WO2020090053A1 - 表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2020090053A1
WO2020090053A1 PCT/JP2018/040593 JP2018040593W WO2020090053A1 WO 2020090053 A1 WO2020090053 A1 WO 2020090053A1 JP 2018040593 W JP2018040593 W JP 2018040593W WO 2020090053 A1 WO2020090053 A1 WO 2020090053A1
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layer
display
display device
manufacturing
film
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PCT/JP2018/040593
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Inventor
敬之 主藤
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シャープ株式会社
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    • G—PHYSICS
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a display device.
  • a delamination process for separating the OLED panel film (resin layer) 12 from the glass substrate GS after the laser lift off (Laser Lift Off, LLO) process.
  • the delamination step the upper surface film 39 and the glass substrate GS are separated by a cutter, and the end portion of the barrier layer 13 is destroyed. Then, the glass substrate GS and the OLED panel film 12 are separated.
  • the cutter since the cutter is used, there are problems of accuracy and difficulty of operation.
  • Patent Document 1 it is proposed to perform a dividing step prior to the laser lift-off step to divide the portion such as the barrier layer 13 that prevents separation of the glass substrate GS and the OLED panel film 12 first. There is.
  • JP-A-2015-195106 Japanese Patent Laid-Open Publication
  • a method of manufacturing a display device is a method of manufacturing a display device in which a plurality of display panels are collectively formed using a mother substrate, A step of forming a plurality of metal shape holding patterns, a step of forming a resin layer so as to cover the shape holding patterns, and a TFT layer including at least one inorganic insulating film on the resin layer.
  • the mother It is irradiated with a laser beam from the plate side, including a separation step of separating the resin layer from the mother substrate, and a separation step of separating the display function layer from the mother substrate and the shape-retaining pattern.
  • the handleability of the display device during manufacturing can be improved.
  • FIG. 3 is a top view of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 3 is a flowchart showing an outline of a method of manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. It is a figure which shows the dot pattern arrangement
  • the method of manufacturing a display device is to collectively form a plurality of display panels using a mother substrate. Particularly, in a large-sized mother substrate (prior to separation into individual pieces), a step of dividing a barrier layer of a display function layer including a plurality of display panels, an inorganic insulating film and the like is performed.
  • “same layer” means being formed in the same process
  • “lower layer” means being formed in a process prior to the layer to be compared
  • the “upper layer” means that the layer is formed in a later process than the layer to be compared.
  • FIG. 1 is a top view of the display device 2 according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line BB in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment has a display area DA and a frame area NA adjacent to the periphery of the display area DA.
  • a terminal portion T is formed at one end of the frame area NA.
  • a driver (not shown) or the like that supplies a signal for driving each light emitting element in the display area DA via the connection wiring CL from the display area DA is mounted on the terminal portion T.
  • FIG. 2A shows a configuration including the upper surface film 39.
  • FIG. 2B shows a configuration including the functional film 40.
  • the display device 2 has a lower surface film 10, an adhesive layer 11, a resin layer 12, a TFT layer 14, a light emitting element layer 15, and a sealing layer in order from the lower layer. 16 and.
  • the display device 2 may include a top surface film 39 having a protective function on the upper layer of the sealing layer 16 during the manufacturing process.
  • the display device 2 is a functional film having an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, etc., in place of the upper surface film 39, on the upper layer of the sealing layer 16 at the end of manufacturing. 40 may be provided.
  • the lower surface film 10 is a base film of the display device 2, and may include, for example, an organic resin material.
  • the adhesive layer 11 is a layer for adhering the lower surface film 10 and the resin layer 12 and may be formed using a conventionally known adhesive.
  • the resin layer 12 contains polyimide (hereinafter, also referred to as PI) as a material.
  • the TFT layer 14 includes, in order from the bottom, the barrier layer 13, the semiconductor film 19, the first inorganic insulating film 17 (gate insulating film), the gate electrode GE, the second inorganic insulating film 18, the capacitance electrode CE, and the first electrode.
  • 3 includes an inorganic insulating film 20, a source wiring SH (metal wiring layer), and a flattening film 21 (interlayer insulating film).
  • a thin-layer transistor (TFT) Tr is configured to include the semiconductor film 19, the first inorganic insulating film 17, and the gate electrode GE.
  • the barrier layer 13 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the TFT layer 14 and the light emitting element layer 15 when the display device 2 is used.
  • the barrier layer 13 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD.
  • the semiconductor film 19 is made of, for example, low temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor.
  • LTPS low temperature polysilicon
  • the TFT having the semiconductor film 19 as a channel is shown as a top gate structure in FIG. 1, it may have a bottom gate structure (for example, when the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH is, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper (Cu). May be included. That is, the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH is formed of the above-mentioned metal single layer film or laminated film.
  • the first inorganic insulating film 17, the second inorganic insulating film 18, and the third inorganic insulating film 20 are, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. Can be configured by.
  • the flattening film 21 can be made of, for example, a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 15 (for example, an organic light emitting diode layer) includes, in order from the lower layer, a pixel electrode 22 (first electrode, for example, an anode), a cover film (edge cover) 23 that covers an edge of the pixel electrode 22, and a functional layer 24. And an upper electrode (second electrode, eg, cathode) 25.
  • the light emitting element layer 15 includes a light emitting element (for example, OLED: organic light emitting diode) including an island-shaped pixel electrode 22, an island-shaped functional layer 24, and an upper electrode 25 for each subpixel SP (pixel), and the light-emitting element. And a driving sub-pixel circuit.
  • a transistor Tr is formed for each sub pixel circuit, and the sub pixel circuit is controlled by controlling the transistor Tr.
  • the pixel electrode 22 is provided at a position overlapping the flattening film 21 and the contact hole which is the opening of the flattening film 21 in plan view.
  • the pixel electrode 22 is electrically connected to the source line SH via the contact hole. Therefore, the signal in the TFT layer 14 is supplied to the pixel electrode 22 via the source line SH.
  • the pixel electrode 22 may have a thickness of 2 nm, for example.
  • the pixel electrode 22 is formed in an island shape for each of the plurality of sub-pixels SP, and is composed of, for example, a stack of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the upper electrode 25 is formed as a solid layer as a common layer of the plurality of sub-pixels SP, and can be made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the cover film 23 is an organic insulating film, is formed at a position that covers the edge of the pixel electrode 22, has an opening 23c for each of the plurality of sub-pixels SP, and exposes part of the pixel electrode 22.
  • the cover film 23 can be made of a coatable material such as polyimide.
  • the functional layer 24 is constituted by stacking a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in order from the lower layer side, and is a layer that substantially emits light.
  • at least one layer of the functional layer 24 is formed by a vapor deposition method.
  • each layer of the functional layer 24 may be formed in an island shape for each sub-pixel SP, or may be formed in a solid shape as a common layer of the plurality of sub-pixels SP.
  • the light emitting device layer 15 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer due to a driving current between the pixel electrode 22 and the upper electrode 25, and excitons generated thereby recede to a ground state.
  • Light is emitted. Since the upper electrode 25 has a light-transmitting property and the pixel electrode 22 has a light-reflecting property, the light emitted from the functional layer 24 goes upward and becomes a top emission.
  • the sealing layer 16 includes a first inorganic sealing film 26 that is an upper layer than the upper electrode 25, an organic sealing film 27 that is an upper layer than the first inorganic sealing film 26, and a first layer that is an upper layer than the organic sealing film 27.
  • 2 Inorganic sealing film 28 is included to prevent foreign substances such as water and oxygen from penetrating into light emitting element layer 15.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by CVD. ..
  • the organic sealing film 27 can be made of a photosensitive organic material such as polyimide or acrylic that can be applied.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an outline of a method of manufacturing the display device 2.
  • the dot pattern DP and the resin layer 12 which are an example of the shape retaining pattern are formed on the support substrate S which is a translucent mother glass substrate (step S1).
  • the shape holding pattern is for holding the shape of the resin layer 12.
  • the TFT layer 14 is formed on the resin layer 12 (step S2). At this time, the terminal portion T and the connection wiring CL may be formed.
  • a top emission type light emitting element layer (for example, OLED element layer) 15 is formed (step S3).
  • each layer of the light emitting element layer 15 may be formed by a conventionally known method, and in particular, the functional layer 24 may be formed by a vapor deposition method or the like.
  • the sealing layer 16 is formed (step S4).
  • the upper surface film 39 is attached to the upper surface of the sealing layer 16 (step S5).
  • the upper surface film 39 is attached to the upper surface of the sealing layer 16 and may be made of the same material as the lower surface film 10. Similar to the lower surface film 10, the upper surface film 39 may be attached to the sealing layer 16 via an adhesive layer.
  • step S6 the display function layer DF and the upper surface film 39 are divided.
  • step S6 the division of the inorganic insulating film and the like and the separation into pieces may be performed at the same timing or separately.
  • the support substrate S is peeled from the resin layer 12 (step S7).
  • the peeling of the support substrate S is performed by, for example, irradiating the lower surface of the resin layer 12 with laser light through the support substrate S to reduce the bonding force between the support substrate S and the resin layer 12, and to remove the support substrate S from the resin layer 12. You may perform by the method of peeling.
  • the lower surface film 10 is attached to the lower surface of each structure through the adhesive layer 11 (step S8).
  • the laminated body from the lower surface film 10 to the upper surface film 39 is divided into individual pieces (step S9).
  • the functional film 40 is attached to the upper surface of each of the individual laminated bodies (step S10).
  • an electronic circuit board (for example, an IC chip) is mounted on the terminal portion T to form the display device 2 (step S11).
  • FIG. 4 is a diagram showing a dot pattern arrangement according to this embodiment.
  • FIG. 4A shows a top view
  • FIG. 4B shows a side sectional view.
  • a step of forming a dot pattern DP including dots made of a plurality of metals (for example, molybdenum (Mo)) on a glass substrate (mother substrate) GS is performed.
  • the dot pattern DP is an example of the shape-retaining pattern, and is formed in the application scheduled region PA on the upper surface of the glass substrate GS by sputtering, vapor deposition or the like.
  • the dot pattern DP is arranged on the entire glass substrate GS.
  • the individualizing step is performed after the step of attaching the lower surface film (lamination film) 10 for the second time.
  • the shape retention pattern is not limited to the circular dot pattern in plan view shown in FIG. 4A, and may be, for example, a polygonal pattern including a triangular shape and a rectangular shape in plan view. Alternatively, the pattern may have another shape such as an elliptical shape.
  • the planned application area PA is an area in which the resin layer 12 is to be formed, for example, an area in which PI is to be applied.
  • the dot pattern DP is formed at a position within 0.5 mm (preferably 0.3 mm) from the end surface of the resin layer 12.
  • the dot pattern DP has a diameter of 10 to 30 ⁇ m (for example, may be 20 ⁇ m).
  • FIG. 5 is a diagram showing PI application and barrier layer deposition according to this embodiment.
  • 5A shows a top view
  • FIG. 5B shows a side sectional view.
  • a step of forming the resin layer 12 so as to cover the dot pattern DP is performed.
  • the dot patterns DP are formed at least at the four corners of the resin layer 12 so as to extend along the ends of the resin layer 12.
  • the dot pattern DP has a thickness of, for example, 200 nm, and the resin layer 12 has a thickness of, for example, 12 ⁇ m.
  • the TFT layer 14 including at least one inorganic insulating film on the resin layer 12 (at least one inorganic insulating film includes a barrier layer 13, a first inorganic insulating film 17, and a second inorganic insulating film). (Including the insulating film 18 and the third inorganic insulating film 20), the step of forming the light emitting element layer 15 on the TFT layer 14, and the step of forming the sealing layer 16 on the light emitting element layer 15. Done. At least one layer of the inorganic insulating film is formed so as to cover the surface of the resin layer 12 and its end (only the barrier layer 13 is shown in FIG. 5).
  • the display device 2 includes a glass substrate GS having a dot pattern DP formed of a plurality of metal dots formed on the peripheral edge thereof, a resin layer 12 formed so as to cover the dot pattern DP, and formed on the resin layer 12.
  • the TFT layer 14 including at least one layer of the inorganic insulating film and the light emitting element layer 15 formed on the TFT layer 14 are provided.
  • the inorganic insulating film includes a base coat film.
  • FIG. 6 is a diagram showing attachment of the upper surface film according to the present embodiment.
  • FIG. 6A shows a top view
  • FIG. 6B shows a side sectional view.
  • a step of attaching an upper surface film (first lamination film (1st lamination)) 39 to the upper surfaces of the resin layer 12 and the display function layer DF is performed.
  • 6 to 10 and 13 the resin layer 12 and the display function layer DF are shown separately.
  • the display function layer DF includes a resin layer 12, a TFT layer 14, a light emitting element layer 15, and a sealing layer 16.
  • the above step is a step of attaching the upper surface film 39 to the upper surface of the display function layer DF including the resin layer 12, the TFT layer 14, the light emitting element layer 15, and the sealing layer 16.
  • the display function layer DF includes a plurality of display panels PNL (see FIG. 11).
  • the barrier layer 13 and the upper surface film 39 (the portion indicated by the broken line in FIG. 6B) outside the end surface of the resin layer 12 hinder the delamination process.
  • FIG. 7 is a diagram showing the cut of the display function layer and the top film according to the present embodiment.
  • FIG. 7A shows a top view
  • FIG. 7B shows a side sectional view.
  • a dividing step of cutting the display functional layer DF and the upper surface film 39 into a frame shape is performed so that the display panel PNL and the outer periphery of the display panel PNL are separated.
  • a CO 2 laser CL is used in the dividing step.
  • the width to be cut is, for example, 100 to 400 ⁇ m.
  • the glass substrate GS is not cut and the display device 2 is not singulated.
  • the individualization according to this embodiment is performed after the delamination step.
  • FIG. 8 is a diagram showing a laser lift-off process according to this embodiment.
  • FIG. 8A shows a top view
  • FIG. 8B shows a side sectional view.
  • a separation step (LLO step) of separating the resin layer 12 from the glass substrate GS by irradiating the glass substrate GS with laser light from the glass substrate GS side that has not been singulated is performed subsequent to FIG. 7.
  • An excimer laser (laser light) EL is used in the separation step.
  • the power of the excimer laser EL is, for example, 180 mJ / cm 2 .
  • the glass substrate GS and the resin layer 12 are not in close contact with each other, and are not yet separated, and the dot pattern DP remains on the glass substrate GS.
  • the dot pattern DP since there is a dot pattern DP having a diameter of 10 to 30 ⁇ m, the shape of the resin layer 12 is maintained, and the resin layer 12 in the portion without the dot pattern DP is separated from the glass substrate GS.
  • the excimer laser EL is irradiated downward from above the glass substrate GS. It should be noted that, without being limited to this description, the excimer laser EL may be irradiated from the lower side to the upper side of the glass substrate GS with the glass substrate GS facing down.
  • FIG. 9 is a diagram showing a delamination process according to this embodiment.
  • FIG. 10 is a figure which shows the attachment of the lower surface film 10 which concerns on this embodiment.
  • a delamination step (peeling step) of peeling the display function layer DF from the glass substrate GS and the dot pattern DP is performed.
  • the display function layer DF includes a plurality of display panels, the plurality of display panels are peeled together from the glass substrate GS in the delamination process.
  • the delamination process is performed by vacuum adsorption. That is, in this delamination process, in FIG. 9, an upper stage that vacuum-sucks the glass substrate GS by a vacuum suction mechanism (not shown) and a lower stage that vacuum-sucks the upper surface film 39 by a vacuum suction mechanism (not shown) are respectively illustrated.
  • the resin layer 12 and the dot pattern DP are physically peeled off by moving in the upward and downward directions indicated by the arrow 9 to peel off the display function layer DF from the glass substrate GS and the dot pattern DP. In FIG. 9, the dot pattern DP remaining on the glass substrate GS is not shown.
  • the lower surface film (second lamination film (2nd laminating)) 10 is attached on the resin layer 12 with the adhesive layer 11 interposed.
  • the glass substrate GS may be vacuum-sucked on the upper stage and the display function layer DF may be vacuum-sucked on the lower stage.
  • the display function layer DF can be peeled from the dot pattern DP by vacuum suction and gravity, and the resin layer 12 of the display function layer DF faces the vertically upper side, so that the lower surface film 10 can be easily attached.
  • vacuum suction may be performed while the stage on which the glass substrate GS is placed is inclined.
  • the dot pattern DP is set to 10 to 30 ⁇ m.
  • the diameter of the dot pattern DP is preferably 20 ⁇ m. The reason is that the glass substrate GS and the resin layer 12 are attached via the dot pattern DP at the time of laser scanning, but are large enough to be peeled off by vacuum suction at the time of delamination.
  • the delamination step can be easily performed in a state where the handling property during transportation is improved.
  • the handling property even if the laminated body including the resin layer 12 is located below the glass substrate GS, the dot pattern DP exists inside the resin layer 12 before the delamination, so that the resin layer 12 is formed during the delamination. Only fall can be prevented.
  • the glass substrate GS may be adsorbed by the lower stage and the above laminated body may be adsorbed by the upper stage.
  • the lamination film is attached for the second time, and then the display device 2 is singulated by a CO 2 laser or the like.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the display function layer DF immediately before the singulation according to the present embodiment.
  • the display panels PNL are manufactured, for example, into eight display panels PNL.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of cutting the display function layer and the upper surface film according to the present embodiment.
  • the CO 2 laser CL is irradiated between the end portion of the resin layer 12 and the dot pattern DP.
  • the width divided by the CO 2 laser CL is 400 ⁇ m, and the positioning error of the CO 2 laser CL is ⁇ 70 ⁇ m. Therefore, when the CO 2 laser CL is irradiated so that the center of the light beam is positioned at the boundary of the separated portion, that is, the end of the resin layer 12, it hits a position 270 (400/2 + 70) ⁇ m inside from the end of the resin layer 12. It will be.
  • the dot pattern DP disappears. Therefore, the dot pattern DP is inwardly 0.3 to 0.5 mm from the end of the resin layer 12 with a margin. It is desirable to form.
  • a dot pattern is formed for each display panel, and the display functional layer DF and the upper surface film 39 are divided during the dividing step (see FIG. 14). That is, in the case of FIG. 14, the display functional layer DF and the upper surface film 39 are divided by the same CO 2 laser as in the dividing step in Embodiment 1 so that the six display panels are separated. After that, the display function layer DF and the upper surface film 39 are separated into individual display panels in a peeling process from the glass substrate GS (support substrate S).
  • FIG. 13 is a flowchart showing an outline of a method of manufacturing the display device 2 according to this embodiment.
  • processing different from that of the first embodiment will be described.
  • step S106 the display function layer DF and the upper surface film 39 are divided in each of the plurality of display panels formed on the glass substrate GS.
  • step S7 ' each display panel is peeled off from each glass substrate GS and dot pattern DP, and the display panels are singulated at the same time. The details will be described below.
  • FIG. 14 is a diagram showing a cut of the display function layer and the upper surface film according to the present embodiment.
  • the dot pattern DP is formed in units of a plurality of display panels on the glass substrate GS and along the edges of the display panels.
  • a dividing step (step S6 ') of cutting the upper surface film 39, the resin layer 12, and the display function layer DF into a frame shape is performed at a position corresponding to the outer periphery of the oval including one display panel. That is, in the dividing step (step S6 '), the resin layer 12 and the display function layer DF are divided for each display panel. Then, when the glass substrate GS and the resin layer 12 and the like are peeled off, the display panel is divided into individual pieces at the same time (step S7 ').
  • the dot pattern DP is attached to each divided display panel as described above, a plurality of display panels are peeled off from the glass substrate GS and the dot pattern DP in the delamination process.
  • the electro-optical element (electro-optical element whose brightness and transmittance are controlled by current) provided in the display device 2 according to this embodiment is not particularly limited.
  • the display device 2 according to the present embodiment include an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, and an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element.
  • Examples thereof include an inorganic EL display provided, and a QLED display provided with a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) as an electro-optical element.
  • a method of manufacturing a display device is a method of manufacturing a display device in which a plurality of display panels are collectively formed by using a mother substrate, wherein a plurality of metal shape retention patterns are formed on the mother substrate. And a step of forming a resin layer so as to cover the shape retaining pattern, a step of forming a TFT layer including at least one inorganic insulating film on the resin layer, and a light emitting element layer on the TFT layer. And a step of forming a sealing layer on the light emitting element layer, a resin film, the TFT layer, the light emitting element layer, and a top surface film on the upper surface of the display functional layer including the sealing layer.
  • the shape retention pattern is formed along an end of the resin layer
  • the display functional layer includes the plurality of display panels
  • the plurality of displays from the mother substrate are displayed. Peel the panels together.
  • the shape retention pattern is formed on the display panel unit basis and along the edge of the display panel, and in the peeling step, the plurality of display panels are peeled together from the mother substrate.
  • the shape retention pattern is formed at a position within 0.5 mm from the end surface of the resin layer.
  • the shape retention pattern has a circular shape in a plan view, and the diameter of the circular shape is 10 to 30 ⁇ m.
  • the inorganic insulating film includes a base coat film.
  • Aspect 7 is the method of manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 6, wherein a CO 2 laser is used in the dividing step.
  • the peeling step is performed by vacuum suction.
  • the mother substrate is vacuum-sucked on the upper stage, and the display function layer is vacuum-sucked on the lower stage.
  • vacuum suction is performed while the stage on which the mother substrate is placed is inclined.
  • an excimer laser is used in the separation step.
  • Display Device 10 Bottom Film 12 Resin Layer 13 Barrier Layer (Inorganic Insulation Film) 14 TFT layer 15 Light emitting element layer 16 Sealing layer 17 First inorganic insulating film (inorganic insulating film) 18 Second inorganic insulating film (inorganic insulating film) 20 Third inorganic insulating film (inorganic insulating film) 39 Top film DP dot pattern (shape retention pattern) DF Display function layer EL excimer laser (laser light) GS glass substrate (mother substrate) PNL display panel

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Abstract

表示デバイス（２）の製造方法は、ガラス基板（ＧＳ）上に複数の金属製のドットパターン（ＤＰ）を形成し、ドットパターンを覆うように樹脂層（１２）を形成し、樹脂層上に表示機能層（ＤＦ）を形成し、表示機能層上に上面フィルム（３９）を貼り付け、複数の表示パネルの外周で樹脂層と無機絶縁膜をカットし、ガラス基板側からレーザ光照射でガラス基板から樹脂層を分離し、ガラス基板とドットパターンから表示機能層を剥離する。

Description

表示デバイスの製造方法
　本発明は、表示デバイスの製造方法に関する。
　従来、フレキシブルＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）において、レーザリフトオフ（Laser Lift Off, ＬＬＯ）工程後にガラス基板ＧＳからＯＬＥＤパネル膜（樹脂層）１２を分離するデラミ工程（剥離工程）がある。図１５に示すように、デラミ工程では、カッターにより上面フィルム３９とガラス基板ＧＳとを分離させ、またバリア層１３の端部を破壊する。その後、ガラス基板ＧＳとＯＬＥＤパネル膜１２を分離する。このように、カッターを用いていたので、精度の問題や操作の難しさがある。
　そこで、特許文献１には、レーザリフトオフ工程の前に、分断工程を行ってガラス基板ＧＳとＯＬＥＤパネル膜１２との分離を妨げるバリア層１３等の部分を、先に分断することが提案されている。
日本国公開特許公報「特開２０１５－１９５１０６号公報」
　しかしながら、特許文献１の技術では、レーザリフトオフ工程後において、ガラス基板ＧＳと、ＯＬＥＤパネル膜１２とが完全に分離される。そのため、この従来技術では、その製造途中、例えば、デラミ工程を行う前に、ＯＬＥＤパネル膜１２の形状を保持することができずに、当該ＯＬＥＤパネル膜１２を含んだＯＬＥＤパネル（表示デバイス）のハンドリング性が低下するという問題を生じた。
　前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、母基板を用いて複数の表示パネルを一括して形成する、表示デバイスの製造方法であって、母基板上に、複数の金属製の形状保持パターンを形成する工程と、前記形状保持パターンを覆うように樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に少なくとも１層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層を形成する工程と、前記ＴＦＴ層上に発光素子層を形成する工程と、前記発光素子層上に封止層を形成する工程と、前記樹脂層、前記ＴＦＴ層、前記発光素子層、および、前記封止層を含む表示機能層の上面に上面フィルムを貼り付ける工程と、前記表示パネルと当該表示パネルの外周とで分離するように、前記表示機能層及び前記上面フィルムを分断する分断工程と、前記母基板側からレーザ光を照射して、当該母基板から前記樹脂層を分離する分離工程と、前記母基板及び前記形状保持パターンから前記表示機能層を剥離する剥離工程と、を含む。
　本発明の一態様によれば、製造途中での表示デバイスのハンドリング性を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの上面図である。 図１におけるＢ－Ｂ線矢視断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法の概要を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１に係るドットパターン配置を示す図である。 本発明の実施形態１に係るＰＩ塗布、および、バリア層デポを示す図である。 本発明の実施形態１に係る上面フィルムの貼り付けを示す図である。 本発明の実施形態１に係る表示機能層、および上面フィルムのカットを示す図である。 本発明の実施形態１に係るレーザリフトオフ工程を示す図である。 本発明の実施形態１に係るデラミ工程を示す図である。 本発明の実施形態１に係る下面フィルムの貼り付けを示す図である。 本発明の実施形態１に係る個片化直前の表示機能層の一例を示す図である。 本発明の実施形態１に係る表示機能層、および上面フィルムのカットの実施例を示す図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造方法の概要を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る表示機能層、および上面フィルムのカットを示す図である。 従来技術に係るデラミ工程を示す図である。
　〔実施形態１〕
　以下、本発明の実施形態１について、詳細に説明する。本実施形態に係る表示デバイスの製造方法は、母基板を用いて複数の表示パネルを一括して形成するものである。特に、大判の母基板（個片化の前）において、複数の表示パネルを含む表示機能層のバリア層、無機絶縁膜等の分断工程を行うものである。
　以下においては、「同層」とは同一のプロセスにて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図２は、図１におけるＢ－Ｂ線矢視断面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、図１に示すように、表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡとを有する。額縁領域ＮＡの一端部には、図１に示すように、端子部Ｔが形成される。端子部Ｔには、表示領域ＤＡからの接続配線ＣＬを介して表示領域ＤＡにおける各発光素子を駆動するための信号を供給する、図示しないドライバ等が実装される。
　ここで、図２を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２の、表示領域ＤＡにおける各層の構成を詳細に説明する。図２（ａ）は、上面フィルム３９を含む構成を示す。図２（ｂ）は、機能フィルム４０を含む構成を示す。
　図２に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、下層から順に、下面フィルム１０と、接着層１１と、樹脂層１２と、ＴＦＴ層１４と、発光素子層１５と、封止層１６とを備える。図２（ａ）に示すように、表示デバイス２は、製造工程の途中において、封止層１６のさらに上層に、保護機能を有する上面フィルム３９を備えることがある。図２（ｂ）に示すように、表示デバイス２は、製造終了時に、封止層１６のさらに上層に、上面フィルム３９に代えて、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する機能フィルム４０を備えていてもよい。
　下面フィルム１０は、表示デバイス２の基材フィルムであり、例えば、有機樹脂材料を含んでいてもよい。接着層１１は、下面フィルム１０と樹脂層１２とを接着する層であり、従来公知の接着剤を使用して形成してもよい。樹脂層１２は、材料としてポリイミド（以下、ＰＩともいう）を含む。
　ＴＦＴ層１４は、下層から順に、バリア層１３、半導体膜１９と、第１無機絶縁膜１７（ゲート絶縁膜）と、ゲート電極ＧＥと、第２無機絶縁膜１８と、容量電極ＣＥと、第３無機絶縁膜２０と、ソース配線ＳＨ（金属配線層）と、平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。半導体膜１９と、第１無機絶縁膜１７と、ゲート電極ＧＥとを含むように、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　バリア層１３は、表示デバイス２の使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層１４、発光素子層１５に浸透することを防ぐ層である。バリア層１３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　半導体膜１９は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図１においては、半導体膜１９をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造であってもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでいてもよい。すなわち、ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、上述の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　第１無機絶縁膜１７、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層１５（例えば、有機発光ダイオード層）は、下層から順に、画素電極２２（第１電極、例えばアノード）と、画素電極２２のエッジを覆うカバー膜（エッジカバー）２３と、機能層２４と、上部電極（第２電極、例えばカソード）２５とを含む。発光素子層１５は、サブピクセルＳＰ（画素）ごとに、島状の画素電極２２、島状の機能層２４、および上部電極２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。また、ＴＦＴ層１４において、当該サブ画素回路ごとにトランジスタＴｒが形成され、トランジスタＴｒの制御をもって、サブ画素回路が制御される。
　画素電極２２は、平面視において、平坦化膜２１と当該平坦化膜２１の開口であるコンタクトホールとに重畳する位置に設けられる。画素電極２２は、コンタクトホールを介してソース配線ＳＨと電気的に接続される。このため、ＴＦＴ層１４における信号が、ソース配線ＳＨを介して画素電極２２に供給される。なお、画素電極２２の厚みは、例えば、２ｎｍであってもよい。
　画素電極２２は、複数のサブピクセルＳＰごとに島状に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。上部電極２５は、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材によって構成することができる。
　カバー膜２３は有機絶縁膜であり、画素電極２２のエッジを覆う位置に形成され、複数のサブピクセルＳＰごとに開口２３ｃを備え、画素電極２２の一部が露出する。カバー膜２３は、例えば、ポリイミド等の塗布可能な材料によって構成することができる。
　機能層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成されており、実質的に光を発光する層である。本実施形態においては、機能層２４の少なくとも１層は、蒸着法によって形成される。また、本実施形態においては、機能層２４の各層は、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されていてもよく、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成されていてもよい。
　発光素子層１５がＯＬＥＤ層である場合、画素電極２２および上部電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が上記発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。上部電極２５が透光性を有し、画素電極２２が光反射性を有するため、機能層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　封止層１６は、上部電極２５よりも上層の第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の第２無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層１５への浸透を防ぐ。第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法の概要について、図３のフローチャートを参照して詳細に説明する。図３は、表示デバイス２の製造方法の概要を示すフローチャートである。
　はじめに、例えば、透光性のマザーガラス基板である、支持基板Ｓ上に、形状保持パターンの一例であるドットパターンＤＰおよび樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。形状保持パターンは、樹脂層１２の形状を保持するためのものである。次いで、樹脂層１２の上層にＴＦＴ層１４を形成する（ステップＳ２）。この際、端子部Ｔおよび接続配線ＣＬを形成してもよい。
　次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）１５を形成する（ステップＳ３）。ステップＳ３においては、発光素子層１５の各層を従来公知の手法により形成してもよく、特に、機能層２４を、蒸着法等により形成してもよい。次いで、封止層１６を形成する（ステップＳ４）。
　次いで、封止層１６の上面に、上面フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ５）。上面フィルム３９は、封止層１６の上面に貼り付けられ、下面フィルム１０と同一の材料からなっていてもよい。上面フィルム３９は、下面フィルム１０と同様に、接着層を介して封止層１６に貼り付けられていてもよい。
　次いで、表示機能層ＤＦおよび上面フィルム３９を分断する（ステップＳ６）。ステップＳ６においては、無機絶縁膜等の分断と、個片化とは、同じタイミングで行ってもよいし、別々に行ってもよい。
　次いで、支持基板Ｓを樹脂層１２から剥離する（ステップＳ７）。支持基板Ｓの剥離は、例えば、支持基板Ｓ越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して、支持基板Ｓと樹脂層１２との結合力を低下させ、支持基板Ｓを樹脂層１２から剥離する手法により実行してもよい。
　次いで、下面フィルム１０を、接着層１１を介して、各構造体の下面に貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、下面フィルム１０から上面フィルム３９までの積層体を分断し、個片化する（ステップＳ９）。次いで、上面フィルム３９を封止層１６から剥離した後、機能フィルム４０を、個片化した各積層体の上面に貼り付ける（ステップＳ１０）。次いで、端子部Ｔに電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（ステップＳ１１）。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法の詳細について、図４～１０を参照して詳細に説明する。
　（ドットパターン配置）
　図４は、本実施形態に係るドットパターン配置を示す図である。図４（ａ）は上面図を示し、図４（ｂ）は側断面図を示す。図４に示すように、まず、ガラス基板（母基板）ＧＳ上に、複数の金属（例えば、モリブデン（Ｍｏ）等）製のドットからなるドットパターンＤＰを形成する工程が行われる。当該ドットパターンＤＰは、上述したように、形状保持パターンの一例であり、ガラス基板ＧＳの上面のうち、塗布予定領域ＰＡにスパッタ、蒸着等により形成される。本実施形態では、ドットパターンＤＰは、ガラス基板ＧＳ全体において配置される。この場合、個片化工程は、２回目に下面フィルム（ラミネーションフィルム）１０を貼る工程の後に実施される。
　なお、形状保持パターンは、図４（ａ）に示した、平面視で円形状のドットパターンに限定されるものではなく、例えば、平面視で三角形状および矩形状を含む多角形状のパターンであってもよいし、楕円形状等の他形状のパターンであってもよい。
　塗布予定領域ＰＡは、樹脂層１２が形成される予定の領域であり、例えば、ＰＩが塗布される予定の領域である。ドットパターンＤＰは、樹脂層１２の端面から０．５ｍｍ（好ましくは０．３ｍｍ）以内の位置に形成される。ドットパターンＤＰは、直径１０～３０μｍ（例えば、２０μｍであってもよい）である。
　（ＰＩ塗布、および、バリア層デポ）
　図５は、本実施形態に係るＰＩ塗布、および、バリア層デポを示す図である。図５（ａ）は上面図を示し、図５（ｂ）は側断面図を示す。図５に示すように、図４に続いて、ドットパターンＤＰを覆うように樹脂層１２を形成する工程が行われる。図５（ａ）に示すように、ドットパターンＤＰは、樹脂層１２の端部に沿うように少なくとも樹脂層１２の四隅に形成される。なお、ドットパターンＤＰの厚さは例えば２００ｎｍであり、樹脂層１２の厚さは例えば１２μｍである。
　そして、図２に示すように、樹脂層１２上に少なくとも１層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層１４（少なくとも１層の無機絶縁膜は、バリア層１３、第１無機絶縁膜１７、第２無機絶縁膜１８、第３無機絶縁膜２０を含む）を形成する工程と、ＴＦＴ層１４上に発光素子層１５を形成する工程と、発光素子層１５上に封止層１６を形成する工程とが行われる。なお、少なくとも一層の無機絶縁膜は、樹脂層１２の表面とその端部を覆うように形成される（図５にはバリア層１３のみ図示）。
　表示デバイス２は、周縁部に、複数の金属製のドットからなるドットパターンＤＰが形成されたガラス基板ＧＳと、ドットパターンＤＰを覆うように形成された樹脂層１２と、樹脂層１２上に形成された、少なくとも１層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層１４と、ＴＦＴ層１４上に形成された発光素子層１５と、を備えている。なお、無機絶縁膜には、ベースコート膜が含まれる。
　（上面フィルムの貼り付け）
　図６は、本実施形態に係る上面フィルムの貼り付けを示す図である。図６（ａ）は上面図を示し、図６（ｂ）は側断面図を示す。図６に示すように、図５に続いて、樹脂層１２、および、表示機能層ＤＦの上面に上面フィルム（１回目のラミネーションフィルム（１ｓｔラミ））３９を貼り付ける工程が行われる。なお、図６～１０、１３において、樹脂層１２と、表示機能層ＤＦとは、別個に図示している。本来は、図２に示すように、表示機能層ＤＦは、樹脂層１２、ＴＦＴ層１４、発光素子層１５、および、封止層１６を含む。従って、上記の工程は、樹脂層１２、ＴＦＴ層１４、発光素子層１５、および、封止層１６を含む表示機能層ＤＦの上面に上面フィルム３９を貼り付ける工程であると言える。本実施形態では、表示機能層ＤＦは、複数の表示パネルＰＮＬを含む（図１１参照）。
　なお、ガラス基板ＧＳの上面のうち、樹脂層１２の端面よりも外側にある、バリア層１３および上面フィルム３９（図６（ｂ）の破線が示す箇所）は、デラミ工程の妨げになる。
　（表示機能層、および上面フィルムのカット）
　図７は、本実施形態に係る表示機能層、および上面フィルムのカットを示す図である。図７（ａ）は上面図を示し、図７（ｂ）は側断面図を示す。図７に示すように、図６に続いて、表示パネルＰＮＬと表示パネルＰＮＬの外周とで分離するように、表示機能層ＤＦ、および上面フィルム３９を枠状にカットする分断工程が行われる。分断工程においては、ＣＯ２レーザＣＬを用いる。カットされる幅は、例えば、１００～４００μｍである。
　本実施形態に係る分断工程では、図７（ｂ）に示すように、ガラス基板ＧＳはカットされず、表示デバイス２の個片化は行われない。なお、本実施形態に係る個片化は、デラミ工程の後に行われる。
　（レーザリフトオフ）
　図８は、本実施形態に係るレーザリフトオフ工程を示す図である。図８（ａ）は上面図を示し、図８（ｂ）は側断面図を示す。図８に示すように、図７に続いて、個片化される前のガラス基板ＧＳ側からレーザ光を照射して、ガラス基板ＧＳから樹脂層１２を分離する分離工程（ＬＬＯ工程）が行われる。分離工程においては、エキシマレーザ（レーザ光）ＥＬを用いる。エキシマレーザＥＬのパワーは、例えば、１８０ｍＪ／ｃｍ２である。
　本実施形態に係る分離工程では、ガラス基板ＧＳと、樹脂層１２とが密着しなくなった状態であって、まだ引き離されていない状態であり、ドットパターンＤＰがガラス基板ＧＳ上に残る。ここで、例えば、直径１０～３０μｍのドットパターンＤＰがあるので、樹脂層１２の形状は維持されるとともに、ドットパターンＤＰのない部分の樹脂層１２はガラス基板ＧＳから分離される。
　実際には、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板ＧＳを上側にした状態で、ガラス基板ＧＳの上方から下方に向けてエキシマレーザＥＬを照射する。なお、この説明に限ることなく、ガラス基板ＧＳを下側にした状態で、ガラス基板ＧＳの下方から上方に向けてエキシマレーザＥＬを照射してもよい。
　（デラミ）
　図９は、本実施形態に係るデラミ工程を示す図である。図１０は、本実施形態に係る下面フィルム１０の貼り付けを示す図である。
　図９に示すように、図８に続いて、ガラス基板ＧＳ及びドットパターンＤＰから表示機能層ＤＦを剥離するデラミ工程（剥離工程）が行われる。本実施形態においては表示機能層ＤＦが複数の表示パネルを含むので、デラミ工程において、ガラス基板ＧＳから複数の表示パネルをともに剥離する。
　また、デラミ工程は、真空吸着により行われる。すなわち、このデラミ工程では、図９において、図略の真空吸着機構によってガラス基板ＧＳを真空吸着した上側ステージ、及び図略の真空吸着機構によって上面フィルム３９を真空吸着した下側ステージを、それぞれ図９の矢印が示す上方向及び下方向に移動させることにより、樹脂層１２とドットパターンＤＰとを物理的に剥がして、ガラス基板ＧＳ及びドットパターンＤＰから表示機能層ＤＦを剥離する。なお、図９では、ガラス基板ＧＳ上に残ったドットパターンＤＰの図示は省略している。
　図１０に示すように、デラミ工程の後に、樹脂層１２上に、接着層１１を介在させて、下面フィルム（２回目のラミネーションフィルム（２ｎｄラミ））１０を貼り付ける。デラミ工程において、図９に示すように、上ステージにガラス基板ＧＳを真空吸着し、下ステージに表示機能層ＤＦを真空吸着してもよい。これによれば、真空吸着および重力によりドットパターンＤＰから表示機能層ＤＦを剥離することができるし、表示機能層ＤＦの樹脂層１２が鉛直上側を向くので、下面フィルム１０を貼り易い。また、デラミ工程において、ガラス基板ＧＳを載置したステージを斜めに傾斜させながら真空吸着を行ってもよい。
　デラミ工程において、ドットパターンＤＰが直径５０μｍ以上の場合ではＰＩ剥がれが生じたケースが存在し、３０μｍ未満の場合ではＰＩ剥がれが発生せず、１０μｍ未満では形状の保持が難しい。これらにより、ドットパターンＤＰを１０～３０μｍとする。
　なお、ドットパターンＤＰの直径は、２０μｍが好ましい。その根拠は、ドットパターンＤＰを介して、ガラス基板ＧＳと、樹脂層１２とが、レーザスキャンの際には付いているが、デラミの際には真空吸引で剥がれる大きさだからである。
　このようなドットパターン（形状保持パターン）ＤＰの形成により、デラミ工程を行い易くすることができる。すなわち、本実施形態では、上記従来例と異なり、搬送途中におけるハンドリング性を向上させた状態で、デラミ工程を容易に行うことが可能になる。ハンドリング性に関しては、樹脂層１２を含む積層体をガラス基板ＧＳより下側にしても、デラミの前にはドットパターンＤＰが樹脂層１２内に存在しているので、デラミの途中で樹脂層１２のみの落下を防止することができる。
　なお、図９とは逆に、ガラス基板ＧＳを下ステージで吸着し、上記の積層体を上ステージで吸着してもよい。本実施形態では、上記のデラミ工程の後に、２回目のラミネーションフィルムの貼り付けを行った上で、ＣＯ２レーザ等により表示デバイス２の個片化が行われる。
　（実施例）
　図１１は、本実施形態に係る個片化直前の表示機能層ＤＦの一例を示す図である。図９に示すデラミ（剥離）工程（図３のステップＳ７）、および、下面フィルム１０の貼り付け工程（図３のステップＳ８）の後に、図１１に示すように、表示機能層ＤＦが分断により個片化されて、例えば、８個の表示パネルＰＮＬが製造される。
　図１２は、本実施形態に係る表示機能層、および上面フィルムのカットの実施例を示す図である。図１２に示すように、ＣＯ２レーザＣＬは、樹脂層１２の端部と、ドットパターンＤＰとの間に照射される。ＣＯ２レーザＣＬで分断される幅は４００μｍ、ＣＯ２レーザＣＬの位置決め誤差は±７０μｍである。従って、分離部分の境界、すなわち、樹脂層１２の端部に光線の中心が位置付くようにＣＯ２レーザＣＬを照射すると、樹脂層１２の端部から２７０（４００／２＋７０）μｍ内側の箇所に当たることになる。
　そこで、ＣＯ２レーザＣＬが金属製のドットパターンＤＰに当たると、ドットパターンＤＰが消失するので、マージンを以って樹脂層１２の端部から０．３～０．５ｍｍだけ内側にドットパターンＤＰを形成するのが望ましい。
　〔実施形態２〕
　本発明の実施形態２について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。本実施形態では、表示パネル単位に、ドットパターンを形成して、分断工程（図１４参照）の際に、表示機能層ＤＦ及び上面フィルム３９を分断する。つまり、図１４の場合には、６個の表示パネルがばらばらとなるように、実施形態１における分断工程と同じＣＯ２レーザで表示機能層ＤＦ及び上面フィルム３９を分断する。その後、表示機能層ＤＦ及び上面フィルム３９は、ガラス基板ＧＳ（支持基板Ｓ）との剥離工程において、表示パネル単位に個片化される。
　図１３は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法の概要を示すフローチャートである。ここでは、実施形態１（図３のフローチャート）と異なる処理について説明する。ステップＳ１０６においては、ガラス基板ＧＳ上に形成された、複数の各表示パネルにおいて、表示機能層ＤＦ及び上面フィルム３９を分断する。その後、ステップＳ７’において、各表示パネルを、それぞれのガラス基板ＧＳおよびドットパターンＤＰから剥離して、表示パネルの個片化が同時に行われる。以下に、詳細を説明する。
　図１４は、本実施形態に係る表示機能層、および上面フィルムのカットを示す図である。図１４に示すように、ドットパターンＤＰは、ガラス基板ＧＳ上の複数の表示パネル単位に、かつ、表示パネルの端部に沿うように形成される。そして、１つの表示パネルを含む小判の外周に対応する位置で、上面フィルム３９、樹脂層１２および表示機能層ＤＦを枠状にカットする分断工程（ステップＳ６’）が行われる。すなわち、当該分断工程（ステップＳ６’）においては、表示パネル単位に、樹脂層１２と、表示機能層ＤＦとが分断される。そして、ガラス基板ＧＳと、樹脂層１２等との剥離が行われると、同時に表示パネルの個片化が行われる（ステップＳ７’）。
　なお、上記により、分断された表示パネルごとにドットパターンＤＰが着いているので、デラミ工程においては、ガラス基板ＧＳおよびドットパターンＤＰから複数の表示パネルを剥離する。
　〔まとめ〕
　本実施形態にかかる表示デバイス２が備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示デバイス２としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　態様１の表示デバイスの製造方法は、母基板を用いて複数の表示パネルを一括して形成する、表示デバイスの製造方法であって、母基板上に、複数の金属製の形状保持パターンを形成する工程と、前記形状保持パターンを覆うように樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に少なくとも１層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層を形成する工程と、前記ＴＦＴ層上に発光素子層を形成する工程と、前記発光素子層上に封止層を形成する工程と、前記樹脂層、前記ＴＦＴ層、前記発光素子層、および、前記封止層を含む表示機能層の上面に上面フィルムを貼り付ける工程と、前記表示パネルと当該表示パネルの外周とで分離するように、前記表示機能層及び前記上面フィルムを分断する分断工程と、前記母基板側からレーザ光を照射して、当該母基板から前記樹脂層を分離する分離工程と、前記母基板及び前記形状保持パターンから前記表示機能層を剥離する剥離工程と、を含む表示デバイスの製造方法。
　態様２では、前記形状保持パターンは、前記樹脂層の端部に沿うように形成され、前記表示機能層は、前記複数の表示パネルを含み、前記剥離工程において、前記母基板から前記複数の表示パネルをともに剥離する。
　態様３では、前記形状保持パターンは、前記表示パネル単位に、かつ、当該表示パネルの端部に沿うように形成され、前記剥離工程において、前記母基板から前記複数の表示パネルをともに剥離する。
　態様４では、前記形状保持パターンは、前記樹脂層の端面から０．５ｍｍ以内の位置に形成される。
　態様５では、前記形状保持パターンは、平面視で円形の形状を有し、当該円形の直径１０～３０μｍである。
　態様６では、前記無機絶縁膜には、ベースコート膜が含まれる。
　態様７では、前記分断工程において、ＣＯ２レーザを用いる、請求項１～６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様８では、前記剥離工程は、真空吸着により行う。
　態様９では、前記剥離工程の後に、前記樹脂層上に下面フィルムを貼り付ける。
　態様１０では、前記剥離工程において、上ステージに前記母基板を真空吸着し、下ステージに前記表示機能層を真空吸着する。
　態様１１では、前記剥離工程において、上記母基板を載置したステージを斜めに傾斜させながら真空吸着を行う。
　態様１２では、上記分離工程において、エキシマレーザを用いる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　表示デバイス
　１０　下面フィルム
　１２　樹脂層
　１３　バリア層（無機絶縁膜）
　１４　ＴＦＴ層
　１５　発光素子層
　１６　封止層
　１７　第１無機絶縁膜（無機絶縁膜）
　１８　第２無機絶縁膜（無機絶縁膜）
　２０　第３無機絶縁膜（無機絶縁膜）
　３９　上面フィルム
　ＤＰ　ドットパターン（形状保持パターン）
　ＤＦ　表示機能層
　ＥＬ　エキシマレーザ（レーザ光）
　ＧＳ　ガラス基板（母基板）
　ＰＮＬ　表示パネル

Claims (12)

  1. 　母基板を用いて複数の表示パネルを一括して形成する、表示デバイスの製造方法であって、
    　母基板上に、複数の金属製の形状保持パターンを形成する工程と、
    　前記形状保持パターンを覆うように樹脂層を形成する工程と、
    　前記樹脂層上に少なくとも１層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層を形成する工程と、
    　前記ＴＦＴ層上に発光素子層を形成する工程と、
    　前記発光素子層上に封止層を形成する工程と、
    　前記樹脂層、前記ＴＦＴ層、前記発光素子層、および、前記封止層を含む表示機能層の上面に上面フィルムを貼り付ける工程と、
    　前記表示パネルと当該表示パネルの外周とで分離するように、前記表示機能層及び前記上面フィルムを分断する分断工程と、
    　前記母基板側からレーザ光を照射して、当該母基板から前記樹脂層を分離する分離工程と、
    　前記母基板及び前記形状保持パターンから前記表示機能層を剥離する剥離工程と、
    を含む表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記形状保持パターンは、前記樹脂層の端部に沿うように形成され、
    　前記表示機能層は、前記複数の表示パネルを含み、
    　前記剥離工程において、前記母基板から前記複数の表示パネルをともに剥離する、請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記形状保持パターンは、前記表示パネル単位に、かつ、当該表示パネルの端部に沿うように形成され、
    　前記剥離工程において、前記母基板から前記複数の表示パネルをともに剥離する、請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記形状保持パターンは、前記樹脂層の端面から０．５ｍｍ以内の位置に形成される、請求項１～３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記形状保持パターンは、平面視で円形の形状を有し、当該円形の直径は１０～３０μｍである、請求項１～４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記無機絶縁膜には、ベースコート膜が含まれる、請求項１～５の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記分断工程において、ＣＯ２レーザを用いる、請求項１～６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　前記剥離工程は、真空吸着により行う、請求項１～７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記剥離工程の後に、前記樹脂層上に下面フィルムを貼り付ける、請求項８に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　前記剥離工程において、上ステージに前記母基板を真空吸着し、下ステージに前記表示機能層を真空吸着する、請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　前記剥離工程において、上記母基板を載置したステージを斜めに傾斜させながら真空吸着を行う、請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　上記分離工程において、エキシマレーザを用いる、請求項１～１１の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
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