隔された第２開口部５１０Ｂ’−１を含む。
第２開口部５１０Ｂ’−１は、平面上四角形状であってもよい。第２開口部５１０Ｂ’−１の平面上四角形状において、頂点部分が曲率半径を有して配置されてもよい。
第２開口部５１０Ｂ’−１は、短辺ＭＲ３−１と長辺ＭＲ４−１とを含む長方形であってもよい。短辺ＭＲ３−１の延長線、または長辺ＭＲ４−１の延長線は、第１方向（例えば、ｘ方向）または第２方向（例えば、ｙ方向）と異なる方向にも延長される。従って、第２開口部５１０Ｂ’−１は、チルティングされた長方形であってもよい。
第２開口部５１０Ｂ’−１は、互いに離隔されて配置されてもよい。一実施形態において、第２開口部５１０Ｂ’−１は、第１方向に離隔されて配置されてもよい。また、第２開口部５１０Ｂ’−１は、第１方向及び第２方向と異なる方向に離隔されて配置されてもよい。例えば、第２開口部５１０Ｂ’−１は、第１方向からチルティングされた一定角度ほど離隔されて配置されてもよい。
第１方向に離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂ’−１の中心間第３離隔距離ｄｉｓ３’−１は、第１方向からチルティングされた一定角度ほど離隔されて配置された第２開口部５１０Ｂ’−１の中心間第４離隔距離ｄｉｓ４’−１と異なってもよい。例えば、第３離隔距離ｄｉｓ３’−１は、第４離隔距離ｄｉｓ４’−１よりも長い。
第１開口部５１０Ａ’−１及び第２開口部５１０Ｂ’−１の形状は、同一であってもよい。第１開口部５１０Ａ’−１が、第１方向を基準に、短辺ＭＲ１−１がチルティングされた角度と、第２開口部５１０Ｂ’−１が、第１方向を基準に、短辺ＭＲ３−１がチルティングされた角度は、同一であってもよい。また、第１開口部５１０Ａ’−１の平面上面積は、第２開口部５１０Ｂ’−１の平面上面積と同一であってもよい。
本実施形態による第１マスクＭ１−１及び第２マスクＭ２−１は、対向電極を蒸着するときに使用するマスクであり、ＦＭＭであってもよい。ＦＭＭマスクは、金属板にホールを形成した後で引っ張る方式によっても製造される。
本実施形態においては、対向電極を形成するために、第１マスクＭ１−１及び第２マスクＭ２−１を利用して蒸着を実施することができる。図１３Ａは、第１マスクＭ１−１を利用し、第１対向電極ＣＥ１’−１を第２表示領域ＤＡ２に蒸着する方法を示している。図１３Ｂは、第２マスクＭ２−１を利用し、第２対向電極ＣＥ２’−１を第２表示領域ＤＡ２に蒸着する方法を示している。
第１対向電極ＣＥ１’−１及び第２対向電極ＣＥ２’−１を形成する方法は、図１１Ａ及び図１１Ｂで詳述したところと共通するので、省略する。
前述のような製造方法により、第１重畳部ＯＶＬ１’−１及び第２重畳部ＯＶＬ２’−１が形成され、第１重畳部ＯＶＬ１’−１の長手方向への延長線、及び第２重畳部ＯＶＬ２’−１の長手方向への延長線は、互いに平行である。従って、第２表示領域ＤＡ２において、対向電極切れ現象を防止することができる。
以上のような本発明は、図面に図示した一実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから、多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
１００ 基板
１１１ バッファ層
１１１ａ 第１バッファ層
１１１ｂ 第２バッファ層
１１２ 第１ゲート絶縁層
１１３ 第２ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１７ 平坦化層
１１９ 画素定義膜
２２１，２２１’ 画素電極
３００ 薄膜封止層
３１０ 第１無機封止層
３２０ 有機封止層
３３０ 第２無機封止層
５１０Ａ，５１０Ａ’，５１０Ａ’−１ 第１開口部
５１０Ｂ，５１０Ｂ’，５１０Ｂ’−１ 第２開口部
ＣＥ１，ＣＥ１’，ＣＥ１’−１ 第１対向電極
ＣＥ２，ＣＥ２’，ＣＥ２’−１ 第２対向電極
ＣＥＣ’，ＣＥＣ’−１ 接続対向電極
ＣＥＥ１’−１ 第１追加領域
ＣＥＥ２’−１ 第２追加領域
Ｍ１，Ｍ１−１ 第１マスク
Ｍ２，Ｍ２−１ 第２マスク
ＯＶＬＬ１’，ＯＶＬＬ１’−１ 第１延長線
ＯＶＬＬ２’，ＯＶＬＬ２’−１ 第２延長線
ＯＶＬ，ＯＶＬ’，ＯＶＬ’−１ 重畳部
ＯＶＬ１，ＯＶＬ１’，ＯＶＬ１’−１ 第１重畳部
ＯＶＬ２，ＯＶＬ２’，ＯＶＬ２’−１ 第２重畳部
ＯＶＬ３，ＯＶＬ３’，ＯＶＬ３’−１ 第３重畳部
ＰＤ，ＰＤ’，ＰＤ’−１ 画素領域
ＰＤ１，ＰＤ１’，ＰＤ１’−１ 第１画素領域
ＰＤ２，ＰＤ２’，ＰＤ２’−１ 第２画素領域
ＰＤＣ’，ＰＤＣ’−１ 接続画素領域
ＴＡ，ＴＡ−１ 透過部

Claims (20)

  1. 第１表示領域、及び透過部を具備した第２表示領域を含む基板と、
    前記基板上に互いに離隔されて配置された第１対向電極と、
    前記基板上に、前記第１対向電極と重畳する重畳部を含み、互いに離隔して配置された第２対向電極と、を含み、
    前記第２表示領域において、前記第１対向電極及び前記第２対向電極が、前記重畳部によって接続する接続対向電極は、前記透過部と交互に配置され、
    前記第１対向電極のそれぞれは、複数の副画素を含む第１画素領域に対応して配置され、
    前記第２対向電極のそれぞれは、前記第１画素領域と隣接し、複数の副画素を含む第２画素領域に対応して配置される表示装置。
  2. 前記重畳部は、第１重畳部及び第２重畳部を含み、
    前記第１重畳部において、前記第１対向電極のうち一つである第１中心対向電極と、前記第２対向電極のうち一つである第２中心対向電極とが重畳され、
    前記第２重畳部において、前記第２中心対向電極と、前記第１対向電極のうち他の一つである第１周辺対向電極とが重畳することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに交差することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第１重畳部及び前記第２重畳部は、コンタクトすることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに平行であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  6. 前記重畳部は、第３重畳部をさらに含み、
    前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  7. 前記重畳部は、第２重畳部及び第３重畳部を含み、
    前記第２重畳部において、前記第２対向電極のうち一つである第２中心対向電極と、前記第１対向電極のうち一つである第１周辺対向電極とが重畳され、
    前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、
    前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、
    前記第２副画素は、前記四角形の中心を基準に、対向するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、
    前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、
    前記第１副画素及び前記第３副画素は、前記四角形の中心を基準に、対向するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記第１表示領域において、前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、それぞれ前記重畳部に取り囲まれたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記第１表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔は、前記第２表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔と異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  12. 第１表示領域、及び透過部を具備した第２表示領域を含む基板を準備し、
    互いに離隔された第１開口部を含む第１マスクを利用し、第１対向電極を形成し、
    互いに離隔された第２開口部を含む第２マスクを利用し、前記第１対向電極と重畳する重畳部を含む第２対向電極を形成すること、を含み、
    前記第２表示領域において、前記第１対向電極及び前記第２対向電極が、前記重畳部によって接続された接続対向電極は、前記透過部と交互に配置され、
    前記第１対向電極それぞれは、複数の副画素を含む第１画素領域に対応して配置され，
    前記第２対向電極それぞれは、前記第１画素領域と隣接し、複数の副画素を含む第２画素領域に対応して配置される表示装置の製造方法。
  13. 前記重畳部は、第１重畳部及び第２重畳部を含み、
    前記第１重畳部において、前記第１対向電極のうち一つである第１中心対向電極と、前記第２対向電極のうち一つである第２対向電極とが重畳し、
    前記第２重畳部において、前記第２対向電極と、前記第１対向電極のうち他の一つである第１周辺対向電極とが重畳されることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  14. 前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに交差することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  15. 前記第１重畳部の長手方向への延長線、及び前記第２重畳部の長手方向への延長線は、互いに平行であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  16. 前記重畳部は、第３重畳部をさらに含み、
    前記第３重畳部において、前記第１周辺対向電極と、前記第２対向電極のうち他の一つである第２周辺対向電極とが重畳されることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  17. 前記第１開口部の形状、及び前記第２開口部の形状は、それぞれ長辺と短辺とを含む長方形状であり、
    前記第１開口部の形状は、前記第２開口部の形状と異なることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  18. 前記第１開口部の形状、及び前記第２開口部の形状は、それぞれ長辺と短辺とを含む長方形状であり、
    前記第１開口部の形状は、前記第２開口部の形状と同一であることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記第１画素領域及び前記第２画素領域は、仮想の四角形を形成し、
    前記複数の副画素は、互いに異なる色を発光する第１副画素、第２副画素及び第３副画素を含み、それぞれ前記四角形の頂点に配置され、
    前記第２副画素が前記四角形の中心を基準に、対向するように配置され、
    前記第１副画素及び前記第３副画素が前記四角形の中心を基準に、対向するように配置されることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記第１表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔は、前記第２表示領域に第１方向に配置された隣接した前記第１対向電極間の間隔と異なることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
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