JP2022104577A - 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機デバイスにおける光の透過率を高める。
【解決手段】有機デバイスは、基板と、基板上に位置する第１電極と、第１電極上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０とを備え、基板の法線方向に沿って見た場合、第１占有率を有する第２電極を含む第１表示領域１０１と、第１占有率よりも小さい第２占有率を有する第２電極１４０を含む第２表示領域１０２とを備え、第２表示領域１０２において、第２電極１４０は、第１方向に並ぶ電極ラインを含み、電極ラインは、第１方向に交差する第２方向に並び、有機層に重なり、第１形状を有する第１電極セクション１４１Ａと、第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクション１４１Ｂからなる電極セクションを含む。
【選択図】図３
【解決手段】有機デバイスは、基板と、基板上に位置する第１電極と、第１電極上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０とを備え、基板の法線方向に沿って見た場合、第１占有率を有する第２電極を含む第１表示領域１０１と、第１占有率よりも小さい第２占有率を有する第２電極１４０を含む第２表示領域１０２とを備え、第２表示領域１０２において、第２電極１４０は、第１方向に並ぶ電極ラインを含み、電極ラインは、第１方向に交差する第２方向に並び、有機層に重なり、第１形状を有する第１電極セクション１４１Ａと、第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクション１４１Ｂからなる電極セクションを含む。
【選択図】図３
Description
本開示の実施形態は、有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法に関する。
近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の画素密度を有する。
応答性の良さと、または／および消費電力の低さとを有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、画素を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極の上に付着させることによって、陽極の上に有機層を形成する。続いて、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層の上に付着させることによって、有機層の上に陰極を形成する。
陰極の面積が大きいほど、陰極の電気抵抗が低くなる。一方、陰極の面積が大きいほど、有機デバイスにおける光の透過率が低下する。
本開示の一実施形態による有機デバイスは、基板と、前記基板上に位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２電極と、を備えていてもよい。前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備えていてもよい。前記第２表示領域において、前記有機層は、第１方向に並び、且つ、前記第１方向に交差する第２方向に並んでいてもよい。前記第２表示領域において、前記第２電極は、前記第１方向に並ぶ電極ラインを含んでいてもよい。前記電極ラインは、前記第２方向に並び、前記有機層に重なる電極セクションを含んでいてもよい。前記第２方向において隣接する２つの前記電極セクションは互いに接続されていてもよい。前記電極セクションは、第１形状を有する第１電極セクションと、前記第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクションと、を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態によれば、有機デバイスにおける光の透過率を高めることができる。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによっては互いから区別されない。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
本明細書および本図面において、本開示の実施形態は、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値や要素を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。例えば、「マスク５０Ａ～５０Ｃ」という表現によって画定される範囲は、マスク５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを含んでいる。
本明細書の一実施形態においては、複数のマスクを備えるマスク群が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスク群の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスク群に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。
本開示の第１の態様は、有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
前記第２表示領域において、
前記有機層は、第１方向に並び、且つ、前記第１方向に交差する第２方向に並び、
前記第２電極は、前記第１方向に並ぶ電極ラインを含み、
前記電極ラインは、前記第２方向に並び、前記有機層に重なる電極セクションを含み、
前記第２方向において隣接する２つの前記電極セクションは互いに接続されており、
前記電極セクションは、第１形状を有する第１電極セクションと、前記第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクションと、を含む、有機デバイスである。
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
前記第２表示領域において、
前記有機層は、第１方向に並び、且つ、前記第１方向に交差する第２方向に並び、
前記第２電極は、前記第１方向に並ぶ電極ラインを含み、
前記電極ラインは、前記第２方向に並び、前記有機層に重なる電極セクションを含み、
前記第２方向において隣接する２つの前記電極セクションは互いに接続されており、
前記電極セクションは、第１形状を有する第１電極セクションと、前記第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクションと、を含む、有機デバイスである。
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による有機デバイスにおいて、前記第１電極セクションは、前記有機層に重なる第１画素セクションと、前記第１画素セクションに接続されている第１接続セクションと、を含んでいてもよい。前記第２電極セクションは、前記有機層に重なる第２画素セクションと、前記第２画素セクションに接続されている第２接続セクションと、を含んでいてもよい。前記第１接続セクションの形状は、前記第２接続セクションの形状とは異なっていてもよい。
本開示の第３の態様は、上述した第２の態様による有機デバイスにおいて、前記第１接続セクションの面積は、前記第２接続セクションの面積とは異なっていてもよい。
本開示の第４の態様は、上述した第２の態様または上述した第３の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、前記第１接続セクションは、前記第１画素セクションに接続されている第１接続端と、前記第２方向において前記第１接続端とは反対側に位置する第２接続端と、を含んでいてもよい。前記第１方向における前記第１接続端の位置は、前記第１方向における前記第２接続端の位置と同一であってもよい。前記第２接続セクションは、前記第２画素セクションに接続されている第３接続端と、前記第２方向において前記第３接続端とは反対側に位置する第４接続端と、を含んでいてもよい。前記第１方向における前記第３接続端の位置は、前記第１方向における前記第４接続端の位置とは異なっていてもよい。
本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記第１電極セクションは、前記有機層に重なる第１画素セクションと、前記第１画素セクションに接続されている第１接続セクションと、を含んでいてもよい。前記第２電極セクションは、前記有機層に重なる第２画素セクションと、前記第２画素セクションに接続されている第２接続セクションと、を含んでいてもよい。前記第１画素セクションの形状は、前記第２画素セクションの形状とは異なっていてもよい。
本開示の第６の態様は、上述した第５の態様による有機デバイスにおいて、前記第１画素セクションの面積は、前記第２画素セクションの面積とは異なっていてもよい。
本開示の第７の態様は、上述した第５の態様または上述した第６の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、前記第１方向における前記第１画素セクションの寸法は、前記第１方向における前記第２画素セクションの寸法とは異なっていてもよい。
本開示の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記電極セクションは、前記第２方向において前記第１電極セクションと前記第２電極セクションとが接続されている電極第１接続と、前記第２方向において前記第１電極セクションと前記第１電極セクションとが接続されている電極第２接続と、を含んでいてもよい。
本開示の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記電極セクションは、前記第１方向において前記第１電極セクションと前記第２電極セクションとが並んでいる電極第１並びと、前記第１方向において前記第１電極セクションと前記第１電極セクションとが並んでいる電極第２並びと、を含んでいてもよい。
本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第９の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記電極セクションは、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第３形状を有する第３電極セクションを含んでいてもよい。
本開示の第１１の態様は、マスク第１方向と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向とを有するマスク群であって、
２枚以上のマスクを備え、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、前記マスク第１方向に並ぶ貫通ラインを含み、
前記貫通ラインは、前記マスク第２方向に並ぶ貫通セクションを含み、
前記マスク第２方向において隣接する２つの前記貫通セクションは互いに接続されており、
前記貫通セクションは、第１貫通形状を有する第１貫通セクションと、前記第１貫通形状とは異なる第２貫通形状を有する第２貫通セクションと、を含む、マスク群である。
２枚以上のマスクを備え、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、前記マスク第１方向に並ぶ貫通ラインを含み、
前記貫通ラインは、前記マスク第２方向に並ぶ貫通セクションを含み、
前記マスク第２方向において隣接する２つの前記貫通セクションは互いに接続されており、
前記貫通セクションは、第１貫通形状を有する第１貫通セクションと、前記第１貫通形状とは異なる第２貫通形状を有する第２貫通セクションと、を含む、マスク群である。
本開示の第１２の態様は、上述した第１１の態様によるマスク群において、前記第１貫通セクションは、第１メインセクションと、前記第１メインセクションに接続されている第１サブセクションと、を含んでいてもよい。前記第２貫通セクションは、第２メインセクションと、前記第２メインセクションに接続されている第２サブセクションと、を含んでいてもよい。前記第１サブセクションの形状は、前記第２サブセクションの形状とは異なっていてもよい。
本開示の第１３の態様は、上述した第１２の態様によるマスク群において、前記第１サブセクションの面積は、前記第２サブセクションの面積とは異なっていてもよい。
本開示の第１４の態様は、上述した第１２の態様または上述した第１３の態様のいずれかによるマスク群において、前記第１サブセクションは、前記第１メインセクションに接続されている第５接続端と、前記マスク第２方向において前記第５接続端とは反対側に位置する第６接続端と、を含んでいてもよい。前記マスク第１方向における前記第５接続端の位置は、前記マスク第１方向における前記第６接続端の位置と同一であってもよい。前記第２サブセクションは、前記第２メインセクションに接続されている第７接続端と、前記マスク第２方向において前記第７接続端とは反対側に位置する第８接続端と、を含んでいてもよい。前記マスク第１方向における前記第７接続端の位置は、前記マスク第１方向における前記第８接続端の位置とは異なっていてもよい。
本開示の第１５の態様は、上述した第１１の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによるマスク群において、前記第１貫通セクションは、第１メインセクションと、前記第１メインセクションに接続されている第１サブセクションと、を含んでいてもよい。前記第２貫通セクションは、第２メインセクションと、前記第２メインセクションに接続されている第２サブセクションと、を含んでいてもよい。前記第１メインセクションの形状は、前記第２メインセクションの形状とは異なっていてもよい。
本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様によるマスク群において、前記第１メインセクションの面積は、前記第２メインセクションの面積とは異なっていてもよい。
本開示の第１７の態様は、上述した第１５の態様または上述した第１６の態様のいずれかによるマスク群において、前記マスク第１方向における前記第１メインセクションの寸法は、前記マスク第１方向における前記第２メインセクションの寸法とは異なっていてもよい。
本開示の第１８の態様は、上述した第１１の態様から上述した第１７の態様のそれぞれによるマスク群において、前記貫通セクションは、前記マスク第２方向において前記第１貫通セクションと前記第２貫通セクションとが接続されているマスク第１接続と、前記マスク第２方向において前記第１貫通セクションと前記第１貫通セクションとが接続されているマスク第２接続と、を含んでいてもよい。
本開示の第１９の態様は、上述した第１１の態様から上述した第１８の態様のそれぞれによるマスク群において、前記貫通セクションは、前記マスク第１方向において前記第１貫通セクションと前記第２貫通セクションとが並んでいるマスク第１並びと、前記マスク第１方向において前記第１貫通セクションと前記第１貫通セクションとが並んでいるマスク第２並びと、を含んでいてもよい。
本開示の第２０の態様は、上述した第１１の態様から上述した第１９の態様のそれぞれによるマスク群において、前記貫通セクションは、前記第１貫通形状及び前記第２貫通形状とは異なる第３貫通形状を有する第３貫通セクションを含んでいてもよい。
本開示の第２１の態様は、マスク第１方向と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向とを有するマスクであって、
遮蔽領域と、貫通孔とを備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスクは、第３開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第３領域と、前記第３開口率よりも小さい第４開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第４領域と、を備え、
前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、前記マスク第１方向に第１５周期で並び、
前記マスク第４領域において、前記マスク第１方向において並ぶ２つの前記貫通孔の間の間隔が前記第１５周期よりも大きく、
前記マスク第４領域は、前記マスク第３領域の前記貫通孔とは異なる形状を有する前記貫通孔を含む、マスクである。
遮蔽領域と、貫通孔とを備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスクは、第３開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第３領域と、前記第３開口率よりも小さい第４開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第４領域と、を備え、
前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、前記マスク第１方向に第１５周期で並び、
前記マスク第４領域において、前記マスク第１方向において並ぶ２つの前記貫通孔の間の間隔が前記第１５周期よりも大きく、
前記マスク第４領域は、前記マスク第３領域の前記貫通孔とは異なる形状を有する前記貫通孔を含む、マスクである。
本開示の第２２の態様は、上述した第２１の態様によるマスクにおいて、前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、メイン孔及びサブ孔を含んでいてもよい。前記メイン孔と前記サブ孔との間の間隔は５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、第１タイプ貫通孔及び第２タイプ貫通孔を備えていてもよい。前記第１タイプ貫通孔の前記メイン孔の個数は、前記第２タイプ貫通孔の前記メイン孔の個数と異なっていてもよい。若しくは、前記第１タイプ貫通孔の前記サブ孔の個数は、前記第２タイプ貫通孔の前記サブ孔の個数と異なっていてもよい。
本開示の第２３の態様は、上述した第２２の態様によるマスクにおいて、前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、前記マスク第１方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第１並びと、前記マスク第１方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第１タイプ貫通孔とが並んでいる孔第２並びと、を含んでいてもよい。
本開示の第２４の態様は、上述した第２２の態様または上述した第２３の態様のいずれかによるマスクにおいて、前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、前記マスク第２方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第４並びと、前記マスク第２方向において前記第２タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第５並びと、を含んでいてもよい。
本開示の第２５の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１１乃至２０のいずれか一項に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法である。
基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１１乃至２０のいずれか一項に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法である。
本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
まず、有機デバイス１００について説明する。有機デバイス１００は、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される電極を備える。図１は、有機デバイス１００の基板の法線方向に沿って見た場合の有機デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。
有機デバイス１００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。有機デバイス１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。図１に示すように、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１によって囲まれていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置していてもよい。
図２は、図１の第２表示領域１０２及びその周囲を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。図１及び図２に示す例において、第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に沿って並んでいてもよい。第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に交差する素子第２方向Ｇ２に沿って並んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２は、素子第１方向Ｇ１に直交していてもよい。
有機デバイス１００は、第２電極１４０を備える。第２電極１４０は、後述する有機層１３０の上に位置している。第２電極１４０は、２つ以上の有機層１３０に電気的に接続されていてもよい。例えば、第２電極１４０は、平面視において２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｙとも表す。
第２電極１４０Ｘは第１占有率を有する。第１占有率は、第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第１表示領域１０１の面積で割ることによって算出される。第２電極１４０Ｙは第２占有率を有する。第２占有率は、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第２表示領域１０２の面積で割ることによって算出される。第２占有率は、第１占有率よりも小さくてもよい。例えば図２に示すように、第２表示領域１０２は、非透過領域１０３及び透過領域１０４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっていない。非透過領域１０３は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっている。
第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１占有率に対する第２占有率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。
非透過領域１０３の透過率を、第１透過率とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率とも称する。透過領域１０４が第２電極１４０Ｙを含まないので、第２透過率が第１透過率よりも高い。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。第２表示領域１０２が非透過領域１０３を含むので、素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示できる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。第２表示領域１０２の透過領域１０４の第２透過率が高く、第２占有率が低いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ－ＳＰ２００又は大塚電子株式会社製ＬＣＦシリーズのいずれかを用いることができる。いずれの顕微分光光度計も、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視域で透過率を測定できる。石英又はＴＦＴ液晶用ホウケイ酸ガラス、ＴＦＴ液晶用無アルカリガラスのいずれかをレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉ又はＵＶ－３６００ｉ Ｐｌｕｓのいずれかを用いることができる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉ又はＵＶ－３６００ｉ Ｐｌｕｓのいずれかを用いることができる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。
第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上でもよく、１．５以上でもよく、１．８以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以下でもよく、３以下でもよく、４以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、１．２、１．５及び１．８からなる第１グループ、及び／又は、２、３及び４からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、ＴＲ２／ＴＲ１は、１．２以上４以下でもよく、１．２以上３以下でもよく、１．２以上２以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上４以下でもよく、１．５以上３以下でもよく、１．５以上２以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．８以上４以下でもよく、１．８以上３以下でもよく、１．８以上２以下でもよく、２以上４以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上４以下でもよい。
図２に示すように、第２電極１４０Ｙは、素子第１方向Ｇ１に並ぶ２つ以上の電極ライン１４０Ｌを含んでいてもよい。電極ライン１４０Ｌは、素子第２方向Ｇ２に延びていてもよい。例えば、電極ライン１４０Ｌは、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘに接続されている第１端１４０Ｌ１及び第２端１４０Ｌ２を含んでいてもよい。第２端１４０Ｌ２は、素子第２方向Ｇ２において第１端１４０Ｌ１とは反対の側に位置している。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置している場合、第２電極１４０Ｘに接続されている電極ライン１４０Ｌの端が１つのみであってもよい。
図２に示すように、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの電極ライン１４０Ｌは、互いに接続されていなくてもよい。これにより、透過領域１０４は、電極ライン１４０Ｌによって遮られることなく素子第２方向Ｇ２に広がることができる。このため、素子第２方向Ｇ２において透過領域１０４が周期性を有することを抑制できる。これにより、素子第２方向Ｇ２における各位置で透過領域１０４を透過する光が互いに強め合うことを抑制できる。
図２に示すように、透過領域１０４は、素子第２方向Ｇ２において第２表示領域１０２を横断していてもよい。例えば、電極ライン１４０Ｌは、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘに接する第１端１０４Ｌ１及び第２端１０４Ｌ２を含んでいてもよい。これにより、素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法Ｇ４０をより大きくできる。このため、素子第２方向Ｇ２における各位置で透過領域１０４を透過する光が互いに強め合うことを抑制できる。第２端１０４Ｌ２は、素子第２方向Ｇ２において第１端１０４Ｌ１とは反対の側に位置している。第１端１０４Ｌ１及び第２端１０４Ｌ２は、素子第１方向Ｇ１において電極ライン１４０Ｌの第１端１４０Ｌ１及び第２端１４０Ｌ２に隣接している。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置している場合、素子第２方向Ｇ２において第２電極１４０Ｘに接する透過領域１０４の端が１つのみであってもよい。
素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法Ｇ４０が大きいことにより、有機デバイス１００に到達した光が第２表示領域１０２を透過しやすくなる。例えば、第２表示領域１０２の透過率をより高めることができる。これにより、第２表示領域１０２が光を検出する機能を高めることができる。
全ての透過領域１０４が第２表示領域１０２を横断していなくてもよい。例えば、有機デバイス１００は、素子第２方向Ｇ２において第２表示領域１０２を横断する少なくとも２つの透過領域１０４を含んでいてもよい。例えば、有機デバイス１００は、少なくとも１セットの、互いに接続されていない、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの電極ライン１４０Ｌを含んでいてもよい。
図３は、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘ及び第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙを拡大して示す平面図である。第２電極１４０Ｘ及び第２電極１４０Ｙはいずれも、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。有機層１３０は、素子１１５の一構成要素である。
第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。第１１周期Ｐ１１よりも第１２周期Ｐ１２が大きいことで、第２電極１４０Ｙの第２占有率が小さくなる。これにより、透過領域１０４の面積が大きくなり、センサが受光する光量を増やすことができる。後述するように、第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１と同一であってもよい。
第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、例えば、１．０以上でもよく、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、１．０、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、１．０以上４．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．０以上１．３以下でもよく、１．０以上１．１以下でもよく、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比が小さい場合、第１表示領域１０１の画素密度に対する第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法Ｇ４０は、第１２周期Ｐ１２を基準として定められてもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比は、例えば、２以上でもよく、５以上でもよく、１０以上でもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比は、例えば、１００以下でもよく、３００以下でもよく、１０００以下でもよく、２０００以下でもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比の範囲は、２、５及び１０からなる第１グループ、及び／又は、１００、３００、１０００及び２０００からなる第２グループによって定められてもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比は、２以上３０００以下でもよく、２以上１０００以下でもよく、２以上３００以下でもよく、２以上１００以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、５以上２０００以下でもよく、５以上１０００以下でもよく、５以上３００以下でもよく、５以上１００以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上２０００以下でもよく、１０以上１０００以下でもよく、１０以上３００以下でもよく、１０以上１００以下でもよく、１００以上２０００以下でもよく、１００以上１０００以下でもよく、１００以上３００以下でもよく、３００以上２０００以下でもよく、３００以上１０００以下でもよく、１０００以上２０００以下でもよい。第１２周期Ｐ１２に対する寸法Ｇ４０の比を大きくすることにより、素子第２方向Ｇ２における各位置で透過領域１０４を透過する光が互いに強め合うことを抑制できる。
寸法Ｇ４０は、第２表示領域１０２に位置する全ての透過領域１０４の、素子第２方向Ｇ２における寸法を測定し、それらを平均することにより算出される。
第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。後述するように、第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１と同一であってもよい。
第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、例えば、１．０以上でもよく、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、１．０、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、１．０以上４．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．０以上１．３以下でもよく、１．０以上１．1以下でもよく、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比が小さい方場合、第１表示領域１０１の画素密度に対して第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
電極ライン１４０Ｌは、平面視において、素子第２方向Ｇ２に沿って並ぶ２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。
符号Ｇ１１は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔を表す。間隔Ｇ１１は、透過領域１０４の第２透過率ＴＲ２に応じて定められる。間隔Ｇ１１は有機層１３０の第１１周期Ｐ１１を基準として定められてもよい。
第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比は、例えば、０．３以上でもよく、０．５以上でもよく、１．０以上でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比は、例えば、１．５以下でもよく、２．０以下でもよく、３．０以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比の範囲は、０．３、０．５及び１．０からなる第１グループ、及び／又は、１．５、２．０及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比は、０．３以上３．０以下でもよく、０．３以上２．０以下でもよく、０．３以上１．５以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上３．０以下でもよく、０．５以上２．０以下でもよく、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよい。
間隔Ｇ１１は、例えば、１０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。間隔Ｇ１１は、例えば、２００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、２５０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ１１は、１０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。
好ましくは、間隔Ｇ１１は一定ではない。例えば、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における位置に応じて間隔Ｇ１１が変化してもよい。これにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
間隔Ｇ１１を変化させるための具体的な構成の一例を説明する。図３に示すように、電極ライン１４０Ｌは、素子第２方向Ｇ２に並ぶ２つ以上の電極セクション１４１を含んでいてもよい。電極セクション１４１は、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。例えば、１つの電極セクション１４１が１つの有機層１３０に重なっていてもよい。言い換えると、素子第２方向Ｇ２において電極セクション１４１が上述の第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２において隣接する２つの電極セクション１４１は互いに接続されていてもよい。
電極セクション１４１は、第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂを含んでいてもよい。例えば、電極セクション１４１は、第１電極セクション１４１Ａ又は第２電極セクション１４１Ｂのいずれか一方であってもよい。第１電極セクション１４１Ａは、第１形状を有していてもよい。第２電極セクション１４１Ｂは、第１形状とは異なる第２形状を有していてもよい。すなわち、第２電極セクション１４１Ｂの形状が第１電極セクション１４１Ａの形状とは異なっていてもよい。電極セクション１４１が、互いに異なる形状を有する第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂを含むので、間隔Ｇ１１が位置に依らず一定になることを抑制できる。
電極セクション１４１は、電極第１接続１４４Ａ及び電極第２接続１４４Ｂを含んでいてもよい。電極第１接続１４４Ａは、素子第２方向Ｇ２において接続されている第１電極セクション１４１Ａと第２電極セクション１４１Ｂの組み合わせを意味する。電極第２接続１４４Ｂは、素子第２方向Ｇ２において接続されている２つの第１電極セクション１４１Ａの組み合わせを意味する。
電極セクション１４１は、電極第１並び１４５Ａ及び電極第２並び１４５Ｂを含んでいてもよい。電極第１並び１４５Ａは、素子第１方向Ｇ１において並ぶ第１電極セクション１４１Ａと第２電極セクション１４１Ｂの組み合わせを意味する。電極第２並び１４５Ｂは、素子第１方向Ｇ１において並ぶ２つの第１電極セクション１４１Ａの組み合わせを意味する。
電極セクション１４１は、電極第１並び１４５Ａ、電極第２並び１４５Ｂ及び電極第３並び１４５Ｃを含んでいてもよい。電極第３並び１４５Ｃは、素子第１方向Ｇ１において並ぶ２つの第２電極セクション１４１Ｂの組み合わせを意味する。
第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂは、間隔Ｇ１１が不規則に変化するように配置されていてもよい。例えば、第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂは、フィボナッチ列に基づいて配置されていてもよい。
フィボナッチ列は、Ｓ０Ｓ１Ｓ２Ｓ３Ｓ４Ｓ５Ｓ６Ｓ７Ｓ８Ｓ９…を含む。Ｓｎは、１つ前の文字列と２つ前の文字列とを連結することによって得られる。すなわち、Ｓｎ＝Ｓｎ－１Ｓｎ－２である。ｎは、２以上の整数である。Ｓ０＝Ｌ、Ｓ１＝ＬＳである場合、フィボナッチ列は以下の並びを含む。
LLSLLSLSLLSLLSLSLLSLSLLSLLSLSLLSLLSLSLLSLS…
例えば、第１電極セクション１４１ＡをＬに当てはめ、第２電極セクション１４１ＢをＳに当てはめる。これにより、電極セクション１４１が、素子第２方向Ｇ２に不規則に並ぶ第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂを含むことができる。
LLSLLSLSLLSLLSLSLLSLSLLSLLSLSLLSLLSLSLLSLS…
例えば、第１電極セクション１４１ＡをＬに当てはめ、第２電極セクション１４１ＢをＳに当てはめる。これにより、電極セクション１４１が、素子第２方向Ｇ２に不規則に並ぶ第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂを含むことができる。
第１形状と第２形状との間の具体的な相違点は任意である。例えば、第２形状の面積が、第１形状の面積と異なっていてもよい。例えば、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における第２形状の寸法が、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における第１形状の寸法と異なっていてもよい。例えば、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における第２形状の端部の位置が、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における第１形状の端部の位置と異なっていてもよい。
図４及び図５を参照して、第１電極セクション１４１Ａの形状及び第２電極セクション１４１Ｂの形状の具体例を説明する。図４は、第１電極セクション１４１Ａの一例を示す平面図である。図５は、第２電極セクション１４１Ｂの一例を示す平面図である。
図４に示すように、第１電極セクション１４１Ａは、第１画素セクション１４２Ａ及び第１接続セクション１４３Ａを含んでいてもよい。第１画素セクション１４２Ａは、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。第１接続セクション１４３Ａは、第１画素セクション１４２Ａに接続されていてもよい。第１接続セクション１４３Ａは、第１接続端１４３Ａ１及び第２接続端１４３Ａ２を含んでいてもよい。第１接続端１４３Ａ１は、第１画素セクション１４２Ａに接続されている。第２接続端１４３Ａ２は、素子第２方向Ｇ２において第１接続端１４３Ａ１とは反対側に位置している。
図５に示すように、第２電極セクション１４１Ｂは、第２画素セクション１４２Ｂ及び第２接続セクション１４３Ｂを含んでいてもよい。第２画素セクション１４２Ｂは、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。第２接続セクション１４３Ｂは、第２画素セクション１４２Ｂに接続されていてもよい。第２接続セクション１４３Ｂは、第３接続端１４３Ｂ１及び第４接続端１４３Ｂ２を含んでいてもよい。第３接続端１４３Ｂ１は、第２画素セクション１４２Ｂに接続されている。第４接続端１４３Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第３接続端１４３Ｂ１とは反対側に位置している。
第１接続セクション１４３Ａの形状が、第２接続セクション１４３Ｂの形状と異なっていてもよい。
例えば、第１接続セクション１４３Ａの面積が、第２接続セクション１４３Ｂの面積と異なっていてもよい。図４及び図５に示す例において、第１接続セクション１４３Ａの面積は、第２接続セクション１４３Ｂのよりも小さい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第１接続セクション１４３Ａの寸法Ｗ２Ａの平均値が、素子第１方向Ｇ１における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｗ２Ｂの平均値と異なっていてもよい。図４及び図５に示す例において、寸法Ｗ２Ａの平均値は寸法Ｗ２Ｂの平均値よりも小さい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置が、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置と異なっていてもよい。「位置」は、平面視において電極セクション１４１と重なる有機層１３０に対する相対的な位置を意味していてもよい。図４に示す例において、素子第１方向Ｇ１における第１接続端１４３Ａ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置と同一である。図５に示す例において、素子第１方向Ｇ１における第３接続端１４３Ｂ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置とは異なる。図４及び図５に示すように、素子第１方向Ｇ１における第１接続端１４３Ａ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第３接続端１４３Ｂ１の位置と同一である。一方、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置は、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置とは異なる。「位置が同一」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、第１１周期Ｐ１１／４以下であることを意味する。「位置が異なる」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、第１１周期Ｐ１１／４よりも大きいことを意味する。
例えば、第１接続セクション１４３Ａの面積が、第２接続セクション１４３Ｂの面積と異なっていてもよい。図４及び図５に示す例において、第１接続セクション１４３Ａの面積は、第２接続セクション１４３Ｂのよりも小さい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第１接続セクション１４３Ａの寸法Ｗ２Ａの平均値が、素子第１方向Ｇ１における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｗ２Ｂの平均値と異なっていてもよい。図４及び図５に示す例において、寸法Ｗ２Ａの平均値は寸法Ｗ２Ｂの平均値よりも小さい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置が、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置と異なっていてもよい。「位置」は、平面視において電極セクション１４１と重なる有機層１３０に対する相対的な位置を意味していてもよい。図４に示す例において、素子第１方向Ｇ１における第１接続端１４３Ａ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置と同一である。図５に示す例において、素子第１方向Ｇ１における第３接続端１４３Ｂ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置とは異なる。図４及び図５に示すように、素子第１方向Ｇ１における第１接続端１４３Ａ１の位置は、素子第１方向Ｇ１における第３接続端１４３Ｂ１の位置と同一である。一方、素子第１方向Ｇ１における第２接続端１４３Ａ２の位置は、素子第１方向Ｇ１における第４接続端１４３Ｂ２の位置とは異なる。「位置が同一」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、第１１周期Ｐ１１／４以下であることを意味する。「位置が異なる」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、第１１周期Ｐ１１／４よりも大きいことを意味する。
素子第１方向Ｇ１における第１接続セクション１４３Ａの寸法Ｗ２Ａの平均値は、素子第１方向Ｇ１における第１画素セクション１４２Ａの寸法Ｗ１Ａの平均値よりも小さくてもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比は、例えば、０．７以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比の範囲は、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．７、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比は、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．９以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。
素子第２方向Ｇ２における第１接続セクション１４３Ａの寸法Ｌ２Ａは、素子第２方向Ｇ２における第１画素セクション１４２Ａの寸法Ｌ１Ａに応じて定められていてもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比は、例えば、０．２以上でもよく、０．６以上でもよく、０．９以上でもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比は、例えば、２．０以下でもよく、２．５以下でもよく、３．０以下でもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比の範囲は、０．２、０．６及び０．９からなる第１グループ、及び／又は、２．０、２．５及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比は、０．２以上３．０以下でもよく、０．２以上２．５以下でもよく、０．２以上２．０以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．６以上３．０以下でもよく、０．６以上２．５以下でもよく、０．６以上２．０以下でもよく、０．６以上０．９以下でもよく、０．９以上３．０以下でもよく、０．９以上２．５以下でもよく、０．９以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、２．０以上２．５以下でもよく、２．５以上３．０以下でもよい。比は、例えば、寸法Ｌ１Ａの最大値に対する寸法Ｌ２Ａの最大値の比である。
素子第１方向Ｇ１における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｗ２Ｂの平均値は、素子第１方向Ｇ１における第２画素セクション１４２Ｂの寸法Ｗ１Ｂの平均値よりも小さくてもよい。寸法Ｗ１Ｂの平均値に対する寸法Ｗ２Ｂの平均値の比の範囲としては、上述の「寸法Ｗ１Ａの平均値に対する寸法Ｗ２Ａの平均値の比の範囲」を採用できる。
素子第２方向Ｇ２における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｌ２Ｂは、素子第２方向Ｇ２における第２画素セクション１４２Ｂの寸法Ｌ１Ｂに応じて定められていてもよい。寸法Ｌ１Ｂに対する寸法Ｌ２Ｂの比の範囲としては、上述の「寸法Ｌ１Ａに対する寸法Ｌ２Ａの比の範囲」を採用できる。
第２電極１４０の層構成について説明する。図６は、図３の有機デバイス１００において符号VIが付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。
第２電極１４０は、複数の層を含んでいてもよい。例えば、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃはそれぞれ、後述する第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって形成される層である。
第１層１４０Ａは、第１メイン電極１４０Ａ１及び第１サブ電極１４０Ａ２を含んでいてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積は、第１サブ電極１４０Ａ２の面積よりも大きくてもよい。
第２層１４０Ｂは、第２メイン電極１４０Ｂ１及び第２サブ電極１４０Ｂ２を含んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１の面積は、第２サブ電極１４０Ｂ２の面積よりも大きくてもよい。
第３層１４０Ｃは、第３メイン電極１４０Ｃ１及び第３サブ電極１４０Ｃ２を含んでいてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１の面積は、第３サブ電極１４０Ｃ２の面積よりも大きくてもよい。
第２層１４０Ｂは、第２メイン電極１４０Ｂ１及び第２サブ電極１４０Ｂ２を含んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１の面積は、第２サブ電極１４０Ｂ２の面積よりも大きくてもよい。
第３層１４０Ｃは、第３メイン電極１４０Ｃ１及び第３サブ電極１４０Ｃ２を含んでいてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１の面積は、第３サブ電極１４０Ｃ２の面積よりも大きくてもよい。
第１メイン電極１４０Ａ１は、素子第２方向Ｇ２において第２メイン電極１４０Ｂ１及び第３メイン電極１４０Ｃ１に接続されていてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１は、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第１メイン電極１４０Ａ１は、後述する第２有機層１３０Ｂと重なっていてもよい。
第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第１方向Ｇ１において第２メイン電極１４０Ｂ１又は第３メイン電極１４０Ｃ１に接続されていてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第２方向Ｇ２において第２サブ電極１４０Ｂ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２は、平面視において有機層１３０と重なっていなくてもよい。影響
第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第１メイン電極１４０Ａ１と並んでいてもよい。
第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第１方向Ｇ１において第２メイン電極１４０Ｂ１又は第３メイン電極１４０Ｃ１に接続されていてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第２方向Ｇ２において第２サブ電極１４０Ｂ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２は、平面視において有機層１３０と重なっていなくてもよい。影響
第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第１メイン電極１４０Ａ１と並んでいてもよい。
素子第３方向Ｇ３は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２の両方に対して交差する方向である。素子第３方向Ｇ３が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、例えば３０°以上６０°以下である。素子第４方向Ｇ４は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２の両方に対して交差する方向である。素子第４方向Ｇ４が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、例えば３０°以上６０°以下である。素子第３方向Ｇ３は、素子第４方向Ｇ４に対して交差している。例えば、素子第３方向Ｇ３は、素子第４方向Ｇ４に直交していてもよい。
符号Ｇ４１は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４における第１メイン電極１４０Ａ１と第１サブ電極１４０Ａ２との間の間隔を表す。間隔Ｇ４１は、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよい。間隔Ｇ４１は、例えば、３０μｍ以下でもよく、３５μｍ以下でもよく、４０μｍ以下でもよい。間隔Ｇ４１の範囲は、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、３０μｍ、３５μｍ及び４０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ４１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ４１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ４１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ４１は、５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、３５μｍ以上４０μｍ以下でもよい。
第２メイン電極１４０Ｂ１は、素子第２方向Ｇ２において第１メイン電極１４０Ａ１及び第３メイン電極１４０Ｃ１に接続されていてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１は、平面視において有機層１３０と重なっていなくてもよい。
第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１又は第３メイン電極Ｃ１に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第１サブ電極１４０Ａ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２は、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第２サブ電極１４０Ｂ２は、後述する第１有機層１３０Ａと重なっていてもよい。
第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第２メイン電極１４０Ｂ１と並んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１と第２サブ電極１４０Ｂ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４１の範囲を採用できる。
第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１又は第３メイン電極Ｃ１に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第１サブ電極１４０Ａ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２は、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第２サブ電極１４０Ｂ２は、後述する第１有機層１３０Ａと重なっていてもよい。
第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第２メイン電極１４０Ｂ１と並んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１と第２サブ電極１４０Ｂ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４１の範囲を採用できる。
第３メイン電極１４０Ｃ１は、素子第２方向Ｇ２において第１メイン電極１４０Ａ１及び第２メイン電極１４０Ｂ１に接続されていてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１は、平面視において有機層１３０と重なっていなくてもよい。
第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１又は第２メイン電極Ｂ１に接続されていてもよい。第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第２方向Ｇ２において第１サブ電極１４０Ａ２及び第２サブ電極１４０Ｂ２に接続されていてもよい。第３サブ電極１４０Ｃ２は、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第３サブ電極１４０Ｃ２は、後述する第３有機層１３０Ｃと重なっていてもよい。
第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第３メイン電極１４０Ｃ１と並んでいてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１と第３サブ電極１４０Ｃ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４１の範囲を採用できる。
第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１又は第２メイン電極Ｂ１に接続されていてもよい。第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第２方向Ｇ２において第１サブ電極１４０Ａ２及び第２サブ電極１４０Ｂ２に接続されていてもよい。第３サブ電極１４０Ｃ２は、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第３サブ電極１４０Ｃ２は、後述する第３有機層１３０Ｃと重なっていてもよい。
第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において第３メイン電極１４０Ｃ１と並んでいてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１と第３サブ電極１４０Ｃ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４１の範囲を採用できる。
第１電極セクション１４１Ａは、第１メイン電極１４０Ａ１、第２メイン電極１４０Ｂ１、第３メイン電極１４０Ｃ１、第２サブ電極１４０Ｂ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２を含んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１は、素子第２方向Ｇ２において第１メイン電極１４０Ａ１と第３メイン電極１４０Ｃ１との間に位置していてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１は、素子第２方向Ｇ２において第１メイン電極１４０Ａ１及び第３メイン電極１４０Ｃ１に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２及び第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１に接続されていてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。
第２電極セクション１４１Ｂは、第１メイン電極１４０Ａ１、第２メイン電極１４０Ｂ１、第１サブ電極１４０Ａ２、２つの第２サブ電極１４０Ｂ２及び２つの第３サブ電極１４０Ｃ２を含んでいてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１は、素子第２方向Ｇ２において第１メイン電極１４０Ａ１に接続されていてもよい。第１の第２サブ電極１４０Ｂ２及び第１の第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第１方向Ｇ１において第１メイン電極１４０Ａ１に接続されていてもよい。第１の第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第１の第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第２の第３サブ電極１４０Ｃ２は、素子第２方向Ｇ２において第２メイン電極１４０Ｂ１に接続されていてもよい。第２の第２サブ電極１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第２の第３サブ電極１４０Ｃ２に接続されていてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２は、素子第２方向Ｇ２において第２の第２サブ電極１４０Ｂ２に接続されていてもよい。
第１表示領域１０１においては、素子第２方向Ｇ２に沿って、第１メイン電極１４０Ａ１、第２メイン電極１４０Ｂ１及び第３メイン電極１４０Ｃ１が繰り返し並んでいてもよい。第１表示領域１０１においては、素子第２方向Ｇ２に沿って、第３サブ電極１４０Ｃ２、第２サブ電極１４０Ｂ２及び第１サブ電極１４０Ａ２が繰り返し並んでいてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１、第２メイン電極１４０Ｂ１及び第３メイン電極１４０Ｃ１の列と、第３サブ電極１４０Ｃ２、第２サブ電極１４０Ｂ２及び第１サブ電極１４０Ａ２の列とが、素子第１方向Ｇ１において接続されていてもよい。
第２電極１４０の２つの層は、部分的に重なっていてもよい。平面視において第２電極１４０の複数の層が重なっている領域のことを、電極重なり領域１４８とも称する。本実施の形態において、電極重なり領域１４８は、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なっている領域、第１層１４０Ａと第３層１４０Ｃとが重なっている領域、又は、第２層１４０Ｂと第３層１４０Ｃとが重なっている領域を含む。
電極重なり領域１４８の面積は、第１層１４０Ａの面積よりも小さくてもよい。例えば、電極重なり領域１４５の面積は、第１メイン電極１４０Ａ１の面積よりも小さくてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比は、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。
電極重なり領域１４５の面積は、第１サブ電極１４０Ａ２の面積よりも小さくてもよい。第１サブ電極１４０Ａ２の面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比」の範囲を採用できる。
電極重なり領域１４５の面積は、第２メイン電極１４０Ｂ１の面積よりも小さくてもよい。第２メイン電極１４０Ｂ１の面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比」の範囲を採用できる。
電極重なり領域１４５の面積は、第２サブ電極１４０Ｂ２の面積よりも小さくてもよい。第２サブ電極１４０Ｂ２の面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比」の範囲を採用できる。
電極重なり領域１４５の面積は、第３メイン電極１４０Ｃ１の面積よりも小さくてもよい。第３メイン電極１４０Ｃ１の面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比」の範囲を採用できる。
電極重なり領域１４５の面積は、第３サブ電極１４０Ｃ２の面積よりも小さくてもよい。第３サブ電極１４０Ｃ２の面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン電極１４０Ａ１の面積に対する電極重なり領域１４８の面積の比」の範囲を採用できる。
図７は、図６の有機デバイス１００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。以下の説明において、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する有機層の構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。
平面視における第２電極１４０及び有機層１３０の配置は、高倍率のデジタルマイクロスコープを用いて有機デバイス１００を観察することによって検出される。検出結果に基づいて、上述の占有率、面積、寸法、間隔などを算出できる。有機デバイス１００がカバーガラスなどのカバーを備える場合、カバーを剥がすこと、又は破壊することなどによってカバーを取り除いた後、第２電極１４０及び有機層１３０を観察してもよい。デジタルマイクロスコープではなく走査型電子顕微鏡を用いても良い。
次に、有機デバイス１００の層構成の一例について説明する。図８は、図６の有機デバイスのＡ－Ａ線に沿った断面図である。図９は、図６の有機デバイスのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。
有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。
有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。
絶縁層１６０は、平面視において電極重なり領域１４８に重なっていてもよい。例えば、平面視において、電極重なり領域１４８が、絶縁層１６０の輪郭によって囲まれていてもよい。
電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の複数の層を含む。このため、電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の１つの層に比べて低い透過率を有する。電極重なり領域１４８を透過した光が有機デバイス１００から出射すると、光の強度にムラが生じることがある。絶縁層１６０が電極重なり領域１４８に重なることにより、光の強度にムラが生じることを抑制できる。
絶縁層１６０は、平面視において電極重なり領域１４８に重なっていてもよい。例えば、平面視において、電極重なり領域１４８が、絶縁層１６０の輪郭によって囲まれていてもよい。
電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の複数の層を含む。このため、電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の１つの層に比べて低い透過率を有する。電極重なり領域１４８を透過した光が有機デバイス１００から出射すると、光の強度にムラが生じることがある。絶縁層１６０が電極重なり領域１４８に重なることにより、光の強度にムラが生じることを抑制できる。
有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、スイッチを備えていてもよい。スイッチは、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されている。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。
基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。
基板１１０が、所定の透明性を有する場合、基板１１０の透明性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定することができる。
基板１１０は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて基板１１０を適宜選択することができる。
基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板、無アルカリガラス等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。
基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。また、基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。
素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。
第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。
第１電極１２０を構成する材料としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属；ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いることができる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いることができる。
有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。
第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子とも称する。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子はそれぞれサブピクセルである。
以下の説明において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子に共通する素子の構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。
第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。
有機層１３０が、通電により光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。
発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。
発光材料としては、公知の材料を用いることができ、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を用いることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いることができる。
発光層は、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。また、ドーパントとして、白金やイリジウム等の重金属イオンを中心に有し、燐光を示す有機金属錯体を使用することもできる。ドーパントは、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
また、発光材料およびドーパントしては、例えば、特開２０１０－２７２８９１号公報の［００９４］～［００９９］や、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［００５３］～［００５７］に記載の材料も用いることができる。
発光層の膜厚は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる膜厚であれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ以上とすることができ、また、５００ｎｍ以下とすることができる。
正孔注入輸送層に用いられる正孔注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フェニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリルアミン誘導体等を用いることができる。また、スピロ化合物、フタロシアニン化合物、金属酸化物等を例示することができる。また、例えば、特開２０１１－１１９６８１号公報、国際公開第２０１２／０１８０８２号、特開２０１２－０６９９６３号公報、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［０１０６］に記載の化合物も適宜選択して用いることができる。
なお、正孔注入輸送層が、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものである場合には、正孔注入層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔注入層および正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよい。添加剤Ａは、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。具体的には、フッ素系化合物、エステル系化合物、炭化水素系化合物等を用いることができる。
電子注入輸送層に用いられる電子注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、アルカリ金属類、アルカリ金属の合金、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属類、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の有機錯体、マグネシウムのハロゲン化物や酸化物、酸化アルミニウム等を用いることができる。また、電子注入輸送性材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリノール錯体等の金属錯体、フタロシアニン化合物、ジスチリルピラジン誘導体等を用いることができる。
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層とすることもできる。電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の金属錯体、及びこれらの高分子誘導体等を用いることができる。また、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等を用いることができる。
第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いることができる。
第２電極１４０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第２電極１４０の厚みは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２電極１４０の厚みは、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
電極１４０の厚みが小さいほど、電極１４０の透過率が高くなり、非透過領域１０３の透過率も高くなる。非透過領域１０３に入射した光も、非透過領域１０３の透過率に応じてセンサに到達できる。非透過領域１０３の透過率を高くすることにより、センサが受光する光量を増やすことができる。
電極１４０の厚みが小さいほど、電極１４０の透過率が高くなり、非透過領域１０３の透過率も高くなる。非透過領域１０３に入射した光も、非透過領域１０３の透過率に応じてセンサに到達できる。非透過領域１０３の透過率を高くすることにより、センサが受光する光量を増やすことができる。
基板１１０の厚み、第２電極１４０の厚みなどの、有機デバイス１００の各構成要素の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定できる。
次に、上述の有機デバイス１００の第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法を説明する。図１０は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する
蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、導電性材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。
図１０に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、第１フレーム面４１ａと、第２フレーム面４１ｂと、を含んでいてもよい。第１フレーム面４１ａにはマスク５０が固定されていてもよい。第２フレーム面４１ｂは、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する。また、フレーム４１は、開口４２を含んでいてもよい。開口４２は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通している。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。これにより、マスク５０が撓むことを抑制できる。
マスク５０としては、後述する第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ又は第３マスク５０Ｃが用いられてもよい。以下の説明において、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃに共通するマスクの構成を説明する場合には、「マスク５０」という用語及び符号を用いる。後述する貫通孔、遮蔽領域などのマスクの構成要素についても同様に、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃに共通する内容を説明する場合には、符号として、「５３」、「５４」などの、アルファベットが付されていない、数字のみの符号を用いる。一方、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃのそれぞれに特有の内容を説明する場合には、数字の後に「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」などの対応するアルファベットを付した符号を用いることもある。
マスク装置４０のマスク５０は、基板１１０に対面している。基板１１０は、蒸着材料７を付着させる対象物である。基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。第１面１１１は、マスク５０に対向している。マスク５０は、複数の貫通孔５３を含む。貫通孔５３は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。貫通孔５３を通過した蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク５０は、第１面５１ａ及び第２面５１ｂを含む。第１面５１ａは、第１面１１１に対向している。第２面５１ｂは、第１面５１ａの反対側に位置する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ貫通している。
蒸着装置１０は、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御してもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。
蒸着装置１０は、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。
基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整できる。
蒸着装置１０は、冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、基板１１０の第２面１１２側に配置されていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。
蒸着装置１０は、第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、冷却板４に重ねられていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制できる。このため、第２電極１４０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって第２電極１４０の厚みが不均一になる現象のことである。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。
次に、マスク装置４０について説明する。図１１は、マスク装置４０を示す平面図である。マスク装置４０は、２枚以上のマスク５０を備えていてもよい。マスク５０は、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。
フレーム４１は、一対の第１辺４１１と、一対の第２辺４１２と、を含む。フレーム４１は、矩形の輪郭を有していてもよい。第１辺４１１には、張力を加えられた状態のマスク５０が固定されていてもよい。第１辺４１１は、第２辺４１２よりも長くてもよい。フレーム４１は、一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２によって囲まれている開口４２を含んでいてもよい。
マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３及び遮蔽領域５４を含む。マスク５０は、２つ以上のセル５２を含んでいてもよい。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。１つのセル５２が複数の表示領域に対応していてもよい。マスク５０は、セル５２の間に位置する遮蔽領域５４を含んでいてもよい。図示はしないが、マスク５０は、セル５２の間に位置する貫通孔５３を含んでいてもよい。
セル５２は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形の輪郭を有していてもよい。各セル５２は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば各セル５２は、円形の輪郭を有していてもよい。
図１２は、マスク５０の一例を拡大して示す平面図である。マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第１方向Ｄ１に交差するマスク第２方向Ｄ２を有する。マスク第１方向Ｄ１は、マスク第２方向Ｄ２に直交していてもよい。マスク第１方向Ｄ１が素子第１方向Ｇ１に対応し、マスク第２方向Ｄ２が素子第２方向Ｇ２に対応していてもよい。
マスク５０は、貫通孔５３及び遮蔽領域５４を備える。貫通孔５３は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。
第１面５１ａの法線方向に沿ってマスク５０を見た場合、マスク５０は、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を備える。マスク第３領域Ｍ３は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第４領域Ｍ４は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。
マスク第３領域Ｍ３において、貫通孔５３は第３開口率を有する。第３開口率は、マスク第３領域Ｍ３に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第３領域Ｍ３の面積で割ることによって算出される。マスク第４領域Ｍ４において、貫通孔５３は第４開口率を有する。第４開口率は、マスク第４領域Ｍ４に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第４領域Ｍ４の面積で割ることによって算出される。第４開口率は、第３開口率よりも小さくてもよい。
第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第３開口率に対する第４開口率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。
マスク５０は、アライメントマーク５０Ｍを有していてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばマスク５０のセル５２の隅に形成されている。アライメントマーク５０Ｍは、マスク５０を用いて蒸着法によって基板１１０に第２電極１４０を形成する工程において、基板１１０に対するマスク５０の位置合わせのために利用されてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばフレーム４１と重なる位置に形成されても良い。マスク装置４０を作製する際、マスク５０とフレーム４１の位置合わせのためにアライメントマーク５０Ｍを使用しても良い。
第２電極１４０を形成する工程においては、複数のマスク５０が用いられてもよい。例えば図１３に示すように、マスク５０は、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備えていてもよい。第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃは、異なるマスク装置４０を構成してもよい。第１マスク５０Ａを備えるマスク装置４０を第１マスク装置４０Ａとも称する。第２マスク５０Ｂを備えるマスク装置４０を第２マスク装置４０Ｂとも称する。第３マスク５０Ｃを備えるマスク装置４０を第３マスク装置４０Ｃとも称する。
第２電極１４０を形成する工程においては、例えば、蒸着装置１０において第１マスク装置４０Ａを用いて基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する。続いて、蒸着装置１０において第２マスク装置４０Ｂを用いて基板１１０に第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する。続いて、蒸着装置１０において第３マスク装置４０Ｃを用いて基板１１０に第２電極１４０の第３層１４０Ｃを形成する。このように、有機デバイス１００の第２電極１４０を形成する工程においては、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ、第３マスク５０Ｃなどの複数のマスク５０が順に用いられる。有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するために用いられる複数のマスク５０の群のことを、「マスク群」とも称する。
図１４は、マスク５０の断面構造の一例を示す図である。マスク５０は、金属板５１に形成されている複数の貫通孔５３を有する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ金属板５１を貫通している。
貫通孔５３は、第１凹部５３１及び第２凹部５３２を含んでいてもよい。第１凹部５３１は、第１面５１ａ側に位置する。第２凹部５３２は、第２面５１ｂ側に位置する。第１凹部５３１は、金属板５１の厚み方向において第２凹部５３２に接続されている。
平面視において、第２凹部５３２の寸法ｒ２は、第１凹部５３１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５３１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５３２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第１凹部５３１と第２凹部５３２とは接続部５３３において接続されている。
符号５３４は、貫通部を表す。平面視における貫通孔５３の開口面積は、貫通部５３４において最小になる。貫通部５３４は接続部５３３によって画定されてもよい。
マスク５０を用いた蒸着法においては、第２面５１ｂ側から第１面５１ａ側へ貫通孔５３の貫通部５３４を通過した蒸着材料７が基板１１０に付着することによって、基板１１０に上述の第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ、第３層１４０Ｃなどの層が形成される。基板１１０に形成される層の、基板１１０の面内方向における輪郭は、平面視における貫通部５３４の輪郭によって定まる。後述する図１５～図２１などの平面図において示されている貫通孔５３の輪郭は、貫通部５３４の輪郭である。貫通孔５３の面積は、貫通部５３４の面積であってもよい。平面視における貫通孔５３の寸法は、貫通部５３４の寸法ｒであってもよい。
貫通部５３４以外の金属板５１の領域は、基板１１０に向かう蒸着材料７を遮蔽することができる。貫通部５３４以外の金属板５１の領域のことを、遮蔽領域５４とも称する。図１２、図１３、図１５、図１７、図１８などのマスク５０の平面図においては、遮蔽領域５４に斜線の網掛けが施されている。
マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域５４は、金属板５１を貫通しない凹部を含んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４に凹部を設けることにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性を低下させることができる。これにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性とマスク第３領域Ｍ３の剛性との間の差を低減できる。このため、剛性の差に起因してマスク５０に皺が生じることを抑制できる。皺は、例えば、マスク５０に張力を加える時に生じやすい。
マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域５４は、金属板５１を貫通しない凹部を含んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４に凹部を設けることにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性を低下させることができる。これにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性とマスク第３領域Ｍ３の剛性との間の差を低減できる。このため、剛性の差に起因してマスク５０に皺が生じることを抑制できる。皺は、例えば、マスク５０に張力を加える時に生じやすい。
マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、マスク５０の厚みＴは、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用することができる。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いることができる。
貫通孔５３の断面形状は、図１４に示す形状には限られない。また、貫通孔５３の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５３が生じるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。
マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いることができる。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。
次に、第１マスク５０Ａについて詳細に説明する。図１５は、第１マスク５０Ａのマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５３Ａ及び第１遮蔽領域５４Ａを備える。第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。
マスク第３領域Ｍ３において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｄ１に沿って第１５周期Ｐ１５で並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｄ１に沿って第１６周期Ｐ１６で並んでいてもよい。第１６周期Ｐ１６は、第１５周期Ｐ１５よりも大きくてもよい。
第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比は、例えば、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比の範囲は、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１５周期Ｐ１５に対する第１６周期Ｐ１６の比は、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。
符号Ｇ１５は、マスク第４領域Ｍ４に位置し、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの間の間隔を表す。間隔Ｇ１５は、マスク第３領域Ｍ３に位置する第１貫通孔５３Ａの第１５周期Ｐ１５を基準として定められてもよい。
第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比は、例えば、０．３以上でもよく、０．５以上でもよく、１．０以上でもよい。第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比は、例えば、１．５以下でもよく、２．０以下でもよく、３．０以下でもよい。第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比の範囲は、０．３、０．５及び１．０からなる第１グループ、及び／又は、１．５、２．０及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１５周期Ｐ１５に対する間隔Ｇ１５の比は、０．３以上３．０以下でもよく、０．３以上２．０以下でもよく、０．３以上１．５以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上３．０以下でもよく、０．５以上２．０以下でもよく、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよい。
間隔Ｇ１５は、例えば、１０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。間隔Ｇ１５は、例えば、２００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。間隔Ｇ１５の範囲は、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、２５０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ１５は、１０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。
マスク第３領域Ｍ３において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第２方向Ｄ２に沿って第２５周期Ｐ２５で並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第２方向Ｄ２に沿って第２６周期Ｐ２６で並んでいてもよい。第２６周期Ｐ２６は、第２５周期Ｐ２５と同一であってもよく、異なっていてもよい。
マスク第３領域Ｍ３に位置する第１貫通孔５３Ａは、第１メイン孔５３Ａ１及び第１サブ孔５３Ａ２を含んでいてもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積は、第１サブ孔５３Ａ２の面積よりも大きくてもよく、同じでも良い。
図１６は、第１貫通孔５３Ａを拡大して示す平面図である。第１サブ孔５３Ａ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第１メイン孔５３Ａ１と並んでいてもよい。例えば、第１貫通孔５３Ａは、第１メイン孔５３Ａ１と、マスク第３方向Ｄ３において第１メイン孔５３Ａ１と並ぶ第１サブ孔５３Ａ２と、マスク第４方向Ｄ４において第１メイン孔５３Ａ１と並ぶ第１サブ孔５３Ａ２と、を含んでいてもよい。
マスク第３方向Ｄ３は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２の両方に対して交差する方向である。マスク第３方向Ｄ３がマスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。マスク第４方向Ｄ４は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２の両方に対して交差する方向である。マスク第４方向Ｄ４がマスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。マスク第３方向Ｄ３は、マスク第４方向Ｄ４に対して交差している。例えば、マスク第３方向Ｄ３は、マスク第４方向Ｄ４に直交していてもよい。マスク第３方向Ｄ３が素子第３方向Ｇ３に対応し、マスク第４方向Ｄ４が素子第４方向Ｇ４に対応していてもよい。
符号Ｇ４５は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４における第１メイン孔５３Ａ１と第１サブ孔５３Ａ２との間の間隔を表す。間隔Ｇ４５は、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよい。間隔Ｇ４５は、例えば、３０μｍ以下でもよく、３５μｍ以下でもよく、４０μｍ以下でもよい。間隔Ｇ４５の範囲は、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、３０μｍ、３５μｍ及び４０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ４５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ４５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ４５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ４５は、５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下でもよく、３５μｍ以上４０μｍ以下でもよい。
マスク第４領域Ｍ４に位置する第１貫通孔５３Ａは、マスク第３領域Ｍ３に位置する第１貫通孔５３Ａとは異なる形状を有していてもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４に位置する第１貫通孔５３Ａは、第１タイプ貫通孔５３ＡＡ又は第２タイプ貫通孔５３ＡＢを含んでいてもよい。第１タイプ貫通孔５３ＡＡは、第１メイン孔５３Ａ１又は第１サブ孔５３Ａ２の少なくともいずれか一方を含む。第２タイプ貫通孔５３ＡＢも、第１メイン孔５３Ａ１又は第１サブ孔５３Ａ２の少なくともいずれか一方を含む。
第１タイプ貫通孔５３ＡＡの第１メイン孔５３Ａ１の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＡＢの第１メイン孔５３Ａ１の個数と異なっている。若しくは、第１タイプ貫通孔５３ＡＡの第１サブ孔５３Ａ２の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＡＢの第１サブ孔５３Ａ２の個数と異なっている。例えば、第１タイプ貫通孔５３ＡＡは、１つの第１メイン孔５３Ａ１を含む。第１タイプ貫通孔５３ＡＡは、第１サブ孔５３Ａ２を含んでいなくてもよい。第２タイプ貫通孔５３ＡＢは、１つの第１メイン孔５３Ａ１及び１つの第１サブ孔５３Ａ２を含む。１つの第１サブ孔５３Ａ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第１メイン孔５３Ａ１と並んでいてもよい。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第１並び５３Ａ＿１、孔第２並び５３Ａ＿２及び孔第３並び５３Ａ＿３のうちの少なくとも２つを含んでいてもよい。孔第１並び５３Ａ＿１は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＡＡと第２タイプ貫通孔５３ＡＢの組み合わせを意味する。孔第２並び５３Ａ＿２は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＡＡの組み合わせを意味する。孔第３並び５３Ａ＿３は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＡＢの組み合わせを意味する。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第４並び５３Ａ＿４及び孔第５並び５３Ａ＿５を含んでいてもよい。孔第４並び５３Ａ＿４は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＡＡと第２タイプ貫通孔５３ＡＢの組み合わせを意味する。孔第５並び５３Ａ＿５は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＡＡの組み合わせを意味する。図示はしないが、マスク第４領域Ｍ４は、孔第６並び５３Ａ＿６を含んでいてもよい。孔第６並び５３Ａ＿６は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＡＢの組み合わせを意味する。
図１７を参照して、第２マスク５０Ｂについて説明する。第１マスク５０Ａと同様に構成される第２マスク５０Ｂの部分については、重複する説明を省略する場合がある。
第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｂを備える。第２貫通孔５３Ｂは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。
マスク第３領域Ｍ３に位置する第２貫通孔５３Ｂは、第２メイン孔５３Ｂ１及び第２サブ孔５３Ｂ２を含んでいてもよい。第２メイン孔５３Ｂ１の面積は、第２サブ孔５３Ｂ２の面積よりも大きくてもよく、同じでも良い。
第２サブ孔５３Ｂ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第２メイン孔５３Ｂ１と並んでいてもよい。例えば、第２貫通孔５３Ｂは、第２メイン孔５３Ｂ１と、マスク第３方向Ｄ３において第２メイン孔５３Ｂ１と並ぶ第２サブ孔５３Ｂ２と、マスク第４方向Ｄ４において第２メイン孔５３Ｂ１と並ぶ第２サブ孔５３Ｂ２と、を含んでいてもよい。
マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４における第２メイン孔５３Ｂ１と第２サブ孔５３Ｂ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４５の範囲を採用できる。
マスク第４領域Ｍ４に位置する第２貫通孔５３Ｂは、マスク第３領域Ｍ３に位置する第２貫通孔５３Ｂとは異なる形状を有していてもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４に位置する第２貫通孔５３Ｂは、第１タイプ貫通孔５３ＢＡ又は第２タイプ貫通孔５３ＢＢを含んでいてもよい。第１マスク５０Ａの場合と同様に、第１タイプ貫通孔５３ＢＡは、第２メイン孔５３Ｂ１又は第２サブ孔５３Ｂ２の少なくともいずれか一方を含む。第２タイプ貫通孔５３ＢＢも、第２メイン孔５３Ｂ１又は第２サブ孔５３Ｂ２の少なくともいずれか一方を含む。
第１タイプ貫通孔５３ＢＡの第２メイン孔５３Ｂ１の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＢＢの第２メイン孔５３Ｂ１の個数と異なっている。若しくは、第１タイプ貫通孔５３ＢＡの第２サブ孔５３Ｂ２の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＢＢの第２サブ孔５３Ｂ２の個数と異なっている。例えば、第１タイプ貫通孔５３ＢＡは、１つの第２メイン孔５３Ｂ１及び１つの第２サブ孔５３Ｂ２を含む。１つの第２サブ孔５３Ｂ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第２メイン孔５３Ｂ１と並んでいてもよい。第２タイプ貫通孔５３ＢＢは、１つの第２メイン孔５３Ｂ１及び２つの第２サブ孔５３Ｂ２を含む。２つの第２サブ孔５３Ｂ２はそれぞれ、マスク第３方向Ｄ３及びマスク第４方向Ｄ４において第２メイン孔５３Ｂ１と並んでいてもよい。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第１並び５３Ｂ＿１、孔第２並び５３Ｂ＿２及び孔第３並び５３Ｂ＿３のうちの少なくとも２つを含んでいてもよい。孔第１並び５３Ｂ＿１は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＢＡと第２タイプ貫通孔５３ＢＢの組み合わせを意味する。孔第２並び５３Ｂ＿２は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＢＡの組み合わせを意味する。孔第３並び５３Ｂ＿３は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＢＢの組み合わせを意味する。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第４並び５３Ｂ＿４及び孔第５並び５３Ｂ＿５を含んでいてもよい。孔第４並び５３Ｂ＿４は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＢＡと第２タイプ貫通孔５３ＢＢの組み合わせを意味する。孔第５並び５３Ｂ＿５は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＢＡの組み合わせを意味する。図示はしないが、マスク第４領域Ｍ４は、孔第６並び５３Ｂ＿６を含んでいてもよい。孔第６並び５３Ｂ＿６は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＢＢの組み合わせを意味する。
図１８を参照して、第３マスク５０Ｃについて説明する。第１マスク５０Ａと同様に構成される第３マスク５０Ｃの部分については、重複する説明を省略する場合がある。
第３マスク５０Ｃは、第３貫通孔５３Ｃ及び第３遮蔽領域５４Ｃを備える。第３貫通孔５３Ｃは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。
マスク第３領域Ｍ３に位置する第３貫通孔５３Ｃは、第３メイン孔５３Ｃ１及び第３サブ孔５３Ｃ２を含んでいてもよい。第３サブ孔５３Ｃ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第３メイン孔５３Ｃ１と並んでいてもよい。例えば、第３貫通孔５３Ｃは、第３メイン孔５３Ｃ１と、マスク第３方向Ｄ３において第３メイン孔５３Ｃ１と並ぶ第３サブ孔５３Ｃ２と、マスク第４方向Ｄ４において第３メイン孔５３Ｃ１と並ぶ第３サブ孔５３Ｃ２と、を含んでいてもよい。
マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４における第３メイン孔５３Ｃ１と第３サブ孔５３Ｃ２との間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４５の範囲を採用できる。
マスク第４領域Ｍ４に位置する第３貫通孔５３Ｃは、マスク第３領域Ｍ３に位置する第３貫通孔５３Ｃとは異なる形状を有していてもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４に位置する第３貫通孔５３Ｃは、第１タイプ貫通孔５３ＣＡ又は第２タイプ貫通孔５３ＣＢを含んでいてもよい。第１マスク５０Ａの場合と同様に、第１タイプ貫通孔５３ＣＡは、第３メイン孔５３Ｃ１又は第３サブ孔５３Ｃ２の少なくともいずれか一方を含む。第２タイプ貫通孔５３ＣＢも、第３メイン孔５３Ｃ１又は第３サブ孔５３Ｃ２の少なくともいずれか一方を含む。
第１タイプ貫通孔５３ＣＡの第３メイン孔５３Ｃ１の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＣＢの第３メイン孔５３Ｃ１の個数と異なっている。若しくは、第１タイプ貫通孔５３ＣＡの第３サブ孔５３Ｃ２の個数は、第２タイプ貫通孔５３ＣＢの第３サブ孔５３Ｃ２の個数と異なっている。例えば、第１タイプ貫通孔５３ＣＡは、１つの第３メイン孔５３Ｃ１及び１つの第３サブ孔５３Ｃ２を含む。１つの第３サブ孔５３Ｃ２は、マスク第３方向Ｄ３又はマスク第４方向Ｄ４において第３メイン孔５３Ｃ１と並んでいてもよい。第２タイプ貫通孔５３ＣＢは、１つの第３メイン孔５３Ｃ１及び２つの第３サブ孔５３Ｃ２を含む。２つの第３サブ孔５３Ｃ２はそれぞれ、マスク第３方向Ｄ３及びマスク第４方向Ｄ４において第３メイン孔５３Ｃ１と並んでいてもよい。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第１並び５３Ｃ＿１、孔第２並び５３Ｃ＿２及び孔第３並び５３Ｃ＿３のうちの少なくとも２つを含んでいてもよい。孔第１並び５３Ｃ＿１は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＣＡと第２タイプ貫通孔５３ＣＢの組み合わせを意味する。孔第２並び５３Ｃ＿２は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＣＡの組み合わせを意味する。孔第３並び５３Ｃ＿３は、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＣＢの組み合わせを意味する。
マスク第４領域Ｍ４は、孔第４並び５３Ｃ＿４及び孔第５並び５３Ｃ＿５を含んでいてもよい。孔第４並び５３Ｃ＿４は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ第１タイプ貫通孔５３ＣＡと第２タイプ貫通孔５３ＣＢの組み合わせを意味する。孔第５並び５３Ｃ＿５は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第１タイプ貫通孔５３ＣＡの組み合わせを意味する。図示はしないが、マスク第４領域Ｍ４は、孔第６並び５３Ｃ＿６を含んでいてもよい。孔第６並び５３Ｃ＿６は、マスク第２方向Ｄ２において並ぶ２つの第２タイプ貫通孔５３ＣＢの組み合わせを意味する。
各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの形状及び配置を測定する方法においては、各マスクの法線方向に沿って平行光を第１面５１ａ又は第２面５１ｂの一方に入射させる。平行光は、第１面５１ａ又は第２面５１ｂの他方から出射される。出射した光が占める領域の形状を、貫通孔５３の形状として測定する。
次に、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃの位置関係を説明する。図１９は、マスク積層体５５を示す平面図である。マスク積層体５５は、重ねられた２枚以上のマスク５０を備える。図１９に示すマスク積層体５５は、重ねられた第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備える。
マスク積層体５５においては、各マスク５０Ａ～５０Ｃのアライメントマーク５０Ｍが重なっていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｃのセル５２の配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃ及び遮蔽領域５４Ａ～５４Ｃの配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられていてもよい。各マスク５０Ａ～５０Ｃを重ねる際、各マスク５０Ａ～５０Ｃには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。
なお、２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０の画像データを重ねることによって得られてもよい。例えば、まず、撮影装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭に関する画像データをそれぞれ取得する。続いて、画像処理装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｃの画像データを重ねる。これにより、図１９のような図を作製できる。画像データを取得する際、各マスク５０Ａ～５０Ｃには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０Ａ～５０Ｃを製造するための設計図面を重ねることによって得られても良い。
図１９に示すように、マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａを備える。貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくとも１つを含む。すなわち、貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくともいずれかに重なる。従って、蒸着工程において、貫通領域５５Ａに対応する基板１１０の領域には、少なくとも１層の第２電極１４０が形成される。
貫通領域５５Ａは、孔重なり領域５９を含んでいてもよい。孔重なり領域５９は、平面視において、２以上のマスク５０の貫通孔５３が重なっている領域である。すなわち、孔重なり領域５９は、平面視において、マスク積層体５５に含まれる２以上のマスク５０の貫通孔５３の少なくとも２つを含む。図１９に示す例において、孔重なり領域５９は、平面視において、第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとが重なっている領域、第１貫通孔５３Ａと第３貫通孔５３Ｃとが重なっている領域、又は、第２貫通孔５３Ｂと第３貫通孔５３Ｃとが重なっている領域を含む。従って、蒸着工程において、孔重なり領域５９に対応する基板１１０の領域には、少なくとも２層の第２電極１４０が形成される。
平面視において、マスク積層体５５は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を備える。マスク第１領域Ｍ１は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第２領域Ｍ２は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。
マスク第１領域Ｍ１において、貫通領域５５Ａは第１開口率を有する。第１開口率は、マスク第１領域Ｍ１に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第１領域Ｍ１の面積で割ることによって算出される。マスク第２領域Ｍ２において、貫通領域５５Ａは第２開口率を有する。第２開口率は、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第２領域Ｍ２の面積で割ることによって算出される。第２開口率は、第１開口率よりも小さくてもよい。
第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１開口率に対する第２開口率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。
孔重なり領域５９の面積は、第１貫通孔５３Ａの面積よりも小さくてもよい。例えば、孔重なり領域５９の面積は、第１メイン孔５３Ａ１の面積よりも小さくてもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。
孔重なり領域５９の面積は、第１サブ孔５３Ａ２の面積よりも小さくてもよい。第１サブ孔５３Ａ２の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。
孔重なり領域５９の面積は、第２メイン孔５３Ｂ１の面積よりも小さくてもよい。第２メイン孔５３Ｂ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。
孔重なり領域５９の面積は、第２サブ孔５３Ｂ２の面積よりも小さくてもよい。第２サブ孔５３Ｂ２の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。
孔重なり領域５９の面積は、第３メイン孔５３Ｃ１の面積よりも小さくてもよい。第３メイン孔５３Ｃ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。
孔重なり領域５９の面積は、第３サブ孔５３Ｃ２の面積よりも小さくてもよい。第３サブ孔５３Ｃ２の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１メイン孔５３Ａ１の面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。
図１９に示すように、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通領域５５Ａは、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の貫通ライン５５Ｌを含んでいてもよい。貫通ライン５５Ｌは、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。例えば、貫通ライン５５Ｌは、マスク第１領域Ｍ１の貫通領域５５Ａに接続されている第３端及び第４端を含んでいてもよい。第４端は、マスク第２方向Ｄ２において第３端とは反対の側に位置している。
符号Ｇ１７は、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの貫通ライン５５Ｌの間の間隔を表す。符号Ｗ１７は、マスク第１方向Ｄ１における貫通ライン５５Ｌの寸法の最大値を表す。間隔Ｇ１７は、寸法Ｗ１７を基準として定められてもよい。
寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．４以上でもよく、０．６以上でもよい。寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比は、例えば、１．０以下でもよく、２．０以下でもよく、３．０以下でもよい。寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比の範囲は、０．２、０．４及び０．６からなる第１グループ、及び／又は、１．０、２．０及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｗ１７に対する間隔Ｇ１７の比は、０．２以上３．０以下でもよく、０．２以上２．０以下でもよく、０．２以上１．０以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．４以上３．０以下でもよく、０．４以上２．０以下でもよく、０．４以上１．０以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上３．０以下でもよく、０．６以上２．０以下でもよく、０．６以上１．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよい。
間隔Ｇ１７は、例えば、１０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。間隔Ｇ１７は、例えば、２００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。間隔Ｇ１７の範囲は、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、２５０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ１７の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１７の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１７の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ１７は、１０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。
好ましくは、間隔Ｇ１７は一定ではない。例えば、マスク第１方向Ｄ１又はマスク第２方向Ｄ２における位置に応じて間隔Ｇ１７が変化してもよい。これにより、有機デバイス１００の２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔Ｇ１１を位置に応じて変化させることができる。
図１９に示すように、貫通ライン５５Ｌは、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２つ以上の貫通セクション５６を含んでいてもよい。貫通セクション５６は、蒸着工程の際、有機層１３０に重なっていてもよい。例えば、１つの貫通セクション５６が１つの有機層１３０に重なっていてもよい。マスク第２方向Ｄ２において隣接する２つの貫通セクション５６は互いに接続されていてもよい。
貫通セクション５６は、第１貫通セクション５６Ａ及び第２貫通セクション５６Ｂを含んでいてもよい。第１貫通セクション５６Ａは、第１形状を有していてもよい。第２貫通セクション５６Ｂは、第１形状とは異なる第２形状を有していてもよい。すなわち、第２貫通セクション５６Ｂの形状が第１貫通セクション５６Ａの形状とは異なっていてもよい。貫通セクション５６が、互いに異なる形状を有する第１貫通セクション５６Ａ及び第２貫通セクション５６Ｂを含むので、間隔Ｇ１７が位置に依らず一定になることを抑制できる。貫通セクション５６の形状のことを貫通形状とも称する。
貫通セクション５６は、マスク第１接続５６２Ａ及びマスク第２接続５６２Ｂを含んでいてもよい。マスク第１接続５６２Ａは、マスク第２方向Ｄ２において接続されている第１貫通セクション５６Ａと第２貫通セクション５６Ｂの組み合わせを意味する。マスク第２接続５６２Ｂは、マスク第２方向Ｄ２において接続されている２つの第１貫通セクション５６Ａの組み合わせを意味する。
貫通セクション５６は、マスク第１並び５６１Ａ及びマスク第２並び５６１Ｂを含んでいてもよい。マスク第１並び５６１Ａは、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ第１貫通セクション５６Ａと第２貫通セクション５６Ｂの組み合わせを意味する。マスク第２並び５６１Ｂは、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第１貫通セクション５６Ａの組み合わせを意味する。
貫通セクション５６は、マスク第１並び５６１Ａ、マスク第２並び５６１Ｂ及びマスク第３並び５６１Ｃを含んでいてもよい。マスク第３並び５６１Ｃは、マスク第１方向Ｄ１において並ぶ２つの第２貫通セクション５６Ｂの組み合わせを意味する。
第１貫通セクション５６Ａ及び第２貫通セクション５６Ｂは、間隔Ｇ１７が不規則に変化するように配置されていてもよい。例えば、第１貫通セクション５６Ａ及び第２貫通セクション５６Ｂは、フィボナッチ列に基づいて配置されていてもよい。
第１貫通形状と第２貫通形状との間の具体的な相違点は任意である。例えば、第２貫通形状の面積が、第１貫通形状の面積と異なっていてもよい。例えばマスク第１方向Ｄ１又はマスク第２方向Ｄ２における第２貫通形状の寸法が、マスク第１方向Ｄ１又はマスク第２方向Ｄ２における第１貫通形状の寸法と異なっていてもよい。例えば、マスク第１方向Ｄ１又はマスク第２方向Ｄ２における第２貫通形状の端部の位置が、マスク第１方向Ｄ１又はマスク第２方向Ｄ２における第１貫通形状の端部の位置と異なっていてもよい。
図２０及び図２１を参照して、第１貫通セクション５６Ａの形状及び第２貫通セクション５６Ｂの形状の具体例を説明する。図２０は、第１貫通セクション５６Ａの一例を示す平面図である。図２１は、第２貫通セクション５６Ｂの一例を示す平面図である。第１貫通セクション５６Ａを通過した蒸着材料によって、図４の第１電極セクション１４１Ａが形成されてもよい。第２貫通セクション５６Ｂを通過した蒸着材料によって、図５の第２電極セクション１４１Ｂが形成されてもよい。
図２０に示すように、第１貫通セクション５６Ａは、第１メインセクション５７Ａ及び第１サブセクション５８Ａを含んでいてもよい。第１メインセクション５７Ａは、蒸着工程の際、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。第１サブセクション５８Ａは、第１メインセクション５７Ａに接続されていてもよい。第１サブセクション５８Ａは、第５接続端５８Ａ１及び第６接続端５８Ａ２を含んでいてもよい。第５接続端５８Ａ１は、第１メインセクション５７Ａに接続されている。第６接続端５８Ａ２は、マスク第２方向Ｄ２において第５接続端５８Ａ１とは反対側に位置している。
図２１に示すように、第２貫通セクション５６Ｂは、第２メインセクション５７Ｂ及び第２サブセクション５８Ｂを含んでいてもよい。第２メインセクション５７Ｂは、蒸着工程の際、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。第２サブセクション５８Ｂは、第２メインセクション５７Ｂに接続されていてもよい。第２サブセクション５８Ｂは、第７接続端５８Ｂ１及び第８接続端５８Ｂ２を含んでいてもよい。第７接続端５８Ｂ１は、第２メインセクション５７Ｂに接続されている。第８接続端５８Ｂ２は、マスク第２方向Ｄ２において第７接続端５８Ｂ１とは反対側に位置している。
第１サブセクション５８Ａの形状が、第２サブセクション５８Ｂの形状と異なっていてもよい。
例えば、第１サブセクション５８Ａの面積が、第２サブセクション５８Ｂの面積と異なっていてもよい。図２０及び図２１に示す例において、第１サブセクション５８Ａの面積は、第２サブセクション５８Ｂのよりも小さい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第１サブセクション５８Ａの寸法Ｗ４Ａの平均値が、マスク第１方向Ｄ１における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｗ４Ｂの平均値と異なっていてもよい。図２０及び図２１に示す例において、寸法Ｗ４Ａの平均値は寸法Ｗ４Ｂの平均値よりも小さい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置が、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置と異なっていてもよい。「位置」は、蒸着工程の際に貫通セクション５６と重なる有機層１３０に対する相対的な位置を意味していてもよい。図２０に示す例において、マスク第１方向Ｄ１における第５接続端５８Ａ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置と同一である。図２１に示す例において、マスク第１方向Ｄ１における第７接続端５８Ｂ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置とは異なる。図２０及び図２１に示すように、マスク第１方向Ｄ１における第５接続端５８Ａ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第７接続端５８Ｂ１の位置と同一である。一方、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置とは異なる。「位置が同一」とは、マスク第１方向Ｄ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、寸法Ｗ１７／４以下であることを意味する。「位置が異なる」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、寸法Ｗ１７／４よりも大きいことを意味する。
例えば、第１サブセクション５８Ａの面積が、第２サブセクション５８Ｂの面積と異なっていてもよい。図２０及び図２１に示す例において、第１サブセクション５８Ａの面積は、第２サブセクション５８Ｂのよりも小さい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第１サブセクション５８Ａの寸法Ｗ４Ａの平均値が、マスク第１方向Ｄ１における第２接続セクション１４３Ｂの寸法Ｗ４Ｂの平均値と異なっていてもよい。図２０及び図２１に示す例において、寸法Ｗ４Ａの平均値は寸法Ｗ４Ｂの平均値よりも小さい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置が、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置と異なっていてもよい。「位置」は、蒸着工程の際に貫通セクション５６と重なる有機層１３０に対する相対的な位置を意味していてもよい。図２０に示す例において、マスク第１方向Ｄ１における第５接続端５８Ａ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置と同一である。図２１に示す例において、マスク第１方向Ｄ１における第７接続端５８Ｂ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置とは異なる。図２０及び図２１に示すように、マスク第１方向Ｄ１における第５接続端５８Ａ１の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第７接続端５８Ｂ１の位置と同一である。一方、マスク第１方向Ｄ１における第６接続端５８Ａ２の位置は、マスク第１方向Ｄ１における第８接続端５８Ｂ２の位置とは異なる。「位置が同一」とは、マスク第１方向Ｄ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、寸法Ｗ１７／４以下であることを意味する。「位置が異なる」とは、素子第１方向Ｇ１における、２つの接続端の中間点の位置の差が、寸法Ｗ１７／４よりも大きいことを意味する。
マスク第１方向Ｄ１における第１サブセクション５８Ａの寸法Ｗ４Ａの平均値は、マスク第１方向Ｄ１における第１メインセクション５７Ａの寸法Ｗ３Ａの平均値よりも小さくてもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比は、例えば、０．７以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比の範囲は、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．７、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比は、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．９以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。
マスク第２方向Ｄ２における第１サブセクション５８Ａの寸法Ｌ４Ａは、マスク第２方向Ｄ２における第１メインセクション５７Ａの寸法Ｌ３Ａに応じて定められていてもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比は、例えば、０．２以上でもよく、０．６以上でもよく、０．９以上でもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比は、例えば、２．０以下でもよく、２．５以下でもよく、３．０以下でもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比の範囲は、０．２、０．６及び０．９からなる第１グループ、及び／又は、２．０、２．５及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比は、０．２以上３．０以下でもよく、０．２以上２．５以下でもよく、０．２以上２．０以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．６以上３．０以下でもよく、０．６以上２．５以下でもよく、０．６以上２．０以下でもよく、０．６以上０．９以下でもよく、０．９以上３．０以下でもよく、０．９以上２．５以下でもよく、０．９以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、２．０以上２．５以下でもよく、２．５以上３．０以下でもよい。比は、例えば、寸法Ｌ３Ａの最大値に対する寸法Ｌ４Ａの最大値の比である。
マスク第１方向Ｄ１における第２サブセクション５８Ｂの寸法Ｗ４Ｂの平均値は、マスク第１方向Ｄ１における第２メインセクション５７Ｂの寸法Ｗ３Ｂの平均値よりも小さくてもよい。寸法Ｗ３Ｂの平均値に対する寸法Ｗ４Ｂの平均値の比の範囲としては、上述の「寸法Ｗ３Ａの平均値に対する寸法Ｗ４Ａの平均値の比の範囲」を採用できる。
マスク第２方向Ｄ２における第２サブセクション５８Ｂの寸法Ｌ４Ｂは、マスク第２方向Ｄ２における第２メインセクション５７Ｂの寸法Ｌ３Ｂに応じて定められていてもよい。寸法Ｌ３Ｂに対する寸法Ｌ４Ｂの比の範囲としては、上述の「寸法Ｌ３Ａに対する寸法Ｌ４Ａの比の範囲」を採用できる。
図２０に示すように、第１貫通セクション５６Ａは、第１メイン孔５３Ａ１、第２メイン孔５３Ｂ１、第３メイン孔５３Ｃ１、第２サブ孔５３Ｂ２及び第３サブ孔５３Ｃ２を含んでいてもよい。第２メイン孔５３Ｂ１は、マスク第２方向Ｄ２において第１メイン孔５３Ａ１と第３メイン孔５３Ｃ１との間に位置していてもよい。第２メイン孔５３Ｂ１は、マスク第２方向Ｄ２において第１メイン孔５３Ａ１及び第３メイン孔５３Ｃ１に接続されていてもよい。第２サブ孔５３Ｂ２及び第３サブ孔５３Ｃ２は、マスク第１方向Ｄ１において第１メイン孔５３Ａ１に接続されていてもよい。第２サブ孔５３Ｂ２は、マスク第２方向Ｄ２において第３サブ孔５３Ｃ２に接続されていてもよい。
第２貫通セクション５６Ｂは、第１メイン孔５３Ａ１、第２メイン孔５３Ｂ１、第１サブ孔５３Ａ２、２つの第２サブ孔５３Ｂ２及び２つの第３サブ孔５３Ｃ２を含んでいてもよい。第２メイン孔５３Ｂ１は、マスク第２方向Ｄ２において第１メイン孔５３Ａ１に接続されていてもよい。第１の第２サブ孔５３Ｂ２及び第１の第３サブ孔５３Ｃ２は、マスク第１方向Ｄ１において第１メイン孔５３Ａ１に接続されていてもよい。第１の第２サブ孔５３Ｂ２は、マスク第２方向Ｄ２において第１の第３サブ孔５３Ｃ２に接続されていてもよい。第２の第３サブ孔５３Ｃ２は、マスク第１方向Ｄ１において第２メイン孔５３Ｂ１に接続されていてもよい。第２の第２サブ孔５３Ｂ２は、マスク第２方向Ｄ２において第２の第３サブ孔５３Ｃ２に接続されていてもよい。第１サブ孔５３Ａ２は、マスク第２方向Ｄ２において第２の第２サブ孔５３Ｂ２に接続されていてもよい。
マスク第１領域Ｍ１においては、マスク第２方向Ｄ２に沿って、第１メイン孔５３Ａ１、第２メイン孔５３Ｂ１及び第３メイン孔５３Ｃ１が繰り返し並んでいてもよい。第１表示領域１０１においては、マスク第２方向Ｄ２に沿って、第３サブ孔５３Ｃ２、第２サブ孔５３Ｂ２及び第１サブ孔５３Ａ２が繰り返し並んでいてもよい。第１メイン孔５３Ａ１、第２メイン孔５３Ｂ１及び第３メイン孔５３Ｃ１の列と、第３サブ孔５３Ｃ２、第２サブ孔５３Ｂ２及び第１サブ孔５３Ａ２の列とが、マスク第１方向Ｄ１において接続されていてもよい。
次に、有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。
まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。
続いて、図７に示すように、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。第３有機層１３０Ｃも、第３有機層１３０Ｃに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。
続いて、第２電極形成工程を実施してもよい。第２電極形成工程においては、上述のマスク群を用いて有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。まず、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、第１マスク５０Ａを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第１層１４０Ａを形成できる。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０Ｂを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第２層１４０Ｂを形成できる。続いて、第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第３層１４０Ｃを形成する工程を実施してもよい。例えば、第３マスク５０Ｃを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる．これにより、第３層１４０Ｃを形成できる。このようにして、図６に示すように、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含む第２電極１４０を形成できる。
なお、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを形成する順序は特には限定されない。例えば、第３層１４０Ｃ、第２層１４０Ｂ、第１層１４０Ａの順に蒸着工程が実施されてもよい。
本開示の形態の効果についてまとめる。
有機デバイス１００の第２表示領域１０２が、透過領域１０４を含む場合、有機デバイス１００に到達した光が、透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。従って、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。このため、カメラ、指紋センサなどのセンサの機能を第２表示領域１０２に実現できる。
２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔Ｇ１１が一定でない場合、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
図２２は、参考の形態に係る第２表示領域１０２の一例を拡大して示す平面図である。図２２に示す例において、２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔Ｇ１１は一定である。この場合、透過領域１０４を透過するときに回折される光は、特定の方向で強め合うことがある。このため、第２表示領域１０２に設けられているセンサによって生成される画像がぼやけることがある。
これに対して、上述の図３の例によれば、間隔Ｇ１１が一定でないので、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図２３は、第１電極セクション１４１Ａの一例を示す平面図である。図２４は、第２電極セクション１４１Ｂの一例を示す平面図である。図２３及び図２４に示すように、第１画素セクション１４２Ａの形状が、第２画素セクション１４２Ｂの形状と異なっていてもよい。
例えば、第１画素セクション１４２Ａの面積が、第２画素セクション１４２Ｂの面積と異なっていてもよい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第１画素セクション１４２Ａの寸法Ｗ１Ａの平均値が、素子第１方向Ｇ１における第２画素セクション１４２Ｂの寸法Ｗ１Ｂの平均値と異なっていてもよい。
例えば、第１画素セクション１４２Ａの面積が、第２画素セクション１４２Ｂの面積と異なっていてもよい。
例えば、素子第１方向Ｇ１における第１画素セクション１４２Ａの寸法Ｗ１Ａの平均値が、素子第１方向Ｇ１における第２画素セクション１４２Ｂの寸法Ｗ１Ｂの平均値と異なっていてもよい。
図２５は、第１貫通セクション５６Ａの一例を示す平面図である。図２６は、第２貫通セクション５６Ｂの一例を示す平面図である。第１貫通セクション５６Ａを通過した蒸着材料によって、図２３の第１電極セクション１４１Ａが形成されてもよい。第２貫通セクション５６Ｂを通過した蒸着材料によって、図２４の第２電極セクション１４１Ｂが形成されてもよい。
図２５及び図２６に示すように、第１メインセクション５７Ａの形状が、第２メインセクション５７Ｂの形状と異なっていてもよい。
例えば、第１メインセクション５７Ａの面積が、第２メインセクション５７Ｂの面積と異なっていてもよい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第１メインセクション５７Ａの寸法Ｗ３Ａの平均値が、マスク第１方向Ｄ１における第２メインセクション５７Ｂの寸法Ｗ３Ｂの平均値と異なっていてもよい。
例えば、第１メインセクション５７Ａの面積が、第２メインセクション５７Ｂの面積と異なっていてもよい。
例えば、マスク第１方向Ｄ１における第１メインセクション５７Ａの寸法Ｗ３Ａの平均値が、マスク第１方向Ｄ１における第２メインセクション５７Ｂの寸法Ｗ３Ｂの平均値と異なっていてもよい。
図２３～図２６に示す例においても、２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔Ｇ１１を位置に応じて変化させることができる。このため、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
図２７は、第２表示領域１０２の電極ライン１４０Ｌの一例を示す平面図である。電極ライン１４０Ｌの電極セクション１４１は、３種以上の形状を有していてもよい。例えば、電極セクション１４１は、第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂに加えて第３電極セクション１４１Ｃを含んでいてもよい。第３電極セクション１４１Ｃの形状は、第１電極セクション１４１Ａの形状とは異なり、且つ、第２電極セクション１４１Ｂの形状とも異なる。この場合、貫通セクション５６は、第１貫通セクション５６Ａ及び第２貫通セクション５６Ｂに加えて第３貫通セクションを含んでいてもよい。第３貫通セクションは、第３電極セクション１４１Ｃに対応する。第３貫通セクションは、第１貫通形状及び第２貫通形状とは異なる第３貫通形状を有する。
電極セクション１４１は、第４電極セクション１４１Ｄを備えていてもよい。第４電極セクション１４１Ｄの形状は、第１電極セクション１４１Ａの形状とは異なり、第２電極セクション１４１Ｂの形状とも異なり、第３電極セクション１４１Ｃの形状とも異なる。この場合、貫通セクション５６は、第１貫通セクション５６Ａ、第２貫通セクション５６Ｂ及び第３貫通セクションに加えて第４貫通セクションを含んでいてもよい。第４貫通セクションは、第４電極セクション１４１Ｄに対応する。第４貫通セクションは、第１貫通形状、第２貫通形状及び第３貫通形状とは異なる第４貫通形状を有する。
図２７に示す例において、電極セクション１４１は、第１電極セクション１４１Ａ～第１６電極セクション１４１Ｐを含む。第１電極セクション１４１Ａ～第１６電極セクション１４１Ｐの形状は互いに異なっていてもよい。
図２８～図３１を参照して、２枚のマスク５０を用いて第２電極１４０を形成する例を説明する。図２８は、第１マスク５０Ａの一例を示す平面図である。図２９は、第２マスク５０Ｂの一例を示す平面図である。
図２８に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４は、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の第１貫通孔５３Ａを含んでいてもよい。第１貫通孔５３Ａは、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。
図２９に示すように、第２マスク５０Ｂのマスク第３領域Ｍ３は、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の第２貫通孔５３Ｂを含んでいてもよい。第２貫通孔５３Ｂは、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。第２マスク５０Ｂのマスク第４領域Ｍ４は、第２貫通孔５３Ｂを含んでいなくてもよい。
図示はしないが、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えるマスク積層体５５において、第２貫通孔５３Ｂは、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つの第１貫通孔５３Ａの間に位置していてもよい。マスク積層体５５において、第２貫通孔５３Ｂは、２つの第１貫通孔５３Ａに接続されていてもよい。
図３０は、第１マスク５０Ａのマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４の一例を示す平面図である。第２マスク５０Ｂのマスク第４領域Ｍ４が第２貫通孔５３Ｂを含まない場合、第１マスク５０Ａのマスク第４領域Ｍ４の第１貫通孔５３Ａが、貫通セクション５６を構成する。マスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２種類以上の貫通セクション５６を含んでいてもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４は、第１貫通セクション５６Ａ、第２貫通セクション５６Ｂ、第３貫通セクション５６Ｃ及び第４貫通セクション５６Ｄを含んでいてもよい。これにより、マスク第１方向Ｄ１における第１貫通孔５３Ａの幅を位置に応じて変化させることができる。マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２つの貫通セクション５６は、マスク第２方向Ｄ２において接続されていてもよい。マスク第３領域Ｍ３において、マスク第１方向Ｄ１における第１貫通孔５３Ａの寸法は一定であってもよい。
図３１は、第２マスク５０Ｂのマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４の一例を示す平面図である。マスク第４領域Ｍ４は、第２貫通孔５３Ｂを含んでいなくてもよい。マスク第３領域Ｍ３において、マスク第１方向Ｄ１における第２貫通孔５３Ｂの寸法は一定であってもよい。
図２８～図３１に示す第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを用いて第２電極１４０を形成することにより、２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔Ｇ１１を位置に応じて変化させることができる。このため、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
図３２～図３３を参照して、２枚のマスク５０を用いて第２電極１４０を形成する例を説明する。図３２は、第１マスク５０Ａの一例を示す平面図である。図３３は、第２マスク５０Ｂの一例を示す平面図である。
図３２に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第３領域Ｍ３は、複数の第１貫通孔５３Ａを含んでいてもよい。第１貫通孔５３Ａの配置は、スタガード配置であってもよい。例えば、第１貫通孔５３Ａの中心点を結ぶ線がジグザグであってもよい。図３３に示すように、第２マスク５０Ｂのマスク第３領域Ｍ３は、複数の第２貫通孔５３Ｂを含んでいてもよい。第２貫通孔５３Ｂの配置は、第１貫通孔５３Ａと同様にスタガード配置であってもよい。例えば、第２貫通孔５３Ｂの中心点を結ぶ線がジグザグであってもよい。
図示はしないが、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えるマスク積層体５５において、マスク第３領域Ｍ３の第２貫通孔５３Ｂは、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つの第１貫通孔５３Ａの間に位置していてもよい。また、マスク第３領域Ｍ３の第２貫通孔５３Ｂは、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２つの第１貫通孔５３Ａの間に位置していてもよい。マスク積層体５５において、１つの第２貫通孔５３Ｂは、４つの第１貫通孔５３Ａに接続されていてもよい。
図３２に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２種類以上の第１貫通孔５３Ａを含んでいてもよい。これにより、マスク第１方向Ｄ１における第１貫通孔５３Ａの幅を位置に応じて変化させることができる。同様に、図３３に示すように、第２マスク５０Ｂのマスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２種類以上の第２貫通孔５３Ｂを含んでいてもよい。これにより、マスク第１方向Ｄ１における第２貫通孔５３Ｂの幅を位置に応じて変化させることができる。
図示はしないが、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えるマスク積層体５５において、マスク第４領域Ｍ４の第２貫通孔５３Ｂは、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ２つの第１貫通孔５３Ａの間に位置していてもよい。マスク積層体５５において、第２貫通孔５３Ｂは、２つの第１貫通孔５３Ａに接続されていてもよい。
図３４～図３７を参照して、３枚のマスク５０を用いて第２電極１４０を形成する例を説明する。図３４は、第１マスク５０Ａの一例を示す平面図である。図３５は、第２マスク５０Ｂの一例を示す平面図である。図３６は、第３マスク５０Ｃの一例を示す平面図である。図３７は、第２電極１４０の一例を示す平面図である。第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含む。
図３４に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に不規則に並ぶ複数の第１貫通孔５３Ａを含む。図３５に示すように、第２マスク５０Ｂのマスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に不規則に並ぶ複数の第２貫通孔５３Ｂを含む。図３６に示すように、第３マスク５０Ｃのマスク第４領域Ｍ４は、マスク第２方向Ｄ２に不規則に並ぶ複数の第３貫通孔５３Ｃを含む。図示はしないが、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備えるマスク積層体５５において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第２方向Ｄ２において第２貫通孔５３Ｂに接続されていてもよい。マスク積層体５５において、第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂは、マスク第１方向Ｄ１において第３貫通孔５３Ｃに接続されていてもよい。
図３７は、第２電極１４０の一例を示す平面図である。第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含む。第１層１４０Ａは、図３４の第１マスク５０Ａを用いることによって形成される。第２層１４０Ｂは、図３５の第２マスク５０Ｂを用いることによって形成される。第３層１４０Ｃは、図３６の第３マスク５０Ｃを用いることによって形成される。
図３７に示すように、間隔Ｇ１１は、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２における位置に応じて不規則に変化する。これにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。
図４５及び図４６を参照して、電極ライン１４０Ｌが蛇行する例を説明する。
図４５は、第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙの一例を示す平面図である。第２電極１４０Ｙは、素子第１方向Ｇ１に並ぶ２つ以上の電極ライン１４０Ｌを含む。電極ライン１４０Ｌは、第１電極セクション１４１Ａ、第２電極セクション１４１Ｂ及び第３電極セクション１４１Ｃを含んでいてもよい。
第３電極セクション１４１Ｃは、素子第２方向Ｇ２において第１電極セクション１４１Ａと第２電極セクション１４１Ｂの間に位置していてもよい。第３電極セクション１４１Ｃは、第１電極セクション１４１Ａ及び第２電極セクション１４１Ｂに接続されていてもよい。すなわち、第１電極セクション１４１Ａと第２電極セクション１４１Ｂは、第３電極セクション１４１Ｃを介して電気的に接続されていてもよい。
第３電極セクション１４１Ｃは、素子第２方向Ｇ２において２つの第１電極セクション１４１Ａの間に位置していてもよい。第３電極セクション１４１Ｃは、２つの第１電極セクション１４１Ａに接続されていてもよい。すなわち、２つの第１電極セクション１４１Ａが、第３電極セクション１４１Ｃを介して電気的に接続されていてもよい。
第３電極セクション１４１Ｃは、素子第２方向Ｇ２において２つの第２電極セクション１４１Ｂの間に位置していてもよい。第３電極セクション１４１Ｃは、２つの第２電極セクション１４１Ｂに接続されていてもよい。すなわち、２つの第２電極セクション１４１Ｂが、第３電極セクション１４１Ｃを介して電気的に接続されていてもよい。
第１電極セクション１４１Ａ、第２電極セクション１４１Ｂ及び第３電極セクション１４１Ｃはそれぞれ、１つの素子１１５に対応していてもよい。１つの素子１１５は、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子を含んでもよい。素子第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、第１電極セクション１４１Ａに対応する素子１１５と第２電極セクション１４１Ｂに対応する素子１１５とが重なっていてもよい。第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、第３電極セクション１４１Ｃに対応する複数の素子１１５が重なっていてもよい。第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、第３電極セクション１４１Ｃに対応する素子１１５は、第１電極セクション１４１Ａに対応する素子１１５及び第２電極セクション１４１Ｂに対応する素子１１５に重なっていなくてもよい。例えば、電極ライン１４０Ｌは、千鳥配列された複数の素子１１５を構成していてもよい。
図４６は、第１電極セクション１４１Ａ、第２電極セクション１４１Ｂ及び第３電極セクション１４１Ｃの一例を示す平面図である。第１電極セクション１４１Ａは、第１画素セクション１４２Ａ及び第１接続セクション１４３Ａを含んでいてもよい。第２電極セクション１４１Ｂは、第２画素セクション１４２Ｂ及び第２接続セクション１４３Ｂを含んでいてもよい。第３電極セクション１４１Ｃは、第３画素セクション１４２Ｃ及び第３接続セクション１４３Ｃを含んでいてもよい。第３接続セクション１４３Ｃは、第１接続セクション１４３Ａ又は第２接続セクション１４３Ｂに接続されていてもよい。
第１画素セクション１４２Ａ、第２画素セクション１４２Ｂ及び第３画素セクション１４２Ｃはそれぞれ、１つの有機層１３０に重なる１つの第１層１４０Ａと、１つの有機層１３０に重なる１つの第２層１４０Ｂと、１つの有機層１３０に重なる１つの第３層１４０Ｃと、を含んでいてもよい。第１画素セクション１４２Ａ、第２画素セクション１４２Ｂ及び第３画素セクション１４２Ｃは、同一の形状を有していてもよい。
素子第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、第１画素セクション１４２Ａと第２画素セクション１４２Ｂとが重なっていてもよい。第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、複数の第３画素セクション１４２Ｃが重なっていてもよい。第２方向Ｇ２に沿って見た場合に、第３画素セクション１４２Ｃは、第１画素セクション１４２Ａ及び第２画素セクション１４２Ｂに重なっていなくてもよい。
第１接続セクション１４３Ａの形状は、第２接続セクション１４３Ｂの形状又は第３接続セクション１４３Ｃの形状と異なっていてもよい。第２接続セクション１４３Ｂの形状は、第３接続セクション１４３Ｃの形状と同一であってもよく、異なっていてもよい。
図４７及び図４８を参照して、有機デバイス１００の一例を説明する。
図４７は、有機デバイス１００の一例を示す平面図である。第１表示領域１０１に位置する素子１１５を、素子１１５Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する素子１１５を、素子１１５Ｙとも表す。
第１表示領域１０１において、素子１１５Ｘの有機層は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、素子１１５Ｙの有機層は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１と同一であってもよい。第１２周期Ｐ１２が第１１周期Ｐ１１と同一であることにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
第１表示領域１０１において、素子１１５Ｘの有機層は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、素子１１５Ｙの有機層は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１と同一であってもよい。第２２周期Ｐ２２が第２１周期Ｐ２１と同一であることにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。
図４８は、図４７の第２表示領域１０２の一例を示す平面図である。第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの面積よりも小さくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの有機層の面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの有機層の面積よりも小さくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの第１電極の面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの第１電極の面積よりも小さくてもよい。素子１１５Ｙの面積を素子１１５Ｘの面積よりも小さくすることにより、図４８に示すように、第２表示領域１０２に透過領域１０４を形成できる。複数の電極ライン１４０Ｌは、素子１１５Ｙと同様に、素子第２方向Ｇ１において第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。
素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、例えば、０．５以下でもよく、０．７以下でもよく、０．９以下でもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．７及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．９以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上０．９以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよい。
図４９乃至図５２を参照して、透過領域１０４を形成する方法の一例を説明する。具体的には、第２電極１４０を形成する工程の前に、基板１１０上に抑制層を形成する例を説明する。抑制層は、第２電極１４０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。
図４９は、抑制層を形成するためのマスク６０の一例を示す平面図である。マスク６０は、少なくとも１つのセル６２を含む。セル６２は、貫通孔６３及び遮蔽領域６４を含む。マスク６０は、２つ以上のセル６２を含んでいてもよい。１つのセル６２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。
マスク６０は、上述のマスク５０と同様に、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を備える。マスク第３領域Ｍ３は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第４領域Ｍ４は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。
マスク第３領域Ｍ３は、遮蔽領域６４を含む。マスク第３領域Ｍ３は、貫通孔６３を含んでいなくてもよい。すなわち、マスク第３領域Ｍ３の全域が遮蔽領域６４によって構成されていてもよい。
マスク第４領域Ｍ４は、貫通孔６３及び遮蔽領域６４を含む。マスク第４領域Ｍ４の貫通孔６３は、透過領域１０４に対応している。例えば、マスク第４領域Ｍ４は、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ複数の貫通孔６３を含んでいてもよい。貫通孔６３は、マスク第１方向Ｄ１においてマスク第４領域Ｍ４を横断していてもよい。マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域６４は、第２電極１４０Ｙに対応している。例えば、マスク第４領域Ｍ４は、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ複数の遮蔽領域６４を含んでいてもよい。例えば、遮蔽領域６４は、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域６４は、マスク第３領域Ｍ３の遮蔽領域６４に接続されている第１端及び第２端を含んでいてもよい。第２端は、マスク第２方向Ｄ２において第１端とは反対の側に位置している。
図５０は、抑制層１７０を形成する抑制層形成工程の一例を示す断面図である。抑制層形成工程は、有機層１３０を形成する工程の後であって、第２電極１４０を形成する工程の前に実施される。
抑制層形成工程は、マスク６０を介して抑制層１７０の材料を基板１１０に蒸着させる工程を含んでいてもよい。図５０に示すように、貫通孔６３に重なる基板１１０の領域に抑制層１７０が形成される。
図５１は、第２電極１４０を形成するためのマスク５０の一例を示す平面図である。マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３によって構成されている。セル５２は、遮蔽領域５４によって囲まれている。
図５２は、第２電極１４０を形成する工程の一例を示す断面図である。第２電極１４０は、図５１のマスク５０を介して第２電極１４０の材料を基板１１０に蒸着させることによって形成される。上述のように、抑制層１７０は、第２電極１４０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。図５２に示すように、抑制層１７０上に第２電極１４０が形成されることを抑制できる。このため、抑制層１７０が形成されている領域が、透過領域１０４として機能できる。
抑制層１７０は、透明性を有する。例えば、基板１１０及び抑制層１７０を含む積層体の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１１０及び抑制層１７０を含む積層体の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定できる。
抑制層１７０の材料は、WO2017072678A1又はWO2019150327A1に記載されている核生成抑制コーティング(nucleation inhibiting coating)の材料であってもよい。例えば、抑制層１７０の材料は、低分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料を含んでいてもよい。有機材料は、例えば、多環芳香族化合物であってもよい。多環芳香族化合物は、コア部分と、コア部分に結合した少なくとも1つの末端部分と、を含む有機分子を含む。有機分子は、窒素、硫黄、酸素、リン、アルミニウムなどの1つまたは複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。末端部分の数は、1以上であってもよく、２以上であってもよく、３以上であってもよく、４以上であってもよい。有機分子が２つ以上の末端部分を含む場合、２つ以上の末端部位は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
末端部分は、以下の化学構造（ｌ－ａ）、（ｌ－ｂ）および（ｌ－ｃ）のいずれかで表されるビフェニリル部分を含んでいてもよい。
置換基ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に、重水素、フッ素、Ｃ１～Ｃ４アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびこれらの任意の組み合わせから選択されてもよい。
図５３及び図５４を参照して、透過領域１０４を形成する方法の一例を説明する。具体的には、第２電極１４０を部分的に除去することによって透過領域１０４を形成する例を説明する。
図５３は、第２電極１４０を形成する工程の一例を示す断面図である。図５３の第２電極１４０は、例えば、図５１に示すマスク５０を介して第２電極１４０の材料を基板１１０に蒸着させることによって形成される。この場合、第２電極１４０は、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２の全域にわたって形成される。
第２電極１４０を形成する工程の後に、第２電極１４０を部分的に除去する工程が実施される。例えば、図５４に示すように、第２表示領域１０２の第２電極１４０に部分的にレーザーＬを照射する。レーザーＬが照射された第２電極１４０が飛散することにより、透過領域１０４が形成される。
図示はしないが、レーザーＬは、レーザーマスクを介して第２電極１４０に照射されてもよい。レーザーマスクは、透過領域１０４に対応する貫通孔を含む。
次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
例１
電極ライン１４０Ｌの間を通過した光に生じる回折を、シミュレーションにより検証した。
電極ライン１４０Ｌの間を通過した光に生じる回折を、シミュレーションにより検証した。
図３８に示す基板１１０及び第２電極１４０を設計した。第２電極１４０は、素子第１方向Ｇ１に並ぶ複数の電極ライン１４０Ｌを含む。電極ライン１４０Ｌは、図３に示す電極ライン１４０Ｌと同一である。間隔Ｇ１１は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における位置に応じて不規則に変化する。
図３９に示す構成に基づいて、電極ライン１４０Ｌの間を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。まず、基板１１０の法線方向に沿って光Ｌ１を基板１１０に入射させた。続いて、電極ライン１４０Ｌによって生じる光の回折をシミュレーションによって算出した。符号Ｌ２は、回折されることなく直進してスクリーン１１３に到達する光を表す。符号Ｐｃは、スクリーン１１３上の光Ｌ３の到達点を表す。符号Ｌ３は、電極ライン１４０Ｌの間を通過するときに回折される光を表す。光Ｌ１の波長は５５０ｎｍである。電極ライン１４０Ｌとスクリーン１１３との間の距離は５０００ｍｍである。基板１１０に起因する光の屈折は無視した。
シミュレーションの結果を図４０及び図４１に示す。横軸は、点Ｐｃからの距離を表す。縦軸は、スクリーン１１３に到達した光の強度を表す。図４０は、電極ライン１４０Ｌの透過率を０％に設定した場合のシミュレーション結果である。図４１は、電極ライン１４０Ｌの透過率を６０％に設定した場合のシミュレーション結果である。
例２
図４２に示す基板１１０及び第２電極１４０を設計した。第２電極１４０は、素子第１方向Ｇ１に並ぶ複数の電極ライン１４０Ｌを含む。電極ライン１４０Ｌは、図２２に示す電極ライン１４０Ｌと同一である。間隔Ｇ１１は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における位置に依らず一定である。
図４２に示す基板１１０及び第２電極１４０を設計した。第２電極１４０は、素子第１方向Ｇ１に並ぶ複数の電極ライン１４０Ｌを含む。電極ライン１４０Ｌは、図２２に示す電極ライン１４０Ｌと同一である。間隔Ｇ１１は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における位置に依らず一定である。
電極ライン１４０Ｌの間を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。シミュレーションの結果を図４３及び図４４に示す。図４３は、電極ライン１４０Ｌの透過率を０％に設定した場合のシミュレーション結果である。図４４は、電極ライン１４０Ｌの透過率を６０％に設定した場合のシミュレーション結果である。
図４０と図４３の比較、及び図４１と図４４の比較から分かるように、間隔Ｇ１１を不規則に変化させることにより、高い強度を有する回折光Ｌ３がスクリーン１１３に到達することを抑制できた。
Claims (25)
- 有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
前記第２表示領域において、
前記有機層は、第１方向に並び、且つ、前記第１方向に交差する第２方向に並び、
前記第２電極は、前記第１方向に並ぶ電極ラインを含み、
前記電極ラインは、前記第２方向に並び、前記有機層に重なる電極セクションを含み、
前記第２方向において隣接する２つの前記電極セクションは互いに接続されており、
前記電極セクションは、第１形状を有する第１電極セクションと、前記第１形状とは異なる第２形状を有する第２電極セクションと、を含む、有機デバイス。 - 前記第１電極セクションは、前記有機層に重なる第１画素セクションと、前記第１画素セクションに接続されている第１接続セクションと、を含み、
前記第２電極セクションは、前記有機層に重なる第２画素セクションと、前記第２画素セクションに接続されている第２接続セクションと、を含み、
前記第１接続セクションの形状は、前記第２接続セクションの形状とは異なる、請求項１に記載の有機デバイス。 - 前記第１接続セクションの面積は、前記第２接続セクションの面積とは異なる、請求項２に記載の有機デバイス。
- 前記第１接続セクションは、前記第１画素セクションに接続されている第１接続端と、前記第２方向において前記第１接続端とは反対側に位置する第２接続端と、を含み、
前記第１方向における前記第１接続端の位置は、前記第１方向における前記第２接続端の位置と同一であり、
前記第２接続セクションは、前記第２画素セクションに接続されている第３接続端と、前記第２方向において前記第３接続端とは反対側に位置する第４接続端と、を含み、
前記第１方向における前記第３接続端の位置は、前記第１方向における前記第４接続端の位置とは異なる、請求項２又は３に記載の有機デバイス。 - 前記第１電極セクションは、前記有機層に重なる第１画素セクションと、前記第１画素セクションに接続されている第１接続セクションと、を含み、
前記第２電極セクションは、前記有機層に重なる第２画素セクションと、前記第２画素セクションに接続されている第２接続セクションと、を含み、
前記第１画素セクションの形状は、前記第２画素セクションの形状とは異なる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機デバイス。 - 前記第１画素セクションの面積は、前記第２画素セクションの面積とは異なる、請求項５に記載の有機デバイス。
- 前記第１方向における前記第１画素セクションの寸法は、前記第１方向における前記第２画素セクションの寸法とは異なる、請求項５又は６に記載の有機デバイス。
- 前記電極セクションは、前記第２方向において前記第１電極セクションと前記第２電極セクションとが接続されている電極第１接続と、前記第２方向において前記第１電極セクションと前記第１電極セクションとが接続されている電極第２接続と、を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機デバイス。
- 前記電極セクションは、前記第１方向において前記第１電極セクションと前記第２電極セクションとが並んでいる電極第１並びと、前記第１方向において前記第１電極セクションと前記第１電極セクションとが並んでいる電極第２並びと、を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機デバイス。
- 前記電極セクションは、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第３形状を有する第３電極セクションを含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機デバイス。
- マスク第１方向と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向とを有するマスク群であって、
２枚以上のマスクを備え、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、前記マスク第１方向に並ぶ貫通ラインを含み、
前記貫通ラインは、前記マスク第２方向に並ぶ貫通セクションを含み、
前記マスク第２方向において隣接する２つの前記貫通セクションは互いに接続されており、
前記貫通セクションは、第１貫通形状を有する第１貫通セクションと、前記第１貫通形状とは異なる第２貫通形状を有する第２貫通セクションと、を含む、マスク群。 - 前記第１貫通セクションは、第１メインセクションと、前記第１メインセクションに接続されている第１サブセクションと、を含み、
前記第２貫通セクションは、第２メインセクションと、前記第２メインセクションに接続されている第２サブセクションと、を含み、
前記第１サブセクションの形状は、前記第２サブセクションの形状とは異なる、請求項１１に記載のマスク群。 - 前記第１サブセクションの面積は、前記第２サブセクションの面積とは異なる、請求項１２に記載のマスク群。
- 前記第１サブセクションは、前記第１メインセクションに接続されている第５接続端と、前記マスク第２方向において前記第５接続端とは反対側に位置する第６接続端と、を含み、
前記マスク第１方向における前記第５接続端の位置は、前記マスク第１方向における前記第６接続端の位置と同一であり、
前記第２サブセクションは、前記第２メインセクションに接続されている第７接続端と、前記マスク第２方向において前記第７接続端とは反対側に位置する第８接続端と、を含み、
前記マスク第１方向における前記第７接続端の位置は、前記マスク第１方向における前記第８接続端の位置とは異なる、請求項１２又は１３に記載のマスク群。 - 前記第１貫通セクションは、第１メインセクションと、前記第１メインセクションに接続されている第１サブセクションと、を含み、
前記第２貫通セクションは、第２メインセクションと、前記第２メインセクションに接続されている第２サブセクションと、を含み、
前記第１メインセクションの形状は、前記第２メインセクションの形状とは異なる、請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載のマスク群。 - 前記第１メインセクションの面積は、前記第２メインセクションの面積とは異なる、請求項１５に記載のマスク群。
- 前記マスク第１方向における前記第１メインセクションの寸法は、前記マスク第１方向における前記第２メインセクションの寸法とは異なる、請求項１５又は１６に記載のマスク群。
- 前記貫通セクションは、前記マスク第２方向において前記第１貫通セクションと前記第２貫通セクションとが接続されているマスク第１接続と、前記マスク第２方向において前記第１貫通セクションと前記第１貫通セクションとが接続されているマスク第２接続と、を含む、請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載のマスク群。
- 前記貫通セクションは、前記マスク第１方向において前記第１貫通セクションと前記第２貫通セクションとが並んでいるマスク第１並びと、前記マスク第１方向において前記第１貫通セクションと前記第１貫通セクションとが並んでいるマスク第２並びと、を含む、請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載のマスク群。
- 前記貫通セクションは、前記第１貫通形状及び前記第２貫通形状とは異なる第３貫通形状を有する第３貫通セクションを含む、請求項１１乃至１９のいずれか一項に記載のマスク群。
- マスク第１方向と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向とを有するマスクであって、
遮蔽領域と、貫通孔とを備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスクは、第３開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第３領域と、前記第３開口率よりも小さい第４開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第４領域と、を備え、
前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、前記マスク第１方向に第１５周期で並び、
前記マスク第４領域において、前記マスク第１方向において並ぶ２つの前記貫通孔の間の間隔が前記第１５周期よりも大きく、
前記マスク第４領域は、前記マスク第３領域の前記貫通孔とは異なる形状を有する前記貫通孔を含む、マスク。 - 前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、メイン孔及びサブ孔を含み、
前記メイン孔と前記サブ孔との間の間隔は５μｍ以上４０μｍ以下であり、
前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、第１タイプ貫通孔及び第２タイプ貫通孔を備え、
前記第１タイプ貫通孔の前記メイン孔の個数は、前記第２タイプ貫通孔の前記メイン孔の個数と異なっている、若しくは、前記第１タイプ貫通孔の前記サブ孔の個数は、前記第２タイプ貫通孔の前記サブ孔の個数と異なっている、請求項２１に記載のマスク。 - 前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、前記マスク第１方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第１並びと、前記マスク第１方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第１タイプ貫通孔とが並んでいる孔第２並びと、を含む、請求項２２に記載のマスク。
- 前記マスク第４領域において、前記貫通孔は、前記マスク第２方向において前記第１タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第４並びと、前記マスク第２方向において前記第２タイプ貫通孔と前記第２タイプ貫通孔とが並んでいる孔第５並びと、を含む、請求項２２又は２３に記載のマスク。
- 有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１１乃至２０のいずれか一項に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法。
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