JP7287084B2 - 電気光学装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents

電気光学装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いる有機ＥＬ装置等の電気光学装置が知られている。特許文献１には、有機ＥＬ素子および外部接続用端子が設けられた素子基板と、当該素子基板に対向配置された対向基板と、を有する有機ＥＬ装置が開示される。当該有機ＥＬ装置の製造では、マザー基板に多面付された複数の素子基板のそれぞれに、個別の対向基板を貼り合わせるチップマウント方式が用いられる。
特開２０１６－１４３６０５号公報
しかし、特許文献１に記載のチップマウント方式では、例えば外部接続用端子と有機ＥＬ素子との間の距離が短くなると、対向基板を外部接続用端子と干渉しないよう配置することが難しくなってしまう。また、マザー基板に配置する対向基板の数が多くなるほど、タクトタイムが長くなってしまう。以上から、従来、安定した品質の電気光学装置を効率良く製造することが難しいという課題がある。
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、画素電極、前記画素電極に電気的に接続される回路、および前記回路に電気的に接続される端子が設けられる基板に、対向基板を貼り合わせる工程と、前記対向基板にレーザー光を照射することにより、前記対向基板から、前記端子に対応する端子対応部を切り分ける工程と、前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程と、を含み、前記端子対応部を切り分ける工程において、前記レーザー光は、点状に収束され、ライン状に走査され、前記レーザー光の照射により、前記対向基板には、平面視で前記端子対応部を挟む第１面および第２面が形成されており、前記第１面および前記第２面のうちの一方または両方は、前記対向基板における前記基板とは反対側の第１板面に対して傾斜し、前記第１板面における前記第１面と前記第２面との間の第１距離は、前記対向基板における前記基板側の第２板面における前記第１面と前記第２面との間の第２距離よりも大きく、前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程において、前記対向基板の前記基板とは反対の方向に向かう力を加えることにより、前記端子対応部が取り除かれる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電気的に接続される回路、および前記回路に電気的に接続される端子が設けられる配線板に、平面視で、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記回路、および前記端子と重なる保護層を形成する工程と、前記保護層に、対向基板を貼り合わせる工程と、前記対向基板にレーザー光を照射することにより、前記対向基板から、前記端子に対応する端子対応部を切り分ける工程と、前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程と、前記平面視で、前記保護層の前記端子と重なる部分を除去する工程と、を備え、前記端子対応部を切り分ける工程において、前記レーザー光は、点状に収束され、ライン状に走査され、前記レーザー光の照射により、前記対向基板には、前記平面視で前記端子対応部を挟む第１面および第２面が形成されており、前記第１面および前記第２面のうちの一方または両方は、前記対向基板における前記保護層とは反対側の第１板面に対して傾斜し、前記第１板面における前記第１面と前記第２面との間の第１距離は、前記対向基板における前記保護層側の第２板面における前記第１面と前記第２面との間の第２距離よりも大きく、前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程において、前記対向基板の前記基板とは反対の方向に向かう力を加えることにより、前記端子対応部が取り除かれる。
第１実施形態における電気光学装置を示す斜視図である。 第１実施形態における表示パネルが有する基板を示す概略平面図である。 第１実施形態における表示パネルの電気的な構成を示すブロック図である。 第１実施形態におけるサブ画素の等価回路図である。 第１実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第１実施形態における表示パネルの部分断面図である。 第１実施形態における表示パネルの平面図である。 第１実施形態における電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態における基板用意工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における基板用意工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における基板用意工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における基板用意工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における貼り合わせ工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における貼り合わせ工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における切断工程を説明するための拡大平面図である。 第１実施形態における切断工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における切断工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における端子対応部除去工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における端子対応部除去工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における保護層除去工程を説明するための拡大断面図である。 第１実施形態における個片化工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における個片化工程を説明するための拡大断面図である。 第２実施形態における電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。 第２実施形態における貼り合わせ工程を説明するための拡大断面図である。 第２実施形態における切断工程を説明するための拡大断面図である。 第３実施形態における電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。 第３実施形態における貼り合わせ工程を説明するための拡大断面図である。 第３実施形態における切断工程を説明するための拡大断面図である。 本発明の電子機器の一例である虚像表示装置の一部を模式的に示す平面図である。 本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
１．電気光学装置１００および電気光学装置１００の製造方法
１Ａ．第１実施形態
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００を示す斜視図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１に示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を適宜用いて説明する。後述の表示パネル１が有する対向基板７０の第１板面７０１は、ｘ－ｙ平面に平行であり、対向基板７０と基板１０とが重なる方向が－ｚ方向である。また、「平面視」とは、－ｚ方向から見ることをいう。基板１０の厚さ方向は、－ｚ方向に平行な方向である。また後述の配線板１２の厚さ方向も－ｚ方向に平行な方向である。また、以下の説明において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
１Ａ－１．有機ＥＬ装置の全体構成
図１に示す電気光学装置１００は、「有機エレクトロルミネッセンス装置」の一例であって、フルカラーの画像を表示する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置である。電気光学装置１００は、開口９１を有するケース９０と、ケース９０内に設けられる表示パネル１と、表示パネル１に電気的に接続されるＦＰＣ（Flexible printed circuits）基板９５とを有する。表示パネル１は、基板１０と、基板１０を保護する透光性の対向基板７０と、を有する。対向基板７０は、基板１０の＋ｚ軸側に位置し、その一部は開口９１から露出している。
図示はしないが、ＦＰＣ基板９５は、外部に設けられる上位回路に接続される。表示パネル１は、図示しない電源回路に接続される。なお、電気光学装置１００は、ケース９０およびＦＰＣ基板９５が省略された構成であってもよい。その場合、表示パネル１が電気光学装置１００に相当する。
図２は、第１実施形態における表示パネル１が有する基板１０を示す概略平面図である。図２に示すように、基板１０は、平面視形状が四角形である回路領域Ａ１０と、平面視で回路領域Ａ１０よりも＋ｙ軸側に位置する端子領域Ａ２０と、を有する。回路領域Ａ１０には、複数のサブ画素Ｐ０、走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２が設けられる。一方、端子領域Ａ２０には、複数の端子３７を含む端子群３７０が設けられる。また、回路領域Ａ１０のうち複数のサブ画素Ｐ０が配置される領域は、画像を表示する表示領域Ａ１１を構成する。
複数のサブ画素Ｐ０は、Ｍ行Ｎ列の行列状で設けられる。具体的には、表示パネル１には、青色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＢと、緑色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＧと、赤色の波長域に対応する複数のサブ画素ＰＲとが設けられる。１つのサブ画素ＰＢ、１つのサブ画素ＰＧおよび１つのサブ画素ＰＲにより、１つの画素Ｐが構成される。なお、本明細書において、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲを区別しない場合には、サブ画素Ｐ０と表記する。また、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲは、ｙ方向に沿って同色が並び、かつｘ方向に沿って赤色、緑色および青色の順に繰り返して並ぶ。なお、サブ画素ＰＢ、サブ画素ＰＧおよびサブ画素ＰＲの配置は、図示の例に限定されず、例えばいわゆるデルタ方式等であってもよい。
走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２は、回路３００の一部を構成する。回路３００は、走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２と、各サブ画素Ｐ０に含まれる後述の画素回路３０と、を含む。また、複数の端子３７は、＋ｘ方向に沿って並んで配置される。各端子３７は、ＦＰＣ基板９５に電気的に接続される。また、各端子３７は、図示しない配線を介して回路３００に電気的に接続される。
１Ａ－２．表示パネル１の電気的な構成
図３は、第１実施形態における表示パネル１の電気的な構成を示すブロック図である。図３に示すように、基板１０は、＋ｘ方向に沿って延在するＭ本の走査線１３と、走査線１３と交差し、＋ｙ方向に沿って延在するＮ本のデータ線１４とを有する。なお、Ｍ、Ｎは、自然数である。また、Ｍ本の走査線１３とＮ本のデータ線１４との各交差に対応して複数のサブ画素Ｐ０が構成される。回路３００には、走査線１３およびデータ線１４等の各種配線も含む。
制御回路３５は、画像の表示を制御する。なお、制御回路３５は、例えばＦＰＣ基板９５に設けられるが、例えば表示パネル１に配置されてもよい。制御回路３５には、図示しない上位回路からデジタルの画像データＶideoが同期信号Ｓに同期して供給される。制御回路３５は、同期信号Ｓに基づいて制御信号Ｃtrを生成し、これを走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２に対して供給する。また、制御回路３５は、画像データＶideoに基づいてアナログの画像信号Ｖidを生成し、これをデータ線駆動回路３６２に対して供給する。なお、前述の画像データＶideoとは、サブ画素Ｐ０の階調レベルを例えば８ビットで規定するデータである。同期信号Ｓとは、垂直同期信号、水平同期信号、およびドットクロック信号を含む信号である。
走査線駆動回路３６１は、Ｍ本の走査線１３に接続される。走査線駆動回路３６１は、制御信号Ｃtrに基づいて１フレーム期間内にＭ本の走査線１３を１本毎に順次選択するための走査信号を生成し、Ｍ本の走査線１３に対して出力する。また、データ線駆動回路３６２は、Ｎ本のデータ線１４に接続される。データ線駆動回路３６２は、表示すべき階調に応じたデータ信号を画像信号Ｖidおよび制御信号Ｃtrに基づいて生成し、Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。
なお、走査線駆動回路３６１とデータ線駆動回路３６２とは、１つの駆動回路として一体化されてもよい。また、制御回路３５、走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２は、それぞれ、複数に分割されてもよい。
図４は、第１実施形態におけるサブ画素Ｐ０の等価回路図である。図４に示すように、サブ画素Ｐ０は、有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０の駆動を制御する画素回路３０とを含む。
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子２０は、画素電極２３と、有機層２４と、共通電極２５とを備える。画素電極２３は、陽極として機能し、有機層２４に正孔を供給する。共通電極２５は、陰極として機能し、有機層２４に電子を供給する。かかる有機ＥＬ素子２０では、画素電極２３から供給される正孔と、共通電極２５から供給される電子とが有機層２４で再結合し、有機層２４が白色光を発生させる。なお、共通電極２５には、給電線１６が電気的に接続される。給電線１６には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Ｖctが供給される。
画素回路３０は、スイッチング用トランジスター３１と、駆動用トランジスター３２と、保持容量３３とを有する。スイッチング用トランジスター３１のゲートは、走査線１３に電気的に接続される。また、スイッチング用トランジスター３１のソースまたはドレインの一方が、データ線１４に電気的に接続され、他方が、駆動用トランジスター３２のゲートに電気的に接続される。また、駆動用トランジスター３２のソースまたはドレインの一方が、給電線１５に電気的に接続され、他方が、画素電極２３に電気的に接続されている。なお、給電線１５には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Ｖelが供給される。また、保持容量３３の一方の電極は、駆動用トランジスター３２のゲートに接続され、他方の電極は、給電線１５に接続される。
走査線駆動回路３６１が走査信号をアクティブにすることで走査線１３が選択されると、選択されるサブ画素Ｐ０に設けられるスイッチング用トランジスター３１がオンする。すると、データ線１４からデータ信号が、選択される走査線１３に対応する駆動用トランジスター３２に供給される。駆動用トランジスター３２は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を有機ＥＬ素子２０に対して供給する。そして、有機ＥＬ素子２０は、駆動用トランジスター３２から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。また、走査線駆動回路３６１が走査線１３の選択を解除してスイッチング用トランジスター３１がオフした場合、駆動用トランジスター３２のゲートの電位は、保持容量３３により保持される。そのため、有機ＥＬ素子２０は、スイッチング用トランジスター３１がオフした後も発光が可能である。
なお、前述の画素回路３０の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、画素回路３０は、画素電極２３と駆動用トランジスター３２との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。
１Ａ－３．表示パネル１の構成
図５は、第１実施形態における表示パネル１の部分断面図であって、図２中の表示パネル１のＡ－Ａ線断面図である。図５に示すように、表示パネル１は、基板１０と、対向基板７０と、基板１０と対向基板７０とを接合させる接着層８０と、を有する。基板１０は、配線板１２、反射層２１０、共振調整層２２、素子部２と、保護層４と、カラーフィルター６とを有する。素子部２は、複数の有機ＥＬ素子２０を有する。かかる表示パネル１は、有機ＥＬ素子２０で発生する光が対向基板７０を透過して出射されるトップエミッション型である。反射層２１０は、複数の反射部２１を有する。また、本実施形態では、反射部２１と共通電極２５との間で所定の波長域の光を共振させる光共振器が構成される。
配線板１２は、基体１２１と、基体１２１上に配置される配線層１２０とを有する。基体１２１は、例えばシリコン、ガラス、樹脂またはセラミック等で構成される。なお、表示パネル１はトップエミッション型であるため、基体１２１は透光性を有していてもいなくてもよい。
配線層１２０は、回路３００と、複数の絶縁膜１２２、１２３および１２４とを有する。なお、図５では回路３００を構成する全ての各種配線等は図示されていない。
絶縁膜１２２は、基体１２１上に配置される。絶縁膜１２２上には、駆動用トランジスター３２が有する半導体層３２０が配置される。半導体層３２０は、チャネル３２ｃ、ドレイン３２ｄおよびソース３２ｓを有する。なお、基体１２１がシリコンである場合、基体１２１にイオンを注入して半導体層３２０を形成してもよい。また、絶縁膜１２２上には、半導体層３２０を覆って絶縁膜１２３が配置される。絶縁膜１２３上には、駆動用トランジスター３２のゲート電極３２ｇが配置される。ゲート電極３２ｇは、平面視でチャネル３２ｃと重なる。絶縁膜１２３上には、ゲート電極３２ｇを覆って絶縁膜１２４が配置される。絶縁膜１２４上には、中継電極３２１および３２２が配置される。中継電極３２１は、絶縁膜１２３を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２１１を介してドレイン３２ｄと電気的に接続される。一方、中継電極３２２は、絶縁膜１２３を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２２１を介してソース３２ｓと電気的に接続される。なお、中継電極３２２は、図５では図示はしないが、給電線１５に接続される。
絶縁膜１２２、１２３および１２４の各構成材料としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料が挙げられる。また、回路３００を構成する各種配線等の構成材料は、例えば、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等が挙げられる。
絶縁膜１２４上には、複数の反射部２１を有する反射層２１０が配置される。反射部２１は、光反射性を有しており、有機層２４から発生する光を有機層２４側に反射させる。反射部２１は、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む層とＡｌ－Ｃｕ系合金を含む層とがこの順で絶縁膜１２４上に積層された積層体である。また、１つのサブ画素Ｐ０に、１つの反射部２１が設けられる。複数の反射部２１は、平面視で行列状に配置される。
絶縁膜１２４上には、反射層２１０を覆って共振調整層２２が配置される。共振調整層２２は、反射部２１と共通電極２５との間の光学的な距離である光学距離Ｌ０を調整する層である。図示では、共振調整層２２の厚さは、サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲで等しいが、実際には、発光色ごとに異なる。サブ画素ＰＢ、ＰＧおよびＰＲごとに光学距離Ｌ０を異ならせることにより、特定の共振波長の光が取り出される。サブ画素ＰＢにおける光学距離Ｌ０は、青色の波長域の光に対応して設定される。サブ画素ＰＧにおける光学距離Ｌ０は、緑色の波長域の光に対応して設定される。サブ画素ＰＲにおける光学距離Ｌ０は、赤色の波長域の光に対応して設定される。なお、共振調整層２２の厚さに代えて画素電極２３の厚さを調整することで光学距離Ｌ０が調整されてもよい。また、共振調整層２２の厚さおよび画素電極２３の厚さの両方を調整することで、光学距離Ｌ０が調整されてもよい。
共振調整層２２の構成材料としては、透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料が挙げられ、具体的には例えば、酸化ケイ素および窒化ケイ素等が挙げられる。
共振調整層２２上には、複数の画素電極２３と、平面視で各画素電極２３を囲む隔壁２６とが配置される。画素電極２３は、サブ画素Ｐ０ごとに設けられる。画素電極２３は、共振調整層２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２１２を介して中継電極３２１と電気的に接続される。また、画素電極２３同士は、隔壁２６によって絶縁される。隔壁２６は、例えば平面視で格子状をなす。また、前述の画素回路３０は、光による誤作動を防止するため、平面視で隔壁２６と重なる。
画素電極２３の構成材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）およびＩＺＯ（Indium Xinc Oxide）等の透明な導電材料である。また、隔壁２６の構成材料は、絶縁性材料であり、具体的には例えばアクリル系の感光性樹脂または酸化シリコン等の無機材料である。例えば、隔壁２６は、光遮光性を有する樹脂材料で構成される。
画素電極２３上には、有機層２４が配置される。有機層２４は、少なくとも、電流の供給により発光する発光材料を含む発光層２４０を有する。本実施形態では、発光層２４０は、青色発光材料を含む層と、緑色発光材料を含む層と、赤色発光材料を含む層とが積層された構成である。青色発光材料を含む層からは青色の光が発生し、緑色発光材料を含む層からは緑色の光が発生し、赤色発光材料を含む層からは赤色の光が発生する。したがって、発光層２４０からは白色光が発生すると言ってもよい。また、本実施形態では、有機層２４は、発光層２４０以外に、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）および電子輸送層と（ＥＴＬ）を有する。有機層２４では、正孔注入層から注入される正孔と電子輸送層から輸送される電子とが発光層２４０で再結合する。なお、有機層２４の構成は任意であり、有機層２４は前述のいずれかの層を省略してもよいし、さらに任意の層を追加してもよい。
有機層２４上には、共通電極２５が配置される。共通電極２５は、透光性と光反射性とを有する。共通電極２５は、複数のサブ画素Ｐ０に亘って連続して形成される。共通電極２５は、例えば、マグネシウムおよび銀、またはこれらの材料を主成分とする合金等で構成される。
前述のように、本実施形態では、有機層２４で発生する光のうち所定の波長域の光は、反射部２１と共通電極２５との間で共振する。所定の波長域の光のスペクトルのピーク波長をλ０とすると、次のような関係式［１］が成り立つ。Φ（ラジアン）は、反射部２１と共通電極２５との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
｛（２×Ｌ０）／λ０＋Φ｝／（２π）＝ｍ０（ｍ０は整数）・・・・・［１］
取り出したい波長域の光のピーク波長がλ０となるよう光学距離Ｌ０を設定する。そして、光学距離Ｌ０に応じて共振調整層２２および画素電極２３の各厚さを設定することで、取り出したい所定の波長域の光が共振されて増強される。取り出したい波長域の光に応じて光学距離Ｌ０を調整することで、所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化および当該光のスペクトルの狭幅化を図ることができる。
保護層４は、共通電極２５上に配置され、有機ＥＬ素子２０などを保護する。保護層４は、素子部２を封止し、有機層２４を大気中の水分または酸素等から保護してもよい。つまり、保護層４は、ガスバリア性を有する。そのため、保護層４を備えていない場合に比べ、表示パネル１の信頼性を高めることができる。
保護層４は、透光性を有する。保護層４は、共通電極２５上に配置される第１層４１と、第１層４１上に配置される第２層４２と、第２層上に配置される第３層４３とを有する。第１層４１および第３層４３の構成材料としては、それぞれ、例えば、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素等の窒素を含むケイ素系の無機材料が挙げられる。第１層４１が窒素を含むケイ素系の無機材料を主体とすることで、酸化ケイ素を主体とする場合に比べ、第１層４１におけるガスバリア性を高くすることができる。なお、第３層４３についても同様である。
第２層４２の構成材料としては、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素および酸化アルミニウム等の無機材料が挙げられる。かかる第２層４２を有することで、製造時において第１層４１にピンホール等の欠陥が生じても、その欠陥を補完できる。そのため、第１層４１に発生し得るピンホール等の欠陥をパスとして大気中の水分等が有機層２４に伝達されることを特に効果的に抑制できる。そのため、第２層４２を備えることで、これを備えていない場合に比べ、保護層４による素子部２の封止性を高めることができる。
第１層４１の厚さは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第２層４２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。３層４３の厚さＤ３は、特に限定されないが、例えば、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
なお、第１層４１、第２層４２および第３層４３には、各層の機能を低下させない程度に、前述の構成材料以外の他の材料が含まれてもよい。また、保護層４は、第１層４１、第２層４２および第３層４３を備える構成に限定されず、これら以外の層をさらに備えてもよい。また、第１層４１、第２層４２および第３層４３のいずれか２以上は、省略されてもよい。
保護層４上には、カラーフィルター６が配置される。カラーフィルター６は、所定の波長域の光に対応しており、所定の波長域の光を選択的に透過させる。カラーフィルター６は、サブ画素ＰＢに対応した着色層６１Ｂ、サブ画素ＰＧに対応した着色層６１Ｇ、およびサブ画素ＰＲに対応した着色層６１Ｒ、を有する。着色層６１Ｂ、着色層６１Ｇおよび着色層６１Ｒは、ｘ－ｙ平面に沿って並ぶ。
カラーフィルター６は、各色の色材を含む樹脂材料で構成される。具体的には例えば、色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料で構成される。なお、表示パネル１は、カラーフィルター６を省略した構成でもよい。ただし、表示パネル１は、カラーフィルター６を備えることで、カラーフィルター６を備えていない場合に比べ、表示パネル１から出射される光の色純度を高めることができる。また、カラーフィルター６が有する各層の厚さは、特に限定されないが、例えば、１．０μｍ以上２．０μｍ以下である。
なお、カラーフィルター６は、平面視で各色同士の間に位置し、かつ平面視で隔壁２６と重なる、いわゆるブラックマトリックスを有してもよい。
カラーフィルター６上には、透光性を有する接着層８０が配置される。接着層８０の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂およびアクリル樹脂等の透明な樹脂材料が挙げられる。特に、感光性樹脂を用いることで、熱硬化性樹脂を用いる場合に比べ、接着層８０の製造時間を短縮することができる。また、有機ＥＬ素子２０の熱によるダメージを低減することができる。なお、接着層８０は、基板１０に対向基板７０を接着でき、かつ透光性を有していれば如何なる材料で構成されてもよい。また、接着層８０の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下である。
カラーフィルター６上には、接着層８０を介して対向基板７０が配置される。対向基板７０は、有機ＥＬ素子２０を保護するカバーである。対向基板７０は、透光性を有しており、例えばガラス基板または石英基板で構成される。また、対向基板７０の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。
図６は、第１実施形態における表示パネル１の部分断面図であって、図２中の表示パネル１のＢ－Ｂ線断面図である。図６を参照して、表示パネル１の端子３７およびその周辺の構造について説明する。
図６に示すように、共振調整層２２上には、端子３７が配置される。端子３７は、共振調整層２２を貫通するコンタクトホール内に配置された貫通電極３２３１を介して中継電極３２３と電気的に接続される。中継電極３２３は、詳細な図示はしないが、配線層１２０に設けられた回路３００と端子３７とを電気的に接続するための配線に接続される。また、端子３７が露出するよう、保護層４、カラーフィルター６、接着層８０および対向基板７０は、端子領域Ａ２０には配置されておらず、回路領域Ａ１０に配置される。
カラーフィルター６は、着色層６１Ｇ、着色層６１Ｂおよび着色層６１Ｒが保護層４側からこの順に積層される積層体を含む。当該積層体は、平面視で端子領域Ａ２０と表示領域Ａ１１との間に配置される。当該積層体は、反射光を防止し、迷光の影響を防ぐために設けられる。
また、前述の対向基板７０は、平板状の部材である。対向基板７０の外表面は、基板１０とは反対側に位置する第１板面７０１と、基板１０側に位置する第２板面７０２と、第１板面７０１と第２板面７０２とを接続する側面７０３と、を有する。
図７は、第１実施形態における表示パネル１の平面図である。図７に示すように、対向基板７０の平面視形状は四角形である。対向基板７０の側面７０３は、「傾斜面」としての第１傾斜面７３１と、第２傾斜面７３２と、第３傾斜面７３３と、第４傾斜面７３４とを有する。第１傾斜面７３１および第２傾斜面７３２は、＋ｘ方向に沿い、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４は、＋ｙ方向に沿う。また、第１傾斜面７３１は、第３傾斜面７３３の一端と第４傾斜面７３４の一端とを接続する。第２傾斜面７３２は、第３傾斜面７３３の他端と第４傾斜面７３４の他端とを接続する。
第１傾斜面７３１、第２傾斜面７３２、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４の中で、第１傾斜面７３１は、最も端子群３７０に近い位置にある「傾斜面」に相当する。第１傾斜面７３１、第２傾斜面７３２、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４は、それぞれ、第１板面７０１に対して傾斜する。これらは、第１板面７０１が第２板面７０２よりも小さくなる方向に傾斜する。本実施形態では、図６に示すように、第１傾斜面７３１と第１板面７０１とのなす角度θ１は、第１傾斜面７３１と第２板面７０２とのなす角度θ２よりも大きい。第２傾斜面７３２、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４についての角度θ１と角度θ２との関係も同様である。
以上説明したように、電気光学装置１００は、基板１０と、対向基板７０と、保護層４とを備える。基板１０は、配線板１２および保護層４を備える。配線板１２には、複数の有機ＥＬ素子２０、および複数の有機ＥＬ素子２０に電気的に接続される回路３００、および回路３００に電気的に接続される端子３７が設けられる。保護層４は、複数の有機ＥＬ素子２０と対向基板７０との間に配置される。また、対向基板７０は、平面視での形状が四角形であり、平面視で複数の有機ＥＬ素子２０および回路３００と重なって配置される。また、端子３７は、平面視で対向基板７０の外側に位置する。つまり、平面視で、端子３７は、対向基板７０と重なっていない。
対向基板７０が平面視で端子３７と重なっていないことで、端子３７とＦＰＣ基板９５との電気的な接続を好適に行うことができるので、接続信頼性の高い電気光学装置１００を提供できる。
また、前述のように、対向基板７０は、対向基板７０における保護層４とは反対側の第１板面７０１と、対向基板７０における保護層４側の第２板面７０２と、第１板面７０１および第２板面７０２とを接続する側面７０３と、を含む。側面７０３は、４つの「面」を含む。具体的には、側面７０３は、第１傾斜面７３１と、第２傾斜面７３２と、第３傾斜面７３３と、第４傾斜面７３４とを含む。そして、第１傾斜面７３１は、第１板面７０１の面積が第２板面７０２の面積よりも小さくなる方向で第１板面７０１に対して傾斜する「傾斜面」に相当する。第１傾斜面７３１を有することで、第１傾斜面７３１が傾斜しておらずに第１板面７０１に対して直交している場合に比べ、後で説明する電気光学装置１００の製造方法で、端子３７を露出させることが容易となる。なお、製造方法については、後で詳述する。
また、本実施形態では、第２傾斜面７３２、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４も、第１傾斜面７３１と同様に傾斜しているため、後で説明する電気光学装置１００の製造方法における保護層除去工程Ｓ１５を効率良くかつ高精細に行うことができる。なお、第２傾斜面７３２、第３傾斜面７３３および第４傾斜面７３４の各傾斜方向または傾斜角度は、第１傾斜面７３１のそれと異なっていてもよい。
１Ａ－４．電気光学装置１００の製造方法
次に、電気光学装置１００が有する電気光学装置の製造方法について説明する。図８は、第１実施形態における表示パネル１の製造方法を示すフローチャートである。図８に示すように、表示パネル１の製造方法は、基板用意工程Ｓ１１、貼り合わせ工程Ｓ１２、切断工程Ｓ１３、端子対応部除去工程Ｓ１４、保護層除去工程Ｓ１５、および個片化工程Ｓ１６を有する。これら各工程を順に行うことにより複数の表示パネル１が製造される。また、得られる表示パネル１をケース９０に収容することで本実施形態における電気光学装置１００が得られる。
１Ａ－４ａ．基板用意工程Ｓ１１
図９は、第１実施形態における基板用意工程Ｓ１１を説明するための平面図である。まず、図９に示す基板１０ａが用意される。基板１０ａは、個片化工程Ｓ１６を経て、最終的に複数の基板１０となるマザー基板である。基板１０ａは、複数のパターン部１０ｐを有する。１つのパターン部１０ｐは、最終的に１つの基板１０となる。＋ｘ方向に沿って並ぶ複数のパターン部１０ｐは、複数の端子群３７０が一列に並ぶように、配列される。また、複数のパターン部１０ｐは、＋ｘ方向に沿って、互いに離間して配置されている。
図１０、図１１および図１２は、それぞれ第１実施形態における基板用意工程Ｓ１１を説明するための拡大断面図である。例えば、以下のような形成方法により、基板１０ａは用意される。まず、図１０に示すように、配線板１２ａと、複数の反射層２１０と、共振調整層２２ａと、複数の素子部２および複数の端子群３７０とが順に形成される。次いで、図１１に示ように、複数の端子群３７０を平面視で覆う保護層４ａが形成される。次いで、図１２に示すように、複数のカラーフィルター６が形成される。その結果、基板１０ａが用意される。基板１０ａは、配線板１２ａと、複数の反射層２１０と、共振調整層２２ａと、複数の素子部２および複数の端子群３７０と、保護層４ａと、複数のカラーフィルター６とを有する。なお、素子部２と、反射層２１０と、端子群３７０と、カラーフィルター６とは、パターン部１０ｐごとに設けられる。配線板１２ａ、共振調整層２２ａ、保護層４ａは、複数のパターン部１０ｐで共通である。なお、最終的に、配線板１２ａは、複数の配線板１２となる。共振調整層２２ａは、複数の共振調整層２２となる。保護層４ａは、複数の保護層４となる。また、配線板１２ａが有する回路３００は、図１３に示すようにパターン部１０ｐごとに設けられる。
具体的には、まず、図１０に示すように、例えばシリコン板等で構成される基体１２１ａ上に配線層１２０ａが形成される。配線層１２０ａは、絶縁膜１２２ａ、絶縁膜１２３ａおよび絶縁膜１２４ａを有する。絶縁膜１２２ａ、絶縁膜１２３ａおよび絶縁膜１２４ａは、複数のパターン部１０ｐにわたって共通に形成される。また、配線層１２０ａには、パターン部１０ｐごとに、駆動用トランジスター３２等を含む画素回路３０が形成される。また、絶縁膜１２３ａ上には、パターン部１０ｐごとに反射層２１０が形成される。また、絶縁膜１２４ａ上には、共振調整層２２ａが形成される。また、共振調整層２２ａ上には、パターン部１０ｐごとに素子部２および端子群３７０が形成される。素子部２は、複数の画素電極２３、有機層２４および共通電極２５を含む。
配線板１２ａ、複数の反射層２１０、共振調整層２２ａ、および複数の素子部２は、それぞれ、公知の成膜技術、穴埋め技術、平坦化技術等を用いて形成することができる。
図１１に示す保護層４ａは例えば以下のようにして形成される。まず、プラズマを用いたＣＶＤ法により複数の共通電極２５上にわたってシリコン窒化膜で構成される第１層４１ａが形成される。次いで、Ｏ２プラズマを用いたＡＬＤ法により第１層４１ａ上にシリコン酸化膜で構成される第２層４２ａが形成される。次いで、プラズマを用いたＣＶＤ法により第２層４２ａ上にシリコン窒化膜で構成される第３層４３ａが形成される。このようにして、第１層４１ａ、第２層４２ａおよび第３層４３ａを有する保護層４ａを用意することができる。なお、保護層４ａの各層を形成する方法は、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等であってもよい。また、保護層４ａの構成材料は、上記の材料に限定されないが、ガスバリア性および透光性を高めるために、透光性を有する無機材料であることが好ましい。
図１２に示す複数のカラーフィルター６は例えば以下のようにして形成される。まず、保護層４ａ上に、複数の着色層６１Ｇが形成され、その後、複数の着色層６１Ｂが形成され、その後、複数の着色層６１Ｒが形成される。具体的には、例えば、保護層４ａ上に緑色の色材を含む感光性樹脂をスピンコート法で塗布して乾燥させることにより、緑色の樹脂層が形成される。その後、緑色の樹脂層のうち複数の着色層６１Ｇを形成する部分が露光され、アルカリ現像液等により当該樹脂層の未露光の部分が除去される。その後、緑色の樹脂層を硬化させることにより、複数の着色層６１Ｇが形成される。なお、複数の着色層６１Ｂおよび複数の着色層６１Ｒは、複数の着色層６１Ｇの形成と同様の方法により形成される。
１Ａ－４ｂ．貼り合わせ工程Ｓ１２
図１３は、第１実施形態における貼り合わせ工程Ｓ１２を説明するための平面図である。貼り合わせ工程Ｓ１２では、図１３に示すように、基板１０ａに、例えば、その平面積と同等の平面積を有する対向基板７０ａが貼り合わせられる。それゆえ、対向基板７０ａは、平面視で、複数のパターン部１０ｐと重なる。そして、個々のパターン部１０ｐは、素子部２と、回路３００と、カラーフィルター６と、端子群３７０を有する。よって、対向基板７０ａにより、複数の素子部２と、複数の回路３００と、複数のカラーフィルター６と、複数の端子３７とが覆われる。ここで、－ｚ方向から見た平面視で、対向基板７０ａは複数のパターン部１０ｐと重なり、複数の素子部２、複数の画素回路３０、複数のカラーフィルター６、複数の端子群３７０と重なるように配置される。また、平面視で、対向基板７０ａは有機ＥＬ素子２０と重なるように配置され、画素電極２３とも重なるように配置される。平面視で、対向基板７０ａは走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２と重なるように配置されてもよい。
図１４は、第１実施形態における貼り合わせ工程Ｓ１２を説明するための拡大断面図である。具体的には、図１４に示すように、貼り合わせ工程Ｓ１２では、複数の接着層８０により対向基板７０ａが基板１０ａに貼り合わせられる。対向基板７０ａの外表面は、基板１０ａとは反対側に位置する第１板面７０１ａと、基板１０ａ側に位置する第２板面７０２ａとを有する。第２板面７０２ａが複数の接着層８０により基板１０ａに接合される。接着層８０は、複数のパターン部１０ｐのそれぞれに対して設けられる。例えば、複数のカラーフィルター６のそれぞれに対して透明な感光性の樹脂材料を塗布して、塗布された樹脂材料上に対向基板７０ａが配置され、押圧される。対向基板７０ａはガラス基板等で構成される。この際、押圧された樹脂材料によって端子３７が覆われないよう、樹脂材料の量または加圧の程度を調整することが好ましい。よって、接着層８０は端子３７を覆わないように設けられる。次いで、対向基板７０ａを介して光が照射されることにより、当該感光性樹脂が硬化する。この硬化によって、樹脂材料の硬化物で構成される複数の接着層８０が得られる。また、複数の接着層８０によって対向基板７０ａが基板１０ａに接合される。
また、＋ｙ方向に沿って隣り合う２つの接着層８０は、間隔Ｄ０で互いに離間して形成される。なお、図示はしないが、＋ｘ方向に沿って隣り合う接着層８０同士の間も離間している。
また、図１３に示すように、対向基板７０ａには、複数のアライメントマーク７６が形成される。アライメントマーク７６は、例えば、図１４では図示しないが、第２板面７０２ａ上、すなわち対向基板７０ａの接着層８０側の面上に形成される。アライメントマーク７６は、後の切断工程Ｓ１３で用いられるレーザー光ＬＬの対向基板７０ａに対する照射位置を位置決めするために用いられる。なお、アライメントマーク７６の配置はこれに限定されず、例えば、アライメントマーク７６は、保護層４ａ上に形成されてもよい。
１Ａ－４ｃ．切断工程Ｓ１３
図１５は、第１実施形態における切断工程Ｓ１３を説明するための拡大平面図である。図１６および図１７は、それぞれ、第１実施形態における切断工程Ｓ１３を説明するための拡大断面図である。
切断工程Ｓ１３では、レーザー光ＬＬを照射することにより、対向基板７０ａが切断される。具体的には、レーザー光ＬＬを照射することにより、図１５に示すように、対向基板７０ａに、複数の第１面７１と、複数の第２面７２とが形成される。複数の第１面７１は＋ｘ方向に延在し、平面視でライン状である。複数の第２面７２は平面視で＋ｘ方向に延在し、平面視でライン状である。また、レーザー光ＬＬを照射することにより、対向基板７０ａに、複数の第３面７３と、複数の第４面７４とが形成される。複数の第３面７３は、＋ｙ方向に延在し、平面視でライン状である。複数の第４面７４は、＋ｙ方向に延在し、平面視でライン状である。
第１面７１と第２面７２とは、平面視で一列に並ぶ複数の端子群３７０を挟んで形成される。すなわち、第１面７１と第２面７２とは、一列に並ぶ複数の端子群３７０の両側に形成される。第１面７１は、平面視で、端子群３７０と素子部２との間に形成される。第１面７１は、平面視で、端子群３７０と回路３００との間に形成されてもよい。第２面７２は、平面視で、隣り合う２つのパターン部１０ｐの間に形成される。また、第３面７３と第４面７４とは、平面視で、隣り合う２つのパターン部１０ｐの間に互いに離間して形成される。
レーザー光ＬＬは、点状に収束され、ライン状に走査されるよう照射される。レーザー光ＬＬは、例えば、波長１０．６μｍの炭酸ガスレーザー等を光学系で絞られた光である。レーザー光ＬＬは、対向基板７０ａの＋ｘ方向における一端から他端まで横断するように、＋ｘ方向に沿って走査される。この走査により、第１面７１と第２面７２とが形成される。また、レーザー光ＬＬは、対向基板７０ａの＋ｙ方向における一端から他端まで横断するように、＋ｙ方向に走査される。この走査により、第３面７３と第４面７４とが形成される。
また、複数の第１面７１、複数の第２面７２、複数の第３面７３および複数の第４面７４が形成されることにより、対向基板７０ａから、複数の回路対応部７８および複数の端子対応部７９が切り分けられる。本実施形態では、回路対応部７８および端子対応部７９は、パターン部１０ｐごとに設けられる。各回路対応部７８は、平面視で四角形状をなし、素子部２と、画素回路３０と、カラーフィルター６と重なる部分を含む。また、平面視で、回路対応部７８は有機ＥＬ素子２０と重なるように配置され、画素電極２３とも重なるように配置される。平面視で、回路対応部７８は走査線駆動回路３６１およびデータ線駆動回路３６２と重なるように配置されてもよい。また、端子対応部７９は、端子群３７０に対応した部分である。各端子対応部７９は、平面視で四角形状をなし、端子群３７０と重なる部分を含む。なお、各回路対応部７８は、前述の図２に示す回路領域Ａ１０と重なり、各端子対応部７９は、前述の図２に示す端子領域Ａ２０と重なる。
図１６に示すように、第１面７１および第２面７２は、対向基板７０ａの＋ｚ軸側の第１板面７０１ａと－ｚ軸側の第２板面７０２ａとに接続される。なお、図示はしないが、第３面７３および第４面７４も同様である。
図１６に示すように、第１面７１および第２面７２のそれぞれが第１板面７０１ａに対して傾斜するように、レーザー光ＬＬは、対向基板７０ａに照射される。例えば、レーザー光ＬＬは、照射深さが最も浅い位置から最も深い位置に向かうよう照射される。つまり、第１面７１の形成では、レーザー光ＬＬの＋ｘ方向に沿った走査が、－ｙ軸側から＋ｙ軸側に向かって複数回繰り返される。また、第２面７２の形成では、レーザー光ＬＬの＋ｘ方向に沿った走査が、＋ｙ軸側から－ｙ軸側に向かって複数回繰り返される。なお、図示はしないが、第３面７３および第４面７４も同様である。
このようにレーザー光ＬＬを用いて対向基板７０ａを切断することにより、機械的な方法で切断面を形成する場合に比べ、基板１０ａの割れまたは欠けの発生を低減することができる。また、レーザー光ＬＬの照射は、光学的な制御で行われるため、精密な位置合わせを行うことができる。そのため、微細化に、好適に対応することができる。
なお、レーザー光ＬＬの照射条件によって、対向基板７０ａから端子対応部７９が完全に切り分けられていない場合があるが、対向基板７０ａから端子対応部７９が切り分けることには、微小な力Ｐｘを加えることで切り分けられる状態になっていることも含む。
図１７に示すように、端子対応部７９では、第１板面７０１ａにおける第１面７１と第２面７２との間の第１距離Ｄ１は、第２板面７０２ａにおける第１面７１と第２面７２との間の第２距離Ｄ２よりも大きい。すなわち、第１面７１および第２面７２は、前述のようにそれぞれ第１板面７０１ａに対して傾斜するが、第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２よりも大きくなる方向に傾斜している。
また、第２距離Ｄ２は、間隙Ｄ０と同等であるか、それよりも小さい。接着層８０と端子領域Ａ２０とが接着していると、次の工程で端子領域Ａ２０を取り除き難くなるため、第２距離Ｄ２は、間隙Ｄ０と同等以下であることが好ましい。
１Ａ－４ｄ．端子対応部除去工程Ｓ１４
図１８は、第１実施形態における端子対応部除去工程Ｓ１４を説明するための拡大断面図である。端子対応部除去工程Ｓ１４では、複数の端子対応部７９が取り除かれる。なお、本工程では、複数の端子対応部７９の他に、複数の回路対応部７８以外の部分が取り除かれる。
端子対応部７９は、－ｚ方向に沿った力Ｐｘを加えることで取り除かれる。前述したように、第２距離Ｄ２は第１距離Ｄ１も小さい。そのため、端子対応部７９は、第１板面７０１ａから第２板面７０２ａに向かうについて先細りになるテーパー状をなす。よって、切断工程Ｓ１３で対向基板７０ａから端子対応部７９が切り分けられても、端子対応部７９が－ｚ軸側に移動して基板１０ａに接触することを回避することができる。また、端子対応部７９がテーパー状であることで、－ｚ方向に沿った力Ｐｘを端子対応部７９に加えることで、端子対応部７９を簡単に取り除くことができる。
図１９は、第１実施形態における端子対応部除去工程Ｓ１４を説明するための平面図である。複数の回路対応部７８以外の、複数の端子対応部７９およびその他の部分を取り除くことにより、図１８に示すように、基板１０ａ上に複数の対向基板７０が形成される。なお、対向基板７０は、対向基板７０ａのうちの回路対応部７８である。第１板面７０１ａのうちの回路対応部７８の部分は、対向基板７０の第１板面７０１となる。第２板面７０２ａのうちの回路対応部７８の部分は、対向基板７０の第２板面７０２となる。
１Ａ－４ｅ．保護層除去工程Ｓ１５
図２０は、第１実施形態における保護層除去工程Ｓ１５を説明するための拡大断面図である。図２０に示すように、保護層４ａの一部を例えばエッチングにより除去する。具体的には、保護層４ａのうち平面視で複数の対向基板７０と重ならない部分を除去する。この除去において、保護層４ａのうち平面視で端子群３７０と重なる部分が除去される。除去されることで、端子群３７０が露出する。
保護層４ａのエッチングでは、カラーフィルター６および対向基板７０をエッチングマスクとして用いることができる。なお、図示しないレジストパターンがエッチングマスクとして用いられてもよい。また、当該エッチングは、ドライエッチングであることが好ましい。保護層４ａが酸化ケイ素等で形成されている場合、エッチングガスとしては、例えば、ＣＦ４（四フッ化炭素）、ＣＨＦ３（三フッ化炭素）などのフッ素系ガス等が用いられる。なお、ドライエッチングに代えて、ウェットエッチングが行われてもよい。
また、複数の第１面７１および複数の第２面７２が前述のように傾斜しているため、これらが第１板面７０１に対して直交している場合に比べ、エッチングガス等を各端子３７上へと効率良く侵入させることができる。そのため、保護層４を除去して各端子３７を容易かつ高精細に露出させることができる。
１Ａ－４ｆ．個片化工程Ｓ１６
図２１は、第１実施形態における個片化工程Ｓ１６を説明するための平面図である。図２１に示すように、対向基板７０ａは、平面視で＋ｘ方向に延在する複数の第１ライン２１８、および平面視で＋ｙ方向に延在する複数の第２ライン２１９に沿って、格子状に切断される。切断により、基板１０ａは複数のパターン部１０ｐに切り分けられる。切り分けらえることにより、複数の表示パネル１が得られる。
図２２は、第１実施形態における個片化工程Ｓ１６を説明するための拡大断面図である。例えば、図２２に示すように、例えば、第１面７１よりも第２面７２に近い位置で、かつ各端子３７と重ならない位置で基板１０ａは切断される。基板１０ａの切断方法としては、例えば、ダイシングブレードを用いる方法が挙げられる。なお、基板１０ａの切断方法は、これに限定されず、ダイヤモンドチップ等を使ってケガキをした後にブレイクする方法等であってもよい。
なお、切り分けらえることにより、第１面７１から複数の第１傾斜面７３１が形成され、第２面７２から複数の第２傾斜面７３２が形成される。また、図示はしないが、第３面７３から複数の第３傾斜面７３３が形成され、第４面７４から複数の第４傾斜面７３４が形成される。
以上説明のように、電気光学装置１００の製造方法は、基板用意工程Ｓ１１と、貼り合わせ工程Ｓ１２と、切断工程Ｓ１３と、端子対応部除去工程Ｓ１４とを含む。基板用意工程Ｓ１１では、複数の画素電極２３、複数の画素電極２３に電気的に接続される回路３００、および回路３００に電気的に接続される端子３７が設けられる基板１０ａが用意される。貼り合わせ工程Ｓ１２では、基板１０ａに、基板１０ａの厚さ方向からの平面視で、画素電極２３および端子３７に重ねて対向基板７０ａが貼り合わせられる。切断工程Ｓ１３では、対向基板７０ａにレーザー光ＬＬが照射されることにより、対向基板７０ａから、平面視で端子３７と重なる部分を含む端子対応部７９が切り分けられる。端子対応部除去工程Ｓ１４では、対向基板７０ａから端子対応部７９が取り除かれる。
このように、電気光学装置１００の製造方法では、複数のパターン部１０ｐが形成された基板１０ａに対向基板７０ａを貼り合わせられた後、端子対応部７９が取り除かれる。かかる電気光学装置１００の製造方法によれば、基板１０ａに個別の対向基板７０を貼り合わせるチップマウント方式に比べ、タクトタイムを短くすることができる。よって、複数の電気光学装置１００をより迅速に製造することができる。また、電気光学装置１００の製造方法によれば、個別の対向基板７０を貼り合わせることがないため、個別の対向基板７０を基板１０ａに貼り合わせる際に、隣り合う２つの対向基板７０同士が重なるという不具合の発生を防ぐことができる。また、個別の対向基板７０を基板１０ａに貼り合わせる際に、平面視で対向基板７０が端子３７に重なることが回避されるので、対向基板７０が端子３７に干渉することを防ぐことができる。また、レーザー光ＬＬを用いているため、微細化に好適に対応することができる。そのため、対向基板７０ａから端子対応部７９を高精細に切り分けることができる。このようなことから、電気光学装置１００の製造方法によれば、安定した品質の電気光学装置１００を効率良く製造することができる。
また、前述のように、切断工程Ｓ１３において、レーザー光ＬＬの照射により、対向基板７０ａには、平面視で端子対応部７９を挟む第１面７１および第２面７２が形成される。第１面７１および第２面７２は、対向基板７０ａにおける基板１０ａとは反対側の第１板面７０１に対して傾斜する。また、第１板面７０１ａにおける第１面７１と第２面７２との間の第１距離Ｄ１は、対向基板７０ａにおける基板１０ａ側の第２板面７０２ａにおける第１面７１と第２面７２との間の第２距離Ｄ２よりも大きい。
第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２よりも大きくなるように第１面７１および第２面７２が形成されることにより、第１板面７０１ａから第２板面７０２ａに向かうについて先細りになるテーパー状の端子対応部７９を形成することができる。端子対応部７９が当該テーパー状であることで、対向基板７０ａから端子対応部７９が切り分けられても、端子対応部７９が－ｚ軸側に移動して基板１０ａに接触することが回避することができる。また、テーパー状をなす端子対応部７９が形成されるので、－ｚ方向に沿った力Ｐｘが端子対応部７９に加えることで、端子対応部７９を簡単に取り除くことができる。このようなことから、複数のパターン部１０ｐが形成された基板１０ａに対向基板７０ａを貼り合わせた後、端子対応部７９を取り除く方法を確実に実現することができる。
また、本実施形態では、第１面７１および第２面７２の両方が第１板面７０１に対して傾斜しているが、切断工程Ｓ１３において端子対応部７９を挟む第１面７１および第２面７２のいずれか一方のみが、傾斜していてもよい。また、第３面７３および第４面７４についても同様に、少なくとも一方が傾斜していることで、端子対応部除去工程Ｓ１４において、対向基板７０ａのうち回路対応部７８以外の部分の除去を効率良く行うことができる。
また、前述のように電気光学装置１００は、有機ＥＬ装置である。よって、その製造に用いられる基板１０ａは、発光材料を含む発光層２４０を有する。また、基板１０ａは、平面視で発光層２４０および端子３７と重なる透光性の無機材料を含む保護層４ａを有する。また、電気光学装置１００の製造方法は、端子対応部除去工程Ｓ１４の後において、保護層除去工程Ｓ１５を含む。保護層除去工程Ｓ１５では、平面視で、保護層４ａの端子３７と重なる部分が除去される。
保護層除去工程Ｓ１５では、対向基板７０ａをエッチングマスクとして用いることができるので、保護層４ａの一部の除去を迅速にかつ高精細に行うことができる。また、他のエッチングマスクを用いなくて済むため、他のエッチングマスクの位置合わせを行う手間を省くことができる。また、第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２よりも大きくなるように第１面７１および第２面７２が傾斜しているので、エッチングガス等を、保護層４ａの端子３７上へと効率良く侵入させることができる。そのため、保護層４ａのうち平面視で端子３７に重なる部分を高精細に除去することができる。
また、本実施形態では、複数の表示パネル１を製造したが、例えば１つの表示パネル１のみが製造されてもよい。つまり、１つの基板１０と１つの対向基板７０とを貼り合せ、第１面７１および第２面７２を形成し、その後、端子対応部７９を除去することにより、１つの表示パネル１が製造されてもよい。
また、例えば、保護層除去工程Ｓ１５と個片化工程Ｓ１６との間で、電気的な特性を検査する工程が行われてもよい。また、個片化工程Ｓ１６の後に、表示パネル１の各種品質に関する検査が行われてもよい。
１Ｂ．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２３は、第２実施形態における電気光学装置１００の製造方法を示すフローチャートである。図２４は、第２実施形態における貼り合わせ工程Ｓ１２を説明するための拡大断面図である。図２５は、第２実施形態における切断工程Ｓ１３を説明するための拡大断面図である。本実施形態は、吸収層５０を備えることが第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。
図２３に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の製造方法は、貼り合わせ工程Ｓ１２の前において、吸収層形成工程Ｓ２１を有する。吸収層形成工程Ｓ２１では、図２４に示すように、複数の吸収層５０が形成される。吸収層５０は、レーザー光ＬＬを吸収する。吸収層５０は、着色材を含む樹脂材料または金属材料を含む。吸収層５０は、平面視で、レーザー光ＬＬが照射される予定の部分に配置される。したがって、図２５に示すように、吸収層５０は、第１面７１および第２面７２と平面視で重なる部分に形成される。なお、図示はしないが、吸収層５０は、第３面７３および第４面７４と平面視で重なる部分にも形成される。特に、吸収層５０は、カラーフィルター６が配置されていない部分に対応するよう、平面視で接着層８０の外縁を覆うように当該外縁に重なる。また、吸収層５０は、平面視で、複数の端子３７を挟むよう形成される。かかる吸収層５０を備えることで、レーザー光ＬＬを吸収層５０で吸収して減衰させることができるので、基板１０のレーザー光ＬＬによるダメージを低減することができる。
また、吸収層形成工程Ｓ２１において、図２４に示すように、吸収層５０と同層に、アライメントマーク７６が形成される。アライメントマーク７６は、第１実施形態で述べたように、対向基板７０ａに対するレーザー光ＬＬの照射位置を位置決めするための基準である。アライメントマーク７６と吸収層５０とが同層に配置されることで、これらが同層に配置されない場合に比べ、対向基板７０ａの厚さ方向におけるレーザー光ＬＬの位置合わせ精度を高めることができる。また、アライメントマーク７６が対向基板７０ａの第２板面７０２ａ側に位置することで、第１板面７０１ａ側に位置するよりも、対向基板７０ａの対向基板７０ａの厚さ方向におけるレーザー光ＬＬの位置合わせ精度を高めることができる。
なお、アライメントマーク７６の配置はこれに限定されず、例えば、アライメントマーク７６は、保護層４ａ上に形成されてもよい。その場合には、基板用意工程Ｓ１１に、吸収層形成工程Ｓ２１が含まれる。
１Ｃ．第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図２６は、第３実施形態における電気光学装置１００の製造方法を示すフローチャートである。図２７は、第３実施形態における貼り合わせ工程Ｓ１２を説明するための拡大断面図である。図２８は、第２実施形態における切断工程Ｓ１３を説明するための拡大断面図である。本実施形態は、対向基板７０ａが溝７７を有することが第１実施形態と異なる。なお、第３実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。
図２６に示すように、本実施形態における電気光学装置１００の製造方法は、貼り合わせ工程Ｓ１２の前において、溝形成工程Ｓ２２を有する。溝形成工程Ｓ２２では、図２７に示すように、対向基板７０ａの第２板面７０２ａに複数の溝７７が形成される。溝７７は、レーザー光ＬＬを減衰させる。溝７７は、第２板面７０２ａに形成される凹みである。溝７７は、平面視で、レーザー光ＬＬが照射される予定の部分に配置される。したがって、図２８に示すように、溝７７は、第１面７１および第２面７２と平面視で重なる部分に形成される。なお、図示はしないが、溝７７は、第３面７３および第４面７４と平面視で重なる部分にも形成される。特に、溝７７は、平面視で接着層８０の外縁を覆うように当該外縁に重なる。また、溝７７は、端子対応部７９に対応する位置に形成される。よって、溝７７は、平面視で、複数の端子３７を挟むよう形成される。かかる溝７７を備えることで、溝７７がない場合に比べレーザー光ＬＬを基板１０に近づけずに切断できるので、基板１０のレーザー光ＬＬによるダメージを低減することができる。
また、吸収層形成工程Ｓ２１において、図２７に示すように、基板１０ａと対向基板７０ａとの間に、アライメントマーク７６０が形成される。アライメントマーク７６０は、対向基板７０ａの第２板面７０２ａに形成される。アライメントマーク７６０は、第２板面７０２ａに形成される凹みである。アライメントマーク７６０は、第１実施形態でのアライメントマーク７６と同様に、対向基板７０ａに対するレーザー光ＬＬの照射位置を位置決めするための基準である。そのため、アライメントマーク７６０と溝７７とが、＋ｚ方向においてほぼ同等の位置に設けられることで、対向基板７０ａの厚さ方向におけるレーザー光ＬＬの位置合わせ精度を高めることができる。
以上、「電気光学装置」の一例として、有機ＥＬ装置である電気光学装置１００を例に説明したが、「電気光学装置」は、有機ＥＬ装置以外の装置であってもよい。例えば、「電気光学装置」は、液晶装置であってもよい。また、「電気光学装置」は、無機ＥＬを光源とした無機ＥＬ装置であってもよい。また、「電気光学装置」は、トップエミッション型に限定されず、有機ＥＬ素子２０で発生する光が基体１２１を透過して出射されるボトムエミッション型であってもよい。また、電気光学装置１００、光共振器を備えていなくてもよい。また、電気光学装置１００は、フルカラー表示が可能な表示パネル１を備えるが、単色表示を行うパネルを備えてもよい。また、電気光学装置１００、照明として用いられてもよい。
２．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１００は、各種の電子機器に適用することができる。
２Ａ．ヘッドマウントディスプレイ
図２９は、本発明の電子機器の一例である虚像表示装置８００の一部を模式的に示す平面図である。図２９に示す虚像表示装置８００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。虚像表示装置８００は、前述した電気光学装置１００と、コリメーター８１と、導光体８２と、第１反射型体積ホログラム８３と、第２反射型体積ホログラム８４とを備える。なお、電気光学装置１００から出射される光は、映像光Ｌとして出射される。
コリメーター８１は、電気光学装置１００と導光体８２との間に配置される。コリメーター８１は、電気光学装置１００から出射された光を平行光にする。コリメーター８１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター８１で平行光に変換された光は、導光体８２に入射する。
導光体８２は、平板状をなし、コリメーター８１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体８２は、その内部で光を反射して導光する。導光体８２のコリメーター８１と対向する面８２１には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体８２の面８２１とは反対側の面８２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム８３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム８４が配置される。第１反射型体積ホログラム８３は、第２反射型体積ホログラム８４よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム８３および第２反射型体積ホログラム８４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。
かかる構成の虚像表示装置８００では、光入射口から導光体８２内に入射した映像光Ｌが、反射を繰り返して進み光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光Ｌにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。
ここで、虚像表示装置８００は、前述の電気光学装置１００を備える。前述の電気光学装置１００は品質が良好である。そのため、電気光学装置１００を備えることで、品質の高い虚像表示装置８００を提供することができる。
なお、虚像表示装置８００は、電気光学装置１００から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像表示装置８００は、例えば、青色の波長域の光を出射する電気光学装置１００、緑色の波長域の光を出射する電気光学装置１００および赤色の波長域の光を出射する電気光学装置１００を備えることができる。
２Ｂ．パーソナルコンピューター
図３０は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図３０に示すように、パーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１００と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、を備える。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１００を備えるため、品質に優れる。
なお、電気光学装置１００を備える「電子機器」としては、図２９に例示した虚像表示装置８００および図３０に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１００を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。
以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。
１…表示パネル、２…素子部、４…保護層、４ａ…保護層、６…カラーフィルター層、８…接着層、１０…基板、１０ａ…基板、１０ｐ…パターン部、１２…配線板、１２ａ…配線板、１３…走査線、１４…データ線、１５…給電線、１６…給電線、２０…有機ＥＬ素子、２１…反射部、２２…共振調整層、２２ａ…共振調整層、２３…画素電極、２４…有機層、２５…共通電極、２６…隔壁、３０…画素回路、３１…スイッチング用トランジスター、３２…駆動用トランジスター、３２ｃ…チャネル、３２ｄ…ドレイン、３２ｇ…ゲート電極、３２ｓ…ソース、３３…保持容量、３５…制御回路、３７…端子、４１…
第１層、４１ａ…第１層、４２…第２層、４２ａ…第２層、４３…第３層、４３ａ…第３層、５０…吸収層、６１Ｂ…着色層、６１Ｇ…着色層、６１Ｒ…着色層、７０…対向基板、７０ａ…対向基板、７１…第１面、７２…第２面、７３…第３面、７４…第４面、７６…アライメントマーク、７７…溝、７８…回路対応部、７９…端子対応部、８０…接着層、９０…ケース、９１…開口、９５…ＦＰＣ基板、１００…電気光学装置、１２０…配線層、１２０ａ…配線層、１２１…基体、１２１ａ…基体、１２２…絶縁膜、１２２ａ…絶縁膜、１２３…絶縁膜、１２３ａ…絶縁膜、１２４…絶縁膜、１２４ａ…絶縁膜、２１８…第１ライン、２１９…第２ライン、２４０…発光層、３００…回路、３２０…半導体層、３２１…中継電極、３２２…中継電極、３２３…中継電極、３６１…走査線駆動回路、３６２…データ線駆動回路、７０１…第１板面、７０１ａ…第１板面、７０２…第２板面、７０２ａ…第２板面、７０３…側面、７３１…第１傾斜面、７３２…第２傾斜面、７３３…第３傾斜面、７３４…第４傾斜面、３２１１…貫通電極、３２１２…貫通電極、３２２１…貫通電極、３２３１…貫通電極、Ａ１０…回路領域、Ａ１１…表示領域、Ａ２０…端子領域、Ｄ０…間隙、Ｄ１…第１距離、Ｄ２…第２距離、ＥＹ…瞳、Ｌ０…光学距離、ＬＬ…レーザー光、Ｐ…画素、Ｐ０…サブ画素、ＰＢ…サブ画素、ＰＧ…サブ画素、ＰＲ…サブ画素、Ｐｘ…力、θ１…角度、θ２…角度。

Claims (7)

  1. 画素電極、前記画素電極に電気的に接続される回路、および前記回路に電気的に接続される端子が設けられる基板に、対向基板を貼り合わせる工程と、
    前記対向基板にレーザー光を照射することにより、前記対向基板から、前記端子に対応する端子対応部を切り分ける工程と、
    前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程と、を含み、
    前記端子対応部を切り分ける工程において、
    前記レーザー光は、点状に収束され、ライン状に走査され、
    前記レーザー光の照射により、前記対向基板には、平面視で前記端子対応部を挟む第１面および第２面が形成されており、
    前記第１面および前記第２面のうちの一方または両方は、前記対向基板における前記基板とは反対側の第１板面に対して傾斜し、
    前記第１板面における前記第１面と前記第２面との間の第１距離は、前記対向基板における前記基板側の第２板面における前記第１面と前記第２面との間の第２距離よりも大きく、
    前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程において、
    前記対向基板の前記基板とは反対の方向に向かう力を加えることにより、前記端子対応部が取り除かれる、
    ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 前記基板は、発光材料を含む発光層と、前記平面視で前記発光層および前記端子と重なる無機材料を含む保護層と、を有し、
    前記端子対応部を取り除く工程の後において、前記平面視で、前記保護層の前記端子と重なる部分を除去する工程と、をさらに含む請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
  3. 前記対向基板を貼り合わせる工程よりも前において、前記レーザー光を吸収する樹脂材料または金属材料を含む吸収層を形成する請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
  4. 前記吸収層を形成する工程において、前記吸収層と同層に、前記対向基板に対する前記レーザー光の照射位置を位置決めするためのアライメントマークを形成する請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
  5. 前記対向基板を貼り合わせる工程よりも前において、前記第２板面の前記平面視で前記端子対応部に対応する位置に溝を形成する工程を、さらに有する請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
  6. 前記対向基板を貼り合わせる工程よりも前において、前記対向基板に対する前記レーザー光の照射位置を位置決めするためのアライメントマークを形成する請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
  7. 有機エレクトロルミネッセンス素子、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電気的に接続される回路、および前記回路に電気的に接続される端子が設けられる配線板に、平面視で、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記回路、および前記端子と重なる保護層を形成する工程と、
    前記保護層に、対向基板を貼り合わせる工程と、
    前記対向基板にレーザー光を照射することにより、前記対向基板から、前記端子に対応する端子対応部を切り分ける工程と、
    前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程と、
    前記平面視で、前記保護層の前記端子と重なる部分を除去する工程と、を備え、
    前記端子対応部を切り分ける工程において、
    前記レーザー光は、点状に収束され、ライン状に走査され、
    前記レーザー光の照射により、前記対向基板には、前記平面視で前記端子対応部を挟む第１面および第２面が形成されており、
    前記第１面および前記第２面のうちの一方または両方は、前記対向基板における前記保護層とは反対側の第１板面に対して傾斜し、
    前記第１板面における前記第１面と前記第２面との間の第１距離は、前記対向基板における前記保護層側の第２板面における前記第１面と前記第２面との間の第２距離よりも大きく、
    前記対向基板から前記端子対応部を取り除く工程において、
    前記対向基板の前記基板とは反対の方向に向かう力を加えることにより、前記端子対応部が取り除かれる、
    ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
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