CN112002726A - 显示设备和制造该显示设备的方法 - Google Patents

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金尚勳
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Abstract

描述了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，具有显示区域和传感器区域，其中，传感器区域包括透射区域；多个第一对电极，布置为与显示区域对应；以及多个第二对电极，布置为与传感器区域对应并且围绕透射区域，其中，所述多个第一对电极中的每个的形状与所述多个第二对电极中的每个的形状不同。

Description

显示设备和制造该显示设备的方法
本申请要求于2019年5月27日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0062053号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备和一种制造显示设备的方法。
背景技术
在其他示例之中的电视机、计算机、移动电子设备和汽车中发现了显示装置。显示装置的用途已经多样化为包括许多不同的设置，引起对较薄且较轻的显示器的需求增大。然而，较小的设计会使得显示器的透光率降低。
即使显示装置的设计不断缩小，也期望实现高透光率。高透光率可以与较高质量的图像、较清晰的图像和更详细的图像对应。因此，在本领域中存在对用于较薄且较轻的显示器中的显示设备的高透光率和高质量的需求。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种用于显示图像且包括其中布置有传感器的传感器区域的显示设备。然而，这样的目的是示例，并且公开的范围不限于此。
另外的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过公开的所给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射区域；多个第一对电极，布置为与显示区域对应；以及多个第二对电极，布置为与传感器区域对应并且围绕透射区域，其中，所述多个第一对电极中的每个的形状与所述多个第二对电极中的每个的形状不同。
所述多个第一对电极中的每个可以具有第一四边形的形状，第一四边形在第一方向上具有第一宽度，并且所述多个第二对电极中的每个可以具有第二四边形的形状，第二四边形在第一方向上具有第二宽度，其中，突出部从第二四边形的四个顶点突出。第一宽度可以比第二宽度大。
所述多个第一对电极之中的在第一方向上彼此相邻的第一对电极可以在第一四边形的边缘处彼此叠置，并且所述多个第二对电极之中的沿着透射区域的边缘彼此相邻的第二对电极可以在突出部处彼此叠置。
所述多个第一对电极之中的在与第一方向交叉的第二方向上彼此相邻的第一对电极可以布置为彼此隔开。
所述显示设备还可以包括：多个第三对电极，位于所述多个第一对电极与所述多个第二对电极之间，其中，所述多个第三对电极中的每个的面积比所述多个第一对电极中的每个的面积大。
所述多个第一对电极中的每个可以具有第一四边形的形状，第一四边形在第一方向上具有第一宽度，所述多个第三对电极中的每个可以具有第三四边形的形状，第三四边形在第一方向上具有第三宽度，并且第一宽度和第三宽度可以彼此基本相同。
多个主像素可以被包括在显示区域中，多个辅助像素可以被包括在传感器区域中，并且被所述多个第一对电极中的每个覆盖的主像素的数量可以与被所述多个第二对电极中的每个覆盖的辅助像素的数量相同。
多个主像素可以被包括在显示区域中，多个辅助像素可以被包括在传感器区域中，并且被所述多个第一对电极中的每个覆盖的主像素的数量可以是被所述多个第二对电极中的每个覆盖的辅助像素的数量的两倍。
所述多个第一对电极中的每个在第二方向上的长度可以是所述多个第二对电极中的每个在第二方向上的长度的1.8倍至2倍。
透射区域的面积可以比布置在传感器区域中的辅助像素的发射区域的面积大。透射区域可以包括第一透射区域和第二透射区域，并且第一透射区域可以具有与第二透射区域的尺寸不同的尺寸。透射区域在第一方向上的宽度可以比所述多个第二对电极中的每个在第一方向上的宽度大。
基底还可以包括布置在位于显示区域外部的非显示区域中的电源线，并且所述多个第一对电极中的一个或更多个和所述多个第二对电极中的一个或更多个可以布置为与电源线叠置。
所述显示设备还可以包括：组件，布置为与传感器区域对应。辅助薄膜晶体管可以布置在传感器区域中，并且下金属层可以布置在基底与辅助薄膜晶体管之间。
根据一个或更多个实施例，一种制造包括显示区域和传感器区域(其中，传感器区域包括透射区域)的显示设备的方法包括：将掩模对齐为与基底对应；执行使用掩模在基底上沉积对电极的一部分的第一操作；以及执行通过在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上移动掩模来沉积对电极的另一部分的第二操作。
掩模可以包括第一掩模开口和第二掩模开口，并且每个第一掩模开口的形状可以与每个第二掩模开口的形状不同。
每个第一掩模开口可以呈具有第一宽度的第一四边形的形状，并且每个第二掩模开口可以呈具有第二宽度的第二四边形的形状，其中，第二四边形具有从第二四边形的四个顶点中的每个延伸的扩展孔。
掩模可以包括位于第一掩模开口与第二掩模开口之间的第三掩模开口，并且每个第三掩模开口的面积可以比每个第一掩模开口的面积大。
第一掩模开口可以布置为在第二方向上彼此隔开第一距离，并且第二掩模开口可以布置为在第二方向上彼此隔开第二距离，其中，第一距离比第二距离小。第二距离可以为第一距离的大约5倍至大约10倍。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，包括显示区域和位于显示区域周围的非显示区域；对电极，布置为与显示区域对应；以及电源线，布置在非显示区域中，其中，对电极延伸到非显示区域以与电源线叠置，并且对电极的侧面包括部分地突出的外部图案。
对电极可以包括多个第一对电极和多个第二对电极，其中，所述多个第一对电极之中的在第一方向上彼此相邻的第一对电极可以彼此叠置，并且所述多个第一对电极中的每个第一对电极可以具有与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的形状不同的形状或与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的尺寸不同的尺寸。
一些外部图案中的每个外部图案可以具有与所述多个第一对电极中的每个第一对电极的形状相同的形状，并且其他外部图案中的每个外部图案可以具有与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的形状相同的形状。
所述显示设备还可以包括：平坦化层，布置在电源线上，并且包括暴露电源线的一部分的接触孔；以及连接布线，布置在平坦化层上，并且通过接触孔连接到电源线，其中，对电极与连接布线接触。
基底还可以包括包含透射区域的传感器区域，并且外部图案之中的布置在传感器区域外部的外部图案彼此隔开的距离可以比外部图案之中的布置在显示区域外部的外部图案彼此隔开的距离大。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，相对于平面图包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括至少一个透射区域；多个第一对电极，在平面图中，每个第一对电极具有第一形状并且与显示区域叠置；以及多个第二对电极，在平面图中，每个第二对电极具有与第一形状不同的第二形状，并且与传感器区域叠置，其中，所述至少一个透射区域中的每个透射区域在平面图中在至少两个相对侧上与所述多个第二对电极邻接。
在一些实施例中，第二形状包括在每一边上具有凹口的矩形，其中，所述多个第二对电极中的至少两个第二对电极中的每个第二对电极的至少一边上的凹口在平面图中与透射区域邻接，其中，所述至少一个透射区域中的每个透射区域的一部分与所述多个第二对电极中的所述至少两个第二对电极中的每个第二对电极的一条边上的凹口对应。
在一些实施例中，所述显示设备还包括：多个第三对电极，每个第三对电极具有第三形状，其中，所述多个第三对电极中的每个在平面图中同显示区域与传感器区域之间的边界邻接，并且与所述多个第一对电极中的至少一个或所述多个第二对电极中的至少一个叠置。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述，公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备的透视图；
图2是简单地示出根据实施例的显示设备的剖视图；
图3是示意性地示出根据实施例的显示面板的平面图；
图4A是根据实施例的可以布置在显示设备的显示区域中的有源矩阵像素的等效电路图；
图4B是根据另一实施例的可以布置在显示设备的显示区域中的有源矩阵像素的等效电路图；
图5和图6是与图3的区域B对应的示意性平面图；
图7是沿着图5的线I-I'截取的显示面板的示意性剖视图；
图8是沿着图5的线II-II'和线III-III'截取的显示面板的示意性剖视图；
图9是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的剖视图；
图10是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的剖视图；
图11示出了根据实施例的用于形成对电极的掩模的示例；
图12A和图12B示出了根据实施例的制造显示设备的方法；
图13是示意性地示出根据另一实施例的显示面板的平面图；
图14是图13的区域C的放大图；
图15是沿着图14的线IV-IV'截取的显示面板的示意性剖视图；
图16是根据另一实施例的显示面板的一部分的示意性平面图；
图17示出了根据实施例的用于形成对电极的掩模的另一示例；以及
图18是根据另一实施例的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
尽管可以对公开做出各种修改并且在公开中可以包括许多实施例，但公开的实施例在附图中以示例的方式被示出并在这里详细地进行描述。参照以下详细地描述的实施例和附图，将清楚地示出公开的效果和特性以及实现该效果和该特性的方法。然而，公开不限于在这里描述的实施例，并且可以以各种形式来实现。
在下文中，将参照附图详细地描述公开的实施例。在描述中，同样的附图标记表示同样的元件，并且将不重复相同的描述。
将理解的是，在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件；这些组件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个组件与另一组件区分开。
如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在这里使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
当某个实施例可以被不同地实现时，可以不同于所描述的顺序执行工艺顺序。例如，可以基本同时执行两个连续描述的工艺，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
在下文中的实施例中，将理解的是，当元件、区域或层被称为连接到另一元件、区域或层时，该元件、区域或层可以直接地或间接地连接到所述另一元件、区域或层。例如，在本说明书中将理解的是，当元件、区域或层被称为与另一元件、区域或层接触或者电连接到另一元件、区域或层时，该元件、区域或层可以与所述另一元件、区域或层直接地或间接地接触，或者直接地或间接地电连接到所述另一元件、区域或层。
图1是示意性地示出根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，显示设备1可以包括用于实现图像的显示区域DA和不用于实现图像的非显示区域NDA。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光块来提供主图像。
显示设备1可以包括传感器区域SA。传感器区域SA可以是其中设置有组件的区域，传感器可以存在于所述组件处。传感器可以使用红外线、可见光、声音等，这在下面参照图2进行描述。传感器区域SA可以包括透射区域TA，从所述组件输出到外部或从外部朝向所述组件行进的光或声音可以通过透射区域TA透射。根据实施例，当红外线通过传感器区域SA透射时，透光率可以等于或大于大约30％。透光率可以等于或大于大约50％、大约75％、大约80％、大约85％或大约90％。
根据本实施例，多个辅助像素Pa可以布置在传感器区域SA中。然后可以通过使用从多个辅助像素Pa发射的光来提供某个图像。在传感器区域SA中提供的图像可以是子图像，并且可以具有比由显示区域DA提供的图像的分辨率低的分辨率。例如，因为传感器区域SA包括光和/或声音可以通过其透射的透射区域TA，所以在传感器区域SA中每单位面积可布置的辅助像素Pa的数量可以比在显示区域DA中每单位面积可布置的主像素Pm的数量小。
传感器区域SA可以设置在显示区域DA的一侧处。根据实施例，图1示出了传感器区域SA设置在显示区域DA的上侧处。此外，传感器区域SA设置在非显示区域NDA与显示区域DA之间。
在下文中，有机发光显示设备被描述为根据实施例的显示设备1的示例。然而，根据实施例，显示设备1不限于此。根据另一实施例，可以使用诸如无机发光显示设备、量子点发光显示设备等的各种类型的显示设备1。
图1示出了传感器区域SA布置在具有四边形形状的显示区域DA的上侧处。然而，实施例不限于此。显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。多边形形状可以包括但不限于三角形形状或五边形形状。传感器区域SA的位置和传感器区域SA的数量可以被各种地修改。
图2是简单地示出根据实施例的显示设备1的剖视图，并且可以与沿着图1的线A-A'截取的剖视图对应。
参照图2，显示设备1可以包括包含显示元件的显示面板10和与传感器区域SA对应的组件20。
显示面板10可以包括基底100、布置在基底100上的显示元件层200以及薄膜封装层300。薄膜封装层300是封装显示元件层200的封装构件。此外，显示面板10还可以包括下覆盖层185和布置在基底100下面的下保护膜175。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性特性、可卷曲特性或可弯折特性。基底100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
显示元件层200可以包括包含主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'的电路层、作为显示元件的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'以及位于基底100与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之间的绝缘层IL和IL'。
主像素Pm可以布置在显示区域DA中。主像素Pm包括主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以布置在传感器区域SA中。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助有机发光二极管OLED'。
此外，其中未布置辅助薄膜晶体管TFT'和显示元件的透射区域TA可以设置在传感器区域SA中。透射区域TA可以是从组件20发射的光/信号或入射到组件20中的光/信号通过其透射的区域。
组件20可以位于传感器区域SA中。组件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括被配置为接收和使用光的传感器、被配置为输出和感测光或声音的传感器、被配置为输出光的小型灯、被配置为输出声音的扬声器等。被配置为接收和使用光的传感器可以包括红外传感器。被配置为输出和感测光或声音的传感器可以用于测量距离或识别指纹等。使用光的电子元件可以使用各种波长范围的光，诸如可见光、红外线、紫外线等。布置在传感器区域SA中的组件20可以设置为多个。例如，组件20可以是发光装置和光接收装置，并且可以一起设置在传感器区域SA中。此外，发光部和光接收部可以同时被包括在组件20中。
下金属层BSM可以布置在传感器区域SA中。下金属层BSM可以布置为与辅助薄膜晶体管TFT'的下部对应。下金属层BSM可以防止外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFT'等的辅助像素Pa。例如，下金属层BSM可以防止从组件20发射的光到达辅助像素Pa，或者反之亦然(即，下金属层BSM可以防止从辅助像素Pa发射的光到达组件20)。
在一些实施例中，恒定的电压或信号可以施加到下金属层BSM，以防止由静电放电导致的对像素电路的损坏。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于该方面，图2示出了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如但不限于氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI和聚乙烯。
下保护膜175可以结合在基底100下面，以支撑并保护基底100。下保护膜175可以包括具有较高透光率的材料。下保护膜175可以包括PET或PI。
下覆盖层185可以进一步设置在下保护膜175下面。下覆盖层185可以包括与传感器区域SA对应的开口185OP。下覆盖层185可以包括开口185OP，以改善传感器区域SA的透光率。下覆盖层185可以包括遮光材料。因此，可以阻挡可以透射穿过基底100的下表面的外部光。
传感器区域SA可以具有比其中布置有组件20的区域大的区域。因此，设置在下覆盖层185中的开口185OP的区域可以不与传感器区域SA的区域对应。例如，开口185OP的区域可以比传感器区域SA的区域小。
此外，多个组件20可以布置在传感器区域SA中。多个组件20可以具有彼此不同的功能。
尽管未示出，但触摸感测构件、防反射构件和透明窗可以进一步布置在显示面板10上。触摸感测构件可以感测触摸输入。防反射构件可以包括偏振器和延迟器，或者滤色器和黑矩阵。
根据本实施例，示出了薄膜封装层300用作用于封装显示元件层200的封装构件。然而，实施例不限于此。例如，作为用于封装显示元件层200的构件，也可以使用通过密封剂或玻璃料结合到基底100的封装基底。
图3是示意性地示出根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图3，显示面板10可以包括显示区域DA，并且可以包括多个主像素Pm。每个主像素Pm可以包括显示元件，诸如主有机发光二极管OLED。每个主像素Pm可以通过主有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，主像素Pm可以是如上所述的发射红光、绿光、蓝光和白光中的任一种的子像素。可以通过以上参照图2描述的封装构件来覆盖显示区域DA，从而可以保护显示区域DA免受外部物质、湿气等影响。
传感器区域SA可以设置在显示区域DA的一侧处，多个辅助像素Pa可以布置在传感器区域SA中。每个辅助像素Pa中可以包括显示元件，诸如辅助有机发光二极管OLED'。每个辅助像素Pa可以通过辅助有机发光二极管OLED'发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，辅助像素Pa可以是如上所述的发射红光、绿光、蓝光和白光中的任一种的子像素。透射区域TA可以设置在传感器区域SA中的辅助像素Pa之间。至少一个组件20可以布置为与显示面板10的传感器区域SA的下部对应。
根据实施例，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，实施例不限于此。包括在主像素Pm中的像素电路和包括在辅助像素Pa中的像素电路可以彼此不同。
因为传感器区域SA包括透射区域TA，所以传感器区域SA的分辨率可能比显示区域DA的分辨率低。例如，传感器区域SA的分辨率可以是显示区域DA的分辨率的大约一半。在一些实施例中，显示区域DA的分辨率可以等于或大于大约400ppi，传感器区域SA的分辨率可以等于或大于大约200ppi。
主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以电连接到布置在非显示区域NDA中的外部电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL将扫描信号提供到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL将发射控制信号提供到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。第二扫描驱动电路120可以布置为与第一扫描驱动电路110平行，并且显示区域DA位于第一扫描驱动电路110与第二扫描驱动电路120之间。布置在显示区域DA中的一些主像素Pm可以电连接到第一扫描驱动电路110。布置在显示区域DA中的其他主像素Pm可以电连接到第二扫描驱动电路120。例如，主像素Pm可以在连接到第一扫描驱动电路110的主像素Pm与连接到第二扫描驱动电路120的主像素Pm之间交替。也可以使用其他连接模式。根据另一实施例，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以布置在基底100的一侧处。端子140可以不被绝缘层覆盖。此外，端子140可以被暴露，并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB可以将控制部(未示出)的信号或电力传输到显示面板10。在控制部中产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每个。控制部可以通过第一连接布线161和第二连接布线171分别将第一电力电压ELVDD(或驱动电压)和第二电力电压ELVSS(或共电压)(参照下面的图4A和图4B)提供到第一电源线160和第二电源线170。第一电力电压ELVDD(或驱动电压)可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL提供到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。第二电力电压ELVSS(或共电压)可以被提供到连接到第二电源线170的主像素Pm和辅助像素Pa中的每个的对电极。
数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以被提供到主像素Pm和辅助像素Pa中的每个。数据信号通过连接到端子140的连接布线151和连接到连接布线151的数据线DL来提供。图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB中。然而，根据另一实施例，数据驱动电路150可以布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括沿x方向彼此平行地延伸的第一子线162和第二子线163，并且显示区域DA位于第一子线162与第二子线163之间。第二电源线170可以呈具有一个开口侧的环形形状，并且可以部分地围绕显示区域DA。
图4A和图4B是根据实施例的可以包括在显示面板10中的主像素Pm和/或辅助像素Pa的等效电路图。
参照图4A，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以包括连接到扫描线SL、数据线DL和驱动电压线PL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL。响应于通过扫描线SL提供的扫描信号Sn，开关薄膜晶体管T2可以将通过数据线DL提供的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL。存储电容器Cst可以存储对应于从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst。此外，驱动薄膜晶体管T1可以与存储在存储电容器Cst中的电压值对应地控制从驱动电压线PL流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以基于驱动电流发射具有一定亮度的光。
在图4A中描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，实施例不限于此。如图4B中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图4B，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器Cst。多个薄膜晶体管和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
图4B示出了主像素Pm和辅助像素Pa中的每个连接到信号线SL、SL-1、EL和DL。此外，主像素Pm和辅助像素Pa连接到初始化电压线VL和驱动电压线PL。然而，实施例不限于此。根据另一实施例，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一条可以由相邻的像素共享。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线SL、SL-1、EL和DL可以包括将扫描信号Sn传输到开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3的扫描线SL以及将扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的扫描线SL-1。信号线SL、SL-1、EL和DL还可以包括将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL。信号线SL、SL-1、EL和DL还可以包括与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以将第一电力电压ELVDD(或驱动电压)传输到驱动薄膜晶体管T1。初始化电压线VL可以传输用于将驱动薄膜晶体管T1和像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1。驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1可以通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1可以通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2可以连接到扫描线SL。开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通。此外，开关薄膜晶体管T2可以执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3可以连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且可以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1电连接，以使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以连接到扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4可以连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4可以连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过扫描线SL-1接收的扫描信号Sn-1而导通。第一初始化薄膜晶体管T4可以执行将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的初始化操作，以将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可以连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5可以连接到驱动电压线PL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可以连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6可以电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而同时导通，使得第一电力电压ELVDD(或驱动电压)传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7可以连接到扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7可以连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7可以连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过扫描线SL-1接收的扫描信号Sn-1而导通，并且可以将有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
图4B示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到扫描线SL-1。然而，实施例不限于此。根据另一实施例，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到扫描线SL-1，以响应于扫描信号Sn-1而驱动，并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到附加信号线(例如，下一扫描线)，以响应于传输到附加信号线的信号而驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2可以连接到驱动电压线PL，有机发光二极管OLED的对电极可以被供应有第二电力电压ELVSS(或共电压)。因此，有机发光二极管OLED可以接收来自驱动薄膜晶体管T1的驱动电流IOLED以发射光，从而显示图像。
图4B示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极。然而，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
根据本实施例，主像素Pm和辅助像素Pa可以包括相同的像素电路PC。然而，实施例不限于此。主像素Pm和辅助像素Pa可以包括具有不同结构的像素电路PC。各种修改是可能的。例如，主像素Pm可以通过图4B的像素电路PC来实现，辅助像素Pa可以通过图4A的像素电路PC来实现。
图5和图6是与图3的区域B对应的示意性平面图，并且示出了显示区域DA和传感器区域SA的相邻的边缘部分的一部分。图7是沿着图5的线I-I'截取的显示面板10的示意性剖视图，图8是沿着图5的线II-II'和线III-III'截取的显示面板10的示意性剖视图。
首先，参照图5和图6，根据实施例的显示面板10可以包括显示区域DA和包含透射区域TA的传感器区域SA，并且可以包括多个对电极223。对电极223可以包括布置为与显示区域DA对应的多个第一对电极223A和布置为与传感器区域SA对应的多个第二对电极223B，其中，多个第一对电极223A中的每个第一对电极223A的形状可以与多个第二对电极223B中的每个第二对电极223B的形状不同。对电极223可以彼此连接，并且可以在连接部分处具有较大的厚度。
如在这里使用的，短语“与显示区域DA对应”和“与传感器区域SA对应”可以分别表示元件的区域(在x-y平面中的区域)的一半以上与显示区域DA或传感器区域SA叠置。
根据本实施例，显示面板10还可以包括布置为与显示区域DA和传感器区域SA的边缘部分相邻的多个第三对电极223C。例如，第三对电极223C可以布置在第一对电极223A与第二对电极223B之间。
第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C中的每个可以布置为与一个像素组Pg对应。
像素组Pg可以包括至少一个像素Pa(或Pm)。图5示出了一个像素组Pg包括布置为两列的四个像素Pa(或Pm)。然而，实施例不限于此。包括在一个像素组Pg中的像素Pa(或Pm)的数量和像素Pa(或Pm)的布置可以被各种地修改。例如，在一个像素组Pg中可以包括平行布置为一列的三个像素Pa(或Pm)，或者在一个像素组Pg中可以包括布置为四列的八个像素Pa(或Pm)。在本说明书中，像素Pa(或Pm)可以表示发射红光、绿光或蓝光的子像素。
透射区域TA可以是其中未布置显示元件并因此具有高透光率的区域，并且可以在传感器区域SA中设置为多个。透射区域TA可以在第一方向(x方向)和/或第二方向(y方向)上与像素组Pg交替地布置。可选地，透射区域TA可以布置为围绕像素组Pg。可选地，辅助像素Pa可以布置为围绕透射区域TA。根据本实施例，透射区域TA可以是其中既未布置第一对电极223A和第二对电极223B也未布置第三对电极223C的区域。相反，透射区域TA可以是与传感器区域Sa中的对电极223的开口223OP对应的区域。
透射区域TA的尺寸可以比至少一个像素Pa(或Pm)的发射区域的尺寸大。在一些实施例中，透射区域TA的尺寸可以等于或大于一个像素组Pg的尺寸。根据本实施例，透射区域TA可以设置为多个。在这种情况下，透射区域TA可以包括具有不同尺寸的透射区域TA。例如，如图5中所示，布置在第二对电极223B之间的透射区域TA的宽度Wt(在第一方向(x方向)上的宽度Wt)可以比布置在第三对电极223C之间的透射区域TA的宽度Wt'(在第一方向(x方向)上的宽度Wt')大。
第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C可以彼此电连接。第一对电极223A之中的在第一方向(x方向)上彼此相邻的第一对电极223A可以在它们的边缘处彼此叠置且彼此接触。第一对电极223A可以在第一方向(x方向)上彼此接触，并且可以电连接到非显示区域NDA中的第二电源线170(见图3)。第一对电极223A之中的在第二方向(y方向)上彼此相邻的第一对电极223A可以彼此隔开。然而，彼此分离的第一对电极223A电连接到非显示区域NDA的第二电源线170。因此，第一对电极223A可以彼此电连接。
第二对电极223B可以布置为围绕透射区域TA。在围绕透射区域TA的第二对电极223B中，第二对电极223B布置为沿着透射区域TA的边缘彼此相邻，并且可以均具有突出部PT。突出部PT可以在每个第二对电极223B的顶点处突出，其中，相邻的第二对电极223B的突出部PT可以彼此叠置且彼此接触。彼此连接的第二对电极223B可以电连接到非显示区域NDA的第二电源线170。
根据本实施例，可以理解的是，沿第一方向(x方向)布置的第二对电极223B可以布置为彼此隔开，并且透射区域TA位于沿第一方向(x方向)布置的第二对电极223B之间。此外，沿第二方向(y方向)布置的第二对电极223B可以布置为彼此隔开，并且透射区域TA位于沿第二方向(y方向)布置的第二对电极223B之间。这里，可以理解的是，布置在第i行中的第二对电极223B可以与布置在第i+1行中的第二对电极223B在其突出部PT处叠置且接触。
第三对电极223C可以布置为与显示区域DA和传感器区域SA的边缘部分相邻，其中，第三对电极223C中的一个或更多个可以与显示区域DA的第一对电极223A接触。此外，第三对电极223C中的一个或更多个可以与传感器区域SA的第二对电极223B接触。
布置在显示区域DA中的第三对电极223C可以在第一方向(x方向)上与第一对电极223A交替地布置。这里，第三对电极223C的边缘和第一对电极223A的边缘可以彼此部分地叠置且接触。
布置在传感器区域SA中的第三对电极223C可以与第二对电极223B一起围绕透射区域TA。第三对电极223C的顶点可以与第二对电极223B的突出部PT叠置且接触。
第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C可以彼此电连接，从而可以向整个显示区域DA供应均匀的第二电力电压ELVSS。
基于第二对电极223B的形状，可以使透射区域TA的面积增大，这使透射区域TA中的透光率增大。例如，第二对电极223B可以呈具有从两个或更多个侧部去除的凹口的矩形形状。在一些情况下，从四个侧部中的每个侧部去除矩形凹口。去除的凹口可以使透射区域TA的尺寸能够增大，同时使第二对电极223B能够与其他第二对电极223B叠置，并且在一些情况下与第三对电极223C叠置。
参照图6，详细地描述第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C的形状。参照图6，每个第一对电极223A可以具有第一四边形的形状，第一四边形在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1。每个第二对电极223B可以具有第二四边形的形状，第二四边形在第一方向(x方向)上具有第二宽度W2，其中，突出部PT在第二四边形的四个顶点处突出。这里，突出部PT可以是相邻的第二对电极223B在其处彼此叠置的区域，并且可以比第二四边形小。
在一些实施例中，第一宽度W1可以比第二宽度W2大。例如，布置在传感器区域SA中的第二对电极223B的第二宽度W2比布置在显示区域DA中的第一对电极223A的第一宽度W1小。第二宽度W2处于第一方向(x方向)，第一宽度W1处于第一方向(x方向)。因此，可以使其间布置有透射区域TA的第二对电极223B之间的距离增大。例如，透射区域TA在第一方向(x方向)上的宽度Wt可以比第一宽度W1大。因此，可以使透射区域TA(光可以通过其透射)的面积增大。(Wt>W1>W2)
在一些实施例中，一个第三对电极223C的面积可以比一个第一对电极223A的面积大。为了此目的，在图5和图6中，第三对电极223C在第二方向(y方向)上的第三长度L3可以比第一对电极223A在第二方向(y方向)上的第一长度L1大。因为第三长度L3比第一长度L1大，所以布置在传感器区域SA中的第三对电极223C可以在其顶点区域处与第二对电极223B叠置且接触。在图6中，第一方向(x方向)上的第三宽度W3与第一宽度W1基本相同。然而，实施例不限于此。例如，第三宽度W3可以比第一宽度W1大。
第一对电极223A之中的在第二方向(y方向)上彼此相邻的第一对电极223A之间的距离d1可以远小于透射区域TA在第二方向(y方向)上的长度d2。例如，透射区域TA的长度d2可以是距离d1的大约五倍至大约十倍(d1<<d2)。在一些实施例中，距离d1可以为大约10μm至大约20μm。
因此，根据一个或更多个实施例，显示设备1包括：基底100，相对于平面图包括显示区域DA和传感器区域SA，传感器区域SA包括至少一个透射区域TA；多个第一对电极223A，在平面图中，每个第一对电极223A具有第一形状，并且与显示区域DA叠置；以及多个第二对电极223B，在平面图中，每个第二对电极223B具有与第一形状不同的第二形状并且与传感器区域SA叠置，其中，所述至少一个透射区域TA在平面图中在至少两个相对侧上与所述多个第二对电极223B邻接。
在一些示例中，第二形状包括在每一边上具有凹口的矩形，其中，多个第二对电极223B中的至少两个第二对电极中的每个的至少一边上的凹口在平面图中与透射区域TA邻接，其中，透射区域TA的部分与多个第二对电极223B中的至少两个第二对电极中的每个的一条边上的凹口对应。
在一些示例中，显示设备1还包括具有第三形状(其与第一形状的矩形相比可以是具有不同尺寸的矩形)的多个第三对电极223C，其中，多个第三对电极223C中的每个在平面图中同显示区域DA与传感器区域SA之间的边界邻接，并且与多个第一对电极223A中的至少一个或多个第二对电极223B中的至少一个叠置。
在下文中，参照图7和图8，将描述根据实施例的显示面板10的堆叠结构。图7是沿着图5的线I-I'截取的显示面板10的示意性剖视图并且示出了显示区域DA的部分剖面，图8是沿着图5的线II-II'和线III-III'截取的显示面板10的示意性剖视图并且示出了传感器区域SA的部分剖面。
参照图7和图8，根据实施例，显示面板10可以包括显示区域DA和传感器区域SA。主像素Pm可以布置在显示区域DA中，辅助像素Pa和透射区域TA可以布置在传感器区域SA中。
主像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。透射区域TA可以具有与透射区域TA对应的透射孔TAH。
在下文中，根据实施例，将描述其中堆叠有显示面板10的组件的结构。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括PES、PAR、PEI、PEN、PET、PPS、聚芳酯、PI、PC、CAP等。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性特性、可卷曲特性或可折叠特性。基底100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
缓冲层111可以位于基底100上，可以减少或防止外来物质、湿气或外来杂质从基底100下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦化表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如，氧化物或氮化物)、有机材料或者有机和无机复合物，并且可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。防止外来杂质渗透的阻挡层(未示出)可以进一步被包括在基底100与缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
在传感器区域SA中，下金属层BSM可以布置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。根据另一实施例，下金属层BSM可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。下金属层BSM可以布置在辅助薄膜晶体管TFT'下方，并且可以防止由从组件20等发射的光导致的辅助薄膜晶体管TFT'的特性的劣化。
此外，下金属层BSM可以经由接触孔连接到布置在另一层中的线GCL。下金属层BSM可以从线GCL接收信号或恒定电压。例如，下金属层BSM可以接收第一电力电压ELVDD(或驱动电压)或扫描信号。下金属层BSM可以通过接收信号或恒定电压来显著地降低静电放电发生的可能性。下金属层BSM可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu。下金属层BSM可以包括包含上述材料的单层或多层。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到显示区域DA的主有机发光二极管OLED，并且可以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到传感器区域SA的辅助有机发光二极管OLED'，并且可以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据另一实施例，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。根据另一实施例，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括从由In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn组成的组之中选择的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与下金属层BSM叠置，并且第二缓冲层111b位于第二半导体层A2与下金属层BSM之间。根据实施例，第二半导体层A2的宽度可以比下金属层BSM的宽度小。因此，当从与基底100垂直的方向观察时，第二半导体层A2可以总体上与下金属层BSM叠置。
第一栅极绝缘层112可以被包括以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括包含Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可以被包括以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。第二栅极绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
第一上电极CE2可以在显示区域DA中与其下方的第一栅电极G1叠置。彼此叠置的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以被包括在主存储电容器Cst中，第一栅电极G1与第一上电极CE2之间具有第二栅极绝缘层113。例如，第一栅电极G1可以用作主存储电容器Cst的第一下电极CE1。
第二上电极CE2'可以在传感器区域SA中与其下方的第二栅电极G2叠置。彼此叠置的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以被包括在辅助存储电容器Cst'中，第二栅电极G2与第二上电极CE2'之间具有第二栅极绝缘层113。第二栅电极G2可以用作辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
源电极S1和S2和漏电极D1和D2可以布置在层间绝缘层115上。源电极S1和S2和漏电极D1和D2可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。例如，源电极S1和S2和漏电极D1和D2可以包括包含Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置为覆盖源电极S1和S2和漏电极D1和D2。平坦化层117可以具有平坦化的上表面，使得第一像素电极221和第二像素电极221'可以在平坦化层117上形成为平坦的。
平坦化层117可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。平坦化层117可以包括苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、诸如聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及它们的共混物。平坦化层117可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。在形成平坦化层117之后，可以执行化学机械抛光操作，以提供平坦的上表面。
开口可以被包括在平坦化层117中，以暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任一个。第一像素电极221可以通过开口与第一源电极S1或第一漏电极D1接触，以电连接到主薄膜晶体管TFT。
此外，平坦化层117可以包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的任一个的开口。第二像素电极221'可以通过开口与第二源电极S2或第二漏电极D2接触，以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。根据另一实施例，第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其复合物的反射层。根据另一实施例，第一像素电极221和第二像素电极221'还可以在上述反射层上方/下方包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一些实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个的边缘。像素限定层119可以与第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个叠置，并且可以包括限定像素Pm和Pa的发射区域的第一开口OP1和第二开口OP2。像素限定层119可以使第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘与其上的对电极223之间的距离增大，以防止在第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘处发生电弧等。可以通过使用旋涂法等并通过使用有机绝缘材料(诸如，PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等)来形成像素限定层119。
第一功能层222a可以布置在被像素限定层119的开口OP1和OP2暴露的第一像素电极221和第二像素电极221'上。第一功能层222a可以布置为延伸到像素限定层119的上表面上。第一功能层222a可以包括单层或多层。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选地，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可以形成为单一体，以与分别包括在显示区域DA和传感器区域SA中的主像素Pm和辅助像素Pa对应。
形成为分别与第一像素电极221和第二像素电极221'对应的第一发射层222b和第二发射层222b'可以布置在第一功能层222a上。第一发射层222b和第二发射层222b'可以包括高分子量材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二功能层222c可以形成在第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以形成为单一体，以与分别包括在显示区域DA和传感器区域SA中的主像素Pm和辅助像素Pa对应。第一功能层222a和/或第二功能层222c可以被省略。
对电极223可以布置在第二功能层222c上。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。可选地，对电极223还可以在包含上述材料的(半)透明层上包括包含诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
根据本实施例，如上所述，对电极223可以包括布置在显示区域DA中的第一对电极223A和布置在传感器区域SA中的第二对电极223B。此外，对电极223还可以包括第三对电极223C(见图5)。
第一对电极223A之中的彼此相邻的第一对电极223A可以在其边缘(图7的区域R1)处彼此叠置且接触。叠置部分可以形成在主像素Pm之间。第二对电极223B之中的彼此相邻的第二对电极223B可以在其突出部PT(图8的区域R2)处彼此叠置且接触。对电极223在叠置部分处的厚度可以比每个对电极223在其中心部分处的厚度大。
一个或更多个第二对电极223B可以布置为在传感器区域SA中彼此隔开，并且第二对电极223B之间具有透射区域TA。这里，第二对电极223B彼此隔开的距离可以与对电极223的开口223OP对应。开口223OP可以包括光通过其透射的透射孔TAH。透射孔TAH的宽度Wt可以比被限定为像素限定层119的第二开口OP2的发射区域的宽度Wa大。
形成透射孔TAH可以表示与透射区域TA对应地去除诸如对电极223等的构件。因此，可以在透射区域TA中使透光率显著地增大。
尽管在图7和图8中未示出，但可以在对电极223上形成覆盖层，以保护对电极223并改善光提取效率。覆盖层可以包括LiF。可选地，覆盖层可以包括无机绝缘材料(诸如，SiNx)和/或有机绝缘材料。在一些实施例中，可以省略覆盖层。
图9和图10是根据另一实施例的显示面板10的示意性剖视图。图9和图10可以与图5的线II-II'对应。在图9和图10中，与图8中的附图标记相同的附图标记表示与图8中的构件相同的构件。因此，将不重复它们的描述。
图8示出了透射孔TAH包括对电极223的开口223OP。然而，实施例不限于此。
参照图9，透射孔TAH还可以包括被限定在像素限定层119中的第一孔H1和/或被限定在平坦化层117中的第二孔H2。
像素限定层119可以具有与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以布置为与对电极223的开口223OP叠置。在附图中，示出了开口223OP的下宽度比第一孔H1的下宽度大。然而，实施例不限于此。例如，对电极223可以延伸到透射孔TAH的内侧壁，使得开口223OP的宽度可以比第一孔H1的宽度小。
平坦化层117可以具有与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以布置为与对电极223的开口223OP叠置。在附图中，示出了第一孔H1的下宽度比第二孔H2的下宽度大。然而，实施例不限于此。例如，像素限定层119可以覆盖平坦化层117的第二孔H2的边缘，使得第一孔H1的宽度可以比第二孔H2的宽度小。
因为形成了第一孔H1和/或第二孔H2，所以可以进一步改善透射区域TA的透光率。在附图中，示出了形成第一孔H1和第二孔H2两者。然而，实施例不限于此。例如，各种修改是可能的。例如，第一孔H1和第二孔H2中的一个可以被包括以与透射区域TA对应。第一功能层222a和第二功能层222c可以布置在透射孔TAH内部。
参照图10，透射孔TAH还可以包括与透射区域TA对应的第三孔H3。
当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115共同地被称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以具有与透射区域TA对应的第三孔H3。第三孔H3可以形成为暴露缓冲层111或基底100的上表面。第一栅极绝缘层112的第一开口、第二栅极绝缘层113的第二开口和层间绝缘层115的第三开口可以彼此叠置，从而形成第三孔H3。第一开口至第三开口形成为与透射区域TA对应。可以在分开的工艺中分开地形成第一开口至第三开口，或者可以在同一工艺中同时形成第一开口至第三开口。可选地，可以同时形成第一开口和第二开口，并且可以单独形成第三开口。如此，各种修改是可能的。当在分开的工艺中形成第一开口至第三开口时，可以在第三孔H3的侧表面处形成台阶差。
无机绝缘层IL可以包括凹槽，而不是暴露缓冲层111的第三孔H3。例如，无机绝缘层IL的第一栅极绝缘层112可以连续地布置为与透射区域TA对应。此外，层间绝缘层115和第二栅极绝缘层113可以分别具有与透射区域TA对应的第二开口和第三开口。
可选地，第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113可以连续地布置为与透射区域TA对应。此外，层间绝缘层115可以包括与透射区域TA对应的第三开口。如此，各种修改是可能的。
根据本实施例，包括无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119的层可以具有足够的透光率，以允许组件20发送和接收光。因此，无机绝缘层IL、平坦化层117、像素限定层119可以不包括与透射区域TA对应的孔。然而，当无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119包括与透射区域TA对应的孔时，可以进一步改善透光率。
图11示出了根据实施例的用于形成对电极223的掩模M1的示例，图12A和图12B示出了使用掩模M1的制造方法。
参照图11，根据实施例，掩模M1可以包括彼此具有不同形状的第一掩模开口510A和第二掩模开口510B。此外，根据实施例，掩模M1还可以包括第三掩模开口510C，第三掩模开口510C具有与第一掩模开口510A的尺寸不同的尺寸。
第一掩模开口510A可以呈在第一方向(x方向)上具有第一掩模宽度MW1且在第二方向(y方向)上具有第一掩模长度ML1的四边形形状。
第二掩模开口510B可以包括呈在第一方向(x方向)上具有第二掩模宽度MW2且在第二方向(y方向)上具有第二掩模长度ML2的四边形形状的开口，并且还可以包括从开口的顶点延伸的延伸孔(或被称为扩展孔)EH。第二掩模宽度MW2可以表示在第一方向(x方向)上与第二掩模开口510B的中心交叉的宽度。
第三掩模开口510C可以呈在第一方向(x方向)上具有第三掩模宽度MW3且在第二方向(y方向)上具有第三掩模长度ML3的四边形形状。
这里，第一掩模宽度MW1可以比第二掩模宽度MW2大。第一掩模宽度MW1可以与第三掩模宽度MW3基本相同。第三掩模长度ML3可以比第一掩模长度ML1大。第三掩模开口510C的面积可以比第一掩模开口510A的面积大。
第一掩模开口510A、第三掩模开口510C和第二掩模开口510B可以沿第二方向(y方向)顺序地布置。
第一掩模开口510A可以布置为与第三掩模开口510C隔开第一距离d1'。第三掩模开口510C可以布置为与第二掩模开口510B隔开第二距离d2'。这里，第二距离d2'可以比第一距离d1'大。在一些实施例中，第二距离d2'可以是第一距离d1'的大约五倍至大约十倍(d2'>d1')。
第二掩模开口510B还可以沿正(+)y方向布置为彼此隔开第二距离d2'，第一掩模开口510A还可以沿负(-)y方向布置为彼此隔开第一距离d1'。
第一掩模开口510A可以设置为多个，并且可以沿第一方向(x方向)连续地布置为彼此隔开第三距离d3'。第二掩模开口510B可以设置为多个，并且可以沿第一方向(x方向)连续地布置为彼此隔开第四距离d4'。这里，第四距离d4'可以表示第二掩模开口510B之间的最短距离。第三掩模开口510C可以设置为多个，并且可以沿第一方向(x方向)连续地布置为彼此隔开第三距离d3'。
这里，第三距离d3'和第四距离d4'可以比第一掩模宽度MW1小。
根据本实施例，掩模M1可以包括用于沉积对电极233(见图5)的掩模，并且可以包括精细金属掩模(FMM)。FMM可以通过在金属板中形成孔并对金属板进行拉伸来制造。因此，第一掩模开口510A、第二掩模开口510B和第三掩模开口510C中的每个可以基于第一方向(x方向)上的轴和第二方向(y方向)上的轴对称地形成。第一方向(x方向)上的轴与第一掩模开口510A、第二掩模开口510B和第三掩模开口510C中的每个的中心交叉。第二方向(y方向)的轴与第一掩模开口510A、第二掩模开口510B和第三掩模开口510C中的每个的中心交叉。
第一掩模开口510A可以被包括以形成第一对电极223A，并且第一掩模开口510A的尺寸可以小于或等于第一对电极223A的尺寸。第二掩模开口510B可以被包括以形成第二对电极223B，并且第二掩模开口510B的尺寸可以小于或等于第二对电极223B的尺寸。第三掩模开口510C可以被包括以用于形成第三对电极223C，并且第三掩模开口510C的尺寸可以小于或等于第三对电极223C的尺寸。
根据本实施例，使用一个掩模M1的沉积工艺可以用于形成对电极223。图12A和图12B示出了通过使用掩模M1沉积对电极223的方法。
参照图12A，在基底100上形成第二功能层222c(见图7)之后，可以将第一掩模开口510A、第二掩模开口510B和第三掩模开口510C布置为与一个或更多个像素组Pg对应。
此后，可以通过使用沉积源(未示出)来释放用于形成对电极223的沉积材料，以在第二功能层222c上初步地沉积对电极223的一部分。这里，可以根据掩模M1的第一掩模开口510A、第二掩模开口510B和第三掩模开口510C的布置来部分地形成第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C。
接着，如图12B中所示，在通过沿x方向和y方向移动掩模M1的位置来布置掩模M1之后，可以对对电极223的剩余部分进行二次沉积。第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C的通过二次沉积形成的部分可以与第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C的通过初步沉积形成的部分叠置且接触。
在图12B中，在对对电极223进行初步沉积之后，可以通过沿45度的右上方向布置掩模M1来对对电极223进行二次沉积。然而，实施例不限于此。在对对电极223进行初步沉积之后，可以通过沿-45度的左下方向布置掩模M1来对对电极223进行二次沉积。
当使用根据本实施例的掩模M1时，可以通过使用一个掩模M1来沉积对电极223两次。因此，与使用两个掩模的方法的工艺时间和成本相比，可以减少工艺时间和成本。
如图13中所示，根据实施例，当通过使用沉积方法形成显示面板10时，可以在对电极223的形成在非显示区域NDA中的最外部处包括外部图案223D。在本说明书中，外部图案223D表示在对电极223的最外部处形成的图案。外部图案223D可以被包括在对电极223中，并且图13示出了一些外部图案223D。
参照图13，外部图案223D可以布置为与第二电源线170叠置，并且可以布置为彼此隔开距离d1'或d2'。
外部图案223D之间的距离d1'和d2'可以被不同地构造。布置为与显示区域DA相邻的外部图案223D之间的距离d1'可以比布置为与传感器区域SA相邻的外部图案223D之间的距离d2'小。
图14是图13的区域C的放大图，图15是沿着图14的线IV-IV'截取的显示面板10的示意性剖视图。在图14和图15中，与图5和图7中的附图标记相同的附图标记表示与图5和图7中的构件相同的构件。因此，将不重复它们的描述。
参照图14，对电极223可以布置为延伸到非显示区域NDA。对电极223可以包括第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C。因此，在非显示区域NDA中，可以布置第一对电极223A、第二对电极223B和第三对电极223C。
第二对电极223B和/或第三对电极223C可以布置在位于传感器区域SA外部的非显示区域NDA中。透射区域TA可以由第二对电极223B与第三对电极223C之间的距离限定。第二对电极223B和第三对电极223C可以布置为彼此叠置且接触。因此，相同的电压可以施加到第二对电极223B和第三对电极223C。
第一对电极223A和/或第三对电极223C可以布置在位于显示区域DA外部的非显示区域NDA中。第一对电极223A和第三对电极223C可以布置为彼此叠置且接触。因此，相同的电压可以施加到第一对电极223A和第三对电极223C。
沿第一方向(x方向)布置在最外部处的外部图案223D1、223D2和223D3可以具有不同的形状，并且可以布置为彼此隔开距离d1'或d2'。因此，对电极223可以具有不规则的锯齿形状。可选地，可以理解的是，对电极223的一侧包括部分地突出的外部图案223D1、223D2和223D3。例如，从平面透视图来看，对电极223的侧边可以不具有线性形状。
对电极223可以电连接到第二电源线170，并且可以接收第二电力电压ELVSS(或共电压)。
参照图15，可包括在第二扫描驱动电路120(见图3)中的薄膜晶体管T'可以布置在显示区域DA与第二电源线170之间。平坦化层117和像素限定层119可以布置在薄膜晶体管T'上。因此，薄膜晶体管T'可以布置为与对电极223隔开。
第二电源线170可以与薄膜晶体管T'的源电极或漏电极布置在同一层上。第二电源线170可以包括与薄膜晶体管T'的源电极或漏电极的材料相同的材料。平坦化层117可以布置在第二电源线170上。此外，平坦化层117可以具有暴露第二电源线170的一部分的接触孔CNT'。
连接布线CM可以布置在平坦化层117上，连接布线CM与第一像素电极221(见图7)布置在同一层上并且包括与第一像素电极221的材料相同的材料。连接布线CM可以通过接触孔CNT'与第二电源线170接触。
像素限定层119可以布置在连接布线CM上，像素限定层119可以包括暴露连接布线CM的一部分的连接开口CH。对电极223的一部分可以布置在连接开口CH中，并且可以与连接布线CM接触。
对电极223可以包括第一对电极223A、第二对电极223B和/或第三对电极223C。因此，可以存在其中第一对电极223A、第二对电极223B和/或第三对电极223C彼此叠置的叠置区域。对电极223在叠置区域处的厚度可以比对电极223在其中第一对电极223A、第二对电极223B和/或第三对电极223C彼此不叠置的区域处的厚度大。
布置在对电极223的最外部处的外部图案223D1可以布置为与第二电源线170至少部分地叠置。此外，对电极223的一部分可以布置为与接触孔CNT'对应。
图16是根据另一实施例的显示面板10的一部分的示意性平面图。在图16中，与图5和图6中的附图标记相同的附图标记表示与图5和图6中的构件相同的构件。因此，将不重复它们的描述。
参照图16，根据实施例，显示面板10可以包括显示区域DA和包含透射区域TA的传感器区域SA，并且可以包括多个对电极223。对电极223可以包括布置为与显示区域DA对应的多个第一对电极223A'和布置为与传感器区域SA对应的多个第二对电极223B'。此外，多个第一对电极223A'的形状可以与多个第二对电极223B'的形状不同。
此外，显示设备还可以包括布置为与显示区域DA和传感器区域SA的边缘相邻的多个第三对电极223C'。例如，第三对电极223C'可以布置在第一对电极223A'与第二对电极223B'之间。
根据本实施例，第一对电极223A'和第三对电极223C'中的每个可以布置为与两个像素组Pg对应，第二对电极223B'可以布置为与一个像素组Pg对应。例如，可以理解的是，与一个第一对电极223A'对应的像素的数量可以是与一个第二对电极223B'对应的像素的数量的大约两倍。例如，当包括在一个像素组Pg中的像素的数量为四个时，一个第二对电极223B'可以布置为与四个像素对应，一个第一对电极223A'和一个第三对电极223C'中的每个可以布置为与八个像素对应。
根据本实施例，每个第一对电极223A'可以呈在第一方向(x方向)上具有第一宽度W1'的第一四边形的形状。每个第二对电极223B'可以呈在第一方向(x方向)上具有第二宽度W2'的第二四边形的形状，其中，突出部PT在第二四边形的四个顶点处突出。这里，两个相邻的第二对电极223B'的相应的突出部PT可以彼此叠置，并且突出部PT可以比第二四边形小。
在一些实施例中，一个第三对电极223C'的面积可以比一个第一对电极223A'的面积大。为此目的，在图16中，第三对电极223C'在第二方向(y方向)上的第三长度L3'可以比第一对电极223A'在第二方向(y方向)上的第一长度L1'大。因为第三长度L3'比第一长度L1'大，所以布置在传感器区域SA中的第三对电极223C'可以在顶点区域处与第二对电极223B'叠置且接触。在附图中，沿第一方向(x方向)的第三宽度W3'与第一宽度W1'基本相同。然而，实施例不限于此。例如，第三宽度W3'可以比第一宽度W1'大。根据本实施例，第一长度L1'可以是第二长度L2的大约一点八倍至大约两倍，第二长度L2是第二对电极223B'在第二方向(y方向)上的中心长度。
第一对电极223A'之中的在第二方向(y方向)上彼此相邻的第一对电极223A'之间的距离d1可以远小于透射区域TA在第二方向(y方向)上的长度d2。例如，透射区域TA的长度d2可以是距离d1的大约五倍至大约十倍(d1<<d2)。在一些实施例中，距离d1可以为大约10μm至大约20μm。
第一对电极223A'可以在第一方向(x方向)上布置为曲折的形状。因此，与一个第一对电极223A'接触的第一对电极223A'和/或第三对电极223C'的数量可以为四个。
第三对电极223C'可以在第一方向(x方向)上布置为曲折的形状。因此，一个第三对电极223C'可以连接到相邻的第三对电极223C'和第一对电极223A'，或者可以与第一对电极223A'和第二对电极223B'接触。
随着与一个第一对电极223A'和一个第三对电极223C'接触的第一对电极223A'、第二对电极223B'和第三对电极223C'的数量增加，可以向显示区域DA提供更均匀的第二电力电压ELVSS。因此，可以减小显示区域DA中的亮度的偏差。
图17示出了用于制造图16的显示面板10的掩模M2。在图17中，与图11中的附图标记相同的附图标记表示与图11中的构件相同的构件。因此，将不重复它们的描述。
参照图17，根据实施例，掩模M2可以包括彼此具有不同形状的第一掩模开口510A'和第二掩模开口510B'。此外，根据实施例，掩模M2还可以包括第三掩模开口510C'，第三掩模开口510C'具有与第一掩模开口510A'的尺寸不同的尺寸。
第一掩模开口510A'可以呈在第一方向(x方向)上具有第一掩模宽度MW1'且在第二方向(y方向)上具有第一掩模长度ML1'的四边形形状。与图11的第二掩模开口510B的布置相似，第二掩模开口510B'可以呈在第一方向(x方向)上具有第二掩模宽度MW2'且在第二方向(y方向)上具有第二掩模长度ML2'的四边形形状，并且还可以包括从四边形形状的顶点延伸的延伸孔EH。
第三掩模开口510C'可以呈在第一方向(x方向)上具有第三掩模宽度MW3'且在第二方向(y方向)上具有第三掩模长度ML3'的四边形形状。
这里，第三掩模长度ML3'可以比第一掩模长度ML1'大。第三掩模开口510C'的面积可以比第一掩模开口510A'的面积大。第三掩模长度ML3'可以等于或大于第二掩模开口510B'的第二掩模长度ML2'的两倍。第一掩模长度ML1'可以是第二掩模开口510B'的第二掩模长度ML2'的大约1.8倍至大约2倍。
第一掩模开口510A'、第三掩模开口510C'和第二掩模开口510B'可以沿第二方向(y方向)顺序地布置。
第一掩模开口510A'可以布置为与第三掩模开口510C'隔开第一距离d1'。第三掩模开口510C'可以布置为与第二掩模开口510B'隔开第二距离d2'。这里，第二距离d2'可以比第一距离d1'大。在一些实施例中，第二距离d2'可以是第一距离d1'的大约五倍至大约十倍(d2'>d1')。
第二掩模开口510B'还可以沿正(+)y方向布置为彼此隔开第二距离d2'。第一掩模开口510A'还可以沿负(-)y方向布置为彼此隔开第一距离d1'。
第一掩模开口510A'可以设置为多个，并且第一掩模开口510A'可以在第一方向(x方向)上连续地布置为彼此隔开第三距离d3'。第三掩模开口510C'可以设置为多个，并且第三掩模开口510C'可以在第一方向(x方向)上连续地布置为彼此隔开第三距离d3'。
这里，第三距离d3'可以比第一掩模宽度MW1'小。
根据图16的实施例的对电极223可以通过如下的方法来沉积：通过使用根据本实施例的掩模M2来对对电极223进行初步沉积，然后通过沿45度的右上方向或左下方向移动掩模M2来对对电极223进行二次沉积。
图18是根据另一实施例的显示面板10'的一部分的平面图。
参照图18，显示面板10'还可以包括开口区域OA。此外，传感器区域SA可以设置在显示区域DA内部，并且可以被显示区域DA围绕。
开口区域OA可以是其下方可布置有组件30的区域。开口区域OA可以是从组件30输出到外部或从外部朝向组件30行进的光可通过其透射的透射区域。根据实施例，当光通过开口区域OA透射时，透光率可以等于或大于大约50％。透光率可以等于或大于大约70％、大约75％、大约80％、大约85％或大约90％。开口区域OA可以是其中未布置显示元件且不提供图像的区域。根据本实施例，开口区域OA可以设置在显示区域DA内部，使得主像素可以布置为围绕开口区域OA。
组件20可以布置在传感器区域SA下方。此外，辅助像素可以布置在传感器区域SA中。因此，可以在传感器区域SA中提供某个图像。
在一些实施例中，开口区域OA的透光率可以比传感器区域SA的透光率大。因此，可能需要高透光率的组件30(诸如，相机等)可以布置在开口区域OA中，被配置为感测红外线的传感器可以布置在传感器区域SA中。
如上所述，根据以上实施例中的一个或更多个，在显示设备中，像素部和具有改善的透光率的透射区域可以布置在与诸如传感器等的组件对应的传感器区域SA中。因此，可以产生用于该组件的操作的环境，同时可以在与该组件叠置的区域中实现图像。
因此，可以提供具有各种功能和改善的质量的显示设备。
应理解的是，在这里描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述应通常被认为适用于其他实施例中的其他相似特征或方面。尽管已经参照图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (30)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和传感器区域，所述传感器区域包括透射区域；
多个第一对电极，布置为与所述显示区域对应；以及
多个第二对电极，布置为与所述传感器区域对应，并且布置为围绕所述透射区域，
其中，所述多个第一对电极中的每个第一对电极的形状与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的形状不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述多个第一对电极中的每个第一对电极具有第一四边形的形状，所述第一四边形在第一方向上具有第一宽度，并且
所述多个第二对电极中的每个第二对电极具有第二四边形的形状，所述第二四边形在所述第一方向上具有第二宽度，并且其中，突出部从所述第二四边形的四个顶点突出。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述第一宽度比所述第二宽度大。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述多个第一对电极之中的在所述第一方向上彼此相邻的第一对电极在所述第一四边形的边缘处彼此叠置，并且
所述多个第二对电极之中的沿着所述透射区域的边缘彼此相邻的第二对电极在所述突出部处彼此叠置。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述多个第一对电极之中的在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻的第一对电极布置为彼此隔开。
6.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
多个第三对电极，位于所述多个第一对电极与所述多个第二对电极之间，其中，所述多个第三对电极中的每个第三对电极的面积比所述多个第一对电极中的每个第一对电极的面积大。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，
所述多个第一对电极中的每个第一对电极具有第一四边形的形状，所述第一四边形在第一方向上具有第一宽度，
所述多个第三对电极中的每个第三对电极具有第三四边形的形状，所述第三四边形在所述第一方向上具有第三宽度，并且
所述第一宽度和所述第三宽度彼此相同。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
多个主像素被包括在所述显示区域中，
多个辅助像素被包括在所述传感器区域中，并且
被所述多个第一对电极中的每个第一对电极覆盖的所述多个主像素的数量与被所述多个第二对电极中的每个第二对电极覆盖的所述多个辅助像素的数量相等。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
多个主像素被包括在所述显示区域中，
多个辅助像素被包括在所述传感器区域中，并且
被所述多个第一对电极中的每个第一对电极覆盖的所述多个主像素的数量是被所述多个第二对电极中的每个第二对电极覆盖的所述多个辅助像素的数量的两倍。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
所述多个第一对电极中的每个第一对电极在第二方向上的长度是所述多个第二对电极中的每个第二对电极在所述第二方向上的长度的1.8倍至2倍。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述透射区域的面积比布置在所述传感器区域中的辅助像素的发射区域的面积大。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述透射区域包括第一透射区域和第二透射区域，其中，所述第一透射区域具有与所述第二透射区域的尺寸不同的尺寸。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述透射区域在第一方向上的宽度比所述多个第二对电极中的每个第二对电极在所述第一方向上的宽度大。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述基底还包括布置在位于所述显示区域外部的非显示区域中的电源线，并且所述多个第一对电极中的一个或更多个第一对电极和所述多个第二对电极中的一个或更多个第二对电极布置为与所述电源线叠置。
15.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
组件，布置为与所述传感器区域对应。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
辅助薄膜晶体管布置在所述传感器区域中，并且
下金属层布置在所述基底与所述辅助薄膜晶体管之间。
17.一种制造显示设备的方法，所述显示设备包括包含显示区域和传感器区域的基底，其中，所述传感器区域包括透射区域，所述方法包括：
将掩模对齐为与所述基底对应；
执行使用所述掩模在所述基底上沉积对电极的一部分的第一操作；以及
执行通过在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上移动所述掩模来沉积所述对电极的另一部分的第二操作。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，
所述掩模包括一个或更多个第一掩模开口和一个或更多个第二掩模开口，并且
所述一个或更多个第一掩模开口中的每个第一掩模开口的形状与所述一个或更多个第二掩模开口中的每个第二掩模开口的形状不同。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述一个或更多个第一掩模开口中的每个第一掩模开口具有第一四边形的形状，所述第一四边形具有第一宽度，并且
所述一个或更多个第二掩模开口中的每个第二掩模开口具有第二四边形的形状，所述第二四边形具有第二宽度，其中，所述第二四边形具有从所述第二四边形的四个顶点中的每个顶点延伸的扩展孔。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述掩模包括位于所述一个或更多个第一掩模开口与所述一个或更多个第二掩模开口之间的一个或更多个第三掩模开口，并且
所述一个或更多个第三掩模开口中的每个第三掩模开口的面积比所述一个或更多个第一掩模开口中的每个第一掩模开口的面积大。
21.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述一个或更多个第一掩模开口布置为在所述第二方向上彼此隔开第一距离，并且
所述一个或更多个第二掩模开口布置为在所述第二方向上彼此隔开第二距离，其中，所述第一距离比所述第二距离小。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，
所述第二距离为所述第一距离的5倍至10倍。
23.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和位于所述显示区域周围的非显示区域；
对电极，布置为与所述显示区域对应；以及
电源线，布置在所述非显示区域中，其中，
所述对电极延伸到所述非显示区域以与所述电源线叠置，并且
一个或更多个外部图案从所述对电极的侧面部分地突出。
24.根据权利要求23所述的显示设备，其中，
所述对电极包括多个第一对电极和多个第二对电极，其中，所述多个第一对电极之中的在第一方向上彼此相邻的第一对电极彼此叠置，并且所述多个第一对电极中的每个第一对电极具有与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的形状不同的形状或与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的尺寸不同的尺寸。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其中，
所述一个或更多个外部图案中的一些外部图案中的每个外部图案具有与所述多个第一对电极中的每个第一对电极的形状相同的形状，并且所述一个或更多个外部图案中的其他外部图案中的每个外部图案具有与所述多个第二对电极中的每个第二对电极的形状相同的形状。
26.根据权利要求23所述的显示设备，所述显示设备还包括：
平坦化层，布置在所述电源线上，并且包括暴露所述电源线的部分的接触孔；以及
连接布线，布置在所述平坦化层上，并且通过所述接触孔连接到所述电源线，其中，
所述对电极与所述连接布线接触。
27.根据权利要求23所述的显示设备，其中，
所述基底还包括包含透射区域的传感器区域，并且
所述一个或更多个外部图案之中的布置在所述传感器区域外部的外部图案彼此隔开的距离比所述一个或更多个外部图案之中的布置在所述显示区域外部的外部图案彼此隔开的距离大。
28.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，相对于平面图包括显示区域和传感器区域，所述传感器区域包括至少一个透射区域；
多个第一对电极，在所述平面图中，每个第一对电极具有第一形状并且与所述显示区域叠置；以及
多个第二对电极，在所述平面图中，每个第二对电极具有与所述第一形状不同的第二形状并且与所述传感器区域叠置，其中，所述至少一个透射区域中的每个透射区域在所述平面图中在至少两个相对侧上与多个第二对电极邻接。
29.根据权利要求28所述的显示设备，其中，所述第二形状包括在每一边上具有凹口的矩形，并且其中，所述多个第二对电极中的至少两个第二对电极中的每个第二对电极的至少一边上的凹口在所述平面图中与透射区域邻接，其中，所述至少一个透射区域中的每个透射区域的部分与所述多个第二对电极中的所述至少两个第二对电极中的每个第二对电极的一条边上的凹口对应。
30.根据权利要求28所述的显示设备，所述显示设备还包括：
多个第三对电极，每个第三对电极具有第三形状，其中，所述多个第三对电极中的每个第三对电极在所述平面图中同所述显示区域与所述传感器区域之间的边界邻接，并且与所述多个第一对电极中的至少一个第一对电极或所述多个第二对电极中的至少一个第二对电极叠置。
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