TWI789569B

TWI789569B - 蒸鍍遮罩群、電子裝置之製造方法及電子裝置

Info

Publication number: TWI789569B
Application number: TW109102973A
Authority: TW
Inventors: 樋口拓也; 落合洋光; 岡宏樹
Original assignee: 日商大日本印刷股份有限公司
Priority date: 2019-01-31
Filing date: 2020-01-31
Publication date: 2023-01-11
Also published as: CN212955304U; JP2024059747A; TW202100775A; KR20210123293A; CN111500979B; CN215365954U; EP4016658A1; WO2020158566A1; KR20220017521A; US20230132323A1; JP2021075798A; EP3919649A4; EP3919649A1; TW202417662A; CN115125483B; US11939659B2; US20220106676A1; US20210371968A1; CN115125483A; CN111500979A

Abstract

本發明之蒸鍍遮罩群具備：第1蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上之第1貫通孔；第2蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上之第2貫通孔；及第3蒸鍍遮罩，其具有2個以上之第3貫通孔。於將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，第1貫通孔與第2貫通孔或第3貫通孔局部重疊。

Description

蒸鍍遮罩群、電子裝置之製造方法及電子裝置

本揭示之實施形態係關於一種蒸鍍遮罩群、電子裝置之製造方法及電子裝置。

智慧型手機或平板PC(Personal Computer：個人電腦)等可攜帶之裝置所使用之顯示裝置較佳為高精細，較佳為例如像素密度係400ppi以上。又，可攜帶之裝置中，對應超高畫質之需求亦提高。超高畫質之情形時，較佳為顯示裝置之像素密度係例如800ppi以上。

於顯示裝置中，因應答性良好、消耗電力較低或對比度較高，有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，已知有使用形成有貫通孔之蒸鍍遮罩形成像素或電極之方法。例如，首先，準備以對應於像素之圖案形成陽極之基板。接著，使有機材料經由蒸鍍遮罩之貫通孔附著於陽極之上，於陽極之上形成有機層。接著，使導電性材料經由蒸鍍遮罩之貫通孔形成於有機層之上，於有機層之上形成陰極。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-82582號公報

有機EL顯示裝置等電子裝置之陰極於沿基板之法線方向觀察之情形時，不僅形成於與陽極及有機層重疊之部分，有時亦形成於不與陽極及有機層重疊之部分。陰極之面積愈大，陰極之電阻愈低，電性特性愈高。另一方面，陰極之面積愈大，包含基板、陽極、有機層及陰極之電子裝置中之光透過率愈低。

本揭示之實施形態之目的在於提供一種可有效解決此種問題之蒸鍍遮罩群。

本揭示之一實施形態之蒸鍍遮罩群具備：第1蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上第1貫通孔；第2蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上第2貫通孔；及第3蒸鍍遮罩，其具有2個以上第3貫通孔。於將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，第1貫通孔與第2貫通孔或第3貫通孔局部重疊。

本揭示之至少一實施形態中，可調整形成於基板之電極之電阻及面積。

10:蒸鍍遮罩裝置

10A:第1蒸鍍遮罩裝置

10B:第2蒸鍍遮罩裝置

15:框架

17:耳部

18:中間部

20:蒸鍍遮罩

20A:第1蒸鍍遮罩

20B:第2蒸鍍遮罩

20C:第3蒸鍍遮罩

21:積層體

21V:區域

22:有效區域

22A:有效區域

22B:有效區域

23:周圍區域

25:貫通孔

25A:第1貫通孔

25B:第2貫通孔

25C:第3貫通孔

26A:遮罩第1基本區域

26B:遮罩第2基本區域

26C:遮罩第3基本區域

27A:遮罩第1擴張區域

27B:遮罩第2擴張區域

27C:遮罩第3擴張區域

28A:遮罩第1輔助區域

28B:遮罩第2輔助區域

28C:遮罩第3輔助區域

29A:對準標記

29B:對準標記

30:第1凹部

31:第1壁面

35:第2凹部

36:第2壁面

42:連接部

50:金屬板

80:蒸鍍裝置

81:蒸鍍源

82:蒸鍍材料

83:加熱器

85:磁鐵

91:基板

93:對準標記

100:電子裝置

105:顯示區域

106:第1顯示區域

107:第2顯示區域

110:元件

110A:第1元件

110B:第2元件

110C:第3元件

120:第1電極

125:端子部

126:配線

130:通電層

130A:第1通電層

130B:第2通電層

130C:第3通電層

140:第2電極

140A:第1層

140B:第2層

140C:第3層

141A:電極第1基本區域

141B:電極第2基本區域

141C:電極第3基本區域

142A:電極第1擴張區域

142B:電極第2擴張區域

142C:電極第3擴張區域

143A:電極第1輔助區域

143B:電極第2輔助區域

143C:電極第3輔助區域

145A:端子部

146A:配線

150:非電極區域

201:第1面

202:第2面

251:端部

D1:第1方向

D2:第2方向

D3:第3方向

D4:第4方向

II-II:線

T:厚度

T1:厚度

T2:厚度

W11:尺寸

W12:尺寸

W13:尺寸

W21:尺寸

W21_1:尺寸

W21_2:尺寸

W22:尺寸

W23:尺寸

W31:尺寸

W32:尺寸

W33:尺寸

XIX-XIX:線

XX-XX:線

XXI-XXI:線

XXXI-XXXI:線

XXXVIII-XXXVIII:線

XXXXIV-XXXXIV:線

XXXXX-XXXXX:線

圖1係顯示使用本揭示之一實施形態之蒸鍍遮罩群製作之電子裝置之一例之剖視圖。

圖2係將圖1之電子裝置之元件放大顯示之剖視圖。

圖3係顯示形成有第1電極之狀態之基板之一例之俯視圖。

圖4係顯示形成有第1電極及通電層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖5係顯示形成有第1電極、通電層及第2電極之第1層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖6係顯示形成有第1電極、通電層、第2電極之第1層及第2電極之第2層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖7係顯示具備蒸鍍遮罩裝置之蒸鍍裝置之圖。

圖8係顯示蒸鍍遮罩裝置之俯視圖。

圖9係將具備第1蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置放大顯示之俯視圖。

圖10係將具備第2蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置放大顯示之俯視圖。

圖11係顯示蒸鍍遮罩之剖面構造之一例之圖。

圖12係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖13係將圖12之第1蒸鍍遮罩放大顯示之俯視圖。

圖14係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖15係將圖14之第2蒸鍍遮罩放大顯示之俯視圖。

圖16係顯示將第1蒸鍍遮罩與第2蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖17係顯示形成有第1通電層、第2通電層及第3通電層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖18係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖19係沿圖18之電子裝置之XIX-XIX X線之剖視圖。

圖20係沿圖18之電子裝置之XX-XX線之剖視圖。

圖21係沿圖18之電子裝置之XXI-XXI線之剖視圖。

圖22係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖23係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖24係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖25係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖26係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖27係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖28係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖29係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖30係顯示具備第1通電層、第2通電層及第3通電層之電子裝置之一例之俯視圖。

圖31係沿圖30之電子裝置之XXXI-XXXI線之剖視圖。

圖32係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖33係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖34係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖35係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖36係顯示形成有第1通電層、第2通電層及第3通電層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖37係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖38係沿圖36之電子裝置之XXXVIII-XXXVIII線之剖視圖。

圖39係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖40係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖41係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖42A係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖42B係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖43係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖44係沿圖43之電子裝置之XXXXIV-XXXXIV線之剖視圖。

圖45係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖46係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖47係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖48A係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖48B係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖49係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖50係沿圖49之電子裝置之XXXXX-XXXXX線之剖視圖。

圖51係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖52係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖53係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖54A係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖54B係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖55係顯示形成有第1通電層、第2通電層及第3通電層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖56係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖57係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖58係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖59係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖60係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖61係顯示形成有第1通電層、第2通電層及第3通電層之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖62係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖63係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖64係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖65係顯示第3蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖66係顯示將第1蒸鍍遮罩、第2蒸鍍遮罩及第3蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖67係顯示於第1通電層、第2通電層及第3通電層上形成有第2電極之狀態之基板的一例之俯視圖。

圖68係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖69係顯示第2蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖70係顯示將第1蒸鍍遮罩與第2蒸鍍遮罩重疊之情形之圖。

圖71係顯示第1蒸鍍遮罩之一例之俯視圖。

圖72係顯示電子裝置之一例之俯視圖。

圖73係顯示電子裝置之一例之俯視圖。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則意指「基板」、「基材」、「板」、「片材」、「薄膜」等成為某構成之基礎的物質之用語並非僅基於稱呼之不同而相互區分者。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則對於特定形狀或幾何學條件以及該等程度之例如「平行」、「正交」等用語、長度或角度之值等，不束縛於嚴格之含義，而包含可期待同樣功能之程度之範圍予以解釋。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則包含將某構件或某區域等之某構成設為其他構件或其他區域等之其他構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」、或「上方」或「下方」之情形，將某構與其他構成直接相接之情形。再者，亦包含於某構成與其他構成間包含有另一構成之情形，即間接相接之情形。又，只要無特別說明，則「上」、「上側」或「上方」、或「下」、「下側」或「下方」等語句亦可上下方向反轉。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則有對同一部分或具有同樣功能之部分標註同一符號或類似符號，省略其之重複說明之情形。又，有圖式之尺寸比例為方便說明而與現實比例不同之情形，或將構成之一部分自圖式省略之情形。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則本說明書之一實施形態可於不產生矛盾之範圍內，與其他之實施形態組合。又，其他實施形態彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則關於製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於揭示之步驟間實施未揭示之其他步驟。又，揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。

本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則由「~」之記號表現之數值範圍包含置於「~」之符號前後之數值。例如，由「34~38質量%」之表現劃定之數值範圍與由「34質量%以上且38質量%以下」之表現劃定之數值範圍相同。

本實施形態中，針對為了於製造有機EL顯示裝置時將電極以期望之圖案形成於基板上而使用具備複數個蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩群之例進行說明。然而，蒸鍍遮罩群之用途無特別限定，可對用於各種用途之蒸鍍遮罩群適用本實施形態。例如，為了形成用以顯示或投影用於表現虛擬現實之所謂VR(Virtual Reality)或擴增現實之所謂AR(Augmented Reality)之圖像或影像之裝置的電極，亦可使用本實施形態之蒸鍍遮罩群。又，為了形成液晶顯示裝置之電極等之有機EL顯示裝置以外之顯示裝置之電極，亦可使用本實施形態之蒸鍍遮罩群。又，為了形成壓力感測器之電極等之顯示裝置以外之電子裝置之電極，亦可使用本實施形態之蒸鍍遮罩群。

以下，針對本揭示之一實施形態，一面參照圖式一面詳細地進行說明。另，以下所示之實施形態為本揭示之實施形態之一例，本揭示並非僅限定於該等實施形態而解釋者。

本揭示之第1態樣係一種蒸鍍遮罩群，其具備：第1蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上之第1貫通孔；第2蒸鍍遮罩，其具有沿不同之兩個方向排列之2個以上之第2貫通孔；及第3蒸鍍遮罩，其具有2個以上之第3貫通孔；且於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述第1貫通孔與上述第2貫通孔或上述第3貫通孔局部重疊。

本揭示之第2態樣係於上述第1態樣之蒸鍍遮罩群中，2個以上之上述第1貫通孔亦可包含：2個以上之遮罩第1基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之遮罩第1擴張區域，其等於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，以與上述第2貫通孔或上述第3貫通孔局部重疊之方式，自上述遮罩第1基本區域延伸。

本揭示之第3態樣係於上述第2態樣之蒸鍍遮罩群中，2個以上之上述第2貫通孔可包含：2個以上之遮罩第2基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之遮罩第2擴張區域，其等自上述遮罩第2基本區域延伸；或者，2個以上之上述第3貫通孔包含：2個以上之遮罩第3基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之遮罩第3擴張區域，其等自上述遮罩第3基本區域延伸；且於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，2個以上之上述遮罩第1擴張區域之至少一部分與上述遮罩第2擴張區域或上述遮罩第3擴張區域整體或局部重疊。

本揭示之第4態樣係於上述第3態樣之蒸鍍遮罩群中，上述遮罩第2擴張區域或上述遮罩第3擴張區域中之與上述遮罩第1擴張區域重疊之區域可與上述遮罩第1基本區域局部重疊。

本揭示之第5態樣係於上述第2態樣至上述第4態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於與上述遮罩第1擴張區域延伸之方向正交之方向上，上述遮罩第1擴張區域之尺寸可為上述遮罩第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第6態樣係於上述第2態樣至上述第5態樣各者之蒸鍍遮罩群中，上述遮罩第1基本區域之排列方向可與上述遮罩第1擴張區域自上述遮罩第1基本區域延伸之方向一致。

本揭示之第7態樣係於上述第2態樣至上述第5態樣各者之蒸鍍遮罩群中，上述遮罩第1基本區域之排列方向可與上述遮罩第1擴張區域自上述遮罩第1基本區域延伸之方向不同。

本揭示之第8態樣係於上述第1態樣之蒸鍍遮罩群中，2個以上之上述第1貫通孔包含：2個以上之遮罩第1基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之遮罩第1輔助區域；於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述遮罩第1輔助區域可以與相鄰之2個上述第2貫通孔、相鄰之2個上述第3貫通孔或相鄰之上述第2貫通孔及上述第3貫通孔局部重疊之方式延伸。

本揭示之第9態樣係於上述第8態樣之蒸鍍遮罩群中，於與上述遮罩第1輔助區域延伸之方向正交之方向上，上述遮罩第1輔助區域之尺寸可為上述遮罩第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第10態樣係於上述第9態樣之蒸鍍遮罩群中，上述遮罩第1輔助區域可連接於上述遮罩第1基本區域。

本揭示之第11態樣係於上述第9態樣之蒸鍍遮罩群中，上述遮罩第1輔助區域可不連接於上述遮罩第1基本區域。

本揭示之第12態樣係於上述第1態樣至上述第11態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，2個以上之上述第1貫通孔中之至少一部分之上述第1貫通孔可經由上述第2貫通孔及上述第3貫通孔，連接於另一上述第1貫通孔。

本揭示之第13態樣係於上述第1態樣至上述第11態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於將上述第1蒸鍍遮罩、上述第2蒸鍍遮罩及上述第3蒸鍍遮罩重疊之情形時，2個以上之上述第1貫通孔中之至少一部分之上述第1貫通孔可經由上述第2貫通孔或上述第3貫通孔，連接於另一上述第1貫通孔。

本揭示之第14態樣係一種蒸鍍遮罩群，其具備：第1蒸鍍遮罩，其具有沿第1方向排列之2個以上之第1貫通孔；及第2蒸鍍遮罩，其具有2個以上之第2貫通孔；且上述第1貫通孔包含：2個以上之遮罩第1基本區域，其等沿與上述第1方向交叉之第2方向排列；及遮罩第1擴張區域，其以連接上述第2方向上相鄰之2個上述遮罩第1基本區域之方式延伸，且於與上述第2方向正交之方向上，具有小於上述遮罩第1基本區域之尺寸；於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述第1貫通孔與上述第2貫通孔局部重疊。

本揭示之第15態樣係於上述第14態樣之蒸鍍遮罩群中，2個以上之上述遮罩第1基本區域中之至少一部分之上述遮罩第1基本區域於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，可經由上述第2貫通孔連接於另一上述遮罩第1基本區域。

本揭示之第16態樣係於上述第14態樣或上述第15態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述遮罩第1擴張區域可與上述第2貫通孔整體或局部重疊。

本揭示之第17態樣係於上述第16態樣之蒸鍍遮罩群中，於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述第2貫通孔可與上述第2方向上相鄰之2個上述遮罩第1基本區域、及連接於上述2個之上述遮罩第1基本區域之上述遮罩第1擴張區域整體或局部重疊。

本揭示之第18態樣係於上述第14態樣至上述第17態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於與上述第2方向正交之方向上，上述遮罩第1擴張區域之尺寸可為上述遮罩第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第19態樣係一種蒸鍍遮罩群，其具備：第1蒸鍍遮罩，其具有2個以上之第1貫通孔；及第2蒸鍍遮罩，其具有2個以上之第2貫通孔；且2個以上之上述第1貫通孔包含：2個以上之遮罩第1基本區域，其等沿第1方向排列，且沿與上述第1方向交叉之第2方向排列；及2個以上之遮罩第1輔助區域，其等位於上述第2方向上相鄰之2個上述遮罩第1基本區域間，具於上述第2方向上，具有小於上述遮罩第1基本區域之尺寸；2個以上之上述第2貫通孔沿上述第1方向及上述第2方向排列，於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述遮罩第1輔助區域以與上述第1方向上相鄰之2個上述第2貫通孔局部重疊之方式延伸。

本揭示之第20態樣係於上述第19態樣之蒸鍍遮罩群中，於將上述第1蒸鍍遮罩與上述第2蒸鍍遮罩重疊之情形時，上述第2貫通孔可以與上述第2方向上相鄰之2個上述遮罩第1基本區域局部重疊之方式延伸。

本揭示之第21態樣係於上述第19態樣或上述第20態樣各者之蒸鍍遮罩群中，於上述第2方向上，上述遮罩第1輔助區域之尺寸可為上述遮罩第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第22態樣係一種電子裝置之製造方法，其具備第2電極形成步驟，其使用上述第1態樣至上述第13態樣各者之蒸鍍遮罩群，於基板上之第1電極上之通電層上形成第2電極；上述第2電極形成步驟具備如下步驟：藉由使用上述第1蒸鍍遮罩之蒸鍍法，形成上述第2電極之第1層之步驟；藉由使用上述第2蒸鍍遮罩之蒸鍍法，形成上述第2電極之第2層之步驟；及藉由使用上述第3蒸鍍遮罩之蒸鍍法，形成上述第2電極之第3層之步驟。

本揭示之第23態樣係一種電子裝置之製造方法，其具備第2電極形成步驟，其使用上述第14態樣至上述第21態樣各者之蒸鍍遮罩群，於基板上之第1電極上之通電層上形成第2電極，上述第2電極形成步驟具備如下步驟：藉由使用上述第1蒸鍍遮罩之蒸鍍法，形成上述第2電極之第1層之步驟；及藉由使用上述第2蒸鍍遮罩之蒸鍍法，形成上述第2電極之第2層之步驟。

本揭示之第24態樣係一種電子裝置，其具備：第1電極，其位於基板上；2個以上之通電層，其等位於上述第1電極上，沿不同之兩個方向排列；及2個以上之第2電極，其等位於上述通電層上；且上述第2電極具備：2個以上之第1層，其等沿不同之兩個方向排列；2個以上之第2層，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之第3層；上述第1層與上述第2層或上述第3層局部重疊。

本揭示之第25態樣係於上述第24態樣之電子裝置中，2個以上之上述第1層可包含：2個以上之電極第1基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之電極第1擴張區域，其等以與上述第2層或上述第3層局部重疊之方式，自上述電極第1基本區域延伸。

本揭示之第26態樣係於上述第25態樣之電子裝置中，2個以上之上述第2層可包含：2個以上之電極第2基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之電極第2擴張區域，其等自上述電極第2基本區域延伸；或者，2個以上之上述第3層包含：2個以上之電極第3基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之電極第3擴張區域，其等自上述電極第3基本區域延伸；且2個以上之上述電極第1擴張區域之至少一部分與上述電極第2擴張區域或上述電極第3擴張區域整體或局部重疊。

本揭示之第27態樣係於上述第26態樣之電子裝置中，上述電極第2擴張區域或上述電極第3擴張區域中之與上述電極第1擴張區域重疊之區域可與上述電極第1基本區域局部重疊。

本揭示之第28態樣係於上述第25態樣至上述第27態樣各者之電子裝置中，於與上述電極第1擴張區域延伸之方向正交之方向上，上述電極第1擴張區域之尺寸可為上述電極第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第29態樣係於上述第25態樣至上述第28態樣各者之電子裝置中，上述電極第1基本區域之排列方向可與上述電極第1擴張區域自上述電極第1基本區域延伸之方向一致。

本揭示之第30態樣係於上述第25態樣至上述第28態樣各者之電子裝置中，上述電極第1基本區域之排列方向可與上述電極第1擴張區域自上述電極第1基本區域延伸之方向不同。

本揭示之第31態樣係於上述第24態樣之電子裝置中，2個以上之上述第1層可包含：2個以上之電極第1基本區域，其等沿不同之兩個方向排列；及2個以上之電極第1輔助區域；且上述電極第1輔助區域以與相鄰之2個上述第2層、相鄰與2個上述第3層或相鄰之2個上述第2層及上述第3層局部重疊之方式延伸。

本揭示之第32態樣係於上述第31態樣之電子裝置中，於與上述電極第1輔助區域延伸之方向正交之方向上，上述電極第1輔助區域之尺寸可為上述電極第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第33態樣係於上述第32態樣之電子裝置中，上述電極第1輔助區域可連接於上述電極第1基本區域。

本揭示之第34態樣係於上述第32態樣之電子裝置中，上述電極第1輔助區域可不連接於上述電極第1基本區域。

本揭示之第35態樣係於上述第24態樣至上述第34態樣各者之電子裝置中，2個以上之上述第1層中之至少一部分之上述第1層可經由上述第2層及上述第3層，連接於另一上述第1層。

本揭示之第36態樣係於上述第24態樣至上述第34態樣各者之電子裝置中，2個以上之上述第1層中之至少一部分之上述第1層可經由上述第2層或上述第3層，連接於另一上述第1層。

本揭示之第37態樣係一種電子裝置，其具備：第1電極，其位於基板上；通電層，其位於上述第1電極上；及第2電極，其位於上述通電層上；且上述第2電極具備：2個以上之第1層，其等沿第1方向排列；及2個以上之第2層；上述第1層包含：2個以上之電極第1基本區域，其等沿與上述第1方向交叉之第2方向排列；及電極第1擴張區域，其以連接上述第2方向上相鄰之2個上述電極第1基本區域之方式延伸，且於與上述第2方向正交之方向上，具有小於上述電極第1基本區域之尺寸；上述第1層與上述第2層局部重疊。

本揭示之第38態樣係於上述第37態樣之電子裝置中，2個以上之上述電極第1基本區域中之至少一部分之上述電極第1基本區域可經由上述第2層，連接於另一上述電極第1基本區域。

本揭示之第39態樣係於上述第37態樣或上述第38態樣各者之電子裝置中，上述電極第1擴張區域可與上述第2層整體或局部重疊。

本揭示之第40態樣係於上述第39態樣之電子裝置中，上述第2層可與上述第2方向上相鄰之2個上述電極第1基本區域、及連接於上述2個之上述電極第1基本區域之上述電極第1擴張區域整體或局部重疊。

本揭示之第41態樣係於上述第37態樣至上述第40態樣各者之電子裝置中，於與上述第2方向正交之方向上，上述電極第1擴張區域之尺寸可為上述電極第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

本揭示之第42態樣係一種電子裝置，其具備：第1電極，其位於基板上；通電層，其位於上述第1電極上；及第2電極，其位於上述通電層上；且上述第2電極具備2個以上之第1層、與2個以上之第2層，2個以上之上述第1層包含：2個以上之電極第1基本區域，其等沿第1方向排列，且沿與上述第1方向交叉之第2方向排列；及2個以上之電極第1輔助區域，其等位於上述第2方向上相鄰之2個上述電極第1基本區域間，且於上述第2方向上，具有小於上述電極第1基本區域之尺寸；2個以上之上述第2層沿上述第1方向及上述第2方向排列，上述電極第1輔助區域以與上述第1方向上相鄰之2個上述第2層局部重疊之方式延伸。

本揭示之第43態樣係於上述第42態樣之電子裝置中，上述第2層可以與上述第2方向上相鄰之2個上述電極第1基本區域局部重疊之方式延伸。

本揭示之第44態樣係於上述第42態樣或上述第43態樣各者之電子裝置中，於上述第2方向上，上述電極第1輔助區域之尺寸可為上述電極第1基本區域之尺寸的0.9倍以下。

以下，說明具備藉由使用本實施形態之蒸鍍遮罩群形成之電極的電子裝置100之一例。

圖1係顯示電子裝置100之剖視圖。電子裝置100亦可具備基板91、及沿基板91之面內方向排列之複數個元件110。雖未圖示，但元件110亦可於圖1之深度方向排列。元件110亦可具有：第1電極120、位於第1電極120上之通電層130、及位於通電層130上之第2電極140。

基板91亦可為具有絕緣性之板狀構件。基板91較佳具有使光透過之透明性。

基板91具有特定透明性之情時，基板91之透明性較佳為可使來自通電層130之發光透過而進行顯示之程度之透明性。例如，可見光區域之基板91之透過率較佳為80%以上，更佳為90%以上。基板91之透過率可藉由依據JIS K7361-1之塑料-透明材料之全光透過率之試驗方法測定。

基板91有無可撓性皆可，可根據電子裝置100之用途適當選擇。

作為基板91之材料，列舉例如石英玻璃、派熱克斯(Pyrex)(註冊商標)玻璃、合成石英板等無可撓性之硬質材、或樹脂薄膜、光學用樹脂板、薄玻璃等具有可撓性之可撓曲材等。又，基材亦可為於樹脂薄膜之單面或兩面具有障壁層之積層體。

基板91之厚度可根據用於基板91之材料或電子裝置100之用途等適當選擇，但亦可為例如0.005mm以上。又，基板91之厚度亦可為5mm以下。

元件110構成為藉由對第1電極120與第2電極140間施加電壓，或藉由於第1電極120與第2電極140間流動電流，而實現若干功能。

第1電極120包含具有導電性之材料。例如，第1電極120包含金屬、具有導電性之金屬氧化物、或其他具有導電性之無機材料等。第1電極120亦可包含銦錫氧化物等具有透明性及導電性之金屬氧化物。

作為構成第1電極120之材料之例，列舉Au、Cr、Mo、Ag、Mg等金屬；稱為ITO之氧化銦錫、稱為IZO之氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦等無機氧化物；摻雜有金屬之聚噻吩等導電性高分子等。該等導電性材料可單獨使用，亦可組合2種以上使用。使用2種以上之情形時，亦可積層包含各材料之層。又，亦可使用包含2種以上材料之合金。列舉例如MgAg等鎂合金等。

通電層130為藉由通電而發揮若干功能之層。通電意指對通電層130施加電壓，或於通電層130流動電流。作為通電層130之例，可列舉藉由通電放出光之層、藉由通電使光之透過率或折射率變化之層等。通電層130亦可包含半導體材料。半導體材料可為有機半導體材料，亦可為無機半導體材料。

通電層130包含藉由通電放出光之發光層之情形時，通電層130亦可進而包含電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層等。

例如，第1電極120為陽極之情形時，通電層130亦可於發光層與第1電極120間具有電洞注入輸送層。電洞注入輸送層可為具有電洞注入功能之電洞注入層，亦可為具有電洞輸送功能之電洞輸送層，又可為具有電洞注入功能及電洞輸送功能之兩功能者。又，電洞注入輸送層亦可為積層有電洞注入層及電洞輸送層者。

第2電極140為陰極之情形時，通電層130亦可於發光層與第2電極140間具有電子注入輸送層。電子注入輸送層可為具有電子注入功能之電子注入層，亦可為具有電子輸送功能之電子輸送層，又可為具有電子注入功能及電子輸送功能之兩功能者。又，電子注入輸送層亦可為積層有電子注入層及電子輸送層者。

發光層包含發光材料。發光層亦可包含使平坦性良好之添加劑。

作為發光材料，可使用眾所周知之材料，可使用例如色素系材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料等發光材料。

作為色素系材料，列舉例如環戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聯苯乙烯基衍生物、噻咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、芘酮衍生物、苝衍生物、寡聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。

作為金屬錯合物系材料，列舉例如喹啉鋁錯合物、苯并喹啉醇鈹錯合物、苯并噁唑鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉鋅錯合物、銪錯合物等於中心金屬具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等之稀土類金屬，於配位鍵具有噁二唑、噻二唑、苯吡啶、苯基苯并咪唑、或喹啉構造等之金屬錯合物。

作為高分子系材料，列舉例如聚伸對苯基伸乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚伸對苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚茀衍生物、聚喹喔啉衍生物、及該等之共聚物等。

發光層可基於提高發光效率或使發光波長變化等目的，包含摻雜劑。作為摻雜劑，列舉例如芘衍生物、香豆素衍生物、紅熒烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸鎓衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、稠四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十環烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、茀衍生物等。又，作為摻雜劑，亦可使用中心具有鉑或銥等重金屬離子，表示磷光之有機金屬錯合物。摻雜劑可單獨使用1種，亦可使用2種以上。

又，作為發光材料及摻雜劑，亦可使用例如日本專利特開2010- 272891號公報之[0094]~[0099]、或國際公開第2012/132126號之[0053]~[0057]所記載之材料。

若發光層之膜厚為可提供電子與電洞之再耦合場所，體現發光之功能之膜厚，則無特別限定，可設為例如1nm以上，又，亦可設為500nm以下。

作為用於電洞注入輸送層之電洞注入輸送性材料，可使用眾所周知之材料。列舉例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基置換查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、矽氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、茀衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚伸苯基伸乙烯衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯胺衍生物等。又，可例示螺環化合物、酞菁化合物、金屬氧化物等。又，亦可適當選擇使用記載於例如日本專利特開2011-119681號公報、國際公開第2012/018082號、日本專利特開2012-069963號公報、國際公開第2012/132126號之[0106]中之化合物。

另，電洞注入輸送層為積層電洞注入層及電洞輸送層而成者之情形時，電洞注入層可含有添加劑A，電洞輸送層可含有添加劑A，電洞注入層及電洞輸送層可含有添加劑A。添加劑A可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。具體而言，列舉氟系化合物、酯系化合物、碳氫系化合物等。

作為電子注入輸送層所使用之電子注入輸送性材料，可使用眾所周知之材料。列舉例如鹼金屬類、鹼金屬之合金、鹼金屬之滷化物、鹼土類金屬類、鹼土類金屬類之滷化物、鹼土類金屬之氧化物、鹼金屬之有機錯合物、鎂之滷化物或氧化物、氧化鋁等。又，作為電子注入輸送性材料，可列舉例如浴銅靈、浴菲繞啉、菲繞啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基置換茀衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、硫代吡喃氧化物衍生物、萘或苝等芳香環四羧酸酐、碳二亞胺、亞茀基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、喹啉醇錯合物等金屬錯合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。

又，亦可形成於電子輸送性有機材料中摻雜有鹼金屬或鹼土類金屬之金屬摻雜層，將其作為電子輸入輸送層。作為電子輸送性有機材料，列舉例如浴銅靈、向紅菲咯啉、鄰二氮菲衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃)等金屬錯合物、及該等之高分子衍生物等。又，作為摻雜之金屬，列舉Li、Cs、Ba、Sr等。

第2電極140包含金屬等具有導電性之材料。第2電極140藉由使用後述之蒸鍍遮罩20之蒸鍍法，形成於通電層130上。作為構成第2電極140之材料之例，可列舉鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鉻、鋁、銦、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、鉻、碳等。該等材料可單獨使用，亦可組合2種以上使用。使用2種以上之情形時，可積層包含各材料之層。又，亦可使用包含2種以上材料之合金。列舉例如MgAg等鎂合金、AlLi、AlCa、AlMg等鋁合金、鹼金屬類及鹼土類金屬類之合金等。

電子裝置100為有機EL顯示裝置之情形時，元件110為像素，通電層130包含發光層。

如圖1所示，亦可於1個基板91上，設置對應於複數個電子裝置100之複數個元件110。電子裝置110為有機EL顯示裝置等顯示裝置之情形時，1個電子裝置100相當於1個畫面。

圖2係將電子裝置100放大顯示之剖視圖。圖2係沿後述之圖6所示之電子裝置100之II-II線之剖視圖。於圖2中，自沿基板91之法線方向觀察之情形時，第1電極120與第2電極140重疊，且通電層130位於第1電極120與第2電極140間之部分作為元件，並以符號110顯示。如圖2所示，第2電極140於沿基板91之法線方向觀察之情形時，不僅位於與第1電極120重疊之區域，亦可位於不與第1電極120重疊之區域。另，以下之說明中，有時亦將自沿如基板91或蒸鍍遮罩20之板狀構件之面之法線方向觀察時2個構成要素重疊之情況簡單表現為「重疊」。

針對圖2之第2電極140詳細地進行說明。第2電極140具有第1層140A及第2層140B。第1層140A係藉由使用後述之第1蒸鍍遮罩20A之蒸鍍法形成之層。第1層140A包含與第1電極120重疊之電極第1基本區域141A、及位於相鄰之2個元件110間之電極第1擴張區域142A。電極第1擴張區域 142A可連接於電極第1基本區域141A，亦可不連接於此。電極第1擴張區域142A未連接於電極第1基本區域141A之情形時，電極第1擴張區域142A經由第2層140B電性連接於電極第1基本區域141A。

第2層140B係藉由使用後述之第2蒸鍍遮罩20B之蒸鍍法形成之層。如圖2所示，第2層140B與第1層140A之電極第1擴張區域142A重疊。藉由設置第2層140B，位於相鄰之2個元件110間之第2電極140之厚度增加。因此，與第2層140B不存在之情形相比，可減少相接之2個元件110之電極第1基本區域141A間之電阻。

於圖2中，符號T1表示構成第2電極140中之元件110之部分之厚度最小值，符號T2表示第2電極140中之相鄰之2個元件110間所在之部分之厚度最大值。厚度T2可較厚度T1增大第2層140B之厚度量。厚度T2亦可為厚度T1之1.2倍以上、1.5倍以上、1.8倍以上、2.0倍以上、2.2倍以上、2.5倍以上。藉此，可減少相鄰之2個元件110之電極第1基本區域141A間之電阻。又，厚度T2亦可為厚度T1之5.0倍以下、4.5倍以下、4.0倍以下、3.5倍以下、3.0倍以下。

厚度T2相對於厚度T1之比例即T2/T1之範圍亦可由包含1.2、1.5、1.8、2.0、2.2、2.5之第1組群、及/或包含3.0、3.5、4.0、4.5、5.0之第2組群決定。T2/T1之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。T2/T1之範圍又可由上述第1組群所含值中之任意2個之組合決定。T2/T1之範圍還可由上述第2組群所含值中之任意2個之組合規定。例如，T2/T1可為1.2以上且5.0以下、1.2以上且4.5以下、1.2以上且4.0以下、1.2以上且3.5以下、1.2以上且3.0以下、1.2以上且2.5以下、1.2以上且2.2以下、1.2以上且2.0以下、1.2以上且1.8以下、1.2以上且1.5以下、1.5以上且5.0以下、1.5以上且4.5以下、1.5以上且4.0以下、1.5以上且3.5以下、1.5以上且3.0以下、1.5以上且2.5以下、1.5以上且2.2以下、1.5以上且2.0以下、1.5以上且1.8以下、1.8以上且5.0以下、1.8以上且4.5以下、1.8以上且4.0以下、1.8以上且3.5以下、1.8以上且3.0以下、1.8以上且2.5以下、1.8以上且2.2以下、1.8以上且2.0以下、2.0以上且5.0以下、2.0以上且4.5以下、2.0以上且4.0以下、2.0以上且3.5以下、2.0以上且3.0以下、2.0以上且2.5以下、2.0以上且2.2以下、2.2以上且5.0以下、2.2以上且4.5以下、2.2以上且4.0以下、2.2以上且3.5以下、2.2以上且3.0以下、2.2以上且2.5以下、2.5以上且5.0以下、2.5以上且4.5以下、2.5以上且4.0以下、2.5以上且3.5以下、2.5以上且3.0以下、3.0以上且5.0以下、3.0以上且4.5以下、3.0以上且4.0以下、3.0以上且3.5以下、3.5以上且5.0以下、3.5以上且4.5以下、3.5以上且4.0以下、4.0以上且5.0以下、4.0以上且4.5以下、4.5以上且5.0以下。

關於厚度T2相對於厚度T1之比例之上述各範圍亦可於圖1~圖16所示之實施形態以外之形態中予以採用。

厚度T1亦可為10nm以上、20nm以上、50nm以上、100nm以上、200nm以上。又，厚度T1亦可為10μm以下、5μm以下、2μm以下、1μm以下、500nm以下。

厚度T1之範圍亦可由包含10nm、20nm、50nm、100nm、200nm之第1組群、及/或包含10μm、5μm、2μm、1μm、500nm之第2組群決定。厚度T1之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。厚度T1之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意2個之組合決定。厚度T1之範圍亦可由上述第2組群所含值中之任意2個之組合決定。例如，厚度T1亦可為10nm以上且10μm以下、10nm以上且5μm以下、10nm以上且2μm以下、10nm以上且1μm以下、10nm以上且500nm以下、10nm以上且200nm以下、10nm以上且100nm以下、10nm以上且50nm以下、10nm以上且20nm以下、20nm以上且10μm以下、20nm以上且5μm以下、20nm以上且2μm以下、20nm以上且1μm以下、20nm以上且500nm以下、20nm以上且200nm以下、20nm以上且100nm以下、20nm以上且50nm以下、50nm以上且10μm以下、50nm以上且5μm以下、50nm以上且2μm以下、50nm以上且1μm以下、50nm以上且500nm以下、50nm以上且200nm以下、50nm以上且100nm以下、100m以上且10μm以下、100nm以上且5μm以下、100nm以上且2μm以下、100nm以上且1μm以下、100nm以上且500nm以下、100nm以上且200nm以下、200nm以上且10μm以下、200nm以上且5μm以下、200nm以上且2μm以下、200nm以上且1μm以下、200nm以上且500nm以下、500nm以上且10μm以下、500nm以上且5μm以下、500nm以上且2μm以下、500nm以上且1μm以下、1μm以上且10μm以下、1μm以上且5μm以下、1μm以上且2μm以下、2μm以上且10μm以下、2μm以上且5μm以下、5μm以上且10μm以下。

關於厚度T1之上述各範圍亦可於圖1~圖16所示之實施形態以外之形態中予以採用。

接著，針對沿基板91之法線方向觀察時之電子裝置100之元件110之各層之構成的一例進行說明。

圖3係顯示形成有第1電極120之狀態之基板91之一例之俯視圖。如圖3所示，第1電極120可具有於第1方向D1延伸之條紋狀形狀。又，複數個第1電極120可沿與第1方向D1交叉之第2方向D2排列。於圖3所示例中，第1方向D1及第2方向D2為基板91之外緣延伸之方向。第2方向D2亦可與第1方向D1正交。

可於基板91形成沿基板91之外緣排列之複數個端子部125、或將端子部125與第1電極120電性連接之配線126等。端子部125或配線126可由與第1電極120同一材料，以同一步驟形成於基板91。

又，亦可於基板91形成對準標記93。對準標記93形成於例如基板91之角部。對準標記93可於將元件110之各層形成於基板91之步驟中，用於基板91之對位。例如，基板91亦可用於將後述之蒸鍍遮罩20之位置相對於基板91進行調整。

圖4係顯示形成有第1電極120及通電層130之狀態之基板91的一例之俯視圖。於圖4所示之例中，通電層130形成為跨及複數個第1電極120而擴展。圖4所示之通電層130可藉由例如藉由使用形成有與通電層130之形狀對應之貫通孔之蒸鍍遮罩之蒸鍍法，使有機材料附著於基板91上或第1電極120上而形成。

圖5係顯示形成有第1電極120、通電層130及第2電極140之第1層140A之狀態的基板91之一例之俯視圖。如圖5所示，第1層140A可於第2方向D2延伸。又，複數個第1層140A亦可於第1方向D1排列。

如圖5所示，第1層140A可包含：複數個電極第1基本區域141A，其於第2方向D2排列；及電極第1擴張區域142A，其以連接第2方向D2上相鄰之2個電極第1基本區域141A之方式延伸。電極第1基本區域141A以與第1電極120整體或局部重疊之方式配置。於該情形時，若對第1電極120與第2電極140之電極第1基本區域141A間施加電壓，則位於兩者間之通電層130被驅動。通電層130為發光層之情形時，自通電層130放出光，光自第2電極140側或第1電極120側擷取至外部。

如圖5所示，亦可於基板91形成沿基板91之外緣排列之複數個端子部145A、或將端子部145A與第2電極140之第1層140A電性連接之配線146A等。端子部145A或配線146A可藉由與第2電極140之第1層140A同一之材料，以同一步驟形成於基板91。即，端子部145A或配線146A可藉由使用第1蒸鍍遮罩20A之蒸鍍法，與第1層140A同時形成。藉此，可提高端子部145A或配線146A相對於第1層140A之相對位置精度。

如圖5所示，在與相鄰之2個電極第1基本區域141A排列之方向即第2方向D2正交之方向上，電極第1擴張區域142A之尺寸小於電極第1基本區域141A之尺寸。即，電極第1擴張區域142A之寬度小於電極第1基本區域141A之寬度。換言之，第1層140A於與第2方向D2正交之方向上，具有第1尺寸、及小於第1尺寸之第2尺寸。具有第1尺寸之區域與具有第2尺寸之區域分別於第2方向D2上交替排列。因此，於第2方向D2上相鄰之2個元件110間之區域，易於使光透過電子裝置100。藉此，例如，與使電極第1擴張區域142A具有與電極第1基本區域141A同一之寬度之情形相比，可提高電子裝置100全體之透過率。

如後所述，電極第1基本區域141A主要由通過第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A之蒸鍍材料構成。又，電極第1擴張區域142A主要由通過第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A之蒸鍍材料構成。因此，電極第1基本區域141A之尺寸對應於遮罩第1基本區域26A之尺寸，電極第1擴張區域142A之尺寸對應於遮罩第1擴張區域27A之尺寸。例如，電極第1擴張區域142A之寬度相對於電極第1基本區域141A之寬度的比例，對應於後述之遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12相對於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11的比例。

然而，若使電極第1擴張區域142A之寬度小於電極第1基本區域141A之寬度，則相鄰之2個電極第1基本區域141A間之電阻增加。考慮到該點，於本實施形態中，於電極第1擴張區域142A上形成上述第2層140B。

圖6係顯示形成有第1電極120、通電層130、第2電極140之第1層140A及第2電極140之第2層140B之狀態之基板91的一例之俯視圖。如圖6所示，第2層140B與位於第2方向D2上相鄰之2個電極第1基本區域141A間之電極第1擴張區域142A整體或局部重疊。藉此，可減少相鄰之2個電極第1基本區域141A間之電阻。第2層140B亦可於第2方向D2上與相鄰之2個電極第1基本區域141A局部重疊。

另，上述端子部145A或配線146A可藉由使用第2蒸鍍遮罩20B之蒸鍍法與第2層140B同時形成。藉此，可提高端子部145A或配線146A相對於第2層140B之相對位置精度。又，上述端子部145A或配線146A除藉由使用第1蒸鍍遮罩20A之蒸鍍法形成之層外，亦可包含藉由使用第2蒸鍍遮罩20B之蒸鍍法形成之層。

接著，針對藉由蒸鍍法形成上述電子裝置100之第2電極140之方法進行說明。圖7係顯示對對象物實施使蒸鍍材料蒸鍍之蒸鍍處理之蒸鍍裝置80之圖。

如圖7所示，蒸鍍裝置80亦可於其之內部具備：蒸鍍源81、加熱器83及蒸鍍遮罩裝置10。又，蒸鍍裝置80亦可進而具備用以將蒸鍍裝置80之內部設為真空氣氛之排氣機構。蒸鍍源81為例如坩鍋，收容有機發光材料等蒸鍍材料82。加熱器83加熱蒸鍍源81，使蒸鍍材料82於真空氣氛下蒸發。蒸鍍遮罩裝置10以與蒸鍍源81對向之方式配置。

如圖7所示，蒸鍍遮罩裝置10具備至少一個蒸鍍遮罩20。蒸鍍遮罩裝置10可進而具備支持蒸鍍遮罩20之框架15。框架15亦可以對蒸鍍遮罩20施加張力之狀態支持蒸鍍遮罩20以抑制蒸鍍遮罩20撓曲。

作為蒸鍍遮罩裝置10之蒸鍍遮罩20，可使用後述之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B、第3蒸鍍遮罩20C等。於以下之說明中，說明蒸鍍遮罩之構成中之與第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B、第3蒸鍍遮罩20C等共通之構成之情形時，使用「蒸鍍遮罩20」之用語及符號。對於有效區域等蒸鍍遮罩20之蒸鍍遮罩之構成要素，亦同樣地於說明與第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B、第3蒸鍍遮罩20C等共通之內容之情形時，作為符號，使用「22」等未標註字母之僅數字符號。另一方面，說明第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B、第3蒸鍍遮罩20C各者特有之內容之情形時，使用於數字之後標註「A」、「B」、「C」等對應之字母之符號。

蒸鍍遮罩裝置10如圖7所示，以蒸鍍遮罩20與使蒸鍍材料82附著之對象物即基板91面相對之方式，配置於蒸鍍裝置80內。蒸鍍遮罩20具有使自蒸鍍源81飛來之蒸鍍材料82通過之複數個貫通孔25。以下之說明中，將蒸鍍遮罩20之面中之位於飛來之蒸鍍材料82附著之基板91側之面稱為第1面201，將位於第1面201相反側之面稱為第2面202。

蒸鍍遮罩裝置10如圖7所示，可具備配置於基板91之與蒸鍍遮罩20相反側之面之磁鐵85。藉由設置磁鐵85，可以磁力將蒸鍍遮罩20吸引至磁鐵85側，而使蒸鍍遮罩20與基板91密接。藉此，可抑制於蒸鍍步驟中產生陰影，可提高藉由附著於基板91之蒸鍍材料82形成於基板91之蒸鍍層之尺寸精度或位置精度。又，亦可使用利用靜電力之靜電夾，使蒸鍍遮罩20與基板91密接。

圖8係顯示自蒸鍍遮罩20之第1面201側觀察蒸鍍遮罩裝置10之情形之俯視圖。如圖8所示，蒸鍍遮罩裝置10亦可具備複數個蒸鍍遮罩20。本實施形態中，各蒸鍍遮罩20具有於第1方向D1等一方向延伸之矩形狀之形狀。於蒸鍍遮罩裝置10中，複數個蒸鍍遮罩20沿與蒸鍍遮罩20之長邊方向交叉之寬度方向排列。各蒸鍍遮罩20於蒸鍍遮罩20之長邊方向之兩端部，藉由例如焊接而固定於框架15。又，雖未圖示，但蒸鍍遮罩10亦可具備固定於框架15，且於蒸鍍遮罩20之厚度方向上與蒸鍍遮罩20局部重疊之構件。作為此種構件之例，可列舉沿與蒸鍍遮罩20之長邊方向交叉之方向延伸，且支持蒸鍍遮罩20之構件、與相鄰之2個蒸鍍遮罩間之間隙重疊之構件等。

圖8所示之蒸鍍遮罩20具有：藉由焊接等固定於框架15之一對耳部17、及位於耳部17間之中間部18。中間部18亦可具有至少1個有效區域22、及位於有效區域22周圍之周圍區域23。圖8所示之例中，中間部18包含沿蒸鍍遮罩20之長邊方向空出特定間隔排列之複數個有效區域22。周圍區域23包圍複數個有效區域22。

使用蒸鍍遮罩20製作有機EL顯示裝置等顯示裝置之情形時，1個有效區域22對應於1個有機EL顯示裝置之顯示區域，即1個畫面。另，亦可使1個有效區域22對應於複數個顯示區域。又，雖未圖示，但亦可於蒸鍍遮罩20之寬度方向上空出特定間隔排列複數個有效區域22。

有效區域22可於例如俯視下具有大致四角形形狀，更正確而言，於俯視下具有大致矩形狀之輪廓。另，雖未圖示，但各有效區域22可根據有機EL顯示裝置之顯示區域之形狀，具有各種形狀之輪廓。例如，各有效區域22亦可具有圓形狀之輪廓。

圖9係將具備形成上述第2電極140之第1層140A時使用之第1蒸鍍遮罩20A之第1蒸鍍遮罩裝置10A之一部分放大顯示之俯視圖。第1蒸鍍遮罩20A具有包含沿不同之兩個方向排列之區域的複數個第1貫通孔25A。圖9所示之例中，不同之兩個方向為第1方向D1及第2方向D2。

圖10係將具備形成上述第2電極140之第2層140B時使用之第2蒸鍍遮罩20B之第2蒸鍍遮罩裝置10B之一部分放大顯示之俯視圖。第2蒸鍍遮罩20B具有沿不同之兩個方向排列之複數個第2貫通孔25B。圖10所示例中，不同之兩個方向為第1方向D1及第2方向D2。

第2蒸鍍遮罩裝置10B例如如下使用：蒸鍍裝置80中使用第1蒸鍍遮罩裝置10A，於基板91形成第2電極140之第1層140A後，於蒸鍍裝置80中，於基板91形成第2電極140之第2層140B。如此，於製造電子裝置100之步驟中，依序使用第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B等複數個蒸鍍遮罩20。亦將用以製造電子裝置100而使用之複數個蒸鍍遮罩20之群稱為「蒸鍍遮罩群」。

圖11係顯示第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B或第3蒸鍍遮罩20C等蒸鍍遮罩20之剖面構造之一例之圖。蒸鍍遮罩20具有形成於金屬板50之複數個貫通孔25。貫通孔25自第1面201朝第2面202地貫通金屬板50。

圖11所示之貫通孔25亦可藉由自第1面201側及第2面202側蝕刻金屬板50而形成。貫通孔25之壁面包含：位於第1面201側之第1壁面31、及位於第2面202側之第2壁面36。第1壁面31為自第1面201側蝕刻金屬板50時形成之第1凹部30之面。第2壁面36為自第2面202側蝕刻金屬板50時形成之第2凹部35之面。第1凹部30之第1壁面31與第2凹部35之第2壁面36於連接部42中連接。

使用蒸鍍遮罩20之蒸鍍法中，藉由使自第2面202側朝第1面201側通過貫通孔25之蒸鍍材料82附著於基板91，而於基板91形成上述第1層140A或第2層140B等層。形成於基板91之層在基板91之面內方向之輪廓由第1面201上之貫通孔25之端部251之輪廓決定。後述之圖12至圖16等俯視圖中所示之貫通孔25之輪廓為貫通孔25之端部251之輪廓。

蒸鍍遮罩20之厚度T較佳為100μm以下。蒸鍍遮罩20之厚度T亦可為50μm以下、40μm以下、35μm以下、30μm以下、25μm以下、20μm以下。另一方面，若蒸鍍遮罩20之厚度過小，則蒸鍍遮罩20之強度降低，蒸鍍遮罩20易產生損傷或變形。考慮到該點，蒸鍍遮罩20之厚度T較佳為5μm以上。蒸鍍遮罩20之厚度T亦可為8μm以上、10μm以上、12μm以上、13μm以上、15μm以上。

蒸鍍遮罩20之厚度T之範圍可由包含5μm、8μm、10μm、12μm、13μm、15μm之第1組群、及/或包含100μm、50μm、40μm、35μm、30μm、25μm、20μm之第2組群決定。厚度T之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。厚度T之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意2者之組合決定。厚度T之範圍亦可由上述第2組群所含值中之任意2者之組合決定。例如、蒸鍍遮罩20之厚度T之範圍可為5μm以上且100μm以下、5μm以上且50μm以下、5μm以上且40μm以下、5μm以上且35μm以下、5μm以上且30μm以下、5μm以上且25μm以下、5μm以上且20μm以下、5μm以上且15μm以下、5μm以上且13μm以下、5μm以上且12μm以下、5μm以上且10μm以下、5μm以上且8μm以下、8μm以上且100μm以下、8μm以上且50μm以下、8μm以上且40μm以下、8μm且以上35μm以下、8μm以上且30μm以下、8μm以上且25μm以下、8μm以上且20μm以下、8μm以上且15μm以下、8μm以上且13μm以下、8μm且以上12μm以下、8μm以上且10μm以下、10μm以上且100μm以下、10μm以上且50μm以下、10μm以上且40μm以下、10μm以上且35μm以下、10μm以上且30μm以下、10μm以上且25μm以下、10μm以上且20μm以下、10μm以上且15μm以下、10μm以上且13μm以下、10μm以上且12μm以下、12μm以上且100μm以下、12μm以上且50μm以下、12μm以上且40μm以下、12μm以上且35μm以下、12μm以上且30μm以下、12μm以上且25μm以下、12μm以上且20μm以下、12μm以上且15μm以下、12μm以上且13μm以下、13μm以上且100μm以下、13μm以上且50μm以下、13μm以上且40μm以下、13μm以上且35μm以下、13μm以上且30μm以下、13μm以上且25μm以下、13μm以上且20μm以下、13μm以上且15μm以下、15μm以上且100μm以下、15μm以上且50μm以下、15μm以上且40μm以下、15μm以上且35μm以下、15μm以上且30μm以下、15μm以上且25μm以下、15μm以上且20μm以下、20μm以上且100μm以下、20μm以上且50μm以下、20μm以上且40μm以下、20μm以上且35μm以下、20μm以上且30μm以下、20μm以上且25μm以下、25μm以上且100μm以下、25μm以上且50μm以下、25μm以上且40μm以下、25μm以上且35μm以下、25μm以上且30μm以下、30μm以上且100μm以下、30μm以上且50μm以下、30μm以上且40μm以下、30μm以上且35μm以下、35μm以上且100μm以下、35μm以上且50μm以下、35μm以上且40μm以下、40μm以上且100μm以下、40μm以上且50μm以下、50μm以上且100μm以下。

另，蒸鍍遮罩20之厚度T為周圍區域23之厚度，即蒸鍍遮罩20中之未形成貫通孔25之部分的厚度。

關於蒸鍍遮罩20之厚度T之上述各範圍亦可於圖1~圖16所示之實施形態以外之形態中予以採用。

作為測定蒸鍍遮罩20之厚度之方法，可採用接觸式測定方法。作為接觸式測定方法，可使用具備滾珠導套式柱塞之海德漢(Heidenhain)公司製之長度測量儀HEIDENHAIM-METRO之「MT1271」。

另，蒸鍍遮罩20之貫通孔25之剖面形狀不限於圖11所示之形狀。又，蒸鍍遮罩20之貫通孔25之形成方法不限於蝕刻，可採用各種方法。例如，亦可藉由以產生貫通孔25之方式進行鍍敷而形成蒸鍍遮罩20。

作為構成蒸鍍遮罩20之材料，可使用例如包含鎳之鐵合金。鐵合金除鎳以外亦可進而包含鈷。例如，作為蒸鍍遮罩20之材料，可使用鎳及鈷之合計含量為30質量%以上且54質量%以下，且鈷之含量為0質量%以上且6質量%以下之鐵合金。作為包含鎳或鎳及鈷之鐵合金之具體例，可列舉包含34質量%以上且38質量%以下之鎳之因瓦材、除30質量%以上且34質量%以下之鎳外，進而包含鈷之超因瓦材、包含38質量%以上且54質量%以下之鎳之低熱膨脹鍍Fe-Ni系合金等。藉由使用此種鐵合金，可減少蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數。例如，使用玻璃基板作為基板91之情形時，可將蒸鍍遮罩20之熱膨脹係數設為與玻璃基板同等之低值。藉此，於蒸鍍步驟時，可抑制形成於基板91之蒸鍍層之尺寸精度或位置精度因蒸鍍遮罩20與基板91間之熱膨脹係數之差而降低。

關於構成蒸鍍遮罩20之材料之組成的上述各範圍亦可於圖1~圖16所示之實施形態以外之形態中予以採用。

接著，針對第1蒸鍍遮罩20A詳細地進行說明。圖12係顯示自第1面 201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之一例之俯視圖。圖13係將圖12之第1蒸鍍遮罩20A之一部分放大顯示之俯視圖。

如圖12所示，第1蒸鍍遮罩20A具有包含沿不同之兩個方向排列之區域之複數個第1貫通孔25A。複數個第1貫通孔25A包含：沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第1基本區域26A、及以連接相鄰之2個遮罩第1基本區域26A之方式延伸之遮罩第1擴張區域27A。

遮罩第1基本區域26A係主要供構成上述第2電極140之第1層140A之電極第1基本區域141A之蒸鍍材料通過之區域。圖12所示之例中，複數個遮罩第1基本區域26A沿第1方向D1及第2方向D2排列。如圖12所示，第2方向D2上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A間之間隔小於第1方向D1上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A間之間隔。

遮罩第1擴張區域27A係主要供構成上述第2電極140之第1層140A之電極第1擴張區域142A之蒸鍍材料通過之區域。圖12所示之例中，遮罩第1擴張區域27A以連接第2方向D2上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A之方式於第2方向D2延伸。

遮罩第1擴張區域27A於與相鄰之2個遮罩第1基本區域26A排列之方向正交之方向上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。圖13所示之例中，遮罩第1擴張區域27A於與第2方向D2上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A排列之方向即第2方向D2正交之第1方向D1上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。換言之，第1貫通孔25A於與第2方向D2正交之第1方向D1上，具有第1尺寸W11、及小於第1尺寸W11之第2尺寸W12。具有第1尺寸W11之區域與具有第2尺寸W12之區域分別於第2方向D2上交替排列。於第1方向D1上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.9倍以下、0.8倍以下、0.7倍以下、0.6倍以下、0.5倍以下。藉此，於與遮罩第1基本區域26A對應形成之第2電極140之2個電極第1基本區域141A間之區域，光容易透過電子裝置100。又，於第1方向D1上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.05倍以上、0.1倍以上、0.2倍以上、0.3倍以上、0.4倍以上。

尺寸W12相對於尺寸W11之比例即W12/W11之範圍可由包含0.1、0.2、0.3、0.4之第1組群、及/或包含0.9、0.8、0.7、0.6、0.5之第2組群決定。W12/W11之範圍亦可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。例如，W12/W11亦可為0.05以上且0.9以下、0.05以上且0.8以下、0.05以上且0.7以下、0.05以上且0.6以下、0.05以上且0.5以下、0.05以上且0.4以下、0.05以上且0.3以下、0.05以上且0.2以下、0.05以上且0.1以下、0.1以上且0.9以下、0.1以上且0.8以下、0.1以上且0.7以下、0.1以上且0.6以下、0.1以上且0.5以下、0.1以上且0.4以下、0.1以上且0.3以下、0.1以上且0.2以下、0.2以上且0.9以下、0.2以上且0.8以下、0.2以上且0.7以下、0.2以上且0.6以下、0.2以上且0.5以下、0.2以上且0.4以下、0.2以上且0.3以下、0.3以上且0.9以下、0.3以上且0.8以下、0.3以上且0.7以下、0.3以上且0.6以下、0.3以上且0.5 以下、0.3以上且0.4以下、0.4以上且0.9以下、0.4以上且0.8以下、0.4以上且0.7以下、0.4以上且0.6以下、0.4以上且0.5以下、0.5以上且0.9以下、0.5以上且0.8以下、0.5以上且0.7以下、0.5以上且0.6以下、0.6以上且0.9以下、0.6以上且0.8以下、0.6以上且0.7以下、0.7以上且0.9以下、0.7以上且0.8以下、0.8以上且0.9以下。

如圖12所示，第1蒸鍍遮罩20A亦可具有對準標記29A。對準標記29A形成於例如第1蒸鍍遮罩20A之有效區域22A之角部。對準標記29A於使用第1蒸鍍遮罩20A藉由蒸鍍法於基板91形成第2電極140之第1層140A之步驟中，亦可用於第1蒸鍍遮罩20A相對於基板91之對位。

接著，針對第2蒸鍍遮罩20B詳細地進行說明。圖14係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之一例之俯視圖。圖15係將圖14之第2蒸鍍遮罩20B之一部分放大顯示之俯視圖。

如圖14及圖15所示，第2蒸鍍遮罩20B具有沿不同之兩個方向排列之複數個第2貫通孔25B。第2貫通孔25B係主要供構成上述第2電極140之第2層140B之蒸鍍材料通過之區域。圖12所示例中，第2貫通孔25B於第2方向D2延伸。

於圖15中，符號W21表示與第2貫通孔25B延伸之第2方向D2正交之第1方向D1上之第2貫通孔25B之尺寸。於第1方向D1上，第2貫通孔25B之尺寸W21小於上述第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A之遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於第2貫通孔25B之尺寸W21相對於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之比例範圍與遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12相對於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之比例的上述範圍同樣，故省略詳細說明。

於第1方向D1上，第2貫通孔25B之尺寸W21可小於、可大於、亦可等於上述第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12。

如圖14所示，第2蒸鍍遮罩20B亦可具有對準標記29B。對準標記29B與第1蒸鍍遮罩20A之情形同樣地形成於例如第2蒸鍍遮罩20B之有效區域22B之角部。對準標記29B於使用第2蒸鍍遮罩20B藉由蒸鍍法於基板91形成第2電極140之第2層140B之步驟中，亦可用於第2蒸鍍遮罩20B相對於基板91之對位。

接著，針對製造電子裝置100之方法之一例進行說明。

首先，如圖3所示，準備形成有第1電極120之基板91。第1電極120例如藉由以下而形成：以濺鍍法等將構成第1電極120之導電層形成於基板91後，以光微影法等將導電層圖案化。

接著，如圖4所示，於第1電極120上形成通電層130。通電層130例如藉由如下而形成：以使用具有對應於通電層130之貫通孔之蒸鍍遮罩之蒸鍍法，使有機材料等附著於基板91上或第1電極120上。

接著，實施於通電層130上形成第2電極140之第2電極形成步驟。例如，如圖5所示，於通電層130上形成第2電極140之第1層140A。具體而言，第1層140A藉由以下而形成：以使用具備第1蒸鍍遮罩20A之第1蒸鍍遮罩裝置10A之蒸鍍法，使金屬等導電性材料附著於通電層130上。

接著，如圖6所示，於通電層130上及第2電極140之第1層140A上，形成第2電極140之第2層140B。具體而言，第2層140B藉由如下而形成：以使用具備第2蒸鍍遮罩20B之第2蒸鍍遮罩裝置10B之蒸鍍法，使金屬等導電性材料附著於通電層130上及第1層140A上。如此，可獲得具備形成於基板91上之第1電極120、通電層130、第2電極140之第1層140A及第2層140B之電子裝置100。

針對可藉由使用具備第1蒸鍍遮罩20A及第2蒸鍍遮罩20B之蒸鍍遮罩群形成第2電極140而實現之效果，參照圖16進行說明。圖16係顯示藉由將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊所得之積層體21之圖。於積層體21中，可以第1蒸鍍遮罩20A之第1對準標記29A與第2蒸鍍遮罩20B之第2對準標記29B重疊之方式，將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊。此時，可對第1蒸鍍遮罩20A及第2蒸鍍遮罩20B施加張力，亦可不施加張力。

另，將如第1蒸鍍遮罩20A及第2蒸鍍遮罩20B之複數個蒸鍍遮罩20重疊之狀態之如圖16之圖亦可藉由將各蒸鍍遮罩20之圖像資料重疊而獲得。例如，可藉由以下而製作如圖16之圖：首先，使用攝影裝置，分別取得第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A之輪廓、及第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B之輪廓相關之圖像資料，接著，使用圖像處理裝置，將第1蒸鍍遮罩20A之圖像資料與第2蒸鍍遮罩20B之圖像資料重疊。後述之將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形亦同樣。

於圖16中，以虛線顯示第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A，以實線顯示第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B。如圖16所示，將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B局部重疊。此係意指由通過第1貫通孔25A之蒸鍍材料形成於基板91之第2電極140之第1層140A、與由通過第2貫通孔25B之蒸鍍材料形成於基板91之第2電極140之第2層140B局部重疊。因此，與僅由第1層140A構成第2電極140之情形相比，可減少第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B之重疊詳細地進行說明。如圖16所示，將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B整體或局部重疊。如上所述，通過第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A附著於基板91之蒸鍍材料形成連接相鄰之2個元件110之第2電極140之電極第1基本區域141A之電極第1擴張區域142A。藉由將第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B重疊，可於第2電極140之電極第1擴張區域142A上形成第2層140B。即，第2層140B可與電極第1擴張區域142A重疊。藉此，電極第1擴張區域142A之尺寸及第2層140B之尺寸與電極第1基本區域141A之尺寸相比較小之情形時，亦可減少相鄰之2個元件110之電極第1基本區域141A間之電阻。又，藉由使電極第1擴張區域142A之尺寸及第2層140B之尺寸小於電極第1基本區域141A之尺寸，於第2方向D2上相鄰之2個元件110間之區域，光容易通過電子裝置100。藉此，可提高電子裝置100全體之透過率。

如圖16所示，將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B亦可與第1蒸鍍遮罩20A之相鄰之2個遮罩第1基本區域26A、及連接於2個遮罩第1基本區域26A之遮罩第1擴張區域27A整體或局部重疊。即，第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B可自第1蒸鍍遮罩20A之相鄰之2個遮罩第1基本區域26A之一者延伸至另一者。換言之，將第1蒸鍍遮罩20A與第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之相鄰之2個遮罩第1基本區域26A可經由第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B連接。於該情形時，與第2貫通孔25B對應形成之第2層140B可與對應於遮罩第1基本區域26A形成之電極第1基本區域141A重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖17~圖25進行說明。此處，針對蒸鍍遮罩群包含第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C，通電層130包含第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之例進行說明。第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C為例如紅色發光層、藍色發光層及綠色發光層。

2個以上之通電層130可於基板91之面內方向沿不同之兩個方向排列。圖17係將形成有第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之狀態的基板91之一部分放大顯示之圖。2個以上之第1通電層130A可於基板91之面內方向沿不同之兩個方向排列。第2通電層130B及第3通電層130C亦同樣。另，雖未圖示，但於基板91與第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之間，形成有第1電極120。於圖17所示例中，複數個之第1通電層130A沿第3方向D3及與第3方向D3交叉之第4方向D4排列。第3方向D3可為相對於第1方向D1成45°之方向。又，第4方向D4可為相對於第2方向D2成45°之方向。複數個之第2通電層130B亦與第1通電層130A同樣地沿第3方向D3及與第3方向D3交叉之第4方向D4排列。複數個之第3通電層130C可沿第1方向D1及第2方向D2排列。

圖18係顯示於圖17所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。又，圖19係沿圖18之電子裝置100之XIX-XIX線之剖視圖。又，圖20係沿圖18之電子裝置100之XX-XX線之剖視圖。又，圖21係沿圖18之電子裝置100之XXI-XXI線之剖視圖。如圖18所示，電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

如圖19及圖21所示，第2電極140具有第1層140A、第2層140B及第3層140C。第1層140A係藉由使用第1蒸鍍遮罩20A之蒸鍍法形成之層。第1 層140A可於基板91之面內方向沿不同之兩個方向排列。第2層140B係藉由使用第2蒸鍍遮罩20B之蒸鍍法形成之層。第2層140B可於基板91之面內方向沿不同之兩個方向排列。第3層140C係藉由使用第3蒸鍍遮罩20C之蒸鍍法形成之層。第3層140C可於基板91之面內方向沿不同之兩個方向排列。

第1層140A至少具有與第1電極120及第1通電層130A重疊之電極第1基本區域141A。由第1電極120、第1通電層130A及電極第1基本區域141A構成電子裝置100之第1元件110A。又，第2層140B至少具有與第1電極120及第2通電層130B重疊之電極第2基本區域141B。由第1電極120、第2通電層130B及電極第2基本區域141B構成電子裝置100之第2元件110B。又，第3層140C至少具有與第1電極120及第3通電層130C重疊之電極第3基本區域141C。由第1電極120、第3通電層130C及電極第3基本區域141C構成電子裝置100之第3元件110C。

如圖20所示，第1層140A亦可包含電極第1擴張區域142A，其以將第1層140A之電極第1基本區域141A與第3層140C之電極第3基本區域141C電性連接之方式，自電極第1基本區域141A延伸。電極第1擴張區域142A可與電極第3基本區域141C局部重疊。電極第1擴張區域142A於與電極第1擴張區域142A自電極第1基本區域141A延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第1基本區域141A及電極第3基本區域141C之尺寸。

雖未圖示，但第2層140B與第1層140A同樣地，可包含電極第2擴張區域，其以將第2層140B之電極第2基本區域141B與第3層140C之電極第3基本區域141C電性連接之方式，自電極第2基本區域141B延伸。電極第2擴張區域可與電極第3基本區域141C局部重疊。電極第2擴張區域於與電極第2擴張區域自電極第2基本區域141B延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第2基本區域141B及電極第3基本區域141C之尺寸。

又，如圖20及圖21所示，第3層140C可包含電極第3擴張區域142C，其以將第3層140C之電極第3基本區域141C與第1層140A之電極第1基本區域141A電性連接之方式，自電極第3基本區域141C延伸。電極第3擴張區域142C可與電極第1基本區域141A局部重疊。電極第3擴張區域142C於與電極第3擴張區域142C自電極第3基本區域141C延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第1基本區域141A及電極第3基本區域141C之尺寸。

雖未圖示，但第3層140C亦可包含電極第3擴張區域，其以將第3層140C之電極第3基本區域141C與第2層140B之電極第2基本區域141B電性連接之方式，自電極第3基本區域141C延伸。電極第3擴張區域可與電極第2基本區域141B局部重疊。該電極第3擴張區域亦與上述電極第3擴張區域142C同樣地，於與電極第3擴張區域自電極第3基本區域141C延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第2基本區域141B及電極第3基本區域141C之尺寸。

如圖21所示，第1層140A亦可包含電極第1輔助區域143A，其以將第2層140B之電極第2基本區域141B與第3層140C之電極第3基本區域141C 電性連接之方式延伸。電極第1輔助區域143A可與電極第2基本區域141B及電極第3基本區域141C局部重疊。電極第1輔助區域143A可不連接於電極第1基本區域141A及電極第1擴張區域142A。電極第1輔助區域143A於與電極第1輔助區域143A延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第2基本區域141B及電極第3基本區域141C之尺寸。

雖未圖示，但第2層140B亦可與第1層140A同樣地，包含電極第2輔助區域，其以將第1層140A之電極第1基本區域141A與第3層140C之電極第3基本區域141C電性連接之方式延伸。電極第2輔助區域可與電極第1基本區域141A及電極第3基本區域141C局部重疊。電極第2輔助區域可不連接於電極第2基本區域141B及電極第2擴張區域142B。電極第2輔助區域於與電極第2輔助區域延伸之方向正交之方向上，具有小於電極第1基本區域141A及電極第3基本區域141C之尺寸。

接著，針對用以形成上述第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C所用之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖22係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖22所示，第1蒸鍍遮罩20A具有包含沿不同之兩個方向排列之區域之複數個第1貫通孔25A。複數個第1貫通孔25A至少包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第1基本區域26A。複數個第1貫通孔25A亦可包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第1擴張區域27A。又，複數個第1貫通孔25A 又可包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第1輔助區域28A。

遮罩第1基本區域26A係主要供構成上述第2電極140之第1層140A之電極第1基本區域141A之蒸鍍材料通過之區域。於圖22所示之例中，複數個遮罩第1基本區域26A沿第3方向D3及第4方向D4排列。

遮罩第1擴張區域27A係主要供構成上述第2電極140之第1層140A之電極第1擴張區域142A之蒸鍍材料通過之區域。於圖22所示之例中，遮罩第1擴張區域27A於相鄰之2個遮罩第1基本區域26A排列之第3方向D3上，自遮罩第1基本區域26A延伸。

遮罩第1擴張區域27A於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1基本區域26A延伸之方向正交之方向上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。於圖22所示之例中，遮罩第1擴張區域27A於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1基本區域26A延伸之方向即第3方向D3正交之第4方向D4上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。於第4方向D4上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.9倍以下、0.8倍以下、0.7倍以下、0.6倍以下、0.5倍以下。又，於第4方向D4上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.05倍以上、0.1倍以上、0.2倍以上、0.3倍以上、0.4倍以上。

尺寸W12相對於尺寸W11之比例即W12/W11之範圍可由包含0.05、0.1、0.2、0.3、0.4之第1組群、及/或包含0.9、0.8、0.7、0.6、0.5之第2 組群決定。W12/W11之範圍可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。例如，W12/W11可為0.05以上且0.9以下、0.05以上且0.8以下、0.05以上且0.7以下、0.05以上且0.6以下、0.05以上且0.5以下、0.05以上且0.4以下、0.05以上且0.3以下、0.05以上且0.2以下、0.05以上且0.1以下、0.1以上且0.9以下、0.1以上且0.8以下、0.1以上且0.7以下、0.1以上且0.6以下、0.1以上且0.5以下、0.1以上且0.4以下、0.1以上且0.3以下、0.1以上且0.2以下、0.2以上且0.9以下、0.2以上且0.8以下、0.2以上且0.7以下、0.2以上且0.6以下、0.2以上且0.5以下、0.2以上且0.4以下、0.2以上且0.3以下、0.3以上且0.9以下、0.3以上且0.8以下、0.3以上且0.7以下、0.3以上且0.6以下、0.3以上且0.5以下、0.3以上且0.4以下、0.4以上且0.9以下、0.4以上且0.8以下、0.4以上且0.7以下、0.4以上且0.6以下、0.4以上且0.5以下、0.5以上且0.9以下、0.5以上且0.8以下、0.5以上且0.7以下、0.5以上且0.6以下、0.6以上且0.9以下、0.6以上且0.8以下、0.6以上且0.7以下、0.7以上且0.9以下、0.7以上且0.8以下、0.8以上且0.9以下。

遮罩第1輔助區域28A係主要供構成上述第2電極140之第1層140A之電極第1輔助區域143A之蒸鍍材料通過之區域。於圖22所示之例中，遮罩第1輔助區域28A於自遮罩第1基本區域26A及遮罩第1擴張區域27A離開之位置，沿第3方向D3及第4方向D4排列。於圖22所示之例中，遮罩第1輔助區域28A於第3方向D3延伸。

遮罩第1輔助區域28A於與遮罩第1輔助區域28A延伸之方向正交之方向上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。於圖22所示之例中，遮罩第1輔助區域28A於與遮罩第1輔助區域28A延伸之方向即第3方向正交之第4方向D4上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸。於第4方向D4上，遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.9倍以下、0.8倍以下、0.7倍以下、0.6倍以下、0.5倍以下。又，於第4方向D4上，遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13可為遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之0.05倍以上、0.1倍以上、0.2倍以上、0.3倍以上、0.4倍以上。

尺寸W13相對於尺寸W11之比例即W13/W11之範圍可由包含0.05、0.1、0.2、0.3、0.4之第1組群、及/或包含0.9、0.8、0.7、0.6、0.5之第2組群決定。W13/W11之範圍可由上述第1組群所含值中之任意一者，與上述第2組群所含值中之任意一者之組合決定。例如，W13/W11可為0.05以上且0.9以下、0.05以上且0.8以下、0.05以上且0.7以下、0.05以上且0.6以下、0.05以上且0.5以下、0.05以上且0.4以下、0.05以上且0.3以下、0.05以上且0.2以下、0.05以上且0.1以下、0.1以上且0.9以下、0.1以上且0.8以下、0.1以上且0.7以下、0.1以上且0.6以下、0.1以上且0.5以下、0.1以上且0.4以下、0.1以上且0.3以下、0.1以上且0.2以下、0.2以上且0.9以下、0.2以上且0.8以下、0.2以上且0.7以下、0.2以上且0.6以下、0.2以上且0.5以下、0.2以上且0.4以下、0.2以上且0.3以下、0.3以上且0.9以下、0.3以上且0.8以下、0.3以上且0.7以下、0.3以上且0.6以下、0.3以上且0.5以下、0.3以上且0.4以下、0.4以上且0.9以下、0.4以上且0.8以下、0.4以上且0.7以下、0.4以上且0.6以下、0.4以上且0.5以下、0.5以上且0.9以下、0.5以上且0.8以下、0.5以上且0.7以下、0.5以上且0.6以下、0.6以上且0.9以下、0.6以上且0.8以下、0.6以上且0.7以下、0.7以上且0.9以下、0.7以上且0.8以下、0.8以上且0.9以下。

圖23係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖23所示，第2蒸鍍遮罩20B具有包含沿不同之兩個方向排列之區域之複數個第2貫通孔25B。複數個第2貫通孔25B至少包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第2基本區域26B。複數個第2貫通孔25B亦可包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第2擴張區域27B。又，複數個第2貫通孔25B又可包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第2輔助區域28B。

遮罩第2基本區域26B係主要供構成上述第2電極140之第2層140B之電極第2基本區域141B之蒸鍍材料通過之區域。於圖23所示之例中，複數個遮罩第2基本區域26B沿第3方向D3及第4方向D4排列。

遮罩第2擴張區域27B係主要供構成上述第2電極140之第2層140B之電極第2擴張區域142B之蒸鍍材料通過之區域。於圖23所示之例中，遮罩第2擴張區域27B於相鄰之2個遮罩第2基本區域26B排列之第4方向D4上，自遮罩第2基本區域26B延伸。

遮罩第2擴張區域27B與上述遮罩第1擴張區域27A同樣地，於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之方向正交之方向上，具有小於遮罩第2基本區域26B之尺寸。於圖23所示之例中，遮罩第2擴張區域 27B於與相鄰之2個遮罩第2基本區域26B排列之方向即第4方向D4正交之第3方向D3上，具有小於遮罩第2基本區域26B之尺寸。由於第3方向D3上之遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22與遮罩第2基本區域26B之尺寸W21之關係和上述遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12與遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之關係同樣，故省略詳細之說明。

遮罩第2輔助區域28B係主要供構成上述第2電極140之第2層140B之電極第2輔助區域143B之蒸鍍材料通過之區域。於圖23所示之例中，複數個遮罩第2輔助區域28B於自遮罩第2基本區域26B及遮罩第2擴張區域27B離開之位置，沿第3方向D3及第4方向D4排列。於圖23所示之例中，遮罩第2輔助區域28B於第4方向D4延伸。

遮罩第2輔助區域28B於與遮罩第2輔助區域28B延伸之方向正交之方向上，具有小於遮罩第2基本區域26B之尺寸。於圖23所示之例中，遮罩第2輔助區域28B於與遮罩第2輔助區域28B延伸之方向即第4方向D4正交之第3方向D3上，具有小於遮罩第2基本區域26B之尺寸。由於第3方向D3上之遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23與遮罩第2基本區域26B之尺寸W21之關係和上述遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13與遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之關係同樣，故省略詳細之說明。

圖24係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖24所示，第3蒸鍍遮罩20C具有包含沿不同之兩個方向排列之區域之複數個第3貫通孔25C。複數個第3貫通孔25C至少包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第3基本區域26C。複數個第3貫通孔25C亦可包含沿不同之兩個方向排列之複數個遮罩第3擴張區域27C。

遮罩第3基本區域26C係主要供構成上述第2電極140之第3層140C之電極第3基本區域141C之蒸鍍材料通過之區域。於圖24所示之例中，複數個遮罩第3基本區域26C沿第1方向D1及第2方向D2排列。

遮罩第3擴張區域27C係主要供構成上述第2電極140之第3層140C之電極第3擴張區域142C之蒸鍍材料通過之區域。遮罩第3擴張區域27C可於第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A排列之第3方向D3上，自遮罩第3基本區域26C延伸。又，遮罩第2擴張區域27B可於第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B排列之第4方向D4上，自遮罩第3基本區域26C延伸。

於與遮罩第3擴張區域27C自遮罩第3基本區域26C延伸之方向正交之方向上，遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32與遮罩第3基本區域26C之尺寸W31之關係和上述遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12與遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之關係同樣，故省略詳細之說明。

接著，針對製造電子裝置100之方法之一例進行說明。

首先，準備形成有於第3方向D3及第4方向D4排列之複數個第1電極120之基板91。接著，如圖17所示，於第1電極120上，形成第1通電層 130A、第2通電層130B及第3通電層130C。第1通電層130A例如藉由以下而形成：以使用具有對應於第1通電層130A之貫通孔之蒸鍍遮罩之蒸鍍法，使有機材料等附著於與第1通電層130A對應之第1電極120上。第2通電層130B亦可藉由以下而形成：以使用具有對應於第2通電層130B之貫通孔之蒸鍍遮罩之蒸鍍法，使有機材料等附著於與第2通電層130B對應之第1電極120上。第3通電層130C亦可藉由使用具有與第3通電層130C對應之貫通孔之蒸鍍遮罩之蒸鍍法，使有機材料等附著於與第3通電層130C對應之第1電極120上而形成。

接著，藉由使用具備第1蒸鍍遮罩20A之第1蒸鍍遮罩裝置10A之蒸鍍法，使金屬等導電性材料附著於基板91上等，而形成第2電極140之第1層140A。接著，藉由使用具備第2蒸鍍遮罩20B之第2蒸鍍遮罩裝置10B之蒸鍍法，使金屬等導電性材料附著於基板91上等，而形成第2電極140之第2層140B。接著，藉由使用具備第3蒸鍍遮罩20C之第3蒸鍍遮罩裝置10C之蒸鍍法，使金屬等導電性材料附著於基板91上等，而形成第2電極140之第3層140C。如此，如圖18~圖21所示，可形成包含第1層140A、第2層140B及第3層140C之第2電極140。另，形成第1層140A、第2層140B及第3層140C之順序無特別限定。例如，亦可為第3層140C、第2層140B、第1層140A之順序。

針對藉由使用具備第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C之蒸鍍遮罩群形成第2電極140可實現之效果，參照圖25進行說明。圖25係顯示藉由將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C 重疊而得之積層體21之圖。

於圖25中，以一點鏈線表示第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A，以虛線表示第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B，以實線表示第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C。如圖25所示，將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C局部重疊。此係意指：由通過第1貫通孔25A之蒸鍍材料形成於基板91之第2電極140之第1層140A、與由通過第2貫通孔25B之蒸鍍材料形成於基板91之第2電極140之第2層140B、或由通過第3貫通孔25C之蒸鍍材料形成於基板91之第2電極140之第3層140C局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，而容易穩定地控制第2電極140之電位。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖25所示，將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第1基本區域26A延伸。藉此，可使對應於遮罩第1擴張區域27A形成之第1層140A之電極第1擴張區域142A與對應於遮罩第3基本區域26C形成之第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第2基本區域26B延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2擴張區域142B與第3層 140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3擴張區域27C可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，自遮罩第3基本區域26C延伸。藉此，可使第3層140C之電極第3擴張區域142C與第1層140A之電極第1基本區域141A局部重疊。又，第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3擴張區域27C可以與第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，自遮罩第3基本區域26C延伸。藉此，第3層140C之電極第3擴張區域142C可與第2層140B之電極第2基本區域141B局部重疊。

又，如圖25所示，將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1輔助區域28A可以與第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B及第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，於兩者間延伸。藉此，可使對應於遮罩第1輔助區域28A形成之第1層140A之電極第1輔助區域143A與第2層140B之電極第2基本區域141B及第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A及第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，於兩者間延伸。藉此，可使對應於遮罩第2輔助區域28B形成之第2層140B之電極第2輔助區域143B與第1層140A之電極第1基本區域141A及第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。

較佳為將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A經由第2蒸鍍遮罩20B之第 2貫通孔25B、或經由第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C與另一第1貫通孔25A連接。藉此，可將第1層140A經由第2層140B或第3層140C電性連接於另一第1層140A。又，將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦可經由第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C與另一第1貫通孔25A連接。藉此，可將第1層140A經由第2層140B或第3層140C連接於另一第1層140A。

根據圖17~圖25所示之實施形態，如圖18所示，可於包含第1通電層130A之第1元件110A、與包含第2通電層130B之第2元件110B之間，形成未設置第2電極140之非電極區域150。又，可於包含第3通電層130C之2個第3元件110C間，形成未設置第2電極140之非電極區域150。藉此，與跨及基板91之全域形成第2電極140之情形相比，可提高電子裝置100中之光之透過率。

又，根據圖17~圖25所示之實施形態，第1元件110A之第1層140A之電極第1基本區域141A、第2元件110B之第2層140B之電極第2基本區域141B、及第3元件110C之第3層140C之電極第3基本區域141C經由上述電極擴張區域142A、142B、142C或電極輔助區域143A、143B等相互電性連接。藉此，容易穩定地控制第2電極140之電位。

又，根據圖17~圖25所示之實施形態，由於可藉由使用不同之蒸鍍遮罩20之蒸鍍法，形成第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層 140C，故可獨立設定第1層140A、第2層140B及第3層140C之構造。例如，作為第1層140A之材料，可使用與第2層140B之材料或第3層140C之材料不同者。又，可使第1層140A之厚度與第2層140B之厚度或第3層140C之厚度不同。藉此，容易個別地控制各元件110A、110B、110C之特性。

又，根據圖17~圖25所示之實施形態，第1層140A與第2層140B或第3層140C可局部重疊。2層重疊之第2電極140之區域之電阻低於包含2層之第2電極140之區域的電阻。2層重疊之第2電極140之區域沿通電層130之排列方向等週期性存在。因此，與由1層導電層構成第2電極140之情形相比，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

另，圖17~圖25所示之實施形態中，已顯示遮罩第1擴張區域27A自第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A之遮罩第1基本區域26A延伸之例，但不限於此。例如，如圖26所示，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦可包含未連接遮罩第1擴張區域27A之遮罩第1基本區域26A。同樣地，例如，如圖27所示，第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B亦可包含未連接遮罩第2擴張區域27B之遮罩第2基本區域26B。同樣地，例如，如圖28所示，第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C亦可包含未連接遮罩第3擴張區域27C之遮罩第3基本區域26C。

如圖26所示，於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1基本區域26A延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12亦可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W12與尺寸W11之關係與圖 22之例之情形同樣，故省略說明。

如圖26所示，於與遮罩第1輔助區域28A延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13亦可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W13與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。

如圖27所示，於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之第4方向D4正交之方向上，遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22亦可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21。由於尺寸W22與尺寸W21之關係與圖23之例之情形同樣，故省略說明。

如圖27所示，於與遮罩第2輔助區域28B延伸之第4方向D4正交之方向上，遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23亦可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21。由於尺寸W23與尺寸W21之關係與圖23之例之情形同樣，故省略說明。

如圖28所示，於與遮罩第3擴張區域27C自遮罩第3基本區域26C延伸之第3方向D3或第4方向D4正交之方向上，遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32亦可小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於尺寸W32與尺寸W31之關係與圖24之例之情形同樣，故省略說明。

圖29係顯示藉由將圖26之第1蒸鍍遮罩20A、圖27之第2蒸鍍遮罩20B及圖28之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。根據圖26~圖29所示之實施形態，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，如圖29所示，可於第3方向D3或第4方向D4上相鄰之遮罩第1基本區域26A與遮罩第3基本區域26C間，或遮罩第2基本區域26B 與遮罩第3基本區域26C間，設置不存在蒸鍍遮罩20之貫通孔25之區域21V。藉此，可於第3方向D3或第4方向D4上相鄰之第1元件110A與第3元件110C間、或第2元件110B與第3元件110C間，形成未設置第2電極140之非電極區域150。藉此，可提高電子裝置100中之非電極區域150之比例，可提高電子裝置100中之光之透過率。

於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，亦可以第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A或第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3擴張區域27C重疊之方式，構成各蒸鍍遮罩20A、20B、20C。例如，如圖29所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，可使複數個遮罩第1擴張區域27A中之一部分遮罩第1擴張區域27A與複數個遮罩第3擴張區域27C中之一部分遮罩第3擴張區域27C重疊。此種狀態可藉由以下而實現：例如，如圖26所示，使第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A包含：遮罩第1擴張區域27A，其於第3方向D3上之一側自遮罩第1基本區域26A延伸；及遮罩第1擴張區域27A，其於第3方向D3上之另一側，自遮罩第1基本區域26A延伸。根據圖29所示之例，於遮罩第1擴張區域27A與遮罩第3擴張區域27C重疊之部分，以使第2電極140之電極第1擴張區域142A與電極第3擴張區域142C重疊之方式，形成第2電極140。藉此，可減少電極第1基本區域141A與電極第3基本區域141C間之電阻。因此，如圖29所示，即使於在第3方向D3或第4方向D4上相鄰之遮罩第1基本區域26A與遮罩第3基本區域26C間、或遮罩第2基本區域26B與遮罩第3基本區域26C間，設置有不存在蒸鍍遮罩20之貫通孔25之區域21V之情形時，亦可將第2電極140全體之電阻維持較低。

於遮罩第1擴張區域27A與遮罩第3擴張區域27C重疊之部分，如圖29所示，遮罩第1擴張區域27A可以亦與遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式延伸。又，於遮罩第1擴張區域27A與遮罩第3擴張區域27C重疊之部分，遮罩第3擴張區域27C可以亦與遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式延伸。於2個以上之蒸鍍遮罩20之貫通孔重疊之情時，可使對應形成之第2電極140之2層以上之層重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另例，參照圖30~圖35進行說明。圖30~圖35所示之實施形態中，對於可與圖17~圖25所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖17~圖25所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖30係顯示於圖17所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。又，圖31係沿圖30之電子裝置100之XXX-XXX線之剖視圖。如圖30所示，電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。如圖31所示，第1層140A亦可包含電極第1輔助區域143A，其以將第3層140C之電極第3基本區域141C與第1層140A之電極第1基本區域141A電性連接之方式於第1方向D1延伸。同樣地，雖未圖示，但第2層140B亦可包含電極第2輔助區域，其以將第3層140C之電極第3基本區域141C與第2層140B之電極第2基本區域141B電性連接之方式於第1方向D1延伸。

圖32係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖32所示，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1輔助區域28A於第1方向D1延伸。如圖32所示，遮罩第1輔助區域28A可連接於遮罩第1基本區域26A。遮罩第1輔助區域28A於遮罩第1輔助區域28A延伸之方向即第1方向D1上，具有大於遮罩第1基本區域26A之尺寸。

如圖32所示，與遮罩第1輔助區域28A延伸之方向即第1方向D1正交之第2方向D2上之遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13小於第2方向D2上之遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13與遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之關係與上述圖22所示之例中之遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13與遮罩第1基本區域26A之尺寸W11之關係同樣，故省略詳細之說明。

圖33係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖33所示，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B於第1方向D1延伸。如圖33所示，遮罩第2輔助區域28B亦可連接於遮罩第2基本區域26B。遮罩第2輔助區域28B於遮罩第2輔助區域28B延伸之方向即第1方向D1上，具有大於遮罩第2基本區域26B之尺寸。

如圖33所示，與遮罩第2輔助區域28B延伸之方向即第1方向D1正交之第2方向D2上之遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23小於第2方向D2中之遮罩第2基本區域26B之尺寸W21。由於遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23與遮罩第2基本區域26B之尺寸W21之關係與上述圖23所示之例中之遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23與遮罩第2基本區域26B之尺寸W21之關係同樣，故省略詳細之說明。

如圖34所示，第3貫通孔25C至少包含遮罩第3基本區域26C。如圖34所示，第3貫通孔25C亦可不包含上述遮罩第3擴張區域27C。雖未圖示，但第3貫通孔25C亦可包含上述遮罩第3擴張區域27C。

圖35係顯示藉由將圖32之第1蒸鍍遮罩20A、圖33之第2蒸鍍遮罩20B及圖34之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖30~圖35所示之實施形態中，將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C亦局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，容易穩定地控制第2電極140之電位。又，第1層140A可與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖35所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1輔助區域28A可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，於第1方向D1延伸。藉此，可使對應於遮罩第1輔助區域28A形成之第1層140A之電極第1輔助區域143A與對應於遮罩第3基本區域26C形成之第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B亦可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，於第1方向D1延伸。藉此，可使對應於遮罩第2輔助區域28B形成之第2層140B之電極第2輔助區域143B與第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。

又，圖30~圖35所示之實施形態中，如圖30所示，可於包含第1通電層130A之第1元件110A與包含第2通電層130B之第2元件110B間，形成未設置第2電極140之非電極區域150。又，可於包含第3通電層130C之2個第3元件110C間，形成未設置第2電極140之非電極區域150。藉此，與跨及基板91之全域形成第2電極140之情形相比，可提高電子裝置100中之光之透過率。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖36~圖42B進行說明。圖36~圖42B所示之實施形態中，對於可與圖17~圖25所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖17~圖25所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖36係將形成有第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之狀態之基板91之一部分放大顯示之圖。於圖36所示之例中，2個以上之第1通電層130A沿第1方向D1排列。2個以上之第2通電層130B沿第1方向 D1排列。2個以上之第3通電層130C沿第1方向D1排列。又，如圖36所示，於第1方向D1排列之第1通電層130A之行、於第1方向D1排列之第2通電層130B之行、及於第1方向D1排列之第3通電層130C之行在與第1方向D1交叉之第2方向D1上依序排列。因此，2個以上之第1通電層130A沿第1方向D1及第2方向D2排列。第2通電層130B及第3通電層130C亦同樣。第2方向D2亦可為相對於第1方向D1正交之方向。

圖37係顯示於圖36所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。又，圖38係沿圖37之電子裝置100之XXXVIII-XXXVIII線之剖視圖。如圖37所示，電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

如圖38所示，第1層140A包含與第1電極120及第1通電層130A重疊之電極第1基本區域141A。第2層140B包含與第1電極120及第2通電層130B重疊之電極第2基本區域141B。第3層140C包含與第1電極120及第3通電層130C重疊之電極第3基本區域141C。

如圖38所示，第1層140A進而包含電極第1擴張區域142A，其以將電極第1基本區域141A與電極第2基本區域141B電性連接之方式，自電極第1基本區域141A延伸。第2層140B進而包含電極第2擴張區域142B，其以將電極第2基本區域141B與電極第3基本區域141C電性連接之方式，自電極第2基本區域141B延伸。第3層140C進而包含電極第3擴張區域142C，其以將電極第3基本區域141C與電極第1基本區域141A電性連接之方式，自電極第3基本區域141C延伸。

接著，針對用於形成圖37及圖38所示之第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖39係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖39所示，第1蒸鍍遮罩20A具有沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個第1貫通孔25A。複數個第1貫通孔25A包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第1基本區域26A。複數個第1貫通孔25A亦可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第1擴張區域27A。遮罩第1擴張區域27A於相鄰之2個遮罩第1基本區域26A排列之第2方向D2上，自遮罩第1基本區域26A延伸。

於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1基本區域26A延伸之第2方向D2正交之方向上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W12與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。

圖40係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖40所示，第2蒸鍍遮罩20B具有沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個第2貫通孔25B。複數個第2貫通孔25B包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第2基本區域26B。複數個第2貫通孔25B亦可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第2擴張區域27B。遮罩第2擴張區域 27B於相鄰之2個遮罩第2基本區域26B排列之第2方向D2上，自遮罩第2基本區域26B延伸。

於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之第2方向D2正交之方向上，遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21。由於尺寸W22與尺寸W21之關係與圖23之例之情形同樣，故省略說明。

圖41係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖41所示，第3蒸鍍遮罩20C具有沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個第3貫通孔25C。複數個第3貫通孔25C包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第3基本區域26C。複數個第3貫通孔25C亦可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第3擴張區域27C。遮罩第3擴張區域27C於相鄰之2個遮罩第3基本區域26C排列之第2方向D2上，自遮罩第3基本區域26C延伸。

於與遮罩第3擴張區域27C自遮罩第3基本區域26C延伸之第2方向D2正交之方向上，遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32可小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於尺寸W32與尺寸W31之關係與圖24之例之情形同樣，故省略說明。

圖42A係顯示藉由將圖39之第1蒸鍍遮罩20A、圖40之第2蒸鍍遮罩20B及圖41之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖42B係跨及更廣範圍顯示圖42A之積層體21之圖。圖36~圖42B所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C亦局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，容易穩定地控制第2電極140之電位。又，可使第1層140A與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖42A所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A可以與第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，自遮罩第1基本區域26A延伸。藉此，可使對應於遮罩第1擴張區域27A形成之第1層140之電極第1擴張區域142A與對應於遮罩第2基本區域26B形成之第2層140B之電極第2基本區域141B局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第2基本區域26B延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2擴張區域142B與第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3擴張區域27C可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，自遮罩第3基本區域26C延伸。藉此，可使第3層140C之電極第3擴張區域142C與第1層140A之電極第1基本區域141A局部重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖43~圖48B進行說明。圖43~圖42B所示之實施形態中，對於可與圖36~圖42B所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖36~圖42B所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖43係顯示於圖36所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。又，圖44係沿圖43之電子裝置100之XXXXIV-XXXXIV線之剖視圖。如圖43所示，電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

如圖44所示，第1層140A可包含：電極第1擴張區域142A，其於第2方向D2上自電極第1基本區域141A朝向第2層140B地延伸；及電極第1擴張區域142A，其於第2方向D2上自電極第1基本區域141A朝向第3層140C地延伸。第2層140B可包含：電極第2擴張區域142B，其於第2方向D2上自電極第2基本區域141B朝向第1層140A地延伸；及電極第2擴張區域142B，其於第2方向D2上自電極第2基本區域141B朝向第3層140C地延伸。第3層140C可包含：電極第3擴張區域142C，其於第2方向D2上自電極第3基本區域141C朝向第1層140A地延伸；及電極第3擴張區域142C，其於第2方向D2上自電極第3基本區域141C朝向第2層140B地延伸。

接著，針對用於形成圖43及圖44所示之第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖45係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖45所示，第1貫通孔25A可包含：遮罩第1擴張區域27A，其自遮罩第1基本區域26A朝第2方向D2之一側延伸；及遮罩第1擴張區域27A，其自遮罩第1基本區域26A朝第2方向D2之另一側延伸。

圖46係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖46所示，第2貫通孔25B可包含：遮罩第2擴張區域27B，其自遮罩第2基本區域26B朝第2方向D2之一側延伸；及遮罩第2擴張區域27B，其自遮罩第2基本區域26B朝第2方向D2之另一側延伸。

圖47係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖47所示，第3貫通孔25C可包含：遮罩第3擴張區域27C，其自遮罩第3基本區域26C朝第2方向D2之一側延伸；及遮罩第3擴張區域27C，其自遮罩第3基本區域26C朝第2方向D2之另一側延伸。

於與遮罩第3擴張區域27C自遮罩第3基本區域26C延伸之第2方向D2 正交之方向上，遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32可小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於尺寸W32與尺寸W31之關係與圖24之例之情形同樣，故省略說明。

圖48A係顯示藉由將圖45之第1蒸鍍遮罩20A、圖46之第2蒸鍍遮罩20B及圖47之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖48B係跨及更廣範圍顯示圖48A之積層體21之圖。圖43~圖48B所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，而易於更穩定地控制第2電極140之電位。又，第1層140A可與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖48A所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，自第2方向D2上之遮罩第1基本區域26A之一者延伸之遮罩第1擴張區域27A可與自第2方向D2上之遮罩第2基本區域26B之另一者延伸的遮罩第2擴張區域27B重疊。藉此，可使自第2方向D2上之電極第1基本區域141A之一者延伸之電極第1擴張區域142A與自第2方向D2上之電極第2基本區域141B之另一者延伸之電極第2擴張區域142B重疊。又，自第2方向D2上之遮罩第1基本區域26A之另一者延伸之遮罩第1擴張區域27A 可與自第2方向D2上之遮罩第3基本區域26C之一者延伸之遮罩第3擴張區域27C重疊。藉此，可使自第2方向D2上之電極第1基本區域141A之另一者延伸之電極第1擴張區域142A與自第2方向D2上之電極第3基本區域141C之一者延伸之電極第3擴張區域142C重疊。又，自第2方向D2上之遮罩第2基本區域26B之一者延伸之遮罩第2擴張區域27B可與自第2方向D2上之遮罩第3基本區域26C之另一者延伸之遮罩第3擴張區域27C重疊。藉此，可使自第2方向D2上之電極第2基本區域141B之一者延伸之電極第2擴張區域142B與自第2方向D2上之電極第3基本區域141C之另一者延伸之電極第3擴張區域142C重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖49~圖54B進行說明。圖49~圖54B所示之實施形態中，對於可與圖36~圖42B所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖36~圖42B所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖49係顯示於圖36所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。又，圖50係沿圖49之電子裝置100之於第3方向D3延伸XXXXX-XXXXX線之剖視圖。如圖49所示，電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

如圖50所示，第1層140A可包含電極第1擴張區域142A，其於與第1方向D1及第2方向D2交叉之第3方向D3上，自電極第1基本區域141A朝向第2層140B之電極第2基本區域141B地延伸。第2層140B可包含電極第2擴張區域142B，其於第3方向D3上，自電極第2基本區域141B朝向第3層140C之電極第3基本區域141C地延伸。第3層140C可包含電極第3擴張區域142C，其於第3方向D3上，自電極第3基本區域141C朝向第1層140A之電極第1基本區域141A地延伸。第3方向D3亦可為相對於第1方向D1及第2方向D2成45°之方向。

接著，針對用於形成圖49及圖50所示之第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖51係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖51所示，第1貫通孔25A可包含遮罩第1擴張區域27A，其於第3方向D3上，自遮罩第1基本區域26A延伸。於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1擴張區域27A延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W12與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。

圖52係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖52所示，第2貫通孔25B可包含遮罩第2擴張區域27B，其於第3方向D3上，自遮罩第2基本區域26B延伸。於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21。由於尺寸W22與尺寸W21 之關係與圖23之例之情形同樣，故省略說明。

圖53係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖53所示，第3貫通孔25C可包含遮罩第3擴張區域27C，其於第3方向D3上，自遮罩第3基本區域26C延伸。於與遮罩第3擴張區域27C自遮罩第3基本區域26C延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第3擴張區域27C之尺寸W32可小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於尺寸W32與尺寸W31之關係與圖24之例之情形同樣，故省略說明。

圖54A係顯示藉由將圖51之第1蒸鍍遮罩20A、圖52之第2蒸鍍遮罩20B及圖53之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖54B係跨及更廣範圍顯示圖54A之積層體21之圖。圖49~圖54B所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，而容易穩定地控制第2電極140之電位。又，可使第1層140A與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖54A所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A可以與第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，自遮罩第1基本區域26A於第3方向D3上延伸。藉此，可使第1層140A之電極第1擴張區域142A與第2層140B之電極第2基本區域141B局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第2基本區域26B於第3方向D3上延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2擴張區域142B與第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3擴張區域27C可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，自遮罩第3基本區域26C於第3方向D3上延伸。藉此，可使第3層140C之電極第3擴張區域142C與第1層140A之電極第1基本區域141A局部重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖55~圖60進行說明。圖55~圖60所示之實施形態中，對於可與圖17~圖25所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖17~圖25所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖55係將形成有第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之狀態的基板91之一部分放大顯示之圖。於圖55所示之例中，第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C分別沿第1方向D1及第2方向D2排列。第1通電層130A及第2通電層130B於第2方向D2上交替排列。又，第2方向D2上交替排列之第1通電層130A及第2通電層130B之行沿第1方向D1排列。又，第3通電層130C於第2方向D2上排列於第1方向D1上相鄰之2個第1通電層130A間、及第1方向D1上相鄰之2個第2通電層130B間。第3 通電層130C亦可以沿第1方向D1觀察時，使1個通電層130與第1通電層130A及第2通電層130B重疊之方式，於第2方向D2延伸。

圖56係顯示於圖55所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

接著，針對用於形成圖56所示之第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖57係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖57所示，第1蒸鍍遮罩20A可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第1基本區域26A及複數個遮罩第1輔助區域28A。遮罩第1輔助區域28A於與遮罩第1輔助區域28A延伸之第1方向D1正交之第2方向D2上，具有小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11的尺寸W13。由於尺寸W13與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。遮罩第1輔助區域28A亦可不連接於遮罩第1基本區域26A。

圖58係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖58所示，第2蒸鍍遮罩20B可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第2基本區域26B及複數個遮罩第2輔助區域28B。遮罩第2輔助區域28B於與遮罩第2輔助區域28B延伸之第1方向D1正交之第2方向D2上，具有小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21之尺寸W23。由於尺寸W23與尺寸W21之關係與圖23之例之情形同樣，故省略說明。遮罩第2輔助區域28B亦可不連接於遮罩第2基本區域26B。

圖59係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖59所示，第3蒸鍍遮罩20C可包含於第1方向D1排列，且於第2方向D2延伸之複數個第3貫通孔25C。

圖60係顯示藉由將圖57之第1蒸鍍遮罩20A、圖58之第2蒸鍍遮罩20B及圖59之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖55~圖60所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，而容易穩定地控制第2電極140之電位。又，可使第1層140A可與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖60所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1輔助區域28A可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，於兩者間延伸。藉此，可使第1層140A之電極第1輔助區域143A與第1方向D1上相鄰之2個電極第 2基本區域141B局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B亦可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，於兩者間延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2輔助區域143B與第1方向D1上相鄰之2個電極第1基本區域141A局部重疊。

又，如圖60所示，第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C亦可以與第2方向D2上交替排列之遮罩第1輔助區域28A及遮罩第2輔助區域28B重疊之方式，於第2方向D2延伸。藉此，可使第3層140C與第2方向D2上交替排列之電極第1輔助區域143A及電極第2輔助區域143B重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖61~圖66進行說明。圖61~圖66所示之實施形態中，對於可與圖17~圖25所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖17~圖25所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖61係將形成有第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C之狀態的基板91之一部分放大顯示之圖。於圖61所示之例中，第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C分別沿第1方向D1及第2方向D2排列。第1通電層130A在第1方向D1上之位置相對於第2通電層130B，僅偏移第1通電層130A在第1方向D1上之排列週期之一半的距離。第1通電層130A在第2方向D2上之位置相對於第2通電層130B，僅偏移第1通電層130A在第2方向D2上之排列週期之一半的距離。第3通電層130C位於第1方向D1上相鄰之2個第1通電層130A間、第2方向D2上相鄰之2個第1通電層130A間、第1方向D1上相鄰之2個第2通電層130B間、及第2方向D2上相鄰之2個第2通電層130B間。

圖62係顯示於圖61所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。電子裝置100包含未設置第2電極140之非電極區域150。

接著，針對用於形成圖62所示之第2電極140之第1層140A、第2層140B及第3層140C之第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C進行說明。

圖63係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖63所示，第1蒸鍍遮罩20A包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第1基本區域26A。第1蒸鍍遮罩20A亦可包含：自遮罩第1基本區域26A朝第1方向D1之一側延伸之遮罩第1擴張區域27A、及自遮罩第1基本區域26A朝第1方向D1之另一側延伸之遮罩第1擴張區域27A。又，第1蒸鍍遮罩20A亦可包含：自遮罩第1基本區域26A朝第2方向D2之一側延伸之遮罩第1擴張區域27A、及自遮罩第1基本區域26A朝第2方向D2之另一側延伸之遮罩第1擴張區域27A。

於與遮罩第1擴張區域27A自遮罩第1基本區域26A延伸之第1方向D1或第2方向D2正交之方向上，遮罩第1擴張區域27A之尺寸W12可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W12與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。

如圖63所示，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A可包含未連接遮罩第1擴張區域27A之遮罩第1基本區域26A。例如，可將未連接遮罩第1擴張區域27A之遮罩第1基本區域26A與連接有遮罩第1擴張區域27A之遮罩第1基本區域26A於第1方向D1及第2方向D2交替排列。

圖64係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖64所示，第2蒸鍍遮罩20B包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第2基本區域26B。第2蒸鍍遮罩20B亦可包含：遮罩第2擴張區域27B，其自遮罩第2基本區域26B朝與第1方向D1及第2方向D2交叉之第3方向D3之一側延伸；及遮罩第2擴張區域27B，其自遮罩第2基本區域26B朝第3方向D3之另一側延伸。第3方向D3可為相對於第1方向D1及第2方向D2成45°之方向。

於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之第3方向D3正交之方向上，遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21_1。由於尺寸W22與尺寸W21_1之關係與圖23之例中之尺寸W22與尺寸W21之關係同樣，故省略說明。

如圖64所示，第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B可包含未連接遮罩第2擴張區域27B之遮罩第2基本區域26B。例如，未連接遮罩第2擴張區域27B之遮罩第2基本區域26B與連接有遮罩第2擴張區域27B之遮罩第2基本區域26B可於第1方向D1及第2方向D2交替排列。

於與遮罩第2輔助區域28B延伸之第1方向D1或第2方向D2正交之方向上，遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21_2。由於尺寸W23與尺寸W21_2之關係與圖23之例中之尺寸W23與尺寸W21之關係同樣，故省略說明。

如圖64所示，第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B可包含於第1方向D1或第2方向D2延伸之複數個遮罩第2輔助區域28B。遮罩第2輔助區域28B可不連接於遮罩第2基本區域26B。

圖65係顯示自第1面201側觀察時之第3蒸鍍遮罩20C之俯視圖。如圖65所示，第3蒸鍍遮罩20C包含沿第3方向D3及第4方向D4排列之複數個遮罩第3基本區域26C。第3蒸鍍遮罩20C亦可包含複數個遮罩第3輔助區域28C，其等位於第3方向D3上相鄰之2個遮罩第3基本區域26C間，且於與第3方向D3正交之第4方向D4延伸。又，第3蒸鍍遮罩20C亦可包含複數個遮罩第3輔助區域28C，其等位於第4方向D4上相鄰之2個遮罩第3基本區域26C間，且於第3方向D3延伸。

於與遮罩第3輔助區域28C延伸之第3方向D3或第4方向D4正交之方向上，遮罩第3輔助區域28C之尺寸W33可小於遮罩第3基本區域26C之尺寸W31。由於尺寸W33與尺寸W31之關係與圖22之例中之尺寸W13與尺寸W11之關係同樣，故省略說明。

圖66係顯示藉由將圖63之第1蒸鍍遮罩20A、圖64之第2蒸鍍遮罩20B及圖65之第3蒸鍍遮罩20C重疊所得之積層體21之圖。圖61~圖66所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C 重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B或第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C電性連接，而容易穩定地控制第2電極140之電位。又，可將第1層140A與第2層140B或第3層140C局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極140之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A、第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之重疊詳細地進行說明。如圖66所示，於將第1蒸鍍遮罩20A、第2蒸鍍遮罩20B及第3蒸鍍遮罩20C重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1擴張區域27A可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第1基本區域26A於第1方向D1或第2方向D2上延伸。藉此，可使第1層140A之電極第1擴張區域142A與第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。

又，如圖66所示，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B可以與第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，自遮罩第2基本區域26B於第3方向D3上延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2擴張區域142B與第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A及第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3基本區域26C局部重疊之方式，於第1方向D1或第2方向D2上於兩者間延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2輔助區域143B與第1層140A之電極第1基本區域141A及第3層140C之電極第3基本區域141C局部重疊。

又，如圖66所示，第3蒸鍍遮罩20C之遮罩第3輔助區域28C可以與第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1基本區域26A及第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，於第3方向D3或第4方向D4上於兩者間延伸。藉此，可使第3層140C之電極第3輔助區域143C與第1層140A之電極第1基本區域141A及第2層140B之電極第2基本區域141B局部重疊。

接著，針對使用蒸鍍遮罩群形成電子裝置100之第2電極140之另一例，參照圖67~圖70進行說明。圖67~圖70所示之實施形態中，對於可與圖17~圖25所示之實施形態同樣構成之部分，使用與對圖17~圖25所示之實施形態中之對應之部分使用之符號同一之符號，省略重複之說明。

圖67係顯示於圖17所示之第1通電層130A、第2通電層130B及第3通電層130C上形成有第2電極140之狀態的基板91之俯視圖。

接著，針對用於形成圖67所示之第2電極140之第1層140A及第2層140B及第3層140C之蒸鍍遮罩群進行說明。圖17~圖25所示之實施形態中，已說明使用3個蒸鍍遮罩之例。本形態中，說明使用2個蒸鍍遮罩之例。本形態之蒸鍍遮罩群包含第1蒸鍍遮罩群20A及第2蒸鍍遮罩群20B。

圖68係顯示自第1面201側觀察時之第1蒸鍍遮罩20A之俯視圖。如圖68所示，第1蒸鍍遮罩20A可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第1基本區域26A及複數個遮罩第1輔助區域28A。於與遮罩第1輔助區域28A延伸之第1方向D1正交之方向上，遮罩第1輔助區域28A之尺寸W13可小於遮罩第1基本區域26A之尺寸W11。由於尺寸W13與尺寸W11之關係與圖22之例之情形同樣，故省略說明。遮罩第1輔助區域28A可不連接於遮罩第1基本區域26A。

如圖68所示，可於第2方向D2上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A間，將2個遮罩第1輔助區域28A於第1方向D1排列。如圖67及圖68所示，對應於遮罩第1基本區域26A形成之電極第1基本區域141A可與第1方向D1上相鄰之第1通電層130A及第2通電層130B之兩者重疊。

圖69係顯示自第1面201側觀察時之第2蒸鍍遮罩20B之俯視圖。如圖69所示，第2蒸鍍遮罩20B可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第2基本區域26B。如圖67及圖69所示，對應於遮罩第2基本區域26B形成之電極第2基本區域141B可與第3通電層130C重疊。

如圖69所示，第2蒸鍍遮罩20B亦可包含：自遮罩第2基本區域26B朝第2方向D2之一側延伸之遮罩第2擴張區域27B、及自遮罩第2基本區域26B朝第2方向D2之另一側延伸之遮罩第2擴張區域27B。於與遮罩第2擴張區域27B自遮罩第2基本區域26B延伸之第2方向D2正交之方向上，遮罩第2擴張區域27B之尺寸W22可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21_1。由於尺寸W22與尺寸W21_1之關係與圖23之例中之尺寸W22與尺寸W21之關係同樣，故省略說明。

如圖69所示，第2蒸鍍遮罩20B又可包含沿第1方向D1及第2方向D2排列之複數個遮罩第3基本區域26C。於與遮罩第2輔助區域28B延伸之第1方向D1正交之方向上，遮罩第2輔助區域28B之尺寸W23可小於遮罩第2基本區域26B之尺寸W21_2。由於尺寸W23與尺寸W21_2之關係與圖23之例中之尺寸W23與尺寸W21之關係同樣，故省略說明。遮罩第2輔助區域28B可不連接於遮罩第1輔助區域28A。

圖70係顯示藉由將圖68之第1蒸鍍遮罩20A及圖69之第2蒸鍍遮罩20B重疊所得之積層體21之圖。圖67~圖70所示之實施形態中，於將第1蒸鍍遮罩20A及第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A亦與第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B局部重疊。藉此，可將第1層140A與第2層140B電性連接，而容易穩定地控制第2電極140之電位。又，可使第1層140A與第2層140B局部重疊。藉此，可減少基板91之面內方向上之第2電極104之電阻。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A及第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B之重疊詳細地進行說明。如圖70所示，於將第1蒸鍍遮罩20A之及第2蒸鍍遮罩20B重疊之情形時，第1蒸鍍遮罩20A之遮罩第1輔助區域28A可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第2基本區域26B局部重疊之方式，於第1方向D1延伸。藉此，可使對應於遮罩第1輔助區域28A形成之第1層140A之電極第1輔助區域143A與第2層140B之電極第2基本區域141B局部重疊。

如圖70所示，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2擴張區域27B亦可以與第1面201之遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，自遮罩第2基本區域26B於第2方向D2上延伸。藉此，可使第2層140B之電極第2擴張區域142B與第1層140A之電極第1基本區域141A局部重疊。又，第2蒸鍍遮罩20B之遮罩第2輔助區域28B又可以與第1方向D1上相鄰之2個遮罩第1基本區域26A局部重疊之方式，於第1方向D1延伸。藉此，可使電極第2輔助區域143B與第1方向D1上相鄰之2個電極第1基本區域141A局部重疊。

針對第1蒸鍍遮罩20A之第1貫通孔25A之形狀之一例，參照圖71進行說明。圖71所示之第1貫通孔25A除角部之形狀外，皆與圖13所示之第1貫通孔25A相同。

如圖71所示，第1貫通孔25A之遮罩第1基本區域26A之角部亦可包含彎曲之輪廓。角係構成第1貫通孔25A之輪廓之2條直線交叉之部分。雖未圖示，但上述各形態之第1貫通孔25A之遮罩第1基本區域26A之角部亦可包含彎曲之輪廓。又，雖未圖示，但上述各形態之遮罩第1擴張區域27A、遮罩第1輔助區域28A等其他區域之角部亦可包含彎曲之輪廓。又，雖未圖示，但上述各形態之第2蒸鍍遮罩20B之第2貫通孔25B之區域之角部及第3蒸鍍遮罩20C之第3貫通孔25C之區域的角部亦可包含彎曲之輪廓。

接著，參照圖72，針對電子裝置100之構成之一例進行說明。電子裝置100為有機EL顯示裝置之情形時，元件110作為像素發揮功能。電子裝置100包含含有作為像素發揮功能之元件110之顯示區域105。顯示區域105可包含第1顯示區域106及第2顯示區域107。

第1顯示區域106之面積可小於第2顯示區域107之面積。第1顯示區域106可包含未設置第2電極140之非電極區域150。藉此，與跨及第1顯示區域106之全域形成第2電極140之情形相比，可提高電子裝置100中之光之透過率。藉由使用上述蒸鍍遮罩群，可形成第1顯示區域106之第2電極140。

第2顯示區域107可與第1顯示區域106同樣地，包含未設置第2電極140之非電極區域150。於該情形時，藉由使用上述蒸鍍遮罩群，可形成第2顯示區域107之第2電極140。用以形成第2顯示區域107之第2電極140之蒸鍍遮罩20之貫通孔25之形狀及排列可與用以形成第1顯示區域106之第2電極140之蒸鍍遮罩20的貫通孔25之形狀及排列相同，亦可不同。

1片蒸鍍遮罩20可包含用以形成第1顯示區域106之第2電極140之貫通孔25、及用以形成第2顯示區域107之第2電極140之貫通孔25。

第2顯示區域107亦可不包含未設置第2電極140之非電極區域150。換言之，可跨及第2顯示區域107之全域形成第2電極140。如此，於電子裝置100形成非電極區域150而提高光之透過率之技術亦可適用於電子裝置100之區域之一部分而非全體。

參照圖73，針對電子裝置100之構成之一例進行說明。

於圖72中，顯示俯視下第1顯示區域106與第2顯示區域107間之邊界包含直線之例。然而，並不限於此，亦可如圖73所示，使俯視下第1顯示區域106與第2顯示區域107間之邊界包含曲線。