WO2020031365A1 - 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents

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WO2020031365A1
WO2020031365A1 PCT/JP2018/030027 JP2018030027W WO2020031365A1 WO 2020031365 A1 WO2020031365 A1 WO 2020031365A1 JP 2018030027 W JP2018030027 W JP 2018030027W WO 2020031365 A1 WO2020031365 A1 WO 2020031365A1
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resin layer
layer
manufacturing
island
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PCT/JP2018/030027
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敬之 主藤
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シャープ株式会社
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    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • G—PHYSICS
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Definitions

  • the present invention relates to a display device provided with a light emitting element.
  • Patent Document 1 describes a method of cutting a laminate formed on a mother substrate into individual organic EL cells.
  • a method for manufacturing a display device includes, on a mother substrate, a TFT layer and a light-emitting element layer laminated in this order, and at least one inorganic insulating film formed on the TFT layer.
  • a method for producing a display device comprising: forming a laminate including at least one display device; and obtaining at least one display device, the method comprising: applying a resin layer onto the mother substrate; A resin layer forming step of forming an island-shaped pattern of the resin layer according to the shape of the resin layer, and a laminate forming step of forming the laminate on the island-shaped resin layer.
  • the inorganic insulating film is cut off at the edge of the island-shaped resin layer.
  • the display device manufacturing apparatus of the present invention includes, on a mother substrate, a TFT layer and a light emitting element layer stacked in this order, and at least one layer of an inorganic insulating film.
  • An apparatus for manufacturing a display device comprising: forming a laminate including a TFT layer, and including the laminate, to obtain at least one display device, wherein a resin layer is applied on the mother substrate; A film forming apparatus for forming an island-shaped pattern of the resin layer in accordance with a shape, and forming the laminate on the island-shaped resin layer; At the edge of the resin layer.
  • a method of manufacturing a display device in which damage to a stacked body on a mother substrate is reduced.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view in a display area of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view for describing a method for manufacturing a barrier layer as an example of a method for forming an inorganic insulating film according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to Embodiment 2 of the present invention. It is a process top view of a display device in a manufacturing process of a display device concerning Embodiment 2 of the present invention, and a process sectional view.
  • FIG. 9 is a schematic top view of a display device according to Embodiment 3 of the present invention. It is a process top view of a display device in a manufacturing process of a display device concerning Embodiment 3 of the present invention, and a process sectional view. It is a process top view of a display device in a manufacturing process of a display device concerning Embodiment 4 of the present invention, and a process sectional view. It is a block diagram of a manufacturing device of a display device concerning each embodiment of the present invention.
  • “same layer” means being formed in the same process
  • “lower layer” means being formed in a process earlier than the layer to be compared
  • the “upper layer” means that it is formed in a process subsequent to the layer to be compared.
  • FIG. 2 is a top view of the display device 2 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG.
  • the display device 2 according to the present embodiment includes a display area DA and a frame area NA adjacent to the periphery of the display area DA.
  • a terminal portion T is formed at one end of the frame region NA.
  • a driver or the like (not shown) that supplies a signal for driving each light emitting element in the display area DA via a connection line CL from the display area DA is mounted on the terminal portion T.
  • the display device 2 includes a lower film 10, an adhesive layer 11, a resin layer 12, and a laminate L in order from the lower layer.
  • the laminate L includes a barrier layer 3, a TFT layer 4, a light emitting element layer 5, and a sealing layer 6 in this order from the bottom.
  • the display device 2 may include a functional film 39 having an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like in a further upper layer of the multilayer body L.
  • the lower film 10 is a base film of the display device 2 and may include, for example, an organic resin material.
  • the adhesive layer 11 is a layer for bonding the lower film 10 and the resin layer 12, and may be formed using a conventionally known adhesive.
  • the resin layer 12 for example, polyimide is given.
  • the thickness of the resin layer 12 from the upper surface of the adhesive layer 11 is, for example, 12 ⁇ m.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device 2 is used.
  • the barrier layer 3 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by CVD, or a stacked film thereof.
  • the TFT layer 4 includes, in order from the lower layer, a semiconductor film 15, a first inorganic insulating film 16 (gate insulating film), a gate electrode GE, a second inorganic insulating film 18, a capacitor electrode CE, and a third inorganic insulating film. 20, a source wiring SH (metal wiring layer), and a planarizing film 21 (interlayer insulating film). That is, the TFT layer 4 includes at least one inorganic insulating film.
  • a thin-film transistor (TFT) Tr is configured to include the semiconductor film 15, the first inorganic insulating film 16, and the gate electrode GE.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor. Note that in FIG. 2, a TFT having the semiconductor film 15 as a channel is illustrated as having a top gate structure; however, a TFT having a bottom gate structure may be employed (for example, a case where the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the gate electrode GE aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), and copper (Cu) are used for the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH. May be included. That is, the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH is formed of the above-described metal single-layer film or stacked film.
  • the first inorganic insulating film 16, the second inorganic insulating film 18, and the third inorganic insulating film 20 are, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • SiOx silicon oxide
  • SiNx silicon nitride
  • the flattening film 21 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light-emitting element layer 5 (for example, an organic light-emitting diode layer) includes, in order from the lower layer, a pixel electrode 22 (a first electrode, for example, an anode), a cover film (edge cover) 23 covering the edge of the pixel electrode 22, and a light-emitting layer 24. And an upper electrode (a second electrode, for example, a cathode) 25.
  • the light-emitting element layer 5 includes, for each sub-pixel SP (pixel), a light-emitting element (for example, an OLED: organic light-emitting diode) including an island-shaped pixel electrode 22, an island-shaped light-emitting layer 24, and an upper electrode 25; And a driving sub-pixel circuit.
  • a transistor Tr is formed for each sub-pixel circuit, and the sub-pixel circuit is controlled by controlling the transistor Tr.
  • the pixel electrode 22 is provided at a position overlapping the planarization film 21 and a contact hole that is an opening of the planarization film 21 in a plan view.
  • the pixel electrode 22 is electrically connected to the source wiring SH via a contact hole. Therefore, a signal in the TFT layer 4 is supplied to the pixel electrode 22 via the source wiring SH.
  • the thickness of the pixel electrode 22 may be, for example, 100 nm.
  • the pixel electrode 22 is formed in an island shape for each of the plurality of sub-pixels SP, is made of, for example, a stack of an alloy containing ITO (Indium Tin In Oxide) and Ag, and has light reflectivity.
  • the upper electrode 25 is formed in a solid shape as a common layer of the plurality of sub-pixels SP, and can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the cover film 23 is an organic insulating film, is formed at a position covering the edge of the pixel electrode 22, has an opening 23c for each of the plurality of sub-pixels SP, and partially exposes the pixel electrode 22.
  • the light emitting layer 24 is formed by, for example, stacking a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order from the lower layer side.
  • at least one layer of the light emitting layer 24 is formed by an evaporation method.
  • each layer of the light emitting layer 24 may be formed in an island shape for each sub-pixel SP, or may be formed in a solid shape as a common layer of a plurality of sub-pixels SP.
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24 by a driving current between the pixel electrode 22 and the upper electrode 25, and the excitons generated by the recombination fall to the ground state.
  • Light is emitted. Since the upper electrode 25 has a light-transmitting property and the pixel electrode 22 has a light-reflecting property, light emitted from the light-emitting layer 24 goes upward, and becomes top emission.
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 above the upper electrode 25, an organic sealing film 27 above the first inorganic sealing film 26, and a first inorganic sealing film 27 above the organic sealing film 27. 2 and an inorganic sealing film 28 to prevent foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD. .
  • the organic sealing film 27 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • FIG. 1 is a sectional view taken along line AA in i).
  • a resin layer 12 is applied on a mother substrate S, which is a translucent mother glass substrate (Step S1).
  • the application of the resin layer 12 on the mother substrate S can be performed by a conventionally known method such as an inkjet method.
  • step S2 the resin layer 12 is patterned (step S2).
  • step S2 as shown in FIGS. 1C and 1D, the resin layer 12 is patterned in accordance with the shape of each display device 2 to form an island pattern of the resin layer 12.
  • the island pattern of the resin layer 12 may be formed by photolithography using a photosensitive resin material. That is, for example, the material of the resin layer 12 including the photosensitive resin material is applied on the mother substrate S, and the light is irradiated through a photomask to expose the photosensitive resin material, and the photosensitive resin material is appropriately developed. By developing with a liquid, an island pattern of the resin layer 12 may be obtained. Each member after step S2 is formed for each of the obtained island-shaped resin layers.
  • step S3 the barrier layer 3 is formed (step S3).
  • the step of forming the barrier layer 3 will be described in more detail with reference to the step sectional view of FIG. FIG. 5A is a process sectional view corresponding to FIG. 1D, and shows the motherboard S and the resin layer 12 at the time when step S2 is completed.
  • the barrier layer 3 is formed on the mother substrate S and the resin layer 12 so as to be thinner than the resin layer 12 and to have a substantially uniform thickness.
  • the barrier layer 3 is formed thinner than 12 ⁇ m.
  • the barrier layer 3 is disconnected at the border of each island-shaped resin layer 12. That is, as shown in FIG. 5B, a barrier layer 3 formed on each of the island-shaped resin layers 12 and a barrier layer 3A formed directly on the mother substrate S are obtained.
  • the barrier layer 3 and the barrier layer 3A are not continuous.
  • step S3 is completed.
  • the TFT layer 4 is formed on the barrier layer 3 (Step S4).
  • the terminal portion T and the connection wiring CL may be formed.
  • a top emission type light emitting element layer (for example, an OLED element layer) 5 is formed (Step S5).
  • each layer of the light emitting element layer 5 may be formed by a conventionally known method, and in particular, the light emitting layer 24 may be formed by a vapor deposition method or the like.
  • the sealing layer 6 is formed (Step S6).
  • step S6 the laminated body L shown in FIGS. 1E and 1F is formed on the upper layer of each island-shaped resin layer 12.
  • the inorganic insulating film can be formed by the same method as the barrier layer 3 shown in FIG.
  • the inorganic insulating film included in the laminate L is disconnected at the edge of each of the island-shaped resin layers 12. For this reason, in the formation of the laminated body L, the step of cutting the inorganic insulating film included in the TFT layer 4 using laser light or the like according to the shape of each island-shaped resin layer 12 can be omitted.
  • steps S3 to S6 described above the inorganic insulating film that is cut off at the edge of each island-shaped resin layer 12 and formed outside each island-shaped resin layer 12 proceeds to the next step. It may have been removed before.
  • steps S3 to S6 only the formation of the inorganic insulating film is performed, and the removal of the inorganic insulating film formed outside each of the island-shaped resin layers 12 is performed in a later process. You may carry out collectively. For example, in step S3 described above, the removal of the barrier layer 3A is not performed. For example, after step S6, the barrier layer 3A is removed together with another inorganic insulating film formed outside each of the island-shaped resin layers 12. 3A may be removed.
  • the conductive inorganic layer such as a metal layer in steps S4 to S6 may be patterned by etching using photolithography or the like. Further, the organic film in steps S4 to S6 may be patterned using a method such as coating, photolithography, or vapor deposition. For this reason, even in patterning other members except the inorganic insulating film, the step of cutting the members using laser light or the like according to the shape of each island-shaped resin layer 12 can be omitted.
  • the upper surface film 29 is attached to the upper surface of the multilayer body L (step S7), and the structure shown in FIGS. 1E and 1F is obtained.
  • the upper surface film 29 may be attached to the upper surface of the laminate L and may be made of the same material as the lower film 10.
  • the upper film 29 may be affixed to the laminate L via an adhesive layer, similarly to the lower film 10.
  • the mother substrate S is peeled from the resin layer 12 (Step S8).
  • the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with the laser beam L1 over the mother substrate S, and the bonding force between the mother substrate S and the resin layer 12 is removed. May be reduced and the mother substrate S may be removed from the resin layer 12.
  • an individual structure including the resin layer 12, the laminate L, and the upper surface film 29 is obtained.
  • the laser beam L1 is, for example, an excimer laser beam having an intensity of 180 mJ / cm 2 .
  • the intensity of the laser light L1 is sufficiently lower than that of the laser light used to cut the inorganic insulating film or the like. For this reason, even when the laser beam L1 is used to separate the mother substrate S and the resin layer 12, damage to the stacked body L can be further reduced.
  • Step S9 the lower film 10 is attached to the lower surface of each structure via the adhesive layer 11
  • Step S10 the functional film 39 is attached to the upper surface of each of the structures.
  • an electronic circuit board for example, an IC chip
  • Step S11 an electronic circuit board
  • the step of cutting the inorganic insulating film included in the TFT layer 4 can be omitted. For this reason, it is possible to prevent defects such as cracks from occurring in the inorganic insulating film.
  • the method for manufacturing the display device 2 according to the present embodiment leads to simplification of the manufacturing process of the display device 2 and narrowing of the frame of the display device 2.
  • the reliability of the display device 2 is improved. Can be further improved.
  • step S2 the island-shaped resin layer 12 is formed using exposure and development. Therefore, the step of irradiating the resin layer 12 with laser light and cutting the resin layer 12 to form the island pattern of the resin layer 12 can be omitted. Therefore, in the present embodiment, damage to the resin layer 12 can be reduced.
  • FIG. 6 is a flowchart for explaining a method for manufacturing the display device 2 according to the present embodiment.
  • steps denoted by the same reference numerals as those in the flowchart of FIG. 4 indicate the same process.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA in FIGS.
  • a metal layer M is formed on the mother substrate S (Step S21).
  • the metal layer M is patterned according to the shape of each display device 2 to form an island pattern of the metal layer M.
  • the patterning of the metal layer M may be performed by etching using photolithography or the like.
  • the metal layer M may include, for example, molybdenum. When the metal layer M contains molybdenum, the thickness of the metal layer M is, for example, 200 nm or less.
  • Step S22 the resin layer 12 is applied to the upper surfaces of the mother substrate S and the metal layer M (Step S22).
  • Step S22 may be performed by applying the resin layer 12 using a conventionally known application method, as in Step 1.
  • the applied resin layer 12 is irradiated with a laser beam L2, and the resin layer 12 is formed along the edge of each island-shaped metal layer M. Cut (step S23).
  • the laser light L2 is, for example, the scanning speed is 100 mm / s, strength of 3W, may be a laser beam of a CO 2 laser.
  • step S24 for example, as shown in (e) and (f) of FIG. 7, the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with the laser beam L3 through the mother substrate S to couple the mother substrate S to the resin layer 12. It may be performed by a method of lowering the force and peeling the mother substrate S from the resin layer 12.
  • the laser beam L3 is, for example, an excimer laser beam having an intensity of 180 mJ / cm 2 .
  • step S24 the laser light L3 may be irradiated over the entire surface of the mother substrate S. That is, in step S24, the lower surface of the metal layer M may be irradiated with the laser beam L3 over the mother substrate S. Even in this case, the peeling of the metal layer M from the mother substrate S and the peeling of the resin layer 12 from the metal layer M do not occur if the intensity of the laser beam L3 is as described above.
  • step S24 is completed, as shown in (g) and (h) of FIG. 7, the resin layer 12 does not remain on the mother substrate S, and the resin layer 12 formed only on the metal layer M is removed. can get.
  • steps S3 to S6 are performed to form a laminate L on each resin layer 12, as shown in FIG. 7 (j).
  • steps S3 to S6, as described above the inorganic insulating film included in the TFT layer 4 is cut off at the border of each island-shaped resin layer 12. Therefore, also in the present embodiment, in forming the laminated body L, a step of cutting the inorganic insulating film included in the TFT layer 4 using a laser beam or the like according to the shape of each island-shaped resin layer 12 is performed. Can be omitted.
  • step S7 is executed, and an upper surface film 29 is attached to the upper surface of each laminated body L as shown in (i) and (j) of FIG.
  • the upper surface film 29 may be used for handling when the metal layer M and the resin layer 12 are peeled off later.
  • step S25 the resin layer 12 is peeled off from each of the island-shaped metal layers M (Step S25).
  • step S25 first, as shown in (i) and (j) of FIG. 7, the lower surface of the metal layer M is irradiated with the laser beam L4 through the mother substrate S.
  • the laser beam L4 is, for example, an excimer laser beam having an intensity of 285 mJ / cm 2 . That is, the intensity of the laser light L4 in step S25 is higher than the intensity of the laser light L3 in step S24 described above, that is, the step of peeling the resin layer 12 from the mother substrate S.
  • step S25 When step S25 is completed, as shown in (k) and (l) of FIG. 7, individual structures each having the resin layer 12, the laminate L, and the upper surface film 29 are obtained. After step S25, the display device 2 is obtained by sequentially executing steps S9 to S11.
  • the step of cutting each member formed on the mother substrate S using laser light or the like can be omitted. For this reason, it is possible to reduce damage to each member formed on the mother substrate S including the stacked body L.
  • the resin layer 12 is formed on each of the patterned metal layers M on the mother substrate S.
  • the metal layer M can be formed by sputtering or the like, the shape of the metal layer M is easier to control than the resin layer 12 formed by coating. Therefore, in the present embodiment, it becomes easier to more accurately form the island-shaped resin layers 12 according to the shape of the display device 2.
  • the resin layer 12 is formed on the metal layer M on the mother substrate S, the difference in height between the upper surface of the mother substrate S and the upper surface of the resin layer 12 becomes larger. . Therefore, in the formation of the laminate L, the inorganic insulating film included in the TFT layer 4 is more reliably disconnected at the border of each island-shaped resin layer 12. Therefore, the method for manufacturing the display device 2 of the present embodiment can further improve the yield.
  • step S23 is executed before step S3. That is, the cutting of the resin layer 12 is performed before the formation of the laminate L. For this reason, when the resin layer 12 is cut, the laminate L is not formed. Therefore, in the present embodiment, damage to the laminate L can be further reduced.
  • step S22 the process proceeds to step S24, and step S23 is executed between the irradiation of the laser beam L3 and the separation of the resin layer 12 from the mother substrate S in step S24. Is also good.
  • the resin layer 12 is cut in a state where no gas is contained between the mother substrate S and the resin layer 12. Of the laser beam L2 for this purpose. Therefore, the cutting of the resin layer 12 can be performed more precisely along the edge of the metal layer M.
  • FIG. 8 is a top view of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 according to each of the above-described embodiments only in the shape of the display area DA and the frame area NA. That is, the layer structure of the display device 2 according to the present embodiment may be the same as the display device 2 according to each embodiment described above, except for its shape.
  • the display device 2 includes a display area DA and a frame area NA that are not rectangular and are not rectangular when viewed from above. Further, the display device 2 includes a resin layer 12 formed according to the outer shapes of the display region DA and the frame region NA having the irregular shape.
  • the resin layer 12 includes a notch portion N, an opening H, and a terminal region TA as deformed portions.
  • the resin layer 12 has rounded corners C at its four corners.
  • the notch portion N is a concave portion of the resin layer 12 formed at an end of the island-shaped resin layer 12 and cut out from a rectangular shape.
  • the opening H is an opening of the island-shaped resin layer 12 surrounded by the display area DA. In other words, the opening H is formed inside the island-shaped resin layer 12.
  • the resin layer 12 is not formed in the notch N and the opening H. That is, the resin layer 12 is patterned according to the shape including the shape of the deformed portion including the notch portion N and the opening portion H. Further, in the notch portion N and the opening H, each member including the laminated body L is not formed. An external device such as a camera may be mounted on the notch N and the opening H.
  • the terminal region TA is a protruding portion from a rectangular shape formed at the end of the resin layer 12, and the terminal portion T and the frame wiring CL may be formed in the terminal region TA.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by a manufacturing method in which some of the steps in the flowchart shown in FIG.
  • the method of manufacturing the display device according to the present embodiment will be described in detail with reference to a process top view and a process cross-sectional view shown in FIG. 9A and 9C are process top views in the manufacturing process of the display device 2, respectively.
  • 9 (b) and 9 (d) are cross-sectional views taken along the line AA in FIGS. 9 (a) and 9 (c), respectively.
  • step S1 is executed, and the resin layer 12 is applied on the mother substrate S as shown in FIGS. 9A and 9B.
  • step S2 the resin layer 12 is patterned according to the shape including the shape of the deformed portion.
  • an island pattern of the resin layer 12 is formed at least partially corresponding to the shape of the deformed portion. Therefore, as shown in FIGS. 9C and 9D, the resin layer 12 is not formed in the notch N and the opening H.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by sequentially executing the steps after step S3 in FIG.
  • the present embodiment can be applied to a case where the display device 2 including the resin layer 12 having the deformed portion in which it is more difficult to cut the laminate L according to the shape is manufactured. For this reason, in the manufacturing process of the display device 2 including the odd-shaped portion, damage to each member formed on the mother substrate S including the stacked body L can be more efficiently reduced.
  • the display device 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 2 according to the previous embodiment, and differs only in the method of manufacturing the display device 2.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by a manufacturing method in which some of the steps in the flowchart illustrated in FIG. 6 are modified.
  • FIG. 6 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the display device 2 according to the present embodiment.
  • steps denoted by the same reference numerals as those in the flowchart of FIG. 4 indicate that they are the same process.
  • FIG. 10 (a), (c), (e), and (g) are process top views in the manufacturing process of the display device 2, respectively. Also, (b), (d), (f), and (h) of FIG. 10 correspond to arrows AA in (a), (c), (e), and (g) of FIG. 10, respectively.
  • FIG. 10
  • step S21 is performed to form an island-shaped metal layer M on the mother substrate S as shown in FIGS. 10A and 10B.
  • the metal layer M is patterned according to the shape of the resin layer 12 according to the present embodiment.
  • an island-shaped pattern of the metal layer M is formed.
  • step S22 is executed to form the resin layer 12 on the mother substrate S and the island-shaped metal layer M.
  • step S23 is executed, and as shown in FIGS. 10C and 10D, the applied resin layer 12 is irradiated with the laser beam L2, and along the edge of each island-shaped metal layer M. Then, the resin layer 12 is cut. At this time, the resin layer 12 is cut by scanning the laser beam L2 along the edge of each of the island-shaped metal layers M including the shape corresponding to the deformed portion.
  • step S24 is executed, and only the resin layer 12 formed directly on the mother substrate S among the resin layers 12 is peeled off from the mother substrate S. Also in the present embodiment, in step S24, as shown in FIGS. 10E and 10F, the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with the laser beam L3 over the mother substrate S, so that the mother substrate S Alternatively, it may be performed by a method of peeling from the substrate 12.
  • an island pattern of the resin layer 12 at least partly corresponding to the shape of the deformed portion is formed on the island-shaped metal layer M.
  • the display device 2 according to the present embodiment is obtained by sequentially executing the steps after step S3 in FIG.
  • the manufacturing method of the display device 2 of the present embodiment can further improve the yield even when the display device 2 has the irregular shape.
  • FIG. 11 is a block diagram showing a display device manufacturing apparatus 40 used in the manufacturing process of the display device 2 in each of the above-described embodiments.
  • the display device manufacturing apparatus 40 includes a controller 42 and a film forming apparatus 44.
  • the controller 42 may control the film forming apparatus 44.
  • the film forming apparatus 44 may execute film formation of each layer of the display device 2.
  • the display device 2 may include a display panel having a flexible and bendable display element.
  • the display elements include a display element whose luminance and transmittance are controlled by a current, and a display element whose luminance and transmittance are controlled by a voltage.
  • the display device 2 according to each of the above embodiments may include an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • the display device 2 according to each of the above embodiments may include an inorganic light emitting diode as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be a QLED display including an EL display QLED (quantum dot light emitting diode) such as an inorganic EL display.
  • a display element for voltage control there is a liquid crystal display element or the like.
  • the method for manufacturing a display device includes forming a laminate including a TFT layer and a light-emitting element layer laminated in this order on a mother substrate, and including at least one inorganic insulating film in the TFT layer.
  • a method for manufacturing a display device including the laminate obtaining at least one display device, wherein a coating step of coating a resin layer on the mother substrate; A resin layer forming step of forming an island-shaped pattern of layers, and a laminate forming step of forming the laminate on the island-shaped resin layer.
  • the inorganic insulating film comprises an island. The step is cut at the edge of the resin layer.
  • the laminate includes a sealing layer above the light emitting element layer.
  • the laminate includes a barrier layer below the TFT layer.
  • the resin layer includes a deformed portion, and in the resin layer forming step, the resin layer is patterned according to the shape of the resin layer including the shape of the deformed portion.
  • the irregularly shaped portion includes a notch portion.
  • the deformed portion includes an opening of the resin layer formed inside the island pattern of the resin layer.
  • the irregularly shaped portion includes a terminal region in which a terminal portion is formed.
  • Mode 9 includes, before the coating step, a film forming step of forming a metal layer, and a metal layer forming step of forming an island pattern of the metal layer according to the shape of the display device.
  • the resin layer forming step includes a first peeling step of irradiating a laser from the back surface of the mother substrate to peel the resin layer that does not overlap with the island-shaped metal layer from the mother substrate.
  • an excimer laser is used in the first peeling step.
  • the resin layer forming step includes a cutting step of cutting the resin layer at an edge of the island-shaped metal layer before the first peeling step.
  • a CO 2 laser is used in the cutting step.
  • Aspect 14 includes a second peeling step of peeling off the metal layer and the resin layer after the laminate forming step.
  • an excimer laser is used in the second peeling step.
  • a laser having a higher output than the laser output in the first peeling step is used.
  • Mode 17 includes, before the second peeling step, a first film forming step of attaching an upper film to the upper surface of the laminate.
  • a second film forming step of attaching a lower film to the lower surface of the resin layer is provided.
  • the metal layer contains molybdenum.
  • the display device manufacturing apparatus comprising a mother substrate, a TFT layer and a light-emitting element layer laminated in this order, and a laminate including at least one inorganic insulating film in the TFT layer.

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Abstract

表示デバイス（２）の製造方法は、母基板（Ｓ）上に、樹脂層（１２）を塗布する塗布工程と、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成する樹脂層形成工程と、島状の前記樹脂層上に積層体（Ｌ）を形成する積層体形成工程とを備える。さらに、前記積層体形成工程において、無機絶縁膜が、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れする。

Description

表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
　本発明は、発光素子を備えた表示デバイスに関する。
　特許文献１には、マザー基板上に形成した積層体を、個々の有機ＥＬセルに切断する手法が記載されている。
日本国公開特許公報「特開２０１７－２０８２５４号」
　特許文献１に記載の製造方法の場合、積層体の切断の際に、当該積層体にダメージを与える可能性がある。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造方法であって、前記母基板上に、樹脂層を塗布する塗布工程と、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成する樹脂層形成工程と、島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する積層体形成工程とを備え、前記積層体形成工程において、前記無機絶縁膜が、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れする。
　また、上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造装置は、母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造装置であって、前記母基板上に、樹脂層を塗布し、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成し、島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する成膜装置を備え、前記成膜装置は、前記無機絶縁膜を、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れさせる。
　本発明により、母基板上の積層体に対するダメージを低減した、表示デバイスの製造方法が提供される。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造工程における、当該表示デバイスの工程上面図および工程断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの概略上面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの表示領域における概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る無機絶縁膜の形成方法の一例として、バリア層の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの製造工程における、当該表示デバイスの工程上面図および工程断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの概略上面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの製造工程における、当該表示デバイスの工程上面図および工程断面図である。 本発明の実施形態４に係る表示デバイスの製造工程における、当該表示デバイスの工程上面図および工程断面図である。 本発明の各実施形態に係る表示デバイスの製造装置のブロック図である。
　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一のプロセスにて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図２は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。図３は、図２におけるＢ－Ｂ線矢視断面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、図２に示すように、表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡとを有する。額縁領域ＮＡの一端部には、図２に示すように、端子部Ｔが形成される。端子部Ｔには、表示領域ＤＡからの接続配線ＣＬを介して表示領域ＤＡにおける各発光素子を駆動するための信号を供給する、図示しないドライバ等が実装される。
　ここで、図３を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２の、表示領域ＤＡにおける各層の構成を詳細に説明する。
　図３に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、下層から順に、下面フィルム１０と、接着層１１と、樹脂層１２と、積層体Ｌとを備える。積層体Ｌは、下層から順に、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、発光素子層５と、封止層６とを含む。表示デバイス２は、積層体Ｌのさらに上層に、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する機能フィルム３９を備えていてもよい。
　下面フィルム１０は、表示デバイス２の基材フィルムであり、例えば、有機樹脂材料を含んでいてもよい。接着層１１は、下面フィルム１０と樹脂層１２とを接着する層であり、従来公知の接着剤を使用して形成してもよい。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。樹脂層１２の接着層１１の上面からの膜厚は、例えば、１２μｍである。
　バリア層３は、表示デバイス２の使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、下層から順に、半導体膜１５と、第１無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート電極ＧＥと、第２無機絶縁膜１８と、容量電極ＣＥと、第３無機絶縁膜２０と、ソース配線ＳＨ（金属配線層）と、平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。すなわち、ＴＦＴ層４は、少なくとも１層の無機絶縁膜を含む。半導体膜１５と、第１無機絶縁膜１６と、ゲート電極ＧＥとを含むように、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２においては、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造であってもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでいてもよい。すなわち、ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、上述の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、下層から順に、画素電極２２（第１電極、例えばアノード）と、画素電極２２のエッジを覆うカバー膜（エッジカバー）２３と、発光層２４と、上部電極（第２電極、例えばカソード）２５とを含む。発光素子層５は、サブピクセルＳＰ（画素）ごとに、島状の画素電極２２、島状の発光層２４、および上部電極２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。また、ＴＦＴ層４において、当該サブ画素回路ごとにトランジスタＴｒが形成され、トランジスタＴｒの制御をもって、サブ画素回路が制御される。
　画素電極２２は、平面視において、平坦化膜２１と当該平坦化膜２１の開口であるコンタクトホールとに重畳する位置に設けられる。画素電極２２は、コンタクトホールを介してソース配線ＳＨと電気的に接続される。このため、ＴＦＴ層４における信号が、ソース配線ＳＨを介して画素電極２２に供給される。なお、画素電極２２の厚みは、例えば、１００ｎｍであってもよい。
　画素電極２２は、複数のサブピクセルＳＰごとに島状に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。上部電極２５は、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材によって構成することができる。
　カバー膜２３は有機絶縁膜であり、画素電極２２のエッジを覆う位置に形成され、複数のサブピクセルＳＰごとに開口２３ｃを備え、画素電極２２の一部が露出する。
　発光層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成される。本実施形態においては、発光層２４の少なくとも１層は、蒸着法によって形成される。また、本実施形態においては、発光層２４の各層は、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されていてもよく、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成されていてもよい。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、画素電極２２および上部電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。上部電極２５が透光性を有し、画素電極２２が光反射性を有するため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　封止層６は、上部電極２５よりも上層の第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の第２無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図４のフローチャートを、図１に示す工程上面図および工程断面図を参照して詳細に説明する。なお、図１の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、および（ｉ）は、それぞれ、表示デバイス２の製造工程における工程上面図を示す。また、図１の（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）、および（ｊ）は、それぞれ、図１の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、および（ｉ）におけるＡ－Ａ線矢視断面図である。
　はじめに、図１の（ａ）および（ｂ）に示すように、透光性のマザーガラス基板である、母基板Ｓ上に、樹脂層１２を塗布する（ステップＳ１）。樹脂層１２の母基板Ｓ上への塗布は、インクジェット法等、従来公知の手法を採用できる。
　次いで、樹脂層１２をパターニングする（ステップＳ２）。ステップＳ２においては、図１の（ｃ）および（ｄ）に示すように、樹脂層１２を、個々の表示デバイス２の形状に合わせてパターニングし、樹脂層１２の島状パターンを形成する。
　ここで、樹脂層１２の島状パターンは、感光性樹脂材料を用いた、フォトリソグラフィを用いて形成してもよい。すなわち、例えば、感光性樹脂材料を含む樹脂層１２の材料を母基板Ｓ上に塗布し、フォトマスク越しに光を照射して感光性樹脂材料を露光し、当該感光性樹脂材料を適切な現像液にて現像して、樹脂層１２の島状パターンを得てもよい。なお、ステップＳ２以降の各部材は、得られた島状の樹脂層ごとに形成される。
　ステップＳ２に次いで、バリア層３の形成を行う（ステップＳ３）。ここで、バリア層３の形成工程を図５の工程断面図を参照してさらに詳細に説明する。図５の（ａ）は、図１の（ｄ）に対応する工程断面図であり、ステップＳ２までが完了した時点における、母基板Ｓおよび樹脂層１２を示す。
　図５の（ａ）から明らかであるように、樹脂層１２の膜厚に起因して、母基板Ｓの上面と、樹脂層１２の上面との間には、高さに差異がある。例えば、本実施形態において、樹脂層１２の膜厚が１２μｍの場合、母基板Ｓの上面と、樹脂層１２の上面との高さは、１２μｍだけ差異が生じる。
　ここで、母基板Ｓおよび樹脂層１２の上層に、樹脂層１２の膜厚よりも薄く、略均一の膜厚にてバリア層３を成膜する。上述の場合、バリア層３は、１２μｍよりも薄く製膜される。この場合、母基板Ｓの上面と、樹脂層１２の上面との高さの差異に起因して、バリア層３は、島状の各樹脂層１２の縁を境に段切れする。すなわち、図５の（ｂ）に示すように、島状の各樹脂層１２上に成膜されたバリア層３と、母基板Ｓ上に直接成膜されたバリア層３Ａとが得られる。ここで、バリア層３とバリア層３Ａとは連続していない。
　次いで、母基板Ｓ上に直接成膜されたバリア層３Ａのみを、フォトリソグラフィを用いたエッチング等、従来公知の適切な手法にて除去する。これにより、図５の（ｃ）に示す、島状の各樹脂層１２上に形成されたバリア層３を得ることができる。したがって、バリア層３のパターニングは、母基板Ｓ上に直接成膜されたバリア層３Ａの除去のみにて実行でき、バリア層３を島状の各樹脂層１２の形状に合わせて、レーザ光等を使用して切断する工程を省略することができる。これにより、ステップＳ３が完了する。
　次いで、バリア層３の上層にＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ４）。この際、端子部Ｔおよび接続配線ＣＬを形成してもよい。次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ５）。ステップＳ５においては、発光素子層５の各層を従来公知の手法により形成してもよく、特に、発光層２４を、蒸着法等により形成してもよい。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ６）。
　ステップＳ３からステップＳ６までにおいて、島状の各樹脂層１２の上層に、図１の（ｅ）および（ｆ）に示す、積層体Ｌが形成される。ここで、ステップＳ３のみならず、ステップＳ４からステップＳ６までにおいても、無機絶縁膜は、図５に示したバリア層３と同様の手法にて形成できる。
　すなわち、積層体Ｌが含む無機絶縁膜の形成において、当該無機絶縁膜は、島状の各樹脂層１２の縁を境に段切れする。このため、積層体Ｌの形成において、ＴＦＴ層４が含む無機絶縁膜を、島状の各樹脂層１２の形状に合わせて、レーザ光等を使用して切断する工程を省略することができる。
　なお、上述したステップＳ３からステップＳ６において、島状の各樹脂層１２の縁にて段切れし、島状の各樹脂層１２よりも外側に形成された無機絶縁膜は、次の工程に移る前に除去されていてもよい。
　しかしながら、これに限られず、ステップＳ３からステップＳ６において、無機絶縁膜の成膜のみを実行し、島状の各樹脂層１２よりも外側に形成された無機絶縁膜の除去は、後の工程においてまとめて実施してもよい。例えば、上述のステップＳ３において、バリア層３Ａの除去を実行せず、例えば、ステップＳ６の後に、島状の各樹脂層１２よりも外側に形成された他の無機絶縁膜と併せて、バリア層３Ａを除去してもよい。
　なお、ステップＳ４からステップＳ６までにおける、金属層等の導電無機層は、フォトリソグラフィを用いたエッチング等によりパターニングされてもよい。また、ステップＳ４からステップＳ６までにおける有機膜は、塗布、フォトリソグラフィ、または蒸着等の手法を用いてパターニングしてもよい。このため、無機絶縁膜を除く他の部材のパターニングにおいても、当該部材を島状の各樹脂層１２の形状に合わせて、レーザ光等を使用して切断する工程を省略することができる。
　次いで、積層体Ｌの上面に、上面フィルム２９を貼り付け（ステップＳ７）、図１の（ｅ）および（ｆ）に示す構造体を得る。上面フィルム２９は、積層体Ｌの上面に貼り付けられ、下面フィルム１０と同一の材料からなっていてもよい。上面フィルム２９は、下面フィルム１０と同様に、接着層を介して積層体Ｌに貼り付けられていてもよい。次いで、母基板Ｓを樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。
　母基板Ｓの剥離は、例えば、図１の（ｆ）に示すように、母基板Ｓ越しに樹脂層１２の下面にレーザ光Ｌ１を照射して、母基板Ｓと樹脂層１２との結合力を低下させ、母基板Ｓを樹脂層１２から剥離する手法により実行してもよい。これにより、図１の（ｇ）および（ｈ）に示すように、それぞれ樹脂層１２、積層体Ｌ、および上面フィルム２９を備えた、個片の構造体が得られる。
　ここで、レーザ光Ｌ１は、例えば、強度が１８０ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザのレーザ光である。当該強度のレーザ光Ｌ１は、無機絶縁膜等を切断するために使用されるレーザ光と比較して、強度が十分に低い。このため、母基板Ｓと樹脂層１２との剥離にレーザ光Ｌ１を使用した場合であっても、積層体Ｌに与えるダメージをより低減することができる。
　次いで、下面フィルム１０を、接着層１１を介して、各構造体の下面に貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、封止層６から上面フィルム２９を剥離した後、機能フィルム３９を、当該各構造体の上面に貼り付ける（ステップＳ１０）。これにより、図１の（ｉ）および（ｊ）に示す構造体を得る。次いで、端子部Ｔに電子回路基板（例えば、ＩＣチップ）をマウントし、表示デバイス２とする（ステップＳ１１）。
　本実施形態においては、表示デバイス２の製造工程において、母基板Ｓ上に形成された各部材を、レーザ光等を使用して切断する工程を省略できる。このため、積層体Ｌを含む、母基板Ｓ上に形成された各部材に与えるダメージを低減することができる。
　特に、本実施形態においては、ＴＦＴ層４が備える無機絶縁膜を切断する工程を省略できる。このため、当該無機絶縁膜にクラック等の不良が生じることを防止できる。
　したがって、積層体Ｌよりも周囲側において、クラック発生を防止するための、公知のクラック防止パターンの形成が必要なくなる。あるいは、積層体Ｌよりも周囲側における、クラック防止パターンの形状を、より小さくできる。ゆえに、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法は、表示デバイス２の製造工程の簡略化、および、表示デバイス２の狭額縁化につながる。
　また、発光素子層５への水分浸透等を防止する機能を備えた、バリア層３、または封止層６が備える無機絶縁膜に対するクラックの発生が防止されることにより、表示デバイス２の信頼性をさらに向上させることができる。
　本実施形態においては、ステップＳ２において、露光および現像を使用して、島状の樹脂層１２を形成する。このため、樹脂層１２の島状パターンの形成のために、樹脂層１２にレーザ光を照射して、樹脂層１２を切断する工程を省略できる。したがって、本実施形態においては、樹脂層１２に対するダメージも低減することができる。
　〔実施形態２〕
　本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備え、当該表示デバイス２の製造方法のみが異なる。図６は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について説明するためのフローチャートである。図６において、図４のフローチャートにおける各ステップと、同じ番号が付されたステップは、互いに同一の工程であることを示す。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図６のフローチャートを、図７に示す工程上面図および工程断面図を参照して詳細に説明する。なお、図７の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、（ｉ）、および（ｋ）は、それぞれ、表示デバイス２の製造工程における工程上面図を示す。また、図７の（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）、（ｊ）、および（ｌ）は、それぞれ、図７の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）、（ｉ）、および（ｋ）におけるＡ－Ａ線矢視断面図である。
　はじめに、図７の（ａ）および（ｂ）に示すように、母基板Ｓ上に、金属層Ｍを形成する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１においては、金属層Ｍを、個々の表示デバイス２の形状に合わせてパターニングし、金属層Ｍの島状パターンを形成する。金属層Ｍのパターニングは、フォトリソグラフィを用いたエッチング等により実行してもよい。金属層Ｍは、例えば、モリブデンを含んでいてもよい。金属層Ｍがモリブデンを含む場合には、金属層Ｍの膜厚は、例えば、２００ｎｍ以下である。
　次いで、図７の（ｃ）および（ｄ）に示すように、母基板Ｓおよび金属層Ｍの上面に、樹脂層１２を塗布する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２は、ステップ１と同様に、樹脂層１２を、従来公知の塗布方法を用いて塗布することにより実行されてもよい。
　次いで、図７の（ｃ）および（ｄ）に示すように、塗布された樹脂層１２に、レーザ光Ｌ２を照射して、島状の各金属層Ｍの縁に沿って、樹脂層１２を切断する（ステップＳ２３）。ステップＳ２３において、レーザ光Ｌ２は、例えば、スキャンスピードが１００ｍｍ／ｓ、強度が３Ｗの、ＣＯ２レーザのレーザ光であってもよい。
　次いで、樹脂層１２のうち、母基板Ｓ上に直接形成された樹脂層１２のみを、母基板Ｓから剥離する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４は、例えば、図７の（ｅ）および（ｆ）に示すように、母基板Ｓ越しに樹脂層１２の下面にレーザ光Ｌ３を照射して、母基板Ｓと樹脂層１２との結合力を低下させ、母基板Ｓを樹脂層１２から剥離する手法により実行してもよい。ここで、レーザ光Ｌ３は、例えば、強度が１８０ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザのレーザ光である。
　ステップＳ２４においては、母基板Ｓの全面に渡って、レーザ光Ｌ３を照射してもよい。すなわち、ステップＳ２４において、母基板Ｓ越しに金属層Ｍの下面にもレーザ光Ｌ３を照射してもよい。この場合であっても、上述したレーザ光Ｌ３の強度であれば、母基板Ｓからの金属層Ｍの剥離、および金属層Ｍからの樹脂層１２の剥離は生じない。
　ステップＳ２４が完了した時点において、図７の（ｇ）および（ｈ）に示すように、母基板Ｓ上には樹脂層１２が残存せず、金属層Ｍ上のみに形成された樹脂層１２が得られる。
　次いで、ステップＳ３からステップＳ６を実行し、図７の（ｊ）に示すように、各樹脂層１２上に積層体Ｌを形成する。ステップＳ３からステップＳ６においては、上述したように、ＴＦＴ層４が含む無機絶縁膜が、島状の各樹脂層１２の縁を境に段切れする。このため、本実施形態においても、積層体Ｌの形成において、ＴＦＴ層４が含む無機絶縁膜を、島状の各樹脂層１２の形状に合わせて、レーザ光等を使用して切断する工程を省略することができる。
　次いで、ステップＳ７を実行し、図７の（ｉ）および（ｊ）に示すように、各積層体Ｌの上面に上面フィルム２９を貼り付ける。上面フィルム２９は、後に実行される、金属層Ｍと樹脂層１２との剥離の際の、ハンドリングに用いられてもよい。
　次いで、島状の各金属層Ｍから、樹脂層１２を剥離する（ステップＳ２５）。ステップＳ２５においては、はじめに、図７の（ｉ）および（ｊ）に示すように、母基板Ｓ越しに金属層Ｍの下面にレーザ光Ｌ４を照射する。
　ここで、レーザ光Ｌ４は、例えば、強度が２８５ｍＪ／ｃｍ２のエキシマレーザのレーザ光である。つまり、ステップＳ２５におけるレーザ光Ｌ４の強度は、上述したステップＳ２４、すなわち、母基板Ｓから樹脂層１２を剥離する工程におけるレーザ光Ｌ３の強度よりも強い。
　上述のように、強度の強いレーザ光Ｌ４を金属層Ｍの下面に照射すると、金属層Ｍがレーザ光Ｌ４から熱を吸収し、金属層Ｍが熱膨張する。ここで、金属層Ｍと樹脂層１２との熱膨張率に差があるため、金属層Ｍと樹脂層１２との間の密着性が低下する。このため、図７の（ｋ）および（ｌ）に示すように、金属層Ｍから樹脂層１２を剥離することが、比較的容易となる。また、レーザ光Ｌ４は、金属層Ｍに照射され、積層体Ｌに直接照射されない。このため、レーザ光Ｌ４の照射による、積層体Ｌへのダメージが低減される。
　ステップＳ２５が完了すると、図７の（ｋ）および（ｌ）に示すように、それぞれ樹脂層１２、積層体Ｌ、および上面フィルム２９を備えた、個片の構造体が得られる。ステップＳ２５以降は、ステップＳ９からステップＳ１１を順に実行することにより、表示デバイス２が得られる。
　本実施形態においても、表示デバイス２の製造工程において、母基板Ｓ上に形成された各部材を、レーザ光等を使用して切断する工程を省略できる。このため、積層体Ｌを含む、母基板Ｓ上に形成された各部材に与えるダメージを低減することができる。
　さらに、本実施形態においては、母基板Ｓ上において、パターニングされた島状の各金属層Ｍ上に、樹脂層１２が形成される。ここで、金属層Ｍは、スパッタ等を用いて成膜できるため、塗布形成される樹脂層１２よりも、その形状の制御が容易である。したがって、本実施形態においては、より精度よく、島状の各樹脂層１２を、表示デバイス２の形状に合わせて形成しやすくなる。
　加えて、本実施形態においては、樹脂層１２が母基板Ｓ上の金属層Ｍ上に形成されることから、母基板Ｓの上面と樹脂層１２の上面との高さの差異がより大きくなる。したがって、積層体Ｌの形成において、ＴＦＴ層４が含む無機絶縁膜が、島状の各樹脂層１２の縁を境に、より確実に段切れする。ゆえに、本実施形態の表示デバイス２の製造方法は、より歩留まりを向上させることができる。
　また、本実施形態においては、ステップＳ３の前に、ステップＳ２３を実行する。すなわち、積層体Ｌの形成の前に、樹脂層１２の切断を行う。このため、樹脂層１２の切断の際、積層体Ｌが形成されていないため、本実施形態においては、積層体Ｌに対するダメージを、より低減することが可能である。
　なお、本実施形態において、ステップＳ２２の後、ステップＳ２４に移行し、ステップＳ２４における、レーザ光Ｌ３の照射と、母基板Ｓからの樹脂層１２の剥離との間に、ステップＳ２３を実行してもよい。
　しかし、レーザ光Ｌ３の照射の前に、樹脂層１２へのレーザ光Ｌ２の照射を行うことにより、母基板Ｓと樹脂層１２との間に気体を含まない状態において、樹脂層１２を切断するためのレーザ光Ｌ２の照射を実行できる。このため、より精密に、金属層Ｍの縁に沿って、樹脂層１２の切断を実行することができる。
　〔実施形態３〕
　図８は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、上述した各実施形態に係る表示デバイス２と比較して、表示領域ＤＡおよび額縁領域ＮＡの形状のみが異なっている。すなわち、本実施形態に係る表示デバイス２の層構造は、その形状を除いて、上述した各実施形態に係る表示デバイス２と同一であってもよい。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図８に示すように、上面視において、矩形状ではない、異形の表示領域ＤＡおよび額縁領域ＮＡを備える。さらに、表示デバイス２は、当該異形の表示領域ＤＡおよび額縁領域ＮＡの外形に合せて形成された樹脂層１２を備えている。樹脂層１２は、異形部として、ノッチ部Ｎ、開口部Ｈ、および端子領域ＴＡを備える。また、樹脂層１２は、その四隅に、丸みを有するコーナー部Ｃを備えている。
　ノッチ部Ｎは、島状の樹脂層１２の端部に形成され、矩形状から切り欠かれた、樹脂層１２の凹部である。開口部Ｈは、周囲を表示領域ＤＡに囲まれた、島状の樹脂層１２の開口である。換言すると、開口部Ｈは、島状の樹脂層１２の内側に形成されている。
　本実施形態においては、ノッチ部Ｎおよび開口部Ｈに樹脂層１２が形成されていない。すなわち、樹脂層１２は、ノッチ部Ｎおよび開口部Ｈを含めた、異形部の形状を含む形状に合わせて、パターニングされている。さらに、ノッチ部Ｎおよび開口部Ｈにおいては、積層体Ｌを含む各部材についても形成されていない。ノッチ部Ｎおよび開口部Ｈには、カメラ等の外部機器が実装されていてもよい。
　端子領域ＴＡは、樹脂層１２の端部に形成された、矩形状からの突出部であり、端子領域ＴＡにおいて、端子部Ｔおよび額縁配線ＣＬが形成されていてもよい。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図４に示すフローチャートのステップのうち、一部を変更した製造方法により得られる。本実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図９に示す工程上面図および工程断面図を参照して詳細に説明する。なお、図９の（ａ）、および（ｃ）は、それぞれ、表示デバイス２の製造工程における工程上面図を示す。また、図９の（ｂ）、および（ｄ）は、それぞれ、図９の（ａ）、および（ｃ）におけるＡ－Ａ線矢視断面図である。
　はじめに、ステップＳ１を実行し、図９の（ａ）および（ｂ）に示すように、母基板Ｓ上に樹脂層１２を塗布する。次いで、ステップＳ２において、異形部の形状を含む形状に合わせて、樹脂層１２をパターニングする。これにより、図９の（ｃ）および（ｄ）に示すように、少なくとも一部が、異形部の形状に対応する、樹脂層１２の島状パターンが形成される。このため、図９の（ｃ）および（ｄ）に示すように、ノッチ部Ｎおよび開口部Ｈには、樹脂層１２が形成されない。この後、図４におけるステップＳ３以降を順次実行することにより、本実施形態に係る表示デバイス２が得られる。
　本実施形態は、形状に合わせて積層体Ｌを切断することがより困難である異形部を有する樹脂層１２を備えた表示デバイス２を製造する場合であっても適用できる。このため、異形部を備えた表示デバイス２の製造工程において、積層体Ｌを含む、母基板Ｓ上に形成された各部材に与えるダメージを、より効率的に低減することができる。
　〔実施形態４〕
　本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備え、当該表示デバイス２の製造方法のみが異なる。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、図６に示すフローチャートのステップのうち、一部を変更した製造方法により得られる。
　図６は、本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法について説明するためのフローチャートである。図６において、図４のフローチャートにおける各ステップと、同じ番号が付されたステップは、互いに同一の工程であることを示す。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図１０に示す工程上面図および工程断面図を参照して詳細に説明する。なお、図１０の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、および（ｇ）は、それぞれ、表示デバイス２の製造工程における工程上面図を示す。また、図１０の（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、および（ｈ）は、それぞれ、図１０の（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、および（ｇ）におけるＡ－Ａ線矢視断面図である。
　はじめに、ステップＳ２１を実行し、図１０の（ａ）および（ｂ）に示すように、母基板Ｓ上に島状の金属層Ｍを形成する。この際、本実施形態に係る樹脂層１２の形状に合わせて、金属層Ｍをパターニングする。これにより、少なくとも一部が、樹脂層１２の異形部の形状に対応する、金属層Ｍの島状パターンが形成される。
　次いで、ステップＳ２２を実行し、母基板Ｓ上および島状の金属層Ｍ上に樹脂層１２を形成する。次いで、ステップＳ２３を実行し、図１０の（ｃ）および（ｄ）に示すように、塗布された樹脂層１２に、レーザ光Ｌ２を照射して、島状の各金属層Ｍの縁に沿って、樹脂層１２を切断する。この際、レーザ光Ｌ２を、異形部に対応する形状を含む、島状の各金属層Ｍの縁に沿って走査し、樹脂層１２の切断を行う。
　次いで、ステップＳ２４を実行し、樹脂層１２のうち、母基板Ｓ上に直接形成された樹脂層１２のみを、母基板Ｓから剥離する。本実施形態においても、ステップＳ２４は、図１０の（ｅ）および（ｆ）に示すように、母基板Ｓ越しに樹脂層１２の下面にレーザ光Ｌ３を照射して、母基板Ｓを樹脂層１２から剥離する手法により実行してもよい。
　これにより、図１０の（ｇ）および（ｈ）に示すように、少なくとも一部が、異形部の形状に対応する、樹脂層１２の島状パターンが、島状の金属層Ｍ上に形成される。この後、図６におけるステップＳ３以降を順次実行することにより、本実施形態に係る表示デバイス２が得られる。
　本実施形態においては、上述と同様の理由から、異形部の形状に合わせて、島状の各樹脂層１２を、より精度よく形成することが可能である。また、本実施形態においても、ＴＦＴ層４が含む無機絶縁膜が、島状の各樹脂層１２の縁を境に、より確実に段切れする。ゆえに、本実施形態の表示デバイス２の製造方法は、表示デバイス２が異形部を備えた場合であっても、より歩留まりを向上させることができる。
　図１１は、上述の各実施形態における表示デバイス２の製造工程において使用される、表示デバイスの製造装置４０を示すブロック図である。表示デバイスの製造装置４０は、コントローラ４２と成膜装置４４とを備える。コントローラ４２は、成膜装置４４を制御してもよい。成膜装置４４は、表示デバイス２の各層の成膜を実行してもよい。
　上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、柔軟性を有し、屈曲可能な表示素子を備えた表示パネルを備えていてもよい。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。
　例えば、上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、電流制御の表示素子として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　または、上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、電流制御の表示素子として、無機発光ダイオードを備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた、ＱＬＥＤディスプレイであってもよい。
　また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。
　〔まとめ〕
　様態１の表示デバイスの製造方法は、母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造方法であって、前記母基板上に、樹脂層を塗布する塗布工程と、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成する樹脂層形成工程と、島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する積層体形成工程とを備え、前記積層体形成工程において、前記無機絶縁膜が、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れする。
　様態２においては、前記積層体が、前記発光素子層よりも上層に、封止層を備える。
　様態３においては、前記積層体が、前記ＴＦＴ層よりも下層に、バリア層を備える。
　様態４においては、前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層の島状パターンを、露光と現像とによって形成する。
　様態５においては、前記樹脂層が、異形部を備え、樹脂層形成工程において、前記異形部の形状を含む、前記樹脂層の形状に合わせて、前記樹脂層をパターニングする。
　様態６においては、前記異形部が、ノッチ部を含む。
　様態７においては、前記異形部が、前記樹脂層の島状パターンの内側に形成された、前記樹脂層の開口部を含む。
　様態８においては、前記異形部が、端子部が形成される端子領域を含む。
　様態９においては、前記塗布工程の前に、金属層を成膜する成膜工程と、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記金属層の島状パターンを形成する金属層形成工程とを備える。
　様態１０においては、前記樹脂層形成工程が、前記母基板の裏面からレーザを照射して、島状の前記金属層と重畳しない前記樹脂層を、前記母基板から剥離する第１剥離工程を含む。
　様態１１においては、前記第１剥離工程において、エキシマレーザを用いる。
　様態１２においては、前記樹脂層形成工程が、前記第１剥離工程の前に、前記樹脂層を、島状の前記金属層の縁を境に切断する切断工程を含む。
　様態１３においては、前記切断工程において、ＣＯ２レーザを用いる。
　様態１４においては、前記積層体形成工程の後に、前記金属層と前記樹脂層とを剥離する第２剥離工程を備える。
　様態１５においては、前記第２剥離工程において、エキシマレーザを用いる。
　様態１６においては、前記第２剥離工程において、前記第１剥離工程におけるレーザの出力よりも、出力が大きいレーザを用いる。
　様態１７においては、前記第２剥離工程の前に、前記積層体の上面に上面フィルムを貼り付ける第１フィルム形成工程を備える。
　様態１８においては、前記第２剥離工程の後に、前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付ける第２フィルム形成工程を備える。
　様態１９においては、前記金属層がモリブデンを含む。
　様態２０の表示デバイスの製造装置は、母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造装置であって、前記母基板上に、樹脂層を塗布し、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成し、島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する成膜装置を備え、前記成膜装置は、前記無機絶縁膜を、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れさせる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　表示デバイス
３　　　バリア層
４　　　ＴＦＴ層
５　　　発光素子層
６　　　封止層
１０　　下面フィルム
１２　　樹脂層
４０　　表示デバイスの製造装置
Ｓ　　　母基板
Ｌ　　　積層体
Ｍ　　　金属層
ＤＡ　　表示領域
ＮＡ　　額縁領域
Ｎ　　　ノッチ部
Ｈ　　　開口部
Ｔ　　　端子部
ＴＡ　　端子領域

Claims (20)

  1. 　母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造方法であって、
    　前記母基板上に、樹脂層を塗布する塗布工程と、
    　前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成する樹脂層形成工程と、
    　島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する積層体形成工程とを備え、
    　前記積層体形成工程において、前記無機絶縁膜が、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れする表示デバイスの製造方法。
  2. 　前記積層体が、前記発光素子層よりも上層に、封止層を備えた請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
  3. 　前記積層体が、前記ＴＦＴ層よりも下層に、バリア層を備えた請求項１または２に記載の表示デバイスの製造方法。
  4. 　前記樹脂層形成工程において、前記樹脂層の島状パターンを、露光と現像とによって形成する請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  5. 　前記樹脂層が、異形部を備え、
    　樹脂層形成工程において、前記異形部の形状を含む、前記樹脂層の形状に合わせて、前記樹脂層をパターニングする請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  6. 　前記異形部が、ノッチ部を含む請求項５に記載の表示デバイスの製造方法。
  7. 　前記異形部が、前記樹脂層の島状パターンの内側に形成された、前記樹脂層の開口部を含む請求項５または６に記載の表示デバイスの製造方法。
  8. 　前記異形部が、端子部が形成される端子領域を含む請求項５から７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  9. 　前記塗布工程の前に、金属層を成膜する成膜工程と、前記表示デバイスの形状に合わせて、前記金属層の島状パターンを形成する金属層形成工程とを備えた請求項１から８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  10. 　前記樹脂層形成工程が、前記母基板の裏面からレーザを照射して、島状の前記金属層と重畳しない前記樹脂層を、前記母基板から剥離する第１剥離工程を含む請求項９に記載の表示デバイスの製造方法。
  11. 　前記第１剥離工程において、エキシマレーザを用いる請求項１０に記載の表示デバイスの製造方法。
  12. 　前記樹脂層形成工程が、前記第１剥離工程の前に、前記樹脂層を、島状の前記金属層の縁を境に切断する切断工程を含む請求項１０または１１に記載の表示デバイスの製造方法。
  13. 　前記切断工程において、ＣＯ２レーザを用いる請求項１２に記載の表示デバイスの製造方法。
  14. 　前記積層体形成工程の後に、前記金属層と前記樹脂層とを剥離する第２剥離工程を備えた請求項１０から１３の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  15. 　前記第２剥離工程において、エキシマレーザを用いる請求項１４に記載の表示デバイスの製造方法。
  16. 　前記第２剥離工程において、前記第１剥離工程におけるレーザの出力よりも、出力が大きいレーザを用いる請求項１４または１５に記載の表示デバイスの製造方法。
  17. 　前記第２剥離工程の前に、前記積層体の上面に上面フィルムを貼り付ける第１フィルム形成工程を備えた請求項１４から１６の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  18. 　前記第２剥離工程の後に、前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付ける第２フィルム形成工程を備えた請求項１４から１７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  19. 　前記金属層がモリブデンを含む請求項９から１８の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  20. 　母基板上に、ＴＦＴ層と、発光素子層とをこの順に積層して含むとともに、少なくとも一層の無機絶縁膜を前記ＴＦＴ層に含む積層体を形成して、当該積層体を備えた、少なくとも一つの表示デバイスを得る表示デバイスの製造装置であって、
    　前記母基板上に、樹脂層を塗布し、
    　前記表示デバイスの形状に合わせて、前記樹脂層の島状パターンを形成し、
    　島状の前記樹脂層上に前記積層体を形成する成膜装置を備え、
    　前記成膜装置は、前記無機絶縁膜を、島状の前記樹脂層の縁を境に段切れさせる表示デバイスの製造装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014074757A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Japan Display Inc 表示装置の製造方法
JP2014235294A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US20150034935A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014074757A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Japan Display Inc 表示装置の製造方法
JP2014235294A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US20150034935A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021220432A1 (ja) * 2020-04-28 2021-11-04 シャープ株式会社 発光デバイス

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