CN109967763B - 有机el器件及光打印头 - Google Patents

Abstract

本发明的有机EL器件具备：端部结构体(4)，配置于有机EL器件(1)的端面(1a)与有机EL元件(3)之间，且向与基板(2)垂直的方向(D)延伸；第一无机层(6)，配置于基板(2)与端部结构体(4)之间；第二无机层(7)，覆盖有机EL元件(3)；以及连接部(14)，在端部结构体(4)的与端面(1a)侧以及和端面(1a)相反的一侧相邻的位置连接第一无机层(6)与第二无机层(7)，有机EL材料(12)、第一无机层(6)以及第二无机层(7)延伸至有机EL器件(1)的端面(1a)，有机EL材料(12)在端部结构体(4)的与端面(1a)侧以及和端面(1a)相反的一侧相邻的位置通过连接部(14)被分割。

Description

有机EL器件及光打印头

技术领域

本发明是有关一种在基板上配置有有机EL元件的有机EL器件以及具备该有机EL器件的光打印头。

背景技术

通常，在有机EL器件的制造中，制作在基板上配置有由多个有机EL元件构成的有机EL器件的主基板，经过密封这些有机EL器件的密封工序后，将主基板分割为有机EL器件的每一片。

通常情况下，有机EL元件因水蒸气而产生的劣化明显。并且，水分子易透过构成有机EL元件的有机EL材料，因此能够成为水蒸气渗入路径。另外，作为能够成为水蒸气渗入路径的有机EL器件构成材料，除了有机EL材料以外，还有碱金属、碱土类金属等的合金、或包含这类化合物作为主成分的电子注入层、有机层间绝缘膜。

并且，为避免有机EL材料成为连接外部气体与密封区域内部的有机EL元件的水蒸气渗入路径，将对有机EL材料进行成膜的有机EL材料成膜区域以停留在密封区域内的方式形成为岛状，从而避免成为与外部气体的桥梁。有机EL材料的成膜方法的主流为真空蒸镀法，因此作为将有机EL材料成膜区域形成为岛状的方法，一般进行以金属掩模覆盖隐藏非成膜区域的方法。

专利文献1：国际公开第2003/061346号

发明内容

当可以使配置于主基板上的相邻的有机EL器件的有机EL材料成膜区域的间隔较宽时，能够使用廉价的金属掩模。

然而，当难以使配置于主基板上的相邻的有机EL器件的有机EL材料成膜区域的间隔较宽时，用于形成非成膜区域的金属掩模成为细长的形状。尤其在制作细长形状的显示器或光打印头时金属掩模也成为细长形状，因此难以用廉价的金属掩模进行制造，需要使用高精细金属掩模。高精细金属掩模使用0.1mm以下的较薄的金属板，通过在持有对位构件的金属框中一边施加张力一边贴附来维持形状。然而，具备高精细金属掩模以及适合使用于高精细金属掩模的构件的真空成膜装置的价格非常昂贵，并且，高精细金属掩模的成膜使用次数具有上限，因此需要频繁地更换，而且，高精细金属掩模较薄，因此还存在破损等课题。因此，增加有机EL器件的制造成本。

另一方面，为了使用一般的廉价的金属掩模，若使相邻的有机EL器件的有机EL材料成膜区域的间隔较宽，则死角增加，可以从1个主基板获得的有机EL器件的个数减少。因此，有机EL器件的制造成本仍旧增加。

如此，以往的方法中，在使用高精细金属掩模的工法以及使用一般的廉价的金属掩模的工法中的任一种中，均存在有机EL器件的制造成本变更这种问题。

因此，本发明的一侧面的课题在于提供一种能够抑制水蒸气朝向有机EL元件的渗入且降低制造成本的有机EL器件以及具备该有机EL器件的光打印头。

为了解决上述课题，本发明人进行深入研究的结果，发现通过对将主基板分割为有机EL器件的每一片的分割部分的结构下功夫，即使不使用高精细金属掩模也能够形成不会在有机EL材料形成连接外部气体和有机EL元件的水蒸气渗入路径的结构，且能够使在每一个主基板获得的有机EL器件的个数增加。本发明的一个方面是基于相关见解而完成的。

即，本发明的一个方面是在基板上配置有具有第一电极、有机EL材料以及第二电极的有机EL元件的有机EL器件，该有机EL器件具备：端部结构体，配置于有机EL器件的端面和有机EL元件之间，且向与基板垂直的方向延伸；第一无机层，配置于基板与端部结构体之间；第二无机层，覆盖有机EL元件；以及连接部，在端部结构体的与端面侧以及和端面相反的一侧相邻的位置连接第一无机层与第二无机层，有机EL材料、第一无机层以及第二无机层延伸至有机EL器件的端面，有机EL材料在端部结构体的与端面侧以及和端面相反的一侧相邻的位置通过连接部被分割。

在该有机EL器件中，有机EL材料、第一无机层以及第二无机层延伸至有机EL器件的端面，在有机EL器件的端面与有机EL元件之间配置有向与基板垂直的方向延伸的端部结构体。并且，有机EL材料在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置，通过第一无机层以及第二无机层相互连接的连接部被分割。因此，即使水蒸气从有机EL器件的端面渗入到有机EL材料，也可以通过端部结构体的与有机EL器件的端面侧相邻的连接部来遮断该水蒸气的渗入。即使从有机EL器件的端面渗入到有机EL材料的水蒸气渗入到了端部结构体，也可以通过端部结构体的与和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的连接部来遮断该水蒸气的渗入。由此，能够防止从有机EL器件的端面渗入到有机EL材料的水蒸气渗入到有机EL元件。

并且，有机EL材料、第一无机层以及第二无机层延伸至有机EL器件的端面，且有机EL材料在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置通过连接部被分割。因此，当在主基板上配置多个有机EL器件时，即使不使用高精细金属掩模，也能够在主基板上缩短相邻的有机EL器件的间隔。由此，能够降低有机EL器件的制造成本。

第二无机层可以覆盖端部结构体。在该有机EL器件中，配置于基板和端部结构体之间的第一无机层及覆盖端部结构体的第二无机层在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置相互连接，因此端部结构体被第一无机层以及第二无机层包围。因此，在有机EL器件的制造过程中，即使在端部结构体残留有水蒸气，也能够防止该水蒸气从端部结构体漏出而渗入到有机EL元件。

第二无机层可以具有覆盖有机EL元件而连接于第一无机层的第一保护膜、以及配置于第一保护膜上的第二保护膜。在该有机EL器件中，第二无机层具有第一保护膜和第二保护膜，因此能够适当地保护有机EL器件。

第二保护膜可以配置于端部结构体的与端面相反的一侧，而未配置于端部结构体的端面侧。在该有机EL器件中，第二保护膜配置于端部结构体的与有机EL器件的端面相反的一侧，而未配置于端部结构体的有机EL器件的端面侧，因此能够以低成本保护有机EL器件。而且，在形成第二保护膜时，形成第二保护膜的材料被端部结构体阻挡，因此能够容易地将第二保护膜设为较厚。

在端面与有机EL元件之间，可以配置有多个端部结构体。在该有机EL器件中，在端面与有机EL元件之间配置有多个端部结构体，因此水蒸气渗入路径在与各端部结构体相邻的连接部被遮断。有时，在将配置有多个有机EL器件的主基板分割为有机EL器件的每一片时，可能会在有机EL器件的端部产生龟裂等水蒸气渗入路径。然而，在该有机EL器件中，通过多个端部结构体阻碍了龟裂的进行，损伤难以到达至有机EL元件侧的端部结构体。因此，能够高度保持有机EL元件的密封状态。

端部结构体的至少一部分为导电体，端部结构体可以与第一电极或第二电极中的相对于有机EL材料配置于和基板相反的一侧的电极电连接。通常，第一电极或第二电极中的配置于和基板相反的一侧的电极为了防止电极的剥离而需要抑制应力，其结果无法较厚地形成，因此电阻值容易变高。在该有机EL器件中，该电极与至少一部分为导电体的端部结构体电连接，因此能够降低该电极的电阻值。而且，端部结构体沿与基板垂直的方向较厚，因此即使为较窄的线宽，也能够降低电阻值。并且，端部结构体从有机EL元件分离，因此能够减小相对于有机EL元件的端部结构体的发热的影响。

端部结构体形成为从顶面朝向底面逐渐变细的剖面倒锥状，相对于与基板垂直的方向的端部结构体的圆锥角度可以大于蒸镀有机EL材料时被蒸镀的有机EL材料向顶面下入射的入射角度。在该有机EL器件中，端部结构体的圆锥角度大于被蒸镀的有机EL材料的入射角度，因此通过对有机EL材料进行蒸镀，能够在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置适当地形成未形成有机EL材料的区域。因此，通过之后在基板上形成第二无机层，能够在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置形成第一无机层以及第二无机层相互连接的连接部。

端部结构体具有配置于第一无机层上的支撑部、以及配置于支撑部上且相对于支撑部向端面侧以及和端面相反的一侧突出的悬突部，在将支撑部的高度设为T，将相对于支撑部的悬突部的向端面侧以及和端面相反的一侧突出的长度设为L，且将蒸镀有机EL材料时被蒸镀的有机EL材料向悬突部下入射的入射角度设为θ情况下，可以满足θ＜tan^-1(L/T)的关系。在该有机EL器件中，由于支撑部的高度以及悬突部的突出长度、被蒸镀的有机EL材料的入射角度满足上述关系，因此通过对有机EL材料进行蒸镀，能够在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置适当地形成未形成有有机EL材料的区域。因此，通过之后在基板上形成第二无机层，能够在端部结构体的与有机EL器件的端面侧以及和有机EL器件的端面相反的一侧相邻的位置形成第一无机层以及第二无机层相互连接的连接部。

本发明的另一侧面的光打印头为对光感应媒体进行曝光的长条状的光打印头，其具备上述有机EL器件、配置于基板上且由薄膜电晶体构成的电路、以及配置于电路上的平坦化膜，第一无机层配置于平坦化膜上，有机EL元件连接于电路。

在该光打印头中，由于具备上述有机EL器件，因此能够抑制水蒸气朝向有机EL元件的渗入，且能够降低制造成本。

发明效果

根据本发明，能够抑制水蒸气朝向有机EL元件的渗入，且能够降低制造成本。

附图说明

图1是表示应用于第一实施方式的有机EL器件的无源矩阵型有机EL显示面板的示意俯视图。

图2是图1所示的II-II线处的示意剖视图。

图3是图1所示的III-III线处的示意剖视图。

图4是将有机EL元件的局部进行放大的示意剖视图。

图5是将端部结构体局部进行放大的示意剖视图。

图6是变形例的无源矩阵型有机EL显示面板的与图1所示的II-II线对应的剖面的示意剖视图。

图7是变形例的无源矩阵型有机EL显示面板的与图1所示的III-III线对应的剖面的示意剖视图。

图8是表示主基板的示意俯视图。

图9中(a)以及(b)是表示有机EL器件的制造工序的示意图。

图10中(a)以及(b)是表示有机EL器件的制造工序的示意图。

图11中(a)以及(b)是表示有机EL器件的制造工序的示意图。

图12中(a)以及(b)是表示有机EL器件的制造工序的示意图。

图13是说明在与端部结构体相邻的位置形成未形成有有机EL材料的区域的方法的示意图。

图14是表示主基板的示意俯视图。

图15是图14所示的XV-XV线处的示意剖视图。

图16是表示将主基板分割为有机EL器件的每一片的状态的示意俯视图。

图17中(a)是表示在第一实施方式中使用的金属掩模的示意俯视图，图17中(b)是表示高精细金属掩模的示意俯视图。

图18是表示第一实施方式的变形例的有机EL器件部分的示意俯视图。

图19是表示应用了第二实施方式的有机EL器件的光打印头的示意俯视图。

图20是图19所示的XX-XX线处的示意剖视图。

图21是表示主基板的示意俯视图。

图22是图21所示的XXII-XXII线处的示意剖视图。

图23是说明在与端部结构体相邻的位置形成未形成有有机EL材料的区域的方法的示意图。

图24是表示有机EL器件的制造工序的示意图。

图25是图24所示的XXV-XXV线处的示意剖视图。

图26中(a)是表示高精细金属掩模的示意俯视图，图26中(b)是表示在第二实施方式中使用的金属掩模的示意俯视图，图26中(c)是表示在第三实施方式中使用的金属掩模的示意俯视图。

图27是表示应用了第三实施方式的有机EL器件的光打印头的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的优选的实施方式进行说明。另外，在各附图中对相同或相应的要件标注相同的符号，并省略重复说明。并且，在本说明书中使用“～”所示的数值范围表示将记载于“～”的前后的数值分别作为最小值以及最大值包含在内的范围。

(第一实施方式)

第一实施方式将本发明的有机EL器件应用于在无源矩阵(passive matrix)型有机EL显示面板中使用的有机EL器件。作为该无源矩阵型有机EL显示器的像素数，例如能够设为256×16点。

如图1～图5所示，本实施方式的有机EL器件1具备基板2、有机EL元件3、端部结构体4、元件间结构体5、第一无机层6、第二无机层7、保护树脂8、保护膜9以及配线部10。另外，在图1中，省略了保护树脂8以及保护膜9的图示。

基板2是设置有有机EL元件3、配线部10等的元件基板。基板2例如是玻璃基板、陶瓷基板、金属基板或具有可挠性的基板(例如塑胶基板等)。基板2例如具有透光性。基板2例如形成为矩形的板状。基板2优选由水蒸气不透过的材料形成。在此，水蒸气不透过并不仅指水蒸气完全不透过，也指水蒸气实质上不透过。具体而言是指水蒸气透过率为10^-5[g/m²·天]数量级以下，其中，10^-5[g/m²·天]数量级表示10^-5[g/m²·天]以上且小于10^-4[g/m²·天]的范围。

有机EL元件3是通过被供给电流而产生光的元件。有机EL元件3配置于基板2上。当基板2由水蒸气不透过的材料形成时，有机EL元件3可以与基板2接触，也可以与配置于基板2上的由水蒸气不透过的材料形成的薄膜15(参考图6以及图7)接触。如上所述，水蒸气不透过并不仅指水蒸气完全不透过，也指水蒸气实质上不透过。具体而言是指水蒸气透过率为10^-5[g/m²·天]台以下。当有机EL元件3与基板2接触时，基板2优选由水蒸气不透过的材料形成，当有机EL元件3与配置于基板2上的薄膜接触时，该薄膜优选由水蒸气不透过的材料形成。

有机EL元件3具有从基板2侧依次层叠的第一电极11、有机EL材料12以及第二电极13。

第一电极11是作为阳极或阴极中的任一个而发挥功能的导电层。在本实施方式中，将第一电极11作为发挥阳极的功能的透明导电层来进行说明。作为构成第一电极11的材料，例如可以使用ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌：注册商标)等具有透光性的导电材料。第一电极11通过对透明导电膜进行图案化而形成，该透明导电膜例如通过真空蒸镀法、溅射法等PVD法(物理气相沉积法)在基板2上成膜而成。

有机EL材料12具有水蒸气易透过或易与水蒸气产生反应的特性。作为有机EL材料12，例如可举出发光层、正孔注入层、正孔传输层、电子注入层、电子传输层以及正孔注入层等有机材料、碱金属及碱土类金属的盐、氯化物及其合金等。有机EL材料12例如通过PVD法形成。

第二电极13是作为阳极或阴极中的任一个而发挥功能的导电层。在本实施方式中，将第二电极13作为发挥阴极的功能的导电层来进行说明。构成第二电极13的材料(导电材料)例如是铝、银等金属。在该等导电材料中，可以包含碱土类金属(镁、钙等)，也可以包含IZO、ITO等具有透光性的材料。并且，第二电极13可以层叠有该类材料。第二电极13例如通过电阻加热蒸镀法、感应加热蒸镀法、电子束加热蒸镀法、PVD法形成。

端部结构体4配置于有机EL器件1的端面1a和有机EL元件3之间，且向与基板2垂直的方向D延伸。端部结构体4作为将相邻的有机EL元件3的第二电极13彼此进行分离的阴极隔板(cathode separator)也发挥功能。端部结构体4的顶面4a大于底面4b。顶面4a是端部结构体4的与基板2相反的一侧的面，底面4b是端部结构体4的基板2侧的面。具体而言，端部结构体4形成为从顶面4a朝向底面4b逐渐变细的剖面倒锥状。端部结构体4在有机EL器件1的端面1a附近沿着有机EL器件1的端面1a形成。并且，在端部结构体4的与端面1a相反的一侧(内侧)配置有有机EL元件3，在端部结构体4的端面1a侧(外侧)未配置有有机EL元件3。端部结构体4例如通过光刻法形成。

件间结构体5配置于相邻的有机EL元件3之间，且向与基板2垂直的方向D延伸。元件间结构体5作为将相邻的有机EL元件3的第二电极13彼此进行分离的阴极隔板也发挥功能。元件间结构体5呈与端部结构体4相同的形状。

第一无机层6配置于基板2与端部结构体4之间。第一无机层6由水蒸气不透过的无机材料形成。如上所述，水蒸气不透过不仅指水蒸气完全不透过，也指水蒸气实质上不透过。具体而言是指水蒸气透过率为10^-5[g/m²·天]台以下。作为第一无机层6，例如能够使用将氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝作为主成分的无机绝缘膜。另外，也可以将作为玻璃基板的基板2、或者第一电极11或第二电极13中配置于基板2侧的电极(第一电极11)用作第一无机层6。作为第一无机层6使用无机绝缘膜时，第一无机层6例如通过溅射法、原子层沉积(Atomic Layer Deposition)法或等离子体CVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)法形成。

第二无机层7覆盖有机EL元件3、端部结构体4以及元件间结构体5。第二无机层7由水蒸气不透过的无机材料形成。如上所述，水蒸气不透过不仅指水蒸气完全不透过，也指水蒸气实质上不透过。具体而言是指水蒸气透过率10^-5[g/m²·天]台以下。第二无机层7可以是单层结构，也可以是多层结构。在本实施方式中，第二无机层7呈第一保护膜7a以及第二保护膜7b的双层结构。

第一保护膜7a是配置于第二保护膜7b的基板2侧并覆盖有机EL元件3、端部结构体4以及元件间结构体5的保护膜。第一保护膜7a例如包含将氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化钛或氧化锆作为主成分的无机材料。第一保护膜7a例如通过溅射法、电浆CVD法、光CVD(Photo Chemical Vapor Deposition)法、催化化学气相沉积(Cat-CVD：CatalyticChemical Vapor Deposition)法或原子层沉积法形成。具体而言，第一保护膜7a优选以溅射法、电浆CVD法、光CVD法、触媒化学气相沉积法或原子层沉积法等包覆性优异的形成方法形成的氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、二氧化钛或氧化锆为主成分。其中，电浆CVD法或原子层沉积法从批量生产设备的成熟度、采用实际效果、包覆性以及缺陷少所带来的高水蒸气屏蔽性来看较为优选。并且，从批量生产采用实际效果大且生产性高来看,在电浆CVD法中优选氧化硅、氮氧化硅或氮化硅，在原子层沉积法中优选氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆或该些的膜的层叠。

第二保护膜7b是配置于第一保护膜7a上即第一保护膜7a的与基板2相反的一侧，且覆盖有机EL元件3以及元件间结构体5的保护膜。优选第二保护膜7b配置于有机EL元件3以及元件间结构体5上而未配置于端部结构体4与有机EL器件1的端面1a之间。即，优选第二保护膜7b配置于端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a相反的一侧而未配置于端部结构体4的有机EL器件1的端面1a侧。优选第二保护膜7b为具有对包覆第一保护膜7a的缺陷的性能优异的材料。作为第二保护膜7b，例如能够使用以聚硅氮烷或聚硅氧烷为主成分的无机材料。第二保护膜7b例如通过涂布法、湿式法形成。从提高第二保护膜7b的水蒸气屏蔽性能的观点来看，优选第二保护膜7b的表面曝露于电浆照射、真空紫外光照射、电子线照射等高能量。

保护树脂8是配置于第二保护膜7b上，且用于提高相对于机械损伤的耐性的树脂。作为保护树脂8，例如能够使用硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂。其中，硅酮树脂对冲击功能优异，且相对于机械损伤的耐性高，因此优选。保护树脂8例如通过喷墨法、分配法形成。

保护膜9是配置于第二保护膜7b或保护树脂8上，且用于提高相对于机械损伤的耐性的薄膜。作为保护膜9，例如能够使用PET薄膜等树脂薄膜、铝箔、铜箔、不锈钢箔等金属箔等。

配线部10是从有机EL元件3引出的引出配线。配线部10例如通过依次层叠钼合金、铝合金以及钼合金而得的层叠膜(以下称作“MAM配线膜”。)形成。

并且，有机EL器件1在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置，具有连接第一无机层6与第二无机层7的第一保护膜7a的连接部14。将端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧相邻的连接部14称作外侧连接部14a，将端部结构体4的与和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的连接部14称作内侧连接部14b。在连接部14中，第一无机层6和第一保护膜7a在与基板2垂直的方向D上层叠而连接。

有机EL材料12、第一无机层6以及第一保护膜7a延伸至有机EL器件1的端面1a。因此，有机EL器件1的端面1a的一部分由有机EL材料12、第一无机层6以及第一保护膜7a形成。

并且，有机EL材料12在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置通过连接部14被分割。即，有机EL材料12在端部结构体4的有机EL器件1的端面1a侧通过外侧连接部14a被分割，在端部结构体4的和有机EL器件1的端面1a相反的一侧通过内侧连接部14b被分割。有机EL材料12为使水蒸气透过的水蒸气透过层，因此能够成为使水蒸气渗入到有机EL元件3的水蒸气渗入路径。连接部14在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置分割有机EL材料12，由此作为遮断水蒸气渗入路径的水蒸气渗入路径遮断部而发挥功能。

接着，对有机EL器件1的制造方法的一例进行说明。但是，有机EL器件1的制造方法并非限定于以下方法。

在有机EL器件1的制造中，如图8所示，制作配置有多个有机EL器件1的主基板20，之后，通过将主基板20分割为有机EL器件1的每一片来进行。另外，在主基板20中，将配置有各有机EL器件1的区域称作有机EL器件配置区域21。并且，制造出有机EL器件1为止，有机EL器件1的端面1a这个用语表示成为有机EL器件1的端面1a的位置即有机EL器件配置区域21的边界面。

首先，如图9中(a)所示，在有机EL器件配置区域21形成第一电极11。若进行详细说明，则在成为基板2的无碱性玻璃基板上以溅射法来形成成为第一电极11的阳极材料的ITO膜，之后，通过光刻法来形成阳极图案。

接着，如图9中(b)所示，在有机EL器件配置区域21形成配线部10。若进行详细说明，则通过溅射法以不破坏真空的方式连续形成成为配线部10的MAM配线膜，进一步通过光刻法来加工用于连接阳极和驱动器集成电路(driver IC)的配线图案。各自的电极材料的加工能够使用一般在有机EL显示器或液晶显示器中使用的方法。

接着，如图10中(a)所示，在有机EL器件配置区域21形成第一无机层6。若进行详细说明，则将第一电极11(ITO)的图案高低差以及不想要露出的配线部10(MAM配线膜)以成为第一无机层6的氧化硅来进行包覆。此时，作为成为第一无机层6的无机材料，是水蒸气不透过的无机材料即可，也可以代替氧化硅，使用以氮氧化硅、氮化硅或氧化铝为主成分的无机绝缘材料。作为成膜方法，能够使用溅射法或电浆CVD法。在形成氧化硅膜之后，以光刻法进行图案加工。氧化硅的蚀刻通过使用缓冲氢氟酸(Buffered Hydrofluoric Acid)的湿式蚀刻法来进行，但也可以通过干式蚀刻法来进行加工。干式蚀刻的情况下，能够将氧化硅的图案高低差加工成控制性优异的角度20°左右以下的圆锥形状，由此，在氧化硅的图案高低差上层叠的有机EL材料12等薄膜的包覆性变得良好，因此优选。加工方法使用已使用的适合于第一无机层6的加工的加工方法即可。另外，适当地加工以使作为接合第二电极13(阴极)和配线部10(MAM配线膜)的部分的第一无机层6也确保导通(加工方法省略图示)。

接着，如图10中(b)所示，在有机EL器件配置区域21形成端部结构体4以及元件间结构体5。若进行详细说明，则在第一无机层6上形成端部结构体4以及元件间结构体5。端部结构体4沿着有机EL器件配置区域21的长边侧切断部形成，元件间结构体5形成于有机EL器件配置区域21中的相邻的有机EL元件3之间。另外，端部结构体4与元件间结构体5能够以相同的方法同时成型，因此以下仅对端部结构体4的形成方法进行说明。端部结构体4的形成以成为顶面4a大于底面4b，且从顶面4a朝向底面4b逐渐变细的剖面倒锥状的方式，通过负抗蚀剂(有机树脂)进行。

接着，如图11中(a)所示，在有机EL器件配置区域21形成有机EL材料12。若进行详细说明，则有机EL材料12通过真空蒸镀法形成。

然而，由于有机EL元件因水蒸气而容易劣化，因此在成膜后不能曝露于外部气体。即，在第二电极13的图案形成中无法应用光刻法，因此必须在进行成膜的同时在相邻的有机EL元件3之间进行电性分离。因此，作为第二电极13的成膜方法而采用高低差包覆性差的方法，且设为不易包覆端部结构体4以及元件间结构体5的结构，由此在第二电极13的成膜的同时使端部结构体4以及元件间结构体5的设置部分在边界被元件间分离。阴极隔板的目的在于在相邻的有机EL元件3之间对阴极进行电性分离，由此能够使相邻的有机EL元件3独立驱动。因此，从作为阴极隔板的观点来看，端部结构体4以及元件间结构体5中，仅第二电极13电性分离即可，有机EL材料12等覆盖端部结构体4以及元件间结构体5整体也无妨。

然而，在本实施方式中，通过对端部结构体4以及元件间结构体5的形状下功夫，在与端部结构体4以及元件间结构体5相邻的位置，不会形成可成为水蒸气透过层的有机EL材料12。

若进行具体地说明，则如图13所示，相对于与基板2垂直的方向D的端部结构体4的圆锥角度θ₁大于蒸镀有机EL材料12时被蒸镀的有机EL材料向顶面4a下入射的入射角度θ₂(相对于与基板2垂直的方向D的角度)。另外，元件间结构体5也与端部结构体4同样地，相对于与基板2垂直的方向D的元件间结构体5的圆锥角度θ₁大于蒸镀有机EL材料12时被蒸镀的有机EL材料向顶面下入射的入射角度θ₂。

此时，圆锥角度θ₁以及入射角度θ₂的设定可以通过调整端部结构体4以及元件间结构体5的形状来进行，也可以通过调整有机EL材料12的蒸镀条件来进行。当通过调整端部结构体4以及元件间结构体5的形状来进行时，能够固定被蒸镀的有机EL材料的入射角度θ₂，因此能够容易地进行有机EL材料的蒸镀。另一方面，当通过调整有机EL材料12的蒸镀条件来进行时，能够使端部结构体4以及元件间结构体5的形状具有自由度。当通过调整有机EL材料12的蒸镀条件来进行时，例如以端部结构体4以及元件间结构体5的圆锥角度θ₁大于被蒸镀的有机EL材料的入射角度θ₂的方式配置基板2、蒸镀坩埚以及蒸镀材料屏蔽板(入射角度调整板)。作为一例，将端部结构体4以及元件间结构体5的高度设为3μm，且将端部结构体4以及元件间结构体5的圆锥角度θ₁设为45°时，以被蒸镀的有机EL材料向顶面4a下入射的入射角度θ₂成为最大30°的方式配置基板2、蒸镀坩埚以及蒸镀材料屏蔽板(入射角度调整板)。

由此，在端部结构体4以及元件间结构体5的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置，形成未形成有有机EL材料12而第一无机层6露出的区域。另外，考虑到制造偏差等时，优选未形成有有机EL材料12而第一无机层6露出的区域充分宽阔，具有在后工序中形成的第一保护膜7a的膜厚以上的厚度则为充分。未形成有有机EL材料12而第一无机层6露出的区域例如能够设为1μm以上。

接着，如图11中(b)所示，在有机EL器件配置区域21形成第二电极13。若进行详细说明，则将成为第二电极13的阴极材料的铝以电子束加热蒸镀法进行成膜。铝的成膜例如设为0.2μm。

另外，在有机EL材料12以及第二电极13成膜时，使用如图17中(a)所示的开口较大地打开的金属掩模M1，以免有机EL材料12以及第二电极13在配线部10、驱动器集成电路以及柔性印刷电路板(FPC：Flexible Printed Circuits)的连接部分进行成膜。

接着，如图12中(a)所示，在有机EL器件配置区域21形成第二无机层7的第一保护膜7a。若进行详细说明，则通过高低差包覆性高的方法来形成第一保护膜7a，以使其与露出的第一无机层6接触。第一保护膜7a的成膜例如通过以电浆CVD法形成0.3μm的氮化硅膜来进行。由此，与端部结构体4的有机EL器件1的端面1a侧相邻而形成外侧连接部14a(连接部14)，并且与端部结构体4的和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻而形成内侧连接部14b(连接部14)。另外，即使在与元件间结构体5相邻的位置上，也形成有连接第一无机层6和第一保护膜7a的连接部。

接着，如图12中(b)所示，在有机EL器件配置区域21形成第二无机层7的第二保护膜7b。若进行详细说明，则通过将聚硅氮烷溶液以分配法进行涂布后使溶剂蒸发干燥，并在85℃下使其硬化，从而形成第二保护膜7b。第二保护膜7b通过进一步照射真空紫外光或照射电浆，能够成为致密的保护膜而更加提高针对水蒸气的保护性能。并且，通过在85℃下进行硬化时曝露于水蒸气来使聚硅氮烷膜转化为氧化硅膜，从而产生压缩应力，因此难以在第二保护膜7b产生龟裂。

第一保护膜7a以及第二保护膜7b的合计膜厚例如设为约1μm。此时，第一保护膜7a以及第二保护膜7b的合计膜厚优选为0.3～5μm，更优选为0.5～2μm。若薄于0.3μm则难以将缺陷完全包覆，若厚于5μm则膜应力容易变大而难以控制应力。通过设为0.5～2μm的膜厚，抑制缺陷且应力控制也变得容易。通过如此以不同的成膜方法形成多个保护膜，能够形成缺陷更少且保护性能更加优异的保护膜。

接着，在有机EL器件配置区域21形成保护树脂8以及保护膜9。若进行详细说明，则在第二保护膜7b上作为保护树脂8而使用分配法来涂布硅酮树脂，之后，在保护树脂8上贴附保护膜9。硅酮树脂的厚度例如设为约100μm。优选保护树脂8的膜厚高于端部结构体4以及元件间结构体5的高度以使膜面的凹凸平坦化。保护树脂8的最大厚度没有特别的限定，若使包含基板2的有机EL器件1的厚度成为1mm以下，则安装于最终产品的空间较少也可，因此优选。

通过以上，如图14以及图15所示，制作出配置有多个有机EL器件1的主基板20。另外，图14中省略保护树脂8以及保护膜9的图示。并且，如图16所示，通过切断主基板20来分割为有机EL器件1的每一片。主基板20的切断以适合于主基板20的材料的方法进行即可，若主基板20的材料为玻璃，则使用玻璃划线器(glass scriber)、若主基板20的材料为树脂，则使用汤姆逊刀片等刀具或雷射加工机。另外，从容易进行主基板20的切断的观点来看，优选在切断部未形成第二保护膜7b以及保护树脂8。切断部为有机EL器件1的端面1a与端部结构体4之间。

并且，在分割为每一片的有机EL器件1上安装驱动器集成电路以及柔性印刷电路板。由此，完成有机EL显示面板。

如此，在本实施方式的有机EL器件1中，有机EL材料12、第一无机层6以及第一保护膜7a延伸至有机EL器件1的端面1a，在有机EL器件1的端面1a与有机EL元件3之间，配置有向与基板2垂直的方向D延伸的端部结构体4。并且，有机EL材料12在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置，通过第一无机层6以及第一保护膜7a相互连接的连接部14而被分割。因此，即使从有机EL器件1的端面1a向有机EL材料12渗入有水蒸气，也通过端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧相邻的连接部14来遮断该水蒸气的渗入。例如即使从有机EL器件1的端面1a渗入到有机EL材料12的水蒸气渗入到端部结构体4，也通过端部结构体4的与和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的连接部14来遮断该水蒸气的渗入。由此，能够防止从有机EL器件1的端面1a渗入到有机EL材料12的水蒸气渗入到有机EL元件3。

并且，有机EL材料12、第一无机层6以及第一保护膜7a延伸至有机EL器件1的端面1a，且有机EL材料12在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置通过连接部14被分割。因此，在主基板20上配置多个有机EL器件1时，如图17中(b)所示，即使在相邻的有机EL器件1之间不使用跨越细框架α的高精细金属掩模M2，也能够在主基板20上缩短相邻的有机EL器件1的间隔。由此，能够降低有机EL器件1的制造成本。

并且，在端部结构体4中，顶面4a大于底面4b，因此例如通过在基板2上形成第一电极11、第一无机层6以及端部结构体4后，对有机EL材料12进行蒸镀，能够在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置，形成未形成有有机EL材料12的区域。因此，之后通过在基板2上形成第一保护膜7a，能够在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置形成将第一无机层6以及第一保护膜7a相互连接的连接部14。

并且，配置于基板2与端部结构体4之间的第一无机层6和覆盖端部结构体4的第一保护膜7a在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置相互连接，因此端部结构体4被第一无机层6以及第一保护膜7a包围。因此，即使在有机EL器件1的制造过程中在端部结构体4残留有水蒸气，也能够防止该水蒸气从端部结构体4漏出而渗入到有机EL元件3。

并且，在连接部14中，第一无机层6与第一保护膜7a在与基板2垂直的方向D上层叠，因此能够牢固地连接第一无机层6与第一保护膜7a。

并且，端部结构体4在有机EL器件1的端面1a的附近沿有机EL器件1的端面1a形成，因此能够进一步防止从有机EL器件1的端面1a渗入到有机EL材料12的水蒸气渗入到有机EL材料12，并且当在主基板20上配置多个有机EL器件1时，能够进一步缩短在主基板20上相邻的有机EL器件1的间隔。

并且，由于有机EL元件3与由水蒸气不透过的材料形成的基板2接触或有机EL元件3与配置于基板2上且由水蒸气不透过的材料形成的薄膜接触，因此能够防止水蒸气从基板2侧渗入到有机EL元件3。

并且，在该有机EL器件1中，通过将第一无机层6设为上述状态，能够以低成本形成第一无机层6。

并且，通过将覆盖有机EL元件3且与第一无机层6连接的第一保护膜的材料设为上述状态，能够以低成本形成第一保护膜。

并且，由于第二无机层7具有第一保护膜7a和第二保护膜7b，因此能够适当地保护有机EL器件1。

并且，由于第二保护膜7b配置于有机EL元件3上而未配置于端部结构体4与端面1a之间，因此能够以低成本保护有机EL器件1。然而，在形成第二保护膜7b时，形成第二保护膜7b的材料被端部结构体4阻挡，因此能够容易较厚地形成第二保护膜7b。

并且，端部结构体4的圆锥角度θ₁大于被蒸镀的有机EL材料12的入射角度θ₂，因此通过蒸镀有机EL材料12，能够在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置上适当地形成未形成有机EL材料12的区域。因此，通过之后在基板2上形成第一保护膜7a，能够在端部结构体4的与有机EL器件1的端面1a侧以及和有机EL器件1的端面1a相反的一侧相邻的位置上形成将第一无机层6以及第一保护膜7a相互连接的连接部14。

另外，在有机EL器件1的端面1a附近(切断部)配置的端部结构体4的数量并没有特别的限定，也可以为多个。例如如图18所示的有机EL器件1A，能够将端部结构体4设为3个。通过在有机EL器件1的端面1a与有机EL元件3之间配置多个端部结构体4，水蒸气渗入路径在与各端部结构体4相邻的连接部14被遮断。另外，将配置有多个有机EL器件1的主基板20分割为有机EL器件1的每一片时，在有机EL器件1的端部有可能发生龟裂等水蒸气渗入路径。然而，通过多个端部结构体4来阻止龟裂的进行，因此抑制水蒸气渗入路径的发生以及进行，并且损伤难以到达有机EL元件3侧的端部结构体4为止。因此，能够高度保持有机EL元件3的密封状态。

(第二实施方式)

第二实施方式是将本发明的有机EL器件应用于在对光感应媒体进行曝光的长条状的光打印头中使用的有机EL器件。该光打印头是打印机以及复印机用感光鼓的曝光用光源，且具备主动驱动方式的有机EL器件。作为该光打印头的外形，例如能够设为宽6mm、长320mm的矩形形状。

如图19所示，本实施方式的有机EL器件31形成为矩形形状。如图20所示，有机EL器件31具备底板基板32、有机EL元件33、端部结构体34、第一无机层36以及第二无机层37。

底板基板32是设置有有机EL元件33等的元件基板。底板基板32具备：基板32a；电路32b，配置于基板32a上且由薄膜电晶体构成；以及平坦化膜32c，配置于电路32b上。基板32a与第一实施方式的基板2对应。作为构成电路32b的薄膜电晶体，例如能够使用低温多晶硅薄膜电晶体(以下称作“LTPS-TFT”。)。由LTPS-TFT构成的电路32b(LTPS-TFT驱动电路)能够以一般的制造方法来制造。在平坦化膜32c上形成有使电路32b与有机EL元件33等导通的导通孔(via hole)38。

有机EL元件33与第一实施方式的有机EL元件3对应，配置于底板基板32上，经由导通孔38连接于电路32b。有机EL元件33具有从底板基板32侧依次层叠的第一电极41、有机EL材料42以及第二电极43。第一电极41、有机EL材料42以及第二电极43与第一实施方式的第一电极11、有机EL材料12以及第二电极13对应。另外，第一电极41、有机EL材料42以及第二电极43自身的结构与第一实施方式的第一电极11、有机EL材料12以及第二电极13相同，因此省略其详细说明。

端部结构体34与第一实施方式的端部结构体4对应，其配置于有机EL器件31的端面31a与有机EL元件33之间，且向与底板基板32垂直的方向D延伸。端部结构体34作为将相邻的有机EL元件33的第二电极43彼此进行分离的阴极隔板而发挥功能。端部结构体34的顶面34a大于底面34b。顶面34a是与端部结构体34的底板基板32相反的一侧的面，底面34b是端部结构体34的底板基板32侧的面。具体而言，端部结构体34形成为剖面T字状。并且，端部结构体34具有：支撑部34A，配置于第一无机层36上；悬突部34B，配置于支撑部34A上，且相对于支撑部34A向有机EL器件31的端面31a侧以及与有机EL器件31的端面31a相反的一侧突出。端部结构体34例如通过光刻法形成。

端部结构体34具备矩形环状结构体341和直线状结构体342，且通过矩形环状结构体341以及直线状结构体342多重构成。矩形环状结构体341是形成为沿着有机EL器件31的端面31a包围多个有机EL元件33的矩形环状的端部结构体34(参考图19)。直线状结构体342是配置于矩形环状结构体341与有机EL器件31的端面31a之间，且形成为沿着有机EL器件31的长边侧的端面31a延伸的直线状的端部结构体34(参考图19)。矩形环状结构体341与直线状结构体342仅在平面视(底面视)时的形状不同，但其结构相同。因此，以下除了特别对矩形环状结构体341以及直线状结构体342进行区别说明的情况以外，将矩形环状结构体341以及直线状结构体342作为端部结构体34统合进行说明。端部结构体34(矩形环状结构体341以及直线状结构体342)例如通过光刻法形成。

第一无机层36与第一实施方式的第一无机层6对应，其配置于底板基板32与端部结构体34之间，且配置于底板基板32的平坦化膜32c上。平坦化膜32c可以为单层也可以为多层，优选至少与第一电极41接触的层为水蒸气透过率低的层。另外，第一无机层36自身的结构与第一实施方式的第一无机层6相同，因此省略其详细说明。

第二无机层37与第一实施方式的第二无机层7对应，其覆盖有机EL元件33且覆盖矩形环状结构体341的局部。第二无机层37可为单层结构也可以为多层结构。在本实施方式中，第二无机层37成为第一保护膜37a以及第二保护膜37b的双层结构。另外，第二无机层37自身的结构与第一实施方式的第二无机层7相同，因此省略其详细说明。

第一保护膜37a与第一实施方式的第一保护膜7a对应，其配置于第二保护膜37b的底板基板32侧，是覆盖有机EL元件33的保护膜。另外，第一保护膜37a自身的结构与第一实施方式的第一保护膜7a相同，因此省略其详细说明。

第二保护膜37b与第一实施方式的第二保护膜7b对应，其配置于第一保护膜37a上即第一保护膜37a的与底板基板32相反的一侧，是覆盖有机EL元件33且覆盖矩形环状结构体341的局部的保护膜。优选第二保护膜37b配置于有机EL元件33上，未配置于矩形环状结构体341上以及矩形环状结构体341与有机EL器件31的端面31a之间。即，优选第二保护膜37b配置于矩形环状结构体341的与有机EL器件31的端面31a相反的一侧，未配置于矩形环状结构体341上以及矩形环状结构体341的有机EL器件31的端面31a侧。另外，第二保护膜37b自身的结构与第一实施方式的第二保护膜7b相同，因此省略其详细说明。

并且，有机EL器件31在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置，具有连接第一无机层36与第一保护膜37a的连接部44。即，连接部44设置于矩形环状结构体341的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置、以及直线状结构体342的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置。将端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧相邻的连接部44称作外侧连接部44a，将端部结构体34的与和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的连接部44称作内侧连接部44b。在连接部44，第一无机层36与第一保护膜37a向与底板基板32垂直的方向D层叠而连接。

有机EL材料42、第二电极43、第一无机层36以及第一保护膜37a延伸至有机EL器件31的端面31a。因此，有机EL器件31的端面31a的局部由有机EL材料42、第二电极43、第一无机层36以及第一保护膜37a形成。

并且，有机EL材料42以及第二电极43在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置，通过连接部44被分割。即，有机EL材料42以及第二电极43在端部结构体34的有机EL器件31的端面31a侧，通过外侧连接部44a被分割，在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a相反的一侧，通过内侧连接部44b被分割。有机EL材料42是使水蒸气透过的水蒸气透过层，因此能够成为使水蒸气渗入至有机EL元件33的水蒸气渗入路径。连接部44在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置将有机EL材料42进行分割，由此作为遮断水蒸气渗入路径的水蒸气渗入路径遮断部而发挥功能。

接着，对有机EL器件31的制造方法的一例进行说明。但是有机EL器件31的制造方法并非限定于以下方法。

在有机EL器件31的制造中，如图21以及图22所示，通过制作出配置有多个有机EL器件31的主基板50，之后，将主基板50分割为有机EL器件31每一片来进行。另外，在主基板50中，将配置有各有机EL器件31的区域称作有机EL器件配置区域51。并且，制造出有机EL器件31为止，有机EL器件31的端面31a这个用语表示成为有机EL器件31的端面31a的位置即有机EL器件配置区域51的边界面。

首先，在有机EL器件配置区域51形成底板基板32。若进行详细说明，则在成为基板32a的无碱性玻璃上，将作为有机EL元件33的驱动电路的电路32b以LTPS-TFT构成。LTPS-TFT驱动电路能够以一般的制造方法来制作。此时，工序过程中以及工序之间通过湿式清洗以及干式清洗等来将基板32a以及LTPS-TFT始终保持清洁的状态，并通过光刻法为进行加工。并且，在电路32b上形成平坦化膜32c，并且在平坦化膜32c上进行用于将电路32b连接于有机EL元件33等的导通孔38的开口。

接着，在有机EL器件配置区域51形成第一电极41。若进行详细说明，则在底板基板32上将成为第一电极41的阳极材料的ITO以溅射法进行成膜，之后，通过光刻法来形成阳极图案。

接着，在有机EL器件配置区域51形成与第一实施方式的配线部10对应的MAM配线膜。另外，当设为能够利用在制作LTPS-TFT时形成的配线膜的薄膜结构以及配线图案时，未形成新的MAM配线膜，以能够连接该配线膜与第二电极43的方式配置连接部即可。

接着，在有机EL器件配置区域51上形成第一无机层36。若进行详细说明，则将第一电极41(ITO)的图案高低差以及不想要露出的MAM配线膜以成为第一无机层36的氧化硅来包覆。此时，作为成为第一无机层36的无机材料，与第一实施方式同样地为水蒸气不透过的无机材料即可，也可以代替氧化硅使用以氮氧化硅、氮化硅或氧化铝为主成分的无机绝缘材料。另外，作为成为第一无机层36的无机材料，可以使用与第一电极41同样的ITO。此时，通过在切断部的整个区域形成ITO，能够保护薄膜电晶体以及有机EL元件33免受由静电气引起的放电的影响。作为成膜方法，与第一实施方式同样地能够使用溅射法或电浆CVD法。在形成氧化硅膜之后，以光刻法来进行图案加工。氧化硅的蚀刻以使用了缓冲氢氟酸的湿式蚀刻法进行，且去除第一电极41(ITO)与有机EL材料42的连接部分、与驱动器集成电路以及柔性印刷电路板的连接部分、以及与第二电极43连接的配线上形成的无机材料。

接着，在有机EL器件配置区域51形成端部结构体34。若进行详细说明，则在第一无机层36上形成端部结构体34。端部结构体34设为双重结构。并且，作为端部结构体34，形成包围多个有机EL元件33的矩形环状的矩形环状结构体341，在矩形环状结构体341与有机EL器件31的端面31a之间，形成沿着有机EL器件31的长边侧的端面31a以直线状延伸的直线状结构体342。在端部结构体34的形成中，首先在第一无机层36上将成为支撑部34A的聚酰亚胺树脂以1～2μm的厚度进行涂布以及干燥，之后将成为悬突部34B的光阻以2～3μm的厚度进行涂布以及干燥。由此，在支撑部34A上形成配置有悬突部34B的剖面T字状的端部结构体34。另外，通过聚酰亚胺树脂在作为蚀刻液的显影液的浸渍时间，能够调整相对于支撑部34A的悬突部34B向有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧突出的长度(以下称作“悬突长度”。)。例如通过调整该浸渍时间来将悬突长度设为2～3μm。另外，作为端部结构体34的形成，当能够利用可以以单层形成为T字状的光阻时，不将端部结构体34设为双重结构也可。

在此，若有机EL材料42到达至支撑部34A(聚酰亚胺树脂层)，则在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置，无法形成未形成有机EL材料42而第一无机层36露出的区域。另一方面，悬突长度(L)相对于支撑部34A的高度(聚酰亚胺树脂层的膜厚)(T)的比(L/T)越大，则在悬突部34B下，未形成有机EL材料42而第一无机层36露出的区域的宽度变得越大。并且，如图23所示，在将蒸镀有机EL材料42时被蒸镀的有机EL材料向悬突部34B下入射的入射角度设为θ时，满足θ＜tan^-1(L/T)＝ψ的关系。

通常，被蒸镀的有机EL材料的入射角度θ小于45°。因此，L/T优选为1(＝tan(45°))以上，更优选为1.5～3。若L/T小于1，则因有机EL材料的入射角度而导致支撑部34A(聚酰亚胺树脂层)与有机EL元件33的有机EL材料42接触，第一无机层36不露出。另一方面，若L/T大于3，则容易因在制造工序中的热引起的抗蚀剂的变形而导致悬突部34B下垂向底板基板32侧。若悬突部34B下垂而与第一无机层36接触，则变得无法适当地形成连接部44。

若形成端部结构体34，则将底板基板32在120～200℃下进行加热来进行支撑部34A(聚酰亚胺树脂层)以及悬突部34B(光阻层)的硬化以及脱水。

接着，在有机EL器件配置区域51形成有机EL材料42。若进行详细说明，则有机EL材料42通过真空蒸镀法形成。

接着，在有机EL器件配置区域51形成第二电极43。若进行详细说明，则将成为第二电极43的阴极材料的铝以电子束加热蒸镀法进行成膜。

另外，在有机EL材料42以及第二电极43的成膜时，覆盖不想要附着该等的部分的金属掩模并不使用如图26中(a)所示那样按照有机EL器件31的细长的每一片形成有开口的高精细金属掩模M3，而能够使用如图26中(b)所示那样打开了跨越有机EL器件31的多个或者每一片的较大的开口的金属掩模M4。金属掩模M4非常廉价，并且厚实且形状简单，因此容易获得，并且清洗也容易因此运行成本也低。

接着，在有机EL器件配置区域51形成第二无机层37的第一保护膜37a。若进行详细说明，则以与露出的第一无机层36接触的方式形成第一保护膜37a。第一保护膜37a的成膜例如通过以电浆CVD法形成氮化硅的膜来进行。由此，端部结构体34与有机EL器件31的端面31a侧相邻而形成外侧连接部44a(连接部44)，且与端部结构体34的和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻而形成内侧连接部44b(连接部44)。

基于电浆CVD法的氮化硅的膜通常将硅烷(SiH4)、氨(NH3)或氮(N2)等用作主原料气体，但由于原料气体包含氢原子，因此成为含有氢原子的氮化硅的膜。氢含量过多的膜的致密性差，因此为了提高水蒸气屏蔽性，作为氢含量优选小于30at％。一般情况下氮化硅中的硅与氮的组成比(N/Si+N)更接近化学计量比的水蒸气屏蔽性更优异，若屏蔽性优异，则组成比无需一定为化学计量比或接近化学计量比的比。

第一保护膜37a的膜应力的绝对值优选小于1×10³MPa，更优选为5×10²MPa以下，进一步优选为1×10²MPa以下。若第一保护膜37a的膜应力过高，则膜易发生龟裂或褶皱而产生缺陷，有时会丧失屏蔽水蒸气的功能。作为膜应力，与拉伸应力(tensile)相比，压缩应力(compressive)更不易发生龟裂，因此更优选。调整第一保护膜37a的膜应力的方法有基于对利用了构成元素的组成、构成原子的结合状态、热膨胀系数差的成膜温度进行调整的残留热应力的利用、改变膜厚的方法等。但是，若水蒸气的屏蔽性与机械强度充分，则可为任意的调整方法，也可为该等方法中的任一个或多个的组合。作为其他包覆性高的保护膜的成膜方法，有原子层沉积法、光CVD法、Cat-CVD法等。

第一保护膜37a的成膜使用大开口的金属掩模，以免第一保护膜37a在驱动器集成电路以及柔性印刷电路板的连接部分成膜。另外，若在该连接部分预先将第一保护膜37a的剥离用材料进行成膜，则变得不需要第一保护膜37a成膜用的金属掩模。此时，第一保护膜37a以及剥离用材料需要在电性检查工序或接合驱动器集成电路以及柔性印刷电路板之前去除。此时，剥离用材料可以使用如图26中(c)所示的金属掩模M5来形成有机EL材料42的局部或全部。

接着，在有机EL元件33上形成第二无机层37的第二保护膜37b。若进行详细说明，则第二保护膜37b通过液体材料仅在有机EL元件33的一部分上成膜。具体而言，将聚硅氮烷溶液以分配法进行涂布后使溶剂蒸发干燥，并在85℃下使其硬化，从而形成第二保护膜37b。在各种化学气相沉积法中，能够比较容易地实现水蒸气透过率非常小的膜质的薄膜的成膜。然而，有时附着有0.1～1μm左右的尺寸的颗粒而成为缺陷，或引起原材料的异常成长而成为缺陷。另一方面，在使用了液体材料的保护膜的形成方法中，不易发生该种缺陷，并且，若在以化学气相沉积法形成的薄膜的上层叠，则具有该薄膜的缺陷被掩埋的效果。

接着，在第二保护膜37b上形成保护膜。作为保护膜，例如使用在125μm厚度的PET薄膜上涂布有硅酮树脂的带。

通过以上，如图24以及图25所示，制作出配置有多个有机EL器件31的主基板50。另外，图24以及图25省略了保护膜的图示。并且，通过切断主基板50来分割为有机EL器件31的每一片。主基板50的切断能够使用玻璃划线器。划线可从薄膜面侧(相对于底板基板32的有机EL元件33侧)形成，也可以从与薄膜面对置的面侧(与相对于底板基板32的有机EL元件33相反的一侧)形成，但从防止在横截面产生的薄膜的切屑污染玻璃划线器的切断刀片的观点来看，优选从与薄膜面对置的面侧开始划线。并且，为了抑制因划线而产生的龟裂的进行或断裂的薄膜的飞散，更优选在切断部涂布硬化型树脂。切断部是在图25中以虚线表示的部分。

并且，在分割为每一片的有机EL器件31上安装驱动器集成电路以及柔性印刷电路板，以保护树脂涂布接合部分，并和Selfoc(注册商标)透镜阵列一同将位置调整设置到框体。由此，完成光打印头。

如此，在本实施方式的有机EL器件31中，除了第一实施方式的有机EL器件1的效果以外，还可获得如下效果。

在该有机EL器件31中，由于支撑部34A的高度T以及悬突部34B的突出长度L、被蒸镀的有机EL材料的入射角度θ满足θ＜tan^-1(L/T)的关系，因此通过对有机EL材料进行蒸镀，能够在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置适当地形成未形成有机EL材料42的区域。因此，通过之后在底板基板32上形成第一保护膜37a，能够在端部结构体34的与有机EL器件31的端面31a侧以及和有机EL器件31的端面31a相反的一侧相邻的位置形成将第一无机层36以及第一保护膜37a相互连接的连接部44。

(第三实施方式)

第三实施方式基本上与第二实施方式相同，仅端部结构体与第二实施方式不同。因此，以下仅对与第二实施方式不同的项目进行说明，省略与第二实施方式相同的项目的说明。

如图27所示，本实施方式的有机EL器件61具备底板基板32、有机EL元件33、端部结构体64、第一无机层36以及第二无机层37。

端部结构体64与第二实施方式的端部结构体34对应，其具有：支撑部64A，配置于第一无机层36上；以及悬突部64B，配置于支撑部64A上，相对于支撑部64A向有机EL器件61的端面61a侧以及与有机EL器件61的端面61a相反的一侧突出。

支撑部64A与第二实施方式的支撑部34A对应，由低电阻的金属形成。作为形成支撑部64A的低电阻金属，例如能够设为MoNb/AlNd/MoNb(钼·铌合金/铝·钕合金/钼·铌合金，以下称作“MAM”。)结构的多层金属膜。例如将支撑部64A设为1μm厚度的MAM结构的多层金属膜时，能够将该多层金属膜的薄片电阻设为约0.05Ω/sq的非常小的值。另外，支撑部64A经由接触孔与用于供给电源的引出配线连接。

悬突部64B与第二实施方式的悬突部34B对应，可以与支撑部64A同样地由金属形成。

第一无机层36由具有导电性的素材形成，例如能够由与第一电极41同样的ITO形成。当作为第一无机层36使用ITO时，能够同时形成第一电极41和第一无机层36。在第一无机层36与第一电极41之间，配置有无机绝缘膜39。无机绝缘膜39配置于底板基板32与有机EL材料42之间，且配置于底板基板32的平坦化膜32c上。作为无机绝缘膜39，例如能够使用以氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝为主成分的无机绝缘材料。

并且，支撑部64A与第二电极43电连接。具体而言，第一无机层36由ITO形成，第二电极43与第一无机层36连接，第一无机层36与支撑部64A连接。因此，第二电极43与第一无机层36导通，且第一无机层36与支撑部64A导通。由此，第二电极43成为与支撑部64A电连接的状态。另外，将第二电极43直接与支撑部64A连接，由此可将第二电极43和支撑部64A电连接。

接着，对有机EL器件61的制造方法的一例进行说明。但是有机EL器件61的制造方法并非限定于以下方法。

通过MAM结构的多层金属膜形成端部结构体64的支撑部64A，且通过光阻形成端部结构体64的悬突部64B。支撑部64A以及悬突部64B通过光刻法形成。多层金属膜的膜厚例如设为1μm，多层金属膜的薄片电阻例如设为约0.05Ω/sq。多层金属膜经由接触孔与用于供给电源的引出配线连接。

并且，通过ITO形成第一无机层36，将第一无机层36与支撑部64A的钼·铌合金电连接。并且，将形成第一无机层36的ITO还使用于有机EL元件33的第一电极41，且同时形成第一无机层36与第一电极41。并且，将该ITO还形成于引出配线与驱动器集成电路以及柔性印刷电路板的连接部分，在对支撑部64A的多层配线膜进行蚀刻时，保护该连接部分免受蚀刻液的影响。

并且，将有机EL材料42进行成膜后，以超过有机EL材料42并绕向悬突部64B下的方式将第二电极43进行成膜。由此，在悬突部64B下，第二电极43与第一无机层36相连接，且第二电极43与第一无机层36电连接。由此，第二电极43经由第一无机层36与支撑部64A电连接。作为第二电极43的成膜方法，例如能够设为与成膜有机EL材料42的入射角度相比加大第二电极43的入射角度来进行蒸镀的方法、溅射法或该等方法的并用。

另外，其他方法与第二实施方式相同，因此省略详细说明。

在此，将第一电极41或第二电极43中相对于有机EL材料42配置于与底板基板32相反的一侧的电极称作上部电极，且将第一电极41或第二电极43中相对于有机EL材料42配置于底板基板32侧的电极称作下部电极。在本实施方式中，第二电极43成为上部电极，第一电极41成为下部电极。

通常上部电极无法较厚地形成。上部电极与有机EL材料42的密合力较弱，若加厚上部电极来使其应力变大，则上部电极容易从有机EL材料42剥离。因此，上部电极多以0.05～0.3μm左右的膜厚使用，且难以大幅超出该范围而较厚地形成。

另一方面，光打印头中，以电路32b的薄膜电晶体控制画像信号，在光打印头上并设的每个有机EL元件33中，电流源从下部电极侧流向上部电极侧。上部电极也是将多个有机EL元件33的电流集中并流向外部电路的共同电极，因此期望尽可能为低电阻。若不如此，则根据点亮的像素数而上部电极的电位变动，因此各画素的发光辉度对均匀的驱动产生影响，或通过大电流流动而发生的发热对元件特性产生影响而无法进行所希望的控制。然而，由于所述的剥离问题而难以形成为较厚的膜。还考虑到通过拓宽电极宽度来降低上部电极的电阻值，但此时，可从1个主基板得到的有机EL器件的个数变少。

在本实施方式中，上部电极与作为导电体的支撑部64A电连接，因此能够降低上部电极的电阻值。而且，端部结构体64沿与底板基板32(基板32a)垂直的方向D较厚，因此即使为较窄的线宽，也能够将电阻值设为较低。而且，端部结构体64从有机EL元件33分离，因此能够减少相对于有机EL元件33的端部结构体64的发热的影响。

以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并非限定于上述实施方式。

符号说明

1-有机EL器件，1A-有机EL器件，1a-有机EL器件的端面，2-基板，3-有机EL元件，4-端部结构体，4a-顶面，4b-底面，5-元件间结构体，6-第一无机层，7-第二无机层，7a-第一保护膜，7b-第二保护膜，8-保护树脂，9-保护膜，10-配线部，11-第一电极，12-有机EL材料，13-第二电极，14-连接部，14a-外侧连接部，14b-内侧连接部，15-薄膜，20-主基板，21-有机EL器件配置区域，31-有机EL器件，31a-有机EL器件的端面，32-底板基板，32a-基板，32b-电路，32c-平坦化膜，33-有机EL元件，34-端部结构体，341-矩形环状结构体，342-直线状结构体，34A-支撑部，34B-悬突部，34a-顶面，34b-底面，36-第一无机层，37-第二无机层，37a-第一保护膜，37b-第二保护膜，38-导通孔，39-无机绝缘膜，41-第一电极，42-有机EL材料，43-第二电极，44-连接部，44a-外侧连接部，44b-内侧连接部，50-主基板，51-有机EL器件配置区域，61-有机EL器件，61a-有机EL器件的端面，64-端部结构体，64A-支撑部，64B-悬突部，α-框架，M1-金属掩模，M2-高精细金属掩模，M3-高精细金属掩模，M4-金属掩模，M5-金属掩模。

Claims (9)

1.一种有机EL器件，其在基板上配置有具有第一电极、有机EL材料以及第二电极的有机EL元件，所述有机EL器件具备：

端部结构体，配置于所述有机EL器件的端面与所述有机EL元件之间，且向与所述基板垂直的方向延伸；

第一无机层，配置于所述基板与所述端部结构体之间；

第二无机层，覆盖所述有机EL元件；以及

连接部，在所述端部结构体的与所述端面侧以及和所述端面相反的一侧相邻的位置，连接所述第一无机层与所述第二无机层，

所述有机EL材料、所述第一无机层以及所述第二无机层延伸至所述有机EL器件的端面，

所述有机EL材料在所述端部结构体的与所述端面侧以及和所述端面相反的一侧相邻的位置，通过所述连接部被分割。

2.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，

所述第二无机层覆盖所述端部结构体。

3.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其中，

所述第二无机层具有覆盖所述有机EL元件且与所述第一无机层连接的第一保护膜、以及配置于所述第一保护膜上的第二保护膜。

4.根据权利要求3所述的有机EL器件，其中，

所述第二保护膜配置于所述端部结构体的与所述端面相反的一侧，而未配置于所述端部结构体的所述端面侧。

5.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其中，

在所述端面与所述有机EL元件之间，配置有多个所述端部结构体。

6.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其中，

所述端部结构体的至少一部分是导电体，

所述端部结构体与所述第一电极或所述第二电极中的配置于相对于所述有机EL材料与所述基板相反的一侧的电极电连接。

7.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其中，

所述端部结构体形成为从顶面朝向底面逐渐变细的剖面倒锥状，

相对于与所述基板垂直的方向的所述端部结构体的圆锥角度大于蒸镀所述有机EL材料时被蒸镀的有机EL材料向所述顶面下入射的入射角度。

8.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其中，

所述端部结构体具有配置于所述第一无机层上的支撑部、以及配置于所述支撑部上且相对于所述支撑部向所述端面侧以及与所述端面相反的一侧突出的悬突部，

在将所述支撑部的高度设为T，将相对于所述支撑部的所述悬突部的向所述端面侧以及与所述端面相反的一侧突出的长度设为L，且将蒸镀所述有机EL材料时被蒸镀的有机EL材料向所述悬突部下入射的入射角度设为θ情况下，满足θ＜tan^-1(L/T)的关系。

9.一种光打印头，其为对光感应媒体进行曝光的长条状，所述光打印头具备：

权利要求1至8中任一项所述的有机EL器件；

配置于所述基板上且由薄膜电晶体构成的电路；以及

配置于所述电路上的平坦化膜，

所述第一无机层配置于所述平坦化膜上，

所述有机EL元件连接于所述电路。

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