JPH1158051A - 基板の貫通孔の形成方法 - Google Patents
基板の貫通孔の形成方法Info
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- JPH1158051A JPH1158051A JP9228401A JP22840197A JPH1158051A JP H1158051 A JPH1158051 A JP H1158051A JP 9228401 A JP9228401 A JP 9228401A JP 22840197 A JP22840197 A JP 22840197A JP H1158051 A JPH1158051 A JP H1158051A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光を用いて基板にストレート状の貫通
孔を容易に形成する方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板１０の裏面側に表面粗さＲａが
０．１μｍの銅箔１１を配置した状態でパルス状のレー
ザ光Ｌを照射した。レーザ光Ｌは焦点位置ｆが絶縁基板
１０の照射面よりも上方になるようにセットした。レー
ザ光Ｌが照射されると、絶縁基板１０の表面側から深さ
方向に向かって穴が形成されていき、ついにはレーザ光
は銅箔１１に到達して貫通孔１３（テーパ孔）が形成さ
れた。更に照射を続けると、レーザ光Ｌは銅箔１１によ
って反射されてテーパ孔の内周面に当たるため、テーパ
孔は裏面側から表面側に向かって徐々に拡径され、最終
的に貫通孔１３はストレート孔となった。
孔を容易に形成する方法を提供する。 【解決手段】 絶縁基板１０の裏面側に表面粗さＲａが
０．１μｍの銅箔１１を配置した状態でパルス状のレー
ザ光Ｌを照射した。レーザ光Ｌは焦点位置ｆが絶縁基板
１０の照射面よりも上方になるようにセットした。レー
ザ光Ｌが照射されると、絶縁基板１０の表面側から深さ
方向に向かって穴が形成されていき、ついにはレーザ光
は銅箔１１に到達して貫通孔１３（テーパ孔）が形成さ
れた。更に照射を続けると、レーザ光Ｌは銅箔１１によ
って反射されてテーパ孔の内周面に当たるため、テーパ
孔は裏面側から表面側に向かって徐々に拡径され、最終
的に貫通孔１３はストレート孔となった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプリント配
線板などに用いる基板の貫通穴の形成方法に関する。
線板などに用いる基板の貫通穴の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、プリント配線板における貫通
孔を形成する際の一手法として、ドリルによる穴あけが
行われている。しかし、近年、例えばＩＣ搭載配線基板
の縮小化、実装形態の変化に伴い、回路の細線化、回路
隙間の縮小化、回路の多層化即ち高密度化など（これら
を総称してファイン化という）が要求されているため、
プリント配線板における貫通孔の微細化が進み、その径
は例えば０．１ｍｍ以下であることが要求される場合が
ある。
孔を形成する際の一手法として、ドリルによる穴あけが
行われている。しかし、近年、例えばＩＣ搭載配線基板
の縮小化、実装形態の変化に伴い、回路の細線化、回路
隙間の縮小化、回路の多層化即ち高密度化など（これら
を総称してファイン化という）が要求されているため、
プリント配線板における貫通孔の微細化が進み、その径
は例えば０．１ｍｍ以下であることが要求される場合が
ある。
【０００３】このような貫通孔の微細化の要求を満たす
べく、特開昭６１−７４７９１号公報には、両面銅貼り
基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する方法におい
て、図６に示すように、基板５０のうち貫通孔を形成す
る箇所の両面の銅層５１、５１を予めエッチングで除去
し、次いでこの銅層５１、５１を除去した箇所にレーザ
光Ｌを照射して貫通孔を形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、径が０．０５ｍｍの貫通孔を形
成することも可能である。
べく、特開昭６１−７４７９１号公報には、両面銅貼り
基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する方法におい
て、図６に示すように、基板５０のうち貫通孔を形成す
る箇所の両面の銅層５１、５１を予めエッチングで除去
し、次いでこの銅層５１、５１を除去した箇所にレーザ
光Ｌを照射して貫通孔を形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、径が０．０５ｍｍの貫通孔を形
成することも可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開昭６１−７４７９１号公報の方法によって形成される
貫通孔は、深さが深くなるにつれて径が小さくなるテー
パ状の孔（以下テーパ孔と称する）になることが多かっ
た。このようなテーパ孔にめっきを施した場合、テーパ
孔のうち径の小さい開口のエッジ部のめっきは、このエ
ッジ部に応力がかかりやすいことから断線しやすい傾向
にあり、好ましくない。また、このテーパ孔を充填材で
充填し上下面を絶縁層で覆った場合、同様に径の小さい
開口のエッジ部に応力がかかりやすいことからここにク
ラックが発生しやすい傾向にあり、好ましくない。
開昭６１−７４７９１号公報の方法によって形成される
貫通孔は、深さが深くなるにつれて径が小さくなるテー
パ状の孔（以下テーパ孔と称する）になることが多かっ
た。このようなテーパ孔にめっきを施した場合、テーパ
孔のうち径の小さい開口のエッジ部のめっきは、このエ
ッジ部に応力がかかりやすいことから断線しやすい傾向
にあり、好ましくない。また、このテーパ孔を充填材で
充填し上下面を絶縁層で覆った場合、同様に径の小さい
開口のエッジ部に応力がかかりやすいことからここにク
ラックが発生しやすい傾向にあり、好ましくない。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、レーザ光を用いて基板にストレート状の貫通孔を容
易に形成する基板の貫通孔の形成方法を提供することを
目的とする。
り、レーザ光を用いて基板にストレート状の貫通孔を容
易に形成する基板の貫通孔の形成方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】上記課題
を解決するため、本発明の基板の貫通孔の形成方法は、
基板のうちレーザ光を照射する側とは反対側にレーザ光
を反射する反射材を配置し、その状態でレーザ光を照射
して貫通孔を形成することを特徴とする。
を解決するため、本発明の基板の貫通孔の形成方法は、
基板のうちレーザ光を照射する側とは反対側にレーザ光
を反射する反射材を配置し、その状態でレーザ光を照射
して貫通孔を形成することを特徴とする。
【０００７】一般にレーザ光を照射して基板に貫通孔を
形成する場合、その貫通孔はレーザ光を照射した側から
その反対側に向かって徐々に径が小さくなるようなテー
パ孔として形成される。また、レーザ光の焦点位置が加
工面である基板の表面（照射する側の面）に対して上方
にセットされたか下方にセットされたかにかかわらず、
このようなテーパ孔が形成される。
形成する場合、その貫通孔はレーザ光を照射した側から
その反対側に向かって徐々に径が小さくなるようなテー
パ孔として形成される。また、レーザ光の焦点位置が加
工面である基板の表面（照射する側の面）に対して上方
にセットされたか下方にセットされたかにかかわらず、
このようなテーパ孔が形成される。
【０００８】これに対して本発明では、基板のうちレー
ザ光を照射する側とは反対側にレーザ光を反射する反射
材を配置した状態でレーザ光を照射して貫通孔を形成す
るため、一旦貫通孔が上述のようなテーパ孔として形成
された後、今度はレーザ光が反射材によって反射され、
この反射光はテーパ孔のうち径の小さい側の方から徐々
に拡径するように加工していくため、貫通孔はストレー
ト状の孔として形成される。このように、本発明の基板
の貫通孔の形成方法によれば、レーザ光を用いて基板に
ストレート状の貫通孔を容易に形成することができる。
ザ光を照射する側とは反対側にレーザ光を反射する反射
材を配置した状態でレーザ光を照射して貫通孔を形成す
るため、一旦貫通孔が上述のようなテーパ孔として形成
された後、今度はレーザ光が反射材によって反射され、
この反射光はテーパ孔のうち径の小さい側の方から徐々
に拡径するように加工していくため、貫通孔はストレー
ト状の孔として形成される。このように、本発明の基板
の貫通孔の形成方法によれば、レーザ光を用いて基板に
ストレート状の貫通孔を容易に形成することができる。
【０００９】なお、基板は金属箔が貼り付けられていな
いものを用いてもよいが、両面又は片面に金属箔が貼り
付けられたものを用いてもよい。両面又は片面に金属箔
が貼り付けられた基板を用いる場合には、貫通孔を形成
する部分の金属箔を予めエッチングなどで除去しておく
ことが好ましい。また、レーザの種類は特に限定するも
のではなく、ＣＯ2 レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレ
ーザなどの周知のレーザを用いることができる。また、
レーザ光の照射時間は、反射光により貫通孔がストレー
ト状に形成された時を終点とすればよく、レーザ光の種
類や基板の種類などに応じて適宜選定する。また、反射
材としては各種金属板材を用いることができるが、銅板
はレーザ光を特に反射しやすいため好ましい。
いものを用いてもよいが、両面又は片面に金属箔が貼り
付けられたものを用いてもよい。両面又は片面に金属箔
が貼り付けられた基板を用いる場合には、貫通孔を形成
する部分の金属箔を予めエッチングなどで除去しておく
ことが好ましい。また、レーザの種類は特に限定するも
のではなく、ＣＯ2 レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレ
ーザなどの周知のレーザを用いることができる。また、
レーザ光の照射時間は、反射光により貫通孔がストレー
ト状に形成された時を終点とすればよく、レーザ光の種
類や基板の種類などに応じて適宜選定する。また、反射
材としては各種金属板材を用いることができるが、銅板
はレーザ光を特に反射しやすいため好ましい。
【００１０】本発明においては、レーザ光を照射して貫
通孔を形成する際、レーザ光の焦点位置を基板の表面と
一致させるか又はそれよりも上方にセットすることが好
ましい。この場合、貫通孔の開口周辺にバリが発生する
ことがないため好ましいのである。これに対して、レー
ザ光の焦点位置を基板の表面よりも下方にセットした場
合には貫通孔の開口周辺にバリが発生しやすい傾向にあ
るが、バリが発生したときにはそのバリを例えばドライ
エッチングなどで除去すれば特に問題はない。
通孔を形成する際、レーザ光の焦点位置を基板の表面と
一致させるか又はそれよりも上方にセットすることが好
ましい。この場合、貫通孔の開口周辺にバリが発生する
ことがないため好ましいのである。これに対して、レー
ザ光の焦点位置を基板の表面よりも下方にセットした場
合には貫通孔の開口周辺にバリが発生しやすい傾向にあ
るが、バリが発生したときにはそのバリを例えばドライ
エッチングなどで除去すれば特に問題はない。
【００１１】また、本発明においては、反射材は表面粗
さＲａが０．２μｍ以下であることが好ましい。この場
合、反射効率が高いため貫通孔をストレート状にするの
に要するビーム照射回数（パルスで表す）が少なくて済
み、作業時間が短縮化されるので好ましいのである。な
お、表面粗さは、例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１又はこれ
に準ずる方法により測定することができる。
さＲａが０．２μｍ以下であることが好ましい。この場
合、反射効率が高いため貫通孔をストレート状にするの
に要するビーム照射回数（パルスで表す）が少なくて済
み、作業時間が短縮化されるので好ましいのである。な
お、表面粗さは、例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１又はこれ
に準ずる方法により測定することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施例を
説明する。 ［実施例１］図１は実施例１の貫通孔の形成過程を縦断
面図で表した説明図である。
説明する。 ［実施例１］図１は実施例１の貫通孔の形成過程を縦断
面図で表した説明図である。
【００１３】ここでは絶縁基板１０にストレート孔であ
る貫通孔１３を形成したときの手順について説明する。
まず、厚さ０．８ｍｍの絶縁基板１０の裏面側に表面粗
さＲａが０．１μｍの銅箔１１（反射材）を配置した状
態で、図示しないＣＯ2 ガスレーザ光装置を用いてパル
ス状のレーザ光Ｌを照射した（図１（ａ）参照）。レー
ザ光Ｌは焦点位置ｆが絶縁基板１０の表面即ち照射面よ
りも上方になるようにセットした。レーザ光Ｌが照射さ
れると、絶縁基板１０の表面側から深さ方向に向かって
穴が形成されていき、ついにはレーザ光は銅箔１１に到
達した（図１（ｂ）参照）。このときの貫通孔１３は表
面側から裏面側にかけて徐々に径が小さくなるようなテ
ーパ孔である。更に照射を続けると、レーザ光Ｌは銅箔
１１によって反射されてテーパ孔の内周面に当たるた
め、テーパ孔は裏面側から表面側に向かって徐々に拡径
され、最終的に貫通孔１３はストレート孔となった（図
１（ｃ）参照）。なお、ストレート孔とは、図１（ｄ）
に示すように、貫通孔１３の内周面と絶縁基板１０の裏
面との成す角度θが９０度となる孔のことをいう。
る貫通孔１３を形成したときの手順について説明する。
まず、厚さ０．８ｍｍの絶縁基板１０の裏面側に表面粗
さＲａが０．１μｍの銅箔１１（反射材）を配置した状
態で、図示しないＣＯ2 ガスレーザ光装置を用いてパル
ス状のレーザ光Ｌを照射した（図１（ａ）参照）。レー
ザ光Ｌは焦点位置ｆが絶縁基板１０の表面即ち照射面よ
りも上方になるようにセットした。レーザ光Ｌが照射さ
れると、絶縁基板１０の表面側から深さ方向に向かって
穴が形成されていき、ついにはレーザ光は銅箔１１に到
達した（図１（ｂ）参照）。このときの貫通孔１３は表
面側から裏面側にかけて徐々に径が小さくなるようなテ
ーパ孔である。更に照射を続けると、レーザ光Ｌは銅箔
１１によって反射されてテーパ孔の内周面に当たるた
め、テーパ孔は裏面側から表面側に向かって徐々に拡径
され、最終的に貫通孔１３はストレート孔となった（図
１（ｃ）参照）。なお、ストレート孔とは、図１（ｄ）
に示すように、貫通孔１３の内周面と絶縁基板１０の裏
面との成す角度θが９０度となる孔のことをいう。
【００１４】なお、レーザ光は、出力が６０Ｗ、波長が
１０６４ｎｍのパルスを５０回つまり５０パルス照射し
た。このようにして、貫通孔１３をストレート孔として
容易にしかも短時間で形成することができた。また、本
実施例ではレーザ光Ｌの焦点位置ｆを絶縁基板１０の照
射面よりも上方にセットしたため、貫通孔１３の開口周
辺にバリが発生することもなかった。
１０６４ｎｍのパルスを５０回つまり５０パルス照射し
た。このようにして、貫通孔１３をストレート孔として
容易にしかも短時間で形成することができた。また、本
実施例ではレーザ光Ｌの焦点位置ｆを絶縁基板１０の照
射面よりも上方にセットしたため、貫通孔１３の開口周
辺にバリが発生することもなかった。
【００１５】［実施例２］実施例２では、表面粗さＲａ
が０．０１μｍの銅箔を反射材として用いた以外は、実
施例１と同様にして絶縁基板１０に貫通孔１３を形成し
た。この場合、貫通孔１３をストレート孔として容易に
しかも実施例１よりも短時間で形成することができた。
また、貫通孔１３の開口周辺にバリが発生することもな
かった。
が０．０１μｍの銅箔を反射材として用いた以外は、実
施例１と同様にして絶縁基板１０に貫通孔１３を形成し
た。この場合、貫通孔１３をストレート孔として容易に
しかも実施例１よりも短時間で形成することができた。
また、貫通孔１３の開口周辺にバリが発生することもな
かった。
【００１６】［実施例３］実施例３では、表面粗さＲａ
が０．０１μｍのアルミ箔を反射材として用いた以外
は、実施例１と同様にして絶縁基板１０に貫通孔１３を
形成した。この場合、貫通孔１３をストレート孔として
容易にしかも短い時間（但し実施例１よりも僅かに長
い）で形成することができた。また、貫通孔１３の開口
周辺にバリが発生することもなかった。
が０．０１μｍのアルミ箔を反射材として用いた以外
は、実施例１と同様にして絶縁基板１０に貫通孔１３を
形成した。この場合、貫通孔１３をストレート孔として
容易にしかも短い時間（但し実施例１よりも僅かに長
い）で形成することができた。また、貫通孔１３の開口
周辺にバリが発生することもなかった。
【００１７】［実施例４］実施例４では、レーザ光Ｌの
焦点位置ｆを絶縁基板１０の照射面よりも下方にセット
した（図２参照）以外は、実施例１と同様にして絶縁基
板に貫通孔を形成した。ここで、図２（ａ）はレーザ光
照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射終了時を表す。こ
の場合も、貫通孔１３がストレート孔として容易にしか
も短い時間で形成された。但し貫通孔１３の開口周辺に
バリが発生することがあった。
焦点位置ｆを絶縁基板１０の照射面よりも下方にセット
した（図２参照）以外は、実施例１と同様にして絶縁基
板に貫通孔を形成した。ここで、図２（ａ）はレーザ光
照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射終了時を表す。こ
の場合も、貫通孔１３がストレート孔として容易にしか
も短い時間で形成された。但し貫通孔１３の開口周辺に
バリが発生することがあった。
【００１８】［実施例５］実施例５では両面銅張りのガ
ラスエポキシ基板２０を用いて貫通孔を形成した（図３
参照）。まず、このガラスエポキシ基板２０の銅層２
１、２１のうち、貫通孔２３を形成しようとする部分を
予めエッチングにより除去した。その後は実施例１と同
様にして、裏面に銅箔１１を配置し、レーザ光Ｌにより
ストレート状の貫通孔２３を形成した。ここで、図３
（ａ）はレーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射
終了時を表す。この場合も、貫通孔２３がストレート孔
として容易にしかも短い時間で形成された。また、貫通
孔２３の開口周辺にバリが発生することもなかった。
ラスエポキシ基板２０を用いて貫通孔を形成した（図３
参照）。まず、このガラスエポキシ基板２０の銅層２
１、２１のうち、貫通孔２３を形成しようとする部分を
予めエッチングにより除去した。その後は実施例１と同
様にして、裏面に銅箔１１を配置し、レーザ光Ｌにより
ストレート状の貫通孔２３を形成した。ここで、図３
（ａ）はレーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射
終了時を表す。この場合も、貫通孔２３がストレート孔
として容易にしかも短い時間で形成された。また、貫通
孔２３の開口周辺にバリが発生することもなかった。
【００１９】［比較例１］反射材である銅箔１１を用い
なかった以外は、実施例１と同様にして絶縁基板１０に
貫通孔１３を形成した（図４参照）。但し、レーザ光の
パルス数は５０パルスとした。ここで、図４（ａ）はレ
ーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射終了時を表
す。この場合、貫通孔１３は絶縁基板１０の照射面即ち
表面から裏面に向かって徐々に径が小さくなるようなテ
ーパ孔として形成され、ストレート孔は得られなかっ
た。また、テーパ角θ（テーパ孔の周面と基板裏面との
成す角度）は約８０度であった。なお、パルス数を７０
パルスとした場合でもほぼ同様であった。
なかった以外は、実施例１と同様にして絶縁基板１０に
貫通孔１３を形成した（図４参照）。但し、レーザ光の
パルス数は５０パルスとした。ここで、図４（ａ）はレ
ーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光照射終了時を表
す。この場合、貫通孔１３は絶縁基板１０の照射面即ち
表面から裏面に向かって徐々に径が小さくなるようなテ
ーパ孔として形成され、ストレート孔は得られなかっ
た。また、テーパ角θ（テーパ孔の周面と基板裏面との
成す角度）は約８０度であった。なお、パルス数を７０
パルスとした場合でもほぼ同様であった。
【００２０】［比較例２］反射材である銅箔の代わりに
絶縁基板と同じ材質の非反射材を配置した以外は、実施
例１と同様にして貫通孔を形成した（図５参照）。但
し、レーザ光のパルス数は５０パルスとした。ここで、
図５（ａ）はレーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光
照射終了時を表す。この場合、貫通孔１３は照射面から
裏面に向かって徐々に径が小さくなるようなテーパ孔と
して形成され、ストレート孔は得られなかった。また、
テーパ角θ（テーパ孔の周面と基板裏面との成す角度）
は約７０度であった。なお、パルス数を７０パルスとし
た場合でもほぼ同様であった。
絶縁基板と同じ材質の非反射材を配置した以外は、実施
例１と同様にして貫通孔を形成した（図５参照）。但
し、レーザ光のパルス数は５０パルスとした。ここで、
図５（ａ）はレーザ光照射開始直後、（ｂ）はレーザ光
照射終了時を表す。この場合、貫通孔１３は照射面から
裏面に向かって徐々に径が小さくなるようなテーパ孔と
して形成され、ストレート孔は得られなかった。また、
テーパ角θ（テーパ孔の周面と基板裏面との成す角度）
は約７０度であった。なお、パルス数を７０パルスとし
た場合でもほぼ同様であった。
【００２１】尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態
に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に
属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。例えば、反射材である銅箔はレーザ光の反射率を高
めるために銅表面の酸化膜を除去したものを用いてもよ
い。このような酸化膜除去方法としては、例えば銅箔を
１０％塩酸水溶液に浸漬する方法が挙げられる。
に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に
属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。例えば、反射材である銅箔はレーザ光の反射率を高
めるために銅表面の酸化膜を除去したものを用いてもよ
い。このような酸化膜除去方法としては、例えば銅箔を
１０％塩酸水溶液に浸漬する方法が挙げられる。
【図１】 実施例１の貫通孔の形成過程を縦断面図で表
した説明図である。
した説明図である。
【図２】 実施例４の貫通孔の形成過程を縦断面図で表
した説明図である。
した説明図である。
【図３】 実施例５の貫通孔の形成過程を縦断面図で表
した説明図である。
した説明図である。
【図４】 比較例１の貫通孔の形成過程を縦断面図で表
した説明図である。
した説明図である。
【図５】 比較例２の貫通孔の形成過程を縦断面図で表
した説明図である。
した説明図である。
【図６】 従来例の貫通孔の形成過程を縦断面図で表し
た説明図である。
た説明図である。
１０・・・絶縁基板、１１・・・銅箔、１３・・・貫通
孔、Ｌ・・・レーザ光、ｆ・・・焦点位置。
孔、Ｌ・・・レーザ光、ｆ・・・焦点位置。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板のうちレーザ光を照射する側とは反
対側にレーザ光を反射する反射材を配置し、その状態で
レーザ光を照射して貫通孔を形成することを特徴とする
基板の貫通孔の形成方法。 - 【請求項２】 レーザ光を照射して貫通孔を形成する
際、レーザ光の焦点位置を前記基板の表面と一致させる
か又はそれよりも上方にセットすることを特徴とする請
求項１記載の基板の貫通孔の形成方法。 - 【請求項３】 前記反射材は表面粗さＲａが０．２μｍ
以下であることを特徴とする請求項１又は２のいずれか
に記載の基板の貫通孔の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9228401A JPH1158051A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 基板の貫通孔の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9228401A JPH1158051A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 基板の貫通孔の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158051A true JPH1158051A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16875897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9228401A Pending JPH1158051A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 基板の貫通孔の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1158051A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009107837A1 (ja) | 2008-02-28 | 2009-09-03 | 株式会社ワイズ・マイクロテクノロジー | 貫通孔形成方法、及び、貫通孔形成加工品 |
| US20140178566A1 (en) * | 2011-08-29 | 2014-06-26 | Fujifilm Corporation | Pattern forming apparatus and method, and method of manufacturing substrate formed with pattern |
| CN105904105A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-31 | 广东工业大学 | 一种改善孔锥度的激光打孔装置及方法 |
| JPWO2017154233A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2018-05-24 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| CN113369719A (zh) * | 2021-05-14 | 2021-09-10 | 惠州中京电子科技有限公司 | 用于led载板的激光打孔方法 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP9228401A patent/JPH1158051A/ja active Pending
Cited By (8)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |