TW202322432A - 有機裝置及有機裝置之製造方法 - Google Patents

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西村直起
矢野宏志
中村友祐
宮谷勲
中村陽子
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日商大日本印刷股份有限公司
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Abstract

本揭示之有機裝置具備外緣、配線區域、及顯示區域。顯示區域包含：第1電極、位於第1電極上之有機層、及位於有機層上之第2電極。配線區域包含與第2電極電性連接、規定基準電位之基準電極。顯示區域包含第1顯示區域、及與第1顯示區域相接之第2顯示區域。第2顯示區域包含：標準區域，其包含第2電極；及透過區域，其不包含第2電極，且排列於第1方向。標準區域之第2電極包含與第1顯示區域之第2電極連接之複數個連接部。複數個連接部包含於第2方向上位於第1邊之側之第1連接部。第1連接部包含於第1方向上位於透過區域之間之對向連接部。

Description

有機裝置及有機裝置之製造方法
本揭示之實施形態係關於一種有機裝置及有機裝置之製造方法。
近年來，智慧型手機或平板PC(Personal Computer：個人電腦)等電子裝置中，市場要求高精細之顯示裝置。顯示裝置例如具有400 ppi以上或800 ppi以上等之元件密度。
由於具有較佳應答性或/及高對比度，故有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之元件之方法，已知有使構成元件之材料藉由蒸鍍附著於基板之方法。例如，首先準備以與元件對應之圖案形成有陽極之基板。接著，經由遮罩之貫通孔，使有機材料附著於陽極之上，於陽極之上形成有機層。接著，經由遮罩之貫通孔，使導電性材料附著於有機層之上，於有機層之上形成陰極。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6500082號公報 [專利文獻2]日本專利特開2021-9355號公報
[發明所欲解決之問題]
有機EL顯示裝置等有機裝置中，若對陽極與陰極間施加電壓，則電流自陽極流向機層，有機層放出構成影像之光。流過有機層之電流通過陰極，流動至規定基準電位之基準電極。此處，根據陰極之蒸鍍圖案，各元件之陰極之電流電阻值變化，流過各元件之電流量可能變化。其結果，有機裝置之各元件產生亮度差，顯示之均一性可能惡化。
本揭示之實施形態之目的在於提供一種可有效解決此種問題之有機裝置。 [解決問題之技術手段]
本揭示之一實施形態之有機裝置可具備：外緣，其包含於第1方向延伸，於與第1方向正交之第2方向上對向之第1邊及第2邊、及向自第1邊朝向第2邊之方向延伸之第3邊及第4邊；配線區域，其沿第1邊擴展；及顯示區域，其與配線區域相接。顯示區域可包含：第1電極、位於第1電極上之有機層、及位於有機層上之第2電極。配線區域可包含與第2電極電性連接，規定基準電位之基準電極。顯示區域可包含第1顯示區域、及與第1顯示區域相接之第2顯示區域。第2顯示區域可包含：標準區域，其包含第2電極；及透過區域，其不包含第2電極，且排列於第1方向。標準區域之第2電極可包含與第1顯示區域之第2電極連接之複數個連接部。複數個連接部可包含於第2方向上位於第1邊之側之第1連接部。第1連接部可包含第1方向上位於透過區域之間之對向連接部。 [發明之效果]
根據本揭示之一實施形態，可將流至有機裝置之各元件之電流量均一化。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則「基板」、「基材」、「板」、「片材」、或「薄膜」等意指成為某構成之基礎之物質之用語僅基於稱呼之差異，彼此不區分。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則對於形狀或幾何條件以及特定其等之程度之例如「平行」、「正交」等用語、長度、或角度之值等，不限於嚴格含義，包含亦可期待相同功能之程度之範圍而解釋。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則將某構件或某區域等之某構成設於其他構件或其他區域等之其他構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」、或者「上方」或「下方」之情形時，包含某構成與其他構成直接相接之情形。再者，亦包含某構成與其他構成之間含有另外構成之情形，即間接相接之情形。又，只要無特別說明，則「上」或「上側」或「上方」、或「下」或「下側」或「下方」等詞句之上下方向可反轉。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則有對同一部分或具有相同功能之部分標註同一符號或類似符號，省略其重複說明之情形。又，為方便說明起見，有圖式之尺寸比例與實際比例不同之情形，或自圖式省略構成之一部分之情形。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則於不產生矛盾之範圍內，亦可與其他實施形態或變化例組合。又，其他實施形態彼此，或其他實施形態及變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則就製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於所揭示之步驟之間，實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
本說明書及本圖式中，只要未特別說明，則由「～」之記號表現之數值範圍包含置於「～」符號前後之數值。例如，由「34～38質量%」之表現劃定之數值範圍，與由「34質量%以上38質量%以下」之表現劃定之數值範圍相同。
本揭示之第1態樣係一種有機裝置，其具備： 外緣，其包含於第1方向延伸，於與上述第1方向正交之第2方向上對向之第1邊及第2邊，與向自上述第1邊朝向上述第2邊之方向延伸之第3邊及第4邊； 配線區域，其沿上述第1邊擴展；及 顯示區域，其與上述配線區域相接；且 上述顯示區域包含第1電極、位於上述第1電極上之有機層、及位於上述有機層上之第2電極； 上述配線區域包含與上述第2電極電性連接，規定基準電位之基準電極； 上述顯示區域包含第1顯示區域，及與上述第1顯示區域相接之第2顯示區域； 上述第2顯示區域包含：標準區域，其包含上述第2電極；及透過區域，其不包含上述第2電極，且排列於上述第1方向； 上述標準區域之上述第2電極包含與上述第1顯示區域之上述第2電極連接之複數個連接部； 複數個上述連接部包含於上述第2方向上位於上述第1邊之側之第1連接部； 上述第1連接部包含於上述第1方向上位於上述透過區域之間之對向連接部。
本揭示之第2態樣亦可如上述第1態樣之有機裝置，其中 複數個上述連接部包含於上述第2方向上位於上述第2邊之側之第2連接部。
本揭示之第3態樣亦可如上述第2態樣之有機裝置，其中 上述標準區域包含第2方向部分，該第2方向部分中，上述第2電極於上述第2方向上，自上述第2連接部延伸至上述第1連接部， 上述對向連接部位於上述第2方向部分之上述第2方向之上述第1邊側之端部。
本揭示之第4態樣亦可如上述第3態樣之有機裝置，其中 上述透過區域自上述第2方向上以上述第2邊之側與上述第1顯示區域相接之端部，延伸至上述第2方向上以上述第1邊之側與上述第1顯示區域相接之端部。
本揭示之第5態樣亦可如上述第3態樣之有機裝置，其中 上述標準區域包含第1方向部分，該第1方向部分中，上述第2電極以將上述第1方向上彼此相鄰之2個上述第2方向部分分別連接之方式於上述第1方向延伸。
本揭示之第6態樣亦可如上述第1態樣至上述第5態樣各者之有機裝置，其中 上述標準區域於俯視時包含上述第2電極與上述有機層不重疊之區域。
本揭示之第7態樣亦可如上述第1態樣至上述第6態樣各者之有機裝置，其中 上述透過區域於俯視時包含上述有機裝置之基板與上述有機層不重疊之區域。
本揭示之第8態樣亦可如上述第1態樣至上述第7態樣各者之有機裝置，其中 上述第1連接部包含2個以上之上述對向連接部。
本揭示之第9態樣亦可如上述第1態樣至上述第8態樣各者之有機裝置，其中 上述第1方向之上述第1連接部之尺寸為5 μm以上500 μm以下。
本揭示之第10態樣亦可如上述第1態樣至上述第9態樣各者之有機裝置，其中 上述第1連接部以10 μm以上550 μm以下之間隔排列於上述第1方向。
本揭示之第11態樣亦可如上述第1態樣至上述第10態樣各者之有機裝置，其中 上述標準區域之上述第2電極包含俯視時與上述第1層局部重疊之第2層。
本揭示之第12態樣亦可如上述第11態樣之有機裝置，其中 上述標準區域之上述第2電極包含俯視時與上述第1層或上述第2層局部重疊之第3層。
本揭示之第13態樣亦可如上述第1態樣至上述第12態樣各者之有機裝置，其中 上述第2顯示區域中上述第2電極之佔有率為40%以上95%以下。
本揭示之第14態樣亦可如上述第1態樣至上述第13態樣各者之有機裝置，其中 上述第1電極包含金屬氧化物， 上述第2電極包含金屬。
本揭示之第15態樣係一種有機裝置之製造方法，其係上述第1態樣至上述第14態樣各者之有機裝置之製造方法，且具備： 於上述第1電極上之上述有機層上形成上述第2電極之第2電極形成步驟， 上述第2電極包含第1層，及俯視時與上述第1層局部重疊之第2層， 上述第2電極形成步驟具備： 藉由使用第1遮罩之蒸鍍法，形成上述第1層之步驟；及 藉由使用第2遮罩之蒸鍍法，形成上述第2層之步驟。
本揭示之第16態樣亦可如上述第15態樣之有機裝置之製造方法，其中 上述第2電極包含俯視時與上述第1層或上述第2層局部重疊之第3層， 上述第2電極形成步驟具備藉由使用第3遮罩之蒸鍍法形成上述第3層之步驟。
針對本揭示之一實施形態，一面參照圖式一面詳細說明。另，以下所示之實施形態為本揭示之實施形態之一例，本揭示並非僅限定於該等實施形態而解釋。
以下，針對本實施形態之有機裝置100進行說明。圖1係顯示沿有機裝置100之基板之法線方向觀察時之有機裝置100之一例之俯視圖。以下之說明中，亦將沿基板等成為基礎之物質之面之法線方向稱為俯視。
如圖1所示，有機裝置100具有大致矩形狀之俯視形狀。有機裝置100於俯視時具有外緣100L，其包含：於第1方向D1(圖1之左右方向)延伸之第1邊100La及第2邊100Lb；及於與第1方向D1正交之第2方向D2(圖1之上下方向)延伸之第3邊100Lc及第4邊100Ld。第1邊100La及第2邊100Lb於第2方向D2上互相對向。第1邊100La位於第2方向D2之一側(圖1之下側)，第2邊100Lb位於第2方向D2之另一側(圖1之上側)。第3邊100Lc及第4邊100Ld向自第1邊100La朝向第2邊100Lb之方向延伸。第3邊100Lc及第4邊100Ld於第1方向D1上互相對向。第3邊100Lc位於第1方向D1之一側(圖1之左側)，第4邊100Ld位於第1方向D1之另一側(圖1之右側)。
如圖1所示，有機裝置100於俯視時具有配線區域100W及顯示區域100D。配線區域100W沿第1邊100La擴展。如圖1所示，配線區域100W可位於較顯示區域100D更靠第2方向D2之一側(圖1之下側)。顯示區域100D與配線區域100W相接。如圖1所示，顯示區域100D可於第2方向D2上與配線區域100W相接。顯示區域100D可位於較配線區域100W更靠第2方向D2之另一側(圖1之上側)。顯示區域100D可具有大於配線區域100W之面積。
顯示區域100D包含沿基板之內表面方向排列之複數個元件115。元件115例如為像素。顯示區域100D於俯視時包含第1顯示區域101及第2顯示區域102。第2顯示區域102與第1顯示區域101相接。第2顯示區域102可具有小於第1顯示區域101之面積。如圖1所示，第2顯示區域102可由第1顯示區域101包圍。如圖1所示，第2顯示區域102可具有圓形狀或橢圓形狀之輪廓。雖未圖示，但第2顯示區域102之外緣之一部分可與第1顯示區域101之外緣之一部分重疊。又，雖未圖示，但第2顯示區域102可具有矩形狀之輪廓。該情形時，例如第2顯示區域102之第2邊100Lb側之外緣可位於與第1顯示區域101之第2邊100Lb側之外緣同一直線上。
圖2係將圖1之有機裝置100中由標註符號A1之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。第1顯示區域101中，元件115可沿不同之2個方向排列。如圖1及圖2所示，第1顯示區域101之2個以上元件115可沿第1方向D1排列。又，第1顯示區域101之2個以上元件115可沿第2方向D2排列。
如圖2所示，顯示區域100D包含第2電極140。第2電極140位於後述之有機層130上。第2電極140電性連接於有機層130。亦將位於第1顯示區域101之第2電極140稱為第2電極140X。亦將位於第2顯示區域102之第2電極140稱為第2電極140Y。
第2電極140X具有第1佔有率。第1佔有率藉由將位於第1顯示區域101第2電極140X之面積之合計除以第1顯示區域101之面積而算出。第2電極140Y具有第2佔有率。第2佔有率藉由將位於第2顯示區域102第2電極140Y之面積之合計除以第2顯示區域102之面積而算出。第2佔有率可小於第1佔有率。例如如圖2所示，第2顯示區域102可包含標準區域103及透過區域104。標準區域103為包含第2電極140Y之區域。透過區域104為不包含第2電極140Y之區域。
第2佔有率例如可為20%以上，可為40%以上，亦可為50%以上。第2佔有率例如可為60%以下，可為80%以下，亦可為95%以下。第2佔有率之範圍亦可由包含20%、40%及50%之第1組群，及/或包含60%、80%及95%之第2組群而定。第2佔有率之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第2佔有率之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第2佔有率之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為20%以上95%以下，可為20%以上80%以下，可為20%以上60%以下，可為20%以上50%以下，可為20%以上40%以下，可為40%以上95%以下，可為40%以上80%以下，可為40%以上60%以下，可為40%以上50%以下，可為50%以上95%以下，可為50%以上80%以下，可為50%以上60%以下，可為60%以上95%以下，可為60%以上80%以下，亦可為80%以上95%以下。
第2佔有率相對於第1佔有率之比例如可為0.2以上，可為0.4以上，亦可為0.5以上。第2佔有率相對於第1佔有率之比例如可為0.6以下，可為0.8以下，亦可為0.95以下。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍亦可由包含0.2、0.4及0.5之第1組群，及/或包含0.6、0.8及0.95之第2組群而定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第2佔有率相對於第1佔有率之比之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為0.2以上0.95以下，可為0.2以上0.8以下，可為0.2以上0.6以下，可為0.2以上0.5以下，可為0.2以上0.4以下，可為0.4以上0.95以下，可為0.4以上0.8以下，可為0.4以上0.6以下，可為0.4以上0.5以下，可為0.5以上0.95以下，可為0.5以上0.8以下，可為0.5以上0.6以下，可為0.6以上0.95以下，可為0.6以上0.8以下，亦可為0.8以上0.95以下。
亦將標準區域103之透過率稱為第1透過率TR1。亦將透過區域104之透過率稱為第2透過率TR2。由於透過區域104不包含第2電極140Y，故第2透過率TR2高於第1透過率TR1。因此，包含透過區域104之第2顯示區域102中，到達有機裝置100之光可透過透過區域104，到達基板之背側之光學零件等。光學零件例如為相機等藉由檢測光而實現若干功能之零件。由於第2顯示區域102包含標準區域103，故元件115為像素之情形時，可於第2顯示區域102顯示影像。如此，第2顯示區域102可檢測光且顯示影像。藉由檢測光而實現之第2顯示區域102之功能例如為相機、指紋感測器、臉部認證感測器等感測器。第2顯示區域102之透過區域104之第2透過率TR2愈高，第2佔有率愈低，愈可增加感測器接收之光量。
第1方向D1及第2方向D2之標準區域103之尺寸，以及第1方向D1及第2方向D2之透過區域104之尺寸皆為1 mm以下之情形時，可使用顯微分光光度計，測定第1透過率TR1及第2透過率TR2。作為顯微分光光度計，可使用Olympus股份有限公司製OSP-SP200或大塚電子股份有限公司製LCF系列之任一者。任一顯微分光光度計皆可於380 nm以上780 nm以下之可視域測定透過率。可使用石英或TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)液晶用硼酸玻璃、TFT液晶用無鹼玻璃之任一者作為參考。可使用550 nm之測定結果作為第1透過率TR1及第2透過率TR2。
第1方向D1及第2方向D2之標準區域103之尺寸，以及第1方向D1及第2方向D2之透過區域104之尺寸皆大於1 mm之情形時，可使用分光光度計測定第1透過率TR1及第2透過率TR2。作為分光光度計，可使用股份有限公司島津製作所製之紫外可視分光光度計UV-2600i或UV-3600i Plus之任一者。藉由於分光光度計安裝微小光束光圈單元，最大可測定具有1 mm尺寸之區域之透過率。可使用大氣作為參考。可使用550 nm之測定結果作為第1透過率TR1及第2透過率TR2。
第2透過率TR2相對於第1透過率TR1之比即TR2/TR1例如可為1.2以上，可為1.5以上，可為1.8以上。TR2/TR1例如可為2以下，可為3以下，可為4以下。TR2/TR1之範圍可由包含1.2、1.5及1.8之第1組群，及/或包含2、3及4之第2組群而定。TR2/TR1之範圍可由上述第1組群包含之值中之任意1者，與上述第2組群包含之值中之任意1者之組合而定。TR2/TR1之範圍可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。TR2/TR1之範圍可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為1.2以上4以下，可為1.2以上3以下，可為1.2以上2以下，可為1.2以上1.8以下，可為1.2以上1.5以下，可為1.5以上4以下，可為1.5以上3以下，可為1.5以上2以下，可為1.5以上1.8以下，可為1.8以上4以下，可為1.8以上3以下，可為1.8以上2以下，可為2以上4以下，可為2以上3以下，亦可為3以上4以下。
如圖2所示，透過區域104排列於第1方向D1。透過區域104可於第1方向D1上位於標準區域103之間。即，標準區域103及透過區域104可於第1方向D1交替排列。
第2方向D2之透過區域104之兩端部可與第1顯示區域101相接。透過區域104可自第1方向D2上以第2邊100Lb之側(圖2之上側)與第1顯示區域101相接之端部，延伸至第2方向D2上以第1邊100La之側(圖2之下側)與第1顯示區域101相接之端部。
如圖2所示，透過區域104具有第1方向D1之透過第1尺寸TD1，與第2方向D2之透過第2尺寸TD2。
透過第2尺寸TD2可大於透過第1尺寸TD1。透過第2尺寸TD2相對於透過第1尺寸TD1之比即TD2/TD1例如可為2以上，可為5以上，可為10以上，亦可為20以上。TD2/TD1例如可為50以下，可為100以下，可為200以下，亦可為500以下。TD2/TD1之範圍亦可由包含2、5、10及20之第1組群，及/或包含50、100、200及500之第2組群而定。TD2/TD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。TD2/TD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。TD2/TD1之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為2以上500以下，可為2以上200以下，可為2以上100以下，可為2以上50以下，可為2以上20以下，可為2以上10以下，可為2以上5以下，可為5以上500以下，可為5以上200以下，可為5以上100以下，可為5以上50以下，可為5以上20以下，可為5以上10以下，可為10以上500以下，可為10以上200以下，可為10以上100以下，可為10以上50以下，可為10以上20以下，可為20以上500以下，可為20以上200以下，可為20以上100以下，可為20以上50以下，可為50以上500以下，可為50以上200以下，可為50以上100以下，可為100以上500以下，可為100以上200以下，亦可為200以上500以下。
透過區域104之透過第1尺寸TD1例如可為5 μm以上，可為20 μm以上，亦可為100 μm以上。透過第1尺寸TD1例如可為300 μm以下，可為350 μm以下，亦可為550 μm以下。透過區域104之透過第1尺寸TD1之範圍亦可由包含5 μm、20 μm及100 μm之第1組群，及/或包含300 μm、350 μm及550 μm之第2組群而定。透過區域104之透過第1尺寸TD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。透過區域104之透過第1尺寸TD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。透過區域104之透過第1尺寸TD1之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為5 μm以上550 μm以下，可為5 μm以上350 μm以下，可為5 μm以上300 μm以下，可為5 μm以上100 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為20μm以上550 μm以下，可為20μm以上350 μm以下，可為20μm以上300 μm以下，可為20 μm以上100 μm以下，可為100μm以上550 μm以下，可為100μm以上350 μm以下，可為100μm以上300 μm以下，可為300μm以上550 μm以下，可為300μm以上350 μm以下，亦可為350μm以上550 μm以下。
如圖2所示，標準區域103之第2電極140Y包含與第1顯示區域101之第2電極140X連接之複數個連接部105。藉由該連接部105，將標準區域103之第2電極140Y與第1顯示區域101之第2電極140X電性連接。連接部105可由標準區域103之第2電極140Y中位於與第1顯示區域101之邊界部之第2電極140Y構成。
複數個連接部105包含：於第2方向D2上位於第1邊100La之側(圖2之下側)之第1連接部105a；及於第2方向D2上位於第2邊100Lb之側(圖2之上側)之第2連接部105b。第2連接端105b於第2方向D2上位於第1連接部105a之相反側。如圖2所示，複數個連接部105中位於第2顯示區域102之下半部分側之連接部構成第1連接部105a，位於第2顯示區域102之上半部分側之連接部構成第2連接部105b。雖未圖示，但若第2顯示區域102具有矩形狀之輪廓，且第2顯示區域102之第2邊100Lb側之外緣與第1顯示區域101之第2邊100Lb側之外緣位於同一直線上之情形時，第2電極140Y可不包含第2連接部105b。
第1連接部105a包含對向連接部106。對向連接部106於第1方向D1上位於透過區域104之間。因此，對向連接部106與後述之基準電極150對向。即，第1連接部105a中與基準電極105對向之連接部構成對向連接部106。此處，「對向」之用語不僅用於以彼此之水平面平行之方式與對象物相向之嚴格含義，亦用於大致朝向對象物之側之程度之含義。對向連接部106定義為第1連接部105a中於第1方向D1上位於透過區域104之間之連接部。第1連接部105a可包含2個以上之對向連接部106。如圖2所示，可由所有第1連接部105a構成對向連接部106，亦可由一部分第1連接部105a構成對向連接部106。
如圖2所示，第1連接部105a具有第1方向D1之連接尺寸CD1。第1連接部105a可沿第1方向D1以連接週期CC1排列。
第1連接部105a之連接尺寸CD1例如可為5 μm以上，可為20 μm以上，亦可為100 μm以上。第1連接部105a之連接尺寸CD1例如可為250 μm以下，可為300 μm以下，亦可為500 μm以下。第1連接部105a之連接尺寸CD1之範圍亦可由包含5 μm、20 μm及100 μm之第1組群，及/或包含250 μm、300 μm及500 μm之第2組群而定。第1連接部105a之連接尺寸CD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第1連接部105a之連接尺寸CD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第1連接部105a之連接尺寸CD1之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為5 μm以上500 μm以下，可為5 μm以上300 μm以下，可為5 μm以上250 μm以下，可為5 μm以上100 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為20 μm以上500 μm以下，可為20 μm以上300 μm以下，可為20μm以上250 μm以下，可為20μm以上100 μm以下，可為100μm以上500 μm以下，可為100 μm以上300 μm以下，可為100μm以上250 μm以下，可為250 μm以上500 μm以下，可為250 μm以上300 μm以下，亦可為300 μm以上550 μm以下。
第1連接部105a之連接週期CC1例如可為10 μm以上，可為30 μm以上，亦可為150 μm以上。第1連接部105a之連接週期CC1例如可為300 μm以下，可為350 μm以下，亦可為550 μm以下。第1連接部105a之連接週期CC1之範圍亦可由包含10 μm、30 μm及150 μm之第1組群，及/或包含300 μm、350 μm及550 μm之第2組群而定。第1連接部105a之連接週期CC1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第1連接部105a之連接週期CC1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第1連接部105a之連接週期CC1之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為10 μm以上550 μm以下，可為10 μm以上350 μm以下，可為10 μm以上300 μm以下，可為10 μm以上150 μm以下，可為10 μm以上30 μm以下，可為30 μm以上550 μm以下，可為30 μm以上350 μm以下，可為30 μm以上300 μm以下，可為30 μm以上150 μm以下，可為150 μm以上550 μm以下，可為150 μm以上350 μm以下，可為150 μm以上300 μm以下，可為300 μm以上550 μm以下，可為300 μm以上350 μm以下，亦可為350 μm以上550 μm以下。
第2連接部105b之第1方向D1之連接尺寸可與第1連接部105a之第1方向D1之連接尺寸CD1相同。又，第2連接部105b之第1方向D1之連接尺寸可大於或小於第1連接部105a之第1方向D1之連接尺寸CD1。第2連接部105b之第1方向D1之連接尺寸例如可為5 μm以上，可為20 μm以上，亦可為100 μm以上。又，第2連接部105b之第1方向D1之連接尺寸例如可為250 μm以下，可為300 μm以下，亦可為500 μm以下。
第2連接部105b之第1方向D1之連接週期可與第1連接部105a之第1方向D1之連接週期CC1相同。又，第2連接部105b之第1方向D1之連接週期可大於或小於第1連接部105a之第1方向D1之連接週期CC1。第2連接部105b之第1方向D1之連接週期例如可為10 μm以上，可為30 以上，亦可為150 μm以上。又，第2連接部105b之第1方向D1之連接週期例如可為300 μm以下，可為350 μm以下，亦可為550 μm以下。
如圖2所示，標準區域103可包含第2電極140Y於第2方向D2上自第2連接部105b延伸至第1連接部105a之第2方向部分103L。即，第2方向部分103L包含之第2電極140Y於第2方向D2上自第2連接部105b延伸至第1連接部105a。該情形時，對向連接部106位於第2方向部分103L之第2方向D2之第1邊100La之側(圖2之下側)之端部。即，第2方向部分103L之第2方向D2之第1邊100La側之端部構成上述之對向連接部106。
第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1例如可為0.5 mm以上，可為3 mm以上，亦可為5 mm以上。第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1例如可為10 mm以下，可為20 mm以下，亦可為30 mm以下。第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1之範圍亦可由包含0.5 mm、3 mm及5 mm之第1組群，及/或包含10 mm、20 mm及30 mm之第2組群而定。第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第1方向D1之第2顯示區域102之尺寸DD1之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為0.5 mm以上30 mm以下，可為0.5 mm以上20 mm以下，可為0.5 mm以上10 mm以下，可為0.5 mm以上5 mm以下，可為0.5 mm以上3 mm以下，可為3 mm以上30 mm以下，可為3 mm以上20 mm以下，可為3 mm以上10 mm以下，可為3 mm以上5 mm以下，可為5 mm以上30 mm以下，可為5 mm以上20 mm以下，可為5 mm以上10 mm以下，可為10 mm以上30 mm以下，可為10 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上30 mm以下。
第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2例如可為0.5 mm以上，可為3 mm以上，亦可為5 mm以上。第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2例如可為10 mm以下，可為20 mm以下，亦可為30 mm以下。第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2之範圍亦可由包含0.5 mm、3 mm及5 mm之第1組群，及/或包含10 mm、20 mm及30 mm之第2組群而定。第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第2方向D2之第2顯示區域102之尺寸DD2之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為0.5 mm以上30 mm以下，可為0.5 mm以上20 mm以下，可為0.5 mm以上10 mm以下，可為0.5 mm以上5 mm以下，可為0.5 mm以上3 mm以下，可為3 mm以上30 mm以下，可為3 mm以上20 mm以下，可為3 mm以上10 mm以下，可為3 mm以上5 mm以下，可為5 mm以上30 mm以下，可為5 mm以上20 mm以下，可為5 mm以上10 mm以下，可為10 mm以上30 mm以下，可為10 mm以上20 mm以下，亦可為20 mm以上30 mm以下。
圖3係將圖2之有機裝置100中由標註符號B1之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。圖4係顯示自圖3之有機裝置100去除第2電極140之狀態之俯視圖。圖5係沿圖3之有機裝置100之第1顯示區域101之C-C線之剖視圖。
如圖5所示，有機裝置100包含基板110、及位於基板110上之元件115。更具體而言，有機裝置100之顯示區域100D包含基板110、及位於基板110上之元件115。元件115具有第1電極120、位於第1電極120上之有機層130、及位於有機層130上之第2電極140。
有機裝置100可包含俯視時位於彼此相鄰之2個第1電極120之間之絕緣層160。絕緣層160例如包含聚醯亞胺。絕緣層160可與第1電極120之端部重疊。
有機裝置100可為主動矩陣型。例如，雖未圖示，但有機裝置100可包含電性連接於複數個元件115各者之開關。開關例如為電晶體。開關可控制對於對應之元件115之電壓或電流之接通(ON)/斷開(OFF)。
基板110可為具有絕緣性之板狀構件。基板110較佳為具有使光透過之透明性。
基板110具有特定之透明性之情形時，基板110之透明性可為能使來自有機層130之發光透過而進行顯示之程度之透明性。例如，可見光區域之基板110之透過率可為80%以上，亦可為90%以上。基板110之透過率可藉由依據JIS K7361-1之塑膠-透明材料之全光透過率之試驗方法測定。
基板110可具有可撓性，亦可不具有可撓性。可根據有機裝置110之用途，適當選擇基板110。
作為基板110之材料，可使用例如石英玻璃、派熱司(註冊商標)玻璃、合成石英板等無可撓性之剛性材、或樹脂薄膜、光學用樹脂板、薄玻璃等具有可撓性之可撓材等。又，基材亦可為於樹脂薄膜之單面或兩面具有障壁層之積層體。
基板110之厚度可根據用於基板110之材料或有機裝置100之用途等適當選擇。基板110之厚度例如亦可為0.005 mm以上。又，基板110之厚度例如亦可為5 mm以下。
元件115構成為藉由對第1電極120與第2電極140之間施加電壓，使電流於第1電極120與第2電極140間流動，而實現若干功能。例如，元件115為有機EL顯示裝置之像素之情形時，元件115可放出構成影像之光。
第1電極120包含具有導電性之材料。例如，第1電極120可包含金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他具有導電性之無機材料等。第1電極120可包含銦錫氧化物等具有透明性及導電性之金屬氧化物。
作為構成第1電極120之材料，可使用Au、Cr、Mo、Ag、Mg等金屬；稱為ITO之氧化銦錫、稱為IZO之氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦等無機氧化物；摻雜有金屬之聚噻吩等導電性高分子等。該等導電性材料可單獨使用，可組合2種以上使用。於使用2種以上之情形時，可將包含各材料之層積層。又，可使用包含2種以上材料之合金。例如，可使用MgAg等之鎂合金等。
有機層130包含有機材料。當對有機層130通電時，有機層130可發揮若干功能。通電意指對有機層130施加電壓，使電流流過有機層130。作為有機層130，可使用藉由通電而放出光之發光層、光之透過率或折射率藉由通電而變化之層等。有機層130可包含有機半導體材料。
如圖4及圖5所示，有機層130可包含第1有機層130A及第2有機層130B。又，如圖4所示，有機層130可進而包含第3有機層130C。第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C例如可為紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。以下之說明中，於說明有機層之構成中之第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C中共通之構成之情形時，使用「有機層130」之用語及符號。
亦將包含第1電極120、第1有機層130A及第2電極140之積層構造稱為第1元件115A。亦將包含第1電極120、第2有機層130B及第2電極140之積層構造稱為第2元件115B。亦將包含第1電極120、第3有機層130C及第2電極140之積層構造稱為第3元件115C。有機裝置100為有機EL顯示裝置之情形時，第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C分別為子像素。
以下之說明中，於說明元件之構成中之第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C中共通之構成之情形時，使用「元件115」之用語及符號。如圖4之俯視圖中，元件115之輪廓可為俯視時與第1電極120及第2電極140重疊之有機層130之輪廓。有機裝置100具備絕緣層160之情形時，元件115之輪廓可為俯視時與第1電極120及第2電極140重疊，且不與絕緣層160重疊之有機層130之輪廓。
針對第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C各者之配置進行說明。如圖4所示，顯示區域100D中，第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C可分別沿第1方向D1排列。又，第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C亦可分別沿第2方向D2排列。
如圖4所示，顯示區域100D可包含排列於第1方向D1之複數個元件行115L。複數個元件行115L可包含於第1方向D1上彼此相鄰之第1元件行115La及第2元件行115Lb。第1元件行115La及第2元件行115Lb可於第1方向D1上交替配置。第1元件行115La可沿第1方向以週期EC1排列。第2元件行115Lb亦可沿第1方向以週期EC1排列。
第1顯示區域101中，第1元件行115La及第2元件行115Lb可包含沿第2方向D2以週期EC2排列之第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C。即，第1元件行115La及第2元件行115Lb中，可為第1元件115A沿第2方向D2以週期EC2排列，第2元件115B沿第2方向D2以週期EC2排列，第3元件115C沿第2方向D2以週期EC2排列。
第1元件行115La及第2元件行115Lb可於第2方向D2上偏移週期ED2。即，第1元件行115La之第1元件115A可於第2方向D2上，位於與第2元件行115Lb之第1元件115A偏移週期ED2之位置。第1元件行115La之第2元件115B可於第2方向D2上，位於與第2元件行115Lb之第2元件115B偏移週期ED2之位置。第1元件行115La之第3元件115C可於第2方向D2上，位於與第2元件行115Lb之第3元件115C偏移週期ED2之位置。週期ED2可為週期EC2之一半之週期。藉此，如圖4所示，第2元件行115Lb之第2元件115B可於第2方向D2上，位於第1元件行115La之第1元件115A與第1元件行115La之第3元件115C之間。亦可由該等第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C構成1個元件115。又，第1元件行115La之第2元件115B可於第2方向D2上，位於第2元件行115Lb之第1元件115A與第2元件行115Lb之第3元件115C之間。可由該等第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C構成1個元件115。
當對第1電極120與第2電極140之間施加電壓時，電流流過位於兩者之間之有機層130。有機層130為發光層之情形時，自有機層130放出光，光自第2電極140側或第1電極120側放出至外部。
有機層130包含藉由通電而放出光之發光層之情形時，有機層130可進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層等。
例如，第1電極120為陽極之情形時，有機層130可於發光層與第1電極120之間具有電洞注入輸送層。電洞注入輸送層可為具有電洞注入功能之電洞注入層，亦可為具有電洞輸送功能之電洞輸送層，又可為具有電洞注入功能及電洞輸送功能之兩功能之層。又，電洞注入輸送層可為將電洞注入層及電洞輸送層積層之積層體。
第2電極140為陰極之情形時，有機層130可於發光層與第2電極140之間具有電子注入輸送層。電子注入輸送層可為具有電子注入功能之電子注入層，亦可為具有電子輸送功能之電子輸送層，又可為具有電子注入功能及電子輸送功能之兩功能之層。又，電子注入輸送層可為將電子注入層及電子輸送層積層之積層體。
發光層包含發光材料。發光層可包含提高流平性之添加劑。
作為發光材料，可使用眾所周知之材料。例如，作為發光材料，可使用色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料等發光材料。作為色素系材料，可使用例如環戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯伸芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、哌瑞酮衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。作為金屬錯合物系材料，可使用例如羥基喹啉鋁錯合物、苯并羥基喹啉鈹錯合物、苯并噁唑鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉鋅錯合物、銪錯合物等於中心金屬具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土類金屬，於配體具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構造等之金屬錯合物。作為高分子系材料，可使用例如聚對苯撐乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚茀衍生物、聚喹喔啉衍生物、及其等之共聚物等。
基於提高發光效率或使發光波長變化等之目的，發光層可包含摻雜物。作為摻雜物，可使用例如苝衍生物、香豆素衍生物、紅螢烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸菁衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、四并苯衍生物、吡唑啉衍生物、十環烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、茀衍生物等。又，作為摻雜物，可使用於中心具有鉑或銥等重金屬離子，顯示磷光之有機金屬錯合物。摻雜物可單獨使用1種，亦可使用2種以上。
又，作為發光材料及摻雜物，可使用例如日本專利特開2010-272891號公報之[0094]～[0099]，或國際公開第2012/132126號之[0053]～[0057]所記載之材料。
發光層之膜厚只要為可提供電子與電洞之再耦合之場所而表現發光之功能之膜厚，則未特別限定，例如可設為1 nm以上，又，可設為500 nm以下。
作為用於電洞注入輸送層之電洞注入輸送性材料，可使用眾所周知之材料。作為電洞注入輸送性材料，例如可使用三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、矽氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、茀衍生物、二苯乙烯苯衍生物、聚對位苯基乙烯衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯胺衍生物等。又，可例示螺環化合物、酞菁化合物、金屬氧化物等。又，例如可適當選擇使用日本專利特開2011-119681號公報、國際公開第2012/018082號、日本專利特開2012-069963號公報、國際公開第2012/132126號之[0106]所記載之化合物。
另，電洞注入輸送層為將電洞注入層及電洞輸送層積層之積層體之情形時，電洞注入層可含有添加劑A，電洞輸送層可含有添加劑A，電洞注入層及電洞輸送層可含有添加劑A。添加劑A可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。具體而言，可使用氟系化合物、酯系化合物、碳化氫系化合物等。
作為用於電子注入輸送層之電子注入輸送性材料，可使用眾所周知之材料。例如，可使用鹼金屬類、鹼金屬之合金、鹼金屬之滷化物、鹼土類金屬類、鹼土類金屬之滷化物、鹼土類金屬之氧化物、鹼金屬之有機錯合物、鎂之滷化物或氧化物、氧化鋁等。又，作為電子注入輸送性材料，可使用例如浴銅靈、紅啡啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代茀衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等之芳香環四羧酸酐、碳二亞胺、亞茀基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羥基喹啉錯合物等金屬錯合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。
又，可形成於電子輸送性之有機材料中摻雜有鹼金屬或鹼土類金屬之金屬摻雜層，將其作為電子注入輸送層。作為電子輸送性之有機材料，可使用例如浴銅靈、紅啡啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq 3)等金屬錯合物、及該等之高分子衍生物等。又，作為摻雜之金屬，可使用Li、Cs、Ba、Sr等。
第2電極140包含金屬等具有導電性之材料。第2電極140藉由使用後述之遮罩之蒸鍍法而形成於有機層130上。作為構成第2電極140之材料，可使用鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、碳等。該等材料可單獨使用，可組合2種以上使用。使用2種以上之情形時，可將包含各材料之層積層。又，可使用包含2種以上材料之合金。例如，可使用MgAg等鎂合金、AlLi、AlCa、AlMg等鋁合金、鹼金屬類及鹼土類金屬類之合金等。
如圖3及圖5所示，第2電極140可包含位於第1有機層130A上之第1層140A、位於第2有機層130B上之第2層140B、及位於第3有機層130C上之第3層140C。第1層140A為藉由使用後述之第1遮罩50A之蒸鍍法而形成之層。第2層140B為藉由使用後述之第2遮罩50B之蒸鍍法而形成之層。第3層140C為藉由使用後述之第3遮罩50C之蒸鍍法而形成之層。
第1層140A可覆蓋第1有機層130A。即，可為第1方向D1之第1層140A之尺寸大於第1方向D1之第1有機層130A之尺寸，第2方向D2之第1層140A之尺寸大於第2方向D2之第1有機層130A之尺寸。第2層140B可覆蓋第2有機層130B。即，可為第1方向D1之第2層140B之尺寸大於第1方向D1之第2有機層130B之尺寸，第2方向D2之第2層140B之尺寸大於第2方向D2之第2有機層130B之尺寸。第3層140C可覆蓋第3有機層130C。即，可為第1方向D1之第3層140C之尺寸大於第1方向D1之第3有機層130C之尺寸，第2方向D2之第3層140C之尺寸大於第2方向D2之第3有機層130C之尺寸。
第1層140A之厚度例如可為10 nm以上，可為20 nm以上，可為50 nm以上，亦可為100 nm以上。第1層140A之厚度例如可為200 nm以下，可為500 nm以下，可為1 μm以下，亦可為100 μm以下。第1層140A之厚度之範圍亦可由包含10 nm、20 nm、50 nm及100 nm之第1組群，及/或包含200 nm、500 nm、1 μm及100 μm之第2組群而定。第1層140A之厚度之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。第1層140A之厚度之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。第1層140A之厚度之範圍亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為10 nm以上100 μm以下，可為10 nm以上1 μm以下，可為10 nm以上500 nm以下，可為10 nm以上200 nm以下，可為10 nm以上100 nm以下，可為10 nm以上50 nm以下，可為10 nm以上20 nm以下，可為20 nm以上100 μm以下，可為20 nm以上1 μm以下，可為20 nm以上500 nm以下，可為20 nm以上200 nm以下，可為20 nm以上100 nm以下，可為20 nm以上50 nm以下，可為50 nm以上100 μm以下，可為50 nm以上1 μm以下，可為50 nm以上500 nm以下，可為50 nm以上200 nm以下，可為50 nm以上100 nm以下，可為100 nm以上100 μm以下，可為100 nm以上1 μm以下，可為100 nm以上500 nm以下，可為100 nm以上200 nm以下，可為200 nm以上100 μm以下，可為200 nm以上1 μm以下，可為200 nm以上500 nm以下，可為500 nm以上100 μm以下，可為500 nm以上1 μm以下，亦可為1 μm以上100 μm以下。
第2層140B之厚度可與第1層140A之厚度相同。又，第2層140B之厚度可大於或小於第1層140A之厚度。第2層140B之厚度可與第1層140A之厚度同樣，由包含10 nm、20 nm、50 nm及100 nm之第1組群，及/或包含200 nm、500 nm、1 μm及100 μm之第2組群而定。
第3層140C之厚度可與第1層140A及第2層140B之厚度相同。又，第3層140C之厚度可大於或小於第1層140A及第2層140B之厚度。第3層140C之厚度可與第1層140A及第2層140B之厚度同樣，由包含10 nm、20 nm、50 nm及100 nm之第1組群，及/或包含200 nm、500 nm、1 μm及100 μm之第2組群而定。
如圖3及圖5所示，第2電極140之2個層可局部重疊。可將俯視時第2電極140之複數個層重疊之區域稱為電極重疊區域145。電極重疊區域145包含第1層140A與第2層140B重疊之區域、第1層140A與第3層140C重疊之區域、或第2層140B與第3層140C重疊之區域。藉由第2電極140之各層重疊，可將各層電性連接。
於俯視時，電極重疊區域145之面積可小於第1層140A之面積。電極重疊區域145相對於第1層140A之面積之比例如可為0.02以上，可為0.05以上，亦可為0.10以上。電極重疊區域145相對於第1層140A之面積之比例如可為0.20以下，可為0.30以下，亦可為0.40以下。電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比之範圍亦可由包含0.02、0.05及0.10之第1組群，及/或包含0.20、0.30及0.40之第2組群而定。電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比之範圍可由上述第1組群包含之值中之任意一者，與上述第2組群包含之值中之任意一者之組合而定。電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比之範圍亦可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比亦可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為0.02以上0.40以下，可為0.02以上0.30以下，可為0.02以上0.20以下，可為0.02以上0.10以下，可為0.02以上0.05以下，可為0.05以上0.40以下，可為0.05以上0.30以下，可為0.05以上0.20以下，可為0.05以上0.10以下，可為0.10以上0.40以下，可為0.10以上0.30以下，可為0.10以上0.20以下，可為0.20以上0.40以下，可為0.20以上0.30以下，亦可為0.30以上0.40以下。
於俯視時，電極重疊區域145之面積可小於第2層140B之面積。作為電極重疊區域145之面積相對於第2層140B之面積之比之範圍，可採用上述之「電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比」之範圍。
於俯視時，電極重疊區域145之面積可小於第3層140C之面積。作為電極重疊區域145之面積相對於第3層140C之面積之比之範圍，可採用上述之「電極重疊區域145之面積相對於第1層140A之面積之比」之範圍。
圖6係沿圖3之有機裝置100之第2顯示區域102之D-D線之剖視圖。
如圖3及圖6所示，第2顯示區域102包含含有第2電極140Y之區域、及不含有第2電極140Y之區域。上述標準區域103定義為包含第2電極140Y之區域。上述透過區域104定義為不包含第2電極140Y之區域。
如圖3及圖4所示，標準區域103可於俯視時具有包含元件115之區域103a、及不包含元件115之區域103b。即，標準區域103可於俯視時包含第2電極140Y與有機層130重疊之區域103a、及第2電極140Y與有機層130不重疊之區域103b。區域103a於俯視時包含與基板110、第1電極120及有機層130重疊之第2電極140Y。區域103b於俯視時包含與基板110重疊之第2電極140Y。此種區域103a及區域103b可於第2方向D2上自第2連接部105b連續連接至第1連接部105a，而形成上述第2方向部分103L。又，上述連接部105亦可由區域103b之第2電極140Y構成。另，標準區域103亦可不包含區域103b。即，亦可為標準區域103之所有第2電極140Y於俯視時與有機層130重疊。
如圖3及圖6所示，透過區域104可包含基板110與有機層130不重疊之區域。如圖6所示，透過區域104可不包含第1電極120、有機層130及第2電極140。又，如圖6所示，透過區域104可包含絕緣層160之一部分。
如圖4所示，標準區域103中，上述第1元件行115La可不包含第2元件115B。即，第1元件行115La可由沿第2方向D2以週期EC2排列之第1元件115A及第3元件115C構成。又，標準區域103中，上述第2元件行115Lb可不包含第1元件115A及第3元件115C。即，第2元件行115Lb可由沿第2方向D2以週期EC2排列之第2元件115B構成。標準區域103中，可由第1元件行115La之第1元件115A及第1元件行115La之第3元件115C、與第2元件行115Lb之第2元件115B構成1個元件115。
如圖4所示，透過區域104中，上述第1元件行115La可不包含第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C。又，透過區域104中，上述第2元件行115Lb可不包含第1元件115A、第2元件115B及第3元件115C。
圖7係將圖1之有機裝置100中由標註符號A2之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。
如圖7所示，配線區域100W包含基準電極150及端子152。基準電極150可位於基板110上。基準電極150可於第2方向D2上位於第2電極140與端子152之間。如圖7所示，基準電極150可為實心圖案。基準電極150經由連接配線154與各元件115之第2電極140電性連接。連接配線154可由第2電極140之一部分或基準電極150之一部分構成。端子152包含連接於地下或地面之基準端子156。基準電極150與該基準端子156電性連接，規定了基準電位。因此，對第1電極120與第2電極140之間施加電壓時，自第1電極120通過有機層130流動至第2電極140之電流可流過該基準電極150。基準電位例如可為0 V，但亦可為正值，又可為負值。
基準電極150包含具有導電性之材料。例如，基準電極150可包含金屬或具有導電性之金屬氧化物、其他具有導電性之無機材料等。作為構成基準電極150之材料，可使用Al、Mo、Ta等金屬、或稱為ITO之氧化銦錫等無機氧化物等。該等導電性材料可單獨使用，亦可組合2種以上使用。於使用2種以上之情形時，亦可將包含各材料之層積層。又，亦可使用包含2種以上材料之合金。
DD1、DD2、EC1、EC2、ED2、TD1、TD2等有機裝置100之各構成要件之尺寸、間隔等可藉由使用掃描型電子顯微鏡觀察有機裝置100之剖面之圖像而測定。
基板110之厚度、第2電極140之厚度等有機裝置100之各構成要件之厚度可藉由使用掃描型電子顯微鏡觀察有機裝置100之剖面之圖像而測定。
接著，針對藉由蒸鍍法形成上述有機裝置100之第2電極140之方法進行說明。圖8係顯示實施使蒸鍍材料蒸鍍於對象物之蒸鍍處理之蒸鍍裝置10之圖。
如圖8所示，蒸鍍裝置10可於其內部包含蒸鍍源6、加熱器8及遮罩裝置40。又，蒸鍍裝置10可進而包含用以將蒸鍍裝置10之內部設為真空氛圍之排氣機構。蒸鍍源6例如為坩堝，收容有機發光材料等蒸鍍材料7。加熱器8將蒸鍍源6加熱，使蒸鍍材料7於真空氛圍下蒸發。遮罩裝置40以與坩堝6對向之方式配置。
如圖8所示，遮罩裝置40可包含至少1個遮罩50、及支持遮罩50之框架41。框架41可包含固定遮罩50之第1框架面41a、及位於第1框架面41a之相反側之第2框架面41b。又，框架41可包含自第1框架面41a貫通至第2框架面41b之開口42。遮罩50可以俯視時橫穿開口42之方式固定於框架41。又，為抑制遮罩50撓曲，框架41可將遮罩50以於其面方向拉伸之狀態支持。
作為遮罩裝置40之遮罩50，可使用後述之第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C。以下之說明中，於說明遮罩之構成中第1遮罩50A、第2遮罩50B及第3遮罩50C中共通之構成之情形時，使用「遮罩50」之用語及符號。
遮罩裝置40如圖8所示，以遮罩50與要使蒸鍍材料7附著之對象物即基板110對向之方式，將其配置於蒸鍍裝置10內。遮罩50包含使自蒸鍍源6飛來之蒸鍍材料7通過之複數個貫通孔53。以下之說明中，將遮罩50之面中位於基板110之側之面稱為第1面51a，將位於第1面51a之相反側之面稱為第2面51b。
蒸鍍裝置10如圖8所示，可包含保持基板110之基板支架2。基板支架2可為能於基板110之厚度方向上移動。又，基板支架2亦可為能於基板110之面方向上移動。又，基板支架2可以控制基板110之傾斜度之方式構成。例如，亦可為基板支架2包含安裝於基板110之外緣之複數個夾盤，各夾盤可於基板110之厚度方向或面方向上獨立移動。
蒸鍍裝置10如圖8所示，可包含保持遮罩裝置40之遮罩支架3。遮罩支架3可為能於遮罩50之厚度方向上移動。又，遮罩支架3可為能於遮罩50之面方向上移動。例如，亦可為遮罩支架3包含安裝於框架41之外緣之複數個夾盤，各夾盤可於遮罩50之厚度方向或面方向上獨立移動。
藉由使基板支架2或遮罩支架3之至少任一者移動，可調整遮罩裝置40之遮罩50相對於基板110之位置。
蒸鍍裝置10如圖8所示可包含冷卻板4，該冷卻板位於基板110之面中與遮罩裝置40側之面即第1面111為相反側之面即第2面112側。冷卻板4可具有用以使冷媒於冷卻板4之內部循環之流路。冷卻板4可抑制蒸鍍處理時基板110之溫度上升。
蒸鍍裝置10如圖8所示可包含磁鐵5，該磁鐵位於基板110之面中與遮罩裝置40為相反側之面即第2面112側。磁鐵5如圖8所示，可配置於冷卻板4之面中與遮罩裝置40為相反側之面。磁鐵5可藉由磁力將遮罩裝置40之遮罩50吸引至基板110側。藉此，可減少遮罩50與基板110之間之間隙，或消除間隙。藉此，可抑制蒸鍍處理中產生陰影，可提高有機層130之尺寸精度或位置精度。此處，陰影為蒸鍍材料7進入遮罩50與基板110之間之間隙，由此引起有機層130之厚度不均一之現象。又，亦可使用利用靜電力之靜電夾盤，將遮罩50吸引至基板110側。
使用上述蒸鍍裝置10形成第2電極140之情形時，首先，蒸鍍裝置10中，使用包含第1遮罩50A之第1遮罩裝置40A，於基板110形成第2電極140之第1層140A。接著，蒸鍍裝置10中，使用包含第2遮罩50B之第2遮罩裝置40B，於基板110形成第2電極140之第2層140B。接著，蒸鍍裝置10中，使用包含第3遮罩50C之第3遮罩裝置40C，於基板110形成第2電極140之第3層140C。如此，依序使用第1遮罩50A、第2遮罩50B、第3遮罩50C等複數個遮罩50。亦將用以形成有機裝置100之第2電極140之複數個遮罩50之群稱為「遮罩群」。
使用遮罩50之蒸鍍法中，藉由自第2面51b側向第1面51a側通過貫通孔53之蒸鍍材料7附著於基板110，而於基板110形成上述之第1層140A、第2層140B、第3層140C等層。形成於基板110之層之基板110之面內方向之輪廓由俯視時之遮罩50之貫通孔53之輪廓而定。
圖9係將用於圖8之遮罩裝置之第1遮罩50A中與圖3對應之部分放大顯示之俯視圖。遮罩50具有遮罩第1方向E1及與遮罩第1方向E1正交之遮罩第2方向E2。亦可為遮罩第1方向E1與第1方向D1對應，遮罩第2方向E2與第2方向D2對應。
如圖9所示，第1遮罩50A之貫通孔53設置於與第2電極140之第1層140A對應之位置。雖未圖示，但對於第2遮罩50B亦同樣，第2遮罩50B之貫通孔53設置於與第2電極140之第2層140B對應之位置。對於第3遮罩50C亦同樣，第3遮罩50C之貫通孔53設置於與第2電極140之第3層140C對應之位置。
遮罩50之貫通孔53以外之區域可遮蔽朝向基板110之蒸鍍材料7。亦將遮罩50之貫通孔53以外之區域稱為遮蔽區域54。圖9所示之第1遮罩50A之俯視圖中，對遮蔽區域54施加斜線之陰影線。
遮罩50之厚度T例如可為5 μm以上，可為10 μm以上，可為15 μm以上，可為20 μm以上。遮罩50之厚度T例如可為25 μm以下，可為30 μm以下，可為50 μm以下，可為100 μm以下。遮罩50之厚度T之範圍可由包含5 μm、10 μm、15 μm及20 μm之第1組群，及/或包含25 μm、30 μm、50 μm及100 μm之第2組群而定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述第1組群包含之值中之任意1者，與上述第2組群包含之值中之任意1者之組合而定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述第1組群包含之值中之任意二者之組合而定。遮罩50之厚度T之範圍可由上述第2組群包含之值中之任意二者之組合而定。例如，可為5 μm以上100 μm以下，可為5 μm以上50 μm以下，可為5 μm以上30 μm以下，可為5 μm以上25 μm以下，可為5 μm以上20 μm以下，可為5 μm以上15 μm以下，可為5 μm以上10 μm以下，可為10 μm以上100 μm以下，可為10 μm以上50 μm以下，可為10μm以上30 μm以下，可為10 μm以上25 μm以下，可為10 μm以上20 μm以下，可為10 μm以上15 μm以下，可為15 μm以上100 μm以下，可為15 μm以上50 μm以下，可為15 μm以上30 μm以下，可為15 μm以上25 μm以下，可為15 nm以上20 μm以下，可為20 μm以上100 μm以下，可為20 μm以上50 μm以下，可為20 μm以上30 μm以下，可為20 μm以上25 μm以下，可為25 μm以上100 μm以下，可為25 μm以上50 μm以下，可為25 μm以上30 μm以下，可為30 μm以上100 μm以下，可為30 μm以上50 μm以下，可為50 μm以上100 μm以下。
作為測定遮罩50之厚度T之方法，可採用接觸式測定方法。作為接觸式測定方法，可使用具備滾珠襯套引導式柱塞之Heidenhain公司製之長度計HEIDENHAIM-METRO之「MT1271」。
作為構成遮罩50之材料，例如可使用包含鎳之鐵合金。鐵合金除鎳以外可進而包含鈷。例如，作為遮罩50之材料，可使用鎳及鈷之含有量之合計為30質量%以上54質量%以下，且鈷之含有量為0質量%以上6質量%以下之鐵合金。作為包含鎳或鎳及鈷之鐵合金，可使用包含34質量%以上38質量%以下之鎳之殷鋼材、除30質量%以上34質量%以下之鎳以外進而包含鈷之超殷鋼材、包含38質量%以上54質量%以下之鎳之低熱膨脹鍍Fe-Ni系合金等。藉由使用此種鐵合金，可降低遮罩50之熱膨脹係數。例如，使用玻璃基板作為基板110之情形時，可將遮罩50之熱膨脹係數設為與玻璃基板同等之較低值。藉此，蒸鍍處理時，可抑制形成於基板110之蒸鍍層之尺寸精度或位置精度因遮罩50與基板110間之熱膨脹係數差而降低。
接著，針對上述有機裝置100之製造方法進行說明。有機裝置100之製造方法亦可包含基板準備步驟、有機層形成步驟及第2電極形成步驟。
首先，實施基板準備步驟。基板準備步驟中，準備形成有第1電極120及基準電極150之基板110。第1電極120及基準電極150例如亦可藉由將導電層藉由濺鍍法等形成於基板110後，藉由光微影法等，將導電層圖案化而形成。又，俯視時位於彼此相鄰之2個第1電極120之間之絕緣層160亦可形成於基板110。
接著，實施有機層形成步驟。有機層形成步驟中，如圖4所示，將包含第1有機層130A、第2有機層130B及第3有機層130C之有機層130形成於第1電極120上。第1有機層130A例如亦可藉由使用具有對應於第1有機層130A之貫通孔之遮罩之蒸鍍法而形成。例如，藉由使有機材料等經由遮罩蒸鍍於對應於第1有機層130A之第1電極120上，而可形成第1有機層130A。第2有機層130B亦亦可藉由使用具有對應於第2有機層130B之貫通孔之遮罩之蒸鍍法而形成。第3有機層130C亦可藉由使用具有對應於第3有機層130C之貫通孔之遮罩之蒸鍍法而形成。
接著，實施第2電極形成步驟。第2電極形成步驟中，使用上述之遮罩群，於有機層130上形成第2電極140。首先，亦可實施藉由使用圖9所示之第1遮罩50A之蒸鍍法，形成第2電極140之第1層140A之步驟。例如，藉由使金屬等導電性材料等經由第1遮罩50A蒸鍍於有機層130等之上，可形成第1層140A。接著，亦可實施藉由使用第2遮罩50B之蒸鍍法，形成第2電極140之第2層140B之步驟。例如，藉由使金屬等導電性材料等經由第2遮罩50B蒸鍍於有機層130等之上，可形成第2層140B。接著，亦可實施藉由使用第3遮罩50C之蒸鍍法，形成第2電極140之第3層140C之步驟。例如，藉由使金屬等導電性材料等經由第3遮罩50C蒸鍍於有機層130等之上，可形成第3層140C。如此，如圖3所示，可形成包含第1層140A、第2層140B及第3層140C之第2電極140。
另，形成第1層140A、第2層140B及第3層140C順序未特別限定。例如，可於形成第2層140B後，形成第1層140A，亦可於形成第3層140C後，形成第1層140A及第2層140B。
接著，說明可藉由上述有機裝置100實現之效果。
標準區域103之第2電極140Y包含與第1顯示區域101之第2電極140X連接之複數個連接部105，複數個連接部105包含於第2方向D2上位於第1邊100La側之第1連接部105a，第1連接部105a包含於第1方向D1上位於透過區域104之間之對向連接部106。由於包含基準電極150之配線區域100W沿第1邊100La擴展，故對向連接部106與基準電極150對向。藉此，可縮短流過標準區域103之第2電極140Y之電流通過對向連接部106，到達基準電極150之路徑。因此，可抑制對於流過標準區域103之第2電極140Y之電流之電流電阻值增大。更具體而言，若對第1電極120與第2電極140之間施加電壓，則電流自第1電極120流至有機層130，流過有機層130之電流通過第2電極140流至基準電極150。此處，流過標準區域103之第2電極140Y之電流通過連接部105，流過第1顯示區域101之第2電極140X，朝向基準電極150。然而，根據連接部105之位置，亦有來自標準區域103之電流迂迴而流至第1顯示區域101之情形。該情形時，電流至基準電極150之路徑增大，電流電阻值可能增大。對此，藉由使第1連接部105a包含對向連接部106，流過標準區域103之第2電極140Y之電流可通過與基準電極150對向之對向連接部106，流至第1顯示區域101之第2電極140X，朝向基準電極150。因此，可縮短電流至基準電極150之路徑，可抑制電流之電阻值增大。藉此，可抑制流過第1顯示區域101之各元件115之電流量，與流過標準區域103之各元件115之電流量之間之差。其結果，可將流過有機裝置100之各元件115之電流量均一化。
又，複數個連接部105包含於第2方向D2上位於第2邊100Lb側之第2連接部105b。藉此，流過第1顯示區域101中位於較第2顯示區域102更靠第2邊100Lb側之部分之各元件115之電流可自第2連接部105b流入至標準區域103，通過對向連接部106，流至第1顯示區域101之第2電極140X。因此，可縮短電流至基準電極150之路徑，可抑制電流之電阻值增大。其結果，可使流至有機裝置100之各元件115之電流量均一化。
又，標準區域103包含第2方向D2上第2電極140Y自第2連接部105b延伸至第1連接部105a之第2方向部分103L，對向連接部106位於第2方向部分103L之第2方向D2上之第1邊100La側之端部。藉此，自第2連接部105b流入之電流可通過第2方向部分103L沿第2方向D2流動，自對向連接部106流至第1顯示區域101之第2電極140X。因此，可進而縮短電流至基準電極150之路徑，可進而抑制電流之電阻值增大。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量更均一化。
又，透過區域104自第2方向D2上以第2邊100Lb側與第1顯示區域101相接之端部，延伸至第2方向D2上以第1邊100La之側與第1顯示區域101相接之端部。如此，第2顯示區域102中，透過區域104可位於遍佈廣範圍之位置。藉此，可增大透過透過區域104之光量。因此，可增大位於基板110之背側之感測器接收之光量。
又，透過區域104於俯視時包含基板110與有機層130不重疊之區域。藉此，可增大透過區域104之透過率。因此，可增大位於基板110之背側之感測器接收之光量。
又，標準區域103之第2電極140Y包含第1層140A、及俯視時與第1層140A局部重疊之第2層140B。藉此，第2電極140Y之第1層140A與第2層140B重疊，可形成電極重疊區域145。第2電極140Y於該電極重疊區域145中，可具有較其他部分厚之厚度。因此，該電極重疊區域145中，可降低電流電阻值。藉此，可抑制流過各元件115之電流量之差。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量均一化。
又，標準區域103之第2電極140Y包含俯視時與第1層140A或第2層140B局部重疊之第3層140C。藉此，第2電極140Y之第3層140C與第1層140A或第2層140B重疊，可形成電極重疊區域145。因此，第2電極140Y於電極重疊區域145中，可具有更厚之厚度，可進一步降低電流電阻值。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量更均一化。
又，第2顯示區域102之第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為40%以上95%以下。藉由第2佔有率為40%以上，可增大流過標準區域103之第2電極140Y之電流量。藉此，可抑制流過第1顯示區域101之各元件115之電流量，與流過標準區域103之各元件115之電流量之間之差。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量均一化。又，藉由第2佔有率為95%以下，第2顯示區域102中，透過區域104可位於遍佈廣範圍之位置。藉此，可增大透過透過區域104之光量。因此，可增大位於基板110之背側之感測器接收之光量。
另，上述實施形態中，已針對標準區域103包含第2方向D2上第2電極140Y自第2連接部105b延伸至第1連接部105a之第2方向部分103L之例進行說明(參照圖2及圖3)。然而，不限於此，若第1連接部105a包含對向連接部106，則標準區域103亦可不包含第2方向部分103L。即，標準區域103之第2電極140Y可不於第2方向D2延伸。例如，標準區域103之第2電極140Y可相對於第2方向D2傾斜延伸，亦可為Z字狀。該情形時，透過區域104亦可相對於第2方向D2傾斜延伸，亦可為Z字狀。此種情形時，藉由第1連接部105a包含對向連接部106，可縮短電流至基準電極150之路徑，可抑制電流之電阻值增大。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量均一化。
又，上述實施形態中，標準區域103可包含第1方向部分103W，其係第2電極140Y於第1方向D1延伸，以將第1方向D1上彼此相鄰之2個第2方向部分103L分別連接(參照圖11及圖12)。第1方向部分103W可自第2顯示區域102之第1方向D1之一側(圖11之左側)之端部，延伸至第1方向D1之另一側(圖11之左側)之端部。該情形時，透過區域104可排列於第1方向D1，且排列於第2方向D2。此種情形時，藉由第1連接部105a包含對向連接部106，亦可縮短電流至基準電極150之路徑，可抑制電流之電阻值增大。其結果，可將流至有機裝置100之各元件115之電流量均一化。
又，上述實施形態中，已針對透過區域104不包含第1電極120、有機層130及第2電極140之例進行說明。然而，不限於此，透過區域104亦可包含第1電極120或有機層130。又，透過區域104亦可包含絕緣層160。
又，上述實施形態中，已針對第2電極140包含3個層之例進行說明。然而，不限於此，第2電極140亦可包含1個層或2個層，或4個以上之層。例如，第2電極140以1個層構成之情形時，第2電極140可由實心圖案形成。又，上述元件115之配置圖案亦為一例，亦可藉由其他任意之配置圖案配置元件115。
根據以上所述之實施形態，可將流至有機裝置之各元件之電流量均一化。 [實施例]
接著，使用實施例及比較例，更具體地說明本揭示之實施形態。但，本揭示之實施形態只要不超出其主旨，則不限定於以下之實施例之記載。
圖10係顯示第1實施例之有機裝置100X之俯視圖。作為第1實施例，藉由模擬計算流至圖10所示之有機裝置100X之各元件115之電流值。
圖10所示之有機裝置100X與圖2所示之有機裝置100同樣，具有包含第1顯示區域101及第2顯示區域102之顯示區域100D。第1顯示區域101具有一邊為5 mm之正方形之輪廓。即，第1方向D1之第1顯示區域101之尺寸W為5 mm，第2方向D2之第1顯示區域101之尺寸L亦為5 mm。又，第2顯示區域102具有圓形狀之輪廓。第2顯示區域102之直徑R為3 mm。第2顯示區域102中第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為52%。第1顯示區域101之第2方向D2之一側(圖10之下側)之邊連接於規定基準電位之地面GN。基準電位為0 V。圖10之有機裝置100X之其他構成與圖2之有機裝置100大致相同。圖10之有機裝置100X中，由標註符號C1之二點鏈線包圍之區域之放大圖與圖3相同。
圖11係顯示第2實施例之有機裝置100Y之俯視圖。圖12係將圖11之有機裝置100Y中由標註符號C2之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。作為第2實施例，藉由模擬計算流至圖11及圖12所示之有機裝置100Y之各元件115之電流值。
圖11及圖12所示之有機裝置100Y與圖10所示之第1變化例之有機裝置100X之構成大致相同，但不同點在於，標準區域103包含上述之第1方向部分103W。第1方向部分103W係第2電極140Y以將標準區域103中之第1方向D1上彼此相鄰之2個第2方向部分103L分別連接之方式，於第1方向D1延伸之部分。圖11及圖12所示之有機裝置100Y中，第1方向部分103W自第2顯示區域102之第1方向D1之一側(圖11之左側)之端部，延伸至第1方向D1之另一側(圖11之左側)之端部。即，第1方向部分103W中包含之第2電極140Y於第1方向D1上自第1方向D1之一側端部，延伸至第1方向D1之另一側端部。另，第2顯示區域102中第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為57%。
圖13係顯示第3實施例之有機裝置100Z之俯視圖。圖14係將圖13之有機裝置100Z中由標註符號C3之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。作為第3實施例，藉由模擬計算流至圖13及圖14所示之有機裝置100Z之各元件115之電流值。
圖13及圖14所示之有機裝置100Z與圖10所示之第1變化例之有機裝置100X之構成大致相同，不同點在於，第2佔有率較第1變化之情形小。更具體而言，第2顯示區域102之第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為26%。圖13及圖14所示之有機裝置100Z中，第1方向D1上之第2方向部分103L之排列間距為第1變化例之情形之2倍。
圖15係顯示比較例之有機裝置100C之俯視圖。圖16係將圖14之有機裝置100C中由標註符號C4之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。作為比較例，藉由模擬計算流至圖15及圖16所示之有機裝置100C之各元件115之電流值。
圖15及圖16所示之有機裝置100C與圖10所示之第1變化例之有機裝置100X之構成相同，不同點在於，標準區域103不包含上述第2方向部分103L，取而代之包含第1方向部分103C。第1方向部分103C為標準區域103中自第2顯示區域102之第1方向D1之一側(圖15之左側)之端部延伸至第1方向D1之另一側(圖15之左側)之端部之部分。因此，圖15及圖16所示之有機裝置100C中，第1連接部105a不包含上述之對向連接部106。另，第2顯示區域102中第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為57%。
圖17係顯示參考例之有機裝置100R之俯視圖。作為參考例，藉由模擬計算流至圖17所示之有機裝置100R之各元件115之電流值。
圖17所示之有機裝置100R與圖10所示之第1變化例之有機裝置100X之構成大致相同，不同點在於，第2顯示區域102不包含透過區域104。即，第2顯示區域102以標準區域103構成。該情形時，第2顯示區域102中第2電極140Y之佔有率(第2佔有率)為100%。另，圖17所示之有機裝置100R中，為方便起見，將與第1變化例之第2顯示區域102相同位置之區域稱為第2顯示區域102。又，圖17所示之有機裝置100R中，第2電極140以1個層構成，第2電極140藉由實心圖案形成。即，第2電極140以第1層140A構成，不包含俯視時與第1層140A重疊之第2層140B及第3層140C。因此，亦未形成電極重疊區域145。
於模擬中，計算對各元件115施加特定電壓時之流至各元件115之電流之電流值。將各電流值中最大之電流值記錄為最大電流值I max，將最小之電流值記錄為最小電流值I min，將其差量記錄為電流差量值I diff。圖18顯示各實施例、比較例及參考例之模擬結果。另，圖18中，電流差量值I diff之欄位之括號內之數值表示電流差量值I diff相對於最大電流值I max之比例。
如圖18所示，確認到第1實施例、第2實施例及第3實施例之電流差量值I diff小於比較例之電流差量值I diff。如此，確認到第1連接部105a包含對向連接部106之情形時，可將流至各元件115之電流量均一化。
尤其，確認到第1實施例及第2實施例之電流差量值I diff小於參考例之電流差量值I diff。即，確認到第1實施例及第2實施例即使包含透過區域104，電流差量值I diff亦小於不包含透過區域104之參考例。認為這是因為於第1實施例及第2實施例中，形成有電極重疊區域145，電極重疊區域145中，第2電極140Y之厚度變厚，電流電阻值降低。如此，確認到第1連接部105a包含對向連接部106，且第2電極140包含複數個層140A、140B、140C之情形時，可將流至各元件115之電流量進一步均一化。
又，確認到第1實施例及第2實施例之電流差量值I diff小於第3實施例之電流差量值I diff。認為這是因為於第1實施例及第2實施例中，第2佔有率較第3實施例大，流過標準區域103之第2電極140Y之電流量增大。可知將電流差量值I diff之閾值設為0.26 nA時，於第2佔有率為40%以上之情形時，電流差量值I diff為閾值以下。如此，確認到第1連接部105a包含對向連接部106，且第2佔有率為40%以上之情形時，可將流至各元件115之電流量進一步均一化。
2:基板支架 3:遮罩支架 4:冷卻板 5:磁鐵 6:蒸鍍源 7:蒸鍍材料 8:加熱器 10:蒸鍍裝置 40:遮罩裝置 41:框架 41a:第1框架面 41b:第2框架面 42:開口 50:遮罩 50A:第1遮罩 51a:第1面 51b:第2面 53:貫通孔 54:遮蔽區域 100:有機裝置 100C:有機裝置 100D:顯示區域 100L:外緣 100La:第1邊 100Lb:第2邊 100Lc:第3邊 100Ld:第4邊 100R:有機裝置 100W:配線區域 100X:有機裝置 100Y:有機裝置 100Z:有機裝置 101:第1顯示區域 102:第2顯示區域 103:標準區域 103a:區域 103b:區域 103L:第2方向部分 103W:第1方向部分 104:透過區域 105:連接部 105a:第1連接部 105b:第2連接部 106:對向連接部 110:基板 111:第1面 112:第2面 115:元件 115A:第1元件 115B:第2元件 115C:第3元件 115L:元件行 115La:第1元件行 115Lb:第2元件行 120:第1電極 130:有機層 130A:第1有機層 130B:第2有機層 130C:第3有機層 140:第2電極 140A:第1層 140B:第2層 140C:第3層 140X:第2電極 140Y:第2電極 145:電極重疊區域 150:基準電極 152:端子 154:連接配線 156:基準端子 160:絕緣層 A1:區域 A2:區域 B1:區域 C1:區域 C2:區域 C3:區域 C4:區域 CC1:連接週期 CD1:連接尺寸 DD1:尺寸 DD2:尺寸 D1:第1方向 D2:第2方向 EC1:週期 EC2:週期 ED2:週期 GN:地面 L:尺寸 R:直徑 TD1:第1尺寸 TD2:第2尺寸 W:尺寸
圖1係顯示本揭示之一實施形態之有機裝置之一例之俯視圖。 圖2係將圖1之有機裝置中由標註符號A1之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖3係將圖2之有機裝置中由標註符號B1之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖4係顯示自圖3之有機裝置去除第2電極之狀態之俯視圖。 圖5係沿圖3之有機裝置之C-C線之剖視圖。 圖6係沿圖3之有機裝置之D-D線之剖視圖。 圖7係將圖1之有機裝置中由標註符號A2之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖8係顯示具備遮罩裝置之蒸鍍裝置之一例之圖。 圖9係將用於圖8之遮罩裝置之第1遮罩中與圖3對應之部分放大顯示之俯視圖。 圖10係顯示第1實施例之有機裝置之俯視圖。 圖11係顯示第2實施例之有機裝置之俯視圖。 圖12係將圖11之有機裝置中由標註符號C2之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖13係顯示第3實施例之有機裝置之俯視圖。 圖14係將圖13之有機裝置中由標註符號C3之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖15係顯示比較例之有機裝置之俯視圖。 圖16係將圖15之有機裝置中由標註符號C4之二點鏈線包圍之區域放大顯示之俯視圖。 圖17係顯示參考例之有機裝置之俯視圖。 圖18係顯示各實施例之模擬結果之表。
100:有機裝置
100D:顯示區域
101:第1顯示區域
102:第2顯示區域
103:標準區域
103L:第2方向部分
104:透過區域
105:連接部
105a:第1連接部
105b:第2連接部
106:對向連接部
115:元件
140:第2電極
140X:第2電極
140Y:第2電極
B1:區域
CC1:連接週期
CD1:連接尺寸
DD1:尺寸
DD2:尺寸
TD1:第1尺寸
TD2:第2尺寸

Claims (16)

  1. 一種有機裝置，其具備： 外緣，其包含於第1方向延伸且於與上述第1方向正交之第2方向上對向之第1邊及第2邊，及於自上述第1邊朝向上述第2邊之方向延伸之第3邊及第4邊； 配線區域，其沿上述第1邊擴展；及 顯示區域，其與上述配線區域相接；且 上述顯示區域包含：第1電極、位於上述第1電極上之有機層、及位於上述有機層上之第2電極； 上述配線區域包含與上述第2電極電性連接、規定基準電位之基準電極； 上述顯示區域包含第1顯示區域、及與上述第1顯示區域相接之第2顯示區域； 上述第2顯示區域包含：標準區域，其包含上述第2電極；及透過區域，其不包含上述第2電極，且排列於上述第1方向； 上述標準區域之上述第2電極包含與上述第1顯示區域之上述第2電極連接之複數個連接部； 複數個上述連接部包含於上述第2方向上位於上述第1邊之側之第1連接部； 上述第1連接部包含於上述第1方向上位於上述透過區域之間之對向連接部。
  2. 如請求項1之有機裝置，其中複數個上述連接部包含於上述第2方向上位於上述第2邊之側之第2連接部。
  3. 如請求項2之有機裝置，其中上述標準區域包含第2方向部分，於該第2方向部分，上述第2電極於上述第2方向上自上述第2連接部延伸至上述第1連接部， 上述對向連接部位於上述第2方向部分之上述第2方向之上述第1邊之側之端部。
  4. 如請求項3之有機裝置，其中上述透過區域自上述第2方向上在上述第2邊之側與上述第1顯示區域相接之端部，延伸至上述第2方向上在上述第1邊之側與上述第1顯示區域相接之端部。
  5. 如請求項3之有機裝置，其中上述標準區域包含第1方向部分，於該第1方向部分，上述第2電極以將上述第1方向上彼此相鄰之2個上述第2方向部分分別連接之方式於上述第1方向延伸。
  6. 如請求項1之有機裝置，其中上述標準區域包含俯視時上述第2電極與上述有機層不重疊之區域。
  7. 如請求項1之有機裝置，其中上述透過區域包含俯視時上述有機裝置之基板與上述有機層不重疊之區域。
  8. 如請求項1之有機裝置，其中上述第1連接部包含2個以上之上述對向連接部。
  9. 如請求項1之有機裝置，其中上述第1方向上之上述第1連接部之尺寸為5 μm以上500 μm以下。
  10. 如請求項1之有機裝置，其中上述第1連接部以10 μm以上550 μm以下之間隔排列於上述第1方向。
  11. 如請求項1之有機裝置，其中上述標準區域之上述第2電極包含第1層、及俯視時與上述第1層局部重疊之第2層。
  12. 如請求項11之有機裝置，其中上述標準區域之上述第2電極包含俯視時與上述第1層或上述第2層局部重疊之第3層。
  13. 如請求項1之有機裝置，其中上述第2顯示區域中上述第2電極之佔有率為40%以上95%以下。
  14. 如請求項1之有機裝置，其中上述第1電極包含金屬氧化物， 上述第2電極包含金屬。
  15. 一種有機裝置之製造方法，其係如請求項1至14中任一項之有機裝置之製造方法，且具備： 於上述第1電極上之上述有機層上形成上述第2電極之第2電極形成步驟， 上述第2電極包含第1層、及俯視時與上述第1層局部重疊之第2層， 上述第2電極形成步驟具備： 藉由使用第1遮罩之蒸鍍法形成上述第1層之步驟；及 藉由使用第2遮罩之蒸鍍法形成上述第2層之步驟。
  16. 如請求項15之有機裝置之製造方法，其中上述第2電極包含俯視時與上述第1層或上述第2層局部重疊之第3層， 上述第2電極形成步驟具備藉由使用第3遮罩之蒸鍍法形成上述第3層之步驟。
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