TW202303700A - 遮罩群、有機元件之製造方法及有機元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之遮罩群可具備2個以上之遮罩。於以沿著法線方向之剖面觀察時，可定義區域劃定直線作為通過貫通孔之連接部且與第1面形成角度θ之直線。區域劃定直線可與第1面於第1交點相交。可於較第1交點靠貫通孔之內側劃定有效區域，於較第1交點靠貫通孔之外側劃定周圍區域。角度θ可為35ﾟ以上70ﾟ以下。遮罩第2區域中之貫通區域可包含2個遮罩之貫通孔重疊之孔重疊區域。孔重疊區域可包含遮罩積層體中所含之2個遮罩之貫通孔之周圍區域重疊之第1孔重疊區域。

Description

遮罩群、有機元件之製造方法及有機元件
本揭示之實施形態係關於一種遮罩群、有機元件之製造方法及有機元件。
近年來，於智慧型手機或平板PC等電子元件中，市場要求高精細之顯示裝置。顯示裝置例如具有400 ppi以上或800 ppi以上等之像素密度。
因具有良好應答性、或/及低消耗電力，而有機EL顯示裝置備受關注。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，業已知悉藉由蒸鍍使構成像素之材料附著於基板之方法。例如，首先，準備以與元件對應之圖案形成有陽極之基板。繼而，經由遮罩之貫通孔使有機材料附著於陽極上，於陽極上形成有機層。繼而，經由遮罩之貫通孔使導電性材料附著於有機層上，於有機層之上形成陰極。
陰極有時藉由使用複數個遮罩之蒸鍍法來形成。該情形下，藉由各遮罩來形成構成陰極之層，形成彼此相鄰之層彼此重疊之電極重疊區域。藉此，將各層電性連接。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-060028號公報 [專利文獻2]日本特開2005-183153號公報
[發明所欲解決之問題]
若陰極之電極重疊區域之厚度變厚，則光之透過率降低。 [解決問題之技術手段]
本揭示之一實施形態之遮罩群可具備2個以上之遮罩。前述遮罩可具備遮蔽區域及貫通孔。2個以上之前述遮罩重疊而成之遮罩積層體可具備於沿著前述遮罩之法線方向觀察時與前述貫通孔重疊之貫通區域。於沿著前述遮罩之法線方向觀察時，前述遮罩積層體可具備：遮罩第1區域，其包含具有第1開口率之前述貫通區域；及遮罩第2區域，其包含具有較前述第1開口率為小之第2開口率之前述貫通區域。前述遮罩可包含：第1面、及位於與前述第1面為相反側之第2面。前述貫通孔可包含：位於前述第1面側之第1凹部、位於前述第2面側之第2凹部、及將前述第1凹部與前述第2凹部連接之連接部。於以沿著前述法線方向之剖面觀察時，可定義區域劃定直線作為通過前述連接部且與前述第1面形成角度θ之直線。前述區域劃定直線可與前述第1面於第1交點相交。可於較前述第1交點靠前述貫通孔之內側劃定有效區域，於較前述第1交點靠前述貫通孔之外側劃定周圍區域。前述角度θ可為35ﾟ以上70ﾟ以下。前述遮罩第2區域中之前述貫通區域可包含2個前述遮罩之前述貫通孔重疊之孔重疊區域。前述孔重疊區域可包含前述遮罩積層體中所含之2個前述遮罩之前述貫通孔之前述周圍區域重疊之第1孔重疊區域。 [發明之效果]
根據本揭示之一實施形態，可提高光之透過率。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則「基板」、「基材」、「板」、「片材」及「膜」等意指成為某一構成之基礎之物質之用語並非僅藉由稱呼之差異而相互區別。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則針對特定形狀及幾何學條件、以及其等之程度的例如「平行」或「正交」等之用語、或長度或角度之值等，不受嚴格之含義限制，包含可期待同樣之功能之程度之範圍而解釋。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則於某一構件或某一區域等之某一構成設為其他構件或其他區域等其他構成之「於…上」、「於…下」、「於上側」及「於下側」、或「於…上方」及「於…下方」之情形下，包含某一構成與其他構成直接相接之情形。進而，亦包含在某一構成與其他構成之間包含另一構成之情形、即間接相接之情形。如無特別說明，則「上」、「上側」及「上方」、或「下」、「下側」及「下方」之語句可將上下方向反轉。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則有對同一部分或具有同樣之功能之部分賦予同一符號或類似之符號，且省略其重複說明之情形。又，圖式之尺寸比率有便於說明，與實際之比率不同之情形、及自圖式省略構成之一部分之情形。
於本說明書及本圖式中，本揭示之實施形態如無特別說明，則可於不產生矛盾之範圍內與其他實施形態及變化例組合。又，其他實施形態彼此、及其他實施形態與變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則於關於製造方法等之方法揭示複數個步驟之情形下，可於所揭示之步驟之間實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
於本說明書及本圖式中，如無特別說明，則藉由「～」之記號而表現之範圍包含置於「～」之符號之前後之數值及要件。例如，由「34～38質量%」之表現劃定之數值範圍與由「34質量%以上且38質量%以下」之表現劃定之數值範圍相同。例如，由「遮罩50A～50C」之表現劃定之範圍包含遮罩50A、50B、50C。
於本說明書之一實施形態中，針對具備複數個遮罩之遮罩群係為了於製造有機EL顯示裝置時將電極形成於基板上而使用之例，進行說明。惟，遮罩群之用途無特別限定，可對於用於各種用途之遮罩群應用本實施形態。例如，可為了形成用於將用於表現虛擬實境即所謂之VR或擴增實境即所謂之AR之圖像或映像進行顯示或投影之裝置之電極，而使用本實施形態之遮罩群。又，可為了形成液晶顯示裝置之電極等有機EL顯示裝置以外之顯示裝置之電極，而使用本實施形態之遮罩群。又，可為了形成壓力感測器之電極等顯示裝置以外之有機元件之電極，而使用本實施形態之遮罩群。
本揭示之第1態樣之遮罩群具備2個以上之遮罩；且 前述遮罩具備遮蔽區域及貫通孔； 2個以上之前述遮罩重疊而成之遮罩積層體具備於沿著前述遮罩之法線方向觀察時與前述貫通孔重疊之貫通區域； 於沿著前述遮罩之法線方向觀察時，前述遮罩積層體具備：遮罩第1區域，其包含具有第1開口率之前述貫通區域；及遮罩第2區域，其包含具有較前述第1開口率為小之第2開口率之前述貫通區域； 前述遮罩包含：第1面、及位於與前述第1面為相反側之第2面； 前述貫通孔包含：位於前述第1面側之第1凹部、位於前述第2面側之第2凹部、及將前述第1凹部與前述第2凹部連接之連接部； 於以沿著前述法線方向之剖面觀察時，定義區域劃定直線作為通過前述連接部且與前述第1面形成角度θ之直線，前述區域劃定直線與前述第1面於第1交點相交，於較前述第1交點靠前述貫通孔之內側劃定有效區域，於較前述第1交點靠前述貫通孔之外側劃定周圍區域； 前述角度θ為35ﾟ以上70ﾟ以下； 前述遮罩第2區域中之前述貫通區域包含2個前述遮罩之前述貫通孔重疊之孔重疊區域； 前述孔重疊區域包含前述遮罩積層體中所含之2個前述遮罩之前述貫通孔之前述周圍區域重疊之第1孔重疊區域。
本揭示之第2態樣係如上述之第1態樣之遮罩群者，其中前述第1孔重疊區域可與前述遮罩之前述貫通孔之前述有效區域分開。
本揭示之第3態樣係如上述之第1態樣之遮罩群者，其中前述孔重疊區域可包含前述遮罩積層體中所含之1個前述遮罩之前述貫通孔之前述有效區域、與另1個前述遮罩之前述貫通孔之前述周圍區域重疊之第2孔重疊區域。
本揭示之第4態樣係如上述之第1態樣至上述之第3態樣各者之遮罩群者，其中前述區域劃定直線可與前述第2凹部之壁面之任意之點相接。
本揭示之第5態樣係如上述之第1態樣至上述之第4態樣各者之遮罩群者，其中可於前述遮罩第1區域及前述遮罩第2區域各者中，複數個前述貫通孔位於前述遮罩。
本揭示之第6態樣之有機元件之製造方法可包含第2電極形成步驟，該第2電極形成步驟於基板上之第1電極上之有機層上，使用上述之第1態樣至上述之第5態樣各者之遮罩群形成第2電極。前述第2電極形成步驟可包含下述步驟：藉由使用前述遮罩之蒸鍍法，形成前述第2電極之第1層；及藉由使用另一前述遮罩之蒸鍍法，形成前述第2電極之第2層。
本揭示之第7態樣係如上述之第6態樣之有機元件之製造方法者，其中可將形成前述第2電極之蒸鍍材料之飛來方向與前述遮罩之前述第1面所成之角度設為θ1。可將通過前述連接部且與前述第2凹部相接之直線與前述第1面所成之角度設為θ2。於前述角度θ1大於前述角度θ2時，前述區域劃定直線之前述角度θ可為前述角度θ1。
本揭示之第8態樣有機元件之有機元件具備： 基板； 第1電極，其位於前述基板上； 有機層，其位於前述第1電極上；及 第2電極，其位於前述有機層上；且 於沿著前述基板之法線方向觀察時，前述有機元件具備：第1顯示區域，其包含具有第1佔有率之前述第2電極；及第2顯示區域，其包含具有較前述第1佔有率為小之第2佔有率之前述第2電極； 前述第2電極包含位於互不相同之前述有機層上之2個以上之層； 前述層包含：層本體區域、及具有較前述層本體區域之厚度為薄之厚度之層周圍區域； 前述第2顯示區域中之前述第2電極包含2個前述層重疊之電極重疊區域； 前述電極重疊區域包含：前述層之前述層周圍區域重疊之第1電極重疊區域、及1個前述層之前述層本體區域與另1個前述層之前述層周圍區域重疊之第2電極重疊區域。
針對本揭示之一實施形態，一面參照圖式，一面詳細地說明。此外，以下所示之實施形態係本揭示之實施形態之一例，本揭示並非係僅由該等實施形態限定、解釋者。
針對有機元件100進行說明。有機元件100具備藉由使用本實施形態之遮罩群而形成之電極。圖1係顯示沿著有機元件100之基板110之法線方向觀察時之有機元件100之一例之俯視圖。於以下之說明中，亦將沿著成為基板等之基礎之物質之面之法線方向觀察稱為俯視。
有機元件100包含：基板110(參照圖5)、及沿著基板110之第1面111或第2面112排列之複數個元件115。元件115為例如像素。有機元件100可如圖1所示般於俯視下包含第1顯示區域101及第2顯示區域102。第2顯示區域102可具有小於第1顯示區域101之面積。如圖1所示，第2顯示區域102可由第1顯示區域101包圍。雖未圖示，但第2顯示區域102之外緣之一部分可與第1顯示區域101之外緣之一部分位於同一直線上。
圖2係將圖1之第2顯示區域102及其周圍放大而顯示之俯視圖。於第1顯示區域101中，元件115可沿著不同之2方向排列。於圖1及圖2所示之例中，第1顯示區域101之2個以上之元件115可沿著元件第1方向G1排列。第1顯示區域101之2個以上之元件115可沿著與元件第1方向G1交叉之元件第2方向G2排列。元件第2方向G2可與元件第1方向G1正交。
有機元件100具備第2電極140。第2電極140位於後述之有機層130之上。第2電極140可電性連接於2個以上之有機層130。例如，第2電極140可於俯視下與2個以上之有機層130重疊。亦將位於第1顯示區域101之第2電極140表示為第2電極140X。亦將位於第2顯示區域102之第2電極140表示為第2電極140Y。
第2電極140X具有第1佔有率。第1佔有率係藉由將位於第1顯示區域101之第2電極140之面積之合計除以第1顯示區域101之面積而算出。第2電極140Y具有第2佔有率。第2佔有率係藉由將位於第2顯示區域102之第2電極140之面積之合計除以第2顯示區域102之面積而算出。第2佔有率可小於第1佔有率。如例如圖2所示，第2顯示區域102可包含非透過區域103及透過區域104。透過區域104於俯視下不與第2電極140Y重疊。非透過區域103於俯視下與第2電極140Y重疊。
第1佔有率可大於0%且小於100%。該情形下，第1顯示區域101包含：由第2電極140之後述之第1層140A～第3層140C之任一者佔有之區域、未由第1層140A～第3層140C之任一者佔有之區域。然而，不限定於此，第1佔有率可為100%。該情形下，第1顯示區域101之整體由第2電極140之第1層140A～第3層140C之任一者佔有。第2佔有率可大於0%且小於100%。該情形下，第2顯示區域102包含：由第2電極140之第1層140A～第3層140C之任一者佔有之區域、未由第1層140A～第3層140C之任一者佔有之區域。
第2佔有率相對於第1佔有率之比例如可為0.2以上，亦可為0.3以上，還可為0.4以上。第2佔有率相對於第1佔有率之比例如可為0.6以下，亦可為0.7以下，還可為0.8以下。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍可由包含0.2、0.3及0.4之第1組、及/或包含0.6、0.7及0.8之第2組決定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為0.2以上0.8以下，可為0.2以上0.7以下，可為0.2以上0.6以下，可為0.2以上0.4以下，可為0.2以上0.3以下，可為0.3以上0.8以下，可為0.3以上0.7以下，可為0.3以上0.6以下，可為0.3以上0.4以下，可為0.4以上0.8以下，可為0.4以上0.7以下，可為0.4以上0.6以下，可為0.6以上0.8以下，可為0.6以上0.7以下，可為0.7以上0.8以下。
亦將非透過區域103之透過率稱為第1透過率。亦將透過區域104之透過率稱為第2透過率。由於透過區域104不包含第2電極140Y，故第2透過率高於第1透過率。因此，於包含透過區域104之第2顯示區域102中，到達有機元件100之光可透過透過區域104且到達基板110之背側之光學零件等。光學零件係例如相機等藉由檢測光而實現某些功能之零件。由於第2顯示區域102包含非透過區域103，故於元件115為像素之情形下，可於第2顯示區域102顯示映像。如此，第2顯示區域102可檢測光，且顯示映像。藉由檢測光而實現之第2顯示區域102之功能例如為相機、指紋感測器、臉部認證感測器等感測器等。透過區域104之第2透過率越高，可越增加感測器接收之光量。第2顯示區域102之第2佔有率越低，可越增加感測器接收之光量。
於元件第1方向G1及元件第2方向G2之非透過區域103之尺寸、及元件第1方向G1及元件第2方向G2之透過區域104之尺寸均為1 mm以下時，可使用顯微分光光度計來測定第1透過率及第2透過率。作為顯微分光光度計，可使用奧林巴斯株式會社製OSP-SP200或大塚電子株式會社製LCF系列之任一者。任一顯微分光光度計均可於380 nm以上780 nm以下之可視區域下測定透過率。可使用石英、TFT液晶用硼矽酸玻璃或TFT液晶用無鹼玻璃之任一者作為參考。可使用550 nm之測定結果作為第1透過率及第2透過率。
於元件第1方向G1及元件第2方向G2上之非透過區域103之尺寸、及元件第1方向G1及元件第2方向G2上之透過區域104之尺寸均大於1 mm時，可使用分光光度計來測定第1透過率及第2透過率。作為分光光度計，使用株式會社島津製作所製之紫外可見分光光度計UV-2600i或UV-3600i Plus之任一者。藉由在分光光度計安裝微小光束光圈單元，而可測定最大具有1 mm之尺寸之區域之透過率。可使用大氣作為參考。可使用550 nm之測定結果作為第1透過率及第2透過率。
第2透過率TR2相對於第1透過率TR1之比即TR2/TR1例如可為1.2以上，亦可為1.5以上，還可為1.8以上。TR2/TR1例如可為2以下，亦可為3以下，還可為4以下。TR2/TR1之範圍可由包含1.2、1.5及1.8之第1組、及/或包含2、3及4之第2組決定。TR2/TR1之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。TR2/TR1之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。TR2/TR1之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為1.2以上4以下，可為1.2以上3以下，可為1.2以上2以下，可為1.2以上1.8以下，可為1.2以上1.5以下，可為1.5以上4以下，可為1.5以上3以下，可為1.5以上2以下，可為1.5以上1.8以下，可為1.8以上4以下，可為1.8以上3以下，可為1.8以上2以下，可為2以上4以下，可為2以上3以下，可為3以上4以下。
如圖2所示，第2電極140Y可包含在元件第1方向G1排列之2條以上之電極線140L。電極線140L可於元件第2方向G2延伸。例如，電極線140L可包含連接於第1顯示區域101之第2電極140X之第1端140L1及第2端140L2。第2端140L2於元件第2方向G2上位於與第1端140L1為相反側。雖未圖示，但於第2顯示區域102之外緣之一部分與第1顯示區域101之外緣之一部分位於同一直線上之情形下，連接於第2電極140X之電極線140L之端可僅為1個。
圖3係將第1顯示區域101之第2電極140X及第2顯示區域102之第2電極140Y放大而顯示之俯視圖。第2電極140X及第2電極140Y均於俯視下與有機層130重疊。有機層130係元件115之一構成要件。
於第1顯示區域101中，有機層130可沿著元件第1方向G1以第1節距P1(參照圖4)排列。於第2顯示區域102中，有機層130可沿著元件第1方向G1以第2節距P2排列。第2節距P2可大於第1節距P1。因此，第2電極140Y之第2佔有率變小。藉此，透過區域104之面積變大，可增加感測器接收之光量。
第2節距P2相對於第1節距P1之比例如可為1.1以上，亦可為1.3以上，還可為1.5以上。第2節距P2相對於第1節距P1之比例如可為2.0以下，亦可為3.0以下，還可為4.0以下。第2節距P2相對於第1節距P1之比之範圍可由包含1.1、1.3及1.5之第1組、及/或包含2.0、3.0及4.0之第2組決定。第2節距P2相對於第1節距P1之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。第2節距P2相對於第1節距P1之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。第2節距P2相對於第1節距P1之比之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為1.1以上4.0以下，可為1.1以上3.0以下，可為1.1以上2.0以下，可為1.1以上1.5以下，可為1.1以上1.3以下，可為1.3以上4.0以下，可為1.3以上3.0以下，可為1.3以上2.0以下，可為1.3以上1.5以下，可為1.5以上4.0以下，可為1.5以上3.0以下，可為1.5以上2.0以下，可為2.0以上4.0以下，可為2.0以上3.0以下，可為3.0以上4.0以下。於第2節距P2相對於第1節距P1之比為小之情形下，第2顯示區域102之像素密度相對於第1顯示區域101之像素密度之差變小。藉此，可抑制在第1顯示區域101與第2顯示區域102之間產生視覺性差異。
電極線140L於俯視下可與沿著元件第2方向G2排列之2個以上之有機層130重疊。
針對第2電極140之層構成進行說明。
第2電極140可包含複數個層。例如，第2電極140可包含第1層140A、第2層140B及第3層140C。第1層140A、第2層140B及第3層140C分別為藉由蒸鍍法來形成之層。更具體而言，第1層140A係藉由使用第1遮罩50A之蒸鍍法來形成。第2層140B係藉由使用第2遮罩50B之蒸鍍法來形成。第3層140C係藉由使用第3遮罩50C之蒸鍍法來形成。
如圖7及圖8所示，第2電極140之各層140A～140C包含層本體區域141及層周圍區域142。
層本體區域141於俯視下位於層之中央，係不易受到後述之陰影之影響之區域。層本體區域141具有較層周圍區域142之厚度為厚之厚度。層本體區域141可較平坦地形成。層本體區域141可由貫通孔53之後述之有效區域57劃定。
層周圍區域142為層本體區域141之外側，位於層本體區域141之周圍。層周圍區域142係容易受到陰影之影響之區域。層周圍區域142具有較層本體區域141之厚度為薄之厚度。層周圍區域142可為厚度變化之區域。層周圍區域142可由貫通孔53之後述之周圍區域58劃定。
層周圍區域142可為具有層本體區域141之厚度ta之95%以下之厚度之區域。亦即，層周圍區域142之厚度可於層本體區域141之厚度ta之95%以下之範圍內變化。例如，相對於厚度ta之厚度之百分率可為80%以下、50%以下。
第2電極140之各層140A～140C於俯視下，可具有大致多角形狀之輪廓，或可具有大致圓形狀之輪廓。例如，各層可具有大致四角形狀、大致六角形狀或大致八角形狀之輪廓。於圖3所示之例中，各層140A～140C具有大致正八角形狀之輪廓。各層140A～140C可具有同一平面輪廓。相互對向之2個邊沿著元件第1方向G1，相互對向之另2個邊沿著元件第2方向G2。於各層140A～140C之輪廓為大致多角形狀之輪廓之情形下，輪廓中之四角隅可彎曲。
第1層140A可於元件第1方向G1及元件第2方向G2連接於第2層140B及第3層140C。第1層140A可於俯視下與有機層130重疊。例如，第1層140A可與後述之第1有機層130A重疊。第1層140A可位於與第2層140B及第3層140C不同之有機層130上。
第2層140B可於元件第1方向G1及元件第2方向G2連接於第1層140A及第3層140C。第2層140B可於俯視下與有機層130重疊。例如，第2層140B可與後述之第2有機層130B重疊。第2層140B可位於與第1層140A及第3層140C不同之有機層130上。
第3層140C可於元件第1方向G1及元件第2方向G2連接於第1層140A及第2層140B。第3層140C可於俯視下與有機層130重疊。例如，第3層140C可與後述之第3有機層130C重疊。第3層140C可位於與第1層140A及第2層140B不同之有機層130上。
於第1顯示區域101中，沿著元件第1方向G1及元件第2方向G2，第1層140A、第2層140B及第3層140C可重複排列。於圖3所示之例中，第1層140A、第2層140B及第3層140C配置於正三角形之頂點。藉由如此般配置之3個層140A、140B、140C，而與上述之第1電極120及有機層130一起構成1個像素。
於第2顯示區域102中，沿著元件第1方向G1及元件第2方向G2，第1層140A、第2層140B及第3層140C可重複排列。於圖3所示之例中，藉由與第1顯示區域101同樣地配置於正三角形之頂點之3個層140A、140B、140C，構成1個像素。像素於元件第1方向G1隔開間隔地配置。於元件第1方向G1，在相鄰之像素之間介置透過區域104。像素於元件第2方向G2隔開間隔地配置。於在元件第2方向G2相鄰之2個像素之間介置第2層140B。未形成與該第2層140B對應之第1電極120及有機層130，於不構成該像素之第2層140B與基板110之間介置絕緣層160。藉由不構成像素之第2層140B，構成電極線140L，確保第2電極140之導電性。
圖4係顯示自圖3所示之有機元件100去除第2電極140之狀態之俯視圖。有機層130可包含第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C。第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C例如為紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。於以下之說明中，在說明對第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C共通之有機層之構成時，使用「有機層130」之用語及符號。第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C與第2電極140之3個層140A～140C同樣地配置於正三角形之頂點。
俯視之第2電極140及有機層130之配置係藉由使用高倍率之數位顯微鏡來觀察有機元件100而檢測。基於檢測結果，可算出上述之佔有率、面積、尺寸、間隔等。於有機元件100具備防護玻璃等護罩之情形下，可於去除護罩之後，觀察第2電極140及有機層130。護罩可藉由剝離、或破壞等而去除。可使用掃描型電子顯微鏡，而非數位顯微鏡。
其次，針對有機元件100之層構成之一例進行說明。圖5係概略性沿著圖3所示之有機元件之A-A線之剖視圖。圖6係概略性沿著圖3所示之有機元件之B-B線之剖視圖。
有機元件100如上述般具備基板110、及位於基板110上之元件115。元件115可如上述般具有第1電極120、位於第1電極120上之有機層130、及位於有機層130上之第2電極140。
有機元件100可具備於俯視下位於相鄰之2個第1電極120之間之絕緣層160。絕緣層160可含有例如聚醯亞胺。絕緣層160可與第1電極120之端部重疊。
絕緣層160於俯視下可與後述之電極重疊區域148重疊。例如，於俯視下，電極重疊區域148可由絕緣層160之輪廓包圍。
電極重疊區域148包含第2電極140之複數個層。因此，電極重疊區域148具有較第2電極140之1個層為低之透過率。若透過電極重疊區域148之光自有機元件100出射，則有於光之強度上產生不均之情形。藉由絕緣層160與電極重疊區域148重疊，而可抑制於光之強度上產生不均
電極重疊區域148係於俯視下2個層部分重疊之區域。於圖3所示之例中，電極重疊區域148於俯視下包含：第1層140A與第2層140B重疊之區域、第1層140A與第3層140C重疊之區域、及第2層140B與第3層140C重疊之區域。可不存在3個層140A、140B、140C重疊之區域。
如圖7及圖8所示，電極重疊區域148可包含各層之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149。圖7係顯示電極重疊區域148之俯視圖。圖8係顯示電極重疊區域148之剖視圖。
例如，第1電極重疊區域149包含：第1層140A之層周圍區域142與第2層140B之層周圍區域142重疊之區域、第1層140A之層周圍區域142與第3層140C之層周圍區域142重疊之區域、及第2層140B之層周圍區域142與第3層140C之層周圍區域142重疊之區域。本實施形態之電極重疊區域148係由各層之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149構成。各層之層本體區域141可不與電極重疊區域重疊。各層之層本體區域141彼此可不重疊。
如圖8所示，藉由層周圍區域142彼此重疊，而可降低電極重疊區域148之第2電極140之厚度。例如，如圖9所示，於層本體區域141彼此重疊之情形下，電極重疊區域148之第2電極140之最大厚度tb為層本體區域141之厚度ta之2倍。相對於此，於層周圍區域142彼此重疊之情形下，電極重疊區域148之第2電極140之厚度tb未達層本體區域141之厚度ta之2倍。因此，藉由層本體區域141彼此不重疊，而可降低電極重疊區域148之第2電極140之厚度tb。
如圖8所示，第1電極重疊區域149可與層本體區域141分開。非重疊區域150可位於第1電極重疊區域149與層本體區域141之間。
例如，第1層140A之層周圍區域142與第2層140B之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149可與第1層140A之層本體區域141分開。非重疊區域150可位於該第1電極重疊區域149與第1層140A之層本體區域141之間。第1層140A之層周圍區域142與第2層140B之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149可與第2層140B之層本體區域141分開。非重疊區域150可位於該第1電極重疊區域149與第2層140B之層本體區域141之間。
同樣，第1層140A之層周圍區域142與第3層140C之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149可與各層140A、140C之層本體區域141分開。
同樣，第2層140B之層周圍區域142與第3層140C之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149可與各層140B、140C之層本體區域141分開。
有機元件100可為主動矩陣型。例如，雖未圖示，但有機元件100可具備開關。開關電性連接於複數個元件115各者。開關係例如電晶體。開關可控制對於對應之元件115之電壓或電流之導通/關斷。
基板110包含第1面111及第2面112。基板110可為具有絕緣性之板狀之構件。基板110較佳為具有使光透過之透過性。
於基板110具有特定之透過性之情形下，基板110之透過性可為使來自有機層130之發光透過且能夠進行顯示之程度之透過性。例如，可見光區域之基板110之透過率可為70%以上，亦可為80%以上。基板110之透過率可藉由以JIS K7361-1為基礎之塑膠-透明材料之總透光率之實驗方法來測定。
基板110可具有可撓曲性，或可不具有可撓曲性。可根據有機元件100之用途來適宜選擇基板110之材料。
作為基板110之材料，例如，可使用石英玻璃、Pyrex(註冊商標)玻璃、合成石英板、或無鹼玻璃等無可撓曲性之剛性材、或樹脂膜、光學用樹脂板、或薄玻璃等具有可撓曲性之撓性材等。基板可為於樹脂膜之單面或兩面具有障壁層之積層體。
基板110之厚度可根據基板110所使用之材料或有機元件100之用途等來適宜選擇。例如，基板110之厚度可為0.005 mm以上。基板110之厚度可為5 mm以下。
元件115藉由在第1電極120與第2電極140之間施加電壓、或藉由在第1電極120與第2電極140之間流通電流，而可實現某些功能。例如，於元件115為有機EL顯示裝置之像素之情形下，元件115可放出構成映像之光。
第1電極120含有具有導電性之材料。例如，第1電極120含有金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他具有導電性之無機材料等。第1電極120可含有銦錫氧化物等具有透過性及導電性之金屬氧化物。
作為構成第1電極120之材料，可使用Au、Cr、Mo、Ag、或Mg等金屬；被稱為ITO之氧化銦錫、被稱為IZO之氧化銦鋅、氧化鋅、或氧化銦鋅等無機氧化物；或摻雜有金屬之聚噻吩等導電性高分子等。該等導電性材料可單獨使用，亦可將2種以上組合而使用。於使用2種以上之情形下，可將含有各材料之層積層。又，可使用含有2種以上之材料之合金。例如，可使用MgAg等鎂合金等。
有機層130含有有機材料。當對有機層130通電時，有機層130可發揮某些功能。通電意指朝有機層130施加電壓、或於有機層130流通電流。作為有機層130，可使用藉由通電而放出光之發光層、藉由通電而光之透過率及折射率變化之層等。有機層130可含有有機半導體材料。
亦將包含第1電極120、第1有機層130A及第2電極140之積層構造稱為第1元件115A。亦將包含第1電極120、第2有機層130B及第2電極140之積層構造稱為第2元件115B。亦將包含第1電極120、第3有機層130C及第2電極140之積層構造稱為第3元件115C。於有機元件100為有機EL顯示裝置之情形下，第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C分別為子像素。藉由第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C之組合，可構成1個像素。
於以下之說明中，在說明對第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C共通之元件之構成時，使用「元件115」之用語及符號。
若朝第1電極120與第2電極140之間施加電壓，而將位於兩者之間之有機層130驅動。於有機層130為發光層時，自有機層130放出光，且將光自第2電極140側或第1電極120側向外部取出。
於有機層130包含藉由通電而放出光之發光層之情形下，有機層130可包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層等。
例如，於第1電極120為陽極之情形下，有機層130可於發光層與第1電極120之間具有電洞注入輸送層。電洞注入輸送層可為具有電洞注入功能之電洞注入層，亦可為具有電洞輸送功能之電洞輸送層，還可具有電洞注入功能及電洞輸送功能之兩功能。可於電洞注入輸送層積層電洞注入層及電洞輸送層。
於第2電極140為陰極之情形下，有機層130可於發光層與第2電極140之間具有電子注入輸送層。電子注入輸送層可為具有電子注入功能之電子注入層，亦可為具有電子輸送功能之電子輸送層，還可具有電子注入功能及電子輸送功能之兩功能。又可於電子注入輸送層積層電子注入層及電子輸送層。
發光層含有發光材料。發光層可含有提高流平性之添加劑。
作為發光材料，可使用周知之材料。例如，可使用染料系材料、金屬錯合物系材料或高分子系材料等，作為發光材料。
作為染料系材料，例如，可使用環戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基伸芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、或吡唑啉等。
作為金屬錯合物系材料，例如，可使用羥基喹啉鋁錯合物、苯并羥基喹啉鈹錯合物、苯并噁唑鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉鋅錯合物、銪錯合物等於中心金屬具有Al、Zn、Be等、或Tb、Eu、Dy等稀土類金屬、且於配體具有噁二唑、噻二唑、苯吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構造等之金屬錯合物。
作為高分子系材料，例如，可使用聚(對伸苯伸乙烯)衍生物、聚噻吩衍生物、聚(對伸苯)衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚茀衍生物、或聚喹喔啉衍生物、及其等之共聚物等。
發光層出於提高發光效率及使發光波長變化等之目的，可含有摻雜物。作為摻雜物，例如，可使用苝衍生物、香豆素衍生物、紅螢烯衍生物、喹吖酮衍生物、方酸菁衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系染料、稠四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十環烯、吩噁嗪酮、喹噁啉衍生物、咔唑衍生物、或茀衍生物等。作為摻雜物，可具有鉑或銥等之重金屬離子，亦可使用顯示磷光之有機金屬錯合物。摻雜物可單獨使用1種，亦可使用2種以上。
作為發光材料及摻雜物，例如，可使用日本特開2010-272891號公報之[0094]～[0099]、及國際公開第2012/132126號之[0053]～[0057]所記載之材料。
發光層之厚度只要為可表現藉由可實現電子與電洞之再結合而發光之功能之厚度，則無特別限定。發光層之厚度可設為例如1 nm以上，亦可設為500 nm以下。
作為電洞注入輸送層所使用之電洞注入輸送性材料，可使用周知之材料。作為電洞注入輸送性材料，例如，可使用三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、茀衍生物、二苯乙烯衍生物、聚伸苯基伸乙烯基衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯胺衍生物等。作為其他材料，可例示螺環化合物、酞青素化合物、或金屬氧化物等。作為電洞注入輸送性材料，例如，亦可適宜地選擇日本特開2011-119681號公報、國際公開第2012/018082號、日本特開2012-069963號公報、或國際公開第2012/132126號之[0106]所記載之化合物而使用。
於電洞注入輸送層具有積層有電洞注入層及電洞輸送層之構成之情形下，可電洞注入層含有添加劑A，亦可電洞輸送層含有添加劑A，還可電洞注入層及電洞輸送層含有添加劑A。添加劑A可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。作為添加劑A，例如，可使用氟系化合物、酯系化合物、或烴系化合物等。
作為電子注入輸送層所使用之電子注入輸送性材料，可使用周知之材料。作為電子注入輸送性材料，例如，可使用鹼金屬類、鹼金屬之合金、鹼金屬之鹵化物、鹼土類金屬類、鹼土類金屬之鹵化物、鹼土類金屬之氧化物、鹼金屬之有機錯合物、鎂之鹵化物或氧化物、或氧化鋁等。作為電子注入輸送性材料，例如，可使用浴銅靈、紅菲咯啉、啡啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基置換茀衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基對苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等之芳香環四羧酸酐、碳二亞胺、亞茀基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蔥酮衍生物、喹噁啉衍生物、羥基喹啉錯合物等金屬錯合物、酞青素化合物、或二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
可形成在電子輸送性之有機材料摻雜鹼金屬或鹼土類金屬之金屬摻雜層，將其設為電子注入輸送層。作為電子輸送性之有機材料，例如可使用浴銅靈、紅菲繞啉、鄰二氮菲衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq 3)等金屬錯合物、或其等之高分子衍生物等。作為摻雜之金屬，可使用Li、Cs、Ba、或Sr等。
第2電極140含有金屬等具有導電性之材料。第2電極140藉由使用後述之遮罩之蒸鍍法而形成於有機層130之上。作為構成第2電極140之材料之例，可舉出鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、或碳等。該等材料可單獨使用，亦可將2種以上組合而使用。於使用2種以上時，第2電極140可具有將含有各材料之層積層之構成。作為第2電極140，可使用含有2種以上之材料之合金。作為第2電極140，例如，可使用MgAg等鎂合金、AlLi、AlCa、AlMg等鋁合金、或鹼金屬類或鹼土類金屬類之合金等。
第2電極140之層本體區域141之厚度ta例如可為5 nm以上，可為10 nm以上，可為50 nm以上，可為100 nm以上。層本體區域141之厚度ta例如可為200 nm以下，可為500 nm以下，可為1 μm以下，可為100 μm以下。層本體區域141之厚度ta之範圍可由包含5 nm、10 nm、50 nm及100 nm之第1組、及/或包含200 nm、500 nm、1 μm及100 μm之第2組決定。層本體區域141之厚度ta之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意之1個、與上述之第2組中所含之值中之任意之1個之組合決定。層本體區域141之厚度ta之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意之2個之組合決定。層本體區域141之厚度ta之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意之2個之組合決定。例如，可為5 nm以上100 μm以下，可為5 nm以上1 μm以下，可為5 nm以上500 nm以下，可為5 nm以上200 nm以下，可為5 nm以上100 nm以下，可為5 nm以上50 nm以下，可為5 nm以上10 nm以下，可為10 nm以上100 μm以下，可為10 nm以上1 μm以下，可為10 nm以上500 nm以下，可為10 nm以上200 nm以下，可為10 nm以上100 nm以下，可為10 nm以上50 nm以下，可為50 nm以上100 μm以下，可為50 nm以上1 μm以下，可為50 nm以上500 nm以下，可為50 nm以上200 nm以下，可為50 nm以上100 nm以下，可為100 nm以上100 μm以下，可為100 nm以上1 μm以下，可為100 nm以上500 nm以下，可為100 nm以上200 nm以下，可為200 nm以上100 μm以下，可為200 nm以上1 μm以下，可為200 nm以上500 nm以下，可為500 nm以上100 μm以下，可為500 nm以上1 μm以下，可為1 μm以上100 μm以下。
層本體區域141之厚度ta越小，第2電極140之透過率越高，非透過區域103之透過率亦越高。入射至非透過區域103之光亦可相應於非透過區域103之透過率而到達感測器。藉由提高非透過區域103之透過率，而可增加感測器接收之光量。
有機元件100之各構成要件之厚度可藉由使用掃描型電子顯微鏡或白色干涉儀來觀察有機元件100之剖面之圖像而測定。例如，基板110之厚度及第2電極140之厚度等可使用掃描型電子顯微鏡或白色干涉儀來測定。例如，對於第2電極140之層本體區域141之厚度之測定，可使用株式會社菱化系統製之白色干涉儀「VertScan(註冊商標)、R6500H-A300」。
說明藉由蒸鍍法來形成上述之有機元件100之第2電極140之方法。圖10係顯示蒸鍍裝置10之圖。蒸鍍裝置10實施使蒸鍍材料蒸鍍至對象物之蒸鍍處理。
蒸鍍裝置10可於其內部具備蒸鍍源6、加熱器8、及遮罩裝置40。蒸鍍裝置10可具備用於將蒸鍍裝置10之內部設為真空氣體環境之排氣機構。蒸鍍源6為例如坩堝。蒸鍍源6收容導電性材料等蒸鍍材料7。加熱器8對蒸鍍源6進行加熱，於真空氣體環境下使蒸鍍材料7蒸發。遮罩裝置40配置為與坩堝6對向。
如圖10所示，遮罩裝置40可具備：至少1個遮罩50、及支持遮罩50之框架41。框架41可包含第1框架面41a、及第2框架面41b。可於第1框架面41a固定遮罩50。第2框架面41b位於第1框架面41a之相反側。框架41可包含開口42。開口42自第1框架面41a貫通至第2框架面41b。遮罩50可以於俯視下橫切開口42之方式固定於框架41。框架41可於沿著該面之方向對遮罩50以牽拉之狀態進行支持。藉此，可抑制遮罩50撓曲。
可使用後述之第1遮罩50A、第2遮罩50B或第3遮罩50C，作為遮罩50。於以下之說明中，在說明對第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C共通之遮罩之構成時，「使用遮罩50」之用語及符號。該情形下，針對後述之貫通孔及遮蔽區域等遮罩之構成要件亦同樣地，可使用未賦予字母之僅為數字之符號、即「53」或「54」等僅為數字之符號。另一方面，在說明對於第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C各者特有之內容時，亦有時使用於數字之後賦予「A」、「B」或「C」等對應之字母之符號。
遮罩裝置40之遮罩50與基板110之第1面111對向。使用遮罩50使蒸鍍材料7附著之對象物係基板110。遮罩50包含複數個貫通孔53。貫通孔53使自蒸鍍源6飛來之蒸鍍材料7通過。通過貫通孔53之蒸鍍材料7附著於基板110之第1面111。遮罩50包含第1面51a及第2面51b。第1面51a與第1面111對向。第2面51b位於第1面51a之相反側。貫通孔53自第1面51a貫通至第2面51b。
蒸鍍裝置10可具備保持基板110之基板保持具2。基板保持具2可於基板110之厚度方向移動。基板保持具2可於沿著基板110之第1面111之方向移動。基板保持具2可控制基板110之傾斜度。例如，基板保持具2可包含安裝於基板110之外緣之複數個卡盤。各卡盤可於沿著基板110之厚度方向及第1面111之方向獨立地移動。
蒸鍍裝置10可具備保持遮罩裝置40之遮罩保持具3。遮罩保持具3可於遮罩50之厚度方向移動。遮罩保持具3可於沿著遮罩50之第1面51a之方向移動。例如，遮罩保持具3可包含安裝於框架41之外緣之複數個卡盤。各卡盤可於沿著遮罩50之厚度方向及第1面51a之方向獨立地移動。
藉由使基板保持具2及遮罩保持具3之至少任一者移動，而可調整遮罩裝置40之遮罩50相對於基板110之位置。
蒸鍍裝置10可具備冷卻板4。冷卻板4可配置於基板110之第2面112側。冷卻板4可具有用於使冷媒於冷卻板4之內部循環之流路。冷卻板4可抑制於蒸鍍步驟時基板110之溫度上升。
蒸鍍裝置10可具備配置於第2面112側之磁鐵5。磁鐵5可與冷卻板4重疊。磁鐵5藉由磁力將遮罩50拉引至基板110側。藉此，可減小遮罩50與基板110之間之間隙，或可消除間隙。因此，可抑制於蒸鍍步驟中產生陰影。因此，可提高第2電極140之尺寸精度及位置精度。或，可使用利用靜電力之靜電卡盤取代磁鐵5，將蒸鍍罩50拉引至基板110側。
針對遮罩裝置40進行說明。圖11係顯示遮罩裝置40之俯視圖。遮罩裝置40可具備2個以上之遮罩50。遮罩50可藉由例如熔接而固定於框架41。
框架41包含一對第1邊411、及一對第2邊412。框架41可具有矩形之輪廓。可將被施加張力之狀態之遮罩50固定於第1邊411。第1邊411可較第2邊412為長。一對第1邊411及一對第2邊412可包圍開口42。
作為構成框架41之材料，可與後述之遮罩50之材料相同。例如，構成框架41之材料可使用含有鎳之鐵合金。
遮罩50至少包含1個單元52。單元52包含貫通孔53及位於貫通孔53之周圍之遮蔽區域54。單元52係由複數個貫通孔53構成。遮罩50可包含2個以上之單元52。於使用遮罩50來製作有機EL顯示裝置等顯示裝置時，1個單元52可對應於1個有機EL顯示裝置之顯示區域、亦即對應於1個畫面。1個單元52可對應於複數個顯示區域。遮蔽區域54可位於2個單元52之間。雖未圖示，但遮罩50可包含位於2個單元52之間之貫通孔。
單元52例如可具有俯視下大致四角形、更正確而言俯視下大致矩形之輪廓。各單元52可相應於有機EL顯示裝置之顯示區域之形狀，具有各種形狀之輪廓。例如各單元52可具有圓形之輪廓。
圖12係將遮罩50之一例放大而顯示之俯視圖。遮罩50具有遮罩第1方向D1及與遮罩第1方向D1交叉之遮罩第2方向D2。遮罩第1方向D1可與遮罩第2方向D2正交。遮罩第1方向D1可沿著元件第1方向G1，遮罩第2方向D2可沿著元件第2方向G2。
遮罩50具備上述之貫通孔53及遮蔽區域54。貫通孔53於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。
於沿著第1面51a之法線方向觀察遮罩50時，遮罩50具備遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4。遮罩第3區域M3對應於有機元件100之第1顯示區域101，且與後述之遮罩積層體55之遮罩第1區域M1重疊。遮罩第4區域M4對應於有機元件100之第2顯示區域102，且與後述之遮罩積層體55之遮罩第2區域M2重疊。
複數個貫通孔53可位於遮罩第3區域M3。換言之，在與遮罩第3區域M3重疊之遮罩第1區域M1中，複數個貫通孔53可位於各遮罩50。遮罩第3區域M3中之複數個貫通孔53可呈圖案狀位在。例如，複數個貫通孔53可以與第1顯示區域101中之第2電極140之第1層140A～第3層140C之任一者對應之方式位在。
遮罩第3區域M3具有表示貫通孔53之面積之比率之第3開口率。第3開口率係藉由將位於遮罩第3區域M3之貫通孔53之面積之合計除以遮罩第3區域M3之面積而算出。用於算出第3開口率之貫通孔53之面積可為第1面51a中之貫通孔53之面積，或可為後述之貫通部534之平面面積。第3開口率可大於0%、小於100%。該情形下，遮罩第3區域M3包含：由貫通孔53佔有之區域、及未由貫通孔53佔有之區域。
複數個貫通孔53可位於遮罩第4區域M4。換言之，在與遮罩第4區域M4重疊之遮罩第2區域M2中，複數個貫通孔53可位於各遮罩50。遮罩第4區域M4中之複數個貫通孔53可呈圖案狀位在。例如，複數個貫通孔53可以與第2顯示區域102中之第2電極140之第1層140A～第3層140C之任一者對應之方式位在。
遮罩第4區域M4具有表示貫通孔53之面積之比率之第4開口率。第4開口率係藉由將位於遮罩第4區域M4之貫通孔53之面積之合計除以遮罩第4區域M4之面積而算出。第4開口率可小於第3開口率。用於算出第4開口率之貫通孔53之面積可為第1面51a中之貫通孔53之面積，或可為後述之貫通部534之平面面積。第4開口率可大於0%、小於100%。該情形下，遮罩第4區域M4包含：由貫通孔53佔有之區域、及未由貫通孔53佔有之區域。
第4開口率相對於第3開口率之比例如可為0.2以上，亦可為0.3以上，還可為0.4以上。第4開口率相對於第3開口率之比例如可為0.6以下，亦可為0.7以下，還可為0.8以下。第4開口率相對於第3開口率之比之範圍可由包含0.2、0.3及0.4之第1組、及/或包含0.6、0.7及0.8之第2組決定。第4開口率相對於第3開口率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。第4開口率相對於第3開口率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。第4開口率相對於第3開口率之比之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為0.2以上0.8以下，可為0.2以上0.7以下，可為0.2以上0.6以下，可為0.2以上0.4以下，可為0.2以上0.3以下，可為0.3以上0.8以下，可為0.3以上0.7以下，可為0.3以上0.6以下，可為0.3以上0.4以下，可為0.4以上0.8以下，可為0.4以上0.7以下，可為0.4以上0.6以下，可為0.6以上0.8以下，可為0.6以上0.7以下，可為0.7以上0.8以下。
遮罩50可具有對準標記50M。對準標記50M形成於例如遮罩50之單元52之角隅。對準標記50M可於藉由使用遮罩50之蒸鍍法而於基板110形成第2電極140之步驟中，被用於遮罩50對於基板110之定位。對準標記50M例如可形成於與開口42重疊之位置，或可形成於與框架41重疊之位置。於製作遮罩裝置40時，可為了遮罩50與框架41之定位，而使用對準標記50M。
於形成第2電極140之步驟中，可使用複數個遮罩50。如例如圖13A～圖13C所示，複數個遮罩50亦可具備第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C。第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C可構成不同之遮罩裝置40。如圖13A所示，亦將具備第1遮罩50A之遮罩裝置40稱為第1遮罩裝置40A。如圖13B所示，亦將具備第2遮罩50B之遮罩裝置40稱為第2遮罩裝置40B。如圖13C所示，亦將具備第3遮罩50C之遮罩裝置40稱為第3遮罩裝置40C。
於形成第2電極140之步驟中，例如，於蒸鍍裝置10安裝圖13A所示之第1遮罩裝置40A，於基板110形成第2電極140之第1層140A。繼而，於蒸鍍裝置10安裝圖13B所示之第2遮罩裝置40B，於基板110形成第2電極140之第2層140B。繼而，於蒸鍍裝置10安裝圖13C所示之第3遮罩裝置40C，於基板110形成第2電極140之第3層140C。如此，於形成有機元件100之第2電極140之步驟中，依序使用第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C等複數個遮罩50。亦將為了形成有機元件100之第2電極140而使用之複數個遮罩50之群稱為「遮罩群」。
圖14係顯示遮罩50之剖面構造之一例之圖。遮罩50係由形成有複數個貫通孔53之金屬板51構成。貫通孔53自第1面51a至第2面51b貫通金屬板51。
貫通孔53可包含第1凹部531及第2凹部532。第1凹部531位於第1面51a側。第2凹部532位於第2面51b側。第1凹部531於金屬板51之厚度方向連接於第2凹部532。
於俯視下，第2凹部532之尺寸r2可大於第1凹部531之尺寸r1。第1凹部531可藉由自第1面51a側利用蝕刻等對金屬板51進行加工而形成。第2凹部532可藉由自第2面51b側利用蝕刻等對金屬板51進行加工而形成。第1凹部531與第2凹部532於連接部533中連接。連接部533距第1面51a之高度h亦被稱為剖面高度。剖面高度可能成為後述之陰影之影響要因。
符號534表示貫通部。俯視之貫通孔53之開口面積於貫通部534中為最小。貫通部534可由連接部533劃定。於圖14中，貫通部534係由尺寸r表示。尺寸r小於尺寸r1，且小於尺寸r2。
於使用遮罩50之蒸鍍法中，蒸鍍材料7自第2面51b側向第1面51a側通過貫通孔53之貫通部534。藉由通過之蒸鍍材料7附著於基板110，而於基板110形成上述之第2電極140，更具體而言，於基板110形成上述之第1層140A、第2層140B及第3層140C等之層。形成於基板110之層之平面輪廓主要由貫通部534之平面輪廓劃定。更詳細而言，第2電極140之層本體區域141主要由貫通部534之平面輪廓劃定。第2電極140之層周圍區域142主要由第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓劃定。
於使蒸鍍材料7蒸鍍至基板110之蒸鍍步驟中，蒸鍍材料7之一部分自蒸鍍源6向基板110沿著基板110之法線方向飛來。然而，亦可能存在沿著相對於法線方向傾斜之方向飛來之蒸鍍材料7。該情形下，沿著傾斜之方向飛來之蒸鍍材料7之一部分到達且附著於遮罩50之第2面51b及貫通孔53之壁面，而不到達基板110。於貫通孔53中，容易附著於第2凹部532之壁面。因此，形成於基板110之蒸鍍層之厚度可於貫通孔53之中央維持所期望之厚度，但容易隨著靠近貫通孔53之壁面而變薄。將如此之蒸鍍材料7向基板110之附著由貫通孔53之壁面及第2面51b阻礙之現象稱為陰影。
貫通孔53包含有效區域57及周圍區域58。有效區域57於俯視下位於貫通孔53之中央，係不易受到上述之陰影之影響之區域。周圍區域58為有效區域57之外側，位於有效區域57之周圍。周圍區域58係容易受到陰影之影響之區域。有效區域57及周圍區域58位於第1面51a上。
有效區域57及周圍區域58可由通過上述之連接部533之區域劃定直線L定義。區域劃定直線L可定義為通過連接部533且與遮罩50之第1面51a形成角度θ之直線。有效區域57係於較區域劃定直線L與第1面51a相交之第1交點CP1靠貫通孔53之內側劃定。周圍區域58係於較該第1交點CP1靠貫通孔53之外側劃定。
區域劃定直線L可由蒸鍍材料7飛來之飛來方向或貫通孔53之剖面形狀之任一者定義。於圖15所示之例中，區域劃定直線L係由貫通孔53之剖面形狀定義。
更具體而言，如圖15所示，將自蒸鍍源6飛來之蒸鍍材料7之飛來方向與遮罩50之第1面51a所成之角度設為飛來角度θ1。將通過連接部533且與第2凹部532之壁面之任意之點相接之直線與遮罩50之第1面51a所成之角度設為遮罩角度θ2。於圖15所示之例中，遮罩角度θ2大於飛來角度θ1。該情形下，容易受到陰影之影響之周圍區域58依存於遮罩角度θ2。因此，區域劃定直線L之角度θ可為遮罩角度θ2。該情形下，區域劃定直線L通過連接部533，且與第2凹部532之壁面之任意之點相接。於圖15所示之例中，區域劃定直線L通過第2凹部532與第2面51b之第2交點CP2。於圖15所示之例中，周圍區域58之寬度係以剖面高度h/tanθ2表示。
圖15所示之區域劃定直線L與第1面51a所成之角度θ2例如可為35ﾟ以上，亦可為40ﾟ以上，還可為45ﾟ以上。角度θ2例如可為50ﾟ以下，亦可為60ﾟ以下，還可為70ﾟ以下。角度θ2之範圍可由包含35ﾟ、40ﾟ及45ﾟ之第1組、及/或包含50ﾟ、60ﾟ及70ﾟ之第2組決定。角度θ2之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。角度θ2之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。角度θ2之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為35ﾟ以上70ﾟ以下，可為35ﾟ以上60ﾟ以下，可為35ﾟ以上50ﾟ以下，可為35ﾟ以上45ﾟ以下，可為35ﾟ以上40ﾟ以下，可為40ﾟ以上70ﾟ以下，可為40ﾟ以上60ﾟ以下，可為40ﾟ以上50ﾟ以下，可為40ﾟ以上45ﾟ以下，可為45ﾟ以上70ﾟ以下，可為45ﾟ以上60ﾟ以下，可為45ﾟ以上50ﾟ以下，可為50ﾟ以上70ﾟ以下，可為50ﾟ以上60ﾟ以下，可為60ﾟ以上70ﾟ以下。
貫通孔53於俯視下可具有大致多角形狀之輪廓，或可具有大致圓形狀之輪廓。例如，貫通孔53可具有大致四角形狀、大致六角形狀或大致八角形狀之輪廓。貫通孔53於遮罩50之厚度方向，可以相似形狀形成。於圖16～圖19所示之例中，貫通孔53可具有大致正八角形狀之輪廓。相互對向之2個邊沿著遮罩第1方向D1，相互對向之另2個邊沿著遮罩第2方向D2。於貫通孔53之輪廓為大致多角形狀之輪廓之情形下，輪廓中之四角隅可彎曲。
貫通部534以外之金屬板51之區域係可遮蔽往向基板110之蒸鍍材料7之上述之遮蔽區域54。
遮罩第4區域M4之遮蔽區域54可包含不貫通金屬板51之凹部。藉由在遮罩第4區域M4設置凹部，而可使遮罩第4區域M4之剛性降低。藉此，可降低遮罩第4區域M4之剛性與遮罩第3區域M3之剛性之間之差。因此，可抑制因剛性之差，而於遮罩50發生皺褶。皺褶例如容易於對遮罩50施加張力時發生。
遮罩50之厚度T例如可為5 μm以上，可為10 μm以上，可為15 μm以上，可為20 μm以上。遮罩50之厚度T例如可為25 μm以下，可為30 μm以下，可為50 μm以下，可為100 μm以下。遮罩50之厚度T之範圍可由包含5 μm、10 μm、15 μm及20 μm之第1組、及/或包含25 μm、30 μm、50 μm及100 μm之第2組決定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意之1個、與上述之第2組中所含之值中之任意之1個之組合決定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意之2個之組合決定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意之2個之組合決定。例如，可為5 μm以上100 μm以下，可為5 μm以上50 μm以下，可為5 μm以上30 μm以下，可為5 μm以上25 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為5 μm以上15 μm以下，可為5 μm以上10 μm以下，可為10 μm以上100 μm以下，可為10 μm以上50 μm以下，可為10 μm以上30 μm以下，可為10 μm以上25 μm以下，可為10 μm以上20 μm以下，可為10 μm以上15 μm以下，可為15 μm以上100 μm以下，可為15 μm以上50 μm以下，可為15 μm以上30 μm以下，可為15 μm以上25 μm以下，可為15 μm以上20 μm以下，可為20 μm以上100 μm以下，可為20 μm以上50 μm以下，可為20 μm以上30 μm以下，可為20 μm以上25 μm以下，可為25 μm以上100 μm以下，可為25 μm以上50 μm以下，可為25 μm以上30 μm以下，可為30 μm以上100 μm以下，可為30 μm以上50 μm以下，可為50 μm以上100 μm以下。
作為測定遮罩50之厚度T之方法，可採用接觸式測定方法。作為接觸式測定方法，可使用具備滾珠襯套導向式柱塞之海德漢公司製之長度計HEIDENHAIN-METRO之「MT1271」。
貫通孔53之剖面形狀不限於圖14所示之形狀。貫通孔53之形成方法不限於蝕刻，可採用各種方法。例如，藉由以形成貫通孔53之方式進行鍍覆，而可形成遮罩50。
作為構成遮罩50之材料，例如可使用含有鎳之鐵合金。鐵合金除了鎳以外，亦可進一步含有鈷。例如，作為遮罩50之材料，可使用鎳及鈷之含有量合計為30質量%以上且54質量%以下、且鈷之含有量為0質量%以上且6質量%以下之鐵合金。作為含有鎳或鎳及鈷之鐵合金，可使用含有34質量%以上且38質量%以下之鎳之銦鋼材、除了30質量%以上且34質量%以下之鎳以外進一步含有鈷之超銦鋼材、或含有38質量%以上且54質量%以下之鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鍍覆合金等。藉由使用如此之鐵合金，而可降低遮罩50之熱膨脹係數。例如，於使用玻璃基板作為基板110之情形下，可將遮罩50之熱膨脹係數設為與玻璃基板同等之低值。藉此，可抑制於蒸鍍步驟時，形成於基板110之蒸鍍層之尺寸精度及位置精度因遮罩50與基板110之間之熱膨脹係數之差而降低。
針對遮罩群56進行說明。遮罩群56具備2個以上之遮罩50。於本實施形態中，遮罩群56具備上述之第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C。亦將藉由將第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C重疊而獲得之積層體稱為遮罩積層體55。
其次，針對第1遮罩50A詳細地說明。圖16係於第1遮罩50A之第1面51a中將遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4放大而顯示之俯視圖。第1遮罩50A具備第1貫通孔53A及第1遮蔽區域54A。第1貫通孔53A於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。於遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4中，第1貫通孔53A配置於與第2電極140之第1層140A對應之位置。於圖16～圖20等之俯視圖中顯示之貫通孔53之輪廓係遮罩50A～50C之第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓。第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓相當於第1面51a中之第1凹部531之輪廓。
參照圖17，針對第2遮罩50B進行說明。圖17係於第2遮罩50B之第1面51a中將遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4放大而顯示之俯視圖。第2遮罩50B具備第2貫通孔53B及第2遮蔽區域54B。第2貫通孔53B與第1貫通孔53A同樣地於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。於遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4中，第2貫通孔53B配置於與第2電極140之第2層140B對應之位置。
參照圖18，針對第3遮罩50C進行說明。圖18係於第3遮罩50C之第1面51a中將遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4放大而顯示之俯視圖。第3遮罩50C具備第3貫通孔53C及第3遮蔽區域54C。第3貫通孔53C與第1貫通孔53A同樣地於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。於遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4中，第3貫通孔53C配置於與第2電極140之第3層140C對應之位置。
於測定各遮罩50A～50C之貫通孔53A～53C之形狀及配置之方法中，可沿著各遮罩50A～50C之法線方向使平行光向第1面51a或第2面51b之一者入射。該情形下，平行光自第1面51a或第2面51b之另一者出射。可測定出射之光所佔之區域之形狀作為貫通孔53之形狀。出射之光所佔之區域之形狀相當於上述之貫通部534之形狀。
於測定各遮罩50A～50C之第1面51a中之貫通孔53A～53C之形狀及配置時，可藉由對第1面51a進行圖像處理來測定。例如，可使用攝影裝置，拍攝各遮罩50A～50C之第1面51a，取得與第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓相關之圖像資料。
說明第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C之位置關係。圖19係顯示遮罩積層體55之俯視圖。遮罩積層體55具備重疊之2個以上之遮罩50。圖19所示之遮罩積層體55具備重疊之第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C。
於遮罩積層體55中，各遮罩50A～50C之對準標記50M可重疊。或，可基於各遮罩50A～50C之單元52之配置，將各遮罩50A～50C重疊。或，可基於各遮罩50A～50C之貫通孔53A～53C及遮蔽區域54A～54C之配置，將各遮罩50A～50C重疊。於將各遮罩50A～50C重疊時，可對各遮罩50A～50C施加張力，亦可不施加張力。
將2個以上之遮罩50重疊之狀態之圖可藉由將各遮罩50之圖像資料重疊而獲得。例如，使用圖像處理裝置，將如上述之般取得之各遮罩50A～50C之第1面51a之圖像資料重疊。藉此，可製作如圖19之圖。於取得圖像資料時，可對各遮罩50A～50C施加張力，亦可不施加張力。將2個以上之遮罩50重疊之狀態之圖可藉由將用於製造各遮罩50A～50C之設計圖式重疊而獲得。
如圖19所示，遮罩積層體55具備貫通區域55A。貫通區域55A於俯視下包含各遮罩50A～50C之貫通孔53A～53C之至少1個。亦即，貫通區域55A於俯視下與各遮罩50A～50C之貫通孔53A～53C之至少一者重疊。因此，於蒸鍍步驟中，在與貫通區域55A對應之基板110之區域形成至少1層第2電極140。貫通區域55A係由各遮罩50A～50C之第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓劃定。
於俯視下，遮罩積層體55具備遮罩第1區域M1及遮罩第2區域M2。遮罩第1區域M1對應於有機元件100之第1顯示區域101，且與上述之遮罩50之遮罩第3區域M3重疊。遮罩第2區域M2對應於有機元件100之第2顯示區域102，且與上述之遮罩50之遮罩第4區域M4重疊。
於遮罩第1區域M1中，貫通區域55A具有第1開口率。第1開口率表示遮罩第1區域M1中之貫通區域55A之面積之比率。第1開口率係藉由將位於遮罩第1區域M1之貫通區域55A之面積之合計除以遮罩第1區域M1之面積而算出。遮罩第1區域M1可於俯視下與遮罩第3區域M3一致。
第1開口率可大於0%、小於100%。該情形下，即便於遮罩50A～50C重疊之狀態下，遮罩第1區域M1亦包含：由貫通孔53A～53C之任一者佔有之區域、及未由貫通孔53A～53C之任一者佔有之區域。然而，不限定於此，第1開口率可為100%。該情形下，遮罩第1區域M1之整體由貫通孔53A～53C之任一者佔有。
於遮罩第2區域M2中，貫通區域55A具有第2開口率。第2開口率表示遮罩第2區域M2中之貫通區域55A之面積之比率。第2開口率係藉由將位於遮罩第2區域M2之貫通區域55A之面積之合計除以遮罩第2區域M2之面積而算出。遮罩第2區域M2可於俯視下與遮罩第4區域M4一致。第2開口率可小於第1開口率。
第2開口率可大於0%、小於100%。該情形下，即便於遮罩50A～50C重疊之狀態下，遮罩第2區域M2亦包含：由貫通孔53A～53C之任一者佔有之區域、及未由貫通孔53A～53C之任一者佔有之區域。
第2開口率相對於第1開口率之比例如可為0.2以上，亦可為0.3以上，還可為0.4以上。第2開口率相對於第1開口率之比例如可為0.6以下，亦可為0.7以下，還可為0.8以下。第2開口率相對於第1開口率之比之範圍可由包含0.2、0.3及0.4之第1組、及/或包含0.6、0.7及0.8之第2組決定。第2開口率相對於第1開口率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。第2開口率相對於第1開口率之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。第2開口率相對於第1開口率之比之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為0.2以上0.8以下，可為0.2以上0.7以下，可為0.2以上0.6以下，可為0.2以上0.4以下，可為0.2以上0.3以下，可為0.3以上0.8以下，可為0.3以上0.7以下，可為0.3以上0.6以下，可為0.3以上0.4以下，可為0.4以上0.8以下，可為0.4以上0.7以下，可為0.4以上0.6以下，可為0.6以上0.8以下，可為0.6以上0.7以下，可為0.7以上0.8以下。
貫通區域55A可包含孔重疊區域59。孔重疊區域59係於俯視下2個以上之遮罩50之貫通孔53重疊之區域。亦即，孔重疊區域59於俯視下包含遮罩積層體55中所含之2個以上之遮罩50之貫通孔53之至少2個。更詳細而言，孔重疊區域59係各遮罩50之第1面51a中之貫通孔53重疊之區域。
於圖19所示之例中，孔重疊區域59於俯視下包含：第1貫通孔53A與第2貫通孔53B重疊之區域、第1貫通孔53A與第3貫通孔53C重疊之區域、及第2貫通孔53B與第3貫通孔53C重疊之區域。因此，於蒸鍍步驟中，在與孔重疊區域59對應之基板110之區域形成兩層第2電極140。於貫通區域55A可不存在第1貫通孔53A、第2貫通孔53B及第3貫通孔53C重疊之區域。
如圖20及圖21所示，孔重疊區域59可包含遮罩積層體55中所含之2個遮罩50之貫通孔53之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60。圖20係顯示孔重疊區域59之俯視圖。圖21係顯示孔重疊區域59之剖視圖。於圖21中，作為一例，顯示由第1遮罩50A與第2遮罩50B形成之孔重疊區域59。
例如，第1孔重疊區域60包含：第1貫通孔53A之周圍區域58與第2貫通孔53B之周圍區域58重疊之區域、第1貫通孔53A之周圍區域58與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之區域、及第2貫通孔53B之周圍區域58與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之區域。本實施形態之孔重疊區域59係由貫通孔53之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60構成。貫通孔53之有效區域57不與本實施形態之孔重疊區域59重疊。
第1孔重疊區域60可與有效區域57分開。非重疊區域61可位於第1孔重疊區域60與有效區域57之間。
例如，第1貫通孔53A之周圍區域58與第2貫通孔53B之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60可與第1貫通孔53A之有效區域57分開。非重疊區域61可位於該第1孔重疊區域60與第1貫通孔53A之有效區域57之間。第1貫通孔53A之周圍區域58與第2貫通孔53B之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60可與第2貫通孔53B之有效區域57分開。非重疊區域61可位於該第1孔重疊區域60與第2貫通孔53B之有效區域57之間。
同樣，第1貫通孔53A之周圍區域58與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60可與各貫通孔53A、53C之有效區域57分開。非重疊區域61可位於該第1孔重疊區域60與各貫通孔53A、53C之有效區域57之間。
同樣，第2貫通孔53B之周圍區域58與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60可與各貫通孔53B、53C之有效區域57分開。非重疊區域61可位於該第1孔重疊區域60、與各貫通孔53B、53C之有效區域57之間。
藉由貫通區域55A包含如上述之第1孔重疊區域60，而可形成如圖7及圖8所示之第2電極140。第1孔重疊區域60對應於上述之第1電極重疊區域149。
孔重疊區域59之面積可小於第1貫通孔53A之面積。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比例如可為0.02以上，亦可為0.05以上，還可為0.10以上。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比例如可為0.20以下，亦可為0.30以下，還可為0.40以下。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比之範圍可由包含0.02、0.05及0.10之第1組、及/或包含0.20、0.30及0.40之第2組決定。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意1個、與上述之第2組中所含之值中之任意1個之組合決定。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比之範圍可由上述之第1組中所含之值中之任意2個之組合決定。孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比之範圍可由上述之第2組中所含之值中之任意2個之組合決定。例如，可為0.02以上0.40以下，可為0.02以上0.30以下，可為0.02以上0.20以下，可為0.02以上0.10以下，可為0.02以上0.05以下，可為0.05以上0.40以下，可為0.05以上0.30以下，可為0.05以上0.20以下，可為0.05以上0.10以下，可為0.10以上0.40以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.10以上0.20以下，可為0.20以上0.40以下，可為0.20以上0.30以下，可為0.30以上0.40以下。
孔重疊區域59之面積可小於第2貫通孔53B之面積。作為孔重疊區域59之面積相對於第2貫通孔53B之面積之比之範圍，可採用上述之「孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比」之範圍。
孔重疊區域59之面積可小於第3貫通孔53C之面積。作為孔重疊區域59之面積相對於第3貫通孔53C之面積之比之範圍，可採用上述之「孔重疊區域59之面積相對於第1貫通孔53A之面積之比」之範圍。
如圖19所示，位於遮罩第2區域M2之貫通區域55A可包含在遮罩第1方向D1排列之2條以上之貫通線55L。貫通線55L可於遮罩第2方向D2延伸。例如，貫通線55L可包含連接於遮罩第1區域M1之貫通區域55A之第3端及第4端。第4端可於遮罩第2方向D2位於與第3端為相反側。
針對製造有機元件100之方法之一例進行說明。
首先，準備形成有第1電極120之基板110。第1電極120例如藉由在藉由濺射法等於基板110形成構成第1電極120之導電層之後，藉由光微影術等將導電層圖案化而形成。可將位於在俯視下相鄰之2個第1電極120之間之絕緣層160形成於基板110。
繼而，如圖5及圖6所示，將包含第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C之有機層130形成於第1電極120上。第1有機層130A例如可藉由使用具有與第1有機層130A對應之貫通孔之遮罩之蒸鍍法來形成。例如，藉由經由遮罩使有機材料等蒸鍍至與第1有機層130A對應之第1電極120上，而可形成第1有機層130A。第2有機層130B亦可藉由使用具有與第2有機層130B對應之貫通孔之遮罩之蒸鍍法來形成。第3有機層130C亦可藉由使用具有與第3有機層130C對應之貫通孔之遮罩之蒸鍍法來形成。
繼而，可實施第2電極形成步驟。於第2電極形成步驟中，使用上述之遮罩群56於有機層130上形成第2電極140。首先，可實施藉由使用第1遮罩50A之蒸鍍法來形成第2電極140之第1層140A之步驟。例如，可經由第1遮罩50A使金屬等之導電性材料等蒸鍍至有機層130等之上。藉此，可形成第1層140A。繼而，可實施藉由使用第2遮罩50B之蒸鍍法來形成第2電極140之第2層140B之步序。例如，可經由第2遮罩50B使金屬等之導電性材料等蒸鍍至有機層130等之上。藉此，可形成第2層140B。繼而，可實施藉由使用第3遮罩50C之蒸鍍法來形成第2電極140之第3層140C之步序。例如，可經由第3遮罩50C使金屬等之導電性材料等蒸鍍至有機層130等之上。藉此，可形成第3層140C。如此，如圖5及圖6所示般，可形成包含第1層140A、第2層140B及第3層140C之第2電極140。
此外，形成第1層140A、第2層140B及第3層140C之順序無特別限定。例如，可依照第3層140C、第2層140B、第1層140A之順序實施蒸鍍步驟。
總結本揭示之形態之效果。
第2顯示區域102中之第2電極140包含第1層140A與第2層140B重疊之電極重疊區域148，電極重疊區域148包含第1層140A之層周圍區域142、與第2層140B之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149。因此，可降低第1電極重疊區域149中之第2電極140之厚度，可提高第1電極重疊區域149中之透過率。因此，可提高第2顯示區域102之非透過區域103之透過率，可提高第2顯示區域102之光之透過率。
遮罩積層體55之遮罩第2區域M2中之貫通區域55A包含2個遮罩50之貫通孔53重疊之孔重疊區域59，孔重疊區域59包含2個遮罩50之周圍區域58重疊之第1孔重疊區域60。因此，可形成降低第2電極140之厚度之第1電極重疊區域149。
第1電極重疊區域149與層本體區域141分開。因此，可抑制層本體區域141與第1電極重疊區域149重疊，可降低第1電極重疊區域149中之第2電極140之厚度。
遮罩積層體55之第1孔重疊區域60與有效區域57分開。因此，可形成與層本體區域141分開之第1電極重疊區域149。
於遮罩第1區域M1及遮罩第2區域M2各者中，複數個貫通孔53位於遮罩50。因此，可將複數個貫通孔53形成於各遮罩50之遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4各者。例如，可藉由以與各遮罩50A～50C之貫通孔53A～53C對應之方式圖案狀形成之層140A～140C，構成有機元件100之第2電極140。該情形下，可減少用於形成第2電極140之遮罩50之片數，可減少用於形成第2電極140之蒸鍍次數。因此，可減少蒸鍍材料7之使用量，可降低環境負載。又，於遮罩第3區域M3中之貫通孔53A～53C之周圍形成遮蔽區域54，可殘留遮罩50A～50C之材料。因此，可確保各遮罩50A～50C之機械強度。
此外，可對上述之一實施形態施加各種變更。以下，根據需要，一面參照圖式，一面針對變化例進行說明。於以下之說明及以下之說明所使用之圖式中，針對可與上述之一實施形態同樣地構成之部分，使用與對上述之一實施形態之對應之部分使用之符號相同之符號，且省略重複之說明。又，於在上述之實施形態中獲得之作用效果顯然於變化例中亦獲得之情形下，亦省略該說明。
使用圖22～圖26，針對第1變化例進行說明。圖22係顯示第2顯示區域之第2電極之變化例之俯視圖。圖23係顯示圖22所示之電極重疊區域148之俯視圖。圖24係顯示圖23所示之電極重疊區域之剖視圖。圖25係顯示孔重疊區域59之俯視圖。圖26係顯示圖25所示之孔重疊區域59之剖視圖。
例如，如圖22～圖24所示，電極重疊區域148可包含上述之第1電極重疊區域149、及第2電極重疊區域151。第2電極重疊區域151可包含各層中之1個層之層本體區域141、及另1個層之層周圍區域142。
如圖22所示，第2電極140可包含第1層140A、第2層140B及第3層140C。於圖22所示之例中，1個第1層140A、1個第2層140B、及2個第3層140C配置於菱形之頂點。2個第3層140C配置於沿著元件第1方向G1之對角線上。藉由如此般配置之4個層140A、140B、140C，而與上述之第1電極120及有機層130一起構成1個像素。於圖22所示之例中，第1顯示區域101中之像素、與第2顯示區域102中之像素同樣地構成。
如圖23及圖24所示，第2電極重疊區域151包含：第1層140A之層本體區域141與第2層140B之層周圍區域142重疊之區域、及第1層140A之層周圍區域142與第2層140B之層本體區域141重疊之區域。例如，第2電極重疊區域151包含：第1層140A之層本體區域141與第3層140C之層周圍區域142重疊之區域、及第1層140A之層周圍區域142與第3層140C之層本體區域141重疊之區域。例如，第2電極重疊區域151包含：第2層140B之層本體區域141與第3層140C之層周圍區域142重疊之區域、及第2層140B之層周圍區域142與第3層140C之層本體區域141重疊之區域。各層140A～140C之層本體區域141彼此不重疊。
如圖24所示，藉由層本體區域141與層周圍區域142重疊，而可增大電極重疊區域148中之第2電極140之厚度tb。因此，可增大電極重疊區域148之剖面面積，可降低電極重疊區域148之電阻。然而，藉由層本體區域141彼此不重疊，而可使電極重疊區域148中之第2電極140之厚度tb未達層本體區域141之厚度ta之2倍。
針對圖22～圖24所示之用於形成第2電極140之遮罩群56，使用圖25及圖26進行說明。於圖26中，作為一例，顯示由第1遮罩50A與第2遮罩50B形成之孔重疊區域59。
如圖25及圖26所示，遮罩積層體55之孔重疊區域59可包含上述之第1孔重疊區域60、及第2孔重疊區域62。第2孔重疊區域62包含：遮罩積層體55中所含之1個遮罩50之貫通孔53之有效區域57、及另1個遮罩50之貫通孔53之周圍區域58。
例如，第2孔重疊區域62包含：第1貫通孔53A之有效區域57與第2貫通孔53B之周圍區域58重疊之區域、及第1貫通孔53A之周圍區域58與第2貫通孔53B之有效區域57重疊之區域。例如，第2孔重疊區域62包含：第1貫通孔53A之有效區域57與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之區域、及第1貫通孔53A之周圍區域58與第3貫通孔53C之有效區域57重疊之區域。例如，第2孔重疊區域62包含：第2貫通孔53B之有效區域57與第3貫通孔53C之周圍區域58重疊之區域、及第2貫通孔53B之周圍區域58與第3貫通孔53C之有效區域57重疊之區域。各遮罩50之有效區域57彼此不重疊。
藉由貫通區域55A包含如上述之第1孔重疊區域60及第2孔重疊區域62，而可形成如圖23及圖24所示之第2電極140之電極重疊區域148。第1孔重疊區域60對應於上述之第1電極重疊區域149，第2孔重疊區域62對應於上述之第2電極重疊區域151。
使用圖27，針對第2變化例進行說明。圖27係顯示遮罩50之有效區域57及周圍區域58之變化例之剖視圖。
於圖27所示之例中，區域劃定直線L係由自蒸鍍材料7飛來之飛來方向定義。
更具體而言，如圖27所示，飛來角度θ1大於遮罩角度θ2。該情形下，容易受到陰影之影響之周圍區域58依存於飛來角度θ1。因此，區域劃定直線L之角度θ可為飛來角度θ1。該情形下，區域劃定直線L為通過連接部533且與第1面51a形成角度θ1之直線。於圖27所示之例中，周圍區域58之寬度係以剖面高度h/tanθ1表示。
圖27所示之區域劃定直線L之角度θ可應用與圖15所示之區域劃定直線L之角度θ同樣之數值例。
使用圖28～圖33，針對第3變化例進行說明。圖28係顯示第2電極之變化例之俯視圖。圖29係顯示電極重疊區域之俯視圖。圖30係顯示第1遮罩之俯視圖。圖31係顯示第2遮罩之俯視圖。圖32係顯示遮罩積層體之俯視圖。圖33係顯示遮罩積層體之孔重疊區域之俯視圖。
圖28所示之例中之第2電極140可包含第1層140A、第2層140B及第3層140C。第1層140A及第3層140C係藉由使用第1遮罩50D之蒸鍍法來形成。第2層140B係藉由使用第2遮罩50E之蒸鍍法來形成。
第1層140A及第3層140C具有大致正八角形狀之輪廓。第1層140A及第3層140C可具有同一平面輪廓。第2層140B可具有與第1層140A及第3層140C不同之平面輪廓。第2層140B可具備具有長度方向之大致八角形狀之輪廓。圖28所示之第2層140B之長度方向沿著元件第2方向G2。或，第2層140B可具有如具有沿著元件第2方向G2之長度方向之大致四角形狀之輪廓。該情形下，第2層140B之輪廓中之四角隅可被倒角。
於第1顯示區域101中，沿著元件第1方向G1及元件第2方向G2，第1層140A、第2層140B及第3層140C可重複排列。於圖28所示之例中，1個第1層140A、2個第2層140B、及1個第3層140C配置於四角形之頂點。2個第2層140B配置於對角線上。藉由如此般配置之4個層140A、140B、140B、140C，與上述之第1電極120及有機層130一起構成1個像素。
於第2顯示區域102中，沿著元件第1方向G1及元件第2方向G2，第1層140A、第2層140B及第3層140C可重複排列。於圖28所示之例中，第2顯示區域102中之像素具有將在第1顯示區域101中構成1個像素之2個第2層140B中之1個去除後之構成。第2顯示區域102中之像素於元件第1方向G1隔開間隔地配置，於在元件第1方向G1相鄰之像素之間介置透過區域104。第2顯示區域102中之像素於元件第2方向G2重複排列。
如圖29所示，第2電極140之電極重疊區域148可與圖7及圖8所示之例同樣地，包含各層之層周圍區域142重疊之第1電極重疊區域149。非重疊區域150可位於第1電極重疊區域149與層本體區域141之間。
針對用於形成圖28所示之第2電極140之遮罩群56，使用圖30～圖33進行說明。圖30係於第1遮罩50D之第1面51a中將遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4放大而顯示之俯視圖。圖31係於第2遮罩50E之第1面51a中將遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4放大而顯示之俯視圖。圖32係顯示孔重疊區域59之俯視圖，圖33係顯示孔重疊區域59之剖視圖。
第3變化例之遮罩群56具備第1遮罩50D及第2遮罩50E。第3變化例之遮罩積層體55係藉由將第1遮罩50D及第2遮罩50E重疊而獲得之積層體。
如圖30所示，第1遮罩50D具備第1貫通孔53A、第3貫通孔53C及第1遮蔽區域54D。第1貫通孔53A及第3貫通孔53C於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。於遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4中，第1貫通孔53A配置於與第2電極140之第1層140A對應之位置，第3貫通孔53C配置於與第2電極140之第3層140C對應之位置。圖30～圖33等之俯視圖中所示之貫通孔53A～53C之輪廓係遮罩50D、50E之第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓。第1面51a中之貫通孔53A～53C之輪廓相當於第1面51a中之第1凹部531之輪廓。
如圖31所示，第2遮罩50E具備第2貫通孔53B及第2遮蔽區域54E。第2貫通孔53B於遮罩第1方向D1及遮罩第2方向D2排列。於遮罩第3區域M3及遮罩第4區域M4中，第2貫通孔53B配置於與第2電極140之第2層140B對應之位置。
第1貫通孔53A及第3貫通孔53C具有大致正八角形狀之輪廓。第1貫通孔53A及第3貫通孔53C可具有同一平面輪廓。第2貫通孔53B可具有與第1貫通孔53A及第3貫通孔53C不同之平面輪廓。第2貫通孔53B可具備具有長度方向之大致八角形狀之輪廓。圖31所示之第2貫通孔53B之長度方向沿著遮罩第2方向D2。或，第2貫通孔53B可具有如具有沿著遮罩第2方向D2之長度方向之大致四角形狀之輪廓。該情形下，第2貫通孔53B之輪廓中之四角隅可被倒角。
如圖32所示，遮罩積層體55具備貫通區域55A。貫通區域55A於俯視下包含各遮罩50D、50E之貫通孔53A～53C之至少1個。亦即，貫通區域55A於俯視下與各遮罩50D、50E之貫通孔53A～53C之至少一者重疊。
如圖32所示，貫通區域55A可如圖19所示之例同樣地包含孔重疊區域59。如圖33所示，孔重疊區域59可與圖20及圖21所示之例同樣地包含第1孔重疊區域60。非重疊區域61可位於第1孔重疊區域60與有效區域57之間。
說明了對於上述之實施形態之若干個變化例，但必然亦可將複數個變化例組合而應用。
2:基板保持具 3:遮罩保持具 4:冷卻板 5:磁鐵 6:蒸鍍源/坩堝 7:蒸鍍材料 8:加熱器 10:蒸鍍裝置 40:遮罩裝置 40A:第1遮罩裝置 40B:第2遮罩裝置 40C:第3遮罩裝置 41:框架 41a:第1框架面 41b:第2框架面 42:開口 50:遮罩 50A,50D:遮罩/第1遮罩 50B,50E:遮罩/第2遮罩 50C:遮罩/第3遮罩 50M:對準標記 51:金屬板 51a:第1面 51b:第2面 52:單元 53:貫通孔 53A:貫通孔/第1貫通孔 53B:貫通孔/第2貫通孔 53C:貫通孔/第3貫通孔 54:遮蔽區域 54A:第1遮蔽區域/遮蔽區域 54B:第2遮蔽區域/遮蔽區域 54C:第3遮蔽區域/遮蔽區域 54D:第1遮蔽區域 54E:第2遮蔽區域 55:遮罩積層體 55A:貫通區域 55L:貫通線 56:遮罩群 57:有效區域 58:周圍區域 59:孔重疊區域 60:第1孔重疊區域 61,150:非重疊區域 62:第2孔重疊區域 100:有機元件 101:第1顯示區域 102:第2顯示區域 103:非透過區域 104:透過區域 110:基板 111:第1面 112:第2面 115:元件 115A:第1元件 115B:第2元件 115C:第3元件 120:第1電極 130:有機層 130A:第1有機層 130B:第2有機層 130C:第3有機層 140:第2電極 140A:第1層/層 140B:第2層/層 140C:第3層/層 140L:電極線 140L1:第1端 140L2:第2端 140X:第2電極 140Y:第2電極 141:層本體區域 142:層周圍區域 148:電極重疊區域 149:第1電極重疊區域 151:第2電極重疊區域 160:絕緣層 411:第1邊 412:第2邊 531:第1凹部 532:第2凹部 533:連接部 534:貫通部 A-A,B-B:線 CP1:第1交點 CP2:第2交點 D1:遮罩第1方向 D2:遮罩第2方向 G1:元件第1方向 G2:元件第2方向 h:高度 L:區域劃定直線 M1:遮罩第1區域 M2:遮罩第2區域 M3:遮罩第3區域 M4:遮罩第4區域 P1:第1節距 P2:第2節距 r,r1,r2:尺寸 T:遮罩之厚度 ta:層本體區域之厚度 tb:第2電極之厚度 θ:角度 θ1:角度/飛來角度 θ2:角度/遮罩角度
圖1係顯示本揭示之一實施形態之有機元件之一例之俯視圖。 圖2係顯示有機元件之第2顯示區域之俯視圖。 圖3係顯示有機元件之第2電極之俯視圖。 圖4係顯示自圖3所示之有機元件去除第2電極之狀態之俯視圖。 圖5係概略性沿著圖3所示之有機元件之A-A線之剖視圖。 圖6係概略性沿著圖3所示之有機元件之B-B線之剖視圖。 圖7係顯示圖3所示之第2電極之電極重疊區域之俯視圖。 圖8係顯示圖7所示之電極重疊區域之剖視圖。 圖9係顯示電極重疊區域之比較例之剖視圖。 圖10係顯示具備遮罩裝置之蒸鍍裝置之一例之圖。 圖11係顯示遮罩裝置之一例之俯視圖。 圖12係顯示遮罩裝置之遮罩之俯視圖。 圖13A係顯示第1遮罩裝置之俯視圖。 圖13B係顯示第2遮罩裝置之俯視圖。 圖13C係顯示第3遮罩裝置之圖。 圖14係顯示遮罩之剖面構造之一例之剖視圖。 圖15係顯示貫通孔之有效區域及周圍區域之剖視圖。 圖16係顯示用於形成圖3所示之第2電極之第1遮罩之一例之俯視圖。 圖17係顯示用於形成圖3所示之第2電極之第2遮罩之一例之俯視圖。 圖18係顯示用於形成圖3所示之第2電極之第3遮罩之一例之俯視圖。 圖19係顯示用於形成圖3所示之第2電極之遮罩積層體之一例之俯視圖。 圖20係顯示圖19所示之遮罩積層體之孔重疊區域之俯視圖。 圖21係顯示圖20所示之孔重疊區域之剖視圖。 圖22係顯示圖3所示之第2電極之變化例之俯視圖。 圖23係顯示圖22所示之第2電極之電極重疊區域之俯視圖。 圖24係顯示圖23所示之電極重疊區域之剖視圖。 圖25係顯示用於形成圖22所示之第2電極之遮罩積層體之孔重疊區域之俯視圖。 圖26係顯示圖25所示之孔重疊區域之剖視圖。 圖27係顯示圖15所示之貫通孔之有效區域及周圍區域之變化例之剖視圖。 圖28係顯示圖3所示之第2電極之變化例之俯視圖。 圖29係顯示圖28所示之第2電極之電極重疊區域之俯視圖。 圖30係顯示用於形成圖28所示之第2電極之第1遮罩之一例之俯視圖。 圖31係顯示用於形成圖28所示之第2電極之第2遮罩之一例之俯視圖。 圖32係顯示用於形成圖28所示之第2電極之遮罩積層體之孔重疊區域之俯視圖。 圖33係顯示圖32所示之遮罩積層體之孔重疊區域之俯視圖。
50A:遮罩/第1遮罩
50B:遮罩/第2遮罩
50C:遮罩/第3遮罩
53A:貫通孔/第1貫通孔
53B:貫通孔/第2貫通孔
53C:貫通孔/第3貫通孔
57:有效區域
58:周圍區域
59:孔重疊區域
60:第1孔重疊區域
61:非重疊區域

Claims (8)

  1. 一種遮罩群，其 具備2個以上之遮罩；且 前述遮罩具備遮蔽區域及貫通孔； 2個以上之前述遮罩重疊而成之遮罩積層體具備於沿著前述遮罩之法線方向觀察時與前述貫通孔重疊之貫通區域； 於沿著前述遮罩之法線方向觀察時，前述遮罩積層體具備：遮罩第1區域，其包含具有第1開口率之前述貫通區域；及遮罩第2區域，其包含具有較前述第1開口率為小之第2開口率之前述貫通區域； 前述遮罩包含：第1面、及位於與前述第1面為相反側之第2面； 前述貫通孔包含：位於前述第1面側之第1凹部、位於前述第2面側之第2凹部、及將前述第1凹部與前述第2凹部連接之連接部； 於以沿著前述法線方向之剖面觀察時，定義區域劃定直線作為通過前述連接部且與前述第1面形成角度θ之直線，前述區域劃定直線與前述第1面於第1交點相交，於較前述第1交點靠前述貫通孔之內側劃定有效區域，於較前述第1交點靠前述貫通孔之外側劃定周圍區域； 前述角度θ為35ﾟ以上70ﾟ以下； 前述遮罩第2區域中之前述貫通區域包含2個前述遮罩之前述貫通孔重疊之孔重疊區域； 前述孔重疊區域包含前述遮罩積層體中所含之2個前述遮罩之前述貫通孔之前述周圍區域重疊之第1孔重疊區域。
  2. 如請求項1之遮罩群，其中前述第1孔重疊區域與前述遮罩之前述貫通孔之前述有效區域分開。
  3. 如請求項1之遮罩群，其中前述孔重疊區域包含前述遮罩積層體中所含之1個前述遮罩之前述貫通孔之前述有效區域與另1個前述遮罩之前述貫通孔之前述周圍區域重疊之第2孔重疊區域。
  4. 如請求項1至3中任一項之遮罩群，其中前述區域劃定直線與前述第2凹部之壁面之任意之點相接。
  5. 如請求項1至3中任一項之遮罩群，其中於前述遮罩第1區域及前述遮罩第2區域各者中，複數個前述貫通孔位於前述遮罩。
  6. 一種有機元件之製造方法，其 包含第2電極形成步驟，該第2電極形成步驟於基板上之第1電極上之有機層上，使用請求項1至3中任一項之遮罩群來形成第2電極；且 前述第2電極形成步驟包含下述步驟： 藉由使用前述遮罩之蒸鍍法來形成前述第2電極之第1層；及 藉由使用另一前述遮罩之蒸鍍法來形成前述第2電極之第2層。
  7. 如請求項6之有機元件之製造方法，其中將形成前述第2電極之蒸鍍材料之飛來方向與前述遮罩之前述第1面所成之角度設為θ1，將通過前述連接部且與前述第2凹部相接之直線與前述第1面所成之角度設為θ2；且 於前述角度θ1大於前述角度θ2時，前述區域劃定直線之前述角度θ為前述角度θ1。
  8. 一種有機元件，其具備： 基板； 第1電極，其位於前述基板上； 有機層，其位於前述第1電極上；及 第2電極，其位於前述有機層上；且 於沿著前述基板之法線方向觀察時，前述有機元件具備：第1顯示區域，其包含具有第1佔有率之前述第2電極；及第2顯示區域，其包含具有較前述第1佔有率為小之第2佔有率之前述第2電極； 前述第2電極包含位於互不相同之前述有機層上之2個以上之層； 前述層包含：層本體區域、及具有較前述層本體區域之厚度為薄之厚度之層周圍區域； 前述第2顯示區域中之前述第2電極包含2個前述層重疊之電極重疊區域； 前述電極重疊區域包含：前述層之前述層周圍區域重疊之第1電極重疊區域、及1個前述層之前述層本體區域與另1個前述層之前述層周圍區域重疊之第2電極重疊區域。
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