CN216528953U - 有机器件、掩模组以及掩模 - Google Patents
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- CN216528953U CN216528953U CN202123323049.5U CN202123323049U CN216528953U CN 216528953 U CN216528953 U CN 216528953U CN 202123323049 U CN202123323049 U CN 202123323049U CN 216528953 U CN216528953 U CN 216528953U
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- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 claims description 52
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 239000000463 material Substances 0.000 description 53
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 48
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 15
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 14
- -1 aluminum hydroxyquinoline Chemical compound 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical class C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000573 alkali metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dione;methane Chemical class C.C.C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 HAQFCILFQVZOJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N 1,8-cineole Natural products C1CC2CCC1(C)OC2(C)C WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001136782 Alca Species 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- WEEGYLXZBRQIMU-WAAGHKOSSA-N Eucalyptol Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@]1(C)OC2(C)C WEEGYLXZBRQIMU-WAAGHKOSSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000941 alkaline earth metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960005233 cineole Drugs 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-3-one Chemical compound C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical class C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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Abstract
本实用新型提供有机器件、掩模组以及掩模。有机器件可以具备：基板；位于基板上的第1电极；位于第1电极上的有机层；以及位于有机层上的第2电极。在沿着基板的法线方向观察的情况下，有机器件可以具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的第2电极；和第2显示区域，其包含具有比第1占有率小的第2占有率的第2电极。可以是，在第2显示区域中，有机层在第1方向上排列，且在与第1方向交叉的第2方向上排列。在第2显示区域中，第2电极可以包含在第1方向上排列的电极线。电极线可以包含在第2方向上排列且与有机层重叠的电极段。在第2方向上相邻的2个电极段可以互相连接。电极段可以包含：具有第1形状的第1电极段；和具有与第1形状不同的第2形状的第2电极段。
Description
技术领域
本公开的实施方式涉及有机器件、掩模组以及掩模。
背景技术
近年，在智能手机或平板电脑等电子设备中，市场正在要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。
由于具有良好的响应性和/或低功耗，因此有机EL显示装置受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。
专利文献1：日本特许第3539597号公报
阴极的面积越大，则阴极的电阻越低。另一方面，阴极的面积越大，则有机器件中的光的透射率越降低。
实用新型内容
本公开的一个实施方式的有机器件可以具备：基板；位于所述基板上的第1电极；位于所述第1电极上的有机层；以及位于所述有机层上的第2电极。在沿着所述基板的法线方向观察的情况下，所述有机器件可以具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的所述第2电极；和第2显示区域，其包含具有比所述第1占有率小的第2占有率的所述第2电极。可以是，在所述第2显示区域中，所述有机层在第1方向上排列，且在与所述第1方向交叉的第2方向上排列。在所述第2显示区域中，所述第2电极可以包含在所述第1方向上排列的电极线。所述电极线可以包含在所述第2方向上排列且与所述有机层重叠的电极段。在所述第2方向上相邻的2个所述电极段可以互相连接。所述电极段可以包含：具有第1形状的第1电极段；和具有与所述第1形状不同的第2形状的第2电极段。
根据本公开的一个实施方式，能够提高有机器件中的光的透射率。
附图说明
图1是示出本公开的一个实施方式的有机器件的一例的俯视图。
图2是示出有机器件的第2显示区域的俯视图。
图3是示出第2显示区域的第2电极的俯视图。
图4是示出第2电极的第1电极段的一例的俯视图。
图5是示出第2电极的第2电极段的一例的俯视图。
图6是示出在图3的有机器件中由标注有标号VI的双点划线所包围的区域的俯视图。
图7是示出从图6的有机器件去除了第2电极的状态的俯视图。
图8是图6的有机器件的沿A-A线的剖视图。
图9是图6的有机器件的沿B-B线的剖视图。
图10是示出具备掩模装置的蒸镀装置的一例的图。
图11是示出掩模装置的一例的俯视图。
图12是示出掩模装置的掩模的俯视图。
图13是示出第1掩模装置、第2掩模装置以及第3掩模装置的图。
图14是示出掩模的截面结构的一例的图。
图15是示出第1掩模的一例的俯视图。
图16是示出第1掩模的一例的俯视图。
图17是示出第2掩模的一例的俯视图。
图18是示出第3掩模的一例的俯视图。
图19是示出掩模层叠体的一例的俯视图。
图20是示出掩模层叠体的第1贯通段的一例的俯视图。
图21是示出掩模层叠体的第2贯通段的一例的俯视图。
图22是示出参考方式的第2显示区域的一例的俯视图。
图23是示出第1电极段的一例的俯视图。
图24是示出第2电极段的一例的俯视图。
图25是示出第1贯通段的一例的俯视图。
图26是示出第2贯通段的一例的俯视图。
图27是示出第2显示区域的第2电极的一例的俯视图。
图28是示出第1掩模的一例的俯视图。
图29是示出第2掩模的一例的俯视图。
图30是示出第1掩模的一例的俯视图。
图31是示出第2掩模的一例的俯视图。
图32是示出第1掩模的一例的俯视图。
图33是示出第2掩模的一例的俯视图。
图34是示出第1掩模的一例的俯视图。
图35是示出第2掩模的一例的俯视图。
图36是示出第3掩模的一例的俯视图。
图37是示出第2显示区域的第2电极的一例的俯视图。
图38是示出例1的第2电极的俯视图。
图39是示出第2电极的衍射特性的评价方法的图。
图40是示出例1的第2电极的评价结果的图。
图41是示出例1的第2电极的评价结果的图。
图42是示出例2的第2显示区域的第2电极的俯视图。
图43是示出例2的第2电极的评价结果的图。
图44是示出例2的第2电极的评价结果的图。
图45是示出第2显示区域的第2电极的一例的俯视图。
图46是示出第2电极的第1电极段、第2电极段以及第3电极段的一例的俯视图。
图47是示出有机器件的一例的俯视图。
图48是示出第2显示区域的一例的俯视图。
图49是示出用于形成抑制层的掩模的一例的俯视图。
图50是示出形成抑制层的工序的一例的剖视图。
图51是示出用于形成第2电极的掩模的一例的俯视图。
图52是示出形成第2电极的工序的一例的剖视图。
图53是示出形成第2电极的工序的一例的剖视图。
图54是示出去除第2电极的工序的一例的剖视图。
具体实施方式
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则“基板”、“基材”、“板”、“片”以及“膜”等、表示成为某结构的基础的物质的用语并不是仅根据称呼上的不同来互相区别的。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则关于对形状和几何学上的条件以及它们的程度进行指定的例如“平行”、“垂直”等用语、或者长度、角度的值等，并不限定于严格的含义，而是包含可以期待同样功能的程度的范围在内来进行解释。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在某个部件或某个区域等的某个结构处于其它部件或其它区域等的其它结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包含某个结构与其它结构直接接触的情况。而且，还包含如下情况：在某个结构与其它结构之间包含有另外的结构，即，还包含间接地接触的情况。另外，只要没有特别说明，则对于“上”、“上侧”或“上方”、或者“下”、“下侧”或“下方”这样的语句，也可以使上下方向反转。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则存在这样的情况：对于同一部分或具有相同功能的部分标记相同的标号或类似的标号，并省略其重复的说明。另外，存在为了便于说明而使附图的尺寸比例与实际的比例不同的情况、或者将结构的一部分从附图省略的情况。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则本公开的实施方式也可以在不发生矛盾的范围内与其它实施方式或变形例组合。另外，其它实施方式彼此、或者其它实施方式与变形例也可以在不发生矛盾的范围内组合。另外，变形例彼此也可以在不发生矛盾的范围内组合。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其它工序。另外，所公开的工序的顺序在不发生矛盾的范围内为任意。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则由“～”这样的记号所表述的范围包含了在“～”这样的符号的前后放置的数值或要素。例如，“34质量％～38质量％”这一表述所限定的数值范围与由“34质量％以上且38质量％以下”这一表述所限定的数值范围相同。例如，由“掩模50A～50C”这一表述所限定的范围包含掩模50A、50B、50C。
在本说明书的一个实施方式中，对如下例子进行说明：具备多个掩模的掩模组用于在制造有机EL显示装置时在基板上形成电极。但是，掩模组的用途并不特别限定，对于用于各种用途的掩模组，能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组，其中，所述装置是用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓的VR)或增强现实(所谓的AR)的图像或影像的装置。另外，为了形成液晶显示装置的电极等、有机EL显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。另外，为了形成压力传感器的电极等、显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模组。
本公开的第1方式是有机器件，其中，所述有机器件具备：基板；第1电极，其位于所述基板上；有机层，其位于所述第1电极上；以及第2电极，其位于所述有机层上，在沿着所述基板的法线方向观察的情况下，所述有机器件具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的所述第2电极；和第2显示区域，其包含具有比所述第1占有率小的第2占有率的所述第2电极，在所述第2显示区域中，所述有机层在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上排列，所述第2电极包含在所述第1方向上排列的电极线，所述电极线包含在所述第2方向上排列且与所述有机层重叠的电极段，在所述第2方向上相邻的2个所述电极段互相连接，所述电极段包含：具有第1形状的第1电极段；和具有与所述第1形状不同的第2形状的第2电极段。
本公开的第2方式可以是，在上述的第1方式的有机器件中，所述第1电极段包含：与所述有机层重叠的第1像素段；和与所述第1像素段连接的第1连接段。所述第2电极段可以包含：与所述有机层重叠的第2像素段；和与所述第2像素段连接的第2连接段。所述第1连接段的形状可以与所述第2连接段的形状不同。
本公开的第3方式可以是，在上述的第2方式的有机器件中，所述第1连接段的面积与所述第2连接段的面积不同。
本公开的第4方式可以是，在上述的第2方式或上述的第3方式中的任意一方的有机器件中，所述第1连接段包含：与所述第1像素段连接的第1连接端；和在所述第2方向上位于与所述第1连接端相反的一侧的第2连接端。所述第1连接端在所述第1方向上的位置可以与所述第2连接端在所述第1方向上的位置相同。所述第2连接段可以包含：与所述第2像素段连接的第3连接端；和在所述第2方向上位于与所述第3连接端相反的一侧的第4连接端。所述第3连接端在所述第1方向上的位置可以与所述第4连接端在所述第1方向上的位置不同。
本公开的第5方式可以是，在上述的第1方式至上述的第4方式各自的有机器件中，所述第1电极段包含：与所述有机层重叠的第1像素段；和与所述第1像素段连接的第1连接段。所述第2电极段可以包含：与所述有机层重叠的第2像素段；和与所述第2像素段连接的第2连接段。所述第1像素段的形状可以与所述第2像素段的形状不同。
本公开的第6方式可以是，在上述的第5方式的有机器件中，所述第1像素段的面积可以与所述第2像素段的面积不同。
本公开的第7方式可以是，在上述的第5方式或上述的第6方式中的任意一个方式的有机器件中，所述第1像素段在所述第1方向上的尺寸与所述第2像素段在所述第1方向上的尺寸不同。
本公开的第8方式可以是，在上述的第1方式至上述的第7方式的各个方式的有机器件中，所述电极段包含：所述第1电极段和所述第2电极段在所述第2方向上连接的电极第1连接；以及所述第1电极段和所述第1电极段在所述第2方向上连接的电极第2连接。
本公开的第9方式可以是，在上述的第1方式至上述的第8方式的各个方式的有机器件中，所述电极段包含：所述第1电极段和所述第2电极段在所述第1方向上排列的电极第1排列；以及所述第1电极段和所述第1电极段在所述第1方向上排列的电极第2排列。
本公开的第10方式可以是，在上述的第1方式至上述的第9方式的各个方式的有机器件中，所述电极段包含第3电极段，所述第3电极段具有与所述第1形状和所述第2形状不同的第3形状。
本公开的第11方式是掩模组，其具有掩模第1方向和与掩模第1方向交叉的掩模第2方向，其中，所述掩模组具备2片以上的掩模，所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，重叠有2片以上的所述掩模的掩模层叠体具备在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下与所述贯通孔重叠的贯通区域，在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模层叠体具备：掩模第1区域，其包含具有第1开口率的所述贯通区域；和掩模第2区域，其包含具有比所述第1开口率小的第2开口率的所述贯通区域，在所述掩模第2区域中，所述贯通区域包含在所述掩模第1方向上排列的贯通线，所述贯通线包含在所述掩模第2方向上排列的贯通段，在所述掩模第2方向上相邻的2个所述贯通段互相连接，所述贯通段包含：第1贯通段，其具有第1贯通形状；和第2贯通段，其具有与所述第1贯通形状不同的第2贯通形状。
本公开的第12方式可以是，在上述的第11方式的掩模组中，所述第1贯通段包含：第1主段；和与所述第1主段连接的第1副段。所述第2贯通段可以包含：第2主段：和与所述第2主段连接的第2副段。所述第1副段的形状可以与所述第2副段的形状不同。
本公开的第13方式可以是，在上述的第12方式的掩模组中，所述第1副段的面积可以与所述第2副段的面积不同。
本公开的第14方式可以是，在上述的第12方式或上述的第13方式的任意一方式的掩模组中，所述第1副段包含：第5连接端，其与所述第1主段连接；和第6连接端，其在所述掩模第2方向上位于与所述第5连接端相反的一侧。所述第5连接端在所述掩模第1方向上的位置可以与所述第6连接端在所述掩模第1方向上的位置相同。所述第2副段可以包含：第7连接端，其与所述第2主段连接；和第8连接端，其在所述掩模第2方向上位于与所述第7连接端相反的一侧。所述第7连接端在所述掩模第1方向上的位置可以与所述第8连接端在所述掩模第1方向上的位置不同。
本公开的第15方式可以是，在上述的第11方式至上述的第14方式的各个方式的掩模组中，所述第1贯通段包含：第1主段；和与所述第1主段连接的第1副段。所述第2贯通段可以包含：第2主段：和与所述第2主段连接的第2副段。所述第1主段的形状可以与所述第2主段的形状不同。
本公开的第16方式可以是，在上述的第15方式的掩模组中，所述第1主段的面积可以与所述第2主段的面积不同。
本公开的第17方式可以是，在上述的第15方式和上述的第16方式中的任意一方式的掩模组中，所述第1主段在所述掩模第1方向上的尺寸与所述第2主段在所述掩模第1方向上的尺寸不同。
本公开的第18方式可以是，在上述的第11方式至上述的第17方式的各个方式的掩模组中，所述贯通段包含：所述第1贯通段和所述第2贯通段在所述掩模第2方向上连接的掩模第1连接；以及所述第1贯通段和所述第1贯通段在所述掩模第2方向上连接的掩模第2连接。
本公开的第19方式可以是，在上述的第11方式至上述的第18方式的各个方式的掩模组中，所述贯通段包含：所述第1贯通段和所述第2贯通段在所述掩模第1方向上排列的掩模第1排列；以及所述第1贯通段和所述第1贯通段在所述掩模第1方向上排列的掩模第2排列。
本公开的第20方式可以是，在上述的第11方式至上述的第19方式的各个方式的掩模组中，所述贯通段包含第3贯通段，所述第3贯通段具有与所述第1贯通形状和所述第2贯通形状不同的第3贯通形状。
本公开的第21方式是掩模，其具有掩模第1方向和与掩模第1方向交叉的掩模第2方向，其中，所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模具备：掩模第3区域，其包含具有第3开口率的所述贯通孔；和掩模第4区域，其包含具有比所述第3开口率小的第4开口率的所述贯通孔，在所述掩模第3区域中，所述贯通孔在所述掩模第1方向上以第15周期排列，在所述掩模第4区域中，在所述掩模第1方向上排列的2个所述贯通孔之间的间隔大于所述第15周期，所述掩模第4区域包含具有与所述掩模第3区域的所述贯通孔不同的形状的所述贯通孔。
本公开的第22方式可以是，在上述的第21方式的掩模中，在所述掩模第3区域中，所述贯通孔可以包含主孔和副孔。所述主孔与所述副孔之间的间隔可以为5μm以上且40μm以下。在所述掩模第4区域中，所述贯通孔可以具备第1类型贯通孔和第2类型贯通孔。所述第1类型贯通孔的所述主孔的个数可以与所述第2类型贯通孔的所述主孔的个数不同。或者，所述第1类型贯通孔的所述副孔的个数可以与所述第2类型贯通孔的所述副孔的个数不同。
本公开的第23方式可以是，在上述的第22方式的掩模中，在所述掩模第4区域中，所述贯通孔包含：所述第1类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第1方向上排列的孔第1排列；以及所述第1类型贯通孔和所述第1类型贯通孔在所述掩模第1方向上排列的孔第2排列。
本公开的第24方式可以是，在上述的第22方式和上述的第23方式中的任意一方式的掩模中，在所述掩模第4区域中，所述贯通孔包含：所述第1类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第2方向上排列的孔第4排列；以及所述第2类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第2方向上排列的孔第5排列。
本公开的第25方式是有机器件的制造方法，其中，所述有机器件的制造方法具备使用技术方案11至20中的任意一项所述的掩模组在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极的第2电极形成工序，所述第2电极形成工序具备：通过使用第1个所述掩模的蒸镀法形成所述第2电极的第1层的工序；和通过使用第2个所述掩模的蒸镀法形成所述第2电极的第2层的工序。
参照附图，对本公开的一个实施方式详细地进行说明。并且，以下所示的实施方式是本公开的实施方式的一例，本公开并非是仅限定于这些实施方式来被解释。
首先，对有机器件100进行说明。有机器件100具备通过使用本实施方式的掩模组而形成的电极。图1是示出沿着有机器件100的基板的法线方向观察的情况下的有机器件100的一例的俯视图。在以下的说明中，将沿着基板等成为基础的物质的面的法线方向观察的情况也称为俯视。
有机器件100包括基板和沿着基板的面内方向排列的多个元件115。元件115例如是像素。如图1所示，在俯视时，有机器件100可以包含第1显示区域101和第2显示区域102。第2显示区域102可以具有比第1显示区域101小的面积。如图1所示，第2显示区域102可以被第1显示区域101包围。虽未图示，但第2显示区域102的外缘的一部分也可以与第1显示区域101的外缘的一部分位于同一直线上。
图2是将图1的第2显示区域102及其周围放大示出的俯视图。在第1显示区域101中，元件115也可以沿着不同的2个方向排列。在图1和图2所示的例子中，第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着元件第1方向G1排列。第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿着与元件第1方向G1交叉的元件第2方向G2排列。元件第2方向G2也可以与元件第1方向G1垂直。
有机器件100具备第2电极140。第2电极140位于后述的有机层130上。第2电极140可以与2个以上的有机层130电连接。例如，第2电极140可以在俯视时与2个以上的有机层130重叠。将位于第1显示区域101的第2电极140也表示为第2电极140X。将位于第2显示区域102的第2电极140也表示为第2电极140Y。
第2电极140X具有第1占有率。第1占有率是通过将位于第1显示区域101的第2电极140的面积的合计除以第1显示区域101的面积而算出的。第2电极140Y具有第2占有率。第2占有率是通过将位于第2显示区域102的第2电极140的面积的合计除以第2显示区域102的面积而算出的。第2占有率可以小于第1占有率。例如，如图2所示，第2显示区域102可以包括非透射区域103和透射区域104。透射区域104在俯视时不与第2电极140Y重叠。非透射区域103在俯视时与第2电极140Y重叠。
第2占有率与第1占有率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第2占有率与第1占有率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第2占有率与第1占有率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率与第1占有率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2占有率与第1占有率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。
也将非透射区域103的透射率称作第1透射率。也将透射区域104的透射率称作第2透射率。由于透射区域104不包含第2电极140Y，因此第2透射率比第1透射率高。因此，在包含透射区域104的第2显示区域102中，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。光学部件例如是照相机等通过检测光线来实现某些功能的部件。由于第2显示区域102包含非透射区域103，因此在元件115为像素的情况下，能够在第2显示区域102显示影像。这样，第2显示区域102能够检测光线且显示影像。通过检测光线所实现的第2显示区域102的功能例如是照相机、指纹传感器、面部认证传感器等传感器等。第2显示区域102的透射区域104的第2透射率越高、第2占有率越低，越能够增加传感器所接收的光量。
在非透射区域103在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸中的任意为1mm以下的情况下，使用显微分光光度计来测量第1透射率和第2透射率。作为显微分光光度计，可以使用奥林巴斯株式会社制的OSP-SP200或大塚电子株式会社制的LCF系列中的任意。任一显微分光光度计均可在380nm以上且780nm以下的可见光区域中测量透射率。使用石英或TFT液晶用硼硅酸玻璃、TFT液晶用无碱玻璃中的任意作为参考。将550nm处的测量结果用作第1透射率和第2透射率。
在非透射区域103在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸、以及透射区域104在元件第1方向G1及元件第2方向G2上的尺寸均大于1mm的情况下，使用分光光度计测量第1透射率和第2透射率。作为分光光度计，可以使用株式会社岛津制作所制造的紫外可见分光光度计UV-2600i或UV-3600i Plus中的任意。通过在分光光度计上安装微小光束光圈单元，能够测量最大具有1mm的尺寸的区域的透射率。使用大气作为参考。将550nm处的测量结果用作第1透射率和第2透射率。
第2透射率TR2与第1透射率TR1之比TR2/TR1例如可以为1.2以上，也可以为1.5以上，也可以为1.8以上。TR2/TR1例如可以为2以下，也可以为3以下，也可以为4以下。TR2/TR1的范围可以通过由1.2、1.5以及1.8构成的第1组和/或由2、3以及4构成的第2组来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，TR2/TR1可以为1.2以上且4以下，可以为1.2以上且3以下，可以为1.2以上且2以下，可以为1.2以上且1.8以下，可以为1.2以上且1.5以下，可以为1.5以上且4以下，可以为1.5以上且3以下，可以为1.5以上且2以下，可以为1.5以上且1.8以下，可以为1.8以上且4以下，可以为1.8以上且3以下，可以为1.8以上且2以下，可以为2以上且4以下，可以为2以上且3以下，可以为3以上且4以下。
如图2所示，第2电极140Y可以包含在元件第1方向G1上排列的2个以上的电极线140L。电极线140L可以在元件第2方向G2上延伸。例如，电极线140L可以包括与第1显示区域101的第2电极140X连接的第1端140L1和第2端140L2。第2端140L2在元件第2方向G2上位于与第1端140L1相反的一侧。虽然未图示，但在第2显示区域102的外缘的一部分与第1显示区域101的外缘的一部分位于同一直线上的情况下，与第2电极140X连接的电极线140L的端可以仅为1个。
如图2所示，在元件第1方向G1上相邻的2个电极线140L可以不相互连接。由此，透射区域104能够不被电极线140L遮挡地在元件第2方向G2上扩展。因此，能够抑制透射区域104在元件第2方向G2上具有周期性。由此，能够抑制如下情况：在元件第2方向G2上的各位置处透过透射区域104的光相互增强。
如图2所示，透射区域104可以在元件第2方向G2上横穿第2显示区域102。例如，电极线140L可以包括与第1显示区域101的第2电极140X相接的第1端104L1和第2端104L2。由此，能够进一步增大透射区域104在元件第2方向G2上的尺寸G40。因此，能够抑制在元件第2方向G2上的各位置处透过透射区域104的光相互增强。第2端104L2在元件第2方向G2上位于与第1端104L1相反的一侧。第1端104L1和第2端104L2在元件第1方向G1上与电极线140L的第1端140L1和第2端140L2相邻。虽然未图示，但在第2显示区域102的外缘的一部分与第1显示区域101的外缘的一部分位于同一直线上的情况下，在元件第2方向G2上与第2电极140X相接的透射区域104的端可以仅为1个。
通过使透射区域104在元件第2方向G2上的尺寸G40较大，由此，到达有机器件100的光容易透过第2显示区域102。例如，能够进一步提高第2显示区域102的透射率。由此，能够提高第2显示区域102检测光线的功能。
也可以不是所有的透射区域104都横穿第2显示区域102。例如，有机器件100可以包含在元件第2方向G2上横穿第2显示区域102的至少2个透射区域104。例如，有机器件100可以包含至少1组不互相连接的、在元件第1方向G1上相邻的2个电极线140L。
图3是将第1显示区域101的第2电极140X和第2显示区域102的第2电极140Y放大示出的俯视图。第2电极140X和第2电极140Y都可以在俯视时与有机层130重叠。有机层130是元件115的一个构成要素。
在第1显示区域101中，有机层130可以沿着元件第1方向G1以第11周期P11排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着元件第1方向G1以第12周期P12排列。第12周期P12可以比第11周期P11大。通过使第12周期P12比第11周期P11大，由此第2电极140Y的第2占有率变小。由此，透射区域104的面积变大，能够增加传感器接收的光量。如后所述，第12周期P12也可以与第11周期P11相同。
第12周期P12与第11周期P11之比例如可以为1.0以上，也可以为1.1以上，也可以为1.3以上，也可以为1.5以上。第12周期P12与第11周期P11之比例如可以为2.0以下，也可以为3.0以下，也可以为4.0以下。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以通过由1.0、1.1、1.3以及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0以及4.0构成的第2组来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第12周期P12与第11周期P11之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第12周期P12与第11周期P11之比可以为1.0以上且4.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.0以上且1.3以下，也可以为1.0以上且1.1以下，也可以为1.1以上且4.0以下，也可以为1.1以上且3.0以下，也可以为1.1以上且2.0以下，也可以为1.1以上且1.5以下，也可以为1.1以上且1.3以下，也可以为1.3以上且4.0以下，也可以为1.3以上且3.0以下，也可以为1.3以上且2.0以下，也可以为1.3以上且1.5以下，也可以为1.5以上且4.0以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且2.0以下，也可以为2.0以上且4.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为3.0以上且4.0以下。在第12周期P12与第11周期P11之比较小的情况下，第2显示区域102的像素密度与第1显示区域101的像素密度之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
透射区域104在元件第2方向G2上的尺寸G40可以以第12周期P12为基准来确定。尺寸G40与第12周期P12之比例如可以为2以上，也可以为5以上，也可以为10以上。尺寸G40与第12周期P12之比例如可以为100以下，也可以为300以下，也可以为1000以下，也可以为2000以下。尺寸G40与第12周期P12之比的范围可以通过由2、5以及10构成的第1组和/或由100、300、1000以及2000构成的第2组来限定。尺寸G40与第12周期P12之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸G40与第12周期P12之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸G40与第12周期P12之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸G40与第12周期P12之比可以为2以上且3000以下，也可以为2以上且1000以下，也可以为2以上且300以下，也可以为2以上且100以下，也可以为2以上且10以下，也可以为2以上且5以下，也可以为5以上且2000以下，也可以为5以上且1000以下，也可以为5以上且300以下，也可以为5以上且100以下，也可以为5以上且10以下，也可以为10以上且2000以下，也可以为10以上且1000以下，也可以为10以上且300以下，也可以为10以上且100以下，也可以为100以上且2000以下，也可以为100以上且1000以下，也可以为100以上且300以下，也可以为300以上且2000以下，也可以为300以上且1000以下，也可以为1000以上且2000以下。通过增大尺寸G40与第12周期P12之比，由此，能够抑制如下情况：在元件第2方向G2上的各位置处透过透射区域104的光相互增强。
对于尺寸G40，通过如下方法算出：测量位于第2显示区域102的所有透射区域104的在元件第2方向G2上的尺寸，并对它们求平均。
在第1显示区域101中，有机层130可以沿着元件第2方向G2以第21周期P21排列。在第2显示区域102中，有机层130可以沿着元件第2方向G2以第22周期P22排列。第22周期P22可以比第21周期P21大。如后所述，第22周期P22也可以与第21周期P21相同。
第22周期P22与第21周期P21之比例如可以为1.0以上，也可以为1.1以上，也可以为1.3以上，也可以为1.5以上。第22周期P22与第21周期P21之比例如可以为2.0以下，也可以为3.0以下，也可以为4.0以下。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以通过由1.0、1.1、1.3以及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0以及4.0构成的第2组来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第22周期P22与第21周期P21之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第22周期P22与第21周期P21之比可以为1.0以上且4.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.0以上且1.3以下，也可以为1.0以上且1.1以下，也可以为1.1以上且4.0以下，也可以为1.1以上且3.0以下，也可以为1.1以上且2.0以下，也可以为1.1以上且1.5以下，也可以为1.1以上且1.3以下，也可以为1.3以上且4.0以下，也可以为1.3以上且3.0以下，也可以为1.3以上且2.0以下，也可以为1.3以上且1.5以下，也可以为1.5以上且4.0以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且2.0以下，也可以为2.0以上且4.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为3.0以上且4.0以下。在第22周期P22与第21周期P21之比较小的情况下，第2显示区域102的像素密度与第1显示区域101的像素密度之差变小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
电极线140L可以在俯视时与沿着元件第2方向G2排列的2个以上的有机层130重叠。
标号G11表示在元件第1方向G1上相邻的2个电极线140L之间的间隔。根据透射区域104的第2透射率TR2来确定间隔G11。间隔G11也可以以有机层130的第11周期P11为基准来确定。
间隔G11与第11周期P11之比例如可以为0.3以上，也可以为0.5以上，也可以为1.0以上。间隔G11与第11周期P11之比例如可以为1.5以下，也可以为2.0以下，也可以为3.0以下。间隔G11与第11周期P11之比的范围可以通过由0.3、0.5以及1.0构成的第1组和/或由1.5、2.0以及3.0构成的第2组来限定。间隔G11与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G11与第11周期P11之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G11与第11周期P11之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G11与第11周期P11之比可以为0.3以上且3.0以下，也可以为0.3以上且2.0以下，也可以为0.3以上且1.5以下，也可以为0.3以上且1.0以下，也可以为0.3以上且0.5以下，也可以为0.5以上且3.0以下，也可以为0.5以上且2.0以下，也可以为0.5以上且1.5以下，也可以为0.5以上且1.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且2.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下。
间隔G11例如可以为10μm以上，也可以为50μm以上，也可以为100μm以上，也可以为150μm以上。间隔G11例如可以为200μm以下，也可以为250μm以下，也可以为300μm以下。间隔G11的范围可以通过由10μm、50μm、100μm以及150μm构成的第1组和/或由200μm、250μm以及300μm构成的第2组来限定。间隔G11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G11可以为10μm以上且300μm以下，也可以为10μm以上且250μm以下，也可以为10μm以上且200μm以下，也可以为10μm以上且150μm以下，也可以为10μm以上且100μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为50μm以上且300μm以下，也可以为50μm以上且250μm以下，也可以为50μm以上且200μm以下，也可以为50μm以上且150μm以下，也可以为50μm以上且100μm以下，也可以为100μm以上且300μm以下，也可以为100μm以上且250μm以下，也可以为100μm以上且200μm以下，也可以为100μm以上且150μm以下，也可以为150μm以上且300μm以下，也可以为150μm以上且250μm以下，也可以为150μm以上且200μm以下，也可以为200μm以上且300μm以下，也可以为200μm以上且250μm以下，也可以为250μm以上且300μm以下。
优选的是，间隔G11不固定。例如，间隔G11可以根据在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的位置而变化。由此，能够抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。
对用于使间隔G11变化的具体结构的一例进行说明。如图3所示，电极线140L可以包含在元件第2方向G2上排列的2个以上的电极段141。电极段141可以在俯视时与有机层130重叠。例如，1个电极段141可以与1个有机层130重叠。换言之，在元件第2方向G2上，电极段141可以以上述的第22周期P22排列。在元件第2方向G2上相邻的2个电极段141可以相互连接。
电极段141可以包含第1电极段141A和第2电极段141B。例如，电极段141可以是第1电极段141A和第2电极段141B的任意一方。第1电极段141A可以具有第1形状。第2电极段141B可以具有与第1形状不同的第2形状。即，第2电极段141B的形状可以与第1电极段141A的形状不同。由于电极段141包含具有互不相同的形状的第1电极段141A和第2电极段141B，因此能够抑制间隔G11与位置无关地变得恒定。
电极段141可以包含电极第1连接144A和电极第2连接144B。电极第1连接144A是指在元件第2方向G2上连接的第1电极段141A和第2电极段141B的组合。电极第2连接144B是指在元件第2方向G2上连接的2个第1电极段141A的组合。
电极段141可以包括电极第1排列145A和电极第2排列145B。电极第1排列145A是指在元件第1方向G1上排列的第1电极段141A和第2电极段141B的组合。电极第2排列145B是指在元件第1方向G1上排列的2个第1电极段141A的组合。
电极段141可以包含电极第1排列145A、电极第2排列145B以及电极第3排列145C。电极第3排列145C是指在元件第1方向G1上排列的2个第2电极段141B的组合。
第1电极段141A和第2电极段141B可以以间隔G11不规则地变化的方式配置。例如，第1电极段141A和第2电极段141B可以基于斐波那契数列来配置。
斐波那契数列包含S0S1S2S3S4S5S6S7S8S9…。Sn是通过将前1个字符串与前2个字符串连结而得到的。即，Sn＝Sn-1Sn-2。n为2以上的整数。在S0＝L、S1＝LS的情况下，斐波那契数列包含以下的排列。
LLSLLSLSLLSLLSLSLLSLSLLSLLSLSLLSLLSLSLLSLS…
例如，将第1电极段141A应用于L，将第2电极段141B应用于S。由此，电极段141能够包括在元件第2方向G2上不规则地排列的第1电极段141A和第2电极段141B。
第1形状与第2形状之间的具体的不同点是任意的。例如，第2形状的面积可以与第1形状的面积不同。例如，第2形状在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的尺寸可以与第1形状在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的尺寸不同。例如，第2形状在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的端部的位置可以与第1形状在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的端部的位置不同。
参照图4和图5，对第1电极段141A的形状和第2电极段141B的形状的具体例进行说明。图4是示出第1电极段141A的一例的俯视图。图5是示出第2电极段141B的一例的俯视图。
如图4所示，第1电极段141A可以包含第1像素段142A和第1连接段143A。第1像素段142A可以在俯视时与有机层130重叠。第1连接段143A可以与第1像素段142A连接。第1连接段143A可以包含第1连接端143A1和第2连接端143A2。第1连接端143A1可以与第1像素段142A连接。第2连接端143A2在元件第2方向G2上位于与第1连接端143A1相反的一侧。
如图5所示，第2电极段141B可以包含第2像素段142B和第2连接段143B。第2像素段142B可以在俯视时与有机层130重叠。第2连接段143B可以与第2像素段142B连接。第2连接段143B可以包含第3连接端143B1和第4连接端143B2。第3连接端143B1可以与第2像素段142B连接。第4连接端143B2在元件第2方向G2上位于与第3连接端143B1相反的一侧。
第1连接段143A的形状可以与第2连接段143B的形状不同。
例如，第1连接段143A的面积可以与第2连接段143B的面积不同。在图4和图5所示的例子中，第1连接段143A的面积比第2连接段143B小。
例如，第1连接段143A在元件第1方向G1上的尺寸W2A的平均值可以与第2连接段143B在元件第1方向G1上的尺寸W2B的平均值不同。图4和图5所示的例子中，尺寸W2A的平均值小于尺寸W2B的平均值。
例如，第2连接端143A2在元件第1方向G1上的位置可以与第4连接端143B2在元件第1方向G1上的位置不同。“位置”可以是指在俯视时相对于与电极段141重叠的有机层130的相对位置。在图4所示的例子中，第1连接端143A1在元件第1方向G1上的位置与第2连接端143A2在元件第1方向G1上的位置相同。在图5所示的例子中，第3连接端143B1在元件第1方向G1上的位置与第4连接端143B2在元件第1方向G1上的位置不同。如图4和图5所示，第1连接端143A1在元件第1方向G1上的位置与第3连接端143B1在元件第1方向G1上的位置相同。另一方面，第2连接端143A2在元件第1方向G1上的位置与第4连接端143B2在元件第1方向G1上的位置不同。“位置相同”是指元件第1方向G1上的2个连接端的中间点的位置之差为第11周期P11/4以下。“位置不同”是指2个连接端的中间点在元件第1方向G1上的位置之差大于第11周期P11/4。
第1连接段143A在元件第1方向G1上的尺寸W2A的平均值可以小于第1像素段142A在元件第1方向G1上的尺寸W1A的平均值。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比例如可以为0.1以上，也可以为0.2以上，也可以为0.3以上。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比例如可以为0.7以下，也可以为0.8以下，也可以为0.9以下。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比的范围可以通过由0.1、0.2以及0.3构成的第1组和/或由0.7、0.8以及0.9构成的第2组来限定。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比可以为0.1以上且0.9以下，也可以为0.1以上且0.8以下，也可以为0.1以上且0.7以下，也可以为0.1以上且0.3以下，也可以为0.1以上且0.2以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.8以下，也可以为0.2以上且0.7以下，也可以为0.2以上且0.3以下，也可以为0.3以上且0.9以下，也可以为0.3以上且0.8以下，也可以为0.3以上且0.7以下，也可以为0.7以上且0.9以下，也可以为0.7以上且0.8以下，也可以为0.8以上且0.9以下。
第1连接段143A在元件第2方向G2上的尺寸L2A可以根据第1像素段142A在元件第2方向G2上的尺寸L1A来确定。尺寸L2A与尺寸L1A之比例如可以为0.2以上，也可以为0.6以上，也可以为0.9以上。尺寸L2A与尺寸L1A之比例如可以为2.0以下，也可以为2.5以下，也可以为3.0以下。尺寸L2A与尺寸L1A之比的范围可以通过由0.2、0.6以及0.9构成的第1组和/或由2.0、2.5以及3.0构成的第2组来限定。尺寸L2A与尺寸L1A之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸L2A与尺寸L1A之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸L2A与尺寸L1A之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸L2A与尺寸L1A之比可以为0.2以上且3.0以下，也可以为0.2以上且2.5以下，也可以为0.2以上且2.0以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.6以下，也可以为0.6以上且3.0以下，也可以为0.6以上且2.5以下，也可以为0.6以上且2.0以下，也可以为0.6以上且0.9以下，也可以为0.9以上且3.0以下，也可以为0.9以上且2.5以下，也可以为0.9以上且2.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为2.0以上且2.5以下，也可以为2.5以上且3.0以下。之比例如是尺寸L2A的最大值与尺寸L1A的最大值之比。
第2连接段143B在元件第1方向G1上的尺寸W2B的平均值可以小于第2像素段142B在元件第1方向G1上的尺寸W1B的平均值。作为尺寸W2B的平均值与尺寸W1B的平均值之比的范围，可以采用上述的“尺寸W2A的平均值与尺寸W1A的平均值之比的范围”。
第2连接段143B在元件第2方向G2上的尺寸L2B可以根据第2像素段142B在元件第2方向G2上的尺寸L1B来确定。作为尺寸L2B与尺寸L1B之比的范围，可以采用上述的“尺寸L2A与尺寸L1A之比的范围”。
对第2电极140的层结构进行说明。图6是将在图3的有机器件100中由标注有标号VI的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
第2电极140可以包含多个层。例如，第2电极140可以包含第1层140A、第2层140B和第3层140C。第1层140A、第2层140B和第3层140C分别是通过使用后述的第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C的蒸镀法而形成的层。
第1层140A可以包含第1主电极140A1和第1副电极140A2。第1主电极140A1的面积可以大于第1副电极140A2的面积。
第2层140B可以包含第2主电极140B1和第2副电极140B2。第2主电极140B1的面积可以大于第2副电极140B2的面积。
第3层140C可以包含第3主电极140C1和第3副电极140C2。第3主电极140C1的面积可以大于第3副电极140C2的面积。
第1主电极140A1可以在元件第2方向G2上与第2主电极140B1和第3主电极140C1连接。第1主电极140A1可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第1主电极140A1可以与后述的第2有机层130B重叠。
第1副电极140A2可以在元件第1方向G1上与第2主电极140B1或第3主电极140C1连接。第1副电极140A2可以在元件第2方向G2上与第2副电极140B2和第3副电极140C2连接。第1副电极140A2可以在俯视时与有机层130重叠。
第1副电极140A2可以在元件第3方向G3或元件第4方向G4上与第1主电极140A1排列。
元件第3方向G3是与元件第1方向G1和元件第2方向G2双方交叉的方向。元件第3方向G3相对于元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度例如为30°以上且60°以下。元件第4方向G4是与元件第1方向G1和元件第2方向G2双方交叉的方向。元件第4方向G4相对于元件第1方向G1和元件第2方向G2所成的角度例如为30°以上且60°以下。元件第3方向G3与元件第4方向G4交叉。例如，元件第3方向G3也可以与元件第4方向G4正交。
标号G41表示第1主电极140A1与第1副电极140A2之间在元件第3方向G3或元件第4方向G4上的间隔。间隔G41例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上。间隔G41例如可以为30μm以下，也可以为35μm以下，也可以为40μm以下。间隔G41的范围可以通过由5μm、10μm和15μm构成的第1组和/或由30μm、35μm和40μm构成的第2组来限定。间隔G41的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G41的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G41的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G41可以为5μm以上且40μm以下，也可以为5μm以上且35μm以下，也可以为5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且40μm以下，也可以为10μm以上且35μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且40μm以下，也可以为15μm以上且35μm以下，也可以为15μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且40μm以下，也可以为30μm以上且35μm以下，也可以为35μm以上且40μm以下。
第2主电极140B1可以在元件第2方向G2上与第1主电极140A1和第3主电极140C1连接。第2主电极140B1可以在俯视时不与有机层130重叠。
第2副电极140B2可以在元件第1方向G1上与第1主电极140A1或第3主电极C1连接。第2副电极140B2可以在元件第2方向G2上与第1副电极140A2和第3副电极140C2连接。第2副电极140B2可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第2副电极140B2可以与后述的第1有机层130A重叠。
第2副电极140B2可以在元件第3方向G3或元件第4方向G4上与第2主电极140B1排列。作为第2主电极140B1与第2副电极140B2之间的间隔的范围，可以采用上述的间隔G41的范围。
第3主电极140C1可以在元件第2方向G2上与第1主电极140A1和第2主电极140B1连接。第3主电极140C1可以在俯视时不与有机层130重叠。
第3副电极140C2可以在元件第1方向G1上与第1主电极140A1或第2主电极B1连接。第3副电极140C2可以在元件第2方向G2上与第1副电极140A2和第2副电极140B2连接。第3副电极140C2可以在俯视时与有机层130重叠。例如，第3副电极140C2可以与后述的第3有机层130C重叠。
第3副电极140C2可以在元件第3方向G3或元件第4方向G4上与第3主电极140C1排列。作为第3主电极140C1与第3副电极140C2之间的间隔的范围，可以采用上述的间隔G41的范围。
第1电极段141A可以包含第1主电极140A1、第2主电极140B1、第3主电极140C1、第2副电极140B2和第3副电极140C2。第2主电极140B1可以在元件第2方向G2上位于第1主电极140A1与第3主电极140C1之间。第2主电极140B1可以在元件第2方向G2上与第1主电极140A1和第3主电极140C1连接。第2副电极140B2和第3副电极140C2可以在元件第1方向G1上与第1主电极140A1连接。第2副电极140B2可以在元件第2方向G2上与第3副电极140C2连接。
第2电极段141B可以包含第1主电极140A1、第2主电极140B1、第1副电极140A2、2个第2副电极140B2和2个第3副电极140C2。第2主电极140B1可以在元件第2方向G2上与第1主电极140A1连接。第1个第2副电极140B2和第1个第3副电极140C2可以在元件第1方向G1上与第1主电极140A1连接。第1个第2副电极140B2可以在元件第2方向G2上与第1个第3副电极140C2连接。第2个第3副电极140C2可以在元件第2方向G2上与第2主电极140B1连接。第2个第2副电极140B2可以在元件第2方向G2上与第2个第3副电极140C2连接。第1副电极140A2可以在元件第2方向G2上与第2个第2副电极140B2连接。
在第1显示区域101中，可以沿着元件第2方向G2反复排列第1主电极140A1、第2主电极140B1和第3主电极140C1。在第1显示区域101中，可以沿着元件第2方向G2反复排列第3副电极140C2、第2副电极140B2和第1副电极140A2。第1主电极140A1、第2主电极140B1以及第3主电极140C1的列、和第3副电极140C2、第2副电极140B2以及第1副电极140A2的列可以在元件第1方向G1上连接。
第2电极140的2个层可以部分重叠。将在俯视时第2电极140的多个层重叠的区域也称为电极重叠区域148。在本实施方式中，电极重叠区域148包括：第1层140A与第2层140B重叠的区域；第1层140A与第3层140C重叠的区域；或者第2层140B与第3层140C重叠的区域。
电极重叠区域148的面积可以小于第1层140A的面积。例如，电极重叠区域145的面积可以小于第1主电极140A1的面积。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比例如可以为0.02以上，也可以为0.05以上，也可以为0.10以上。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比例如可以为0.20以下，也可以为0.30以下，也可以为0.40以下。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05以及0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30以及0.40构成的第2组来限定。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比可以为0.02以上且0.40以下，也可以为0.02以上且0.30以下，也可以为0.02以上且0.20以下，也可以为0.02以上且0.10以下，也可以为0.02以上且0.05以下，也可以为0.05以上且0.40以下，也可以为0.05以上且0.30以下，也可以为0.05以上且0.20以下，也可以为0.05以上且0.10以下，也可以为0.10以上且0.40以下，也可以为0.10以上且0.30以下，也可以为0.10以上且0.20以下，也可以为0.20以上且0.40以下，也可以为0.20以上且0.30以下，也可以为0.30以上且0.40以下。
电极重叠区域145的面积可以小于第1副电极140A2的面积。作为电极重叠区域145的面积与第1副电极140A2的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比”的范围。
电极重叠区域145的面积可以小于第2主电极140B1的面积。作为电极重叠区域145的面积与第2主电极140B1的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比”的范围。
电极重叠区域145的面积可以小于第2副电极140B2的面积。作为电极重叠区域145的面积与第2副电极140B2的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比”的范围。
电极重叠区域145的面积可以小于第3主电极140C1的面积。作为电极重叠区域145的面积与第3主电极140C1的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比”的范围。
电极重叠区域145的面积可以小于第3副电极140C2的面积。作为电极重叠区域145的面积与第3副电极140C2的面积之比的范围，可以采用上述的“电极重叠区域148的面积与第1主电极140A1的面积之比”的范围。
图7是示出从图6的有机器件100去除了第2电极140的状态的俯视图。有机层130可以包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C。第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C例如可以为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。在以下的说明中，在说明第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C共同的有机层的结构的情况下，使用“有机层130”这样的用语和标号。
对于俯视时的第2电极140和有机层130的配置，通过使用高倍率的数字显微镜观察有机器件100来检测。基于检测结果，能够算出上述的占有率、面积、尺寸、间隔等。在有机器件100具备罩玻璃等罩的情况下，可以通过将罩剥离或破坏等来去除罩，然后观察第2电极140和有机层130。也可以不使用数码显微镜而使用扫描型电子显微镜。
接下来，对有机器件100的层结构的一例进行说明。图8是图6的有机器件的沿A-A线的剖视图。图9是图6的有机器件的沿B-B线的剖视图。
有机器件100具备基板110和位于基板110上的元件115。元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130和位于有机层130上的第2电极140。
有机器件100可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。
绝缘层160可以在俯视时与电极重叠区域148重叠。例如，在俯视时，电极重叠区域148可以被绝缘层160的轮廓包围。
电极重叠区域148包含第2电极140的多个层。因此，电极重叠区域148具有比第2电极140的1个层低的透射率。当透过电极重叠区域148的光从有机器件100射出时，有时光的强度会产生不均。通过使绝缘层160与电极重叠区域148重叠，能够抑制光的强度产生不均的情况。
有机器件100可以是有源矩阵型。例如，虽然未图示，但有机器件100可以具备开关。开关与多个元件115分别电连接。开关例如是晶体管。开关能够控制针对对应的元件115的电压或电流的接通/断开。
基板110可以是具有绝缘性的板状的部件。基板110优选具有使光透过的透明性。
在基板110具有规定的透明性的情况下，基板110的透明性优选为能够使来自有机层130的发光透过而进行显示的程度的透明性。例如，基板110在可见光区域中的透射率优选为70％以上，更优选为80％以上。基板110的透射率可以通过依据JIS K7361-1的塑料-透明材料的总透光率的试验方法来测量。
基板110可以具有挠性，也可以不具有挠性。可以根据有机器件100的用途适当选择基板110。
作为基板110的材料，例如能够使用石英玻璃、Pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板、无碱玻璃等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层叠体。
关于基板110的厚度，可以根据基板110所使用的材料、有机器件100的用途等适当选择，例如可以为0.005mm以上。另外，基板110的厚度可以为5mm以下。
通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压、或者在第1电极120与第2电极140之间流过电流，由此，元件115能够实现某些功能。例如，在元件115是有机EL显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。
第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透明性和导电性的金属氧化物。
作为构成第1电极120的材料，能够使用：Au、Cr、Mo、Ag、Mg等金属；被称为ITO的氧化铟锡、被称为IZO的氧化铟锌、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；以及金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合在一起使用。在使用2种以上的情况下，可以层叠由各材料构成的层。另外，也可以使用包含有2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金等。
有机层130含有有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而使光的透射率或折射率变化的层等。有机层130可以包含有机半导体材料。
将包含第1电极120、第1有机层130A和第2电极140的层叠结构也称为第1元件115A。将包含第1电极120、第2有机层130B和第2电极140的层叠结构也称为第2元件115B。将包含第1电极120、第3有机层130C和第2电极140的层叠结构也称为第3元件。在有机器件100为有机EL显示装置的情况下，第1元件115A、第2元件115B以及第3元件分别为子像素。
在以下的说明中，在对第1元件115A、第2元件115B和第3元件所共用的元件的结构进行说明的情况下，使用“元件115”这样的用语和标号。
当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出光。
在有机层130包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。
例如，在第1电极120为阳极的情况下，有机层130可以在发光层与第1电极120之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以是具有空穴注入功能的空穴注入层，也可以是具有空穴传输功能的空穴传输层，还可以具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能。另外，空穴注入传输层可以是层叠空穴注入层和空穴传输层而成的层。
在第2电极140为阴极的情况下，有机层130可以在发光层与第2电极140之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以是具有电子注入功能的电子注入层，也可以是具有电子传输功能的电子传输层，还可以具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能。另外，电子注入传输层可以是层叠电子注入层和电子传输层而成的层。
发光层包含发光材料。发光层可以含有使流平性良好的添加剂。
作为发光材料，可以使用公知的材料，例如可以使用色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等发光材料。
作为色素系材料，例如可以使用环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻酚衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。
作为金属络合物系材料，例如可以使用羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、桉素络合物等、中心金属具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土金属且配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。
作为高分子系材料，例如可以使用聚对苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、聚喹喔啉衍生物、以及它们的共聚物等。
出于提高发光效率、改变发光波长等目的，发光层可以含有掺杂剂。作为掺杂剂，例如可以使用苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸鎓衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物等。另外，作为掺杂剂，可以使用在中心具有铂、铱等重金属离子且显示磷光的有机金属络合物。关于掺杂剂，可以单独使用1种，可以使用2种以上。
另外，作为发光材料和掺杂剂，例如可以使用在日本特开2010-272891号公报的[0094]～[0099]或国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。
关于发光层的膜厚，只要是能够提供电子与空穴的再结合的场所而表现出发光的功能的膜厚，则并不特别限定，例如可以设为1nm以上，另外，可以设为500nm以下。
作为空穴注入传输层所使用的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。例如，可以使用三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基胺衍生物等。另外，可以例示出螺环化合物、酞菁化合物、金属氧化物等。另外，例如也可以适当地选择使用在日本特开2011-119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012-069963号公报、国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。
并且，在空穴注入传输层是层叠空穴注入层和空穴传输层而成的空穴注入传输层的情况下，空穴注入层可以含有添加剂A，空穴传输层可以含有添加剂A，空穴注入层和空穴传输层可以含有添加剂A。添加剂A可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。具体而言，可以使用氟系化合物、酯系化合物、烃系化合物等。
作为电子注入传输层所使用的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。例如，可以使用碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、氧化铝等。另外，作为电子注入传输性材料，例如可以使用浴铜灵、浴菲咯啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
另外，也可以是，形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属而成的金属掺杂层，并将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，例如可以使用浴铜灵、红菲咯啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等金属络合物、以及它们的高分子衍生物等。另外，作为进行掺杂的金属，可以使用Li、Cs、Ba、Sr等。
第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过使用后述的掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，能够使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上的材料组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层叠由各材料构成的层。另外，也可以使用包含有2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金、AlLi、AlCa、AlMg等铝合金、碱金属类和碱土金属类的合金等。
第2电极140的厚度例如可以为5nm以上，也可以为10nm以上，也可以为50nm以上，也可以为100nm以上。第2电极140的厚度例如可以为200nm以下，也可以为500nm以下，也可以为1μm以下，也可以为100μm以下。第2电极140的厚度的范围可以通过由5nm、10nm、50nm以及100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm以及100μm构成的第2组来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2电极140的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2电极140的厚度可以为5nm以上且100μm以下，也可以为5nm以上且1μm以下，也可以为5nm以上且500nm以下，也可以为5nm以上且200nm以下，也可以为5nm以上且100nm以下，也可以为5nm以上且50nm以下，也可以为5nm以上且10nm以下，也可以为10nm以上且100μm以下，也可以为10nm以上且1μm以下，也可以为10nm以上且500nm以下，也可以为10nm以上且200nm以下，也可以为10nm以上且100nm以下，也可以为10nm以上且50nm以下，也可以为50nm以上且100μm以下，也可以为50nm以上且1μm以下，也可以为50nm以上且500nm以下，也可以为50nm以上且200nm以下，也可以为50nm以上且100nm以下，也可以为100nm以上且100μm以下，也可以为100nm以上且1μm以下，也可以为100nm以上且500nm以下，也可以为100nm以上且200nm以下，也可以为200nm以上且100μm以下，也可以为200nm以上且1μm以下，也可以为200nm以上且500nm以下，也可以为500nm以上且100μm以下，也可以为500nm以上且1μm以下，也可以为1μm以上且100μm以下。
电极140的厚度越小，则电极140的透射率越高，非透射区域103的透射率也越高。入射到非透射区域103的光也能够对应于非透射区域103的透射率而到达传感器。通过提高非透射区域103的透射率，能够增加传感器接收的光量。
关于基板110的厚度、第2电极140的厚度等有机器件100的各构成要素的厚度，可以通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件100的截面的图像来测量。
接着，对通过蒸镀法形成上述的有机器件100的第2电极140的方法进行说明。图10是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理。
蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8和掩模装置40。蒸镀装置10可以具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如是坩埚。蒸镀源6收纳导电性材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6对置的方式配置。
如图10所示，掩模装置40可以具备：至少1个掩模50；和支承掩模50的框架41。框架41可以包括第1框架面41a和第2框架面41b。可以在第1框架面41a上固定掩模50。第2框架面41b位于第1框架面41a的相反侧。另外，框架41可以包含开口42。开口42从第1框架面41a贯通到第2框架面41b。掩模50可以以在俯视时横穿开口42的方式固定于框架41。另外，框架41可以将掩模50以在其面方向上对其拉伸的状态进行支承。由此，能够抑制掩模50挠曲。
作为掩模50，可以使用后述的第1掩模50A、第2掩模50B或第3掩模50C。在以下的说明中，在对第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C所共有的掩模结构进行说明的情况下，使用“掩模50”这样的用语和标号。关于后述的贯通孔、遮蔽区域等掩模的构成要素也相同，在说明第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C所共有的内容的情况下，作为标号，使用“53”、“54”等未附加字母的只有数字的标号。另一方面，在对第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C各自所特有的内容进行说明的情况下，有时也使用在数字之后附加有“A”、“B”、“C”等对应的字母的标号。
掩模装置40的掩模50与基板110对置。基板110是使蒸镀材料7附着的对象物。基板110包含第1面111和第2面112。第1面111与掩模50对置。掩模50包括多个贯通孔53。贯通孔53使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过。通过了贯通孔53的蒸镀材料7附着于基板110的第1面111。掩模50包括第1面51a和第2面51b。第1面51a与第1面111对置。第2面51b位于第1面51a的相反侧。贯通孔53从第1面51a向第2面51b贯通。
蒸镀装置10可以具备保持基板110的基板保持器2。基板保持器2可以是能够在基板110的厚度方向上移动。基板保持器2可以是能够在基板110的面方向上移动。基板保持器2可以控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包括安装于基板110的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在基板110的厚度方向、面方向上独立地移动。
蒸镀装置10可以具备保持掩模装置40的掩模保持器3。掩模保持器3可以是能够在掩模50的厚度方向上移动。掩模保持器3可以是能够在掩模50的面方向上移动。例如，掩模保持器3可以包括安装于框架41的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在掩模50的厚度方向、面方向上独立地移动。
通过使基板保持器2和掩模保持器3中的至少任意一方移动，由此能够调整掩模装置40的掩模50相对于基板110的位置。
蒸镀装置10可以具备冷却板4。冷却板4可以配置于基板110的第2面112侧。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀工序时上升。
蒸镀装置10可以具备配置于第2面112侧的磁铁5。磁铁5可以与冷却板4重叠。磁铁5通过磁力将掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。因此，能够提高第2电极140的尺寸精度和位置精度。在本申请中，阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙、由此使得第2电极140的厚度变得不均匀的现象。另外，可以使用利用静电力的静电卡盘将掩模50向基板110侧吸引。
接下来，对掩模装置40进行说明。图11是示出掩模装置40的俯视图。掩模装置40可以具备2片以上的掩模50。掩模50例如可以通过焊接而固定于框架41。
框架41包括一对第1边411和一对第2边412。框架41可以具有矩形的轮廓。可以在第1边411上固定被施加了张力的状态下的掩模50。第1边411可以比第2边412长。框架41可以包括由一对第1边411和一对第2边412包围的开口42。
掩模50包含至少1个单元52。单元52包括贯通孔53和遮蔽区域54。掩模50可以包含2个以上的单元52。在使用掩模50制作有机EL显示装置等显示装置的情况下，1个单元52可以与1个有机EL显示装置的显示区域、即1个画面对应。1个单元52也可以与多个显示区域对应。掩模50可以包含位于单元52之间的遮蔽区域54。虽未图示，但掩模50也可以包括位于单元52之间的贯通孔53。
单元52例如可以具有俯视时呈大致四边形的轮廓，更准确而言，可以具有俯视时呈大致矩形的轮廓。各单元52可以根据有机EL显示装置的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各单元52可以具有圆形的轮廓。
图12是放大表示掩模50的一例的俯视图。掩模50具有掩模第1方向D1和与掩模第1方向D1交叉的掩模第2方向D2。掩模第1方向D1可以与掩模第2方向D2正交。可以是，掩模第1方向D1与元件第1方向G1对应，掩模第2方向D2与元件第2方向G2对应。
掩模50具备贯通孔53和遮蔽区域54。贯通孔53在掩模第1方向D1和掩模第2方向D2上排列。
在沿着第1面51a的法线方向观察掩模50的情况下，掩模50具备掩模第3区域M3和掩模第4区域M4。掩模第3区域M3对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第4区域M4对应于有机器件100的第2显示区域102。
在掩模第3区域M3中，贯通孔53具有第3开口率。关于第3开口率，通过将位于掩模第3区域M3的贯通孔53的面积的合计除以掩模第3区域M3的面积来算出。在掩模第4区域M4中，贯通孔53具有第4开口率。关于第4开口率，通过将位于掩模第4区域M4的贯通孔53的面积的合计除以掩模第4区域M4的面积来算出。第4开口率可以小于第3开口率。
第4开口率与第3开口率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第4开口率与第3开口率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第4开口率与第3开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第4开口率与第3开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第4开口率与第3开口率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。
掩模50可以具有校准标识50M。校准标识50M例如形成于掩模50的单元52的角部。可以是，在使用掩模50通过蒸镀法在基板110上形成第2电极140的工序中，为了进行掩模50相对于基板110的对位而利用校准标识50M。校准标识50M例如可以形成在与框架41重叠的位置。可以是，在制作掩模装置40时，为了进行掩模50与框架41的对位而使用校准标识50M。
在形成第2电极140的工序中，可以使用多个掩模50。例如，如图13所示，掩模50可以具备第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C。第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C可以构成不同的掩模装置40。也将具备第1掩模50A的掩模装置40称为第1掩模装置40A。也将具备第2掩模50B的掩模装置40称为第2掩模装置40B。也将具备第3掩模50C的掩模装置40称为第3掩模装置40C。
在形成第2电极140的工序中，例如，在蒸镀装置10中使用第1掩模装置40A而在基板110上形成第2电极140的第1层140A。接着，在蒸镀装置10中使用第2掩模装置40B而在基板110上形成第2电极140的第2层140B。接着，在蒸镀装置10中使用第3掩模装置40C而在基板110上形成第2电极140的第3层140C。这样，在形成有机器件100的第2电极140的工序中，依次使用第1掩模50A、第2掩模50B、第3掩模50C等多个掩模50。也将用于形成有机器件100的第2电极140的多个掩模50的组称为“掩模组”。
图14是示出掩模50的截面结构的一例的图。掩模50具有形成于金属板51的多个贯通孔53。贯通孔53从第1面51a向第2面51b贯通金属板51。
贯通孔53可以包含第1凹部531和第2凹部532。第1凹部531位于第1面51a侧。第2凹部532位于第2面51b侧。第1凹部531在金属板51的厚度方向上与第2凹部532连接。
在俯视时，第2凹部532的尺寸r2可以比第1凹部531的尺寸r1大。第1凹部531可以通过利用蚀刻等从第1面51a侧对金属板51进行加工而形成。第2凹部532可以通过利用蚀刻等从第2面51b侧对金属板51进行加工而形成。第1凹部531和第2凹部532在连接部533处连接。
标号534表示贯通部。俯视时的贯通孔53的开口面积在贯通部534中最小。贯通部534可以由连接部533划定。
在使用掩模50的蒸镀法中，从第2面51b侧向第1面51a侧通过了贯通孔53的贯通部534的蒸镀材料7附着于基板110，由此在基板110形成上述的第1层140A、第2层140B、第3层140C等层。形成于基板110的层在基板110的面内方向上的轮廓由俯视时的贯通部534的轮廓决定。在后述的图15～图21等俯视图中示出的贯通孔53的轮廓是贯通部534的轮廓。贯通孔53的面积可以是贯通部534的面积。俯视时的贯通孔53的尺寸可以是贯通部534的尺寸r。
贯通部534以外的金属板51的区域能够遮蔽朝向基板110的蒸镀材料7。将贯通部534以外的金属板51的区域也称为遮蔽区域54。在图12、图13、图15、图17、图18等掩模50的俯视图中，对遮蔽区域54附加斜线的阴影。
掩模第4区域M4的遮蔽区域54可以包括不贯通金属板51的凹部。通过在掩模第4区域M4设置凹部，能够降低掩模第4区域M4的刚性。由此，能够减小掩模第4区域M4的刚性与掩模第3区域M3的刚性之间的差异。因此，能够抑制因刚性的差异而在掩模50上产生褶皱的情况。褶皱例如容易在对掩模50施加张力时产生。
掩模50的厚度T例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上，也可以为20μm以上。掩模50的厚度T例如可以为25μm以下，也可以为30μm以下，也可以为50μm以下，也可以为100μm以下。掩模50的厚度T的范围可以通过由5μm、10μm、15μm以及20μm构成的第1组和/或由25μm、30μm、50μm以及100μm构成的第2组来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，掩模50的厚度T可以为5μm以上且100μm以下，也可以为5μm以上且50μm以下，也可以为5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且25μm以下，也可以为5μm以上且20μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且100μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且25μm以下，也可以为10μm以上且20μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且100μm以下，也可以为15μm以上且50μm以下，也可以为15μm以上且30μm以下，也可以为15μm以上且25μm以下，也可以为15μm以上且20μm以下，也可以为20μm以上且100μm以下，也可以为20μm以上且50μm以下，也可以为20μm以上且30μm以下，也可以为20μm以上且25μm以下，也可以为25μm以上且100μm以下，也可以为25μm以上且50μm以下，也可以为25μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且100μm以下，也可以为30μm以上且50μm以下，也可以为50μm以上且100μm以下。
作为测量掩模50的厚度T的方法，可以采用接触式的测量方法。作为接触式的测量方法，可以使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计HEIDENHAIM-METRO的“MT1271”。
贯通孔53的截面形状不限于图14所示的形状。另外，贯通孔53的形成方法不限于蚀刻，能够采用各种方法。例如，可以通过以产生贯通孔53的方式进行镀敷来形成掩模50。
作为构成掩模50的材料，例如能够使用含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为含镍或镍和钴的铁合金，能够列举出含有34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材、含有38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀敷合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，在采用玻璃基板来作为基板110的情况下，可以将掩模50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，在蒸镀工序时，能够抑制这样的情况：形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度或位置精度由于掩模50与基板110之间的热膨胀系数之差而降低。
接着，对第1掩模50A进行详细说明。图15是将第1掩模50A的掩模第3区域M3和掩模第4区域M4放大示出的俯视图。第1掩模50A具备第1贯通孔53A和第1遮蔽区域54A。第1贯通孔53A在掩模第1方向D1和掩模第2方向D2上排列。
在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第1方向D1以第15周期P15排列。在掩模第4区域M4中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第1方向D1以第16周期P16排列。第16周期P16可以大于第15周期P15。
第16周期P16与第15周期P15之比例如可以为1.1以上，也可以为1.3以上，也可以为1.5以上。第16周期P16与第15周期P15之比例如可以为2.0以下，也可以为3.0以下，也可以为4.0以下。第16周期P16与第15周期P15之比的范围可以通过由1.1、1.3以及1.5构成的第1组和/或由2.0、3.0以及4.0构成的第2组来限定。第16周期P16与第15周期P15之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第16周期P16与第15周期P15之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第16周期P16与第15周期P15之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第16周期P16与第15周期P15之比可以为1.1以上且4.0以下，可以为1.1以上且3.0以下，可以为1.1以上且2.0以下，可以为1.1以上且1.5以下，可以为1.1以上且1.3以下，可以为1.3以上且4.0以下，可以为1.3以上且3.0以下，可以为1.3以上且2.0以下，可以为1.3以上且1.5以下，可以为1.5以上且4.0以下，可以为1.5以上且3.0以下，可以为1.5以上且2.0以下，可以为2.0以上且4.0以下，可以为2.0以上且3.0以下，可以为3.0以上且4.0以下。
标号G15表示位于掩模第4区域M4且在掩模第1方向D1上相邻的2个第1贯通孔53A之间的间隔。间隔G15可以以位于掩模第3区域M3的第1贯通孔53A的第15周期P15为基准来确定。
间隔G15与第15周期P15之比例如可以为0.3以上，也可以为0.5以上，也可以为1.0以上。间隔G15与第15周期P15之比例如可以为1.5以下，也可以为2.0以下，也可以为3.0以下。间隔G15与第15周期P15之比的范围可以通过由0.3、0.5以及1.0构成的第1组和/或由1.5、2.0以及3.0构成的第2组来限定。间隔G15与第15周期P15之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G15与第15周期P15之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G15与第15周期P15之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G15与第15周期P15之比可以为0.3以上且3.0以下，也可以为0.3以上且2.0以下，也可以为0.3以上且1.5以下，也可以为0.3以上且1.0以下，也可以为0.3以上且0.5以下，也可以为0.5以上且3.0以下，也可以为0.5以上且2.0以下，也可以为0.5以上且1.5以下，也可以为0.5以上且1.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且2.0以下，也可以为1.0以上且1.5以下，也可以为1.5以上且3.0以下，也可以为1.5以上且2.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下。
间隔G15例如可以为10μm以上，也可以为50μm以上，也可以为100μm以上，也可以为150μm以上。间隔G15例如可以为200μm以下，也可以为250μm以下，也可以为300μm以下。间隔G15的范围可以通过由10μm、50μm、100μm以及150μm构成的第1组和/或由200μm、250μm以及300μm构成的第2组来限定。间隔G15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G15的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G15可以为10μm以上且300μm以下，也可以为10μm以上且250μm以下，也可以为10μm以上且200μm以下，也可以为10μm以上且150μm以下，也可以为10μm以上且100μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为50μm以上且300μm以下，也可以为50μm以上且250μm以下，也可以为50μm以上且200μm以下，也可以为50μm以上且150μm以下，也可以为50μm以上且100μm以下，也可以为100μm以上且300μm以下，也可以为100μm以上且250μm以下，也可以为100μm以上且200μm以下，也可以为100μm以上且150μm以下，也可以为150μm以上且300μm以下，也可以为150μm以上且250μm以下，也可以为150μm以上且200μm以下，也可以为200μm以上且300μm以下，也可以为200μm以上且250μm以下，也可以为250μm以上且300μm以下。
在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第2方向D2以第25周期P25排列。在掩模第4区域M4中，第1贯通孔53A可以沿着掩模第2方向D2以第26周期P26排列。第26周期P26可以与第25周期P25相同，也可以不同。
位于掩模第3区域M3的第1贯通孔53A可以包括第1主孔53A1和第1副孔53A2。第1主孔53A1的面积可以比第1副孔53A2的面积大，也可以相同。
图16是将第1贯通孔53A放大示出的俯视图。第1副孔53A2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第1主孔53A1排列。例如，第1贯通孔53A可以包括：第1主孔53A1；在掩模第3方向D3上与第1主孔53A1排列的第1副孔53A2；以及在掩模第4方向D4上与第1主孔53A1排列的第1副孔53A2。
掩模第3方向D3是与掩模第1方向D1和掩模第2方向D2双方交叉的方向。掩模第3方向D3相对于掩模第1方向D1及掩模第2方向D2所成的角度例如为20°以上且70°以下。掩模第4方向D4是与掩模第1方向D1和掩模第2方向D2双方交叉的方向。掩模第4方向D4相对于掩模第1方向D1及掩模第2方向D2所成的角度例如为20°以上且70°以下。掩模第3方向D3与掩模第4方向D4交叉。例如，掩模第3方向D3可以与掩模第4方向D4正交。可以是，掩模第3方向D3与元件第3方向G3对应，掩模第4方向D4与元件第4方向G4对应。
标号G45表示第1主孔53A1与第1副孔53A2之间在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上的间隔。间隔G45例如可以为5μm以上，也可以为10μm以上，也可以为15μm以上。间隔G45例如可以为30μm以下，也可以为35μm以下，也可以为40μm以下。间隔G45的范围可以通过由5μm、10μm和15μm构成的第1组和/或由30μm、35μm和40μm构成的第2组来限定。间隔G45的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G45的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G45的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G45可以为5μm以上且40μm以下，也可以为5μm以上且35μm以下，也可以为5μm以上且30μm以下，也可以为5μm以上且15μm以下，也可以为5μm以上且10μm以下，也可以为10μm以上且40μm以下，也可以为10μm以上且35μm以下，也可以为10μm以上且30μm以下，也可以为10μm以上且15μm以下，也可以为15μm以上且40μm以下，也可以为15μm以上且35μm以下，也可以为15μm以上且30μm以下，也可以为30μm以上且40μm以下，也可以为30μm以上且35μm以下，也可以为35μm以上且40μm以下。
位于掩模第4区域M4的第1贯通孔53A可以具有与位于掩模第3区域M3的第1贯通孔53A不同的形状。例如，位于掩模第4区域M4的第1贯通孔53A可以包括第1类型贯通孔53AA或第2类型贯通孔53AB。第1类型贯通孔53AA包括第1主孔53A1和第1副孔53A2中的至少任意一方。第2类型贯通孔53AB也包括第1主孔53A1和第1副孔53A2中的至少任意一方。
第1类型贯通孔53AA的第1主孔53A1的个数与第2类型贯通孔53AB的第1主孔53A1的个数不同。或者，第1类型贯通孔53AA的第1副孔53A2的个数与第2类型贯通孔53AB的第1副孔53A2的个数不同。例如，第1类型贯通孔53AA包括1个第1主孔53A1。第1类型贯通孔53AA也可以不包括第1副孔53A2。第2类型贯通孔53AB包括1个第1主孔53A1和1个第1副孔53A2。1个第1副孔53A2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第1主孔53A1排列。
掩模第4区域M4可以包括孔第1排列53A_1、孔第2排列53A_2以及孔第3排列53A_3中的至少2个。孔第1排列53A_1是指在掩模第1方向D1上排列的第1类型贯通孔53AA与第2类型贯通孔53AB的组合。孔第2排列53A_2是指在掩模第1方向D1上排列的2个第1类型贯通孔53AA的组合。孔第3排列53A_3是指在掩模第1方向D1上排列的2个第2类型贯通孔53AB的组合。
掩模第4区域M4可以包括孔第4排列53A_4和孔第5排列53A_5。孔第4排列53A_4是指在掩模第2方向D2上排列的第1类型贯通孔53AA与第2类型贯通孔53AB的组合。孔第5排列53A_5是指在掩模第2方向D2上排列的2个第1类型贯通孔53AA的组合。虽未图示，但掩模第4区域M4可以包括孔第6排列53A_6。孔第6排列53A_6是指在掩模第2方向D2上排列的2个第2类型贯通孔53AB的组合。
参照图17，对第2掩模50B进行说明。对于第2掩模50B的与第1掩模50A同样地构成的部分，有时省略重复的说明。
第2掩模50B具备第2贯通孔53B和第2遮蔽区域54B。第2贯通孔53B与第1贯通孔53A同样地在掩模第1方向D1和掩模第2方向D2上排列。
位于掩模第3区域M3的第2贯通孔53B可以包括第2主孔53B1和第2副孔53B2。第2主孔53B1的面积可以比第2副孔53B2的面积大，也可以相同。
第2副孔53B2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第2主孔53B1排列。例如，第2贯通孔53B可以包括：第2主孔53B1；在掩模第3方向D3上与第2主孔53B1排列的第2副孔53B2；以及在掩模第4方向D4上与第2主孔53B1排列的第2副孔53B2。
作为第2主孔53B1与第2副孔53B2之间在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上的间隔的范围，能够采用上述的间隔G45的范围。
位于掩模第4区域M4的第2贯通孔53B可以具有与位于掩模第3区域M3的第2贯通孔53B不同的形状。例如，位于掩模第4区域M4的第2贯通孔53B可以包括第1类型贯通孔53BA或第2类型贯通孔53BB。与第1掩模50A的情况相同，第1类型贯通孔53BA包含第2主孔53B1和第2副孔53B2中的至少任意一方。第2类型贯通孔53BB也包括第2主孔53B1和第2副孔53B2中的至少任意一方。
第1类型贯通孔53BA的第2主孔53B1的个数与第2类型贯通孔53BB的第2主孔53B1的个数不同。或者，第1类型贯通孔53BA的第2副孔53B2的个数与第2类型贯通孔53BB的第2副孔53B2的个数不同。例如，第1类型贯通孔53BA包括1个第2主孔53B1和1个第2副孔53B2。1个第2副孔53B2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第2主孔53B1排列。第2类型贯通孔53BB包括1个第2主孔53B1和2个第2副孔53B2。2个第2副孔53B2可以分别在掩模第3方向D3和掩模第4方向D4上与第2主孔53B1排列。
掩模第4区域M4可以包括孔第1排列53B_1、孔第2排列53B_2和孔第3排列53B_3中的至少2个。孔第1排列53B_1是指在掩模第1方向D1上排列的第1类型贯通孔53BA与第2类型贯通孔53BB的组合。孔第2排列53B_2是指在掩模第1方向D1上排列的2个第1类型贯通孔53BA的组合。孔第3排列53B_3是指在掩模第1方向D1上排列的2个第2类型贯通孔53BB的组合。
掩模第4区域M4可以包括孔第4排列53B_4和孔第5排列53B_5。孔第4排列53B_4是指在掩模第2方向D2上排列的第1类型贯通孔53BA与第2类型贯通孔53BB的组合。孔第5排列53B_5是指在掩模第2方向D2上排列的2个第1类型贯通孔53BA的组合。虽未图示，但掩模第4区域M4可以包括孔第6排列53B_6。孔第6排列53B_6是指在掩模第2方向D2上排列的2个第2类型贯通孔53BB的组合。
参照图18，对第3掩模50C进行说明。对于第3掩模50C的与第1掩模50A同样地构成的部分，有时省略重复的说明。
3掩模50C具备第3贯通孔53C和第3遮蔽区域54C。第3贯通孔53C与第1贯通孔53A同样地在掩模第1方向D1和掩模第2方向D2上排列。
位于掩模第3区域M3的第3通孔53C可以包括第3主孔53C1和第3副孔53C2。第3副孔53C2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第3主孔53C1排列。例如，第3贯通孔53C可以包括：第3主孔53C1；在掩模第3方向D3上与第3主孔53C1排列的第3副孔53C2；以及在掩模第4方向D4上与第3主孔53C1排列的第3副孔53C2。
作为第3主孔53C1与第3副孔53C2之间在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上的间隔的范围，能够采用上述的间隔G45的范围。
位于掩模第4区域M4的第3贯通孔53C可以具有与位于掩模第3区域M3的第3贯通孔53C不同的形状。例如，位于掩模第4区域M4的第3贯通孔53C可以包括第1类型贯通孔53CA或第2类型贯通孔53CB。与第1掩模50A的情况同样地，第1类型贯通孔53CA包含第3主孔53C1和第3副孔53C2中的至少任意一方。第2类型贯通孔53CB也包括第3主孔53C1和第3副孔53C2中的至少任意一方。
第1类型贯通孔53CA的第3主孔53C1的个数与第2类型贯通孔53CB的第3主孔53C1的个数不同。或者，第1类型贯通孔53CA的第3副孔53C2的个数与第2类型贯通孔53CB的第3副孔53C2的个数不同。例如，第1类型贯通孔53CA包括1个第3主孔53C1和1个第3副孔53C2。1个第3副孔53C2可以在掩模第3方向D3或掩模第4方向D4上与第3主孔53C1排列。第2类型贯通孔53CB包括1个第3主孔53C1和2个第3副孔53C2。2个第3副孔53C2可以分别在掩模第3方向D3和掩模第4方向D4上与第3主孔53C1排列。
掩模第4区域M4可以包括孔第1排列53C_1、孔第2排列53C_2和孔第3排列53C_3中的至少2个。孔第1排列53C_1是指在掩模第1方向D1上排列的第1类型贯通孔53CA和第2类型贯通孔53CB的组合。孔第2排列53C_2是指在掩模第1方向D1上排列的2个第1类型贯通孔53CA的组合。孔第3排列53C_3是指在掩模第1方向D1上排列的2个第2类型贯通孔53CB的组合。
掩模第4区域M4可以包括孔第4排列53C_4和孔第5排列53C_5。孔第4排列53C_4是指在掩模第2方向D2上排列的第1类型贯通孔53CA与第2类型贯通孔53CB的组合。孔第5排列53C_5是指在掩模第2方向D2上排列的2个第1类型贯通孔53CA的组合。虽未图示，但掩模第4区域M4可以包括孔第6排列53C_6。孔第6排列53C_6是指在掩模第2方向D2上排列的2个第2类型贯通孔53CB的组合。
在测量各掩模50A～50C的贯通孔53A～53C的形状和配置的方法中，使平行光沿着各掩模的法线方向入射到第1面51a和第2面51b的一方。平行光从第1面51a和第2面51b的另一方射出。测量射出的光所占的区域的形状作为贯通孔53的形状。
接下来，对第1掩模50A、第2掩模50B以及第3掩模50C的位置关系进行说明。图19是示出掩模层叠体55的俯视图。掩模层叠体55具备重叠的2片以上的掩模50。图19所示的掩模层叠体55具备重叠的第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C。
在掩模层叠体55中，各掩模50A～50C的校准标识50M可以重合。或者，可以基于各掩模50A～50C的单元52的配置使各掩模50A～50C重叠。或者，可以基于各掩模50A～50C的贯通孔53A～53C和遮蔽区域54A～54C的配置使各掩模50A～50C重叠。在重叠各掩模50A～50C时，可以对各掩模50A～50C施加张力，也可以不施加张力。
另外，对于将2张以上的掩模50重叠的状态的图，可以通过将各掩模50的图像数据重叠而得到。例如，首先，使用拍摄装置，分别取得与各掩模50A～50C的贯通孔53A～53C的轮廓相关的图像数据。接着，使用图像处理装置，重叠各掩模50A～50C的图像数据。由此，能够制作出图19那样的图。在取得图像数据时，可以对各掩模50A～50C施加张力，也可以不施加张力。对于将2片以上的掩模50重叠的状态的图，也可以通过将用于制造各掩模50A～50C的设计图重叠而得到。
如图19所示，掩模层叠体55具备贯通区域55A。贯通区域55A在俯视时包含各掩模50A～50C的贯通孔53A～53C中的至少1个。即，贯通区域55A在俯视时与各掩膜50A～50C的贯穿孔53A～53C中的至少任意一个重叠。因此，在蒸镀工序中，在与贯通区域55A对应的基板110的区域形成至少1层的第2电极140。
贯通区域55A可以包含孔重叠区域59。孔重叠区域59是在俯视时2个以上的掩模50的贯通孔53相重叠的区域。即，孔重叠区域59在俯视时包含掩模层叠体55所包含的2个以上的掩模50的贯通孔53中的至少2个。在图19所示的例子中，孔重叠区域59在俯视时包括：第1贯通孔53A与第2贯通孔53B重叠的区域；第1贯通孔53A与第3贯通孔53C重叠的区域；或者第2贯通孔53B与第3贯通孔53C重叠的区域。因此，在蒸镀工序中，在与孔重叠区域59对应的基板110的区域形成至少2层的第2电极140。
在俯视时，掩模层叠体55具备掩模第1区域M1和掩模第2区域M2。掩模第1区域M1对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第2区域M2对应于有机器件100的第2显示区域102。
在掩模第1区域M1中，贯通区域55A具有第1开口率。关于第1开口率，通过将位于掩模第1区域M1的贯通区域55A的面积的合计除以掩模第1区域M1的面积来算出。在掩模第2区域M2中，贯通区域55A具有第2开口率。关于第2开口率，通过将位于掩模第2区域M2的贯通区域55A的面积的合计除以掩模第2区域M2的面积来算出。第2开口率可以小于第1开口率。
第2开口率与第1开口率之比例如可以为0.2以上，也可以为0.3以上，也可以为0.4以上。第2开口率与第1开口率之比例如可以为0.6以下，也可以为0.7以下，也可以为0.8以下。第2开口率与第1开口率之比的范围可以通过由0.2、0.3以及0.4构成的第1组和/或由0.6、0.7以及0.8构成的第2组来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2开口率与第1开口率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第2开口率与第1开口率之比可以为0.2以上且0.8以下，可以为0.2以上且0.7以下，可以为0.2以上且0.6以下，可以为0.2以上且0.4以下，可以为0.2以上且0.3以下，可以为0.3以上且0.8以下，可以为0.3以上且0.7以下，可以为0.3以上且0.6以下，可以为0.3以上且0.4以下，可以为0.4以上且0.8以下，可以为0.4以上且0.7以下，可以为0.4以上且0.6以下，可以为0.6以上且0.8以下，可以为0.6以上且0.7以下，可以为0.7以上且0.8以下。
孔重叠区域59的面积可以小于第1贯通孔53A的面积。例如，孔重叠区域59的面积可以小于第1主孔53A1的面积。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比例如可以为0.02以上，也可以为0.05以上，也可以为0.10以上。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比例如可以为0.20以下，也可以为0.30以下，也可以为0.40以下。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05以及0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30以及0.40构成的第2组来限定。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比可以为0.02以上且0.40以下，也可以为0.02以上且0.30以下，也可以为0.02以上且0.20以下，也可以为0.02以上且0.10以下，也可以为0.02以上且0.05以下，也可以为0.05以上且0.40以下，也可以为0.05以上且0.30以下，也可以为0.05以上且0.20以下，也可以为0.05以上且0.10以下，也可以为0.10以上且0.40以下，也可以为0.10以上且0.30以下，也可以为0.10以上且0.20以下，也可以为0.20以上且0.40以下，也可以为0.20以上且0.30以下，也可以为0.30以上且0.40以下。
孔重叠区域59的面积可以小于第1副孔53A2的面积。作为孔重叠区域59的面积与第1副孔53A2的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比”的范围。
孔重叠区域59的面积可以小于第2主孔53B1的面积。作为孔重叠区域59的面积与第2主孔53B1的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比”的范围。
孔重叠区域59的面积可以小于第2副孔53B2的面积。作为孔重叠区域59的面积与第2副孔53B2的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比”的范围。
孔重叠区域59的面积可以小于第3主孔53C1的面积。作为孔重叠区域59的面积与第3主孔53C1的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比”的范围。
孔重叠区域59的面积可以小于第3副孔53C2的面积。作为孔重叠区域59的面积与第3副孔53C2的面积之比的范围，可以采用上述的“孔重叠区域59的面积与第1主孔53A1的面积之比”的范围。
如图19所示，位于掩模第2区域M2的贯通区域55A可以包含在掩模第1方向D1上排列的2个以上的贯通线55L。贯通线55L可以在掩模第2方向D2延伸。例如，贯通线55L可以包括与掩模第1区域M1的贯通区域55A连接的第3端和第4端。第4端在掩模第2方向D2上位于与第3端相反的一侧。
标号G17表示在掩模第1方向D1上相邻的2个贯通线55L之间的间隔。标号W17表示贯通线55L在掩模第1方向D1上的尺寸的最大值。间隔G17可以以尺寸W17为基准来确定。
间隔G17与尺寸W17之比例如可以为0.2以上，也可以为0.4以上，也可以为0.6以上。间隔G17与尺寸W17之比例如可以为1.0以下，也可以为2.0以下，也可以为3.0以下。间隔G17与尺寸W17之比的范围可以通过由0.2、0.4以及0.6构成的第1组和/或由1.0、2.0以及3.0构成的第2组来限定。间隔G17与尺寸W17之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G17与尺寸W17之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G17与尺寸W17之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G17与尺寸W17之比可以为0.2以上且3.0以下，也可以为0.2以上且2.0以下，也可以为0.2以上且1.0以下，也可以为0.2以上且0.6以下，也可以为0.2以上且0.4以下，也可以为0.4以上且3.0以下，也可以为0.4以上且2.0以下，也可以为0.4以上且1.0以下，也可以为0.4以上且0.6以下，也可以为0.6以上且3.0以下，也可以为0.6以上且2.0以下，也可以为0.6以上且1.0以下，也可以为1.0以上且3.0以下，也可以为1.0以上且2.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下。
间隔G17例如可以为10μm以上，也可以为50μm以上，也可以为100μm以上，也可以为150μm以上。间隔G17例如可以为200μm以下，也可以为250μm以下，也可以为300μm以下。间隔G17的范围可以通过由10μm、50μm、100μm以及150μm构成的第1组和/或由200μm、250μm以及300μm构成的第2组来限定。间隔G17的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。间隔G17的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。间隔G17的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，间隔G17可以为10μm以上且300μm以下，也可以为10μm以上且250μm以下，也可以为10μm以上且200μm以下，也可以为10μm以上且150μm以下，也可以为10μm以上且100μm以下，也可以为10μm以上且50μm以下，也可以为50μm以上且300μm以下，也可以为50μm以上且250μm以下，也可以为50μm以上且200μm以下，也可以为50μm以上且150μm以下，也可以为50μm以上且100μm以下，也可以为100μm以上且300μm以下，也可以为100μm以上且250μm以下，也可以为100μm以上且200μm以下，也可以为100μm以上且150μm以下，也可以为150μm以上且300μm以下，也可以为150μm以上且250μm以下，也可以为150μm以上且200μm以下，也可以为200μm以上且300μm以下，也可以为200μm以上且250μm以下，也可以为250μm以上且300μm以下。
优选地，间隔G17不是恒定的。例如，间隔G17可以根据在掩模第1方向D1或掩模第2方向D2上的位置而变化。由此，能够使有机器件100的2个电极线140L之间的间隔G11根据位置而变化。
如图19所示，贯通线55L可以包括在掩模第2方向D2上排列的2个以上的贯通区段56。贯通区段56可以在蒸镀工序时与有机层130重叠。例如，1个贯通段56可以与1个有机层130重叠。在掩模第2方向D2上相邻的2个贯通段56可以相互连接。
贯通段56可以包含第1贯通段56A和第2贯通段56B。第1贯通段56A可以具有第1形状。第2贯通区段56B可以具有与第1形状不同的第2形状。即，第2贯通区段56B的形状可以与第1贯通区段56A的形状不同。由于贯通段56包括具有互不相同的形状的第1贯通段56A和第2贯通段56B，因此能够抑制间隔G17与位置无关地变得恒定的情况。也将贯通段56的形状称为贯通形状。
贯通段56可以包括掩模第1连接562A和掩模第2连接562B。掩模第1连接562A是指在掩模第2方向D2上连接的第1贯通段56A和第2贯通段56B的组合。掩模第2连接562B是指在掩模第2方向D2上连接的2个第1贯通段56A的组合。
贯通段56可以包含掩模第1排列561A和掩模第2排列561B。掩模第1排列561A是指在掩模第1方向D1上排列的第1贯通段56A与第2贯通段56B的组合。掩模第2和561B是指在掩模第1方向D1上排列的2个第1贯通段56A的组合。
贯通段56可以包括掩模第1排列561A、掩模第2排列561B和掩模第3排列561C。掩模第3排列561C是指在掩模第1方向D1上排列的2个第2贯通段56B的组合。
第1贯通段56A和第2贯通段56B可以以间隔G17不规则地变化的方式配置。例如，第1贯通段56A和第2贯通段56B可以基于斐波那契数列来配置。
第1贯通形状与第2贯通形状之间的具体的不同点是任意的。例如，第2贯通形状的面积可以与第1贯通形状的面积不同。例如，第2贯通形状在掩模第1方向D1或掩模第2方向D2上的尺寸可以与第1贯通形状在掩模第1方向D1或掩模第2方向D2上的尺寸不同。例如，第2贯通形状在掩模第1方向D1或掩模第2方向D2上的端部的位置可以与第1贯通形状在掩模第1方向D1或掩模第2方向D2上的端部的位置不同。
参照图20和图21，对第1贯通段56A的形状和第2贯通段56B的形状的具体例进行说明。图20是示出第1贯通段56A的一例的俯视图。图21是示出第2贯通段56B的一例的俯视图。可以利用通过了第1贯通段56A的蒸镀材料形成图4的第1电极部141A。可以利用通过了第2贯通段56B的蒸镀材料形成图5的第2电极部141B。
如图20所示，第1贯通段56A可以包括第1主段57A和第1副段58A。在蒸镀工序时，第1主段57A可以在俯视时与有机层130重叠。第1副段58A可以与第1主段57A连接。第1副段58A可以包括第5连接端58A1和第6连接端58A2。第5连接端58A1与第1主段57A连接。第6连接端58A2在掩模第2方向D2上位于与第5连接端58A1相反的一侧。
如图21所示，第2贯通段56B可以包括第2主段57B和第2副段58B。在蒸镀工序时，第2主段57B可以在俯视时与有机层130重叠。第2副段58B可以与第2主段57B连接。第2副段58B可以包含第7连接端58B1和第8连接端58B2。第7连接端58B1与第2主段57B连接。第8连接端58B2在掩模第2方向D2上位于与第7连接端58B1相反的一侧。
第1副段58A的形状可以与第2副段58B的形状不同。
例如，第1副段58A的面积可以与第2副段58B的面积不同。在图20和图21所示的例子中，第1副段58A的面积小于第2副段58B的面积。
例如，第1副段58A在掩模第1方向D1上的尺寸W4A的平均值可以与第2连接段143B在掩模第1方向D1上的尺寸W4B的平均值不同。在图20及图21所示的例子中，尺寸W4A的平均值小于尺寸W4B的平均值。
例如，第6连接端58A2在掩模第1方向D1上的位置可以与第8连接端58B2在掩模第1方向D1上的位置不同。“位置”可以是指相对于在蒸镀工序时与贯通段56重叠的有机层130的相对位置。在图20所示的例子中，第5连接端58A1在掩模第1方向D1上的位置与第6连接端58A2在掩模第1方向D1上的位置相同。在图21所示的例子中，第7连接端58B1在掩模第1方向D1上的位置与第8连接端58B2在掩模第1方向D1上的位置不同。如图20和图21所示，第5连接端58A1在掩模第1方向D1上的位置与第7连接端58B1在掩模第1方向D1上的位置相同。另一方面，第6连接端58A2在掩模第1方向D1上的位置与第8连接端58B2在掩模第1方向D1上的位置不同。“位置相同”是指2个连接端的中间点在掩模第1方向D1上的位置之差为尺寸W17/4以下。“位置不同”是指2个连接端的中间点在掩模第1方向D1上的位置之差大于尺寸W17/4。
第1副段58A在掩模第1方向D1上的尺寸W4A的平均值可以小于第1主段57A在掩模第1方向D1上的尺寸W3A的平均值。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比例如可以为0.1以上，也可以为0.2以上，也可以为0.3以上。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比例如可以为0.7以下，也可以为0.8以下，也可以为0.9以下。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比的范围可以通过由0.1、0.2以及0.3构成的第1组和/或由0.7、0.8以及0.9构成的第2组来限定。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比可以为0.1以上且0.9以下，也可以为0.1以上且0.8以下，也可以为0.1以上且0.7以下，也可以为0.1以上且0.3以下，也可以为0.1以上且0.2以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.8以下，也可以为0.2以上且0.7以下，也可以为0.2以上且0.3以下，也可以为0.3以上且0.9以下，也可以为0.3以上且0.8以下，也可以为0.3以上且0.7以下，也可以为0.7以上且0.9以下，也可以为0.7以上且0.8以下，也可以为0.8以上且0.9以下。
第1副段58A在掩模第2方向D2上的尺寸L4A可以根据第1主段57A在掩模第2方向D2上的尺寸L3A来确定。尺寸L4A与尺寸L3A之比例如可以为0.2以上，也可以为0.6以上，也可以为0.9以上。尺寸L4A与尺寸L3A之比例如可以为2.0以下，也可以为2.5以下，也可以为3.0以下。尺寸L4A与尺寸L3A之比的范围可以通过由0.2、0.6以及0.9构成的第1组和/或由2.0、2.5以及3.0构成的第2组来限定。尺寸L4A与尺寸L3A之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸L4A与尺寸L3A之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸L4A与尺寸L3A之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸L4A与尺寸L3A之比可以为0.2以上且3.0以下，也可以为0.2以上且2.5以下，也可以为0.2以上且2.0以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.6以下，也可以为0.6以上且3.0以下，也可以为0.6以上且2.5以下，也可以为0.6以上且2.0以下，也可以为0.6以上且0.9以下，也可以为0.9以上且3.0以下，也可以为0.9以上且2.5以下，也可以为0.9以上且2.0以下，也可以为2.0以上且3.0以下，也可以为2.0以上且2.5以下，也可以为2.5以上且3.0以下。之比例如是尺寸L4A的最大值与尺寸L3A的最大值之比。
第2副段58B在掩模第1方向D1上的尺寸W4B的平均值可以小于第2主段57B在掩模第1方向D1上的尺寸W3B的平均值。作为尺寸W4B的平均值与尺寸W3B的平均值之比的范围，可以采用上述的“尺寸W4A的平均值与尺寸W3A的平均值之比的范围”。
第2副段58B在掩模第2方向D2上的尺寸L4B可以根据第2主段57B在掩模第2方向D2上的尺寸L3B来确定。作为尺寸L4B与尺寸L3B之比的范围，可以采用上述的“尺寸L4A与尺寸L3A之比的范围”。
如图20所示，第1贯通段56A可以包含第1主孔53A1、第2主孔53B1、第3主孔53C1、第2副孔53B2和第3副孔53C2。第2主孔53B1在掩模第2方向D2上位于第1主孔53A1与第3主孔53C1之间。第2主孔53B1可以在掩模第2方向D2上与第1主孔53A1和第3主孔53C1连接。第2副孔53B2和第3副孔53C2可以在掩模第1方向D1上与第1主孔53A1连接。第2副孔53B2可以在掩模第2方向D2上与第3副孔53C2连接。
第2贯通段56B可以包含第1主孔53A1、第2主孔53B1、第1副孔53A2、2个第2副孔53B2和2个第3副孔53C2。第2主孔53B1可以在掩模第2方向D2上与第1主孔53A1连接。第1个第2副孔53B2和第1个第3副孔53C2可以在掩模第1方向D1上与第1主孔53A1连接。第1个第2副孔53B2可以在掩模第2方向D2上与第1个第3副孔53C2连接。第2个第3副孔53C2可以在掩模第1方向D1上与第2主孔53B1连接。第2个第2副孔53B2可以在掩模第2方向D2上与第2个第3副孔53C2连接。第1副孔53A2可以在掩模第2方向D2上与第2个第2副孔53B2连接。
在掩模第1区域M1中，可以沿着掩模第2方向D2反复排列第1主孔53A1、第2主孔53B1和第3主孔53C1。在第1显示区域101中，可以沿着掩模第2方向D2反复排列第3副孔53C2、第2副孔53B2和第1副孔53A2。第1主孔53A1、第2主孔53B1以及第3主孔53C1的列与第3副孔53C2、第2副孔53B2以及第1副孔53A2的列可以在掩模第1方向D1上连接。
接下来，对制造有机器件100的方法的一例进行说明。
首先，准备形成有第1电极120的基板110。第1电极120例如通过如下方式而形成，即，在通过溅镀法等而在基板110上形成了构成第1电极120的导电层之后，通过光刻法等对导电层进行构图。俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160可以形成于基板110。
接着，如图7所示，在第1电极120上形成包括第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C的有机层130。第1有机层130A例如可以通过使用具有与第1有机层130A对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。例如，通过使有机材料等经由掩模蒸镀到与第1有机层130A对应的第1电极120上，由此能够形成第1有机层130A。第2有机层130B也可以通过使用具有与第2有机层130B对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。第3有机层130C也可以通过使用具有与第3有机层130C对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。
接着，可以实施第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，使用上述的掩模组在有机层130上形成第2电极140。首先，可以实施通过使用第1掩模50A的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140A的工序。例如，经由第1掩模50A将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第1层140A。接着，可以实施通过使用第2掩模50B的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140B的工序。例如，经由第2掩模50B将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第2层140B。接着，可以实施通过使用第3掩模50C的蒸镀法来形成第2电极140的第3层140C的工序。例如，经由第3掩模50C将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上。由此，能够形成第3层140C。这样，如图6所示，能够形成包含第1层140A、第2层140B以及第3层140C的第2电极140。
此外，形成第1层140A、第2层140B和第3层140C的顺序并不特别限定。例如，可以按照第3层140C、第2层140B、第1层140A的顺序实施蒸镀工序。
对本公开的方式的效果进行总结。
在有机器件100的第2显示区域102包含透射区域104的情况下，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。因此，第2显示区域102能够检测光且显示影像。因此，能够在第2显示区域102实现照相机、指纹传感器等传感器的功能。
在2个电极线140L之间的间隔G11不固定的情况下，能够抑制透过透射区域104时发生衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。
图22是将参考方式的第2显示区域102的一例放大示出的俯视图。在图22所示的例子中，2个电极线140L之间的间隔G11恒定。在该情况下，透过透射区域104时发生衍射的光有时会在特定的方向上相互增强。因此，存在这样的情况：由设置于第2显示区域102的传感器所生成的图像变得模糊。
与此相对，根据上述的图3的例子，由于间隔G11不固定，因此能够抑制透过透射区域104时发生衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。
另外，能够对上述的一个实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对其他实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的一个实施方式同样地构成的部分，使用与对上述的一个实施方式中的对应的部分所使用的标号相同的标号，并省略重复的说明。另外，在上述的一个实施方式中得到的作用效果很明显也能够在其他的实施方式中得到的情况下，有时也省略其说明。
图23是示出第1电极段141A的一例的俯视图。图24是示出第2电极段141B的一例的俯视图。如图23和图24所示，第1像素段142A的形状可以与第2像素段142B的形状不同。
例如，第1像素段142A的面积可以与第2像素段142B的面积不同。
例如，第1像素段142A在元件第1方向G1上的尺寸W1A的平均值可以与第2像素段142B在元件第1方向G1上的尺寸W1B的平均值不同。
图25是示出第1贯通段56A的一例的俯视图。图26是示出第2贯通段56B的一例的俯视图。可以利用通过了第1贯通段56A的蒸镀材料形成图23的第1电极部141A。可以利用通过了第2贯通段56B的蒸镀材料形成图24的第2电极部141B。
图25和图26所示，第1主段57A的形状可以与第2主段57B的形状不同。
例如，第1主段57A的面积可以与第2主段57B的面积不同。
例如，第1主段57A在掩模第1方向D1上的尺寸W3A的平均值可以与第2主段57B在掩模第1方向D1上的尺寸W3B的平均值不同。
在图23～图26所示的例子中，也能够使2个电极线140L之间的间隔G11根据位置而变化。因此，能够抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。
图27是示出第2显示区域102的电极线140L的一例的俯视图。电极线140L的电极段141可以具有3种以上的形状。例如，电极段141可以除了第1电极段141A和第2电极段141B之外还包括第3电极段141C。第3电极段141C的形状与第1电极段141A的形状不同，且与第2电极段141B的形状也不同。在该情况下，贯通段56可以除了第1贯通段56A和第2贯通段56B之外还包括第3贯通段。第3贯通段与第3电极段141C对应。第3贯通段具有与第1贯通形状和第2贯通形状不同的第3贯通形状。
电极段141可以具备第4电极段141D。第4电极段141D的形状与第1电极段141A的形状不同，与第2电极段141B的形状也不同，与第3电极段141C的形状也不同。在该情况下，贯通段56可以除了第1贯通段56A、第2贯通段56B和第3贯通段之外还包括第4贯通段。第4贯通段与第4电极段141D对应。第4贯通段具有与第1贯通形状、第2贯通形状以及第3贯通形状不同的第4贯通形状。
在图27所示的例子中，电极段141包括第1电极段141A～第16电极段141P。第1电极段141A～第16电极段141P的形状可以互不相同。
参照图28～图31，对使用2片掩模50形成第2电极140的例子进行说明。图28是示出第1掩模50A的一例的俯视图。图29是示出第2掩模50B的一例的俯视图。
如图28所示，第1掩模50A的掩模第3区域M3和掩模第4区域M4可以包含在掩模第1方向D1上排列的2个以上的第1贯通孔53A。第1贯通孔53A可以在掩模第2方向D2上延伸。
如图29所示，第2掩模50B的掩模第3区域M3可以包含在掩模第1方向D1上排列的2个以上的第2贯通孔53B。第2贯通孔53B可以在掩模第2方向D2上延伸。第2掩模50B的掩模第4区域M4可以不包含第2贯通孔53B。
虽未图示，但在具备第1掩模50A和第2掩模50B的掩模层叠体55中，第2贯通孔53B可以位于在掩模第1方向D1上排列的2个第1贯通孔53A之间。在掩模层叠体55中，第2贯通孔53B可以与2个第1贯通孔53A连接。
图30是示出第1掩模50A的掩模第3区域M3和掩模第4区域M4的一例的俯视图。在第2掩模50B的掩模第4区域M4不包含第2贯通孔53B的情况下，第1掩模50A的掩模第4区域M4的第1贯通孔53A构成贯通段56。掩模第4区域M4可以包含在掩模第2方向D2上排列的2种以上的贯通段56。例如，掩模第4区域M4可以包括第1贯通段56A、第2贯通段56B、第3贯通段56C和第4贯通段56D。由此，能够使第1贯通孔53A在掩模第1方向D1上的宽度根据位置而变化。在掩模第2方向D2上排列的2个贯通段56可以在掩模第2方向D2上连接。在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53A在掩模第1方向D1上的尺寸可以恒定。
图31是示出第2掩模50B的掩模第3区域M3和掩模第4区域M4的一例的俯视图。掩模第4区域M4可以不包括第2贯通孔53B。在掩模第3区域M3中，第1贯通孔53B在掩模第2方向D1上的尺寸可以恒定。
通过使用图28～图31所示的第1掩模50A和第2掩模50B来形成第2电极140，由此能够使2个电极线140L之间的间隔G11根据位置而变化。因此，能够抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。因此，能够抑制具有高强度的衍射光入射到传感器。由此，例如能够抑制由传感器生成的图像模糊。
参照图32～图33，对使用2片掩模50形成第2电极140的例子进行说明。图32是示出第1掩模50A的一例的俯视图。图33是示出第2掩模50B的一例的俯视图。
图如图32所示，第1掩模50A的掩模第3区域M3可以包含多个第1贯通孔53A。第1贯通孔53A的配置可以是交错配置。例如，连结第1贯通孔53A的中心点的线可以是锯齿状。图如图33所示，第2掩模50B的掩模第3区域M3可以包含多个第2贯通孔53B。第2贯通孔53B的配置可以与第1贯通孔53A同样地为交错配置。例如，连结第2贯通孔53B的中心点的线可以是锯齿状。
虽未图示，但在具备第1掩模50A和第2掩模50B的掩模层叠体55中，掩模第3区域M3的第2贯通孔53B可以位于在掩模第1方向D1上排列的2个第1贯通孔53A之间。另外，掩模第3区域M3的第2贯通孔53B可以位于在掩模第2方向D2上排列的2个第1贯通孔53A之间。在掩模层叠体55中，1个第2贯通孔53B可以与4个第1贯通孔53A连接。
如图32所示，第1掩模50A的掩模第4区域M4可以包含在掩模第2方向D2上排列的2种以上的第1贯通孔53A。由此，能够使第1贯通孔53A在掩模第1方向D1上的宽度根据位置而变化。同样，如图33所示，第2掩模50B的掩模第4区域M4可以包含在掩模第2方向D2上排列的2种以上的第2贯通孔53B。由此，能够使第1贯通孔53B在掩模第2方向D1上的宽度根据位置而变化。
虽未图示，但在具备第1掩模50A和第2掩模50B的掩模层叠体55中，掩模第4区域M4的第2贯通孔53B可以位于在掩模第2方向D2上排列的2个第1贯通孔53A之间。在掩模层叠体55中，第2贯通孔53B可以与2个第1贯通孔53A连接。
参照图34～图37，对使用3片掩模50形成第2电极140的例子进行说明。图34是示出第1掩模50A的一例的俯视图。图35是示出第2掩模50B的一例的俯视图。图36是示出第3掩模50C的一例的俯视图。图37是示出第2电极140的一例的俯视图。第2电极140包含第1层140A、第2层140B和第3层140C。
如图34所示，第1掩模50A的掩模第4区域M4包含在掩模第2方向D2上不规则地排列的多个第1贯通孔53A。如图35所示，第2掩模50B的掩模第4区域M4包含在掩模第2方向D2上不规则地排列的多个第2贯通孔53B。如图36所示，第3掩模50C的掩模第4区域M4包含在掩模第2方向D2上不规则地排列的多个第3贯通孔53C。虽未图示，但在具备第1掩模50A、第2掩模50B和第3掩模50C的掩模层叠体55中，第1贯通孔53A可以在掩模第2方向D2上与第2贯通孔53B连接。在掩模层叠体55中，第1贯通孔53A和第2贯通孔53B可以在掩模第1方向D1上与第3贯通孔53C连接。
图37是示出第2电极140的一例的俯视图。第2电极140包含第1层140A、第2层140B和第3层140C。第1层140A通过使用图34的第1掩模50A而形成。第2层140B通过使用图35的第2掩模50B而形成。第3层140C通过使用图36的第3掩模50C而形成。
如图37所示，间隔G11根据在元件第1方向G1或元件第2方向G2上的位置而不规则地变化。由此，能够抑制在透过透射区域104时所衍射的光相互增强。
参照图45和图46，对电极线140L蜿蜒的例子进行说明。
图45是示出第2显示区域102的第2电极140Y的一例的俯视图。第2电极140Y包含在元件第1方向G1上排列的2个以上的电极线140L。电极线140L可以包含第1电极段141A、第2电极段141B和第3电极段141C。
第3电极段141C可以在元件第2方向G2上位于第1电极段141A与第2电极段141B之间。第3电极段141C可以与第1电极段141A和第2电极段141B连接。即，第1电极段141A和第2电极段141B可以经由第3电极段141C电连接。
第3电极段141C可以在元件第2方向G2上位于2个第1电极段141A之间。第3电极段141C可以与2个第1电极段141A连接。即，2个第1电极段141A可以经由第3电极段141C电连接。
第3电极段141C可以在元件第2方向G2上位于2个第2电极段141B之间。第3电极段141C可以与2个第2电极段141B连接。即，2个第2电极段141B可以经由第3电极段141C电连接。
第1电极段141A、第2电极段141B和第3电极段141C可以分别与1个元件115对应。1个元件115可以包含第1元件115A、第2元件115B和第3元件。在沿着元件第2方向G2观察的情况下，与第1电极段141A对应的元件115和与第2电极段141B对应的元件115可以重叠。在沿着第2方向G2观察的情况下，与第3电极段141C对应的多个元件115可以重叠。在沿着第2方向G2观察的情况下，与第3电极段141C对应的元件115可以不与对应于第1电极段141A的元件115和对应于第2电极段141B的元件115重叠。例如，电极线140L可以构成交错排列的多个元件115。
图46是示出第1电极段141A、第2电极段141B和第3电极段141C的一个例子的俯视图。第1电极段141A可以包括第1像素段142A和第1连接段143A。第2电极段141B可以包括第2像素段142B和第2连接段143B。第3电极段141C可以包括第3像素段142C和第3连接段143C。第3连接段143C可以与第1连接段143A或第2连接段143B连接。
第1像素段142A、第2像素段142B以及第3像素段142C可以分别包含与1个有机层130重叠的1个第1层140A、与1个有机层130重叠的1个第2层140B、以及与1个有机层130重叠的1个第3层140C。第1像素段142A、第2像素段142B和第3像素段142C可以具有相同的形状。
在沿着元件第2方向G2观察的情况下，第1像素段142A与第2像素段142B可以重叠。在沿着第2方向G2观察的情况下，多个第3像素段142C可以重叠。在沿着第2方向G2观察的情况下，第3像素段142C可以不与第1像素段142A和第2像素段142B重叠。
第1连接段143A的形状可以与第2连接段143B的形状或第3连接段143C的形状不同。第2连接段143B的形状可以与第3连接段143C的形状相同，也可以不同。
参照图47和图48，对有机器件100的一例进行说明。
图47是示出有机器件100的一例的俯视图。将位于第1显示区域101的元件115也表示为元件115X。将位于第2显示区域102的元件115也表示为元件115Y。
在第1显示区域101中，元件115X的有机层可以沿着元件第1方向G1以第11周期P11排列。在第2显示区域102中，元件115Y的有机层可以沿着元件第1方向G1以第12周期P12排列。第12周期P12可以与第11周期P11相同。通过使第12周期P12与第11周期P11相同，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
在第1显示区域101中，元件115X的有机层可以沿着元件第2方向G2以第21周期P21排列。在第2显示区域102中，元件115Y的有机层可以沿着元件第2方向G2以第22周期P22排列。第22周期P22可以与第21周期P21相同。通过使第22周期P22与第21周期P21相同，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差。
图48是示出图47的第2显示区域102的一例的俯视图。第2显示区域102的元件115Y的面积可以小于第1显示区域101的元件115X的面积。例如，第2显示区域102的元件115Y的有机层的面积可以小于第1显示区域101的元件115X的有机层的面积。例如，第2显示区域102的元件115Y的第1电极的面积可以小于第1显示区域101的元件115X的第1电极的面积。通过使元件115Y的面积比元件115X的面积小，由此，如图48所示，能够在第2显示区域102形成透射区域104。多个电极线140L可以与元件115Y同样地在元件第2方向G1上以第12周期P12排列。
元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比例如可以为0.1以上，也可以为0.2以上，也可以为0.3以上。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比例如可以为0.5以下，也可以为0.7以下，也可以为0.9以下。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以通过由0.1、0.2以及0.3构成的第1组和/或由0.5、0.7以及0.9构成的第2组来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，元件115Y的第1电极的面积与元件115X的第1电极的面积之比可以为0.1以上且0.9以下，也可以为0.1以上且0.7以下，也可以为0.1以上且0.5以下，也可以为0.1以上且0.3以下，也可以为0.1以上且0.2以下，也可以为0.2以上且0.9以下，也可以为0.2以上且0.7以下，也可以为0.2以上且0.5以下，也可以为0.2以上且0.3以下，也可以为0.3以上且0.9以下，也可以为0.3以上且0.7以下，也可以为0.3以上且0.5以下，也可以为0.5以上且0.9以下，也可以为0.5以上且0.7以下，也可以为0.7以上且0.9以下。
参照图49至图52，对形成透射区域104的方法的一例进行说明。具体而言，针对在形成第2电极140的工序之前在基板110上形成抑制层的例子进行说明。抑制层具有使构成第2电极140的导电性材料难以附着的特性。
图49是示出用于形成抑制层的掩模60的一例的俯视图。掩模60包含至少1个单元62。单元62包括贯通孔63和遮蔽区域64。掩模60可以包含2个以上的单元62。1个单元62可以与1个有机EL显示装置的显示区域、即1个画面对应。
掩模60与上述的掩模50同样地具备掩模第3区域M3和掩模第4区域M4。掩模第3区域M3对应于有机器件100的第1显示区域101。掩模第4区域M4对应于有机器件100的第2显示区域102。
掩模第3区域M3包含遮蔽区域64。掩模第3区域M3可以不包含贯通孔63。即，掩模第3区域M3的整个区域可以由遮蔽区域64构成。
掩模第4区域M4包括贯通孔63和遮蔽区域64。掩模第4区域M4的贯通孔63与透射区域104对应。例如，掩模第4区域M4可以包括在掩模第1方向D1上排列的多个贯通孔63。贯贯通孔63可以在掩模第1方向D1上横穿掩模第4区域M4。掩模第4区域M4的遮蔽区域64与第2电极140Y对应。例如，掩模第4区域M4可以包括在掩模第1方向D1上排列的多个遮蔽区域64。例如，遮蔽区域64可以在掩模第2方向D2上延伸。例如，掩模第4区域M4的遮蔽区域64可以包括与掩模第3区域M3的遮蔽区域64连接的第1端及第2端。第2端在掩模第2方向D2上位于与第1端相反的一侧。
图50是示出形成抑制层170的抑制层形成工序的一例的剖视图。抑制层形成工序在形成有机层130的工序之后且在形成第2电极140的工序之前实施。
抑制层形成工序可以包括经由掩模60将抑制层170的材料蒸镀到基板110上的工序。如图50所示，在基板110的与贯通孔63重叠的区域形成抑制层170。
图51是示出用于形成第2电极140的掩模50的一例的俯视图。掩模50包含至少1个单元52。单元52由贯通孔53构成。单元52被遮蔽区域54包围。
图52是示出形成第2电极140的工序的一个例子的剖视图。第2电极140通过经由图51的掩模50使第2电极140的材料蒸镀到基板110而形成。如上所述，抑制层170具有构成第2电极140的导电性材料难以附着的特性。如图52所示，能够抑制在抑制层170上形成第2电极140。因此，形成有抑制层170的区域能够作为透射区域104发挥功能。
抑制层170具有透明性。例如，包含有基板110和抑制层170的层叠体的透射率优选为70％以上，更优选为80％以上。包含有基板110和抑制层170的层叠体的透射率可通过依据JIS K7361-1的塑料-透明材料的总透光率的试验方法来测量。
抑制层170的材料可以是在WO2017072678A1或WO2019150327A1中记载的核生成抑制涂层(nucleation inhibiting coating)的材料。例如，抑制层170的材料可以包含低分子有机材料和有机聚合物等有机材料。有机材料例如可以是多环芳香族化合物。多环芳香族化合物包含有机分子，该有机分子包含核部分和与核部分键合的至少1个末端部分。有机分子可以含有氮、硫、氧、磷、铝等的1个或多个杂原子。末端部分的数量可以为1个以上，可以为2个以上，可以为3个以上，也可以为4个以上。在有机分子包含2个以上的末端部分的情况下，2个以上的末端部位可以相同，也可以不同。
末端部分可以包含由以下的化学结构(l-a)、(l-b)和(l-c)中的任意表示的联苯部分。
(l-a)
(l-b)
(l-c)
取代基Ra及Rb可以分别独立地选自氘、氟、包含C1～C4烷基的烷基、环烷基、芳基烷基、甲硅烷基、芳基、杂芳基、氟烷基、以及它们的任意组合。
参照图53和图54，对形成透射区域104的方法的一例进行说明。具体而言，针对通过将第2电极140部分地除去而形成透射区域104的例子进行说明。
图53是示出形成第2电极140的工序的一个例子的剖视图。图53的第2电极140例如通过经由图51所示的掩模50使第2电极140的材料蒸镀到基板110上而形成。在该情况下，第2电极140遍及第1显示区域101和第2显示区域102的整个区域而形成。
在形成第2电极140的工序之后，实施将第2电极140部分地除去的工序。例如，如图54所示，对第2显示区域102的第2电极140局部地照射激光L。被激光L照射的第2电极140飞散，由此形成透射区域104。
虽然未图示，但激光L可以经由激光掩模向第2电极140照射。激光掩模包含与透射区域104对应的贯通孔。
【实施例】
接下来，通过实施例对本公开的实施方式更具体地进行说明，但是，本公开的实施方式只要不超出其主旨，则不受以下的实施例的记载限定。
例1
通过仿真验证了在通过了电极线140L之间的光中产生的衍射。
设计了图38所示的基板110和第2电极140。第2电极140包括在元件第1方向G1上排列的多个电极线140L。电极线140L与图3所示的电极线140L相同。间隔G11根据在元件第1方向G1和元件第2方向G2上的位置而不规则地变化。
基于图39所示的结构，通过仿真算出了在电极线140L之间通过并到达屏幕113的光的强度分布。首先，使光L1沿着基板110的法线方向入射到基板110。接着，通过仿真来算出由电极线140L所产生的光的衍射。标号L2表示未被衍射而直线前进并到达屏幕113的光。标号Pc表示屏幕113上的光L3的到达点。标号L3表示在通过电极线140L之间时被衍射的光。光L1的波长为550nm。电极线140L与屏幕113之间的距离为5000mm。无视由基板110引起的光的折射。
将仿真的结果示于图40及图41。横轴表示距点Pc的距离。纵轴表示到达屏幕113的光的强度。图40是将电极线140L的透射率设定为0％的情况下的仿真结果。图41是将电极线140L的透射率设定为60％的情况下的仿真结果。
例2
设计了图42所示的基板110和第2电极140。第2电极140包括在元件第1方向G1上排列的多个电极线140L。电极线140L与图22所示的电极线140L相同。间隔G11不依赖于元件第1方向G1和元件第2方向G2上的位置而恒定。
通过仿真算出了在电极线140L之间通过并到达屏幕113的光的强度分布。将仿真的结果示于图43及图44。图43是将电极线140L的透射率设定为0％的情况下的仿真结果。图44是将电极线140L的透射率设定为60％的情况下的仿真结果。
根据图40与图43的比较、以及图41与图44的比较可知，通过使间隔G11不规则地变化，能够抑制具有高强度的衍射光L3到达屏幕113的情况。
Claims (24)
1.一种有机器件，其特征在于，
所述有机器件具备：
基板；
第1电极，其位于所述基板上；
有机层，其位于所述第1电极上；以及
第2电极，其位于所述有机层上，
在沿着所述基板的法线方向观察的情况下，所述有机器件具备：第1显示区域，其包含具有第1占有率的所述第2电极；和第2显示区域，其包含具有比所述第1占有率小的第2占有率的所述第2电极，
在所述第2显示区域中，
所述有机层在第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向上排列，
所述第2电极包含在所述第1方向上排列的电极线，
所述电极线包含在所述第2方向上排列且与所述有机层重叠的电极段，
在所述第2方向上相邻的2个所述电极段互相连接，
所述电极段包含：具有第1形状的第1电极段；和具有与所述第1形状不同的第2形状的第2电极段。
2.根据权利要求1所述的有机器件，其特征在于，
所述第1电极段包含：与所述有机层重叠的第1像素段；和与所述第1像素段连接的第1连接段，
所述第2电极段包含：与所述有机层重叠的第2像素段；和与所述第2像素段连接的第2连接段，
所述第1连接段的形状与所述第2连接段的形状不同。
3.根据权利要求2所述的有机器件，其特征在于，
所述第1连接段的面积与所述第2连接段的面积不同。
4.根据权利要求2所述的有机器件，其特征在于，
所述第1连接段包含：与所述第1像素段连接的第1连接端；和在所述第2方向上位于与所述第1连接端相反的一侧的第2连接端，
所述第1连接端在所述第1方向上的位置与所述第2连接端在所述第1方向上的位置相同，
所述第2连接段包含：与所述第2像素段连接的第3连接端；和在所述第2方向上位于与所述第3连接端相反的一侧的第4连接端，
所述第3连接端在所述第1方向上的位置与所述第4连接端在所述第1方向上的位置不同。
5.根据权利要求1所述的有机器件，其特征在于，
所述第1电极段包含：与所述有机层重叠的第1像素段；和与所述第1像素段连接的第1连接段，
所述第2电极段包含：与所述有机层重叠的第2像素段；和与所述第2像素段连接的第2连接段，
所述第1像素段的形状与所述第2像素段的形状不同。
6.根据权利要求5所述的有机器件，其特征在于，
所述第1像素段的面积与所述第2像素段的面积不同。
7.根据权利要求5所述的有机器件，其特征在于，
所述第1像素段在所述第1方向上的尺寸与所述第2像素段在所述第1方向上的尺寸不同。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有机器件，其特征在于，
所述电极段包含：所述第1电极段和所述第2电极段在所述第2方向上连接的电极第1连接；以及所述第1电极段和所述第1电极段在所述第2方向上连接的电极第2连接。
9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有机器件，其特征在于，
所述电极段包含：所述第1电极段和所述第2电极段在所述第1方向上排列的电极第1排列；以及所述第1电极段和所述第1电极段在所述第1方向上排列的电极第2排列。
10.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有机器件，其特征在于，
所述电极段包含第3电极段，所述第3电极段具有与所述第1形状和所述第2形状不同的第3形状。
11.一种掩模组，其具有掩模第1方向和与掩模第1方向交叉的掩模第2方向，其特征在于，
所述掩模组具备2片以上的掩模，
所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，
重叠有2片以上的所述掩模的掩模层叠体具备在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下与所述贯通孔重叠的贯通区域，
在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模层叠体具备：掩模第1区域，其包含具有第1开口率的所述贯通区域；和掩模第2区域，其包含具有比所述第1开口率小的第2开口率的所述贯通区域，
在所述掩模第2区域中，所述贯通区域包含在所述掩模第1方向上排列的贯通线，
所述贯通线包含在所述掩模第2方向上排列的贯通段，
在所述掩模第2方向上相邻的2个所述贯通段互相连接，
所述贯通段包含：第1贯通段，其具有第1贯通形状；和第2贯通段，其具有与所述第1贯通形状不同的第2贯通形状。
12.根据权利要求11所述的掩模组，其特征在于，
所述第1贯通段包含：第1主段；和与所述第1主段连接的第1副段，
所述第2贯通段包含：第2主段：和与所述第2主段连接的第2副段，
所述第1副段的形状与所述第2副段的形状不同。
13.根据权利要求12所述的掩模组，其特征在于，
所述第1副段的面积与所述第2副段的面积不同。
14.根据权利要求12所述的掩模组，其特征在于，
所述第1副段包含：第5连接端，其与所述第1主段连接；和第6连接端，其在所述掩模第2方向上位于与所述第5连接端相反的一侧，
所述第5连接端在所述掩模第1方向上的位置与所述第6连接端在所述掩模第1方向上的位置相同，
所述第2副段包含：第7连接端，其与所述第2主段连接；和第8连接端，其在所述掩模第2方向上位于与所述第7连接端相反的一侧，
所述第7连接端在所述掩模第1方向上的位置与所述第8连接端在所述掩模第1方向上的位置不同。
15.根据权利要求11所述的掩模组，其特征在于，
所述第1贯通段包含：第1主段；和与所述第1主段连接的第1副段，
所述第2贯通段包含：第2主段：和与所述第2主段连接的第2副段，
所述第1主段的形状与所述第2主段的形状不同。
16.根据权利要求15所述的掩模组，其特征在于，
所述第1主段的面积与所述第2主段的面积不同。
17.根据权利要求15所述的掩模组，其特征在于，
所述第1主段在所述掩模第1方向上的尺寸与所述第2主段在所述掩模第1方向上的尺寸不同。
18.根据权利要求11至17中的任意一项所述的掩模组，其特征在于，
所述贯通段包含：所述第1贯通段和所述第2贯通段在所述掩模第2方向上连接的掩模第1连接；以及所述第1贯通段和所述第1贯通段在所述掩模第2方向上连接的掩模第2连接。
19.根据权利要求11至17中的任意一项所述的掩模组，其特征在于，
所述贯通段包含：所述第1贯通段和所述第2贯通段在所述掩模第1方向上排列的掩模第1排列；以及所述第1贯通段和所述第1贯通段在所述掩模第1方向上排列的掩模第2排列。
20.根据权利要求11至17中的任意一项所述的掩模组，其特征在于，
所述贯通段包含第3贯通段，所述第3贯通段具有与所述第1贯通形状和所述第2贯通形状不同的第3贯通形状。
21.一种掩模，其具有掩模第1方向和与掩模第1方向交叉的掩模第2方向，其特征在于，
所述掩模具备遮蔽区域和贯通孔，
在沿着所述掩模的法线方向观察的情况下，所述掩模具备：掩模第3区域，其包含具有第3开口率的所述贯通孔；和掩模第4区域，其包含具有比所述第3开口率小的第4开口率的所述贯通孔，
在所述掩模第3区域中，所述贯通孔在所述掩模第1方向上以第15周期排列，
在所述掩模第4区域中，在所述掩模第1方向上排列的2个所述贯通孔之间的间隔大于所述第15周期，
所述掩模第4区域包含具有与所述掩模第3区域的所述贯通孔不同的形状的所述贯通孔。
22.根据权利要求21所述的掩模，其特征在于，
在所述掩模第3区域中，所述贯通孔包含主孔和副孔，
所述主孔与所述副孔之间的间隔为5μm以上且40μm以下，
在所述掩模第4区域中，所述贯通孔具备第1类型贯通孔和第2类型贯通孔，
所述第1类型贯通孔的所述主孔的个数与所述第2类型贯通孔的所述主孔的个数不同，或者，所述第1类型贯通孔的所述副孔的个数与所述第2类型贯通孔的所述副孔的个数不同。
23.根据权利要求22所述的掩模，其特征在于，
在所述掩模第4区域中，所述贯通孔包含：所述第1类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第1方向上排列的孔第1排列；以及所述第1类型贯通孔和所述第1类型贯通孔在所述掩模第1方向上排列的孔第2排列。
24.根据权利要求22所述的掩模，其特征在于，
在所述掩模第4区域中，所述贯通孔包含：所述第1类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第2方向上排列的孔第4排列；以及所述第2类型贯通孔和所述第2类型贯通孔在所述掩模第2方向上排列的孔第5排列。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-219385 | 2020-12-28 | ||
| JP2020219385 | 2020-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN216528953U true CN216528953U (zh) | 2022-05-13 |
Family
ID=80448620
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111613619.6A Pending CN114695774A (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-27 | 有机器件、掩模组、掩模以及有机器件的制造方法 |
| CN202123323049.5U Active CN216528953U (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-27 | 有机器件、掩模组以及掩模 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111613619.6A Pending CN114695774A (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-27 | 有机器件、掩模组、掩模以及有机器件的制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220209169A1 (zh) |
| EP (1) | EP4020585A1 (zh) |
| JP (1) | JP2022104577A (zh) |
| KR (1) | KR20220094172A (zh) |
| CN (2) | CN114695774A (zh) |
| TW (1) | TW202233012A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220406853A1 (en) * | 2021-06-21 | 2022-12-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic device, group of masks, mask, and manufacturing method for organic device |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118989A (en) | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Kao Corp | Nyuka mataha kayokazaisoseibutsu |
| JPS539597A (en) | 1976-07-14 | 1978-01-28 | Hitachi Ltd | Modular type automatic cash transaction device |
| JP2004341465A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Obayashi Seiko Kk | 高品質液晶表示装置とその製造方法 |
| WO2009133903A1 (ja) | 2008-04-28 | 2009-11-05 | 大日本印刷株式会社 | 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク |
| EP2276087A4 (en) | 2008-04-28 | 2015-04-29 | Dainippon Printing Co Ltd | DEVICE WITH LOCHINJECTION / TRANSPORT COAT, METHOD OF PRODUCTION THEREOF AND INK FOR PRODUCING THE LOCHINJECTION / TRANSPORT COAT |
| WO2011052645A1 (ja) | 2009-10-27 | 2011-05-05 | 大日本印刷株式会社 | 遷移金属化合物含有ナノ粒子及びその製造方法、正孔注入輸送層用インク、並びに正孔注入輸送層を有するデバイス及びその製造方法 |
| JP5580121B2 (ja) | 2010-07-08 | 2014-08-27 | 矢崎総業株式会社 | 基板検査装置 |
| JP5655666B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-01-21 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および電子注入輸送層用塗工液 |
| JP6184514B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2017-08-23 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置、照明システム及び有機電界発光素子の製造方法 |
| US10270033B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-04-23 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| JP6868211B2 (ja) * | 2017-01-05 | 2021-05-12 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置及びその製造方法並びに蒸着マスク装置で用いられるマスク |
| US10510812B2 (en) * | 2017-11-09 | 2019-12-17 | Lockheed Martin Corporation | Display-integrated infrared emitter and sensor structures |
| US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| WO2019242510A1 (zh) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其驱动方法和显示装置 |
| KR20200121958A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조방법 |
| KR20200136549A (ko) * | 2019-05-27 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN110942041B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-11-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
| CN111599848B (zh) * | 2020-05-29 | 2021-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN114586168A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| WO2022087906A1 (zh) * | 2020-10-28 | 2022-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法、显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR20220072109A (ko) * | 2020-11-24 | 2022-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP2022104578A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法 |
| US20220399503A1 (en) * | 2021-06-14 | 2022-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Mask group, method of manufacturing organic device and organic device |
| US20220406853A1 (en) * | 2021-06-21 | 2022-12-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic device, group of masks, mask, and manufacturing method for organic device |
| KR20230103329A (ko) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널 |
-
2021
- 2021-12-21 JP JP2021207513A patent/JP2022104577A/ja active Pending
- 2021-12-27 US US17/646,046 patent/US20220209169A1/en active Pending
- 2021-12-27 CN CN202111613619.6A patent/CN114695774A/zh active Pending
- 2021-12-27 CN CN202123323049.5U patent/CN216528953U/zh active Active
- 2021-12-28 KR KR1020210189395A patent/KR20220094172A/ko active Search and Examination
- 2021-12-28 EP EP21217919.6A patent/EP4020585A1/en active Pending
- 2021-12-28 TW TW110149091A patent/TW202233012A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202233012A (zh) | 2022-08-16 |
| US20220209169A1 (en) | 2022-06-30 |
| CN114695774A (zh) | 2022-07-01 |
| EP4020585A1 (en) | 2022-06-29 |
| KR20220094172A (ko) | 2022-07-05 |
| JP2022104577A (ja) | 2022-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |