CN112151574A - 显示设备及制造显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示设备及制造显示设备的方法。该显示设备包括：基板，包括第一显示区域和第二显示区域，第二显示区域包括透射区域；第一对电极，在基板上方彼此间隔开；以及在基板上方的第二对电极，包括与第一对电极重叠的重叠部分，第二对电极彼此间隔开，其中连接对电极与透射区域交替布置，在连接对电极中，第一对电极和第二对电极在第二显示区域中通过重叠部分连接，第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且第二对电极中的每一个被布置为与邻近第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应。

Description

显示设备及制造显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年6月28日递交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2019-0078337号的权益，其公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示设备以及制造显示设备的方法。
背景技术
显示设备通常通过像素来显示图像。显示设备还可以包括位于显示设备的前表面(例如，在其上显示图像的一个表面)的边框(或边缘部分)中的红外传感器，并通过使用红外传感器来识别对象。
随着显示设备的边框变薄，用户可以能够更容易地将他们的眼睛固定或集中在显示设备的图像或屏幕上。近来，已经对全表面显示技术进行了研究和开发，在全表面显示技术中，显示设备的前表面上的边框被去掉，布置在前表面(或边框)上的红外传感器被重新布置，并且图像被显示在显示设备的整个前表面上。
发明内容
一个或多个实施例包括一种显示设备，其包括传感器等可以被布置在其中同时可以显示图像的传感器区域。然而，应当理解，本文描述的实施例应当仅被认为是说明性的，并且不应当将在本公开的精神中的其他替代实施例排除在本公开的范围之外。
另外的方面将在随后的描述中部分地阐明，并且部分地根据这些描述显而易见，或者可以通过实践本公开呈现的实施例而获知。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基板，包括第一显示区域和第二显示区域，第二显示区域包括透射区域；第一对电极，在基板上方彼此间隔开；以及在基板上方的第二对电极，分别包括与第一对电极重叠的重叠部分，第二对电极彼此间隔开，其中在第二显示区域中，第一对电极和第二对电极构成连接对电极，在连接对电极中，第一对电极通过重叠部分连接至第二对电极，并且连接对电极与透射区域交替布置，第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且第二对电极中的每一个被布置为与邻近第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应。
重叠部分可以包括第一重叠部分和第二重叠部分，在第一重叠部分中，是第一对电极之一的第一中心对电极可以与是第二对电极之一的第二中心对电极重叠，并且在第二重叠部分中，第二中心对电极可以与是第一对电极之另一个的第一外围对电极重叠。
第一重叠部分在长度方向上的延伸线可以与第二重叠部分在长度方向上的延伸线交叉。
第一重叠部分可以接触第二重叠部分。
第一重叠部分在长度方向上的延伸线可以与第二重叠部分在长度方向上的延伸线平行。
重叠部分可以进一步包括第三重叠部分，并且在第三重叠部分中，第一外围对电极可以与是第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
重叠部分可以包括第二重叠部分和第三重叠部分，在第二重叠部分中，是第二对电极之一的第二中心对电极可以与是第一对电极之一的第一外围对电极重叠，并且在第三重叠部分中，第一外围对电极可以与是第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
第一像素区域和第二像素区域可以各自构成虚拟四边形，多个子像素可以包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且多个子像素可以被分别布置在虚拟四边形的顶点处，并且第二子像素可以围绕虚拟四边形的中心彼此面对。
第一像素区域和第二像素区域可以各自构成虚拟四边形，多个子像素可以包括发射具有不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且多个子像素可以被分别布置在虚拟四边形的顶点处，并且第一子像素可以围绕虚拟四边形的中心面对第三子像素。
第一像素区域和第二像素区域在第一显示区域中可以各自被重叠部分围绕。
在第一显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的第一对电极之间的间隔可以与在第二显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的第一对电极之间的间隔不同。
根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：准备包括第一显示区域和第二显示区域的基板，第二显示区域包括透射区域；通过使用包括彼此间隔开的第一开口的第一掩模而形成第一对电极；以及通过使用包括彼此间隔开的第二开口的第二掩模而形成包括与第一对电极重叠的重叠部分的第二对电极，其中在第二显示区域中，第一对电极和第二对电极构成连接对电极，在连接对电极中，第一对电极通过重叠部分连接至第二对电极，并且连接对电极与透射区域交替布置，第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且第二对电极中的每一个被布置为与邻近第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应。
重叠部分可以包括第一重叠部分和第二重叠部分，在第一重叠部分中，是第一对电极之一的第一中心对电极可以与是第二对电极之一的第二中心对电极重叠，并且在第二重叠部分中，第二中心对电极可以与是第一对电极之另一个的第一外围对电极重叠。
第一重叠部分在长度方向上的延伸线可以与第二重叠部分在长度方向上的延伸线交叉。
第一重叠部分在长度方向上的延伸线可以与第二重叠部分在长度方向上的延伸线平行。
重叠部分可以进一步包括第三重叠部分，并且在第三重叠部分中，第一外围对电极可以与是第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
第一开口的形状和第二开口的形状可以各自是包括长边和短边的矩形形状，并且第一开口的形状可以与第二开口的形状不同。
第一开口的形状和第二开口的形状可以各自是包括长边和短边的矩形形状，并且第一开口的形状可以与第二开口的形状相同。
第一像素区域和第二像素区域可以各自构成虚拟四边形，多个子像素可以包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且可以被分别布置在虚拟四边形的顶点处，第二子像素可以围绕虚拟四边形的中心彼此面对，并且第一子像素可以围绕虚拟四边形的中心面对第三子像素。
在第一显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的第一对电极之间的间隔可以与在第二显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的第一对电极之间的间隔不同。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的某些实施例的上述和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1A是根据实施例的显示设备的透视图；
图1B是根据另一实施例的显示设备的透视图；
图2是根据实施例的显示设备的截面图；
图3是根据实施例的显示设备的平面图；
图4是根据实施例的显示设备的多个子像素的布置图；
图5A是根据实施例的显示设备的第一显示区域的平面图；
图5B是根据实施例的显示设备的第二显示区域的平面图；
图6A是沿图5A的线C-C'以及图5B的线A-A'和B-B'截取的截面图；
图6B是根据另一实施例的显示设备的截面图；
图6C是根据另一实施例的显示设备的截面图；
图7是根据另一实施例的显示设备的第二显示区域的平面图；
图8A是根据实施例的用于在第一显示区域中形成对电极的第一掩模的示例的平面图；
图8B是根据实施例的用于在第一显示区域中形成对电极的第二掩模的示例的平面图；
图9A是通过使用第一掩模在第一显示区域中形成对电极的制造方法的平面图；
图9B是通过使用第二掩模在第一显示区域中形成对电极的制造方法的平面图；
图10A是根据实施例的用于在第二显示区域中形成对电极的第一掩模的示例的平面图；
图10B是根据实施例的用于在第二显示区域中形成对电极的第二掩模的示例的平面图；
图11A是根据实施例的通过使用第一掩模在第二显示区域中形成对电极的制造方法的平面图；
图11B是根据实施例的通过使用第二掩模在第二显示区域中形成对电极的制造方法的平面图；
图12A是根据另一实施例的用于在第二显示区域中形成对电极的第一掩模的示例的平面图；
图12B是根据另一实施例的用于在第二显示区域中形成对电极的第二掩模的示例的平面图；
图13A是根据另一实施例的通过使用第一掩模在第二显示区域中形成对电极的制造方法的平面图；并且
图13B是根据另一实施例的通过使用第二掩模在第二显示区域中形成对电极的制造方法的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就这一点而言，现在的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里所阐明的描述。因此，以下仅仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各个方面。本文所使用的术语“和/或”包括所列出的关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。诸如“…中的至少一个”的表达当位于一列元件之后时修饰整列元件，而不是修饰列表中的个别元件。
由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述示例实施例。通过参考以下详细描述的内容以及附图，现在的实施例的效果和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，现在的实施例不限于以下的示例性实施例，并且可以以各种形式实施。
在下文中，将参考附图详细描述现在的实施例。在附图中，相同的附图标记被赋给相同或对应的元件，并且省略其重复描述。
应理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等描述各个部件，但这些部件不应当受这些术语的限制。这些部件仅用于将一个部件与另一部件区别开来。
本文所使用的单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。
应进一步理解，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指明存在所述的特征或部件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征或部件。
应理解，在层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可以被直接或间接地形成在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。
为了便于解释，附图中元件的尺寸可能被放大。换句话说，因为为了便于解释，附图中部件的尺寸和厚度是任意示出的，所以下面的实施例并不限于此。
当某个实施例可以被不同地实施时，具体的处理顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的处理可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
应理解，在层、区域或部件被称为“连接”至另一层、区域或部件时，它可以“直接连接”至该另一层、区域或部件，或者可以“间接连接”至该另一层、区域或部件，同时其他层、区域或部件介于它们之间。例如，应理解，在层、区域或部件被称为“电连接”至另一层、区域或部件时，它可以“直接电连接”至该另一层、区域或部件，或者可以“间接电连接”至该另一层、区域或部件，同时其他层、区域或部件介于它们之间。
图1A是根据实施例的显示设备1的透视图。图1B是根据另一实施例的显示设备1的透视图。
参考图1A，显示设备1包括其中显示图像的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2以及其中不显示图像的非显示区域NDA。显示设备1可以通过使用从布置在第一显示区域DA1中的多个主像素Pm发射的光来显示主图像。
如以下参考图2所描述的，第二显示区域DA2可以是诸如使用红外光、可见光或声音的传感器的部件被布置在其中的区域。第二显示区域DA2可以包括透射区域TA，从部件输出至外部或者从外部朝着部件传播的光和/或声音可以穿过透射区域TA。在实施例中，在红外光穿过第二显示区域DA2的情况下，整个第二显示区域DA2的红外透射率可以为15％或更高，更优选20％或更高，25％或更高，85％或更高，或者90％或更高。
在本实施例中，多个辅助像素Pa可以被布置在第二显示区域DA2中。显示设备1可以通过使用从辅助像素Pa发射的光来显示预定图像。显示在第二显示区域DA2上的图像是辅助图像，并且可以具有比显示在第一显示区域DA1上的图像的分辨率小的分辨率。也就是说，由于第二显示区域DA2包括可以透射光和/或声音的透射区域TA，所以每个单位面积可以布置的辅助像素Pa的数量可以比第一显示区域DA1中每个单位面积可以布置的主像素Pm的数量少。
第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1至少部分地围绕。在实施例中，图1A中示出第二显示区域DA2被布置在第一显示区域DA1的一侧。然而，如图1A中所示，第二显示区域DA2在y方向上的长度不受限制。y方向上的长度可以较小。可以进行各种修改。
在图1B中，与图1A的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且为了简明描述起见，省略其重复描述。
参考图1B，第二显示区域DA2可以被第一显示区域DA1完全围绕。虽然在图1B中示出第二显示区域DA2被布置在是四边形的第一显示区域DA1的一侧(右上侧)，但是实施例不限于此。第一显示区域DA1的形状可以包括圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。第二显示区域DA2的位置和数量可以进行各种改变。
虽然作为示例将根据实施例的显示设备1描述为有机发光显示设备，但是根据本公开的显示设备不限于此。在另一实施例中，根据本公开的显示设备1可以是各种其他类型，例如，无机发光显示装置和量子点发光显示装置。
图2是根据实施例的显示设备1的截面图，并且可以对应于沿图1A的线II-II'截取的截面。
参考图2，显示设备1可以包括：包括显示元件的显示面板10；以及与第二显示区域DA2对应的部件20。
显示面板10可以包括基板100、显示元件层200和薄膜封装层300，显示元件层200被布置在基板100上方，并且薄膜封装层300作为密封构件密封显示元件层200。此外，显示面板10可以进一步包括布置在基板100下面的下保护膜175。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。在基板100包括聚合物树脂的情况下，基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
显示元件层200可以包括电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED和OLED'以及它们之间的绝缘层IL和IL'，电路层包括薄膜晶体管TFT和TFT'。
此外，透射区域TA可以被布置在第二显示区域DA2中，辅助薄膜晶体管TFT'和显示元件不被布置在透射区域TA中。可以理解，透射区域TA是透射从部件20发射的光/信号或入射到部件20的光/信号的区域。
部件20可以位于第二显示区域DA2中。部件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，部件20可以是诸如发射和/或接收光的红外传感器的传感器、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波段中的光，诸如可见光、红外光和紫外光。布置在第二显示区域DA2中的部件20可以被提供为多个部件。例如，作为部件20，发光元件和光接收元件可以被一起提供在第二显示区域DA2中。可替代地，光发射器和光接收器可以被同时提供给一个部件20。
底部电极层BSM可以被布置在第二显示区域DA2中。底部电极层BSM可以被布置为与辅助像素Pa对应。也就是说，底部电极层BSM可以被布置在辅助薄膜晶体管TFT'的下方。也就是说，底部电极层BSM可以防止外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'的辅助像素Pa。例如，可以防止从部件20发射的光到达辅助像素Pa。恒定电压或信号可以被施加至底部电极层BSM，以防止像素电路被静电放电损坏。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。就这一点而言，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。
有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。例如，有机封装层320可以包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、丙烯酸类树脂(例如、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯酸等)、或其任意组合。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括无机绝缘材料中的至少一种，无机绝缘材料包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在显示设备1的边缘区域中，第二无机封装层330被沉积为直接接触第一无机封装层310，从而不将有机封装层320暴露于显示设备1的外部。
下保护膜175可以附到基板100的背面上以支撑并保护基板100。下保护膜175可以包括与第二显示区域DA2对应的开口175OP。由于下保护膜175包括开口175OP，所以第二显示区域DA2的透光率可以被提高。下保护膜175可以包括PET或PI。在基板100包括玻璃的情况下，下保护膜175可以省略。
第二显示区域DA2的面积可以大于部件20被布置在其中的区域的面积。因此，提供在下保护膜175中的开口175OP的面积可以不与第二显示区域DA2的面积一致。例如，开口175OP的面积可以小于第二显示区域DA2的面积。在另一示例中，开口175OP的面积可以与第二显示区域DA2的面积相同。
虽然未示出，但是输入感测构件、防反射构件和透明窗可以被进一步布置在显示面板10上，输入感测构件感测触摸输入，并且防反射构件包括偏振器和延迟器，或者包括滤色器和黑矩阵。
虽然本实施例示出了薄膜封装层300被用作密封显示元件层200的封装构件，但是实施例不限于此。例如，可以使用密封基板作为密封显示元件层200的构件，密封基板通过密封剂或玻璃料附到基板100上。
图3是根据实施例的显示设备1的平面图。
参考图3，显示面板10包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1包括多个主像素Pm。主像素Pm各自可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每一个主像素Pm可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，可以理解，主像素Pm是如上所述的发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的像素。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以由参考图2描述的封装构件覆盖，从而被保护免受外部空气或湿气的影响。
第二显示区域DA2可以被布置在第一显示区域DA1的一侧。多个辅助像素Pa被布置在第二显示区域DA2中。辅助像素Pa各自可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每一个辅助像素Pa可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，可以理解，辅助像素Pm是如上所述的发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的像素。透射区域TA可以被布置在第二显示区域DA2中，透射区域TA被布置在辅助像素Pa之间。
在实施例中，一个主像素Pm的像素电路可以与一个辅助像素Pa的像素电路相同。然而，实施例不限于此。包括在主像素Pm中的像素电路可以与包括在辅助像素Pa中的像素电路不同。
由于第二显示区域DA2包括透射区域TA，所以第二显示区域DA2的分辨率可以小于第一显示区域DA1的分辨率。例如，第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/2。在实施例中，第一显示区域DA1的分辨率可以是400ppi或更高，而第二显示区域DA2的分辨率可以是200ppi或更高。
主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个可以电连接至布置在非显示区域NDA中的外围电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以被布置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL将扫描信号提供至主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL将发射控制信号提供至主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，同时第一显示区域DA1和第二显示区域DA2位于它们之间。布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的主像素Pm和辅助像素Pa中的一些可以电连接至第一扫描驱动电路110，并且其余的主像素Pm和辅助像素Pa可以连接至第二扫描驱动电路120。在另一实施例中，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以被布置在基板100的一侧。端子140可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并因此电连接至印刷电路板PCB。
印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接至显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器(未示出)的信号或电力传送至显示面板10。控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传送至第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每一个。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别将第一电源电压和第二电源电压提供至第一电源线160和第二电源线170。第一电源电压可以通过连接至第一电源线160的驱动电压线PL提供至主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个，并且第二电源电压可以被提供至连接至第二电源线170的主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个的对电极。
数据驱动电路150电连接至数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接至端子140的连接线151和连接至连接线151的数据线DL而提供至主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个。虽然在图3中示出了数据驱动电路150被布置在印刷电路板PCB上，但是数据驱动电路150可以被布置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以被布置在端子140和第一电源线160之间。
虽然在图3中示出了在第二显示区域DA2中驱动电压线PL和数据线DL也被布置在y方向上，但是实施例不限于此。驱动电压线PL和数据线DL可以在与y方向不同的方向上被布置在包括透射区域TA的第二显示区域DA2中，以便不与透射区域TA重叠。另外，扫描线SL和发射控制线EL可以被布置为不与透射区域TA重叠。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行地延伸，同时第一显示区域DA1和第二显示区域DA2位于它们之间。第二电源线170具有包括一个开放侧的环形，并且可以部分地围绕第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
图4是根据实施例的显示设备1的多个子像素的布置图。在本实施例中，红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B表示相应子像素的发射区域。发射区域可以由以下描述的像素限定层的开口限定。
参考图4，绿色子像素G可以在第一行1N上在第一方向(例如，x方向)上彼此间隔开预定间隔，并且红色子像素R和蓝色子像素B可以在邻近于第一行1N的第二行2N上在第一方向上交替布置。同样，绿色子像素G可以在第三行3N上彼此间隔开预定间隔，并且红色子像素R和蓝色子像素B可以在第四行4N上交替布置。这种像素布置可以被重复，直到预先设置的预定行。
布置在第一行1N上的绿色子像素G可以与第二行2N上的红色子像素R和蓝色子像素B交替布置。因此，红色子像素R和蓝色子像素B可以在第一列1M上在第二方向(例如，y方向)上交替布置，并且绿色子像素G可以在第二列2M上在第二方向上彼此间隔开预定间隔。同样，红色子像素R和蓝色子像素B可以在第三列3M上交替布置，并且绿色子像素G可以在第四列4M上彼此间隔开预定间隔。这种像素布置可以被重复，直到预先设置的预定列。在这种情况下，蓝色子像素B和红色子像素R的面积可以大于绿色子像素G的面积。可替代地，蓝色子像素B的面积可以大于红色子像素R和绿色子像素G的面积。
这种像素布置结构可以换种表达方式，即：绿色子像素G被布置在虚拟四边形VS的顶点中彼此面对的第一顶点和第三顶点处；而蓝色子像素B和红色子像素R被布置在顶点其余的第二顶点和第四顶点处。例如，绿色子像素G可以被布置在虚拟四边形VS的顶点处以围绕虚拟四边形VS的中心VSE彼此面对。同样，蓝色子像素B和红色子像素R可以被布置在虚拟四边形VS的顶点处以围绕虚拟四边形VS的中心VSE彼此面对。在这种情况下，虚拟四边形VS可以是矩形、菱形或正方形。虚拟四边形VS可以进行各种修改。
虚拟四边形VS的边缘的延伸线可以被布置在与第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)不同的方向上。因此，虚拟四边形VS可以相对于第一方向和第二方向倾斜。
发射具有不同颜色的光的子像素可以被布置在虚拟四边形VS的顶点处，并且可以构成一个像素区域PD。这种子像素布置结构被称为蜂窝(pentile)矩阵，其可以通过共享彼此邻近的子像素通过施加表达颜色的渲染驱动而使用少量的子像素实现高分辨率。
然而，根据实施例的子像素布置结构不限于蜂窝矩阵结构。例如，本公开适用于具有条状布置、马赛克布置或三角形(delta)布置的子像素布置结构。同样，本公开适用于进一步包括发射白光的白色子像素的子像素布置结构。
在本实施例中，子像素可以被分类为第一子像素、第二子像素和第三子像素。在实施例中，第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分别对应于红色子像素R、蓝色子像素B和绿色子像素G。
图5A是根据实施例的显示设备1的第一显示区域DA1的平面图。
参考图5A，第一像素区域PD1和第二像素区域PD2可以被布置在根据实施例的显示设备1的第一显示区域DA1中。
第一像素区域PD1可以彼此间隔开。第二像素区域PD2可以邻近于第一像素区域PD1，并且与另一第二像素区域PD2隔开。第一像素区域PD1和第二像素区域PD2各自可以包括多个子像素，并且多个子像素可以以蜂窝矩阵结构布置。
第一对电极CE1可以被布置为与第一像素区域PD1对应并且彼此隔开。第一对电极CE1可以被布置为具有大于第一像素区域PD1的面积的面积。具体地，第一显示区域DA1中的第一对电极CE1可以以恒定间隔彼此间隔开。
第二对电极CE2可以被布置为与第二像素区域PD2对应并且彼此隔开。第二对电极CE2可以被布置为具有大于第二像素区域PD2的面积的面积。具体地，第一显示区域DA1中的第二对电极CE2可以以恒定间隔彼此间隔开。
第一对电极CE1和第二对电极CE2可以彼此重叠以构成重叠部分OVL。重叠部分OVL可以包括第一重叠部分OVL1和第二重叠部分OVL2。虽然未在附图中示出，但是第一重叠部分OVL1可以接触第二重叠部分OVL2。在第一显示区域DA1中，第一像素区域PD1和第二像素区域PD2可以由重叠部分OVL围绕。此外，重叠部分OVL可以在第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)上以恒定间隔布置。
然而，实施例不限于此。第一显示区域DA1中的对电极可以被形成为一体。例如，第一像素区域PD1和第二像素区域PD2可以与一个对电极重叠。
图5B是根据实施例的显示设备1的第二显示区域DA2的平面图。
参考图5B，连接像素区域PDC'和透射区域TA被布置在根据实施例的显示设备1的第二显示区域DA2中。在预定像素区域PD'被连续布置时，一个连接像素区域PDC'可以被形成。
示出了一个连接像素区域PDC'被布置在第二方向(例如，y方向)上。然而，实施例不限于此。在另一实施例中，连接像素区域PDC'可以被布置在第一方向(例如，x方向)上。在另一实施例中，连接像素区域PDC'可以被布置在与第一方向和第二方向不同的方向上。
连接像素区域PDC'可以包括第一像素区域PD1'和第二像素区域PD2'。第一像素区域PD1'可以彼此间隔开。第二像素区域PD2'可以邻近于第一像素区域PD1'，并且与另一第二像素区域PD2'隔开。第一像素区域PD1'和第二像素区域PD2'各自可以包括多个子像素，并且多个子像素可以以蜂窝矩阵结构布置。
在实施例中，第一像素区域PD1'和第二像素区域PD2'可以以锯齿形布置。在另一实施例中，第一像素区域PD1'和第二像素区域PD2'可以被布置在直线上。
连接对电极CEC'可以被布置为与连接像素区域PDC'对应。连接对电极CEC'可以包括彼此隔开的第一对电极CE1'以及彼此隔开的第二对电极CE2'。
第一对电极CE1'可以被布置为与连接像素区域PDC'的第一像素区域PD1'对应。第一对电极CE1'可以包括第一像素区域PD1'并且具有如图5B中所示的矩形形状。然而，实施例不限于此，并且第一对电极CE1'的形状可以进行诸如四边形和菱形的各种修改。
第一对电极CE1'可以被布置为具有大于第一像素区域PD1'的面积的面积，并且可以包括不与第一像素区域PD1'重叠的第一附加区域CEE1'。例如，在第一像素区域PD1'的平面形状为正方形的情况下，第一对电极CE1'可以包括不与第一像素区域PD1'重叠的第一附加区域CEE1'，并且因此在平面图中可以是矩形。第一附加区域CEE1'可以与第二对电极CE2'的一部分重叠并且包括重叠部分OVL'。
第一对电极CE1'可以彼此间隔开。例如，第一对电极CE1'可以在第一方向和第二方向上彼此间隔开。然而，实施例不限于此，并且第一对电极CE1'可以在与第一方向和第二方向不同的方向上彼此间隔开。
在包括透射区域TA的第二显示区域DA2中，第一对电极CE1'可以以位于其间的透射区域TA彼此间隔开。因此，以位于其间的透射区域TA彼此间隔开的第一对电极CE1'之间的间距可以与不以位于其间的透射区域TA彼此间隔开的第一对电极CE1'之间的间距不同。此外，在第二显示区域DA2中彼此邻近的第一对电极CE1'之间的间距可以与在第一显示区域DA1中彼此邻近的第一对电极CE1之间的间距不同。例如，在第二显示区域DA2中跨过透射区域TA彼此邻近的第一对电极CE1'之间的间距可以大于在第一显示区域DA1中彼此邻近的第一对电极CE1之间的间距。
第二对电极CE2'可以被布置为与连接像素区域PDC'的第二像素区域PD2'对应。如图5B中所示，第二对电极CE2'可以具有矩形形状。然而，实施例不限于此，并且第二对电极CE2'的形状可以进行诸如四边形和菱形的各种修改。
第二对电极CE2'可以被布置为具有大于第二像素区域PD2'的面积的面积，并且可以包括不与第二像素区域PD2'重叠的第二附加区域CEE2'。例如，在第二像素区域PD2'的平面形状为正方形的情况下，第二对电极CE2'可以包括不与第二像素区域PD2'重叠的第二附加区域CEE2'，并且因此在平面图中可以是矩形。第二附加区域CEE2'可以与第一附加区域CEE1'的一部分重叠并且包括重叠部分OVL'。
第二对电极CE2'可以彼此间隔开。例如，第二对电极CE2'可以在第一方向和第二方向上彼此间隔开。然而，实施例不限于此，并且第二对电极CE2'可以在与第一方向和第二方向不同的方向上彼此间隔开。
第二对电极CE2'可以以位于其间的透射区域TA彼此间隔开。因此，以位于其间的透射区域TA彼此隔开的第二对电极CE2'之间的间距可以与不以位于其间的透射区域TA彼此隔开的第二对电极CE2'之间的间距不同。此外，在第二显示区域DA2中彼此邻近的第二对电极CE2'之间的间距可以与在第一显示区域DA1中彼此邻近的第二对电极CE2之间的间距不同。例如，在第二显示区域DA2中跨过透射区域TA彼此邻近的第二对电极CE2'之间的间距可以大于在第一显示区域DA1中彼此邻近的第二对电极CE2之间的间距。
重叠部分OVL'可以包括第一重叠部分OVL1'、第二重叠部分OVL2'和第三重叠部分OVL3'。如上所述，在第一对电极CE1'与第二对电极CE2'重叠时，重叠部分OVL'可以被形成。在第一对电极CE1'与第二对电极CE2'在平面形式中重叠时，重叠部分OVL'可以被形成，并且在平面图中可以具有矩形形状。然而，重叠部分OVL'不限于此，并且可以具有各种形状。具体地，在第一附加区域CEE1'与第二附加区域CEE2'重叠时，重叠部分OVL'可以被形成。如下所述，重叠部分OVL'的厚度可以大于第一对电极CE1'和第二对电极CE2'的厚度。第一对电极CE1'可以通过重叠部分OVL'电连接至第二对电极CE2'。重叠部分OVL'可以为防止对电极的电极断开现象而被布置。
在是第一对电极CE1'之一的第一中心对电极CEa1'与是第二对电极CE2'之一的第二中心对电极CEa2'重叠时，第一重叠部分OVL1'可以被形成。在第二中心对电极CEa2'与是第一对电极CE1'之另一个的第一外围对电极CEb1'重叠时，第二重叠部分OVL2'可以被形成。在第一外围对电极CEb1'与是第二对电极CE2'之另一个的第二外围对电极CEb2'重叠时，第三重叠部分OVL3'可以被形成。
由于第一对电极CE1'之一被选择并且第一对电极CE1'之另一个被再次选择，因此第三重叠部分OVL3'和第一重叠部分OVL1'可以指代相同的重叠部分。因此，主要描述第一重叠部分OVL1'和第二重叠部分OVL2'。
第一重叠部分OVL1'在长度方向上的第一延伸线OVLL1'可以与第二重叠部分OVL2'在长度方向上的第二延伸线OVLL2'交叉。具体地，第一延伸线OVLL1'可以垂直于第二延伸线OVLL2'。然而，实施例不限于此，并且第一延伸线OVLL1'可以以各种角度与第二延伸线OVLL2'交叉。因此，第一对电极CE1'和第二对电极CE2'可以以锯齿形彼此重叠并且彼此连接。
虽然未在附图中示出，但是第一重叠部分OVL1'可以接触第二重叠部分OVL2'。例如，第一重叠部分OVL1'的一侧可以接触第二重叠部分OVL2'的一侧的至少一部分。
透射区域TA是其中未布置显示元件并且因此透光率高的区域。在第二显示区域DA2中，透射区域TA可以被提供为多个透射区域TA。例如，透射区域TA可以不与连接对电极CEC'和下面描述的像素电极重叠。再例如，下面描述的像素电极、发射层或第二公共层可以被布置在透射区域TA中。
在实施例中，透射区域TA可以与连接对电极CEC'在第一方向和/或第二方向上交替布置。在另一实施例中，透射区域TA可以围绕连接对电极CEC'。在另一实施例中，连接对电极CEC'可以围绕透射区域TA。
虽然在附图中未示出，但是连接像素区域PDC'可以与布线(未示出)重叠，并且透射区域TA可以不与布线重叠。例如，布线可以包括图3的数据线DL、扫描线SL和第二电源线170。在实施例中，可以影响透光率的布线可以沿连接像素区域PDC'在第二方向上布置。在另一实施例中，布线可以沿连接像素区域PDC'以锯齿形布置。
由于连接对电极CEC'和透射区域TA被交替布置，所以第二显示区域DA2的透光率可以增大。包括在连接对电极CEC'中的第一重叠部分OVL1'和第二重叠部分OVL2'旨在防止第一对电极CE1'和第二对电极CE2'的电极断开现象。
在下文中，参考图6A详细描述其中包括在显示设备1中的元件根据实施例被堆叠的结构。
图6A是沿图5A的线C-C'以及图5B的线A-A'和B-B'截取的截面图。
参考图6A，根据实施例的显示设备1包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。主像素Pm被布置在第一显示区域DA1中，并且辅助像素Pa和透射区域TA被布置在第二显示区域DA2中。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。透射区域TA可以包括与透射区域TA对应的透射孔TAH。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
缓冲层111可以位于基板100上，可以减少或防止异物、湿气或外部空气从基板100下方渗透，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料，或者有机材料，或者有机/无机复合材料，并且可以包括无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。阻挡层(未示出)可以被进一步提供在基板100和缓冲层111之间，阻挡层阻止外部空气的渗透。在实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
在第二显示区域DA2中，底部电极层BSM可以被布置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，底部电极层BSM可以被布置在基板100和第一缓冲层111a之间。底部电极层BSM可以被布置在辅助薄膜晶体管TFT'的下方，以防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性因从部件20发射的光等而劣化。
此外，底部电极层BSM可以通过接触孔连接至布置在不同层上的布线GCL。底部电极层BSM可以从布线GCL接收信号或者恒定电压。例如，底部电极层BSM可以接收第一电源电压或扫描信号。由于底部电极层BSM可以接收恒定电压或扫描信号，所以发生静电放电的可能性可以显著降低。底部电极层BSM可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu。底部电极层BSM可以包括包含上述材料中的至少一种的单层或多层。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以被布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。在第一显示区域DA1中，主薄膜晶体管TFT可以连接至主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。在第二显示区域DA2中，辅助薄膜晶体管TFT'可以连接至辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以被布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2各自可以包括沟道区、源区和漏区，源区和漏区被掺杂有杂质。
第二半导体层A2可以与底部电极层BSM重叠，同时第二缓冲层111b位于它们之间。在实施例中，第二半导体层A2的宽度可以小于底部电极层BSM的宽度。因此，当在垂直于基板100的方向上投影时，第二半导体层A2可以与底部电极层BSM完全重叠。
第一栅绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅绝缘层112可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2的无机绝缘材料。第一栅绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料中的至少一种的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2被布置在第一栅绝缘层112上，第一栅电极G1和第二栅电极G2分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种的单层或多层。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2各自可以包括单个Mo层。
第二栅绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅绝缘层113可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2的无机绝缘材料。第二栅绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料中的至少一种的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一顶部电极C2和辅助存储电容器Cst'的第二顶部电极C2'可以被布置在第二栅绝缘层113上。
在第一显示区域DA1中，第一顶部电极C2可以与其下方的第一栅电极G1重叠。第一栅电极G1和第一顶部电极C2可以构成主存储电容器Cst，第一栅电极G1和第一顶部电极C2彼此重叠，同时第二栅绝缘层113位于它们之间。也就是说，第一栅电极G1可以用作主存储电容器Cst的第一底部电极C1。
在第二显示区域DA2中，第二顶部电极C2'可以与其下方的第二栅电极G2重叠。第二栅电极G2和第二顶部电极C2'可以构成辅助存储电容器Cst'，第二栅电极G2和第二顶部电极C2'彼此重叠，同时第二栅绝缘层113位于它们之间。第二栅电极G2可以用作辅助存储电容器Cst'的第二底部电极C1'。
第一顶部电极C2和第二顶部电极C2'各自可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以包括包含上述材料中的至少一种的单层或多层。
层间栅绝缘层115可以覆盖第一顶部电极C2和第二顶部电极C2'。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以被布置在层间绝缘层115上。第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且包括包含上述材料的单层或多层。例如，第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以覆盖第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2。平坦化层117可以具有平坦的顶表面，以使布置在其上的第一像素电极221和第二像素电极221'可以被形成为平坦的。
平坦化层117可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其混合物。同样，平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在平坦化层117被形成之后，可以执行化学机械抛光以便为平坦化层117提供平坦的顶表面。
在平坦化层117中存在暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个的开口。第一像素电极221可以通过经由平坦化层117中的该开口接触第一源电极S1或第一漏电极D1而电连接至主薄膜晶体管TFT。
此外，平坦化层117包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个的开口。第二像素电极221'可以通过经由该开口接触第二源电极S2或第二漏电极D2而电连接至辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'各自可以包括反射层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以进一步包括在反射层上/下的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每一个的边缘。像素限定层119包括第一开口OP1和第二开口OP2，第一开口OP1和第二开口OP2分别与第一像素电极221和第二像素电极221'重叠并且限定像素的发射区域。像素限定层119可以通过增大第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘与第一像素电极221和第二像素电极221'上方的对电极之间的距离来防止在像素电极(即第一像素电极221和第二像素电极221')的边缘处产生电弧等。像素限定层119可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂。像素限定层119可以通过诸如旋涂的方法形成。
第一功能层222a可以被布置在通过像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2而暴露的第一像素电极221和第二像素电极221'上。第一功能层222a可以延伸至像素限定层119的顶表面。第一功能层222a可以包括单层或多层。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。第一功能层222a可以被提供为一体，以便与包括在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的主像素Pm和辅助像素Pa对应。
第一发射层222b和第二发射层222b'被布置在第一功能层222a上，第一发射层222b和第二发射层222b'分别与第一像素电极221和第二像素电极221'对应。第一发射层222b和第二发射层222b'各自可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以被形成在第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以被提供为一体，以便与包括在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的主像素Pm和辅助像素Pa对应。第一功能层222a和/或第二功能层222c可以省略。
连接对电极CEC'被布置在第二功能层222c上。连接对电极CEC'可以包括具有小功函数的导电材料。例如，连接对电极CEC'可以包括(半)透明层，(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金。可替代地，连接对电极CEC'可以进一步包括在包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
在本实施例中，如上所述，连接对电极CEC'包括第一对电极CE1'和第二对电极CE2'。
第一对电极CE1和CE1'中彼此邻近的第一对电极CE1和CE1'与第二对电极CE2和CE2'可以在其边缘(图5A和图5B中的重叠部分OVL和OVL')处彼此重叠并接触。重叠部分OVL和OVL'可以被分别形成在主像素Pm之间和辅助像素Pa之间。重叠部分OVL1和OVL1'的厚度可以大于第一对电极CE1和CE1'或第二对电极CE2和CE2'在其中心区域中的厚度。
在第二显示区域DA2中，第一对电极CE1'中的一些可以以位于其间的透射区域TA彼此间隔开。在这种情况下，第一对电极CE1'的间隔空间可以是连接对电极CEC'的开口CEC'OP。开口CEC'OP可以用作光所穿过的透射孔TAH。
由于透射孔TAH的形成意味着诸如与透射区域TA对应的连接对电极CEC'等的构件被去除，因此透射区域TA的透光率可以被显著增大。
虽然在附图中未示出，但是盖层可以被形成在连接对电极CEC'上，盖层在保护连接对电极CEC'的同时提高光提取效率。盖层可以包括LiF。可替代地，盖层可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。在实施例中，盖层可以省略。
图6B是根据另一实施例的显示设备1的截面图。图6C是根据另一实施例的显示设备1的截面图。图6B和图6C可以对应于沿图5B的线A-A'截取的横截面。由于与图6A的附图标记相同的附图标记在图6B和图6C中指代相同的构件，因此省略其重复描述。
虽然在图6A中示出了透射孔TAH被形成为连接对电极CEC'的开口CEC'OP，但是实施例不限于此。
参考图6B，透射孔TAH可以进一步包括第一孔H1和/或第二孔H2，第一孔H1被限定在像素限定层119中，并且第二孔H2被限定在平坦化层117中。
像素限定层119可以包括与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以与连接对电极CEC'的开口CEC'OP重叠。虽然在附图中示出了开口CEC'OP的底部宽度大于第一孔H1的底部宽度，但是实施例不限于此。例如，连接对电极CEC'可以延伸至透射孔TAH的内壁，并且因此开口CEC'OP的宽度可以小于第一孔H1的宽度。
平坦化层117可以包括与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以与连接对电极CEC'的开口CEC'OP重叠。虽然在附图中示出第一孔H1的底部宽度大于第二孔H2的宽度，但是实施例不限于此。例如，由于像素限定层119可以覆盖平坦化层117的第二孔H2的边缘，因此第一孔H1的宽度可以小于第二孔H2的宽度。
由于第一孔H1和/或第二孔H2被形成，因此透射区域TA的透光率可以被进一步提高。虽然在附图中示出了第一孔H1和第二孔H2都被形成，但是实施例不限于此。例如，可以提供与透射区域TA对应的第一孔H1和第二孔H2中的仅一个。可以进行各种修改。第一功能层222a和第二功能层222c可以被布置在透射孔TAH内。
参考图6C，透射孔TAH可以进一步包括与透射区域TA对应的第三孔H3。
假设第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IL，则无机绝缘层IL可以包括与透射区域TA对应的第三孔H3。第三孔H3可以暴露缓冲层111或基板100的顶表面。在第一栅绝缘层112的第一开口、第二栅绝缘层113的第二开口和层间绝缘层115的第三开口彼此重叠时，第三孔H3被形成。第一开口、第二开口和第三开口可以通过单独的工艺分别形成，或者通过同一工艺同时形成。可替代地，第一开口和第二开口可以被同时形成，并且第三开口可以被单独形成。可以进行各种修改。在第一开口和第三开口通过单独的工艺形成的情况下，台阶差可以被形成在第三孔H3的侧表面上。
无机绝缘层IL可以包括沟槽来代替暴露缓冲层111的第三孔H3。例如，无机绝缘层IL的第一栅绝缘层112可以被连续地布置在透射区域TA中，并且第二栅绝缘层113和层间绝缘层115可以包括与透射区域TA对应的第二开口和第三开口。
可替代地，第一栅绝缘层112和第二栅绝缘层113可以被连续地布置在透射区域TA中，并且层间绝缘层115可以包括与透射区域TA对应的第三开口。可以进行各种修改。
在本实施例中，由于无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119可以具有允许部件20传输/接收的透光率，因此无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119可以不包括与透射区域TA对应的孔。然而，在无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119包括与透射区域TA对应的孔的情况下，透光率可以被提高得更多。
图7是根据另一实施例的显示设备1的第二显示区域DA2的平面图。
在图7中，与图5B的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，并且为了简明描述起见，省略其重复描述。
参考图7，连接像素区域PDC'-1和透射区域TA-1被布置在显示设备1的第二显示区域DA2中。预定像素区域PD'-1可以被连续地布置以构成一个连接像素区域PDC'-1。如图7中所示，连接像素区域PDC'-1可以被布置在与第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)不同的方向上。
连接像素区域PDC'-1可以包括第一像素区域PD1'-1和第二像素区域PD2'-1。第一像素区域PD1'-1可以彼此间隔开。第二像素区域PD2'-1可以邻近于第一像素区域PD1'-1，并且与另一第二像素区域PD2'-1隔开。第一像素区域PD1'-1和第二像素区域PD2'-1各自可以包括多个子像素，并且多个子像素可以以蜂窝矩阵结构布置。
如图7中所示，第一像素区域PD1'-1和第二像素区域PD2'-1可以被布置在直线上。
连接对电极CEC'-1可以被布置为与连接像素区域PDC'-1对应。连接对电极CEC'-1可以包括彼此隔开的第一对电极CE1'-1和第二对电极CE2'-1，并且第二对电极CE2'-1包括与第一对电极CE1'-1重叠的重叠部分OVL'-1。
第一对电极CE1'-1可以被布置为与连接像素区域PDC'-1的第一像素区域PD1'-1对应。第一对电极CE1'-1可以被布置为具有大于第一像素区域PD1'-1的面积的面积，并且可以包括不与第一像素区域PD1'-1重叠的第一附加区域CEE1'-1。第一对电极CE1'-1可以以位于其间的透射区域TA-1彼此间隔开。
第二对电极CE2'-1可以被布置为与连接像素区域PDC'-1的第二像素区域PD2'-1对应。第二对电极CE2'-1可以被布置为具有大于第二像素区域PD2'-1的面积的面积，并且可以包括不与第二像素区域PD2'-1重叠的第二附加区域CEE2'-1。第二附加区域CEE2'-1可以与第一附加区域CEE1'-1的一部分重叠并且包括重叠部分OVL'-1。第二对电极CE2'-1可以以位于其间的透射区域TA-1彼此间隔开。
重叠部分OVL'-1可以包括第一重叠部分OVL1'-1、第二重叠部分OVL2'-1和第三重叠部分OVL3'-1。
在实施例中，透射区域TA-1可以与连接对电极CEC'-1在第一方向和/或第二方向上交替布置。在另一实施例中，透射区域TA-1可以围绕连接对电极CEC'-1。在另一实施例中，连接对电极CEC'-1可以围绕透射区域TA-1。
第一对电极CE1'-1和第二对电极CE2'-1可以被布置在直线上。此外，第一重叠部分OVL1'-1在长度方向上的第一延伸线OVLL1'-1可以平行于第二重叠部分OVL2'-1在长度方向上的第二延伸线OVLL2'-1。由于第一延伸线OVLL1'-1平行于第二延伸线OVLL2'-1，因此第一对电极CE1'-1可以在直线上与第二对电极CE2'-1重叠。因此，由于对电极断开现象被防止，所以显示设备1的可靠性可以被提高。
图8A是根据实施例的用于在第一显示区域DA1中形成对电极的第一掩模M1的示例的平面图，并且图8B是根据实施例的用于在第一显示区域DA1中形成对电极的第二掩模M2的示例的平面图。图9A和图9B示出使用第一掩模M1和第二掩模M2的制造方法。
由于与图5A的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，因此省略其重复描述。
参考图8A，根据实施例的第一掩模M1包括彼此隔开的第一开口510A，并且第一开口510A可以是倾斜的四边形。
第一开口510A可以彼此间隔开。在第一方向上彼此隔开的第一开口510A的中心之间的第一间距dis1可以与在第二方向上彼此隔开的第一开口510A的中心之间的第二间距dis2相同。因此，第一开口510A可以以恒定间隔彼此间隔开。
参考图8B，根据实施例的第二掩模M2包括彼此隔开的第二开口510B，并且第二开口510B可以是倾斜的四边形。
第二开口510B可以彼此间隔开。在第一方向上彼此隔开的第二开口510B的中心之间的第三间距dis3可以与在第二方向上彼此隔开的第二开口510B的中心之间的第四间距dis4相同。因此，第二开口510B可以以恒定间隔彼此间隔开。
根据本实施例的第一掩模M1和第二掩模M2是用于沉积对电极的掩模，并且可以是精细金属掩模(FMM)。FMM可以通过在金属板中形成孔然后施加张力来制造。
第一开口510A旨在用于形成第一对电极CE1，并且第一开口510A的尺寸可以等于或小于第一对电极CE1的尺寸。第二开口510B旨在用于形成第二对电极CE2，并且第二开口510B的尺寸可以等于或小于第二对电极CE2的尺寸。
在本实施例中，为了形成对电极，可以利用使用第一掩模M1和第二掩模M2进行的沉积。图9A示出通过使用第一掩模M1在第一显示区域DA1中沉积第一对电极CE1的方法。图9B示出通过使用第二掩模M2在第一显示区域DA1中沉积第二对电极CE2的方法。
参考图9A，直到第二功能层222c(参考图6A)被形成在基板100上方，然后第一开口510A可以被布置为与第一像素区域PD1对应。
接下来，第一对电极CE1通过使用沉积源(未示出)释放待形成为对电极的沉积材料而初步沉积在第二功能层222c上。在这种情况下，根据第一掩模M1的第一开口510A的布置，仅第一对电极CE1被形成。
接下来，如图9B中所示，第二掩模M2被布置为与第二像素区域PD2对应，然后第二对电极CE2被其次沉积。在其次沉积期间形成的第二对电极CE2的一些区域可以与在初步沉积期间形成的第一对电极CE1重叠以构成重叠部分OVL。
然而，实施例不限于此，并且对电极可以通过使用第一掩模M1在第一显示区域DA1中被形成为一体。例如，开口可以被布置在第一掩模M1中以便与第一显示区域DA1对应以形成对电极，并且遮挡部分可以被布置在第二掩模M2中以便与第一显示区域DA1对应。可以进行各种修改。
图10A示出根据实施例的用于在第二显示区域DA2中形成对电极的第一掩模M1的示例，并且图10B示出根据实施例的用于在第二显示区域DA2中形成对电极的第二掩模M2的示例。图11A和图11B示出使用第一掩模M1和第二掩模M2的制造方法。
由于与图5B的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，因此省略其重复描述。
参考图10A，根据实施例的第一掩模M1包括彼此隔开的第一开口510A'。
在平面图中，第一开口510A'可以是四边形。然而，实施例不限于此，并且第一开口510A'可以是圆形、三角形或五边形。可以进行各种修改。此外，四边形形状的顶点部分可以具有曲率半径。
第一开口510A'可以是包括短边MR1和长边MR2的矩形。短边MR1的延伸线或长边MR2的延伸线可以在与第一方向或第二方向不同的方向上延伸。因此，第一开口510A'可以是倾斜的矩形。
第一开口510A'可以彼此间隔开。在实施例中，第一开口510A'可以在第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)上彼此间隔开。然而，实施例不限于此，并且第一开口510A'可以在不同于第一方向或第二方向的方向上彼此间隔开。可以进行各种修改。
在第一方向上彼此隔开的第一开口510A'的中心之间的第一间距dis1'可以与在第二方向上彼此隔开的第一开口510A'的中心之间的第二间距dis2'不同。例如，第一间距dis1'可以大于第二间距dis2'。
参考图10B，根据实施例的第二掩模M2包括彼此隔开的第二开口510B'。
在平面图中，第二开口510B'可以是四边形。然而，实施例不限于此，并且第二开口510B'可以是圆形、三角形或五边形。可以进行各种修改。此外，四边形形状的顶点部分可以具有曲率半径。
第二开口510B'可以是包括短边MR3和长边MR4的矩形。短边MR3的延伸线或长边MR4的延伸线可以在与第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)不同的方向上延伸。因此，第二开口510B'可以是倾斜的矩形。
第二开口510B'可以彼此间隔开。在实施例中，第二开口510B'可以在第一方向或第二方向上彼此间隔开。然而，实施例不限于此，并且第二开口510B'可以在不同于第一方向或第二方向的方向上彼此间隔开。可以进行各种修改。
在第一方向上彼此隔开的第二开口510B'的中心之间的第三间距dis3'可以与在第二方向上彼此隔开的第二开口510B'的中心之间的第四间距dis4'不同。例如，第三间距dis3'可以大于第四间距dis4'。因此，对电极可以不形成在其中在第一方向上布置透射区域TA的区域中。
第一开口510A'的形状可以与第二开口510B'的形状不同。第一开口510A'的短边MR1相对于第一方向倾斜的角度可以与第二开口510B'的短边MR3相对于第一方向倾斜的角度不同。此外，第一开口510A'的平面面积可以与第二开口510B'的平面面积不同。
图11A示出通过使用第一掩模M1在第二显示区域DA2中沉积第一对电极CE1'的方法。图11B示出通过使用第二掩模M2在第二显示区域DA2中沉积第二对电极CE2'的方法。
参考图11A，直到第二功能层222c(参考图6A)被形成在基板100上方，然后第一开口510A'可以被布置为与第一像素区域PD1'对应。
接下来，第一对电极CE1'通过使用沉积源(未示出)释放待形成为对电极的沉积材料而初步沉积在第二功能层222c上。在这种情况下，根据第一掩模M1的第一开口510A'的布置，仅第一对电极CE1'被形成。
接下来，如图11B中所示，第二掩模M2被布置为与第二像素区域PD2'对应，然后第二对电极CE2'被其次沉积。在其次沉积期间形成的第二对电极CE2'的一些区域可以与在初步沉积期间形成的第一对电极CE1'重叠以构成重叠部分OVL'。
如上所述，当使用第一掩模M1和第二掩模M2时，对电极可以不形成在与第二显示区域DA2中的透射区域TA对应的区域中。因此，连接对电极CEC'可以与透射区域TA交替布置。当通过使用第一掩模M1和第二掩模M2在第二显示区域DA2中形成对电极时，第一显示区域DA1中彼此邻近并且被布置在第一方向上的第一对电极CE1之间的间隔可以与第二显示区域DA2中被布置在第一方向上的第一对电极CE1'之间的间隔不同。
图12A示出根据另一实施例的用于在第二显示区域DA2中形成对电极的第一掩模M1-1的示例，并且图12B示出根据另一实施例的用于在第二显示区域DA2中形成对电极的第二掩模M2-1的示例。图13A和图13B示出使用第一掩模M1-1和第二掩模M2-1的制造方法。
由于与图7的附图标记相同的附图标记指代相同的构件，因此省略其重复描述。
参考图12A，根据另一实施例的第一掩模M1-1包括彼此隔开的第一开口510A'-1。
在平面图中，第一开口510A'-1可以是四边形。此外，第一开口510A'-1的平面四边形形状的顶点部分可以具有曲率半径。
第一开口510A'-1可以是包括短边MR1-1和长边MR2-1的矩形。短边MR1-1的延伸线或长边MR2-1的延伸线可以在与第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)不同的方向上延伸。因此，第一开口510A'-1可以是倾斜的矩形。
第一开口510A'-1可以彼此间隔开。在实施例中，第一开口510A'-1可以在第一方向上彼此间隔开。此外，第一开口510A'-1可以在与第一方向和第二方向不同的方向上彼此间隔开。例如，第一开口510A'-1可以以从第一方向倾斜的恒定角度彼此间隔开。
在第一方向上彼此隔开的第一开口510A'-1的中心之间的第一间距dis1'-1可以与以从第一方向倾斜的恒定角度彼此隔开的第一开口510A'-1的中心之间的第二间距dis2'-1不同。例如，第一间距dis1'-1可以大于第二间距dis2'-1。
参考图12B，根据另一实施例的第二掩模M2-1包括彼此隔开的第二开口510B'-1。
在平面图中，第二开口510B'-1可以是四边形。此外，第二开口510B'-1的平面四边形形状的顶点部分可以具有曲率半径。
第二开口510B'-1可以是包括短边MR3-1和长边MR4-1的矩形。短边MR3-1的延伸线或长边MR4-1的延伸线可以在与第一方向(例如，x方向)或第二方向(例如，y方向)不同的方向上延伸。因此，第二开口510B'-1可以是倾斜的矩形。
第二开口510B'-1可以彼此间隔开。在实施例中，第二开口510B'-1可以在第一方向上彼此间隔开。此外，第二开口510B'-1可以在与第一方向和第二方向不同的方向上彼此间隔开。例如，第二开口510B'-1可以以从第一方向倾斜的恒定角度彼此间隔开。
在第一方向上彼此隔开的第二开口510B'-1的中心之间的第三间距dis3'-1可以与以从第一方向倾斜的恒定角度彼此隔开的第二开口510B'-1的中心之间的第四间距dis4'-1不同。例如，第三间距dis3'-1可以大于第四间距dis4'-1。
第一开口510A'-1的形状可以与第二开口510B'-1的形状相同。第一开口510A'-1的短边MR1-1相对于第一方向倾斜的角度可以与第二开口510B'-1的短边MR3-1相对于第一方向倾斜的角度相同。此外，第一开口510A'-1的平面面积可以与第二开口510B'-1的平面面积相同。
根据本实施例的第一掩模M1-1和第二掩模M2-1是用于沉积对电极的掩模，并且可以是精细金属掩模(FMM)。FMM可以通过在金属板中形成孔然后施加张力来制造。
在本实施例中，为了形成对电极，通过使用第一掩模M1-1和第二掩模M2-1来执行沉积。图13A示出通过使用第一掩模M1-1在第二显示区域DA2中沉积第一对电极CE1'-1的方法。图13B示出通过使用第二掩模M2-1在第二显示区域DA2中沉积第二对电极CE2'-1的方法。
由于形成第一对电极CE1'-1和第二对电极CE2'-1的方法与图11A和图11B中所述的方法相同，因此省略其描述。
第一重叠部分OVL1'-1和第二重叠部分OVL2'-1可以通过使用上述制造方法来形成，并且第一重叠部分OVL1'-1在长度方向上的延伸线可以平行于第二重叠部分OVL2'-1在长度方向上的延伸线。因此，可以防止第二显示区域DA2中的对电极断开现象。
根据实施例的显示设备通过在与诸如传感器的部件对应的传感器区域中布置像素区域和具有提高的透光率的透射区域，可以提供部件在其中可以操作的环境，并且同时在与部件重叠的区域中显示图像。
因此，可以提供具有各种功能并且提高质量的显示设备。然而，该效果作为示例提供，并且通过上面的描述详细描述了与实施例对应的效果。
应当理解，本文所描述的实施例应当只被认为是描述意义，并且不为限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似的结构或方面。尽管已结合附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员会理解，可以在不超出所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，进行形式上和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第二显示区域包括透射区域；
在所述基板上方彼此间隔开的第一对电极；
在所述基板上方的第二对电极，分别包括与所述第一对电极重叠的重叠部分，所述第二对电极彼此间隔开，
其中在所述第二显示区域中，所述第一对电极和所述第二对电极构成连接对电极，在所述连接对电极中，所述第一对电极通过所述重叠部分连接至所述第二对电极，并且所述连接对电极与所述透射区域交替布置，
所述第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且
所述第二对电极中的每一个被布置为与邻近所述第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述重叠部分包括第一重叠部分和第二重叠部分，
在所述第一重叠部分中，是所述第一对电极之一的第一中心对电极与是所述第二对电极之一的第二中心对电极重叠，并且
在所述第二重叠部分中，所述第二中心对电极与是所述第一对电极之另一个的第一外围对电极重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中：
所述第一重叠部分在长度方向上的延伸线与所述第二重叠部分在长度方向上的延伸线交叉。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中：
所述第一重叠部分接触所述第二重叠部分。
5.根据权利要求2所述的显示设备，其中：
所述第一重叠部分在长度方向上的延伸线与所述第二重叠部分在长度方向上的延伸线平行。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其中：
所述重叠部分进一步包括第三重叠部分，并且
在所述第三重叠部分中，所述第一外围对电极与是所述第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述重叠部分包括第二重叠部分和第三重叠部分，
在所述第二重叠部分中，是所述第二对电极之一的第二中心对电极与是所述第一对电极之一的第一外围对电极重叠，并且
在所述第三重叠部分中，所述第一外围对电极与是所述第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一像素区域和所述第二像素区域各自构成虚拟四边形，
所述多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且被分别布置在所述虚拟四边形的顶点处，并且
所述第二子像素围绕所述虚拟四边形的中心彼此面对。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一像素区域和所述第二像素区域各自构成虚拟四边形，
所述多个子像素包括发射具有不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且被分别布置在所述虚拟四边形的顶点处，并且
所述第一子像素围绕所述虚拟四边形的中心面对所述第三子像素。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一像素区域和所述第二像素区域在所述第一显示区域中各自被所述重叠部分围绕。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
在所述第一显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的所述第一对电极之间的间隔与在所述第二显示区域中彼此邻近且被布置在所述第一方向上的所述第一对电极之间的间隔不同。
12.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
准备基板，所述基板包括第一显示区域和第二显示区域，所述第二显示区域包括透射区域；
通过使用包括彼此间隔开的第一开口的第一掩模而形成第一对电极；以及
通过使用包括彼此间隔开的第二开口的第二掩模，而形成包括与所述第一对电极重叠的重叠部分的第二对电极，
其中在所述第二显示区域中，所述第一对电极和所述第二对电极构成连接对电极，在所述连接对电极中，所述第一对电极通过所述重叠部分连接至所述第二对电极，并且所述连接对电极与所述透射区域交替布置，
所述第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且
所述第二对电极中的每一个被布置为与邻近所述第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应。
13.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述重叠部分包括第一重叠部分和第二重叠部分，
在所述第一重叠部分中，是所述第一对电极之一的第一中心对电极与是所述第二对电极之一的第二中心对电极重叠，并且
在所述第二重叠部分中，所述第二中心对电极与是所述第一对电极之另一个的第一外围对电极重叠。
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述第一重叠部分在长度方向上的延伸线与所述第二重叠部分在长度方向上的延伸线交叉。
15.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述第一重叠部分在长度方向上的延伸线与所述第二重叠部分在长度方向上的延伸线平行。
16.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述重叠部分进一步包括第三重叠部分，
在所述第三重叠部分中，所述第一外围对电极与是所述第二对电极之另一个的第二外围对电极重叠。
17.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述第一开口的形状和所述第二开口的形状各自是包括长边和短边的矩形形状，并且
所述第一开口的所述形状与所述第二开口的所述形状不同。
18.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述第一开口的形状和所述第二开口的形状各自是包括长边和短边的矩形形状，并且
所述第一开口的所述形状与所述第二开口的所述形状相同。
19.根据权利要求12所述的方法，其中：
所述第一像素区域和所述第二像素区域各自构成虚拟四边形，
所述多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且被分别布置在所述虚拟四边形的顶点处，
所述第二子像素围绕所述虚拟四边形的中心彼此面对，并且
所述第一子像素围绕所述虚拟四边形的所述中心面对所述第三子像素。
20.根据权利要求12所述的方法，其中：
在所述第一显示区域中彼此邻近且被布置在第一方向上的所述第一对电极之间的间隔与在所述第二显示区域中彼此邻近且被布置在所述第一方向上的所述第一对电极之间的间隔不同。
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