TW201924107A

TW201924107A - 有機電致發光器件及光列印頭

Info

Publication number: TW201924107A
Application number: TW107136945A
Authority: TW
Inventors: 小玉光文
Original assignee: 日商双葉電子工業股份有限公司
Priority date: 2017-10-27
Filing date: 2018-10-19
Publication date: 2019-06-16
Also published as: JP2019083086A; JP6649338B2; CN109967763A; CN109967763B

Abstract

發明之有機電致發光器件具備：端部構造體4，其配置於有機電致發光器件1的端面1a與有機電致發光元件3之間，且向與基板2垂直的方向D延伸；第一無機層6，其配置於基板2與端部構造體4之間；第二無機層7，其覆蓋有機電致發光元件3；以及，連接部14，其在端部構造體4的與端面（1a）側以及和端面（1a）相反的一側鄰接之位置，連接第一無機層6與第二無機層7；其中，有機電致發光材料12、第一無機層6以及第二無機層（7），延伸至有機電致發光器件1的端面1a；有機電致發光材料12在端部構造體4的與端面1a側以及和端面1a相反的一側鄰接之位置，藉由連接部14加以分隔。

Description

有機電致發光器件以及光列印頭

本發明是有關一種在基板上配置了有機電致發光(有機EL)元件之有機EL器件以及具備該有機EL器件之光列印頭。

通常，在有機EL器件的製造中，是要製作出在基板上配置有由多數有機EL元件所構成之有機EL器件之主基板，並在經過了密封該等有機EL器件之密封步驟後，將主基板分隔為有機EL器件的個別切片。

通常情況下，有機EL元件因水蒸氣而產生之劣化明顯。並且，水分子易透過構成有機EL元件之有機EL材料，因此能夠成為水蒸氣滲入路徑。另外，作為能夠成為水蒸氣滲入路徑之有機EL器件構成材料，除了有機EL材料以外，還有鹼金屬、鹼土類金屬、該等的合金、或將包含該等之化合物作為主成分之電子注入層、有機層間絕緣膜。

並且，為避免有機EL材料成為連接外部氣體與密封區域內部的有機EL元件之水蒸氣滲入路徑，會將對有機EL材料進行成膜之有機EL材料成膜區域以停留在密封區域內之方式形成為島狀，從而避免成為與外部氣體的橋梁。有機EL材料的成膜方法的主流為真空蒸鍍法，因此作為將有機EL材料成膜區域形成為島狀之方法，一般進行以金屬遮罩來對將非成膜區域加以覆蓋隱藏之方法。

（先前技術文獻）
（專利文獻）
專利文獻1：國際公開第2003/061346號。

（本發明所欲解決之課題）
當可以使配置於主基板上之相鄰之有機EL器件的有機EL材料成膜區域的間隔較寬時，能夠使用廉價的金屬遮罩。

然而，當難以使配置於主基板上之相鄰之有機EL器件的有機EL材料成膜區域的間隔較寬時，用於形成非成膜區域之金屬遮罩會成為細長的形狀。尤其在製作細長形狀的顯示器或光列印頭時，由於金屬遮罩亦成為細長形狀，因此難以用廉價的金屬遮罩進行製造，而需要使用高精細金屬遮罩。高精細金屬遮罩使用0.1mm以下的較薄的金屬板，藉由在持有對位機構之金屬框中，一邊施加張力一邊貼附來維持形狀。然而，具備高精細金屬遮罩以及適合使用高精細金屬遮罩的機構之真空成膜裝置的價格非常昂貴，並且，高精細金屬遮罩的成膜使用次數具有上限，因此需要頻繁地更換，而且，高精細金屬遮罩較薄，因此還存在破損等課題。因此，會增加有機EL器件的製造成本。

另一方面，為了使用一般的廉價的金屬遮罩，若使相鄰之有機EL器件的有機EL材料成膜區域的間隔較寬，則死角增加，可以從1個主基板獲得到之有機EL器件的個數減少。因此，有機EL器件的製造成本仍舊增加。

如此，以往的方法中，在使用高精細金屬遮罩之工法以及使用一般的廉價的金屬遮罩之工法中的任一種中，均存在有機EL器件的製造成本變高的這種問題。

因此，本發明的一態樣的課題在於提供一種能夠抑制水蒸氣朝向有機EL元件之滲入且降低製造成本之有機EL器件以及具備該有機EL器件之光列印頭。

（用以解決課題之手段）
為了解決上述課題，本發明者進行深入研究之結果，發現藉由改進將主基板分隔為有機EL器件的個別分片之分隔部分的構造，即使不使用高精細金屬遮罩，亦能夠作成不會在有機EL材料中形成連接外部氣體和有機EL元件之水蒸氣滲入路徑之構造，且能夠增加在每一片主基板上可獲得之有機EL器件的個數。本發明的一態樣是基於相關見解而完成。

亦即，本發明的一態樣是一種有機電致發光器件，其在基板上配置了有機EL元件，該有機電致發光元件具有第一電極、有機電致發光材料以及第二電極，該有機電致發光器件具備：端部構造體，其配置於有機電致發光器件的端面與有機電致發光元件之間，且向與基板垂直的方向延伸；第一無機層，其配置於基板與端部構造體之間；第二無機層，其覆蓋有機電致發光元件；以及，連接部，其在端部構造體的與端面側以及和端面相反的一側鄰接之位置，連接第一無機層與第二無機層；其中，有機電致發光材料、第一無機層以及第二無機層，延伸至有機電致發光器件的端面；有機電致發光材料，在端部構造體的與端面側以及和端面相反的一側鄰接之位置，藉由連接部加以分隔。

在該有機電致發光器件中，有機電致發光材料、第一無機層以及第二無機層，延伸至有機電致發光器件的端面，在有機電致發光器件的端面與有機電致發光元件之間配置有向與基板垂直的方向延伸之端部構造體。並且，有機電致發光材料在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，藉由第一無機層以及第二無機層相互連接之連接部加以分隔。因此，即使水蒸氣從有機電致發光器件的端面滲入到有機電致發光材料，亦可以藉由端部構造體的與有機電致發光器件的端面側鄰接之連接部來遮斷該水蒸氣的滲入。即使已經從有機電致發光器件的端面滲入到有機電致發光材料之水蒸氣更滲入到了端部構造體，亦可以藉由端部構造體的與和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之連接部，來遮斷該水蒸氣的滲入。藉此，能夠防止已經從有機電致發光器件的端面滲入到有機電致發光材料之水蒸氣更滲入到有機電致發光元件。

並且，有機電致發光材料、第一無機層以及第二無機層，延伸至有機電致發光器件的端面，且有機電致發光材料在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，藉由連接部加以分隔。因此，當在主基板上配置複數個有機電致發光器件時，即使不使用高精細金屬遮罩，亦能夠在主基板上縮短相鄰之有機電致發光器件的間隔。藉此，能夠降低有機電致發光器件的製造成本。

第二無機層可以覆蓋端部構造體。在該有機電致發光器件中，配置於基板和端部構造體之間之第一無機層及覆蓋端部構造體之第二無機層，在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置相互連接，因此端部構造體被第一無機層以及第二無機層包圍。因此，在有機電致發光器件的製造過程中，即使在端部構造體有水蒸氣殘留，亦能夠防止該水蒸氣從端部構造體漏出而滲入到有機電致發光元件。

第二無機層可以具有第一保護膜、以及配置於第一保護膜上之第二保護膜，該第一保護膜覆蓋有機電致發光元件且連接於第一無機層。在該有機電致發光器件中，由於第二無機層具有第一保護膜和第二保護膜，因此能夠適當地保護有機電致發光器件。

第二保護膜可以配置於端部構造體的和端面相反的一側，而未配置於端部構造體的端面側。在該有機電致發光器件中，第二保護膜配置於端部構造體的和有機電致發光器件的端面相反的一側，而未配置於端部構造體的有機電致發光器件的端面側，因此能夠以低成本來保護有機電致發光器件。而且，在形成第二保護膜時，由於形成第二保護膜之材料被端部構造體攔阻，因此能夠容易地將第二保護膜設為較厚。

在端面與有機電致發光元件之間，可以配置有複數個端部構造體。在該有機電致發光器件中，在端面與有機電致發光元件之間配置有複數個端部構造體，因此水蒸氣滲入路徑在與各端部構造體鄰接之連接部中被遮斷。有時，在將配置有複數個有機電致發光器件之主基板分隔為有機電致發光器件的個別切片時，可能會在有機電致發光器件的端部產生龜裂等水蒸氣滲入路徑。然而，在本案的有機電致發光器件中，藉由複數個端部構造體阻礙了龜裂的進行，損傷難以到達至有機電致發光元件側的端部構造體。因此，能夠高度保持有機電致發光元件的密封狀態。

端部構造體的至少一部分為導電體，端部構造體可以與第一電極或第二電極中的相對於有機電致發光材料配置於和基板相反的一側之電極電性連接。通常，第一電極或第二電極中的配置於和基板相反的一側之電極，為了防止電極的剝離而需要抑制應力，其結果無法形成較厚，因此電阻值容易變高。在本案的有機電致發光器件中，由於該電極與至少一部分為導電體之端部構造體電性連接，因此能夠降低該電極的電阻值。而且，由於端部構造體沿與基板垂直的方向較厚，因此即使為較窄的線寬，亦能夠降低電阻值。並且，由於端部構造體從有機電致發光元件分離，因此能夠減小端部構造體的發熱對於有機電致發光元件之影響。

端部構造體形成為從頂面朝向底面逐漸變細之剖面倒錐狀，相對於與基板垂直的方向之端部構造體的錐體角度，可以大於蒸鍍有機電致發光材料時被蒸鍍之有機電致發光材料向頂面下入射之入射角度。在該有機電致發光器件中，由於端部構造體的錐體角度大於被蒸鍍之有機電致發光材料的入射角度，因此藉由對有機電致發光材料進行蒸鍍，能夠在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，適當地形成了未形成有機電致發光材料之區域。因此，藉由之後在基板上形成第二無機層，能夠在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，形成第一無機層以及第二無機層相互連接之連接部。

端部構造體具有：支撐部，其配置於第一無機層上；以及，懸突部，其配置於支撐部上且相對於支撐部向端面側以及和端面相反的一側突出；在將支撐部的高度設為T，將相對於支撐部之懸突部的向端面側以及和端面相反的一側突出之長度設為L，且將蒸鍍有機電致發光材料時被蒸鍍之有機電致發光材料向懸突部下入射之入射角度設為θ時，可以滿足θ＜tan^-1 （L/T）的關係。在該有機電致發光器件中，由於支撐部的高度以及懸突部的突出長度、與被蒸鍍之有機電致發光材料的入射角度滿足上述關係，因此藉由對有機電致發光材料進行蒸鍍，能夠在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，適當地形成了未形成有機電致發光材料之區域。因此，藉由之後在基板上形成第二無機層，能夠在端部構造體的與有機電致發光器件的端面側以及和有機電致發光器件的端面相反的一側鄰接之位置，形成第一無機層以及第二無機層相互連接之連接部。

本發明的另一態樣之光列印頭，是對光感應媒體(光感應介質)進行曝光之長條狀的光列印頭，其具備：上述有機電致發光器件；配置於基板上且由薄膜電晶體構成之電路；以及，配置於電路上之平坦化膜；其中，第一無機層配置於平坦化膜上，有機電致發光元件連接於電路。

在該光列印頭中，由於具備上述有機電致發光器件，因此能夠抑制水蒸氣朝向有機電致發光元件之滲入，且能夠降低製造成本。

（發明之效果）
依據本發明，能夠抑制水蒸氣朝向有機電致發光元件之滲入，且能夠降低製造成本。

以下，參閱随附圖式對本發明的較佳的實施型態進行說明。另外，在各附圖中對相同或相應之要件賦予相同的符號，並省略重複說明。並且，在本說明書中使用“～”所示之數值範圍表示將記載於“～”的前後之數值分別作為最小值以及最大值而包含在內之範圍。

（第一實施型態）
第一實施型態是將本發明之有機電致發光器件(有機EL器件)應用於在被動矩陣（passive matrix）型有機EL顯示面板中使用之有機EL器件者。作為該被動矩陣型有機EL顯示器的像素數，例如能夠設為256×16點。

如圖1～圖5所示，本實施型態的有機EL器件1具備：基板2、有機EL元件3、端部構造體4、元件間構造體5、第一無機層6、第二無機層7、保護樹脂8、保護膜9以及配線部10。另外，在圖1中，省略了保護樹脂8以及保護膜9的圖示。

基板2是設置了有機EL元件3、配線部10等之元件基板。基板2例如是玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板或具有可撓性之基板（例如塑膠基板等）。基板2例如具有透光性。基板2例如形成為矩形的板狀。基板2較佳為由不使水蒸氣透過之材料所形成。在此，所謂不使水蒸氣透過，並不僅指完全不使水蒸氣透過，亦指實質上不使水蒸氣透過。具體而言是指水蒸氣透過度為10^-5 [g/m² ·天]的數量級以下。

有機EL元件3是藉由被供給電流而產生光之元件。有機EL元件3配置於基板2上。當基板2由不使水蒸氣透過之材料形成時，有機EL元件3可以與基板2接觸，亦可以與配置於基板2上之由不使水蒸氣透過之材料形成之薄膜15（參閱圖6以及圖7）接觸。如上所述，不使水蒸氣透過並不僅指完全不使水蒸氣透過，亦指實質上不使水蒸氣透過。具體而言是指水蒸氣透過度為10^-5 [g/m² ·天]的數量級以下。當有機EL元件3與基板2接觸時，基板2較佳為由不使水蒸氣透過之材料所形成，當有機EL元件3與配置於基板2上之薄膜接觸時，該薄膜較佳為由不使水蒸氣透過之材料所形成。

有機EL元件3具有：從基板2側依序層疊之第一電極11、有機EL材料12以及第二電極13。

第一電極11是作為陽極或陰極中之其中一者而發揮功能之導電層。在本實施型態中，將第一電極11作為發揮陽極的功能之透明導電層者來進行說明。作為構成第一電極11之材料，例如可以使用ITO（氧化銦錫）、IZO（氧化銦鋅：註冊商標）等具有透光性之導電材料。第一電極11藉由對透明導電膜進行圖案化而形成，該透明導電膜例如藉由真空蒸鍍法、濺鍍法等PVD法（物理氣相沉積法）在基板2上成膜而成。

有機EL材料12具有水蒸氣易透過或易與水蒸氣產生反應之特性。作為有機EL材料12，例如可舉出發光層、電洞注入層、電洞輸送層、電子注入層、電子輸送層以及電洞注入層等有機材料、鹼金屬及鹼土類金屬的鹽、氯化物及其合金等。有機EL材料12例如藉由PVD法形成。

第二電極13是作為陽極或陰極中之另外一者而發揮功能之導電層。在本實施型態中，將第二電極13作為發揮陰極的功能之導電層者來進行說明。構成第二電極13之材料（導電材料）例如是鋁、銀等金屬。在該等導電材料中，可以包含鹼土類金屬（鎂、鈣等），亦可以包含IZO、ITO等具有透光性之材料。並且，第二電極13可以是該等材料層疊起來者。第二電極13例如藉由電阻加熱蒸鍍法、感應加熱蒸鍍法、電子束加熱蒸鍍法、PVD法形成。

端部構造體4配置於有機EL器件1的端面1a和有機EL元件3之間，且向與基板2垂直的方向D延伸。端部構造體4亦作為將相鄰之有機EL元件3的第二電極13彼此加以分離之陰極隔板（cathode separator）來發揮功能。端部構造體4的頂面4a大於底面4b。頂面4a是端部構造體4的和基板2相反的一側的面，底面4b是端部構造體4的基板2側的面。具體而言，端部構造體4形成為從頂面4a朝向底面4b逐漸變細之剖面倒錐狀。端部構造體4在有機EL器件1的端面1a附近，沿著有機EL器件1的端面1a而形成。並且，在端部構造體4的和端面1a相反的一側（內側）配置了有機EL元件3，在端部構造體4的端面1a側（外側）未配置有機EL元件3。端部構造體4例如藉由光微影法形成。

元件間構造體5配置於相鄰之有機EL元件3之間，且向與基板2垂直的方向D延伸。元件間構造體5亦作為將相鄰之有機EL元件3的第二電極13彼此加以分離之陰極隔板來發揮功能。元件間構造體5成為與端部構造體4相同的形狀。

第一無機層6配置於基板2與端部構造體4之間。第一無機層6由不使水蒸氣透過之無機材料所形成。如上所述，所謂不使水蒸氣透過不僅指完全不使水蒸氣透過，亦指實質上不使水蒸氣透過。具體而言是指水蒸氣透過度為10^-5 [g/m² ·天]的數量級以下。作為第一無機層6，例如能夠使用將氧化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁作為主成分之無機絕緣膜。另外，亦可以將作為玻璃基板之基板2、或者第一電極11或第二電極13中的配置於基板2側之電極（第一電極11）用作第一無機層6。作為第一無機層6使用無機絕緣膜時，第一無機層6例如藉由濺鍍法、原子層沉積（Atomic Layer Deposition）法或電漿CVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法形成。

第二無機層7覆蓋有機EL元件3、端部構造體4以及元件間構造體5。第二無機層7由不使水蒸氣透過之無機材料形成。如上所述，所謂不使水蒸氣透過不僅指完全不使水蒸氣透過，亦指實質上不使水蒸氣透過。具體而言是指水蒸氣透過度為10^-5 [g/m² ·天]的數量級以下。第二無機層7可以是單層構造，亦可以是多層構造。在本實施型態中，第二無機層7成為第一保護膜7a以及第二保護膜7b的雙層構造。

第一保護膜7a是配置於第二保護膜7b的基板2側並覆蓋有機EL元件3、端部構造體4以及元件間構造體5之保護膜。第一保護膜7a例如包含將氧化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、二氧化鈦或氧化鋯作為主成分之無機材料。第一保護膜7a例如藉由濺鍍法、電漿CVD法、光CVD（Photo Chemical Vapor Deposition）法、催化化學氣相沉積（Cat-CVD：Catalytic Chemical Vapor Deposition）法或原子層沉積法形成。具體而言，第一保護膜7a較佳為將以濺鍍法、電漿CVD法、光CVD法、觸媒化學氣相沉積法或原子層沉積法等被覆性優異之形成方法所形成之氧化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、二氧化鈦或氧化鋯作為主成分。其中，電漿CVD法或原子層沉積法從批量生產設備的成熟度、採用實際效果、被覆性以及缺陷的少量所帶來之高水蒸氣遮蔽性來看為較佳。並且，從批量生產採用實際效果大且生產性高來看,在電漿CVD法中較佳為氧化矽、氮氧化矽或氮化矽，在原子層沉積法中較佳為氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯或該等膜的積層。

第二保護膜7b是配置於第一保護膜7a上亦即第一保護膜7a的和基板2相反的一側，且覆蓋有機EL元件3以及元件間構造體5之保護膜。第二保護膜7b較佳為配置於有機EL元件3以及元件間構造體5上，而未配置於端部構造體4與有機EL器件1的端面1a之間。亦即，第二保護膜7b較佳為配置於端部構造體4的和有機EL器件1的端面1a相反的一側，而未配置於端部構造體4的有機EL器件1的端面1a側。第二保護膜7b較佳為具有在被覆第一保護膜7a的缺陷之性能上表現優異之材料。作為第二保護膜7b，例如能夠使用以聚矽氮烷或聚矽氧烷為主成分的無機材料。第二保護膜7b例如藉由塗佈法、濕式法形成。從提高第二保護膜7b的水蒸氣遮蔽性能之觀點來看，較佳為使第二保護膜7b的表面曝露於電漿照射、真空紫外光照射、電子線照射等高能量中。

保護樹脂8是配置於第二保護膜7b上，且用於提高相對於機械損傷之耐性之樹脂。作為保護樹脂8，例如能夠使用矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂。其中，矽酮樹脂特別對衝擊功能表現優異，且相對於機械損傷之耐性高，因此為較佳。保護樹脂8例如藉由噴墨法、分配法形成。

保護膜9是配置於第二保護膜7b或保護樹脂8上，且用於提高相對於機械損傷之耐性之薄膜。作為保護膜9，例如能夠使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜等樹脂薄膜、鋁箔、銅箔、不銹鋼箔等金屬箔等。

配線部10是從有機EL元件3引出之引出配線。配線部10例如是藉由依序積層鉬合金、鋁合金以及鉬合金而得之積層膜（以下稱作“MAM配線膜”。）所形成。

並且，有機EL器件1，在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，具有連接第一無機層6與第二無機層7的第一保護膜7a之連接部14。將端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側鄰接之連接部14，稱作外側連接部14a，將端部構造體4的與和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之連接部14，稱作內側連接部14b。在連接部14中，第一無機層6和第一保護膜7a在與基板2垂直的方向D上積層而連接。

有機EL材料12、第一無機層6以及第一保護膜7a延伸至有機EL器件1的端面1a為止。因此，有機EL器件1的端面1a的一部分由有機EL材料12、第一無機層6以及第一保護膜7a所形成。

並且，有機EL材料12在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，藉由連接部14加以分隔。亦即，有機EL材料12在端部構造體4的有機EL器件1的端面1a側，藉由外側連接部14a分隔，在端部構造體4的和有機EL器件1的端面1a相反的一側，藉由內側連接部14b加以分隔。由於有機EL材料12為使水蒸氣透過之水蒸氣透過層，因此能夠成為使水蒸氣滲入到有機EL元件3之水蒸氣滲入路徑。連接部14在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，對有機EL材料12加以分隔，藉此作為遮斷水蒸氣滲入路徑之水蒸氣滲入路徑遮斷部而發揮功能。

接著，對有機EL器件1的製造方法的一例進行說明。但是，有機EL器件1的製造方法並非限定於以下方法。

在有機EL器件1的製造中，如圖8所示，製作出配置有複數個有機EL器件1之主基板20，之後，藉由將主基板20分隔為有機EL器件1的個別切片來進行。另外，在主基板20中，將配置有各有機EL器件1之區域稱作有機EL器件配置區域21。並且，到製造出有機EL器件1為止，有機EL器件1的端面1a這個用語，是意指要成為有機EL器件1的端面1a之位置，亦即有機EL器件配置區域21的邊界面。

首先，如圖9（a）所示，在有機EL器件配置區域21形成第一電極11。詳言之，是在成為基板2之無鹼性玻璃基板上以濺鍍法來形成要成為第一電極11之陽極材料的ITO膜，之後，藉由光微影法來形成陽極圖案。

接著，如圖9（b）所示，在有機EL器件配置區域21形成配線部10。詳言之，是藉由濺鍍法不破壞真空地連續形成要成為配線部10之MAM配線膜，並且進一步藉由光微影法來加工要用於連接陽極和驅動器積體電路（driver IC）之配線圖案。各自的電極材料的加工能夠使用一般在有機EL顯示器或液晶顯示器中使用之方法。

接著，如圖10（a）所示，在有機EL器件配置區域21形成第一無機層6。詳言之，是針對第一電極11（ITO）的圖案高低差以及不想要露出之配線部10（MAM配線膜），以成為第一無機層6之氧化矽來進行被覆。此時，作為成為第一無機層6之無機材料，只要是不使水蒸氣透過之無機材料即可，亦可以使用以氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁為主成分之無機絕緣材料來代替氧化矽。作為成膜方法，能夠使用濺鍍法或電漿CVD法。在形成氧化矽膜之後，以光微影法進行圖案加工。氧化矽的蝕刻藉由使用緩衝氫氟酸（Buffered Hydrofluoric Acid）之濕式蝕刻法來進行，但亦可以藉由乾式蝕刻法來進行加工。乾式蝕刻的情況下，能夠將氧化矽的圖案高低差加工成控制性較佳之角度20°左右以下的錐體形狀，藉此，在氧化矽的圖案高低差上積層之有機EL材料12等薄膜的被覆性變得良好，因此為較佳。加工方法使用先前已使用過之適合於第一無機層6的加工之加工方法即可。另外，適當地加工以使作為接合第二電極13（陰極）和配線部10（MAM配線膜）之部分之第一無機層6亦確保導通（加工方法省略圖示）。

接著，如圖10（b）所示，在有機EL器件配置區域21形成端部構造體4以及元件間構造體5。詳言之，是在第一無機層6上形成端部構造體4以及元件間構造體5。端部構造體4沿著有機EL器件配置區域21的長邊側切斷部而形成，元件間構造體5形成於有機EL器件配置區域21中的相鄰之有機EL元件3之間。另外，端部構造體4與元件間構造體5能夠以相同的方法同時成型，因此以下僅對端部構造體4的形成方法進行說明。端部構造體4的形成，是以成為頂面4a大於底面4b且從頂面4a朝向底面4b逐漸變細之剖面倒錐狀之方式，藉由負抗蝕劑（有機樹脂）進行。

接著，如圖11（a）所示，在有機EL器件配置區域21形成有機EL材料12。詳言之，有機EL材料12是藉由真空蒸鍍法而形成。

然而，由於有機EL元件容易因水蒸氣而劣化，因此在成膜後不能曝露於外部空氣中。亦即，針對第二電極13的圖案形成，無法應用光微影法，因此必須在進行成膜之同時在相鄰之有機EL元件3之間進行電性分離。因此，作為第二電極13的成膜方法而採用高低差被覆性差的方法，且作成不易被覆端部構造體4以及元件間構造體5之構造，藉此在第二電極13的成膜的同時，以端部構造體4以及元件間構造體5的設置部分作為邊界而在元件間加以分離。陰極隔板的目的在於在相鄰之有機EL元件3之間對陰極進行電性分離，藉此能夠使相鄰之有機EL元件3獨立驅動。因此，從作為陰極隔板之觀點來看，端部構造體4以及元件間構造體5中，僅與第二電極13電性分離即可，有機EL材料12等即便覆蓋端部構造體4以及元件間構造體5整體亦無妨。

然而，在本實施型態中，藉由改進端部構造體4以及元件間構造體5的形狀，在與端部構造體4以及元件間構造體5鄰接之位置，不會形成可能成為水蒸氣透過層之有機EL材料12。

具體說明之，如圖13所示，製作成使相對於與基板2垂直的方向D之端部構造體4的錐體角度θ₁ 大於蒸鍍有機EL材料12時被蒸鍍之有機EL材料向頂面4a下入射之入射角度θ₂ （相對於與基板2垂直的方向D之角度）。另外，元件間構造體5亦與端部構造體4同樣地，製作成使相對於與基板2垂直的方向D之元件間構造體5的錐體角度θ₁ 大於蒸鍍有機EL材料12時被蒸鍍之有機EL材料向頂面下入射之入射角度θ₂ 。

此時，圓錐角度θ₁ 以及入射角度θ₂ 的設定可以藉由調整端部構造體4以及元件間構造體5的形狀來進行，亦可藉由調整有機EL材料12的蒸鍍條件來進行。當藉由調整端部構造體4以及元件間構造體5的形狀來進行時，由於能夠固定被蒸鍍之有機EL材料的入射角度θ₂ ，因此能夠容易地進行有機EL材料的蒸鍍。另一方面，當藉由調整有機EL材料12的蒸鍍條件來進行時，能夠使端部構造體4以及元件間構造體5的形狀具有自由度。當藉由調整有機EL材料12的蒸鍍條件來進行時，例如以使端部構造體4以及元件間構造體5的圓錐角度θ₁ 大於被蒸鍍之有機EL材料的入射角度θ₂ 之方式來配置基板2、蒸鍍坩堝以及蒸鍍材料遮蔽板（入射角度調整板）。作為一例，將端部構造體4以及元件間構造體5的高度設為3μm，且將端部構造體4以及元件間構造體5的錐體角度θ₁ 設為45°時，以被蒸鍍之有機EL材料向頂面4a下入射之入射角度θ₂ 成為最大30°之方式來配置基板2、蒸鍍坩堝以及蒸鍍材料遮蔽板（入射角度調整板）。

藉此，在端部構造體4以及元件間構造體5的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，形成了未形成有機EL材料12而第一無機層6露出之區域。另外，考慮到製造偏差等時，未形成有有機EL材料12而第一無機層6露出之區域較佳為充分寬闊，但只要具有要在之後步驟中形成之第一保護膜7a的膜厚以上的厚度便已足夠。未形成有機EL材料12而第一無機層6露出之區域例如能夠作成1μm以上。

接著，如圖11（b）所示，在有機EL器件配置區域21形成第二電極13。詳言之，是將要成為第二電極13之陰極材料的鋁以電子束加熱蒸鍍法進行成膜。鋁的成膜例如作成0.2μm。

另外，在有機EL材料12以及第二電極13的成膜時，使用如圖17（a）所示之開口較大地打開之金屬遮罩M1，以避免有機EL材料12以及第二電極13在配線部10、驅動器積體電路以及軟性印刷電路板（FPC：Flexible Printed Circuits）的連接部分處進行成膜。

接著，如圖12（a）所示，在有機EL器件配置區域21形成第二無機層7的第一保護膜7a。詳言之，是藉由高低差被覆性高的方法來形成第一保護膜7a，以使其與露出之第一無機層6接觸。第一保護膜7a的成膜例如藉由以電漿CVD法形成0.3μm的氮化矽膜來進行。藉此，與端部構造體4的有機EL器件1的端面1a側鄰接而形成外側連接部14a（連接部14），並且與端部構造體4的和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接而形成內側連接部14b（連接部14）。另外，在與元件間構造體5鄰接之位置上，亦形成有連接第一無機層6和第一保護膜7a之連接部。

接著，如圖12（b）所示，在有機EL器件配置區域21形成第二無機層7的第二保護膜7b。詳言之，是藉由將聚矽氮烷溶液以分配法進行塗佈後使溶劑蒸發乾燥，並在85℃下使其硬化，從而形成第二保護膜7b。第二保護膜7b藉由進一步照射真空紫外光或照射電漿，能夠成為緻密的保護膜而更加提高針對水蒸氣之保護性能。並且，藉由在85℃下進行硬化時曝露於水蒸氣中來使聚矽氮烷膜轉化為氧化矽膜，從而產生壓縮應力，因此在第二保護膜7b中不易產生龜裂。

第一保護膜7a以及第二保護膜7b的合計膜厚例如作成約1μm。此時，第一保護膜7a以及第二保護膜7b的合計膜厚較佳為0.3～5μm，更佳為0.5～2μm。若薄於0.3μm則難以將缺陷完全被覆，若厚於5μm則膜應力容易變大而難以控制應力。藉由作成0.5～2μm的膜厚，可抑制缺陷且應力控制亦變得容易。藉由如此以不同之成膜方法形成複數個保護膜，能夠作成缺陷更少且保護性能更加優異之保護膜。

接著，在有機EL器件配置區域21形成保護樹脂8以及保護膜9。詳言之，是在第二保護膜7b上作為保護樹脂8而使用分配法來塗佈矽酮樹脂，之後，在保護樹脂8上貼附保護膜9。矽酮樹脂的厚度例如作成約100μm。保護樹脂8的膜厚較佳為大於端部構造體4以及元件間構造體5的高度以使膜面的凹凸平坦化。保護樹脂8的最大厚度沒有特別的限定，若使包含基板2之有機EL器件1的厚度成為1mm以下，則安裝於最終產品之空間較少亦可，因此為較佳。

藉由以上，如圖14以及圖15所示，製作出配置有複數個有機EL器件1之主基板20。另外，圖14中省略保護樹脂8以及保護膜9的圖示。並且，如圖16所示，藉由切斷主基板20來分離為有機EL器件1的個別切片。主基板20的切斷以適合於主基板20的材料之方法進行即可，若主基板20的材料為玻璃則使用玻璃劃刻器（glass scriber），若主基板20的材料為樹脂則使用湯姆遜刀片等刀具或雷射加工機。另外，從容易進行主基板20的切斷之觀點來看，較佳為在切斷部不形成第二保護膜7b以及保護樹脂8。切斷部為有機EL器件1的端面1a與端部構造體4之間。

並且，在分隔為個別切片之有機EL器件1上安裝驅動器積體電路以及軟性印刷電路板。藉此，完成有機EL顯示面板。

如此，在本實施型態之有機EL器件1中，有機EL材料12、第一無機層6以及第一保護膜7a延伸至有機EL器件1的端面1a，在有機EL器件1的端面1a與有機EL元件3之間，配置有向與基板2垂直的方向D延伸之端部構造體4。並且，有機EL材料12在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，藉由第一無機層6以及第一保護膜7a相互連接之連接部14加以分隔。因此，即使有水蒸氣從有機EL器件1的端面1a向有機EL材料12滲入，亦藉由與端部構造體4的有機EL器件1的端面1a側鄰接之連接部14，使該水蒸氣的滲入被遮斷。例如即使已經從有機EL器件1的端面1a滲入到有機EL材料12中之水蒸氣更滲入到端部構造體4，亦藉由端部構造體4的與和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之連接部14，使該水蒸氣的滲入被遮斷。藉此，能夠防止已經從有機EL器件1的端面1a滲入到有機EL材料12中之水蒸氣更滲入到有機EL元件3。

並且，有機EL材料12、第一無機層6以及第一保護膜7a延伸至有機EL器件1的端面1a，且有機EL材料12在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，藉由連接部14加以分隔。因此，在主基板20上配置複數個有機EL器件1時，如圖17（b）所示，即使在相鄰之有機EL器件1之間不使用跨越細框架α之高精細金屬遮罩M2，亦能夠在主基板20上縮短相鄰之有機EL器件1的間隔。藉此，能夠降低有機EL器件1的製造成本。

並且，在端部構造體4中，由於頂面4a大於底面4b，因此例如藉由在基板2上形成第一電極11、第一無機層6以及端部構造體4後，對有機EL材料12進行蒸鍍，從而能夠在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，形成了未形成有機EL材料12之區域。因此，之後藉由在基板2上形成第一保護膜7a，能夠在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，形成將第一無機層6以及第一保護膜7a相互連接之連接部14。

並且，配置於基板2與端部構造體4之間之第一無機層6和覆蓋端部構造體4之第一保護膜7a，在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置相互連接，因此端部構造體4被第一無機層6以及第一保護膜7a包圍。因此，即使在有機EL器件1的製造過程中在端部構造體4殘留有水蒸氣，亦能夠防止該水蒸氣從端部構造體4漏出而滲入到有機EL元件3。

並且，在連接部14中，由於第一無機層6與第一保護膜7a在與基板2垂直的方向D上積層，因此能夠牢固地連接第一無機層6與第一保護膜7a。

並且，由於端部構造體4在有機EL器件1的端面1a的附近沿有機EL器件1的端面1a而形成，因此能夠進一步防止已經從有機EL器件1的端面1a滲入到有機EL材料12中之水蒸氣更滲入到有機EL材料12，並且當在主基板20上配置複數個有機EL器件1時，能夠進一步縮短在主基板20上相鄰之有機EL器件1的間隔。

並且，由於有機EL元件3與由不使水蒸氣透過之材料所形成之基板2接觸，或是由於有機EL元件3與配置於基板2上且由不使水蒸氣透過之材料所形成之薄膜接觸，因此能夠防止水蒸氣從基板2側滲入到有機EL元件3。

並且，在該有機EL器件1中，藉由將第一無機層6作成前述者，能夠以低成本形成第一無機層6。

並且，藉由將覆蓋有機EL元件3且與第一無機層6連接之第一保護膜的材料作成前述者，能夠以低成本形成第一保護膜。

並且，由於第二無機層7具有第一保護膜7a和第二保護膜7b，因此能夠適當地保護有機EL器件1。

並且，由於第二保護膜7b配置於有機EL元件3上而未配置於端部構造體4與端面1a之間，因此能夠以低成本來保護有機EL器件1。並且，在形成第二保護膜7b時，由於形成第二保護膜7b之材料被端部構造體4攔阻，因此能夠容易將第二保護膜7b形成較厚。

並且，由於端部構造體4的錐體角度θ1大於被蒸鍍之有機EL材料12的入射角度θ2，因此藉由蒸鍍有機EL材料12，能夠在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，適當地形成了未形成有機EL材料12之區域。因此，藉由之後在基板2上形成第一保護膜7a，能夠在端部構造體4的與有機EL器件1的端面1a側以及和有機EL器件1的端面1a相反的一側鄰接之位置，形成將第一無機層6以及第一保護膜7a相互連接之連接部14。

另外，在有機EL器件1的端面1a附近（切斷部）配置之端部構造體4的數量並沒有特別的限定，亦可以為複數個。例如如圖18所示之有機EL器件1A，能夠將端部構造體4設為3個。藉由在有機EL器件1的端面1a與有機EL元件3之間配置複數個端部構造體4，水蒸氣滲入路徑在與各端部構造體4鄰接之連接部14中被遮斷。另外，將配置有複數個有機EL器件1之主基板20分隔為有機EL器件1的個別切片時，在有機EL器件1的端部有可能發生龜裂等水蒸氣滲入路徑。然而，由於藉由複數個端部構造體4來阻止龜裂的進行，因此可抑制水蒸氣滲入路徑的發生以及進行，並且使損傷難以到達至有機EL元件3側的端部構造體4。因此，能夠高度保持有機EL元件3的密封狀態。

（第二實施型態）
第二實施型態是將本發明之有機EL器件應用於在對光感應媒體進行曝光之長條狀的光列印頭中使用之有機EL器件者。該光列印頭是列印機以及複印機用感光鼓輪的曝光用光源，且是具備主動驅動方式的有機EL器件者。作為該光列印頭的外形，例如能夠設為寬6mm、長320mm的矩形形狀。

如圖19所示，本實施型態的有機EL器件31形成為矩形形狀。如圖20所示，有機EL器件31具備：底板基板32、有機EL元件33、端部構造體34、第一無機層36以及第二無機層37。

底板基板32是設置了有機EL元件33等之元件基板。底板基板32具備：基板32a；電路32b，其配置於基板32a上且由薄膜電晶體構成；以及，平坦化膜32c，其配置於電路32b上。基板32a是與第一實施型態的基板2對應者。作為構成電路32b之薄膜電晶體，例如能夠使用低溫多晶矽薄膜電晶體（以下稱作“LTPS-TFT”。）。由LTPS-TFT構成之電路32b（LTPS-TFT驅動電路）能夠以一般的製造方法來製造。在平坦化膜32c上形成有使電路32b與有機EL元件33等導通之導通孔（via hole）38。

有機EL元件33是與第一實施型態的有機EL元件3對應者，其配置於底板基板32上，經由導通孔38連接於電路32b。有機EL元件33具有從底板基板32側依序積層之第一電極41、有機EL材料42以及第二電極43。第一電極41、有機EL材料42以及第二電極43是與第一實施型態的第一電極11、有機EL材料12以及第二電極13對應者。另外，第一電極41、有機EL材料42以及第二電極43自身的構造與第一實施型態的第一電極11、有機EL材料12以及第二電極13相同，因此省略其詳細說明。

端部構造體34是與第一實施型態的端部構造體4對應者，其配置於有機EL器件31的端面31a與有機EL元件33之間，且向與底板基板32垂直的方向D延伸。端部構造體34作為將相鄰之有機EL元件33的第二電極43彼此加以分離之陰極隔板而發揮功能。端部構造體34的頂面34a大於底面34b。頂面34a是端部構造體34的和底板基板32相反的一側的面，底面34b是端部構造體34的底板基板32側的面。具體而言，端部構造體34形成為剖面T字狀。並且，端部構造體34具有：支撐部34A，配置於第一無機層36上；懸突部34B，配置於支撐部34A上，且相對於支撐部34A向有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側突出。端部構造體34例如藉由光微影法形成。

端部構造體34具備矩形環狀構造體341和直線狀構造體342，且藉由矩形環狀構造體341以及直線狀構造體342多重構成。矩形環狀構造體341是形成為沿著有機EL器件31的端面31a包圍複數個有機EL元件33之矩形環狀之端部構造體34（參閱圖19）。直線狀構造體342是配置於矩形環狀構造體341與有機EL器件31的端面31a之間，且形成為沿著有機EL器件31的長邊側的端面31a延伸之直線狀之端部構造體34（參閱圖19）。矩形環狀構造體341與直線狀構造體342僅在平面視（底面視）時的形狀不同，但其構造相同。因此，以下除了特別對矩形環狀構造體341以及直線狀構造體342進行區別說明的情況以外，將矩形環狀構造體341以及直線狀構造體342作為端部構造體34統合進行說明。端部構造體34（矩形環狀構造體341以及直線狀構造體342）例如藉由光微影法形成。

第一無機層36是與第一實施型態的第一無機層6對應者，其配置於底板基板32與端部構造體34之間，且配置於底板基板32的平坦化膜32c上。平坦化膜32c可以為單層亦可以為複數層，至少與第一電極41接觸之層較佳為水蒸氣透過率低的層。另外，第一無機層36自身的構造與第一實施型態的第一無機層6相同，因此省略其詳細說明。

第二無機層37是與第一實施型態的第二無機層7對應者，其覆蓋有機EL元件33且覆蓋矩形環狀構造體341的局部。第二無機層37可為單層構造亦可以為多層構造。在本實施型態中，第二無機層37成為第一保護膜37a以及第二保護膜37b的雙層構造。另外，第二無機層37自身的構造與第一實施型態的第二無機層7相同，因此省略其詳細說明。

第一保護膜37a是與第一實施型態的第一保護膜7a對應者，其配置於第二保護膜37b的底板基板32側，是覆蓋有機EL元件33之保護膜。另外，第一保護膜37a自身的構造與第一實施型態的第一保護膜7a相同，因此省略其詳細說明。

第二保護膜37b是與第一實施型態的第二保護膜7b對應者，其配置於第一保護膜37a上亦即第一保護膜37a的和底板基板32相反的一側，是覆蓋有機EL元件33且覆蓋矩形環狀構造體341的局部之保護膜。第二保護膜37b較佳為配置於有機EL元件33上，且不配置於矩形環狀構造體341上以及矩形環狀構造體341與有機EL器件31的端面31a之間。亦即，第二保護膜37b較佳為配置於矩形環狀構造體341的和有機EL器件31的端面31a相反的一側，且不配置於矩形環狀構造體341上以及矩形環狀構造體341的有機EL器件31的端面31a側。另外，第二保護膜37b自身的構造與第一實施型態的第二保護膜7b相同，因此省略其詳細說明。

並且，有機EL器件31在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，具有連接第一無機層36與第一保護膜37a之連接部44。亦即，連接部44設置於矩形環狀構造體341的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置、以及直線狀構造體342的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置。將與端部構造體34的有機EL器件31的端面31a側鄰接之連接部44稱作外側連接部44a，將端部構造體34的與和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之連接部44稱作內側連接部44b。在連接部44，第一無機層36與第一保護膜37a向與底板基板32垂直的方向D積層而連接。

有機EL材料42、第二電極43、第一無機層36以及第一保護膜37a延伸至有機EL器件31的端面31a。因此，有機EL器件31的端面31a的局部由有機EL材料42、第二電極43、第一無機層36以及第一保護膜37a所形成。

並且，有機EL材料42以及第二電極43在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，藉由連接部44加以分隔。亦即，有機EL材料42以及第二電極43在端部構造體34的有機EL器件31的端面31a側，藉由外側連接部44a加以分隔，在端部構造體34的和有機EL器件31的端面31a相反的一側，藉由內側連接部44b加以分隔。有機EL材料42是使水蒸氣透過之水蒸氣透過層，因此可能成為使水蒸氣滲入至有機EL元件33之水蒸氣滲入路徑。連接部44在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，將有機EL材料42進行分隔，藉此作為遮斷水蒸氣滲入路徑之水蒸氣滲入路徑遮斷部而發揮功能。

接著，對有機EL器件31的製造方法的一例進行說明。但是有機EL器件31的製造方法並非限定於以下方法者。

在有機EL器件31的製造中，如圖21以及圖22所示，藉由製作出配置有複數個有機EL器件31之主基板50之後，將主基板50分隔為有機EL器件31的個別切片來進行。另外，在主基板50中，將配置有各有機EL器件31之區域稱作有機EL器件配置區域51。並且，到製造出有機EL器件31為止，有機EL器件31的端面31a這個用語意指要成為有機EL器件31的端面31a之位置，亦即有機EL器件配置區域51的邊界面。

首先，在有機EL器件配置區域51形成底板基板32。詳言之，是在成為基板32a之無鹼性玻璃上，以LTPS-TFT構成有機EL元件33的驅動電路也就是電路32b。LTPS-TFT驅動電路能夠以一般的製造方法來製作。此時，步驟過程中以及步驟之間藉由濕式清洗以及乾式清洗等來將基板32a以及LTPS-TFT始終保持清潔的狀態，並藉由光微影法來進行加工。並且，在電路32b上形成平坦化膜32c，並且在平坦化膜32c上進行用於將電路32b連接於有機EL元件33等之導通孔38的開口。

接著，在有機EL器件配置區域51形成第一電極41。詳言之，是在底板基板32上將成為第一電極41之陽極材料的ITO以濺鍍法進行成膜，之後，藉由光微影法來形成陽極圖案。

接著，在有機EL器件配置區域51形成與第一實施型態的配線部10對應之MAM配線膜。另外，當作成能夠利用在製作LTPS-TFT時形成之配線膜之薄膜構造以及配線圖案時，不形成新的MAM配線膜，而是以能夠連接該配線膜與第二電極43之方式配置連接部即可。

接著，在有機EL器件配置區域51形成第一無機層36。詳言之，是將第一電極41（ITO）的圖案高低差以及不想要露出之MAM配線膜，以要成為第一無機層36之氧化矽來被覆。此時，作為成為第一無機層36之無機材料，與第一實施型態同樣地為不使水蒸氣透過之無機材料即可，亦可以使用以氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁為主成分之無機絕緣材料來代替氧化矽。另外，作為成為第一無機層36之無機材料，可以使用與第一電極41同樣的ITO。此時，藉由在切斷部的整個區域形成ITO，能夠保護薄膜電晶體以及有機EL元件33免受由靜電引起之放電之影響。作為成膜方法，與第一實施型態同樣地能夠使用濺鍍法或電漿CVD法。在形成氧化矽膜之後，以光微影法來進行圖案加工。氧化矽的蝕刻以使用了緩衝氫氟酸之濕式蝕刻法進行，且去除第一電極41（ITO）與有機EL材料42的連接部分、與驅動器積體電路以及軟性印刷電路板的連接部分、以及與第二電極43連接之配線上所形成之無機材料。

接著，在有機EL器件配置區域51形成端部構造體34。詳言之，是在第一無機層36上形成端部構造體34。端部構造體34作成雙重構造。並且，作為端部構造體34，形成包圍複數個有機EL元件33之矩形環狀的矩形環狀構造體341，在矩形環狀構造體341與有機EL器件31的端面31a之間，形成沿著有機EL器件31的長邊側的端面31a以直線狀延伸之直線狀構造體342。在端部構造體34的形成中，首先在第一無機層36上將成為支撐部34A之聚醯亞胺樹脂以1～2μm的厚度進行塗佈以及乾燥，之後將成為懸突部34B之光阻以2～3μm的厚度進行塗佈以及乾燥。藉此，在支撐部34A上形成配置有懸突部34B之剖面T字狀的端部構造體34。另外，根據浸漬於亦可作為聚醯亞胺樹脂的蝕刻液之顯影液中之浸漬時間，能夠調整相對於支撐部34A之懸突部34B向有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側突出之長度（以下稱作“懸突長度”。）。例如藉由調整該浸漬時間來將懸突長度作成2～3μm。另外，作為端部構造體34的形成，當能夠利用可以以單層形成為T字狀之光阻時，亦可不將端部構造體34設為雙重構造。

在此，若有機EL材料42到達至支撐部34A（聚醯亞胺樹脂層），則在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，無法形成出未形成有機EL材料42而使第一無機層36露出之區域。另一方面，懸突長度（L）相對於支撐部34A的高度（聚醯亞胺樹脂層的膜厚）（T）之比（L/T）越大，則在懸突部34B下，未形成有機EL材料42而使第一無機層36露出之區域的寬度變得越大。並且，如圖23所示，在將蒸鍍有機EL材料42時被蒸鍍之有機EL材料向懸突部34B下入射之入射角度設為θ時，滿足θ＜tan^-1 （L/T）=ψ的關係。

通常，被蒸鍍之有機EL材料的入射角度θ小於45°。因此，L/T較佳為1（=tan（45°））以上，更佳為1.5～3。若L/T小於1，則會因有機EL材料的入射角度而導致支撐部34A（聚醯亞胺樹脂層）與有機EL元件33的有機EL材料42接觸，使得第一無機層36未露出。另一方面，若L/T大於3，則容易因在製造步驟中的熱所引起之抗蝕劑的變形而導致懸突部34B垂向底板基板32側。若懸突部34B下垂而與第一無機層36接觸，則變得無法適當地形成連接部44。

一旦形成端部構造體34，則將底板基板32在120～200℃下進行加熱來進行支撐部34A（聚醯亞胺樹脂層）以及懸突部34B（光阻層）的硬化以及脫水。

接著，在有機EL器件配置區域51形成有機EL材料42。詳言之，有機EL材料42是藉由真空蒸鍍法而形成。

接著，在有機EL器件配置區域51形成第二電極43。詳言之，是將要成為第二電極43之陰極材料的鋁以電子束加熱蒸鍍法進行成膜。

另外，在有機EL材料42以及第二電極43的成膜時，覆蓋不想要附著該等之部分之金屬遮罩並不使用如圖26（a）所示那樣按照有機EL器件31的細長的每一片形成有開口之高精細金屬遮罩M3，而能夠使用如圖26（b）所示那樣打開了跨越有機EL器件31的複數個或個別切片之較大的開口之金屬遮罩M4。金屬遮罩M4非常廉價，並且因為厚實且形狀簡單而容易運作，並且由於容易清洗因此運行成本亦低。

接著，在有機EL器件配置區域51形成第二無機層37的第一保護膜37a。詳言之，是以與露出之第一無機層36接觸之方式形成第一保護膜37a。第一保護膜37a的成膜例如藉由以電漿CVD法形成氮化矽的膜來進行。藉此，與端部構造體34的有機EL器件31的端面31a側鄰接而形成外側連接部44a（連接部44），且與端部構造體34的和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接而形成內側連接部44b（連接部44）。

基於電漿CVD法之氮化矽的膜通常將矽烷（SiH₄ ）、氨（NH₃ ）或氮（N₂ ）等用作主原料氣體，但由於原料氣體包含氫原子，因此會成為含有氫原子之氮化矽的膜。氫含量過多之膜的緻密性差，因此為了提高水蒸氣遮蔽性，較佳為作為氫含量小於30at%。一般情況下氮化矽中之矽與氮的組成比（N/Si+N）更接近化學計量比者的水蒸氣遮蔽性更優異，但若遮蔽性已經十分優異，則組成比無需一定要為化學計量比或接近化學計量比之比。

第一保護膜37a的膜應力的絕對值較佳為小於1×10³ MPa，更佳為5×10² MPa以下，最佳為1×10² MPa以下。若第一保護膜37a的膜應力過高，則膜易發生亀裂或褶皺而產生缺陷，有時會喪失遮蔽水蒸氣之功能。作為膜應力，與拉伸應力（tensile）相比，壓縮應力（compressive）更不易發生亀裂，因此為更佳。調整第一保護膜37a的膜應力之方法，有基於對利用了構成元素的組成、構成原子的結合狀態、熱膨脹係數差之藉由調整成膜溫度所造成之殘留熱應力的利用、改變膜厚之方法等。但是，若水蒸氣的遮蔽性與機械強度充分，則可為任意的調整方法，亦可為該等方法中的任一個或複數個的組合。作為其他被覆性高的保護膜的成膜方法，有原子層沉積法、光CVD法、Cat-CVD法等。

第一保護膜37a的成膜使用大開口的金屬遮罩，以避免第一保護膜37a在驅動器積體電路以及軟性印刷電路板的連接部分成膜。另外，若在該連接部分預先將第一保護膜37a的剝離用材料進行成膜，則變得不需要第一保護膜37a成膜用的金屬遮罩。此時，第一保護膜37a以及剝離用材料需要在電性檢查步驟或接合驅動器積體電路以及軟性印刷電路板之前去除。此時，剝離用材料可以使用如圖26（c）所示的金屬遮罩M5來形成有機EL材料42的局部或全部。

接著，在有機EL元件33上形成第二無機層37的第二保護膜37b。詳言之，第二保護膜37b是藉由液體材料而僅在有機EL元件33的一部分上成膜。具體而言，將聚矽氮烷溶液以分配法進行塗佈後使溶劑蒸發乾燥，並在85℃下使其硬化，從而形成第二保護膜37b。藉由各種化學氣相沉積法，能夠比較容易地實現水蒸氣透過率非常小的膜質的薄膜的成膜。然而，有時會附著有0.1～1μm左右的尺寸的顆粒而成為缺陷，或引起原材料的異常成長而成為缺陷。另一方面，藉由使用了液體材料之保護膜的形成方法，不易發生該種缺陷，並且，若在以化學氣相沉積法形成之薄膜之上加以積層，則具有將該薄膜的缺陷填埋起來之效果。

接著，在第二保護膜37b上形成保護膜。作為保護膜，例如使用在125μm厚度的PET薄膜上塗佈有矽酮樹脂之膠帶。

藉由以上，如圖24以及圖25所示，製作出配置有複數個有機EL器件31之主基板50。另外，圖24以及圖25省略了保護膜的圖示。並且，藉由切斷主基板50來分隔為有機EL器件31的個別切片。主基板50的切斷能夠使用玻璃劃刻器。劃刻線可從薄膜面側（相對於底板基板32之有機EL元件33側）形成，亦可以從與薄膜面相對之面側（和相對於底板基板32之有機EL元件33相反的一側）形成，但從防止在切剖面產生之薄膜的切屑污染玻璃劃刻器的切斷刀片的觀點來看，較佳為從與薄膜面相對之面側開始劃刻線。並且，為了抑制因劃刻而產生之龜裂的進行或斷裂之薄膜的飛散，更佳為在切斷部塗佈硬化型樹脂。切斷部是在圖25中以虛線表示之部分。

並且，在分隔為個別切片的有機EL器件31上安裝驅動器積體電路以及軟性印刷電路板，以保護樹脂塗佈接合部分，並和Selfoc（註冊商標）透鏡陣列一同將位置調整設置到筐體。藉此，完成光列印頭。

如此，在本實施型態之有機EL器件31中，除了第一實施型態之有機EL器件1的效果以外，還可獲得如下效果。

在該有機EL器件31中，由於支撐部34A的高度T以及懸突部34B的突出長度L、被蒸鍍之有機EL材料的入射角度θ滿足θ＜tan^-1 （L/T）的關係，因此藉由對有機EL材料進行蒸鍍，能夠在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，適當地形成了未形成有機EL材料42之區域。因此，藉由之後在底板基板32上形成第一保護膜37a，能夠在端部構造體34的與有機EL器件31的端面31a側以及和有機EL器件31的端面31a相反的一側鄰接之位置，形成將第一無機層36以及第一保護膜37a相互連接之連接部44。

（第三實施型態）
第三實施型態基本上與第二實施型態相同，僅端部構造體與第二實施型態不同。因此，以下僅對與第二實施型態不同的項目進行說明，省略與第二實施型態相同的項目的說明。

如圖27所示，本實施型態的有機EL器件61具備：底板基板32、有機EL元件33、端部構造體64、第一無機層36以及第二無機層37。

端部構造體64是與第二實施型態的端部構造體34對應者，其具有：支撐部64A，其配置於第一無機層36上；以及，懸突部64B，配置於支撐部64A上，且相對於支撐部64A向有機EL器件61的端面61a側以及和有機EL器件61的端面61a相反的一側突出。

支撐部64A是與第二實施型態的支撐部34A對應者，由低電阻的金屬形成。作為形成支撐部64A之低電阻金屬，例如能夠作成MoNb/AlNd/MoNb（鉬·鈮合金/鋁·釹合金/鉬·鈮合金，以下稱作“MAM”。）構造的多層金屬膜。例如將支撐部64A作成1μm厚度的MAM構造的多層金屬膜時，能夠將該多層金屬膜的薄膜電阻設為約0.05Ω/□的非常小的值。另外，支撐部64A經由接觸孔與用於供給電源之引出配線連接。

懸突部64B是與第二實施型態的懸突部34B對應者，可以與支撐部64A同樣地由金屬形成。

第一無機層36由具有導電性之素材形成，例如能夠由與第一電極41同樣的ITO形成。當作為第一無機層36使用ITO時，能夠同時形成第一電極41和第一無機層36。在第一無機層36與第一電極41之間，配置有無機絕緣膜39。無機絕緣膜39配置於底板基板32與有機EL材料42之間，且配置於底板基板32的平坦化膜32c上。作為無機絕緣膜39，例如能夠使用以氧化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁為主成分之無機絕緣材料。

並且，支撐部64A與第二電極43電性連接。具體而言，第一無機層36由ITO形成，第二電極43與第一無機層36連接，第一無機層36與支撐部64A連接。因此，第二電極43與第一無機層36導通，且第一無機層36與支撐部64A導通。藉此，第二電極43成為與支撐部64A電性連接之狀態。另外，可將第二電極43直接與支撐部64A連接，藉此將第二電極43和支撐部64A電性連接。

接著，對有機EL器件61的製造方法的一例進行說明。但是有機EL器件61的製造方法並非限定於以下方法。

藉由MAM構造的多層金屬膜形成端部構造體64的支撐部64A，且藉由光阻形成端部構造體64的懸突部64B。支撐部64A以及懸突部64B藉由光微影法形成。多層金屬膜的膜厚例如作成1μm，多層金屬膜的薄膜電阻例如作成約0.05Ω/□。多層金屬膜經由接觸孔與用於供給電源之引出配線連接。

並且，藉由ITO形成第一無機層36，將第一無機層36與支撐部64A的鉬·鈮合金電性連接。並且，將形成第一無機層36之ITO還使用於有機EL元件33的第一電極41，且同時形成第一無機層36與第一電極41。並且，將該ITO還形成於引出配線與驅動器積體電路以及軟性印刷電路板的連接部分，在對支撐部64A的多層配線膜進行蝕刻時，保護該連接部分免受蝕刻液的影響。

並且，將有機EL材料42進行成膜後，以超過有機EL材料42並繞向懸突部64B下之方式對第二電極43進行成膜。藉此，在懸突部64B下，第二電極43與第一無機層36相連接，且第二電極43與第一無機層36電性連接。藉此，第二電極43經由第一無機層36與支撐部64A電性連接。作為第二電極43的成膜方法，例如能夠採用與成膜有機EL材料42的入射角度相比加大第二電極43的入射角度來進行蒸鍍之方法、濺鍍法或該等方法的併用。

另外，其他方法與第二實施型態相同，因此省略詳細說明。

在此，將第一電極41或第二電極43中的相對於有機EL材料42配置於和底板基板32相反的一側之電極稱作上部電極，且將第一電極41或第二電極43中的相對於有機EL材料42配置於底板基板32側之電極稱作下部電極。在本實施型態中，第二電極43成為上部電極，第一電極41成為下部電極。

通常上部電極無法形成較厚。上部電極與有機EL材料42的密合力較弱，若加厚上部電極來使其應力變大，則上部電極容易從有機EL材料42剝離。因此，上部電極多以0.05～0.3μm左右的膜厚來使用，且難以大幅超出該範圍而形成較厚。

另一方面，光列印頭中，以電路32b的薄膜電晶體控制影像信號，在光列印頭上併設之每個有機EL元件33中，電流源從下部電極側流向上部電極側。上部電極亦是將多數的有機EL元件33的電流集中並流向外部電路之共同電極，因此期望盡可能為低電阻。若不如此，由於會根據點亮之像素數而使得上部電極的電位變動，因此各像素的發光輝度對均勻的驅動產生影響，或者因大電流流動而發生之發熱會對元件特性產生影響而無法進行所希望的控制。然而，由於前述的剝離問題而難以形成為較厚的膜。還考慮到藉由拓寬電極寬度來降低上部電極的電阻值，但在這種情況下，可從1個主基板得到之有機EL器件的個數變少。

在本實施型態中，上部電極與作為導電體之支撐部64A電性連接，因此能夠降低上部電極的電阻值。而且，端部構造體64沿與底板基板32（基板32a）垂直的方向D較厚，因此即使為較窄的線寬，亦能夠將電阻值作成較低。而且，端部構造體64從有機EL元件33分離，因此能夠減少端部構造體64的發熱對於有機EL元件33之影響。

以上，對本發明的較佳的實施型態進行了說明，但本發明並非限定於上述實施型態者。

1‧‧‧有機電致發光器件(有機EL器件)

1A‧‧‧有機EL器件

1a‧‧‧有機EL器件的端面

2‧‧‧基板

3‧‧‧有機電致發光元件(有機EL元件)

4‧‧‧端部構造體

4a‧‧‧頂面

4b‧‧‧底面

5‧‧‧元件間構造體

6‧‧‧第一無機層

7‧‧‧第二無機層

7a‧‧‧第一保護膜

7b‧‧‧第二保護膜

8‧‧‧保護樹脂

9‧‧‧保護膜

10‧‧‧配線部

11‧‧‧第一電極

12‧‧‧有機電致發光材料(有機EL材料)

13‧‧‧第二電極

14‧‧‧連接部

14a‧‧‧外側連接部

14b‧‧‧內側連接部

15‧‧‧薄膜

20‧‧‧主基板

21‧‧‧有機EL器件配置區域

31‧‧‧有機EL器件

31a‧‧‧有機EL器件的端面

32‧‧‧底板基板

32a‧‧‧基板

32b‧‧‧電路

32c‧‧‧平坦化膜

33‧‧‧有機EL元件

34‧‧‧端部構造體

341‧‧‧矩形環狀構造體

342‧‧‧直線狀構造體

34A‧‧‧支撐部

34B‧‧‧懸突部

34a‧‧‧頂面

34b‧‧‧底面

36‧‧‧第一無機層

37‧‧‧第二無機層

37a‧‧‧第一保護膜

37b‧‧‧第二保護膜

38‧‧‧導通孔

39‧‧‧無機絕緣膜

41‧‧‧第一電極

42‧‧‧有機EL材料

43‧‧‧第二電極

44‧‧‧連接部

44a‧‧‧外側連接部

44b‧‧‧內側連接部

50‧‧‧主基板

51‧‧‧有機EL器件配置區域

61‧‧‧有機EL器件

61a‧‧‧有機EL器件的端面

64‧‧‧端部構造體

64A‧‧‧支撐部

64B‧‧‧懸突部

α‧‧‧框架

M1‧‧‧金屬遮罩

M2‧‧‧高精細金屬遮罩

M3‧‧‧高精細金屬遮罩

M4‧‧‧金屬遮罩

M5‧‧‧金屬遮罩

圖1是表示應用了第一實施型態的有機電致發光器件之被動矩陣型有機電致發光顯示面板之示意平面圖。

圖2是圖1所示之II-II線處之示意剖面圖。

圖3是圖1所示之III-III線處之示意剖面圖。

圖4是將有機電致發光元件的局部進行放大之示意剖面圖。

圖5是將端部構造體的局部進行放大之示意剖面圖。

圖6是變化例的被動矩陣型有機電致發光顯示面板的與圖1所示之II-II線對應之剖面的示意剖面圖。

圖7是變化例的被動矩陣型有機電致發光顯示面板的與圖1所示之III-III線對應之剖面的示意剖面圖。

圖8是表示主基板之示意平面圖。

圖9中，圖9（a）以及圖9（b）是表示有機電致發光器件的製造步驟之示意圖。

圖10中，圖10（a）以及圖10（b）是表示有機電致發光器件的製造步驟之示意圖。

圖11中，圖11（a）以及圖11（b）是表示有機電致發光器件的製造步驟之示意圖。

圖12中，圖12（a）以及圖12（b）是表示有機電致發光器件的製造步驟之示意圖。

圖13是說明在與端部構造體鄰接之位置形成了未形成有機電致發光材料之區域之方法之示意圖。

圖14是表示主基板之示意平面圖。

圖15是圖14所示之XV-XV線處之示意剖面圖。

圖16是表示將主基板分隔為有機電致發光器件的個別切片之狀態之示意平面圖。

圖17中，圖17（a）是表示在第一實施型態中使用之金屬遮罩之示意平面圖，圖17（b）是表示高精細金屬遮罩之示意平面圖。

圖18是表示第一實施型態的變化例的有機電致發光器件部分之示意平面圖。

圖19是表示應用了第二實施型態的有機電致發光器件之光列印頭之示意平面圖。

圖20是圖19所示之XX-XX線處之示意剖面圖。

圖21是表示主基板之示意平面圖。

圖22是圖21所示之XXII-XXII線處之示意剖面圖。

圖23是說明在與端部構造體鄰接之位置形成了未形成有機EL材料之區域之方法之示意圖。

圖24是表示有機電致發光器件的製造步驟之示意圖。

圖25是圖24所示之XXV-XXV線處之示意剖面圖。

圖26中，圖26（a）是表示高精細金屬遮罩之示意平面圖，圖26（b）是表示在第二實施型態中使用之金屬遮罩之示意平面圖，圖26（c）是表示在第三實施型態中使用之金屬遮罩之示意平面圖。

圖27是表示應用了第三實施型態的有機電致發光器件之光列印頭之示意平面圖。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims

一種有機電致發光器件，其在基板上配置了有機電致發光元件，該有機電致發光元件具有第一電極、有機電致發光材料以及第二電極，該有機電致發光器件具備：端部構造體，其配置於前述有機電致發光器件的端面與前述有機電致發光元件之間，且向與前述基板垂直的方向延伸；第一無機層，其配置於前述基板與前述端部構造體之間；第二無機層，其覆蓋前述有機電致發光元件；以及，連接部，其在前述端部構造體的與前述端面側以及和前述端面相反的一側鄰接之位置，連接前述第一無機層與前述第二無機層；其中，前述有機電致發光材料、前述第一無機層以及前述第二無機層，延伸至前述有機電致發光器件的端面；前述有機電致發光材料，在前述端部構造體的與前述端面側以及和前述端面相反的一側鄰接之位置，藉由前述連接部加以分隔。
如請求項1所述之有機電致發光器件，其中，前述第二無機層覆蓋前述端部構造體。
如請求項1或2所述之有機電致發光器件，其中，前述第二無機層具有第一保護膜、以及配置於前述第一保護膜上之第二保護膜，該第一保護膜覆蓋前述有機電致發光元件且連接於前述第一無機層。
如請求項3所述之有機電致發光器件，其中，前述第二保護膜配置於前述端部構造體的和前述端面相反的一側，而未配置於前述端部構造體的前述端面側。
如請求項1至4中任一項所述之有機電致發光器件，其中，在前述端面與前述有機電致發光元件之間，配置有複數個前述端部構造體。
如請求項1至5中任一項所述之有機電致發光器件，其中，前述端部構造體的至少一部分是導電體，前述端部構造體，與前述第一電極或前述第二電極中的相對於前述有機電致發光材料配置於和前述基板相反的一側之電極電性連接。
如請求項1至6中任一項所述之有機電致發光器件，其中，前述端部構造體形成為從頂面朝向底面逐漸變細之剖面倒錐狀，相對於與前述基板垂直的方向之前述端部構造體的錐體角度，大於蒸鍍前述有機電致發光材料時被蒸鍍之有機電致發光材料向前述頂面下入射之入射角度。
如請求項1至7中任一項所述之有機電致發光器件，其中，前述端部構造體具有：支撐部，其配置於前述第一無機層上；以及，懸突部，其配置於前述支撐部上且相對於前述支撐部向前述端面側以及和前述端面相反的一側突出；在將前述支撐部的高度設為T，將相對於前述支撐部之前述懸突部的向前述端面側以及和前述端面相反的一側突出之長度設為L，且將蒸鍍前述有機電致發光材料時被蒸鍍之有機電致發光材料向前述懸突部下入射之入射角度設為θ時，滿足θ＜tan^-1 （L/T）的關係。
一種光列印頭，是對光感應媒體進行曝光之長條狀的光列印頭，其具備：請求項1至8中任一項所述之有機電致發光器件；配置於前述基板上且由薄膜電晶體構成之電路；以及，配置於前述電路上之平坦化膜；其中，前述第一無機層配置於前述平坦化膜上，前述有機電致發光元件連接於前述電路。