JP2023001888A

JP2023001888A - 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法

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Publication number: JP2023001888A
Application number: JP2022094333A
Authority: JP
Inventors: 勲宮谷; Isao Miyatani; 知加雄池永; Chikao Ikenaga; 陽子中村; Yoko Nakamura; 功井上; Isao Inoue
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2021-06-21
Filing date: 2022-06-10
Publication date: 2023-01-06

Abstract

【課題】光の透過率が高い有機デバイス提供する。【解決手段】有機デバイスは、基板と、基板上に位置する第１電極と、第１電極上に位置する有機層と、有機層上に位置する第２電極と、を備えてもよい。基板の法線方向に沿って見た場合、有機デバイスは、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域を備えてもよい。第１表示領域は、第１密度で分布する有機層を含んでもよい。第２表示領域は、第１密度よりも小さい第２密度で分布する有機層を含んでもよい。第２電極は、第１表示領域において隙間なく広がる広域電極と、広域電極に接続されている端を含み、第２表示領域において有機層に重なる２つ以上の電極ラインと、を備えてもよい。【選択図】図２

Description

本開示の実施形態は、有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の画素密度を有する。

応答性の良さと、または／および消費電力の低さとを有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、画素を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極の上に付着させることによって、陽極の上に有機層を形成する。続いて、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層の上に付着させることによって、有機層の上に陰極を形成する。

特許第３５３９５９７号公報

陰極の面積が大きいほど、陰極の電気抵抗が低くなる。一方、陰極の面積が大きいほど、有機デバイスにおける光の透過率が低下する。

本開示の一実施形態による有機デバイスは、基板と、前記基板上に位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２電極と、を備えてもよい。前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域を備えてもよい。前記第１表示領域は、第１密度で分布する前記有機層を含んでもよい。前記第２表示領域は、前記第１密度よりも小さい第２密度で分布する前記有機層を含んでもよい。前記第２電極は、前記第１表示領域において隙間なく広がる広域電極と、前記広域電極に接続されている端を含み、前記第２表示領域において前記有機層に重なる２つ以上の電極ラインと、を備えてもよい。

本開示の一実施形態によれば、有機デバイスにおける光の透過率を高めることができる。

有機デバイスの一例を示す平面図である。有機デバイスを拡大して示す平面図である。図２の第１表示領域及び第２表示領域の一部を拡大して示す平面図である。第２電極の構成の一例を示す平面図である。図４の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。図４の有機デバイスのＡ－Ａ線に沿った断面図である。図４の有機デバイスのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図４の有機デバイスのＣ－Ｃ線に沿った断面図である。第１重なり領域の一例を示す断面図である。第１重なり領域の一例を示す断面図である。図４の有機デバイスのＤ－Ｄ線に沿った断面図である。第２重なり領域の一例を示す断面図である。有機デバイス群の一例を示す平面図である。蒸着装置の一例を示す図である。マスク装置の一例を示す平面図である。第１マスク装置の一例を示す図である。第２マスク装置の一例を示す図である。マスクの断面構造の一例を示す図である。第１マスクの一例を示す平面図である。第２マスクの一例を示す平面図である。マスク積層体の一例を示す平面図である。有機デバイスの一例を示す平面図である。第１マスク装置の一例を示す図である。第２マスク装置の一例を示す図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによっては互いから区別されない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値や要素を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。例えば、「マスク５０Ａ～５０Ｂ」という表現によって画定される範囲は、マスク５０Ａ、５０Ｂを含んでいる。

本明細書の一実施形態においては、複数のマスクを備えるマスク群が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスク群の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスク群に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。

本開示の第１の態様は、有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域を備え、
前記第１表示領域は、第１密度で分布する前記有機層を含み、
前記第２表示領域は、前記第１密度よりも小さい第２密度で分布する前記有機層を含み、
前記第２電極は、前記第１表示領域において隙間なく広がる広域電極と、前記広域電極に接続されている端を含み、前記第２表示領域において前記有機層に重なる２つ以上の電極ラインと、を備える、有機デバイスである。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による有機デバイスにおいて、前記表示領域は、第１方向において対向する第１辺及び第２辺と、第１方向に交差する第２方向において対向する第３辺及び第４辺と、を含む輪郭を備えてもよい。前記広域電極は、前記第１辺、前記第２辺及び前記第３辺に沿って広がっていてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第２の態様による有機デバイスにおいて、前記第２表示領域は、前記第４辺に接していてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記電極ラインは、前記有機層に重なる画素セクションと、前記画素セクションに接続され、前記画素セクションの幅よりも小さい幅を有する接続セクションと、を含んでもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第４の態様による有機デバイスにおいて、前記第２電極は、少なくとも前記広域電極を構成する第１層と、前記第１層と部分的に重なり、少なくとも前記接続セクションを構成する第２層と、を含んでもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第５の態様による有機デバイスにおいて、前記第１層は、前記画素セクションを構成する部分を含んでもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第６の態様による有機デバイスにおいて、前記画素セクションを構成する前記第１層の１つの前記部分は、２つ以上の前記有機層に重なっていてもよい。

本開示の第８の態様は、上述した第６の態様による有機デバイスにおいて、前記画素セクションを構成する前記第１層の１つの前記部分は、１つの前記有機層に重なっていてもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記第１密度に対する前記第２密度の比が０．９以下であってもよい。

本開示の第１０の態様は、２枚以上のマスクを備えるマスク群であって、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、マスク第１領域及びマスク第２領域を含むセルを備え、
前記マスク第１領域において、前記貫通領域は、隙間なく広がっており、
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、前記マスク第１領域に接続されている端を含み、前記マスク第２領域に位置する２つ以上の貫通ラインを備える、マスク群である。

本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様によるマスク群において、前記セルは、マスク第１方向において対向するセル第１辺及びセル第２辺と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向において対向するセル第３辺及びセル第４辺と、を含むセル輪郭を備えてもよい。前記貫通領域は、前記マスク第１領域において、前記セル第１辺、前記セル第２辺及び前記セル第３辺に沿って広がっていてもよい。

本開示の第１２の態様は、上述した第１１の態様によるマスク群において、前記マスク第２領域は、前記セル第４辺に接していてもよい。

本開示の第１３の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによるマスク群において、前記貫通ラインは、第１貫通セクションと、前記第１貫通セクションに接続され、前記第１貫通セクションの幅よりも小さい幅を有する第２貫通セクションと、を含んでもよい。

本開示の第１４の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによるマスク群において、前記マスク群は、前記マスク第１領域において隙間なく広がる第１広域貫通孔を含む第１マスクと、前記マスク第２領域において前記貫通ラインを構成する２つ以上の第２貫通孔を含む第２マスクと、を備えてもよい。

本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様によるマスク群において、前記第１マスクは、前記マスク第２領域に位置し、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記第２貫通孔に部分的に重なる２つ以上の第１貫通孔を含んでもよい。

本開示の第１６の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１５の態様のそれぞれによるマスク群において、前記マスク第２領域において、前記貫通領域は０．９以下の占有率を有してもよい。

本開示の第１７の態様は、遮蔽領域及び貫通孔を備えるマスクであって、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、マスク第１領域及びマスク第２領域を含むセルを備え、
前記マスク第１領域において、前記貫通孔は、隙間なく広がっており、
前記マスク第２領域は、前記遮蔽領域と、前記遮蔽領域に囲まれた２つ以上の前記貫通孔と、を含む、マスクである。

本開示の第１８の態様は、上述した第１７の態様によるマスクにおいて、前記セルは、マスク第１方向において対向するセル第１辺及びセル第２辺と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向において対向するセル第３辺及びセル第４辺と、を含むセル輪郭を備えてもよい。前記貫通孔は、前記マスク第１領域において、前記セル第１辺、前記セル第２辺及び前記セル第３辺に沿って広がっていてもよい。

本開示の第１９の態様は、上述した第１８の態様によるマスクにおいて、前記マスク第２領域は、前記セル第４辺に接していてもよい。

本開示の第２０の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、上述した第１０の態様から上述した第１６の態様のいずれか１つのマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法である。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

有機デバイス２００について説明する。有機デバイス２００は、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される要素を備える。例えば、有機デバイス２００の後述する第２電極は、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される。図１は、有機デバイス２００の基板の法線方向に沿って見た場合の有機デバイス２００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。

有機デバイス２００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。有機デバイス２００は、映像が表示される表示領域１００を含む。表示領域１００の輪郭は、第１辺１００Ａ、第２辺１００Ｂ、第３辺１００Ｃ及び第４辺１００Ｄを含んでもよい。第１辺１００Ａ及び第２辺１００Ｂは、第１方向Ｇ１において対向していてもよい。第３辺１００Ｃ及び第４辺１００Ｄは、第２方向Ｇ２において対向していてもよい。第２方向Ｇ２は、第１方向Ｇ１に交差する方向である。第２方向Ｇ２は、第１方向Ｇ１に直交していてもよい。

表示領域１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。図１に示すように、第１表示領域１０１は、第１辺１００Ａ、第２辺１００Ｂ及び第３辺１００Ｃに沿って広がっていてもよい。例えば、第１表示領域１０１は、第１辺１００Ａの全域、第２辺１００Ｂの全域及び第３辺１００Ｃの全域に接していてもよい。第１表示領域１０１は、第４辺１００Ｄに部分的に接していてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。第２表示領域１０２は、第４辺１００Ｄに接していてもよい。

図２は、図１の第２表示領域１０２及びその周囲を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。例えば、第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２に沿って並んでいてもよい。

有機デバイス２００は、第２電極１４０を備える。第２電極１４０は、後述する有機層１３０の上に位置している。第２電極１４０は、２つ以上の有機層１３０に電気的に接続されていてもよい。例えば、第２電極１４０は、平面視において２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｙとも表す。

第２電極１４０Ｘは、第１表示領域１０１において隙間なく広がっていてもよい。第２電極１４０Ｘのことを、広域電極とも称する。広域電極１４０Ｘは、第１辺１００Ａ、第２辺１００Ｂ及び第３辺１００Ｃに沿って広がっていてもよい。例えば、広域電極１４０Ｘは、第１辺１００Ａの全域、第２辺１００Ｂの全域及び第３辺１００Ｃの全域に接していてもよい。広域電極１４０Ｘは、第４辺１００Ｄに部分的に接していてもよい。

図２に示すように、第２電極１４０Ｙは、第１方向Ｇ１に並ぶ２つ以上の電極ライン１４０Ｌを含んでいてもよい。電極ライン１４０Ｌは、第２方向Ｇ２に延びていてもよい。例えば、電極ライン１４０Ｌは、平面視において広域電極１４０Ｘに接続されている第１端１４０Ｌ１を含んでもよい。電極ライン１４０Ｌは、第２方向Ｇ２において第１端１４０Ｌ１とは反対の側に位置する第２端１４０Ｌ２を含んでもよい。第２端１４０Ｌ２は、平面視において広域電極１４０Ｘに接続されていなくてもよい。第２端１４０Ｌ２は、第４辺１００Ｄに位置してもよい。

第２表示領域１０２は、透過領域１０４を含んでもよい。透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０と重なっていない。このため、透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０と重なる領域に比べて、高い透過率を有する。透過領域１０４は、例えば、第１方向Ｇ１において隣接する２つの電極ライン１４０Ｌの間に位置する。平面視において第２電極１４０と重なる領域のことを、非透過領域とも称する。
第１表示領域１０１は、透過領域１０４を含んでいなくてもよい。

第２電極１４０Ｘは第１占有率を有する。第１占有率は、第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第１表示領域１０１の面積で割ることによって算出される。第１占有率は、例えば０．９５以上であり、０．９８以上であってもよく、０．９９以上であってもよく、１．００であってもよい。

第２電極１４０Ｙは第２占有率を有する。第２占有率は、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第２表示領域１０２の面積で割ることによって算出される。第２表示領域１０２が透過領域１０４を含むので、第２占有率は第１占有率よりも小さい。

第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

非透過領域の透過率を、第１透過率ＴＲ１とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率ＴＲ２とも称する。透過領域１０４は第２電極１４０Ｙを含まないので、第２透過率ＴＲ２は第１透過率ＴＲ１よりも高い。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス２００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。一方、第２表示領域１０２は非透過領域も含む。すなわち、第２表示領域１０２は、第２電極１４０Ｙと、第２電極１４０Ｙに重なる素子１１５と、を含む。素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示できる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。第２表示領域１０２の透過領域１０４の第２透過率ＴＲ２が高く、第２占有率が低いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。

第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２における非透過領域の寸法、及び第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率ＴＲ１及び第２透過率ＴＲ２を測定する。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ－ＳＰ２００を用いるいずれの顕微分光光度計も、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視域で透過率を測定できる。石英をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率ＴＲ１及び第２透過率ＴＲ２として用いる。
第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２における非透過領域の寸法、及び第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率ＴＲ１及び第２透過率ＴＲ２を測定する。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉを用いる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、１ｍｍ以上の寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率ＴＲ１及び第２透過率ＴＲ２として用いる。

第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上でもよく、１．５以上でもよく、１．８以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以下でもよく、３以下でもよく、４以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、１．２、１．５及び１．８からなる第１グループ、及び／又は、２、３及び４からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上４以下でもよく、１．２以上３以下でもよく、１．２以上２以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上４以下でもよく、１．５以上３以下でもよく、１．５以上２以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．８以上４以下でもよく、１．８以上３以下でもよく、１．８以上２以下でもよく、２以上４以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上４以下でもよい。

第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１において寸法Ｎ１３を有し、素子第２方向Ｇ２において寸法Ｎ１４を有する。素子第１方向Ｇ１における第２表示領域１０２の外縁は、図２に示すように、透過領域１０４によって定められてもよい。素子第２方向Ｇ２における第２表示領域１０２の外縁は、図２に示すように、電極ライン１４０Ｌの第１端１４０Ｌ１及び第２端１４０Ｌ２によって定められてもよい。

寸法Ｎ１３は、例えば、１．０ｍｍ以上でもよく、３．０ｍｍ以上でもよく、５．０ｍｍ以上でもよい。寸法Ｎ１３は、例えば、１０．０ｍｍ以下でもよく、２０．０ｍｍ以下でもよく、３０．０ｍｍ以下でもよい。寸法Ｎ１３の範囲は、１．０ｍｍ、３．０ｍｍ及び５．０ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０．０ｍｍ、２０．０ｍｍ及び３０．０ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｎ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｎ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｎ１３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｎ１３は、例えば、１．０ｍｍ以上３０．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、１．０ｍｍ以上３．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上３０．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下でもよく、３．０ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でもよく、５．０ｍｍ以上３０．０ｍｍ以下でもよく、５．０ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下でもよく、５．０ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下でもよく、１０．０ｍｍ以上３０．０ｍｍ以下でもよく、１０．０ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下でもよく、２０．０ｍｍ以上３０．０ｍｍ以下でもよい。

寸法Ｎ１４は、寸法Ｎ１３と略同一であってもよい。寸法Ｎ１４は、寸法Ｎ１３以下であってもよい。寸法Ｎ１３に対する寸法Ｎ１４の比であるＮ１４／Ｎ１３は、例えば、０．１０以上でもよく、０．２０以上でもよく、０．３０以上でもよく、０．４０以上でもよい。Ｎ１４／Ｎ１３は、例えば、０．５０以下でもよく、０．８０以下でもよく、０．９９以下でもよく、１．１０以下でもよい。Ｎ１４／Ｎ１３の範囲は、０．１０、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第１グループ、及び／又は、０．５０、０．８０、０．９９及び１．１０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｎ１４／Ｎ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１４／Ｎ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１４／Ｎ１３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１４／Ｎ１３は、例えば、０．１０以上１．１０以下でもよく、０．１０以上０．９９以下でもよく、０．１０以上０．８０以下でもよく、０．１０以上０．５０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上１．１０以下でもよく、０．２０以上０．９９以下でもよく、０．２０以上０．８０以下でもよく、０．２０以上０．５０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上１．１０以下でもよく、０．３０以上０．９９以下でもよく、０．３０以上０．８０以下でもよく、０．３０以上０．５０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよく、０．４０以上１．１０以下でもよく、０．４０以上０．９９以下でもよく、０．４０以上０．８０以下でもよく、０．４０以上０．５０以下でもよく、０．５０以上１．１０以下でもよく、０．５０以上０．９９以下でもよく、０．５０以上０．８０以下でもよく、０．８０以上１．１０以下でもよく、０．８０以上０．９９以下でもよく、０．９９以上１．１０以下でもよい。

図１に示すように、表示領域１００は、素子第１方向Ｇ１において寸法Ｎ１１を有する。素子第１方向Ｇ１における表示領域１００の外縁は、第２電極１４０によって定められてもよい。

寸法Ｎ１１に対する寸法Ｎ１３の比であるＮ１３／Ｎ１１は、例えば、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよく、０．２０以上でもよく、０．３０以上でもよい。Ｎ１３／Ｎ１１は、例えば、０．４０以下でもよく、０．５０以下でもよく、０．６０以下でもよく、０．８０以下でもよい。Ｎ１３／Ｎ１１の範囲は、０．０５、０．１０、０．２０及び０．３０からなる第１グループ、及び／又は、０．４０、０．５０、０．６０及び０．８０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｎ１３／Ｎ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１３／Ｎ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１３／Ｎ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１３／Ｎ１１は、例えば、０．０５以上０．８０以下でもよく、０．０５以上０．６０以下でもよく、０．０５以上０．５０以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．８０以下でもよく、０．１０以上０．６０以下でもよく、０．１０以上０．５０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．８０以下でもよく、０．２０以上０．６０以下でもよく、０．２０以上０．５０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．８０以下でもよく、０．３０以上０．６０以下でもよく、０．３０以上０．５０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよく、０．４０以上０．８０以下でもよく、０．４０以上０．６０以下でもよく、０．４０以上０．５０以下でもよく、０．５０以上０．８０以下でもよく、０．５０以上０．６０以下でもよく、０．６０以上０．８０以下でもよい。

図３は、図２の第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２の一部を拡大して示す平面図である。第２電極１４０Ｘ及び第２電極１４０Ｙはいずれも、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。有機層１３０は、素子１１５の一構成要素である。

第１表示領域１０１は、第１密度ＰＤ１で分布する有機層１３０を含む。第２表示領域１０２は、第２密度ＰＤ２で分布する有機層１３０を含む。第２密度ＰＤ２は、第１密度ＰＤ１よりも小さい。第１密度ＰＤ１に対する第２密度ＰＤ２の比であるＰＤ２／ＰＤ１は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．４以上でもよい。ＰＤ２／ＰＤ１は、例えば、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。ＰＤ２／ＰＤ１の範囲は、０．１、０．２及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。ＰＤ２／ＰＤ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＰＤ２／ＰＤ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＰＤ２／ＰＤ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＰＤ２／ＰＤ１は、例えば、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．４以上０．９以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．９以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。

第１表示領域１０１において、有機層１３０は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。例えば、有機層１３０は、第１方向Ｇ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、第１方向Ｇ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。

第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、例えば、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比であるＰ１２／Ｐ１１は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１は、例えば、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。Ｐ１２／Ｐ１１が小さい場合、第１密度ＰＤ１と第２密度ＰＤ２の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

第１表示領域１０１において、有機層１３０は、第２方向Ｇ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、第２方向Ｇ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比であるＰ２２／Ｐ２１の範囲としては、上述の「Ｐ１２／Ｐ１１の範囲」を採用できる。

第１密度ＰＤ１に対する第２密度ＰＤ２の比であるＰＤ２／ＰＤ１は、第１１周期Ｐ１１、第１２周期Ｐ１２、第２１周期Ｐ２１及び第２２周期Ｐ２２に基づいて算出されてもよい。例えば、ＰＤ２／ＰＤ１は、（Ｐ１１×Ｐ２１）／（Ｐ１２×Ｐ２２）であってもよい。

図３に示すように、広域電極１４０Ｘは、第１方向Ｇ１に並ぶ２つ以上の有機層１３０、及び第２方向Ｇ２に並ぶ２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。広域電極１４０Ｘは、第１表示領域１０１に位置する有機層１３０の９５％以上に重なっていてもよく、９８％以上に重なっていてもよく、９９％以上に重なっていてもよい。広域電極１４０Ｘは、第１表示領域１０１に位置する全ての有機層１３０に重なっていてもよい。

図３に示すように、１つの電極ライン１４０Ｌは、平面視において、第２方向Ｇ２に沿って並ぶ２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。

符号Ｇ１１は、第１方向Ｇ１において隣り合う２つの電極ライン１４０Ｌの間の間隔を表す。間隔Ｇ１１は、透過領域１０４の第２透過率ＴＲ２に応じて定められてもよい。間隔Ｇ１１は有機層１３０の第１１周期Ｐ１１を基準として定められてもよい。

第１１周期Ｐ１１に対する間隔Ｇ１１の比であるＧ１１／Ｐ１１は、例えば、０．３以上でもよく、０．５以上でもよく、１．０以上でもよい。Ｇ１１／Ｐ１１は、例えば、１．５以下でもよく、２．０以下でもよく、３．０以下でもよい。Ｇ１１／Ｐ１１の範囲は、０．３、０．５及び１．０からなる第１グループ、及び／又は、１．５、２．０及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｇ１１／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１１／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１１／Ｐ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１１／Ｐ１１は、例えば、０．３以上３．０以下でもよく、０．３以上２．０以下でもよく、０．３以上１．５以下でもよく、０．３以上１．０以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上３．０以下でもよく、０．５以上２．０以下でもよく、０．５以上１．５以下でもよく、０．５以上１．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよい。

間隔Ｇ１１は、例えば、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、１５０μｍ以上でもよい。間隔Ｇ１１は、例えば、２００μｍ以下でもよく、２５０μｍ以下でもよく、３００μｍ以下でもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、５０μｍ、１００μｍ及び１５０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２００μｍ、２５０μｍ及び３００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ１１は、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上３００μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以上２００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上３００μｍ以下でもよく、２００μｍ以上２５０μｍ以下でもよく、２５０μｍ以上３００μｍ以下でもよい。

図３に示すように、電極ライン１４０Ｌは、画素セクション１４１及び接続セクション１４２を含んでいてもよい。画素セクション１４１は、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。接続セクション１４２は、画素セクション１４１に接続されていてもよい。接続セクション１４２は、平面視において有機層１３０に重なっていなくてもよい。画素セクション１４１及び接続セクション１４２は、第２方向Ｇ２に交互に並んでもよい。

画素セクション１４１は、第１幅Ｗ１を有する。接続セクション１４２は、第２幅Ｗ２を有する。第１幅Ｗ１及び第２幅Ｗ２は、画素セクション１４１及び接続セクション１４２が並ぶ方向に直交する方向における画素セクション１４１の寸法及び接続セクション１４２の寸法である。第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも小さくてもよい。第１幅Ｗ１に対する第２幅Ｗ２の比であるＷ２／Ｗ１は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。Ｗ２／Ｗ１は、例えば、０．７以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。Ｗ２／Ｗ１の範囲は、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．７、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。Ｗ２／Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｗ２／Ｗ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｗ２／Ｗ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｗ２／Ｗ１は、例えば、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．９以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。

図示はしないが、第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１と略同一であってもよい。例えば、Ｗ２／Ｗ１は、０．９以上１．１以下であってもよい。

第２電極１４０の層構成について説明する。図４は、図３の第２電極１４０の一部を拡大して示す平面図である。

第２電極１４０は、複数の層を含んでもよい。例えば、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでもよい。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂはそれぞれ、後述する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって形成される層である。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａと部分的に重なっていてもよい。平面視において第２電極１４０の複数の層が重なっている領域のことを、電極重なり領域１４５とも称する。

電極重なり領域１４５は、第１重なり領域１４５Ａを含んでもよい。第１重なり領域１４５Ａは、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０の複数の層が重なっている領域である。図４に示す例において、第１重なり領域１４５Ａは、第２表示領域１０２に位置する第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいる。

電極重なり領域１４５は、第２重なり領域１４５Ｂを含んでもよい。第２重なり領域１４５Ｂは、第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０の少なくとも１つの層と、第２表示領域１０２から第１表示領域１０１に至るよう広がる第２電極１４０の少なくとも１つの層と、が重なっている領域である。図４に示す例において、第２重なり領域１４５Ｂは、第１表示領域１０１に位置する第１層１４０Ａと、第２表示領域１０２から第１表示領域１０１に至るよう広がる第２層１４０Ｂと、を含んでいる。

以下の説明において、第１重なり領域１４５Ａ及び第２重なり領域１４５Ｂに共通する構成を説明する場合には、「電極重なり領域１４５」という用語及び符号を用いる。

第１層１４０Ａは、広域電極１４０Ｘを構成していてもよい。広域電極１４０Ｘを構成する第１層１４０Ａの部分を、符号１４０Ａ１で表す。

第１層１４０Ａは、画素セクション１４１を構成していてもよい。画素セクション１４１を構成する第１層１４０Ａの部分を、符号１４０Ａ２で表す。

第２層１４０Ｂは、接続セクション１４２を構成していてもよい。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａ２に重なる２つの端を含んでもよい。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａ１に重なる１つの端と、第１層１４０Ａ２に重なる１つの端とを含んでもよい。

電極重なり領域１４５の面積は、第２層１４０Ｂの面積よりも小さくてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、例えば、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。

図５は、図４の有機デバイス２００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層のような、特定の色の光を放出する有機層を、サブ有機層とも称する。以下の説明において、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する有機層の構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。

図４及び図５に示すように、１つの第１層１４０Ａ２は、２つ以上のサブ有機層に重なっていてもよい。図示はしないが、１つの第１層１４０Ａ２は、１つのサブ有機層に重なっていてもよい。

平面視における第２電極１４０及び有機層１３０の配置は、デジタルマイクロスコープを用いて有機デバイス２００を観察することによって検出される。デジタルマイクロスコープの倍率は、５００倍である。検出結果に基づいて、上述の占有率、面積、寸法、周期、間隔などを算出できる。有機デバイス２００がカバーガラスなどのカバーを備える場合、カバーを剥がすこと、又は破壊することなどによってカバーを取り除いた後、第２電極１４０及び有機層１３０を観察してもよい。

次に、有機デバイス２００の層構成の一例について説明する。図６は、図４の有機デバイス２００のＡ－Ａ線に沿った断面図である。図７は、図４の有機デバイス２００のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図８Ａは、図４の有機デバイス２００のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。図８Ｄは、図４の有機デバイス２００のＤ－Ｄ線に沿った断面図である。

有機デバイス２００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス２００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端に重なっていてもよい。

有機デバイス２００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス２００は、スイッチを備えていてもよい。スイッチは、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されている。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

図６に示すように、第１表示領域１０１の広域電極１４０Ｘは、１つの層、例えば第１層１４０Ａ１によって構成されていてもよい。広域電極１４０Ｘは、電極重なり領域１４５を含んでいなくてもよい。電極重なり領域１４５は、図８Ａ及び図８Ｄに示すように、第２電極１４０の複数の層を含む。このため、電極重なり領域１４５は、第２電極１４０の１つの層に比べて低い透過率を有する。広域電極１４０Ｘが電極重なり領域１４５を含まないことにより、第１表示領域１０１において光の強度にムラが生じることを抑制できる。

図７に示すように、第２表示領域１０２は、透過領域１０４を含む。上述のとおり、透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０と重なっていない。透過領域１０４は、有機層１３０に重なっていなくてもよい。

図８Ａ及び図８Ｄに示すように、電極重なり領域１４５は、平面視において絶縁層１６０に重なっていてもよい。例えば、平面視において、電極重なり領域１４５が、絶縁層１６０の輪郭によって囲まれていてもよい。これにより、電極重なり領域１４５を透過した光に起因して光の強度にムラが生じることを抑制できる。

第１重なり領域１４５Ａについて詳細に説明する。図８Ｂは、第１重なり領域１４５Ａの一例を示す断面図である。図８Ｂに示すように、第１重なり領域１４５Ａは、有機層１３０に重なっていなくてもよい。

第１重なり領域１４５Ａは、厚みＴ２を有する。厚みＴ２は、第１重なり領域１４５Ａを構成する複数の層の厚みの合計である。図８Ｂに示す例において、厚みＴ２は、第１層１４０Ａ２の厚みと第２層１４０Ｂ２の厚みの合計である。

第１重なり領域１４５Ａの厚みＴ２は、広域電極１４０Ｘの厚みＴ１よりも大きくてもよい。これにより、電極ライン１４０Ｌの電気抵抗を低減できる。広域電極１４０Ｘの厚みＴ１は、後述する第１平均厚みμ１である。厚みＴ２は、第１端１４０Ｌ１から第２端１４０Ｌ２に向かって並ぶ１０個の第１重なり領域１４５Ａの厚みを平均することによって算出される。１個の第１重なり領域１４５Ａの厚みは、断面図に現れる第１重なり領域１４５Ａの厚みの最大値である。

厚みＴ１に対する厚みＴ２の比であるＴ２／Ｔ１は、例えば、１．０５以上でもよく、１．１０以上でもよく、１．２０以上でもよい。Ｔ２／Ｔ１は、例えば、２．５０以下でもよく、２．００以下でもよく、１．５０以下でもよい。Ｔ２／Ｔ１の範囲は、１．０５、１．１０及び１．２０からなる第１グループ、及び／又は、２．５０、２．００及び１．５０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｔ２／Ｔ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ２／Ｔ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ２／Ｔ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ２／Ｔ１は、例えば、１．０５以上１．５０以下でもよく、１．０５以上２．００以下でもよく、１．０５以上２．５０以下でもよく、１．０５以上１．２０以下でもよく、１．０５以上１．１０以下でもよく、１．１０以上１．５０以下でもよく、１．１０以上２．００以下でもよく、１．１０以上２．５０以下でもよく、１．１０以上１．２０以下でもよく、１．２０以上１．５０以下でもよく、１．２０以上２．００以下でもよく、１．２０以上２．５０以下でもよく、２．５０以上１．５０以下でもよく、２．５０以上２．００以下でもよく、２．００以上１．５０以下でもよい。

図８Ｃは、第１重なり領域１４５Ａのその他の一例を示す断面図である。図８Ｃに示すように、第１重なり領域１４５Ａは、有機層１３０に重なっていてもよい。図８Ｃに示すように、第１重なり領域１４５Ａの一部が有機層１３０に重なっていてもよい。図示はしないが、第１重なり領域１４５Ａの全体が有機層１３０に重なっていてもよい。

第１重なり領域１４５Ａは、素子第２方向Ｇ２において寸法Ｋ２を有する。寸法Ｋ２は、例えば、１．０μｍ以上でもよく、３．０μｍ以上でもよく、５．０μｍ以上でもよい。寸法Ｋ２は、例えば、１０．０μｍ以下でもよく、２０．０μｍ以下でもよく、５０．０μｍ以下でもよい。寸法Ｋ２の範囲は、１．０μｍ、３．０μｍ及び５．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１０．０μｍ、２０．０μｍ及び５０．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。寸法Ｋ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。寸法Ｋ２は、例えば、１．０μｍ以上５０．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２０．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上５０．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上２０．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以上５０．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以上２０．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、１０．０μｍ以上５０．０μｍ以下でもよく、１０．０μｍ以上２０．０μｍ以下でもよく、２０．０μｍ以上５０．０μｍ以下でもよい。

第２重なり領域１４５Ｂについて詳細に説明する。図８Ｅは、第２重なり領域１４５Ｂの一例を示す断面図である。図８Ｅに示すように、第２重なり領域１４５Ｂは、有機層１３０に重なっていなくてもよい。図８Ｃに示す第１重なり領域１４５Ａと同様に、第２重なり領域１４５Ｂは、有機層１３０に重なっていてもよい。例えば、第２重なり領域１４５Ｂの一部が有機層１３０に重なっていてもよい。例えば、第２重なり領域１４５Ｂの全体が有機層１３０に重なっていてもよい。

第２重なり領域１４５Ｂは、厚みＴ３を有する。厚みＴ３は、第２重なり領域１４５Ｂを構成する複数の層の厚みの合計である。図８Ｅに示す例において、厚みＴ３は、第１層１４０Ａ１の厚みと第２層１４０Ｂ２の厚みの合計である。

第２重なり領域１４５Ｂの厚みＴ３は、広域電極１４０Ｘの厚みＴ１よりも大きくてもよい。これにより、電極ライン１４０Ｌと広域電極１４０Ｘとの間の接続抵抗を低減できる。厚みＴ３は、全ての第２重なり領域１４５Ｂの厚みを平均することによって算出される。１個の第２重なり領域１４５Ｂの厚みは、断面図に現れる第２重なり領域１４５Ｂの厚みの最大値である。厚みＴ１に対する厚みＴ３の比であるＴ３／Ｔ１の範囲としては、上述の「Ｔ２／Ｔ１の範囲」を採用できる。

第２重なり領域１４５Ｂは、素子第２方向Ｇ２において寸法Ｋ３を有する。寸法Ｋ３の範囲としては、上述の「寸法Ｋ２の範囲」を採用できる。

広域電極１４０Ｘの厚みについて説明する。広域電極１４０Ｘが電極重なり領域１４５を含まない場合、広域電極１４０Ｘは、均一な厚みを有することができる。例えば、広域電極１４０Ｘの第１標準偏差σ１を小さくできる。これにより、第１表示領域１０１において光の強度にムラが生じることを抑制できる。

第１標準偏差σ１は、広域電極１４０Ｘの複数の第１部分の厚みＴ１１に基づいて算出される。第１部分は、平面視において第１電極１２０に重なる広域電極１４０Ｘの部分である。図８Ｄに示すように、複数の第１部分は、素子第２方向Ｇ２に沿って並ぶ。図８Ｄに示すように、複数の第１部分は、素子第２方向Ｇ２において第２表示領域１０２に隣接する１つの第１部分を含む。複数の第１部分は、具体的には、１０個の第１部分である。１個の第１部分の厚みＴ１１は、素子第２方向Ｇ２における第１部分の中央の位置で測定される。１０個の第１部分の厚みＴ１１の標準偏差が、第１標準偏差σ１である。１０個の第１部分の厚みＴ１１の平均を、第１平均厚みμ１とも称する。

第１平均厚みμ１は、例えば、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第１平均厚みμ１は、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第１平均厚みμ１の範囲は、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１平均厚みμ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１平均厚みμ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１平均厚みμ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１平均厚みμ１は、例えば、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

第１標準偏差σ１は、例えば、１．０ｎｍ以上でもよく、２．０ｎｍ以上でもよく、３．０ｎｍ以上でもよく、５．０ｎｍ以上でもよい。第１標準偏差σ１は、例えば、１０．０ｎｍ以下でもよく、１５．０ｎｍ以下でもよく、２０．０ｎｍ以下でもよく、３０．０ｎｍ以下でもよい。第１標準偏差σ１の範囲は、１．０ｎｍ、２．０ｎｍ、３．０ｎｍ及び５．０ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、１０．０ｎｍ、１５．０ｎｍ、２０．０ｎｍ及び３０．０ｎｍからなる第２グループによって定められてもよい。第１標準偏差σ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１標準偏差σ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１標準偏差σ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１標準偏差σ１は、例えば、１．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下でもよく、１．０ｎｍ以上２．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下でもよく、２．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下でもよく、３．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、３．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、３．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下でもよく、３．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下でもよく、３．０ｎｍ以上５．０ｎｍ以下でもよく、５．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、５．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、５．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下でもよく、５．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下でもよく、１０．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、１０．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、１０．０ｎｍ以上１５．０ｎｍ以下でもよく、１５．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよく、１５．０ｎｍ以上２０．０ｎｍ以下でもよく、２０．０ｎｍ以上３０．０ｎｍ以下でもよい。

広域電極１４０Ｘは、小さな第２標準偏差σ２を有していてもよい。第２標準偏差σ２は、広域電極１４０Ｘの複数の第１部分の厚みＴ１１及び複数の第２部分の厚みＴ１２に基づいて算出される。第２部分は、平面視において、素子第１方向Ｇ１に並ぶ２つの第１電極１２０の間に位置する広域電極１４０Ｘの部分である。図８Ｄに示すように、複数の第２部分は、素子第２方向Ｇ２に沿って並ぶ。図８Ｄに示すように、複数の第２部分は、素子第２方向Ｇ２において第２表示領域１０２に隣接する第１部分に隣接する１つの第２部分を含む。複数の第２部分は、具体的には、１０個の第２部分である。１個の第２部分の厚みＴ１２は、素子第２方向Ｇ２における第２部分の中央の位置で測定される。１０個の第１部分の厚みＴ１１及び１０個の第２部分の厚みＴ１２の標準偏差が、第２標準偏差σ２である。１０個の第１部分の厚みＴ１１及び１０個の第２部分の厚みＴ１２の平均を、第２平均厚みμ２とも称する。

広域電極１４０Ｘが電極重なり領域１４５を含まないことにより、第２標準偏差σ２を小さくできる。第２標準偏差σ２の範囲としては、上述の「第１標準偏差σ１の範囲」を採用できる。第２平均厚みμ２の範囲としては、上述の「第１平均厚みμ１の範囲」を採用できる。

有機デバイス２００の構成要素について説明する。

基板１１０は、絶縁性を有する板部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。

基板１１０が、所定の透明性を有する場合、基板１１０の透明性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳＫ７３６１－１に規定されている「プラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法第１部：シングルビーム法」に基づいて測定される。

基板１１０は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。有機デバイス２００の用途に応じて基板１１０を適宜選択することができる。

基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板、無アルカリガラス等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス２００の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

第１電極１２０を構成する材料としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属；ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いることができる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いることができる。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子とも称する。有機デバイス２００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子はそれぞれサブピクセルである。

以下の説明において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子に共通する素子の構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０が、通電により光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。

発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。

発光材料としては、公知の材料を用いることができ、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を用いることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いることができる。

発光層は、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。また、ドーパントとして、白金やイリジウム等の重金属イオンを中心に有し、燐光を示す有機金属錯体を使用することもできる。ドーパントは、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

また、発光材料およびドーパントしては、例えば、特開２０１０－２７２８９１号公報の［００９４］～［００９９］や、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［００５３］～［００５７］に記載の材料も用いることができる。

発光層の膜厚は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる膜厚であれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ以上とすることができ、また、５００ｎｍ以下とすることができる。

正孔注入輸送層に用いられる正孔注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フェニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリルアミン誘導体等を用いることができる。また、スピロ化合物、フタロシアニン化合物、金属酸化物等を例示することができる。また、例えば、特開２０１１－１１９６８１号公報、国際公開第２０１２／０１８０８２号、特開２０１２－０６９９６３号公報、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［０１０６］に記載の化合物も適宜選択して用いることができる。

なお、正孔注入輸送層が、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものである場合には、正孔注入層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔注入層および正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよい。添加剤Ａは、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。具体的には、フッ素系化合物、エステル系化合物、炭化水素系化合物等を用いることができる。

電子注入輸送層に用いられる電子注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、アルカリ金属類、アルカリ金属の合金、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属類、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の有機錯体、マグネシウムのハロゲン化物や酸化物、酸化アルミニウム等を用いることができる。また、電子注入輸送性材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリノール錯体等の金属錯体、フタロシアニン化合物、ジスチリルピラジン誘導体等を用いることができる。

また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層とすることもできる。電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の金属錯体、及びこれらの高分子誘導体等を用いることができる。また、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等を用いることができる。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いることができる。

第２電極１４０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第２電極１４０の厚みは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
第２電極１４０の厚みが小さいほど、第２電極１４０の透過率が高くなり、非透過領域の透過率も高くなる。非透過領域に入射した光も、非透過領域の透過率に応じてセンサに到達できる。非透過領域の透過率を高くすることにより、センサが受光する光量を増やすことができる。

基板１１０の厚み、第２電極１４０の厚みなどの、有機デバイス２００の各構成要素の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス２００の断面の画像を観察することによって測定される。重なり領域１４５の寸法Ｋ２及びＫ３も、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス２００の断面の画像を観察することによって測定される。

有機デバイス２００の製造方法においては、図９に示すような有機デバイス群２０２が作製されてもよい。有機デバイス群２０２は、２つ以上の有機デバイス２００を含む。例えば、有機デバイス群２０２は、第１方向Ｇ１及び第２方向Ｇ２に並ぶ有機デバイス２００を含んでいてもよい。２つ以上の有機デバイス２００は、共通の１枚の基板１１０を備えていてもよい。例えば、有機デバイス群２０２は、１枚の基板１１０の上に位置し、２つ以上の有機デバイス２００を構成する第１電極１２０、有機層１３０、第２電極１４０などの層を含んでいてもよい。有機デバイス群２０２を分割することにより、有機デバイス２００が得られる。

次に、上述の有機デバイス２００の第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法を説明する。図１０は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する

蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を備えてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、導電性材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図１０に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えてもよい。フレーム４１は、第１フレーム面４１ａと、第２フレーム面４１ｂと、を含んでもよい。第１フレーム面４１ａにはマスク５０が固定されていてもよい。第２フレーム面４１ｂは、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する。また、フレーム４１は、開口４２を含んでもよい。開口４２は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通している。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。これにより、マスク５０が撓むことを抑制できる。

マスク５０としては、後述する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂが用いられてもよい。以下の説明において、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通するマスクの構成を説明する場合には、「マスク５０」という用語及び符号を用いる。後述する貫通孔、遮蔽領域などのマスクの構成要素についても同様に、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通する内容を説明する場合には、符号として、「５４」、「５５」などの、アルファベットが付されていない、数字のみの符号を用いる。一方、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのそれぞれに特有の内容を説明する場合には、数字の後に「Ａ」、「Ｂ」などの対応するアルファベットを付した符号を用いることもある。

マスク装置４０のマスク５０は、基板１１０に対面している。基板１１０は、蒸着材料７を付着させる対象物である。基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。第１面１１１は、マスク５０に対向している。マスク５０は、複数の貫通孔５４を含む。貫通孔５４は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。貫通孔５４を通過した蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク５０は、第１面５１ａ及び第２面５１ｂを含む。第１面５１ａは、第１面１１１に対向している。第２面５１ｂは、第１面５１ａの反対側に位置する。貫通孔５４は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ貫通している。

蒸着装置１０は、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御してもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

蒸着装置１０は、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整できる。

蒸着装置１０は、冷却板４を備えてもよい。冷却板４は、基板１１０の第２面１１２側に配置されていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。

蒸着装置１０は、第２面１１２側に配置されている磁石５を備えてもよい。磁石５は、冷却板４に重ねられていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりできる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制できる。このため、第２電極１４０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって第２電極１４０の厚みが不均一になる現象のことである。

次に、マスク装置４０について説明する。図１１は、マスク装置４０を示す平面図である。マスク装置４０は、２枚以上のマスク５０を備えていてもよい。マスク５０は、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。

フレーム４１は、一対の第１辺４１１と、一対の第２辺４１２と、を含む。フレーム４１は、矩形の輪郭を有していてもよい。第１辺４１１には、張力を加えられた状態のマスク５０が固定されていてもよい。第１辺４１１は、第２辺４１２よりも長くてもよい。フレーム４１は、一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２によって囲まれている開口４２を含んでいてもよい。

マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第１方向Ｄ１に交差するマスク第２方向Ｄ２を有する。マスク第１方向Ｄ１は、マスク第２方向Ｄ２に直交していてもよい。マスク第１方向Ｄ１が上述の第１方向Ｇ１に対応し、マスク第２方向Ｄ２が上述の第２方向Ｇ２に対応していてもよい。マスク５０は、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。マスク第２方向Ｄ２におけるマスク５０の端は、第１辺４１１に固定されていてもよい。

マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５４及び遮蔽領域５５を含む。マスク５０は、２つ以上のセル５２を含んでもよい。２つ以上のセル５２は、マスク第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。１つのセル５２が複数の表示領域に対応していてもよい。マスク５０は、セル５２の間に位置する遮蔽領域５５を含んでもよい。図示はしないが、マスク５０は、セル５２の間に位置する貫通孔５４を含んでもよい。

セル５２は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形の輪郭を有していてもよい。セル５２の輪郭は、セル第１辺５２Ａ、セル第２辺５２Ｂ、セル第３辺５２Ｃ及びセル第４辺５２Ｄを含んでもよい。セル第１辺５２Ａ及びセル第２辺５２Ｂは、マスク第１方向Ｄ１において対向していてもよい。セル第３辺５２Ｃ及びセル第４辺５２Ｄは、マスク第２方向Ｄ２において対向していてもよい。

第１面５１ａの法線方向に沿ってマスク５０を見た場合、マスク５０は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を備える。マスク第１領域Ｍ１は、有機デバイス２００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第２領域Ｍ２は、有機デバイス２００の第２表示領域１０２に対応している。マスク第２領域Ｍ２は、セル第４辺５２Ｄに接していてもよい。

マスク５０は、アライメントマーク５０Ｍを有していてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばマスク５０のセル５２の隅に形成されている。アライメントマーク５０Ｍは、マスク５０を用いて蒸着法によって基板１１０に第２電極１４０を形成する工程において、基板１１０に対するマスク５０の位置合わせのために利用されてもよい。図示はしないが、アライメントマーク５０Ｍは、フレーム４１と重なる位置に形成されてもよい。マスク装置４０を作製する際、マスク５０とフレーム４１の位置合わせのためにアライメントマーク５０Ｍを使用しても良い。

第２電極１４０を形成する工程においては、複数のマスク５０が用いられてもよい。例えば図１２及び図１３に示すように、マスク５０は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えてもよい。第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂは、異なるマスク装置４０を構成してもよい。第１マスク５０Ａを備えるマスク装置４０を第１マスク装置４０Ａとも称する。第２マスク５０Ｂを備えるマスク装置４０を第２マスク装置４０Ｂとも称する。

第２電極１４０を形成する工程においては、例えば、蒸着装置１０において第１マスク装置４０Ａを用いて基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する。続いて、蒸着装置１０において第２マスク装置４０Ｂを用いて基板１１０に第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する。このように、有機デバイス２００の第２電極１４０を形成する工程においては、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂなどの複数のマスク５０が順に用いられる。有機デバイス２００の第２電極１４０を形成するために用いられる複数のマスク５０の群のことを、「マスク群」とも称する。

図１２に示すように、第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５４Ａを含む。マスク第１領域Ｍ１において、第１貫通孔５４Ａは、隙間なく広がっていてもよい。マスク第１領域Ｍ１に位置する第１貫通孔５４Ａのことを、広域貫通孔とも称し、符号５４Ａ１で表す。広域貫通孔５４Ａ１は、セル第１辺５２Ａ、セル第２辺５２Ｂ及びセル第３辺５２Ｃに沿って広がっていてもよい。例えば、広域貫通孔５４Ａ１は、セル第１辺５２Ａの全域、セル第２辺５２Ｂの全域及びセル第３辺５２Ｃの全域に接していてもよい。広域貫通孔５４Ａ１は、セル第４辺５２Ｄに部分的に接していてもよい。

図１２に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２は、２つ以上の第１貫通孔５４Ａと、第１遮蔽領域５５Ａとを含んでもよい。マスク第２領域Ｍ２の第１貫通孔５４Ａは、平面視において第１遮蔽領域５５Ａによって囲まれていてもよい。マスク第２領域Ｍ２の第１遮蔽領域５５Ａは、セル５２の周囲の第１遮蔽領域５５Ａに接続されていてもよい。

図１２に示すように、マスク第２領域Ｍ２の第１遮蔽領域５５Ａは、マスク第１方向Ｄ１において寸法Ｎ２３を有し、マスク第２方向Ｄ２において寸法Ｎ２４を有する。寸法Ｎ２３の範囲としては、上述の「寸法Ｎ１３の範囲」を採用できる。

寸法Ｎ２４は、寸法Ｎ２３と略同一であってもよい。寸法Ｎ２４は、寸法Ｎ２３以下であってもよい。寸法Ｎ２３に対する寸法Ｎ２４の比であるＮ２４／Ｎ２３の範囲としては、上述の「Ｎ１４／Ｎ１３の範囲」を採用できる。

図１２に示すように、セル５２は、マスク第１方向Ｄ１において寸法Ｎ２１を有する。寸法Ｎ２１に対する寸法Ｎ２３の比であるＮ２３／Ｎ２１の範囲としては、上述の「Ｎ１３／Ｎ１１の範囲」を採用できる。

図１３に示すように、第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５４Ｂを含む。第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２は、２つ以上の第２貫通孔５４Ｂと、第２遮蔽領域５５Ｂとを含んでもよい。第２貫通孔５４Ｂは、平面視において第２遮蔽領域５５Ｂによって囲まれていてもよい。マスク第２領域Ｍ２の第２遮蔽領域５５Ｂは、セル５２の周囲の第２遮蔽領域５５Ｂに接続されていてもよい。

図１３に示すように、第２マスク５０Ｂのマスク第１領域Ｍ１は、第２遮蔽領域５５Ｂを含む。マスク第１領域Ｍ１の第２遮蔽領域５５Ｂは、セル第１辺５２Ａ、セル第２辺５２Ｂ及びセル第３辺５２Ｃに沿って広がっていてもよい。第２マスク５０Ｂのマスク第１領域Ｍ１は、第２貫通孔５４Ｂを含まなくてもよい。この場合、広域電極１４０Ｘは、電極重なり領域１４５を含まない。

図１４は、マスク５０の断面構造の一例を示す図である。マスク５０は、金属板５１と、金属板５１に形成されている複数の貫通孔５４と、を有する。貫通孔５４は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ金属板５１を貫通している。

貫通孔５４は、第１凹部５４１及び第２凹部５４２を含んでもよい。第１凹部５４１は、第１面５１ａ側に位置する。第２凹部５４２は、第２面５１ｂ側に位置する。第１凹部５４１は、金属板５１の厚み方向において第２凹部５４２に接続されている。

平面視において、第２凹部５４２の寸法ｒ２は、第１凹部５４１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５４１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５４２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第１凹部５４１と第２凹部５４２とは接続部５４３において接続されている。

符号５４４は、貫通部を表す。平面視における貫通孔５４の開口面積は、貫通部５４４において最小になる。貫通部５４４は接続部５４３によって画定されてもよい。

マスク５０を用いた蒸着法においては、第２面５１ｂ側から第１面５１ａ側へ貫通孔５４の貫通部５４４を通過した蒸着材料７が基板１１０に付着することによって、基板１１０に上述の第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂなどの層が形成される。基板１１０に形成される層の、基板１１０の面内方向における輪郭は、平面視における貫通部５４４の輪郭によって定まる。後述する図１５、図１６などの平面図において示されている貫通孔５４の輪郭は、貫通部５４４の輪郭である。貫通孔５４の面積は、貫通部５４４の面積であってもよい。平面視における貫通孔５４の寸法は、貫通部５４４の寸法ｒであってもよい。

貫通部５４４以外の金属板５１の領域は、基板１１０に向かう蒸着材料７を遮蔽することができる。貫通部５４４以外の金属板５１の領域が、遮蔽領域５５を構成する。図１２、図１３、図１５、図１６などのマスク５０の平面図においては、遮蔽領域５５にハッチングが施されている。

マスク第２領域Ｍ２の遮蔽領域５５は、金属板５１を貫通しない凹部を含んでいてもよい。マスク第２領域Ｍ２に凹部を設けることにより、マスク第２領域Ｍ２の剛性を低下させることができる。これにより、マスク第２領域Ｍ２の剛性とマスク第１領域Ｍ１の剛性との間の差を低減できる。このため、剛性の差に起因してマスク５０に皺が生じることを抑制できる。皺は、例えば、マスク５０に張力を加える時に生じやすい。

マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用する。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いる。

貫通孔５４の断面形状は、図１４に示す形状には限られない。また、貫通孔５４の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５４が生じるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。

マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いることができる。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。

次に、第１マスク５０Ａについて詳細に説明する。図１５は、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を拡大して示す平面図である。図１５においては、蒸着工程のときに第１マスク５０Ａに重なる有機層１３０を点線で表している。第１貫通孔５４Ａは、有機層１３０と重なっていてもよい。図１５に示すように、マスク第２領域Ｍ２に位置する１つの第１貫通孔５４Ａは、２つ以上のサブ有機層に重なっていてもよい。図示はしないが、１つの第１貫通孔５４Ａは、１つのサブ有機層に重なっていてもよい。

マスク第２領域Ｍ２において、第１貫通孔５４Ａは、マスク第１方向Ｄ１に沿って第１３周期Ｐ１３で並んでいてもよい。第１３周期Ｐ１３は、有機層１３０の上述の第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。第１３周期Ｐ１３は、有機層１３０の上述の第１２周期Ｐ１２と同一であってもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１３周期Ｐ１３の比であるＰ１３／Ｐ１１の範囲としては、上述の「Ｐ１２／Ｐ１１の範囲」を採用できる。

マスク第２領域Ｍ２において、第１貫通孔５４Ａは、マスク第２方向Ｄ２に沿って第２３周期Ｐ２３で並んでいてもよい。第２３周期Ｐ２３は、有機層１３０の上述の第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。第２３周期Ｐ２３は、有機層１３０の上述の第２２周期Ｐ２２と同一であってもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２３周期Ｐ２３の比であるＰ２３／Ｐ２１の範囲としては、上述の「Ｐ１２／Ｐ１１の範囲」を採用できる。

符号Ｇ１３は、マスク第２領域Ｍ２に位置し、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１貫通孔５４Ａの間の間隔を表す。

第１３周期Ｐ１３に対する間隔Ｇ１３の比であるＧ１３／Ｐ１３は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．４以上でもよい。Ｇ１３／Ｐ１３は、例えば、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。Ｇ１３／Ｐ１３の範囲は、０．１、０．２及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。Ｇ１３／Ｐ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１３／Ｐ１３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１３／Ｐ１３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｇ１３／Ｐ１３は、例えば、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．４以上０．９以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．９以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。

符号Ｇ２３は、マスク第２領域Ｍ２に位置し、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１貫通孔５４Ａの間の間隔を表す。第２３周期Ｐ２３に対する間隔Ｇ２３の比であるＧ２３／Ｐ２３の範囲としては、上述の「Ｇ１３／Ｐ１３の範囲」を採用できる。

次に、第２マスク５０Ｂについて詳細に説明する。図１６は、第２マスク５０Ｂのマスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａと同様に構成される第２マスク５０Ｂの部分については、重複する説明を省略する場合がある。

マスク第２領域Ｍ２において、第２貫通孔５４Ｂは、マスク第１方向Ｄ１に沿って第１４周期Ｐ１４で並んでいてもよい。第１４周期Ｐ１４は、有機層１３０の上述の第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。第１４周期Ｐ１４は、有機層１３０の上述の第１２周期Ｐ１２と同一であってもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１４周期Ｐ１４４の比であるＰ１４／Ｐ１１の範囲としては、上述の「Ｐ１２／Ｐ１１の範囲」を採用できる。

マスク第２領域Ｍ２において、第２貫通孔５４Ｂは、マスク第２方向Ｄ２に沿って第２４周期Ｐ２４で並んでいてもよい。第２４周期Ｐ２４は、有機層１３０の上述の第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。第２４周期Ｐ２４は、有機層１３０の上述の第２２周期Ｐ２２と同一であってもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２４周期Ｐ２４の比であるＰ２４／Ｐ２１の範囲としては、上述の「Ｐ１２／Ｐ１１の範囲」を採用できる。

符号Ｇ１４は、マスク第２領域Ｍ２に位置し、マスク第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第２貫通孔５４Ｂの間の間隔を表す。第１４周期Ｐ１４に対する間隔Ｇ１４の比であるＧ１４／Ｐ１４の範囲としては、上述の「Ｇ１３／Ｐ１３の範囲」を採用できる。

符号Ｇ２４は、マスク第２領域Ｍ２に位置し、マスク第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第２貫通孔５４Ｂの間の間隔を表す。第２４周期Ｐ２４に対する間隔Ｇ２４の比であるＧ２４／Ｐ２４の範囲としては、上述の「Ｇ１３／Ｐ１３の範囲」を採用できる。

マスク５０Ａ、５０Ｂの貫通孔５４Ａ、５４Ｂの形状及び配置を測定する方法においては、各マスクの法線方向に沿って平行光を第１面５１ａ又は第２面５１ｂの一方に入射させる。平行光は、第１面５１ａ又は第２面５１ｂの他方から出射される。出射した光が占める領域の形状を、貫通孔５４の形状として測定する。

次に、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂの位置関係を説明する。図１７は、マスク積層体５６を示す平面図である。マスク積層体５６は、重ねられた２枚以上のマスク５０を備える。図１７に示すマスク積層体５６は、重ねられた第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備える。

マスク積層体５６においては、各マスク５０Ａ～５０Ｂのアライメントマーク５０Ｍが重なっていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ、５０Ｂのセル５２の配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｂが重ねられていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５４Ａ～５４Ｂ及び遮蔽領域５５Ａ～５５Ｂの配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｂが重ねられていてもよい。各マスク５０Ａ～５０Ｂを重ねる際、各マスク５０Ａ～５０Ｂには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。

２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０の画像データを重ねることによって得られてもよい。例えば、まず、撮影装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５４Ａ～５４Ｂの輪郭に関する画像データをそれぞれ取得する。続いて、画像処理装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｂの画像データを重ねる。これにより、図１７のような図を作製できる。画像データを取得する際、各マスク５０Ａ～５０Ｂには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０Ａ～５０Ｂを製造するための設計図面を重ねることによって得られてもよい。

図１７に示すように、マスク積層体５６は、貫通領域５７を備える。貫通領域５７は、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５４Ａ～５４Ｂの少なくとも１つを含む。すなわち、貫通領域５７は、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５４Ａ～５４Ｂの少なくともいずれかに重なる。従って、蒸着工程において、貫通領域５７に対応する基板１１０の領域には、少なくとも１層の第２電極１４０が形成される。

平面視において、マスク積層体５６は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を含むセル５２を備える。図１７に示すように、マスク第１領域Ｍ１において、貫通領域５７は、隙間なく広がっていてもよい。マスク第１領域Ｍ１に位置する貫通領域５７のことを、広域貫通領域とも称し、符号５７Ｗで表す。広域貫通領域５７Ｗは、第１マスク５０Ａの広域貫通孔５４Ａ１を含む。広域貫通領域５７Ｗは、広域貫通孔５４Ａ１と同様に、セル第１辺５２Ａ、セル第２辺５２Ｂ及びセル第３辺５２Ｃに沿って広がっていてもよい。例えば、広域貫通領域５７Ｗは、セル第１辺５２Ａの全域、セル第２辺５２Ｂの全域及びセル第３辺５２Ｃの全域に接していてもよい。広域貫通領域５７Ｗは、セル第４辺５２Ｄに部分的に接していてもよい。

図１７に示すように、マスク第２領域Ｍ２において、貫通領域５７は、２つ以上の貫通ライン５７Ｌを含んでもよい。貫通ライン５７Ｌは、マスク第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。貫通ライン５７Ｌは、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。例えば、貫通ライン５７Ｌは、平面視において広域貫通領域５７Ｗに接続されている第３端５７Ｌ１を含んでもよい。貫通ライン５７Ｌは、マスク第２方向Ｄ２において第３端５７Ｌ１とは反対の側に位置する第４端を含んでもよい。第４端は、平面視において広域貫通領域５７Ｗに接続されていなくてもよい。第４端は、セル第４辺５２Ｄに位置してもよい。

貫通ライン５７Ｌは、第１貫通セクション５７１及び第２貫通セクション５７２を含んでいてもよい。第１貫通セクション５７１は、平面視において有機層１３０に重なってもよい。第２貫通セクション５７２は、第１貫通セクション５７１に接続されていてもよい。第１貫通セクション５７１は、第１マスク５０Ａの第１貫通孔５４Ａによって構成されてもよい。第２貫通セクション５７２は、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５４Ｂによって構成されてもよい。第１貫通セクション５７１及び第２貫通セクション５７２は、マスク第２方向Ｄ２に交互に並んでもよい。

第１貫通セクション５７１は、第３幅Ｗ３を有する。第２貫通セクション５７２は、第４幅Ｗ４を有する。第３幅Ｗ３及び第４幅Ｗ４は、第１貫通セクション５７１及び第２貫通セクション５７２が並ぶ方向に直交する方向における第１貫通セクション５７１の寸法及び第２貫通セクション５７２の寸法である。第４幅Ｗ４は、第３幅Ｗ３よりも小さくてもよい。第３幅Ｗ３に対する第４幅Ｗ４の比であるＷ４／Ｗ３の範囲としては、上述の「Ｗ２／Ｗ１の範囲」を採用できる。

マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．４以上でもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率は、例えば、０．６以下でもよく、０．８以下でもよく、０．９以下でもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率の範囲は、０．１、０．２及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．８及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５７の占有率は、例えば、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．８以下でもよく、０．１以上０．６以下でもよく、０．１以上０．４以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．４以上０．９以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．９以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上０．９以下でもよい。

貫通領域５７は、孔重なり領域５９を含んでもよい。孔重なり領域５９は、平面視において、２枚以上のマスク５０の貫通孔５４が重なっている領域である。すなわち、孔重なり領域５９は、平面視において、マスク積層体５６に含まれる２枚以上のマスク５０の貫通孔５４の少なくとも２つを含む。図１７に示す例において、孔重なり領域５９は、平面視において、第１貫通孔５４Ａと第２貫通孔５４Ｂとが重なっている領域を含む。従って、蒸着工程において、孔重なり領域５９に対応する基板１１０の領域には、少なくとも２層の第２電極１４０が形成される。

孔重なり領域５９の面積は、第２マスク５０Ｂの第２貫通孔５４Ｂの面積よりも小さくてもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２貫通孔５４Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。

次に、有機デバイス２００を製造する方法の一例について説明する。

まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、図５に示すように、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。第３有機層１３０Ｃも、第３有機層１３０Ｃに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。

続いて、第２電極形成工程を実施してもよい。第２電極形成工程においては、上述のマスク群を用いて有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。まず、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、第１マスク５０Ａを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第１層１４０Ａを形成できる。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０Ｂを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第２層１４０Ｂを形成できる。このようにして、図４に示すように、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む第２電極１４０を形成できる。

なお、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを形成する順序は特には限定されない。例えば、第２層１４０Ｂ、第１層１４０Ａの順に蒸着工程が実施されてもよい。

本開示の形態の効果についてまとめる。

有機デバイス２００の第２表示領域１０２が、透過領域１０４を含む場合、有機デバイス２００に到達した光が、透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。従って、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。このため、カメラ、指紋センサなどのセンサの機能を第２表示領域１０２に実現できる。

第１表示領域１０１が、隙間なく広がる広域電極１４０Ｘを含むので、第１表示領域１０１における光の透過率が位置によってばらつくことを抑制できる。これにより、第１表示領域１０１において光の強度にムラが生じることを抑制できる。

なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

上述の実施の形態においては、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間の境界が直線を含む例を示したが、境界の形状は任意である。例えば図１８に示すように、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間の境界は曲線を含んでいてもよい。

第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間の境界の形状は、第１マスク５０Ａの第１遮蔽領域５５Ａの輪郭によって定められてもよい。第１遮蔽領域５５Ａの輪郭は、直線を含んでいてもよく、曲線を含んでいてもよい。

第１表示領域１０１の各有機層１３０の上に第２電極１４０を形成することができる限りにおいて、マスク５０のマスク第１領域Ｍ１の構成は任意である。上述の実施の形態においては、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１が広域貫通孔５４Ａ１を含む例を示したが、その他の構成がマスク第１領域Ｍ１において採用されてもよい。例えば、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１が、複数の第１貫通孔５４Ａを含み、第２マスク５０Ｂのマスク第１領域Ｍ１が、第１貫通孔５４Ａに部分的に重なる複数の第２貫通孔５４Ｂを含んでもよい。

上述の実施の形態においては、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１が広域貫通孔５４Ａ１を含み、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２の第１貫通孔５４Ａが、有機層１３０に重なる第１貫通セクション５７１を構成する例を示した。図示はしないが、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１が広域貫通孔５４Ａ１を含み、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２の第１貫通孔５４Ａが、第１貫通セクション５７１に接続された第２貫通セクション５７２を構成してもよい。この場合、広域貫通孔を含まない第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２の第２貫通孔５４Ｂが、有機層１３０に重なる第１貫通セクション５７１を構成してもよい。この場合、第１マスク５０Ａによって形成される第１層１４０Ａが、広域電極１４０Ｘ及び接続セクション１４２を構成する。また、第２マスク５０Ｂによって形成される第２層１４０Ｂが、画素セクション１４１を構成する。

第１マスク５０Ａは広域貫通孔５４Ａ１を含むので、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２には張力が加わりにくい。一方、第２マスク５０Ｂは広域貫通孔を含まないので、第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２には、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２に比べて張力が加わり易い。このため、第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２の第２貫通孔５４Ｂの位置合わせの精度は、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１の第１貫通孔５４Ａの位置合わせの精度に比べて高くなり得る。第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２の第２貫通孔５４Ｂが第１貫通セクション５７１を構成することにより、画素セクション１４１の位置精度を高めることができる。

図示はしないが、広域貫通孔５４Ａ１を含む第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２の第１貫通孔５４Ａが、第１貫通セクション５７１を構成する部分と、第２貫通セクション５７２を構成する部分と、を含んでもよい。また、広域貫通孔を含まない第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２の第２貫通孔５４Ｂが、第１貫通セクション５７１を構成する部分と、第２貫通セクション５７２を構成する部分と、を含んでもよい。

図１９及び図２０は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの一例を示す図である。図１９に示すように、第１マスク５０Ａのマスク第１領域Ｍ１が広域貫通孔５４Ａ１を含み、第１マスク５０Ａのマスク第２領域Ｍ２が第１貫通孔５４Ａを含んでいなくてもよい。この場合、図２０に示すように、広域貫通孔を含まない第２マスク５０Ｂのマスク第２領域Ｍ２の第２貫通孔５４Ｂが、第１貫通セクション５７１及び第２貫通セクション５７２の両方を構成してもよい。

図１９及び図２０に示す第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを用いる場合、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０は、第１重なり領域１４５Ａを含まない。一方、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間の境界においては、第１マスク５０Ａによって形成される第１層１４０Ａと、第２マスク５０Ｂによって形成される第２層１４０Ｂとが重なる。このため、図１９及び図２０に示す第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを用いる場合にも、第２重なり領域１４５Ｂは形成される。

Claims

有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１表示領域及び第２表示領域を含む表示領域を備え、
前記第１表示領域は、第１密度で分布する前記有機層を含み、
前記第２表示領域は、前記第１密度よりも小さい第２密度で分布する前記有機層を含み、
前記第２電極は、前記第１表示領域において隙間なく広がる広域電極と、前記広域電極に接続されている端を含み、前記第２表示領域において前記有機層に重なる２つ以上の電極ラインと、を備える、有機デバイス。
前記表示領域は、第１方向において対向する第１辺及び第２辺と、第１方向に交差する第２方向において対向する第３辺及び第４辺と、を含む輪郭を備え、
前記広域電極は、前記第１辺、前記第２辺及び前記第３辺に沿って広がっている、請求項１に記載の有機デバイス。
前記第２表示領域は、前記第４辺に接している、請求項２に記載の有機デバイス。
前記電極ラインは、前記有機層に重なる画素セクションと、前記画素セクションに接続され、前記画素セクションの幅よりも小さい幅を有する接続セクションと、を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機デバイス。
前記第２電極は、少なくとも前記広域電極を構成する第１層と、前記第１層と部分的に重なり、少なくとも前記接続セクションを構成する第２層と、を含む、請求項４に記載の有機デバイス。
前記第１層は、前記画素セクションを構成する部分を含む、請求項５に記載の有機デバイス。
前記画素セクションを構成する前記第１層の１つの前記部分は、２つ以上の前記有機層に重なる、請求項６に記載の有機デバイス。
前記画素セクションを構成する前記第１層の１つの前記部分は、１つの前記有機層に重なる、請求項６に記載の有機デバイス。
前記第１密度に対する前記第２密度の比が０．９以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機デバイス。
２枚以上のマスクを備えるマスク群であって、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、マスク第１領域及びマスク第２領域を含むセルを備え、
前記マスク第１領域において、前記貫通領域は、隙間なく広がっており、
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、前記マスク第１領域に接続されている端を含み、前記マスク第２領域に位置する２つ以上の貫通ラインを備える、マスク群。
前記セルは、マスク第１方向において対向するセル第１辺及びセル第２辺と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向において対向するセル第３辺及びセル第４辺と、を含むセル輪郭を備え、
前記貫通領域は、前記マスク第１領域において、前記セル第１辺、前記セル第２辺及び前記セル第３辺に沿って広がっている、請求項１０に記載のマスク群。
前記マスク第２領域は、前記セル第４辺に接している、請求項１１に記載のマスク群。
前記貫通ラインは、第１貫通セクションと、前記第１貫通セクションに接続され、前記第１貫通セクションの幅よりも小さい幅を有する第２貫通セクションと、を含む、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のマスク群。
前記マスク第１領域において隙間なく広がる第１広域貫通孔を含む第１マスクと、
前記マスク第２領域において前記貫通ラインを構成する２つ以上の第２貫通孔を含む第２マスクと、を備える、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のマスク群。
前記第１マスクは、前記マスク第２領域に位置し、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記第２貫通孔に部分的に重なる２つ以上の第１貫通孔を含む、請求項１４に記載のマスク群。
前記マスク第２領域において、前記貫通領域は０．９以下の占有率を有する、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のマスク群。
遮蔽領域及び貫通孔を備えるマスクであって、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、マスク第１領域及びマスク第２領域を含むセルを備え、
前記マスク第１領域において、前記貫通孔は、隙間なく広がっており、
前記マスク第２領域は、前記遮蔽領域と、前記遮蔽領域に囲まれた２つ以上の前記貫通孔と、を含む、マスク。
前記セルは、マスク第１方向において対向するセル第１辺及びセル第２辺と、マスク第１方向に交差するマスク第２方向において対向するセル第３辺及びセル第４辺と、を含むセル輪郭を備え、
前記貫通孔は、前記マスク第１領域において、前記セル第１辺、前記セル第２辺及び前記セル第３辺に沿って広がっている、請求項１７に記載のマスク。
前記マスク第２領域は、前記セル第４辺に接している、請求項１８に記載のマスク。
有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１０に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法。