CN218160382U - 有机器件 - Google Patents

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CN218160382U CN202221697546.3U CN202221697546U CN218160382U CN 218160382 U CN218160382 U CN 218160382U CN 202221697546 U CN202221697546 U CN 202221697546U CN 218160382 U CN218160382 U CN 218160382U
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中村友祐
宫谷勋
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及有机器件。有机器件具备外缘、布线区域和显示区域。显示区域包含第1电极、位于第1电极上的有机层、和位于有机层上的第2电极。布线区域包含与第2电极电连接并规定基准电位的参比电极。显示区域包含第1显示区域、和与第1显示区域相接的第2显示区域。第2显示区域包含：含有第2电极的标准区域、和不含第2电极且在第1方向上排列的透射区域。标准区域的第2电极包含与第1显示区域的第2电极连接的多个连接部。多个连接部包含在第2方向上位于第1边侧的第1连接部。第1连接部包含在第1方向上位于透射区域之间的相向连接部。

Description

有机器件
技术领域
本实用新型的实施方式涉及有机器件。
背景技术
近年来，在智能手机、平板电脑等电子器件中，市场上要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的元件密度。
由于具有良好的响应性和/或高对比度，因此有机EL显示装置受到关注。作为形成有机EL显示装置的元件的方法，已知通过蒸镀使构成元件的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在阳极上，由此在阳极上形成有机层。接着，经由掩模的贯通孔使导电性材料附着在有机层上，由此在有机层上形成阴极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6500082号公报
专利文献2：日本特开2021-9355号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的课题
在有机EL显示装置等有机器件中，若在阳极与阴极之间施加电压，则电流从阳极流向有机层，有机层放出构成影像的光。流过有机层的电流通过阴极流向规定基准电位的参比电极。此处，根据阴极的蒸镀图案，各元件的阴极中的电流电阻值发生变化，流至各元件的电流量可发生变化。其结果，有机器件的各元件产生亮度差，显示均匀性可能劣化。
本实用新型的实施方式的目的在于提供一种可有效解决这种课题的有机器件。
用于解决课题的手段
本实用新型的一个实施方式的有机器件可以具备：外缘，包含在第1方向上延伸并在与第1方向正交的第2方向上相向的第1边和第2边、以及沿从第1边朝向第2 边的方向延伸的第3边和第4边；布线区域，沿第1边扩展；和显示区域，与布线区域相接。显示区域可以包含第1电极、位于第1电极上的有机层、和位于有机层上的第2电极。布线区域可以包含与第2电极电连接并规定基准电位的参比电极。显示区域可以包含第1显示区域、和与第1显示区域相接的第2显示区域。第2显示区域可以包含：含有第2电极的标准区域、和不含第2电极且在第1方向上排列的透射区域。标准区域的第2电极可以包含与第1显示区域的第2电极连接的多个连接部。多个连接部可以包含在第2方向上位于第1边侧的第1连接部。第1连接部可以包含在第1 方向上位于透射区域之间的相向连接部。
实用新型的效果
根据本实用新型的一个实施方式，能够使流至有机器件的各元件的电流量均匀。
附图说明
图1是示出本实用新型的一个实施方式的有机器件的一例的俯视图。
图2是将图1的有机器件中带有标号A1的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图3是将图2的有机器件中带有标号B1的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图4是示出从图3的有机器件去除了第2电极后的状态的俯视图。
图5是沿着图3的有机器件的C-C线的截面图。
图6是沿着图3的有机器件的D-D线的截面图。
图7是将图1的有机器件中带有标号A2的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图8是示出具备掩模装置的蒸镀装置的一例的图。
图9是在图8的掩模装置中使用的第1掩模中将与图3对应的部分放大示出的俯视图。
图10是示出第1实施例的有机器件的俯视图。
图11是示出第2实施例的有机器件的俯视图。
图12是将图11的有机器件中带有标号C2的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图13是示出第3实施例的有机器件的俯视图。
图14是将图13的有机器件中带有标号C3的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图15是示出比较例的有机器件的俯视图。
图16是将图15的有机器件中带有标号C4的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
图17是示出参考例的有机器件的俯视图。
图18是示出各实施例的模拟结果的表。
具体实施方式
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一标号或类似的标号，有时省略其重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式或变形例组合。另外，其他实施方式彼此、或其他实施方式与变形例也可以在不产生矛盾的范围内组合。另外，变形例彼此也可以在不产生矛盾的范围内组合。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。另外，所公开的工序的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。
在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表示的数值范围包括置于标号“～”的前后的数值。例如，“34～38质量％”这样的表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述所划定的数值范围相同。
本实用新型的第1方式为一种有机器件，其具备：
外缘，包含在第1方向上延伸并在与上述第1方向正交的第2方向上相向的第1 边和第2边、以及沿从上述第1边朝向上述第2边的方向延伸的第3边和第4边；
布线区域，沿上述第1边扩展；和
显示区域，与上述布线区域相接，
上述显示区域包含第1电极、位于上述第1电极上的有机层、和位于上述有机层上的第2电极，
上述布线区域包含与上述第2电极电连接并规定基准电位的参比电极，
上述显示区域包含第1显示区域、和与上述第1显示区域相接的第2显示区域，
上述第2显示区域包含：含有上述第2电极的标准区域、和不含上述第2电极且在上述第1方向上排列的透射区域，
上述标准区域的上述第2电极包含与上述第1显示区域的上述第2电极连接的多个连接部，
多个上述连接部包含在上述第2方向上位于上述第1边侧的第1连接部，
上述第1连接部包含在上述第1方向上位于上述透射区域之间的相向连接部。
本实用新型的第2方式中，在上述第1方式的有机器件中，
多个上述连接部可以包含在上述第2方向上位于上述第2边侧的第2连接部。
本实用新型的第3方式中，在上述第2方式的有机器件中，
上述标准区域包含上述第2电极在上述第2方向上从上述第2连接部延伸至上述第1连接部的第2方向部分，
上述相向连接部可以位于上述第2方向部分的上述第2方向的上述第1边侧的端部。
本实用新型的第4方式中，在上述第3方式的有机器件中，
上述透射区域可以从在上述第2方向上在上述第2边侧与上述第1显示区域相接的端部延伸至在上述第2方向上在上述第1边侧与上述第1显示区域相接的端部。
本实用新型的第5方式中，在上述第3方式的有机器件中，
上述标准区域可以包含上述第2电极在上述第1方向上延伸的第1方向部分，以将在上述第1方向上相互相邻的2个上述第2方向部分分别连接。
本实用新型的第6方式中，在上述第1方式至上述第5方式的各有机器件中，
上述标准区域可以包含在俯视时上述第2电极与上述有机层不重叠的区域。
本实用新型的第7方式中，在上述第1方式至上述第6方式的各有机器件中，
上述透射区域可以包含在俯视时上述有机器件的基板与上述有机层不重叠的区域。
本实用新型的第8方式中，在上述第1方式至上述第7方式的各有机器件中，
上述第1连接部可以包含2个以上的上述相向连接部。
本实用新型的第9方式中，在上述第1方式至上述第8方式的各有机器件中，
上述第1连接部在上述第1方向上的尺寸可以为5μm以上500μm以下。
本实用新型的第10方式中，在上述第1方式至上述第9方式的各有机器件中，
上述第1连接部可以以10μm以上550μm以下的间隔在上述第1方向上排列。
本实用新型的第11方式中，在上述第1方式至上述第10方式的各有机器件中，
上述标准区域的上述第2电极可以包含第1层、和在俯视时与上述第1层局部重叠的第2层。
本实用新型的第12方式中，在上述第11方式的有机器件中，
上述标准区域的上述第2电极可以包含在俯视时与上述第1层或上述第2层局部重叠的第3层。
本实用新型的第13方式中，在上述第1方式至上述第12方式的各有机器件中，
上述第2显示区域中的上述第2电极的占有率可以为40％以上95％以下。
本实用新型的第14方式中，在上述第1方式至上述第13方式的各有机器件中，
上述第1电极包含金属氧化物，
上述第2电极可以包含金属。
本实用新型的第15方式为一种有机器件的制造方法，其为上述第1方式至上述第14方式的各有机器件的制造方法，
其具备在上述第1电极上的上述有机层上形成上述第2电极的第2电极形成工序，
上述第2电极包含第1层、和在俯视时与上述第1层局部重叠的第2层，
上述第2电极形成工序具备：
通过使用第1掩模的蒸镀法形成上述第1层的工序；和
通过使用第2掩模的蒸镀法形成上述第2层的工序。
本实用新型的第16方式中，在上述第15方式的有机器件的制造方法中，
上述第2电极包含在俯视时与上述第1层或上述第2层局部重叠的第3层，
上述第2电极形成工序可以具备通过使用第3掩模的蒸镀法形成上述第3层的工序。
参照附图，对本实用新型的一个实施方式详细地进行说明。需要说明的是，以下所示的实施方式是本实用新型的实施方式的一例，本实用新型并不仅限于这些实施方式来解释。
以下，对本实施方式的有机器件100进行说明。图1是示出沿着有机器件100 的基板的法线方向观察时的有机器件100的一例的俯视图。在以下的说明中，将沿着基板等成为基础的物质的面的法线方向观察的情况也称为俯视。
如图1所示，有机器件100具有大致矩形的平面形状。有机器件100在俯视时具有外缘100L，该外缘100L包含在第1方向D1(图1中的左右方向)上延伸的第1边 100La和第2边100Lb、和在与第1方向D1正交的第2方向D2(图1中的上下方向) 上延伸的第3边100Lc和第4边100Ld。第1边100La和第2边100Lb在第2方向 D2上相互相向。第1边100La位于第2方向D2上的一侧(图1中的下侧)，第2边 100Lb位于第2方向D2上的另一侧(图1中的上侧)。第3边100Lc和第4边100Ld 沿从第1边100La朝向第2边100Lb的方向延伸。第3边100Lc和第4边100Ld在第1方向D1上相互相向。第3边100Lc位于第1方向D1上的一侧(图1中的左侧)，第4边100Ld位于第1方向D1上的另一侧(图1中的右侧)。
如图1所示，有机器件100在俯视时具有布线区域100W和显示区域100D。布线区域100W沿着第1边100La扩展。如图1所示，布线区域100W可以较显示区域 100D位于靠近第2方向D2上的一侧(图1中的下侧)。显示区域100D与布线区域100W 相接。如图1所示，显示区域100D可以在第2方向D2上与布线区域100W相接。显示区域100D可以较布线区域100W位于靠近第2方向D2上的另一侧(图1中的上侧)。显示区域100D可以具有大于布线区域100W的面积。
显示区域100D包含沿基板的面内方向排列的多个元件115。元件115例如为像素。显示区域100D在俯视时包含第1显示区域101和第2显示区域102。第2显示区域102与第1显示区域101相接。第2显示区域102可以具有小于第1显示区域 101的面积。如图1所示，第2显示区域102可以被第1显示区域101包围。如图1 所示，第2显示区域102可以具有圆形或椭圆形的轮廓。虽未图示，但第2显示区域 102的外缘的一部分可以与第1显示区域101的外缘的一部分重叠。另外，虽未图示，但第2显示区域102可以具有矩形的轮廓。这种情况下，例如，第2显示区域102 的第2边100Lb侧的外缘可以与第1显示区域101的第2边100Lb侧的外缘位于同一直线上。
图2是将图1的有机器件100中带有标号A1的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。在第1显示区域101中，元件115可以沿不同的2个方向排列。如图1和图2所示，第1显示区域101的2个以上的元件115可以沿第1方向D1排列。另外，第1显示区域101的2个以上的元件115也可以沿第2方向D2排列。
如图2所示，显示区域100D包含第2电极140。第2电极140位于后述的有机层130上。第2电极140与有机层130电连接。将位于第1显示区域101的第2电极 140也称为第2电极140X。将位于第2显示区域102的第2电极140也称为第2电极140Y。
第2电极140X具有第1占有率。第1占有率是通过将位于第1显示区域101的第2电极140X的面积的合计除以第1显示区域101的面积而算出的。第2电极140Y 具有第2占有率。第2占有率是通过将位于第2显示区域102的第2电极140Y的面积的合计除以第2显示区域102的面积而算出的。第2占有率可以小于第1占有率。例如，如图2所示，第2显示区域102可以包含标准区域103和透射区域104。标准区域103是包含第2电极140Y的区域。透射区域104是不含第2电极140Y的区域。
第2占有率例如可以为20％以上、可以为40％以上、也可以为50％以上。第2 占有率例如可以为60％以下、可以为80％以下、也可以为95％以下。第2占有率的范围可以通过由20％、40％和50％构成的第1组和/或由60％、80％和95％构成的第2 组来限定。第2占有率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率的范围可以由上述的第 2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为20％以上95％以下、可以为20％以上80％以下、可以为20％以上60％以下、可以为20％以上50％以下、可以为20％以上40％以下、可以为40％以上95％以下、可以为40％以上80％以下、可以为40％以上60％以下、可以为40％以上50％以下、可以为50％以上95％以下、可以为50％以上80％以下、可以为50％以上60％以下、可以为60％以上95％以下、可以为60％以上80％以下、也可以为80％以上95％以下。
第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.2以上、可以为0.4以上、也可以为0.5以上。第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.6以下、可以为0.8 以下、也可以为0.95以下。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以通过由0.2、 0.4和0.5构成的第1组和/或由0.6、0.8和0.95构成的第2组来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.2以上0.95以下、可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上 0.6以下、可以为0.2以上0.5以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.4以上0.95 以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.4以上0.5以下、可以为0.5以上0.95以下、可以为0.5以上0.8以下、可以为0.5以上0.6以下、可以为0.6以上0.95以下、可以为0.6以上0.8以下、也可以为0.8以上0.95以下。
将标准区域103的透射率也称为第1透射率TR1。将透射区域104的透射率也称为第2透射率TR2。由于透射区域104不含第2电极140Y，因此第2透射率TR2高于第1透射率TR1。因此，在包含透射区域104的第2显示区域102中，到达有机器件100的光能够透过透射区域104而到达基板的背面侧的光学部件等。光学部件例如是照相机等通过检测光来实现某些功能的部件。由于第2显示区域102包含标准区域 103，因此在元件115为像素的情况下，能够在第2显示区域102显示影像。这样，第2显示区域102能够检测光且显示影像。通过检测光所实现的第2显示区域102 的功能例如是照相机、指纹传感器、脸部识别传感器等传感器。第2显示区域102 的透射区域104的第2透射率TR2越高、第2占有率越低，则越能够增加传感器所接收的光量。
标准区域103在第1方向D1和第2方向D2上的尺寸、以及透射区域104在第 1方向D1和第2方向D2上的尺寸中的任一者为1mm以下的情况下，可以使用显微分光光度计测定第1透射率TR1和第2透射率TR2。作为显微分光光度计，可以使用奥林巴斯株式会社制造的OSP-SP200或大塚电子株式会社制造的LCF系列中的任一者。任一显微分光光度计均可在380nm以上且780nm以下的可见光区域测定透射率。可以使用石英、TFT液晶用硼硅酸玻璃或TFT液晶用无碱玻璃中的任一者作为参考。可以将550nm处的测定结果用作第1透射率TR1和第2透射率TR2。
标准区域103在第1方向D1和第2方向D2上的尺寸、以及透射区域104在第 1方向D1和第2方向D2上的尺寸均大于1mm的情况下，可以使用分光光度计测定第1透射率TR1和第2透射率TR2。作为分光光度计，可以使用株式会社岛津制作所制造的紫外可见分光光度计UV-2600i或UV-3600i Plus中的任一者。通过在分光光度计上安装微小光束光圈单元，能够测定最大具有1mm的尺寸的区域的透射率。可以使用大气作为参考。可以将550nm处的测定结果用作第1透射率TR1和第2透射率TR2。
第2透射率TR2相对于第1透射率TR1之比TR2/TR1例如可以为1.2以上、可以为1.5以上、也可以为1.8以上。TR2/TR1例如可以为2以下、可以为3以下、也可以为4以下。TR2/TR1的范围可以通过由1.2、1.5和1.8构成的第1组和/或由2、 3和4构成的第2组来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。TR2/TR1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为1.2以上4 以下、可以为1.2以上3以下、可以为1.2以上2以下、可以为1.2以上1.8以下、可以为1.2以上1.5以下、可以为1.5以上4以下、可以为1.5以上3以下、可以为1.5以上2以下、可以为1.5以上1.8以下、可以为1.8以上4以下、可以为1.8以上3 以下、可以为1.8以上2以下、可以为2以上4以下、可以为2以上3以下、也可以为3以上4以下。
如图2所示，透射区域104在第1方向D1上排列。透射区域104可以在第1方向D1上位于标准区域103之间。即，标准区域103和透射区域104可以在第1方向 D1上交替排列。
透射区域104在第2方向D2上的两端部可以与第1显示区域101相接。透射区域104可以从在第2方向D2上在第2边100Lb侧(图2中的上侧)与第1显示区域101 相接的端部延伸至在第2方向D2上在第1边100La侧(图2中的下侧)与第1显示区域101相接的端部。
如图2所示，透射区域104具有第1方向D1上的透射第1尺寸TD1和第2方向 D2上的透射第2尺寸TD2。
透射第2尺寸TD2可以大于透射第1尺寸TD1。透射第2尺寸TD2相对于透射第1尺寸TD1之比TD2/TD1例如可以为2以上、可以为5以上、可以为10以上、也可以为20以上。TD2/TD1例如可以为50以下、可以为100以下、可以为200以下、也可以为500以下。TD2/TD1的范围可以通过由2、5、10和20构成的第1组和/或由50、100、200和500构成的第2组来限定。TD2/TD1的范围可以由上述的第 1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。TD2/TD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。TD2/TD1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为2以上500以下、可以为2以上200以下、可以为2以上100以下、可以为2以上50以下、可以为2以上20以下、可以为2以上10以下、可以为2以上 5以下、可以为5以上500以下、可以为5以上200以下、可以为5以上100以下、可以为5以上50以下、可以为5以上20以下、可以为5以上10以下、可以为10 以上500以下、可以为10以上200以下、可以为10以上100以下、可以为10以上 50以下、可以为10以上20以下、可以为20以上500以下、可以为20以上200以下、可以为20以上100以下、可以为20以上50以下、可以为50以上500以下、可以为50以上200以下、可以为50以上100以下、可以为100以上500以下、可以为 100以上200以下、也可以为200以上500以下。
透射区域104的透射第1尺寸TD1例如可以为5μm以上、可以为20μm以上、也可以为100μm以上。透射第1尺寸TD1例如可以为300μm以下、可以为350μm 以下、也可以为550μm以下。透射区域104的透射第1尺寸TD1的范围可以通过由 5μm、20μm和100μm构成的第1组和/或由300μm、350μm和550μm构成的第2组来限定。透射区域104的透射第1尺寸TD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。透射区域 104的透射第1尺寸TD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。透射区域104的透射第1尺寸TD1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为5μm以上550μm以下、可以为5μm 以上350μm以下、可以为5μm以上300μm以下、可以为5μm以上100μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为20μm以上550μm以下、可以为20μm以上350μm 以下、可以为20μm以上300μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为100μm 以上550μm以下、可以为100μm以上350μm以下、可以为100μm以上300μm以下、可以为300μm以上550μm以下、可以为300μm以上350μm以下、也可以为350μm 以上550μm以下。
如图2所示，标准区域103的第2电极140Y包含与第1显示区域101的第2电极140X连接的多个连接部105。通过该连接部105，标准区域103的第2电极140Y 与第1显示区域101的第2电极140X被电连接。连接部105可以由标准区域103的第2电极140Y中位于与第1显示区域101的边界部的第2电极140Y构成。
多个连接部105包含在第2方向D2上位于第1边100La侧(图2中的下侧)的第 1连接部105a、和在第2方向D2上位于第2边100Lb侧(图2中的上侧)的第2连接部105b。第2连接部105b位于第2方向D2上与第1连接部105a相反的一侧。如图 2所示，多个连接部105中位于第2显示区域102的下半侧的连接部可以构成第1连接部105a，位于第2显示区域102的上半侧的连接部可以构成第2连接部105b。虽未图示，但在第2显示区域102具有矩形的轮廓、第2显示区域102的第2边100Lb 侧的外缘与第1显示区域101的第2边100Lb侧的外缘位于同一直线上的情况下，第 2电极140Y也可以不包含第2连接部105b。
第1连接部105a包含相向连接部106。相向连接部106在第1方向D1上位于透射区域104之间。因此，相向连接部106与后述的参比电极150相向。即，第1连接部105a中与参比电极150相向的连接部构成了相向连接部106。此处，用语“相向”并不是以相对于对象物来说按照相互的水平面平行的方式相向这种严格意义来使用，而是以大体朝向对象物侧这种程度的含义来使用。相向连接部106被定义为第1连接部105a中在第1方向D1上位于透射区域104之间的连接部。第1连接部105a可以包含2个以上的相向连接部106。如图2所示，可以是全部第1连接部105a构成相向连接部106，也可以是一部分第1连接部105a构成相向连接部106。
如图2所示，第1连接部105a具有第1方向D1上的连接尺寸CD1。第1连接部105a可以沿第1方向D1以连接周期CC1排列。
第1连接部105a的连接尺寸CD1例如可以为5μm以上、可以为20μm以上、也可以为100μm以上。第1连接部105a的连接尺寸CD1例如可以为250μm以下、可以为300μm以下、也可以为500μm以下。第1连接部105a的连接尺寸CD1的范围可以通过由5μm、20μm和100μm构成的第1组和/或由250μm、300μm和500μm构成的第2组来限定。第1连接部105a的连接尺寸CD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1连接部105a的连接尺寸CD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2 个值的组合来限定。第1连接部105a的连接尺寸CD1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为5μm以上500μm以下、可以为5μm以上300μm以下、可以为5μm以上250μm以下、可以为5μm以上100μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为20μm以上500μm以下、可以为20μm以上 300μm以下、可以为20μm以上250μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为100μm以上500μm以下、可以为100μm以上300μm以下、可以为100μm以上250μm 以下、可以为250μm以上500μm以下、可以为250μm以上300μm以下、也可以为 300μm以上500μm以下。
第1连接部105a的连接周期CC1例如可以为10μm以上、可以为30μm以上、也可以为150μm以上。第1连接部105a的连接周期CC1例如可以为300μm以下、可以为350μm以下、也可以为550μm以下。第1连接部105a的连接周期CC1的范围可以通过由10μm、30μm和150μm构成的第1组和/或由300μm、350μm和550μm 构成的第2组来限定。第1连接部105a的连接周期CC1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1连接部105a的连接周期CC1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1连接部105a的连接周期CC1的范围可以由上述的第2 组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为10μm以上550μm以下、可以为10μm以上350μm以下、可以为10μm以上300μm以下、可以为10μm以上150μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为30μm以上550μm以下、可以为 30μm以上350μm以下、可以为30μm以上300μm以下、可以为30μm以上150μm 以下、可以为150μm以上550μm以下、可以为150μm以上350μm以下、可以为150μm 以上300μm以下、可以为300μm以上550μm以下、可以为300μm以上350μm以下、也可以为350μm以上550μm以下。
第2连接部105b在第1方向D1上的连接尺寸可以与第1连接部105a在第1方向D1上的连接尺寸CD1相同。另外，第2连接部105b在第1方向D1上的连接尺寸可以大于也可以小于第1连接部105a在第1方向D1上的连接尺寸CD1。第2连接部105b在第1方向D1上的连接尺寸例如可以为5μm以上、可以为20μm以上、也可以为100μm以上。另外，第2连接部105b在第1方向D1上的连接尺寸例如可以为250μm以下、可以为300μm以下、也可以为500μm以下。
第2连接部105b在第1方向D1上的连接周期可以与第1连接部105a在第1方向D1上的连接周期CC1相同。另外，第2连接部105b在第1方向D1上的连接周期可以大于也可以小于第1连接部105a在第1方向D1上的连接周期CC1。第2连接部105b在第1方向D1上的连接周期例如可以为10μm以上、可以为30μm以上、也可以为150μm以上。另外，第2连接部105b在第1方向D1上的连接周期例如可以为300μm以下、可以为350μm以下、也可以为550μm以下。
如图2所示，标准区域103可以包含第2电极140Y在第2方向D2上从第2连接部105b延伸至第1连接部105a的第2方向部分103L。即，第2方向部分103L所包含的第2电极140Y在第2方向D2上从第2连接部105b延伸至第1连接部105a。这种情况下，相向连接部106位于第2方向部分103L的第2方向D2上的第1边100La 侧(图2中的下侧)的端部。即，第2方向部分103L的第2方向D2上的第1边100La 侧的端部构成了上述的相向连接部106。
第1方向D1上的第2显示区域102的尺寸DD1例如可以为0.5mm以上、可以为3mm以上、也可以为5mm以上。第1方向D1上的第2显示区域102的尺寸DD1 例如可以为10mm以下、可以为20mm以下、也可以为30mm以下。第1方向D1上的第2显示区域102的尺寸DD1的范围可以通过由0.5mm、3mm和5mm构成的第1 组和/或由10mm、20mm和30mm构成的第2组来限定。第1方向D1上的第2显示区域102的尺寸DD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1方向D1上的第2显示区域 102的尺寸DD1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1方向D1上的第2显示区域102的尺寸DD1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.5mm以上30mm以下、可以为0.5mm以上20mm以下、可以为0.5mm以上10mm以下、可以为0.5mm以上 5mm以下、可以为0.5mm以上3mm以下、可以为3mm以上30mm以下、可以为3mm 以上20mm以下、可以为3mm以上10mm以下、可以为3mm以上5mm以下、可以为5mm以上30mm以下、可以为5mm以上20mm以下、可以为5mm以上10mm以下、可以为10mm以上30mm以下、可以为10mm以上20mm以下、也可以为20mm 以上30mm以下。
第2方向D2上的第2显示区域102的尺寸DD2例如可以为0.5mm以上、可以为3mm以上、也可以为5mm以上。第2方向D2上的第2显示区域102的尺寸DD2 例如可以为10mm以下、可以为20mm以下、也可以为30mm以下。第2方向D2上的第2显示区域102的尺寸DD2的范围可以通过由0.5mm、3mm和5mm构成的第1 组和/或由10mm、20mm和30mm构成的第2组来限定。第2方向D2上的第2显示区域102的尺寸DD2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第2方向D2上的第2显示区域 102的尺寸DD2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第2方向D2上的第2显示区域102的尺寸DD2的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.5mm以上30mm以下、可以为0.5mm以上20mm以下、可以为0.5mm以上10mm以下、可以为0.5mm以上 5mm以下、可以为0.5mm以上3mm以下、可以为3mm以上30mm以下、可以为3mm 以上20mm以下、可以为3mm以上10mm以下、可以为3mm以上5mm以下、可以为5mm以上30mm以下、可以为5mm以上20mm以下、可以为5mm以上10mm以下、可以为10mm以上30mm以下、可以为10mm以上20mm以下、也可以为20mm 以上30mm以下。
图3是将图2的有机器件100中带有标号B1的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。图4是示出从图3的有机器件100去除了第2电极140后的状态的俯视图。图5是沿着图3的有机器件100的第1显示区域101的C-C线的截面图。
如图5所示，有机器件100包含基板110和位于基板110上的元件115。更具体而言，有机器件100的显示区域100D包含基板110和位于基板110上的元件115。元件115具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130、和位于有机层130 上的第2电极140。
有机器件100可以包含在俯视时位于相互相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。
有机器件100可以是有源矩阵型。例如，虽未图示，但有机器件100可以包含与多个元件115分别电连接的开关。开关例如为晶体管。开关能够控制针对对应的元件 115的电压或电流的接通/断开。
基板110可以是具有绝缘性的板状的部件。基板110优选具有使光透过的透明性。
基板110具有规定的透明性的情况下，基板110的透明性可以为能够使来自有机层130的发光透过而进行显示的程度的透明性。例如，基板110在可见光区域的透射率可以为80％以上、也可以为90％以上。基板110的透射率可以通过依据JIS K7361-1 的塑料-透明材料的总透光率的试验方法来测定。
基板110可以具有挠性，也可以不具有挠性。可以根据有机器件100的用途适当选择基板110。
作为基板110的材料，例如可以使用石英玻璃、Pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层积体。
基板110的厚度可以根据基板110所使用的材料、有机器件100的用途等适当选择。基板110的厚度例如可以为0.005mm以上。另外，基板110的厚度例如可以为 5mm以下。
元件115被构成为：通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压，在第1 电极120与第2电极140之间流过电流，由此实现某些功能。例如，在元件115是有机EL显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。
第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透过性和导电性的金属氧化物。
作为构成第1电极120的材料，可以使用：Au、Cr、Mo、Ag、Mg等金属；被称为ITO的氧化铟锡、被称为IZO的氧化铟锌、氧化锌、氧化铟等无机氧化物；金属掺杂的聚噻吩等导电性高分子等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层积由各材料构成的层。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金等。
有机层130包含有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而使光的透射率或折射率发生变化的层等。有机层130可以包含有机半导体材料。
如图4和图5所示，有机层130可以包含第1有机层130A和第2有机层130B。另外，如图4所示，有机层130可以进一步包含第3有机层130C。第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C例如可以为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。在以下的说明中，在对有机层的构成中第1有机层130A、第2有机层130B 和第3有机层130C所共用的构成进行说明的情况下，使用“有机层130”这样的用语和标号。
将包含第1电极120、第1有机层130A和第2电极140的层积结构也称为第1 元件115A。将包含第1电极120、第2有机层130B和第2电极140的层积结构也称为第2元件115B。将包含第1电极120、第3有机层130C和第2电极140的层积结构也称为第3元件115C。在有机器件100为有机EL显示装置的情况下，第1元件 115A、第2元件115B和第3元件115C分别为子像素。
在以下的说明中，在对元件的构成中第1元件115A、第2元件115B和第3元件 115C所共用的构成进行说明的情况下，使用“元件115”这样的用语和标号。在图4 的俯视图中，元件115的轮廓可以为在俯视时与第1电极120和第2电极140重叠的有机层130的轮廓。有机器件100具备绝缘层160的情况下，元件115的轮廓可以为在俯视时与第1电极120和第2电极140重叠且不与绝缘层160重叠的有机层130 的轮廓。
对第1元件115A、第2元件115B和第3元件115C各自的配置进行说明。如图 4所示，在显示区域100D中，第1元件115A、第2元件115B和第3元件115C分别可以沿第1方向D1排列。另外，第1元件115A、第2元件115B和第3元件115C 分别可以沿第2方向D2排列。
如图4所示，显示区域100D可以包含在第1方向D1上排列的多个元件列115L。多个元件列115L可以包含在第1方向D1上相互相邻的第1元件列115La和第2元件列115Lb。第1元件列115La和第2元件列115Lb可以在第1方向D1上交替配置。第1元件列115La可以沿第1方向以周期EC1排列。第2元件列115Lb也可以沿第 1方向以周期EC1排列。
在第1显示区域101中，第1元件列115La和第2元件列115Lb可以包含沿第2 方向D2以周期EC2排列的第1元件115A、第2元件115B和第3元件115C。即，在第1元件列115La和第2元件列115Lb中，第1元件115A可以沿第2方向D2以周期EC2排列，第2元件115B可以沿第2方向D2以周期EC2排列，第3元件115C 可以沿第2方向D2以周期EC2排列。
第1元件列115La和第2元件列115Lb可以在第2方向D2上错开周期ED2。即，第1元件列115La的第1元件115A可以在第2方向D2上与第2元件列115Lb的第 1元件115A错开周期ED2而存在。第1元件列115La的第2元件115B可以在第2 方向D2上与第2元件列115Lb的第2元件115B错开周期ED2而存在。第1元件列 115La的第3元件115C可以在第2方向D2上与第2元件列115Lb的第3元件115C 错开周期ED2而存在。周期ED2可以为周期EC2的一半的周期。由此，如图4所示，在第2方向D2上，第2元件列115Lb的第2元件115B可以位于第1元件列115La 的第1元件115A与第1元件列115La的第3元件115C之间。可以由这些第1元件 115A、第2元件115B和第3元件115C构成1个元件115。另外，在第2方向D2上，第1元件列115La的第2元件115B可以位于第2元件列115Lb的第1元件115A与第2元件列115Lb的第3元件115C之间。可以由这些第1元件115A、第2元件115B 和第3元件115C构成1个元件115。
当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，电流流至位于两者之间的有机层130。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140 侧或第1电极120侧向外部放出光。
有机层130包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。
例如，在第1电极120为阳极的情况下，有机层130可以在发光层与第1电极 120之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以是具有空穴注入功能的空穴注入层，也可以是具有空穴传输功能的空穴传输层，还可以是具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能的层。另外，空穴注入传输层可以是层积有空穴注入层和空穴传输层的层积体。
在第2电极140为阴极的情况下，有机层130可以在发光层与第2电极140之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以是具有电子注入功能的电子注入层，也可以是具有电子传输功能的电子传输层，还可以是具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能的层。另外，电子注入传输层可以是层积有电子注入层和电子传输层的层积体。
发光层包含发光材料。发光层可以包含改善流平性的添加剂。
作为发光材料，可以使用公知的材料，例如，作为发光材料，可以使用色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等发光材料。作为色素系材料，可以使用例如环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。作为金属络合物系材料，可以使用例如羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等中心金属具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土金属、配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。作为高分子系材料，可以使用例如聚对苯撑乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、聚喹喔啉衍生物、和它们的共聚物等。
出于提高发光效率或改变发射光波长等目的，发光层可以包含掺杂剂。作为掺杂剂，可以举出例如苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物等。另外，作为掺杂剂，可以使用在中心具有铂、铱等重金属离子且显示磷光的有机金属络合物。掺杂剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
另外，作为发光材料和掺杂剂，例如可以使用在日本特开2010-272891号公报的[0094]～[0099]或国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。
关于发光层的膜厚，只要是能够提供电子与空穴的再结合的场所而表现出发光的功能的膜厚，则没有特别限定，例如可以设为1nm以上，另外，可以设为500nm以下。
作为用于空穴注入传输层的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。作为空穴注入传输性材料，可以使用例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、均二苯代乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯基胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基胺衍生物等。另外，可示例出螺环化合物、酞菁化合物、金属氧化物等。另外，也可以适当选择使用例如日本特开2011-119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012-069963号公报、国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。
需要说明的是，空穴注入传输层为空穴注入层和空穴传输层层积而成的层积体时，可以使空穴注入层含有添加剂A，也可以使空穴传输层含有添加剂A，还可以使空穴注入层和空穴传输层含有添加剂A。添加剂A可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。具体而言，可以使用氟系化合物、酯系化合物、烃系化合物等。
作为用于电子注入传输层的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。可以使用例如碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、氧化铝等。另外，作为电子注入传输性材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
另外，也可以形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属的金属掺杂层，将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羟基喹啉络)铝(Alq3)等金属络合物以及它们的高分子衍生物等。另外，作为进行掺杂的金属，可以使用Li、Cs、Ba、Sr等。
第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过后述使用掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，可以使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以将各材料构成的层层积。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用MgAg等镁合金、 AlLi、AlCa、AlMg等铝合金、碱金属类和碱土金属类的合金等。
如图3和图5所示，第2电极140可以包含位于第1有机层130A上的第1层140A、位于第2有机层130B上的第2层140B、和位于第3有机层130C上的第3层140C。第1层140A是通过使用后述的第1掩模50A的蒸镀法形成的层。第2层140B是通过使用后述的第2掩模50B的蒸镀法形成的层。第3层140C是通过使用后述的第3 掩模50C的蒸镀法形成的层。
第1层140A可以覆盖第1有机层130A。即，可以是，第1方向D1上的第1层 140A的尺寸大于第1方向D1上的第1有机层130A的尺寸，第2方向D2上的第1 层140A的尺寸大于第2方向D2上的第1有机层130A的尺寸。第2层140B可以覆盖第2有机层130B。即，可以是，第1方向D1上的第2层140B的尺寸大于第1方向D1上的第2有机层130B的尺寸，第2方向D2上的第2层140B的尺寸大于第2 方向D2上的第2有机层130B的尺寸。第3层140C可以覆盖第3有机层130C。即，可以是，第1方向D1上的第3层140C的尺寸大于第1方向D1上的第3有机层130C 的尺寸，第2方向D2上的第3层140C的尺寸大于第2方向D2上的第3有机层130C 的尺寸。
第1层140A的厚度例如可以为10nm以上、可以为20nm以上、可以为50nm以上、也可以为100nm以上。第1层140A的厚度例如可以为200nm以下、可以为500nm 以下、可以为1μm以下、也可以为100μm以下。第1层140A的厚度的范围可以通过由10nm、20nm、50nm和100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm和100μm 构成的第2组来限定。第1层140A的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1层140A 的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1 层140A的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为10nm以上100μm以下、可以为10nm以上1μm以下、可以为10nm以上500nm以下、可以为10nm以上200nm以下、可以为10nm以上100nm以下、可以为10nm以上50nm以下、可以为10nm以上20nm以下、可以为20nm以上100μm 以下、可以为20nm以上1μm以下、可以为20nm以上500nm以下、可以为20nm以上200nm以下、可以为20nm以上100nm以下、可以为20nm以上50nm以下、可以为50nm以上100μm以下、可以为50nm以上1μm以下、可以为50nm以上500nm 以下、可以为50nm以上200nm以下、可以为50nm以上100nm以下、可以为100nm 以上100μm以下、可以为100nm以上1μm以下、可以为100nm以上500nm以下、可以为100nm以上200nm以下、可以为200nm以上100μm以下、可以为200nm以上1μm以下、可以为200nm以上500nm以下、可以为500nm以上100μm以下、可以为500nm以上1μm以下、也可以为1μm以上100μm以下。
第2层140B的厚度可以与第1层140A的厚度相同。另外，第2层140B的厚度可以大于也可以小于第1层140A的厚度。第2层140B的厚度可以与第1层140A 的厚度同样地通过由10nm、20nm、50nm和100nm构成的第1组和/或由200nm、 500nm、1μm和100μm构成的第2组来限定。
第3层140C的厚度可以与第1层140A和第2层140B的厚度相同。另外，第3 层140C的厚度可以大于也可以小于第1层140A和第2层140B的厚度。第3层140C 的厚度可以与第1层140A和第2层140B的厚度同样地通过由10nm、20nm、50nm 和100nm构成的第1组和/或由200nm、500nm、1μm和100μm构成的第2组来限定。
如图3和图5所示，第2电极140的2个层可以局部重叠。将在俯视时第2电极 140的多个层重叠的区域也称为电极重叠区域145。电极重叠区域145包含第1层140A 与第2层140B重叠的区域、第1层140A与第3层140C重叠的区域、或者第2层 140B与第3层140C重叠的区域。通过第2电极140的各层重叠，能够将各层电连接。
在俯视时，电极重叠区域145的面积可以小于第1层140A的面积。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比例如可以为0.02以上、可以为0.05以上、也可以为0.10以上。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比例如可以为0.20以下、可以为0.30以下、也可以为0.40以下。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比的范围可以通过由0.02、0.05和0.10构成的第1组和/或由0.20、0.30和0.40构成的第2组来限定。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为0.02以上0.40 以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.20以下、可以为0.02以上0.10 以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.40以下、可以为0.05以上0.30 以下、可以为0.05以上0.20以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.40 以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、可以为0.20以上0.40 以下、可以为0.20以上0.30以下、也可以为0.30以上0.40以下。
在俯视时，电极重叠区域145的面积可以小于第2层140B的面积。作为电极重叠区域145的面积相对于第2层140B的面积之比的范围，可以采用上述“电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比”的范围。
在俯视时，电极重叠区域145的面积可以小于第3层140C的面积。作为电极重叠区域145的面积相对于第3层140C的面积之比的范围，可以采用上述“电极重叠区域145的面积相对于第1层140A的面积之比”的范围。
图6是沿着图3的有机器件100的第2显示区域102的D-D线的截面图。
如图3和图6所示，第2显示区域102包含：含有第2电极140Y的区域、和不含第2电极140Y的区域。上述的标准区域103被定义为含有第2电极140Y的区域。上述的透射区域104被定义为不含第2电极140Y的区域。
如图3和图4所示，标准区域103在俯视时可以具有包含元件115的区域103a 和不含元件115的区域103b。即，标准区域103在俯视时可以包含第2电极140Y与有机层130重叠的区域103a、和第2电极140Y与有机层130不重叠的区域103b。区域103a包含在俯视时与基板110、第1电极120和有机层130重叠的第2电极140Y。区域103b包含在俯视时与基板110重叠的第2电极140Y。这样的区域103a和区域 103b可以在第2方向D2上从第2连接部105b连续地连接至第1连接部105a，形成上述的第2方向部分103L。另外，上述的连接部105可以由区域103b的第2电极140Y 构成。需要说明的是，标准区域103可以不包含区域103b。即，标准区域103的所有第2电极140Y可以在俯视时与有机层130重叠。
如图3和图6所示，透射区域104可以包含基板110与有机层130不重叠的区域。如图6所示，透射区域104可以不包含第1电极120、有机层130和第2电极140。另外，如图6所示，透射区域104可以包含绝缘层160的一部分。
如图4所示，在标准区域103中，上述的第1元件列115La可以不包含第2元件 115B。即，第1元件列115La可以由沿第2方向D2以周期EC2排列的第1元件115A 和第3元件115C构成。另外，在标准区域103中，上述的第2元件列115Lb可以不包含第1元件115A和第3元件115C。即，第2元件列115Lb可以由沿第2方向D2 以周期EC2排列的第2元件115B构成。在标准区域103中，可以由第1元件列115La 的第1元件115A和第1元件列115La的第3元件115C与第2元件列115Lb的第2 元件115B构成1个元件115。
如图4所示，在透射区域104中，上述的第1元件列115La可以不包含第1元件 115A、第2元件115B和第3元件115C。另外，在透射区域104中，上述的第2元件列115Lb可以不包含第1元件115A、第2元件115B和第3元件115C。
图7是将图1的有机器件100中带有标号A2的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。
如图7所示，布线区域100W包含参比电极150和端子152。参比电极150可以位于基板110上。参比电极150可以在第2方向D2上位于第2电极140与端子152 之间。如图7所示，参比电极150可以为实心图案。参比电极150经由连接布线154 与各元件115的第2电极140电连接。连接布线154可以由第2电极140的一部分或参比电极150的一部分构成。端子152包含连接到地(earth)或地线(ground)的基准端子156。参比电极150与该基准端子156电连接，规定了基准电位。因此，在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，从第1电极120通过有机层130流至第2 电极140的电流可以流至该参比电极150。基准电位例如可以为0V，可以为正值，也可以为负值。
参比电极150包含具有导电性的材料。例如，参比电极150可以包含金属、具有导电性的金属氧化物、其他具有导电性的无机材料等。作为构成参比电极150的材料，可以使用Al、Mo、Ta等金属；被称为ITO的氧化铟锡等无机氧化物等。这些导电性材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以层积由各材料构成的层。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。
DD1、DD2、EC1、EC2、ED2、TD1、TD2等有机器件100的各构成要素的尺寸、间隔等可以通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件100的截面图像来测定。
基板110的厚度、第2电极140的厚度等有机器件100的各构成要素的厚度可以通过使用扫描型电子显微镜观察有机器件100的截面图像来测定。
接着，对通过蒸镀法形成上述的有机器件100的第2电极140的方法进行说明。图8是示出实施使蒸镀材料蒸镀到对象物上的蒸镀处理的蒸镀装置10的图。
如图8所示，蒸镀装置10可以在其内部包含蒸镀源6、加热器8和掩模装置40。另外，蒸镀装置10可以进一步包含用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如是坩埚，收纳有机发光材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6相向的方式配置。
如图8所示，掩模装置40可以包含：至少1个掩模50；和支承掩模50的框架 41。框架41可以包含固定有掩模50的第1框架面41a；和位于第1框架面41a的相反侧的第2框架面41b。另外，框架41可以包含从第1框架面41a贯通到第2框架面41b的开口42。掩模50可以以在俯视时横穿开口42的方式固定于框架41。另外，框架41可以将掩模50以在沿着其面的方向对其拉伸的状态进行支承，以抑制掩模 50挠曲。
作为掩模装置40的掩模50，可以使用后述的第1掩模50A、第2掩模50B和第 3掩模50C。在以下的说明中，在对掩模的构成中第1掩模50A、第2掩模50B和第 3掩模50C所共用的构成进行说明的情况下，使用“掩模50”这样的用语和标号。
如图8所示，掩模装置40按照掩模50与附着蒸镀材料7的对象物即基板110相向的方式配置于蒸镀装置10内。掩模50包含使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过的多个贯通孔53。在以下的说明中，将掩模50的面中位于基板110侧的面称为第1面 51a，将位于第1面51a的相反侧的面称为第2面51b。
如图8所示，蒸镀装置10可以包含保持基板110的基板保持器2。基板保持器2 可以是能够在基板110的厚度方向上移动。另外，基板保持器2可以是能够在基板 110的面方向上移动。另外，基板保持器2可以构成为控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包含安装于基板110的外缘的多个卡盘，各卡盘可以是能够在基板 110的厚度方向、面方向上独立地移动。
如图8所示，蒸镀装置10可以包含保持掩模装置40的掩模保持器3。掩模保持器3可以是能够在掩模50的厚度方向上移动。另外，掩模保持器3可以是能够在掩模50的面方向上移动。例如，掩模保持器3可以包含安装于框架41的外缘的多个卡盘，各卡盘可以是能够在掩模50的厚度方向、面方向上独立地移动。
通过使基板保持器2或掩模保持器3中的至少任意一者移动，能够调整掩模装置40的掩模50相对于基板110的位置。
如图8所示，蒸镀装置10可以包含冷却板4，其位于基板110的面中与掩模装置40侧的面即第1面111相反一侧的面即第2面112侧。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀处理时上升。
如图8所示，蒸镀装置10可以包含磁铁5，其位于基板110的面中与掩模装置 40相反一侧的面即第2面112侧。如图8所示，磁铁5可以配置于冷却板4的面中与掩模装置40相反一侧的面。磁铁5能够通过磁力将掩模装置40的掩模50向基板 110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀处理中产生阴影，能够提高有机层130的尺寸精度、位置精度。此处，阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙而使有机层130的厚度变得不均匀的现象。另外，可以使用利用静电力的静电卡盘将掩模50向基板110侧吸引。
在使用上述的蒸镀装置10形成第2电极140的情况下，首先，在蒸镀装置10 中，使用包含第1掩模50A的第1掩模装置40A在基板110形成第2电极140的第 1层140A。接着，在蒸镀装置10中，使用包含第2掩模50B的第2掩模装置40B在基板110形成第2电极140的第2层140B。接着，在蒸镀装置10中，使用包含第3 掩模50C的第3掩模装置40C在基板110形成第2电极140的第3层140C。这样，依次使用第1掩模50A、第2掩模50B、第3掩模50C等多个掩模50。也将用于形成有机器件100的第2电极140的多个掩模50的组称为“掩模组”。
在使用掩模50的蒸镀法中，从第2面51b侧向第1面51a侧通过了贯通孔53的蒸镀材料7附着于基板110，由此在基板110形成上述的第1层140A、第2层140B、第3层140C等层。形成于基板110的层在基板110的面内方向的轮廓由俯视时的掩模50的贯通孔53的轮廓所划定。
图9是在图8的掩模装置中使用的第1掩模50A中将与图3对应的部分放大示出的俯视图。掩模50具有掩模第1方向E1和与掩模第1方向E1正交的掩模第2方向E2。可以是掩模第1方向E1对应于第1方向D1，掩模第2方向E2对应于第2 方向D2。
如图9所示，第1掩模50A的贯通孔53设置在与第2电极140的第1层140A 对应的位置。虽未图示，但对于第2掩模50B也同样地，第2掩模50B的贯通孔53 设置在与第2电极140的第2层140B对应的位置。对于第3掩模50C也同样地，第 3掩模50C的贯通孔53设置在与第2电极140的第3层140C对应的位置。
掩模50的贯通孔53以外的区域能够遮蔽朝向基板110的蒸镀材料7。将掩模50 的贯通孔53以外的区域也称为遮蔽区域54。在图9所示的第1掩模50A的俯视图中，对遮蔽区域54施加了斜线阴影。
掩模50的厚度T例如可以为5μm以上、可以为10μm以上、可以为15μm以上、也可以为20μm以上。掩模50的厚度T例如可以为25μm以下、可以为30μm以下、可以为50μm以下、也可以为100μm以下。掩模50的厚度T的范围可以通过由5μm、 10μm、15μm和20μm构成的第1组和/或由25μm、30μm、50μm和100μm构成的第 2组来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。掩模50的厚度T的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。掩模50的厚度T 的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，可以为 5μm以上100μm以下、可以为5μm以上50μm以下、可以为5μm以上30μm以下、可以为5μm以上25μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为5μm以上15μm 以下、可以为5μm以上10μm以下、可以为10μm以上100μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为10μm以上25μm以下、可以为 10μm以上20μm以下、可以为10μm以上15μm以下、可以为15μm以上100μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上 25μm以下、可以为15μm以上20μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为 20μm以上50μm以下、可以为20μm以上30μm以下、可以为20μm以上25μm以下、可以为25μm以上100μm以下、可以为25μm以上50μm以下、可以为25μm以上30μm 以下、可以为30μm以上100μm以下、可以为30μm以上50μm以下、也可以为50μm 以上100μm以下。
作为测定掩模50的厚度T的方法，可以采用接触式的测定方法。作为接触式的测定方法，可以使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计 HEIDENHAIM-METRO的“MT1271”。
作为构成掩模50的材料，例如能够使用含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上54 质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上6质量％以下的铁合金。作为含镍或镍和钴的铁合金，可以使用含有34质量％以上38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了30 质量％以上34质量％以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材、含有38质量％以上54 质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，在采用玻璃基板作为基板110的情况下，可以将掩模 50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，在蒸镀处理时，能够抑制形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度和位置精度由于掩模50与基板110之间的热膨胀系数之差而降低。
接着，对上述有机器件100的制造方法进行说明。有机器件100的制造方法可以包括基板准备工序、有机层形成工序和第2电极形成工序。
首先，实施基板准备工序。在基板准备工序中，准备形成有第1电极120和参比电极150的基板110。第1电极120和参比电极150例如可以通过如下方式形成，即，在通过溅镀法等在基板110形成了导电层之后，通过光刻法等对导电层进行图案化。另外，俯视时位于相互相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160可以形成于基板 110。
接着，实施有机层形成工序。在有机层形成工序中，如图4所示，在第1电极 120上形成包含第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层130C的有机层130。第1有机层130A例如可以通过使用具有与第1有机层130A对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。例如，通过使有机材料等经由掩模蒸镀到与第1有机层130A对应的第1电极120上，能够形成第1有机层130A。第2有机层130B也可以通过使用具有与第2有机层130B对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。第3有机层130C也可以通过使用具有与第3有机层130C对应的贯通孔的掩模的蒸镀法来形成。
接着，实施第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，使用上述的掩模组在有机层130上形成第2电极140。首先，可以实施通过使用图9所示的第1掩模50A的蒸镀法来形成第2电极140的第1层140A的工序。例如，经由第1掩模50A将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上，由此能够形成第1层140A。接着，可以实施通过使用第2掩模50B的蒸镀法来形成第2电极140的第2层140B的工序。例如，经由第2掩模50B将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130等上，由此能够形成第2 层140B。接着，可以实施通过使用第3掩模50C的蒸镀法来形成第2电极140的第 3层140C的工序。例如，经由第3掩模50C将金属等导电性材料等蒸镀在有机层130 等上，由此能够形成第3层140C。这样，如图3所示，能够形成包含第1层140A、第2层140B和第3层140C的第2电极140。
需要说明的是，形成第1层140A、第2层140B和第3层140C的顺序没有特别限定。例如，可以在形成第2层140B后形成第1层140A，也可以在形成第3层140C 后形成第1层140A和第2层140B。
接着，对可通过上述有机器件100实现的效果进行说明。
标准区域103的第2电极140Y包含与第1显示区域101的第2电极140X连接的多个连接部105，多个连接部105包含在第2方向D2上位于第1边100La侧的第 1连接部105a，第1连接部105a包含在第1方向D1上位于透射区域104之间的相向连接部106。包含参比电极150的布线区域100W沿着第1边100La扩展，因此，相向连接部106与参比电极150相向。由此，能够缩短流过标准区域103的第2电极 140Y的电流通过相向连接部106到达参比电极150的路径。因此，能够抑制电流电阻值相对于流过标准区域103的第2电极140Y的电流的增大。更具体而言，在第1 电极120与第2电极140之间施加电压时，电流从第1电极120流至有机层130，流过有机层130的电流通过第2电极140流至参比电极150。此处，流过标准区域103 的第2电极140Y的电流通过连接部105流过第1显示区域101的第2电极140X，朝向参比电极150。但是，根据连接部105的位置，来自标准区域103的电流有时也会绕行而流至第1显示区域101。这种情况下，电流至参比电极150的路径增大，电流电阻值会增大。与此相对，通过第1连接部105a包含相向连接部106，流过标准区域103的第2电极140Y的电流通过与参比电极150相向的相向连接部106流至第 1显示区域101的第2电极140X，并能够朝向参比电极150。因此，能够缩短电流至参比电极150的路径，能够抑制电流的电阻值的增大。由此，能够抑制流过第1显示区域101的各元件115的电流量与流过标准区域103的各元件115的电流量之间的差异。其结果，能够使流过有机器件100的各元件115的电流量均匀。
另外，多个连接部105包含在第2方向D2上位于第2边100Lb侧的第2连接部 105b。由此，在第1显示区域101中较第2显示区域102更靠近第2边100Lb侧的部分的各元件115中流过的电流可以从第2连接部105b流入标准区域103，通过相向连接部106流至第1显示区域101的第2电极140X。因此，能够缩短电流至参比电极150的路径，能够抑制电流的电阻值的增大。其结果，能够使流至有机器件100 的各元件115的电流量均匀。
另外，标准区域103包含第2电极140Y在第2方向D2上从第2连接部105b延伸至第1连接部105a的第2方向部分103L，相向连接部106位于第2方向部分103L 的第2方向D2上的第1边100La侧的端部。由此，从第2连接部105b流入的电流可以通过第2方向部分103L沿第2方向D2流动，从相向连接部106流至第1显示区域101的第2电极140X。因此，能够进一步缩短电流至参比电极150的路径，能够进一步抑制电流的电阻值的增大。其结果，能够使流至有机器件100的各元件115 的电流量更均匀。
另外，透射区域104从在第2方向D2上在第2边100Lb侧与第1显示区域101 相接的端部延伸至在第2方向D2上在第1边100La侧与第1显示区域101相接的端部。这样，在第2显示区域102中，能够在很大的范围存在透射区域104。由此，能够增大透过透射区域104的光量。因此，能够增大位于基板110的背面侧的传感器接收的光量。
另外，透射区域104在俯视时包含基板110与有机层130不重叠的区域。由此，能够增大透射区域104的透射率。因此，能够增大位于基板110的背面侧的传感器接收的光量。
另外，标准区域103的第2电极140Y包含第1层140A和在俯视时与第1层140A 局部重叠的第2层140B。由此，第2电极140Y的第1层140A与第2层140B重叠，能够形成电极重叠区域145。第2电极140Y在该电极重叠区域145中能够具有比其他部分更厚的厚度。因此，在该电极重叠区域145中，能够降低电流电阻值。由此，能够抑制流过各元件115的电流量的差异。其结果，能够使流至有机器件100的各元件115的电流量均匀。
另外，标准区域103的第2电极140Y包含在俯视时与第1层140A或第2层140B 局部重叠的第3层140C。由此，第2电极140Y的第3层140C与第1层140A或第2层140B重叠，能够形成电极重叠区域145。因此，第2电极140Y在电极重叠区域 145中能够具有更厚的厚度，能够进一步降低电流电阻值。其结果，能够使流至有机器件100的各元件115的电流量更均匀。
另外，第2显示区域102中的第2电极140Y的占有率(第2占有率)为40％以上 95％以下。通过使第2占有率为40％以上，能够增大流过标准区域103的第2电极 140Y的电流量。由此，能够抑制流过第1显示区域101的各元件115的电流量与流过标准区域103的各元件115的电流量之间的差异。其结果，能够使流至有机器件 100的各元件115的电流量均匀。另外，通过使第2占有率为95％以下，在第2显示区域102中，能够在很大的范围存在透射区域104。由此，能够增大透过透射区域104 的光量。因此，能够增大位于基板110的背面侧的传感器接收的光量。
需要说明的是，在上述实施方式中，对标准区域103包含第2电极140Y在第2 方向D2上从第2连接部105b延伸至第1连接部105a的第2方向部分103L的示例进行了说明(参照图2和图3)。但是，不限定于此，只要第1连接部105a包含相向连接部106，则标准区域103也可以不包含第2方向部分103L。即，标准区域103的第 2电极140Y可以不在第2方向D2上延伸。例如，标准区域103的第2电极140Y可以相对于第2方向D2倾斜地延伸，也可以为锯齿状。这种情况下，透射区域104也可以相对于第2方向D2倾斜地延伸，也可以为锯齿状。这种情况下，通过使第1连接部105a包含相向连接部106，也能缩短电流至参比电极150的路径，能够抑制电流的电阻值的增大。其结果，能够使流至有机器件100的各元件115的电流量均匀。
另外，上述实施方式中，标准区域103也可以包含第2电极140Y在第1方向 D1上延伸的第1方向部分103W，以将在第1方向D1上相互相邻的2个第2方向部分103L分别连接(参照图11和图12)。第1方向部分103W可以从第2显示区域102 的第1方向D1上的一侧(图11中的左侧)的端部延伸至第1方向D1上的另一侧(图 11中的右侧)的端部。这种情况下，透射区域104可以在第1方向D1上排列，同时在第2方向D2上排列。这种情况下，通过使第1连接部105a包含相向连接部106，也能缩短电流至参比电极150的路径，能够抑制电流的电阻值的增大。其结果，能够使流至有机器件100的各元件115的电流量均匀。
另外，上述实施方式中，对透射区域104不包含第1电极120、有机层130和第 2电极140的示例进行了说明。但是，不限定于此，透射区域104可以包含第1电极120、有机层130。另外，透射区域104可以包含绝缘层160。
另外，上述实施方式中，对第2电极140包含3个层的示例进行了说明。但是，不限定于此，第2电极140可以包含1个层或2个层、或者4个以上的层。例如，在第2电极140由1个层构成的情况下，第2电极140可以由实心图案形成。另外，上述元件115的配置图案也为一例，也可以由其他任意的配置图案来配置元件115。
根据上述说明的实施方式，能够使流至有机器件的各元件的电流量均匀。
实施例
接着，使用实施例和比较例更具体地说明本实用新型的实施方式。但只要不超出其要点，则本实用新型的实施方式不限定于以下实施例的记载。
图10是示出第1实施例的有机器件100X的俯视图。作为第1实施例，通过模拟计算流过图10所示的有机器件100X的各元件115的电流值。
与图2所示的有机器件100同样地，图10所示的有机器件100X具有包含第1 显示区域101和第2显示区域102的显示区域100D。第1显示区域101具有一边为 5mm的正方形的轮廓。即，第1方向D1上的第1显示区域101的尺寸W为5mm，第2方向D2上的第1显示区域101的尺寸L也为5mm。另外，第2显示区域102 具有圆形的轮廓。第2显示区域102的直径R为3mm。第2显示区域102中的第2 电极140Y的占有率(第2占有率)为52％。第1显示区域101的第2方向D2上的一侧(图10中的下侧)的边被连接至规定基准电位的地GN。基准电位为0V。图10的有机器件100X的其他构成与图2的有机器件100大致相同。图10的有机器件100X中带有标号C1的双点划线所包围的区域的放大图与图3相同。
图11是示出第2实施例的有机器件100Y的俯视图。图12是将图11的有机器件100Y中带有标号C2的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。作为第2实施例，通过模拟计算流至图11和图12所示的有机器件100Y的各元件115的电流值。
图11和图12所示的有机器件100Y与图10所示的第1变形例的有机器件100X 的构成大致相同，但标准区域103包含上述的第1方向部分103W这点不同。第1方向部分103W是下述部分：第2电极140Y在第1方向D1上延伸，以将标准区域103 中在第1方向D1上相互相邻的2个第2方向部分103L分别连接。在图11和图12 所示的有机器件100Y中，第1方向部分103W从第2显示区域102的第1方向D1 上的一侧(图11中的左侧)的端部延伸至第1方向D1上的另一侧(图11中的右侧)的端部。即，第1方向部分103W所包含的第2电极140Y在第1方向D1上从第1方向 D1上的一侧的端部延伸至第1方向D1上的另一侧的端部。需要说明的是，第2显示区域102中的第2电极140Y的占有率(第2占有率)为57％。
图13是示出第3实施例的有机器件100Z的俯视图。图14是将图13的有机器件 100Z中带有标号C3的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。作为第3实施例，通过模拟计算流至图13和图14所示的有机器件100Z的各元件115的电流值。
图13和图14所示的有机器件100Z与图10所示的第1变形例的有机器件100X 的构成大致相同，但与第1变形例的情况相比第2占有率小，这点是不同的。更具体而言，第2显示区域102中的第2电极140Y的占有率(第2占有率)为26％。在图13 和图14所示的有机器件100Z中，第1方向D1上的第2方向部分103L的排列间距较第1变形例时达到2倍。
图15是示出比较例的有机器件100C的俯视图。图16是将图14的有机器件100C 中带有标号C4的双点划线所包围的区域放大示出的俯视图。作为比较例，通过模拟计算流至图15和图16所示的有机器件100C的各元件115的电流值。
图15和图16所示的有机器件100C与图10所示的第1变形例的有机器件100X 的构成大致相同，但标准区域103不含上述的第2方向部分103L、而包含第1方向部分103C，这点是不同的。第1方向部分103C是标准区域103中从第2显示区域 102的第1方向D1上的一侧(图15中的左侧)的端部延伸至第1方向D1上的另一侧(图 15中的右侧)的端部的部分。因此，在图15和图16所示的有机器件100C中，第1 连接部105a不包含上述的相向连接部106。需要说明的是，第2显示区域102中的第2电极140Y的占有率(第2占有率)为57％。
图17是示出参考例的有机器件100R的俯视图。作为参考例，通过模拟计算流至图17所示的有机器件100R的各元件115的电流值。
图17所示的有机器件100R与图10所示的第1变形例的有机器件100X的构成大致相同，但第2显示区域102不含透射区域104这点不同。即，第2显示区域102 由标准区域103构成。这种情况下，第2显示区域102中的第2电极140Y的占有率 (第2占有率)为100％。需要说明的是，在图17所示的有机器件100R中，为了方便起见，将与第1变形例的第2显示区域102相同的位置的区域称为第2显示区域102。另外，在图17所示的有机器件100R中，第2电极140由1个层构成，第2电极140 由实心图案形成。即，第2电极140由第1层140A构成，不包含俯视时与第1层140A 重叠的第2层140B和第3层140C。因此，并未形成电极重叠区域145。
在模拟中，计算对各元件115施加规定电压时流至各元件115的电流的电流值。将各电流值中最大的电流值记为最大电流值Imax，将最小的电流值记为最小电流值 Imin，将其差记为电流差值Idiff。将各实施例、比较例和参考例的模拟结果示于图18。需要说明的是，在图18中，电流差值Idiff一栏的括弧内的数值表示电流差值Idiff相对于最大电流值Imax的比例。
如图18所示，可以确认到第1实施例、第2实施例和第3实施例中的电流差值 Idiff小于比较例中的电流差值Idiff。如此能够确认：在第1连接部105a包含相向连接部106的情况下，能够使流至各元件115的电流量均匀。
特别是，可以确认到第1实施例和第2实施例中的电流差值Idiff小于参考例中的电流差值Idiff。即，确认到：尽管第1实施例和第2实施例包含透射区域104，但与不含透射区域104的参考例相比，电流差值Idiff减小。认为这是因为，在第1实施例和第2实施例中形成有电极重叠区域145，在电极重叠区域145，第2电极140Y的厚度变厚，电流电阻值降低。如此确认到：在第1连接部105a包含相向连接部106 且第2电极140包含多个层140A、140B、140C的情况下，能够使流至各元件115 的电流量更均匀。
另外，可以确认到：第1实施例和第2实施例中的电流差值Idiff小于第3实施例中的电流差值Idiff。认为这是因为，在第1实施例和第2实施例中，第2占有率大于第3实施例，流过标准区域103的第2电极140Y的电流量增大。可知：设电流差值 Idiff的阈值为0.26nA时，第2占有率为40％以上的情况下，电流差值Idiff达到阈值以下。如此可以确认：在第1连接部105a包含相向连接部106且第2占有率为40％以上的情况下，能够使流至各元件115的电流量更均匀。

Claims (13)

1.一种有机器件，其特征在于，其具备：
外缘，包含在第1方向上延伸并在与所述第1方向正交的第2方向上相向的第1边和第2边、以及沿从所述第1边朝向所述第2边的方向延伸的第3边和第4边；
布线区域，沿所述第1边扩展；和
显示区域，与所述布线区域相接，
所述显示区域包含第1电极、位于所述第1电极上的有机层、和位于所述有机层上的第2电极，
所述布线区域包含与所述第2电极电连接并规定基准电位的参比电极，
所述显示区域包含第1显示区域、和与所述第1显示区域相接的第2显示区域，
所述第2显示区域包含：含有所述第2电极的标准区域、和不含所述第2电极且在所述第1方向上排列的透射区域，
所述标准区域的所述第2电极包含与所述第1显示区域的所述第2电极连接的多个连接部，
多个所述连接部包含在所述第2方向上位于所述第1边侧的第1连接部，
所述第1连接部包含在所述第1方向上位于所述透射区域之间的相向连接部。
2.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，多个所述连接部包含在所述第2方向上位于所述第2边侧的第2连接部。
3.如权利要求2所述的有机器件，其特征在于，所述标准区域包含所述第2电极在所述第2方向上从所述第2连接部延伸至所述第1连接部的第2方向部分，
所述相向连接部位于所述第2方向部分的所述第2方向的所述第1边侧的端部。
4.如权利要求3所述的有机器件，其特征在于，所述透射区域从在所述第2方向上在所述第2边侧与所述第1显示区域相接的端部延伸至在所述第2方向上在所述第1边侧与所述第1显示区域相接的端部。
5.如权利要求3所述的有机器件，其特征在于，所述标准区域包含所述第2电极在所述第1方向上延伸的第1方向部分，以将在所述第1方向上相互相邻的2个所述第2方向部分分别连接。
6.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述标准区域包含在俯视时所述第2电极与所述有机层不重叠的区域。
7.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述透射区域包含在俯视时所述有机器件的基板与所述有机层不重叠的区域。
8.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述第1连接部包含2个以上的所述相向连接部。
9.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述第1连接部在所述第1方向上的尺寸为5μm以上500μm以下。
10.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述第1连接部以10μm以上550μm以下的间隔在所述第1方向上排列。
11.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述标准区域的所述第2电极包含第1层、和在俯视时与所述第1层局部重叠的第2层。
12.如权利要求11所述的有机器件，其特征在于，所述标准区域的所述第2电极包含在俯视时与所述第1层或所述第2层局部重叠的第3层。
13.如权利要求1所述的有机器件，其特征在于，所述第2显示区域中的所述第2电极的占有率为40％以上95％以下。
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