WO2017154233A1 - 蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機el表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機el表示装置の製造方法 Download PDF

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WO2017154233A1
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film
vapor deposition
deposition mask
resin
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竹井 日出夫
崎尾 進
克彦 岸本
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鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
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    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition mask used when vapor-depositing an organic layer of an organic EL display device, a mask member for the vapor deposition mask, a method for producing the vapor deposition mask, and a method for producing the organic EL display device. More specifically, a vapor deposition mask having a structure capable of preventing generation of burrs when forming a pattern of openings by laser light, a mask member for the vapor deposition mask, a method for manufacturing the vapor deposition mask, and the vapor deposition mask The present invention relates to a method for manufacturing the organic EL display device used.
  • an organic layer is laminated for each pixel on a device substrate on which a switching element such as a TFT is formed. Therefore, a vapor deposition mask is disposed on the device substrate, an organic material is vapor-deposited through the vapor deposition mask, and an organic layer necessary only for necessary pixels is laminated.
  • a metal mask has been used as the vapor deposition mask, but in recent years, a composite mask formed of a resin film and a metal support layer has been used in place of the metal mask in order to form a finer pattern of openings. Tend to be.
  • a metal support layer 82 is formed on the resin layer 81, and the periphery thereof is formed.
  • the frame 83 is fixed, it is fixed on the processing stage 85 through the protective layer 84 and irradiated with laser light from the upper side of the figure, so that the resin layer 81 is applied to the resin layer 81 as shown in FIG. A pattern of openings 81a is formed.
  • the protective layer 84 a resin layer that is not processed by laser light or a liquid layer such as ethanol is used (see Patent Documents 1 and 2).
  • the burr 81b scatters and adheres to the periphery of the portion 81a and the surface of the resin film that remains in a lattice shape, or the fine pieces of the resin film remaining on the periphery hang down, so that it is difficult to sublimate and remain as burrs. There's a problem.
  • the size of one pixel (opening) is about 30 ⁇ m (400 PPI) on one side due to the recent demand for image refinement, and even a small fine piece overlaps the opening. As a result, the area of the pixel is greatly reduced, which causes a reduction in display quality. Therefore, it is preferable that burrs hardly occur.
  • the vapor deposition material is vapor-deposited on the substrate to be vapor-deposited from the vapor deposition source such as a crucible through the vapor deposition mask, so that the vapor deposition source and the vapor deposition mask face each other at a short distance, and heat from the vapor deposition source is generated. It is transmitted as radiant heat to the resin film of the vapor deposition mask, and the temperature of the vapor deposition mask is likely to rise. When the temperature of the vapor deposition mask rises, the size of the opening increases, and an organic material is deposited on portions other than the planned pixel region, causing the same deterioration in display quality.
  • the vapor deposition source such as a crucible through the vapor deposition mask
  • the present invention has been made to solve such a problem, and the purpose of the present invention is to adhere a fine piece of resin film as a burr in the opening of the vapor deposition mask in which the opening of the vapor deposition mask is defined by the opening of the resin film. And a vapor deposition mask from which the resin film in the opening is completely removed so that a part of the resin film does not remain on the bottom side of the opening of the resin film, a manufacturing method thereof, and a mask member for the vapor deposition mask There is to do.
  • Another object of the present invention is to use the operation of removing the burrs and foreign matters of the vapor deposition mask, and at the time of vapor deposition, discharge the heat of the vapor deposition mask as much as possible to prevent the temperature increase of the vapor deposition mask. It is providing the vapor deposition mask which can bring about.
  • Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL display device having excellent display quality by using a vapor deposition mask formed by the above manufacturing method.
  • the method for producing a vapor deposition mask according to the present invention is a method for producing a vapor deposition mask having a resin film in which an opening pattern is formed, and a laser for forming the opening pattern on one side of the resin film.
  • a light irradiation source is disposed, and on the other side of the resin film, a reflection film that reflects light having a wavelength of the laser light irradiated from the laser light irradiation source is provided, and the laser light reflected by the reflection film is provided. It is utilized for pattern formation of the opening part of the said resin film, It is characterized by the above-mentioned.
  • the vapor deposition mask of the present invention is a vapor deposition mask having a resin film in which an opening pattern is formed, and on the other surface that is the surface opposite to the one surface of the resin film that becomes the vapor deposition source side during vapor deposition, A recess made of a laser mark is formed.
  • the mask member for a vapor deposition mask of the present invention is a mask member for forming a vapor deposition mask having a resin film on which a pattern of an opening is formed, and forms the pattern of the resin film and the opening of the resin film. Therefore, a reflection film is provided on the other surface side opposite to the one surface irradiated with the laser beam and reflects light having the wavelength of the laser beam.
  • the organic EL display device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an organic EL display device by laminating an organic layer on a device substrate, wherein the TFT and the first electrode are formed on the support substrate.
  • the deposition mask manufactured by the above manufacturing method is aligned and superimposed, an organic material is deposited to form a laminated film of the organic layer, and a second electrode is formed on the laminated film of the organic layer.
  • the manufacturing method of the vapor deposition mask of the present invention when forming the pattern of the opening in the resin film, not only the irradiation of the laser beam from the surface of the resin film (the surface on the laser beam irradiation source side) side, Laser light is also irradiated from the back surface (opposite surface) of the resin film by reflected light. Therefore, laser light is absorbed also from the back side of the resin film, and the back side of the resin film can be completely sublimated. That is, when the intensity of the laser beam is increased and the laser beam is irradiated to the opening forming region of the resin film, the temperature of the resin film on the surface side abnormally rises, and there is a risk that the diameter of the opening becomes larger than the planned region.
  • the present invention is characterized in that the laser beam is irradiated from the back side of the resin film by using the reflected light while irradiating the laser beam with the conventional intensity. That is, by irradiating the laser beam with the reflected light from the back surface side, the burrs of the resin film that easily hangs down and remains on the back surface side of the conventional resin film are easily removed.
  • the laser beam that has passed through is reflected by the reflective film and absorbed by the resin from the back side of the resin film, the reflected light sublimates the resin from the back side of the resin film, and the surface on which the resin film becomes thin The sublimated resin can be released from the side. As a result, even if it hangs down on the back side of the resin film, the laser beam is effectively absorbed, and a complete opening pattern without burrs is formed.
  • the laser marks due to the above-mentioned reflected light are formed around the opening on the back surface side of the resin film, so that irregularities are formed on the back surface side of the resin film.
  • the back surface side of the resin film is a surface opposite to the surface facing the vapor deposition source during the vapor deposition, it becomes a surface facing the deposition target substrate. Since the vapor deposition mask is heated by the vapor deposition source and the temperature of the resin film easily rises, it is preferable to dissipate the heat.
  • the formation of irregularities on the surface opposite to the evaporation source side contributes to more heat radiation by increasing the surface area. It is preferable to form a high emissivity film having a large heat emissivity on the surface on which the laser mark is formed, since heat dissipation by radiation is further improved.
  • the mask member for the vapor deposition mask of the present invention since the reflective film is already provided, it is possible to obtain a vapor deposition mask that hardly generates burrs only by irradiating the laser beam through the desired laser mask. It is done.
  • the organic layer is laminated using the vapor deposition mask on which a precise pattern without burrs is formed, the organic layer of each pixel is formed very precisely. The As a result, an organic EL display device having very excellent display quality can be obtained.
  • FIG. 1 It is explanatory drawing of 1 process of other embodiment of the manufacturing method of the vapor deposition mask of this invention. It is a figure explaining the cross section of one Embodiment of the vapor deposition mask of this invention. It is explanatory drawing of the cross section which shows the modification of FIG. 4A. It is sectional explanatory drawing of an example of the reflecting film of this invention. It is the photograph seen from the back surface side of the resin film of the vapor deposition mask of Example 1.
  • FIG. It is explanatory drawing at the time of forming the opening part of a vapor deposition mask by irradiation of a laser beam. It is explanatory drawing at the time of forming the opening part of a vapor deposition mask by irradiation of a laser beam.
  • FIG. 1 is an explanatory view of a cross-section in a state where an opening is formed in an embodiment of the mask member of the present invention and a deposition mask 10 is formed.
  • FIGS. 2A to 2G show steps of the deposition mask manufacturing method. The explanatory views of the cross section are respectively shown. In the figure, only three openings are shown, but in actuality, for example, it has a large number of openings corresponding to the number of pixels (including the number of RGB sub-pixels) of the organic EL display device. Can be formed in batches.
  • FIG. 9B shows a case where the resin layer is the protective layer 84
  • FIG. 9C is a photograph when ethanol is the protective layer 84.
  • the foreign matter 81c is attached to the dust, and the burr 81b extends into the opening 81a.
  • the burr 81b includes not only the shape that hangs down on the lower side but also a burr that has once scattered once again.
  • FIG. 9B to 9C are photographs before cleaning after the processing stage 85 and the protective layer 84 are removed, and FIG. 9B is a photograph observed from the side opposite to the laser light irradiation side of the resin film 81.
  • FIG. 9C is a photograph observed in the same manner from the laser beam irradiation side.
  • the thin remaining portion of the resin layer 81 tends to hang down due to the impact of the laser beam.
  • a burr 81b is generated.
  • a part of the resin layer 81 hangs down and a burr 81b is generated.
  • the laser beam is irradiated, not all of the resin in the opening is completely sublimated and scattered, but part of the resin is shredded and scattered, and is deposited on a vapor deposition mask made of a resin film.
  • a part of the opening 81a is not sublimated completely but is bent downward to remain as a burr 81b, thereby closing a part of the opening 81a.
  • 82a is a seed layer for forming the metal support layer 82 by a plating method, but is not necessary unless it is formed by a plating method. If there are such burrs and foreign matters, they are transferred to the substrate to be vapor-deposited or obstruct the vapor-deposited material, causing black spots on the display screen and causing trouble.
  • the present inventors have found that a part of the resin of the resin film does not completely sublimate in the opening of the vapor deposition mask having the resin film, or a part of the scattered resin is not in the opening.
  • we conducted intensive studies As a result, the reason why a part of the resin film remains without sublimation is that the output of the irradiated laser beam is not uniform as a whole, there are weak output parts, and the resin can be completely sublimated in the weak parts. What can not be done, and as mentioned above, when the resin film is deformed by heat when laser light is irradiated, a space is formed between the protective film and a part of the resin hangs down in the space.
  • the laser light is reflected by taking into account the laser light irradiation from the back surface side of the resin film using the reflected light of the laser light transmitted through the resin film. It was found that the resin film in the opening can be removed over almost the entire surface without a part of the resin film remaining on the back side of the resin film even if there is a weak portion in the beam.
  • the reflected light of the laser light is mainly generated when the resin on the surface of the resin film at the opening (the surface of the resin film on the laser light irradiation source side) is sublimated and removed, and the back surface of the resin film It is considered that the resin is easily sublimated even by irradiation with laser light from the (opposite surface) side.
  • the laser beam is continuously irradiated with a pulse of 50 shots or more and about 100 shots or less. Done.
  • Laser light having a wavelength that is easily absorbed by the resin film is used.
  • most of the laser light is absorbed on the surface side of the resin film. Is sublimated. For this reason, the laser light does not reach the reflective film, and almost no reflected light is generated.
  • the thickness of the resin film in the opening forming region is gradually reduced, a part of the irradiated laser light is not completely absorbed by the resin film and escapes from the back side of the resin film and reaches the reflection film. It becomes like this. Therefore, if there is a reflective film on the back side, the laser light is reflected back to the resin film side, and the resin film absorbs the laser light reflected from the back side of the resin film.
  • the resin on the front surface side in the opening forming region has no substantial portion, so the resin on the back surface side is also easily sublimated.
  • the reflected light automatically becomes strong and the resin can be sublimated.
  • laser light is incident on the surface of the resin film at an incident angle of about 30 ° or less at most, and an incident angle close to vertical is incident at 0 °. Therefore, although depending on the thickness and refractive index of the adhesion layer, the return of the reflected light to the back surface of the resin film is limited to the inside of the opening forming region and its peripheral portion.
  • the laser beam that is incident vertically reflects directly to the reflection film as it is, but not all of the laser beam is incident perpendicularly, but if there is even an incident angle, the reflected laser beam is reflected obliquely. To do.
  • the reflected light from the oblique direction is absorbed and it becomes easy to sublimate.
  • the incident angle of the laser beam is not less than 0 ° and not more than 30 °, the reflected light does not spread so much. This relationship will be described later. Therefore, the entire resin film does not receive the reflected light of the laser beam, and the laser mark formed by irradiating the reflected light to the back surface of the resin film other than the opening forming region is about 0.3 ⁇ m or less. Since the depth is about 1 ⁇ m, there is no problem that the mechanical strength of the resin film is lowered.
  • the formation of laser marks on the surface other than the opening increases the surface area due to the unevenness and increases thermal radiation.
  • the temperature of the vapor deposition mask which rises due to radiant heat from the vapor deposition source during vapor deposition, is radiated from the surface opposite to the vapor deposition source, thereby contributing to lowering the temperature of the vapor deposition mask. That is, the surface on which the laser mark is formed is the surface fixed to the deposition target substrate and the surface opposite to the deposition source side, and the larger the heat radiation, the lower the temperature of the deposition mask. convenient.
  • a laser beam irradiation source for forming the pattern of the opening 11 a is arranged on one side of the resin film 11.
  • a reflective film 30 that reflects light having the wavelength of the laser light emitted from the laser light irradiation source is provided, and the laser light reflected by the reflective film 30 is used for pattern formation of the openings 11 a of the resin film 11. It is characterized by being used. That is, the most characteristic feature of the present invention is that a reflection film 30 is formed on the opposite side of the resin film 11 from the laser light irradiation source side, as shown in FIG.
  • an adhesion layer 20 is formed between the resin film 11 and the reflective film 30.
  • the reason for providing the adhesion layer 20 is to prevent an air layer from being formed between the resin film 11 and the reflective film 30 as much as possible. That is, when the surface of the resin film 11 is in a waved state and an air layer is interposed, the refractive index of the air layer is small, so that irregular reflection is likely at the interface. In addition, the possibility that light reflected by the reflective film 30 is reflected in a direction away from the opening 11a is increased. Therefore, it is preferable that a layer having a refractive index as close as possible to the refractive index of the resin film 11 is in close contact with the resin film 11.
  • the refractive index of the adhesion layer is larger than the refractive index of the resin film 11, the refractive angle is smaller than the incident angle, which is preferable because it is close to incident light in the vertical direction.
  • this adhesion layer 20 needs to be finally removed from the resin film 11 and needs to be easily separated.
  • the adhesion layer 20 is preferably made of a material that absorbs as little laser light as possible for forming the openings 11a. Because the purpose is to use the reflected light, it is preferable to reflect the light transmitted through the resin film 11 without consuming as much as possible.
  • a resin film that transmits 80% or more of near-ultraviolet light (hereinafter, simply referred to as “resin film”), more specifically, PVAC (polyvinyl acetate), PVP (polyvinylpyrrolidone) SAM film (self-assembled molecular film) or the like can be used.
  • PVAC polyvinyl acetate
  • PVP polyvinylpyrrolidone
  • SAM film self-assembled molecular film
  • the purpose is to locally heat the back side of the resin film 11 using the light reflected by the reflective film 30, so that the reflected light of the laser light is reflected by the reflective film 30 and the resin. It is necessary to fall within the range of the focal depth of the laser beam where the distance to reach the back surface of the film 11 converges. Since the focal depth of the laser light in this case is about ⁇ 10 ⁇ m, for example, if the laser light is focused on the surface of the resin film 11, for example, if the thickness of the resin film is 5 ⁇ m, the adhesion layer 20 Therefore, the back surface of the resin film 11 is limited to a depth of focus of 10 ⁇ m. Therefore, the thickness of the adhesion layer 20 needs to be 2.5 ⁇ m or less.
  • the reflected light can reach the back surface side of the resin film 11 within the depth of focus and be heated by adjusting the convergence point to the inside or the back surface of the resin film 11.
  • the adhesion layer 20 can be thickened by adjusting the convergence point to the inside or the back surface of the resin film 11.
  • the adhesion layer 20 is formed between the resin film 11 and the reflective film 30.
  • the adhesion layer 20 is preferably as thin as possible from the viewpoints of laser light loss and manufacturing cost. Therefore, the thickness of the adhesion layer 20 is 0.1 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less, preferably 0.1 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less, and more preferably 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the adhesion layer 20 preferably has a refractive index equal to or larger than that of the resin film 11 from the viewpoint of preventing the reflected light from spreading.
  • the laser beam transmitted through the resin film 11 is reflected directly above.
  • the reflected light is more convenient for sublimating the remaining resin by strong laser light.
  • the material is not necessarily limited to a material having the same or higher refractive index, and even if a gap is generated between the resin film 11 and the adhesion layer 20, air enters the adhesion layer 20.
  • the adhesion layer does not absorb laser light (for example, light having a wavelength of 335 nm). Therefore, the transmittance for light having the wavelength is 70% or more, preferably 80% or more, and more preferably transmission. A material having a rate of 85% or more is used.
  • the reflective film 30 preferably has as high a laser beam reflectance as possible.
  • a reflection sheet made of a metal film such as aluminum or silver or a reflection film having a high reflectance made of a multilayer film is used.
  • the multilayer film reflection film is a multilayer film formed by, for example, alternately laminating two kinds of dielectric films having different refractive indexes.
  • a multilayer film of Al 2 O 3 and SiO 2 is inexpensive and about 99% or more. This is preferable because the reflectance is as follows. These films can be easily laminated by EB vapor deposition, ECR sputtering, or the like.
  • the multilayer film 32 is obtained by laminating one or a plurality of sets each having a thickness of ⁇ / (4n) (where n is the refractive index of the film material and ⁇ is the wavelength of the irradiated laser beam).
  • the single crystal film 31 of aluminum can be formed by adjusting the film formation conditions by chemical vapor deposition. Even in the case of the reflection sheet, it is preferable that a single-layer or double-layer dielectric film is formed on the metal film.
  • the reflective film 30 is formed to a total thickness of 1 ⁇ m or more and about 2.5 ⁇ m or less, and the reflectance is 80% or more, more preferably 90% or more.
  • the resin film 11 is formed on the support substrate 36.
  • the resin film 11 includes, for example, polyimide (PI) resin, polyethylene naphthalate (PEN) resin, polyethylene terephthalate (PET) resin, cycloolefin polymer (COP) resin, cyclic olefin copolymer (COC) resin, polycarbonate (PC) resin, Polyamide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyethylene resin, polyvinyl alcohol resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, ethylene vinyl acetate copolymer resin, ethylene-vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, polyvinyl chloride It can be formed by applying a liquid resin material such as a resin, a polyvinyliden
  • a polyimide resin is preferable because, when a precursor solution is applied and a heat treatment is performed to form a resin film, the linear expansion coefficient can be adjusted depending on conditions such as a temperature rise profile during the heat treatment.
  • a sheet-like film may be attached to the support substrate 36.
  • the resin film 11 is produced by applying a liquid resin material, a uniform coating film can be formed by a method such as slit coating or spin coating.
  • the thickness of the resin film 11 is about several ⁇ m to several tens ⁇ m, for example, about 5 ⁇ m.
  • the resin film 11 is formed by applying a liquid resin material, it is heated to, for example, 400 ° C. or higher and about 500 ° C. or lower.
  • the linear expansion coefficient of the resin film 11 can be adjusted by the heating conditions.
  • the support substrate 36 for example, a glass substrate having a flat surface can be used.
  • the resin film 11 is preferably close to the linear expansion coefficient of the evaporation target substrate when used as the evaporation mask 10.
  • a seed layer 12a is formed on the resin film 11 to a thickness of 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less, for example, by electroless plating.
  • a metal film 12b is formed by electroplating with current flowing. This metal film 12b is for preventing warping of the resin film 11 as the metal support layer 12 by patterning in the next step.
  • a metal material of 20 ⁇ m or more and about 60 ⁇ m or less, such as Fe, Ni, Fe—Ni alloy, or Invar is used for the metal film 12b.
  • a magnetic material is preferable because it can be fixed by a magnetic force when it is fixed to the deposition substrate.
  • the metal support layer 12 may be omitted, and even when the metal support layer 12 is provided, it does not need to be formed by electrolytic plating.
  • the metal film 12b may be formed by sputtering or vacuum vapor deposition, or may be formed by a metal foil. Even when the metal film 12b is formed by a plating method, the seed layer 12a need not be formed by electroless plating.
  • the seed layer 12a may be formed by sputtering or vacuum deposition.
  • the metal film 12b and the seed layer 12a are patterned to form an opening 12c slightly larger than the opening 11a so as to escape at least the formation region of the opening 11a of the resin film 11.
  • a resist film (not shown) is formed, and isotropic etching is performed on the opening 12c to form a tapered opening 12c as shown.
  • the reason why the taper is formed is as follows. That is, as shown in FIG. 8A, the organic material 54 comes in a trumpet-like bundle (referred to as a vapor deposition beam) having a certain angle ⁇ (vapor deposition angle) from the vapor deposition source 60. This is because even the vapor deposition particles on the side edge of the vapor deposition beam reach the deposition target substrate without being blocked.
  • the taper angle of the mask (the acute angle formed with the bottom surface of the taper) is preferably equal to or less than the deposition angle ⁇ .
  • the opening hole 12c is formed by providing a resist film in the opening hole 12c so that electrolytic plating is not performed or sputtering is performed by a lift-off method. It is formed without etching.
  • the metal support layer 12 may be formed on the entire surface around the opening 11a of the resin film 11, but may be formed in a post shape around the opening 11a. Moreover, you may form in slit shape.
  • the resin film 11 is peeled from the support substrate 36, and the resin film 11 is stretched and fixed to the frame 13 as shown in FIG. 2D, whereby the resin film assembly 10a is obtained.
  • the expansion of the resin film 11 is because if the resin film 11 is slack, the size of the opening 11a becomes inaccurate when the opening 11a is formed. Therefore, as long as the resin film 11 is always stretched, this stretching step is not necessarily provided, and it may be attached to the frame.
  • the frame (frame body) 13 is required to have rigidity capable of withstanding the tension, and a metal plate having a thickness of 25 mm or more and 50 mm or less is used. If there is no frame, the frame 13 may be omitted.
  • the frame 13 is preferable because it can be easily handled.
  • the frame 13 is fixed to the metal support layer 12 by laser welding or the like in an expanded state.
  • the resin film 11 may be directly bonded with an adhesive or the like.
  • an adhesive that does not generate gas during vapor deposition is used.
  • the adhesive is preferably a completely curable adhesive such as an epoxy resin.
  • a frame 13 made of a metal plate or a plastic plate having a thickness of, for example, 10 mm or more and about 30 mm or less is provided from the viewpoint of a certain degree of mechanical strength and handling. It is preferable. If the frame 13 is a metal plate having magnetism, it can be easily fixed to the deposition substrate using a magnet even without the metal support layer 12.
  • the resin film 11 is fixed to the processing stage 35.
  • the adhesion layer 20 and the reflective film 30 are interposed between the resin film 11 and the processing stage 35.
  • the adhesion layer 20 may be omitted, but it is preferably inserted so that no air layer is interposed between the resin film 11 and the reflection film 30. Therefore, it is preferable that the adhesion layer 20 is in close contact with the resin film 11 and is also in close contact with the reflective film 30.
  • a reflective film 30 made of a multilayer film of Al 2 O 3 and SiO 2 or a metal sheet is formed on a processing stage 35 as shown in FIG. 5, and a liquid or film-like resin film is in close contact therewith, for example.
  • the resin film 11 side of the resin film assembly 10a shown in FIG. 2D (or a resin film assembly that is not shown but stretched and fixed to the frame) is bonded to the adhesion layer 20 as a layer 20 formed thereon.
  • the mask member 10b may be formed by being provided.
  • the resin film assembly 10a may be provided so as to overlap the adhesion layer 20 made of PVAC, PVP, or the like, and the adhesion layer without eroding the resin film 11 is not necessary. It may be adhered by a soluble adhesive that can be separated from the adhesive 20.
  • the reflective film 30 is formed on the processing stage 35 in this manner, if only the adhesion layer 20 is changed, the reflective layer 30 can be used semi-permanently even if the resin film 11 is replaced after processing, resulting in an increase in cost. It will not be.
  • the adhesion layer 20 is directly on the back surface (the surface opposite to the surface on which the metal support layer 12 is formed) of the resin film 11 of the resin film assembly 10a (the metal support layer 12 may be omitted) shown in FIG. 2D.
  • the reflective film 30 is formed on the above-described processing stage 35 and the resin film assembly 10 a on which the adhesion layer 20 is formed is fixed on the reflective film 30, it is formed by a CVD method or vacuum deposition. Good.
  • the adhesion layer 20 may be formed of an inorganic dielectric film such as SiO 2 or Si 3 N 4 by a CVD method or the like. Good.
  • the mask member 10b for vapor deposition masks is obtained.
  • the adhesion layer 20 is also formed on the surface of the reflective film 30 on the processing stage 35, and the adhesion layer 20 may not be formed on the resin film 11.
  • the reflective film 30 may also be formed on the adhesion layer 20 with the dielectric multilayer film 32 described above. However, the reflective film 30 is discarded together with the adhesion layer 20 after the processing of the resin film 11. So there is a difficulty in cost.
  • the mask member 10b may be bonded to the processing stage 35. Further, the reflective film 30 side of the mask member 10b may be fixed to an appropriate processing stage 30 with an adhesive or the like.
  • the reflective film 30 is formed on the processing stage 35 described above, a liquid layer such as ethanol is formed thereon, and a resin film is formed thereon.
  • the assembly 10a may be placed.
  • an opening 11 a is formed in the resin film 11.
  • the opening 11a is formed through a laser mask 41 having a desired pattern of the opening 41a from the surface side (opposite the processing stage 35 side) and an optical lens 42.
  • the pattern of the opening 41a of the laser mask 41 is reduced and transferred.
  • the laser beam irradiation device and the resin film 11 are relatively moved by the stepper, and the pattern of the opening 11a is sequentially formed in the large resin film 11.
  • the optical lens 42 is not always necessary, but is effective in increasing the irradiation energy density of the processed surface.
  • the optical lens 42 is disposed downstream of the laser mask 41 in the traveling direction of the laser light (resin film 11 side) and condenses the laser light.
  • the energy density is 100 ⁇ , but one side of the transfer pattern of the laser mask 41 has a 1/10 scale.
  • the laser light transmitted through the opening 41 a of the laser mask 41 sublimates a part of the resin film 11.
  • a fine pattern of the opening 11a that is the same as or reduced to the pattern is formed on the resin film 11.
  • the reflective film 30 is provided on the opposite side of the resin film 11 from the laser light source (omitted in FIG. 7A), a part of the resin film 11 sublimated and thinned.
  • the laser light transmitted through the resin film 11 is reflected by the reflection film 30 and returns to the resin film 11 again.
  • sublimation also proceeds from the back side of the resin film 11, and it is prevented that a part of the resin remains on the back side of the resin film 11 and becomes a burr.
  • the parallel light from the laser light source passes through the laser mask 41 and the optical lens (convex lens) 42 as shown in FIG. It is shrunk to 1/10 and irradiated.
  • the light at the center of the laser light is incident almost perpendicularly to the resin film 11 (with an incident angle of approximately 0), but the light beam at the extreme end has an increased incident angle ⁇ .
  • the incident angle ⁇ of the light beam at the end where the incident angle becomes the largest is obtained.
  • the distance between the optical lens 42 and the resin film 11 is a
  • the image forming side of the converged laser beam is b
  • the laser beam before entering the optical lens 42 is c.
  • the refractive index of the adhesive layer 20 is also the same as the refractive index of the resin film 11 for convenience, and the total thickness of the resin film 11 and the adhesive layer 20 is assumed to be 10 ⁇ m for convenience (actually smaller).
  • the openings are about 30 ⁇ m (assuming that openings of 30 ⁇ m square are formed at intervals of 30 ⁇ m within the 4 mm square imaged on the resin film 11 described above), the openings are about 7 with respect to the openings of about 30 ⁇ m.
  • Re-irradiation with reflected light is performed at a position shifted by about .28 ⁇ m. This misalignment is when the angle of incidence is maximum, and since the angle of incidence is actually smaller than this, the misalignment is much smaller. Therefore, it is considered that most of the incident light is incident with an incident angle close to 0, and the reflected light returns to a position where it does not spread so much.
  • the slight deviation of the reflected light is further advantageous for re-irradiation from the back side. That is, it is considered that the cause of the resin residue is due to the weak part in the laser light, and when reflected directly above, the weak laser light is reflected as it is, and re-irradiated, This is because strong laser light is re-irradiated by reflection from an oblique direction.
  • the collimating lens 45 is inserted between the optical lens 42 and the resin film 11 so that the light enters the resin film 11 as a substantially parallel light beam and is reflected by the reflection film 30. it can.
  • the incident angle 0 By making the incident angle 0 in this way, regardless of the refractive index of the adhesion layer 20, it is always reflected directly above even if an air layer is interposed between the layers as long as it is parallel to the resin film.
  • Can do. 7F is the same as FIG. 7D except for the collimating lens 45, and the description thereof is omitted.
  • the conditions for laser light irradiation vary depending on the material and thickness of the resin film 11 to be processed, the size and shape of the opening 11a to be processed, and generally, the pulse frequency of the laser light is 1 Hz or more. 60 Hz or less, the pulse width is 1 nanosecond (nsec) or more and 15 nanoseconds or less, and the energy density of the laser beam on the irradiated surface per pulse is 0.01 J / cm 2 or more and 1 J / Cm 2 or less.
  • the wavelength is 355 nm (third harmonic of a YAG laser).
  • the laser beam has a pulse frequency of 60 Hz, a pulse width of several nsec or more and 20 nsec or less, and the energy density of the laser beam on the irradiated surface is 0.25 J / cm 2 or more per pulse and 0.45 J / cm 2.
  • the resin film 11 made of polyimide is irradiated under the condition that the number of shots (number of pulses to be irradiated) is 50 or more and 200 or less.
  • the irradiated laser beam is not limited to the YAG laser. Any laser having a wavelength that can be absorbed by the resin may be used. Therefore, another laser beam such as an excimer laser or a He—Cd laser may be used.
  • another laser beam such as an excimer laser or a He—Cd laser may be used.
  • the irradiation conditions change when the laser light source changes or the resin material changes. In the above example, irradiation of 100 shots was performed to form the opening pattern, but a through-hole is opened in about 100 shots in a 10 ⁇ m thick polyimide film.
  • the opening 11a is formed in a tapered shape, so that the size of the opening 11a (the size on the adhesion layer 20 side) is small. However, the length of one side of the opening 11a and the distance between the openings 11a are essentially the same size.
  • the reason why the opening 11a is formed in a tapered shape is the same as the reason why the opening hole 12c of the metal support layer 12 is formed in a tapered shape, but the evaporation material emitted from the evaporation source is a crucible of the evaporation source.
  • the opening 11a is formed in two stages in order to more reliably eliminate the blocking.
  • the two-stage formation is performed by irradiating the laser beam in two steps.
  • the resin film 11 is initially sublimated to a thickness that is about half the thickness of the resin film 11 with an area larger than the desired opening.
  • laser light is irradiated using a laser mask 41 having a desired opening size to form two stages.
  • the laser mask 41 is obtained by making the transmittance of the laser light different between the central portion and the peripheral portion of the opening 41a.
  • the above-described laser mask 41 is formed as follows, for example.
  • a light-shielding thin film 41b such as chromium is formed on a transparent substrate that transmits laser light such as a quartz glass plate.
  • the light shielding thin film 41b is patterned to form an opening 41a. Therefore, the transmittance can be changed by forming the light-shielding thin film 41b in a spot manner as conceptually shown in FIG. 7C, for example.
  • the opening 41a is depicted as being separated from the first portion 41a1, the second portion 41a2, and the third portion 41a3 for convenience, but such a division is not necessary.
  • the first portion 41a1 transmits 100% because the light shielding thin film 41b is not formed at all.
  • the light shielding thin film 41b is sparsely formed, and the area thereof is formed to be about 20%.
  • the transmittance of the second portion 41a2 is 80%.
  • the third portion 41a3 is formed so that the amount of the light shielding thin film 41b is about 50% in terms of area.
  • the transmittance of the third portion 41a3 is about 50%.
  • the first portion 41a1, the second portion 41a2, and the third portion 41a3 are divided and described, and the light shielding thin film 41b is formed in a dispersed manner. Since the transfer resolution of laser light is about 2 ⁇ m, for example, a 2 ⁇ m square is equally divided into 5 parts vertically and horizontally, and the light-shielding thin film 41b is formed in a part of 25 segments in total, thereby transmitting the laser light transmittance. Can be adjusted. By making the transmittance continuously decrease toward the periphery, the tapered opening 11a can be formed.
  • the transmittance of the laser light is gradually decreased toward the periphery of the opening 41a, thereby entering the resin film 11.
  • the laser beam to be weakened and the force to sublimate the resin film 11 becomes weak.
  • the amount removed from the surface side becomes weak at the periphery, and the tapered opening 11a is formed.
  • the adhesion layer 20, the reflective film 30, and the processing stage 35 are removed, whereby the deposition mask 10 is obtained.
  • the adhesion layer 20 and the reflective film 30 are pressed against the processing stage 35 and are pressed against each other, they are separated from the processing stage 35 simply by pulling the frame 13 fixed to the resin film 11.
  • the adhesion layer 20 is made of, for example, a resist material, the adhesion layer 20 is damaged by ashing the organic substance with an asher or the like or immersing it in a resist stripping solution. Separated without.
  • the adhesion layer 20 is dissolved and removed by using an etching solution such as dilute hydrofluoric acid that does not corrode the resin film.
  • an etching solution such as dilute hydrofluoric acid that does not corrode the resin film.
  • OEL Clean-01 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. was used for cleaning for 10 minutes at a frequency of 80 kHz and a power of 0.5 W / cm 2 using an ultrasonic bath.
  • Table 2 shows the number of burrs when observed from the metal support layer 12 side in the same configuration.
  • the number of burrs differs between when observed from the resin film 11 side and when observed from the metal support layer 12 side because foreign matter scattered during laser processing adheres and remains even after cleaning. Because there is.
  • the sublimation of the resin film 11 by reflected light is carried out. Can also contribute. As a result, resin burrs that are likely to remain on the back side of the resin film 11 can be effectively removed.
  • the reflected light of the laser light is used, unlike the case of irradiating the laser light from a separate light source also from the back surface side, the reflection with the sublimation of a part of the resin of the resin film 11 due to the formation of the opening 11a. The light becomes stronger. That is, when the resin film 11 sublimates or scatters, the transmitted light of the laser light increases and the reflected light also increases.
  • the film formation order is reversed from the above-described example. That is, as shown in FIG. 3A, the resin film 11 is formed on the metal foil 12 d serving as the metal support layer 12.
  • the resin film 11 may be solidified by applying a liquid resin and heating, as in the above example, or the solidified film sheet may be attached to the metal foil 12d. According to this method, the joined body of the resin film 11 and the metal film 12d can be obtained in a short time without plating.
  • the metal foil 12 d is patterned, and the resin film 11 is stretched and fixed to the frame 13.
  • the reason for patterning the metal foil 12d, the reason for stretching the resin film 11, the material of the frame 13, and the like are the same as in the above example.
  • an adhesion layer 20 is formed on the resin film 11.
  • the adhesion layer 20 is also formed by an CVD method or the like such as an inorganic dielectric film that can be easily peeled off from the resin film 11.
  • the reflective film 30 is formed by a CVD method or the like.
  • the reflective film 30 can also be formed in the structure shown in FIG. 5 described above, the multilayer film 32 (see FIG. 5) is formed first, and then the aluminum single crystal film 31 is formed.
  • the mask member 10b for the vapor deposition mask 10 shown in FIG. 3D is obtained.
  • the mask is superimposed on the reflective film 30 or the adhesion layer 20 formed on the processing stage 35 in advance. It can be set as the member 10b.
  • the reflective film 30 side of the mask member 10b is fixed to the processing stage 35.
  • This fixing may be performed by an adhesive or may be fixed to the extent that it does not move by another method.
  • the pattern of the opening 11a is formed by the laser beam, and further, the resin film 11 and the processing stage 40 are separated by removing the adhesion layer 20, whereby the vapor deposition mask. 10 is obtained.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 10 manufactured by the above manufacturing method. It is substantially the same as the structure shown in FIG. 2G, but is shown more accurately than the structure shown in FIG. 2G. That is, the vapor deposition mask 10 of the present invention is provided with the reflective film 30 (see FIG. 2F) on the side opposite to the laser light source side of the resin film 11 as described above. Therefore, the laser light irradiated from the laser light source and transmitted through the resin film 11 is reflected by the reflection film 30 and absorbed by the resin remaining in the opening 11a, and contributes to sublimation of the remaining resin.
  • the laser beam that is perpendicularly incident on the resin film 11 (with an incident angle of 0) is reflected almost directly above, but the incident angle is not 0 in the laser beam, but at a certain angle.
  • the reflected light reflected by the reflective film 30 is reflected in an oblique direction, and there is also laser light reflected outside the opening formation region.
  • Such laser light irradiates a place other than the opening forming area on the back surface of the resin film 11. Therefore, a laser mark 11 b which is a laser beam irradiation mark is formed on the back surface of the resin film 11.
  • the depth of the laser mark 11b is about 0.1 ⁇ m, at most 0.5 ⁇ m or less, that is, 0.1 ⁇ m or more and about 0.5 ⁇ m or less, and the mechanical strength of the resin film of 5 ⁇ m or more. It has no effect.
  • the incident angle of the laser light from the laser light source is about 30 ° or less
  • the refraction angle entering the resin film having a large refractive index is about 20 ° or less
  • the refractive index of the adhesion layer 20 is the resin film. If the refractive index is larger than 11, the refraction angle becomes smaller and the reflection angle becomes smaller, so that the reflected light is also limited to a narrow range. That is, the reflected light from the reflective film 30 does not spread so much, and a laser mark is formed around the opening 11a.
  • the laser mark 11b does not weaken the mechanical strength of the resin film 11, but rather has the effect of contributing to thermal radiation as the surface area increases due to surface irregularities. That is, when the vapor deposition mask 10 is used, the lower side of the vapor deposition mask shown in FIG. 4A, that is, the back side of the resin film 11 is fixed to the vapor deposition substrate, and the metal support layer 12 side faces a crucible serving as a vapor deposition source. Vapor deposition material will fly. Therefore, the vapor deposition mask 10 receives heat radiation from the vapor deposition source, and the temperature rises very much. When the temperature of the vapor deposition mask 10 rises, the resin film also expands and the opening 11a becomes larger.
  • the surface of the vapor deposition mask 10 facing the vapor deposition source is preferably a mirror surface with a low emissivity so as not to absorb heat from the vapor deposition source.
  • the opposite surface dissipate the absorbed heat, and that the emissivity is higher. Therefore, the unevenness of the surface due to the laser mark 11b contributes to heat dissipation.
  • the back surface of the resin film 11 is covered with a high emissivity film 14 having a high emissivity, thereby further contributing to heat dissipation.
  • a high emissivity film 14 for example, Al 2 O 3 , AlTiN, or graphite is formed to a thickness of about several hundreds of nanometers by sputtering, vacuum deposition, CVD, or the like.
  • it since it is formed with good adhesion to the resin film 11 by being formed by sputtering, it contributes to thermal radiation.
  • the laser trace 11b formed in the back surface of the resin film 11 appears on the surface of the high emissivity film
  • the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention is manufactured by the above-described method on a device substrate 51 in which a TFT, a planarizing film, and a first electrode (for example, anode) 52 (not shown) are formed on a support substrate (not shown).
  • the vapor deposition mask 10 is aligned and overlapped, and the organic material 54 is vapor-deposited to form a laminated film 55 of an organic layer.
  • the second electrode 56 (cathode) is formed on the laminated film 55.
  • a switch element such as a TFT is formed for each RGB sub-pixel of each pixel on a support substrate such as a glass plate
  • the first electrode 52 connected to the switch element includes: On the planarizing film, it is formed by a combination of a metal film such as Ag or APC and an ITO film.
  • an insulating bank 53 made of SiO 2 or plastic is formed between the sub-pixels.
  • the above-described vapor deposition mask 10 is aligned and fixed. This fixing is performed by, for example, attracting with a magnet or the like provided on the opposite side of the apparatus substrate.
  • the openings 11 a of the vapor deposition mask 10 are formed to be smaller than the interval between the surfaces of the insulating banks 53. An organic material is prevented from being deposited on the side wall of the insulating bank 53 as much as possible to prevent a decrease in luminous efficiency.
  • the organic material 54 is radiated from the vapor deposition source (crucible) 60 in the vapor deposition apparatus, and the organic material 54 is vapor-deposited only on the opening portion of the vapor deposition mask 10.
  • a laminated film 55 of an organic layer is formed on the first electrode 52.
  • the opening 11 a of the vapor deposition mask 10 is formed smaller than the interval between the surfaces of the insulating bank 53, the organic material 54 is hardly deposited on the side wall of the insulating bank 53.
  • FIGS. 8A to 8B the organic layer laminated film 55 is deposited almost only on the first electrode 52.
  • This vapor deposition process is sequentially performed on each sub-pixel by changing the vapor deposition mask. In some cases, a vapor deposition mask in which the same material is vapor-deposited on a plurality of subpixels at the same time is used.
  • the organic layer laminated film 55 is simply shown as one layer, but actually, the organic layer laminated film 55 is formed of a plurality of laminated films made of different materials.
  • a hole injection layer made of a material with good ionization energy matching that improves the hole injection property may be provided.
  • a hole transport layer capable of improving the stable transport of holes and confining electrons (energy barrier) in the light emitting layer is formed of, for example, an amine material.
  • a light emitting layer selected on the basis of the emission wavelength is formed, for example, by doping Alq 3 with red or green organic fluorescent material for red and green.
  • a DSA organic material As the blue material, a DSA organic material is used. On the light emitting layer, an electron transport layer that further improves the electron injection property and stably transports electrons is formed of Alq 3 or the like. By laminating each of these layers by several tens of nanometers, an organic layer laminated film 55 is formed. An electron injection layer that improves electron injection properties such as LiF and Liq may be provided between the organic layer and the metal electrode.
  • the light emitting layer is deposited with an organic layer of a material corresponding to each color of RGB.
  • the hole transport layer, the electron transport layer, and the like are preferably deposited separately using a material suitable for the light emitting layer if the light emitting performance is important.
  • a material suitable for the light emitting layer if the light emitting performance is important.
  • two or three colors of RGB are laminated with the same material.
  • an evaporation mask in which an opening is formed in the common subpixel is formed.
  • each of the organic layers can be vapor-deposited continuously using one vapor deposition mask 10 for the R sub-pixel, or a common organic layer for RGB is deposited.
  • the organic layer of each sub-pixel is vapor-deposited to the lower side of the common layer, and the organic layers of all the pixels are formed at once using the vapor-deposition mask in which openings are formed in RGB at the common organic layer. Layer deposition is performed.
  • the vapor deposition mask 10 is removed, and the second electrode (for example, cathode) 56 is formed on the entire surface.
  • the second electrode 56 is formed of a translucent material, for example, a thin Mg—Ag eutectic film. .
  • Al or the like can be used.
  • ITO, In 3 O 4 or the like is used for the first electrode 52, and a metal having a low work function, such as Mg, is used as the second electrode.

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Abstract

開口部内の樹脂フィルムを完全に除去することができる蒸着マスク、その製造方法及び蒸着マスク用マスク部材を提供する。樹脂フィルム(11)の一方側に、開口部(11a)のパターンを形成するためのレーザ光の照射源が配置され、樹脂フィルム(11)の他方側に、レーザ光の照射源から照射されるレーザ光の波長の光を反射させる反射膜(30)が設けられ、反射膜(30)により反射されるレーザ光が樹脂フィルム(11)の開口部(11a)のパターン形成に利用される。

Description

蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機EL表示装置の製造方法
 本発明は、有機EL表示装置の有機層を蒸着する際などに用いられる蒸着マスク、蒸着マスク用のマスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機EL表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、レーザ光により開口部のパターンを形成する際にバリが生じないようにすることができる構造の蒸着マスク、蒸着マスク用のマスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と、その蒸着マスクを用いた有機EL表示装置の製造方法に関する。
 有機EL表示装置が製造される場合、例えばTFT等のスイッチ素子が形成された装置基板上に有機層が画素ごとに対応して積層される。そのため、装置基板上に蒸着マスクが配置され、その蒸着マスクを介して有機材料が蒸着され、必要な画素のみに必要な有機層が積層される。その蒸着マスクとしては、従来メタルマスクが用いられていたが、近年、より精細な開口部のパターンを形成するため、メタルマスクに代って樹脂フィルムと金属支持層により形成された複合マスクが用いられる傾向にある。
 一方、近年大型化した場合でも、高精細化と、軽量化の双方を満たすことが要求され、例えば、図10に示されるように、樹脂層81に金属支持層82が形成され、その周囲にフレーム83が固定された状態で、保護層84を介して、加工ステージ85上に固定して、図の上側からレーザ光が照射されることにより、図10に示されるように、樹脂層81に開口部81aのパターンが形成される。保護層84は、レーザ光により加工されない樹脂層又はエタノールなどの液体層が用いられている(特許文献1、2参照)。
特開2014-133938号公報 特開2014-135246号公報
 前述のように、樹脂層81にレーザ光による開口部81aのパターンが形成された蒸着マスクでは、樹脂層やエタノールなどの液体層を保護層84として樹脂フィルムの裏面側に介在させても、開口部81aの周縁や格子状に残る樹脂フィルムの面にバリ81bが飛散して付着したり、周縁に残存した樹脂フィルムの微片が下側に垂れ下がったりして、却って昇華し難くバリとして残るという問題がある。
 例えば有機EL表示装置の蒸着マスクとする場合、近年の画像精細化の要求により、1画素(開口部)のサイズは一辺が30μm(400PPI)程度であり、僅かな微片でも開口部に重なると、画素の面積が大幅に減少することになり、表示品位の低下の原因となる。従って、バリは殆ど生じないことが好ましい。
 また、蒸着の際には、るつぼなどの蒸着源から蒸着マスクを介して被蒸着基板に蒸着材料が蒸着されるので、蒸着源と蒸着マスクとは近い距離で対向し、蒸着源からの熱が蒸着マスクの樹脂フィルムに輻射熱として伝わり、蒸着マスクの温度が上昇しやすい。蒸着マスクの温度が上昇すると、開口部の大きさが大きくなり、予定された画素領域以外の部分にも有機材料が被着し、同様の表示品位の低下の原因になる。
 本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、その目的は、樹脂フィルムの開口部により蒸着マスクの開口部が定まる蒸着マスクの開口部内に樹脂フィルムの微片がバリとして付着したり、樹脂フィルムの開口部の底面側に樹脂フィルムの一部が残存したりしないように、開口部内の樹脂フィルムが完全に除去された蒸着マスク、その製造方法及び蒸着マスク用マスク部材を提供することにある。
 本発明の他の目的は、蒸着マスクのバリや異物の除去を行う作業を利用して、蒸着の際に、蒸着マスクの熱をできるだけ放出して蒸着マスクの温度上昇を防止するという副次効果をもたらすことができる蒸着マスクを提供することにある。
 本発明のさらに他の目的は、上記製造方法により形成された蒸着マスクを用いることによる表示品位の優れた有機EL表示装置の製造方法を提供することにある。
 本発明の蒸着マスクの製造方法は、開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクの製造方法であって、前記樹脂フィルムの一方側に、前記開口部のパターンを形成するためのレーザ光の照射源を配置し、前記樹脂フィルムの他方側に、前記レーザ光の照射源から照射されるレーザ光の波長の光を反射させる反射膜を設け、前記反射膜により反射されるレーザ光を前記樹脂フィルムの開口部のパターン形成に利用することを特徴とする。
 本発明の蒸着マスクは、開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクであって、蒸着の際に蒸着源側となる前記樹脂フィルムの一面と反対側の面である他面に、レーザ痕からなる凹部が形成されている。
 本発明の蒸着マスク用のマスク部材は、開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクとするためのマスク部材であって、樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの前記開口部のパターンを形成するためレーザ光が照射される側の一面と反対の他面側に設けられ、前記レーザ光の波長の光を反射する反射膜とを有する。
 本発明の有機EL表示装置の製造方法は、装置基板上に有機層を積層して有機EL表示装置を製造する方法であって、支持基板上にTFT及び第1電極を形成した前記装置基板上に前記の製造方法により製造された蒸着マスクを位置合せして重ね合せ、有機材料を蒸着して有機層の積層膜を形成し、前記有機層の積層膜上に第2電極を形成することを特徴とする。
 本発明の蒸着マスクの製造方法によれば、樹脂フィルムに開口部のパターンを形成する際に、樹脂フィルムの表面(レーザ光の照射源側の面)側からのレーザ光の照射のみならず、樹脂フィルムの裏面(表面と反対面)側からも反射光によるレーザ光の照射がなされる。そのため、樹脂フィルムの裏面側からもレーザ光が吸収されることになり、樹脂フィルムの裏面側も完全に昇華させ得る。すなわち、レーザ光の強度を上げて樹脂フィルムの開口部形成領域にレーザ光が照射されると、表面側の樹脂フィルムが異常に温度上昇し、開口部の径が予定領域より大きくなる危険性がある。しかし、従来の強度のレーザ光の照射をしながら、その反射光を利用することにより、樹脂フィルムの裏面側からもレーザ光が照射されることに本発明の特徴がある。すなわち、裏面側から反射光によるレーザ光が照射されることにより、従来の樹脂フィルムの裏面側に垂れ下がって残りやすい樹脂フィルムのバリが除去されやすい。
 この場合、最初から樹脂フィルムの裏面側からレーザ光を照射しても、その表面側に樹脂が詰まっていると、裏面側の樹脂を昇華して飛ばすことはできない。しかし、本発明では、表面側から照射されたレーザ光の反射光を利用しているので、樹脂フィルムの表面側が全く昇華していない場合は、樹脂フィルムにレーザ光は吸収されてしまい、反射光も生じない。しかし、表面側が昇華して開口部がある程度形成されてから照射されるレーザ光は、樹脂フィルムにそれ程吸収されることなく樹脂フィルムを通過する。その通過したレーザ光が反射膜により反射して樹脂フィルムの裏面側から樹脂に吸収されることになるので、反射光は、樹脂フィルムの裏面側から樹脂を昇華させ、樹脂フィルムが薄くなった表面側からその昇華した樹脂を放出することができる。その結果、樹脂フィルムの裏面側に垂れ下がっても、効果的にレーザ光が吸収され、バリが残らない完全な開口部のパターンが形成される。
 また、本発明の蒸着マスクによれば、前述の反射光によるレーザ痕が樹脂フィルムの裏面側の開口部の周囲に形成されているので、樹脂フィルムの裏面側に凹凸が形成される。樹脂フィルムの裏面側は、蒸着の際に蒸着源と対向する面と反対側の面になるため、被蒸着基板と対向する側の面になる。蒸着マスクは、蒸着源により加熱されて樹脂フィルムの温度が上昇しやすいので、その熱を放散することが好ましい。この点に関して、蒸着源側と反対面での凹凸の形成は、表面積が大きくなることにより、より多くの熱輻射に寄与する。このレーザ痕が形成された表面に熱輻射率の大きい高輻射率膜が形成されることにより、輻射による熱放散がより一層優れるので好ましい。
 さらに、本発明の蒸着マスク用のマスク部材によれば、既に反射膜が設けられているため、所望のレーザ用マスクを介してレーザ光が照射されるだけでバリの殆ど生じない蒸着マスクが得られる。
 本発明の有機EL表示装置の製造方法によれば、バリの無い精密なパターンが形成された蒸着マスクを用いて有機層が積層されているので、各画素の有機層が非常に精密に形成される。その結果、非常に表示品位の優れた有機EL表示装置が得られる。
本発明の蒸着マスク用のマスク部材の一実施形態が加工ステージ上に載置され、樹脂フィルムに開口部が形成された状態を示す断面説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の一実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の他の実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の他の実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の他の実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの製造方法の他の実施形態の一工程の説明図である。 本発明の蒸着マスクの一実施形態の断面を説明する図である。 図4Aの変形例を示す断面の説明図である。 本発明の反射膜の一例の断面説明図である。 実施例1の蒸着マスクの樹脂フィルムの裏面側から見た写真である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 レーザ光の照射により蒸着マスクの開口部を形成する際の説明図である。 レーザ光の光学レンズによる屈折光の様子の説明図である。 レーザ光の屈折光が反射膜により反射する光線の様子の説明図である。 レーザ光の光学レンズによる屈折光を平行光線にする説明図である。 本発明の有機EL表示装置を製造する場合の蒸着の際の説明図である。 本発明の有機EL表示装置の製造方法の一実施形態の製造工程を示す断面の説明図である。 図10の構造での問題点を説明する図である。 図10の方法で製造した樹脂フィルムのバリの発生を示す写真である。 図10の方法で製造した樹脂フィルムのバリの発生の他の例を示す写真である。 従来の蒸着マスクを製造する一例の説明図である。
 つぎに、図面を参照しながら本発明の蒸着マスク及びその製造方法並びに蒸着マスク用のマスク部材が説明される。図1に、本発明のマスク部材の一実施形態に開口部が形成されて蒸着マスク10が形成された状態の断面の説明図が、図2A~2Gに、その蒸着マスクの製造方法の各工程の断面の説明図が、それぞれ示されている。なお、図では、開口部の数が3個しか示されていないが、実際には、例えば有機EL表示装置の画素数(RGBのサブ画素数を含む)に合せた多数の開口部を有するものが複数個分纏めて形成され得る。
 前述の図10に示されるような樹脂層や液体層からなる保護層84を介在させて開口部81aが形成された場合でも、例えば図9Bや図9Cに示されるように、バリ81bや異物81cが発生することを本発明者らは見出した。図9Bは樹脂層を保護層84とした場合で、図9Cは、エタノールを保護層84とした場合の写真である。これらの写真で、ゴミ状に付着しているのが異物81cであり、開口部81a内に延びているのがバリ81bである。なお、バリ81bは、前述の下側に垂れ下がった形状ばかりではなく、一旦飛び散ったバリが再付着したようなものも含まれている。なお、図9B~9Cは、加工ステージ85及び保護層84が除去された後で、洗浄前の写真であり、図9Bは樹脂フィルム81のレーザ光照射側と反対側から観察した写真であり、図9Cは、レーザ光照射側から同様に観察した写真である。
 本発明者らは、このようなバリ81bや異物81cが付着する原因について鋭意検討を重ねて調べた結果、例えば図9Aに示されるように、樹脂層81の一部は、その下側に垂れ下がり、バリ81bが発生すること見出した。この原因についてさらに鋭意検討を重ねて調べた結果、図9Aに示されるように、樹脂層81が熱変形をし、保護層84との間に隙間84aが形成されることにあると考えられる。すなわち、レーザ光の照射に弱い部分が生じると、表面側からの樹脂の昇華が弱く、完全には昇華されないで薄く樹脂層81の一部が残りやすい。樹脂層81の薄く残った部分は、レーザ光の衝撃により下側に垂れ下がりやすくなる。その結果、図9Aの右図に示されるように、樹脂層81の一部が下側に垂れ下がってバリ81bが発生すると考えられる。すなわち、レーザ光が照射されても、開口部内の樹脂の全てが完全に昇華して飛散するのではなく、一部は千切れた状態になって飛散し、樹脂フィルムからなる蒸着マスクに被着する場合もあるし、一部は完全には昇華しないで下側に折れ曲がってバリ81bとして残り、開口部81aの一部を閉塞する場合がある。なお、図9Aにおいて、82aは、金属支持層82をめっき法により形成するためのシード層であるが、めっき法で形成しなければ不要である。このようなバリや異物があると、被蒸着基板に転写されたり、蒸着物の障害になったりして表示画面上に黒点が発生する原因となり、トラブルを発生させる。
 さらに、本発明者らは、樹脂フィルムを有する蒸着マスクの開口部内に、樹脂フィルムの樹脂の一部が完全に昇華しないで残存するバリが生じたり、飛散した樹脂の一部が開口部内にバリとして付着したりすることのないようにするため鋭意検討を重ねた。その結果、樹脂フィルムの一部が昇華しないで残存する理由が、照射されるレーザ光は全体で出力が均一ではなく、出力の弱い部分があり、弱い部分では完全には樹脂を昇華させることができないこと、及び前述のように、レーザ光の照射の際に、樹脂フィルムが熱により変形すると、保護層との間に空間ができ、その空間内に樹脂の一部が垂れ下がると、ますますレーザ光が照射され難くなり、バリとして残りやすいことに起因していることを見出した。そして、樹脂フィルムの表面側からのレーザ光の照射のみならず、樹脂フィルムを透過したレーザ光の反射光を利用して樹脂フィルムの裏面側からのレーザ光の照射を加味することにより、レーザ光のビーム内で強度の弱い部分があっても、樹脂フィルムの裏面側に樹脂フィルムの一部が残存することなく、開口部内の樹脂フィルムをほぼ全面に亘って除去することができることを見出した。
 このレーザ光の反射光を利用することにより効果的にバリを除去することができる主な理由として次の2点が考えられる。第1に、レーザ光の反射光は、開口部の樹脂フィルムの表面(レーザ光の照射源側の樹脂フィルムの面)側の樹脂が昇華して除去された時点で主として生じ、樹脂フィルムの裏面(表面と反対面)側からのレーザ光の照射によっても樹脂を昇華しやすくなると考えられる。例えば数μm~10μm程度の厚さのポリイミドなどからなる樹脂フィルムにレーザ光により開口部を形成する場合、レーザ光をパルス的に50ショット以上であって100ショット以下程度連続して照射することにより行われる。レーザ光の波長は、樹脂フィルムにより吸収しやすい波長のレーザ光が用いられており、当初のレーザ光の照射では、樹脂フィルムの表面側でレーザ光の殆どが吸収されて、樹脂フィルムの表面側を昇華させる。そのため、レーザ光は反射膜まで達せず、反射光も殆ど発生しない。そして、開口部形成領域の樹脂フィルムの厚さが段々薄くなっていくと、照射されたレーザ光の一部は完全には樹脂フィルムで吸収されないで樹脂フィルムの裏面側から抜けて反射膜に達するようになる。従って、その裏面側に反射膜があると、樹脂フィルム側にレーザ光が反射して戻り、樹脂フィルムは樹脂フィルムの裏面側から反射したレーザ光を吸収する。その時点では、開口部形成領域内での表面側の樹脂は相当部分がなくなっているので、裏面側の樹脂も昇華しやすくなる。換言すると、樹脂フィルムの裏面を昇華させやすくなった時点で、自動的に反射光が強くなり、樹脂を昇華させることができる。
 第2に、レーザ光は、樹脂フィルムの表面に対して大きくても30°程度以下の入射角で入射し、ほぼ垂直に近い入射角が0°で入射するものもある。そのため、密着層の厚さや屈折率にもよるが、反射光の樹脂フィルム裏面への戻りは開口部形成領域内及びその周辺部に限定される。すなわち、垂直に入射するレーザ光線は、そのまま反射膜と垂直に反射するが、レーザ光線の全てが垂直に入射するのではなく、僅かでも入射角があれば、反射するレーザ光は、斜めに反射する。そのため、レーザ光の弱い部分があって樹脂フィルムの一部が残存しやすい部分があっても、斜め方向からの反射光を吸収して昇華しやすくなる。しかし、レーザ光の入射角は0°以上であって30°以下程度であるため、反射光がそれほど広がることはない。この関係については、後述される。そのため、樹脂フィルムの全体が、レーザ光の反射光を受けるのではなく、また、開口部形成領域以外の樹脂フィルムの裏面に反射光が照射されて形成されるレーザ痕は0.3μm程度以下で1μmはない程度の深さであるので、樹脂フィルムの機械的強度が低下するという問題は生じない。むしろ、開口部以外の面にもレーザ痕が形成されることにより、その凹凸により表面積が大きくなり、熱輻射を増大させる。その結果、蒸着時に蒸着源からの輻射熱により上昇する蒸着マスクの温度を蒸着源と反対側の面から放熱して蒸着マスクの温度を低下させることに寄与する。すなわち、このレーザ痕が形成される面は、被蒸着基板に固定される側の面で蒸着源側とは反対側の面であり、熱輻射が大きい方が蒸着マスクの温度を低下させるのに都合がよい。
 本実施形態による蒸着マスクの製造方法は、図1に示されるように、樹脂フィルム11の一方側に、開口部11aのパターンを形成するためのレーザ光の照射源が配置され、樹脂フィルム11の他方側に、レーザ光の照射源から照射されるレーザ光の波長の光を反射させる反射膜30が設けられ、反射膜30により反射されるレーザ光が樹脂フィルム11の開口部11aのパターン形成に利用されることを特徴としている。すなわち、本発明の一番の特徴は、図1に示されるように、樹脂フィルム11のレーザ光の照射源側と反対側に反射膜30が形成されていることである。
 図1に示される例では、樹脂フィルム11と反射膜30との間に密着層20が形成されている。この密着層20を設けるのは、樹脂フィルム11と反射膜30との間にできるだけ空気層が形成されないようにするためである。すなわち、樹脂フィルム11の面が波を打った状態になって空気層が介在していると、空気層の屈折率が小さいため、その界面で乱反射しやすいからである。また、反射膜30による反射光も開口部11aと離れた方向に反射する可能性が大きくなる。従って、できるだけ樹脂フィルム11の屈折率に近い屈折率を有する層が樹脂フィルム11に密着することが好ましい。また、密着層の屈折率が樹脂フィルム11の屈折率よりも大きければ、屈折角は入射角よりも小さくなるので、垂直方向への入射光に近くなり好ましい。一方で、この密着層20は、最終的には樹脂フィルム11から除去される必要があり、容易に分離できることが必要である。また、この密着層20は、開口部11aの形成のためのレーザ光をできるだけ吸収しない材料であることが好ましい。反射光を利用することが目的であるため、樹脂フィルム11を透過した光をできるだけ消耗させないで反射することが好ましいからである。具体的には、近紫外光(200~380nm)を80%以上透過させる樹脂膜(以下、単に「樹脂膜」という)、さらに具体的には、PVAC(ポリ酢酸ビニル)、PVP(ポリビニルピロリドン)、SAM膜(自己集積化分子膜)などが用いられ得る。
 さらに、本発明では、反射膜30による反射光を利用して、樹脂フィルム11の裏面側を局所的に加熱することが目的であるため、レーザ光の反射光が反射膜30で反射して樹脂フィルム11の裏面に到達するまでの距離が収束するレーザ光の焦点深度の範囲に入る必要がある。この場合のレーザ光の焦点深度は、例えば±10μm程度であるため、例えば樹脂フィルム11の表面に焦点を結ぶようなレーザ光であれば、樹脂フィルムの厚さが例えば5μmとすると、密着層20の厚さが2.5μmで往復5μmとなるため、樹脂フィルム11の裏面が焦点深度10μmの限界になる。従って、密着層20の厚さは2.5μm以下であることが必要になる。樹脂フィルム11がもっと厚い場合には、収束点を樹脂フィルム11の内部または裏面に合せることにより、反射光が焦点深度内で樹脂フィルム11の裏面側に到達して加熱することができる。このように、収束点を樹脂フィルム11の内部または裏面に合せることにより、密着層20を厚くすることもできるが、前述のように、密着層20は、樹脂フィルム11と反射膜30との間の密着性を得るのが目的であり、レーザ光の損失、製造コストの観点からも、密着層20はできるだけ薄い方が好ましい。従って、密着層20の厚さは、0.1μm以上、3μm以下、好ましくは0.1μm以上、2.5μm以下、さらに好ましくは0.1μm以上、2μm以下である。
 前述のように、この密着層20は、その屈折率が樹脂フィルム11と同じかそれより大きいことが反射光の広がりを防ぐ点から好ましい。しかし、照射されるレーザ光の束の中で一部に弱い部分があり、樹脂の昇華が不十分な部分が生じるという観点からは、樹脂フィルム11を透過したレーザ光が真上に反射するよりも、斜めに反射した方が、強いレーザ光により残存している樹脂を昇華させるのに都合がよい。その観点からは、必ずしも屈折率が同じか、それより大きい材料に限定されるものではなく、また、樹脂フィルム11と密着層20との間に空隙が生じても、密着層20に入れば空気層よりも屈折率が大きいことから屈折角は小さくなるため、その空隙の幅が狭ければ、何ら問題は生じない。前述のように、この密着層は、レーザ光(例えば335nmの波長の光)を吸収しない方が好ましいので、その波長の光に対する透過率が70%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは透過率が85%以上の材料が用いられる。
 反射膜30としては、できるだけレーザ光の反射率が大きいことが好ましい。レーザ光の反射膜としては、アルミニウム又は銀などの金属膜からなる反射シート又は多層膜からなる反射率の高い反射膜が用いられる。多層膜反射膜は、例えば屈折率の異なる2種類の誘電体膜を交互に積層することにより形成される多層膜で、例えばAl23とSiO2の積層膜が安価で、99%程度以上の反射率が得られるので好ましい。これらの膜は、EB蒸着、ECRスパッタ等で簡単に積層することができる。また、他の例としては、図5に示されるように、アルミニウムの単結晶膜31と、例えばCVD法により成膜される屈折率の異なる2層、例えばMgF2とSc23とを、それぞれλ/(4n)の厚さ(nはその膜材料の屈折率、λは照射されるレーザ光の波長)に成膜された組を1組又は複数組積層した多層膜32とにより得られる。アルミニウムの単結晶膜31は、化学蒸着法により、その成膜条件を調整することにより形成され得る。なお、反射シートの場合でも、金属膜上に1層又は2層の誘電体膜が形成されることが好ましい。この反射膜30は、トータルで1μm以上であって2.5μm以下程度の厚さに形成され、反射率は80%以上、さらに好ましくは90%以上に形成される。
 次に、図2A~2Gの具体例を参照しながら、本発明の蒸着マスクの製造方法が詳細に説明される。まず、図2Aに示されるように、サポート基板36上に樹脂フィルム11が形成される。樹脂フィルム11は、例えば、ポリイミド(PI)樹脂、ポリエチレンナフタレート(PEN)樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、シクロオレフィンポリマー(COP)樹脂、環状オレフィンコポリマー(COC)樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニルコポリマー樹脂、エチレン-ビニルアルコールコポリマー樹脂、エチレン-メタクリル酸コポリマー樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、アイオノマー樹脂などの液状の樹脂材料を塗布することにより形成され得る。例えばポリイミド樹脂は、前駆体溶液を塗布し、加熱処理を行って樹脂フィルムを形成させる場合、その加熱処理の際の昇温のプロファイルなどの条件により、線膨張係数を調整することができるので好ましいが、これらには限定されない。シート状になったフィルムがサポート基板36に貼り付けられてもよい。液状の樹脂材料を塗布して樹脂フィルム11が作製される場合には、例えばスリットコート、又はスピンコートなどの方法により均一な塗布膜が形成され得る。樹脂フィルム11の厚さは数μm~数十μm程度、例えば5μm程度に形成される。液状の樹脂材料が塗布されて樹脂フィルム11が形成される場合には、例えば400℃以上であって500℃以下程度に加温される。その加熱条件により、樹脂フィルム11の線膨張係数が調整され得る。サポート基板36としては、例えば表面が平坦なガラス基板などが用いられ得る。この樹脂フィルム11は、蒸着マスク10として使用される際の被蒸着基板の線膨張係数に近いことが好ましい。
 次に、図2Bに示されるように、樹脂フィルム11上にシード層12aが0.05μm以上であって0.5μm以下程度の厚さに、例えば無電解めっきにより形成され、そのシード層12aに電流を流して電解めっきにより金属膜12bが形成される。この金属膜12bは、次の工程でパターニングされることで、金属支持層12として樹脂フィルム11の反りなどを防止するためのものである。金属膜12bは、例えばFe、Ni、Fe-Ni合金、インバーなどの20μm以上であって60μm以下程度の金属材料が用いられる。磁性体であれば、被蒸着基板に固定する際に磁力で固着することができるので好ましい。しかし、この金属支持層12は無くても構わないし、金属支持層12が設けられる場合でも、電解めっきにより形成される必要はない。スパッタリングや真空蒸着などにより金属膜12bが形成されてもよいし、金属箔により形成されてもよい。また、金属膜12bがめっき法により形成される場合でも、シード層12aが無電解めっきにより形成される必要もない。スパッタリングや真空蒸着などによりシード層12aが形成されてもよい。
 次に、金属膜12b及びシード層12aがパターニングされて、樹脂フィルム11の開口部11aの形成領域を少なくとも逃げるように、開口部11aより若干大きい開口孔12cが形成される。この開口孔12cは、例えば図示しないレジスト膜が形成され、等方エッチングが施されることにより、図示されるようなテーパ状の開口孔12cになる。テーパ状に形成される理由は、次のとおりである。すなわち、図8Aに示されるように、有機材料54は、蒸着源60から一定の角度θ(蒸着角度)を有するラッパ状の束(蒸着ビームという)になって飛来する。この蒸着ビームの側縁の蒸着粒子でも、遮断されないで、被蒸着基板に到達するようにするためである。厳密に言えば、図8Aのθを蒸着角度とすると、マスクのテーパ角度(テーパの底面とのなす鋭角)は、蒸着角度θ以下であることが好ましい。もっとも、開口孔12cが樹脂フィルム11の開口部11aより充分に大きい場合には、テーパ角度はあまり問題にならない。この開口孔12cは、図2Bの工程で、この開口孔12cの部分にレジスト膜が設けられ、電解めっきが行われないようにしたり、リフトオフ法によりスパッタリングなどがされたりすることにより、このようなエッチングをすることなく形成される。この金属支持層12は、樹脂フィルム11の開口部11aの周囲の全面に形成されてもよいが、開口部11aの周囲にポスト状に形成されてもよい。また、スリット状に形成されてもよい。
 次に、樹脂フィルム11がサポート基板36から剥離され、図2Dに示されるように、樹脂フィルム11が伸張されてフレーム13に固定されることにより、樹脂フィルム組立体10aが得られる。この樹脂フィルム11の伸張は、樹脂フィルム11に弛みがあると、開口部11aが形成されたときに開口部11aの大きさが正確でなくなるからである。従って、樹脂フィルム11が常に張られた状態にあれば、必ずしもこの伸張の工程が設けられる必要はなく、フレームに取り付けられてもよい。フレーム(枠体)13は、例えば張力(テンション)が掛けられる場合には、その張力に耐え得る剛性が要求され、厚さが25mm以上であって50mm以下の金属板が用いられるが、その必要がないときは、フレーム13が無くても構わない。しかし、フレーム13がある方が容易に取り扱えるので好ましい。このフレーム13は、金属支持層12がある場合には、伸張した状態で金属支持層12とレーザ溶接などにより固定される。金属支持層12がない場合には、樹脂フィルム11に直接接着剤などにより接着されてもよい。この場合、蒸着時にガスを発生しない接着剤が用いられる。例えば、接着剤としてはエポキシ樹脂のような完全硬化型の接着剤が好ましい。殆どテンションを掛けない(伸張しない)場合でも、ある程度の機械的強度と取扱いの観点から、例えば10mm以上であって30mm以下程度の厚さの金属板、又はプラスチック板などからなるフレーム13が設けられることが好ましい。このフレーム13が磁性を有する金属板であれば、金属支持層12が無くてもマグネットを用いて被蒸着基板に固定しやすい。
 次に、図2Eに示されるように、この樹脂フィルム11が加工ステージ35に固定される。この際、樹脂フィルム11と加工ステージ35との間に、密着層20と反射膜30とが介在される。前述のように、密着層20は無くても構わないが、樹脂フィルム11と反射膜30との間に空気層が介在しない方が好ましいので挿入されている。そのため、密着層20は樹脂フィルム11と密着し、さらに反射膜30とも密着していることが好ましい。例えば図5に示されるような加工ステージ35上に、Al23とSiO2との多層膜又は金属シートからなる反射膜30が形成され、その上に例えば液状又はフィルム状の樹脂膜が密着層20として形成され、その上に図2Dに示される樹脂フィルム組立体10a(又は図示されていないが、伸張してフレームに固定された樹脂フィルム組立体)の樹脂フィルム11側が密着層20に接着するように設けられることにより、マスク部材10bが形成されてもよい。しかし、完全に密着している必要はなく、例えばPVAC、PVPなどからなる密着層20に重ね合せて樹脂フィルム組立体10aが設けられてもよく、また、樹脂フィルム11を侵食することなく密着層20と分離できる溶解性の接着剤により接着されてもよい。このように加工ステージ35に反射膜30が形成されることにより、密着層20さえ変えれば、樹脂フィルム11は加工後取り換えられても、反射層30は半永久的に使用することができ、コスト上昇にはならない。
 又は図2Dに示される樹脂フィルム組立体10a(金属支持層12は無くてもよい)の樹脂フィルム11の裏面(金属支持層12が形成されている面と反対面)に直接、密着層20がCVD法や真空蒸着などにより形成され、一方、前述の加工ステージ35上に反射膜30が形成され、その反射膜30上に、密着層20が形成された樹脂フィルム組立体10aが固着されてもよい。この場合、樹脂フィルム11に損傷を与えることなく樹脂フィルム11と分離できる材料であれば、密着層20が、SiO2やSi34などの無機誘電体膜をCVD法などにより形成されてもよい。これにより、蒸着マスク用のマスク部材10bが得られる。なお、密着層20も加工ステージ35上の反射膜30の表面に形成され、樹脂フィルム11には密着層20が形成されなくてもよい。また、反射膜30も、前述の誘電体多層膜32で密着層20上に形成されてもよいが、樹脂フィルム11の加工後に密着層20と共に、その都度反射膜30も廃棄されることになるので、コスト的に難がある。換言すると、マスク部材10bは、加工ステージ35と接着していても構わない。また、マスク部材10bの反射膜30側は、適当な加工ステージ30に接着剤などにより固定されてもよい。
 又は、密着層20としてエタノールなどの液体層が用いられる場合には、例えば前述の加工ステージ35上に反射膜30が形成され、その上にエタノールなどの液体層が形成され、その上に樹脂フィルム組立体10aが載置されてもよい。
 次に、図2Fに示されるように、樹脂フィルム11に開口部11aが形成される。この開口部11aの形成は、例えば図7Aに示されるように、その表面側(加工ステージ35側と反対側)から所望の開口部41aのパターンを有するレーザ用マスク41と光学レンズ42を介してレーザ光が照射されることにより、レーザ用マスク41の開口部41aのパターンが縮小して転写される。このレーザ光照射装置と樹脂フィルム11とが相対的にステッパにより移動して、大きな樹脂フィルム11に開口部11aのパターンが順次形成される。光学レンズ42は必ずしも必要ではないが、加工面の照射エネルギー密度を高くする際に有効である。この場合、光学レンズ42は、レーザ用マスク41よりもレーザ光の進行方向の下流側(樹脂フィルム11側)に配置され、レーザ光を集光させる。例えば、10倍の光学レンズ42が使用された場合は、エネルギー密度は100倍になるが、レーザ用マスク41の転写パターンの一辺は10分の1のスケールとなる。このレーザ光の照射により、レーザ用マスク41の開口部41aを透過したレーザ光が樹脂フィルム11の一部を昇華させる。その結果、レーザ光が照射されたレーザ用マスク41の開口部41aのパターンに合せて、そのパターンと同じ、あるいは縮小された開口部11aの微細パターンが樹脂フィルム11に形成される。この際、本発明では、樹脂フィルム11のレーザ光源と反対側に反射膜30が設けられている(図7Aでは省略されている)ので、樹脂フィルム11の一部が昇華して薄くなった部分で樹脂フィルム11を透過したレーザ光は反射膜30により反射して再度樹脂フィルム11の方に戻る。その結果、前述のように、樹脂フィルム11の裏面側からも昇華が進み、樹脂フィルム11の裏面側に樹脂の一部が残ってバリとなることが防止される。
 前述のように、10倍の光学レンズ42が用いられると、図7Dに示されるように、レーザ光源からの平行光がレーザ用マスク41を通って光学レンズ(凸レンズ)42を通り、樹脂フィルム11上に1/10に収縮されて照射される。このレーザ光の中心部の光は、殆ど樹脂フィルム11に垂直に(入射角がほぼ0で)入射するが、一番端の光線は入射角αが大きくなる。今、この一番入射角が大きくなる端の光線の入射角αを求める。このときの光学レンズ42と樹脂フィルム11との距離をa、収束したレーザ光の結像の一辺をb、光学レンズ42に入る前のレーザ光の一辺をcとし、1/10に収束するとした場合、b=4mm、a=30mmとすると、c=10b=40mmであるので、tanα=(c/2-b/2)/a=18/30=0.6となる。従って、α=31°となる。これは、一番外側の光線の入射角であり、それより中心側はこの入射角より小さくなる。しかも、樹脂フィルム11に入ると、樹脂フィルム11の屈折率nは空気の屈折率のほぼ1より大きいため、樹脂フィルムに対して、より垂直方向に近い方向の光となる。すなわち、スネルの法則により屈折角β(図7E参照)はsinβ=sinα/nとなり、樹脂フィルムの屈折率nを1.5とすると、sinβ=sin31°/1.5。従って、βは約20°となる。なお、密着層20に樹脂フィルム11よりも屈折率の大きい材料が用いられれば、さらに入射角は小さくなり、逆に密着層20として屈折率が樹脂フィルム11よりも小さい材料が用いられると、入射角、すなわち反射角は大きくなって、離れた位置に反射光が届くことになる。また、密着層20の厚さが厚くなるほど樹脂フィルム11の面で入射光の位置と反射光の戻る位置との距離dが大きくなる。
 この斜め入射による反射光の樹脂フィルム11への到達点のずれについて考察する。密着層20の屈折率も便宜上樹脂フィルム11の屈折率と同じであると仮定し、便宜上樹脂フィルム11と密着層20の合計の厚さを10μmと仮定する(実際にはそれより小さい)。そうすると、図7Eに示されるように、反射膜30で反射する反射光の反射角は屈折角βと同じであり、入射光と反射光の位置の距離dは、d=20tanβ=7.28となる。すなわち例えば30μm程度の開口部であるとすると(前述の樹脂フィルム11上に結像する4mm角内に30μm角の開口が30μm間隔で形成されるとすると)、30μm程度の開口部に対して7.28μm程度ずれた位置に、反射光による再照射がなされることになる。この位置ずれは入射角が最大のときであり、実際にはこれより小さい入射角になるので、位置ずれはもっと小さくなる。従って、大部分は入射角がほぼ0に近い状態で入射し、反射光はそれ程拡がらない位置に戻ると考えられる。反射光がわずかにずれることは、裏面側からの再照射にさらに有利になる。すなわち、樹脂残りの生じる原因がレーザ光の中で弱い部分があることに起因していると考えられ、真上に反射すると、その弱いレーザ光がそのまま反射して再照射することになるが、斜めから反射してくることにより、強いレーザ光が再照射されることになるからである。
 しかし、図7Fに示されるように、光学レンズ42と樹脂フィルム11との間にコリメートレンズ45が挿入されることによりほぼ平行光線にして樹脂フィルム11に入射させて反射膜30により反射させることもできる。このように入射角が0になるようにすることにより、密着層20の屈折率に関係なく、樹脂フィルムと平行であれば、層間に空気層が介在しても、常に真上に反射させることができる。図7Fでコリメートレンズ45以外は図7Dと同じであり、その説明は省略される。
 レーザ光照射の条件は、加工される樹脂フィルム11の材料、厚さ、加工される開口部11aの大きさや形状などにより異なるが、一般的には、レーザ光のパルス周波数が、1Hz以上であって60Hz以下であり、パルス幅が1ナノ秒(nsec)以上であって15ナノ秒以下であり、1パルス当たりの照射面におけるレーザ光のエネルギー密度が0.01J/cm2以上であって1J/cm2以下の条件で行われる。
 有機EL表示装置の有機層を蒸着する際の蒸着マスク10とするため、例えば30μm角の開口が30μm程度の間隔でマトリクス状に形成される場合、波長が355nm(YAGレーザの3倍波)のレーザ光が、60Hzのパルス周波数、パルス幅が数nsec以上であって20nsec以下、照射面でのレーザ光のエネルギー密度が1パルス当たり0.25J/cm2以上であって0.45J/cm2以下、ショット数(照射するパルスの数)が50以上であって200以下の条件で、ポリイミドからなる樹脂フィルム11に照射される。
 しかし、照射されるレーザ光は、YAGレーザには限定されない。樹脂が吸収し得る波長のレーザであればよい。従って、エキシマレーザ、He-Cdレーザなど、他のレーザ光が用いられてもよい。勿論、レーザ光源が変ったり、樹脂材料が変ったりすると、照射条件が変ることは言うまでもない。前述の例で、開口部のパターンを形成するのに、100ショットの照射が行われたが、10μm厚のポリイミド膜に100ショットぐらいで貫通孔が開く。
 なお、図2F及びこれ以降の図においても、開口部11aがテーパ状に形成されていることを誇張して示しているため、開口部11aの大きさ(密着層20側の大きさ)が小さくなっているが、本来は開口部11aの一辺の長さと開口部11a間の距離とは同じくらいの寸法になっている。開口部11aがテーパ状に形成される理由は、前述の金属支持層12の開口孔12cがテーパ状に形成される理由と同じであるが、蒸着源から放射される蒸着材料が蒸着源のるつぼの形状により定まる一定の角度の断面形状が扇状の蒸着ビームになるため、そのビームの側縁の蒸着粒子でも遮られることなく、被蒸着基板の所望の場所に被着するようにするためである。図2Fに示される例では、その遮断を、より確実になくするため、開口部11aが2段に形成されている。この2段に形成するには、2回に分けてレーザ光を照射することにより行われる。例えば初めは所望の開口部より大きい面積で樹脂フィルム11の厚さの半分程度の厚さまで昇華させる。次に、所望の開口部の大きさのレーザ用マスク41を用いてレーザ光が照射されることにより2段に形成される。また、テーパ形状にするには、レーザ用マスク41が、その開口部41aの中心部と周縁部とでレーザ光の透過率を異ならせることにより得られる。
 すなわち、前述のレーザ用マスク41は、例えば次のように形成されている。図7Bに示されるように、石英ガラス板などのレーザ光を透過させる透明基板に、クロムなどの遮光薄膜41bが形成される。そして、その後、その遮光薄膜41bがパターニングされることにより開口部41aが形成されている。そのため、この遮光薄膜41bが、例えば図7Cに概念的に示されるように、スポット的に形成されることにより透過率が変えられ得る。図7Cでは、開口部41aが第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3と便宜的に区切って描かれているがそのような区分はしなくてよい。そして、この第1部分41a1は、遮光薄膜41bが全く形成されていないので、100%透過する。第2部分41a2は、遮光薄膜41bがまばらに形成され、その面積が20%程度に形成されている。その結果、この第2部分41a2は、透過率が80%になる。さらに、第3部分41a3は、遮光薄膜41bの量が面積的に50%程度になるように形成されている。その結果、この第3部分41a3の透過率は50%程度になる。この周端縁に向かっての透過率の変化が急激になるようにレーザ用マスク41が形成されることにより、開口部11aのテーパ角度は大きくなり、透過率の変化が緩やかになるように形成されることにより、開口部13のテーパ角度は小さくなり、先細りになる。
 この例では、説明を分かりやすくするため、第1部分41a1、第2部分41a2、第3部分41a3に分割して説明し、遮光薄膜41bが分散して形成された図になっているが、実際には、レーザ光の転写分解能が2μm程度であるため、例えば2μm角が縦横5等分され、全部で25個のセグメントの一部に遮光薄膜41bが形成されることにより、レーザ光の透過率を調整することができる。この透過率が連続的に周縁に行くほど小さくなるようにすることにより、テーパ状の開口部11aが形成され得る。
 すなわち、前述の図7Cに示される方法、又は投影レンズ(光学レンズ42)などの調整により、レーザ光の透過率を開口部41aの周縁に行くほど徐々に低下させることにより、樹脂フィルム11に入射するレーザ光が弱くなり、樹脂フィルム11を昇華させる力が弱くなる。その結果、表面側から除去される量は周縁で弱くなり、テーパ状の開口部11aが形成される。
 その後、図2Gに示されるように、密着層20、反射膜30及び加工ステージ35が除去されることにより、蒸着マスク10が得られる。密着層20及び反射膜30が加工ステージ35に押し付けられて圧接されている場合には、樹脂フィルム11に固定されているフレーム13を引っ張るだけで加工ステージ35から分離される。また、密着層20の除去は、密着層20が例えばレジスト材料からなる場合には、アッシャーなどにより有機物を灰化処理するか、又はレジスト剥離液に浸漬することにより、樹脂フィルム11の損傷を与えることなく分離される。また、酸化シリコン膜などの無機誘電体膜からなる場合には、樹脂フィルムを侵食しない希フッ酸などのエッチング液を用いることにより、密着層20が溶解除去される。その結果、蒸着マスク10と密着層20などとが容易に分離され、蒸着マスク10が得られる。その後、例えば関東化学社製の有機膜洗浄液OEL Clean-01を用いて、超音波槽により80kHzの周波数でパワーが0.5W/cm2で10分間洗浄して清浄にした。
 以上の方法で、密着層20としてPVACを用い、反射膜30として前述の誘電体多層反射膜(実施例1)及び前述の金属シート(実施例2)を用いて製造された蒸着マスク10の2016個の開口部についてのバリの数が樹脂フィルム11の裏面(金属支持層12が形成された面と反対面)側から顕微鏡で観測された。この観測は、6×8個のスロット(開口部)を1ブロックとして、42ブロックを撮影した。その結果を、従来の図10に示される構造で、保護層としてポリビニルアルコール(PVA)(比較例1)と、エタノール(比較例2)が用いられた場合の同じ方法で数えたバリの数と比較して表1にまとめた。また、同様の構成で、金属支持層12側から観測した場合のバリの数を表2にまとめた。樹脂フィルム11側から観察した場合と金属支持層12側から観察した場合とでバリの数が異なるのは、レーザ加工の際に飛散した異物が付着し、洗浄しても取りきれず残るものがあるからである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表1及び表2から明らかなように、反射膜30が設けられることにより、バリの発生状況が従来よりも約1桁向上していることが分る。また、この実施例1の樹脂フィルム11の裏面側からの面状態の写真が図6に示されている。この写真からも、前述の図9B~9Cに示される面状態とは明らかに異なり、バリや異物は殆ど残っていないことが分る。なお、この写真では、後述される図4Aに示されるレーザ痕11b(図4A参照)が見にくいが、レーザ痕11bの深さが0.3μm程度以下(0.1μm程度)と非常に浅い傷であるため、写真には現れにくいためである。
 このように、本発明によれば、樹脂フィルム11に開口部11aが形成される際に、樹脂フィルム11の裏面側に反射膜30が設けられているので、反射光による樹脂フィルム11の昇華にも寄与することができる。その結果、樹脂フィルム11の裏面側に残りやすい樹脂のバリを有効に除去することができる。しかも、レーザ光の反射光を利用しているため、裏面側からも別個の光源によるレーザ光を照射するのと異なり、開口部11aの形成による樹脂フィルム11の一部の樹脂の昇華と共に、反射光が強くなる。すなわち、樹脂フィルム11が昇華したり飛散したりすると、レーザ光の透過光が大きくなり、反射光も大きくなる。その結果、表面側の樹脂が減った状態で樹脂フィルム11の裏面側からレーザ光が照射されることになり、表面側から昇華した樹脂が放出されやすくなる。換言すると、樹脂フィルム11の表面が殆ど消失していない状態で樹脂フィルム11の裏面にレーザ光が照射されても、表面側から樹脂を昇華させることはできないが、本発明では、表面側の樹脂が消失していないときは、樹脂フィルム11により表面側から照射されたレーザ光は殆ど吸収されてしまい、反射膜30まで至らないため、反射光も生じない。すなわち、必要なタイミングのみで樹脂フィルム11の裏面側がレーザ光の照射に晒される。そのため、不必要なバリの除去が効果的に行われる。
 次に、図3A~3Dを参照して、本発明の蒸着マスクの製造方法の他の実施形態について説明がされる。この例は、成膜順序が前述の例と逆になっている。すなわち、図3Aに示されるように、金属支持層12とする金属箔12dに樹脂フィルム11が形成される。この樹脂フィルム11は、前述の例と同様に、液状の樹脂を塗布して加熱することにより固形化してもよいし、固化したフィルムシートが金属箔12dに貼り付けられてもよい。この方法によれば、めっきをすることなく、短時間で樹脂フィルム11と金属膜12dの接合体が得られる。
 次に、図3Bに示されるように、金属箔12dがパターニングされ、樹脂フィルム11が伸張されてフレーム13に固定される。この金属箔12dのパターニングの理由、樹脂フィルム11を伸張する理由及びフレーム13の材料なども前述の例と同じである。
 次に、図3Cに示されるように、樹脂フィルム11上に密着層20が形成される。この密着層20も前述の例と同様に、樹脂フィルム11と容易に剥離することができる無機誘電体膜などをCVD法などにより形成される。
 その後、図3Dに示されるように、反射膜30がCVD法などにより形成される。この反射膜30も前述の図5に示される構造に形成され得るが、多層膜32(図5参照)が先に形成され、その後にアルミニウム単結晶膜31が形成される。その結果、図3Dに示される蒸着マスク10用のマスク部材10bが得られる。なお、この例の場合でも、前述のように、図3Bに示される状態又は図3Cに示される状態で、予め加工ステージ35上に形成された反射膜30又は密着層20上に重ね合せてマスク部材10bとすることができる。
 その後は、前述の図2Eに示されるように、マスク部材10bの反射膜30側が加工ステージ35に固定される。この固定は、接着剤により接着されてもよいし、他の方法で動かない程度に固定されてもよい。その後は、図2F~2Gに示されるように、レーザ光により開口部11aのパターンが形成され、さらに密着層20の除去により樹脂フィルム11と加工ステージ40などとが分離されることにより、蒸着マスク10が得られる。
 図4Aは、上記製造方法により製造された蒸着マスク10の断面図である。図2Gに示される構造とほぼ同じであるが、図2Gに示される構造よりさらに正確に示されている。すなわち、本発明の蒸着マスク10は、前述のように、樹脂フィルム11のレーザ光源側と反対側に反射膜30(図2F参照)が設けられている。そのため、レーザ光源から照射されて樹脂フィルム11を透過したレーザ光は、反射膜30により反射して開口部11a内に残存する樹脂で吸収され、残存した樹脂の昇華に寄与する。しかし、前述のように、樹脂フィルム11に垂直に入射した(入射角が0の)レーザ光はほぼ真上に反射してくるが、レーザ光の中には入射角が0ではなく、ある角度をもって入射するレーザ光もある。その場合、反射膜30で反射する反射光は斜め方向に反射し、開口部形成領域外に反射するレーザ光も存在する。そういうレーザ光は、樹脂フィルム11の裏面で開口部形成領域以外の場所を照射することになる。そのため、樹脂フィルム11の裏面にレーザ光の照射跡であるレーザ痕11bが形成される。しかし、このレーザ痕11bの深さは、0.1μm程度、深くても0.5μm以下、すなわち0.1μm以上であって0.5μm以下程度であり、5μm以上ある樹脂フィルムの機械的強度に何ら影響を及ぼさない。また、レーザ光源からのレーザ光の入射角は、前述のように、30°程度以下で、屈折率の大きい樹脂フィルムに入る屈折角は20°程度以下となり、密着層20の屈折率が樹脂フィルム11の屈折率より大きければ、屈折角はさらに小さくなり、反射角も小さくなるため、反射光も狭い範囲に限定される。すなわち、反射膜30による反射光もそれ程拡がらないで、開口部11a周辺にレーザ痕が形成される。
 このレーザ痕11bは、前述のように、樹脂フィルム11の機械的強度を弱めることはなく、むしろ表面の凹凸による表面積の増大に伴い、熱輻射に寄与するという効果をもたらす。すなわち、蒸着マスク10が使用される場合、図4Aに示される蒸着マスクの下側、すなわち樹脂フィルム11の裏面側が被蒸着基板に固定され、金属支持層12側が蒸着源であるるつぼなどと対面して蒸着材料が飛来する。そのため、蒸着マスク10は、蒸着源からの熱輻射を受け、非常に温度が上昇する。蒸着マスク10の温度が上昇すると、樹脂フィルムも膨張し、開口部11aも大きくなる。その結果、予定された蒸着材料の被着面積が大きくなり、有機EL表示装置を製造する場合、画素の大小が生じ、ディスプレイの表示品位を低下させることになる。従って、蒸着マスクの温度はできるだけ上昇しないようにすることが望まれる。この観点から蒸着マスク10の蒸着源と対向する面、すなわち、図4Aの上側は、蒸着源からの熱を吸収しないように、鏡面で輻射率の小さいことが好ましい。しかし、その反対面は、むしろ吸収した熱を放散することが好ましく、輻射率が大きい方が好ましい。そのため、レーザ痕11bにより表面が凹凸になることは、熱放散に寄与する。
 この熱放散への寄与という観点からは、図4Bに示されるように、樹脂フィルム11の裏面に輻射率の大きい高輻射率膜14が被覆されることにより、より一層熱放散に寄与する。高輻射率膜14としては、例えばAl23、AlTiN又はグラファイトがスパッタリング、真空蒸着、CVD法などにより、数百nm程度の厚さに形成される。特に、スパッタリング法により形成されることにより、樹脂フィルム11と密着性よく形成されるので、熱輻射に寄与する。また、高輻射率膜14は非常に薄いため、樹脂フィルム11の裏面に形成されたレーザ痕11bは、そのまま高輻射率膜14の表面に現れて凹凸14bが形成される。
 次に、このようにして製造された樹脂フィルムを有する蒸着マスク10を用いて有機EL表示装置を製造する方法が説明される。蒸着マスク10以外の製造方法は、周知の方法で行えるので、蒸着マスク10を用いた有機層の積層方法が主として、図8A~8Bを参照しながら説明される。
 本発明の有機EL表示装置の製造方法は、図示しない支持基板上に図示しないTFT、平坦化膜及び第1電極(例えば陽極)52が形成された装置基板51上に前述の方法により製造された蒸着マスク10を位置合せして重ね合せ、有機材料54が蒸着されることにより有機層の積層膜55が形成される。そして、積層膜55上に第2電極56(陰極)が形成される。
 装置基板51は、図示されていないが、例えばガラス板などの支持基板に、各画素のRGBサブ画素ごとにTFTなどのスイッチ素子が形成され、そのスイッチ素子に接続された第1電極52が、平坦化膜上に、AgあるいはAPCなどの金属膜と、ITO膜との組み合わせにより形成されている。サブ画素間には、図8A~8Bに示されるように、サブ画素間を区分するSiO2又はプラスチックなどからなる絶縁バンク53が形成されている。このような装置基板51の絶縁バンク53上に、前述の蒸着マスク10が位置合せして固定される。この固定は、例えば装置基板の反対側に設けられるマグネットなどにより、吸着することにより固定される。なお、蒸着マスク10の開口部11aは、絶縁バンク53の表面の間隔よりも小さく形成されている。絶縁バンク53の側壁には有機材料ができるだけ被着しないようにし、発光効率の低下の防止が図られている。
 この状態で、図8Aに示されるように、蒸着装置内で蒸着源(るつぼ)60から有機材料54が放射され、蒸着マスク10の開口部分のみに有機材料54が蒸着され、所望のサブ画素の第1電極52上に有機層の積層膜55が形成される。前述のように、蒸着マスク10の開口部11aは、絶縁バンク53の表面の間隔より小さく形成されているので、絶縁バンク53の側壁には有機材料54は堆積されにくくなっている。その結果、図8A~8Bに示されるように、ほぼ、第1電極52上のみに有機層の積層膜55が堆積される。この蒸着工程が、順次蒸着マスクが変えられ、各サブ画素に行われる。複数のサブ画素に同時に同じ材料が蒸着される蒸着マスクが用いられる場合もある。
 図8A~8Bでは、有機層の積層膜55が簡単に1層で示されているが、実際には、有機層の積層膜55は、異なる材料からなる複数層の積層膜で形成される。例えば陽極52に接する層として、正孔の注入性を向上させるイオン化エネルギーの整合性の良い材料からなる正孔注入層が設けられる場合がある。この正孔注入層上に、正孔の安定な輸送を向上させると共に、発光層への電子の閉じ込め(エネルギー障壁)が可能な正孔輸送層が、例えばアミン系材料により形成される。さらに、その上に発光波長に応じて選択される発光層が、例えば赤色、緑色に対してはAlq3に赤色又は緑色の有機物蛍光材料をドーピングして形成される。また、青色系の材料としては、DSA系の有機材料が用いられる。発光層の上には、さらに電子の注入性を向上させると共に、電子を安定に輸送する電子輸送層が、Alq3などにより形成される。これらの各層がそれぞれ数十nm程度ずつ積層されることにより有機層の積層膜55が形成されている。なお、この有機層と金属電極との間にLiFやLiqなどの電子の注入性を向上させる電子注入層が設けられることもある。
 有機層の積層膜55のうち、発光層は、RGBの各色に応じた材料の有機層が堆積される。また、正孔輸送層、電子輸送層などは、発光性能を重視すれば、発光層に適した材料で別々に堆積されることが好ましい。しかし、材料コストの面を勘案して、RGBの2色又は3色に共通して同じ材料で積層される場合もある。2色以上のサブ画素で共通する材料が積層される場合には、共通するサブ画素に開口が形成された蒸着マスクが形成される。個々のサブ画素で蒸着層が異なる場合には、例えばRのサブ画素で1つの蒸着マスク10を用いて、各有機層を連続して蒸着することができるし、RGBで共通の有機層が堆積される場合には、その共通層の下側まで、各サブ画素の有機層の蒸着がなされ、共通の有機層のところで、RGBに開口が形成された蒸着マスクを用いて一度に全画素の有機層の蒸着がなされる。
 そして、全ての有機層の積層膜55及びLiF層などの電子注入層の形成が終了したら、蒸着マスク10は除去され、第2電極(例えば陰極)56が全面に形成される。図8Bに示される例は、トップエミッション型で、上側から光を出す方式になっているので、第2電極56は透光性の材料、例えば、薄膜のMg-Ag共晶膜により形成される。その他にAlなどが用いられ得る。なお、装置基板51側から光が放射されるボトムエミッション型の場合には、第1電極52にITO、In34などが用いられ、第2電極としては、仕事関数の小さい金属、例えばMg、K、Li、Alなどが用いられ得る。この第2電極56の表面には、例えばSi34などからなる保護膜57が形成される。なお、この全体は、図示しないガラス、樹脂フィルムなどからなるシール層により封止され、有機層の積層膜55が水分を吸収しないように構成される。また、有機層はできるだけ共通化し、その表面側にカラーフィルタを設ける構造にすることもできる。
 10  蒸着マスク
 10a 樹脂フィルム組立体
 10b マスク部材
 11  樹脂フィルム
 11a 開口部
 11b レーザ痕
 12  金属支持層
 12a シード層
 12b 金属膜
 12c 開口孔
 13  フレーム
 14  高輻射率膜
 14b 凹凸
 20  密着層
 30  反射膜
 31  アルミニウム単結晶層
 32  多層膜
 35  加工ステージ
 36  サポート基板
 41  レーザ用マスク
 41a 開口部
 41b 遮光薄膜
 42  光学レンズ
 45  コリメートレンズ
 51  装置基板
 52  第1電極
 53  バンク
 54  有機材料
 55  有機層の積層膜
 56  第2電極
 57  保護膜

Claims (14)

  1. 開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクの製造方法であって、
    前記樹脂フィルムの一方側に、前記開口部のパターンを形成するためのレーザ光の照射源を配置し、
    前記樹脂フィルムの他方側に、前記レーザ光の照射源から照射されるレーザ光の波長の光を反射させる反射膜を設け、
    前記反射膜により反射されるレーザ光を前記樹脂フィルムの開口部のパターン形成に利用する
    ことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
  2. 前記反射膜を、誘電体多層膜、又はアルミニウム膜及び銀膜からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属膜、又は前記金属膜と誘電体多層膜との積層により形成する請求項1記載の蒸着マスクの製造方法。
  3. 前記樹脂フィルムの前記反射膜側に密着層を前記樹脂フィルムに密着させて設け、前記密着層に密着して前記反射膜を形成する請求項1又は2記載の蒸着マスクの製造方法。
  4. 前記密着層を、前記レーザ光の波長に対して、透過率が80%以上の材料により形成する請求項3記載の蒸着マスクの製造方法。
  5. 加工ステージ上に前記反射膜を形成し、前記反射膜上に前記密着層を形成し、前記密着層上に前記樹脂フィルムを密着させ、前記樹脂フィルムの前記加工ステージと反対側からレーザ光を照射することにより前記樹脂フィルムに前記開口部のパターンを形成する請求項3又は4記載の蒸着マスクの製造方法。
  6. 前記樹脂フィルムの一面に前記密着層を形成し、前記密着層の前記樹脂フィルムと反対面に前記反射膜を形成し、前記反射膜側を加工ステージに固定して、前記樹脂フィルムの露出面側からレーザ光を照射することにより前記樹脂フィルムに開口部のパターンを形成する請求項3又は4記載の蒸着マスクの製造方法。
  7. 前記樹脂フィルムの前記密着層が設けられた面と反対側の面に前記樹脂フィルムを支持し、前記開口部のパターンの部分を逃げた金属支持層を形成する請求項5又は6記載の蒸着マスクの製造方法。
  8. 金属箔上に液状樹脂を塗布して焼成することにより樹脂フィルムを形成し、前記金属箔に開口部を設け、前記樹脂フィルムの前記金属箔と反対側の面に密着層を形成し、前記密着層の前記樹脂フィルムと反対側の面に前記反射膜を形成し、その後に前記金属箔側からレーザ光を照射することにより前記開口部のパターンを形成する請求項3又は4記載の蒸着マスクの製造方法。
  9. 開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクであって、
    蒸着の際に蒸着源側となる前記樹脂フィルムの一面と反対側の面である他面に、レーザ痕からなる凹部が形成されてなる蒸着マスク。
  10. 前記樹脂フィルムの前記一面側に、前記樹脂フィルムを支持する金属支持層が設けられてなる請求項9記載の蒸着マスク。
  11. 開口部のパターンが形成された樹脂フィルムを有する蒸着マスクとするためのマスク部材であって、
    樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの前記開口部のパターンを形成するためレーザ光が照射される側の一面と反対の他面側に設けられ、前記レーザ光の波長の光を反射する反射膜と、を有する蒸着マスク用のマスク部材。
  12. 前記樹脂フィルムの前記反射膜側に密着層が前記樹脂フィルムに密着して設けられ、前記密着層に前記反射膜が密着して形成されてなる請求項11記載のマスク部材。
  13. 前記樹脂フィルムの前記反射膜と反対側の前記一面に金属支持層が設けられてなる請求項11又は12記載のマスク部材。
  14. 装置基板上に有機層を積層して有機EL表示装置を製造する方法であって、
    支持基板上にTFT及び第1電極を形成した前記装置基板上に請求項1~8のいずれか1項に記載の製造方法により製造された蒸着マスクを位置合せして重ね合せ、有機材料を蒸着して有機層の積層膜を形成し、
    前記有機層の積層膜上に第2電極を形成する
    ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
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