JPH0793499B2 - レーザーを用いた孔加工方法 - Google Patents
レーザーを用いた孔加工方法Info
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- JPH0793499B2 JPH0793499B2 JP1003462A JP346289A JPH0793499B2 JP H0793499 B2 JPH0793499 B2 JP H0793499B2 JP 1003462 A JP1003462 A JP 1003462A JP 346289 A JP346289 A JP 346289A JP H0793499 B2 JPH0793499 B2 JP H0793499B2
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザービームを利用したプリント配線板等の
基板の加工法に関するものである。
基板の加工法に関するものである。
従来プリント配線板のスルーホール形成においては、孔
明け加工としてドリルによる機械的な加工法が用いら
れ、特に小径になるに従い、物理的強度の高い、高価な
超硬ドリルが用いられる様になってきた。そして、この
ドリルで明けた孔に導体材料を析出させるというプロセ
スがとられていた。
明け加工としてドリルによる機械的な加工法が用いら
れ、特に小径になるに従い、物理的強度の高い、高価な
超硬ドリルが用いられる様になってきた。そして、この
ドリルで明けた孔に導体材料を析出させるというプロセ
スがとられていた。
第２図は、従来法による比較例を表わす図面であり、
（ａ）は両面ガラスエポキシ基板に６のドリルによって
孔明けをしたものの孔断面を示した図で壁面のランダム
な凹凸や、上・下の開口位置ズレ（ドリルのシユーテイ
ングによる）があることを示している。（ｂ）は導体を
形成したものである。
（ａ）は両面ガラスエポキシ基板に６のドリルによって
孔明けをしたものの孔断面を示した図で壁面のランダム
な凹凸や、上・下の開口位置ズレ（ドリルのシユーテイ
ングによる）があることを示している。（ｂ）は導体を
形成したものである。
〔発明が解決しようとしている問題点〕 上記従来例では、ドリルによる機械的な加工であるがゆ
えに、微小径になる程、下記に列挙する様な種々の問題
が出てくる。
えに、微小径になる程、下記に列挙する様な種々の問題
が出てくる。
１） ドリル径が小さい為、ドリルの刃の強度が低下し
ており、寿命が短い。
ており、寿命が短い。
２） ドリルの寿命を少しでも延ばす為、送り速度を遅
くする必要があり、加工時間が長くなる。
くする必要があり、加工時間が長くなる。
３） 孔の直行性、位置精度が悪くなる。
４） 孔内壁が、孔径に対して凹凸が大きく、形状的に
導電材が均一に形成しにくく、各種ストレスに対する信
頼性にかける。
導電材が均一に形成しにくく、各種ストレスに対する信
頼性にかける。
そこで、本発明では、レーザービームを用いて熱及び光
エネルギーを利用した加工を行うことにより、微小径化
への対応をはかった。ここで平均出力が大きく、パルス
化してビームを絞ることにより高エネルギー密度が得ら
れる事により、短時間高速加工が可能なCO2レーザー、Y
AGレーザー等長波長のレーザーは、レーザー光自体の光
子エネルギーが小さく熱的な加工が主となる為、特に樹
脂系基板においては、黒色炭化物の発生や、樹脂−ガラ
ス間のエツチングレートの差等が生ずる。これに対して
エキシマレーザ等の短波長レーザーは、レーザー光自体
の光子エネルギーが大きく光化学反応的な加工が主とな
る為、黒色炭化物の発生は押えられ、樹脂−ガラスも、
より均等にエツチングされるが、反面平均出力が小さい
ため、加工に時間がかかってしまう。
エネルギーを利用した加工を行うことにより、微小径化
への対応をはかった。ここで平均出力が大きく、パルス
化してビームを絞ることにより高エネルギー密度が得ら
れる事により、短時間高速加工が可能なCO2レーザー、Y
AGレーザー等長波長のレーザーは、レーザー光自体の光
子エネルギーが小さく熱的な加工が主となる為、特に樹
脂系基板においては、黒色炭化物の発生や、樹脂−ガラ
ス間のエツチングレートの差等が生ずる。これに対して
エキシマレーザ等の短波長レーザーは、レーザー光自体
の光子エネルギーが大きく光化学反応的な加工が主とな
る為、黒色炭化物の発生は押えられ、樹脂−ガラスも、
より均等にエツチングされるが、反面平均出力が小さい
ため、加工に時間がかかってしまう。
そこで、本発明は、 長波長レーザー光によって前記金属膜とプリント配線基
板の樹脂部に目標径の90％程度の貫通孔の加工を行い、
前記貫通孔の貫通後に、 短波長レーザー光により前記貫通孔の周壁に付着してい
る炭化物の除去と目標径への加工を行い、その後、前記
貫通孔の周壁にメッキ皮膜を行って前記両面の金属膜の
電気的導通を得るようにしたことにより、微小径で孔壁
形状に優れた信頼性の高いスルーホールを短時間で高速
加工する事を可能にした。
板の樹脂部に目標径の90％程度の貫通孔の加工を行い、
前記貫通孔の貫通後に、 短波長レーザー光により前記貫通孔の周壁に付着してい
る炭化物の除去と目標径への加工を行い、その後、前記
貫通孔の周壁にメッキ皮膜を行って前記両面の金属膜の
電気的導通を得るようにしたことにより、微小径で孔壁
形状に優れた信頼性の高いスルーホールを短時間で高速
加工する事を可能にした。
〈実施例〉 第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を示す。
第１図（ａ）は回路基板１の断面図を示す。
本実施例に用いた回路基板１はガラスエポキシ基板1Aの
表面及び裏面に回路パターンとして銅部分1B,1Cを設け
てある。該回路基板の厚さは600μｍで銅張り厚さはそ
れぞれ18μｍの厚さである。
表面及び裏面に回路パターンとして銅部分1B,1Cを設け
てある。該回路基板の厚さは600μｍで銅張り厚さはそ
れぞれ18μｍの厚さである。
第１図（ｄ）は本発明の加工目標とする貫通孔の断面形
状を示し、貫通孔1Dの周壁は表・裏面の銅部分との導通
を得るための銅メツキ1Eを施す。例として、第１図
（ｄ）の貫通孔1Dの目標とする孔径D1を0.1φとする。
銅メツキ1Eの厚さを10μｍとする。第１の加工ステツプ
として、第１図（ｂ）に示すように回路基板１の所望の
位置に長波長レーザービーム発生手段（不図示）からの
長波長レーザービーム２を放出する。
状を示し、貫通孔1Dの周壁は表・裏面の銅部分との導通
を得るための銅メツキ1Eを施す。例として、第１図
（ｄ）の貫通孔1Dの目標とする孔径D1を0.1φとする。
銅メツキ1Eの厚さを10μｍとする。第１の加工ステツプ
として、第１図（ｂ）に示すように回路基板１の所望の
位置に長波長レーザービーム発生手段（不図示）からの
長波長レーザービーム２を放出する。
長波長レーザーとして波長10.6μｍの炭酸ガスレーザー
を用いた。この第１ステツプの加工により、第１図
（ｂ）に示すように第１の貫通孔を形成する。第１図
（ｂ）に模式的に示すように貫通孔の断面の周壁はガラ
ス部分の残余と思われる凸部とエポキシが溶出された凹
部からなる凹凸面となり、更に黒点で示す炭化物が付着
しているのが認められた。
を用いた。この第１ステツプの加工により、第１図
（ｂ）に示すように第１の貫通孔を形成する。第１図
（ｂ）に模式的に示すように貫通孔の断面の周壁はガラ
ス部分の残余と思われる凸部とエポキシが溶出された凹
部からなる凹凸面となり、更に黒点で示す炭化物が付着
しているのが認められた。
次に第２ステツプの加工として、第１図（ｃ）に示すよ
うに、短波長レーザービーム発生手段（不図示）からの
短波長レーザービーム４を前記第１ステツプで形成した
第１貫通孔に照射する。短波長レーザービームとして波
長0.248μｍのKrFエキシマレーザーを用いた。
うに、短波長レーザービーム発生手段（不図示）からの
短波長レーザービーム４を前記第１ステツプで形成した
第１貫通孔に照射する。短波長レーザービームとして波
長0.248μｍのKrFエキシマレーザーを用いた。
この第２ステツプのエキシマレーザーの光化学反応によ
り前記第１ステツプの長波長レーザービームの加工時に
発生した黒色炭化物の消滅及び孔周壁の凹凸は平滑化す
ることができた。
り前記第１ステツプの長波長レーザービームの加工時に
発生した黒色炭化物の消滅及び孔周壁の凹凸は平滑化す
ることができた。
本実施例において、貫通孔の径D1の目標径を0.1φ（100
μｍ）とし、メツキ厚さを10〜20μｍとすると、第２ス
テツプの加工によって形成する孔径の目標を70〜80μｍ
になるように第２ステツプの短波長レーザービームのビ
ーム径を絞る。
μｍ）とし、メツキ厚さを10〜20μｍとすると、第２ス
テツプの加工によって形成する孔径の目標を70〜80μｍ
になるように第２ステツプの短波長レーザービームのビ
ーム径を絞る。
又、第１ステツプの加工によって形成する孔径の目標を
第２ステツプの加工孔径の約90％程度である60〜70μｍ
になるように第１ステツプの長波長レーザービームのビ
ーム径を絞って加工する。導通チエツク，オイルデイツ
プによる熱衝撃信頼性、及び上下位置ズレについて評価
を行った結果下表の様になった。
第２ステツプの加工孔径の約90％程度である60〜70μｍ
になるように第１ステツプの長波長レーザービームのビ
ーム径を絞って加工する。導通チエツク，オイルデイツ
プによる熱衝撃信頼性、及び上下位置ズレについて評価
を行った結果下表の様になった。
〔発明の効果〕 以上説明してきたように、高エネルギービームを用いて
第１ステツプとして長波長ビームによる熱加工、第２ス
テツプとして短波長ビームによる光化学加工を行うこと
により、微小径で尚かつ、位置精度、孔壁形状に優れた
スルーホールを信頼性高く得られるという効果がある。
第１ステツプとして長波長ビームによる熱加工、第２ス
テツプとして短波長ビームによる光化学加工を行うこと
により、微小径で尚かつ、位置精度、孔壁形状に優れた
スルーホールを信頼性高く得られるという効果がある。
第１図は本発明の実施例を示すものであり、（ａ）は初
期状態、（ｂ）は長波長ビーム、（ｃ）は短波長ビー
ム、（ｄ）は導体形成後の各断面図を表わしたものであ
る。 第２図は従来法による例として、ドリルによる機械的な
加工時の断面図（ａ）と導体形成後の断面図（ｂ）を表
わしたものである。 １……基材銅箔 1A……基材絶縁層（ガラスエポキシ） ２……長波長ビーム（炭酸ガスレーザー又はYAGレーザ
ー） ４……短波長ビーム（エキシマレーザー） ６……ドリル
期状態、（ｂ）は長波長ビーム、（ｃ）は短波長ビー
ム、（ｄ）は導体形成後の各断面図を表わしたものであ
る。 第２図は従来法による例として、ドリルによる機械的な
加工時の断面図（ａ）と導体形成後の断面図（ｂ）を表
わしたものである。 １……基材銅箔 1A……基材絶縁層（ガラスエポキシ） ２……長波長ビーム（炭酸ガスレーザー又はYAGレーザ
ー） ４……短波長ビーム（エキシマレーザー） ６……ドリル
Claims (1)
- 【請求項１】両面に電気回路パターン用の金属膜を有し
たプリント配線基板に導通孔を形成する方法であって、
長波長レーザー光によって前記金属膜とプリント配線基
板の樹脂部に目標径の90％程度の貫通孔の加工を行い、
前記貫通孔の貫通後に、 短波長レーザー光により前記貫通孔の周壁に付着してい
る炭化物の除去と目標径への加工を行い、その後、前記
貫通孔の周壁にメッキ皮膜を行って前記両面の金属膜の
電気的導通を得るようにしたことを特徴とした両面に電
気回路パターン用の金属膜を有したプリント配線基板に
導通穴を形成する方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003462A JPH0793499B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | レーザーを用いた孔加工方法 |
| US07/459,473 US5126532A (en) | 1989-01-10 | 1990-01-02 | Apparatus and method of boring using laser |
| US07/717,016 US5166493A (en) | 1989-01-10 | 1991-06-18 | Apparatus and method of boring using laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003462A JPH0793499B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | レーザーを用いた孔加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02182390A JPH02182390A (ja) | 1990-07-17 |
| JPH0793499B2 true JPH0793499B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=11557994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003462A Expired - Fee Related JPH0793499B2 (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | レーザーを用いた孔加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793499B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8694722B2 (en) | 2001-09-28 | 2014-04-08 | Micron Technology, Inc. | Memory systems |
| US9026721B2 (en) | 1995-07-31 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Managing defective areas of memory |
| US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
| US9213606B2 (en) | 2002-02-22 | 2015-12-15 | Micron Technology, Inc. | Image rescue |
| US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08323488A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Shinozaki Seisakusho:Kk | レーザ光によるプリント配線板の孔あけ加工方法 |
| US6023041A (en) * | 1996-11-08 | 2000-02-08 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for using photoabsorptive coatings and consumable copper to control exit via redeposit as well as diameter variance |
| US5841102A (en) * | 1996-11-08 | 1998-11-24 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Multiple pulse space processing to enhance via entrance formation at 355 nm |
| US6107181A (en) * | 1997-09-08 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Method of forming bumps and template used for forming bumps |
| US6172331B1 (en) * | 1997-09-17 | 2001-01-09 | General Electric Company | Method and apparatus for laser drilling |
| US6320158B1 (en) | 1998-01-29 | 2001-11-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus of fabricating perforated plate |
| MY144573A (en) | 1998-09-14 | 2011-10-14 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
| TW479213B (en) * | 1999-07-22 | 2002-03-11 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal apparatus, its manufacturing method, and electronic machine |
| JP4899265B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2012-03-21 | 凸版印刷株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置 |
| JP3643104B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2005-04-27 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工装置における加工位置ずれ補正方法 |
| US7057133B2 (en) * | 2004-04-14 | 2006-06-06 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods of drilling through-holes in homogenous and non-homogenous substrates |
| JP4595378B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-12-08 | 住友電気工業株式会社 | 樹脂加工方法 |
| CN102917834B (zh) * | 2010-05-27 | 2016-08-03 | 三菱电机株式会社 | 激光加工方法及激光加工机 |
-
1989
- 1989-01-10 JP JP1003462A patent/JPH0793499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9026721B2 (en) | 1995-07-31 | 2015-05-05 | Micron Technology, Inc. | Managing defective areas of memory |
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| US9032134B2 (en) | 2001-09-28 | 2015-05-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased |
| US9489301B2 (en) | 2001-09-28 | 2016-11-08 | Micron Technology, Inc. | Memory systems |
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| US9576154B2 (en) | 2004-04-30 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02182390A (ja) | 1990-07-17 |
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