JP6838693B2 - 蒸着マスク群、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス - Google Patents
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Description
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、
2以上の第3貫通孔を有する第3蒸着マスクと、を備え、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔とが部分的に重なる、蒸着マスク群である。
2以上の前記第1貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合に前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔に部分的に重なるよう前記マスク第1基本領域から延び出ている2以上のマスク第1拡張領域と、を含んでいてもよい。
2以上の前記第2貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第2基本領域と、前記マスク第2基本領域から延び出ている2以上のマスク第2拡張領域と、を含み、若しくは、2以上の前記第3貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第3基本領域と、前記マスク第3基本領域から延び出ている2以上のマスク第3拡張領域と、を含み、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記マスク第1拡張領域の少なくとも一部は、前記マスク第2拡張領域又は前記マスク第3拡張領域に全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記マスク第2拡張領域又は前記マスク第3拡張領域のうち前記マスク第1拡張領域と重なる領域は、前記マスク第1基本領域に部分的に重なっていてもよい。
前記マスク第1拡張領域が延びる方向に直交する方向において、前記マスク第1拡張領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
前記マスク第1基本領域の配列方向と前記マスク第1拡張領域が前記マスク第1基本領域から延び出ている方向とが一致していてもよい。
前記マスク第1基本領域の配列方向と前記マスク第1拡張領域が前記マスク第1基本領域から延び出ている方向とが相違していてもよい。
2以上の前記第1貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、2以上のマスク第1補助領域と、を含み、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記マスク第1補助領域は、隣り合う2つの前記第2貫通孔、隣り合う2つの前記第3貫通孔、又は、隣り合う前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔に部分的に重なるように延びていてもよい。
前記マスク第1補助領域が延びる方向に直交する方向において、前記マスク第1補助領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
前記マスク第1補助領域は、前記マスク第1基本領域に接続されていてもよい。
前記マスク第1補助領域は、前記マスク第1基本領域に接続されていなくてもよい。
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記第1貫通孔のうち少なくとも一部の前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔を介して他の前記第1貫通孔に接続されていてもよい。
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記第1貫通孔のうち少なくとも一部の前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔を介して他の前記第1貫通孔に接続されていてもよい。
第1方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、を備え、
前記第1貫通孔は、前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域を接続するよう延び、前記第2方向に直交する方向において前記マスク第1基本領域よりも小さい寸法を有するマスク第1拡張領域と、を含み、
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔とが部分的に重なる、蒸着マスク群である。
2以上の前記マスク第1基本領域のうち少なくとも一部の前記マスク第1基本領域は、前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合に、前記第2貫通孔を介して他の前記マスク第1基本領域に接続されていてもよい。
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記マスク第1拡張領域と前記第2貫通孔とが全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第2貫通孔は、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域、及び前記2つの前記マスク第1基本領域に接続されている前記マスク第1拡張領域に全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記第2方向に直交する方向において、前記マスク第1拡張領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、を備え、
2以上の前記第1貫通孔は、第1方向に沿って配列され、且つ前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域の間に位置し、前記第2方向において前記マスク第1基本領域よりも小さい寸法を有する2以上のマスク第1補助領域と、を含み、
2以上の前記第2貫通孔は、前記第1方向及び前記第2方向に沿って配列されており、
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記マスク第1補助領域は、前記第1方向において隣り合う2つの前記第2貫通孔に部分的に重なるように延びている、蒸着マスク群である。
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第2貫通孔は、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域に部分的に重なるように延びていてもよい。
前記第2方向において、前記マスク第1補助領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
基板上の第1電極上の通電層上に、上述した第1の態様から上述した第13の態様のいずれかによる蒸着マスク群を用いて第2電極を形成する第2電極形成工程を備え、
前記第2電極形成工程は、
前記第1蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第1層を形成する工程と、
前記第2蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第2層を形成する工程と、
前記第3蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第3層を形成する工程と、を備える、電子デバイスの製造方法である。
基板上の第1電極上の通電層上に、上述した第14の態様から上述した第21の態様のいずれかによる蒸着マスク群を用いて第2電極を形成する第2電極形成工程を備え、
前記第2電極形成工程は、
前記第1蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第1層を形成する工程と、
前記第2蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第2層を形成する工程と、を備える、電子デバイスの製造方法である。
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置し、異なる2方向に沿って配列されている2以上の通電層と、
前記通電層上に位置する2以上の第2電極と、を備え、
前記第2電極は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1層と、異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2層と、2以上の第3層と、を備え、
前記第1層と、前記第2層又は前記第3層とが部分的に重なっている、電子デバイスである。
2以上の前記第1層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2層又は前記第3層に部分的に重なるよう前記電極第1基本領域から延び出ている2以上の電極第1拡張領域と、を含んでいてもよい。
2以上の前記第2層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第2基本領域と、前記電極第2基本領域から延び出ている2以上の電極第2拡張領域と、を含み、若しくは、2以上の前記第3層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第3基本領域と、前記電極第3基本領域から延び出ている2以上の電極第3拡張領域と、を含み、
2以上の前記電極第1拡張領域の少なくとも一部は、前記電極第2拡張領域又は前記電極第3拡張領域に全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記電極第2拡張領域又は前記電極第3拡張領域のうち前記電極第1拡張領域と重なる領域は、前記電極第1基本領域に部分的に重なっていてもよい。
前記電極第1拡張領域が延びる方向に直交する方向において、前記電極第1拡張領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
前記電極第1基本領域の配列方向と前記電極第1拡張領域が前記電極第1基本領域から延び出ている方向とが一致していてもよい。
前記電極第1基本領域の配列方向と前記電極第1拡張領域が前記電極第1基本領域から延び出ている方向とが相違していてもよい。
2以上の前記第1層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、2以上の電極第1補助領域と、を含み、
前記電極第1補助領域は、隣り合う2つの前記第2層、隣り合う2つの前記第3層、又は、隣り合う前記第2層及び前記第3層に部分的に重なるように延びていてもよい。
前記電極第1補助領域が延びる方向に直交する方向において、前記電極第1補助領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
前記電極第1補助領域は、前記電極第1基本領域に接続されていてもよい。
前記電極第1補助領域は、前記電極第1基本領域に接続されていなくてもよい。
2以上の前記第1層のうち少なくとも一部の前記第1層は、前記第2層及び前記第3層を介して他の前記第1層に接続されていてもよい。
2以上の前記第1層のうち少なくとも一部の前記第1層は、前記第2層又は前記第3層を介して他の前記第1層に接続されていてもよい。
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する通電層と、
前記通電層上に位置する第2電極と、を備え、
前記第2電極は、第1方向に沿って配列されている2以上の第1層と、2以上の第2層と、を備え、
前記第1層は、前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域を接続するよう延び、前記第2方向に直交する方向において前記電極第1基本領域よりも小さい寸法を有する電極第1拡張領域と、を含み、
前記第1層と前記第2層とが部分的に重なっている、電子デバイスである。
2以上の前記電極第1基本領域のうち少なくとも一部の前記電極第1基本領域は、前記第2層を介して他の前記電極第1基本領域に接続されていてもよい。
前記電極第1拡張領域と前記第2層とが全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記第2層は、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域、及び前記2つの前記電極第1基本領域に接続されている前記電極第1拡張領域に全体的に又は部分的に重なっていてもよい。
前記第2方向に直交する方向において、前記電極第1拡張領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する通電層と、
前記通電層上に位置する第2電極と、を備え、
前記第2電極は、2以上の第1層と、2以上の第2層と、を備え、
2以上の前記第1層は、第1方向に沿って配列され、且つ前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域の間に位置し、前記第2方向において前記電極第1基本領域よりも小さい寸法を有する2以上の電極第1補助領域と、を含み、
2以上の前記第2層は、前記第1方向及び前記第2方向に沿って配列されており、
前記電極第1補助領域は、前記第1方向において隣り合う2つの前記第2層に部分的に重なるように延びている、電子デバイスである。
前記第2層は、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域に部分的に重なるように延びていてもよい。
前記第2方向において、前記電極第1補助領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下であってもよい。
例えば、第1電極120が陽極である場合、通電層130は、発光層と第1電極120との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第2電極140が陰極である場合、通電層130は、発光層と第2電極140との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等が挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にAl、Zn、Be等または、Tb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体が挙げられる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等が挙げられる。
なお、蒸着マスク20の厚みTは、周囲領域23の厚み、すなわち蒸着マスク20のうち貫通孔25が形成されていない部分の厚みである。
図26に示すように、マスク第1拡張領域27Aがマスク第1基本領域26Aから延び出る第3方向D3に直交する方向において、マスク第1拡張領域27Aの寸法W12は、マスク第1基本領域26Aの寸法W11よりも小さくてもよい。寸法W12と寸法W11との関係は、図22の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
図26に示すように、マスク第1補助領域28Aが延びる第3方向D3に直交する方向において、マスク第1補助領域28Aの寸法W13は、マスク第1基本領域26Aの寸法W11よりも小さくてもよい。寸法W13と寸法W11との関係は、図22の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
図27に示すように、マスク第2拡張領域27Bがマスク第2基本領域26Bから延び出る第4方向D4に直交する方向において、マスク第2拡張領域27Bの寸法W22は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21よりも小さくてもよい。寸法W22と寸法W21との関係は、図23の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
図27に示すように、マスク第2補助領域28Bが延びる第4方向D4に直交する方向において、マスク第2補助領域28Bの寸法W23は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21よりも小さくてもよい。寸法W23と寸法W21との関係は、図23の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
図28に示すように、マスク第3拡張領域27Cがマスク第3基本領域26Cから延び出る第3方向D3又は第4方向D4に直交する方向において、マスク第3拡張領域27Cの寸法W32は、マスク第3基本領域26Cの寸法W31よりも小さくてもよい。寸法W32と寸法W31との関係は、図24の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第1拡張領域27Aがマスク第1基本領域26Aから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第1拡張領域27Aの寸法W12は、マスク第1基本領域26Aの寸法W11よりも小さくてもよい。寸法W12と寸法W11との関係は、図22の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第2拡張領域27Bがマスク第2基本領域26Bから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第2拡張領域27Bの寸法W22は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21よりも小さくてもよい。寸法W22と寸法W21との関係は、図23の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第3拡張領域27Cがマスク第3基本領域26Cから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第3拡張領域27Cの寸法W32は、マスク第3基本領域26Cの寸法W31よりも小さくてもよい。寸法W32と寸法W31との関係は、図24の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第1拡張領域27Aがマスク第1基本領域26Aから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第1拡張領域27Aの寸法W12は、マスク第1基本領域26Aの寸法W11よりも小さくてもよい。寸法W12と寸法W11との関係は、図22の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第2拡張領域27Bがマスク第2基本領域26Bから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第2拡張領域27Bの寸法W22は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21よりも小さくてもよい。寸法W22と寸法W21との関係は、図23の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第3拡張領域27Cがマスク第3基本領域26Cから延び出る第2方向D2に直交する方向において、マスク第3拡張領域27Cの寸法W32は、マスク第3基本領域26Cの寸法W31よりも小さくてもよい。寸法W32と寸法W31との関係は、図24の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第1拡張領域27Aがマスク第1基本領域26Aから延び出る第1方向D1又は第2方向D2に直交する方向において、マスク第1拡張領域27Aの寸法W12は、マスク第1基本領域26Aの寸法W11よりも小さくてもよい。寸法W12と寸法W11との関係は、図22の例の場合と同様であるので、説明を省略する。
マスク第2拡張領域27Bがマスク第2基本領域26Bから延び出る第3方向D3に直交する方向において、マスク第2拡張領域27Bの寸法W22は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21_1よりも小さくてもよい。寸法W22と寸法W21_1との関係は、図23の例における寸法W22と寸法W21との関係と同様であるので、説明を省略する。
マスク第2補助領域28Bが延びる第1方向D1又は第2方向D2に直交する方向において、マスク第2補助領域28Bの寸法W23は、マスク第2基本領域26Bの寸法W21_2よりも小さくてもよい。寸法W23と寸法W21_2との関係は、図23の例における寸法W23と寸法W21との関係と同様であるので、説明を省略する。
マスク第3補助領域28Cが延びる第3方向D3又は第4方向D4に直交する方向において、マスク第3補助領域28Cの寸法W33は、マスク第3基本領域26Cの寸法W31よりも小さくてもよい。寸法W33と寸法W31との関係は、図22の例における寸法W13と寸法W11との関係と同様であるので、説明を省略する。
Claims (42)
- 異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、
2以上の第3貫通孔を有する第3蒸着マスクと、を備え、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔とが部分的に重なり、
2以上の前記第1貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合に前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔に部分的に重なるよう前記マスク第1基本領域から延び出ている2以上のマスク第1拡張領域と、を含み、
前記マスク第1拡張領域が延びる方向に直交する方向において、前記マスク第1拡張領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、蒸着マスク群。 - 2以上の前記第2貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第2基本領域と、前記マスク第2基本領域から延び出ている2以上のマスク第2拡張領域と、を含み、若しくは、2以上の前記第3貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第3基本領域と、前記マスク第3基本領域から延び出ている2以上のマスク第3拡張領域と、を含み、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記マスク第1拡張領域の少なくとも一部は、前記マスク第2拡張領域又は前記マスク第3拡張領域に全体的に又は部分的に重なる、請求項1に記載の蒸着マスク群。 - 前記マスク第2拡張領域又は前記マスク第3拡張領域のうち前記マスク第1拡張領域と重なる領域は、前記マスク第1基本領域に部分的に重なる、請求項2に記載の蒸着マスク群。
- 前記マスク第1基本領域の配列方向と前記マスク第1拡張領域が前記マスク第1基本領域から延び出ている方向とが一致している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蒸着マスク群。
- 前記マスク第1基本領域の配列方向と前記マスク第1拡張領域が前記マスク第1基本領域から延び出ている方向とが相違している、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蒸着マスク群。
- 異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、
2以上の第3貫通孔を有する第3蒸着マスクと、を備え、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔とが部分的に重なり、
2以上の前記第1貫通孔は、異なる2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、2以上のマスク第1補助領域と、を含み、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記マスク第1補助領域は、隣り合う2つの前記第2貫通孔、隣り合う2つの前記第3貫通孔、又は、隣り合う前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔に部分的に重なるように延びており、
前記マスク第1補助領域が延びる方向に直交する方向において、前記マスク第1補助領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、蒸着マスク群。 - 前記マスク第1補助領域は、前記マスク第1基本領域に接続されている、請求項6に記載の蒸着マスク群。
- 前記マスク第1補助領域は、前記マスク第1基本領域に接続されていない、請求項6に記載の蒸着マスク群。
- 前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記第1貫通孔のうち少なくとも一部の前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔及び前記第3貫通孔を介して他の前記第1貫通孔に接続されている、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の蒸着マスク群。
- 前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、2以上の前記第1貫通孔のうち少なくとも一部の前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔を介して他の前記第1貫通孔に接続されている、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の蒸着マスク群。
- 第1方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、を備え、
前記第1貫通孔は、前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域を接続するよう延び、前記第2方向に直交する方向において前記マスク第1基本領域よりも小さい寸法を有するマスク第1拡張領域と、を含み、
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔とが部分的に重なる、蒸着マスク群。 - 2以上の前記マスク第1基本領域のうち少なくとも一部の前記マスク第1基本領域は、前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合に、前記第2貫通孔を介して他の前記マスク第1基本領域に接続されている、請求項11に記載の蒸着マスク群。
- 前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記マスク第1拡張領域と前記第2貫通孔とが全体的に又は部分的に重なる、請求項11又は12に記載の蒸着マスク群。
- 前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第2貫通孔は、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域、及び前記2つの前記マスク第1基本領域に接続されている前記マスク第1拡張領域に全体的に又は部分的に重なる、請求項13に記載の蒸着マスク群。
- 前記第2方向に直交する方向において、前記マスク第1拡張領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項11乃至14のいずれか一項に記載の蒸着マスク群。
- 2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、を備え、
2以上の前記第1貫通孔は、第1方向に沿って配列され、且つ前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上のマスク第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域の間に位置し、前記第2方向において前記マスク第1基本領域よりも小さい寸法を有する2以上のマスク第1補助領域と、を含み、
2以上の前記第2貫通孔は、前記第1方向及び前記第2方向に沿って配列されており、
前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記マスク第1補助領域は、前記第1方向において隣り合う2つの前記第2貫通孔に部分的に重なるように延びている、蒸着マスク群。 - 前記第1蒸着マスクと前記第2蒸着マスクとを重ね合わせた場合、前記第2貫通孔は、前記第2方向において隣り合う2つの前記マスク第1基本領域に部分的に重なるように延びている、請求項16に記載の蒸着マスク群。
- 前記第2方向において、前記マスク第1補助領域の寸法は、前記マスク第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項16又は17に記載の蒸着マスク群。
- 電子デバイスの製造方法であって、
基板上の第1電極上の通電層上に、蒸着マスク群を用いて第2電極を形成する第2電極形成工程を備え、
前記蒸着マスク群は、
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1貫通孔を有する第1蒸着マスクと、
異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2貫通孔を有する第2蒸着マスクと、
2以上の第3貫通孔を有する第3蒸着マスクと、を備え、
前記第1蒸着マスク、前記第2蒸着マスク及び前記第3蒸着マスクを重ね合わせた場合、前記第1貫通孔と、前記第2貫通孔又は前記第3貫通孔とが部分的に重なり、
前記第2電極形成工程は、
前記第1蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第1層を形成する工程と、
前記第2蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第2層を形成する工程と、
前記第3蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第3層を形成する工程と、を備える、電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
基板上の第1電極上の通電層上に、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の蒸着マスク群を用いて第2電極を形成する第2電極形成工程を備え、
前記第2電極形成工程は、
前記第1蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第1層を形成する工程と、
前記第2蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第2層を形成する工程と、
前記第3蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第3層を形成する工程と、を備える、電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスの製造方法であって、
基板上の第1電極上の通電層上に、請求項11乃至18のいずれか一項に記載の蒸着マスク群を用いて第2電極を形成する第2電極形成工程を備え、
前記第2電極形成工程は、
前記第1蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第1層を形成する工程と、
前記第2蒸着マスクを用いる蒸着法によって前記第2電極の第2層を形成する工程と、を備える、電子デバイスの製造方法。 - 電子デバイスであって、
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置し、異なる2方向に沿って配列されている2以上の通電層と、
前記通電層上に位置する2以上の第2電極と、を備え、
前記第2電極は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の第1層と、異なる2方向に沿って配列されている2以上の第2層と、2以上の第3層と、を備え、
前記第1層と、前記第2層又は前記第3層とが部分的に重なっている、電子デバイス。 - 2以上の前記第1層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2層又は前記第3層に部分的に重なるよう前記電極第1基本領域から延び出ている2以上の電極第1拡張領域と、を含む、請求項22に記載の電子デバイス。
- 2以上の前記第2層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第2基本領域と、前記電極第2基本領域から延び出ている2以上の電極第2拡張領域と、を含み、若しくは、2以上の前記第3層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第3基本領域と、前記電極第3基本領域から延び出ている2以上の電極第3拡張領域と、を含み、
2以上の前記電極第1拡張領域の少なくとも一部は、前記電極第2拡張領域又は前記電極第3拡張領域に全体的に又は部分的に重なっている、請求項23に記載の電子デバイス。 - 前記電極第2拡張領域又は前記電極第3拡張領域のうち前記電極第1拡張領域と重なる領域は、前記電極第1基本領域に部分的に重なっている、請求項24に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1拡張領域が延びる方向に直交する方向において、前記電極第1拡張領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項23乃至25のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1基本領域の配列方向と前記電極第1拡張領域が前記電極第1基本領域から延び出ている方向とが一致している、請求項23乃至26のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1基本領域の配列方向と前記電極第1拡張領域が前記電極第1基本領域から延び出ている方向とが相違している、請求項23乃至26のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 2以上の前記第1層は、異なる2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、2以上の電極第1補助領域と、を含み、
前記電極第1補助領域は、隣り合う2つの前記第2層、隣り合う2つの前記第3層、又は、隣り合う前記第2層及び前記第3層に部分的に重なるように延びている、請求項22に記載の電子デバイス。 - 前記電極第1補助領域が延びる方向に直交する方向において、前記電極第1補助領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項29に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1補助領域は、前記電極第1基本領域に接続されている、請求項30に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1補助領域は、前記電極第1基本領域に接続されていない、請求項30に記載の電子デバイス。
- 2以上の前記第1層のうち少なくとも一部の前記第1層は、前記第2層及び前記第3層を介して他の前記第1層に接続されている、請求項22乃至32のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 2以上の前記第1層のうち少なくとも一部の前記第1層は、前記第2層又は前記第3層を介して他の前記第1層に接続されている、請求項22乃至32のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 電子デバイスであって、
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する通電層と、
前記通電層上に位置する第2電極と、を備え、
前記第2電極は、第1方向に沿って配列されている2以上の第1層と、2以上の第2層と、を備え、
前記第1層は、前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域を接続するよう延び、前記第2方向に直交する方向において前記電極第1基本領域よりも小さい寸法を有する電極第1拡張領域と、を含み、
前記第1層と前記第2層とが部分的に重なっている、電子デバイス。 - 2以上の前記電極第1基本領域のうち少なくとも一部の前記電極第1基本領域は、前記第2層を介して他の前記電極第1基本領域に接続されている、請求項35に記載の電子デバイス。
- 前記電極第1拡張領域と前記第2層とが全体的に又は部分的に重なっている、請求項35又は36に記載の電子デバイス。
- 前記第2層は、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域、及び前記2つの前記電極第1基本領域に接続されている前記電極第1拡張領域に全体的に又は部分的に重なっている、請求項37に記載の電子デバイス。
- 前記第2方向に直交する方向において、前記電極第1拡張領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項35乃至38のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 電子デバイスであって、
基板上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する通電層と、
前記通電層上に位置する第2電極と、を備え、
前記第2電極は、2以上の第1層と、2以上の第2層と、を備え、
2以上の前記第1層は、第1方向に沿って配列され、且つ前記第1方向に交差する第2方向に沿って配列されている2以上の電極第1基本領域と、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域の間に位置し、前記第2方向において前記電極第1基本領域よりも小さい寸法を有する2以上の電極第1補助領域と、を含み、
2以上の前記第2層は、前記第1方向及び前記第2方向に沿って配列されており、
前記電極第1補助領域は、前記第1方向において隣り合う2つの前記第2層に部分的に重なるように延びている、電子デバイス。 - 前記第2層は、前記第2方向において隣り合う2つの前記電極第1基本領域に部分的に重なるように延びている、請求項40に記載の電子デバイス。
- 前記第2方向において、前記電極第1補助領域の寸法は、前記電極第1基本領域の寸法の0.9倍以下である、請求項40又は41に記載の電子デバイス。
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