JP2020194158A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に配置され、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第１画素ユニットと、第１画素ユニットと隣接して互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第２画素ユニットと、第１画素ユニットに対応する第１対向電極と、第２画素ユニットに対応する第２対向電極と、を含み、第１画素ユニットは、互いに隣接した第１画素領域及び第２画素領域を含み、第２画素ユニットは、互いに隣接した第３画素領域及び第４画素領域を含み、第１画素領域と第２画素領域との間の第１距離は、第１画素領域に隣接した第３画素領域と第１画素領域との間の第２距離より短い表示装置である。【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関する。

最近、表示装置はその用途が多様になっている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用の範囲が広範囲になっており、多様な分野でも活用される表示装置に係わる研究が持続的になされている。

韓国公開特許第2017-0047473号公報

本発明が解決しようとする課題は、表示装置を提供することである。

本発明の一実施形態は、基板と、前記基板上に配置され、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第１画素ユニットと、前記第１画素ユニットと隣接し、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第２画素ユニットと、第１画素ユニットに対応する第１対向電極と、前記第１画素ユニットと隣接した第２画素ユニットに対応する第２対向電極と、を含み、前記第１画素ユニットは、互いに隣接した第１画素領域及び第２画素領域を含み、前記第２画素ユニットは、互いに隣接した第３画素領域及び第４画素領域を含み、前記第１画素領域と前記第２画素領域との間の第１距離は、前記第１画素領域に隣接した第３画素領域と前記第１画素領域との間の第２距離より短い表示装置を開示する。

前記第１対向電極は、前記第１画素領域と前記第２画素領域とをカバーするように一体に延長されており、前記第２対向電極は、前記第３画素領域及び前記第３画素領域に隣接した第４画素領域をカバーするように一体に延長されうる。

前記第１対向電極の端部、及び前記第２対向電極の端部は、互いに重なり合うことができる。

前記第１対向電極の前記端部、及び前記第２対向電極の前記端部は、直接接触することができる。

前記第１対向電極の端部と、前記第２対向電極の端部との重畳部分は、前記第１画素領域と、前記第３画素領域との間に位置することができる。

前記第１対向電極と前記第２対向電極は、同一物質を含んでもよい。

前記第１画素領域に位置する第１画素電極、前記第２画素領域に位置する第２画素電極、及び前記第３画素領域に位置する第３画素電極と、前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極それぞれに重なり合う開口を含む画素区画膜と、をさらに含んでもよい。

前記第１対向電極のエッジ、及び前記第２対向電極のエッジは、それぞれ前記第１画素電極と前記第３画素電極との間に位置する前記画素区画膜の一部分の上面上に位置することができる。

前記基板は、前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットに隣接した透過領域を含み、前記画素区画膜は、前記透過領域に対応するホールを含んでもよい。

前記第１対向電極または前記第２対向電極のうちいずれか１つのエッジは、前記ホールを区画する前記画素区画膜のエッジと隣接するように配置されうる。

本発明の他の実施形態は、基板と、前記基板上に配置され、互いに異なる色相の光を放出する第１画素領域及び第２画素領域を含む第１画素ユニットと、前記第１画素ユニットと隣接し、互いに異なる色相の光を放出する第３画素領域及び第４画素領域を含む第２画素ユニットと、前記第１画素領域に位置する第１画素電極と、前記第１画素領域に隣接した前記第２画素領域に位置する第２画素電極と、前記第１画素領域に隣接した前記第３画素領域に位置する第３画素電極と、前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極それぞれに重なり合う開口を含む画素区画膜と、を含み、前記第１画素電極のエッジと、前記第２画素電極のエッジとを覆う前記画素区画膜の第１部分の第１幅は、前記第１画素電極のエッジと、前記第３画素電極のエッジとを覆う前記画素区画膜の第２部分の第２幅より狭い表示装置を開示する。

前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットそれぞれに対応する第１対向電極及び第２対向電極をさらに含み、前記第１対向電極及び前記第２対向電極は、電気的にも連結される。

前記第１対向電極の端部と、前記第２対向電極の端部は、直接接触することができる。

前記第１対向電極の前記端部と、前記第２対向電極の前記端部は、互いに重なり合ったまま接触することができる。

前記第１対向電極と前記第２対向電極との接触領域は、前記第１画素領域と、前記第３画素領域との間に位置することができる。

前記第１対向電極と前記第２対向電極は、互に同一の物質を含んでもよい。

前記第１対向電極と前記第２対向電極は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を含んでもよい。

前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１ギャップは、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２ギャップよりも小さい。

前記基板は、前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットに隣接した透過領域を含み、前記画素区画膜は、前記透過領域に対応するホールを含んでもよい。

前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極は、反射膜を含んでもよい。

前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。

本発明の実施形態による表示装置は、表示要素から放出される光の出光効率を向上させ、輝度を向上させることができ、表示装置の寿命を改善することができる。

ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。

本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置のいずれか１つの画素領域に配置された表示要素、及びそれに連結された画素回路を示す図面である。 本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。 図３のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。 図１４の表示装置の一部を概略的に示した断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態にも具現される。

以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は、省略する。

以下の実施形態において、第１、第２といった用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。

ある実施形態が異なって具現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時にも遂行され、説明される順序と反対の順序にも進められるのでありうる。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されているとするとき、膜、領域、構成要素が直接連結されている場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に、他の膜、領域、構成要素が介在され、間接的に連結されている場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されているとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に連結されている場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在され、間接的に電気的に連結されている場合も含む。

以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交することもありうるが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指すこともありうる。

図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。

図１を参照すれば、表示装置１０は、表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡに隣接した非表示領域ＮＤＡを含んでもよい。表示装置１０は、表示領域ＤＡに配置された複数の画素領域Ｐを含む。各画素領域Ｐには、所定の色相の光を放出することができる表示要素が配置され、該表示要素は、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬにも連結される。図１は、表示装置１０において、基板１００の概観であると捉えることができる。例えば、基板１００が、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを有することができる。

非表示領域ＮＤＡには、スキャンラインＳＬを介して、各画素領域Ｐにスキャン信号を提供するスキャンドライバ１１００、データラインＤＬを介して、各画素領域Ｐに具備された表示要素にデータ信号を提供するデータドライバ１２００、及び第１電源電圧及び第２電源電圧を提供するためのメイン電源配線が配置されてもよい。

図１は、データドライバ１２００が基板１００上に配置されているように図示されているが、他の実施形態として、データドライバ１２００は、表示装置１０の一側に配置されたパッドと電気的に接続されたＦＰＣＢ（flexible printed circuit board）上に配置されうる。

本発明の実施形態による表示装置１０は、有機発光表示装置（organic light emitting display）、無機発光表示装置（inorganic light emitting display）、量子点表示装置（quantum dot display）などを含んでもよい。以下では、本発明の一実施形態による表示装置として、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではなく、後述する特徴は、前述のような多様な方式の表示装置に適用されうる。

図２は、本発明の一実施形態による表示装置のいずれか１つの画素領域に配置された表示要素、及びそれに連結されている画素回路を示す。

図２を参照すれば、表示要素である有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路ＰＣに連結される。画素回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含んでもよい。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、例えば、赤色光、緑色光または青色光を放出するか、あるいは赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。

第２薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタであり、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに連結され、スキャンラインＳＬから入力されるスイッチング電圧により、データラインＤＬから入力されたデータ電圧を、第１薄膜トランジスタＴ１に伝達することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２と駆動電圧線ＰＬとに連結され、第２薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存することができる。

第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動薄膜トランジスタであり、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により、所定の輝度を有する光を放出することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例：カソード）には、第２電源電圧ＥＬＶＳＳが供給される。

図２は、画素回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタと、１個のストレージキャパシタとを含むと説明しているが、他の実施形態において、薄膜トランジスタの個数、またはストレージキャパシタの個数は、画素回路ＰＣの設計によって多様に変更されうる。

図３は、本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。

表示領域ＤＡは、透過領域ＴＡを含んでもよい。一実施形態として、図３に図示されているように、表示領域ＤＡは、複数の透過領域ＴＡを含んでもよく、隣接する透過領域ＴＡは、相互離隔されるようにも配置される。

透過領域ＴＡは、表示要素が配置されていない領域である。例えば、透過領域ＴＡには、表示要素である有機発光ダイオードをなす層が配置されず、有機発光ダイオードに連結されている画素回路の構成要素、例えば、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタが配置されない。

隣接する透過領域ＴＡの間には、少なくとも１つの画素ユニットＰＵが配置される。例えば、図３に図示されているように、隣接する透過領域ＴＡ間に、４個の画素ユニットＰＵが配置される。

各画素ユニットＰＵは、少なくとも２個の画素領域を含んでもよい。一実施形態において、第１画素ユニットＰＵ１は、青色画素領域Ｐｂ及び緑色画素領域Ｐｇを含み、第２画素ユニットＰＵ２は、赤色画素領域Ｐｒ及び緑色画素領域Ｐｇを含んでもよい。本明細書において、画素領域は、所定の色相を有する光が放出される発光領域を示す。すなわち、図３に図示された青色画素領域Ｐｂは、青色光が放出される青色発光領域であり、緑色画素領域Ｐｇは、緑色光が放出される緑色の発光領域であり、赤色画素領域Ｐｒは、赤色光が放出される赤色の発光領域である。

表示領域ＤＡに配置された画素領域は、青色と緑色との画素領域Ｐｂ，Ｐｇ、及び赤色と緑色との画素領域Ｐｒ，Ｐｇが、ペンタイル（pentile）タイプに配置された構造でありうる。例えば、表示領域ＤＡ上には、ペンタイルタイプの青色、緑色、赤色及び緑色の画素領域Ｐｂ，Ｐｇ，Ｐｒ，Ｐｇが、反復的に（繰り返し）配列されうる。一部の実施形態にて、第１画素ユニットＰＵ１と、第２画素ユニットＰＵ２とが、ｘ方向及びｙ方向に沿って、交互に配列されうる。

一実施形態として、図３に図示されているように、隣接した緑色画素領域Ｐｇは、ｘ方向及びｙ方向に沿っても配列される。隣接した青色画素領域Ｐｂは、ｘ方向及びｙ方向に、斜めな第１傾斜方向に沿っても配列される。同様に、隣接した赤色画素領域Ｐｒは、ｘ方向及びｙ方向に斜めな第２傾斜方向に沿っても配列される。青色画素領域Ｐｂと赤色の画素領域Ｐｒは、ｘ方向及びｙ方向に沿って隣接するように、配置されている。

一部実施形態として、青色画素領域Ｐｂの位置と、赤色画素領域Ｐｒの位置は、互いに入れ替わりもする。例えば、第１画素ユニットＰＵ１は、赤色と緑色との画素領域Ｐｒ，Ｐｇを含み、第２画素ユニットＰＵ２は、青色と緑色との画素領域Ｐｂ，Ｐｇを含んでもよい。すなわち、第１画素ユニットＰＵ１の位置と、第２画素ユニットＰＵ２の位置は、互いに入れ替わりうる。

各画素ユニットＰＵに含まれている画素領域ごとに、それぞれの表示要素である有機発光ダイオードが配置されるが、有機発光ダイオードは、画素電極、発光層及び対向電極を含む。有機発光ダイオードの画素電極は、画素領域ごとに配置されるが、対向電極は、各画素ユニットＰＵごとに配置されうる。例えば、画素電極は、図３の第１画素ユニットＰＵ１中にて、その青色及び緑色の画素領域Ｐｂ，Ｐｇにそれぞれ対応するように配置されるのに対し、第１対向電極２３０−１は、一つの第１画素ユニットＰＵ１に含まれている青色及び緑色の画素領域Ｐｂ，Ｐｇを全てまとめてカバーするように配置されうる。同様に、画素電極は、第２画素ユニットＰＵ２中にて、その赤色及び緑色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇに、それぞれ対応するようにして配置されるのに対し、第２対向電極２３０−２は、一つの第２画素ユニットＰＵ２に対応するように、例えば、一つの第２画素ユニットＰＵ２に含まれている赤色及び緑色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇを全てまとめてカバーするように配置されうる。

第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とは、交互に配置される。例えば、ｘ方向及びｙ方向に沿って、隣り合う２つの第１対向電極２３０−１の間ごとに、一つの第２対向電極２３０−２が配置され、隣り合う２つの第２対向電極２３０−２の間ごとに、一つの第１対向電極２３０−１が配置される。

互いに隣接する対向電極、例えば、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とは、端部同士互いに重なり合うなり合うことによって電気的に連結されうる。各対向電極は、対向電極が形成される位置に具備された開口を含むマスクを利用してパターニングされうる。例えば、前述のマスクを利用し、第１対向電極２３０−１をまずパターニングした後、前述のマスクを移動させ、第２対向電極２３０−２をパターニングすることができる。または、第１対向電極２３０−１を形成したマスクと異なるマスクを利用し、第２対向電極２３０−２をパターニングすることができる。

前述のように、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とが、それぞれ別個に形成されることにより、透過領域ＴＡには、対向電極が配置されないのであり、従って、透過領域ＴＡの透過度を向上させることができる。本発明の比較例として、一体（one body）に形成された対向電極が表示領域ＤＡをカバーするように配置された場合には、一体に形成された対向電極の一部分が透過領域ＴＡをカバーするので、透過領域ＴＡでの透過度が大きく低下してしまうという問題があるのであるが、本発明は、前述のように、対向電極が、所定の単位ごとに（例えば、個々の画素ユニットごとに）配置されるので、透過領域ＴＡの透過率を十分に確保することができる。

各画素ユニットＰＵに含まれている画素領域のうち、隣り合う画素領域同士の間の距離は、隣接する画素ユニットＰＵのうちからそれぞれ選択された互いに隣接した画素領域間の距離よりも短い。例えば、いずれか１つの画素ユニットＰＵに含まれた隣接した第１画素領域と第２画素領域との間の距離は、前述のいずれか１つの画素ユニットＰＵの第１画素領域と、隣接する他の画素ユニットＰＵの第３画素領域との間の距離よりも短い（ここで、第１画素領域と第３画素領域は、互いに隣接する）。

一実施形態において、図３に図示されているように、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂと、緑色画素領域Ｐｇとの第１距離ｄ１は、第１画素ユニットＰＵ１の緑色画素領域Ｐｇと、第２画素ユニットＰＵ２の赤色画素領域Ｐｒとの第２距離ｄ２よりも短く、ここで、第１画素ユニットＰＵ１の緑色画素領域Ｐｇと、第２画素ユニットＰＵ２の赤色画素領域Ｐｒは、互いに隣接する。同様に、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂと、緑色画素領域Ｐｇとの間の第１距離ｄ１は、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂと、第３画素ユニットＰＵ３の緑色画素領域Ｐｇとの間の第３距離ｄ３よりも短く、ここで、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂと、第３画素ユニットＰＵ３の緑色画素領域Ｐｇとは、互いに隣接する。本明細書において、隣接した画素領域間の距離は、最短距離を意味する。隣接した画素電極２１０間の電気的絶縁のために、第１距離ｄ１は、少なくとも１０μｍでありうる。一実施形態において、第１距離ｄ１は、少なくとも約１５μｍでありうる。

前述のように、第１距離ｄ１を、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３より短くする場合、第１対向電極２３０−１のパターニングと、第２対向電極２３０−２のパターニングとの間におけるパターニング工程でのマージンを十分に確保することができ、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とが重なり合う接触マージンあるいは接触面積を十分に確保することができる。

図４及び図５は、本発明の一実施形態による表示装置の一部であり、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面に該当し、図５は、図３のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。

各画素領域には、有機発光ダイオードが配置されて含まれる。このことと関連して、図４及び図５には、基板１００上に配置され、画素回路の一部の構成要素である、薄膜トランジスタＴＦＴ、及び薄膜トランジスタＴＦＴに連結されている有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ，ＯＬＥＤｇ，ＯＬＥＤｒを図示する。

基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（polyacrylate）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）またはセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などを含んでもよい。高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造でありうる。

薄膜トランジスタＴＦＴは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは有機半導体物質を含む半導体層Ａｃｔ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを含んでもよい。半導体層Ａｃｔとゲート電極ＧＥとの間の絶縁性を確保するために、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機物を含むゲート絶縁層１２１が、半導体層Ａｃｔとゲート電極ＧＥとの間に介在されうる。同時に、ゲート電極ＧＥの上部には、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機物を含む層間絶縁層１３１が配置され、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、前述の層間絶縁層１３１上にも配置される。無機物を含む絶縁層は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）またはＡＬＤ（atomic layer deposition）を通じて形成されうる。

ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、多様な導電性物質によっても形成される。ゲート電極ＧＥは、モリブデンまたはアルミニウムを含んでもよく、必要であるならば、多層構造を取ることもできる。例えば、ゲート電極ＧＥは、モリブデンの単一層、または、モリブデン層、アルミニウム層及びモリブデン層を含む３層構造でありうる。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、チタンまたはアルミニウムを含んでもよく、必要であるならば、積層構造を取ることもできる。例えば、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、チタン層、アルミニウム層及びチタン層を含む３層構造でありうる。ここで、本発明がそれらに限定されるものではないということは言うまでもない。

このような構造の薄膜トランジスタＴＦＴと、基板１００との間には、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド及び／またはシリコンオキシナイトライドといった無機物を含むバッファ層１１０が介在される。このようなバッファ層１１０は、基板１００の上面の平滑性を高めたり、基板１００からの不純物が薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層Ａｃｔに浸透することを防止したり最小化させたりする役割を行うことができる。

薄膜トランジスタＴＦＴ上には、平坦化絶縁層１４０が配置される。平坦化絶縁層１４０は、例えば、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）といった有機物によって形成されうる。図４においては、平坦化絶縁層１４０が単一の層として図示されているが、積層膜であることもありうる。

薄膜トランジスタＴＦＴの構造は、各画素にて同一の構造を有することができる。例えば、図４に図示された、各緑色画素領域Ｐｇの薄膜トランジスタＴＦＴと、青色画素領域Ｐｂの薄膜トランジスタＴＦＴとは、同一の構造を有することができ、図５に図示された赤色画素領域Ｐｒの薄膜トランジスタＴＦＴも、同一の構造を有することができる。

各薄膜トランジスタＴＦＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ，ＯＬＥＤｇ，ＯＬＥＤｒに連結される。例えば、図４及び図５に図示されているように、青色光を放出する有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ、緑色光を放出する有機発光ダイオードＯＬＥＤｇ、及び赤色光を放出する有機発光ダイオードＯＬＥＤｒが、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴと連結される。

それぞれの有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ，ＯＬＥＤｇ，ＯＬＥＤｒの画素電極２１０は、平坦化絶縁層１４０上に配置されうる。画素電極２１０は、アイランド状に相互に離隔されるように配列されうる。画素電極２１０は、（半）透光性電極または反射電極でありうる。一部実施形態において、画素電極２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの合金または化合物などによって形成された反射膜と、該反射膜上に形成された透明または半透明の電極層とを具備することができる。透明または半透明の電極層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）及びアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）を含むグループのうちから選択された少なくとも１つ以上を具備することができる。一部の実施形態において、画素電極２１０は、ＩＴＯ層、Ａｇ層、及びＩＴＯ層からなる３層構造でありうる。

画素電極２１０上には、画素区画膜１５０が配置される。画素区画膜１５０は、各画素電極２１０の中心部分を露出させる開口１５０ＯＰを有し、開口１５０ＯＰが発光領域に該当する。画素区画膜１５０は、画素電極２１０のエッジと、対向電極（例えば、第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２）との間の距離を増大させ、画素電極２１０のエッジにて、アークなどが発生することを防止することができる。画素区画膜１５０は、ポリイミド、ポリアミド（polyamide）、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）及びフェノール樹脂といった有機絶縁物質により、スピンコーティングなどの方法によって形成されうる。

画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰを介して露出された画素電極２１０上には、発光層が配置される。青色画素領域Ｐｂに該当する画素電極２１０上には、青色発光層２２０ｂが配置され、緑色画素領域Ｐｇに該当する画素電極２１０上には、緑色発光層２２０ｇが配置され、赤色画素領域Ｐｒに該当する画素電極２１０上には、赤色発光層２２０ｒが配置される。青色発光層２２０ｂは、青色光を放出する蛍光物質またはリン光物質を含む有機物を含んでもよく、緑色発光層２２０ｇは、緑色光を放出する蛍光またはリン光物質を含む有機物を含んでもよく、赤色光を放出する蛍光またはリン光物質を含む有機物を含んでもよい。赤色光、緑色光または青色光を放出する前述の有機物は、低分子有機物または高分子有機物でありうる。

青色発光層２２０ｂ、緑色発光層２２０ｇ及び赤色発光層２２０ｒの上下には、それぞれ第１機能層及び第２機能層が配置されてもよい。第１機能層は、ホール輸送層または／及びホール注入層を含んでもよく、第２機能層は、電子注入層及び／または電子注入層を含んでもよい。第１機能層及び第２機能層は、基板１００の表示領域ＤＡを全体的にカバーするように、一体にも形成され、従って、透過領域ＴＡが、第１機能層及び第２機能層によってもカバーされる。または、第１機能層及び第２機能層は、透過領域ＴＡと対応する開口を含んでもよい。第１機能層及び第２機能層が、必要よって選択的にも具備される。例えば、一実施形態において、第１機能層及び第２機能層がいずれも具備され、他の実施形態において、第２機能層は、省略されもする。

対向電極、例えば、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とは、交互に配置され、それぞれ、対応する画素ユニットの画素領域をカバーするように配置される。例えば、図３ないし図５に図示されているように、いずれか１つの第１対向電極２３０−１は、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂ及び緑色画素領域Ｐｇをカバーすることができる。同様に、いずれか１つの第２対向電極２３０−２は、第２画素ユニットＰＵ２の赤色画素領域Ｐｒ及び緑色画素領域Ｐｇ（図３）をカバーするように配置され、それと係わり、図５には、赤色発光層２２０ｒ上に配置された第２対向電極２３０−２を図示する。第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２は、前述のように、交互に配置されるので、図５に図示された第２対向電極２３０−２と、他の一の第２対向電極２３０−２とは、図４に図示されているように、第３画素ユニットＰＵ３の画素領域をカバーするように配置される。

第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、またはそれらの合金などを含む反射層または半透明層を含んでもよい。または、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２は、前述の物質を含む反射層または半透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３といった層をさらに含んでもよい。一実施形態において、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２は、いずれも、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を含むのであってもよい。一実施形態による第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２は、銀（Ａｇ）、または／及びマグネシウム（Ｍｇ）を含む透明層または／及び半透明層を含んでもよい。

隣接する画素ユニットのそれぞれに、第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２が配置されるので、第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２は、隣接する画素ユニット間で互いに重なり合う。例えば、第１画素ユニットＰＵ１の第１対向電極２３０−１は、第３画素ユニットＰＵ３の第２対向電極２３０−２と、第１画素ユニットＰＵ１と第３画素ユニットＰＵ３との間の領域で、直接接触したまま重なり合うのであり（図４）、第１画素ユニットＰＵ１の第１対向電極２３０−１は、第２画素ユニットＰＵ２の第２対向電極２３０−２と、第１画素ユニットＰＵ１と第２画素ユニットＰＵ２との間の領域で、直接接触したまま重なり合う（図５）。

第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２は、各画素ユニットに対応するようにパターニングされるので、透過領域ＴＡには、図３及び図５に図示されているように、第１対向電極２３０−１及び第２対向電極２３０−２が位置しない。類似して、透過領域ＴＡには、画素区画膜１５０に該当する物質が位置しない。例えば、画素区画膜１５０は、透過領域ＴＡに位置するホール１５０Ｈを含んでもよい。

図５には、基板１００上の絶縁物質を含む層のうち、画素区画膜１５０の一部が透過領域ＴＡから除去されることで形成されたホール１５０Ｈを図示するが、他の実施形態によれば、バッファ層１１０、ゲート絶縁層１２１、層間絶縁層１３１及び平坦化絶縁層１４０のうちから選択された１層以上の層の一部は、透過領域ＴＡに存在しない。例えば、バッファ層１１０、ゲート絶縁層１２１、層間絶縁層１３１及び平坦化絶縁層１４０のうちから選択された１層以上の層は、透過領域ＴＡと対応するホールを含みうる。

透過領域ＴＡに隣接した対向電極（例：第１対向電極２３０−１（図５））のエッジ２３０Ｅは、ホール１５０Ｈを区画する画素区画膜１５０のエッジ１５０Ｅと隣接するように配置されうる。一実施形態において、透過領域ＴＡに隣接した対向電極（例：第１対向電極２３０−１（図５））のエッジ２３０Ｅは、透過領域ＴＡに隣接した画素区画膜１５０のエッジ１５０Ｅを通り過ぎて、透過領域ＴＡに向けてさらに延長されうるのであり、画素電極２１０の下方に配置された絶縁層、例えば、平坦化絶縁層１４０と接触することができる。他の実施形態において、透過領域ＴＡに隣接した対向電極（例：第１対向電極２３０−１（図５））のエッジ２３０Ｅは、透過領域ＴＡに隣接した画素区画膜１５０のエッジ１５０Ｅと同一の垂直線上に位置しうる。他の実施形態において、透過領域ＴＡに隣接した画素区画膜１５０のエッジ１５０Ｅは、透過領域ＴＡに隣接した対向電極（例：第１対向電極２３０−１（図５））のエッジ２３０Ｅよりも、透過領域ＴＡに、より近接するのでありうる。

第１画素ユニットＰＵ１に含まれている画素領域同士の間の最短距離、例えば、緑色画素領域Ｐｇと青色画素領域Ｐｂとの間の第１距離ｄ１は、緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇの発光領域と、青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂの発光領域との間の距離に該当する。それぞれの有機発光ダイオードの発光領域は、画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰと実質的に同一であるために、第１距離ｄ１は、緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇと、青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂとの間に配置された画素区画膜１５０の一つの部分の幅として捉え得る。

一つの第１画素ユニットＰＵ１内における隣り合う画素領域同士の間の第１距離ｄ１は、第１画素ユニットＰＵ１内のいずれか１つの画素領域から、第１画素ユニットＰＵ１に隣接した第２画素ユニットＰＵ２内、または第３画素ユニットＰＵ３内にある選択された画素領域までの距離よりも短い。

例えば、図３及び図４を参照すれば、第１画素ユニットＰＵ１及び第３画素ユニットＰＵ３にそれぞれ含まれている青色画素領域Ｐｂ及び緑色画素領域Ｐｇのうち、第１画素ユニットＰＵ１の青色画素領域Ｐｂと、第３画素ユニットＰＵ３の緑色画素領域Ｐｇとが最も近く、それらの間の第３距離ｄ３は、第１距離ｄ１より長い。第３距離ｄ３は、隣り合う２つの画素ユニットのそれぞれから選択された、隣り合う有機発光ダイオードの発光領域同士の間の距離に該当し、該発光領域は、画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰと定義されるので、第３距離ｄ３は、第１画素ユニットＰＵ１の青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂと、第３画素ユニットＰＵ３の緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇとの間に配置された画素区画膜１５０の一部分の幅でありうる。

同様に、図３及び図５を参照すれば、第１画素ユニットＰＵ１の画素領域のうち緑色画素領域Ｐｇ、及び第２画素ユニットＰＵ２の画素領域のうち赤色画素領域Ｐｒが最も近く、それらの間の第２距離ｄ２は、第１距離ｄ１より長い。第２距離ｄ２は、隣接する画素ユニットそれぞれのうちから選択された隣接する有機発光ダイオードの発光領域間の距離に該当し、該発光領域は、画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰでもって画されるので、第２距離ｄ２は、第１画素ユニットＰＵ１の緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇと、第２画素ユニットＰＵ２の赤色有機発光ダイオードＯＬＥＤｒとの間に配置された画素区画膜１５０の一部分の幅でありうる。第２距離ｄ２と第３距離ｄ３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

前述のように、第２距離ｄ２及び第３距離ｄ３がそれぞれ第１距離ｄ１より長いために、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とのパターニング時に発生しうる工程のばらつきにもかかわらず、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とが重なり合う領域ＣＴＡの面積または／及び幅を十分に確保することができる。第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２との重なり合う領域ＣＴＡは、画素区画膜１５０の部分（画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰを除いた、所定の嵩(かさ)を有する部分）と重なり合うが、発光領域、すなわち、画素区画膜１５０の開口１５０ＯＰとは重ならない。

第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とは、互いに同一の物質を含んでもよい。第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２との形成条件により、重り合う領域ＣＴＡにおいて、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２との界面は、肉眼で確認可能であるか、または、確認不可能でありうる。界面の確認が困難である場合、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２との重り合う領域ＣＴＡでの厚みが、第１対向電極２３０−１の厚み、及び第２対向電極２３０−２の厚みより厚いということを確認することができる。

各画素ユニットに含まれた隣り合う２つの画素領域にそれぞれ位置する２つの画素電極の間のギャップは、互いに隣り合う２つの画素ユニットからそれぞれ選択された、互いに隣り合う２つの画素領域の間に具備された画素電極間のギャップよりも狭い。例えば、図４に図示されているように、第１画素ユニットＰＵ１中における青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ及び緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇそれぞれの画素電極２１０の間の第１ギャップＰｄ１は、互に隣接する、第１画素ユニットＰＵ１の青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂの画素電極２１０と、第３画素ユニットＰＵ３の緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇの画素電極２１０との間の第３ギャップＰｄ３よりも狭い。同様に、図５に図示されているように、第１画素ユニットＰＵ１中における青色有機発光ダイオードＯＬＥＤｂ及び緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇそれぞれの画素電極２１０の間の第１ギャップＰｄ１は、互いに隣接する、第１画素ユニットＰＵ１の緑色有機発光ダイオードＯＬＥＤｇの画素電極２１０と、第２画素ユニットＰＵ２の赤色有機発光ダイオードＯＬＥＤｒの画素電極２１０との間の第２ギャップＰｄ２よりも狭い。

図６は、本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。先に図３ないし図５においては、１つの画素ユニットが２個の画素領域を含むものとして説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。図６に図示されているように、それぞれの画素ユニットＰＵ’は、青色、緑色、赤色、緑色の４個の画素領域を含んでもよい。例えば、第１画素ユニットＰＵ１’及び第２画素ユニットＰＵ２’は、いずれもが、赤色、緑色、青色、緑色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ，Ｐｇを含むのであってもよい。

複数の画素ユニットＰＵ’それぞれには、第１対向電極２３０−１’または第２対向電極２３０−２’が配置される。例えば、第１画素ユニットＰＵ１’には、第１対向電極２３０−１’が配置され、第２画素ユニットＰＵ２’には、第２対向電極２３０−２’が配置される。言い換えれば、第１対向電極２３０−１’に対応する画素領域のグループが第１画素ユニットＰＵ１’であり、第２対向電極２３０−２’に対応する画素領域のグループが第２画素ユニットＰＵ２’でありうる。

第１画素ユニットＰＵ１’及び第２画素ユニットＰＵ２’が隣接するように配置されるので、第１対向電極２３０−１’及び第２対向電極２３０−２’は、隣接するように配置されるが、前述のように互いに重なり合う。

各画素ユニットＰＵ’中における隣接した画素領域間の第１距離ｄ１は、隣接する２つの画素ユニットＰＵ’のそれぞれから選択された、互いに隣接した画素領域の間の第２距離ｄ２よりも短く、従って、第１対向電極２３０−１’と第２対向電極２３０−２’とが重なり合う面積及び接触面積を十分に確保することができる。例えば、第１画素ユニットＰＵ１’における青色、緑色、赤色、緑色の画素領域Ｐｂ，Ｐｇ，Ｐｒ，Ｐｇのうちの隣接する画素領域間の第１距離ｄ１は、互いに隣接する、第１画素ユニットＰＵ１’における１つの画素領域（例えば、青色画素領域Ｐｂ）と、第２画素ユニットＰＵ２’における１つの画素領域（例えば、緑色画素領域Ｐｇ）との間の第２距離ｄ２より短い。

図７は、本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。先に図３ないし図５においては、１つの画素ユニットが２個の画素を含み、図６は、１つの画素ユニットが４個の画素を含むように説明したが、本発明は、それらに限定されるものではない。図７に図示されているように、それぞれの画素ユニットＰＵ”は、赤色、緑色、青色の３個の画素領域Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂを含んでもよい。例えば、第１画素ユニットＰＵ１”及び第２画素ユニットＰＵ２”それぞれは、赤色、緑色、青色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂを含んでもよい。

複数の画素ユニットＰＵ”のそれぞれに、第１対向電極２３０−１”または第２対向電極２３０−２”が配置される。例えば、第１画素ユニットＰＵ１”には、第１対向電極２３０−１”が配置され、第２画素ユニットＰＵ２”には、第２対向電極２３０−２”が配置される。第１画素ユニットＰＵ１”及び第２画素ユニットＰＵ２”が互いに隣接するように配置されるので、第１対向電極２３０−１”及び第２対向電極２３０−２”は、隣接するように配置されるが、端部同士が互いに重なり合う。

各画素ユニットＰＵ”中における隣接した画素領域間の第１距離ｄ１は、隣接する２つの画素ユニットＰＵ”からそれぞれ選択された互いに隣接した画素領域間の第２距離ｄ２よりも短く、従って、第１対向電極２３０−１”及び第２対向電極２３０−２”の重なり合う面積及び接触面積を十分に確保することができる。例えば、第１画素ユニットＰＵ１”の赤色、緑色、青色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂのうちの、隣接する２つの画素領域の間の第１距離ｄ１は、互いに隣接する、第１画素ユニットＰＵ１”における１つの画素領域（例えば、青色画素領域Ｐｂ）と、第２画素ユニットＰＵ２”における１つの画素領域（例えば、赤色画素領域Ｐｒ）との間の第２距離ｄ２より短い。同様に、第１画素ユニットＰＵ１”中の赤色、緑色、青色の画素領域Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂのうちの隣接する画素領域の間の第１距離ｄ１は、互いに隣接するように配置された、第１画素ユニットＰＵ１”における１つの画素領域（例えば、青色画素領域Ｐｂ）と、第３画素ユニットＰＵ３”における１つの画素領域（例えば、青色画素領域Ｐｂ）との間の第３距離ｄ３より短い。第２距離ｄ２と第３距離ｄ３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

図８ないし図１０は、それぞれ本発明の他の実施形態による表示装置の一部を示した平面図である。

図８及び図９を参照すれば、表示領域ＤＡは、複数の透過領域ＴＡを含むのであるが、透過領域ＴＡは、互いに交互に配置されうる。透過領域ＴＡは、図８に図示されているように、表示領域ＤＡの一部に局所的に配列されるか、あるいは図９に図示されているように、表示領域ＤＡの全体にわたり、画素ユニットのグループと互いに交互に配列されうる。図１０を参照すれば、表示領域ＤＡは、１つの透過領域ＴＡを含んでもよい。１つの透過領域ＴＡは、表示領域ＤＡの一部に局所的に位置することができる。

透過領域ＴＡには、画素領域が配置されず、表示領域ＤＡにおいて、画素領域が配置された領域には、第１対向電極２３０−１と第２対向電極２３０−２とが互いに交互に配置されうる。

図８ないし図１０には、各画素ユニットが２個の画素領域、例えば、先に図３を参照して説明したように、青色画素領域Ｐｂ及び緑色画素領域Ｐｇ、または緑色画素領域Ｐｇ及び赤色画素領域Ｐｒを含むように図示されているが、他の実施形態において、各画素ユニットは、図６または図７を参照して説明したように、４個または３個の画素領域を含んでもよい。

図１１は、本発明の一実施形態による表示装置の一部を示した断面図である。

図１１を参照すれば、基板１００上に薄膜トランジスタＴＦＴが配置され、有機発光ダイオードＯＬＥＤが薄膜トランジスタＴＦＴと連結される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素電極２１０、発光層２２０及び対向電極２３０を含む。図１１の対向電極２３０は、先に図３ないし図１０を参照して説明した第１対向電極２３０−１または第２対向電極２３０−２に該当する。

基板１００と、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極２１０との間には、少なくとも１層の絶縁層ＩＬが配置され、少なくとも１層の絶縁層ＩＬは、先に図４及び図５を参照して説明したバッファ層１１０、ゲート絶縁層１２１、層間絶縁層１３１及び平坦化絶縁層１４０を含んでもよい。

有機発光ダイオードＯＬＥＤ上には、薄膜封止層３００が配置される。薄膜封止層３００は、表示装置１０を全面的にカバーするようにも形成され、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１つの有機封止層とを含んでもよく、一実施形態において、図１１は、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０及び第２無機封止層３３０を図示する。

第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイド、亜鉛オキサイド、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドのうち１以上の無機絶縁物を含んでもよい。有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含んでもよい。ポリマー系の素材としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、またはその任意の組み合わせを含んでもよい。

表示領域ＤＡにおいて、有機発光ダイオードＯＬＥＤが配置された領域には、有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出された所定の色を有する光Ｌ_colorが外部に向けて進み出ることができる。一方、透過領域ＴＡにおいては、表示装置１０からは、発生されたり放出されたりしたものでない外部の光Ｌ_externalが、基板１００の背面から薄膜封止層３００に向かう方向（または、その反対方向）に沿って、表示装置１０を貫通して進むことができる。

図１２は、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図であり、図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’線に沿った断面図である。

図１２を参照すれば、表示装置１０’は、表示領域ＤＡの内側に配置されたセンサ領域ＳＡを含んでもよく、センサ領域ＳＡには、画素領域Ｐ及び透過領域ＴＡが配置されうる。センサ領域ＳＡに配置された少なくとも２個の画素領域Ｐは、１つの画素ユニットにも含まれうる。画素ユニットと透過領域ＴＡとの配置は、先に図３、図８ないし図１０を参照して説明した実施形態と同一であるか、あるいはそれらから派生される実施形態の通りである。

図１３を参照すれば、基板１００から薄膜封止層３００に至る順次に積層された構造は、先に図１１を参照して説明した通りであるので、以下においては、相違点を中心に説明する。

センサ領域ＳＡには、コンポーネントＣＭＰが配置されてもよい。コンポーネントＣＭＰは、光Ｌ_ｓを放出し、かつ／あるいは受光する電子要素でありうる。例えば、コンポーネントＣＭＰは、赤外線センサといった、光を受光して利用するセンサ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり、指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプなどでありうる。光を放出し、かつ／あるいは受光する電子要素は、可視光、赤外旋光、紫外線光といった、多様な波長帯域の光を利用することができる。

基板１００の背面には、下方保護フィルム１７５が配置され、下方保護フィルム１７５は、センサ領域ＳＡと対応するホール１７５Ｈを含んでもよい。下方保護フィルム１７５は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリイミド（ＰＩ）を含んでもよい。

図１４は、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図であり、図１５は、図１４の表示装置の一部を概略的に示した断面図である。

図１４及び図１５を参照すれば、表示装置１０”は、車両用ヘッドアップ表示装置でありうる。表示装置１０”は、表示領域ＤＡに具備された透過領域ＴＡを含むが、透過領域ＴＡの周辺には、複数の画素領域が配置され、少なくとも２個の画素領域は、１つの画素ユニットをなす。先に図３ないし図１０を参照して説明した実施形態の特徴及び構造は、図１４及び図１５に図示された表示装置１０”にも同一に適用される。

表示装置１０”は、特定波長帯域の光、例えば、可視光線帯域以外の波長帯域の光を遮断する光学フィルム４００をさらに含んでもよい。光学フィルム４００は、例えば、紫外線（ＵＶ）波長帯域の光を遮断するフィルムでありうる。

光学フィルム４００は、図１５に図示されているように、薄膜封止層３００上に配置されるか、あるいは基板１００の背面上に配置されうる。または、２枚の光学フィルム４００が基板１００の背面上と、薄膜封止層３００の上面上とにそれぞれ配置されうる。

図１６は、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。

図１６を参照すれば、表示装置１０”’は、スピーカーまたは人工知能スピーカーでありうる。表示装置１０”’をなす面のうち少なくとも一つ、例えば、側面は、先に図３ないし図１１を参照して説明した実施形態による特徴を有することができる。例えば、前述のように、表示装置１０”’は、透過領域を有するので、スピーカーまたは人工知能スピーカーの内側に具備された構造物が外部のユーザにも視認されうる。

以上のように、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。

好ましい一実施形態において、下記のとおりである。

具体的な一実施形態によると、本件の背景及び課題は下記(i)〜(v)のとおりである。

(i) 周縁非表示領域（ベゼル部）を全く、またはほとんど有しない「ベゼルレス」のスマートホンでは、カメラやセンサを配置するために、透過型の画像表示領域を設けることが検討されている。また、乗用車などの車両や船舶・航空機などの乗り物のフロントガラス（windshield）の一部に、透過型の画像表示装置を備え付けることや、眼鏡型の透過型画像表示装置についての研究開発がなされている。

(ii) 透過型の画像表示領域や画像表示装置を実現するためには、微小な単位領域中に、透過領域と画素領域とが含まれるようにすることが提案されている。（特許文献１：KR10-2017-0047473A）

(iii) 一方、近年の有機発光表示装置（OLED）においては、各基本色のサブピクセルをなす島状の発光領域が、互に離散するようにして、規則的に配列されている。一部の実施形態において、焼き付きなどの問題に対処するためには、ダイヤモンドペンタイル配列などが採用されており、他の実施形態として、Ｓ−ストライプペンタイル配列、またはストライプペンタイル配列が採用されることもある。
通常、画素区画膜（pixel defining layer）またはバンプ(bump)と呼ばれる厚い（例えば１〜３μｍの）有機膜が備えられ、この有機膜の開口が発光領域をなす。すなわち、島状の発光領域は、隣り合うもの同士、画素区画膜の非開口部分によって隔てられている。

(iv) 有機発光表示装置（OLED）では、背面発光（bottom emission）方式または前面発光（top emission）方式が採用されている。
画素電極は、透光性導電材料からなるものであったり、反射性導電材料からなるものであったりするのであり、対向電極（共通電極）は、光反射性の材料からなるものであったり、透過性または半透過性の導電材料からなるものであったりしうる。

(v) 画素電極は、画素に対応してパターニングされるのに対して、対向電極は、１つの開口を含むオープンマスクシートを用いて形成することができる。透過型の画像表示領域を含む表示装置の場合、透過領域の透光率を向上させるためには、透過領域に存在する層の一部を省く必要がある。

本件実施形態は、下記(vi)〜(vii)のとおりの、新たな課題の発見及び設定に基づいている。
(vi) 透過型の画像表示領域を備える画像表示パネルを製造するための、反射型の対向電極（共通電極）のパターンを形成するにあたり、マスクシートを用いた蒸着の操作のみで実現するのが望ましい。

(vii) また、この際、画素領域でも透過領域でもないデッド(dead)領域が形成されないようにすべきである。

本実施形態によると、上記課題を解決すべく、下記Ａ１〜Ａ５とした上で、下記Ｂ１〜Ｂ４とする。

Ａ１ 蒸着のためのマスクシートを少なくとも２枚用いることができる。
このマスクシートは、少なくとも透過型の画像表示領域にて、市松模様（check pattern）をなすように、開口部分と遮蔽部分とが交互に縦横に連続するメッシュ状となっていることもある。

Ａ２ 透過領域をなす箇所は、１〜２枚目のマスクシートのいずれでも、遮蔽部分となっている。

Ａ３ 矩形状（特には正方形状）の画素領域と透過領域とが市松模様（check pattern）をなすように配列される場合に、この近傍にて、マスクシートのメッシュサイズは、画素領域及び透過領域のサイズよりも小さくとる必要がある。
マスクシートは、透過型の画像表示領域中、メッシュ開口とほぼ同一のサイズの微小な遮蔽部分が、斜め方向の２方向から相互に連結されるようにする必要があるためである。

Ａ４ マスクシートのメッシュサイズは、１〜８個の画素、例えば１〜２個の画素に対応したサイズとすることができる。ここでの画素は、所定の複数個（２〜４個）の基本色の島状の発光層のパターンが含まれるように、画素領域を区画した各領域である。

Ａ５ 画素領域中、１枚目のマスクシートを用いて形成される第１の蒸着パターンと、２枚目のマスクシートを用いて形成される第２の蒸着パターンとは、微小な各領域にて、縁部同士が、所定の幅で重ね合わされる。
この重ね合わせの幅は、例えば、画素の縦横の寸法の３〜２０％または５〜１５％でありうる。

Ｂ１ 島状の発光層のパターンについて、所定の規則的な配列から、画素行方向（x方向）及び画素列方向（y方向）の少なくとも一方に沿って、少しだけずらす。
これにより、特には、画素中の各発光パターンが、蒸着パターンの重ね合わせ箇所に重ならないようにする。特には、蒸着パターンの重ね合わせ箇所から、所定のマージンで離間されるようにする。

Ｂ２ 上記Ｂ１のように所定の規則的な配列からずらす寸法は、例えば、上記Ａ５の蒸着パターンの重ね合わせの幅の１〜３倍とすることができる。

Ｂ３ ダイヤモンドペンタイル配列である場合、緑色発光パターンの位置を、緑色及び赤色の発光パターンが整列される斜め方向の軸から、上記Ｂ２のようにずらす。
規則的な配列では、２つの斜め方向の軸上に、各発光パターンの中心（面積重心）が位置するところ、緑色発光パターンの中心点を、２つの斜め方向の軸上から上記Ｂ２のようにずらすのである。

ここで、典型的なダイヤモンドペンタイル配列によると、次の(a)〜(d)のとおりである。
(a) 斜めの２方向に沿って、赤色発光パターンと、青色発光パターンとが交互に配置される。
(b) 緑色発光パターンは、赤色発光パターンと、青色発光パターンとの間の箇所に配置される。
(c) 緑色発光パターンは、その中心（面積重心）が、赤色発光パターンの中心（面積重心）と、緑色発光パターン中心（面積重心）とを結ぶ線の等分点の近傍に位置する。
(d) 赤色発光パターンの数と、青色発光パターンの数は、ほぼ等しく、緑色発光パターンの数は、ほぼ、赤色又は青色の発光パターンの数の２倍である。赤色及び青色の発光パターンの面積は、ほぼ同一（例えば、一方が他方の0.8〜1.2倍）であり、緑色発光パターンの面積は、赤色及び青色の発光パターンの約半分（例えば、一方が他方の0.4〜0.6倍）である。

Ｂ４ 上記Ｂ３のようにずらす結果、緑色発光パターンと、隣り合う赤色または青色の発光パターンとの間の距離は、蒸着パターンの重ね合わせ箇所を挟む場合に、挟まない場合よりも、大きくなる。
各画素に、全ての基本色の発光パターンが含まれる非ペンタイル配列である場合も、同様に、発光パターン同士の距離について、蒸着パターンの重ね合わせ箇所を挟む場合に、挟まない場合よりも、大きくなるように設定する。

１００ 基板
２１０ 画素電極
２２０ｇ 緑色発光層
２２０ｒ 赤色発光層
２２０ｂ 青色発光層
２３０−１，２３０−１’，２３０−１” 第１対向電極
２３０−２，２３０−２’，２３０−２” 第２対向電極
３００ 薄膜封止層
ＰＵ１，ＰＵ１’，ＰＵ１” 第１画素ユニット
ＰＵ２，ＰＵ２’，ＰＵ２” 第２画素ユニット

Claims (23)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第１画素ユニットと、
   前記第１画素ユニットと隣接し、互いに異なる色相の光を放出する少なくとも２個の画素領域を含む第２画素ユニットと、
   前記第１画素ユニットに対応する第１対向電極と、
   前記第２画素ユニットに対応する第２対向電極と、を含み、
   前記第１画素ユニットは、互いに隣接した第１画素領域及び第２画素領域を含み、前記第２画素ユニットは、互いに隣接した第３画素領域及び第４画素領域を含み、前記第１画素領域と前記第２画素領域との間の第１距離は、前記第１画素領域に隣接した第３画素領域と前記第１画素領域との間の第２距離より短い表示装置。
2. 前記第１対向電極は、前記第１画素領域と前記第２画素領域とをカバーするように一体に延長されており、前記第２対向電極は、前記第３画素領域及び前記第３画素領域に隣接した第４画素領域をカバーするように一体に延長されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１対向電極の端部、及び前記第２対向電極の端部は、互いに重なり合うことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１対向電極の前記端部、及び前記第２対向電極の前記端部は、直接接触することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１対向電極の端部と、前記第２対向電極の端部とが重なり合う部分は、前記第１画素領域と、前記第３画素領域との間に位置することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１対向電極と前記第２対向電極は、同一の物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１画素領域に位置する第１画素電極、前記第２画素領域に位置する第２画素電極、及び前記第３画素領域に位置する第３画素電極と、
   前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極それぞれに重なり合う開口を含む画素区画膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第１対向電極のエッジ、及び前記第２対向電極のエッジは、いずれも、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間に位置する前記画素区画膜の一部分の上面上に位置することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記基板は、前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットに隣接した透過領域を含み、
   前記画素区画膜は、前記透過領域に対応するホールを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
10. 前記第１対向電極または前記第２対向電極のうちのいずれか１つのエッジは、
    前記ホールを区画する前記画素区画膜のエッジと隣接するように配置されたことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第１画素ユニットの前記第１画素領域は、赤色画素領域に該当し、前記第２画素領域は、緑色画素領域に該当し、
    前記第２画素ユニットの前記第３画素領域は、緑色画素領域に該当し、
    前記第１距離は、前記第１画素ユニットの前記赤色画素領域と、前記第１画素ユニットの緑色画素領域との間の最短距離であり、前記第２距離は、前記第１画素ユニットの前記赤色画素領域と、前記第２画素ユニットの前記緑色画素領域との間の最短距離であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
12. 前記第１画素ユニットの前記第１画素領域は、青色画素領域に該当し、前記第２画素領域は、緑色画素領域に該当し、
    前記第２画素ユニットの前記第３画素領域は、緑色画素領域に該当し、
    前記第１距離は、前記第１画素ユニットの前記青色画素領域と、前記第１画素ユニットの緑色画素領域との間の最短距離であり、前記第２距離は、前記第１画素ユニットの前記青色画素領域と、前記第２画素ユニットの前記緑色画素領域との間の最短距離であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
13. 基板と、
    前記基板上に配置され、互いに異なる色相の光を放出する第１画素領域及び第２画素領域を含む第１画素ユニットと、
    前記第１画素ユニットと隣接し、互いに異なる色相の光を放出する第３画素領域及び第４画素領域を含む第２画素ユニットと、
    前記第１画素領域に位置する第１画素電極と、
    前記第１画素領域に隣接した前記第２画素領域に位置する第２画素電極と、
    前記第１画素領域に隣接した前記第３画素領域に位置する第３画素電極と、
    前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極それぞれに重なり合う開口を含む画素区画膜と、を含み、
    前記第１画素電極のエッジと、前記第２画素電極のエッジとを覆う前記画素区画膜の第１部分の第１幅は、前記第１画素電極のエッジと、前記第３画素電極のエッジとを覆う前記画素区画膜の第２部分の第２幅より狭い表示装置。
14. 前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットにそれぞれ対応する第１対向電極及び第２対向電極をさらに含み、
    前記第１対向電極及び前記第２対向電極は、互に電気的に連結されていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第１対向電極の端部と、前記第２対向電極の端部は、直接接触することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記第１対向電極の前記端部と、前記第２対向電極の前記端部は、互いに重なり合ったままで接触することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第１対向電極と前記第２対向電極との接触領域は、
    前記第１画素領域と、前記第３画素領域との間に位置することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
18. 前記第１対向電極と前記第２対向電極とは、互に同一の物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
19. 前記第１対向電極と前記第２対向電極は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の第１ギャップは、前記第１画素電極と前記第３画素電極との間の第２ギャップより狭いことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
21. 前記基板は、前記第１画素ユニット及び前記第２画素ユニットに隣接した透過領域を含み、
    前記画素区画膜は、前記透過領域に対応するホールを含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
22. 前記第１画素電極、前記第２画素電極及び前記第３画素電極は、反射膜を含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
23. 前記第１画素ユニットの前記第１画素領域は、赤色画素領域または青色画素領域であり、
    前記第１画素ユニットの前記第２画素領域は、緑色画素領域であり、
    前記第２画素ユニットの前記第３画素領域は、緑色画素領域であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。