JP2022190660A - マスク群、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】電極の光の透過率を高めるマスク群、および該マスク群を用いた有機デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】マスク群は、２つ以上のマスク５０を備え、法線方向に沿う断面で見た場合、貫通孔５３の接続部５３３を通り、第１面５１ａと角度θをなす直線として領域画定直線Ｌが定義され、領域画定直線Ｌが第１面５１ａと第１交点ＣＰ１で交わり、第１交点ＣＰ１よりも貫通孔の内側に有効領域５７が画定され、第１交点ＣＰ１よりも貫通孔の外側に周囲領域５８が画定され、角度θは、３５°以上７０°以下であり、マスク第２領域における貫通領域は、２つのマスクの貫通孔が重なる孔重なり領域を含んでいてもよく、孔重なり領域は、マスク積層体に含まれる２つのマスクの貫通孔の周囲領域が重なる第１孔重なり領域を含んでいる。【選択図】図１５

Description

本開示の実施形態は、マスク群、有機デバイスの製造方法及び有機デバイスに関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の画素密度を有する。

応答性の良さと、または／および消費電力の低さとを有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、画素を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極上に付着させ、陽極上に有機層を形成する。続いて、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層上に付着させ、有機層の上に陰極を形成する。

陰極は、複数のマスクを用いる蒸着法によって形成される場合がある。この場合、各マスクによって陰極を構成する層が形成され、互いに隣り合う層同士が重なる電極重なり領域が形成される。このことにより、各層が電気的に接続される。

特開２０１９－０６００２８号公報 特開２００５－１８３１５３号公報

陰極の電極重なり領域の厚みが厚くなると、光の透過率が低下する。

本開示の一実施形態によるマスク群は、２つ以上のマスクを備えていてもよい。前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備えていてもよい。２つ以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備えていてもよい。前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備えていてもよい。前記マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を含んでいてもよい。前記貫通孔は、前記第１面側に位置する第１凹部と、前記第２面側に位置する第２凹部と、前記第１凹部と前記第２凹部とが接続された接続部と、を含んでいてもよい。前記法線方向に沿う断面で見た場合、前記接続部を通り、前記第１面と角度θをなす直線として領域画定直線が定義されてもよい。前記領域画定直線が前記第１面と第１交点で交わってもよい。前記第１交点よりも前記貫通孔の内側に有効領域が画定され、前記第１交点よりも前記貫通孔の外側に周囲領域が画定されてもよい。前記角度θは、３５°以上７０°以下であってもよい。前記マスク第２領域における前記貫通領域は、２つの前記マスクの前記貫通孔が重なる孔重なり領域を含んでいてもよい。前記孔重なり領域は、前記マスク積層体に含まれる２つの前記マスクの前記貫通孔の前記周囲領域が重なる第１孔重なり領域を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態によれば、光の透過率を高めることができる。

本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す平面図である。 有機デバイスの第２表示領域を示す平面図である。 有機デバイスの第２電極を示す平面図である。 図３に示す有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図３に示す有機デバイスのＡ－Ａ線に概略的に沿った断面図である。 図３に示す有機デバイスのＢ－Ｂ線に概略的に沿った断面図である。 図３に示す第２電極の電極重なり領域を示す平面図である。 図７に示す電極重なり領域を示す断面図である。 電極重なり領域の比較例を示す断面図である。 マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 マスク装置のマスクを示す平面図である。 第１マスク装置を示す平面図である。 第２マスク装置を示す平面図である。 第３マスク装置を示す図である。 マスクの断面構造の一例を示す断面図である。 貫通孔の有効領域及び周囲領域を示す断面図である。 図３に示す第２電極を形成するための第１マスクの一例を示す平面図である。 図３に示す第２電極を形成するための第２マスクの一例を示す平面図である。 図３に示す第２電極を形成するための第３マスクの一例を示す平面図である。 図３に示す第２電極を形成するためのマスク積層体の一例を示す平面図である。 図１９に示すマスク積層体の孔重なり領域を示す平面図である。 図２０に示す孔重なり領域を示す断面図である。 図３に示す第２電極の変形例を示す平面図である。 図２２に示す第２電極の電極重なり領域を示す平面図である。 図２３に示す電極重なり領域を示す断面図である。 図２２に示す第２電極を形成するためのマスク積層体の孔重なり領域を示す平面図である。 図２５に示す孔重なり領域を示す断面図である。 図１５に示す貫通孔の有効領域及び周囲領域の変形例を示す断面図である。 図３に示す第２電極の変形例を示す平面図である。 図２８に示す第２電極の電極重なり領域を示す平面図である。 図２８に示す第２電極を形成するための第１マスクの一例を示す平面図である。 図２８に示す第２電極を形成するための第２マスクの一例を示す平面図である。 図２８に示す第２電極を形成するためのマスク積層体の孔重なり領域を示す平面図である。 図３２に示すマスク積層体の孔重なり領域を示す平面図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによっては互いから区別されない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、本開示の実施形態は、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値や要素を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。例えば、「マスク５０Ａ～５０Ｃ」という表現によって画定される範囲は、マスク５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを含んでいる。

本明細書の一実施形態においては、複数のマスクを備えるマスク群が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスク群の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスク群に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。

本開示の第１の態様は、
マスク群であって、
２つ以上のマスクを備え、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２つ以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
前記マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を含み、
前記貫通孔は、前記第１面側に位置する第１凹部と、前記第２面側に位置する第２凹部と、前記第１凹部と前記第２凹部とが接続された接続部と、を含み、
前記法線方向に沿う断面で見た場合、前記接続部を通り、前記第１面と角度θをなす直線として領域画定直線が定義され、前記領域画定直線が前記第１面と第１交点で交わり、前記第１交点よりも前記貫通孔の内側に有効領域が画定され、前記第１交点よりも前記貫通孔の外側に周囲領域が画定され、
前記角度θは、３５°以上７０°以下であり、
前記マスク第２領域における前記貫通領域は、２つの前記マスクの前記貫通孔が重なる孔重なり領域を含み、
前記孔重なり領域は、前記マスク積層体に含まれる２つの前記マスクの前記貫通孔の前記周囲領域が重なる第１孔重なり領域を含む、マスク群、
である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスク群において、前記第１孔重なり領域は、前記マスクの前記貫通孔の前記有効領域から離間していてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第１の態様によるマスク群において、前記孔重なり領域は、前記マスク積層体に含まれる１つの前記マスクの前記貫通孔の前記有効領域と他の１つの前記マスクの前記貫通孔の前記周囲領域とが重なる第２孔重なり領域を含んでいてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによるマスク群において、前記領域画定直線は、前記第２凹部の壁面の任意の点に接していてもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによるマスク群において、前記マスク第１領域及び前記マスク第２領域のそれぞれにおいて、前記マスクに、複数の前記貫通孔が位置していてもよい。

本開示の第６の態様は、有機デバイスの製造方法であって、基板上の第１電極上の有機層上に、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによるマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備えていてもよい。前記第２電極形成工程は、前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、他の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備えていてもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第６の態様による有機デバイスの製造方法において、前記第２電極を形成する蒸着材料の飛来方向が前記マスクの前記第１面となす角度をθ１としてもよい。前記接続部を通るとともに前記第２凹部に接する直線が前記第１面となす角度をθ２としてもよい。前記角度θ１が前記角度θ２よりも大きい場合、前記領域画定直線の前記角度θは、前記角度θ１であってもよい。

本開示の第８の態様は、
有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
前記第２電極は、互いに異なる前記有機層上に位置する２つ以上の層を含み、
前記層は、層本体領域と、前記層本体領域の厚みよりも薄い厚みを有する層周囲領域と、を含み、
前記第２表示領域における前記第２電極は、２つの前記層が重なる電極重なり領域を含み、
前記電極重なり領域は、前記層の前記層周囲領域が重なる第１電極重なり領域と、１つの前記層の前記層本体領域と、他の１つの前記層の前記層周囲領域とが重なる第２電極重なり領域と、を含む、有機デバイス、
である。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

有機デバイス１００について説明する。有機デバイス１００は、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される電極を備える。図１は、有機デバイス１００の基板１１０の法線方向に沿って見た場合の有機デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。

有機デバイス１００は、基板１１０（図５参照）と、基板１１０の第１面１１１または第２面１１２に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。有機デバイス１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。図１に示すように、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１によって囲まれていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置していてもよい。

図２は、図１の第２表示領域１０２及びその周囲を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。図１及び図２に示す例において、第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に沿って並んでいてもよい。第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に交差する素子第２方向Ｇ２に沿って並んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２は、素子第１方向Ｇ１に直交していてもよい。

有機デバイス１００は、第２電極１４０を備える。第２電極１４０は、後述する有機層１３０の上に位置している。第２電極１４０は、２つ以上の有機層１３０に電気的に接続されていてもよい。例えば、第２電極１４０は、平面視において２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｙとも表す。

第２電極１４０Ｘは第１占有率を有する。第１占有率は、第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第１表示領域１０１の面積で割ることによって算出される。第２電極１４０Ｙは第２占有率を有する。第２占有率は、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第２表示領域１０２の面積で割ることによって算出される。第２占有率は、第１占有率よりも小さくてもよい。例えば図２に示すように、第２表示領域１０２は、非透過領域１０３及び透過領域１０４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっていない。非透過領域１０３は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっている。

第１占有率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、第１表示領域１０１は、第２電極１４０の後述する第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれかに占有される領域と、第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれにも占有されない領域と、を含む。しかしながら、このことに限られることはなく、第１占有率は１００％であってもよい。この場合、第１表示領域１０１の全体が、第２電極１４０の第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれかに占有される。第２占有率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、第２表示領域１０２は、第２電極１４０の第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれかに占有される領域と、第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれにも占有されない領域と、を含む。

第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

非透過領域１０３の透過率を、第１透過率とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率とも称する。透過領域１０４が第２電極１４０Ｙを含まないため、第２透過率が第１透過率よりも高い。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板１１０の裏側の光学部品などに到達できる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。第２表示領域１０２が非透過領域１０３を含むため、素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示できる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。透過領域１０４の第２透過率が高いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。第２表示領域１０２の第２占有率が低いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。

素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定してもよい。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ－ＳＰ２００又は大塚電子株式会社製ＬＣＦシリーズのいずれかを用いてもよい。いずれの顕微分光光度計も、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視域で透過率を測定できる。石英、ＴＦＴ液晶用ホウケイ酸ガラス又はＴＦＴ液晶用無アルカリガラスのいずれかをレファレンスとして用いてもよい。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いてもよい。

素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定してもよい。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉ又はＵＶ－３６００ｉ Ｐｌｕｓのいずれかを用いてもよい。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いてもよい。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いてもよい。

第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上でもよく、１．５以上でもよく、１．８以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以下でもよく、３以下でもよく、４以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、１．２、１．５及び１．８からなる第１グループ、及び／又は、２、３及び４からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．２以上４以下でもよく、１．２以上３以下でもよく、１．２以上２以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上４以下でもよく、１．５以上３以下でもよく、１．５以上２以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．８以上４以下でもよく、１．８以上３以下でもよく、１．８以上２以下でもよく、２以上４以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上４以下でもよい。

図２に示すように、第２電極１４０Ｙは、素子第１方向Ｇ１に並ぶ２つ以上の電極ライン１４０Ｌを含んでいてもよい。電極ライン１４０Ｌは、素子第２方向Ｇ２に延びていてもよい。例えば、電極ライン１４０Ｌは、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘに接続されている第１端１４０Ｌ１及び第２端１４０Ｌ２を含んでいてもよい。第２端１４０Ｌ２は、素子第２方向Ｇ２において第１端１４０Ｌ１とは反対側に位置している。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置している場合、第２電極１４０Ｘに接続されている電極ライン１４０Ｌの端が１つのみであってもよい。

図３は、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘ及び第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙを拡大して示す平面図である。第２電極１４０Ｘ及び第２電極１４０Ｙはいずれも、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。有機層１３０は、素子１１５の一構成要素である。

第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１ピッチＰ１（図４参照）で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第２ピッチＰ２で並んでいてもよい。第２ピッチＰ２は、第１ピッチＰ１よりも大きくてもよい。このことにより、第２電極１４０Ｙの第２占有率が小さくなる。これにより、透過領域１０４の面積が大きくなり、センサが受光する光量を増やすことができる。

第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比は、例えば、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第１ピッチＰ１に対する第２ピッチＰ２の比が小さい場合、第１表示領域１０１の画素密度に対する第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

電極ライン１４０Ｌは、平面視において、素子第２方向Ｇ２に沿って並ぶ２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。

第２電極１４０の層構成について説明する。

第２電極１４０は、複数の層を含んでいてもよい。例えば、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃはそれぞれ、蒸着法によって形成される層である。より具体的には、第１層１４０Ａは、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって形成される。第２層１４０Ｂは、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって形成される。第３層１４０Ｃは、第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって形成される。

図７及び図８に示すように、第２電極１４０の各層１４０Ａ～１４０Ｃは、層本体領域１４１及び層周囲領域１４２を含む。

層本体領域１４１は、平面視で層の中央に位置しており、後述するシャドーの影響を受け難い領域である。層本体領域１４１は、層周囲領域１４２の厚みよりも厚い厚みを有している。層本体領域１４１は、比較的平坦に形成されていてもよい。層本体領域１４１は、貫通孔５３の後述する有効領域５７によって画定されてもよい。

層周囲領域１４２は、層本体領域１４１の外側であって、層本体領域１４１の周囲に位置している。層周囲領域１４２は、シャドーの影響を受け易い領域である。層周囲領域１４２は、層本体領域１４１の厚みよりも薄い厚みを有している。層周囲領域１４２は、厚みが変化する領域であってもよい。層周囲領域１４２は、貫通孔５３の後述する周囲領域５８によって画定されてもよい。

層周囲領域１４２は、層本体領域１４１の厚みｔａの９５％以下の厚みを有する領域であってもよい。すなわち、層周囲領域１４２の厚みは、層本体領域１４１の厚みｔａの９５％以下の範囲で変化していてもよい。例えば、厚みｔａに対する厚みの百分率は、８０％以下、５０％以下であってもよい。

第２電極１４０の各層１４０Ａ～１４０Ｃは、平面視において、略多角形状の輪郭を有していてもよく、又は略円形状の輪郭を有していてもよい。例えば、各層は、略四角形状、略六角形状又は略八角形状の輪郭を有していてもよい。図３に示す例においては、各層１４０Ａ～１４０Ｃが略正八角形状の輪郭を有している。各層１４０Ａ～１４０Ｃは、同一の平面輪郭を有していてもよい。互いに対向する２つの辺が素子第１方向Ｇ１に沿っており、互いに対向する他の２つの辺が素子第２方向Ｇ２に沿っている。各層１４０Ａ～１４０Ｃの輪郭が略多角形状の輪郭である場合、輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。

第１層１４０Ａは、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２において第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃに接続されていてもよい。第１層１４０Ａは、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第１層１４０Ａは、後述する第１有機層１３０Ａと重なっていてもよい。第１層１４０Ａは、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃとは異なる有機層１３０上に位置していてもよい。

第２層１４０Ｂは、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２において第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃに接続されていてもよい。第２層１４０Ｂは、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第２層１４０Ｂは、後述する第２有機層１３０Ｂと重なっていてもよい。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃとは異なる有機層１３０上に位置していてもよい。

第３層１４０Ｃは、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２において第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂに接続されていてもよい。第３層１４０Ｃは、平面視において有機層１３０と重なっていてもよい。例えば、第３層１４０Ｃは、後述する第３有機層１３０Ｃと重なっていてもよい。第３層１４０Ｃは、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂとは異なる有機層１３０上に位置していてもよい。

第１表示領域１０１においては、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃが繰り返し並んでいてもよい。図３に示す例においては、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃが、正三角形の頂点に配置されている。このように配置された３つの層１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃにより、上述した第１電極１２０及び有機層１３０とともに１つの画素が構成されている。

第２表示領域１０２においては、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃが繰り返し並んでいてもよい。図３に示す例においては、第１表示領域１０１と同様に正三角形の頂点に配置された３つの層１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃにより、１つの画素が構成されている。画素は、素子第１方向Ｇ１において間隔を置いて配置されている。素子第１方向Ｇ１において、隣り合う画素の間に、透過領域１０４が介在されている。画素は、素子第２方向Ｇ２において間隔を置いて配置されている。素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの画素の間に、第２層１４０Ｂが介在されている。この第２層１４０Ｂに対応する第１電極１２０と有機層１３０は形成されておらず、この画素を構成しない第２層１４０Ｂと基板１１０との間には、絶縁層１６０が介在されている。この画素を構成しない第２層１４０Ｂによって、電極ライン１４０Ｌが構成されて、第２電極１４０の導電性が確保されている。

図４は、図３に示す有機デバイス１００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。以下の説明において、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する有機層の構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、第２電極１４０の３つの層１４０Ａ～１４０Ｃと同様に、正三角形の頂点に配置されている。

平面視における第２電極１４０及び有機層１３０の配置は、高倍率のデジタルマイクロスコープを用いて有機デバイス１００を観察することによって検出される。検出結果に基づいて、上述の占有率、面積、寸法、間隔などを算出できる。有機デバイス１００がカバーガラスなどのカバーを備える場合、カバーを取り除いた後、第２電極１４０及び有機層１３０を観察してもよい。カバーは、剥がすこと、又は破壊することなどによって取り除いてもよい。デジタルマイクロスコープではなく走査型電子顕微鏡を用いてもよい。

次に、有機デバイス１００の層構成の一例について説明する。図５は、図３に示す有機デバイスのＡ－Ａ線に概略的に沿った断面図である。図６は、図３に示す有機デバイスのＢ－Ｂ線に概略的に沿った断面図である。

有機デバイス１００は、上述したように、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、上述したように、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいてもよい。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。

絶縁層１６０は、平面視において、後述する電極重なり領域１４８に重なっていてもよい。例えば、平面視において、電極重なり領域１４８が、絶縁層１６０の輪郭によって囲まれていてもよい。

電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の複数の層を含む。このため、電極重なり領域１４８は、第２電極１４０の１つの層に比べて低い透過率を有する。電極重なり領域１４８を透過した光が有機デバイス１００から出射すると、光の強度にムラが生じることがある。絶縁層１６０が電極重なり領域１４８に重なることにより、光の強度にムラが生じることを抑制できる。

電極重なり領域１４８は、平面視において２つの層が部分的に重なっている領域である。図３に示す例において、電極重なり領域１４８は、平面視において、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なっている領域、第１層１４０Ａと第３層１４０Ｃとが重なっている領域、及び、第２層１４０Ｂと第３層１４０Ｃとが重なっている領域を含む。３つの層１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃが重なっている領域は存在していなくてもよい。

図７及び図８に示すように、電極重なり領域１４８は、各層の層周囲領域１４２が重なる第１電極重なり領域１４９を含んでいてもよい。図７は、電極重なり領域１４８を示す平面図である。図８は、電極重なり領域１４８を示す断面図である。

例えば、第１電極重なり領域１４９は、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２とが重なっている領域、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なっている領域、及び、第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なっている領域を含む。本実施形態における電極重なり領域１４８は、各層の層周囲領域１４２が重なる第１電極重なり領域１４９によって構成されている。電極重なり領域に、各層の層本体領域１４１は重なっていなくてもよい。各層の層本体領域１４１同士は重なっていなくてもよい。

図８に示すように、層周囲領域１４２同士が重なることにより、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の厚みを低減できる。例えば、図９に示すように、層本体領域１４１同士が重なる場合、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の最大厚みｔｂは、層本体領域１４１の厚みｔａの２倍になる。これに対して、層周囲領域１４２同士が重なる場合、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の厚みｔｂは、層本体領域１４１の厚みｔａの２倍未満になる。このため、層本体領域１４１同士が重ならないことにより、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の厚みｔｂを低減できる。

図８に示すように、第１電極重なり領域１４９は、層本体領域１４１から離間していてもよい。第１電極重なり領域１４９と層本体領域１４１との間に、非重なり領域１５０が位置していてもよい。

例えば、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２とが重なる第１電極重なり領域１４９は、第１層１４０Ａの層本体領域１４１から離間していてもよい。この第１電極重なり領域１４９と第１層１４０Ａの層本体領域１４１との間に、非重なり領域１５０が位置していてもよい。第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２とが重なる第１電極重なり領域１４９は、第２層１４０Ｂの層本体領域１４１から離間していてもよい。この第１電極重なり領域１４９と第２層１４０Ｂの層本体領域１４１との間に、非重なり領域１５０が位置していてもよい。

同様にして、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なる第１電極重なり領域１４９は、各層１４０Ａ、１４０Ｃの層本体領域１４１から離間していてもよい。

同様にして、第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なる第１電極重なり領域１４９は、各層１４０Ｂ、１４０Ｃの層本体領域１４１から離間していてもよい。

有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、スイッチを備えていてもよい。スイッチは、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されている。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御できる。

基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透過性を有する。

基板１１０が所定の透過性を有する場合、基板１１０の透過性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透過性であってもよい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が７０％以上であってもよく、８０％以上であってもよい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定されてもよい。

基板１１０は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて基板１１０の材料を適宜選択してもよい。

基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板、若しくは無アルカリガラス等の可撓性のないリジッド材、又は、樹脂フィルム、光学用樹脂板、若しくは薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いてもよい。基板は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択されてもよい。例えば、基板１１０の厚みは、０．００５ｍｍ以上であってもよい。基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現してもよい。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物、又はその他の導電性を有する無機材料などを含んでいてもよい。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透過性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

第１電極１２０を構成する材料としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ、若しくはＭｇ等の金属；ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、若しくは酸化インジウム等の無機酸化物；又は、金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いてもよい。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いてもよい。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮できる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いてもよい。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子１１５Ｃとも称する。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃはそれぞれサブ画素である。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃの組み合わせによって、１つの画素が構成されてもよい。

以下の説明において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子１１５Ｃに共通する素子の構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０が通電により光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などを含んでいてもよい。

例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。正孔注入輸送層に、正孔注入層および正孔輸送層が積層されていてもよい。

第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有していてもよい。電子注入輸送層に、電子注入層および電子輸送層が積層されていてもよい。

発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を向上させる添加剤を含んでいてもよい。

発光材料としては、公知の材料を用いてもよい。例えば、発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料又は高分子系材料等を用いてもよい。

色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、又はピラゾリンダイマー等を用いてもよい。

金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等、又は、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いてもよい。

高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、又はポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いてもよい。

発光層は、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、又はフルオレン誘導体等を用いてもよい。ドーパントとして、白金又はイリジウム等の重金属イオンを有していてもよく、燐光を示す有機金属錯体を使用してもよい。ドーパントは、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

発光材料およびドーパントしては、例えば、特開２０１０－２７２８９１号公報の［００９４］～［００９９］、又は国際公開第２０１２／１３２１２６号の［００５３］～［００５７］に記載の材料を用いてもよい。

発光層の厚みは、電子と正孔との再結合を可能にすることにより発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されない。発光層の厚みは、例えば１ｎｍ以上としてもよく、５００ｎｍ以下としてもよい。

正孔注入輸送層に用いられる正孔注入輸送性材料としては、公知の材料を用いてもよい。正孔注入輸送性材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フェニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポルフィリン誘導体、又はスチリルアミン誘導体等を用いてもよい。その他の材料として、スピロ化合物、フタロシアニン化合物、又は金属酸化物等を例示することができる。正孔注入輸送性材料としては、例えば、特開２０１１－１１９６８１号公報、国際公開第２０１２／０１８０８２号、特開２０１２－０６９９６３号公報、又は国際公開第２０１２／１３２１２６号の［０１０６］に記載の化合物も適宜選択して用いてもよい。

正孔注入輸送層が、正孔注入層および正孔輸送層が積層された構成を有している場合には、正孔注入層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔注入層および正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよい。添加剤Ａは、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。添加剤Ａとしては、例えば、フッ素系化合物、エステル系化合物、又は炭化水素系化合物等を用いてもよい。

電子注入輸送層に用いられる電子注入輸送性材料としては、公知の材料を用いてもよい。電子注入輸送性材料としては、例えば、アルカリ金属類、アルカリ金属の合金、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属類、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の有機錯体、マグネシウムのハロゲン化物や酸化物、又は酸化アルミニウム等を用いてもよい。電子注入輸送性材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリノール錯体等の金属錯体、フタロシアニン化合物、又はジスチリルピラジン誘導体等を用いてもよい。

電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層としてもよい。電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の金属錯体、又はこれらの高分子誘導体等を用いてもよい。ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、又はＳｒ等を用いてもよい。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、又は炭素等を用いてもよい。これらの材料は、単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、第２電極１４０は、各材料からなる層を積層した構成を有していてもよい。第２電極１４０としては、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。第２電極１４０としては、例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、又はアルカリ金属類若しくはアルカリ土類金属類の合金等を用いてもよい。

第２電極１４０の層本体領域１４１の厚みｔａは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。層本体領域１４１の厚みｔａは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。層本体領域１４１の厚みｔａの範囲は、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。層本体領域１４１の厚みｔａの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。層本体領域１４１の厚みｔａの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。層本体領域１４１の厚みｔａの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

層本体領域１４１の厚みｔａが小さいほど、第２電極１４０の透過率が高くなり、非透過領域１０３の透過率も高くなる。非透過領域１０３に入射した光も、非透過領域１０３の透過率に応じてセンサに到達できる。非透過領域１０３の透過率を高くすることにより、センサが受光する光量を増やすことができる。

有機デバイス１００の各構成要素の厚みは、走査型電子顕微鏡又は白色干渉計を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定してもよい。例えば、基板１１０の厚み及び第２電極１４０の厚みなどは、走査型電子顕微鏡又は白色干渉計を用いて測定してもよい。例えば、第２電極１４０の層本体領域１４１の厚みの測定には、株式会社菱化システム製の白色干渉計「VertScan（登録商標）、Ｒ６５００Ｈ－Ａ３００」を用いてもよい。

上述の有機デバイス１００の第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法を説明する。図１０は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。

蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、導電性材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図１０に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、第１フレーム面４１ａと、第２フレーム面４１ｂと、を含んでいてもよい。第１フレーム面４１ａにはマスク５０が固定されていてもよい。第２フレーム面４１ｂは、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する。フレーム４１は、開口４２を含んでいてもよい。開口４２は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通している。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。フレーム４１は、その面に沿う方向にマスク５０を引っ張った状態で支持していてもよい。これにより、マスク５０が撓むことを抑制できる。

マスク５０としては、後述する第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ又は第３マスク５０Ｃが用いられてもよい。以下の説明において、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃに共通するマスクの構成を説明する場合には、「マスク５０」という用語及び符号を用いる。この場合、後述する貫通孔及び遮蔽領域などのマスクの構成要素についても同様に、アルファベットが付されていない数字のみの符号であって、「５３」又は「５４」などの数字のみの符号を用いる。一方、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃのそれぞれに特有の内容を説明する場合には、数字の後に「Ａ」、「Ｂ」又は「Ｃ」などの対応するアルファベットを付した符号を用いることもある。

マスク装置４０のマスク５０は、基板１１０の第１面１１１に対向している。マスク５０を用いて蒸着材料７を付着させる対象物が基板１１０である。マスク５０は、複数の貫通孔５３を含む。貫通孔５３は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。貫通孔５３を通過した蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク５０は、第１面５１ａ及び第２面５１ｂを含む。第１面５１ａは、第１面１１１に対向している。第２面５１ｂは、第１面５１ａの反対側に位置する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂに貫通している。

蒸着装置１０は、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の第１面１１１に沿う方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御してもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、基板１１０の厚み方向及び第１面１１１に沿う方向において独立に移動可能であってもよい。

蒸着装置１０は、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の第１面５１ａに沿う方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、マスク５０の厚み方向及び第１面５１ａに沿う方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２及びマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整できる。

蒸着装置１０は、冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、基板１１０の第２面１１２側に配置されていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。

蒸着装置１０は、第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、冷却板４に重ねられていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりできる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制できる。このため、第２電極１４０の寸法精度や位置精度を高めることができる。あるいは、磁石５の代わりに、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。

マスク装置４０について説明する。図１１は、マスク装置４０を示す平面図である。マスク装置４０は、２つ以上のマスク５０を備えていてもよい。マスク５０は、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。

フレーム４１は、一対の第１辺４１１と、一対の第２辺４１２と、を含む。フレーム４１は、矩形の輪郭を有していてもよい。第１辺４１１には、張力を加えられた状態のマスク５０が固定されていてもよい。第１辺４１１は、第２辺４１２よりも長くてもよい。一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２は開口４２を囲んでいてもよい。

フレーム４１を構成する材料としては、後述するマスク５０の材料と同一でもよい。例えば、フレーム４１を構成する材料に、ニッケルを含む鉄合金を用いてもよい。

マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３及び貫通孔５３の周囲に位置する遮蔽領域５４を含む。セル５２は、複数の貫通孔５３によって構成されている。マスク５０は、２つ以上のセル５２を含んでいてもよい。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。１つのセル５２が複数の表示領域に対応していてもよい。２つのセル５２の間に、遮蔽領域５４が位置していてもよい。図示はしないが、マスク５０は、２つのセル５２の間に位置する貫通孔を含んでいてもよい。

セル５２は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形の輪郭を有していてもよい。各セル５２は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば各セル５２は、円形の輪郭を有していてもよい。

図１２は、マスク５０の一例を拡大して示す平面図である。マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第１方向Ｄ１に交差するマスク第２方向Ｄ２を有する。マスク第１方向Ｄ１は、マスク第２方向Ｄ２に直交していてもよい。マスク第１方向Ｄ１が素子第１方向Ｇ１に沿っていてもよく、マスク第２方向Ｄ２が素子第２方向Ｇ２に沿っていてもよい。

マスク５０は、上述した貫通孔５３及び遮蔽領域５４を備える。貫通孔５３は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。

第１面５１ａの法線方向に沿ってマスク５０を見た場合、マスク５０は、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を備える。マスク第３領域Ｍ３は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応しているとともに、後述するマスク積層体５５のマスク第１領域Ｍ１に重なる。マスク第４領域Ｍ４は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応しているとともに、後述するマスク積層体５５のマスク第２領域Ｍ２に重なる。

マスク第３領域Ｍ３に複数の貫通孔５３が位置していてもよい。言い換えると、マスク第３領域Ｍ３に重なるマスク第１領域Ｍ１において、各マスク５０に、複数の貫通孔５３が位置していてもよい。マスク第３領域Ｍ３における複数の貫通孔５３は、パターン状に位置していてもよい。例えば、複数の貫通孔５３は、第１表示領域１０１における第２電極１４０の第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれか１つに対応するように位置していてもよい。

マスク第３領域Ｍ３は、貫通孔５３の面積の比率を示す第３開口率を有する。第３開口率は、マスク第３領域Ｍ３に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第３領域Ｍ３の面積で割ることによって算出される。第３開口率を算出するための貫通孔５３の面積は、第１面５１ａにおける貫通孔５３の面積であってもよく、又は後述する貫通部５３４の平面面積であってもよい。第３開口率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、マスク第３領域Ｍ３は、貫通孔５３に占有される領域と、貫通孔５３に占有されない領域と、を含む。

マスク第４領域Ｍ４に複数の貫通孔５３が位置していてもよい。言い換えると、マスク第４領域Ｍ４に重なるマスク第２領域Ｍ２において、各マスク５０に、複数の貫通孔５３が位置していてもよい。マスク第４領域Ｍ４における複数の貫通孔５３は、パターン状に位置していてもよい。例えば、複数の貫通孔５３は、第２表示領域１０２における第２電極１４０の第１層１４０Ａ～第３層１４０Ｃのいずれか１つに対応するように位置していてもよい。

マスク第４領域Ｍ４は、貫通孔５３の面積の比率を示す第４開口率を有する。第４開口率は、マスク第４領域Ｍ４に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第４領域Ｍ４の面積で割ることによって算出される。第４開口率は、第３開口率よりも小さくてもよい。第４開口率を算出するための貫通孔５３の面積は、第１面５１ａにおける貫通孔５３の面積であってもよく、又は後述する貫通部５３４の平面面積であってもよい。第４開口率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、マスク第４領域Ｍ４は、貫通孔５３に占有される領域と、貫通孔５３に占有されない領域と、を含む。

第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

マスク５０は、アライメントマーク５０Ｍを有していてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばマスク５０のセル５２の隅に形成されている。アライメントマーク５０Ｍは、マスク５０を用いる蒸着法によって基板１１０に第２電極１４０を形成する工程において、基板１１０に対するマスク５０の位置合わせのために用いられてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えば、開口４２と重なる位置に形成されてもよく、あるいはフレーム４１と重なる位置に形成されてもよい。マスク装置４０を作製する際、マスク５０とフレーム４１の位置合わせのためにアライメントマーク５０Ｍが用いられてもよい。

第２電極１４０を形成する工程においては、複数のマスク５０が用いられてもよい。例えば図１３Ａ～図１３Ｃに示すように、複数のマスク５０は、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備えていてもよい。第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃは、異なるマスク装置４０を構成してもよい。図１３Ａに示すように、第１マスク５０Ａを備えるマスク装置４０を第１マスク装置４０Ａとも称する。図１３Ｂに示すように、第２マスク５０Ｂを備えるマスク装置４０を第２マスク装置４０Ｂとも称する。図１３Ｃに示すように、第３マスク５０Ｃを備えるマスク装置４０を第３マスク装置４０Ｃとも称する。

第２電極１４０を形成する工程においては、例えば、蒸着装置１０に、図１３Ａに示す第１マスク装置４０Ａを取り付けて、基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する。続いて、蒸着装置１０に、図１３Ｂに示す第２マスク装置４０Ｂを取り付けて、基板１１０に第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する。続いて、蒸着装置１０に、図１３Ｃに示す第３マスク装置４０Ｃを取り付けて、基板１１０に第２電極１４０の第３層１４０Ｃを形成する。このように、有機デバイス１００の第２電極１４０を形成する工程においては、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃなどの複数のマスク５０が順に用いられる。有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するために用いられる複数のマスク５０の群のことを、「マスク群」とも称する。

図１４は、マスク５０の断面構造の一例を示す図である。マスク５０は、複数の貫通孔５３が形成された金属板５１によって構成されている。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂに金属板５１を貫通している。

貫通孔５３は、第１凹部５３１及び第２凹部５３２を含んでいてもよい。第１凹部５３１は、第１面５１ａ側に位置する。第２凹部５３２は、第２面５１ｂ側に位置する。第１凹部５３１は、金属板５１の厚み方向において第２凹部５３２に接続されている。

平面視において、第２凹部５３２の寸法ｒ２は、第１凹部５３１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５３１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５３２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第１凹部５３１と第２凹部５３２とは接続部５３３において接続されている。第１面５１ａからの接続部５３３の高さｈは、断面高さとも称される。断面高さは、後述するシャドーの影響要因になり得る。

符号５３４は、貫通部を表す。平面視における貫通孔５３の開口面積は、貫通部５３４において最小になる。貫通部５３４は接続部５３３によって画定されてもよい。図１４において、貫通部５３４は、寸法ｒによって示されている。寸法ｒは、寸法ｒ１よりも小さく、寸法ｒ２よりも小さい。

マスク５０を用いた蒸着法においては、第２面５１ｂ側から第１面５１ａ側へ貫通孔５３の貫通部５３４を蒸着材料７が通過する。通過した蒸着材料７が基板１１０に付着することによって、基板１１０に上述の第２電極１４０が形成される、より具体的には、基板１１０に上述の第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃなどの層が形成される。基板１１０に形成される層の平面輪郭は、主として、貫通部５３４の平面輪郭によって画定される。より詳細には、第２電極１４０の層本体領域１４１は、主として、貫通部５３４の平面輪郭によって画定される。第２電極１４０の層周囲領域１４２は、主として、第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭によって画定される。

蒸着材料７を基板１１０に蒸着させる蒸着工程においては、蒸着材料７の一部は、蒸着源６から基板１１０に向かって基板１１０の法線方向に沿って飛来する。しかしながら、法線方向に対して傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料７も存在し得る。この場合、傾斜した方向に沿って飛来する蒸着材料７の一部は、基板１１０に到達することなくマスク５０の第２面５１ｂ及び貫通孔５３の壁面に到達して付着する。貫通孔５３においては、第２凹部５３２の壁面に付着しやすい。このため、基板１１０に形成される蒸着層の厚みは、貫通孔５３の中央では所望の厚みを維持できるが、貫通孔５３の壁面に近くなるにつれて薄くなりやすい。このような基板１１０への蒸着材料７の付着が、貫通孔５３の壁面及び第２面５１ｂによって阻害される現象のことを、シャドーと称する。

貫通孔５３は、有効領域５７及び周囲領域５８を含む。有効領域５７は、平面視で貫通孔５３の中央に位置しており、上述したシャドーの影響を受け難い領域である。周囲領域５８は、有効領域５７の外側であって、有効領域５７の周囲に位置している。周囲領域５８は、シャドーの影響を受けやすい領域である。有効領域５７及び周囲領域５８は、第１面５１ａ上に位置している。

有効領域５７及び周囲領域５８は、上述した接続部５３３を通る領域画定直線Ｌによって定義されてもよい。領域画定直線Ｌは、接続部５３３を通り、マスク５０の第１面５１ａと角度θをなす直線として定義されてもよい。有効領域５７は、領域画定直線Ｌが第１面５１ａと交わる第１交点ＣＰ１よりも貫通孔５３の内側に画定される。周囲領域５８は、この第１交点ＣＰ１よりも貫通孔５３の外側に画定される。

領域画定直線Ｌは、蒸着材料７が飛来する飛来方向又は貫通孔５３の断面形状のいずれかで定義されてもよい。図１５に示す例では、領域画定直線Ｌは、貫通孔５３の断面形状によって定義されている。

より具体的には、図１５に示すように、蒸着源６から飛来する蒸着材料７の飛来方向が、マスク５０の第１面５１ａとなす角度を飛来角度θ１とする。接続部５３３を通るとともに、第２凹部５３２の壁面の任意の点に接する直線がマスク５０の第１面５１ａとなす角度をマスク角度θ２とする。図１５に示す例では、マスク角度θ２が、飛来角度θ１よりも大きくなっている。この場合、シャドーの影響を受けやすい周囲領域５８は、マスク角度θ２に依存する。このため、領域画定直線Ｌの角度θは、マスク角度θ２であってもよい。この場合、領域画定直線Ｌは、接続部５３３を通るとともに、第２凹部５３２の壁面の任意の点に接する。図１５に示す例では、領域画定直線Ｌは、第２凹部５３２と第２面５２ｂとの第２交点ＣＰ２を通る。図１５に示す例では、周囲領域５８の幅は、断面高さｈ／ｔａｎθ２で表される。

図１５に示す領域画定直線Ｌが第１面５１ａとなす角度θ２は、例えば、３５°以上でもよく、４０°以上でもよく、４５°以上でもよい。角度θ２は、例えば、５０°以下でもよく、６０°以下でもよく、７０°以下でもよい。角度θ２の範囲は、３５°、４０°及び４５°からなる第１グループ、及び／又は、５０°、６０°及び７０°からなる第２グループによって定められてもよい。角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、３５°以上７０°以下でもよく、３５°以上６０°以下でもよく、３５°以上５０°以下でもよく、３５°以上４５°以下でもよく、３５°以上４０°以下でもよく、４０°以上７０°以下でもよく、４０°以上６０°以下でもよく、４０°以上５０°以下でもよく、４０°以上４５°以下でもよく、４５°以上７０°以下でもよく、４５°以上６０°以下でもよく、４５°以上５０°以下でもよく、５０°以上７０°以下でもよく、５０°以上６０°以下でもよく、６０°以上７０°以下でもよい。

貫通孔５３は、平面視において、略多角形状の輪郭を有していてもよく、又は略円形状の輪郭を有していてもよい。例えば、貫通孔５３は、略四角形状、略六角形状又は略八角形状の輪郭を有していてもよい。貫通孔５３は、マスク５０の厚み方向において、相似形状で形成されていてもよい。図１６～図１９に示す例においては、貫通孔５３が略正八角形状の輪郭を有している。互いに対向する２つの辺がマスク第１方向Ｄ１に沿っており、互いに対向する他の２つの辺がマスク第２方向Ｄ２に沿っている。貫通孔５３の輪郭が略多角形状の輪郭である場合、輪郭のうちの四隅は湾曲していてもよい。

貫通部５３４以外の金属板５１の領域は、基板１１０に向かう蒸着材料７を遮蔽することができる上述した遮蔽領域５４である。

マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域５４は、金属板５１を貫通しない凹部を含んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４に凹部を設けることにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性を低下させることができる。これにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性とマスク第３領域Ｍ３の剛性との間の差を低減できる。このため、剛性の差に起因してマスク５０に皺が生じることを抑制できる。皺は、例えば、マスク５０に張力を加える時に生じやすい。

マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用してもよい。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIN-METROの「MT1271」を用いてもよい。

貫通孔５３の断面形状は、図１４に示す形状には限られることはない。貫通孔５３の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５３が形成されるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。

マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いてもよい。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、又は３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いてもよい。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度及び位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制できる。

マスク群５６について説明する。マスク群５６は、２つ以上のマスク５０を備える。本実施形態においては、マスク群５６は、上述した第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備える。第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを重ねることにより得られる積層体を、マスク積層体５５とも称する。

次に、第１マスク５０Ａについて詳細に説明する。図１６は、第１マスク５０Ａの第１面５１ａにおいてマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５３Ａ及び第１遮蔽領域５４Ａを備える。第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、第２電極１４０の第１層１４０Ａに対応する位置に配置されている。図１６～図２０などの平面図において示されている貫通孔５３の輪郭は、マスク５０Ａ～５０Ｃの第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭である。第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭は、第１面５１ａにおける第１凹部５３１の輪郭に相当する。

図１７を参照して、第２マスク５０Ｂについて説明する。図１７は、第２マスク５０Ｂの第１面５１ａにおいてマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｂを備える。第２貫通孔５３Ｂは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４において、第２貫通孔５３Ｂは、第２電極１４０の第２層１４０Ｂに対応する位置に配置されている。

図１８を参照して、第３マスク５０Ｃについて説明する。図１８は、第３マスク５０Ｃの第１面５１ａにおいてマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。第３マスク５０Ｃは、第３貫通孔５３Ｃ及び第３遮蔽領域５４Ｃを備える。第３貫通孔５３Ｃは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４において、第３貫通孔５３Ｃは、第２電極１４０の第３層１４０Ｃに対応する位置に配置されている。

各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの形状及び配置を測定する方法においては、各マスク５０Ａ～５０Ｃの法線方向に沿って平行光を第１面５１ａ又は第２面５１ｂの一方に入射させてもよい。この場合、平行光は、第１面５１ａ又は第２面５１ｂの他方から出射される。出射した光が占める領域の形状を、貫通孔５３の形状として測定してもよい。出射した光が占める領域の形状は、上述した貫通部５３４の形状に相当する。

各マスク５０Ａ～５０Ｃの第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの形状及び配置を測定する場合には、第１面５１ａを画像処理することによって測定されてもよい。例えば、撮影装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｃの第１面５１ａを撮像し、第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭に関する画像データを取得してもよい。

第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃの位置関係を説明する。図１９は、マスク積層体５５を示す平面図である。マスク積層体５５は、重ねられた２つ以上のマスク５０を備える。図１９に示すマスク積層体５５は、重ねられた第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備える。

マスク積層体５５においては、各マスク５０Ａ～５０Ｃのアライメントマーク５０Ｍが重なっていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｃのセル５２の配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃ及び遮蔽領域５４Ａ～５４Ｃの配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられていてもよい。各マスク５０Ａ～５０Ｃを重ねる際、各マスク５０Ａ～５０Ｃには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。

２つ以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０の画像データを重ねることによって得られてもよい。例えば、画像処理装置を用いて、上述のようにして取得された各マスク５０Ａ～５０Ｃの第１面５１ａの画像データを重ねる。これにより、図１９のような図を作製できる。画像データを取得する際、各マスク５０Ａ～５０Ｃには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。２つ以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０Ａ～５０Ｃを製造するための設計図面を重ねることによって得られてもよい。

図１９に示すように、マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａを備える。貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくとも１つを含む。すなわち、貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくともいずれかに重なる。従って、蒸着工程において、貫通領域５５Ａに対応する基板１１０の領域には、少なくとも１つの層の第２電極１４０が形成される。貫通領域５５Ａは、各マスク５０Ａ～５０Ｃの第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭によって画定される。

平面視において、マスク積層体５５は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を備える。マスク第１領域Ｍ１は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応しているとともに、上述したマスク５０のマスク第３領域Ｍ３に重なっている。マスク第２領域Ｍ２は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応しているとともに、上述したマスク５０のマスク第４領域Ｍ４に重なっている。

マスク第１領域Ｍ１において、貫通領域５５Ａは第１開口率を有する。第１開口率は、マスク第１領域Ｍ１における貫通領域５５Ａの面積の比率を示す。第１開口率は、マスク第１領域Ｍ１に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第１領域Ｍ１の面積で割ることによって算出される。マスク第１領域Ｍ１が、平面視でマスク第３領域Ｍ３と一致していてもよい。

第１開口率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられた状態においても、マスク第１領域Ｍ１は、貫通孔５３Ａ～５３Ｃのいずれかに占有される領域と、貫通孔５３Ａ～５３Ｃのいずれにも占有されない領域と、を含む。しかしながら、このことに限られることはなく、第１開口率は１００％であってもよい。この場合、マスク第１領域Ｍ１の全体が、貫通孔５３Ａ～５３Ｃのいずれかに占有される。

マスク第２領域Ｍ２において、貫通領域５５Ａは第２開口率を有する。第２開口率は、マスク第２領域Ｍ２における貫通領域５５Ａの面積の比率を示す。第２開口率は、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第２領域Ｍ２の面積で割ることによって算出される。マスク第２領域Ｍ２が、平面視でマスク第４領域Ｍ４と一致していてもよい。第２開口率は、第１開口率よりも小さくてもよい。

第２開口率は、０％よりも大きく、１００％よりも小さくてもよい。この場合、マスク５０Ａ～５０Ｃが重ねられた状態においても、マスク第２領域Ｍ２は、貫通孔５３Ａ～５３Ｃのいずれかに占有される領域と、貫通孔５３Ａ～５３Ｃのいずれにも占有されない領域と、を含む。

第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

貫通領域５５Ａは、孔重なり領域５９を含んでいてもよい。孔重なり領域５９は、平面視において、２つ以上のマスク５０の貫通孔５３が重なっている領域である。すなわち、孔重なり領域５９は、平面視において、マスク積層体５５に含まれる２つ以上のマスク５０の貫通孔５３の少なくとも２つを含む。より詳細には、孔重なり領域５９は、各マスク５０の第１面５１ａにおける貫通孔５３が重なる領域である。

図１９に示す例において、孔重なり領域５９は、平面視において、第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとが重なっている領域、第１貫通孔５３Ａと第３貫通孔５３Ｃとが重なっている領域、及び、第２貫通孔５３Ｂと第３貫通孔５３Ｃとが重なっている領域を含む。従って、蒸着工程において、孔重なり領域５９に対応する基板１１０の領域には、２つの層の第２電極１４０が形成される。貫通領域５５Ａに、第１貫通孔５３Ａ、第２貫通孔５３Ｂ及び第３貫通孔５３Ｃが重なっている領域は存在していなくてもよい。

図２０及び図２１に示すように、孔重なり領域５９は、マスク積層体５５に含まれる２つのマスク５０の貫通孔５３の周囲領域５８が重なる第１孔重なり領域６０を含んでもよい。図２０は、孔重なり領域５９を示す平面図である。図２１は、孔重なり領域５９を示す断面図である。図２１においては、一例として、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとにより形成される孔重なり領域５９を示している。

例えば、第１孔重なり領域６０は、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８とが重なっている領域、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なっている領域、及び、第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なっている領域を含む。本実施形態における孔重なり領域５９は、貫通孔５３の周囲領域５８が重なる第１孔重なり領域６０によって構成されている。本実施形態における孔重なり領域５９に、貫通孔５３の有効領域５７は重なっていない。

第１孔重なり領域６０は、有効領域５７から離間していてもよい。第１孔重なり領域６０と有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。

例えば、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８とが重なる第１孔重なり領域６０は、第１貫通孔５３Ａの有効領域５７から離間していてもよい。この第１孔重なり領域６０と第１貫通孔５３Ａの有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８とが重なる第１孔重なり領域６０は、第２貫通孔５３Ｂの有効領域５７から離間していてもよい。この第１孔重なり領域６０と第２貫通孔５３Ｂの有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。

同様にして、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なる第１孔重なり領域６０は、各貫通孔５３Ａ、５３Ｃの有効領域５７から離間していてもよい。この第１孔重なり領域６０と各貫通孔５３Ａ、５３Ｃの有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。

同様にして、第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なる第１孔重なり領域６０は、各貫通孔５３Ｂ、５３Ｃの有効領域５７から離間していてもよい。この第１孔重なり領域６０と、各貫通孔５３Ｂ、５３Ｃの有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。

貫通領域５５Ａが上述したような第１孔重なり領域６０を含むことにより、図７及び図８に示すような第２電極１４０を形成できる。第１孔重なり領域６０は、上述した第１電極重なり領域１４９に対応している。

孔重なり領域５９の面積は、第１貫通孔５３Ａの面積よりも小さくてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。

孔重なり領域５９の面積は、第２貫通孔５３Ｂの面積よりも小さくてもよい。第２貫通孔５３Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用してもよい。

孔重なり領域５９の面積は、第３貫通孔５３Ｃの面積よりも小さくてもよい。第３貫通孔５３Ｃの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用してもよい。

図１９に示すように、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通領域５５Ａは、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２つ以上の貫通ライン５５Ｌを含んでいてもよい。貫通ライン５５Ｌは、マスク第２方向Ｄ２に延びていてもよい。例えば、貫通ライン５５Ｌは、マスク第１領域Ｍ１の貫通領域５５Ａに接続されている第３端及び第４端を含んでいてもよい。第４端は、マスク第２方向Ｄ２において第３端とは反対側に位置している。

有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。

まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、図５及び図６に示すように、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。第３有機層１３０Ｃも、第３有機層１３０Ｃに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。

続いて、第２電極形成工程を実施してもよい。第２電極形成工程においては、上述のマスク群５６を用いて有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。まず、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、第１マスク５０Ａを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第１層１４０Ａを形成できる。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０Ｂを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第２層１４０Ｂを形成できる。続いて、第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第３層１４０Ｃを形成する工程を実施してもよい。例えば、第３マスク５０Ｃを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる．これにより、第３層１４０Ｃを形成できる。このようにして、図５及び図６に示すように、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含む第２電極１４０を形成できる。

なお、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを形成する順序は特には限定されない。例えば、第３層１４０Ｃ、第２層１４０Ｂ、第１層１４０Ａの順に蒸着工程が実施されてもよい。

本開示の形態の効果についてまとめる。

第２表示領域１０２における第２電極１４０は、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なる電極重なり領域１４８を含み、電極重なり領域１４８は、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と、第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２とが重なる第１電極重なり領域１４９を含んでいる。このことにより、第１電極重なり領域１４９における第２電極１４０の厚みを低減でき、第１電極重なり領域１４９における透過率を高めることができる。このため、第２表示領域１０２の非透過領域１０３の透過率を高めることができ、第２表示領域１０２の光の透過率を高めることができる。

マスク積層体５５のマスク第２領域Ｍ２における貫通領域５５Ａが、２つのマスク５０の貫通孔５３が重なる孔重なり領域５９を含み、孔重なり領域５９が、２つのマスク５０の周囲領域５８が重なる第１孔重なり領域６０を含む。このことにより、第２電極１４０の厚みを低減できる第１電極重なり領域１４９を形成できる。

第１電極重なり領域１４９は、層本体領域１４１から離間している。このことにより、第１電極重なり領域１４９に、層本体領域１４１が重なることを抑制でき、第１電極重なり領域１４９における第２電極１４０の厚みを低減できる。

マスク積層体５５の第１孔重なり領域６０が、有効領域５７から離間している。このことにより、層本体領域１４１から離間した第１電極重なり領域１４９を形成できる。

マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２のそれぞれにおいて、マスク５０に、複数の貫通孔５３が位置している。このことにより、複数の貫通孔５３を、各マスク５０のマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４のそれぞれに形成できる。例えば、有機デバイス１００の第２電極１４０を、各マスク５０Ａ～５０Ｃの貫通孔５３Ａ～５３Ｃに対応するようにパターン状に形成された層１４０Ａ～１４０Ｃによって構成できる。この場合、第２電極１４０を形成するためのマスク５０の枚数を低減でき、第２電極１４０を形成するための蒸着回数を低減できる。このため、蒸着材料７の使用量を低減でき、環境負荷を低減できる。また、マスク第３領域Ｍ３における貫通孔５３Ａ～５３Ｃの周囲に遮蔽領域５４が形成され、マスク５０Ａ～５０Ｃの材料を残すことができる。このため、各マスク５０Ａ～５０Ｃの機械的強度を確保できる。

なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

図２２～図２６を用いて第１変形例について説明する。図２２は、第２表示領域の第２電極の変形例を示す平面図である。図２３は、図２２に示す電極重なり領域１４８を示す平面図である。図２４は、図２３に示す電極重なり領域を示す断面図である。図２５は、孔重なり領域５９を示す平面図である。図２６は、図２５に示す孔重なり領域５９を示す断面図である。

例えば、図２２～図２４に示すように、電極重なり領域１４８は、上述した第１電極重なり領域１４９と、第２電極重なり領域１５１と、を含んでいてもよい。第２電極重なり領域１５１は、各層のうちの１つの層の層本体領域１４１と、他の１つの層の層周囲領域１４２とを含んでいる。

図２２に示すように、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいてもよい。図２２に示す例においては、１つの第１層１４０Ａと、１つの第２層１４０Ｂと、２つの第３層１４０Ｃとが、ひし形の頂点に配置されている。２つの第３層１４０Ｃは、素子第１方向Ｇ１に沿う対角線上に配置されている。このように配置された４つの層１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃにより、上述した第１電極１２０及び有機層１３０とともに１つの画素が構成されている。図２２に示す例においては、第１表示領域１０１における画素と、第２表示領域１０２における画素は、同様に構成されている。

図２３及び図２４に示すように、第２電極重なり領域１５１は、第１層１４０Ａの層本体領域１４１と第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２とが重なっている領域、及び、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第２層１４０Ｂの層本体領域１４１とが重なっている領域を含む。例えば、第２電極重なり領域１５１は、第１層１４０Ａの層本体領域１４１と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なっている領域、及び、第１層１４０Ａの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層本体領域１４１とが重なっている領域を含む。例えば、第２電極重なり領域１５１は、第２層１４０Ｂの層本体領域１４１と第３層１４０Ｃの層周囲領域１４２とが重なっている領域、及び、第２層１４０Ｂの層周囲領域１４２と第３層１４０Ｃの層本体領域１４１とが重なっている領域を含む。各層１４０Ａ～１４０Ｃの層本体領域１４１同士は重なっていない。

図２４に示すように、層本体領域１４１と層周囲領域１４２とが重なることにより、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の厚みｔｂを増大できる。このことにより、電極重なり領域１４８の断面面積を増大でき、電極重なり領域１４８の電気抵抗を低減できる。しかしながら、層本体領域１４１同士が重ならないことにより、電極重なり領域１４８における第２電極１４０の厚みｔｂを、層本体領域１４１の厚みｔａの２倍未満にできる。

図２２～図２４に示す第２電極１４０を形成するためのマスク群５６について、図２５及び図２６を用いて説明する。図２６においては、一例として、第１マスク５０Ａと第２マスク５０Ｂとにより形成される孔重なり領域５９を示している。

図２５及び図２６に示すように、マスク積層体５５の孔重なり領域５９は、上述した第１孔重なり領域６０と、第２孔重なり領域６２と、を含んでもよい。第２孔重なり領域６２は、マスク積層体５５に含まれる１つのマスク５０の貫通孔５３の有効領域５７と、他の１つのマスク５０の貫通孔５３の周囲領域５８とを含んでいる。

例えば、第２孔重なり領域６２は、第１貫通孔５３Ａの有効領域５７と第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８とが重なっている領域、及び、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第２貫通孔５３Ｂの有効領域５７とが重なっている領域を含む。例えば、第２孔重なり領域６２は、第１貫通孔５３Ａの有効領域５７と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なっている領域、及び、第１貫通孔５３Ａの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの有効領域５７とが重なっている領域を含む。例えば、第２孔重なり領域６２は、第２貫通孔５３Ｂの有効領域５７と第３貫通孔５３Ｃの周囲領域５８とが重なっている領域、及び、第２貫通孔５３Ｂの周囲領域５８と第３貫通孔５３Ｃの有効領域５７とが重なっている領域を含む。各マスク５０の有効領域５７同士は重なっていない。

貫通領域５５Ａが上述した様な第１孔重なり領域６０と第２孔重なり領域６２とを含むことにより、図２３及び図２４に示すような第２電極１４０の電極重なり領域１４８を形成できる。第１孔重なり領域６０は、上述した第１電極重なり領域１４９に対応し、第２孔重なり領域６２は、上述した第２電極重なり領域１５１に対応している。

図２７を用いて第２変形例について説明する。図２７は、マスク５０の有効領域５７及び周囲領域５８の変形例を示す断面図である。

図２７に示す例では、領域画定直線Ｌは、蒸着材料７が飛来する飛来方向によって定義されている。

より具体的には、図２７に示すように、飛来角度θ１が、マスク角度θ２よりも大きくなっている。この場合、シャドーの影響を受けやすい周囲領域５８は、飛来角度θ１に依存する。このため、領域画定直線Ｌの角度θは、飛来角度θ１であってもよい。この場合、領域画定直線Ｌは、接続部５３３を通り、第１面５１ａと角度θ１をなす直線となる。図２７に示す例では、周囲領域５８の幅は、断面高さｈ／ｔａｎθ１で表される。

図２７に示す領域画定直線Ｌの角度θは、図１５に示す領域画定直線Ｌの角度θと同様の数値例が適用されてもよい。

図２８～図３３を用いて第３変形例について説明する。図２８は、第２電極の変形例を示す平面図である。図２９は、電極重なり領域を示す平面図である。図３０は、第１マスクを示す平面図である。図３１は、第２マスクを示す平面図である。図３２は、マスク積層体を示す平面図である。図３３は、マスク積層体の孔重なり領域を示す平面図である。

図２８に示す例における第２電極１４０は、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃは、第１マスク５０Ｄを用いる蒸着法によって形成される。第２層１４０Ｂは、第２マスク５０Ｅを用いる蒸着法によって形成される。

第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃは、略正八角形状の輪郭を有している。第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃは、同一の平面輪郭を有していてもよい。第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａ及び第３層１４０Ｃとは異なる平面輪郭を有していてもよい。第２層１４０Ｂは、長手方向を有する略八角形状の輪郭を有していてもよい。図２８に示す第２層１４０Ｂの長手方向は、素子第２方向Ｇ２に沿っている。あるいは、第２層１４０Ｂは、素子第２方向Ｇ２に沿う長手方向を有するような略四角形状の輪郭を有していてもよい。この場合、第２層１４０Ｂの輪郭のうちの四隅は、面取りされていてもよい。

第１表示領域１０１においては、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃが繰り返し並んでいてもよい。図２８に示す例においては、１つの第１層１４０Ａと、２つの第２層１４０Ｂと、１つの第３層１４０Ｃとが、四角形の頂点に配置されている。２つの第２層１４０Ｂは、対角線上に配置されている。このように配置された４つの層１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｂ、１４０Ｃにより、上述した第１電極１２０及び有機層１３０とともに１つの画素が構成されている。

第２表示領域１０２においては、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃが繰り返し並んでいてもよい。図２８に示す例においては、第２表示領域１０２における画素は、第１表示領域１０１において１つの画素を構成していた２つの第２層１４０Ｂのうちの１つが取り除かれた構成を有している。第２表示領域１０２における画素は、素子第１方向Ｇ１において間隔を置いて配置されており、素子第１方向Ｇ１において隣り合う画素の間に、透過領域１０４が介在されている。第２表示領域１０２における画素は、素子第２方向Ｇ２において繰り返し並んでいる。

図２９に示すように、第２電極１４０の電極重なり領域１４８は、図７及び図８に示す例と同様に、各層の層周囲領域１４２が重なる第１電極重なり領域１４９を含んでいてもよい。第１電極重なり領域１４９と層本体領域１４１との間に、非重なり領域１５０が位置していてもよい。

図２８に示す第２電極１４０を形成するためのマスク群５６について、図３０～図３３を用いて説明する。図３０は、第１マスク５０Ｄの第１面５１ａにおいてマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。図３１は、第２マスク５０Ｅの第１面５１ａにおいてマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。図３２は、孔重なり領域５９を示す平面図であり、図３３は、孔重なり領域５９を示す断面図である。

第３変形例におけるマスク群５６は、第１マスク５０Ｄ及び第２マスク５０Ｅを備える。第３変形例におけるマスク積層体５５は、第１マスク５０Ｄ及び第２マスク５０Ｅを重ねることにより得られる積層体である。

図３０に示すように、第１マスク５０Ｄは、第１貫通孔５３Ａ、第３貫通孔５３Ｃ及び第１遮蔽領域５４Ｄを備える。第１貫通孔５３Ａ及び第３貫通孔５３Ｃは、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、第２電極１４０の第１層１４０Ａに対応する位置に配置され、第３貫通孔５３Ｃは、第２電極１４０の第３層１４０Ｃに対応する位置に配置されている。図３０～図３３などの平面図において示されている貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭は、マスク５０Ｄ、５０Ｅの第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭である。第１面５１ａにおける貫通孔５３Ａ～５３Ｃの輪郭は、第１面５１ａにおける第１凹部５３１の輪郭に相当する。

図３１に示すように、第２マスク５０Ｅは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｅを備える。第２貫通孔５３Ｂは、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４において、第２貫通孔５３Ｂは、第２電極１４０の第２層１４０Ｂに対応する位置に配置されている。

第１貫通孔５３Ａ及び第３貫通孔５３Ｃは、略正八角形状の輪郭を有している。第１貫通孔５３Ａ及び第３貫通孔５３Ｃは、同一の平面輪郭を有していてもよい。第２貫通孔５３Ｂは、第１貫通孔５３Ａ及び第３貫通孔５３Ｃとは異なる平面輪郭を有していてもよい。第２貫通孔５３Ｂは、長手方向を有する略八角形状の輪郭を有していてもよい。図３１に示す第２貫通孔５３Ｂの長手方向は、マスク第２方向Ｄ２に沿っている。あるいは、第２貫通孔５３Ｂは、マスク第２方向Ｄ２に沿う長手方向を有するような略四角形状の輪郭を有していてもよい。この場合、第２貫通孔５３Ｂの輪郭のうちの四隅は、面取りされていてもよい。

図３２に示すように、マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａを備える。貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ｄ、５０Ｅの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくとも１つを含む。すなわち、貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ｄ、５０Ｅの貫通孔５３Ａ～５３Ｃの少なくともいずれかに重なる。

図３２に示すように、貫通領域５５Ａは、図１９に示す例と同様に、孔重なり領域５９を含んでいてもよい。図３３に示すように、孔重なり領域５９は、図２０及び図２１に示す例と同様に、第１孔重なり領域６０を含んでいてもよい。第１孔重なり領域６０と有効領域５７との間に、非重なり領域６１が位置していてもよい。

上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

Claims (8)

1. マスク群であって、
   ２つ以上のマスクを備え、
   前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
   ２つ以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
   前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
   前記マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、を含み、
   前記貫通孔は、前記第１面側に位置する第１凹部と、前記第２面側に位置する第２凹部と、前記第１凹部と前記第２凹部とが接続された接続部と、を含み、
   前記法線方向に沿う断面で見た場合、前記接続部を通り、前記第１面と角度θをなす直線として領域画定直線が定義され、前記領域画定直線が前記第１面と第１交点で交わり、前記第１交点よりも前記貫通孔の内側に有効領域が画定され、前記第１交点よりも前記貫通孔の外側に周囲領域が画定され、
   前記角度θは、３５°以上７０°以下であり、
   前記マスク第２領域における前記貫通領域は、２つの前記マスクの前記貫通孔が重なる孔重なり領域を含み、
   前記孔重なり領域は、前記マスク積層体に含まれる２つの前記マスクの前記貫通孔の前記周囲領域が重なる第１孔重なり領域を含む、マスク群。
2. 前記第１孔重なり領域は、前記マスクの前記貫通孔の前記有効領域から離間している、請求項１に記載のマスク群。
3. 前記孔重なり領域は、前記マスク積層体に含まれる１つの前記マスクの前記貫通孔の前記有効領域と他の１つの前記マスクの前記貫通孔の前記周囲領域とが重なる第２孔重なり領域を含む、請求項１に記載のマスク群。
4. 前記領域画定直線は、前記第２凹部の壁面の任意の点に接する、請求項１から３のいずれか一項に記載のマスク群。
5. 前記マスク第１領域及び前記マスク第２領域のそれぞれにおいて、前記マスクに、複数の前記貫通孔が位置している、請求項１から４のいずれか一項に記載のマスク群。
6. 有機デバイスの製造方法であって、
   基板上の第１電極上の有機層上に、請求項１から５のいずれか一項に記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
   前記第２電極形成工程は、
   前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
   他の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイスの製造方法。
7. 前記第２電極を形成する蒸着材料の飛来方向が前記マスクの前記第１面となす角度をθ１とし、前記接続部を通るとともに前記第２凹部に接する直線が前記第１面となす角度をθ２とし、
   前記角度θ１が前記角度θ２よりも大きい場合、前記領域画定直線の前記角度θは、前記角度θ１である、請求項６に記載の有機デバイスの製造方法。
8. 有機デバイスであって、
   基板と、
   前記基板上に位置する第１電極と、
   前記第１電極上に位置する有機層と、
   前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
   前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
   前記第２電極は、互いに異なる前記有機層上に位置する２つ以上の層を含み、
   前記層は、層本体領域と、前記層本体領域の厚みよりも薄い厚みを有する層周囲領域と、を含み、
   前記第２表示領域における前記第２電極は、２つの前記層が重なる電極重なり領域を含み、
   前記電極重なり領域は、前記層の前記層周囲領域が重なる第１電極重なり領域と、１つの前記層の前記層本体領域と、他の１つの前記層の前記層周囲領域とが重なる第２電極重なり領域と、を含む、有機デバイス。

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